TW202331865A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents
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Abstract
[課題] 本發明旨在提供一種技術，減少「薄化後之第一基板之厚度」的變異。
[解決手段]一種基板處理裝置，具備：膜形成部，在第二基板之非接合面形成膜，該第二基板具有：接合面，接合於預定減薄之第一基板；及該非接合面，和該接合面相反方向；及控制部，控制該膜形成部。該控制部，基於該第二基板之厚度分佈，在該非接合面之一部分形成該膜，或在該非接合面之一部分相較於其他部分將該膜形成得較厚。
Description
本發明有關於基板處理裝置及基板處理方法。
專利文獻1記載之基板處理系統，包含：接合裝置，接合第一基板與第二基板；及板厚減薄裝置，「以接合裝置接合之重合基板」中之第一基板之厚度予以減薄。板厚減薄裝置為例如磨削裝置。
[先前技術文獻]
[專利文獻1]日本特開2021－103698號公報
[發明欲解決之課題]
本發明一態樣提供一種技術，減少「薄化後之第一基板之厚度」的變異。
[解決課題之手段]
依本發明一態樣之基板處理裝置，具備：膜形成部，在第二基板之非接合面形成膜，該第二基板具有：接合面，接合於預定減薄之第一基板；及該非接合面，和該接合面相反方向；及控制部，控制該膜形成部。該控制部，依如下方式進行形成該膜的控制：基於該第二基板之厚度分佈，在該非接合面之一部分形成該膜，或在該非接合面之一部分相較於其他部分將該膜形成得較厚。
[發明之效果]
依本發明一態樣，可減少「薄化後之第一基板之厚度」的變異。
以下參照圖式，針對本發明之實施態樣進行說明。又，各圖式中，有時對相同或對應之構成標註同一符號，而省略說明。本說明書中，X軸方向、Y軸方向、Z軸方向為互相垂直之方向。X軸方向及Y軸方向為水平方向，Z軸方向為鉛直方向。
首先，參照圖1，針對依一參考態樣之基板處理方法進行說明。首先，如圖1（A）所示，準備重合基板W。重合基板W包含：第一基板W1，預定減薄；及第二基板W2，接合於第一基板W1。第一基板W1具有：接合面W1a，接合於第二基板W2；及非接合面W1b，和接合面W1a相反方向。同樣地，第二基板W2具有：接合面W2a，接合於第一基板W1；及非接合面W2b，和接合面W2a相反方向。
第一基板W1包含例如矽晶圓、化合物半導體晶圓、或玻璃基板。如圖2所示，第一基板W1，在其接合面W1a例如具有：複數之格柵S1，配置成四角格子狀；及元件D1，形成在「以複數之格柵S1區隔而成」之元件區域A1。元件D1例如包含電子電路。
第二基板W2，和第一基板W1同樣地構成。亦即，第二基板W2包含例如矽晶圓、化合物半導體晶圓、或玻璃基板。如圖2所示，第二基板W2，在其接合面W2a例如具有：複數之格柵S2，配置成四角格子狀；及元件D2，形成在「以複數之格柵S2區隔而成」之元件區域A2。元件D2例如包含電子電路。
藉由使第一基板W1之接合面W1a、與第二基板W2之接合面W2a相向，而接合第一基板W1與第二基板W2，以電性連接第一基板W1之元件D1、與第二基板W2之元件D2。其後，如圖1（B）所示，減薄第一基板W1後，將重合基板W藉由切割而分割成複數之半導體晶片。藉此，可達到半導體晶片之高性能化與薄型化。
此外，如圖1（A）所示，第二基板W2有時有厚度t2之變異。厚度t2之變異，例如以厚度t2之最大值與最小值的差（總厚度變異（TTV，Total Thickness Variation））來表示。第二基板W2之厚度t2之變異，例如取決於第二基板W2之接合面W2a上的元件D2之厚度等。
如圖1（B）所示，薄化裝置38減薄第一基板W1。例如，薄化裝置38包含：基板固持部381，吸附重合基板W；磨輪驅動部383，從和基板固持部381相反側抵靠磨輪382。基板固持部381之吸附面，具有「和重合基板W之主面相同程度以上」之大小，吸附重合基板W整體。基板固持部381例如為真空吸盤，真空吸附重合基板W。
基板固持部381，將第二基板W2之非接合面W2b平坦地吸附。因此，第二基板W2有厚度變異時，第二基板W2之接合面W2a產生微小凹凸，第一基板W1之接合面W1a亦產生微小凹凸。第一基板W1之非接合面W1b，係相對於第二基板W2之非接合面W2b平行地加工。
因此，如圖1（C）所示，薄化後之第一基板W1之厚度t1有變異。其結果，在電極形成等後續步驟會產生問題。電極形成於第一基板W1之非接合面W1b，並和「形成於第一基板W1之接合面W1a」之元件D1電性連接。
接著，參照圖3，針對依一實施態樣之基板處理方法進行說明。首先，如圖3（A）所示，測定裝置32測定第二基板W2之厚度分佈。測定資料包含：第二基板W2之非接合面W2b上之座標、及各座標之第二基板W2之厚度t2。測定裝置32，例如使用透射過第二基板W2之紅外線，利用第二基板W2之非接合面W2b所反射之光、與第二基板W2之接合面W2a所反射之光的干涉，來測定第二基板W2之厚度分佈。
測定裝置32例如具備：探測器321，朝第二基板W2之非接合面W2b垂直地照射紅外線，並且接受第二基板W2所反射之光；光源，藉由光導纖維連接於探測器321；光偵測器，藉由光導纖維連接於探測器321；及移動機構，使探測器321相對於第二基板W2移動。又，圖3（A）中，第二基板W2之非接合面W2b向下，但向上亦可，重合基板W可上下翻轉。
又，測定裝置32，於本實施態樣中，在第一基板W1與第二基板W2接合後，測定第二基板W2之厚度分佈，但在第一基板W1與第二基板W2接合前，測定第二基板W2之厚度分佈亦可。若是後者時，藉由使用靜電電容型位移感測器、或雷射位移感測器，來測定直到第二基板W2之接合面W2a的距離，可測定第二基板W2之厚度分佈。又，若是後者時，亦可使用接觸式感測器。
接著，如圖3（B）所示，基於第二基板W2之厚度分佈，在第二基板W2之非接合面W2b之一部分形成膜F。膜F之形成，在後述控制裝置90之控制下進行。控制裝置90，在第二基板W2之厚度t2為最小值之位置形成膜F，在第二基板W2之厚度t2為最大值之位置不形成膜F。
例如，第二基板W2之格柵S2之厚度小於第二基板W2之元件區域A2之厚度時，控制裝置90沿著複數之格柵S2將膜F形成為四角格子狀（參照圖4）。又，第二基板W2之元件區域A2之厚度小於第二基板W2之格柵S2之厚度時，控制裝置90在各個元件區域A2將膜F形成為島狀。
膜F之厚度，依第二基板W2之厚度t2之最大值與最小值的差（TTV）而變更。TTV越大，膜F之厚度設定得越大。
又，本實施態樣中，在第一基板W1與第二基板W2接合後形成膜F，但在第一基板W1與第二基板W2接合前形成膜F亦可。
接著，如圖3（C）所示，薄化裝置38，於第二基板W2之非接合面W2b之一部分形成有膜F的狀態下，減薄「預先和第二基板W2接合」之第一基板W1。基板固持部381，藉由隔著膜F來吸附第二基板W2，以使第二基板W2彈性變形。第二基板W2以其一部分進入膜F之開口部的方式，產生彈性變形。
其結果，第二基板W2之接合面W2a變平坦，第一基板W1之接合面W1a亦變平坦。於此狀態下，薄化裝置38，以磨輪382將第一基板W1之非接合面W1b相對於第一基板W1之接合面W1a平行地加工。因此，如圖3（D）所示，薄化後之第一基板W1之厚度t1變得均一。相較於參考態樣，可減少「薄化後之第一基板W1之厚度t1」的變異。
又，第一基板W1之薄化，可使用未圖示之雷射加工裝置。雷射加工裝置，在第一基板W1之內部形成改質層。改質層，係在第一基板W1之徑向及周向隔開間隔而複數形成。藉由以複數之改質層為起點來分割第一基板W1，可減薄第一基板W1。此時，亦只要在減薄第一基板W1之際，藉由隔著膜F來吸附第二基板W2，以使第二基板W2之接合面W2a平坦化，即可減少「薄化後之第一基板W1之厚度t1」的變異。
接著，參照圖5，針對使用感光材料來形成膜F之一例進行說明。膜形成裝置34例如包含：圖5（A）所示之塗布裝置341、圖5（B）所示之曝光裝置342、及圖5（C）所示之顯影裝置343。
塗布裝置341，藉由在第二基板W2之非接合面W2b整體塗布感光材料，以在第二基板W2之非接合面W2b整體形成膜F。塗布裝置341為例如旋轉塗布裝置，對旋轉之第二基板W2之非接合面W2b中心滴入感光材料，利用離心力將感光材料在非接合面W2b整體塗開。膜F之厚度，可藉由感光材料之種類（例如材質或黏度）、塗布條件（例如塗布量或旋轉速度）、或固化條件（例如乾燥溫度）等來控制。膜F之厚度，亦可藉由感光材料之塗布次數來控制。
曝光裝置342，對膜F之一部分進行曝光。感光材料，為曝光部分因為顯影而被去除之正型，亦可為曝光部分在顯影後留下來之負型。曝光裝置342，對膜F之一部分進行曝光，俾於顯影後，在第二基板W2之厚度t2為最小值之位置留下膜F，在第二基板W2之厚度t2為最大值之位置不留下膜F。曝光裝置342，例如使用具有開口圖案之遮光膜，沿著複數之格柵S2曝光成四角格子狀，或在各個元件區域A2曝光成島狀。
顯影裝置343，對於「以曝光裝置342曝光後之膜F」進行顯影。顯影後留下來之膜F之位置，藉由曝光位置來控制。顯影裝置343為例如旋轉顯影裝置，對旋轉之第二基板W2之非接合面W2b中心滴入顯像液，利用離心力將顯像液在非接合面W2b整體塗開。又，顯影裝置343，亦可為噴塗顯影裝置或浸漬式顯影裝置等。
接著，參照圖6，針對使用油墨材料來形成膜F之一例進行說明。膜形成裝置34例如包含：圖6（A）所示之塗布裝置344、或圖6（B）所示之塗布裝置345。
圖6（A）所示之塗布裝置344，具備：油墨噴射頭3441，噴吐油墨材料；及移動機構3442，使油墨噴射頭3441相對於第二基板W2移動。膜F之形成位置，藉由油墨材料之噴吐位置來控制。油墨噴射頭3441，具有複數之噴嘴，可各噴嘴獨立地噴吐不同的油墨材料。可變更油墨材料之黏度、或油墨材料含有之粒子之粒徑。
圖6（B）所示之塗布裝置345，具備：墨筆3451，塗布油墨材料；及移動機構3452，使墨筆3451相對於第二基板W2移動。膜F之形成位置，藉由油墨材料之塗布位置來控制。塗布裝置345，具有複數之墨筆3451，可各墨筆3451獨立地噴吐不同的油墨材料。可變更油墨材料之黏度、或油墨材料含有之粒子之粒徑。
此等塗布裝置344、345，藉由在第二基板W2之非接合面W2b之一部分塗布油墨材料，以在第二基板W2之非接合面W2b之一部分形成膜F。塗布裝置344、345，在第二基板W2之厚度t2為最小值之位置形成膜F，在第二基板W2之厚度t2為最大值之位置不形成膜F。使用油墨材料時，相較於使用感光材料之情形，容易修改膜F之形成位置。膜F之厚度，可藉由油墨材料之塗布量、油墨材料之黏度、或油墨材料含有之粒子之粒徑等來控制。膜F之厚度，亦可藉由油墨材料之塗布次數來控制。
上述實施態樣之膜形成裝置34，在第二基板W2之非接合面W2b之一部分形成膜F，但在非接合面W2b整體形成膜F亦可，此時，只要在非接合面W2b之一部分，相較於其他部分將膜F形成得較厚即可。膜形成裝置34，在第二基板W2之厚度越大之位置，使膜F之厚度越小。
接著，參照圖7，針對依一實施態樣之基板處理裝置1進行說明。基板處理裝置1，在重合基板W之第二基板W2的非接合面W2b之一部分形成膜，或在非接合面W2b之一部分相較於其他部分將膜F形成得較厚，並在此狀態下，減薄重合基板W之第一基板W1。第一基板W1與第二基板W2預先接合起來，將重合基板W送入基板處理裝置1。基板處理裝置1包含送入送出站2、處理站3、及控制裝置90。又，基板處理裝置1，只要至少包含膜形成裝置34及控制裝置90即可。
送入送出站2具備載置台21。載置台21供晶圓匣盒C載置。晶圓匣盒C，將重合基板W在鉛直方向隔開間隔而收納複數片。載置台21包含「在Y軸方向配置成一列」之複數之載置板22。在複數之載置板22分別載置晶圓匣盒C。載置板22之數目不特別限定。同樣地，晶圓匣盒C之數目亦不特別限定。
送入送出站2具備：第一搬運區域23，配置在載置台21與處理站3之間；及第一搬運裝置24，在第一搬運區域23搬運重合基板W。第一搬運裝置24包含「固持重合基板W」之搬運臂。搬運臂可在水平方向（X軸方向及Y軸方向之兩方向）及鉛直方向移動，並且可以鉛質軸為中心來旋轉。搬運臂之數目可為一支，亦可為複數支。
處理站3，例如具備第一轉運裝置31、測定裝置32、第一翻轉裝置33、膜形成裝置34、第二翻轉裝置35、第二轉運裝置36、對準裝置37、薄化裝置38、第一清洗裝置39、及第二清洗裝置40。此等裝置31～40之配置及數目，不限於圖7所示之配置及數目。
第一轉運裝置31及第二轉運裝置36，暫時收納重合基板W。測定裝置32，測定第二基板W2之厚度分佈。第一翻轉裝置33及第二翻轉裝置35，使重合基板W翻轉。膜形成裝置34，在第二基板W2之非接合面W2b之一部分形成膜F。對準裝置37，偵測重合基板W之中心。對準裝置37，除了重合基板W之中心，進一步偵測第一基板W1或第二基板W2之晶體方向亦可，具體而言，偵測出表示第一基板W1或第二基板W2之晶體方向的切口或定向平面亦可。薄化裝置38，減薄第一基板W1。第一清洗裝置39及第二清洗裝置40，清洗重合基板W。
處理站3具備：第二搬運區域51，和第一搬運區域23之間夾隔著第一轉運裝置31而設置；及第二搬運裝置52，在第二搬運區域51搬運重合基板W。第二搬運裝置52，和第一搬運裝置24同樣地構成，在接鄰於第二搬運區域51的複數之裝置彼此之間，搬運重合基板W。
又，處理站3具備：第三搬運區域53，在三方向受到對準裝置37、薄化裝置38、及第一清洗裝置39所包圍；第三搬運裝置54，在第三搬運區域53搬運重合基板W。第三搬運裝置54，和第一搬運裝置24同樣地構成，在接鄰於第三搬運區域53的複數之裝置彼此之間，搬運重合基板W。
控制裝置90，例如為電腦，具備中央處理器（CPU，Central Processing Unit）91、及記憶體等儲存媒體92。儲存媒體92存放有「控制基板處理裝置1中執行之各種處理」之程式。控制裝置90，藉由使CPU91執行儲存媒體92所儲存之程式，以控制基板處理裝置1之動作。
接下來，針對基板處理裝置1之動作進行說明。下述動作係在控制裝置90之控制下實施。首先，第一搬運裝置24，從晶圓匣盒C取出重合基板W，並搬運至第一轉運裝置31。接著，第二搬運裝置52，從第一轉運裝置31取出重合基板W，並搬運至測定裝置32。
接著，如圖3（A）所示，測定裝置32測定第二基板W2之厚度分佈。測定資料包含：第二基板W2之非接合面W2b上之座標、及各座標之第二基板W2之厚度t2。測定裝置32，將測定資料傳送至控制裝置90。控制裝置90，接收測定裝置32傳送過來之測定資料。測定裝置32測定第二基板W2之厚度分佈後，第二搬運裝置52從測定裝置32取出重合基板W，並搬運至第一翻轉裝置33。
接著，第一翻轉裝置33，藉由上下翻轉重合基板W，以使第二基板W2之非接合面W2b向上。其後，第二搬運裝置52從第一翻轉裝置33取出重合基板W，並搬運至膜形成裝置34。本實施態樣中，測定裝置32以第二基板W2之非接合面W2b向下之方式，測定第二基板W2之厚度分佈，但以第二基板W2之非接合面W2b向上之方式，測定第二基板W2之厚度分佈亦可。此時，沒有第一翻轉裝置33亦可，第二搬運裝置52將「從測定裝置32取出之重合基板W」搬運至膜形成裝置34。
接著，如圖3（B）所示，膜形成裝置34在第二基板W2之非接合面W2b之一部分形成膜F。如圖4所示，從直交於接合面W2a之方向觀察時，膜形成裝置34沿著複數之格柵S2（參照圖2）將膜F形成為四角格子狀。又，雖未圖示，從直交於接合面W2a之方向觀察時，膜形成裝置34在各個元件區域A2將膜F形成為島狀亦可。
膜形成裝置34，在第二基板W2之非接合面W2b整體形成膜F亦可，此時，只要在非接合面W2b之一部分，相較於其他部分將膜F形成得較厚即可。從直交於接合面W2a之方向觀察時，可在複數之格柵S2相較於元件區域A2將膜F形成得較厚，或在各個元件區域相較於複數之格柵S2將膜F形成得較厚。形成膜F後，第二搬運裝置52從膜形成裝置34取出重合基板W，並搬運至第二翻轉裝置35。
接著，第二翻轉裝置35，藉由上下翻轉重合基板W，以使第二基板W2之非接合面W2b向下。其後，第二搬運裝置52從第二翻轉裝置35取出重合基板W，並搬運至第二轉運裝置36。然後，第二搬運裝置52從第二轉運裝置36取出重合基板W，並搬運至對準裝置37。
接著，對準裝置37，例如藉由偵測重合基板W之外周，以偵測重合基板W之中心。對準裝置37，亦偵測第一基板W1或第二基板W2之晶體方向亦可，具體而言亦偵測切口等亦可。然後，第三搬運裝置54，從對準裝置37取出重合基板W，並搬運至薄化裝置38。
控制裝置90，基於對準裝置37之偵測結果來控制第三搬運裝置54，藉以進行「薄化裝置38之基板固持部381之中心、與重合基板W之中心」的對位。又，控制裝置90進行如下控制：基於對準裝置37之偵測結果，來控制第三搬運裝置54，藉以在和薄化裝置38之基板固持部381一起旋轉之旋轉座標系中，將第一基板W1或第二基板W2之晶體方向對準至所希望之方向。
接著，薄化裝置38減薄第一基板W1。例如圖3（C）所示，在基板固持部381隔著膜F來固持重合基板W之狀態下，薄化裝置38藉由從和基板固持部381相反側（例如上側）將磨輪382抵靠於重合基板W，以磨削第一基板W1。此時，重合基板W依膜F之開口圖案或膜F之厚度分佈而變形。其結果，薄化後之第一基板W1的厚度t1之變異變小。然後，第三搬運裝置54，從薄化裝置38取出重合基板W，並搬運至第一清洗裝置39。
接著，第一清洗裝置39，藉由清洗重合基板W，以去除加工屑等粒子。第一清洗裝置39去除膜F亦可。例如，第一清洗裝置39，藉由將膜F溶解於溶劑，以去除膜F。重合基板W乾燥後，第二搬運裝置52，從第一清洗裝置39取出重合基板W，並搬運至第二清洗裝置40。
接著，第二清洗裝置40，藉由蝕刻重合基板W，以去除加工痕。重合基板W乾燥後，第二搬運裝置52，從第二清洗裝置40取出重合基板W，並搬運至測定裝置32。測定裝置32，測定出薄化後之第一基板W1之厚度分佈，並將測定資料傳送至控制裝置90。
控制裝置90，接收測定裝置32傳送過來之測定資料。薄化後之第一基板W1的厚度t1之變異在容許範圍外時，控制裝置90修改「第二基板W2之非接合面W2b上」的膜F之形成位置或膜F之厚度分佈，俾於下次以後之薄化後，第一基板W1之厚度t1之變異在容許範圍內。
其後，第二搬運裝置52，從測定裝置32取出重合基板W，並搬運至第一轉運裝置31。接著，第一搬運裝置24，從第一轉運裝置31取出重合基板W，並收納於晶圓匣盒C。然後，重合基板W，在收納於晶圓匣盒C之狀態下，從基板處理裝置1送出去。
又，第一基板W1與第二基板W2預先接合起來，再將重合基板W送入基板處理裝置1，但在基板處理裝置1之內部接合第一基板W1與第二基板W2亦可。亦即，基板處理裝置1具備接合裝置，接合裝置接合第一基板W1與第二基板W2亦可。基板處理裝置1具備接合裝置時，第二基板W2之厚度分佈之測定，在第一基板W1與第二基板W2接合前進行亦可。又，基板處理裝置1具備接合裝置時，膜F之形成，在第一基板W1與第二基板W2接合前進行亦可。
基板處理裝置1亦可不具備測定裝置32。測定裝置32，可設置在基板處理裝置1之外部，並將測定資料傳送至控制裝置90。第二基板W2之厚度分佈，係第二基板W2之每個批次（例如格柵S2之寬度、格柵S2之間距、或元件D2之種類）各具有相同傾向。因此，控制裝置90，可將形成膜F之座標預先儲存起來，並根據所儲存之資料來控制膜形成裝置34。因此，亦可完全不使用測定裝置32。又，第二基板W2未形成格柵S2及元件D2亦可。無關於格柵S2及元件D2之位置，僅基於測定裝置32之測定資料來形成膜F亦可。
接著，參照圖8，針對依變形例之基板處理方法進行說明。上述實施態樣中，於減薄第一基板W1之前，在第二基板W2之非接合面W2b之一部分形成膜F。相對於此，本變形例中，於減薄第一基板W1之前，在第二基板W2之非接合面W2b之一部分形成凹部W2c。以下，主要針對相異點進行說明。
首先，如圖8（A）所示，測定裝置32測定第二基板W2之厚度分佈。又，本變形例中，在第一基板W1與第二基板W2接合後，測定第二基板W2之厚度分佈，但在第一基板W1與第二基板W2接合前，測定第二基板W2之厚度分佈亦可。
接著，如圖8（B）所示，基於第二基板W2之厚度分佈，在第二基板W2之非接合面W2b之一部分，形成凹部W2c。凹部W2c之形成，在控制裝置90之控制下進行。在第二基板W2之厚度t2為最大值之位置形成凹部W2c，在第二基板W2之厚度t2為最小值之位置不形成凹部W2c。
例如，第二基板W2之元件區域A2之厚度大於第二基板W2之格柵S2之厚度時，控制裝置90在各個元件區域A2將凹部W2c形成為島狀。又，第二基板W2之格柵S2之厚度大於第二基板W2之元件區域A2之厚度時，控制裝置90沿著複數之格柵S2將凹部W2c形成為四角格子狀。
凹部W2c之深度，依第二基板W2之厚度t2之最大值與最小值的差（TTV）而變更。TTV越大，凹部W2c之深度設定得越大。又，本變形例中，在第一基板W1與第二基板W2接合後形成凹部W2c，但在第一基板W1與第二基板W2接合前形成凹部W2c亦可。
凹部W2c之形成，使用例如雷射加工裝置41。雷射加工裝置41，藉由對形成凹部W2c之位置照射雷射光線，以剝蝕加工第二基板W2。凹部W2c之位置，藉由雷射光線之照射位置來控制。凹部W2c之深度，藉由雷射光線之照射強度或照射時間等來控制。雷射加工裝置41設置在基板處理裝置1，來取代圖1之膜形成裝置34。
接著，如圖8（C）所示，薄化裝置38，於第二基板W2之非接合面W2b之一部分形成有凹部W2c的狀態下，減薄「預先和第二基板W2接合」之第一基板W1。基板固持部381，藉由接觸吸附於第二基板W2之非接合面W2b，以使第二基板W2彈性變形，而使第二基板W2之非接合面W2b平坦化。
其結果，第二基板W2之接合面W2a平坦化，第一基板W1之接合面W1a亦平坦化。於此狀態下，薄化裝置38，以磨輪382將第一基板W1之非接合面W1b相對於第一基板W1之接合面W1a平行地加工。因此，如圖8（D）所示，薄化後之第一基板W1之厚度t1變得均一。相較於參考態樣，可減少「薄化後之第一基板W1之厚度t1」的變異。
又，第一基板W1之薄化，使用未圖示之雷射加工裝置亦可。雷射加工裝置，在第一基板W1之內部形成改質層。改質層，係在第一基板W1之徑向及周向隔開間隔而複數形成。藉由以複數之改質層為起點來分割第一基板W1，可減薄第一基板W1。此時，亦只要在減薄第一基板W1之際，藉由使第二基板W2彈性變形，以使第二基板W2之接合面W2a平坦化，即可減少「薄化後之第一基板W1之厚度t1」的變異。
以上，針對依本發明之基板處理裝置及基板處理方法進行說明，但本發明不限於上述實施態樣等。在申請專利範圍記載之範圍內，可進行各種變更、修改、替換、附加、刪除、及組合。其等亦屬於本發明之技術範圍，自不待言。
1:基板處理裝置
2:送入送出站
21:載置台
22:載置板
23:第一搬運區域
24:第一搬運裝置
3:處理站
31:第一轉運裝置
32:測定裝置
321:探測器
33:第一翻轉裝置
34:膜形成裝置(膜形成部)
341:塗布裝置
342:曝光裝置
343:顯影裝置
344:塗布裝置
3441:油墨噴射頭
3442:移動機構
345:塗布裝置
3451:墨筆
3452:移動機構
35:第二翻轉裝置
36:第二轉運裝置
37:對準裝置
38:薄化裝置
381:基板固持部
382:磨輪
383:磨輪驅動部
39:第一清洗裝置
40:第二清洗裝置
41:雷射加工裝置
51:第二搬運區域
52:第二搬運裝置
53:第三搬運區域
54:第三搬運裝置
90:控制裝置(控制部)
91:中央處理器(CPU)
92:儲存媒體
A1,A2:元件區域
C:晶圓匣盒
D1,D2:元件
F:膜
S1,S2:格柵
t1,t2:厚度
W:重合基板
W1:第一基板
W1a:接合面
W1b:非接合面
W2:第二基板
W2a:接合面
W2b:非接合面
W2c:凹部
X,Y,Z:軸
[圖1] 圖1係顯示依一參考態樣之基板處理方法之剖面圖，圖1（A）係顯示薄化前之重合基板之狀態的剖面圖，圖1（B）係顯示薄化中之重合基板之狀態的剖面圖，圖1（C）係顯示薄化後之重合基板之狀態的剖面圖。
[圖2] 圖2係顯示依一參考態樣之第一基板之接合面及第二基板之接合面的俯視圖。
[圖3] 圖3係顯示依一實施態樣之基板處理方法之剖面圖，圖3（A）係顯示第二基板之厚度分佈測定之剖面圖，圖3（B）係顯示膜形成之剖面圖，圖3（C）係顯示薄化之剖面圖，圖3（D）係顯示薄化後之重合基板之狀態的剖面圖。
[圖4]圖4係顯示依一實施態樣之第二基板之非接合面的俯視圖。
[圖5] 圖5係顯示使用感光材料來形成膜之一例之剖面圖，圖5（A）係顯示感光材料塗布之剖面圖，圖5（B）係顯示曝光之剖面圖，圖5（C）係顯示顯影之剖面圖。
[圖6]圖6係顯示使用油墨材料來形成膜之一例之剖面圖，圖6（A）係顯示利用油墨噴射頭之油墨材料塗布之剖面圖，圖6（B）係顯示利用墨筆之油墨材料塗布之剖面圖。
[圖7]圖7係顯示依一實施態樣之基板處理裝置之俯視圖。
[圖8]圖8係顯示依變形例之基板處理方法之剖面圖，圖8（A）係顯示第二基板之厚度分佈測定之剖面圖，圖8（B）係顯示凹部形成之剖面圖，圖8（C）係顯示薄化之剖面圖，圖8（D）係顯示薄化後之重合基板之狀態的剖面圖。
32:測定裝置
321:探測器
38:薄化裝置
381:基板固持部
382:磨輪
383:磨輪驅動部
F:膜
t1,t2:厚度
W:重合基板
W1:第一基板
W1a:接合面
W1b:非接合面
W2:第二基板
W2a:接合面
W2b:非接合面
Claims (17)
- 一種基板處理裝置，具備： 膜形成部，在第二基板之非接合面形成膜，該第二基板具有：接合面，接合於預定減薄之第一基板；及該非接合面，和該接合面相反方向；及 控制部，控制該膜形成部； 該控制部，依如下方式進行形成該膜的控制：基於該第二基板之厚度分佈，在該非接合面之一部分形成該膜，或在該非接合面之一部分相較於其他部分將該膜形成得較厚。
- 如請求項1之基板處理裝置，其中， 該第二基板，在該接合面具有：複數之格柵，配置成四角格子狀；及元件，形成在以複數之該格柵區隔而成之元件區域； 該控制部，依如下方式進行形成該膜的控制：從直交於該接合面之方向觀察時，沿著複數之該格柵將該膜形成為四角格子狀，或在複數之該格柵相較於該元件區域將該膜形成得較厚，或在各該元件區域將該膜形成為島狀，或在各該元件區域相較於複數之該格柵將該膜形成得較厚。
- 如請求項1或2之基板處理裝置，其中， 該膜形成部，具有：塗布部，藉由在該第二基板之該非接合面塗布感光材料，以在該第二基板之該非接合面形成該膜；曝光部，對該膜之一部分進行曝光；及顯影部，對以該曝光部曝光後之該膜進行顯影。
- 如請求項1或2之基板處理裝置，其中， 該膜形成部具有：塗布部，在該第二基板之該非接合面塗布油墨材料，藉以形成該膜。
- 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中， 該控制部，取得該第二基板之厚度分佈之測定資料，在該第二基板之厚度為最大值之位置不形成該膜，或在該第二基板之厚度越大之位置，使該膜之厚度越小。
- 如請求項5之基板處理裝置，具備： 測定部，測定該第二基板之厚度分佈。
- 如請求項1至6中任一項之基板處理裝置，具備： 薄化部，於該第二基板之該非接合面形成有該膜之狀態下，將預先和該第二基板接合之該第一基板施以減薄。
- 如請求項7之基板處理裝置，具備： 清洗部，在以該薄化部使該第一基板減薄之後，去除該膜。
- 一種基板處理裝置，具備： 薄化部，將包含第一基板、與對於該第一基板被接合之第二基板的重合基板中之第一基板施以減薄，該第二基板具有：接合面，接合於該第一基板；及非接合面，和該接合面相反方向； 該薄化部包含： 基板固持部，隔著形成於該第二基板之該非接合面之一部分的膜、或在該非接合面之一部分相較於其他部分形成得較厚的膜，吸附該重合基板；及 磨輪驅動部，將磨輪抵靠於由該基板固持部所吸附之該重合基板之該第一基板。
- 一種基板處理方法，包含： 在第二基板之非接合面形成膜，該第二基板具有：接合面，接合於預定減薄之第一基板；及該非接合面，和該接合面相反方向； 更包含： 基於該第二基板之厚度分佈，在該非接合面之一部分形成該膜，或在該非接合面之一部分相較於其他部分將該膜形成得較厚。
- 如請求項10之基板處理方法，其中， 該第二基板，在該接合面具有：複數之格柵，配置成四角格子狀；及元件，形成在以複數之該格柵區隔而成之元件區域； 該基板處理方法更包含： 從直交於該接合面之方向觀察時，沿著複數之該格柵將該膜形成為四角格子狀，或在複數之該格柵相較於該元件區域將該膜形成得較厚，或在各該元件區域將該膜形成為島狀，或在各該元件區域相較於複數之該格柵將該膜形成得較厚。
- 如請求項10或11之基板處理方法，更包含： 藉由在該第二基板之該非接合面塗布感光材料，以在該第二基板之該非接合面形成該膜； 對該膜之一部分進行曝光；及 對該曝光後之該膜進行顯影。
- 如請求項10或11之基板處理方法，更包含： 在該第二基板之該非接合面塗布油墨材料，藉以形成該膜。
- 如請求項10至13中任一項之基板處理方法，更包含： 取得該第二基板之厚度分佈之測定資料；及 在該第二基板之厚度為最大值之位置不形成該膜，或在該第二基板之厚度越大之位置，使該膜之厚度越小。
- 如請求項10至14中任一項之基板處理方法，更包含： 於該第二基板之該非接合面之一部分形成有該膜之狀態下，將預先和該第二基板接合之該第一基板施以減薄。
- 如請求項15之基板處理方法，更包含： 在使該第一基板減薄之後，去除該膜。
- 一種基板處理方法，包含： 將包含第一基板、與對於該第一基板被接合之第二基板的重合基板中之第一基板施以減薄，該第二基板具有：接合面，接合於該第一基板；及非接合面，和該接合面相反方向； 隔著形成於該第二基板之該非接合面之一部分的膜、或在該非接合面之一部分相較於其他部分形成得較厚的膜，以基板固持部吸附該重合基板； 將該基板固持部所吸附之該重合基板之該第一基板利用磨輪加以磨削。
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