CN118176566A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

基板处理装置具备：膜形成部，其在具有与预定被进行薄化的第一基板接合的接合面以及朝向与所述接合面的朝向相反的非接合面的第二基板的所述非接合面形成膜；以及控制部，其控制所述膜形成部。所述控制部进行以下控制：基于所述第二基板的厚度分布，来在所述非接合面的一部分形成所述膜，或者在所述非接合面的一部分相比于在其它一部分而言较厚地形成所述膜。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
专利文献1中记载的基板处理系统具有：接合装置，其将第一基板与第二基板接合；以及基板厚度减少装置，其使通过接合装置进行接合所得到的重合基板中的第一基板的厚度减少。基板厚度减少装置例如是磨削装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2021-103698号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开的一个方式提供一种降低薄化后的第一基板的厚度的偏差的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式所涉及的基板处理装置具备：膜形成部，其在具有与预定被进行薄化的第一基板接合的接合面以及朝向与所述接合面的朝向相反的非接合面的第二基板的所述非接合面形成膜；以及控制部，其控制所述膜形成部。所述控制部进行以下控制：基于所述第二基板的厚度分布，来在所述非接合面的一部分形成所述膜，或者在所述非接合面的一部分相比于在其它一部分而言较厚地形成所述膜。
发明的效果
根据本公开的一个方式，能够降低薄化后的第一基板的厚度的偏差。
附图说明
图1是示出一个参考方式所涉及的基板处理方法的截面图，图1的(A)是示出薄化前的重合基板的状态的截面图，图1的(B)是示出正在薄化中的重合基板的状态的截面图，图1的(C)是示出薄化后的重合基板的状态的截面图。
图2是示出一个参考方式所涉及的第一基板的接合面和第二基板的接合面的俯视图。
图3是示出一个实施方式所涉及的基板处理方法的截面图，图3的(A)是示出第二基板的厚度分布的测定的截面图，图3的(B)是示出膜的形成的截面图，图3的(C)是示出薄化的截面图，图3的(D)是示出薄化后的重合基板的状态的截面图。
图4是示出一个实施方式所涉及的第二基板的非接合面的俯视图。
图5是示出使用了感光材料的膜的形成的一例的截面图，图5的(A)是示出感光材料的涂布的截面图，图5的(B)是示出曝光的截面图，图5的(C)是示出显影的截面图。
图6是示出使用了墨材料的膜的形成的一例的截面图，图6的(A)是示出利用喷墨头涂布墨材料的截面图，图6的(B)是示出利用墨笔涂布墨材料的截面图。
图7是示出一个实施方式所涉及的基板处理装置的俯视图。
图8是示出变形例所涉及的基板处理方法的截面图，图8的(A)是示出第二基板的厚度分布的测定的截面图，图8的(B)是示出凹部的形成的截面图，图8的(C)是示出薄化的截面图，图8的(D)是示出薄化后的重合基板的状态的截面图。
具体实施方式
下面，参照附图来说明本公开的实施方式。此外，在各图中，有时对相同的结构或对应的结构标注相同的附图标记，并省略说明。在本说明书中，X轴方向、Y轴方向、Z轴方向为相互垂直的方向。X轴方向和Y轴方向为水平方向，Z轴方向为铅垂方向。
首先，参照图1来说明一个参考方式所涉及的基板处理方法。首先，如图1的(A)所示那样准备重合基板W。重合基板W包括预定被进行薄化的第一基板W1以及与第一基板W1接合的第二基板W2。第一基板W1具有与第二基板W2接合的接合面W1a以及朝向与接合面W1a的朝向相反的非接合面W1b。同样地，第二基板W2具有与第一基板W1接合的接合面W2a以及朝向与接合面W2a的朝向相反的非接合面W2b。
第一基板W1例如包括硅晶圆、化合物半导体晶圆或者玻璃基板。如图2所示，第一基板W1在第一基板W1的接合面W1a具有例如被排列成四边形格子状的多个通道S1以及形成于通过多个通道S1划分出的器件区域A1的器件D1。器件D1例如包括电子电路。
第二基板W2也与第一基板W1同样地构成。即，第二基板W2例如包括硅晶圆、化合物半导体晶圆或者玻璃基板。如图2所示，第二基板W2在第二基板W2的接合面W2a具有例如被排列成四边形格子状的多个通道S2以及形成于通过多个通道S2划分出的器件区域A2的器件D2。器件D2例如包括电子电路。
通过使第一基板W1的接合面W1a与第二基板W2的接合面W2a相向并将第一基板W1与第二基板W2接合，来使第一基板W1的器件D1与第二基板W2的器件D2电连接。之后，在如图1的(B)所示那样第一基板W1被薄化之后，重合基板W通过切割而被分割为多个半导体芯片。由此，能够实现半导体芯片的高性能化和薄型化。
但是，如图1的(A)所示那样第二基板W2有时具有厚度t2的偏差。厚度t2的偏差例如通过厚度t2的最大值与最小值之差(TTV：Total Thickness Variation：总厚度偏差)来表示。第二基板W2的厚度t2的偏差例如取决于第二基板W2的接合面W2a上的器件D2的厚度等。
如图1的(B)所示那样，薄化装置38将第一基板W1薄化。例如，薄化装置38具备：基板保持部381，其吸附重合基板W；以及磨石驱动部383，其从磨石382的与基板保持部381相反的一侧抵住磨石382。基板保持部381的吸附面具有与重合基板W的主表面的大小相同程度以上的大小，以吸附整个重合基板W。基板保持部381例如为真空保持盘，对重合基板W进行真空吸附。
基板保持部381以使第二基板W2的非接合面W2b平坦的方式吸附非接合面W2b。因此，在第二基板W2具有厚度的偏差的情况下，在第二基板W2的接合面W2a产生微小的凹凸，在第一基板W1的接合面W1a也产生微小的凹凸。第一基板W1的非接合面W1b被加工成与第二基板W2的非接合面W2b平行。
因而，如图1的(C)所示那样，薄化后的第一基板W1的厚度t1会产生偏差。其结果是，在电极的形成等后续工序中会产生问题。电极形成于第一基板W1的非接合面W1b，并与形成于第一基板W1的接合面W1a的器件D1电连接。
接着，参照图3来说明一个实施方式所涉及的基板处理方法。首先，如图3的(A)所示，测定装置32测定第二基板W2的厚度分布。测定数据包括第二基板W2的非接合面W2b中的坐标以及在每个坐标处的第二基板W2的厚度t2。测定装置32例如使用透过第二基板W2的红外光，利用在第二基板W2的非接合面W2b发生反射所得到的光与在第二基板W2的接合面W2a发生反射所得到的光的干涉，来测定第二基板W2的厚度分布。
测定装置32例如具备：探测器321，其向第二基板W2的非接合面W2b垂直地照射红外光，并且接收在第二基板W2发生反射所得到的光；光源，其经由光纤而与探测器321连接；光检测器，其经由光纤而与探测器321连接；以及移动机构，其使探测器321相对于第二基板W2相对地移动。此外，在图3的(A)中，第二基板W2的非接合面W2b朝下，但是也可以朝上，重合基板W也可以被上下翻转。
此外，在本实施方式中，测定装置32是在第一基板W1与第二基板W2接合之后测定第二基板W2的厚度分布，但是也可以在第一基板W1与第二基板W2接合之前测定第二基板W2的厚度分布。在后者的情况下，还能够通过使用静电电容型的位移传感器或激光位移传感器测定到第二基板W2的接合面W2a的距离，来测定第二基板W2的厚度分布。另外，在后者的情况下，还能够使用接触式的传感器。
接着，如图3的(B)所示，基于第二基板W2的厚度分布来在第二基板W2的非接合面W2b的一部分形成膜F。膜F的形成是在后述的控制装置90的控制下进行的。控制装置90使得在第二基板W2的厚度t2为最小值的位置形成膜F，在第二基板W2的厚度t2为最大值的位置不形成膜F。
例如，在第二基板W2的在通道S2处的厚度比第二基板W2的在器件区域A2处的厚度小的情况下，控制装置90使得沿着多个通道S2呈四边形格子状地形成膜F(参照图4)。此外，在第二基板W2的在器件区域A2处的厚度比第二基板W2的在通道S2处的厚度小的情况下，控制装置90使得在每个器件区域A2呈岛状地形成膜F。
膜F的厚度根据第二基板W2的厚度t2的最大值与最小值之差(TTV)而变更。TTV越大，则膜F的厚度被设定得越大。
此外，在本实施方式中，是在第一基板W1与第二基板W2接合之后形成膜F，但是也可以在第一基板W1与第二基板W2接合之前形成膜F。
接着，如图3的(C)所示，薄化装置38在第二基板W2的非接合面W2b的一部分形成有膜F的状态下，将预先与第二基板W2进行了接合的第一基板W1薄化。基板保持部381通过经由膜F吸附第二基板W2，来使第二基板W2弹性变形。以使第二基板W2的一部分进入膜F的开口部的方式使第二基板W2弹性变形。
其结果是，第二基板W2的接合面W2a变得平坦，第一基板W1的接合面W1a也变得平坦。在该状态下，薄化装置38通过磨石382将第一基板W1的非接合面W1b加工成与第一基板W1的接合面W1a平行。因而，如图3的(D)所示，薄化后的第一基板W1的厚度t1变得均匀。与参考方式相比，能够降低薄化后的第一基板W1的厚度t1的偏差。
此外，第一基板W1的薄化也可以使用未图示的激光加工装置。激光加工装置在第一基板W1的内部形成改性层。改性层在第一基板W1的径向和周向上隔开间隔地形成有多个。能够通过以多个改性层为起点对第一基板W1进行分割，来将第一基板W1薄化。在该情况下，也是如果通过经由膜F吸附第二基板W2来使第二基板W2的接合面W2a平坦化并使第一基板W1的非接合面W1b平坦化，则能够在从非接合面W1b起的一定深度处形成改性层，能够降低薄化后的第一基板W1的厚度t1的偏差。
接着，参照图5来说明使用了感光材料的膜F的形成的一例。膜形成装置34例如具备图5的(A)所示的涂布装置341、图5的(B)所示的曝光装置342以及图5的(C)所示的显影装置343。
涂布装置341通过在第二基板W2的整个非接合面W2b涂布感光材料来在第二基板W2的整个非接合面W2b形成膜F。涂布装置341例如是旋转涂布装置，在旋转的第二基板W2的非接合面W2b的中心滴下感光材料，通过离心力使感光材料扩散并涂布于整个非接合面W2b。膜F的厚度能够通过感光材料的品种(例如材质或粘度)、涂布条件(例如涂布量或旋转速度)、或者固化条件(例如干燥温度)等来进行控制。膜F的厚度还能够通过感光材料的涂布次数来进行控制。
曝光装置342对膜F的一部分进行曝光。感光材料是曝光了的部分通过显影而消失的正型感光材料，但是也可以是曝光了的部分在显影后残留的负型感光材料。曝光装置342以在显影后在第二基板W2的厚度t2为最小值的位置残留膜F、在第二基板W2的厚度t2为最大值的位置不残留膜F的方式对膜F的一部分进行曝光。曝光装置342例如使用具有开口图案的遮光膜，来沿着多个通道S2呈四边形格子状地进行曝光，或者在每个器件区域A2呈岛状地进行曝光。
显影装置343使通过曝光装置342进行了曝光后的膜F显影。显影后残留的膜F的位置通过进行曝光的位置来进行控制。显影装置343例如是旋转显影装置，在旋转的第二基板W2的非接合面W2b的中心滴下显影液，通过离心力使显影液扩散并涂布于整个非接合面W2b。此外，显影装置343也可以是喷涂显影装置或浸涂显影装置等。
接着，参照图6来说明使用了墨材料的膜F的形成的一例。膜形成装置34例如具备图6的(A)所示的涂布装置344或图6的(B)所示的涂布装置345。
图6的(A)所示的涂布装置344具备用于喷出墨材料的喷墨头3441以及使喷墨头3441相对于第二基板W2相对地移动的移动机构3442。膜F的形成位置通过墨材料的喷出位置来进行控制。喷墨头3441也可以具有多个喷嘴，并且每个喷嘴独立地喷出不同的墨材料。墨材料的粘度或墨材料中含有的粒子的粒径能够变更。
图6的(B)所示的涂布装置345具备用于涂布墨材料的墨笔3451以及使墨笔3451相对于第二基板W2相对地移动的移动机构3452。膜F的形成位置通过墨材料的涂布位置来进行控制。涂布装置345也可以具有多个墨笔3451，并且每个墨笔3451独立地喷出不同的墨材料。墨材料的粘度或墨材料中含有的粒子的粒径能够变更。
这些涂布装置344、345通过在第二基板W2的非接合面W2b的一部分涂布墨材料，来在第二基板W2的非接合面W2b的一部分形成膜F。涂布装置344、345在第二基板W2的厚度t2为最小值的位置形成膜F，在第二基板W2的厚度t2为最大值的位置不形成膜F。在使用墨材料的情况下，相比于使用感光材料的情况而言，更易于修正膜F的形成位置。膜F的厚度能够通过墨材料的涂布量、墨材料的粘度、或墨材料中含有的粒子的粒径等来进行控制。膜F的厚度还能够通过墨材料的涂布次数来进行控制。
上述实施方式的膜形成装置34是在第二基板W2的非接合面W2b的一部分形成膜F，但是也可以在整个非接合面W2b形成膜F，在该情况下，在非接合面W2b的一部分相比于在其它一部分而言较厚地形成膜F即可。膜形成装置34在第二基板W2的厚度越大的位置使膜F的厚度越小。
接着，参照图7来说明一个实施方式所涉及的基板处理装置1。基板处理装置1在重合基板W的第二基板W2的非接合面W2b的一部分形成膜，或者在非接合面W2b的一部分相比于在其它一部分而言较厚地形成膜F，在该状态下将重合基板W的第一基板W1薄化。第一基板W1与第二基板W2被预先接合，重合基板W被搬入到基板处理装置1。基板处理装置1具备搬入搬出站2、处理站3以及控制装置90。此外，基板处理装置1至少具备膜形成装置34和控制装置90即可。
搬入搬出站2具备载置台21。载置台21载置盒C。盒C将重合基板W沿铅垂方向隔开间隔地收容多个。载置台21包括沿Y轴方向配置成一列的多个载置板22。在多个载置板22分别载置盒C。载置板22的数量没有特别限定。同样地，盒C的数量也没有特别限定。
搬入搬出站2具有配置于载置台21与处理站3之间的第一搬送区域23以及在第一搬送区域23搬送重合基板W的第一搬送装置24。第一搬送装置24包括用于保持重合基板W的搬送臂。搬送臂能够在水平方向(X轴方向和Y轴方向这两个方向)和铅垂方向上移动，并且能够以铅垂轴为中心进行旋转。第一搬送臂的数量既可以是一个，也可以是多个。
处理站3例如具备第一传送装置31、测定装置32、第一翻转装置33、膜形成装置34、第二翻转装置35、第二传送装置36、对准装置37、薄化装置38、第一清洗装置39以及第二清洗装置40。这些装置31～40的配置和数量不限定于图7所示的配置和数量。
第一传送装置31和第二传送装置36暂时地收容重合基板W。测定装置32测定第二基板W2的厚度分布。第一翻转装置33和第二翻转装置35使重合基板W翻转。膜形成装置34在第二基板W2的非接合面W2b的一部分形成膜F。对准装置37检测重合基板W的中心。对准装置37除了检测重合基板W的中心以外，也可以检测第一基板W1或第二基板W2的晶向，具体而言，也可以检测表示第一基板W1或第二基板W2的晶向的切口或定位平面。薄化装置38将第一基板W1薄化。第一清洗装置39和第二清洗装置40对重合基板W进行清洗。
处理站3具有第二搬送区域51和第二搬送装置52，其中，第二搬送区域51以将第一传送装置31夹在该第二搬送区域51与第一搬送区域23之间的方式配置，第二搬送装置52在第二搬送区域51搬送重合基板W。第二搬送装置52与第一搬送装置24同样地构成，在与第二搬送区域51邻接的多个装置之间搬送重合基板W。
另外，处理站3具有第三搬送区域53和第三搬送装置54，其中，第三搬送区域53的三个方向被对准装置37、薄化装置38以及第一清洗装置39包围，第三搬送装置54在第三搬送区域53搬送重合基板W。第三搬送装置54与第一搬送装置24同样地构成，在与第三搬送区域53邻接的多个装置之间搬送重合基板W。
控制装置90例如是计算机，具备CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)91、和存储器等存储介质92。存储介质92中保存用于控制在基板处理装置1中执行的各种处理的程序。控制装置90通过使CPU 91执行存储介质92中存储的程序，来控制基板处理装置1的动作。
接着，说明基板处理装置1的动作。下述的动作是在控制装置90的控制下实施的。首先，第一搬送装置24从盒C中取出重合基板W并将其搬送到第一传送装置31。接着，第二搬送装置52从第一传送装置31取出重合基板W并将其搬送到测定装置32。
接着，测定装置32如图3的(A)所示那样测定第二基板W2的厚度分布。测定数据包括第二基板W2的非接合面W2b中的坐标以及在每个坐标处的第二基板W2的厚度t2。测定装置32向控制装置90发送测定数据。控制装置90接收测定装置32所发送的测定数据。在测定装置32测定出第二基板W2的厚度分布之后，第二搬送装置52从测定装置32取出重合基板W并将其搬送到第一翻转装置33。
接着，第一翻转装置33通过使重合基板W上下翻转，来使第二基板W2的非接合面W2b朝上。之后，第二搬送装置52从第一翻转装置33取出重合基板W并将其搬送到膜形成装置34。此外，在本实施方式中，测定装置32是使第二基板W2的非接合面W2b朝下来测定第二基板W2的厚度分布，但是也可以使第二基板W2的非接合面W2b朝上来测定第二基板W2的厚度分布。在该情况下，也可以不具有第一翻转装置33，第二搬送装置52将从测定装置32取出的重合基板W搬送到膜形成装置34。
接着，膜形成装置34如图3的(B)所示那样在第二基板W2的非接合面W2b的一部分形成膜F。膜形成装置34如图4所示那样在从与接合面W2a正交的方向观察时沿着多个通道S2(参照图2)呈四边形格子状地形成膜F。虽未图示，但是膜形成装置34也可以在从与接合面W2a正交的方向观察时在每个器件区域A2呈岛状地形成膜F。
膜形成装置34也可以在第二基板W2的整个非接合面W2b形成膜F，在该情况下，在非接合面W2b的一部分相比于在其它一部分而言较厚地形成膜F即可。也可以是，在从与接合面W2a正交的方向观察时，在多个通道S2相比于在器件区域A2而言较厚地形成膜F，或者在每个器件区域相比于在多个通道S2而言较厚地形成膜F。在形成膜F之后，第二搬送装置52从膜形成装置34取出重合基板W并将其搬送到第二翻转装置35。
接着，第二翻转装置35通过使重合基板W上下翻转，来使第二基板W2的非接合面W2b朝下。之后，第二搬送装置52从第二翻转装置35取出重合基板W并将其搬送到第二传送装置36。再之后，第二搬送装置52从第二传送装置36取出重合基板W并将其搬送到对准装置37。
接着，对准装置37例如通过检测重合基板W的外周来检测重合基板W的中心。对准装置37也可以还检测第一基板W1或第二基板W2的晶向，具体而言，也可以还检测切口等。之后，第三搬送装置54从对准装置37取出重合基板W并将其搬送到薄化装置38。
控制装置90通过基于对准装置37的检测结果控制第三搬送装置54，来进行使薄化装置38的基板保持部381的中心与重合基板W的中心对准的控制。另外，控制装置90通过基于对准装置37的检测结果控制第三搬送装置54，来进行在与薄化装置38的基板保持部381一起旋转的旋转坐标系中使第一基板W1或第二基板W2的晶向与期望的方位对准的控制。
接着，薄化装置38将第一基板W1薄化。例如，如图3的(C)所示那样，薄化装置38在由基板保持部381经由膜F保持重合基板W的状态下，通过使磨石382从重合基板W的与基板保持部381相反的一侧(例如上侧)抵接于重合基板W，来对第一基板W1进行磨削。此时，重合基板W根据膜F的开口图案或膜F的厚度分布而发生变形。其结果是，薄化后的第一基板W1的厚度t1的偏差变小。之后，第三搬送装置54从薄化装置38取出重合基板W并将其搬送到第一清洗装置39。
接着，第一清洗装置39通过对重合基板W进行清洗，来去除加工屑等微粒。第一清洗装置39也可以去除膜F。例如，第一清洗装置39通过使膜F溶解于溶剂，来去除膜F。在使重合基板W干燥之后，第二搬送装置52从第一清洗装置39取出重合基板W并将其搬送到第二清洗装置40。
接着，第二清洗装置40通过对重合基板W进行蚀刻，来去除加工痕。在使重合基板W干燥之后，第二搬送装置52从第二清洗装置40取出重合基板W并将其搬送到测定装置32。测定装置32测定薄化后的第一基板W1的厚度分布，并向控制装置90发送测定数据。
控制装置90接收测定装置32所发送的测定数据。在薄化后的第一基板W1的厚度t1的偏差处于容许范围外的情况下，控制装置90对第二基板W2的非接合面W2b上的膜F的形成位置或膜F的厚度分布进行校正，使得在下次以后的薄化之后第一基板W1的厚度t1的偏差在容许范围内。
之后，第二搬送装置52从测定装置32取出重合基板W并将其搬送到第一传送装置31。接下来，第一搬送装置24从第一传送装置31取出重合基板W并将其收纳于盒C。之后，重合基板W以被收纳于盒C的状态从基板处理装置1被搬出。
此外，第一基板W1与第二基板W2被预先接合，重合基板W被搬入到基板处理装置1，但是也可以在基板处理装置1的内部将第一基板W1与第二基板W2接合。也就是说，也可以是，基板处理装置1具备接合装置，由接合装置将第一基板W1与第二基板W2接合。在基板处理装置1具备接合装置的情况下，第二基板W2的厚度分布的测定也可以在第一基板W1与第二基板W2接合之前进行。另外，在基板处理装置1具备接合装置的情况下，膜F的形成也可以在第一基板W1与第二基板W2接合之前进行。
基板处理装置1也可以不具备测定装置32。测定装置32也可以设置于基板处理装置1的外部，并向控制装置90发送测定数据。第二基板W2的厚度分布在第二基板W2的每个批次(例如每个通道S2的宽度、每个通道S2的间距、或者每个器件D2的种类)具有相同的倾向。因此，控制装置90也可以预先存储形成膜F的坐标，按照所存储的数据来控制膜形成装置34。因而，还能够完全不使用测定装置32。此外，在第二基板W2，也可以不形成通道S2和器件D2。也可以与通道S2及器件D2的位置无关而仅基于测定装置32的测定数据来形成膜F。
接着，参照图8来说明变形例所涉及的基板处理方法。在上述实施方式中，是在将第一基板W1薄化之前在第二基板W2的非接合面W2b的一部分形成膜F，与此相对地，在本变形例中，是在将第一基板W1薄化之前在第二基板W2的非接合面W2b的一部分形成凹部W2c。下面主要对不同点进行说明。
首先，如图8的(A)所示那样，测定装置32测定第二基板W2的厚度分布。此外，在本变形例中，是在第一基板W1与第二基板W2接合之后测定第二基板W2的厚度分布，但是也可以在第一基板W1与第二基板W2接合之前测定第二基板W2的厚度分布。
接着，如图8的(B)所示那样，基于第二基板W2的厚度分布，来在第二基板W2的非接合面W2b的一部分形成凹部W2c。凹部W2c的形成是在控制装置90的控制下进行的。在第二基板W2的厚度t2为最大值的位置形成凹部W2c，在第二基板W2的厚度t2为最小值的位置不形成凹部W2c。
例如，在第二基板W2的在器件区域A2处的厚度比第二基板W2的在通道S2处的厚度大的情况下，控制装置90使得在每个器件区域A2呈岛状地形成凹部W2c。此外，在第二基板W2的在通道S2处的厚度比第二基板W2的在器件区域A2处的厚度大的情况下，控制装置90使得沿着多个通道S2呈四边形格子状地形成凹部W2c。
凹部W2c的深度能够根据第二基板W2的厚度t2的最大值与最小值之差(TTV)而变更。TTV越大，则凹部W2c的深度被设定得越大。此外，在本变形例中，是在第一基板W1与第二基板W2接合之后形成凹部W2c，但是也可以在第一基板W1与第二基板W2接合之前形成凹部W2c。
凹部W2c的形成例如使用激光加工装置41。激光加工装置41通过对要形成凹部W2c的位置照射激光光线，来对第二基板W2进行磨蚀加工。凹部W2c的位置通过激光光线的照射位置来进行控制。凹部W2c的深度通过激光光线的照射强度或照射时间等来进行控制。激光加工装置41取代图1的膜形成装置34而被设置于基板处理装置1。
接着，如图8的(C)所示，薄化装置38在第二基板W2的非接合面W2b的一部分形成了凹部W2c的状态下，将预先与第二基板W2进行了接合的第一基板W1薄化。基板保持部381通过与第二基板W2的非接合面W2b接触并吸附非接合面W2b，来使第二基板W2弹性变形，从而使第二基板W2的非接合面W2b平坦化。
其结果是，第二基板W2的接合面W2a平坦化，第一基板W1的接合面W1a也平坦化。在该状态下，薄化装置38通过磨石382将第一基板W1的非接合面W1b加工成与第一基板W1的接合面W1a平行。因而，如图8的(D)所示那样，薄化后的第一基板W1的厚度t1变得均匀。与参考方式相比，能够降低薄化后的第一基板W1的厚度t1的偏差。
此外，第一基板W1的薄化也可以使用未图示的激光加工装置。激光加工装置在第一基板W1的内部形成改性层。改性层在第一基板W1的径向和周向上隔开间隔地形成有多个。能够通过以多个改性层为起点对第一基板W1进行分割，来将第一基板W1薄化。在该情况下，也是如果通过使第二基板W2弹性变形来使第二基板W2的接合面W2a平坦化并使第一基板W1的非接合面W1b平坦化，则在从非接合面W1b起的一定深度处形成改性层，能够降低薄化后的第一基板W1的厚度t1的偏差。
以上对本公开所涉及的基板处理装置和基板处理方法进行了说明，但是本公开不限定于上述实施方式等。在权利要求书所记载的范围内，能够进行各种变更、修正、置换、添加、删除以及组合。这些当然也属于本公开的技术范围。
本申请是以2021年10月26日向日本特许厅申请的日本特愿2021-174767号为优先权主张基础，日本特愿2021-174767号的全部内容被引用到本申请中。
附图标记说明
1：基板处理装置；34：膜形成装置(膜形成部)；90：控制装置(控制部)；F：膜；W：重合基板；W1：第一基板；W2：第二基板；W2b：非接合面。

Claims (17)

1.一种基板处理装置，具备：
膜形成部，其在具有与预定被进行薄化的第一基板接合的接合面以及朝向与所述接合面的朝向相反的非接合面的第二基板的所述非接合面形成膜；以及
控制部，其控制所述膜形成部，
其中，所述控制部进行以下控制：基于所述第二基板的厚度分布，来在所述非接合面的一部分形成所述膜，或者在所述非接合面的一部分相比于在其它一部分而言较厚地形成所述膜。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述第二基板在所述接合面具有被排列成四边形格子状的多个通道以及形成于通过多个所述通道划分出的器件区域的器件，
所述控制部进行以下控制：在从与所述接合面正交的方向观察时，沿着多个所述通道呈四边形格子状地形成所述膜，或者在多个所述通道相比于在所述器件区域而言较厚地形成所述膜，或者在每个所述器件区域呈岛状地形成所述膜，或者在每个所述器件区域相比于在多个所述通道而言较厚地形成所述膜。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述膜形成部具有：涂布部，其通过在所述第二基板的所述非接合面涂布感光材料，来在所述第二基板的所述非接合面形成所述膜；曝光部，其对所述膜的一部分进行曝光；以及显影部，其使通过所述曝光部被进行了曝光后的所述膜显影。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述膜形成部具有涂布部，所述涂布部通过在所述第二基板的所述非接合面涂布墨材料来形成所述膜。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述控制部进行以下控制：获取所述第二基板的厚度分布的测定数据，在所述第二基板的厚度为最大值的位置不形成所述膜，或者在所述第二基板的厚度越大的位置使所述膜的厚度越小。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
还具备测定部，所述测定部测定所述第二基板的厚度分布。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
还具备薄化部，所述薄化部在所述第二基板的所述非接合面形成有所述膜的状态下将预先与所述第二基板进行了接合的所述第一基板薄化。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，
还具备清洗部，在通过所述薄化部将所述第一基板薄化之后，所述清洗部去除所述膜。
9.一种基板处理装置，
具备薄化部，所述薄化部将包括第一基板以及与所述第一基板接合的第二基板的重合基板中的所述第一基板薄化，其中，所述第二基板包括与所述第一基板接合的接合面以及朝向与所述接合面的朝向相反的非接合面，
所述薄化部包括：
基板保持部，其经由在所述第二基板的所述非接合面的一部分形成的膜、或者在所述非接合面的一部分相比于在其它一部分而言较厚地形成的膜来吸附所述重合基板；以及
磨石驱动部，其使磨石抵接于被所述基板保持部吸附着的所述重合基板的所述第一基板。
10.一种基板处理方法，包括：在具有与预定被进行薄化的第一基板接合的接合面以及朝向与所述接合面的朝向相反的非接合面的第二基板的所述非接合面形成膜，所述基板处理方法还包括：
基于所述第二基板的厚度分布，来在所述非接合面的一部分形成所述膜，或者在所述非接合面的一部分相比于在其它一部分而言较厚地形成所述膜。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中，
所述第二基板在所述接合面具有被排列成四边形格子状的多个通道以及形成于通过多个所述通道划分出的器件区域的器件，
所述基板处理方法包括：在从与所述接合面正交的方向观察时，沿着多个所述通道呈四边形格子状地形成所述膜，或者在多个所述通道相比于在所述器件区域而言较厚地形成所述膜，或者在每个所述器件区域呈岛状地形成所述膜，或者在每个所述器件区域相比于在多个所述通道而言较厚地形成所述膜。
12.根据权利要求10或11所述的基板处理方法，其中，
所述基板处理方法包括：通过在所述第二基板的所述非接合面涂布感光材料，来在所述第二基板的所述非接合面形成所述膜；对所述膜的一部分进行曝光；以及使被进行了所述曝光后的所述膜显影。
13.根据权利要求10或11所述的基板处理方法，其中，
所述基板处理方法包括：通过在所述第二基板的所述非接合面涂布墨材料来形成所述膜。
14.根据权利要求10或11所述的基板处理方法，其中，
所述基板处理方法包括：获取所述第二基板的厚度分布的测定数据；以及在所述第二基板的厚度为最大值的位置不形成所述膜，或者在所述第二基板的厚度越大的位置使所述膜的厚度越小。
15.根据权利要求10或11所述的基板处理方法，其中，
所述基板处理方法包括：在所述第二基板的所述非接合面的一部分形成有所述膜的状态下将预先与所述第二基板进行了接合的所述第一基板薄化。
16.根据权利要求15所述的基板处理方法，其中，
所述基板处理方法包括：在将所述第一基板薄化之后，去除所述膜。
17.一种基板处理方法，包括：将包括第一基板以及与所述第一基板接合的第二基板的重合基板中的所述第一基板薄化，其中，所述第二基板包括与所述第一基板接合的接合面以及朝向与所述接合面的朝向相反的非接合面，所述基板处理方法还包括：
由基板保持部经由在所述第二基板的所述非接合面的一部分形成的膜、或者在所述非接合面的一部分相比于在其它一部分而言较厚地形成的膜来吸附所述重合基板；以及
通过磨石对被所述基板保持部吸附着的所述重合基板的所述第一基板进行磨削。
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