TW202320045A - 具有像素驅動電路的電致發光顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露一種具有像素驅動電路的電致發光顯示裝置。該電致顯示裝置包括像素，其包含複數個子像素，並劃分為設置該些子像素和第一像素驅動電路的子像素區域以及設置第二像素驅動電路的共用區域。該些子像素中的每一個皆包括包含陽極電極和陰極電極的發光元件。該陽極電極連接到第一共用線，該第一共用線連接到第二像素驅動電路。

Description

具有像素驅動電路的電致發光顯示裝置
本發明涉及一種具有像素驅動電路的電致發光顯示裝置，並且涉及一種電致發光顯示面板，其中改善了亮點和影像品質缺陷。
隨著通訊技術的發展，作為資訊與使用者之間的連接媒體的顯示裝置的市場也在逐漸成長。除了文字資訊的傳輸之外，使用者之間還積極執行各種形式的通訊。隨著資訊類型的變化，用於顯示資訊的顯示裝置的性能也日新月異。因此，諸如電致發光顯示裝置、液晶顯示裝置以及量子點顯示器的各種顯示裝置的使用正在增加。其中，電致發光顯示裝置可以根據發光元件的類型分為有機發光顯示裝置和無機發光顯示裝置。此外，無機發光顯示裝置包括發光二極體（LED）顯示裝置。
有機發光顯示裝置包括能夠自行發光的有機發光二極體（OLEDs）。LED顯示裝置包括能夠自行發光的發光二極體（LEDs）。在有機發光顯示裝置或LED顯示器中，包含發光元件的每個像素以特定模式對齊，並且像素的亮度根據影像資料的灰階調整。每個像素包含驅動元件（或驅動電晶體），配置以根據閘極至源極電壓控制在發光元件中流動的驅動電流。每個像素還包含一個或多個開關元件（或開關電晶體），配置以控管驅動元件的閘極至源極電壓。在每個像素中，顯示器灰階（或亮度）由發光元件的發光量根據驅動電流調整。
最近，越來越多人對於使用作為包含無機層的發光元件的LED的LED顯示裝置感興趣和進行開發。LED可以輸出比OLED亮度更高的灰階，並且對於熱、濕氣、氧氣等等具有出色的可靠性。
為了達到像素之間沒有亮度差和色差的均勻影像品質，所有像素的驅動特性必須相同。但是，由於各種原因（包含製程偏差），像素之間的驅動特性可能會出現偏差。此外，根據顯示裝置的驅動時間，像素之間的衰減速度可能會有所不同。因此，像素之間的驅動特性可能存在偏差。因此，流向發光元件的驅動電流量根據像素之間的驅動特性偏差而改變，這導致影像品質不均勻。
為了補償驅動特性偏差，像素包含內部補償像素驅動電路或外部補償像素驅動電路。這些像素驅動電路由上述驅動元件和開關元件以及電容器實現。驅動特性（諸如像素驅動電路的可靠性和驅動電流的偏差）可以根據像素驅動電路元件的連接關係及其驅動方法而變化。
上述驅動元件或開關元件可以透過薄膜電晶體（以下稱為「電晶體」）來實現。電晶體由半導體層、電極層和複數個絕緣層組成。但是，由於在電晶體形成時所產生的靜電，絕緣層可能會損壞，其可能會導致電晶體中的缺陷。這可能在電致發光顯示裝置中造成影像品質缺陷，特別是亮點缺陷。具體來說，對於LED顯示裝置，需要用於高亮度的驅動電流來使LED發光。因此，亮點可能會導致影像品質缺陷。為了解決產生靜電的問題，可以在製程設備中採取直接措施來抑制靜電的產生。但是，不可能完全抑制靜電的產生。因此，有必要實施像素驅動電路，即使其中產生靜電，也不會將靜電視為缺陷。換句話說，需要發明一種能夠減少亮點產生的像素驅動電路，然後將該像素驅動電路應用於顯示面板。
藉由本發明實現的目的是提供一種包含像素驅動電路的電致發光顯示裝置。該像素驅動電路實施為使得在產生由靜電造成的缺陷時，包含在顯示面板中的像素不會被視為亮點。
藉由本發明實現的另一目的是提供一種電致發光顯示裝置，其藉由更簡單地配置由複數個電晶體組成的像素驅動電路，來提高電致發光顯示裝置的積體密度。
藉由本發明實現的再另一目的是提供一種包含像素驅動電路的電致發光顯示裝置。該像素驅動電路實施為使得在產生由靜電造成的缺陷時，包含在顯示面板中的像素會被視為暗點。
本發明的目的不限於上述目的，並且所屬技術領域中具有通常知識者可以從以下描述清楚地理解上文沒有提及的其他目的。
根據本發明的一態樣，所述電致發光顯示裝置包括像素，其包含複數個子像素，並劃分為設置該些子像素的子像素區域和共用區域。該些子像素中的每一個皆包含發光元件，該發光元件包含陽極電極和陰極電極。在子像素區域中，設置第一像素驅動電路，而在共用區域中，設置第二像素驅動電路。發光元件的陽極電極連接到第一共用線，該第一共用線連接到第二像素驅動電路。該些子像素中的每一個也包含驅動元件，該驅動元件包含連接到第一節點的源極、連接到第二節點的閘極、以及連接到第三節點的汲極。該子像素也包含：第四電晶體，連接到第一節點；第二電晶體，連接到第二節點；以及第五電晶體，連接到第三節點。該子像素進一步包含：第三電晶體，連接到第二節點和第三節點；以及第一電容器，連接到第二節點和第二共用線，該第二共用線連接到第二像素驅動電路。該子像素也包含：第二電容器，連接到供應有高電位電壓的線路和第一節點或第二節點；以及導電層，設置在驅動元件下方。導電層連接到第一節點或驅動元件的閘極。在這種情況下，當缺陷由於靜電在電致發光顯示裝置的子像素中產生時，子像素會變暗。因此，可以減少影像品質缺陷。
根據本發明的另一態樣，所述電致發光顯示裝置包括發光元件，其包含陽極電極和陰極電極，陽極電極連接到供應有高電位電壓的第一共用線。該電致發光顯示裝置也包括包含像素驅動電路的子像素，該像素驅動電路向發光元件施加驅動電流。該子像素進一步包含驅動元件，其包含連接到第一節點的源極、連接到第二節點的閘極、以及連接到第三節點的汲極。該子像素也包含：第一共用開關電路，連接到陽極電極；以及第一電容器，包含連接到第二節點的第一電極和連接到第四節點的第二電極。該子像素進一步包含：第二開關電路，連接到第二節點；以及第三開關電路，連接到第三節點。該子像素也包含：第一開關電路，連接到第一節點；以及第二共用開關電路，連接到第四節點。因此，當缺陷由於靜電在電致發光顯示裝置的子像素中產生時，子像素會變暗。因此，可以減少影像品質缺陷。
示例性實施例的其他內容包含在實施方式和附圖中。
根據本發明，像素驅動電路包含兩個電容器，連接到實施在子像素中的驅動元件的閘極。因此，可以抑制電致發光顯示面板中亮點缺陷的產生。
根據本發明，發光元件的陽極電極由複數個子像素共享，而陰極電極配置以供應有來自驅動元件的驅動電流。因此，可以抑制電致發光顯示面板中亮點的產生。
根據本發明，包含在單位像素中的子像素共享設置在單位像素中的像素驅動電路的一部分。因此，可以減少單位像素中的非發光區域，從而可以提升顯示面板的解析度。
根據本發明內容的效果不限於上文舉例說明的內容，並且本說明書中包含更多各種效果。
本發明的優點和特徵以及實現這些優點和特徵的方法將藉由參考下文詳細描述的示例性實施例以及附圖來明確說明。然而，本發明不限於本文所揭露的示例性實施例，而是將以各種形式實現。示例性實施例僅作為示例提供，以便所屬技術領域中具有通常知識者能夠充分理解本發明揭露內容和本發明範疇。因此，本發明僅由所附申請專利範圍的範疇界定。
用於描述本發明的示例性實施例的附圖所示的形狀、尺寸、比例、角度、數量等僅為示例，並且本發明不限於此。相同元件符號通常在說明書中表示相同元件。此外，本發明的以下敘述中，可以省略對已知相關技術的詳細解釋，以避免不必要地模糊本發明的專利​標的。本發明使用的術語，諸如「包含（包括）」、「具有」和「由...組成」，通常允許加入其他組件，除非這些術語與術語「只」一起使用。除非另有明確說明，任何單數的表達都可以包含複數。
即使沒有明確說明，組件也解釋為包含普通誤差範圍。
當使用諸如「上」、「之上」、「之下」和「旁」的術語描述兩個元件之間的位置關係時，兩個元件之間可以設置一個或多個元件，除非這些術語與「緊鄰」或「直接」使用。
當元件或層設置在另一元件或層「上」時，另一層或另一元件可以直接插入其他元件上或兩者之間。
雖然術語「第一」、「第二」等用於描述各種組件，但這些組件不受這些術語的限制。這些用語僅用於將一個組件與其他組件區分開。因此，下文所提的第一組件可以是本發明的技術概念中的第二組件。
相同元件符號通常在說明書中表示相同元件。
圖中顯示的每個組件的尺寸和厚度僅為了便於描述而顯示，並且本發明不限於所示組件的尺寸和厚度。
本發明各個實施例的特徵可以部分或完全地彼此結合或組合，並可以以各種技術方式連接與操作，且這些實施例可以獨立地或彼此關聯地執行。
根據本發明，在顯示面板的基板上形成的驅動電路和閘極驅動電路可以透過N型或P型電晶體來實施。例如，電晶體可以透過金屬氧化物半導體場效電晶體（metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET）來實現。電晶體是包含閘極、源極和汲極的三電極元件。源極是向電晶體供應載子的電極。在電晶體中，載子從源極流向汲極。在n型電晶體中，載子是電子，因此電子從源極流向汲極，並且源極電壓低於汲極電壓。由於電子在N型電晶體中從源極流向汲極，因此電流從汲極流向源極。在p通道型電晶體（PMOS）的情況下，由於載子是電子，因此源極電壓高於汲極電壓，使得電洞可以從源極流到汲極。由於電洞在P型電晶體中從源極流向汲極，因此電流從源極流向汲極。電晶體的源極和汲極不是固定的，並可以根據施加的電壓進行互換。
在下文的說明書中，閘極導通訊號是導通電晶體的閘極訊號。閘極關閉訊號是關閉電晶體的閘極訊號。在P型電晶體中，閘極導通訊號為邏輯低電壓，而閘極關閉訊號為邏輯高電壓。在N型電晶體中，閘極導通訊號為邏輯高電壓，而閘極關閉訊號為邏輯低電壓。
下文將參照附圖描述根據本發明一示例性實施例的像素驅動電路以及包含該像素驅動電路的電致發光顯示裝置。
圖1是顯示根據本發明一示例性實施例的電致發光顯示裝置的方塊圖。圖2顯示包含在電致發光顯示面板的每個像素中的發光元件的實施例。
參照圖1和圖2，根據本發明的電致發光顯示裝置包括包含像素PXL的顯示面板100。並且，電致發光顯示裝置包括顯示面板驅動電路200和300，配置以向連接到像素PXL的訊號線供應訊號。此外，電致發光顯示裝置包括時序控制器400，配置以控制顯示面板驅動電路200和300。
顯示面板驅動電路200和300向顯示面板100的像素PXL供應輸入影像資料DATA。顯示面板驅動電路200和300包含：源極驅動器200，配置以向連接到像素PXL的資料線201供應資料訊號；以及閘極驅動器300，配置以向連接到像素PXL的閘極線301供應閘極訊號。
顯示面板100設置複數條資料線201和複數條閘極線301。像素PXL中的每一個皆響應由資料線201和閘極線301供應的訊號來驅動。因此，像素PXL中的每一個的區域可以由資料線201和閘極線301界定。每個像素PXL皆包含發光元件130，如圖2所示的LED。
發光元件130可以包含：發射層EL；第一電極E1；以及第二電極E2。當第一電極E1與第二電極E2之間流動的電子和電洞重新組合時，發射層EL發光。發射層EL可以包含：第一半導體層131；主動層133；以及第二半導體層135。
第一半導體層131向主動層133供應電子。例如，第一半導體層131可以由N型氮化鎵半導體材料製成。N型氮化鎵半導體材料可以是氮化鎵（GaN）、氮化鋁鎵（AlGaN）、氮化銦鎵（InGaN）、氮化鋁銦鎵（AlInGaN）等等。作為摻入第一半導體層131的雜質，可以使用矽、鍺、硒、碲、碳等等。
主動層133設置在第一半導體層131的一側上。主動層133具有多量子井（multi-quantum well, MQW）結構，其具有井層和具有比井層更高能隙的阻障層。主動層133可以具有諸如氮化銦鎵/氮化鎵（InGaN/GaN）等等的MQW結構。
第二半導體層135設置在主動層133上並向主動層133供應電洞。第二半導體層135可以由P型氮化鎵半導體材料製成。P型氮化鎵半導體材料可以是氮化鎵（GaN）、氮化鋁鎵（AlGaN）、氮化銦鎵（InGaN）、氮化鋁銦鎵（AlInGaN）等等。作為摻入第二半導體層135的雜質，可以使用鎂、鋅、鈹等等。
第一半導體層131、主動層133和第二半導體層135可以依序層壓在半導體基板上。半導體基板包含半導體材料，諸如藍寶石基板或矽（Si）基板。半導體基板可以用為用於生長第一半導體層131、主動層133和第二半導體層135中的每一個的基板，然後可以經由基板分離製程與第一半導體層131分離。基板分離製程可以是雷射剝離製程或化學剝離製程。已與半導體基板分離的發光元件130傳送到像素PXL中的每一個並連接到像素驅動電路。
第一電極E1設置在第二半導體層135上。第二電極E2可以設置在第一半導體層131的另一側上，以與主動層133和第二半導體層135電性分離。例如，第一電極E1和第二電極E2中的每一個皆可以由透明導電材料製成。透明導電材料可以是氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）等等，但不限於此。或者，第一電極E1和第二電極E2中的每一個可以由至少一種金屬材料製成，諸如金、鎢、鉑、矽、銥、銀、銅、鎳、鈦或鎘及其合金。
從發光元件130發射的光通過第一電極E1和第二電極E2中的每一個傳遞並輸出到外部，從而顯示影像。發光元件130的第一電極E1也可以稱為陽極電極，而第二電極E2也可以稱為陰極電極。
圖3顯示包含在電致發光顯示面板的單位像素中的子像素的布局。
每個像素PXL包含複數個子像素SPXL。子像素SPXL設置的每個區域也可以稱為子像素區域。子像素SPXL中的每一個可以是紅色子像素、綠色子像素、藍色子像素和白色子像素中的任一個以實現各種顏色。可以根據紅色子像素、綠色子像素、藍色子像素和白色子像素的發射比來判斷像素PXL中所實現的顏色。子像素SPXL中的每一個都包含發光元件130，用於發射對應於子像素SPXL和像素驅動電路的顏色的光。此外，為了減少或最小化像素驅動電路的尺寸，像素驅動電路的一部分可以由子像素SPXL共享。由子像素SPXL共享的像素驅動電路可以設置在共用區域CA中。單位像素PXL包含：複數個子像素區域；以及共用區域CA。下文將詳細描述設置在共用區域CA中的像素驅動電路。
再次參考圖1，子像素SPXL除了透過資料線201和閘極線301外也透過供電線分別供應有電源電壓。供電線也可以由複數個子像素SPXL共享。該些電源電壓從供電單元供應，並包含：高電位電壓VDD；低電位電壓VSS；以及參考電壓Vref。子像素SPXL透過第一供電線供應有高電位電壓VDD、透過第二供電線供應有低電位電壓VSS，並透過第三供電線供應有參考電壓Vref。例如，高電位電壓VDD可以低於參考電壓Vref，並高於低電位電壓VSS。在這種情況下，高電位電壓VDD和參考電壓Vref可以是正電壓，而低電位電壓VSS可以是負電壓。連接到子像素SPXL的供電線的結構具有延伸超過兩個或多個子像素SPXL的線性形狀和板狀形狀。
源極驅動器200將從時序控制器400接收的輸入影像資料DATA轉換為每一畫面的資料電壓Vdata，然後向資料線201供應資料電壓Vdata。源極驅動器200使用數位至類比轉換器（digital-to-analog converter, DAC）輸出資料電壓Vdata，該DAC將輸入影像資料DATA轉換為伽瑪補償電壓。例如，資料電壓Vdata可以是低電位電壓VSS與高電位電壓VDD之間的電壓。
閘極驅動器300可以透過面板內建閘極（gate-in-panel）製程與像素PXL一起直接形成在顯示面板100的基板上，但本發明並不限於此。閘極驅動器300可以以積體電路（integrated circuit, IC）的類型來製造，然後透過導電膜黏接到顯示面板100上。
時序控制器400產生資料時序控制訊號DDC，用於基於從未顯示的主機系統接收的時序控制訊號控制源極驅動器200的操作時序。時序控制器400也產生閘極時序控制訊號GDC，用於基於從未顯示的主機系統接收的時序控制訊號控制閘極驅動器300的操作時序。例如，時序控制訊號包含垂直同步訊號（vertical sync signal, Vsync）、水平同步訊號（horizontal sync signal, Hsync）、資料致能訊號（data enable signal, DE）等。
圖4A、圖4B和圖5顯示根據本發明一示例性實施例的像素驅動電路以及輸入到像素驅動電路的訊號的波形圖。
參見圖4A，根據本發明一示例性實施例的像素驅動電路包含：第一像素驅動電路PC1；以及第二像素驅動電路PC2。第一像素驅動電路PC1設置在子像素SPXL的每一個中，而第二像素驅動電路PC2設置在單位像素PXL內部的共用區域CA中。第二像素驅動電路PC2連接到設置在單位像素PXL內部的子像素SPXL。第一像素驅動電路PC1包含：發光元件130；驅動元件；第一開關電路；第二開關電路；第三開關電路；以及電容電路。
圖4A和圖4B顯示包含在第n行的像素PXL中的像素驅動電路。第n行的像素驅動電路供應有第（n-1）掃描訊號S（n-1）、第n掃描訊號S（n）和第n發射訊號EM（n）。第（n-1）掃描訊號S（n-1）配置以透過第（n-1）掃描線供應，第n掃描訊號S（n）配置以透過第n掃描線供應，而第n發射訊號EM（n）配置以透過第n發射線供應。第（n-1）掃描線、第n掃描線和第n發射線都包含在閘極線301中。
驅動元件產生對應於資料電壓Vdata的驅動電流，並向發光元件130的陰極電極供應驅動電流。發光元件130的陰極電極和驅動元件的源極在N1節點連接。發光元件130的陽極電極連接到N5節點。N5節點連接到第一共用線101，並從第二像素驅動電路PC2供應有高電位電壓VDD。第一共用線101是在單位像素PXL的子像素SPXL中共用設置的單線。此外，發光元件130的陰極電極為子像素SPXL中的每一個分別設置，以向各個子像素SPXL供應不同的驅動電流。
當發光元件130發光時，發光元件130的陰極電極的電壓低於發光元件130的陽極電極的電壓。在像素驅動電路中，發光元件130以外的驅動元件和開關電路產生驅動電流，因而發光元件130的陰極電極具有低於高電位電壓VDD的電壓，以使發光元件130發光。
根據本發明一示例性實施例的像素驅動電路可以由P型電晶體，特別是P通道型金屬氧化物半導體薄膜電晶體（P-channel metal oxide semiconductor thin film transistors, PMOS TFTs ）來實現。然而，本發明不限於此。根據本發明一示例性實施例的像素驅動電路也可以由N型電晶體實現。在這種情況下，N型電晶體可以是N通道型金屬氧化物半導體薄膜電晶體（N-channel metal oxide semiconductor thin film transistors, NMOS TFTs ）。在本發明中，當P型電晶體關閉時，閘極電壓為邏輯高電壓，而當N型電晶體關閉時，閘極電壓為邏輯低電壓。
例如，發光元件130的陰極電極可以連接到供應有低電位電壓VSS的第二供電線，而陽極電極可以配置以供應有從驅動元件產生的驅動電流。在這種情況下，如果驅動元件和開關電路的任何一個或多個電晶體由於靜電的影響而具有缺陷，則關閉的電晶體中的閘極電壓為邏輯高電壓。因此，發光元件130的陽極電極會受到影響，並因而容易產生亮點。具體來說，可能會有電晶體的閘極絕緣層因靜電而故障並在閘極與主動層之間發生短路的情況。透過短路的閘極和主動層傳遞的邏輯高電壓會傳遞到發光元件130的陽極電極，因而發光元件130發光。因此，為了使發光元件130不會不必要地發光並被視為亮點，第二像素驅動電路PC2和第一共用線101彼此連接。因此，高電位電壓VDD施加給發光元件130的陽極電極。陰極電極電性連接電性連接到第一像素驅動電路PC1。因此，可以抑制顯示面板中亮點的產生。
參見圖4A，驅動元件由第一電晶體T1實施。第一電晶體T1的閘極連接到N2節點、源極連接到N1節點，而汲極連接到N3節點。驅動元件可以由閘極電壓導通，以向N1節點供應均勻的驅動電流。驅動元件可以具有頂部閘極結構以及共面結構，頂部閘極結構中閘極設置在主動層上，共面結構中源極和汲極通過接觸孔與主動層接觸。此外，導電層設置在驅動元件的主動層下方。導電層可以阻擋入射到驅動元件的主動層的光，從而抑制主動層的劣化。導電層不是浮動的並連接到第一電晶體T1的源極。因此，可以提高驅動電流和亮度的均勻性。參見圖4B，導電層可以連接到第一電晶體T1的閘極。如果導電層連接到驅動元件的源極，則與導電層連接到驅動元件的閘極的情況相比，驅動元件的驅動電流會減少。但是，可以提高顯示面板的亮度均勻性。如果導電層連接到驅動元件的閘極，則與導電層連接到驅動元件的源極的情況相比，顯示面板的亮度均勻性會降低。但是，可以增加驅動元件的驅動電流。
第一開關電路包含第四電晶體T4。第四電晶體T4由第n掃描訊號S（n）控制，以向N1節點供應流過資料線201的資料電壓Vdata。由於資料電壓Vdata配置以供應給N1節點，因此驅動元件可以產生對應於資料電壓Vdata的驅動電流。
第二開關電路包含：第二電晶體T2；以及第三電晶體T3。第二電晶體T2由第（n-1）掃描訊號S（n-1）控制，以向N2節點供應流過第二供電線的低電位電壓VSS。由於低電位電壓VSS供應給N2節點，第一電晶體T1的閘極以低電位電壓VSS放電。因此，當驅動元件的臨界電壓得到補償並產生驅動電流時，電壓可以精確地施加給驅動元件的閘極。
第三電晶體T3由第n掃描訊號S（n）控制，以電性連接N2節點和N3節點。第三電晶體T3藉由電性連接驅動元件的閘極和汲極來提取驅動元件的臨界電壓。提取的臨界電壓反映在驅動元件的閘極電壓中，並最終在由驅動元件產生的驅動電流處偏移。因此，驅動元件的臨界電壓得到補償。
第三開關電路包含第五電晶體T5。第五電晶體T5由第n發射訊號EM（n）控制，以向N3節點供應低電位電壓VSS。由於第五電晶體T5向驅動元件的汲極供應低電位電壓VSS，因此可以產生驅動電流。
電容電路包含：第一電容器Cst1；以及第二電容器Cst2。第一電容器Cst1包含分別連接到N2節點和N4節點的兩個電極。N4節點透過第二共用線102連接到第二像素驅動電路PC2，並透過第二像素驅動電路PC2施加高電位電壓VDD或者參考電壓Vref。
第一電容器Cst1藉由使用電容器元件的耦合效果來調解N2節點的電壓，並在發光期間固定施加到驅動元件的閘極的電壓。這導致均勻的驅動電流和發光亮度。
第一電容器Cst1藉由重疊兩個電極來實施。其中一個電極連接到N2節點，從而連接到驅動元件的閘極。第一電容器Cst1的另一個電極設置在驅動元件的閘極上，以與閘極的一部分重疊。此外，絕緣層設置在第一電容器Cst1的兩個電極之間。
例如，在其中發光元件的陰極電極由複數個子像素共享之具有伽瑪結構的像素驅動電路中，電容器可以連接到驅動元件的閘極。在這種情況下，覆蓋電晶體的絕緣層由於在形成像素驅動電路的製程中產生的靜電而故障，並因此電容器的兩個電極可以彼此短路。當電容器的兩個電極彼此短路時，對應的子像素SPXL可以視為一個亮點。亮點比暗點更容易被看見，因而會降低影像品質。因此，根據本發明的示例性實施例，使用了像素驅動電路，亦即，其中發光元件的陽極電極由複數個子像素共享之具有逆伽瑪結構的像素驅動電路。因此，可以提高電致發光顯示裝置的影像品質。
第二電容器Cst2包含兩個電極。第二電容器Cst2的一個電極連接到第一電晶體T1的閘極，而另一個電極連接到供應有高電位電壓VDD的線路。亦即，連接到第二電容器Cst2的一個電極之第一電晶體T1的閘極的一部分可以設置以與供應有高電位電壓VDD的線路的一部分重疊，或者設置以與連接到供應有高電位電壓VDD的線路的另一個電極重疊。並且，參見圖4B，第二電容器Cst2的一個電極可以連接到第一電晶體T1的源極，而另一個電極可以連接到供應有高電位電壓VDD的線路。即使第二電容器Cst2的兩個電極由於靜電等原因而短路，高電位電壓VDD也配置以供應給第二電容器Cst2的另一個電極。因此，高電位電壓VDD也供應給驅動元件的閘極。因此，驅動元件關閉並且子像素SPXL變暗。
此外，由於兩個電容器連接到驅動元件的閘極，因此即使透過由其他開關電晶體產生的寄生電容器所引起的耦合效應，驅動元件的閘極電壓也可以不受影響。
第二像素驅動電路PC2包含：第一共用開關電路；以及第二共用開關電路。
第一共用開關電路包含第一共用電晶體TC1。第一共用開關電路配置以透過第一共用線101向N5節點施加電壓。
第一共用電晶體TC1由第n發射訊號EM（n）控制，以向N5節點施加高電位電壓VDD。由於第一共用電晶體TC1向發光元件130的陽極電極供應高電位電壓VDD，因此發光元件130發光。
第二共用開關電路包含：第二共用電晶體TC2；第三共用電晶體TC3；以及第四共用電晶體TC4。第二共用開關電路配置以透過第二共用線102向N4節點供應電壓。
第二共用電晶體TC2由第n發射訊號EM（n）控制，以向N4節點施加高電位電壓VDD。第二共用電晶體TC2向第一電容器Cst1的另一個電極施加高電位電壓VDD，以保持驅動元件的閘極電壓。因此，驅動元件可以產生均勻的驅動電流。
第三共用電晶體TC3由第n掃描訊號S（n）控制，以向N4節點施加參考電壓Vref。第三共用電晶體TC3向第一電容器Cst1的另一個電極施加參考電壓Vref，以採樣驅動元件的臨界電壓。因此，可以產生驅動電流。
第四共用電晶體TC4由第（n-1）掃描訊號S（n-1）控制，以向N4節點施加參考電壓Vref。第四共用電晶體TC4向第一電容器Cst1的另一個電極施加參考電壓Vref，以向N4節點供應固定電壓，其在發光後浮動。因此，在採樣週期中，可以耦合電壓並將其精確地施加給驅動元件的閘極。
第二像素驅動電路PC2不直接連接到驅動元件，並向N4節點和N5節點供應高電位電壓VDD或參考電壓Vref的固定電壓。因此，第二像素驅動電路PC2可以由包含在單位像素PXL中的複數個子像素SPX共享。根據第二像素驅動電路PC2的電晶體的尺寸，第二像素驅動電路PC2也可以由複數個像素PXL共享。在這種情況下，電晶體的尺寸可以由第一電容器Cst1的充電時間決定。
參照圖3，第二像素驅動電路PC2可以設置在像素PXL的共用區域CA中並由子像素SPXL共享。在這種情況下，第一共用線101和第二共用線102由子像素SPXL共享。因此，可以減少子像素SPXL的尺寸，並因而可以減少單位像素PXL的尺寸。因此，可以實施高解析度顯示面板。
參照圖4A、圖4B和圖5，像素驅動電路在劃分為初始化週期①、採樣週期②、保持週期③和發射週期④的期間中驅動。
第（n-1）掃描訊號S（n-1）和第n掃描訊號S（n）中的每一個皆包含在一個水平週期1H期間的邏輯低電壓的脈衝。第n發射訊號EM（n）包含在至少兩個水平週期2H期間的邏輯高電壓的脈衝。其中第（n-1）掃描訊號S（n-1）具有邏輯低電壓的一個水平週期1H稱為像素驅動電路的初始化週期①。並且，其中第n掃描訊號S（n）具有邏輯低電壓的一個水平週期1H稱為像素驅動電路的採樣週期②。儘管圖5顯示第n發射訊號EM（n）在四個水平週期4H期間具有邏輯高電壓，但本發明不限於此。第n發射訊號EM（n）至少在像素驅動電路的初始化週期①和採樣週期②期間具有邏輯高電壓，從而抑制發光元件130的發光。第n發射訊號EM（n）在初始化週期①和採樣週期②以外的週期期間或者四個水平週期4H以外的時段週期可以具有邏輯低電壓。其中第n發射訊號EM（n）具有邏輯低電壓的週期稱為像素驅動電路的發射週期④。
在初始化週期①中，第一像素驅動電路PC1的第二電晶體T2導通，且低電位電壓VSS施加給N2節點。並且，第二像素驅動電路PC2的第四共用電晶體TC4導通，且參考電壓Vref施加給N4節點。因此，第一電晶體T1的閘極以低電位電壓VSS放電，而第一電容器Cst1和第二電容器Cst2各有一個電極也用低電位電壓VSS放電。
在採樣週期②中，第二像素驅動電路PC2的第三共用電晶體TC3導通，且參考電壓VSS施加給N4節點。N4節點在採樣週期②和初始化週期①期間保持參考電壓Vref。
在採樣週期②中，第一像素驅動電路PC1的第四電晶體T4導通，且資料電壓Vdata施加給N4節點。此外，第三電晶體T3導通，且N2節點和N3節點電性連接。因此，驅動元件的閘極和汲極短路。因而，N2節點的電壓增加，直到N2節點與N1節點的電壓差等於驅動元件的臨界電壓（Vth）。因此，在採樣週期②結束時，N2節點的電壓變為Vdata+Vth。增加N2節點的電壓需要時間。精確採樣驅動元件的臨界電壓需要足夠的採樣時間。將第n掃描訊號S（n）完全轉換為邏輯高電壓也需要時間。因此，保持週期③可以在採樣週期②之後設定。
保持週期③顯示為一個水平週期1H，但本發明並不限於此。為了使發光元件130即使在保持週期③也不會發光，第n發射訊號EM（n）保持邏輯高電壓。當第n發射訊號EM（n）轉換為邏輯低電壓時，發光元件130開始發光。
在發射週期④中，第二像素驅動電路PC2的第二共用電晶體TC2導通，且高電位電壓VDD施加給N4節點。當N4節點的電壓從參考電壓Vref變為高電位電壓VDD時，由於第一電容器Cst1的耦合，N2節點的電壓會變為Vdata+Vth+VDD-Vref。
在發射週期④中，第一像素驅動電路PC1的第五電晶體T5導通，且低電位電壓VSS施加給N3節點。因此，驅動元件導通，且驅動電流配置以供應給發光元件130。並且，第二像素驅動電路PC2的第一共用電晶體TC1導通，且高電位電壓VDD施加給發光元件130的陽極電極。因此，發光元件130發光。在這種情況下，驅動元件的源極電壓會變為VDD-VTC1-Vled，且驅動元件的驅動電流I D由以下方程式1表示。 [方程式1] I D= k(Vdata-Vref+VTC1-Vled) 2
在方程式1中，k是由驅動元件特性決定的常數值，Vled是發光元件130的臨界電壓，且VTC1是第一共用電晶體TC1的臨界電壓。參考方程式1，驅動元件的臨界電壓（Vth）從驅動電流I D中移除。因此，驅動電流I D不取決於驅動元件的臨界電壓（Vth），並不會受臨界電壓（Vth）變化的影響。
並且，驅動電流I D不受高電位電壓VDD的影響，而高電位電壓VDD會因電流的影響而有電壓降。然而，驅動電流I D受參考電壓Vref的影響，而參考電壓Vref幾乎不受因其施加固定電壓所造成的電壓降的影響。因此，可以根據像素PXL在顯示面板上的位置來抑制亮度的變化。
圖6顯示根據本發明另一示例性實施例的像素驅動電路。施加於圖6中所示的像素驅動電路的訊號的波形圖與圖5所示的波形圖相同，因此將參照圖5描述。
參照圖6，根據本發明另一示例性實施例的像素驅動電路包含：第一像素驅動電路PC1；以及第二像素驅動電路PC2。第一像素驅動電路PC1設置在子像素SPXL的每一個中，而第二像素驅動電路PC2設置在單位像素PXL內部的共用區域CA中。第二像素驅動電路PC2連接到設置在單位像素PXL內部的子像素SPXL。第一像素驅動電路PC1包含：發光元件130；驅動元件；第一開關電路；第二開關電路；第三開關電路；以及電容電路。
圖6顯示包含在第n行的像素PXL中的像素驅動電路。第n行的像素驅動電路供應有第（n-1）掃描訊號S（n-1）、第n掃描訊號S（n）和第n發射訊號EM（n）。第（n-1）掃描訊號S（n-1）配置以透過第（n-1）掃描線供應，第n掃描訊號S（n）配置以透過第n掃描線供應，而第n發射訊號EM（n）配置以透過第n發射線供應。第（n-1）掃描線、第n掃描線和第n發射線都包含在閘極線301中。
驅動元件產生對應於資料電壓Vdata的驅動電流，並向發光元件130的陰極電極供應驅動電流。發光元件130的陰極電極和驅動元件的源極在N1節點連接。發光元件130的陽極電極連接到N5節點。N5節點連接到第一共用線101，並從第二像素驅動電路PC2供應有高電位電壓VDD。第一共用線101是共用設置在單位像素PXL的子像素SPXL中的單線。此外，發光元件130的陰極電極為子像素SPXL中的每一個分別設置，以向各子像素SPXL供應不同的驅動電流。
當發光元件130發光時，陰極電極的電壓比陽極電極的電壓低。在像素驅動電路中，發光元件130以外的驅動元件和開關電路會產生驅動電流，因而發光元件130的陰極電極具有低於高電位電壓VDD的電壓，以使發光元件130發光。
根據本發明另一示例性實施例的像素驅動電路可以由P型電晶體，特別是P通道型金屬氧化物半導體薄膜電晶體（P-channel metal oxide semiconductor thin film transistors, PMOS TFTs ）實現。然而，本發明不限於此。根據本發明另一示例性實施例的像素驅動電路也可以由N型電晶體實現。在這種情況下，N型電晶體可以是N通道型金屬氧化物半導體薄膜電晶體（N-channel metal oxide semiconductor thin film transistors, NMOS TFTs ）。在本發明中，當P型電晶體關閉時，閘極電壓為邏輯高電壓，而當N型電晶體關閉時，閘極電壓為邏輯低電壓。
如在根據本發明示例性實施例的像素驅動電路中，為了使發光元件130不會不必要地發光並被視為亮點，第二像素驅動電路PC2和第一共用線101在根據本發明另一示例性實施例的像素驅動電路中彼此連接。因此，高電位電壓VDD施加給發光元件130的陽極電極。陰極電極電性連接到像素驅動電路。因此，可以抑制顯示面板中亮點的產生。
驅動元件由第一電晶體T1實施。第一電晶體T1的閘極連接到N2節點、源極連接到N1節點，而汲極連接到N3節點。驅動元件可以由閘極電壓導通，以向N1節點供應均勻的驅動電流。如上所述，導電層設置在驅動元件的主動層下方。導電層不是浮動的並連接到第一電晶體T1的源極。因此，可以提高驅動電流和亮度的均勻性。雖然圖6顯示導電層連接到第一電晶體T1的源極，但本發明並不限於此。如圖4B中所示，導電層可以連接到第一電晶體T1的閘極。
第一開關電路包含第四電晶體T4。第四電晶體T4由第n掃描訊號S（n）控制，以向N1節點供應流過資料線201的資料電壓Vdata。由於資料電壓Vdata配置以供應給N1節點，因此驅動元件可以產生對應於資料電壓Vdata的驅動電流。
第二開關電路包含：第二電晶體T2；以及第三電晶體T3。第二電晶體T2由第（n-1）掃描訊號S（n-1）控制，以向N2節點供應流過第二供電線的低電位電壓VSS。由於低電位電壓VSS供應給N2節點，第一電晶體T1的閘極會以低電位電壓VSS放電。因此，當驅動元件的臨界電壓得到補償並產生驅動電流時，電壓可以精確地施加給驅動元件的閘極。
第三電晶體T3由第n掃描訊號S（n）控制，以電性連接N2節點和N3節點。第三電晶體T3藉由電性連接驅動元件的閘極和汲極來提取驅動元件的臨界電壓。提取的臨界電壓反映在驅動元件的閘極電壓中，並最終在由驅動元件產生的驅動電流處偏移。因此，驅動元件的臨界電壓得到補償。
第三開關電路包含第五電晶體T5。第五電晶體T5由第n發射訊號EM（n）控制，以向N3節點供應低電位電壓VSS。由於第五電晶體T5向驅動元件的汲極供應低電位電壓VSS，因此可以產生驅動電流。
電容電路包含：第一電容器Cst1；以及第二電容器Cst2。第一電容器Cst1包含分別連接到N2節點和N4節點的兩個電極。N4節點透過第二像素驅動電路PC2連接到第二共用線102，並透過第二像素驅動電路PC2施加有高電位電壓VDD或者參考電壓Vref。
第一電容器Cst1藉由使用電容器元件的耦合效果來調節N2節點的電壓，並在發光期間固定施加到驅動元件的閘極的電壓。這導致均勻的驅動電流和發光亮度。
第一電容器Cst1藉由重疊兩個電極來實施。該些電極中的一個連接到N2節點，從而連接到驅動元件的閘極。第一電容器Cst1的另一個電極設置在驅動元件的閘極上，以與閘極的一部分重疊。此外，絕緣層設置在第一電容器Cst1的兩個電極之間。
如上文所述，在具有伽瑪結構的像素驅動電路的電容器中，一個電極和另一個電極可能因為在製程中產生的靜電而彼此短路。當電容器的兩個電極彼此短路時，對應的子像素SPXL可以視為一個亮點。亮點比暗點更容易被看見，因而降低了影像品質。因此，即使當設置在具有逆伽馬結構的像素驅動電路中的電容器短路時，驅動元件也會關閉。因此，對應子像素SPXL可以變暗。
第二電容器Cst2包含兩個電極。第二電容器Cst2的一個電極連接到第一電晶體T1的閘極，而另一個電極連接到N1節點。亦即，連接到第二電容器Cst2的一個電極之第一電晶體T1的閘極的一部分可以設置以與N1節點的一部分重疊，或者設置以與連接到N1節點的另一個電極重疊。即使第二電容器Cst2的兩個電極由於靜電等原因而短路，短路的第二電容器Cst2也會在驅動元件的源極與閘極之間產生0V的電壓差。因此，驅動元件關閉且子像素SPXL變暗。
此外，由於兩個電容器連接到驅動元件的閘極，因此即使透過由其他開關電晶體產生的寄生電容器所引起的耦合效應，驅動元件的閘極電壓也可以不受影響。
第二像素驅動電路PC2包含：第一共用開關電路；第二共用開關電路；以及第三共用開關電路。
第一共用開關電路包含第一共用電晶體TC1。第一共用開關電路配置以透過第一共用線101向N5節點施加電壓。
第一共用電晶體TC1由第n發射訊號EM（n）控制，以向N5節點施加高電位電壓VDD。由於第一共用電晶體TC1向發光元件130的陽極電極供應高電位電壓VDD，因此發光元件130發光。
第二共用開關電路包含：第三共用電晶體TC3；以及第四共用電晶體TC4。第二共用開關電路配置以透過第二共用線102向N4節點供應電壓。
第三共用電晶體TC3由第n掃描訊號S（n）控制，以向N4節點施加參考電壓Vref。第三共用電晶體TC3向第一電容器Cst1的另一個電極施加參考電壓Vref，以採樣驅動元件的臨界電壓。因此，可以產生驅動電流。
第四共用電晶體TC4由第（n-1）掃描訊號S（n-1）控制，以向N4節點施加參考電壓Vref。第四共用電晶體TC4向第一電容器Cst1的另一個電極施加參考電壓Vref，以向N4節點供應固定電壓，其在發光後浮動。因此，在採樣週期內，可以耦合電壓並將其精確地施加到驅動元件的閘極。
第三共用開關電路包含第二共用電晶體TC2。第二共用電晶體TC2由第n發射訊號EM（n）控制，以電性連接N4節點和N5節點。第二共用電晶體TC2使N4節點的電壓等於N5節點的電壓。因此，N5節點的電壓值反映在N4節點中，並施加給第一電容器Cst1的另一個電極。N5節點的電壓值由於第一電容器Cst1的耦合反映在驅動元件的閘極電壓中，因此驅動元件產生精確的驅動電流。
第二像素驅動電路PC2不直接連接到驅動元件，並向N4節點和N5節點供應高電位電壓VDD或參考電壓Vref的固定電壓。因此，第二像素驅動電路PC2可以由包含在單位像素PXL中的複數個子像素SPX共享。根據第二像素驅動電路PC2的電晶體的尺寸，第二像素驅動電路PC2也可以由複數個像素PXL共享。在這種情況下，電晶體的尺寸可以由第一電容器Cst1的充電時間來決定。
參照圖3，第二像素驅動電路PC2可以設置在像素PXL的共用區域CA中並由子像素SPXL共享。在這種情況下，第一共用線101和第二共用線102由子像素SPXL共享。因此，可以減少子像素SPXL的尺寸，並因而可以減少單位像素PXL的尺寸。因此，可以實施高解析度顯示面板。
參照圖6和圖5，像素驅動電路在劃分為初始化週期①、採樣週期②、保持週期③和發射週期④的期間中驅動。
第（n-1）掃描訊號S（n-1）和第n掃描訊號S（n）中的每一個皆包含在一個水平週期1H期間的邏輯低電壓的脈衝。第n發射訊號EM（n）包含在至少兩個水平週期2H期間的邏輯高電壓的脈衝。其中第（n-1）掃描訊號S（n-1）具有邏輯低電壓的一個水平週期1H稱為像素驅動電路的初始化週期①。並且，其中第n掃描訊號S（n）具有邏輯低電壓的一個水平週期1H稱為像素驅動電路的採樣週期②。儘管圖5顯示第n發射訊號EM（n）在四個水平週期4H期間具有邏輯高電壓，但本發明不限於此。第n發射訊號EM（n）至少在像素驅動電路的初始化週期①和採樣週期②期間具有邏輯高電壓，從而抑制發光元件130的發光。第n發射訊號EM（n）在初始化週期①和採樣週期②以外的週期期間或者四個水平週期4H以外的時段週期可以具有邏輯低電壓。其中第n發射訊號EM（n）具有邏輯低電壓的週期稱為像素驅動電路的發射週期④。
在初始化週期①中，第一像素驅動電路PC1的第二電晶體T2導通，且低電位電壓VSS施加給N2節點。並且，第二像素驅動電路PC2的第四共用電晶體TC4導通，且參考電壓Vref施加給N4節點。因此，第一電晶體T1的閘極以低電位電壓VSS放電，而第一電容器Cst1和第二電容器Cst2各有一個電極也用低電位電壓VSS放電。
在採樣週期②中，第二像素驅動電路PC2的第三共用電晶體TC3導通，且參考電壓VSS施加給N4節點。N4節點在採樣週期②和初始化週期①期間保持參考電壓Vref。
在採樣週期②中，第一像素驅動電路PC1的第四電晶體T4導通，且資料電壓Vdata施加給N4節點。此外，第三電晶體T3導通，且N2節點和N3節點電性連接。因此，驅動元件的閘極和汲極短路。因而，N2節點的電壓增加，直到N2節點與N1節點的電壓差等於驅動元件的臨界電壓（Vth）。因此，在採樣週期②結束時，N2節點的電壓會變為Vdata+Vth。增加N2節點的電壓需要時間。精確採樣驅動元件的臨界電壓需要足夠的採樣時間。將第n掃描訊號S（n）完全轉換為邏輯高電壓也需要時間。因此，保持週期③可以在採樣週期②之後設定。
保持週期③顯示為一個水平週期1H，但本發明並不限於此。為了使發光元件130即使在保持週期③期間也不會發光，第n發射訊號EM（n）保持邏輯高電壓。當第n發射訊號EM（n）轉換為邏輯低電壓時，發光元件130開始發光。
在發射週期④中，第二像素驅動電路PC2的第一共用電晶體TC1導通，且高電位電壓VDD施加給N5節點。並且，第二共用電晶體TC2導通，且N4節點的電壓等於N5節點的電壓。在這種情況下，基本上施加給N5節點的電壓具有藉由反映高電位電壓VDD中第一共用電晶體TC1的臨界電壓VTC1而獲得的電壓值。同樣地，N4節點的電壓從參考電壓Vref變更為高電位電壓VDD與第一共用電晶體TC1的臨界電壓VTC1之間的差值。由於第一電容器Cst1的耦合，N2節點的電壓變為Vdata+Vth+VDD-Vref-VTC1。
在發射週期④中，第一像素驅動電路PC1的第五電晶體T5導通，且低電位電壓VSS施加給N3節點。因此，驅動元件導通，且驅動電流配置以供應給發光元件130。因此，發光元件130發光。在這種情況下，驅動元件的源極電壓變為VDD-VTC1-Vled。因此，驅動元件的驅動電流I D由以下方程式2表示。 [方程式2] I D= k(Vdata-Vref-Vled) 2
在方程式2中，k是由驅動元件特性決定的常數值，VTC1是第一共用電晶體TC1的臨界電壓，並且Vled是發光元件130的臨界電壓。參考方程式2，驅動元件的臨界電壓（Vth）從驅動電流I D中移除。因此，驅動電流I D不取決於驅動元件的臨界電壓（Vth），也不會受在臨界電壓（Vth）中的變化的影響。此外，與本發明的示例性實施例不同，第一共用電晶體TC1的臨界電壓VTC1從驅動電流I D移除。因此，驅動電流I D不受第一共用電晶體TC1的臨界電壓VTC1變化的影響。因此，可以確保驅動電流I D的可靠性，並提高顯示面板亮度的均勻性。
並且，驅動電流I D不受高電位電壓VDD的影響，而高電位電壓VDD因電流的影響而有電壓降。然而，驅動電流I D受參考電壓Vref的影響，而參考電壓Vref幾乎不受因其施加固定電壓造成的電壓降的影響。因此，可以根據像素PXL在顯示面板上的位置來抑制亮度的變化。
本發明的示例性實施例也可以描述如下。
根據本發明的一態樣，電致發光顯示裝置包括像素，其包含複數個子像素，並劃分為設置子像素的子像素區域和共用區域。該些子像素中的每一個皆包含發光元件，其包含陽極電極和陰極電極。在子像素區域中，設置第一像素驅動電路，而在共用區域中，設置第二像素驅動電路。發光元件的陽極電極連接到第一共用線，該第一共用線連接到第二像素驅動電路。每個子像素進一步包含驅動元件，該驅動元件包含：源極，連接到第一節點；閘極，連接到第二節點；以及汲極，連接到第三節點。子像素也包含：第四電晶體，連接到第一節點；第二電晶體，連接到第二節點；以及第五電晶體，連接到第三節點。子像素進一步包含：第三電晶體，連接到第二節點和第三節點；以及第一電容器，連接到第二節點以及連接到第二像素驅動電路的第二共用線。子像素也包含：第二電容器，連接到供應有高電位電壓的線路以及第一節點或第二節點；以及導電層，設置在驅動元件下方。導電層連接到第一節點或驅動元件的閘極。在這種情況下，當缺陷由於靜電產生在電致發光顯示裝置的子像素中時，子像素會變暗。因此，可以減少影像品質缺陷。
第二像素驅動電路可以包含：第一共用開關電路，配置以向第一共用線施加高電位電壓；以及第二共用開關電路，配置以向第二共用線施加電壓。
子像素可以透過第一共用線和第二共用線彼此連接。
第二共用開關電路可以連接到配置以供應參考電壓的線路上，並且參考電壓可以配置以供應給驅動元件的閘極，以導通驅動元件。
第二像素驅動電路可以由電晶體來實施，該些電晶體由第（n-1）掃描訊號、第n掃描訊號以及第n發射訊號控制。
第四電晶體可以由第n掃描訊號控制，以向第一節點供應資料電壓。
第二電晶體可以由第（n-1）掃描訊號控制並連接到供應有低電位電壓的線路，以向第二節點供應低電位電壓。
第五電晶體可以由第n發射訊號控制並連接到供應有低電位電壓的線路，以向第三節點供應低電位電壓。
第三電晶體可以由第n掃描訊號控制，以電性連接第二節點和第三節點。
根據本發明的另一態樣，電致發光顯示裝置包括發光元件，其包含陽極電極和陰極電極，陽極電極連接到供應有高電位電壓的第一共用線。電致發光顯示裝置也包括子像素，其包含向發光元件供應驅動電流的像素驅動電路。子像素進一步包含驅動元件，該驅動元件包含源極，連接到第一節點；閘極，連接到第二節點；以及汲極，連接到第三節點。子像素也包含：第一共用開關電路，連接到陽極電極；以及第一電容器，包含連接到第二節點的第一電極以及連接到第四節點的第二電極。子像素進一步包含：第二開關電路，連接到第二節點；以及第三開關電路，連接到第三節點。子像素也包含：第一開關電路，連接到第一節點；以及第二共用開關電路，連接到第四節點。因此，當缺陷由於靜電產生在電致發光顯示裝置的子像素中時，子像素會變暗。因此，可以減少影像品質缺陷。
第一共用開關電路可以由第n發射訊號控制，以向第一共用線供應高電位電壓。
第二開關電路可以由第n掃描訊號控制，以電性連接第二節點和第三節點，並可以由第（n-1）掃描訊號控制，以向第二節點供應低電位電壓。
第三開關電路可以由第n發射訊號控制，以向第三節點供應低電位電壓。
第一開關電路可以由第n掃描訊號控制，以向第一節點供應資料電壓。
第二共用開關電路可以由第（n-1）掃描訊號和第n掃描訊號控制，以向第四節點供應比高電位電壓高的電壓。
子像素進一步包含導電層，設置在驅動元件下方，並且導電層可以連接到第一節點或第二節點。
子像素可以進一步包含第二電容器，包含連接到第二節點的一個電極以及連接到第一節點的另一個電極。
儘管本發明的示例性實施例參考附圖詳細描述，但本發明不限於此，並可以在不脫離本發明的技術構思的情況下以多種不同的形式實施。因此，本發明的示例性實施例僅用於說明而提供，而不意圖限制本發明的技術概念。本發明的技術概念的範疇不限於此。因此，應該理解的是，上述示例性實施例在所有態樣都是說明性的，並不會限制本發明。本發明的保護範圍應基於以下申請專利範圍來解釋，並且在其等同範圍內的所有技術概念應被解釋為落入本發明的範疇內。
本發明主張於2021年11月5日向韓國智慧財產權廳提交的韓國專利申請第10-2021-0151341號的優先權，本發明引用其揭露內容並併入本發明中。
100:顯示面板 101:第一共用線 102:第二共用線 130:發光元件 131:第一半導體層 133:主動層 135:第二半導體層 200:顯示面板驅動電路、源極驅動器 201:資料線 300:顯示面板驅動電路、閘極驅動器 301:閘極線 400:時序控制器 1H:一個水平週期 ①:初始化週期 ②:採樣週期 ③:保持週期 ④:發射週期 CA:共用區域 Cst1:第一電容器 Cst2:第二電容器 DATA:輸入影像資料 DDC:資料時序控制訊號 E1:第一電極 E2:第二電極 EL:發射層 EM（n）:第n發射訊號 GDC:閘極時序控制訊號 N1,N2,N3,N4,N5:節點 PC1:第一像素驅動電路 PC2:第二像素驅動電路 PXL:像素、單位像素 S（n）:第n掃描訊號 S（n-1）:第（n-1）掃描訊號 SPXL:子像素 T1:第一電晶體 T2:第二電晶體 T3:第三電晶體 T4:第四電晶體 T5:第五電晶體 TC1:第一共用電晶體 TC2:第二共用電晶體 TC3:第三共用電晶體 TC4:第四共用電晶體 Vdata:資料電壓 VDD:高電位電壓 Vref:參考電壓 VSS:低電位電壓
根據結合附圖的以下詳細描述，將更加清楚地理解本發明的上述和其他態樣、特徵和其他優點，其中： 圖1是顯示根據本發明一示例性實施例的電致發光顯示裝置的方塊圖； 圖2顯示包含在電致發光顯示面板的每個像素中的發光元件的實施例； 圖3顯示包含在電致發光顯示面板的單位像素中的子像素的布局； 圖4A、圖4B和圖5顯示根據本發明一示例性實施例的像素驅動電路以及輸入到像素驅動電路的訊號的波形圖；以及 圖6顯示根據本發明另一示例性實施例的像素驅動電路。
PXL:像素
CA:共用區域
SPXL:子像素

Claims (19)

  1. 一種電致發光顯示裝置，包括：  一像素，其包含複數個子像素，並劃分為設置該些子像素的一子像素區域和一共用區域， 其中，該些子像素中的每一個皆包含一發光元件，該發光元件包含一陽極電極和一陰極電極，且 在該子像素區域中，設置一第一像素驅動電路，而且 在該共用區域中，設置一第二像素驅動電路，並且 該發光元件的該陽極電極連接到一第一共用線，該第一共用線連接到該第二像素驅動電路，以及 其中，該些子像素中的每一個皆進一步包含： 一驅動元件，包含連接到一第一節點的一源極、連接到一第二節點的一閘極、以及連接到一第三節點的一汲極； 一第四電晶體，連接到該第一節點； 一第二電晶體，連接到該第二節點； 一第五電晶體，連接到該第三節點； 一第三電晶體，連接到該第二節點和該第三節點； 一第一電容器，連接到該第二節點和一第二共用線，該第二共用線連接到該第二像素驅動電路； 一第二電容器，連接到施加有一高電位電壓的一線路和該第一節點或該第二節點；以及 一導電層，設置在該驅動元件下方，其中該導電層連接到該第一節點或該驅動元件的該閘極。
  2. 如請求項1所述之電致發光顯示裝置，其中，該第二像素驅動電路包含：一第一共用開關電路，配置以向該第一共用線施加該高電位電壓；以及一第二共用開關電路，配置以向該第二共用線施加一電壓。
  3. 如請求項2所述之電致發光顯示裝置，其中，該些子像素透過該第一共用線和該第二共用線彼此連接。
  4. 如請求項2所述之電致發光顯示裝置，其中，該第二共用開關電路連接到配置以供應一參考電壓的一線路上，並且該參考電壓配置以施加給該驅動元件的該閘極，以導通該驅動元件。
  5. 如請求項1所述之電致發光顯示裝置，其中，該第二像素驅動電路透過由一第（n-1）掃描訊號、一第n掃描訊號、以及一第n發射訊號控制的電晶體來實施。
  6. 如請求項1所述之電致發光顯示裝置，其中，該第四電晶體由一第n掃描訊號控制，以向該第一節點施加一資料電壓。
  7. 如請求項1所述之電致發光顯示裝置，其中，該第二電晶體由一第（n-1）掃描訊號控制並連接到供應有一低電位電壓的線路上，以向該第二節點施加該低電位電壓。
  8. 如請求項1所述之電致發光顯示裝置，其中，該第五電晶體由一第n發射訊號控制並連接到供應有一低電位電壓的線路上，以向該第三節點施加該低電位電壓。
  9. 如請求項1所述之電致發光顯示裝置，其中，該第三電晶體由一第n掃描訊號控制，以電性連接該第二節點和該第三節點。
  10. 一種電致發光顯示裝置，包括： 一發光元件，包含一陽極電極和一陰極電極，該陽極電極連接到供應有一高電位電壓的一第一共用線；以及 一子像素，包含一像素驅動電路，該像素驅動電路向該發光元件施加一驅動電流， 其中，該子像素進一步包含： 一驅動元件，包含連接到一第一節點的一源極、連接到一第二節點的一閘極、以及連接到一第三節點的一汲極； 一第一共用開關電路，連接到該陽極電極； 一第一電容器，包含連接到該第二節點的一第一電極以及連接到一第四節點的一第二電極； 一第二開關電路，連接到該第二節點； 一第三開關電路，連接到該第三節點； 一第一開關電路，連接到該第一節點；以及 一第二共用開關電路，連接到該第四節點。
  11. 如請求項10所述之電致發光顯示裝置，其中，該第一共用開關電路由一第n發射訊號控制，以向該第一共用線施加該高電位電壓。
  12. 如請求項10所述之電致發光顯示裝置，其中，該第二開關電路由一第n掃描訊號控制，以電性連接該第二節點和該第三節點，並且該第二開關電路由一第（n-1）掃描訊號控制，以向該第二節點施加一低電位電壓。
  13. 如請求項10所述之電致發光顯示裝置，其中，該第三開關電路由一第n發射訊號控制，以向該第三節點施加一低電位電壓。
  14. 如請求項10所述之電致發光顯示裝置，其中，該第一開關電路由一第n掃描訊號控制，以向該第一節點施加一資料電壓。
  15. 如請求項10所述之電致發光顯示裝置，其中，該第二共用開關電路由一第（n-1）掃描訊號和一第n掃描訊號控制，以向該第四節點施加比該高電位電壓高的電壓。
  16. 如請求項10所述之電致發光顯示裝置，其中，該子像素進一步包含一導電層，設置在該驅動元件下方，以及 該導電層連接到該第一節點或該第二節點。
  17. 如請求項10所述之電致發光顯示裝置，其中，該子像素進一步包含一第二電容器，該第二電容器包含連接到該第二節點的一個電極以及連接到該第一節點的另一個電極。
  18. 如請求項17所述之電致發光顯示裝置，其中，當該第二電容器的該兩個電極短路時，該驅動元件的該源極與該閘極之間的電壓差變為0V，而該驅動元件關閉。
  19. 一種電致發光顯示裝置，包括： 一像素，包含複數個子像素，並劃分為設置該些子像素和一第一像素驅動電路的一子像素區域以及設置一第二像素驅動電路的一共用區域， 其中，該些子像素中的每一個皆包含： 一發光元件，包含一陽極電極和一陰極電極，其中該陽極電極連接到供應有一高電位電壓的一第一共用線並連接到該第二像素驅動電路； 一驅動元件，包含連接到一第一節點的一源極、連接到一第二節點的一閘極、以及連接到一第三節點的一汲極； 一第四電晶體，連接到該第一節點； 一第二電晶體，連接到該第二節點； 一第五電晶體，連接到該第三節點； 一第三電晶體，接到該第二節點和該第三節點； 一第一電容器，連接到該第二節點和一第二共用線，該第二共用線連接到該第二像素驅動電路；以及 一第二電容器，包含連接到該第二節點的一個電極以及連接到供應有該高電位電壓的一線路的另一個電極， 其中，當該第二電容器的該兩個電極短路時，該高電位電壓施加給該驅動元件的該閘極，而該驅動元件關閉。
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