TW202313641A - 用於極紫外光微影應用之混合光阻劑組合物 - Google Patents
用於極紫外光微影應用之混合光阻劑組合物 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202313641A TW202313641A TW111118310A TW111118310A TW202313641A TW 202313641 A TW202313641 A TW 202313641A TW 111118310 A TW111118310 A TW 111118310A TW 111118310 A TW111118310 A TW 111118310A TW 202313641 A TW202313641 A TW 202313641A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- borate
- phenyl
- bis
- oxo
- photoresist
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims description 94
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 title 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 66
- -1 tetrakis[3,5-bis(trifluoromethyl)phenyl]borate Chemical compound 0.000 claims abstract description 44
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 125000000538 pentafluorophenyl group Chemical group FC1=C(F)C(F)=C(*)C(F)=C1F 0.000 claims abstract description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 21
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 15
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 11
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5,6-pentafluorophenoxy)boronic acid Chemical compound OB(O)OC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical group CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HFKJQIJFRMRSKM-UHFFFAOYSA-N [3,5-bis(trifluoromethyl)phenoxy]boronic acid Chemical compound OB(O)OC1=CC(C(F)(F)F)=CC(C(F)(F)F)=C1 HFKJQIJFRMRSKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- QSRPNKMRVIYARA-UHFFFAOYSA-N (3,5-ditert-butylphenoxy)boronic acid Chemical compound C(C)(C)(C)C=1C=C(C=C(C=1)C(C)(C)C)OB(O)O QSRPNKMRVIYARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- VASOMTXTRMYSKD-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)boronic acid Chemical compound OB(O)C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F VASOMTXTRMYSKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims 1
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 claims 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical group OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 9
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 8
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000000132 electrospray ionisation Methods 0.000 description 6
- 230000000269 nucleophilic effect Effects 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 5
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000010534 mechanism of action Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 2
- PYLWMHQQBFSUBP-UHFFFAOYSA-N monofluorobenzene Chemical compound FC1=CC=CC=C1 PYLWMHQQBFSUBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910014084 Na—B Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005349 anion exchange Methods 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005329 nanolithography Methods 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- FBGKGORFGWHADY-UHFFFAOYSA-L tin(2+);dihydroxide Chemical compound O[Sn]O FBGKGORFGWHADY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
本發明係關於一種用於積體電路之製造中之光阻劑組合物、一種光阻劑組合物之用途及一種利用光阻劑組合物之微影方法，其中該光阻劑組合物包含具有選自以下之一相對離子的一烷錫-側氧基籠狀物：肆(五氟苯基)硼酸根、肆[3,5-雙(三氟甲基)苯基]硼酸根、肆[3,5-雙(三級丁基)苯基]硼酸根及肆[(3,5-雙(1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲氧基丙-2-基)苯基)苯基]硼酸根。一種微影方法，其包含以下步驟：a)提供一光阻劑組合物，該光阻劑組合物包含具有選自該等以上硼酸根基之一相對離子的一烷錫-側氧基籠狀物；b)使該光阻劑組合物暴露於一經圖案化輻射光束或一電子束以在該光阻劑組合物中形成一圖案；及c)使該光阻劑顯影以形成一電路圖案。
Description
本發明係關於用於微影(尤其係積體電路之製造)的光阻劑組合物、具有較大非親核相對離子的烷錫-側氧基籠狀物陽離子之用途、包含塗佈有包含具有較大非親核相對離子的烷錫側氧基籠狀物陽離子之組合物的至少一個表面之基板及使用此類光阻劑組合物產生半導體之方法。特定言之，本發明係關於用於EUV微影中之光阻劑組合物。較大非親核相對離子包括肆(五氟苯基)硼酸根、肆[3,5-雙(三氟甲基)苯基]硼酸根、肆[3,5-雙(三級丁基)苯基]硼酸根及肆[(3,5-雙(1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲氧基丙-2-基)苯基)苯基]硼酸根。
微影裝置為經建構以將所需圖案塗覆至基板上之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影裝置可例如將來自圖案化器件(例如，光罩)之圖案投影至設置於基板上之一層輻射敏感材料(光阻劑)上。
由微影裝置使用以將圖案投影至基板上之輻射之波長判定可形成於彼基板上之特徵的最小大小。相比於習知微影裝置(其可例如使用具有193 nm之波長之電磁輻射)，使用為具有在4至20 nm範圍內之波長之電磁輻射的EUV輻射的微影裝置可用於在基板上形成更小特徵。
適合於與微影一起使用之已知光阻劑稱為化學增幅型光阻劑(CAR)且係基於聚合物。在暴露於電磁輻射或電子束時，CAR中之聚合物吸收光子或與電子相互作用，且產生二次電子。二次電子之產生為高能光子或電子損失其能量之大部分的方式。光阻劑中之二次電子擴散且可產生具有較低能量之其他二次電子，直至二次電子之能量低於使CAR中之鍵斷裂或引起電離所需的能量。產生的電子激發光酸產生劑(PAG)，光酸產生劑隨後分解且可催化解嵌段反應，從而引起CAR之溶解度之變化。
已經研究了包含金屬氧化物奈米簇之用於與微影(特定言之，EUV微影)一起使用之替代性光阻劑系統，以試圖解決CAR之問題。此等替代性光阻劑系統包含藉由配位體殼而防止叢集在一起的金屬氧化物奈米粒子或奈米簇。在EUV暴露時，光子由奈米粒子或奈米簇吸收，且此引起二次電子之產生。電子使配位體與奈米粒子或奈米簇之間的鍵斷裂。此使得奈米粒子或奈米簇叢集在一起且因此改變光阻劑之溶解度。相比於CAR中之碳原子，金屬氧化物奈米粒子具有更大的EUV吸收橫截面，且因此EUV光子經吸收之可能性更大。因此，需要需要較低功率或較短EUV光子暴露之不大強烈的光束。此外，相比於CAR光阻劑系統，不同的轉換機制具有潛在地更低的化學雜訊。如Cardineau, B等人, Photolithographic properties of tin-oxo clusters using extreme ultraviolet light (13.5nm), Microelectronic Engineering 127 (2014),第44至50頁及Haitjema. J.,等人, Extreme ultraviolet patterning of tin-oxo cages, Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS, 16(3), 033510 (2017), doi: 10.1117/1.JMM.16.3.033510中所描述，錫-側氧基籠狀物材料已經研究用作EUV微影之光阻。在EUV輻照時錫-側氧基籠狀物材料變得不可溶，且因此充當負型光阻劑。
期望提供達成可接受之解析度、可接受之線邊緣粗糙度及具有可接受之靈敏度之光阻劑組合物。CAR具有本質上隨機的性質且因此不提供最高解析度。包含金屬原子之光阻劑為僅具有適中靈敏度之負型材料。
本發明之反對為解決或克服現有光阻劑組合物之缺陷及提供替代性光阻劑組合物。
儘管本申請案通篇通常指EUV微影，但本發明不限於單獨的EUV微影，且應理解，本發明之主題可用於使用具有高於或低於EUV之頻率的頻率之電磁輻射的光微影的光阻劑中，或用於任何其他類型之微影諸如電子束微影中。
根據本發明之第一態樣，提供一種用於積體電路之製造中之光阻劑組合物，其中光阻劑組合物包含具有選自以下之相對離子的烷錫-側氧基籠狀物：肆(五氟苯基)硼酸根、肆[3,5-雙(三氟甲基)苯基]硼酸根、肆[3,5-雙(三級丁基)苯基]硼酸根及肆[(3,5-雙(1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲氧基丙-2-基)苯基)苯基]硼酸根。
因此，組合物包含具有以下之烷錫-側氧基籠狀物陽離子：肆(五氟苯基)硼酸根相對離子、肆[3,5-雙(三氟甲基)苯基]硼酸根相對離子、肆[3,5-雙(三級丁基)苯基]硼酸根相對離子或肆[(3,5-雙(1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲氧基丙-2-基)苯基)苯基]硼酸根相對離子。
因此，組合物可包含具有選自以下中之一者之相對離子(陰離子)的烷錫-側氧基籠狀物：
i) B(C
6F
5)
4；
ii)
；
iii)
；及
iv)
。
已發現諸如肆(五氟苯基)硼酸根相對離子之較大非親核相對離子使得光阻劑組合物用作正型光阻劑。亦已發現此類光阻劑組合物具有高靈敏度。當存在其他相對離子，諸如氫氧離子時，材料充當負型光阻劑。儘管作用機制仍為未知的，尤其關於為何較大非親核相對離子(諸如肆(五氟苯基)硼酸根相對離子)之存在產生正型光阻劑，然而包括烷錫-側氧基籠狀物陽離子之其他光阻劑組合物為負型光阻劑，在不希望受任何科學理論束縛之情況下，儘管錫之體積分數在由本發明之化合物形成之膜中比在由具有簡單陰離子(諸如氫氧離子)之化合物形成之膜中更低，但認為由於具有高EUV吸收度之氟原子存在，總體EUV橫截面實質上不減少。因此，歸因於由氟原子提供的高EUV吸收度，光阻劑為敏感的。另外，在硼酸根相對離子中包括較大基團亦可提供靈敏度。
烷錫-側氧基籠狀物陽離子可具有式[(BuSn)
12O
14(OH)
6]
2+。因此，光阻劑組合物可包括本文中所描述之陰離子相對離子中之兩者。
光阻劑組合物可為正型光阻劑。
光阻劑組合物可包含溶劑。溶劑可為醇或氟化烷。舉例而言，溶劑可為丁-1-醇或可為氟苯。
根據本發明之第二態樣，提供一種烷錫-側氧基籠狀物、較佳地正丁基錫-側氧基籠狀物在光阻劑組合物中之用途，該烷錫-側氧基籠狀物具有選自由以下組成之群之相對離子：肆(五氟苯基)硼酸根、肆[3,5-雙(三氟甲基)苯基]硼酸根、肆[3,5-雙(三級丁基)苯基]硼酸根及肆肆[(3,5-雙(1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲氧基丙-2-基)苯基)苯基]硼酸根。
正丁基錫-側氧基籠狀物陽離子可具有式[(BuSn)
12O
14(OH)
6]
2+。
該用途可為作為正型光阻劑。
基於金屬之EUV光阻到目前為止為負型光阻劑。本發明提供具有更高吸收橫截面之額外益處的CAR之替代方案。未預期地，本文中所描述之陰離子中之一者之存在為光阻劑組合物提供正型官能性。
根據本發明之第三態樣，提供一種基板，該基板包含塗佈有組合物之至少一個表面，該組合物包含具有選自由以下組成之群之相對離子的烷錫-側氧基籠狀物：肆(五氟苯基)硼酸根、肆[3,5-雙(三氟甲基)苯基]硼酸根、肆[3,5-雙(三級丁基)苯基]硼酸根及肆[(3,5-雙(1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲氧基丙-2-基)苯基)苯基]硼酸根。
因此，組合物包含具有以下之烷錫-側氧基籠狀物陽離子：肆(五氟苯基)硼酸根相對離子、肆[3,5-雙(三氟甲基)苯基]硼酸根相對離子、肆[3,5-雙(三級丁基)苯基]硼酸根相對離子或肆[(3,5-雙(1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲氧基丙-2-基)苯基)苯基]硼酸根相對離子。
烷錫-側氧基籠狀物陽離子可為正丁基錫-側氧基籠狀物雙陽離子，較佳地具有式[(BuSn)
12O
14(OH)
6]
2+。
基板可為在微影製程中藉由光阻劑遮蔽之任何基板。舉例而言，基板可包含矽。基板可為矽晶圓。
根據本發明之第四態樣，提供一種微影方法，該方法包含以下步驟：a)提供光阻劑組合物，該光阻劑組合物包含具有選自由以下組成之群之相對離子的烷錫-側氧基籠狀物：肆(五氟苯基)硼酸根、肆[3,5-雙(三氟甲基)苯基]硼酸根、肆[3,5-雙(三級丁基)苯基]硼酸根及肆[(3,5-雙(1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲氧基丙-2-基)苯基)苯基]硼酸根；b)使光阻劑組合物暴露於經圖案化輻射光束或電子束以在光阻劑組合物中形成圖案；及c)使光阻劑顯影以形成電路圖案。
烷錫-側氧基籠狀物可為正丁基錫-側氧基籠狀物雙陽離子，較佳地具有式[(BuSn)
12O
14(OH)
6]
2+。光阻劑可在溶劑中顯影。溶劑可包含烷基苯。烷基苯可選自乙苯、甲苯及二甲苯。溶劑亦可為非芳族烴溶劑，例如低分子量脂族烴，諸如石油醚(40℃至60℃沸點)、正烷烴或異烷烴。
光阻劑組合物可以約8至約100 mJ cm
-2、較佳地約10至約60 mJ cm
-2之劑量暴露於經圖案化輻射光束或電子束。劑量可為至多約50 mJ cm
-2、40 mJ cm
-2、至多約30 mJ cm
-2或至多約25 mJ cm
-2。
歸因於本文中所描述之化合物之高吸收橫截面及靈敏度，光阻劑組合物可以相對較低劑量經圖案化。此有利於微影裝置之產出量。
光阻劑組合物可藉由旋塗提供。旋塗允許仔細控制光阻劑層之厚度。
經圖案化輻射光束可為EUV輻射光束。此允許在光阻劑材料內產生極小圖案，其在積體電路之產生期間為有利的。經圖案化輻射光束可包含具有比EUV更短的波長之輻射。
在化學增幅型光阻劑(CAR)中，存在實質性化學雜訊，其由CAR之作用機制引起，主要來自酸及淬滅劑雜訊。化學雜訊引起粗糙度且限制可實現的特徵之大小。特定言之，雜訊為CAR之作用機制所固有的，此係由於該機制基於由在反應之前經由光阻劑擴散之PAG產生的酸基。由化學增幅型光阻劑之光酸產生劑(PAG)產生的酸基在光阻劑內擴散至已暴露於電磁輻射的光阻劑之部分外部，且此有助於模糊。因此，引起光阻劑在顯影劑中之溶解度變化之反應發生的最終位置不僅限制於EUV光子(或正使用的任何其他電磁輻射)入射於光阻劑上之區域。此外，光阻劑之酸及淬滅劑隨機地分散。在較小特徵中，酸及淬滅劑之絕對數目為有限的，其引起帕松雜訊(Poisson noise)。另外，對於CAR系統，由於由CAR系統之性質引起的模糊，圖案崩潰在低臨界尺寸下成為一個問題。此外，隨著希望產生之特徵之大小縮小，需要替代的光阻劑平台。在需要高劑量之情況下，光阻劑有必要暴露於電磁輻射源持續較長時間段。因此，可在給定時段中由單個機器產生的晶片之數目減少。具有肆(五氟苯基)硼酸根相對離子、肆[3,5-雙(三氟甲基)苯基]硼酸根相對離子、肆[3,5-雙(三級丁基)苯基]硼酸根相對離子或肆[(3,5-雙(1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲氧基丙-2-基)苯基)苯基]硼酸根相對離子之烷錫-側氧基籠狀物，尤其(BuSn)
12O
14(OH)
6(B(C
6F
5)
4)
2、(BuSn)
12O
14(OH)
6(B((Ph(CF
3)
2)
4)
2、(BuSn)
12O
14(OH)
6(B(Ph(tert-Bu)
2)
4)
2及(BuSn)
12O
14(OH)
6(B(Ph(C(CF
3)
2(OMe))
2)
4)
2之用途解決現有光阻劑之問題中之至少一些。
關於本發明之一個態樣所描述之特徵亦應用於本發明之其他態樣，且本發明之態樣中之各者之特徵可與關於本發明之其他態樣所描述之特徵組合。主題之所有此類組合經明確地考慮及揭示。
圖1展示可用於輻照本發明之光阻劑組合物的微影系統。微影系統包含輻射源SO及微影裝置LA。輻射源SO經組態以產生極紫外(EUV)輻射光束B。微影裝置LA包含照射系統IL、經組態以支撐圖案化器件MA (例如，光罩)之支撐結構MT、投影系統PS及經組態以支撐基板W之基板台WT。根據本發明之實施例的光阻劑組合物層設置於基板W上。照射系統IL經組態以在輻射光束B入射於圖案化器件MA上之前調節輻射光束B。投影系統經組態以將輻射光束B (現在由光罩MA圖案化)投影至基板W上。基板W可包括先前形成之圖案。在此種情況下，微影裝置將經圖案化輻射光束B與先前形成於基板W上之圖案對準。
輻射源SO、照射系統IL及投影系統PS可皆經建構且經配置成使得其可與外部環境隔離。處於低於大氣壓力之壓力下之氣體(例如，氫氣)可提供於輻射源SO中。真空可提供於照射系統IL及/或投影系統PS中。處於充分地低於大氣壓力之壓力下之少量氣體(例如，氫氣)可提供於照射系統IL及/或投影系統PS中。
圖1中所展示之輻射源SO屬於可稱作雷射產生電漿(LPP)源之類型。可例如為CO
2雷射之雷射1經配置以經由雷射光束2將能量沈積至自燃料發射器3提供之諸如錫(Sn)之燃料中。儘管在以下描述中提及錫，但可使用任何適合之燃料。燃料可例如呈液體形式，且可例如為金屬或合金。燃料發射器3可包含噴嘴，該噴嘴經組態以沿著朝向電漿形成區4之軌跡而引導例如呈小滴之形式的錫。雷射光束2在電漿形成區4處入射於錫上。雷射能量至錫中之沈積在電漿形成區4處產生電漿7。在電漿之離子的去激發及再結合期間自電漿7發射包括EUV輻射之輻射。
EUV輻射由近正入射輻射收集器5 (有時更通常稱作正入射輻射收集器)收集及聚焦。收集器5可具有經配置以反射EUV輻射(例如，具有諸如13.5 nm之所要波長之EUV輻射)之多層結構。收集器5可具有橢圓形組態，其具有兩個橢圓焦點。第一焦點可在電漿形成區4處，且第二焦點可在中間焦點6處，如下文所論述。
雷射1可與輻射源SO分離。在此種情況下，雷射光束2可藉助於包含例如適合之導向鏡及/或光束擴展器及/或其他光學件之光束遞送系統(未展示)而自雷射1傳遞至輻射源SO。雷射1及輻射源SO可一起被認為係輻射系統。
由收集器5反射之輻射形成輻射光束B。輻射光束B聚焦於點6處以形成電漿形成區4之影像，該影像充當用於照射系統IL之虛擬輻射源。輻射光束B聚焦於之點6可稱作中間焦點。輻射源SO經配置成使得中間焦點6位於輻射源之圍封結構9中之開口8處或附近。
輻射光束B自輻射源SO傳遞至照射系統IL中，該照射系統IL經組態以調節輻射光束。照射系統IL可包括琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11。琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11一起為輻射光束B提供所要橫截面形狀及所要角度分佈。輻射光束B自照射系統IL傳遞且入射於由支撐結構MT固持之圖案化器件MA上。圖案化器件MA反射及圖案化輻射光束B。除了琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11以外或代替琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11，照射系統IL亦可包括其他鏡面或器件。
在自圖案化器件MA反射之後，經圖案化輻射光束B進入投影系統PS。投影系統包含複數個鏡面，該複數個鏡面經組態以將輻射光束B投影至由基板台WT固持之基板W上。投影系統PS可將減縮因數應用於輻射光束，從而形成具有小於圖案化器件MA上之對應特徵之特徵的影像。舉例而言，可應用為4之減縮因數。儘管投影系統PS在圖1中具有兩個鏡面，但投影系統可包括任何數目個鏡面(例如，六個鏡面)。
圖1中所展示之輻射源SO可包括未說明之組件。舉例而言，光譜濾光器可設置於輻射源中。光譜濾光器可實質上透射EUV輻射，但實質上阻擋其他波長之輻射，諸如紅外輻射。
術語「EUV輻射」可被認為涵蓋具有在4至20 nm之範圍內(例如，在13至14 nm之範圍內)之波長之電磁輻射。EUV輻射可具有小於10 nm之波長，例如在4至10 nm之範圍內之波長，諸如6.7 nm或6.8 nm。
儘管圖1將輻射源SO描繪為雷射產生電漿LPP源，但可使用任何適合之源以產生EUV輻射。舉例而言，可藉由使用放電以將燃料(例如，錫)轉換至電漿狀態來產生EUV發射電漿。此類型之輻射源可稱作放電產生電漿(DPP)源。可由電源供應器產生放電，該電源供應器可形成輻射源之部分或可為經由電連接而連接至輻射源SO的分離實體。
圖2a為展示包含根據本發明之光阻劑組合物之光阻劑的厚度與劑量之圖式。圖2b描繪根據本發明之態樣之雙(肆(五氟苯基)硼酸根)烷錫-側氧基籠狀物之結構。光阻劑由氟苯旋塗且用甲苯顯影。如可自圖式清楚地看出，在約10至25 mJ cm
-2之間的劑量下，顯影之後的光阻劑之厚度量測為零或非常接近零。在低於此之劑量下，光阻劑之厚度在15與25 nm之間。因此，根據本發明之光阻劑組合物在此等低劑量下顯示出人意料之正型特性。在更高劑量下，剩餘留厚度大於零，但仍低於在低於約10 mJ cm
-2之劑量下，甚至至多100 mJ cm
-2之劑量下觀測到的厚度。
圖3a為展示包含先前技術光阻劑組合物之光阻劑的剩餘厚度之圖式。在圖3a中，TinOH指具有氫氧相對離子之錫-側氧基籠狀物，且TinA指具有AcOH相對離子之錫-側氧基籠狀物。圖3b為包含氫氧相對離子之現有烷錫-側氧基籠狀物之結構之示意性描繪。光阻劑由甲苯旋塗且用異丙醇及水顯影。此比較實例描繪在約11至50 mJ cm
-2之劑量下，此光阻劑組合物如何變得不太可溶且因此充當負型光阻劑。此情況在約100 mJ cm
-2之更高劑量下繼續。此為相對離子為氫氧離子或AcOH離子之情況。儘管在高劑量下，光阻劑之剩餘厚度開始減少，但此種劑量極其高，且不適合用於商業微影方法中。
圖4為展示在具有氫氧(黑色)相對陰離子或肆(五氟苯基)硼酸根(灰色)相對陰離子之烷錫-側氧基籠狀物之CDCl
3中在400 MHz
1H NMR光譜下所量測的具有肆(五氟苯基)硼酸根相對離子之[(BuSn)
12O
14(OH)
6]
2+之
1H NMR光譜之圖式。此圖式展示指示歸因於陰離子之交換的預期變化的具有肆(五氟苯基)硼酸根相對離子與具有氫氧相對離子之[(BuSn)
12O
14(OH)
6]
2+之間的丁基之質子之化學位移中之差異。x軸為百萬分率(ppm)，且y軸為相對強度(rel)。
圖5a及圖5b為展示具有OH
-及肆(五氟苯基)硼酸根相對離子之[(BuSn)
12O
14(OH)
6]
2+之質譜之圖式。圖5a展示具有肆(五氟苯基)硼酸根相對陰離子之烷錫-側氧基籠狀物之負離子電噴霧電離(ESI)質譜，而圖5b展示具有肆(五氟苯基)硼酸根相對陰離子之烷錫-側氧基籠狀物之正離子電噴霧電離(ESI)質譜。此等圖式展示負(5a)離子及正(5b)離子兩者之原子質量除以電荷，指示光阻材料之陰離子及陽離子兩者之恰當原子質量。x軸為原子質量除以電荷(m/z)，而y軸為呈任意單位之強度。
實例
本文中所描述之化合物可藉由任何適合之合成途徑來合成。舉例而言，雙(肆(五氟苯基)硼酸根)錫-側氧基籠狀物可經由陰離子交換而由二氫氧化物錫-側氧基籠狀物合成。二氫氧化物錫籠狀物(0.1 mmol；250 mg)可在4 mL之甲苯中經音波處理十分鐘。可添加10 mL肆(五氟苯基)硼酸氫(0.2 mmol；136 mg)之水溶液。所得混合物可接著經音波處理一小時，且在20℃下靜置額外一小時。所得漿料可經過濾(P4砂礫)且用4×10 mL等分試樣之水洗滌，以得到灰白色粉末。
可使用肆(五氟苯基)硼酸鈉及HCl之離子交換來合成肆(五氟苯基)硼酸氫。20 mL之Na-B(C
6F
5)
4水溶液(10% w/w)可加熱至40℃，且可在40℃攪拌30分鐘下添加0.3 mL之HCl (37% w/w)。可使得溶液冷卻至室溫且用添加5次20 mL之乙醚來萃取產物，隨後在35℃下蒸發。可經由過濾收集晶體。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
本發明依賴於提供具有較大非親核相對離子(諸如肆(五氟苯基)硼酸根相對離子)之烷錫-側氧基籠狀物，其在低劑量下出乎意料地提供正型特性，尤其在約10與25 mJ cm
-2之間，且在至多更高劑量下亦如此。此使得包含此類化合物之組合物極其適合於積體電路之製造。本發明提供對低劑量之輻射敏感的有用替代性正型光阻劑組合物。
1:雷射
2:雷射光束
3:燃料發射器
4:電漿形成區
5:近正入射輻射收集器
6:中間焦點
7:電漿
8:開口
9:圍封結構
10:琢面化場鏡面器件
11:琢面化光瞳鏡面器件
B:極紫外輻射光束
IL:照射系統
LA:微影裝置
MA:圖案化器件
MT:支撐結構
PS:投影系統
SO:輻射源
W:基板
WT:基板台
現將參考隨附示意性圖式而僅藉助於實例來描述本發明之實施例，其中：
- 圖1描繪微影系統，其包含微影裝置及可用於輻照本發明之光阻劑組合物的輻射源；
- 圖2a為展示包含根據本發明之光阻劑組合物之光阻劑的剩餘厚度與劑量之圖式；
- 圖2b為示例性雙(肆(五氟苯基)硼酸根)烷錫-側氧基籠狀物之結構之示意性描繪；
- 圖3a為展示包含先前技術光阻劑組合物之光阻劑的剩餘厚度之圖式；且
- 圖3b為包含氫氧相對離子之現有烷錫-側氧基籠狀物之結構之示意性描繪。
- 圖4為展示具有肆(五氟苯基)硼酸根相對離子之[(BuSn)
12O
14(OH)
6]
2+之質譜之圖式。
- 圖5a及圖5b為展示具有OH
-及肆(五氟苯基)硼酸根相對離子之[(BuSn)
12O
14(OH)
6]
2+之
1H NMR光譜之圖式。
Claims (14)
- 一種用於積體電路之製造中之光阻劑組合物，其中該光阻劑組合物包含具有選自以下之一相對離子的一烷錫-側氧基籠狀物：肆(五氟苯基)硼酸根、肆[3,5-雙(三氟甲基)苯基]硼酸根、肆[3,5-雙(三級丁基)苯基]硼酸根及肆[(3,5-雙(1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲氧基丙-2-基)苯基)苯基]硼酸根。
- 如請求項1之光阻劑組合物，其中烷錫-側氧基籠狀物陽離子具有式[(BuSn) 12O 14(OH) 6] 2+。
- 如請求項1或請求項2之光阻劑組合物，其中該光阻劑為一正型光阻劑。
- 如請求項1或請求項2之光阻劑組合物，其進一步包含一溶劑，視情況其中該溶劑為醇或氟化烴。
- 一種一烷錫-側氧基籠狀物、較佳地一正丁基錫-側氧基籠狀物在一光阻劑組合物中之用途，該烷錫-側氧基籠狀物具有選自由以下組成之群之一相對離子：肆(五氟苯基)硼酸根、肆[3,5-雙(三氟甲基)苯基]硼酸根、肆[3,5-雙(三級丁基)苯基]硼酸根及肆[(3,5-雙(1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲氧基丙-2-基)苯基)苯基]硼酸根。
- 如請求項5之用途，其中正丁基錫-側氧基籠狀物陽離子具有式[(BuSn) 12O 14(OH) 6] 2+。
- 一種基板，其包含塗佈有一組合物的至少一個表面，該組合物包含具有選自由以下組成之群之一相對離子的一烷錫-側氧基籠狀物：肆(五氟苯基)硼酸根、肆[3,5-雙(三氟甲基)苯基]硼酸根、肆[3,5-雙(三級丁基)苯基]硼酸根及肆[(3,5-雙(1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲氧基丙-2-基)苯基)苯基]硼酸根。
- 如請求項7之基板，其中烷錫-側氧基籠狀物陽離子為一正丁基錫-側氧基籠狀物雙陽離子，較佳地具有式[(BuSn) 12O 14(OH) 6] 2+。
- 一種微影方法，其包含以下步驟： a)提供一光阻劑組合物，該光阻劑組合物包含具有選自由以下組成之群之一相對離子的一烷錫-側氧基籠狀物：肆(五氟苯基)硼酸根、肆[3,5-雙(三氟甲基)苯基]硼酸根、肆[3,5-雙(三級丁基)苯基]硼酸根及肆[(3,5-雙(1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲氧基丙-2-基)苯基)苯基]硼酸根； b)使該光阻劑組合物暴露於一經圖案化輻射光束或一電子束以在該光阻劑組合物中形成一圖案；及 c)使該光阻劑顯影以形成一電路圖案。
- 如請求項9之微影方法，其中該烷錫-側氧基籠狀物為一正丁基錫-側氧基籠狀物雙陽離子，較佳地具有式[(BuSn) 12O 14(OH) 6] 2+。
- 如請求項9或請求項10之微影方法，其中該光阻劑在一溶劑中顯影，視情況其中該溶劑包含烷基苯，視情況其中該烷基苯選自乙苯、甲苯及二甲苯。
- 如請求項9或請求項10之微影方法，其中該光阻劑組合物以約8至約100 mJ cm -2、較佳地約10至約60 mJ cm -2之一劑量暴露於一經圖案化輻射光束或一電子束。
- 如請求項9或請求項10之微影方法，其中經由旋塗提供該光阻劑組合物。
- 如請求項9或請求項10之微影方法，其中該經圖案化輻射光束為一EUV輻射光束。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP21176454.3A EP4095604A1 (en) | 2021-05-28 | 2021-05-28 | Hybrid photoresist composition for extreme ultraviolet photolithography applications |
| EP21176454.3 | 2021-05-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202313641A true TW202313641A (zh) | 2023-04-01 |
Family
ID=76180911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111118310A TW202313641A (zh) | 2021-05-28 | 2022-05-17 | 用於極紫外光微影應用之混合光阻劑組合物 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (2) | EP4095604A1 (zh) |
| JP (1) | JP2024520289A (zh) |
| KR (1) | KR20240013745A (zh) |
| CN (1) | CN117769683A (zh) |
| IL (1) | IL308127A (zh) |
| TW (1) | TW202313641A (zh) |
| WO (1) | WO2022248129A1 (zh) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9310684B2 (en) * | 2013-08-22 | 2016-04-12 | Inpria Corporation | Organometallic solution based high resolution patterning compositions |
| US11966158B2 (en) * | 2019-01-30 | 2024-04-23 | Inpria Corporation | Monoalkyl tin trialkoxides and/or monoalkyl tin triamides with low metal contamination and/or particulate contamination, and corresponding methods |
| WO2021011367A1 (en) * | 2019-07-12 | 2021-01-21 | Inpria Corporation | Stabilized interfaces of inorganic radiation patterning compositions on substrates |
-
2021
- 2021-05-28 EP EP21176454.3A patent/EP4095604A1/en not_active Withdrawn
-
2022
- 2022-04-22 EP EP22723689.0A patent/EP4348350A1/en active Pending
- 2022-04-22 KR KR1020237040867A patent/KR20240013745A/ko unknown
- 2022-04-22 IL IL308127A patent/IL308127A/en unknown
- 2022-04-22 WO PCT/EP2022/060688 patent/WO2022248129A1/en active Application Filing
- 2022-04-22 JP JP2023568239A patent/JP2024520289A/ja active Pending
- 2022-04-22 CN CN202280037822.XA patent/CN117769683A/zh active Pending
- 2022-05-17 TW TW111118310A patent/TW202313641A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP4348350A1 (en) | 2024-04-10 |
| JP2024520289A (ja) | 2024-05-24 |
| WO2022248129A1 (en) | 2022-12-01 |
| IL308127A (en) | 2023-12-01 |
| CN117769683A (zh) | 2024-03-26 |
| KR20240013745A (ko) | 2024-01-30 |
| EP4095604A1 (en) | 2022-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103649830B (zh) | 光刻图案化过程和其中使用的抗蚀剂 | |
| JP7309776B2 (ja) | リソグラフィパターニングプロセスおよびそれに用いるレジスト | |
| US7005227B2 (en) | One component EUV photoresist | |
| TWI746552B (zh) | 光阻組合物及製造半導體之方法 | |
| US6225019B1 (en) | Photosensitive resin, resist based on the photosensitive resin, exposure apparatus and exposure method using the resist, and semiconductor device obtained by the exposure method | |
| WO2016043198A1 (ja) | パターン形成方法 | |
| Wang et al. | Theoretical Insights into the Solubility Polarity Switch of Metal–Organic Nanoclusters for Nanoscale Patterning | |
| TW202313641A (zh) | 用於極紫外光微影應用之混合光阻劑組合物 | |
| TW201923458A (zh) | 抗蝕劑膜形成用組成物及抗蝕劑圖案形成方法 | |
| TWI736549B (zh) | 光阻圖型形成方法及微影術用顯像液 | |
| WO2021099051A1 (en) | Resist compositions | |
| Chen et al. | Effect of Free Radicals on Irradiation Chemistry of a Double-Coordination Organotin (Sn4) Photoresist by Adjusting Alkyl Ligands | |
| Wang et al. | Zn-Ti oxo cluster photoresists for EUV Lithography: Cluster structure and lithographic performance | |
| JPH04184345A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| KR20210099692A (ko) | 포토레지스트 조성물, 이를 이용한 포토리소그래피 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 | |
| US20230259024A1 (en) | Photoresist, method of manufacturing a semiconductor device and method of extreme ultraviolet lithography | |
| NL2025508A (en) | Resist Compositions | |
| TW202419454A (zh) | 包含金屬及/或包含類金屬的酮酸肟酯及/或包含金屬化合物的酮酸肟酯作為圖案化劑之用途 | |
| JP2503211B2 (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| US20050069818A1 (en) | Absorptive resists in an extreme ultraviolet (EUV) imaging layer | |
| NL2007857A (en) | Lithographic patterning process and resists to use therein. | |
| JPH02238041A (ja) | Ｘ線レジスト組成物 | |
| JPH10282667A (ja) | パタン形成材料及びパタン形成方法 | |
| JPH05188597A (ja) | パタン形成材料 |