CN117769683A - 用于极紫外光刻应用的混合光致抗蚀剂组合物 - Google Patents
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Abstract
一种用于制造集成电路的抗蚀剂组合物、抗蚀剂组合物的用途以及利用抗蚀剂组合物的光刻方法，其中所述抗蚀剂组合物包含具有选自四(五氟苯基)硼酸根、四[3,5‑双(三氟甲基)苯基]硼酸根、四[3,5‑双(叔丁基)苯基]硼酸根以及四[(3,5‑双(1,1,1,3,3,3‑六氟‑2‑甲氧基丙‑2‑基)苯基)苯基]硼酸根的抗衡离子的烷基锡‑氧代笼。一种光刻方法，包括以下步骤：a)提供包含烷基锡‑氧代笼的抗蚀剂组合物，所述烷基锡‑氧代笼具有选自以上硼酸根基团的抗衡离子；b)将抗蚀剂组合物暴露于图案化辐射束或电子束，以在抗蚀剂组合物中形成图案；以及c)将抗蚀剂显影以形成电路图案。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年5月28日提交的EP/US申请21176454.3的优先权，其内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本发明涉及用于光刻、特别是用于制造集成电路的抗蚀剂组合物，具有大的非亲核性抗衡离子的烷基锡-氧代笼(alkyltin-oxo cage)阳离子的用途；一种基材，其包含至少一个涂覆有包含具有大的非亲核性抗衡离子的烷基锡-氧代笼阳离子的组合物的表面；以及使用此类抗蚀剂组合物制造半导体的方法。特别地，本发明涉及用于EUV光刻的抗蚀剂组合物。大的非亲核性抗衡离子包括四(五氟苯基)硼酸根、四[3,5-双(三氟甲基)苯基]硼酸根、四[3,5-双(叔丁基)苯基]硼酸根以及四[(3,5-双(1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲氧基丙-2-基)苯基)苯基]硼酸根。
背景技术
光刻设备是构造成将期望的图案施加到基材上的机器。光刻设备可用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案从图案形成装置(例如掩模)投影到设置在基材上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。
光刻设备用来将图案投影到基材上的辐射波长决定了可以在该基材上形成的特征的最小尺寸。使用EUV辐射(其为波长在4-20nm范围内的电磁辐射)的光刻设备可用于在基材上形成比传统光刻设备(其可例如使用波长为193nm的电磁辐射)更小的特征。
适合与光刻一起使用的已知抗蚀剂被称为化学放大抗蚀剂(CAR)并且基于聚合物。当暴露于电磁辐射或电子束时，CAR中的聚合物吸收光子或与电子相互作用，并产生二次电子。二次电子的产生是高能光子或电子如何失去大部分能量的过程。抗蚀剂中的二次电子扩散并且可以进一步产生具有较低能量的二次电子，直至二次电子的能量低于破坏CAR中的键或导致电离所需的能量。所产生的电子激发光致产酸剂(PAG)，其随后分解并可催化脱封反应，从而导致CAR的溶解度变化。
已经研究了用于光刻、特别是EUV光刻的包括金属氧化物纳米簇的替代抗蚀剂系统，以试图解决CAR的问题。这些替代抗蚀剂系统包含金属氧化物纳米颗粒或纳米簇，其通过配体壳而被阻止聚集在一起。在EUV曝光时，光子被纳米颗粒或纳米簇吸收，这导致二次电子的产生。电子破坏配体和纳米颗粒或纳米簇之间的键。这使得纳米颗粒或纳米簇聚集在一起，从而改变抗蚀剂的溶解度。金属氧化物纳米颗粒具有比CAR中的碳原子更大的EUV吸收截面，因此EUV光子被吸收的可能性更大。因此，需要较低强度的光束，其需要较低的功率，或对EUV光子的较短曝光。此外，不同的转换机制比CAR抗蚀剂系统具有潜在更低的化学噪声。如Cardineau,B等,Photolithographic properties of tin-oxo clusters usingextreme ultraviolet light(13.5nm),Microelectronic Engineering 127(2014),pp.44-50以及Haitjema.J.等,Extreme ultraviolet patterning of tin-oxo cages,Journal of Micro/Nanolithography,MEMS,and MOEMS,16(3),033510(2017),doi:10.1117/1.JMM.16.3.033510中所述，锡-氧代笼材料已被研究用作EUV光刻的光致抗蚀剂。锡-氧代笼材料在EUV照射下变得不溶，因此作为负性(tone)抗蚀剂。
期望提供实现可接受的分辨率、可接受的线边缘粗糙度和具有可接受的灵敏度的抗蚀剂组合物。CAR具有固有的随机特性，因此不能提供最高的分辨率。包含金属原子的抗蚀剂是仅具有中等灵敏度的负性材料。
本发明的目的是解决或克服现有抗蚀剂组合物的缺点并提供替代的抗蚀剂组合物。
虽然本申请通篇整体上涉及EUV光刻，但是本发明并不仅限于EUV光刻，并且应当理解，本发明的主题可以用在使用频率高于或低于EUV的电磁辐射的光刻的抗蚀剂中，或者用在任何其它类型的光刻中，例如电子束光刻。
发明内容
根据本发明的第一方面，提供了用于制造集成电路的抗蚀剂组合物，其中所述抗蚀剂组合物包含具有选自四(五氟苯基)硼酸根、四[3,5-双(三氟甲基)苯基]硼酸根、四[3,5-双(叔丁基)苯基]硼酸根以及四[(3,5-双(1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲氧基丙-2-基)苯基)苯基]硼酸根的抗衡离子的烷基锡-氧代笼。
因此，所述组合物包含具有四(五氟苯基)硼酸根抗衡离子、四[3,5-双(三氟甲基)苯基]硼酸根抗衡离子、四[3,5-双(叔丁基)苯基]硼酸根抗衡离子或四[(3,5-双(1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲氧基丙-2-基)苯基)苯基]硼酸根抗衡离子的烷基锡-氧代笼阳离子。
因此，组合物可包含具有选自以下之一的抗衡离子(阴离子)的烷基锡-氧代笼：
i)B(C6F5)4；
ii)
iii)以及
iv)
已经发现，大的非亲核性抗衡离子，例如四(五氟苯基)硼酸根抗衡离子，使抗蚀剂组合物起到正性抗蚀剂的作用。还发现这种抗蚀剂组合物具有高灵敏度。当存在其它抗衡离子(例如氢氧根离子)时，该材料起到负性抗蚀剂的作用。尽管作用机理仍然未知，特别是关于为什么大的非亲核性抗衡离子，例如四(五氟苯基)硼酸根抗衡离子的存在导致正性抗蚀剂，而包括烷基锡-氧代笼阳离子的其它抗蚀剂组合物是负性抗蚀剂，不希望受任何科学理论的束缚，虽然由本发明的化合物形成的膜中的锡的体积分数低于由具有简单阴离子(例如氢氧根离子)的化合物形成的膜中的锡的体积分数，但据信由于具有高EUV吸光度的氟原子的存在，总体EUV截面并没有显著减小。因此，由于氟原子提供的高EUV吸光度，抗蚀剂是敏感的。此外，将大的基团包含在硼酸根抗衡离子中也可以提供灵敏度。
烷基锡-氧代笼阳离子可以具有式[(BuSn)12O14(OH)6]2+。因此，抗蚀剂组合物可包括本文所述的阴离子抗衡离子中的两种。
抗蚀剂组合物可以是正性抗蚀剂。
抗蚀剂组合物可以包含溶剂。溶剂可以是醇或氟化烷烃。例如，溶剂可以是1-丁醇或可以是氟苯。
根据本发明的第二方面，提供了具有选自以下的抗衡离子的烷基锡-氧代笼，优选正丁基锡-氧代笼在抗蚀剂组合物中的用途：四(五氟苯基)硼酸根、四[3,5-双(三氟甲基)苯基]硼酸根、四[3,5-双(叔丁基)苯基]硼酸根以及四[(3,5-双(1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲氧基丙-2-基)苯基)苯基]硼酸根。
正丁基锡-氧代笼阳离子可以具有式[(BuSn)12O14(OH)6]2+。
所述用途可以作为正性抗蚀剂。
迄今为止，基于金属的EUV光致抗蚀剂一直是负性抗蚀剂。本发明提供了CAR的替代方案，具有更高吸收截面的额外益处。出乎意料地，本文所述的阴离子之一的存在为抗蚀剂组合物提供正性功能。
根据本发明的第三方面，提供了一种基材，其包含至少一个涂覆有包含烷基锡-氧代笼的组合物的表面，所述烷基锡-氧代笼具有选自由以下组成的组的抗衡离子：四(五氟苯基)硼酸根、四[3,5-双(三氟甲基)苯基]硼酸根、四[3,5-双(叔丁基)苯基]硼酸根以及四[(3,5-双(1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲氧基丙-2-基)苯基)苯基]硼酸根。
因此，所述组合物包含具有四(五氟苯基)硼酸根抗衡离子、四[3,5-双(三氟甲基)苯基]硼酸根抗衡离子、四[3,5-双(叔丁基)苯基]硼酸根抗衡离子或四[(3,5-双(1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲氧基丙-2-基)苯基)苯基]硼酸根抗衡离子的烷基锡-氧代笼阳离子。
烷基锡-氧代笼阳离子可以是正丁基锡-氧代笼二价阳离子(dication)，优选具有式[(BuSn)12O14(OH)6]2+。
基材可以是在光刻工艺中用抗蚀剂掩蔽的任何基材。例如，基材可以包括硅。基材可以是硅晶片。
根据本发明的第四方面，提供了一种光刻方法，包括以下步骤：a)提供包含烷基锡-氧代笼的抗蚀剂组合物，所述烷基锡-氧代笼具有选自由以下组成的组的抗衡离子：四(五氟苯基)硼酸根、四[3,5-双(三氟甲基)苯基]硼酸根、四[3,5-双(叔丁基)苯基]硼酸根以及四[(3,5-双(1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲氧基丙-2-基)苯基)苯基]硼酸根；b)将抗蚀剂组合物暴露于图案化辐射束或电子束，以在抗蚀剂组合物中形成图案；以及c)将抗蚀剂显影以形成电路图案。
烷基锡-氧代笼可以是正丁基锡-氧代笼二价阳离子，优选具有式[(BuSn)12O14(OH)6]2+。抗蚀剂可以在溶剂中显影。溶剂可包含烷基苯。烷基苯可选自乙苯、甲苯和二甲苯。溶剂还可以是非芳族烃溶剂，例如低分子量脂族烃，例如石油醚(40-60℃沸点)、正烷烃或异烷烃。
抗蚀剂组合物可以暴露于剂量为约8至约100mJ·cm-2，优选约10至约60mJ·cm-2的图案化辐射束或电子束。剂量可以高达约50mJ·cm-2，40mJ·cm-2，高达约30mJ·cm-2，或高达约25mJ·cm-2。
由于本文所述的化合物的高吸收截面和灵敏度，抗蚀剂组合物可以以相对低的剂量图案化。这对于光刻设备的生产量是有利的。
抗蚀剂组合物可以通过旋涂提供。旋涂允许仔细控制抗蚀剂层的厚度。
图案化的辐射束可以是EUV辐射束。这允许在抗蚀剂材料内产生非常小的图案，这在集成电路的生产过程中是有利的。图案化的辐射束可以包括具有比EUV更短的波长的辐射。
在化学放大的抗蚀剂(CAR)中，存在大量由CAR的作用机制产生的化学噪声，主要来自酸和猝灭剂噪声。化学噪声导致粗糙度并限制可实现的特征的尺寸。特别地，噪声是CAR的作用机制中固有的，因为该机制基于在反应之前由扩散通过抗蚀剂的PAG产生的酸基团。由化学放大抗蚀剂的光致产酸剂(PAG)产生的酸基团在抗蚀剂内扩散到已经暴露于电磁辐射的抗蚀剂部分的外部，这导致模糊。因此，引起抗蚀剂在显影剂中溶解度变化的反应发生的最终位置不仅限于EUV光子(或使用的任何其它电磁辐射)入射到抗蚀剂上的区域。此外，抗蚀剂的酸和猝灭剂是随机分散的。在小的特征中，酸和淬灭剂的绝对数量是有限的，这导致泊松噪声。此外，对于CAR系统，由于CAR系统的性质引起的模糊，图案塌陷在低的临界尺寸下成为问题。此外，随着期望生产的特征尺寸缩小，需要替代的抗蚀剂平台。在需要高剂量的情况下，抗蚀剂需要在电磁辐射源下暴露更长的时间段。这样，在给定时间段内单台机器可以生产的芯片数量就会减少。使用具有四(五氟苯基)硼酸根抗衡离子、四[3,5-双(三氟甲基)苯基]硼酸根抗衡离子、四[3,5-双(叔丁基)苯基]硼酸根抗衡离子或四[(3,5-双(1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲氧基丙-2-基)苯基)苯基]硼酸根抗衡离子的烷基锡-氧代笼，特别是(BuSn)12O14(OH)6(B(C6F5)4)2、(BuSn)12O14(OH)6(B((Ph(CF3)2)4)2、(BuSn)12O14(OH)6(B(Ph(tert-Bu)2)4)2、以及(BuSn)12O14(OH)6(B(Ph(C(CF3)2(OMe))2)4)2解决了现有抗蚀剂的至少一些问题。
关于本发明的一个方面描述的特征也适用于本发明的其它方面，并且本发明的每个方面的特征可以与关于本发明的其它方面描述的特征组合。所有此类主题组合均被明确考虑和公开。
附图说明
现在将参照附图仅以示例的方式描述本发明的实施方案，其中：
图1描绘了包括光刻设备和辐射源的光刻系统，所述辐射源可用于照射本发明的抗蚀剂组合物；
图2a是显示包含根据本发明的抗蚀剂组合物的抗蚀剂的剩余厚度对剂量的关系的图；
图2b是示例性双(四(五氟苯基)硼酸根)烷基锡-氧代笼的结构的示意图；
图3a是显示包含现有技术抗蚀剂组合物的抗蚀剂的剩余厚度的图；以及
图3b是包含氢氧根抗衡离子的现有烷基锡-氧代笼的结构的示意图。
图4是显示具有四(五氟苯基)硼酸根抗衡离子的[(BuSn)12O14(OH)6]2+的质谱图。
图5a和5b是显示具有OH-和四(五氟苯基)硼酸根抗衡离子的[(BuSn)12O14(OH)6]2+的1H NMR谱图。
具体实施方式
图1示出了可用于照射本发明的抗蚀剂组合物的光刻系统。光刻系统包括辐射源SO和光刻设备LA。辐射源SO配置成产生极紫外(EUV)辐射束B。光刻设备LA包括照明系统IL，被配置为支撑图案形成装置MA(例如掩模)的支撑结构MT，投影系统PS和被配置为支撑基材W的基材台WT。在基材W上设置根据本发明实施方案的抗蚀剂组合物的层。照射系统IL被配置为在辐射束B入射到图案形成装置MA上之前调节辐射束B。投影系统被配置成将辐射束B(现在由掩模MA图案化)投影到基材W上。基材W可以包括先前形成的图案。在这种情况下，光刻设备将图案化的辐射束B与先前形成在基材W上的图案对准。
辐射源SO、照明系统IL和投影系统PS都可以被构造和布置成使得它们可以与外部环境隔离。可以在辐射源SO中提供压力低于大气压的气体(例如氢气)。可以在照明系统IL和/或投影系统PS中提供真空。可以在照明系统IL和/或投影系统PS中提供压力远低于大气压的少量气体(例如氢气)。
图1所示的辐射源SO是可以称为激光产生等离子体(LPP)源的类型。激光器1，例如可以是CO2激光器，被布置为通过激光束2将能量沉积到燃料中，例如从燃料发射器3提供的锡(Sn)。尽管在下面的描述中提到了锡，但是可以使用任何合适的燃料。燃料可以例如是液体形式，并且可以例如是金属或合金。燃料发射器3可以包括喷嘴，该喷嘴被配置为沿着轨迹将锡(例如，以液滴的形式)引导至等离子体形成区域4。激光束2在等离子体形成区域4处入射到锡上。激光能量于锡中的沉积在等离子体形成区域4处产生等离子体7。在等离子体的离子的去激发和重组期间，从等离子体7发射辐射，包括EUV辐射。
EUV辐射由近正入射辐射收集器5(有时更普遍地称为正入射辐射收集器)收集和聚焦。收集器5可以具有多层结构，其被布置成反射EUV辐射(例如，具有诸如13.5nm的期望波长的EUV辐射)。收集器5可以具有椭圆形构造，具有两个椭圆形焦点。第一焦点可以在等离子体形成区域4处，第二焦点可以在中间焦点6处，如下所述。
激光器1可以与辐射源SO分离。在这种情况下，激光束2可以借助于光束传输系统(未示出)从激光器1传递到辐射源SO，该光束传输系统包括例如合适的定向镜和/或扩束器和/或其它光学器件。激光器1和辐射源SO可以一起被视为辐射系统。
由收集器5反射的辐射形成辐射束B。辐射束B在点6处聚焦以形成等离子体形成区域4的图像，其用作照明系统IL的虚拟辐射源。辐射束B聚焦的点6可以被称为中间焦点。辐射源SO被布置为使得中间焦点6位于或靠近辐射源的封闭结构9中的开口8。
辐射束B从辐射源SO进入照明系统IL，该照明系统被配置为调节辐射束。照明系统IL可以包括小面的场镜装置10和小面的瞳镜装置11。小面的场镜装置10和小面的瞳镜装置11一起提供具有期望横截面形状和期望角分布的辐射束B。辐射束B从照明系统IL行进并入射到由支撑结构MT保持的图案形成装置MA上。图案形成装置MA反射并图案化辐射束B。照明系统IL可以包括除了或代替小面的场镜装置10和小面的瞳镜装置11的其它镜子或装置。
在从图案形成装置MA反射之后，图案化的辐射束B进入投影系统PS。投影系统包括多个镜子，其被配置为将辐射束B投影到由基材台WT保持的基材W上。投影系统PS可以对辐射束施加缩减因子，从而形成具有比图案形成装置MA上的相应特征更小的特征的图像。例如可以施加4的缩减因子。尽管在图1中的投影系统PS具有两个镜子，但是投影系统可以包括任意数量的镜子(例如六个镜子)。
图1所示的辐射源SO可以包括未示出的部件。例如，可以在辐射源中设置光谱滤波器。光谱过滤器对于EUV辐射可以是基本透射的，但对于例如红外辐射的其它波长的辐射是基本阻挡的。
术语“EUV辐射”可以被认为涵盖具有在4至20nm范围内、例如在13至14nm范围内的波长的电磁辐射。EUV辐射可以具有小于10nm的波长，例如在4至10nm的范围内，例如6.7nm或6.8nm。
虽然图1将辐射源SO描述为激光产生的等离子体LPP源，但是可以使用任何合适的源来产生EUV辐射。例如，可通过使用放电将燃料(例如锡)转化为等离子体状态来产生EUV发射等离子体。这种类型的辐射源可以称为放电产生等离子体(DPP)源。放电可以由电源产生，该电源可以形成辐射源的一部分或者可以是通过电连接连接到辐射源SO的单独实体。
图2a是显示包含根据本发明的抗蚀剂组合物的抗蚀剂的厚度对剂量的关系的图。图2b描绘了根据本发明的方面的双(四(五氟苯基)硼酸根)烷基锡-氧代笼的结构。抗蚀剂由氟苯旋涂并用甲苯显影。从图中可以清楚地看出，在约10至25mJ·cm-2之间的剂量下，显影后抗蚀剂的厚度测量为零或非常接近于零。在比这更低的剂量下，抗蚀剂的厚度在15至25nm之间。因此，根据本发明的抗蚀剂组合物在这些低剂量下显示出意想不到的正性特性。在较高的剂量下，剩余厚度大于零，但保持低于在低于约10mJ·cm-2，甚至高达100mJ·cm-2的剂量下观察到的厚度。
图3a是显示包含现有技术抗蚀剂组合物的抗蚀剂的剩余厚度的图。在图3a中，TinOH是指具有氢氧根抗衡离子的锡-氧代笼，TinA是指具有AcOH抗衡离子的锡-氧代笼。图3b是包含氢氧根抗衡离子的现有烷基锡-氧代笼的结构的示意图。用甲苯旋涂抗蚀剂并用异丙醇和水显影。该对比实施例描述了在大约11至50mJ·cm-2的剂量下，该抗蚀剂组合物如何变得较不可溶并因此充当负性抗蚀剂。这种情况在约100mJ·cm-2的更高的剂量下仍会持续。这是抗衡离子是氢氧根离子或AcOH离子的情况。尽管在高剂量下，抗蚀剂的剩余厚度开始减小，但是这样的剂量极高并且不适合用于商业光刻方法。
图4是显示具有四(五氟苯基)硼酸根抗衡离子的[(BuSn)12O14(OH)6]2+的1H NMR谱图的图，其在具有氢氧化物(黑色)或四(五氟苯基)硼酸根(灰色)抗衡阴离子的烷基锡-氧代笼的CDCl3中在400MHz的1H NMR谱下测量。该图显示了在具有四(五氟苯基)硼酸根抗衡离子与具有氢氧根抗衡离子的[(BuSn)12O14(OH)6]2+之间丁基质子的化学位移的差异，表明由于阴离子交换而发生的预期变化。x轴表示百万分之一(ppm)，y轴表示相对强度(rel)。
图5a和5b是显示具有OH-和四(五氟苯基)硼酸根抗衡离子的[(BuSn)12O14(OH)6]2+的质谱图的图。图5a显示了具有四(五氟苯基)硼酸根抗衡阴离子的烷基锡-氧代笼的负离子电喷雾电离(ESI)质谱，而图5b显示了具有四(五氟苯基)硼酸根抗衡阴离子的烷基锡-氧代笼的正离子电喷雾电离(ESI)质谱。这些图显示了负(5a)和正(5b)离子的原子质量/电荷，表明光致抗蚀剂材料的阴离子和阳离子二者的正确原子质量。x轴以原子质量/电荷(m/z)表示，而y轴以任意单位表示强度。
实施例
本文所述的化合物可以通过任何合适的合成途径合成。例如，双(四(五氟苯基)硼酸根)锡-氧代笼可经由阴离子交换从二氢氧化锡-氧代笼合成。二氢氧化锡笼(0.1mmol；250mg)可在4mL甲苯中超声处理10分钟。可以添加10mL四(五氟苯基)硼酸氢(0.2mmol；136mg)的水溶液。然后将所得混合物超声处理1小时并在20℃下再放置1小时。可将所得浆液过滤(P4粒度)并用4×10mL等份的水洗涤，得到灰白色粉末。
四(五氟苯基)硼酸氢可以使用四(五氟苯基)硼酸钠和HCl的离子交换来合成。将20mL Na-B(C6F5)4水溶液(10％w/w)加热至40℃，并在40℃搅拌下添加0.3mL HCl(37％w/w)持续30分钟。将溶液冷却至室温，并用5次添加的20mL乙醚来萃取产物，随后在35℃下蒸发。可以通过过滤收集晶体。
以上描述旨在是说明性的而非限制性的。因此，对于本领域技术人员显而易见的是，可以对所描述的本发明进行改变而不背离权利要求的范围。
本发明依赖于提供具有大的非亲核性抗衡离子(例如四(五氟苯基)硼酸根抗衡离子)的烷基锡-氧代笼，其出乎意料地在低剂量下，特别是在约10至25mJ·cm-2之间，但也在高达更高的剂量下提供正性特征。这使得包含此类化合物的组合物特别适合于制造集成电路。本发明提供了有用的替代正性抗蚀剂组合物，其对低剂量的辐射敏感。
Claims (14)
1.一种用于制造集成电路的抗蚀剂组合物，其中所述抗蚀剂组合物包含具有选自四(五氟苯基)硼酸根、四[3,5-双(三氟甲基)苯基]硼酸根、四[3,5-双(叔丁基)苯基]硼酸根以及四[(3,5-双(1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲氧基丙-2-基)苯基)苯基]硼酸根的抗衡离子的烷基锡-氧代笼。
2.根据权利要求1所述的抗蚀剂组合物，其中所述烷基锡-氧代笼阳离子具有式[(BuSn)12O14(OH)6]2+。
3.根据前述任一项权利要求所述的抗蚀剂组合物，其中所述抗蚀剂是正性抗蚀剂。
4.根据前述任一项权利要求所述的抗蚀剂组合物，进一步包含溶剂，任选地其中所述溶剂是醇或氟化烃。
5.具有选自以下的抗衡离子的烷基锡-氧代笼，优选正丁基锡-氧代笼在抗蚀剂组合物中的用途：四(五氟苯基)硼酸根、四[3,5-双(三氟甲基)苯基]硼酸根、四[3,5-双(叔丁基)苯基]硼酸根以及四[(3,5-双(1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲氧基丙-2-基)苯基)苯基]硼酸根。
6.根据权利要求5所述的用途，其中所述正丁基锡-氧代笼阳离子具有式[(BuSn)12O14(OH)6]2+。
7.一种基材，其包含至少一个涂覆有包含烷基锡-氧代笼的组合物的表面，所述烷基锡-氧代笼具有选自以下的抗衡离子：四(五氟苯基)硼酸根、四[3,5-双(三氟甲基)苯基]硼酸根、四[3,5-双(叔丁基)苯基]硼酸根以及四[(3,5-双(1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲氧基丙-2-基)苯基)苯基]硼酸根。
8.根据权利要求7所述的基材，其中所述烷基锡-氧代笼阳离子是正丁基锡-氧代笼二价阳离子，优选具有式[(BuSn)12O14(OH)6]2+。
9.一种光刻方法，包括以下步骤：
a)提供包含烷基锡-氧代笼的抗蚀剂组合物，所述烷基锡-氧代笼具有选自以下的抗衡离子：四(五氟苯基)硼酸根、四[3,5-双(三氟甲基)苯基]硼酸根、四[3,5-双(叔丁基)苯基]硼酸根以及四[(3,5-双(1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲氧基丙-2-基)苯基)苯基]硼酸根；
b)将所述抗蚀剂组合物暴露于图案化辐射束或电子束，以在所述抗蚀剂组合物中形成图案；以及
c)将所述抗蚀剂显影以形成电路图案。
10.根据权利要求9所述的光刻方法，其中所述烷基锡-氧代笼是正丁基锡-氧代笼二价阳离子，优选地具有式[(BuSn)12O14(OH)6]2+。
11.根据权利要求9或权利要求10所述的光刻方法，其中所述抗蚀剂在溶剂中显影，任选地其中所述溶剂包含烷基苯，任选地其中所述烷基苯选自乙苯、甲苯和二甲苯。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的光刻方法，其中将所述抗蚀剂组合物暴露于剂量为约8至约100mJ·cm-2，优选约10至约60mJ·cm-2的图案化辐射束或电子束。
13.根据权利要求9至12中任一项所述的光刻方法，其中通过旋涂来提供所述抗蚀剂组合物。
14.根据权利要求9至13中任一项所述的光刻方法，其中所述图案化辐射束是EUV辐射束。
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