JPH05188597A - パタン形成材料 - Google Patents
パタン形成材料Info
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- JPH05188597A JPH05188597A JP4002065A JP206592A JPH05188597A JP H05188597 A JPH05188597 A JP H05188597A JP 4002065 A JP4002065 A JP 4002065A JP 206592 A JP206592 A JP 206592A JP H05188597 A JPH05188597 A JP H05188597A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】アルカリ水溶液を現像液とする変感度かつ高解
像度のポジ型パタン形成材料を得る。 【構成】テトラヒドロピラニル基をもつシリコンポリマ
(テトラヒドロピラニル基の導入率90%)95重量部
とピロガロールとメタンスルホン酸の三置換体エステル
5重量部を酢酸メチルセロソルブに溶解してパタン形成
材料を得る。このパタン形成材料を基板上に塗布し、照
射量を段階的に変化させて電子線照射した後、ベークを
施す。この基板を有機アルカリ現像液で現像して照射部
を除き、ポジ型パターンを得る。 【効果】未露光部の膜減りが見られず、高感度を与え
る。
像度のポジ型パタン形成材料を得る。 【構成】テトラヒドロピラニル基をもつシリコンポリマ
(テトラヒドロピラニル基の導入率90%)95重量部
とピロガロールとメタンスルホン酸の三置換体エステル
5重量部を酢酸メチルセロソルブに溶解してパタン形成
材料を得る。このパタン形成材料を基板上に塗布し、照
射量を段階的に変化させて電子線照射した後、ベークを
施す。この基板を有機アルカリ現像液で現像して照射部
を除き、ポジ型パターンを得る。 【効果】未露光部の膜減りが見られず、高感度を与え
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置等の微細加
工に用いられるパタン形成材料に係り、特に、紫外線、
遠紫外線、X線、電子線等の放射線のパタン状照射によ
りパタン潜像形成部に酸を生成させ、この酸を触媒とす
る反応によって、照射部と未露光部のアルカリ水溶液に
対する溶解性を変化させ、アルカリ水溶液を現像液とす
る工程によりパタンを現出させるパタン形成材料に関す
る。
工に用いられるパタン形成材料に係り、特に、紫外線、
遠紫外線、X線、電子線等の放射線のパタン状照射によ
りパタン潜像形成部に酸を生成させ、この酸を触媒とす
る反応によって、照射部と未露光部のアルカリ水溶液に
対する溶解性を変化させ、アルカリ水溶液を現像液とす
る工程によりパタンを現出させるパタン形成材料に関す
る。
【0002】
【従来の技術】半導体素子の高密度化、高集積化に伴
い、パタンの線幅や間隔が極めて小さくなり、また、基
板のエッチングにはドライエッチングが主流になったた
め、レジストには高解像度および高ドライエッチング耐
性が要求されるようになった。現在では、芳香環をもつ
アルカリ可溶性のノボラック樹脂をベースとしたレジス
トが、感度、解像度、ドライエッチング耐性に優れるた
め、プロセスに広く用いられている。しかし、近年、電
子機器の多機能化、高密度化に伴い、パタンの微細化が
強く要請されている。即ち、集積回路の横方向の寸法の
縮小に比べて、その縦方向の寸法はあまり縮少されてい
かないために、レジストパタンの幅に対する高さの比は
大きくならざるを得なかった。このため、複雑な段差構
造をもつウエハ上でレジストパタンの寸法変化を押さえ
て行くことは、パタンの微細化が進むにつれてより困難
になってきた。さらに、各種リソグラフィでも、パタン
の微細化に伴い技術的な問題が生じている。例えば、光
リソグラフィでは、基板の段差に基づく光の乱反射が寸
法精度に影響を与えるようになり、一方、電子ビームリ
ソグラフィでは、電子の散乱によって生じる近接効果に
より、微細なレジストパタンの高さと幅の比を大きくす
ることが難しくなっている。
い、パタンの線幅や間隔が極めて小さくなり、また、基
板のエッチングにはドライエッチングが主流になったた
め、レジストには高解像度および高ドライエッチング耐
性が要求されるようになった。現在では、芳香環をもつ
アルカリ可溶性のノボラック樹脂をベースとしたレジス
トが、感度、解像度、ドライエッチング耐性に優れるた
め、プロセスに広く用いられている。しかし、近年、電
子機器の多機能化、高密度化に伴い、パタンの微細化が
強く要請されている。即ち、集積回路の横方向の寸法の
縮小に比べて、その縦方向の寸法はあまり縮少されてい
かないために、レジストパタンの幅に対する高さの比は
大きくならざるを得なかった。このため、複雑な段差構
造をもつウエハ上でレジストパタンの寸法変化を押さえ
て行くことは、パタンの微細化が進むにつれてより困難
になってきた。さらに、各種リソグラフィでも、パタン
の微細化に伴い技術的な問題が生じている。例えば、光
リソグラフィでは、基板の段差に基づく光の乱反射が寸
法精度に影響を与えるようになり、一方、電子ビームリ
ソグラフィでは、電子の散乱によって生じる近接効果に
より、微細なレジストパタンの高さと幅の比を大きくす
ることが難しくなっている。
【0003】そこで、多層レジスト構造とすることによ
って、段差がある基板でも、高精度に加工する多層レジ
スト方法が見出された。多層レジスト法には三層レジス
ト法と二層レジスト法がある。三層レジストは、段差基
板上に有機平坦化膜を塗布し、その上に、無機中間層、
そしてパターニングレジストを設ける。そして、まずパ
ターニングレジストを露光、現像で加工した後、これを
マスクとして中間層をドライエッチングし、さらに、中
間層をマスクとして、有機平坦化層をRIEでパタン転
写する方法である。この方法の欠点は、工程が長く、有
機層、無機層、有機層と三層物性が異なるものが重なる
ために中間層にクラックやピンホールが発生しやすいと
いう問題である。この三層レジスト法に対して、二層レ
ジスト法では、パターニングレジストと無機中間層の両
方の性質を兼ね備えたレジスト、すなわち、酸素プラズ
マ耐性のあるレジストを用いるために、クラックやピン
ホールの発生が抑えられ、また、工程が短くなるという
利点がある。しかし、三層レジスト法では、上層レジス
トに従来のレジストが使用できるのに対して、二層レジ
スト法では、新たに酸素プラズマ耐性のあるレジストを
開発しなければならないという課題がある。
って、段差がある基板でも、高精度に加工する多層レジ
スト方法が見出された。多層レジスト法には三層レジス
ト法と二層レジスト法がある。三層レジストは、段差基
板上に有機平坦化膜を塗布し、その上に、無機中間層、
そしてパターニングレジストを設ける。そして、まずパ
ターニングレジストを露光、現像で加工した後、これを
マスクとして中間層をドライエッチングし、さらに、中
間層をマスクとして、有機平坦化層をRIEでパタン転
写する方法である。この方法の欠点は、工程が長く、有
機層、無機層、有機層と三層物性が異なるものが重なる
ために中間層にクラックやピンホールが発生しやすいと
いう問題である。この三層レジスト法に対して、二層レ
ジスト法では、パターニングレジストと無機中間層の両
方の性質を兼ね備えたレジスト、すなわち、酸素プラズ
マ耐性のあるレジストを用いるために、クラックやピン
ホールの発生が抑えられ、また、工程が短くなるという
利点がある。しかし、三層レジスト法では、上層レジス
トに従来のレジストが使用できるのに対して、二層レジ
スト法では、新たに酸素プラズマ耐性のあるレジストを
開発しなければならないという課題がある。
【0004】二層レジスト法に使用することを目的とし
たシリコン含有レジストは、ナフトキノンジアジド感光
剤にアルカリ可溶性のポリシロキサン又は、ポリシリメ
チレン等のシリコンポリマを組み合わせた組成物、例え
ば、特開昭61−144639号、特開昭61−256
347号、特開昭62−159141号、USP−47
44881号に記載されている。これらは、工業的に有
利なアルカリ水溶液を現像液として用いることにより、
ポジ型のパタンを与える。しかしこれらのシリコンポリ
マが、水酸基を有するフェノールにシリコンを含む官能
基を導入する方法であるため、アルカリ可溶性を維持し
たままで、酸素プラズマ耐性を示すのに必要十分な量の
シリコン含有基を導入することは困難であり、またシラ
ノール基によりアルカリ可溶性を保持させることは、シ
ラノールの不安定さから、制御することが困難であると
いう問題がある。
たシリコン含有レジストは、ナフトキノンジアジド感光
剤にアルカリ可溶性のポリシロキサン又は、ポリシリメ
チレン等のシリコンポリマを組み合わせた組成物、例え
ば、特開昭61−144639号、特開昭61−256
347号、特開昭62−159141号、USP−47
44881号に記載されている。これらは、工業的に有
利なアルカリ水溶液を現像液として用いることにより、
ポジ型のパタンを与える。しかしこれらのシリコンポリ
マが、水酸基を有するフェノールにシリコンを含む官能
基を導入する方法であるため、アルカリ可溶性を維持し
たままで、酸素プラズマ耐性を示すのに必要十分な量の
シリコン含有基を導入することは困難であり、またシラ
ノール基によりアルカリ可溶性を保持させることは、シ
ラノールの不安定さから、制御することが困難であると
いう問題がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、高感
度化と高解像度化を満足することについて十分な考慮が
なされていなかった。本発明の目的は、工業的に有利な
アルカリ水溶液を現像液とする工程により高感度かつ高
解像度のポジ型パタンを現出させるパタン形成材料を提
供することにある。
度化と高解像度化を満足することについて十分な考慮が
なされていなかった。本発明の目的は、工業的に有利な
アルカリ水溶液を現像液とする工程により高感度かつ高
解像度のポジ型パタンを現出させるパタン形成材料を提
供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的は、(a)側鎖
にフェノール基をもつ直鎖型一次元構造、分岐又は、ラ
ダー型二次元構造、又は三次元網状構造のアルカリ可溶
性シリコンポリマの水酸基をテトラヒドロピラニル基、
あるいはt−ブトキシ基、何れかの少なくとも一種類で
置換した化合物(b)活性化学線の照射により酸を発生
し得る化合物とを含むパタン形成材料、及び、それを用
いたパタン形成方法により達成される。成分(a)を合
成するための側鎖にフェノール水酸基を有するアルカリ
可溶性シリコンポリマは、例えば、特開昭63−261
255号公報に記載されている。(a)成分に導入され
るテトラヒドロピラニル基の例は、3,4−ジヒドロ−
2H−ピラン、3,4−ジヒドロ−2−メトキシ−2H
−ピラン、3,4−ジヒドロ−2−エトキシ−2H−ピ
ラン、5,6−ジヒドロ−4−メトキシ−2H−ピラ
ン、3,4−ジヒドロ−2−メトキシ−4−メチル−2
H−ピラン等を酸触媒の存在下で反応させることにより
得られる。テトラヒドロピラニル誘導体は、フェノール
基の水酸基の全てをテトラヒドロピラニル基で置換する
必要はなく、水酸基を残してもよい。水酸基を残すこと
により、これら化合物のアルカリ水溶液に対する溶解性
を制御することができる。また(a)成分に導入される
t−ブトキシ基は、t−ブチル−ジカーボネートをTH
F溶媒中で反応させることにより得られる。t−ブトキ
シ基誘導体は、フェノール基の水酸基の全てをt−ブト
キシ基で置換する必要はなく、水酸基を残してもよい。
水酸基を残すことにより、これら化合物のアルカリ水溶
液に対する溶解性を制御することができる。
にフェノール基をもつ直鎖型一次元構造、分岐又は、ラ
ダー型二次元構造、又は三次元網状構造のアルカリ可溶
性シリコンポリマの水酸基をテトラヒドロピラニル基、
あるいはt−ブトキシ基、何れかの少なくとも一種類で
置換した化合物(b)活性化学線の照射により酸を発生
し得る化合物とを含むパタン形成材料、及び、それを用
いたパタン形成方法により達成される。成分(a)を合
成するための側鎖にフェノール水酸基を有するアルカリ
可溶性シリコンポリマは、例えば、特開昭63−261
255号公報に記載されている。(a)成分に導入され
るテトラヒドロピラニル基の例は、3,4−ジヒドロ−
2H−ピラン、3,4−ジヒドロ−2−メトキシ−2H
−ピラン、3,4−ジヒドロ−2−エトキシ−2H−ピ
ラン、5,6−ジヒドロ−4−メトキシ−2H−ピラ
ン、3,4−ジヒドロ−2−メトキシ−4−メチル−2
H−ピラン等を酸触媒の存在下で反応させることにより
得られる。テトラヒドロピラニル誘導体は、フェノール
基の水酸基の全てをテトラヒドロピラニル基で置換する
必要はなく、水酸基を残してもよい。水酸基を残すこと
により、これら化合物のアルカリ水溶液に対する溶解性
を制御することができる。また(a)成分に導入される
t−ブトキシ基は、t−ブチル−ジカーボネートをTH
F溶媒中で反応させることにより得られる。t−ブトキ
シ基誘導体は、フェノール基の水酸基の全てをt−ブト
キシ基で置換する必要はなく、水酸基を残してもよい。
水酸基を残すことにより、これら化合物のアルカリ水溶
液に対する溶解性を制御することができる。
【0007】上記(b)成分の活性化学線の照射により
酸を発生し得る化合物としては、多くの公知化合物、各
種ジアゾニウム塩、各種ハロゲン化物、各種オニウム塩
が挙げられる。また(b)成分のフェノール性水酸基を
二個以上もった化合物とアルキルスルホン酸とのエステ
ルからなる酸前駆体化合物の例としては、カテコール、
レゾルシン、ヒドロキノン、ピロガロール、フロログル
シン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキ
シベンゾフェノン、没食子酸エステルなどのフェノール
性水酸基とアルキルスルホン酸とのエステルが上げられ
る。このアルキルスルホン酸のアルキル基はCnH2n+1
−であり、n=1〜4の範囲にあるものが効果的であ
る。アルキル基中の水素の一部又は全部をフッ素或は、
塩素等の電気陰性度の大きなハロゲンで置換したものも
有効である。本発明の酸前駆体に用いるアルキルスルホ
ン酸エステルはフェノール性水酸基を二個以上含む化合
物の水酸基の全てをエステルにする必要はなく、水酸基
を残してもよい。水酸基を残すことにより、酸前駆体化
合物のアルカリ水溶液に対する溶解性を制御することが
できる。
酸を発生し得る化合物としては、多くの公知化合物、各
種ジアゾニウム塩、各種ハロゲン化物、各種オニウム塩
が挙げられる。また(b)成分のフェノール性水酸基を
二個以上もった化合物とアルキルスルホン酸とのエステ
ルからなる酸前駆体化合物の例としては、カテコール、
レゾルシン、ヒドロキノン、ピロガロール、フロログル
シン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキ
シベンゾフェノン、没食子酸エステルなどのフェノール
性水酸基とアルキルスルホン酸とのエステルが上げられ
る。このアルキルスルホン酸のアルキル基はCnH2n+1
−であり、n=1〜4の範囲にあるものが効果的であ
る。アルキル基中の水素の一部又は全部をフッ素或は、
塩素等の電気陰性度の大きなハロゲンで置換したものも
有効である。本発明の酸前駆体に用いるアルキルスルホ
ン酸エステルはフェノール性水酸基を二個以上含む化合
物の水酸基の全てをエステルにする必要はなく、水酸基
を残してもよい。水酸基を残すことにより、酸前駆体化
合物のアルカリ水溶液に対する溶解性を制御することが
できる。
【0008】
【作用】本発明によれば、側鎖にフェノール基をもつ直
鎖型一次元構造、分岐又は、ラダー型二次元構造、又は
三次元網状構造のアルカリ可溶性シリコンポリマの水酸
基をテトラヒドロピラニル基、あるいはt−ブトキシ基
で置換した化合物と酸前駆体を含むパタン形成材料を基
板上に薄い塗膜とし、パタン状活性化学線を照射する
と、照射された塗膜の部分では、発生した酸を触媒とす
る反応によって、これら化合物のテトラヒドロピラニル
基、あるいはt−ブトキシ基が除かれ、フェノール性水
酸基が再生し、アルカリ水溶液に対する溶解性が増加す
る変化を起こす。この反応により、ポジ型のパタンを得
ることができる。この反応は、触媒反応であるので、酸
を生成せしめる活性化学線の照射量は、わずかで良く、
高感度である。さらに本発明のパタン形成材料に用いら
れるテトラヒドロピラニル誘導体、t−ブトキシ誘導体
は、主鎖構造がポリシロキサン構造であるため耐熱性及
び酸素プラズマエッチング耐性が高く、二層レジストの
上層マスクパタンとして用いることができる。
鎖型一次元構造、分岐又は、ラダー型二次元構造、又は
三次元網状構造のアルカリ可溶性シリコンポリマの水酸
基をテトラヒドロピラニル基、あるいはt−ブトキシ基
で置換した化合物と酸前駆体を含むパタン形成材料を基
板上に薄い塗膜とし、パタン状活性化学線を照射する
と、照射された塗膜の部分では、発生した酸を触媒とす
る反応によって、これら化合物のテトラヒドロピラニル
基、あるいはt−ブトキシ基が除かれ、フェノール性水
酸基が再生し、アルカリ水溶液に対する溶解性が増加す
る変化を起こす。この反応により、ポジ型のパタンを得
ることができる。この反応は、触媒反応であるので、酸
を生成せしめる活性化学線の照射量は、わずかで良く、
高感度である。さらに本発明のパタン形成材料に用いら
れるテトラヒドロピラニル誘導体、t−ブトキシ誘導体
は、主鎖構造がポリシロキサン構造であるため耐熱性及
び酸素プラズマエッチング耐性が高く、二層レジストの
上層マスクパタンとして用いることができる。
【0009】
【実施例】以下、本発明を実施例をもって、説明する。
はじめに、テトラヒドロピラニル基を有する化合物の合
成について述べるが、ここで述べた合成例に限定される
ものではない。
はじめに、テトラヒドロピラニル基を有する化合物の合
成について述べるが、ここで述べた合成例に限定される
ものではない。
【0010】(合成例1)酢酸エチル100ml中にア
ルカリ可溶性シリコンポリマ:ポリヒドロキシベンジル
シルセスオキサン(Mw:4000)25g、3,4−
ジヒドロ−2H−ピラン100gを溶解する。これに、
12Nの塩酸1.0mlを滴下し、撹拌しながら三時間
還流する。還流後、反応液を分液ロートに移し、2Nの
NaOH水溶液10mlを加えて洗浄し、中性になるま
で水洗する。反応溶液を減圧下濃縮し、石油エーテル中
に固体を析出させる。濾過後、真空乾燥して白色の固体
を得た。この生成物は、赤外吸収及びNMRスペクトル
分析より側鎖にフェノール基をもつアルカリ可溶性シリ
コンポリマの水酸基の90%をテトラヒドロピラニル基
で置換していることを確認した。
ルカリ可溶性シリコンポリマ:ポリヒドロキシベンジル
シルセスオキサン(Mw:4000)25g、3,4−
ジヒドロ−2H−ピラン100gを溶解する。これに、
12Nの塩酸1.0mlを滴下し、撹拌しながら三時間
還流する。還流後、反応液を分液ロートに移し、2Nの
NaOH水溶液10mlを加えて洗浄し、中性になるま
で水洗する。反応溶液を減圧下濃縮し、石油エーテル中
に固体を析出させる。濾過後、真空乾燥して白色の固体
を得た。この生成物は、赤外吸収及びNMRスペクトル
分析より側鎖にフェノール基をもつアルカリ可溶性シリ
コンポリマの水酸基の90%をテトラヒドロピラニル基
で置換していることを確認した。
【0011】合成例1の3,4−ジヒドロ−2H−ピラ
ンの代りに3,4−ジヒドロ−2−メトキシ−2H−ピ
ランを用い、同様の結果を得た。
ンの代りに3,4−ジヒドロ−2−メトキシ−2H−ピ
ランを用い、同様の結果を得た。
【0012】(合成例2)THF50ml中にアルカリ
可溶性シリコンポリマ:ポリヒドロキシベンジルシルセ
スオキサン(Mw:4000)5gを溶解し、窒素雰囲
気下で、撹拌しながらカリウムt−ブトキシド2.3g
のTHF溶液25mlを滴下する。次にt−ブチル−ジ
カーボネート4.6gのTHF溶液25mlを撹拌しな
がら、反応液中に滴下する。1日放置後、反応液を氷水
300mlに滴下して反応を止める。反応物は、酢酸エ
チルで抽出した後、石油エーテル中に固体を析出させ
る。濾過後、真空乾燥して白色の固体を得た。この生成
物は、赤外吸収及びNMRスペクトル分析より側鎖にフ
ェノール基をもつアルカリ可溶性シリコンポリマの水酸
基の90%をt−ブトキシ基で置換していることを確認
した。
可溶性シリコンポリマ:ポリヒドロキシベンジルシルセ
スオキサン(Mw:4000)5gを溶解し、窒素雰囲
気下で、撹拌しながらカリウムt−ブトキシド2.3g
のTHF溶液25mlを滴下する。次にt−ブチル−ジ
カーボネート4.6gのTHF溶液25mlを撹拌しな
がら、反応液中に滴下する。1日放置後、反応液を氷水
300mlに滴下して反応を止める。反応物は、酢酸エ
チルで抽出した後、石油エーテル中に固体を析出させ
る。濾過後、真空乾燥して白色の固体を得た。この生成
物は、赤外吸収及びNMRスペクトル分析より側鎖にフ
ェノール基をもつアルカリ可溶性シリコンポリマの水酸
基の90%をt−ブトキシ基で置換していることを確認
した。
【0013】(実施例1)次に、本発明の一実施例を図
1により説明する。図1は、本発明のパタン形成材料の
電子線照射量と現像後の相対的な膜の厚さとの関係(感
度特性)を示す図である。レジスト組成は、テトラヒド
ロピラニル基を有するシリコンポリマ:95重量部とト
リフロロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム:
5重量部を酢酸メチルセロソルブに溶解して、固形分濃
度約20重量%の溶液を調合した。シリコンウエハ上に
上記組成のレジスト液を滴下、回転塗布後80℃、10
分間熱処理して、0.7μmの厚さのレジスト膜を得
た。この基板に電子線描画装置を用い電子線の加速電圧
は30kVで、照射量を段階的に変化させて電子線照射
後、100℃、10分間熱処理して上層レジスト中の潜
像部分のアルカリ水溶液に対する溶解性を増加させる反
応を促進した。熱処理の後、水酸化テトラメチルアンモ
ニウム2.38重量%を含む水溶液を現像液に用いて潜
像を形成したレジストを現像し、レジストパタンを得
た。このとき、現像時間は、70秒で、未照射部の膜厚
減少は、ほとんど検出できず、また、得られたレジスト
パタンは、断面形状が良好なものであった。
1により説明する。図1は、本発明のパタン形成材料の
電子線照射量と現像後の相対的な膜の厚さとの関係(感
度特性)を示す図である。レジスト組成は、テトラヒド
ロピラニル基を有するシリコンポリマ:95重量部とト
リフロロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム:
5重量部を酢酸メチルセロソルブに溶解して、固形分濃
度約20重量%の溶液を調合した。シリコンウエハ上に
上記組成のレジスト液を滴下、回転塗布後80℃、10
分間熱処理して、0.7μmの厚さのレジスト膜を得
た。この基板に電子線描画装置を用い電子線の加速電圧
は30kVで、照射量を段階的に変化させて電子線照射
後、100℃、10分間熱処理して上層レジスト中の潜
像部分のアルカリ水溶液に対する溶解性を増加させる反
応を促進した。熱処理の後、水酸化テトラメチルアンモ
ニウム2.38重量%を含む水溶液を現像液に用いて潜
像を形成したレジストを現像し、レジストパタンを得
た。このとき、現像時間は、70秒で、未照射部の膜厚
減少は、ほとんど検出できず、また、得られたレジスト
パタンは、断面形状が良好なものであった。
【0014】(実施例2)実施例1におけるテトラヒド
ロピラニル基をもつシリコンポリマに代えて、2−メト
キシテトラヒドロピラニル基を有するシリコンポリマを
用いて、実施例1と同様の工程を行った結果、得られた
レジストパタンは、断面形状が良好なものであった。
ロピラニル基をもつシリコンポリマに代えて、2−メト
キシテトラヒドロピラニル基を有するシリコンポリマを
用いて、実施例1と同様の工程を行った結果、得られた
レジストパタンは、断面形状が良好なものであった。
【0015】(実施例3)実施例1におけるテトラヒド
ロピラニル基をもつシリコンポリマに代えて、t−ブト
キシ基をもつシリコンポリマを用いて、実施例1と同様
の工程を行った結果、得られたレジストパタンは、断面
形状が良好なものであった。
ロピラニル基をもつシリコンポリマに代えて、t−ブト
キシ基をもつシリコンポリマを用いて、実施例1と同様
の工程を行った結果、得られたレジストパタンは、断面
形状が良好なものであった。
【0016】
【発明の効果】本発明によれば、遠紫外線、電子線、X
線、その他の活性放射線に対して、高感度で、アルカリ
水溶液現像可能なポジ型パタン形成材料を得ることがで
きた。
線、その他の活性放射線に対して、高感度で、アルカリ
水溶液現像可能なポジ型パタン形成材料を得ることがで
きた。
【図1】本発明の一実施例の電子線照射量と現像後の相
対的な膜の厚さとの関係(感度特性)を示すグラフ。
対的な膜の厚さとの関係(感度特性)を示すグラフ。
1…パタン形成材料の感度特性。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G03F 7/26 511 7124−2H H01L 21/027 (72)発明者 杉山 寿 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内
Claims (3)
- 【請求項1】側鎖にフェノール基を有する直鎖型一次元
構造、分岐又は、ラダー型二次元構造、又は三次元網状
構造のアルカリ可溶性シリコーンポリマの水酸基を酸分
裂性基で置換した化合物と活性化学線の照射により酸を
発生し得る化合物とを含むことを特徴とするパタン形成
材料。 - 【請求項2】請求項1において、前記酸分解性基がテト
ラヒドロピラニル基、2−メトキシテトラヒドロピラニ
ル基、4−メトキシテトラヒドロピラニル基、2−エト
キシテトラヒドロピラニル基、2−メトキシ−4−メチ
ルテトラヒドロピラニル基またはt−ブトキシ基から選
ばれる少なくとも一種類であるパタン形成材料。 - 【請求項3】請求項1または2において、酸を発生し得
る化合物がフェノール性水酸基が二個以上ある化合物と
アルキルスルホン酸とのエステルであるパタン形成材
料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4002065A JPH05188597A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | パタン形成材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4002065A JPH05188597A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | パタン形成材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05188597A true JPH05188597A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11518946
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4002065A Pending JPH05188597A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | パタン形成材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05188597A (ja) |
-
1992
- 1992-01-09 JP JP4002065A patent/JPH05188597A/ja active Pending
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