TW202311032A - 積層基板、積層體、積層體之製造方法、附電子裝置用構件之積層體、電子裝置之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明係關於一種積層基板，其具備玻璃基材及聚矽氧樹脂層，該玻璃基材具有第1面及位於上述第1面相反側之第2面，該聚矽氧樹脂層配置於上述玻璃基材之上述第2面上，且上述聚矽氧樹脂層之與玻璃基材為相反側之表面之表面粗糙度Ra之偏差為1.00 nm以下，上述聚矽氧樹脂層之膜厚之偏差為1.5 μm以下。

Description

積層基板、積層體、積層體之製造方法、附電子裝置用構件之積層體、電子裝置之製造方法

本發明係關於一種積層基板、積層體、積層體之製造方法、附電子裝置用構件之積層體及電子裝置之製造方法。

太陽電池(PV)、液晶面板(LCD)、有機EL(Electroluminescence，電致發光)面板(OLED)、以及感知電磁波、X射線、紫外線、可見光線、紅外線等之接收感測器面板等電子裝置正在朝薄型化、輕量化之方向發展。與此同時，電子裝置中所使用之聚醯亞胺樹脂基板等基板亦正在朝薄板化之方向發展。若因薄板化而導致基板強度不足，則基板之處理性會降低，於基板上形成電子裝置用構件之步驟(構件形成步驟)等中有時會產生問題。

因此，最近，為了改善基板之處理性，提出了一種使用於支持基材上配置有聚醯亞胺樹脂基板之積層體之技術(專利文獻1)。更具體而言，據專利文獻1所載，於熱固性樹脂組合物硬化體層上塗佈聚醯亞胺清漆，而形成樹脂清漆硬化膜(相當於聚醯亞胺膜)，可於樹脂清漆硬化膜上配置精密元件。根據專利文獻1之技術，可容易地將樹脂清漆硬化膜自熱固性樹脂組合物硬化體層剝離以用作聚醯亞胺樹脂基板。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本專利特開2018-193544號公報

[發明所欲解決之問題]

本發明人等利用專利文獻1中所記載之技術製作了聚醯亞胺膜，結果於自熱固性樹脂組合物硬化體層剝離之聚醯亞胺膜中確認到光學不均，該熱固性樹脂組合物硬化體層作為吸附並保持聚醯亞胺膜之聚矽氧樹脂層而發揮功能。由於聚醯亞胺膜有時作為聚醯亞胺樹脂基板而用於透明電子裝置，故而要求改善光學不均。

本發明之課題在於提供一種積層基板，在其聚矽氧樹脂層之表面上塗佈聚醯亞胺清漆，其後，進行剝離而製造聚醯亞胺膜時，可製造光學不均較少之聚醯亞胺膜。 又，本發明之課題亦在於提供一種具有上述積層基板之積層體、積層體之製造方法、附電子裝置用構件之積層體及電子裝置之製造方法。 [解決問題之技術手段]

本發明人等進行了銳意研究，結果發現，藉由以下構成可解決上述問題。

[1]一種積層基板，其具備玻璃基材及聚矽氧樹脂層，該玻璃基材具有第1面及位於上述第1面相反側之第2面， 該聚矽氧樹脂層配置於上述玻璃基材之上述第2面上，且 上述聚矽氧樹脂層之與上述玻璃基材為相反側之表面之表面粗糙度Ra之偏差為1.00 nm以下， 上述聚矽氧樹脂層之膜厚之偏差為1.5 μm以下。 [2]如[1]中所記載之積層基板，其中上述聚矽氧樹脂層之膜厚之平均值為50.0 μm以下。 [3]如[1]或[2]中所記載之積層基板，其中於上述聚矽氧樹脂層上配置有可剝離之保護膜。 [4]一種積層體，其具有如[1]至[3]中任一項所記載之積層基板、及配置於上述積層基板之上述聚矽氧樹脂層上之聚醯亞胺膜。 [5]一種積層體之製造方法，其於如[1]至[3]中任一項所記載之積層基板之上述聚矽氧樹脂層上塗佈包含聚醯亞胺或其前驅物及溶劑之聚醯亞胺清漆，而於上述聚矽氧樹脂層上形成聚醯亞胺膜，從而形成具有上述玻璃基材、上述聚矽氧樹脂層及上述聚醯亞胺膜之積層體。 [6]一種附電子裝置用構件之積層體，其具有如[4]中所記載之積層體、及 配置於上述積層體中之上述聚醯亞胺膜上之電子裝置用構件。 [7]一種電子裝置之製造方法，其包括：構件形成步驟，其係於如[4]中所記載之積層體之上述聚醯亞胺膜上形成電子裝置用構件， 獲得附電子裝置用構件之積層體；及 分離步驟，其係自上述附電子裝置用構件之積層體獲得具有上述聚醯亞胺膜及上述電子裝置用構件之電子裝置。 [發明之效果]

根據本發明，可提供一種積層基板，在其聚矽氧樹脂層之表面上塗佈聚醯亞胺清漆，其後，自聚矽氧樹脂層剝離而製造聚醯亞胺膜時，可製造光學不均較少之聚醯亞胺膜。 根據本發明，可提供一種具有上述積層基板之積層體、積層體之製造方法、附電子裝置用構件之積層體及電子裝置之製造方法。

以下，參照圖式對本發明之實施方式進行說明。但是，以下實施方式係用於說明本發明之例示性實施方式，本發明不限於以下所示之實施方式。再者，在不脫離本發明之範圍之情況下，可對以下實施方式進行各種變化及置換。

本發明中之用語之意義如下所示。 表面粗糙度Ra之偏差係對目標表面之任意10處(測定區域：縱940 μm×橫700 μm)之表面粗糙度Ra進行測定，10個測定值中最大值與最小值之差。

表面粗糙度Ra之平均值係由上述程序所測得之10個測定值之算術平均值。 表面粗糙度Ra例如使用Ryoka Systems公司製造之非接觸表面/層截面形狀測量系統「Vertscan R3300-lite」來測定。

膜厚之偏差係測定對象物之任意10處之膜厚，10個測定值中最大值與最小值之差。

膜厚之平均值係測定上述膜厚之偏差而得之10個測定值之算術平均值。 其中，於聚矽氧樹脂層之膜厚之情形時，關於測定範圍，將自聚矽氧樹脂層之周緣端部向中央部3 mm之周緣區域除外。 膜厚例如利用接觸式膜厚測定裝置來測定。

使用「～」所表示之數值範圍意指包含「～」前後所記載之數值作為下限值及上限值之範圍。

＜積層基板＞ 圖1係模式地表示本發明之積層基板之一實施方式之剖視圖。 積層基板10具備玻璃基材12及聚矽氧樹脂層14，該玻璃基材12具有第1面12a及位於第1面12a相反側之第2面12b，該聚矽氧樹脂層14配置於玻璃基材12之第2面12b上。

詳細情況如下所述，於積層基板10之聚矽氧樹脂層14上塗佈聚醯亞胺清漆，其後，形成聚醯亞胺膜。於該聚醯亞胺膜上形成電子裝置用構件，其後，分離形成有電子裝置用構件之聚醯亞胺膜(即電子裝置)。以此方式，製造電子裝置。

關於圖1所示之積層基板10，以下所定義之聚矽氧樹脂層14之與玻璃基材12為相反側之表面14a之表面粗糙度Ra之偏差為1.00 nm以下。

若聚矽氧樹脂層14之與玻璃基材12為相反側之表面14a之表面粗糙度Ra之偏差為1.00 nm以下，則於積層基板10之聚矽氧樹脂層14上形成聚醯亞胺膜，其後將其剝離，藉此，可製造光學不均較少之聚醯亞胺膜。

聚矽氧樹脂層14之與玻璃基材12為相反側之表面14a之表面粗糙度Ra之偏差較佳為0.70 nm以下，更佳為0.40 nm以下。聚矽氧樹脂層14之與玻璃基材12為相反側之表面14a之表面粗糙度Ra之偏差之下限為0.00 nm。

圖1所示之積層基板10之聚矽氧樹脂層14之膜厚之偏差為1.5 μm以下。 若聚矽氧樹脂層14之膜厚之偏差為1.5 μm以下，則於積層基板10之聚矽氧樹脂層14上形成聚醯亞胺膜，其後將其剝離，藉此，可製造光學不均較少之聚醯亞胺膜。 聚矽氧樹脂層14之膜厚之偏差較佳為1.2 μm以下，更佳為1.0 μm以下。聚矽氧樹脂層14之膜厚之偏差之下限為0.0 μm。

以下，對構成積層基板10之各層(玻璃基材12、聚矽氧樹脂層14)進行詳述，其後，對積層基板10之製造方法進行詳述。

(玻璃基材) 玻璃基材12係支持並補強聚醯亞胺膜之構件。 作為玻璃種類，較佳為無鹼硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高二氧化矽玻璃、其他以氧化矽為主要成分之氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃，較佳為氧化物換算之氧化矽之含量為40～90質量%之玻璃。

作為玻璃基材，更具體而言，可例舉包含無鹼硼矽酸玻璃之玻璃基材(AGC股份有限公司製造，商品名為「AN100」)。

關於玻璃基材之製造方法，通常，將玻璃原料熔融，將熔融玻璃成形為板狀而獲得玻璃基材。此種成形方法可為一般方法，例如可例舉浮式法、熔融法、流孔下引法。

玻璃基材12之形狀(主面之形狀)並無特別限制，但較佳為矩形。

玻璃基材12較佳為非可撓性。因此，玻璃基材12之厚度較佳為0.3 mm以上，更佳為0.5 mm以上。 另一方面，玻璃基材12之厚度較佳為1.0 mm以下。

(聚矽氧樹脂層) 聚矽氧樹脂層14係用於防止配置於聚矽氧樹脂層14上之聚醯亞胺膜剝離之膜。 聚矽氧樹脂層14配置於玻璃基材12上。

聚矽氧樹脂係包含特定有機矽烷氧基單元之樹脂，通常係使硬化性聚矽氧硬化而獲得。硬化性聚矽氧根據其硬化機制而分為加成反應型聚矽氧、縮合反應型聚矽氧、紫外線硬化型聚矽氧及電子束硬化型聚矽氧，任一者均可使用。作為聚矽氧樹脂，其中，較佳為縮合反應型聚矽氧。

縮合反應型聚矽氧適宜使用作為單體之水解性有機矽烷化合物或其混合物(單體混合物)、或者使單體或單體混合物進行部分水解縮合反應而獲得之部分水解縮合物(有機聚矽氧烷)。 藉由使用該縮合反應型聚矽氧進行水解、縮合反應(溶膠-凝膠反應)，可形成聚矽氧樹脂。

聚矽氧樹脂層14較佳為使用包含硬化性聚矽氧之硬化性組合物來形成。

硬化性組合物除包含硬化性聚矽氧以外，還可包含溶劑、鉑觸媒(於使用加成反應型聚矽氧作為硬化性聚矽氧之情形時)、調平劑、金屬化合物等。作為金屬化合物中所包含之金屬元素，例如可例舉：3d過渡金屬、4d過渡金屬、鑭系元素系金屬、鉍(Bi)、鋁(Al)、錫(Sn)。金屬化合物之含量並無特別限制，可適宜地調整。

聚矽氧樹脂層14較佳為具有羥基。羥基可藉由將構成聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂之Si-O-Si鍵之一部分切斷而出現。又，於使用縮合反應型聚矽氧之情形時，該羥基可成為聚矽氧樹脂層14之羥基。

聚矽氧樹脂層14之膜厚之平均值較佳為50.0 μm以下，更佳為30.0 μm以下，進而較佳為12.0 μm以下。另一方面，聚矽氧樹脂層14之膜厚之平均值較佳為超過1 μm，就異物嵌埋性更加優異之方面而言，更佳為6.0 μm以上。

再者，所謂異物嵌埋性優異意指即便玻璃基材12與聚矽氧樹脂層14之間有異物，亦可藉由聚矽氧樹脂層14將異物嵌埋。

若異物之嵌埋性優異，則聚矽氧樹脂層不易因異物而產生凸部，於聚醯亞胺膜上形成電子裝置用構件時，可抑制因凸部所導致之電子裝置用構件中之斷線等危險。再者，由於產生上述凸部時所形成之空隙以氣泡之形式被觀察到，故而可藉由有無氣泡產生來評價異物嵌埋性。

聚矽氧樹脂層14之表面14a之表面粗糙度Ra之平均值較佳為50.00 nm以下，更佳為30.00 nm以下，進而較佳為15.00 nm以下，特佳為5.00 nm以下。若表面14a之表面粗糙度Ra之平均值處於上述範圍，則藉由形成於積層基板10之聚矽氧樹脂層14上，其後將其剝離而製造之聚醯亞胺膜之表面粗糙度得以降低。

又，為了可維持與形成於聚矽氧樹脂層14上之聚醯亞胺膜密接之狀態，聚矽氧樹脂層14之表面14a之表面粗糙度Ra之平均值較佳為0.10 nm以上，更佳為0.30 nm以上。

於玻璃基材12上形成聚醯亞胺膜，並進行高溫熱處理後，聚醯亞胺膜會發生黃變，故而不易用於透明電子裝置。然而，雖機制不明確，但可藉由於玻璃基材12上形成聚矽氧樹脂層14，於聚矽氧樹脂層14上形成聚醯亞胺膜，而抑制因高溫熱處理而導致聚醯亞胺膜發生黃變。

(保護膜) 積層基板10可於聚矽氧樹脂層14上配置可剝離之保護膜。 保護膜係在下述聚醯亞胺清漆塗佈於聚矽氧樹脂層14上之前保護聚矽氧樹脂層14之表面之膜。

作為構成保護膜之材料，例如可例舉：聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂(例如聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯)、聚烯烴樹脂(例如聚乙烯、聚丙烯)、聚胺基甲酸酯樹脂。作為構成保護膜之材料，其中，較佳為聚酯樹脂，更佳為聚對苯二甲酸乙二酯。

為了降低自外部所受之力的影響，保護膜之膜厚之平均值較佳為20 μm以上，更佳為30 μm以上，進而較佳為50 μm以上。保護膜之膜厚之平均值較佳為500 μm以下，更佳為300 μm以下，進而較佳為100 μm以下。

保護膜可於聚矽氧樹脂層14側之表面進而具有密接層。

密接層可使用公知之黏著層。作為構成黏著層之黏著劑，例如可例舉：(甲基)丙烯酸系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑。

又，密接層可包含樹脂，作為樹脂，例如可例舉：乙酸乙烯酯樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂、丁醛樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚苯乙烯彈性體。

為了降低剝離保護膜時之剝離力，保護膜之表面粗糙度Ra之平均值較佳為50 nm以下，更佳為30 nm以下，進而較佳為15 nm以下。又，為了可維持保護膜與聚矽氧樹脂層密接之狀態，保護膜之表面粗糙度Ra之平均值較佳為0.1 nm以上，更佳為0.5 nm以上。

＜積層基板之製造方法＞ 積層基板之製造方法並無特別限制，可例舉公知之方法。 其中，就生產性更加優異之方面而言，可例舉如下方法：準備具有暫時支持體及配置於暫時支持體上之加熱處理後成為聚矽氧樹脂層之前驅物膜之轉印膜，將轉印膜中之前驅物膜貼合於玻璃基材上之特定位置，對所獲得之具有玻璃基材、前驅物膜及暫時支持體之積層體實施加熱處理。藉由實施加熱處理而形成聚矽氧樹脂層。

可在將上述轉印膜貼合於玻璃基材後，利用鹼性洗劑洗淨所獲得之積層體。又，利用鹼性洗劑進行洗淨後，視需要可利用純水進行沖洗。進而，利用純水對積層體進行沖洗後，視需要可利用氣刀甩掉水。氣刀處理後，積層體可進行加熱乾燥。又，洗淨時，可使毛刷接觸積層體來進行洗淨。就洗淨力之方面而言，洗淨所使用之鹼性洗劑之溫度及沖洗所使用之純水之溫度較佳為20℃以上，更佳為40℃以上。

用於形成聚矽氧樹脂層之加熱處理(退火步驟)時，較佳為一面施加壓力一面實施該處理。具體而言，較佳為使用高壓釜來實施加熱處理及加壓處理。

作為加熱處理時之加熱溫度，較佳為50℃以上，更佳為55℃以上，進而較佳為60℃以上。作為加熱處理時之加熱溫度，較佳為350℃以下，更佳為300℃以下，進而較佳為250℃以下。作為加熱時間，較佳為10分鐘以上，更佳為20分鐘以上。作為加熱時間，較佳為60分鐘以下，更佳為40分鐘以下。

作為加壓處理時之壓力，較佳為0.5～1.5 MPa，更佳為0.8～1.0 MPa。

又，加熱處理可進行複數次。於實施複數次加熱處理之情形時，各者之加熱條件可變更。 例如，於實施複數次加熱處理之情形時，可改變加熱溫度。例如，於實施2次加熱處理之情形時，可於未達200℃之溫度條件下實施第1次加熱處理，而於200℃以上之溫度條件下實施第2次加熱處理。

又，於實施複數次加熱處理之情形時，可改變加壓處理之有無。例如，於實施2次加熱處理之情形時，可於第1次加熱處理中一併實施加壓處理，而於第2次加熱處理中不實施加壓處理。

再者，使用轉印膜製造積層基板時，可在剝離暫時支持體後實施上述加熱處理，亦可在暫時支持體配置於聚矽氧樹脂層上之狀態下直接實施加熱處理。又，於實施複數次加熱處理之情形時，可在各加熱處理之間剝離暫時支持體。例如，可在實施第1次加熱處理後，將暫時支持體剝離，再實施第2次加熱處理。

剝離暫時支持體時，為了便於剝離，可於暫時支持體形成缺口部分。又，可自前驅物膜或聚矽氧樹脂層剝離暫時支持體之端部之一部分而形成反折部，作為剝離起點。又，可於暫時支持體安裝易撕貼。又，為了便於剝離暫時支持體，可相較於前驅物膜或聚矽氧樹脂層而言增大暫時支持體而使暫時支持體伸出，從而抓握住暫時支持體之伸出部而剝離暫時支持體。

剝離暫時支持體時，為了使前驅物膜或聚矽氧樹脂層受損傷而變得不良之危險較少，較佳為180度剝離。 又，為了防止因剝離帶電而導致污物附著，較佳為使用離子化器或對剝離環境進行加濕。

加熱處理可使用循環爐、紅外線爐等加熱爐。為了排出加熱處理時由聚矽氧樹脂層所產生之氣體，加熱爐較佳為進行排氣。加熱爐內之潔淨度較佳為class 10000以下。

可對積層基板之聚矽氧樹脂層之表面實施表面處理。 作為表面處理，例如可例舉電暈處理、大氣壓電漿處理、UV(Ultraviolet，紫外線)臭氧處理、準分子UV處理，較佳為電暈處理、大氣壓電漿處理。

表面處理後之聚矽氧樹脂層14之表面14a之水接觸角較佳為10度以下，更佳為5度以下。

使用上述積層基板10，可製造依序具有玻璃基材12、聚矽氧樹脂層14及被支持材之構造體。亦可積層除聚醯亞胺膜18以外之材料作為被支持材。

作為被支持材，例如可例舉：聚醯亞胺樹脂膜、環氧樹脂膜、感光性光阻、聚酯樹脂膜(例如聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯)、聚烯烴樹脂膜(例如聚乙烯、聚丙烯)、聚胺基甲酸酯樹脂膜、金屬箔(例如銅箔、鋁箔)、濺鍍膜(例如銅、鈦、鋁、鎢、氮化矽、氧化矽、非晶矽)、TGV(Through Glass Via，玻璃通孔)基板、薄板玻璃基板、附犧牲層之薄板玻璃基板、ABF(Ajinomoto Build up Film，味之素堆積膜)、藍寶石基板、矽基板、TSV(Through Silicon Via，矽通孔)基板、LED(Light Emitting Diode，發光二極體)晶片、顯示面板(例如LCD、OLED、μ-LED)、人造金剛石、間隔紙等。

＜積層體及其製造方法＞ 使用上述積層基板10，可製造圖2所示之具有玻璃基材12、聚矽氧樹脂層14及聚醯亞胺膜18之積層體16。積層體16具有配置於積層基板10之聚矽氧樹脂層14上之聚醯亞胺膜18。

具體而言，作為積層體16之製造方法，可例舉如下方法：於積層基板10之聚矽氧樹脂層14上塗佈包含聚醯亞胺及溶劑之聚醯亞胺清漆，而於聚矽氧樹脂層14上形成聚醯亞胺膜18，從而形成依序具有玻璃基材12、聚矽氧樹脂層14及聚醯亞胺膜18之積層體。 以下，對上述製造方法進行詳述，其後，對聚醯亞胺膜18之構成進行詳述。

(聚醯亞胺清漆) 聚醯亞胺清漆包含聚醯亞胺或其前驅物及溶劑。

聚醯亞胺通常可藉由使四羧酸二酐與二胺縮聚並醯亞胺化而獲得。聚醯亞胺較佳為具有溶劑可溶性。

作為所使用之四羧酸二酐，可例舉芳香族四羧酸二酐、脂肪族四羧酸二酐。作為所使用之二胺，可例舉芳香族二胺、脂肪族二胺。

作為芳香族四羧酸二酐，例如可例舉：均苯四甲酸二酐(1,2,4,5-苯四羧酸二酐)、4,4'-(六氟亞異丙基)二鄰苯二甲酸二酐、3,3',4,4'-二苯基碸四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯醚四羧酸二酐、4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐、2,2',3,3'-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、2,3,3',4'-聯苯四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯基碸四羧酸二酐、2,2',3,3'-聯苯四羧酸二酐、亞甲基-4,4'-二鄰苯二甲酸二酐、1,1-亞乙基-4,4'-二鄰苯二甲酸二酐、2,2-亞丙基-4,4'-二鄰苯二甲酸二酐、1,2-伸乙基-4,4'-二鄰苯二甲酸二酐、1,3-三亞甲基-4,4'-二鄰苯二甲酸二酐、1,4-四亞甲基-4,4'-二鄰苯二甲酸二酐、1,5-五亞甲基-4,4'-二鄰苯二甲酸二酐、4,4'-氧二鄰苯二甲酸二酐、硫基-4,4'-二鄰苯二甲酸二酐、磺醯基-4,4'-二鄰苯二甲酸二酐、1,3-雙(3,4-二羧基苯基)苯二酐、1,3-雙(3,4-二羧基苯氧基)苯二酐、1,4-雙(3,4-二羧基苯氧基)苯二酐、1,3-雙[2-(3,4-二羧基苯基)-2-丙基]苯二酐、1,4-雙[2-(3,4-二羧基苯基)-2-丙基]苯二酐、雙[3-(3,4-二羧基苯氧基)苯基]甲烷二酐、雙[4-(3,4-二羧基苯氧基)苯基]甲烷二酐、2,2-雙[3-(3,4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐、2,2-雙[4-(3,4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐、雙(3,4-二羧基苯氧基)二甲基矽烷二酐、雙(3,4-二羧基苯氧基)二甲基矽烷二酐、1,3-雙(3,4-二羧基苯基)-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷二酐、4,4'-聯苯雙(偏苯三甲酸單酯酸酐)、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)丙烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)醚二酐、雙(3,4-二羧基苯基)碸二酐、1,1-雙(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐、雙(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷二酐、1,3-雙[(3,4-二羧基)苯甲醯基]苯二酐、1,4-雙[(3,4-二羧基)苯甲醯基]苯二酐、2,2-雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}丙烷二酐、2,2-雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}丙烷二酐、雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}酮二酐、雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}酮二酐、4,4'-雙[4-(1,2-二羧基)苯氧基]聯苯二酐、4,4'-雙[3-(1,2-二羧基)苯氧基]聯苯二酐、雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}酮二酐、雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}酮二酐、雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}碸二酐、雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}碸二酐、雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}硫醚二酐、雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}硫醚二酐、2,2-雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷二酐、2,2-雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}-1,1,1,3,3,3-丙烷二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、1,2,3,4-苯四羧酸二酐、3,4,9,10-苝四羧酸二酐、2,3,6,7-蒽四羧酸二酐、1,2,7,8-菲四羧酸二酐、4,4'-(六氟亞異丙基)二鄰苯二甲酸酐、5-(2,5-二側氧四氫-3-呋喃基)-3-甲基-環己烯-1,2二羧酸酐、均苯四甲酸二酐。

脂肪族四羧酸二酐有環式或非環式脂肪族四羧酸二酐，作為環式脂肪族四羧酸二酐，例如可例舉1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、1,2,3,4-環戊烷四羧酸二酐、環己烷-1,2,3,4-四羧酸二酐、1,2,4,5-環己烷四羧酸二酐、1,1'-雙環己烷-3,3',4,4'-四羧酸-3,4,3',4'-二酐、羰基-4,4'-雙(環己烷-1,2-二羧酸)二酐、1,2-伸乙基-4,4'-雙(環己烷-1,2-二羧酸)二酐、1,1-亞乙基-4,4'-雙(環己烷-1,2-二羧酸)二酐、2,2-亞丙基-4,4'-雙(環己烷-1,2-二羧酸)二酐、氧基-4,4'-雙(環己烷-1,2-二羧酸)二酐、硫基-4,4'-雙(環己烷-1,2-二羧酸)二酐、磺醯基-4,4'-雙(環己烷-1,2-二羧酸)二酐、雙環[2,2,2]辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐、rel-[1S,5R,6R]-3-氧雜雙環[3,2,1]辛烷-2,4-二酮-6-螺-3'-(四氫呋喃-2',5'-二酮)、4-(2,5-二側氧四氫呋喃-3-基)-1,2,3,4-四氫化萘-1,2-二羧酸酐、乙二醇-雙-(3,4-二羧酸酐苯基)醚等，作為非環式脂肪族四羧酸二酐，可例舉伸乙基四羧酸二酐、1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐、1,2,3,4-戊烷四羧酸二酐等。

作為芳香族二胺，例如可例舉：對苯二胺、間苯二胺、鄰苯二胺、2,4-二胺基甲苯、3,3'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、3,3'-二乙基-4,4'-二胺基聯苯、2,2'-二氯-4,4'-二胺基-5,5'-二甲氧基聯苯、2,2',5,5'-四氯-4,4'-二胺基聯苯、3,7-二胺基-二甲基二苯并噻吩-5,5-二氧化物、4,4'-雙(4-胺基苯基)硫醚、1,3-雙[2-(4-胺基苯氧基乙氧基)]乙烷、9,9-雙(4-胺基苯基)茀、9,9-雙(4-胺基苯氧基苯基)茀、5(6)-胺基-1-(4-胺基甲基)-1,3,3-三甲基茚滿、2,5-雙(4-胺基苯氧基)聯苯、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基苯基)]丙烷、2,2-雙(4-胺基苯氧基苯基)六氟丙烷、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]六氟丙烷、4,4'-亞甲基-雙(2-氯苯胺)、9,10-雙(4-胺基苯基)蒽、聯鄰甲苯胺碸、3,3'-二胺基二苯醚、3,4'-二胺基二苯醚、4,4'-二胺基二苯醚、3,3'-二胺基二苯硫醚、3,4'-二胺基二苯硫醚、4,4'-二胺基二苯硫醚、3,3'-二胺基二苯基碸、3,4'-二胺基二苯基碸、4,4'-二胺基二苯基碸、3,3'-二胺基二苯甲酮、4,4'-二胺基二苯甲酮、3,4'-二胺基二苯甲酮、3,3'-二胺基二苯甲烷、4,4'-二胺基二苯甲烷、3,4'-二胺基二苯甲烷、2,2-二(3-胺基苯基)丙烷、2,2-二(4-胺基苯基)丙烷、2-(3-胺基苯基)-2-(4-胺基苯基)丙烷、1,1-二(3-胺基苯基)-1-苯乙烷、1,1-二(4-胺基苯基)-1-苯乙烷、1-(3-胺基苯基)-1-(4-胺基苯基)-1-苯乙烷、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(3-胺基苯甲醯基)苯、1,3-雙(4-胺基苯甲醯基)苯、1,4-雙(3-胺基苯甲醯基)苯、1,4-雙(4-胺基苯甲醯基)苯、1,3-雙(3-胺基-α,α-二甲基苄基)苯、1,3-雙(4-胺基-α,α-二甲基苄基)苯、1,4-雙(3-胺基-α,α-二甲基苄基)苯、1,4-雙(4-胺基-α,α-二甲基苄基)苯、2,6-雙(3-胺基苯氧基)苯甲腈、2,6-雙(3-胺基苯氧基)吡啶、4,4'-雙(3-胺基苯氧基)聯苯、4,4'-雙(4-胺基苯氧基)聯苯、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]酮、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]酮、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]硫醚、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]硫醚、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]碸、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]碸、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]醚、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]醚、2,2-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、1,3-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯甲醯基]苯、1,3-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯甲醯基]苯、1,4-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯甲醯基]苯、1,4-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯甲醯基]苯、1,3-雙[4-(3-胺基苯氧基)-α,α-二甲基苄基]苯、1,3-雙[4-(4-胺基苯氧基)-α,α-二甲基苄基]苯、1,4-雙[4-(3-胺基苯氧基)-α,α-二甲基苄基]苯、1,4-雙[4-(4-胺基苯氧基)-α,α-二甲基苄基]苯、4,4'-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯甲醯基]二苯醚、4,4'-雙[4-(4-胺基-α,α-二甲基苄基)苯氧基]二苯甲酮、4,4'-雙[4-(4-胺基-α,α-二甲基苄基)苯氧基]二苯基碸、4,4'-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯氧基]二苯基碸、3,3'-二胺基-4,4'-二苯氧基二苯甲酮、3,3'-二胺基-4,4'-二聯苯氧基二苯甲酮、3,3'-二胺基-4-苯氧基二苯甲酮、3,3'-二胺基-4-聯苯氧基二苯甲酮、6,6'-雙(3-胺基苯氧基)-3,3,3',3'-四甲基-1,1'-螺二茚滿、6,6'-雙(4-胺基苯氧基)-3,3,3',3'-四甲基-1,1'-螺二茚滿、1,4-二胺基-2-氟苯、1,4-二胺基-2,3-二氟苯、1,4-二胺基-2,5-二氟苯、1,4-二胺基-2,6-二氟苯、1,4-二胺基-2,3,5-三氟苯、1,4-二胺基-2,3,5,6-四氟苯、1,4-二胺基-2-(三氟甲基)苯、1,4-二胺基-2,3-雙(三氟甲基)苯、1,4-二胺基-2,5-雙(三氟甲基)苯、1,4-二胺基-2,6-雙(三氟甲基)苯、1,4-二胺基-2,3,5-三(三氟甲基)苯、1,4-二胺基、2,3,5,6-四(三氟甲基)苯、2,2'-二甲基聯苯胺、2-氟聯苯胺、3-氟聯苯胺、2,3-二氟聯苯胺、2,5-二氟聯苯胺、2,6-二氟聯苯胺、2,3,5-三氟聯苯胺、2,3,6-三氟聯苯胺、2,3,5,6-四氟聯苯胺、2,2'-二氟聯苯胺、3,3'-二氟聯苯胺、2,3'-二氟聯苯胺、2,2',3-三氟聯苯胺、2,3,3'-三氟聯苯胺、2,2',5-三氟聯苯胺、2,2',6-三氟聯苯胺、2,3',5-三氟聯苯胺、2,3',6,-三氟聯苯胺、2,2',3,3'-四氟聯苯胺、2,2',5,5'-四氟聯苯胺、2,2',6,6'-四氟聯苯胺、2,2',3,3',6,6'-六氟聯苯胺、2,2',3,3',5,5',6,6'-八氟聯苯胺、2-(三氟甲基)聯苯胺、3-(三氟甲基)聯苯胺、2,3-雙(三氟甲基)聯苯胺、2,5-雙(三氟甲基)聯苯胺、2,6-雙(三氟甲基)聯苯胺、2,3,5-三(三氟甲基)聯苯胺、2,3,6-三(三氟甲基)聯苯胺、2,3,5,6-四(三氟甲基)聯苯胺、2,2'-雙(三氟甲基)聯苯胺、3,3'-雙(三氟甲基)聯苯胺、2,3'-雙(三氟甲基)聯苯胺、2,2',3-雙(三氟甲基)聯苯胺、2,3,3'-三(三氟甲基)聯苯胺、2,2',5-三(三氟甲基)聯苯胺、2,2',6-三(三氟甲基)聯苯胺、2,3',5-三(三氟甲基)聯苯胺、2,3',6,-三(三氟甲基)聯苯胺、2,2',3,3'-四(三氟甲基)聯苯胺、2,2',5,5'-四(三氟甲基)聯苯胺、2,2',6,6'-四(三氟甲基)聯苯胺、1,4-二胺基苯、1,3-二胺基苯。

作為脂肪族二胺，例如可例舉：六亞甲基二胺、聚乙二醇雙(3-胺基丙基)醚、聚丙二醇雙(3-胺基丙基)醚、雙(胺基甲基)醚、雙(2-胺基乙基)醚、雙(3-胺基丙基)醚、雙[(2-胺基甲氧基)乙基]醚、雙[2-(2-胺基乙氧基)乙基]醚、雙[2-(3-胺基丙氧基)乙基]醚、1,2-雙(胺基甲氧基)乙烷、1,2-雙(2-胺基乙氧基)乙烷、1,2-雙[2-(胺基甲氧基)乙氧基]乙烷、1,2-雙[2-(2-胺基乙氧基)乙氧基]乙烷、乙二醇雙(3-胺基丙基)醚、二乙二醇雙(3-胺基丙基)醚、三乙二醇雙(3-胺基丙基)醚、乙二胺、1,3-二胺基丙烷、1,4-二胺基丁烷、1,5-二胺基戊烷、1,6-二胺基己烷、1,7-二胺基庚烷、1,8-二胺基辛烷、1,9-二胺基壬烷、1,10-二胺基癸烷、1,11-二胺基十一烷、1,12-二胺基十二烷、1,2-二胺基環己烷、1,3-二胺基環己烷、1,4-二胺基環己烷、反-1,4-二胺基環己烷、1,2-二(2-胺基乙基)環己烷、1,3-二(2-胺基乙基)環己烷、1,4-二(2-胺基乙基)環己烷、雙(4-胺基環己基)甲烷、2,6-雙(胺基甲基)雙環[2.2.1]庚烷、2,5-雙(胺基甲基)雙環[2.2.1]庚烷等非環式脂肪族二胺；4,4'-二胺基二環己基甲烷、4,4'-二胺基-3,3'-二甲基環己基甲烷、4,4'-二胺基-3,3',5,5'-四甲基環己基甲烷、1-胺基-3-胺基甲基-3,5,5-三甲基環己烷、2,2-雙(4,4'-二胺基環己基)丙烷、1,3-雙胺基甲基環己烷、1,4-雙胺基甲基環己烷、2,3-二胺基雙環[2.2.1]庚烷、2,5-二胺基雙環[2.2.1]庚烷、2,6-二胺基雙環[2.2.1]庚烷、2,7-二胺基雙環[2.2.1]庚烷、2,5-雙(胺基甲基)-雙環[2.2.1]庚烷、2,6-雙(胺基甲基)-雙環[2.2.1]庚烷、2,3-雙(胺基甲基)-雙環[2.2.1]庚烷、3(4),8(9)-雙(胺基甲基)-三環[5.2.1.02,6]癸烷、2,5-雙(胺基甲基)-雙環[2.2.1]庚烷、1,3-雙(3-胺基丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(4-胺基丁基)四甲基二矽氧烷、α,ω-雙(3-胺基丙基)聚二甲基矽氧烷、α,ω-雙(3-胺基丁基)聚二甲基矽氧烷、1,3-雙(胺基甲基)環己烷、1,4-雙(胺基甲基)環己烷、降𦯉烷二胺等環式脂肪族二胺；以及上述芳香族二胺之氫化物。

又，作為聚醯亞胺之具體例，可例舉包含源自四羧酸二酐之結構單元A及源自二胺之結構單元B之聚醯亞胺，且結構單元A包含源自下述式(a-1)所表示之化合物之結構單元(A-1)及源自下述式(a-2)所表示之化合物之結構單元(A-2)，結構單元B包含源自下述式(b-1)所表示之化合物之結構單元(B-1)及源自下述式(b-2)所表示之化合物之結構單元(B-2)。

[化1]

式(a-2)中，L為單鍵或二價連結基，式(b-2)中，R分別獨立地為氫原子、氟原子或甲基。

＜結構單元A＞ 結構單元A為源自四羧酸二酐之結構單元，包含源自式(a-1)所表示之化合物之結構單元(A-1)及源自式(a-2)所表示之化合物之結構單元(A-2)。

式(a-1)所表示之化合物為降𦯉烷-2-螺-α-環戊酮-α'-螺-2''-降𦯉烷-5,5'',6,6''-四羧酸二酐。

於式(a-2)中，L為單鍵或二價連結基。二價連結基較佳為經取代或未經取代之伸烷基，更佳為-CR ₁R ₂-(此處，R ₁及R ₂分別獨立地為氫原子或者經取代或未經取代之烷基，或R ₁及R ₂彼此鍵結而形成環)。

L較佳為選自由單鍵、下述式(L-1)所表示之基及下述式(L-2)所表示之基所組成之群。

[化2]

式(L-1)及式(L-2)中，*為鍵結鍵。

結構單元(A-2)較佳為選自由源自下述式(a-2-1)所表示之化合物之結構單元(A-2-1)、源自下述式(a-2-2)所表示之化合物之結構單元(A-2-2)及源自下述式(a-2-3)所表示之化合物之結構單元(A-2-3)所組成之群中之至少一者，更佳為選自由結構單元(A-2-1)及結構單元(A-2-2)所組成之群中之至少一者。

[化3]

式(a-2-1)所表示之化合物為聯苯四羧酸二酐，作為其具體例，可例舉：3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、2,3,3',4'-聯苯四羧酸二酐、2,2',3,3'-聯苯四羧酸二酐。

式(a-2-2)所表示之化合物為9,9'-雙(3,4-二羧基苯基)茀二酐。

式(a-2-3)所表示之化合物為4,4'-(六氟亞異丙基)二鄰苯二甲酸酐。

結構單元A中之結構單元(A-1)之含量較佳為50莫耳%以上，更佳為55莫耳%以上，進而較佳為60莫耳%以上，特佳為75莫耳%以上。結構單元A中之結構單元(A-1)之含量較佳為95莫耳%以下。

結構單元A中之結構單元(A-2)之含量較佳為50莫耳%以下，更佳為45莫耳%以下，進而較佳為40莫耳%以下，特佳為25莫耳%以下。結構單元A中之結構單元(A-2)之含量之下限較佳為5莫耳%以上。

結構單元A中之結構單元(A-1)與結構單元(A-2)之合計含量較佳為55莫耳%以上，更佳為60莫耳%以上，進而較佳為65莫耳%以上，特佳為80莫耳%以上。結構單元(A-1)與結構單元(A-2)之合計含量之上限值並無特別限定，即為100莫耳%以下。結構單元A可僅由結構單元(A-1)及結構單元(A-2)構成。

結構單元A亦可包含除結構單元(A-1)及(A-2)以外之結構單元。 形成此種結構單元之四羧酸二酐並無特別限定，可例舉：均苯四甲酸二酐等芳香族四羧酸二酐(其中，式(a-2)所表示之化合物除外)；1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐及1,2,4,5-環己烷四羧酸二酐等脂環式四羧酸二酐(其中，式(a-1)所表示之化合物除外)；以及1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐等脂肪族四羧酸二酐。

再者，芳香族四羧酸二酐意指包含1個以上芳香環之四羧酸二酐，脂環式四羧酸二酐意指包含1個以上脂環且不含芳香環之四羧酸二酐，脂肪族四羧酸二酐意指既不含芳香環亦不含脂環之四羧酸二酐。

結構單元A中任意包含之結構單元(即除結構單元(A-1)及(A-2)以外之結構單元)可為一種，亦可為兩種以上。

＜結構單元B＞ 結構單元B為源自二胺之結構單元，且包含源自式(b-1)所表示之化合物之結構單元(B-1)及源自式(b-2)所表示之化合物之結構單元(B-2)。藉由結構單元(B-1)，機械特性及尺寸穩定性提昇，藉由結構單元(B-2)，耐熱性提昇。

式(b-1)所表示之化合物為2,2'-雙(三氟甲基)聯苯胺。 於式(b-2)中，R分別獨立地選自由氫原子、氟原子及甲基所組成之群，較佳為氫原子。作為式(b-2)所表示之化合物，可例舉9,9-雙(4-胺基苯基)茀、9,9-雙(3-氟-4-胺基苯基)茀及9,9-雙(3-甲基-4-胺基苯基)茀等，較佳為9,9-雙(4-胺基苯基)茀。

結構單元B中之結構單元(B-1)之含量較佳為20莫耳%以上，更佳為45莫耳%以上，進而較佳為50莫耳%以上。結構單元B中之結構單元(B-1)之含量較佳為90莫耳%以下，更佳為85莫耳%以下，進而較佳為80莫耳%以下。

結構單元B中之結構單元(B-2)之含量較佳為10莫耳%以上，更佳為15莫耳%以上，進而較佳為20莫耳%以上。結構單元B中之結構單元(B-2)之含量較佳為80莫耳%以下，更佳為55莫耳%以下，進而較佳為50莫耳%以下。

結構單元B中之結構單元(B-1)與結構單元(B-2)之合計含量較佳為30莫耳%以上，更佳為60莫耳%以上，進而較佳為70%以上。結構單元(B-1)與結構單元(B-2)之合計含量之上限值並無特別限定，即為100莫耳%以下。結構單元B可僅由結構單元(B-1)及結構單元(B-2)構成。

結構單元B亦可包含除結構單元(B-1)及(B-2)以外之結構單元。形成此種結構單元之二胺並無特別限定，但可例舉上述芳香族二胺(其中，式(b-1)所表示之化合物及式(b-2)所表示之化合物除外)、上述脂環式二胺及上述脂肪族二胺。

結構單元B中任意包含之結構單元、即除結構單元(B-1)及(B-2)以外之結構單元可為一種，亦可為兩種以上。

又，由於9-雙(4-胺基苯基)茀、9,9-雙(4-胺基苯氧基苯基)茀之茀骨架具有負固有雙折射，故而為了調整聚醯亞胺膜之延遲，聚醯亞胺可具有源自該等之結構單元。

又，2,2'-雙(三氟甲基)聯苯胺、3,3'-雙(三氟甲基)-4,4'-二胺基聯苯、2,2'-雙[3(3-胺基苯氧基)苯基]六氟丙烷、2,2'-雙[4(4-胺基苯氧基)苯基]六氟丙烷、2,2'-雙(3-胺基苯基)六氟丙烷、2,2'-雙(4-胺基苯基)六氟丙烷可藉由導入氟原子之體積較大之位阻而抑制聚醯亞胺分子間之電荷轉移錯合物之形成。因此，為了降低聚醯亞胺膜之黃色指數(YI)，聚醯亞胺可具有源自該等之重複單元。

聚醯亞胺之前驅物意指作為醯亞胺化之前之狀態之聚醯胺酸(所謂之聚醯胺酸及/或聚醯胺酸酯)。

作為聚醯亞胺之前驅物之具體例，可例舉：包含相對於總結構單元為50莫耳%以上之下述式(1A)所表示之結構單元之聚醯亞胺前驅物、包含相對於總結構單元為50莫耳%以上之下述式(1A)所表示之結構單元及下述式(2A)所表示之結構單元之聚醯亞胺前驅物。

[化4]

式中，R ₁、R ₂分別獨立地為氫原子、碳數1～6之烷基或碳數3～9之烷基矽烷基。

[化5]

式中，R ₃、R ₄分別獨立地為氫原子、碳數1～6之烷基或碳數3～9之烷基矽烷基。

作為聚醯亞胺之前驅物之具體例，可例舉：包含相對於總結構單元較佳為90莫耳%以上、更佳為95莫耳%以上之下述式(3A)所表示之結構單元之聚醯亞胺之前驅物；包含相對於總結構單元較佳為90莫耳%以上、更佳為95莫耳%以上之下述式(3A)所表示之結構單元及下述式(4A)所表示之結構單元之聚醯亞胺之前驅物。

[化6]

式中，A ₁為具有芳香族環之二價基，R ₅、R ₆分別獨立地為氫原子、碳數1～6之烷基或碳數3～9之烷基矽烷基。

[化7]

式中，A ₂為具有芳香族環之二價基，R ₇、R ₈分別獨立地為氫原子、碳數1～6之烷基或碳數3～9之烷基矽烷基。

式(1A)所表示之結構單元係A ₁為下述式(D-1)所表示之基之式(3A)所表示之結構單元。 式(2A)所表示之結構單元係A ₂為下述式(D-1)所表示之基之式(4A)所表示之結構單元。

[化8]

作為除式(D-1)所表示之基以外之式(3A)中之A ₁及式(4A)中之A ₂，較佳為碳數為6～40之具有芳香族環之二價基，更佳為下述式(A-1)所表示之基。

[化9]

式中，m、n分別獨立地表示0～3。Y ₁、Y ₂、Y ₃分別獨立地表示選自由氫原子、甲基及三氟甲基所組成之群中之一種，Q、R分別獨立地表示選自由直接鍵、或式-NHCO-、-CONH-、-COO-及-OCO-所表示之基所組成之群中之一種。

作為提供式(1A)所表示之結構單元及上述式(3A)所表示之結構單元的四羧酸成分，有1,2,3,4-環丁烷四羧酸類等。作為四羧酸類，可例舉四羧酸、及四羧酸二酐、四羧酸矽烷酯、四羧酸酯、四羧醯氯等四羧酸衍生物。

作為提供式(2A)所表示之結構單元之四羧酸成分，可例舉：反-內型-內型-降𦯉烷-2-螺-α-環戊酮-α'-螺-2''-降𦯉烷-5,5'',6,6''-四羧酸類、順-內型-內型-降𦯉烷-2-螺-α-環戊酮-α'-螺-2''-降𦯉烷-5,5'',6,6''-四羧酸類等降𦯉烷-2-螺-α-環戊酮-α'-螺-2''-降𦯉烷-5,5'',6,6''-四羧酸類。

作為提供式(1A)所表示之結構單元及式(2A)所表示之結構單元的二胺成分，例如有2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯(間聯甲苯胺)。

提供A ₁為式(A-1)所表示之基的式(3A)之結構單元及A ₂為式(A-1)所表示之基的式(4A)之結構單元之二胺成分具有芳香環，於具有複數個芳香環之情形時，芳香環彼此分別獨立地以直接鍵、醯胺鍵或酯鍵相連結。芳香環彼此之連結位置並無特別限定，但藉由於4位與胺基或芳香環彼此之連結基鍵結而成為直線結構，所獲得之聚醯亞胺有時具有低線熱膨脹。又，芳香環上甲基或三氟甲基亦可被取代。再者，取代位置並無特別限定。

作為提供A ₁為式(A-1)所表示之基的式(3A)之結構單元及A ₂為式(A-1)所表示之基的式(4A)之結構單元之二胺成分，可例舉：對苯二胺、間苯二胺、鄰苯二胺、聯苯胺、3,3'-二胺基-聯苯、2,2'-雙(三氟甲基)聯苯胺、3,3'-雙(三氟甲基)聯苯胺、4,4'-二胺基苯甲醯苯胺、3,4'-二胺基苯甲醯苯胺、N,N'-雙(4-胺基苯基)對苯二甲醯胺、N,N'-對伸苯基雙(對胺基苯甲醯胺)、4-胺基苯氧基-4-二胺基苯甲酸酯、雙(4-胺基苯基)對苯二甲酸酯、聯苯-4,4'-二羧酸雙(4-胺基苯基)酯、對伸苯基雙(對胺基苯甲酸酯)、雙(4-胺基苯基)-[1,1'-聯苯]-4,4'-二羧酸酯、[1,1'-聯苯]-4,4'-二基雙(4-胺基苯甲酸酯)等。

提供式(3A)或式(4A)之結構單元之二胺成分可使用除提供A ₁或A ₂為式(D-1)或式(A-1)之結構者之二胺成分以外的其他芳香族二胺類。

作為其他二胺成分，例如可例舉4,4'-氧二苯胺、3,4'-氧二苯胺、3,3'-氧二苯胺、對亞甲基雙(苯二胺)、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、4,4'-雙(4-胺基苯氧基)聯苯、4,4'-雙(3-胺基苯氧基)聯苯、2,2-雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)六氟丙烷、2,2-雙(4-胺基苯基)六氟丙烷、雙(4-胺基苯基)碸、3,3'-雙(三氟甲基)聯苯胺、3,3'-雙((胺基苯氧基)苯基)丙烷、2,2'-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷、雙(4-(4-胺基苯氧基)二苯基)碸、雙(4-(3-胺基苯氧基)二苯基)碸、八氟聯苯胺、3,3'-二甲氧基-4,4'-二胺基聯苯、3,3'-二氯-4,4'-二胺基聯苯、3,3'-二氟-4,4'-二胺基聯苯、6,6'-雙(3-胺基苯氧基)-3,3,3',3'-四甲基-1,1'-螺二茚滿、6,6'-雙(4-胺基苯氧基)-3,3,3',3'-四甲基-1,1'-螺二茚滿等或該等之衍生物，可例舉由包含1,2,3,4-環丁烷四羧酸類等之四羧酸成分、或包含1,2,3,4-環丁烷四羧酸類等及降𦯉烷-2-螺-α-環戊酮-α'-螺-2''-降𦯉烷-5,5'',6,6''-四羧酸類等之四羧酸成分、以及包含2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯(聯間甲苯胺)之二胺成分所獲得之聚醯亞胺前驅物。

溶劑為溶解聚醯亞胺或其前驅物之溶劑即可，例如可例舉：酚系溶劑(例如間甲酚)、醯胺系溶劑(例如N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺)、內酯系溶劑(例如γ-丁內酯、δ-戊內酯、ε-己內酯、γ-巴豆醯內酯、γ-己內酯、α-甲基-γ-丁內酯、γ-戊內酯、α-乙醯基-γ-丁內酯、δ-己內酯)、亞碸系溶劑(例如N,N-二甲基亞碸)、酮系溶劑(例如丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮)、酯系溶劑(例如乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、碳酸二甲酯)。

聚醯亞胺清漆較佳為包含5～40質量%之聚醯亞胺樹脂或其前驅物，更佳為包含10～30質量%之聚醯亞胺樹脂或其前驅物。聚醯亞胺清漆之黏度較佳為1～200 Pa･s，更佳為5～150 Pa･s。

(程序) 於積層基板10之聚矽氧樹脂層14側塗佈聚醯亞胺清漆之方法並無特別限制，可例舉公知之方法。例如可例舉：狹縫式塗佈法、淋幕式塗佈法、噴塗法、模嘴塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬塗佈法、輥塗法、棒式塗佈法、網版印刷法、凹版塗佈法。

塗佈後，視需要可實施加熱處理(固化步驟)。 關於加熱處理之條件，溫度條件較佳為50～500℃，更佳為50～450℃。加熱時間較佳為10～300分鐘，更佳為20～200分鐘。 又，加熱處理可進行複數次。於實施複數次加熱處理之情形時，各者之加熱條件可變更。

又，為了使顆粒或凸部平坦化，可對形成後之聚醯亞胺膜之表面進行研磨。

可於塗佈聚醯亞胺清漆之前利用鹼性洗劑洗淨積層基板。又，利用鹼性洗劑進行洗淨後，視需要可利用純水進行沖洗。進而，利用純水進行沖洗後，視需要可利用氣刀甩掉水。氣刀處理後，可進行加熱乾燥。因與毛刷接觸有損傷聚矽氧樹脂層表面之虞，故而較佳為洗淨時不接觸毛刷而進行洗淨。

塗佈聚醯亞胺清漆前之積層基板可以與玻璃基材相同之方式檢查表面品質。

(積層體) 如圖2所示，積層體16具有玻璃基材12、聚矽氧樹脂層14及聚醯亞胺膜18。 玻璃基材12及聚矽氧樹脂層14之構成如上所述。

聚醯亞胺膜18配置於聚矽氧樹脂層14上。

聚醯亞胺膜18之膜厚之平均值較佳為1 μm以上，更佳為5 μm以上。就柔軟性之方面而言，較佳為1 mm以下，更佳為0.2 mm以下。

聚醯亞胺膜18之膜厚之偏差較佳為0.5 μm以下，更佳為0.2 μm以下。作為下限，可例舉0 μm。

聚醯亞胺膜18可為單膜，亦可為2層以上之多層膜。

為了於聚醯亞胺膜18上形成電子裝置之高精細配線等，聚醯亞胺膜18之表面較佳為平滑。具體而言，聚醯亞胺膜18之表面粗糙度Ra之平均值較佳為50 nm以下，更佳為30 nm以下，進而較佳為10 nm以下。作為下限，可例舉0 nm。

為了可抑制加熱後或冷卻後之積層體16之翹曲，聚醯亞胺膜18之熱膨脹係數與玻璃基材12之熱膨脹係數差較佳為較小。具體而言，聚醯亞胺膜18與玻璃基材12之熱膨脹係數之差較佳為0～90×10 ^-6/℃，更佳為0～30×10 ^-6/℃。

聚醯亞胺膜18之面積並無特別限制，但就電子裝置之生產性之方面而言，較佳為300 cm ²以上。

聚醯亞胺膜18之黃色指數(YI)較佳為較小。聚醯亞胺膜18之YI較佳為10.0以下，更佳為5.0以下，進而較佳為3.5以下，特佳為1.5以下。作為下限，可例舉0。 YI依據JIS K7361-1來測定。

聚醯亞胺膜18之可見光區域之透光率較佳為80%以上。作為上限，可例舉未達100%。

積層體可於聚醯亞胺膜18上具有阻氣膜。於聚醯亞胺膜18為積層膜之情形時，可於2個以上之層之間具有阻氣膜。

阻氣膜例如為氧化矽膜、氮化矽膜等無機材料膜。又，阻氣膜可為積層有熱塑性樹脂或有機矽化合物等有機材料層及矽氧化物或矽氮化物等無機材料層之多層膜。成膜方法並無特別限制，可例舉公知之方法。例如可例舉電漿CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)、濺鍍等方法。

積層體16可用於各種用途，例如可例舉製造下述顯示裝置用面板、PV、薄膜二次電池、表面形成有電路之半導體晶圓、接收感測器面板等電子零件之用途。於該等用途中，亦存在積層體在高溫條件(例如450℃以上)下暴露於大氣氛圍下(例如20分鐘以上)之情況。

顯示裝置用面板包括LCD、OLED、電子紙、電漿顯示面板、場發射面板、量子點LED面板、微型LED顯示面板、MEMS(microelectromechanical system，微機電系統)快門面板等。

接收感測器面板包括電磁波接收感測器面板、X射線受光感測器面板、紫外線受光感測器面板、可見光線受光感測器面板、紅外線受光感測器面板等。接收感測器面板所使用之基板可藉由樹脂等之補強片等來補強。

＜電子裝置之製造方法＞ 使用積層體，製造包含聚醯亞胺膜及下述電子裝置用構件之電子裝置。

例如，如圖3及4所示，電子裝置之製造方法包括：構件形成步驟，其係於積層體16之聚醯亞胺膜18之與聚矽氧樹脂層14側為相反側之表面上形成電子裝置用構件20，獲得附電子裝置用構件之積層體22；及分離步驟，其係自附電子裝置用構件之積層體22獲得具有聚醯亞胺膜18及電子裝置用構件20之電子裝置24。

以下，將形成電子裝置用構件20之步驟稱為「構件形成步驟」，將分離為電子裝置24及附聚矽氧樹脂層之玻璃基材26之步驟稱為「分離步驟」。 以下，對各步驟所使用之材料及程序進行詳述。

(構件形成步驟) 構件形成步驟係於積層體16之聚醯亞胺膜18上形成電子裝置用構件之步驟。更具體而言，如圖3所示，於聚醯亞胺膜18之與聚矽氧樹脂層14側為相反側之表面上形成電子裝置用構件20，獲得附電子裝置用構件之積層體22。附電子裝置用構件之積層體22具有積層體16及配置於積層體16中之聚醯亞胺膜18上之電子裝置用構件20。 首先，對本步驟所使用之電子裝置用構件20進行詳述，其後，對步驟之程序進行詳述。

(電子裝置用構件) 電子裝置用構件20係構成電子裝置之至少一部分之構件，該電子裝置形成於積層體16之聚醯亞胺膜18上。

更具體而言，作為電子裝置用構件20，可例舉顯示裝置用面板、太陽電池、薄膜二次電池、或表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件、接收感測器面板等所使用之構件(例如LTPS(Low Temperature Poly Silicon，低溫多晶矽)等顯示裝置用構件、太陽電池用構件、薄膜二次電池用構件、電子零件用電路、接收感測器用構件)，例如可例舉美國專利申請公開第2018/0178492號說明書之段落[0192]中所記載之太陽電池用構件、該說明書之段落[0193]中所記載之薄膜二次電池用構件、該說明書之段落[0194]中所記載之電子零件用電路。

(步驟之程序) 上述附電子裝置用構件之積層體22之製造方法並無特別限制，根據電子裝置用構件之構成構件之種類，利用先前公知之方法，於積層體16之聚醯亞胺膜18上形成電子裝置用構件20。

電子裝置用構件20可不為最終形成於聚醯亞胺膜18之構件之全部(以下，稱為「全部構件」)而為全部構件之一部分(以下，稱為「部分構件」)。自聚矽氧樹脂層14剝離之附部分構件之基板在其後之步驟中亦可製成附全部構件之基板(相當於下述電子裝置)。

對於自聚矽氧樹脂層14剝離之附全部構件之基板，可於該剝離面形成其他電子裝置用構件。進而，亦可使2個附電子裝置用構件之積層體22之電子裝置用構件20彼此相對向，將兩者貼合而組裝附全部構件之積層體，其後，自附全部構件之積層體剝離2個附聚矽氧樹脂層之玻璃基材，從而製造電子裝置。

例如，以製造OLED之情況為例，為了於積層體16之聚醯亞胺膜18之與聚矽氧樹脂層14側為相反側之表面上形成有機EL構造體，可進行如下之各種層形成或處理：形成透明電極；進而於形成有透明電極之面上蒸鍍電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層等；形成背面電極；使用密封板進行密封等。作為該等層形成或處理，具體而言，例如可例舉成膜處理、蒸鍍處理、密封板之接著處理等。

(分離步驟) 如圖4所示，分離步驟係如下步驟，即，由上述構件形成步驟中所獲得之附電子裝置用構件之積層體22，以聚矽氧樹脂層14與聚醯亞胺膜18之界面為剝離面，分離為積層有電子裝置用構件20之聚醯亞胺膜18、與附聚矽氧樹脂層之玻璃基材26，從而獲得包含電子裝置用構件20及聚醯亞胺膜18之電子裝置24。

於所剝離之聚醯亞胺膜18上之電子裝置用構件20為形成所需之全部構成構件之一部分之情形時，亦可在分離後於聚醯亞胺膜18上形成剩餘構成構件。

將聚醯亞胺膜18與聚矽氧樹脂層14剝離之方法並無特別限制。例如，可向聚醯亞胺膜18與玻璃基材12之界面處插入鋒利之刀狀物，賦予剝離起點後，吹送水與壓縮空氣之混合流體而進行剝離。又，可使用雷射剝離法。

作為將聚醯亞胺膜18與聚矽氧樹脂層14剝離之方法，較佳為將附電子裝置用構件之積層體22以玻璃基材12成為上側、電子裝置用構件20側成為下側之方式設置於壓盤上，將電子裝置用構件20側真空吸附於壓盤上，於該狀態下，首先使刀狀物侵入至聚醯亞胺膜18與玻璃基材12之界面，其後，利用複數個真空吸附墊吸附玻璃基材12側，自插入有刀狀物之部位附近依序使真空吸附墊上升。如此，可容易地將附聚矽氧樹脂層之玻璃基材26剝離。

又，將聚醯亞胺膜18與聚矽氧樹脂層14剝離時，於針對複數個單元逐個製作電子裝置用構件20之情形時，逐個單元地切割具有聚醯亞胺膜18及電子裝置用構件20之電子裝置24後，對於經切割單元逐個將聚醯亞胺膜18與聚矽氧樹脂層14之間剝離。作為逐個單元地進行切割之方法，可例舉：利用雷射光束進行切割之方法、利用切割機等切割加工機械進行切割之方法。

自附電子裝置用構件之積層體22將電子裝置24分離時，藉由控制基於離子化器之吹送或濕度，可進一步抑制聚矽氧樹脂層14之碎片靜電吸附於電子裝置24。

上述電子裝置之製造方法例如適用於美國專利申請公開第2018/0178492號說明書之段落[0210]中所記載之顯示裝置之製造，作為電子裝置24，例如可例舉該說明書之段落[0211]中所記載者。

又，可在實施上述分離步驟之前，切割並去除積層體之未配置電子裝置用構件之區域。

可於分離出之電子裝置24之電子裝置用構件20之與聚醯亞胺膜18側為相反側之表面貼合保護膜。

又，可於分離出之電子裝置24之聚醯亞胺膜18之與電子裝置用構件20側為相反側之表面貼合保護膜。再者，在將保護膜貼合於聚醯亞胺膜18之前，視需要可對聚醯亞胺膜18之表面實施表面處理。作為表面處理，例如可例舉電暈處理、大氣壓電漿處理、UV臭氧處理、準分子UV處理。表面處理後之聚醯亞胺膜18之表面之水接觸角較佳為10度以下，更佳為5度以下。

自附電子裝置用構件之積層體22所分離之附聚矽氧樹脂層之玻璃基材26可作為玻璃原料重複利用。

又，對分離出之附聚矽氧樹脂層之玻璃基材26之聚矽氧樹脂層14之表面進行洗淨，進而進行表面改質，藉此可再次用作用於形成聚醯亞胺膜之積層基板。

又，可將分離出之附聚矽氧樹脂層之玻璃基材26之聚矽氧樹脂層14去除，而作為玻璃基材再次利用。作為聚矽氧樹脂層之去除方法，可例舉：使聚矽氧樹脂層溶解於溶劑之方法、機械性研削或研磨聚矽氧樹脂層之方法。 [實施例]

以下，藉由實施例等對本發明進行具體說明，但本發明不限於該等例。 以下，玻璃基材使用包含無鹼硼矽酸玻璃之玻璃基材(線膨脹係數為38×10 ^-7/℃，AGC股份有限公司製造，商品名為「AN100」)。 以下，例1～例4、例9、例10為實施例，例5～例8、例11～例15為比較例。

(硬化性聚矽氧1之製備) 向1 L之燒瓶中添加三乙氧基甲基矽烷(179 g)、甲苯(300 g)、乙酸(5 g)，將混合物於25℃下攪拌20分鐘後，進而加熱至60℃而反應12小時。將所獲得之反應粗液冷卻至25℃後，使用水(300 g)將反應粗液洗淨3次。向經洗淨之反應粗液中添加氯化三甲基矽烷(70 g)，將混合物於25℃下攪拌20分鐘後，進而加熱至50℃而反應12小時。將所獲得之反應粗液冷卻至25℃後，使用水(300 g)將反應粗液洗淨3次。

自經洗淨之反應粗液中減壓蒸餾去除甲苯，成為漿料狀態後，利用真空乾燥機乾燥一整夜，藉此獲得作為白色有機聚矽氧烷化合物之硬化性聚矽氧1。硬化性聚矽氧1中，T單元之個數：M單元之個數＝87：13(莫耳比)。硬化性聚矽氧1中，M單元、T單元之莫耳比為13：87，有機基全部為甲基，平均OX基數為0.02。平均OX基數係表示1個Si原子上平均鍵結有幾個OX基(X為氫原子或烴基)之數值。再者，M單元意指(R) ₃SiO _1/2所表示之單官能有機矽烷氧基單元。T單元意指RSiO _3/2(R表示氫原子或有機基)所表示之三官能有機矽烷氧基單元。

(硬化性組合物1之製備) 將硬化性聚矽氧(20 g)、作為金屬化合物之辛酸鋯化合物(「Orgatix ZC-200」，Matsumoto Fine Chemical股份有限公司製造)(0.16 g)、2-乙基己酸鈰(III)(Alfa Aesar公司製造，金屬含有率為12%)(0.17 g)、作為溶劑之Isoper G(東燃通用石油股份有限公司製造)(19.7 g)加以混合，利用孔徑0.45 μm之過濾器過濾所獲得之混合液，藉此獲得硬化性組合物1。

(硬化性聚矽氧2之製備) 藉由將有機氫化矽氧烷與含有烯基之矽氧烷加以混合，而獲得硬化性聚矽氧2。關於硬化性聚矽氧2之組成，M單元、D單元、T單元之莫耳比為9：59：32，有機基之甲基與苯基之莫耳比為44：56，全部烯基與鍵結於全部矽原子之氫原子之莫耳比(氫原子/烯基)為0.7，平均OX基數為0.1。

(硬化性組合物2之製備) 以鉑元素之含量成為120 ppm之方式向硬化性聚矽氧2中添加鉑(0)-1,3-二乙烯-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷(CAS編號為68478-92-2)，從而獲得混合物A。將混合物A(200 g)與作為溶劑之二乙二醇二乙醚(「Hysorb EDE」，東邦化學工業公司製造)(84.7 g)加以混合，利用孔徑0.45 μm之過濾器過濾所獲得之混合液，藉此獲得硬化性組合物2。

＜例1＞ (包含玻璃基材及聚矽氧樹脂層之積層基板之製作) 準備PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)膜(東洋紡公司製造，Cosmoshine A4160，厚度為50 μm)作為離型膜(相當於暫時支持體)。該膜具有平坦面及凹凸面，於平坦面側上塗佈所製備之硬化性組合物1，使用加熱板於140℃下加熱10分鐘，藉此形成聚矽氧樹脂層。

繼而，利用水系玻璃清潔劑(Parker Corporation股份有限公司製造之「PK-LCG213」)進行洗淨後，將經純水洗淨之200 mm×200 mm、厚度0.5 mm之玻璃基材「AN100」(玻璃基材)與形成有聚矽氧樹脂層之PET膜(尺寸：190 mm×190 mm)貼合，從而製作依序配置有玻璃基材、聚矽氧樹脂層及PET膜之積層體。

繼而，將所獲得之積層體配置於高壓釜內，於60℃、1 MPa之條件下加熱30分鐘。其後，剝離PET膜，將所獲得之積層體投入至預熱至250℃之烘箱中，實施30分鐘退火處理，製作包含玻璃基材及聚矽氧樹脂層之積層基板(退火步驟)。

利用膜厚測定系統(Filmetrics股份有限公司製造之「F20」)對退火處理後之聚矽氧樹脂層之任意10處之膜厚進行測定。關於測定範圍，將自聚矽氧樹脂層之周緣端部向中央部3 mm之周緣區域除外。10個測定值之膜厚之平均值為7.2 μm。聚矽氧樹脂層之膜厚之最大值為7.4 μm，最小值為7.1 μm。又，將膜厚之最大值與最小值之差設為膜厚偏差。膜厚偏差為0.3 μm。

使用非接觸表面/層截面形狀測量系統(Ryoka Systems公司製造之「Vertscan R3300-lite」)對退火處理後之聚矽氧樹脂層之任意10處之表面粗糙度(Ra)進行測定。關於測定範圍，將自聚矽氧樹脂層之周緣端部向中央部3 mm之周緣區域除外。1處測定區域設為縱940 μm×橫700 μm。10個測定值之表面粗糙度之平均值為0.81 nm。表面粗糙度之最大值為0.87 nm，最小值為0.72 nm。又，將表面粗糙度之最大值與最小值之差設為表面粗糙度偏差。表面粗糙度偏差為0.15 nm。

測定聚矽氧樹脂層之膜厚及表面粗糙度時，於在聚矽氧樹脂層之表面觀察到棉絨或碎玻璃等異物之情形時，不採用為測定資料，再次進行測定。

(積層體之製作) 對上述所獲得之積層基板之聚矽氧樹脂層實施電暈處理後，塗佈無色聚醯亞胺清漆(三菱瓦斯化學股份有限公司製造之「Neopulim H230」)後，使用加熱板於80℃下加熱20分鐘。繼而，使用惰性氣體烘箱於氮氣氛圍下以400℃加熱30分鐘，獲得依序具有玻璃基材、聚矽氧樹脂層、無色聚醯亞胺膜(厚度：7 μm)之積層體。

(阻氣膜之形成及耐熱試驗) 使用電漿CVD裝置於上述(積層體之製作)中所獲得之積層體之無色聚醯亞胺膜表面形成厚度50 nm之氮化矽膜(SiN膜)。繼而，使用惰性氣體烘箱，將依序具有玻璃基材、聚矽氧樹脂層、無色聚醯亞胺膜、氮化矽膜之積層體於氮氣氛圍下以400℃加熱1小時(耐熱試驗)。

(無色聚醯亞胺膜之剝離) 用手指捏住耐熱試驗後之積層體之無色聚醯亞胺膜之端部，垂直提起，藉此自積層體剝離表面形成有SiN膜之無色聚醯亞胺膜。

＜例2～例6、例9～例13＞ 除設為表1所示之硬化性組合物、離型膜、退火條件以外，以與例1相同之方式製作評價樣品。

＜例7＞ (包含玻璃基材及聚矽氧樹脂層之積層基板之製作) 於利用水系玻璃清潔劑(Parker Corporation股份有限公司製造之「PK-LCG213」)進行洗淨後，利用純水進行洗淨之190 mm×190 mm、厚度0.5 mm之玻璃基材「AN100」(玻璃基材)上，使用旋轉塗佈機塗佈硬化性組合物1。使用加熱板於140℃下加熱10分鐘，藉此形成聚矽氧樹脂層。將包含玻璃基材及聚矽氧樹脂層之積層基板投入至預熱至250℃之烘箱中，實施30分鐘退火處理(退火步驟)。

利用膜厚測定系統(Filmetrics股份有限公司製造之「F20」)對退火處理後之聚矽氧樹脂層之任意10處之膜厚進行測定(關於測定範圍，將自聚矽氧樹脂層之端部向中央部3 mm之周緣區域除外)。10個測定值之膜厚之平均值為7.0 μm。膜厚之最大值為9.5 μm，最小值為6.8 μm。又，作為膜厚之最大值與最小值之差的膜厚偏差為2.7 μm。

利用非接觸表面/層截面形狀測量系統(Ryoka Systems公司製造之「Vertscan R3300-lite」)對退火處理後之聚矽氧樹脂層之任意10處之表面粗糙度(Ra)進行測定。關於測定範圍，將自聚矽氧樹脂層之端部向中央部3 mm之周緣區域除外。1處測定區域設為940 μm×700 μm。10個測定值之表面粗糙度之平均值為0.42 nm。表面粗糙度之最大值為0.47 nm，最小值為0.40 nm。又，作為表面粗糙度之最大值與最小值之差的表面粗糙度偏差為0.07 nm。

測定聚矽氧樹脂層之膜厚及表面粗糙度時，於在聚矽氧樹脂層之表面觀察到棉絨或碎玻璃等異物之情形時，不採用為測定資料，而再次進行測定。

(積層體之製作) 對上述所獲得之積層基板之聚矽氧樹脂層實施電暈處理後，塗佈無色聚醯亞胺清漆(三菱瓦斯化學股份有限公司製造之「Neopulim H230」)後，使用加熱板於80℃下加熱20分鐘。繼而，使用惰性氣體烘箱於氮氣氛圍下以400℃加熱30分鐘(固化步驟)，獲得依序具有玻璃基材、聚矽氧樹脂層、無色聚醯亞胺膜(厚度：7 μm)之積層體。

(阻氣膜之形成及耐熱試驗) 使用電漿CVD裝置於上述(積層體之製作)中所獲得之積層體之無色聚醯亞胺膜表面形成厚度50 nm之氮化矽膜(SiN膜)作為阻氣膜。 繼而，進行耐熱試驗，即，使用惰性氣體烘箱，將依序具有玻璃基材、聚矽氧樹脂層、無色聚醯亞胺膜、氮化矽膜之積層體於氮氣氛圍下以400℃加熱1小時。

(無色聚醯亞胺膜之剝離) 利用手指捏住耐熱試驗後之積層體之無色聚醯亞胺膜之端部，垂直提起，藉此自積層體剝離無色聚醯亞胺膜(表面附有SiN膜)。

＜例8、例14、例15＞ 除設為表1所示之硬化性組合物、聚矽氧樹脂層之形成方法、退火條件以外，以與例7相同之方式製作評價樣品。

＜無色聚醯亞胺膜之不均評價＞ 目視觀察所剝離之無色聚醯亞胺膜，評價無色聚醯亞胺膜之光學不均勻性(不均)。評價面積設為184 mm×184 mm，依據以下之評價基準進行評價。 ◎：整個面均未觀察到不均 〇：於評價面積之未達10%之區域觀察到不均 ×：於評價面積之10%以上之區域觀察到不均

將不均評價之結果示於表2。 表2中，「聚矽氧樹脂層之膜厚[μm]」一欄之「平均」一欄表示聚矽氧樹脂層之10個膜厚測定值之算術平均值，「最大」一欄表示10個膜厚測定值中之最大值，「最小」一欄表示10個膜厚測定值中之最小值，「偏差」一欄表示最大值與最小值之差。

表2中，「聚矽氧樹脂層之表面粗糙度Ra[nm]」一欄之「平均」一欄表示聚矽氧樹脂層之10個表面粗糙度測定值之算術平均值，「最大」一欄表示10個表面粗糙度測定值中之最大值，「最小」一欄表示10個表面粗糙度測定值中之最小值，「偏差」一欄表示最大值與最小值之差。

[表1]

表1
	硬化性組合物	聚矽氧樹脂層之形成方法	離型膜	退火條件
例1	硬化性組合物1	塗佈於離型膜	Cosmoshine A4160(高平滑PET膜)	於烘箱中以250℃加熱30分鐘
例2	硬化性組合物1	塗佈於離型膜	Cosmoshine A4160(高平滑PET膜)	於烘箱中以300℃加熱30分鐘
例3	硬化性組合物1	塗佈於離型膜	Cosmoshine A4160(高平滑PET膜)	利用加熱板於150℃下加熱5分鐘後，於烘箱中以300℃加熱30分鐘
例4	硬化性組合物1	塗佈於離型膜	Tetoron G2L(低熱收縮PET)	利用加熱板於150℃下加熱5分鐘後，於烘箱中以300℃加熱30分鐘
例5	硬化性組合物1	塗佈於離型膜	Teonex Q51(PEN)	利用加熱板於150℃下加熱5分鐘後，於烘箱中以300℃加熱30分鐘
例6	硬化性組合物1	塗佈於離型膜	Kapton 100H (PI)	利用加熱板於150℃下加熱5分鐘後，於烘箱中以300℃加熱30分鐘
例7	硬化性組合物1	以旋轉塗佈之方式塗佈於玻璃板	-	利用加熱板於150℃下加熱5分鐘後，於烘箱中以300℃加熱30分鐘
例8	硬化性組合物1	以模嘴塗佈之方式塗佈於玻璃板	-	利用加熱板於150℃下加熱5分鐘後，於烘箱中以300℃加熱30分鐘
例9	硬化性組合物2	塗佈於離型膜	Cosmoshine A4160(高平滑PET膜)	於烘箱中以250℃加熱30分鐘
例10	硬化性組合物2	塗佈於離型膜	Cosmoshine A4160(高平滑PET膜)	利用加熱板於150℃下加熱5分鐘後，於烘箱中以250℃加熱30分鐘
例11	硬化性組合物2	塗佈於離型膜	Tetoron G2L(低熱收縮PET)	利用加熱板於150℃下加熱5分鐘後，於烘箱中以250℃加熱30分鐘
例12	硬化性組合物2	塗佈於離型膜	Teonex Q51(PEN)	利用加熱板於150℃下加熱5分鐘後，於烘箱中以250℃加熱30分鐘
例13	硬化性組合物2	塗佈於離型膜	Kapton 100H(PI)	利用加熱板於150℃下加熱5分鐘後，於烘箱中以250℃加熱30分鐘
例14	硬化性組合物2	以旋轉塗佈之方式塗佈於玻璃板	-	利用加熱板於150℃下加熱5分鐘後，於烘箱中以250℃加熱30分鐘
例15	硬化性組合物2	以模嘴塗佈之方式塗佈於玻璃板	-	利用加熱板於150℃下加熱5分鐘後，於烘箱中以250℃加熱30分鐘

[表2]

表2
	聚矽氧樹脂層之膜厚[μm]	聚矽氧樹脂層之表面粗糙度Ra[nm]	不均評價
平均	最大	最小	偏差	平均	最大	最小	偏差
例1	7.2	7.4	71	0.3	0.81	0.87	0.72	0.15	◎
例2	7.2	7.4	7.1	0.3	0.60	0.65	0.58	0.07	◎
例3	7.2	7.4	7.1	0.3	0.40	0.43	0.36	0.07	◎
例4	7.0	7.3	6.8	0.5	1.10	1.17	1.03	0.14	◎
例5	7.1	7.5	6.8	0.7	2.50	3.25	2.20	1.05	×
例6	7.0	7.4	6.5	0.9	3.20	4.48	3.01	1.47	×
例7	7.0	9.5	6.8	2.7	0.42	0.47	0.40	0.07	×
例8	7.3	8.8	7.2	1.6	0.50	0.54	0.48	0.06	×
例9	8.0	8.1	7.8	0.3	2.00	2.40	1.96	0.44	〇
例10	8.0	8.1	7.8	0.3	2.30	2.78	2.23	0.55	〇
例11	8.0	8.3	7.9	0.4	4.50	6.75	4.37	2.39	×
例12	8.0	8.4	7.8	0.6	5.20	7.28	5.04	2.24	×
例13	8.0	8.5	7.7	0.8	8.90	12.46	8.63	3.83	×
例14	8.3	11.0	8.1	2.9	0.51	0.55	0.49	0.06	×
例15	8.1	9.7	7.9	1.8	0.56	0.60	0.54	0.06	×

由例1～4、例9、例10與例5、例6、例11～13之比較可知，若聚矽氧樹脂層之表面粗糙度Ra之偏差為1.00 nm以下，則可獲得光學不均勻性(不均)較小之無色聚醯亞胺膜。 又，由例1～4、例9、例10與例7、例8、例14、例15之比較可知，若聚矽氧樹脂層之膜厚之偏差為1.5 μm以下，則可獲得光學不均勻性(不均)較小之無色聚醯亞胺膜。 又，由例1～4與例9、例10之比較可確認，於表面粗糙度Ra之偏差為0.40 nm以下之情形時，效果更加優異。

＜有機EL顯示裝置(相當於電子裝置)之製造＞ 以下，使用例1～例4、例9、例10所獲得之積層體，按照以下程序，製造有機EL顯示裝置。

首先，藉由電漿CVD法於積層基板之聚醯亞胺膜之與玻璃基材側為相反側之表面上使氮化矽、氧化矽、非晶矽依序成膜。繼而，藉由離子摻雜裝置將低濃度之硼注入至非晶矽層，進行加熱處理並進行脫氫處理。繼而，藉由雷射退火裝置進行非晶矽層之結晶化處理。繼而，藉由使用光微影法之蝕刻及離子摻雜裝置，將低濃度之磷注入至非晶矽層，形成N型及P型之TFT(thin-film transistor，薄膜電晶體)區域。

繼而，藉由電漿CVD法於聚醯亞胺膜之與玻璃基材側相反之側形成氧化矽膜，從而形成閘極絕緣膜後，藉由濺鍍法使鉬成膜，藉由使用光微影法之蝕刻形成閘極電極。繼而，藉由光微影法及離子摻雜裝置，將高濃度之硼及磷注入至N型、P型各者之所需區域，形成源極區域及汲極區域。

繼而，於聚醯亞胺膜之與玻璃基材側相反之側，藉由電漿CVD法使氧化矽成膜而形成層間絕緣膜，藉由濺鍍法使鋁成膜及藉由使用光微影法之蝕刻形成TFT電極。繼而，於氫氣氛圍下進行加熱處理並進行氫化處理後，藉由電漿CVD法使氮化矽成膜，從而形成鈍化層。

繼而，於聚醯亞胺膜之與玻璃基材側相反之側塗佈紫外線硬化性樹脂，藉由光微影法形成平坦化層及接觸孔。繼而，藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜，藉由使用光微影法之蝕刻形成像素電極。繼而，藉由蒸鍍法，於聚醯亞胺膜之與玻璃基材側相反之側，使作為電洞注入層之4,4',4''-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯胺、作為電洞傳輸層之雙[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺、作為發光層之於8-羥基喹啉鋁錯合物(Alq ₃)中混合有40體積%之2,6-雙[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]胺基苯乙烯基]萘-1,5-二甲腈(BSN-BCN)者、作為電子傳輸層之Alq ₃依序成膜。繼而，藉由濺鍍法使鋁成膜，藉由使用光微影法之蝕刻形成對向電極。

繼而，於聚醯亞胺膜之與玻璃基材側相反之側，經由紫外線硬化型接著層貼合另一片玻璃基材而進行密封。藉由上述程序於聚醯亞胺膜上形成有機EL構造體。於聚醯亞胺膜上具有有機EL構造體之構造物(以下，稱為面板A)為附電子裝置用構件之積層體。

繼而，使面板A之密封體側真空吸附於壓盤後，向面板A之角部之聚醯亞胺膜與玻璃基材之界面處插入厚度0.1 mm之不鏽鋼製刀具，對聚醯亞胺膜與玻璃基材之界面賦予剝離起點。繼而，利用真空吸附墊吸附面板A之玻璃基材表面後，使吸附墊上升。此處，一面自離子化器(基恩士公司製造)向該界面吹送去靜電性流體，一面插入刀具。

繼而，繼續自離子化器向所形成之空隙吹送去靜電性流體，並且一面向剝離前線加水，一面提起真空吸附墊。結果，壓盤上僅殘留有形成有有機EL構造體之聚醯亞胺膜，而將附聚矽氧樹脂層之玻璃基材剝離。

繼而，使用雷射裁刀或劃線-斷裂法，切割所分離出之聚醯亞胺膜，分割為複數個單元後，組裝形成有有機EL構造體之聚醯亞胺膜與對向基板，實施模組形成步驟，從而製作有機EL顯示裝置。

以上，參照圖式對各種實施方式進行了說明，但顯然本發明並不限定於該等例。對於業者而言，顯然可於申請專利範圍所記載之範疇內想到各種變更例或修正例，應瞭解該等當然亦屬於本發明之技術範圍。又，可於不脫離發明之主旨之範圍內將上述實施方式中各構成要素任意組合。

再者，本申請案係基於2021年4月22日申請之日本專利申請案(日本專利特願2021-072745)者，將其內容以參照之方式援用至本申請案中。

10:積層基板 12:玻璃基材 12a:第1面 12b:第2面 14:聚矽氧樹脂層 14a:表面 16:積層體 18:聚醯亞胺膜 20:電子裝置用構件 22:附電子裝置用構件之積層體 24:電子裝置 26:附聚矽氧樹脂層之玻璃基材

圖1係模式地表示本發明之積層基板之一實施方式之剖視圖。 圖2係模式地表示本發明之積層體之一實施方式之剖視圖。 圖3係用於說明構件形成步驟之圖。 圖4係用於說明分離步驟之圖。

Claims (7)

1. 一種積層基板，其具備玻璃基材及聚矽氧樹脂層，該玻璃基材具有第1面及位於上述第1面相反側之第2面， 該聚矽氧樹脂層配置於上述玻璃基材之上述第2面上，且 上述聚矽氧樹脂層之與上述玻璃基材為相反側之表面之表面粗糙度Ra之偏差為1.00 nm以下， 上述聚矽氧樹脂層之膜厚之偏差為1.5 μm以下。
2. 如請求項1之積層基板，其中上述聚矽氧樹脂層之膜厚之平均值為50.0 μm以下。
3. 如請求項1或2之積層基板，其中於上述聚矽氧樹脂層上配置有可剝離之保護膜。
4. 一種積層體，其具有如請求項1或2之積層基板、及配置於上述積層基板之上述聚矽氧樹脂層上之聚醯亞胺膜。
5. 一種積層體之製造方法，其於如請求項1或2之積層基板之上述聚矽氧樹脂層上塗佈包含聚醯亞胺或其前驅物及溶劑之聚醯亞胺清漆，而於上述聚矽氧樹脂層上形成聚醯亞胺膜，從而形成具有上述玻璃基材、上述聚矽氧樹脂層及上述聚醯亞胺膜之積層體。
6. 一種附電子裝置用構件之積層體，其具有如請求項4之積層體、及 配置於上述積層體中之上述聚醯亞胺膜上之電子裝置用構件。
7. 一種電子裝置之製造方法，其包括：構件形成步驟，其係於如請求項4之積層體之上述聚醯亞胺膜上形成電子裝置用構件，獲得附電子裝置用構件之積層體；及 分離步驟，其係自上述附電子裝置用構件之積層體獲得具有上述聚醯亞胺膜及上述電子裝置用構件之電子裝置。

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