TW202304607A - 基板處理方法 - Google Patents

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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明之基板處理方法具備處理工序、置換工序、及去除工序。處理工序係向基板W供給沖洗液。置換工序係將基板W上之沖洗液置換為第2處理液J。去除工序係自基板W去除第2處理液J。第2處理液J包含有機溶劑及添加劑。添加劑抑制有機溶劑之脫水反應。因此，基板處理方法能夠對基板W適當地進行處理。

Description

基板處理方法
本發明係關於一種基板處理方法。基板例如為半導體晶圓、液晶顯示器用基板、有機EL(Electroluminescence，電致發光)用基板、FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、光顯示器用基板、磁碟用基板、光碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、太陽電池用基板。
專利文獻1揭示了一種處理基板之基板處理方法。專利文獻1之基板處理方法具備處理工序、置換工序及去除工序。處理工序係將沖洗液供給至基板。置換工序係將基板上之沖洗液置換為有機溶劑。去除工序係自基板去除有機溶劑。藉由去除工序，基板被乾燥。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利特開2012-156561公報
[發明所欲解決之問題]
即便為先前之基板處理方法，亦存在無法適當地對基板進行處理之情況。例如，於基板具有圖案之情形時，即便為先前之基板處理方法，亦存在圖案倒壞之情況。例如，於圖案微細時，即便為先前之基板處理方法，亦存在無法充分抑制圖案之倒壞之情況。
本發明係鑒於此種情況而成者，目的在於提供一種能夠適當地對基板進行處理之基板處理方法。 [解決問題之技術手段]
本發明係藉由基於該等見解，進而進行銳意研究而獲得者，採取如下所述之構成。即，本發明係一種基板處理方法，其具備：向基板供給第1處理液之處理工序、將基板上之上述第1處理液置換為包含有機溶劑及添加劑之第2處理液之置換工序、及自基板去除上述第2處理液之去除工序，上述添加劑抑制上述有機溶劑之脫水反應。
基板處理方法具備處理工序、置換工序及去除工序。處理工序係向基板供給第1處理液。置換工序係將基板上之第1處理液置換為第2處理液。藉由置換工序，第1處理液自基板被去除。去除工序係自基板去除第2處理液。藉由自基板去除第2處理液，基板被乾燥。
第2處理液包含有機溶劑及添加劑。添加劑抑制有機溶劑之脫水反應。具體而言，添加劑抑制第2處理液中之水之生成。因此，第2處理液實質上不含水。換言之，第2處理液所包含之水之量極少。因此，第2處理液之表面張力相對較小。因此，第2處理液不會對基板施加顯著之力。結果能夠較好地保護基板。
如上所述，根據基板處理方法，能夠在較好地保護基板的同時，對基板進行處理。因此，基板處理方法能夠適當地對基板進行處理。
於上述基板處理方法中，較佳為上述添加劑使上述第2處理液中之質子減少。質子之量越少，有機溶劑之脫水反應越不容易發生。因此，添加劑較好地抑制有機溶劑之脫水反應。
於上述基板處理方法中，較佳為上述添加劑包含接收質子之鹼。添加劑含有鹼。藉由鹼接收質子，質子減少。因此，鹼較好地減少第2處理液中之質子。
於上述基板處理方法中，較佳為上述添加材包含碳酸氫根離子及碳酸根離子中之至少任一者。碳酸氫根離子係鹼之例。碳酸氫根離子較好地接收質子。因此，碳酸氫根離子較好地減少第2處理液中之質子。同樣地，碳酸根離子係鹼之例。碳酸根離子較好地接收質子。因此，碳酸根離子較好地減少第2處理液中之質子。
於上述基板處理方法中，較佳為上述添加劑包含由弱酸生成之陰離子。添加劑包含由弱酸生成之陰離子。由弱酸生成之陰離子較好地接收質子。因此，由弱酸生成之陰離子較好地減少第2處理液中之質子。
於上述基板處理方法中，較佳為上述添加劑抑制上述第2處理液中之質子之增加。藉此，添加劑較好地抑制有機溶劑之脫水反應。
於上述基板處理方法中，較佳為上述添加劑包含緩和上述第2處理液中之氫離子濃度之變化的緩衝劑。添加劑包含緩衝劑。緩衝劑緩和處理液中之氫離子濃度之變化。因此，緩衝劑緩和第2處理液中之質子之量之變化。因此，添加劑較好地抑制有機溶劑之脫水反應。
於上述基板處理方法中，較佳為 上述添加劑包含下述化合物中之至少任一者： 二氧化碳、 4-甲苯磺酸、 甲醇鈉、 三氟乙酸鈉、 草酸、 甲氧基鋰、 三苄胺、 鄰苯二甲酸氫鈉、 水楊酸、 苯乙酸、 琥珀酸氫鋰、及 三順丁烯二酸鹽。 上文所列舉之化合物分別較好地緩和第2處理液中之氫離子濃度之變化。
於上述基板處理方法中，較佳為上述有機溶劑包含醇。添加劑能夠較好地抑制醇之脫水反應。
於上述基板處理方法中，較佳為上述有機溶劑包含異丙醇。添加劑能夠較好地抑制異丙醇之脫水反應。
於上述基板處理方法中，較佳為上述置換工序包括將上述第2處理液供給至基板之第1供給工序。置換工序包括第1供給工序。第1供給工序係將第2處理液供給至基板。因此，置換工序較好地將基板上之第1處理液置換為第2處理液。
於上述基板處理方法中，較佳為上述置換工序包括將上述添加劑供給至基板之第2供給工序。置換工序除了包括第1供給工序以外，亦包括第2供給工序。第2供給工序係將添加劑供給至基板。因此，基板上之第2處理液中之添加劑之濃度被控制在適當之範圍內。因此，添加劑更好地抑制基板上之有機溶劑之脫水反應。
於上述基板處理方法中，較佳為上述置換工序包括將上述添加劑供給至基板之第2供給工序、及將上述有機溶劑供給至基板之第3供給工序。置換工序包括第2供給工序及第3供給工序。第2供給工序係將添加劑供給至基板。第3供給工序係將有機溶劑供給至基板。因此，置換工序係於基板上由添加劑及有機溶劑生成第2處理液。因此，置換工序較好地將基板上之第1處理液置換為第2處理液。
於上述基板處理方法中，較佳為於上述置換工序中，基板位於處理容器之內部，且上述處理容器被密閉。於置換工序中，基板位於處理容器之內部。於置換工序中，處理容器被密閉。因此，於置換工序中，添加劑不會自第2處理液中被過度釋出。因此，於置換工序中，第2處理液中之添加劑之濃度被保持在適當之範圍內。因此，添加劑較好地抑制有機溶劑之脫水反應。
於上述基板處理方法中，較佳為於上述置換工序中，基板所在之處理空間被封閉。於置換工序中，基板位於處理空間中。於置換工序中，處理空間被封閉。因此，於置換工序中，添加劑不會自第2處理液中被過度釋出。因此，於置換工序中，第2處理液中之添加劑之濃度被保持在適當之範圍內。因此，添加劑較好地抑制有機溶劑之脫水反應。
於上述基板處理方法中，較佳為於上述置換工序中，罩蓋構件配置於基板之上表面之附近，且覆蓋基板之上表面。於置換工序中，罩蓋構件配置於基板之上表面之附近。於置換工序中，罩蓋構件覆蓋基板之上表面。因此，罩蓋構件較好地抑制自基板上之第2處理液釋出之添加劑之量。因此，於置換工序中，基板上之第2處理液中之添加劑之濃度被保持在適當之範圍內。因此，添加劑較好地抑制基板上之有機溶劑之脫水反應。
於上述基板處理方法中，較佳為上述置換工序包括對基板進行加熱之第1加熱工序。置換工序包括第1加熱工序。因此，於置換工序中，第2處理液變為高溫。第2處理液包含有機溶劑。此處，有機溶劑之溫度越高，有機溶劑之脫水反應越容易發生。然而，如上所述，第2處理液包含添加劑。因此，即便於置換工序包括第1加熱工序之情形時，添加劑亦抑制有機溶劑之脫水反應。反倒是於置換工序包括第1加熱工序之情形時，添加劑發揮顯著之功能。
於上述基板處理方法中，較佳為上述去除工序包括將上述添加劑供給至基板之追加供給工序。去除工序包括追加供給工序。追加供給工序係將添加劑供給至基板。因此，於去除工序中，第2處理液中之添加劑之濃度被控制在適當之範圍內。因此，於去除工序中，添加劑亦仍然較好地抑制基板上之有機溶劑之脫水反應。結果能夠更好地保護基板。
於上述基板處理方法中，較佳為上述去除工序包括對基板進行加熱之第2加熱工序。去除工序包括第2加熱工序。因此，於去除工序中，第2處理液變為高溫。第2處理液包含有機溶劑。此處，有機溶劑之溫度越高，有機溶劑之脫水反應越容易發生。然而，如上所述，第2處理液包含添加劑。因此，即便於去除工序包括第2加熱工序之情形時，有機溶劑之脫水反應亦被添加劑抑制。反倒是於去除工序包括第2加熱工序之情形時，添加劑發揮顯著之功能。
於上述基板處理方法中，較佳為基板具有表面，上述表面包含多晶矽膜、氧化矽膜及氮化矽膜中之至少任一者。基板之表面具有上述構造。因此，基板之表面容易帶負電。於基板之表面帶負電之情形時，基板之表面會吸引質子。第2處理液包含有機溶劑。第2處理液中之質子之量越多，有機溶劑之脫水反應越容易發生。然而，如上所述，第2處理液包含添加劑。因此，即便於基板之表面具有上述構造之情形時，有機溶劑之脫水反應亦被添加劑抑制。反倒是於基板之表面具有上述構造之情形時，添加劑發揮顯著之功能。
於上述基板處理方法中，較佳為基板具有表面、及形成於上述表面之至少一部分之圖案。圖案形成於基板之表面。因此，第2處理液中之質子容易集中在基板之表面之附近。第2處理液包含有機溶劑。第2處理液中之質子之量越多，有機溶劑之脫水反應越容易發生。然而，如上所述，第2處理液包含添加劑。因此，即便於圖案形成於基板之表面之情形時，有機溶劑之脫水反應亦被添加劑抑制。反倒是於圖案形成於基板之表面之情形時，添加劑發揮顯著之功能。 [發明之效果]
根據本發明之基板處理方法，能夠適當地對基板進行處理。
＜1.基板處理方法之基本步序及基本機制＞ 對基板處理方法之基本步序進行說明。進而，對基板處理方法之基本機制進行說明。
圖1係表示基板處理方法之基本步序之流程圖。基板處理方法係用以對基板進行處理之方法。基板處理方法具備處理工序、置換工序及去除工序。置換工序在處理工序之後執行。去除工序在置換工序之後執行。
步驟S1：處理工序 處理工序係向基板W供給沖洗液。沖洗液係本發明之第1處理液之例。
圖2係模式性地表示處理工序中之基板之圖。圖2表示基板W之一部分。
基板W例如為半導體晶圓、液晶顯示器用基板、有機EL(Electroluminescence)用基板、FPD(Flat Panel Display)用基板、光顯示器用基板、磁碟用基板、光碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、太陽電池用基板。基板W具有較薄之平板形狀。基板W於俯視下具有大致圓形狀。
基板W具有表面Ws。表面Ws向基板W之外部露出。表面Ws相當於基板W之露出部。
表面Ws例如包含多晶矽膜、氧化矽膜及氮化矽膜中之至少任一者。換言之，基板W之露出部例如包含多晶矽、氧化矽及氮化矽中之至少任一者。
基板W例如具有圖案P。圖案P具有凹凸形狀。圖案P形成於表面Ws。因此，表面Ws具有相對較大之表面積。
圖案P例如具有凸部W1及凹部A。凸部W1係基板W之一部分。凸部W1係構造體。凸部W1例如包含多晶矽、氧化矽及氮化矽中之至少任一者。凸部W1向上方隆起。凹部A與凸部W1之側方相鄰。凹部A係空間。凹部A向上方開放。凸部W1相當於劃分凹部A之壁。凹部A例如極窄。
沖洗液G與基板W接觸。具體而言，沖洗液G與表面Ws接觸。
沖洗液G例如為去離子水(DIW)。沖洗液G例如僅由去離子水所構成。
沖洗液G包含質子q。質子q係氫離子(H +)。質子q係正離子。
當表面Ws與沖洗液G接觸時，表面Ws有時會帶負電。換言之，當表面Ws與沖洗液G接觸時，表面Ws有時具有負電位。當表面Ws包含多晶矽膜、氧化矽膜及氮化矽膜中之至少任一者時，表面Ws容易帶負電。當沖洗液G為去離子水時，表面Ws更容易帶負電。
當表面Ws帶負電時，表面Ws會吸引質子q。當表面Ws帶負電時，質子q緊密集中於表面Ws之附近。當表面Ws帶負電時，質子q緊密集中於圖案P之附近。隨著圖案P變得微細，位於表面Ws附近之質子q之量變多。隨著凹部A變窄，位於表面Ws附近之質子q之量變多。
步驟S2：置換工序 置換工序係將基板W上之沖洗液G置換為第2處理液。藉由置換工序，沖洗液G自基板W被去除。
圖3係模式性地表示置換工序中之基板W之圖。第2處理液J與基板W接觸。具體而言，第2處理液J與表面Ws接觸。沖洗液G已經自基板W被去除。因此，沖洗液G未示於圖3中。
第2處理液J包含有機溶劑及添加劑。第2處理液J例如僅由有機溶劑及添加劑所構成。添加劑例如溶於有機溶劑中。有機溶劑例如相當於溶劑。添加劑例如相當於溶質。有機溶劑係液體。添加劑可為液體、氣體及固體中之任一者。
對有機溶劑進行說明。有機溶劑具有相對較小之表面張力。例如，有機溶劑之表面張力小於水之表面張力。
例如，有機溶劑包含醇。例如，有機溶劑僅由醇所構成。
例如，有機溶劑包含異丙醇(IPA)。例如，有機溶劑僅由異丙醇(IPA)所構成。
例如，有機溶劑包含甲醇及乙醇中之至少1種。
例如，有機溶劑包含氫氟醚(HFE)、丙酮及反-1,2-二氯乙烯中之至少1種。
對添加劑進行說明。添加劑抑制有機溶劑之脫水反應。脫水反應例如為分子間脫水反應。脫水反應例如為分子內脫水反應。假如發生有機溶劑之脫水反應，則會在第2處理液J中生成水。添加劑抑制第2處理液J中之水之生成。
例如，當有機溶劑包含醇時，添加劑抑制醇之脫水反應。例如，當有機溶劑包含異丙醇時，添加劑抑制異丙醇之脫水反應。假如發生異丙醇之分子間脫水反應，則會在第2處理液J中生成二異丙醚與水。
例如，添加劑使第2處理液J中之質子q減少。第2處理液J中之質子q之量越少，有機溶劑之脫水反應越不容易發生。因此，當添加劑使第2處理液J中之質子q之量減少時，添加劑較好地抑制有機溶劑之脫水反應。
於圖3中，第2處理液J中之質子q相對較少。例如，第2處理液J中之質子q之量少於沖洗液G中之質子q之量。
例如，添加劑包含接收質子q之鹼。鹼接收質子q。鹼接收質子q相當於質子q減少。當添加劑包含鹼時，添加劑較好地減少第2處理液J中之質子q。
例如，添加劑包含碳酸氫根離子(HCO 3 -)及碳酸根離子(CO 3 2-)中之至少任一者。碳酸氫根離子(HCO 3 -)亦稱為重碳酸根離子。碳酸氫根離子(HCO 3 -)與碳酸根離子(CO 3 2-)分別為鹼之例。因此，碳酸氫根離子(HCO 3 -)與碳酸根離子(CO 3 2-)分別容易地接收質子q。具體而言，碳酸氫根離子(HCO 3 -)與質子q(H +)結合而變為碳酸(H 2CO 3)。碳酸根離子(CO 3 2-)與質子q(H +)結合而變為碳酸氫根離子(HCO 3 -)。
例如，添加劑包含由弱酸生成之陰離子。換言之，添加劑包含藉由弱酸之電離所獲得之陰離子。添加劑包含來自弱酸之陰離子。由弱酸生成之陰離子較好地接收質子。因此，當添加劑包含由弱酸生成之陰離子時，添加劑較好地減少第2處理液J中之質子。
此處，對弱酸進行定義。弱酸係例如具有-3以上之酸解離常數pKa之酸。弱酸係例如25℃之水中之酸解離常數pKa為-3以上之酸。
例如，添加劑抑制第2處理液J中之質子q之增加。當第2處理液J中之質子q不增加時，不會促進有機溶劑之脫水反應。當添加劑抑制第2處理液J中之質子q之增加時，添加劑較好地抑制有機溶劑之脫水反應。
例如，添加劑緩和第2處理液J中之質子q之量之變化。例如，添加劑減少第2處理液J中之質子q之變化量。當添加劑緩和第2處理液J中之質子q之量之變化時，添加劑較好地抑制有機溶劑之脫水反應。
例如，添加劑包含緩衝劑。緩衝劑緩和第2處理液J中之氫離子濃度之變化。氫離子濃度亦被稱為pH值。氫離子濃度相當於質子q之濃度。因此，當添加劑包含緩衝劑時，添加劑較好地緩和第2處理液J中之質子q之量之變化。當添加劑包含緩衝劑時，添加劑較好地減少第2處理液J中之質子q之變化量。
例如，添加劑包含以下之化合物a1-a12中之至少任一者。 化合物a1：二氧化碳 化合物a2：4-甲苯磺酸 化合物a3：甲醇鈉 化合物a4：三氟乙酸鈉 化合物a5：草酸 化合物a6：甲氧基鋰 化合物a7：三苄胺 化合物a8：鄰苯二甲酸氫鈉 化合物a9：水楊酸 化合物a10：苯乙酸 化合物a11：琥珀酸氫鋰 化合物a12：三順丁烯二酸鹽
化合物a1-a12分別係緩衝劑之例。因此，化合物a1-a12分別較好地緩和第2處理液J中之氫離子濃度之變化。化合物a1-a12分別較好地減少第2處理液J中之氫離子濃度之變化量。
再者，第2處理液J中之二氧化碳之行為與水中之二氧化碳之行為相同或類似。二氧化碳之一部分在水中變成碳酸氫根離子(HCO 3 -)。與其同樣地，二氧化碳之一部分在第2處理液J中變成碳酸氫根離子(HCO 3 -)。
如上所述，添加劑抑制有機溶劑之脫水反應。其結果為，第2處理液J實質上不含水。換言之，第2處理液J中所包含之水極少。例如，第2處理液J中所包含之水之濃度未達5000 ppm。例如，第2處理液J中所包含之水之濃度未達2000 ppm。
步驟S3：去除工序 去除工序係將基板W上之第2處理液J自基板W去除。藉由將第2處理液J自基板W去除，基板W被乾燥。
圖4係模式性地表示去除工序中之基板W之圖。圖4中省略了質子q之圖示。
基板W上之第2處理液J逐漸被去除。基板W上之第2處理液J之量減少。如上所述，第2處理液J實質上不含水。因此，第2處理液J之表面張力相對較小。因此，第2處理液J不會對基板W施加顯著之力。所謂顯著之力，係指例如大到損傷基板W之程度之力。所謂損傷，係指例如圖案P之倒壞。第2處理液J自基板W被去除而不會對基板W施加顯著之力。因此，圖案P不會倒塌。凸部W1不會倒塌。
圖5係模式性地表示去除工序中之基板W之圖。第2處理液J全部自基板W被去除。基板W被乾燥。
如此，本基板處理方法在適當地保護基板W的同時，對基板W進行處理。本基板處理方法在適當地保護基板W之表面Ws的同時，對基板W進行處理。因此，本基板處理方法適當地對基板W進行處理。
作為參考，例示比較例。比較例與本基板處理方法同樣具備處理工序、置換工序及去除工序。比較例之處理工序及去除工序分別與本基板處理方法之處理工序及去除工序實質上相同。比較例之置換工序與本基板處理方法之置換工序不同。於比較例之置換工序中，將沖洗液G置換為置換液。置換液包含有機溶劑，不含添加劑。
圖6係模式性地表示比較例之置換工序中之基板W之圖。置換液K與基板W接觸。如上所述，置換液K不含添加劑。其結果為，置換液K中之質子q之量相對較多。例如，置換液K中之質子q之量與沖洗液G中之質子q之量為相同程度。置換液K中之質子q之量越多，有機溶劑之脫水反應越容易發生。若發生有機溶劑之脫水反應，則會在置換液K中生成水r。結果導致置換液K包含水r。置換液K中所包含之水r之濃度相對較高。置換液K中所包含之水r之濃度高於第2處理液J中所包含之水之濃度。因此，置換液K具有相對較大之表面張力。置換液K之表面張力大於第2處理液J之表面張力。
圖7係模式性地表示比較例之去除工序中之基板W之圖。圖7中省略了質子q之圖示。
基板W上之置換液K被逐漸去除。如上所述，置換液K之表面張力相對較大。因此，置換液K會對基板W施加顯著之力。結果導致基板W之表面Ws受到損傷。例如，圖案P倒塌。例如，凸部W1倒塌。
圖8係模式性地表示比較例之去除工序中之基板W之圖。置換液K全部自基板W被去除。基板W被乾燥。
如此，比較例無法適當地保護基板W。比較例無法適當地保護基板W之表面Ws。因此，比較例無法適當地對基板W進行處理。
以下，對用以實施上述基板處理方法之複數個實施方式進行說明。
＜2.第1實施方式＞ ＜2-1.基板處理裝置之概要＞ 圖9係表示基板處理裝置1之內部之俯視圖。基板處理裝置1對基板W進行處理。
基板處理裝置1具備傳載部3及處理區塊7。處理區塊7與傳載部3連接。傳載部3向處理區塊7供給基板W。處理區塊7對基板W進行處理。傳載部3自處理區塊7將基板W回收。
於本說明書中，方便起見，將傳載部3與處理區塊7排列之方向稱為「前後方向X」。前後方向X係水平。將前後方向X中自處理區塊7朝向傳載部3之方向稱為「前方」。將與前方相反之方向稱為「後方」。將與前後方向X正交之水平方向稱為「寬度方向Y」。將「寬度方向Y」之一方向適當稱為「右方」。將與右方相反之方向稱為「左方」。將與水平方向垂直之方向稱為「鉛直方向Z」。於各圖中，作為參考，適當示出前、後、右、左、上、下。
傳載部3具備複數個(例如，4個)載具載置部4。各載具載置部4分別載置1個載具C。載具C收容複數片基板W。載具C例如為FOUP(Front Opening Unified Pod，前開式晶圓盒)、SMIF(Standard Mechanical Interface，標準機械介面)、或OC(Open Cassette，開放式卡匣)。
傳載部3具備搬送機構5。搬送機構5配置於載具載置部4之後方。搬送機構5搬送基板W。搬送機構5可進出載置於載具載置部4之載具C。搬送機構5具備手5a及手驅動部5b。手5a支持基板W。手驅動部5b與手5a連結。手驅動部5b使手5a移動。手驅動部5b例如使手5a沿前後方向X、寬度方向Y及鉛直方向Z移動。手驅動部5b例如使手5a於水平面內旋轉。
處理區塊7具備搬送空間8及搬送機構9。搬送機構9設置於搬送空間8。搬送機構9搬送基板W。搬送機構9與搬送機構5能夠相互交接基板W。搬送機構9具備手9a及手驅動部9b。手9a支持基板W。手驅動部9b與手9a連結。手驅動部9b使手9a移動。手驅動部9b例如使手9a沿前後方向X、寬度方向Y及鉛直方向Z移動。手驅動部9b例如使手9a於水平面內旋轉。
處理區塊7具備複數個處理單元11。處理單元11配置於搬送空間8之側方。處理單元11配置於搬送機構9之側方。各處理單元11對基板W進行處理。
處理單元11具備基板保持部13。基板保持部13保持基板W。
搬送機構9能夠進出各處理單元11。搬送機構9能夠將基板W交遞至基板保持部13。搬送機構9能夠自基板保持部13獲取基板W。
圖10係基板處理裝置1之控制方塊圖。基板處理裝置1具備控制部10。控制部10對搬送機構5、9及處理單元11進行控制。控制部10與搬送機構5、9及處理單元11可通信地電性連接。
控制部10係藉由執行各種處理之中央運算處理裝置(CPU)、作為運算處理之作業區域之RAM(Random-Access Memory，隨機存取記憶體)、固定磁碟等記憶媒體等來實現。控制部10具有預先儲存於記憶媒體中之各種資訊。控制部10所具有之資訊例如為用以控制搬送機構5、9之搬送資訊。控制部10所具有之資訊例如為用以控制處理單元11之處理資訊。處理資訊亦可稱為處理工序配方。
對基板處理裝置1之動作例簡單地進行說明。
傳載部3向處理區塊7供給基板W。具體而言，搬送機構5自載具C向處理區塊7之搬送機構9交遞基板W。
搬送機構9將基板W自傳載部3分配給處理單元11。具體而言，搬送機構9將基板W自搬送機構5搬送至各處理單元11之基板保持部13。
處理單元11對由基板保持部13保持之基板W進行處理。處理單元11例如對基板W進行液體處理。
當處理單元11對基板W進行處理後，搬送機構9使基板W自處理單元11回到傳載部3。具體而言，搬送機構9將基板W自基板保持部13搬送至搬送機構5。
傳載部3自處理區塊7將基板W回收。具體而言，搬送機構5將基板W自搬送機構9搬送至載具C。
＜2-2.處理單元11之構成＞ 圖11係表示第1實施方式之處理單元11之構成之圖。各處理單元11具有相同構造。處理單元11被分類為單片式。即，各處理單元11一次僅對1片基板W進行處理。
基板保持部13支持1片基板W。基板保持部13以大致水平姿勢支持基板W。
基板W具有上表面Wt及下表面Wb。上表面Wt與下表面Wb分別為基板W之表面Ws之一部分。上表面Wt例如包含上述圖案P。下表面Wb例如與基板保持部13接觸。下表面Wb亦可稱為基板W之背面。
處理單元11具備旋轉驅動部14。旋轉驅動部14使基板保持部13旋轉。由基板保持部13保持之基板W與基板保持部13一體地旋轉。由基板保持部13保持之基板W繞著旋轉軸線B旋轉。旋轉軸線B例如通過基板W之中心，沿著鉛直方向Z延伸。
處理單元11具備1個以上(例如3個)供給部15a、15b、15c。各供給部15a-15c分別向基板W供給處理液。具體而言，各供給部15a-15c分別向由基板保持部13保持之基板W供給處理液。各供給部15a-15c分別向由基板保持部13保持之基板W之上表面Wt供給處理液。
由供給部15a供給至基板W之處理液係藥液。藥液例如為蝕刻液。藥液例如包含氫氟酸(HF)及緩衝氫氟酸(BHF)中之至少任一者。由供給部15b供給至基板W之處理液係沖洗液G。由供給部15c供給至基板W之處理液係第2處理液J。
供給部15a具備噴嘴16a。同樣地，供給部15b、15c分別具備噴嘴16b、16c。噴嘴16a噴出藥液。噴嘴16b噴出沖洗液G。噴嘴16c噴出第2處理液J。
供給部15a具備配管17a及閥18a。配管17a與噴嘴16a連接。閥18a設置於配管17a。當閥18a打開時，噴嘴16a噴出藥液。當閥18b關閉時，噴嘴16a不噴出藥液。同樣地，供給部15b、15c分別具備配管17b、17c及閥18b、18c。配管17b、17c分別與噴嘴16b、16c連接。閥18b、18c分別設置於配管17b、17c。閥18b控制由噴嘴16b進行之沖洗液G之噴出。閥18c控制由噴嘴16c進行之第2處理液J之噴出。
供給部15a與藥液供給源19a連接。供給部15a與藥液供給源19a連通。藥液供給源19a例如與配管17a連接。藥液供給源19a向供給部15a輸送藥液。
供給部15b與沖洗液供給源19b連接。供給部15b與沖洗液供給源19b連通。沖洗液供給源19b例如與配管17b連接。沖洗液供給源19b向供給部15b輸送沖洗液G。
藥液供給源19a可為基板處理裝置1之要件。例如，藥液供給源19a可為基板處理裝置1中所包含之藥液槽。或者，藥液供給源19a亦可並非基板處理裝置1之要件。例如，藥液供給源19a可為設置於基板處理裝置1之外部之實體設備。同樣地，沖洗液供給源19b可為基板處理裝置1之要件。或者，沖洗液供給源19b亦可並非基板處理裝置1之要件。
基板處理裝置1具備第2處理液生成單元21。第2處理液生成單元21與供給部15c連接。第2處理液生成單元21與供給部15c連通。第2處理液生成單元21例如與配管17c連接。第2處理液生成單元21向供給部15c輸送第2處理液J。
此處，第2處理液生成單元21可對設置於複數個處理單元11之供給部15c供給第2處理液J。或者，第2處理液生成單元21亦可僅對設置於1個處理單元11之供給部15c供給第2處理液J。關於藥液供給源19a及沖洗液供給源19b，亦同樣如此。
處理單元11可進而具備未圖示之承杯。承杯配置於基板保持部13之周圍。承杯接住從由基板保持部13保持之基板W飛散之處理液。
參照圖10。控制部10控制旋轉驅動部14。控制部10控制供給部15a-15c。具體而言，控制部10控制閥18a-18c。
＜2-3.第2處理液生成單元21之構成＞ 參照圖11。第2處理液生成單元21生成第2處理液J。
第2處理液生成單元21具備槽22。槽22與供給部15c連接。槽22與供給部15c連通。槽22例如經由配管17c與噴嘴16c連通。第2處理液生成單元21於槽22中生成第2處理液J。
第2處理液生成單元21具備供給部23a、23b。供給部23a將添加劑供給至槽22。供給部23b將有機溶劑供給至槽22。
供給部23a具備配管24a及閥25a。配管24a與槽22連接。配管24a與槽22連通。閥25a設置於配管24a。當閥25a打開時，供給部23a向槽22供給添加劑。當閥25a關閉時，供給部23a不向槽22供給添加劑。同樣地，供給部23b具備配管24b及閥25b。配管24b與槽22連接。配管24b與槽22連通。閥25b設置於配管24b。閥25b控制對槽22之有機溶劑之供給。
供給部23a與添加劑供給源29a連接。供給部23a與添加劑供給源29a連通。添加劑供給源29a例如與配管24a連接。添加劑供給源29a向供給部23a輸送添加劑。供給部23b與有機溶劑供給源29b連接。供給部23b與有機溶劑供給源29b連通。有機溶劑供給源29b例如與配管24b連接。有機溶劑供給源29b向供給部23b輸送有機溶劑。添加劑供給源29a及有機溶劑供給源29b可為基板處理裝置1之元件，亦可並非基板處理裝置1之元件。
參照圖10。控制部10控制第2處理液生成單元21。控制部10與第2處理液生成單元21可通信地電性連接。
控制部10控制供給部23a、23b。控制部10控制閥25a、25b。具體而言，控制部10具有用以控制第2處理液生成單元21之第2處理液生成資訊。第2處理液生成資訊預先記憶於控制部10之記憶媒體中。
＜2-4.第2處理液生成單元21之動作例＞ 方便起見，參照圖11。第2處理液生成單元21根據控制部10之控制，而生成第2處理液J。具體而言，供給部23a將添加劑供給至槽22。供給部23b將有機溶劑供給至槽22。添加劑與有機溶劑在槽22中混合。添加劑與有機溶劑在槽22中成為第2處理液J。進而，第2處理液J貯存在槽22中。
此處，控制部10例如可藉由控制供給部23a、23b，而調整第2處理液J之生成量。控制部10例如可藉由控制供給部23a、23b，而調整槽22內之第2處理液J之貯存量。控制部10例如可藉由控制供給部23a、23b，而調整第2處理液J中之添加劑之濃度。
＜2-5.處理單元11之動作例＞ 圖12係表示第1實施方式之基板處理方法之步序之流程圖。基板處理方法與上述第2處理液生成單元21之動作一併執行。基板處理方法實質上由處理單元11來執行。處理單元11根據控制部10之控制而動作。
基板處理方法具備藥液供給工序(步驟S1a)及沖洗液供給工序(步驟S1b)。藥液供給工序及沖洗液供給工序係處理工序(步驟S1)之例。
基板處理方法具備第1供給工序(步驟S2a)。第1供給工序係置換工序(步驟S2)之例。
基板處理方法具備旋轉乾燥工序(步驟S3a)。旋轉乾燥工序係去除工序(步驟S3)之例。
進而，基板處理方法具備旋轉開始工序(步驟S11)及旋轉停止工序(步驟S12)。對基板處理方法具體地進行說明。
步驟S11：旋轉開始工序 基板保持部13保持基板W。基板W以大致水平姿勢被保持。基板W開始旋轉。具體而言，旋轉驅動部14使基板保持部13旋轉。基板W與基板保持部13一體地繞著旋轉軸線B旋轉。處理工序、置換工序及去除工序係在基板W旋轉之狀態下執行。
步驟S1a：藥液供給工序 供給部15a向基板W供給藥液。具體而言，閥18a打開。噴嘴16a噴出藥液。藥液被供給至基板W之上表面Wt。例如，藉由藥液，對基板W進行蝕刻。例如，藉由藥液，自基板W去除自然氧化膜。
其後，供給部15a停止對基板W之藥液之供給。具體而言，閥18a關閉。噴嘴16a停止藥液之噴出。
步驟S1b：沖洗液供給工序 供給部15b向基板W供給沖洗液G。具體而言，閥18b打開。噴嘴16b噴出沖洗液G。沖洗液G被供給至基板W之上表面Wt。例如，藉由沖洗液G，將基板W洗淨。例如，藉由沖洗液G，自基板W將藥液去除。
其後，供給部15b停止對基板W之沖洗液G之供給。具體而言，閥18b關閉。噴嘴16b停止沖洗液G之噴出。
步驟S2a：第1供給工序 供給部15c向基板W供給第2處理液J。具體而言，閥18c打開。噴嘴16c噴出第2處理液J。第2處理液J被供給至基板W之上表面Wt。藉由第2處理液J之供給，將基板W上之沖洗液G置換為第2處理液J。即，藉由第2處理液J，沖洗液G自基板W被去除。第2處理液J之膜形成於基板W之上表面Wt上。
其後，供給部15c停止對基板W之第2處理液J之供給。具體而言，閥18c關閉。噴嘴16c停止第2處理液J之噴出。
步驟S3a：旋轉乾燥工序 將第2處理液J自基板W去除。具體而言，藉由作用於基板W上之第2處理液J之離心力，將第2處理液J自基板W甩開。第2處理液J自基板W飛散。藉此，第2處理液J自基板W被去除。基板W被乾燥。
例如，旋轉乾燥工序中之基板W之旋轉速度高於處理工序中之基板W之旋轉速度。例如，旋轉乾燥工序中之基板W之旋轉速度高於置換工序中之基板W之旋轉速度。
步驟S12：旋轉停止工序 基板W停止旋轉。具體而言，旋轉驅動部14停止基板保持部13之旋轉。基板保持部13及由基板保持部13保持之基板W靜止。
＜2-6.第1實施方式之效果＞ 基板處理方法具備處理工序、置換工序及去除工序。處理工序向基板W供給沖洗液G。置換工序係將基板W上之沖洗液G置換為第2處理液J。藉由置換工序，沖洗液G自基板W被去除。去除工序係將第2處理液J自基板W去除。藉由將第2處理液J自基板W去除，基板W被乾燥。
第2處理液J包含有機溶劑及添加劑。添加劑抑制有機溶劑之脫水反應。具體而言，添加劑抑制第2處理液J中之水r之生成。因此，第2處理液J實質上不含水r。第2處理液J所包含之水r之量極少。因此，第2處理液J之表面張力相對較小。因此，第2處理液J不會對基板W施加顯著之力。結果能夠較好地保護基板W。例如，能夠較好地防止圖案P之倒壞。例如，能夠較好地防止凸部W1之倒壞。
如上所述，根據基板處理方法，能夠在較好地保護基板W的同時，對基板W進行處理。因此，基板處理方法能夠適當地對基板W進行處理。
例如，添加劑使第2處理液J中之質子q減少。因此，添加劑較好地抑制有機溶劑之脫水反應。添加劑較好地抑制第2處理液J中之水r之生成。
添加劑包含鹼。鹼接收質子q。當鹼接收質子q時，質子q減少。因此，鹼較好地減少第2處理液J中之質子q。因此，添加劑較好地抑制有機溶劑之脫水反應。添加劑較好地抑制第2處理液J中之水r之生成。
例如，添加材包含碳酸氫根離子(HCO 3 -)及碳酸根離子(CO 3 2-)中之至少任一者。碳酸氫根離子(HCO 3 -)較好地接收質子q。因此，碳酸氫根離子(HCO 3 -)較好地減少第2處理液J中之質子q。碳酸根離子(CO 3 2-)較好地接收質子q。因此，碳酸根離子(CO 3 2-)較好地減少第2處理液J中之質子q。因此，添加劑較好地抑制有機溶劑之脫水反應。添加劑較好地抑制第2處理液J中之水r之生成。
添加劑包含由弱酸生成之陰離子。由弱酸生成之陰離子較好地接收質子。因此，由弱酸生成之陰離子較好地減少第2處理液J中之質子q。因此，添加劑較好地抑制有機溶劑之脫水反應。添加劑較好地抑制第2處理液J中之水r之生成。
例如，添加劑抑制第2處理液J中之質子q之增加。因此，添加劑較好地抑制有機溶劑之脫水反應。添加劑較好地抑制第2處理液J中之水r之生成。
例如，添加劑包含緩衝劑。緩衝劑緩和第2處理液J中之氫離子濃度之變化。因此，緩衝劑較好地緩和第2處理液J中之質子q之量之變化。例如，緩衝劑較好地緩和第2處理液J中之質子q之增加。因此，添加劑較好地抑制有機溶劑之脫水反應。添加劑較好地抑制第2處理液J中之水r之生成。
例如，添加劑包含化合物a1-a12中之至少任一者。化合物a1-a12分別較好地緩和第2處理液J中之氫離子濃度之變化。因此，添加劑較好地抑制有機溶劑之脫水反應。添加劑較好地抑制第2處理液J中之水r之生成。
例如，有機溶劑包含醇。於此情形時，添加劑較好地抑制醇之脫水反應。添加劑較好地抑制第2處理液J中之水r之生成。
例如，有機溶劑包含異丙醇。於此情形時，添加劑較好地抑制異丙醇之脫水反應。添加劑較好地抑制第2處理液J中之水r之生成。
置換工序包括第1供給工序。第1供給工序係將第2處理液J供給至基板W。因此，置換工序較好地將基板W上之沖洗液G置換為第2處理液J。
基板W具有表面Ws。表面Ws包含多晶矽膜、氧化矽膜及氮化矽膜中之至少任一者。因此，表面Ws容易帶負電。於表面Ws帶負電之情形時，表面Ws吸引質子q。第2處理液J包含有機溶劑。第2處理液J中之質子q之量越多，有機溶劑之脫水反應越容易發生。然而，如上所述，第2處理液J包含添加劑。因此，即便於表面Ws包含多晶矽膜、氧化矽膜及氮化矽膜中之至少任一者之情形時，有機溶劑之脫水反應亦被添加劑抑制。即便於表面Ws包含多晶矽膜、氧化矽膜及氮化矽膜中之至少任一者之情形時，第2處理液J中之水r之生成亦被添加劑抑制。反倒是於表面Ws包含多晶矽膜、氧化矽膜及氮化矽膜中之至少任一者之情形時，添加劑發揮顯著之功能。換言之，於表面Ws包含多晶矽膜、氧化矽膜及氮化矽膜中之至少任一者之情形時，添加劑之功能顯著地得到發揮。添加劑之功能係抑制有機溶劑之脫水反應。添加劑之功能係抑制第2處理液J中之水r之生成。
基板W具有圖案P。圖案P形成於表面Ws。因此，第2處理液J中之質子q容易集中於表面Ws之附近。第2處理液J包含有機溶劑。第2處理液J中之質子q之量越多，有機溶劑之脫水反應越容易發生。然而，如上所述，第2處理液J包含添加劑。因此，即便於圖案P形成於表面Ws之情形時，有機溶劑之脫水反應亦被添加劑抑制。即便於圖案P形成於表面Ws之情形時，第2處理液J中之水r之生成亦被添加劑抑制。反倒是於圖案P形成於表面Ws之情形時，添加劑發揮顯著之功能。
圖案P越微細，第2處理液J中之質子q越容易集中於表面Ws之附近。然而，即便於圖案P微細之情形時，有機溶劑之脫水反應亦被添加劑抑制。即便於圖案P微細之情形時，第2處理液J中之水r之生成亦被添加劑抑制。反倒是於圖案P微細之情形時，添加劑發揮更顯著之功能。
＜3.第2實施方式＞ 參照圖式，對第2實施方式進行說明。再者，針對與第1實施方式相同之構成，標註相同符號而省略詳細之說明。於第1實施方式中，第2處理液J於第2處理液生成單元21中生成。第1實施方式之置換工序係將第2處理液J供給至基板W。相對於此，第2實施方式之置換工序係將有機溶劑供給至基板W，且將添加劑供給至基板W。於第2實施方式中，第2處理液J於基板W上生成。
＜3-1.處理單元11之構成＞ 圖13係表示第2實施方式之處理單元11之構成之圖。處理單元11除了具備供給部15a、15b以外亦具備供給部15d、15e。供給部15d向基板W供給添加劑。供給部15e向基板W供給有機溶劑。
供給部15d具備噴嘴16d。同樣地，供給部15e具備噴嘴16e。噴嘴16d噴出添加劑。噴嘴16e噴出有機溶劑。
供給部15d具備配管17d及閥18d。配管17d與噴嘴16d連接。閥18d設置於配管17d。閥18d控制由噴嘴16d進行之添加劑之噴出。同樣地，供給部15e具備配管17e及閥18e。配管17e與噴嘴16e連接。閥18e設置於配管17e。閥18e控制由噴嘴16e進行之有機溶劑之供給。
供給部15d與添加劑供給源29a連接。供給部15d與添加劑供給源29a連通。添加劑供給源29a例如與配管17d連接。添加劑供給源29a向供給部15d輸送添加劑。供給部15e與有機溶劑供給源29b連接。供給部15e與有機溶劑供給源29b連通。有機溶劑供給源29b例如與配管17e連接。有機溶劑供給源29b向供給部15e輸送有機溶劑。
控制部10控制供給部15d、15e，但省略了圖示。控制部10控制閥18d、18e。
＜3-2.處理單元11之動作例＞ 圖14係表示第2實施方式之基板處理方法之步序之流程圖。第2實施方式之基板處理方法具備第2供給工序(步驟S2b)及第3供給工序(步驟S2c)。第2供給工序及第3供給工序係置換工序(步驟S2)之例。
對第2實施方式之基板處理方法具體地進行說明。於旋轉開始工序(步驟S11)中，基板W開始旋轉。於藥液供給工序(步驟S1a)中，向基板W供給藥液。於沖洗液供給工序(步驟S1b)中，向基板W供給沖洗液G。
在沖洗液供給工序之後，執行第2供給工序及第3供給工序。
於第2供給工序(步驟S2b)中，供給部15d向基板W供給添加劑。具體而言，閥18d打開。噴嘴16d噴出添加劑。添加劑被供給至基板W之上表面Wt。
其後，供給部15d停止對基板W之添加劑之供給。具體而言，閥18d關閉。噴嘴16d停止添加劑之噴出。
於第3供給工序(步驟S2c)中，供給部15e向基板W供給有機溶劑。具體而言，閥18e打開。噴嘴16e噴出有機溶劑。有機溶劑被供給至基板W之上表面Wt。
其後，供給部15e停止對基板W之有機溶劑之供給。具體而言，閥18e關閉。噴嘴16e停止有機溶劑之噴出。
此處，執行第3供給工序之期間之至少一部分可與執行第2供給工序之期間之至少一部分重疊。例如，第2供給工序與第3供給工序可同時執行。例如，可在第2供給工序開始之前開始第3供給工序。例如，亦可在第2供給工序開始之後且第2供給工序結束之前開始第3供給工序。
或者，執行第3供給工序之期間亦可不與執行第2供給工序之期間重疊。例如，可在第3供給工序結束之後開始第2供給工序。例如，亦可在第2供給工序結束之後開始第3供給工序。
於第2供給工序及第3供給工序中，有機溶劑與添加劑於基板W上成為第2處理液J。
於第2供給工序及第3供給工序中之至少任一工序中，沖洗液G被去除。沖洗液G被有機溶劑及第2處理液J中之至少任一者去除。例如，可將基板W上之沖洗液G置換為有機溶劑，其後，於基板W上生成第2處理液J。例如，亦可在基板W上由有機溶劑生成第2處理液J，與此同時將基板W上之沖洗液G置換為有機溶劑及第2處理液J中之至少任一者。
在第2供給工序及第3供給工序之後，執行旋轉乾燥工序。在旋轉乾燥工序(步驟S3a)中，第2處理液J自基板W被去除。於旋轉停止工序(步驟S12)中，基板W停止旋轉。
＜3-3.第2實施方式之效果＞ 藉由第2實施方式，亦取得與第1實施方式相同之效果。例如，由於第2處理液J包含有機溶劑及添加劑，故而能夠在較好地保護基板W的同時，對基板W進行處理。進而，根據第2實施方式，取得以下之效果。
置換工序包括第2供給工序及第3供給工序。第2供給工序係將添加劑供給至基板W。第3供給工序係將有機溶劑供給至基板W。因此，置換工序中，在基板W上由添加劑及有機溶劑生成第2處理液J。因此，置換工序較好地將基板W上之沖洗液G置換為第2處理液J。
如上所述，置換工序係在基板W上由添加劑及有機溶劑生成第2處理液J。因此，在執行置換工序之前，可不準備第2處理液J。因此，能夠簡化基板處理方法之構成。進而，於第2實施方式中，可省略第2處理液生成單元21。因此，能夠簡化基板處理裝置1之構成。
如上所述，置換工序係在基板W上由添加劑及有機溶劑生成第2處理液J。因此，置換工序更適當地控制基板W上之第2處理液J中之添加劑之濃度。例如，基板W上之第2處理液J中之添加劑之濃度不會過低。
然而，添加劑有時容易自第2處理液J中釋出。添加劑有時容易自第2處理液J中向空氣中釋出。換言之，添加劑有時容易自第2處理液J中逸出。例如，於添加劑包含化合物a1(即，二氧化碳)之情形時，添加劑容易自第2處理液J中釋出。然而，如上所述，第2供給工序及第3供給工序在基板W上生成第2處理液J。因此，即便於添加劑容易自第2處理液J中釋出之情形時，基板W上之第2處理液J中之添加劑之濃度亦保持在適當之範圍內。反倒是於添加劑容易自第2處理液J中釋出之情形時，第2供給工序及第3供給工序會發揮顯著之有益性。
例如，執行第3供給工序之期間之至少一部分與執行第2供給工序之期間之至少一部分重疊。於此情形時，置換工序所需之時間較好地被縮短。
例如，開始第3供給工序，其後，開始第2供給工序。於此情形時，基板W上之沖洗液G被有機溶劑去除，其後，於基板W上生成第2處理液J。藉此，能夠高效率地生成第2處理液J。能夠減少添加劑之使用量。
例如，在第3供給工序結束之後，開始第2供給工序。藉此，能夠更高效率地生成第2處理液J。能夠進一步減少添加劑之使用量。
＜4.第3實施方式＞ 參照圖式，對第3實施方式進行說明。再者，針對與第1、第2實施方式相同之構成，標註相同符號而省略詳細之說明。於第3實施方式中，向基板W上之第2處理液J中補充添加劑。
＜4-1.處理單元11之構成＞ 圖15係表示第3實施方式之處理單元11之構成之圖。處理單元11具備供給部15a、15b、15c、15d。供給部15a-15c之構成已於第1實施方式中說明。供給部15d之構成已於第2實施方式中說明。
＜4-2.處理單元11之動作例＞ 圖16係表示第3實施方式之基板處理方法之步序之流程圖。第3實施方式之基板處理方法除了具備第1供給工序(步驟S2a)以外，亦具備第2供給工序(步驟S2b)。第1供給工序及第2供給工序分別為置換工序(步驟S2)之例。
第3實施方式之基板處理方法除了具備旋轉乾燥工序(步驟S3a)以外，亦具備追加供給工序(步驟S3b)。旋轉乾燥工序及追加供給工序分別為去除工序(步驟S3)之例。
對第3實施方式之基板處理方法具體地進行說明。於旋轉開始工序(步驟S11)中，基板W開始旋轉。於藥液供給工序(步驟S1a)中，向基板W供給藥液。於沖洗液供給工序(步驟S1b)中，向基板W供給沖洗液G。在沖洗液供給工序之後，執行第1供給工序及第2供給工序。於第1供給工序(步驟S2a)中，向基板W供給第2處理液J。於第2供給工序(步驟S2b)中，向基板W供給添加劑。於第2供給工序中，添加劑被添加至基板W上之第2處理液J中。
此處，執行第2供給工序之期間之至少一部分可與執行第1供給工序之期間之至少一部分重疊。例如，第1供給工序與第2供給工序可同時執行。例如，可在第1供給工序開始之後且第1供給工序結束之前開始第2供給工序。
或者，執行第2供給工序之期間亦可不與執行第1供給工序之期間重疊。例如，可在第1供給工序結束之後開始第2供給工序。
在第1供給工序及第2供給工序之後，執行旋轉乾燥工序及追加供給工序。於旋轉乾燥工序(步驟S3a)中，第2處理液J自基板W被去除。
於追加供給工序(步驟S3b)中，供給部15d向基板W供給添加劑。具體而言，閥18d打開。噴嘴16d噴出添加劑。添加劑被供給至基板W之上表面Wt。
其後，供給部15d停止對基板W之添加劑之供給。具體而言，閥18d關閉。噴嘴16d停止添加劑之噴出。
此處，執行追加供給工序之期間之至少一部分可與執行旋轉乾燥工序之期間之至少一部分重疊。例如，旋轉乾燥工序與追加供給工序可同時執行。例如，可在旋轉乾燥工序開始之後且旋轉乾燥工序結束之前開始追加供給工序。
或者，執行追加供給工序之期間亦可不與執行旋轉乾燥工序之期間重疊。例如，可在追加供給工序結束之後開始旋轉乾燥工序。
較佳為在旋轉乾燥工序結束之前結束追加供給工序。較佳為在基板W上之第2處理液J全部自基板W被去除之前結束追加供給工序。
第2供給工序與追加供給工序可在時間上連續。即，可從置換工序結束之前到去除工序開始之後，藉由供給部15d將添加劑持續供給至基板W。
在旋轉乾燥工序及追加供給工序之後，執行旋轉停止工序。於旋轉停止工序(步驟S12)中，基板W停止旋轉。
＜4-3.第3實施方式之效果＞ 藉由第3實施方式，亦取得與第1實施方式相同之效果。進而，根據第3實施方式，取得以下之效果。
置換工序除了包括第1供給工序以外，亦包括第2供給工序。第2供給工序係將添加劑供給至基板。第2供給工序係向基板W上之第2處理液J中補充添加劑。因此，基板W上之第2處理液J中之添加劑之濃度被控制在適當之範圍內。例如，基板W上之第2處理液J中之添加劑之濃度不會顯著降低。因此，添加劑更好地抑制基板W上之有機溶劑之脫水反應。添加劑更好地抑制第2處理液J中之水r之生成。
例如，在第1供給工序結束之後，開始第2供給工序。於此情形時，第2供給工序能夠有效地向基板W上之第2處理液J中補充添加劑。
例如，在第1供給工序開始之後且第1供給工序結束之前，開始第2供給工序。於此情形時，第2處理液J中之添加劑之濃度之變化較好地得到抑制。
如上所述，置換工序包括第2供給工序。因此，即便於添加劑容易自第2處理液J中釋出之情形時，基板W上之第2處理液J中之添加劑之濃度亦被適當地控制。反倒是於添加劑容易自第2處理液J中釋出之情形時，第2供給工序會發揮更顯著之有益性。
去除工序包括追加供給工序。追加供給工序係將添加劑供給至基板W。追加供給工序係向基板W上之第2處理液J中補充添加劑。因此，於去除工序中，基板W上之第2處理液J中之添加劑之濃度亦被控制在適當之範圍內。例如，於去除工序中，基板W上之第2處理液J中之添加劑之濃度亦不會顯著降低。因此，於去除工序中，添加劑亦仍然較好地抑制基板W上之有機溶劑之脫水反應。於去除工序中，添加劑亦較好地持續抑制基板W上之有機溶劑之脫水反應。於去除工序中，添加劑亦仍然較好地抑制第2處理液J中之水r之生成。結果能夠更好地保護基板W。
如上所述，去除工序包括追加供給工序。因此，即便於添加劑容易自第2處理液J中釋出之情形時，於去除工序中，基板W上之第2處理液J中之添加劑之濃度亦被適當地控制。反倒是於添加劑容易自第2處理液J中釋出之情形時，追加供給工序會發揮更顯著之有益性。
＜5.第4實施方式＞ 參照圖式，對第4實施方式進行說明。再者，針對與第1-第3實施方式相同之構成，標註相同符號而省略詳細之說明。於第4實施方式中，於密閉之空間內對基板W進行處理。
＜5-1.處理單元11之構成＞ 圖17係表示第4實施方式之處理單元11之構成之圖。處理單元11具備殼體31。殼體31具有大致箱形狀。殼體31與搬送空間8相接。
殼體31收容基板保持部13。當基板W由基板保持部13保持時，基板W收容於殼體31中。殼體31收容噴嘴16a-16c。
具體而言，殼體31劃分空間31a。空間31a位於殼體31之內部。基板保持部13設置於空間31a中。噴嘴16a-16c亦設置於空間31a中。
殼體31具有基板搬送口31b。基板搬送口31b例如配置於殼體31之側壁。基板搬送口31b使空間31a與搬送空間8連通。基板W能夠通過基板搬送口31b。
處理單元11具備擋板32。擋板32將基板搬送口31b打開及關閉。具體而言，處理單元11具備未圖示之擋板移動機構。擋板移動機構使擋板32移動。藉由擋板移動機構，擋板32移動至第1位置及第2位置。圖17中用實線表示位於第1位置之擋板32。當擋板32位於第1位置時，擋板32將基板搬送口31b關閉。圖17中用虛線表示位於第2位置之擋板32。當擋板32位於第2位置時，擋板32將基板搬送口31b打開。當擋板32位於第2位置時，空間31a經由基板搬送口31b向搬送空間8開放。當擋板32位於第2位置時，殼體31開放。
處理單元11具備密封構件33。密封構件33使殼體31與擋板32密接。例如，密封構件33安裝於殼體31及擋板32中之至少任一者。密封構件33例如為O形環。當擋板32位於第1位置時，擋板32經由密封構件33與殼體31密接。其結果為，當擋板32位於第1位置時，殼體31被密閉。當擋板32位於第1位置時，空間31a被封閉。當擋板32位於第1位置時，空間31a從搬送空間8被遮斷。
控制部10控制擋板移動機構，但省略了圖示。
殼體31係本發明中之處理容器之例。空間31a係本發明中之處理空間之例。
＜5-2.處理單元11之動作例＞ 圖18係表示第4實施方式之基板處理方法之步序之流程圖。第4實施方式之基板處理方法進而具備密閉工序(步驟S21)、及開放工序(步驟S22)。
對第4實施方式之基板處理方法具體地進行說明。在搬送機構9將基板W載置於基板保持部13之後，執行密閉工序。於密閉工序(步驟S21)中，殼體31被密閉。具體而言，擋板32自第2位置移動至第1位置。藉此，空間31a被封閉。由基板保持部13保持之基板W收容於殼體31中。由基板保持部13保持之基板W位於空間31a中。
在密閉工序之後，執行處理工序(步驟S1a、S1b)、置換工序(步驟S2a)及去除工序(步驟S3a)。在基板W收容於殼體31中且殼體31被密閉之狀態下，執行處理工序、置換工序及去除工序。換言之，在基板W所在之空間31a被封閉之狀態下，執行處理工序、置換工序及去除工序。處理工序包括藥液供給工序(步驟S1a)及沖洗液供給工序(步驟S1b)。置換工序包括第1供給工序(步驟S2a)。去除工序包括旋轉乾燥工序(步驟S3a)。
在去除工序之後，執行開放工序。於開放工序(步驟S22)中，殼體31開放。具體而言，擋板32自第1位置移動至第2位置。藉此，空間31a開放。殼體31允許搬送機構9獲取基板保持部13上之基板W。
＜5-3.第4實施方式之效果＞ 藉由第4實施方式，亦取得與第1實施方式相同之效果。進而，根據第4實施方式，取得以下之效果。
於置換工序中，基板W位於殼體31之內部，且殼體31被密閉。於置換工序中，基板W所在之空間31a被密閉。於置換工序中，基板W所在之空間31a被封閉。因此，於置換工序中，添加劑不會自基板W上之第2處理液J中被過度釋出。於置換工序中，添加劑不會自基板W上之第2處理液J中被過度釋出至空間31a中。因此，於置換工序中，第2處理液J中之添加劑之濃度被保持在適當之範圍內。例如，於置換工序中，第2處理液J中之添加劑之濃度不會顯著降低。即便於添加劑容易自第2處理液J中釋出之情形時，基板W上之第2處理液J中之添加劑之濃度亦被適當地保持。因此，添加劑較好地抑制有機溶劑之脫水反應。添加劑較好地抑制第2處理液J中之水r之生成。
同樣地，於去除工序中，基板W位於殼體31之內部，且殼體31被密閉。於去除工序中，基板W所在之空間31a被密閉。於去除工序中，基板W所在之空間31a被封閉。因此，於去除工序中，添加劑亦不會自基板W上之第2處理液J中被過度釋出。於去除工序中，添加劑亦不會自基板W上之第2處理液J中被過度釋出至空間31a中。因此，於去除工序中，第2處理液J中之添加劑之濃度亦被保持在適當之範圍內。因此，於去除工序中，添加劑亦仍然較好地抑制有機溶劑之脫水反應。於去除工序中，添加劑亦仍然較好地抑制第2處理液J中之水r之生成。結果能夠更好地保護基板W。
＜6.第5實施方式＞ 參照圖式，對第5實施方式進行說明。再者，針對與第1-第4實施方式相同之構成，標註相同符號而省略詳細之說明。於第5實施方式之置換工序中，藉由與殼體31不同之構件，而將用以對基板W進行處理之空間密閉。
＜6-1.處理單元11之構成＞ 圖19係表示第5實施方式之處理單元11之構成之圖。圖19中省略了擋板32之圖示。處理單元11具備內部容器41。內部容器41設置於殼體31之內部。內部容器41收容基板保持部13。當基板W由基板保持部13保持時，基板W收容於內部容器41。
具體而言，內部容器41劃分空間41a。空間41a位於內部容器41之內部。內部容器41之空間41a小於殼體31之空間31a。基板保持部13設置於空間41a中。
內部容器41具有第1構件42。第1構件42配置於基板保持部13之側方。第1構件42配置於基板保持部13之周圍。第1構件42例如具有大致圓筒形狀。第1構件42例如向上方開放。第1構件42例如相當於內部容器41之本體。例如，第1構件42可為承杯。例如，第1構件42可接住從由基板保持部13保持之基板W飛散之處理液。或者，第1構件42亦可為不同於承杯之另一構件。
內部容器41具有第2構件43。第2構件43配置於第1構件42之上方。第2構件43配置於基板保持部13之上方。第2構件相當於內部容器41之蓋子。
內部容器41具備密封構件44。密封構件44使第1構件42與第2構件43密接。例如，密封構件44安裝於第1構件42及第2構件43中之至少任一者。密封構件44例如為O形環。
處理單元11具備內部容器移動機構45。內部容器移動機構45使內部容器41打開及關閉。具體而言，內部容器移動機構45使第2構件43相對於第1構件42移動。
藉由內部容器移動機構45，第2構件43移動至第1位置及第2位置。圖19中用實線表示位於第1位置之第2構件43。當第2構件43位於第1位置時，第2構件43經由密封構件44與第1構件42密接。因此，當第2構件43位於第1位置時，內部容器41被密閉。當第2構件43位於第1位置時，空間41a被封閉。圖19中用虛線表示位於第2位置之第2構件43。第2位置例如為第1位置之上方之位置。當第2構件43位於第2位置時，內部容器41開放。當第2構件43位於第2位置時，空間41a開放。
噴嘴16c安裝於第2構件43。噴嘴16c與第2構件43一體地移動。當第2構件43位於第1位置時，噴嘴16c位於處理位置。圖19中用實線表示位於處理位置之噴嘴16c。噴嘴16c之處理位置例如為由基板保持部13保持之基板W之上方之位置。當第2構件43位於第2位置時，噴嘴16c位於待機位置。圖19中用虛線表示位於待機位置之噴嘴16c。噴嘴16c之待機位置例如為噴嘴16c之處理位置之上方之位置。
處理單元11具備噴嘴移動機構47a。噴嘴移動機構47a使噴嘴16a移動。藉由噴嘴移動機構47a，噴嘴16a移動至待機位置及處理位置。圖19中示出了位於待機位置之噴嘴16a。當噴嘴16a位於待機位置時，噴嘴16a位於內部容器41之外部。當噴嘴16a位於待機位置時，噴嘴16a位於被密閉之內部容器41之外部。當噴嘴16a位於待機位置時，噴嘴16a允許內部容器41打開及關閉。噴嘴16a之處理位置例如為由基板保持部13保持之基板W之上方之位置，但省略了圖示。當第2構件43位於第2位置時，內部容器41允許噴嘴16a移動至處理位置。
同樣地，處理單元11具備噴嘴移動機構47b。噴嘴移動機構47b使噴嘴16b移動。藉由噴嘴移動機構47b，噴嘴16b移動至待機位置及處理位置。圖19中示出了位於待機位置之噴嘴16b。當噴嘴16b位於待機位置時，噴嘴16b位於內部容器41之外部。當噴嘴16b位於待機位置時，噴嘴16b位於被密閉之內部容器41之外部。當噴嘴16b位於待機位置時，噴嘴16b允許內部容器41打開及關閉。噴嘴16b之處理位置例如為由基板保持部13保持之基板W之上方之位置，但省略了圖示。當第2構件43位於第2位置時，內部容器41允許噴嘴16b移動至處理位置。
控制部10控制內部容器移動機構45，但省略了圖示。控制部10控制噴嘴移動機構47a、47b。
內部容器41係本發明中之處理容器之例。空間41a係本發明中之處理空間之例。
＜6-2.處理單元11之動作例＞ 圖20係表示第5實施方式之基板處理方法之步序之流程圖。第5實施方式之基板處理方法進而具備密閉工序(步驟S23)、及開放工序(步驟S24)。
對第5實施方式之基板處理方法具體地進行說明。在基板W收容於內部容器41且內部容器41開放之狀態下，執行旋轉開始工序、藥液供給工序及沖洗液供給工序。在基板W收容於內部容器41且內部容器41開放之狀態下，基板W位於空間41a中，第2構件43位於第2位置，空間41a開放。藥液供給工序(步驟S1a)及沖洗液供給工序(步驟S1b)係處理工序之例。因此，於處理工序(步驟S1a、S1b)中，基板W所在之空間41a開放。
於藥液供給工序中，噴嘴16a自待機位置移動至處理位置。當噴嘴16a位於處理位置時，噴嘴16a向基板W供給藥液。其後，噴嘴16a自處理位置移動至待機位置。
於沖洗液供給工序中，噴嘴16b自待機位置移動至處理位置。當噴嘴16b位於處理位置時，噴嘴16b向基板W供給沖洗液G。其後，噴嘴16b自處理位置移動至待機位置。
在沖洗液供給工序結束之後，執行密閉工序。於密閉工序(步驟S23)中，內部容器41被密閉。具體而言，第2構件43自第2位置移動至第1位置。藉此，空間41a被封閉。基板W收容於內部容器41中。基板W位於空間41a中。
在密閉工序之後，執行第1供給工序及旋轉乾燥工序。第1供給工序(步驟S2a)係置換工序之例。旋轉乾燥工序(步驟S3a)係去除工序之例。在基板W收容於內部容器41且內部容器41被密閉之狀態下，執行置換工序(步驟S2a)及去除工序(步驟S3a)。換言之，在基板W所在之空間41a被封閉之狀態下，執行置換工序及去除工序。
繼而，執行旋轉停止工序。在旋轉停止工序之後，執行開放工序。在開放工序(步驟S24)中，內部容器41開放。具體而言，第2構件43自第1位置移動至第2位置。藉此，空間41a開放。
＜6-3.第5實施方式之效果＞ 藉由第5實施方式，亦取得與第1實施方式相同之效果。進而，根據第5實施方式，取得以下之效果。
於置換工序中，基板W位於內部容器41之內部，且內部容器41被密閉。於置換工序中，基板W所在之空間41a被密閉。於置換工序中，基板W所在之空間41a被封閉。因此，於置換工序中，添加劑不會自基板W上之第2處理液J中被過度釋出。於置換工序中，添加劑不會自基板W上之第2處理液J中被過度釋出至空間41a中。因此，於置換工序中，第2處理液J中之添加劑之濃度被保持在適當之範圍內。例如，於置換工序中，第2處理液J中之添加劑之濃度不會過度降低。因此，添加劑較好地抑制有機溶劑之脫水反應。添加劑較好地抑制第2處理液J中之水r之生成。
尤其是，內部容器41之空間41a小於殼體31之空間31a。因此，添加劑不會自第2處理液J中容易地釋出。添加劑不會自第2處理液J中容易地釋出至空間41a中。因此，於置換工序中，第2處理液J中之添加劑之濃度不容易降低。因此，於置換工序中，第2處理液J中之添加劑之濃度更容易加以控制。
於去除工序中，基板W位於內部容器41之內部，且內部容器41被密閉。於去除工序中，基板W所在之空間41a被密閉。於去除工序中，基板W所在之空間41a被封閉。因此，於去除工序中，添加劑亦不會自基板W上之第2處理液J中被過度釋出。於去除工序中，添加劑亦不會自基板W上之第2處理液J中被過度釋出至空間41a中。因此，於去除工序中，第2處理液J中之添加劑之濃度亦被保持在適當之範圍內。因此，於去除工序中，添加劑亦仍然較好地抑制有機溶劑之脫水反應。於去除工序中，添加劑亦仍然較好地抑制第2處理液J中之水r之生成。結果能夠更好地保護基板W。
＜7.第6實施方式＞ 參照圖式，對第6實施方式進行說明。再者，針對與第1-第5實施方式相同之構成，標註相同符號而省略詳細之說明。於第6實施方式之置換工序中，覆蓋基板W之上表面Wt。於第6實施方式之置換工序中，將基板W之上表面Wt遮斷。
＜7-1.處理單元11之構成＞ 圖21係表示第6實施方式之處理單元11之構成之圖。處理單元11具備罩蓋構件51。罩蓋構件51例如具有大致平坦之板形狀。罩蓋構件51於俯視下具有與基板W同等以上之大小，但省略了圖示。
處理單元11具備罩蓋構件移動機構52。罩蓋構件移動機構52使罩蓋構件51相對於由基板保持部13保持之基板W移動。
藉由罩蓋構件移動機構52，罩蓋構件51移動至第1位置。圖21中用實線表示位於第1位置之罩蓋構件51。當罩蓋構件51位於第1位置時，罩蓋構件51位於基板W之上方。更詳細而言，第1位置係基板W上之處理液(例如，第2處理液J)之上方之位置。當罩蓋構件51位於第1位置時，罩蓋構件51位於基板W之上表面Wt之附近。當罩蓋構件51位於第1位置時，罩蓋構件51覆蓋基板W之上表面Wt。
藉由罩蓋構件移動機構52，罩蓋構件51移動至第2位置。圖21中用虛線表示位於第2位置之罩蓋構件51。第2位置例如為第1位置之上方之位置。當罩蓋構件51位於第2位置時，罩蓋構件51亦位於基板W之上方。但是，當罩蓋構件51位於第2位置時，罩蓋構件51遠離基板W之上表面Wt。具體而言，第2位置與上表面Wt之間之間隔距離大於第1位置與上表面Wt之間之間隔距離。
將基板W之上方之空間稱為上空間M。上空間M被限制在罩蓋構件51之下方。罩蓋構件51使上空間M擴張且收縮。具體而言，當罩蓋構件51在第1位置與第2位置之間移動時，上空間M在鉛直方向Z上伸縮。當罩蓋構件51位於第1位置時，上空間M較狹窄。當罩蓋構件51位於第2位置時，上空間M較大。
噴嘴16c安裝於罩蓋構件51。噴嘴16c與罩蓋構件51一體地移動。當罩蓋構件51位於第1位置時，噴嘴16c位於處理位置。圖21中用實線表示位於處理位置之噴嘴16c。噴嘴16c之處理位置例如為由基板保持部13保持之基板W之上方之位置。當罩蓋構件51位於第2位置時，噴嘴16c位於待機位置。圖21中用虛線表示位於待機位置之噴嘴16c。噴嘴16c之待機位置例如為噴嘴16c之處理位置之上方之位置。
圖21中示出了位於待機位置之噴嘴16a、16b。當噴嘴16a、16b位於待機位置時，噴嘴16a、16b位於罩蓋構件51之外側。當噴嘴16a、16b位於待機位置時，噴嘴16a、16b允許罩蓋構件51移動至第1位置。噴嘴16a、16b之處理位置例如為由基板保持部13保持之基板W之上方之位置，但省略了圖示。當罩蓋構件51位於第2位置時，罩蓋構件51允許噴嘴16a、16b移動至處理位置。
控制部10控制罩蓋構件移動機構52，但省略了圖示。
＜7-2.處理單元11之動作例＞ 圖22係表示第6實施方式之基板處理方法之步序之流程圖。第6實施方式之基板處理方法進而具備遮斷工序(步驟S25)及遮斷解除工序(步驟S26)。
對第6實施方式之基板處理方法具體地進行說明。在罩蓋構件51位於第2位置之狀態下，執行旋轉開始工序(步驟S11)、藥液供給工序(步驟S1a)及沖洗液供給工序(步驟S1b)。在罩蓋構件51位於第2位置之狀態下，上空間M較寬敞。藥液供給工序(步驟S1a)及沖洗液供給工序(步驟S1b)分別為處理工序之例。因此，於處理工序(步驟S1a、S1b)中，上空間M較寬敞。
在沖洗液供給工序結束之後，執行遮斷工序。於遮斷工序(步驟S25)中，基板W之上表面Wt被遮斷。具體而言，罩蓋構件51自第2位置移動至第1位置。罩蓋構件51配置於基板W之上表面Wt之附近。罩蓋構件51覆蓋基板W之上表面Wt。上空間M被罩蓋構件51縮小。上空間M較狹窄。
在遮斷工序之後，執行第1供給工序及旋轉乾燥工序。第1供給工序(步驟S2a)係置換工序之例。旋轉乾燥工序(步驟S3a)係去除工序之例。在基板W之上表面Wt被遮斷之狀態下，執行置換工序(步驟S2a)及去除工序(步驟S3a)。
繼而，執行旋轉停止工序。在旋轉停止工序之後，執行遮斷解除工序。於遮斷解除工序(步驟S26)中，基板W之上表面Wt之遮斷被解除。具體而言，罩蓋構件51自第1位置移動至第2位置。藉此，上空間M擴張。基板W之上表面Wt實質上開放。
＜7-3.第6實施方式之效果＞ 藉由第6實施方式，亦取得與第1實施方式相同之效果。進而，根據第6實施方式，取得以下之效果。
於置換工序中，罩蓋構件51配置於基板W之上表面Wt之附近。於置換工序中，罩蓋構件51覆蓋基板W之上表面Wt。因此，罩蓋構件51較好地抑制自基板W上之第2處理液J中釋出之添加劑之量。罩蓋構件51較好地抑制添加劑自基板W上之第2處理液J中釋出。於置換工序中，添加劑不會自基板W上之第2處理液J中被過度釋出。因此，於置換工序中，基板W上之第2處理液J中之添加劑之濃度被保持在適當之範圍內。例如，於置換工序中，第2處理液J中之添加劑之濃度不會顯著降低。即便於添加劑容易自第2處理液J中釋出之情形時，基板W上之第2處理液J中之添加劑之濃度亦被適當地保持。因此，添加劑較好地抑制基板W上之有機溶劑之脫水反應。添加劑較好地抑制第2處理液J中之水r之生成。
於置換工序中，罩蓋構件51配置於基板W之上方。因此，於置換工序中，添加劑不容易自第2處理液J中釋出。因此，於置換工序中，第2處理液J中之添加劑之濃度容易加以控制。
罩蓋構件51構成為可移動至第1位置及第2位置。第1位置與上表面Wt之間之間隔距離小於第2位置與上表面Wt之間之間隔距離。罩蓋構件51位於第1位置時之上空間M小於罩蓋構件51位於第2位置時之上空間M。於置換工序中，罩蓋構件51配置於第1位置。因此，於置換工序中，罩蓋構件51較好地抑制自第2處理液J中釋出之添加劑之量。於置換工序中，罩蓋構件51較好地抑制添加劑自第2處理液J中釋出。於置換工序中，添加劑不容易自第2處理液J中釋出至上空間M中。另一方面，於處理工序中，罩蓋構件51配置於第2位置。因此，於處理工序中，罩蓋構件51不妨礙對基板W之藥液及沖洗液G之供給。即，於處理工序中，能夠較好地將藥液及沖洗液G供給至基板W。
第1位置係基板W之上方之位置。第2位置係第1位置之上方之位置。因此，罩蓋構件51能夠容易地在第1位置與第2位置之間移動。
於去除工序中，罩蓋構件51配置於基板W之上表面Wt之附近。於去除工序中，罩蓋構件51覆蓋基板W之上表面Wt。因此，於去除工序中，罩蓋構件51亦抑制自基板W上之第2處理液J中釋出之添加劑之量。於去除工序中，罩蓋構件51亦較好地抑制添加劑自基板W上之第2處理液J中釋出。於去除工序中，添加劑亦不會自基板W上之第2處理液J中被過度釋出。因此，於去除工序中，基板W上之第2處理液J中之添加劑之濃度亦被保持在適當之範圍內。因此，於去除工序中，添加劑亦仍然較好地抑制基板W上之有機溶劑之脫水反應。遍及置換工序及去除工序，添加劑較好地持續抑制基板W上之有機溶劑之脫水反應。於去除工序中，添加劑亦仍然較好地抑制第2處理液J中之水r之生成。結果能夠更好地保護基板W。
＜8.第7實施方式＞ 參照圖式，對第7實施方式進行說明。再者，針對與第1-第6實施方式相同之構成，標註相同符號而省略詳細之說明。
於第7實施方式之置換工序中，對基板W進行加熱。於第7實施方式之去除工序中，對基板W進行加熱。
＜8-1.處理單元11之構成＞ 圖23係表示第7實施方式之處理單元11之構成之圖。處理單元11具備加熱部61。加熱部61設置於殼體31(未圖示)之內部。加熱部61對由基板保持部13保持之基板W進行加熱。
加熱部61例如具備第1加熱部62及第2加熱部63。第1加熱部62配置於由基板保持部13保持之基板W之下方。第1加熱部62例如可安裝於基板保持部13。第2加熱部63配置於由基板保持部13保持之基板W之上方。
第1加熱部62例如包含電阻加熱器。電阻加熱器亦可稱為電加熱器。電阻加熱器例如包含電熱線。第1加熱部62例如包含燈加熱器。燈加熱器亦可稱為光加熱器。燈加熱器例如包含照射光之光源。第1加熱部62例如將高溫流體供給至基板W之下表面Wb。高溫流體具有能夠對基板W進行加熱之溫度。高溫流體例如為氣體或液體。
第2加熱部63例如包含電阻加熱器及燈加熱器中之至少任一者。
控制部10控制加熱部61，但省略了圖示。控制部10控制第1加熱部62及第2加熱部63。
＜8-2.處理單元11之動作例＞ 圖24係表示第7實施方式之基板處理方法之步序之流程圖。第7實施方式之基板處理方法具備第1加熱工序(S2d)及第2加熱工序(步驟S3c)。第1供給工序(步驟S2a)及第1加熱工序(步驟S2d)係置換工序(步驟S2)之例。旋轉乾燥工序(步驟S3a)及第2加熱工序(步驟S3c)係去除工序(步驟S3)之例。
對第7實施方式之基板處理方法具體地進行說明。在旋轉開始工序、藥液供給工序及沖洗液供給工序之後，執行第1供給工序及第1加熱工序。於第1供給工序中，向基板W供給第2處理液J。於第1加熱工序中，對基板W進行加熱。具體而言，加熱部61對基板W進行加熱。例如，第1加熱部62及第2加熱部63中之至少任一者對基板W進行加熱。
此處，執行第1加熱工序之期間之至少一部分可與執行第1供給工序之期間之至少一部分重疊。例如，第1供給工序與第1加熱工序可同時執行。例如，可在第1供給工序開始之後且第1供給工序結束之前開始第1加熱工序。
或者，執行第1加熱工序之期間亦可不與執行第1供給工序之期間重疊。例如，可在第1供給工序結束之後開始第1加熱工序。
在第1供給工序及第1加熱工序結束之後，執行旋轉乾燥工序及第2加熱工序。於旋轉乾燥工序中，第2處理液J自基板W被去除。於第2加熱工序中，對基板W進行加熱。具體而言，加熱部61對基板W進行加熱。例如，第1加熱部62及第2加熱部63中之至少任一者對基板W進行加熱。
此處，執行第2加熱工序之期間之至少一部分可與執行旋轉乾燥工序之期間之至少一部分重疊。例如，旋轉乾燥工序與第2加熱工序可同時執行。例如，可在旋轉乾燥工序開始之後且旋轉乾燥工序結束之前開始第2加熱工序。
或者，執行第2加熱工序之期間亦可不與執行旋轉乾燥工序之期間重疊。例如，可在旋轉乾燥工序結束之後開始第2加熱工序。例如，亦可在第2加熱工序結束之後開始旋轉乾燥工序。
第1加熱工序與第2加熱工序可在時間上連續。即，可從置換工序結束之前到去除工序開始之後，藉由加熱部61對基板W持續進行加熱。
在旋轉乾燥工序及第2加熱工序之後，執行旋轉停止工序。
＜8-3.第7實施方式之效果＞ 藉由第7實施方式，亦取得與第1實施方式相同之效果。進而，根據第7實施方式，取得以下之效果。
置換工序包括對基板進行加熱之第1加熱工序。因此，於置換工序中，基板W上之第2處理液J被加熱。因此，於置換工序中，基板W上之沖洗液G被順利地置換為第2處理液J。換言之，於置換工序中，第2處理液J將基板W上之沖洗液G高效率地自基板W去除。
去除工序包括對基板進行加熱之第2加熱工序。因此，於去除工序中，基板W上之第2處理液J被加熱。因此，於去除工序中，基板W上之第2處理液J被高效率地去除。換言之，於去除工序中，基板W以更短時間被乾燥。
第2處理液J包含有機溶劑。有機溶劑之溫度越高，有機溶劑之脫水反應越容易發生。然而，如上所述，第2處理液J包含添加劑。因此，即便於置換工序包括第1加熱工序之情形時，添加劑亦會抑制有機溶劑之脫水反應。即便於置換工序包括第1加熱工序之情形時，添加劑亦會較好地抑制第2處理液J中之水r之生成。反倒是於置換工序包括第1加熱工序之情形時，添加劑會發揮顯著之功能。
基於同樣之理由，即便於去除工序包括第2加熱工序之情形時，有機溶劑之脫水反應亦會被添加劑抑制。即便於去除工序包括第2加熱工序之情形時，第2處理液J中之水r之生成亦會被添加劑抑制。反倒是於去除工序包括第2加熱工序之情形時，添加劑會發揮顯著之功能。
本發明並不限於實施方式，可如下所述進行變化實施。
(1)於第1-第7實施方式中，第1處理液係沖洗液G。但並不限定於此。第1處理液亦可包含沖洗液G以外之處理液。例如，第1處理液亦可為藥液。例如，置換工序可將基板W上之藥液置換為第2處理液J。
(2)於第1、第3-第7實施方式中，第2處理液J於槽22中生成第2處理液J。但並不限定於此。例如，第2處理液生成單元21亦可在與供給部15c連通之流路中生成第2處理液J。
例如，第2處理液生成單元21具備接頭構件。第2處理液生成單元21於接頭構件中生成第2處理液J。具體而言，接頭構件將供給部15c、23a、23b連結。例如，接頭構件與配管17c、24a、24b連接。例如，接頭構件包含三向接頭。例如，接頭構件可包含混合閥。供給部23a向接頭構件供給添加劑。供給部23b向接頭構件供給有機溶劑。添加劑與有機溶劑在接頭構件中被混合。添加劑與有機溶劑在接頭構件中成為第2處理液J。第2處理液J自接頭構件流至供給部15c。
(3)於第1-第7實施方式中，可在第2處理液J被供給至基板W之前，自第2處理液J中去除水。亦可在有機溶劑被供給至基板W之前自有機溶劑中去除水。還可在添加劑被供給至基板W之前自添加劑中去除水。
例如，第2處理液生成單元21可具備吸附部。吸附部例如浸漬於槽22內之第2處理液J中。吸附部吸附第2處理液J中所包含之水。被吸附部吸附之水相當於自第2處理液J去除之水。吸附部例如具有粒形狀或顆粒形狀。吸附部例如為沸石。
例如，處理單元11及第2處理液生成單元21中之至少任一者可具備分離部。分離部例如設置於配管17c、17d、17e、24a、24b中之至少任一者。例如，配管17c上之分離部自流經配管17c之第2處理液J將水分離。藉此，配管17c上之分離部自第2處理液J將水去除。例如，配管17d、24a上之分離部分別自流經配管17d、24a之添加劑將水分離。藉此，配管17d、24a上之分離部分別自添加劑將水去除。例如，配管17e、24b上之分離部分別自流經配管17e、24b之有機溶劑將水分離。藉此，配管17e、24b上之分離部分別自有機溶劑將水去除。分離部例如為分離過濾器。分離部例如為沸石膜。
(4)於第1、第3-第7實施方式中，第2處理液J於第2處理液生成單元21中生成。但並不限定於此。例如，第2處理液J亦可於供給部15c中生成。
例如，亦可於噴嘴16c中生成第2處理液J。具體而言，噴嘴16c與供給部23a、23b連通連接。例如，噴嘴16c與配管24a、24b連接。供給部23a向噴嘴16c供給添加劑。供給部23b向噴嘴16c供給有機溶劑。添加劑與有機溶劑在噴嘴16c中混合。添加劑與有機溶劑在噴嘴16c中成為第2處理液J。第2處理液J自噴嘴16c噴出。
(5)於第1-第7實施方式中，處理單元11具備噴嘴16a-16c。但並不限定於此。例如，處理單元11亦可具備共通噴嘴來代替噴嘴16a-16c。共通噴嘴由供給部15a、15b、15c共用。具體而言，共通噴嘴與配管17a、17b、17c連接。當閥18a打開時，共通噴嘴噴出藥液。同樣地，當閥18b打開時，共通噴嘴噴出沖洗液G。當閥18c打開時，共通噴嘴噴出第2處理液J。藉由本變化實施方式，亦能夠較好地執行處理工序及置換工序。
(6)於第7實施方式中，可省略第1加熱工序及第2加熱工序中之一者。
(7)於第1-第7實施方式中，處理單元11被分類為單片式。但並不限定於此。例如，處理單元11亦可被分類為批次式。即，處理單元11可一次對複數個基板W進行處理。於第1-第7實施方式中，於處理工序、置換工序及去除工序中，基板W旋轉。但並不限定於此。例如，於處理工序、置換工序及去除工序中之至少任一工序中，基板W亦可不旋轉。
例示被分類為批次式之處理單元11之構成，但省略了圖示。處理單元11具備處理槽、基板保持部及升降驅動部。供給部15a-15c與處理槽連接。處理槽貯存處理液。基板保持部一次保持複數片基板W。基板保持部以大致垂直姿勢支持基板W。升降驅動部使基板保持部相對於處理槽升降。藉由升降驅動部，基板保持部移動至下位置及上位置。當基板保持部位於下位置時，由基板保持部保持之基板W位於處理槽之內部。當基板保持部位於下位置時，由基板保持部保持之基板W靜止。當基板保持部位於上位置時，由基板保持部保持之基板W位於處理槽之上方。當基板保持部位於上位置時，由基板保持部保持之基板W靜止。
處理工序例如包括藥液供給工序及沖洗液供給工序。
於藥液供給工序中，供給部15a將藥液供給至處理槽。處理槽貯存藥液。基板保持部位於下位置。由基板保持部保持之基板W浸漬於處理槽之藥液中。以此方式，藥液被供給至基板W。
於沖洗液供給工序中，藥液自處理槽排出。供給部15b將沖洗液G供給至處理槽。處理槽貯存沖洗液G。基板保持部位於下位置。由基板保持部保持之基板W浸漬於處理槽之沖洗液G中。以此方式，沖洗液G被供給至基板W。
於置換工序中，沖洗液G自處理槽排出。供給部15c將第2處理液J供給至處理槽。處理槽貯存第2處理液J。基板保持部位於下位置。由基板保持部保持之基板W浸漬於處理槽之第2處理液J中。以此方式，沖洗液G被置換為第2處理液J。第2處理液J被供給至基板W。
於去除工序中，基板保持部自下位置移動至上位置。由基板保持部保持之基板W自處理槽之第2處理液J中被提起。藉此，第2處理液J自基板W被去除。
如此，於本變化實施方式中，亦能夠較好地執行處理工序、置換工序及去除工序。
(8)於第1-第7實施方式中，基板W具有圖案P。但並不限定於此。例如，基板W亦可不具有圖案P。例如，圖案P亦可不形成於基板W之表面Ws。即便於基板W不具有圖案P之情形時，基板處理方法亦能夠在較好地保護基板W的同時，對基板W進行處理。因此，即便於基板W不具有圖案P之情形時，基板處理方法亦能夠對基板W適當地進行處理。
(9)關於第1-第7實施方式及上述(1)至(8)中所說明之各變化實施方式，可進而將各構成置換為其他變化實施方式之構成或與之組合等來適當進行變更。
例如，可將第2、第3實施方式之第2供給工序(步驟S2b)應用於第4-第7實施方式中。具體而言，第4-第7實施方式之基板處理方法可包括第2供給工序。
例如，可將第3實施方式之第3供給工序(步驟S2c)應用於第1、第2、第4-第7實施方式中。具體而言，第1、第2、第4-第7實施方式之基板處理方法可包括第3供給工序。
例如，可將第7實施方式之第1加熱工序(步驟S2d)應用於第1-第6實施方式中。具體而言，第1-第6實施方式之基板處理方法可包括第1加熱工序。
例如，可將第3實施方式之追加供給工序(步驟S3b)應用於第1、第2、第4-第7實施方式中。具體而言，第1、第2、第4-第7實施方式之基板處理方法可包括追加供給工序。
例如，可將第7實施方式之第2加熱工序(步驟S3c)應用於第1-第6實施方式中。具體而言，第1-第6實施方式之基板處理方法可包括第2加熱工序。
例如，可將第4、第5實施方式之殼體31應用於第1-第3、第6、第7實施方式中。具體而言，第1-第3、第6、第7實施方式之處理單元11可具備第4、第5實施方式之殼體31。
例如，可將第5實施方式之內部容器41應用於第1-第4、第6、第7實施方式中。具體而言，第1-第4、第6、第7實施方式之處理單元11可具備第5實施方式之內部容器41。
例如，可將第6實施方式之罩蓋構件51應用於第1-第5、第7實施方式中。具體而言，第1-第5、第7實施方式之處理單元11可具備第6實施方式之罩蓋構件51。
例如，可將第7實施方式之加熱部61應用於第1-第6實施方式中。例如，第1-第6實施方式之處理單元11可具備第7實施方式之加熱部61。例如，第1-第6實施方式之處理單元11可具備第7實施方式之第1加熱部62。例如，第1-第6實施方式之處理單元11可具備第7實施方式之第2加熱部63。
1:基板處理裝置 3:傳載部 4:載具載置部 5:搬送機構 5a:手 5b:手驅動部 7:處理區塊 8:搬送空間 9:搬送機構 9a:手 9b:手驅動部 10:控制部 11:處理單元 13:基板保持部 14:旋轉驅動部 15a:供給部(藥液供給部) 15b:供給部(沖洗液供給部) 15c:供給部(第2處理液供給部) 15d:供給部(添加劑供給部) 15e:供給部(有機溶劑供給部) 16a:噴嘴(藥液噴嘴) 16b:噴嘴(沖洗液噴嘴) 16c:噴嘴(第2處理液噴嘴) 16d:噴嘴(添加劑噴嘴) 16e:噴嘴(有機溶劑噴嘴) 17a:配管 17b:配管 17c:配管 17d:配管 17e:配管 18a:閥 18b:閥 18c:閥 18d:閥 18e:閥 19a:藥液供給源 19b:沖洗液供給源 21:第2處理液生成單元 22:槽 23a:供給部 23b:供給部 24a:配管 24b:配管 25a:閥 25b:閥 29a:添加劑供給源 29b:有機溶劑供給源 31:殼體(處理容器) 31a:空間(處理空間) 31b:基板搬送口 32:擋板 33:密封構件 41:內部容器(處理容器) 41a:空間(處理空間) 42:第1構件 43:第2構件 44:密封構件 45:內部容器移動機構 47a:噴嘴移動機構 47b:噴嘴移動機構 51:罩蓋構件 52:罩蓋構件移動機構 61:加熱部 62:第1加熱部 63:第2加熱部 A:凹部 B:旋轉軸線 C:載具 G:沖洗液(第1處理液) J:第2處理液 K:置換液 M:上空間 P:圖案 q:質子 r:水 S1:處理工序 S1a:藥液供給工序(處理工序) S1b:沖洗液供給工序(處理工序) S2:置換工序 S2a:第1供給工序(置換工序) S2b:第2供給工序(置換工序) S2c:第3供給工序(置換工序) S2d:第1加熱工序(置換工序) S3:去除工序 S3a:旋轉乾燥工序(去除工序) S3b:追加供給工序(去除工序) S3c:第2加熱工序(去除工序) S11:旋轉開始工序 S12:旋轉停止工序 S21:密閉工序 S22:開放工序 S23:密閉工序 S24:開放工序 S25:遮斷工序 S26:遮斷解除工序 W:基板 W1:凸部 Wb:下表面 Ws:基板之表面 Wt:上表面
圖1係表示基板處理方法之基本步序之流程圖。 圖2係模式性地表示處理工序中之基板之圖。 圖3係模式性地表示置換工序中之基板之圖。 圖4係模式性地表示去除工序中之基板之圖。 圖5係模式性地表示去除工序中之基板之圖。 圖6係模式性地表示比較例之置換工序中之基板之圖。 圖7係模式性地表示比較例之去除工序中之基板之圖。 圖8係模式性地表示比較例之去除工序中之基板之圖。 圖9係表示基板處理裝置之內部之俯視圖。 圖10係基板處理裝置之控制方塊圖。 圖11係表示第1實施方式之處理單元及第2處理液生成單元之構成之圖。 圖12係表示第1實施方式之基板處理方法之步序之流程圖。 圖13係表示第2實施方式之處理單元之構成之圖。 圖14係表示第2實施方式之基板處理方法之步序之流程圖。 圖15係表示第3實施方式之處理單元及第2處理液生成單元之構成之圖。 圖16係表示第3實施方式之基板處理方法之步序之流程圖。 圖17係表示第4實施方式之處理單元及第2處理液生成單元之構成之圖。 圖18係表示第4實施方式之基板處理方法之步序之流程圖。 圖19係表示第5實施方式之處理單元及第2處理液生成單元之構成之圖。 圖20係表示第5實施方式之基板處理方法之步序之流程圖。 圖21係表示第6實施方式之處理單元及第2處理液生成單元之構成之圖。 圖22係表示第6實施方式之基板處理方法之步序之流程圖。 圖23係表示第7實施方式之處理單元及第2處理液生成單元之構成之圖。 圖24係表示第7實施方式之基板處理方法之步序之流程圖。
A:凹部
J:第2處理液
P:圖案
q:質子
W:基板
W1:凸部
Ws:基板之表面

Claims (18)

  1. 一種基板處理方法，其具備： 處理工序，其係向基板供給第1處理液； 置換工序，其係將基板上之上述第1處理液置換為包含有機溶劑及添加劑之第2處理液；以及 去除工序，其係自基板去除上述第2處理液；且 上述添加劑抑制上述有機溶劑之脫水反應。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述添加劑使上述第2處理液中之質子減少。
  3. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述添加劑包含接收質子之鹼。
  4. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述添加材包含碳酸氫根離子及碳酸根離子中之至少任一者。
  5. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述添加劑包含緩和上述第2處理液中之氫離子濃度之變化的緩衝劑。
  6. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述添加劑包含如下化合物中之至少任一者： 二氧化碳、 4-甲苯磺酸、 甲醇鈉、 三氟乙酸鈉、 草酸、 甲氧基鋰、 三苄胺、 鄰苯二甲酸氫鈉、 水楊酸、 苯乙酸、 琥珀酸氫鋰、及 三順丁烯二酸鹽。
  7. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述有機溶劑包含醇。
  8. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述有機溶劑包含異丙醇。
  9. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述置換工序包括將上述第2處理液供給至基板之第1供給工序。
  10. 如請求項9之基板處理方法，其中 上述置換工序包括將上述添加劑供給至基板之第2供給工序。
  11. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述置換工序包括： 將上述添加劑供給至基板之第2供給工序、及 將上述有機溶劑供給至基板之第3供給工序。
  12. 如請求項1之基板處理方法，其中 於上述置換工序中，基板位於處理容器之內部，且上述處理容器被密閉。
  13. 如請求項1之基板處理方法，其中 於上述置換工序中，罩蓋構件配置於基板之上表面之附近，且覆蓋基板之上表面。
  14. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述置換工序包括對基板進行加熱之第1加熱工序。
  15. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述去除工序包括將上述添加劑供給至基板之追加供給工序。
  16. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述去除工序包括對基板進行加熱之第2加熱工序。
  17. 如請求項1之基板處理方法，其中 基板具有表面， 上述表面包含多晶矽膜、氧化矽膜及氮化矽膜中之至少任一者。
  18. 如請求項1之基板處理方法，其中 基板具有： 表面、及 形成於上述表面之至少一部分之圖案。
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