TW202302448A - 六方晶氮化硼凝集粒子及六方晶氮化硼粉末、樹脂組成物、樹脂片 - Google Patents

六方晶氮化硼凝集粒子及六方晶氮化硼粉末、樹脂組成物、樹脂片 Download PDF

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Abstract

本發明係提供一種六方晶氮化硼凝集粒子及六方晶氮化硼粉末，其可對填充於樹脂所得到的樹脂組成物賦予極高的耐絕緣力與導熱率，又，可降低其密度。
本發明之六方晶氮化硼凝集粒子係六方晶氮化硼一次粒子之凝集粒子，且長徑在5至10μm之範圍、長徑/短徑在1.0至1.3之範圍、圓形度在0.3至0.8之範圍，且從倍率10000倍之SEM觀察像中，在凝集粒子表面可確認之一次粒子的最大直徑為4μm以下。本發明之六方晶氮化硼粉末係由六方晶氮化硼一次粒子之凝集粒子所構成，且藉由濕式雷射繞射粒度分布法所測定的粒度分布之累積體積頻率50%的粒徑(D50)為5至150μm，藉由水銀壓入法所測定的細孔之體積基準中值徑為3.0μm以下，且雜質元素之含量為500ppm以下。

Description

六方晶氮化硼凝集粒子及六方晶氮化硼粉末、樹脂組成物、樹脂片
本發明係關於一種新穎的六方晶氮化硼凝集粒子及六方晶氮化硼粉末及其用途。詳而言之，係提供一種可對填充於樹脂所得到的樹脂組成物賦予極高的耐絕緣力與導熱率，且可降低上述樹脂組成物之密度，並進行輕量化之六方晶氮化硼凝集粒子及六方晶氮化硼粉末。
六方晶氮化硼粉末一般係具有與石墨同樣之六方晶系的層狀構造之白色粉末，具有高導熱性、高電絕緣性、高潤滑性、耐腐蝕性、離型性、高溫安定性、化學安定性等之許多特性。因此，填充有六方晶氮化硼粉末之樹脂組成物係藉由進行成形加工，可適合使用來作為導熱性絕緣片。
又，在近年，適用於高頻用裝置之低介電率、低介電正切、導熱率絕緣片之需求漸升高，相較於屬於其他的高導熱填充劑之氮化鋁或氧化鋁，屬於低介電率之六方晶氮化硼粉末的需求已高漲起來。
尤其，在適用於車輛之作為低比重導熱率絕緣片的用途中，相較於屬於其他之高導熱填充劑的氮化鋁或氧化鋁，屬於低比重之六方晶氮化硼粉末正備受矚目。
六方晶氮化硼粉末及構成六方晶氮化硼粉末之六方晶氮化硼凝集粒子係包含由源自結晶構造之鱗片狀粒子所構成的一次粒子，且該鱗片狀粒子具有熱異向性。因此，使用包含上述鱗片狀粒子作為單粒子之氮化硼粉末來作為填充劑之導熱性絕緣片時，鱗片狀粒子於該導熱性絕緣片之面方向會定向，故熱會朝鱗片狀粒子之導熱率低的c軸方向傳遞，且該導熱性絕緣片之厚度方向的導熱率低。
為了改善具有如此的鱗片狀構造之六方晶氮化硼粒子的熱性異向性，已提出一種六方晶氮化硼粉末，其係包含六方晶氮化硼之鱗片狀粒子朝任意的方向而經凝集之凝集粒子。
例如，已提出一種藉由以噴霧乾燥等使非晶質氮化硼粉末進行噴霧造粒並再進行加熱，以作為鱗片狀粒子經任意地定向之凝集粒子者；或使非晶質氮化硼粉末與氧化物等助劑之混合粉末進行擠壓成形並燒結後，使鱗片狀粒子經任意定向之燒結體而成者等破碎(參照專利文獻1)。此等之凝集粒子係構成凝集之屬於一次粒子的鱗片狀粒子之直徑大，且具有幾乎全部之一次粒子超過10μm之大小。接著，由上述凝集粒子所構成的氮化硼粉末當填充於樹脂時，藉由在鱗片狀粒子之屬於一次粒子間的空隙內滲入樹脂並填滿空隙，使大的氣泡難以存在於樹脂組成物中，而顯示高的耐絕緣性。
然而，有關上述耐絕緣性仍有改善之餘地。亦即，填充於樹脂時，在大的空隙雖然容易滲入樹脂，但在間隙朝向凝集粒子之中心部而變小，或形成連續之長的間隙時，在樹脂組成物中，擔心會殘存著使耐絕緣性降低之大小的孔洞。尤其是樹脂之黏度高時，該傾向會變得顯著。又，於在前述燒結體時，除了上述問題，亦擔心成為引起伴隨含有作為燒結助劑之雜質元素的耐絕緣力降低之原因。
又，在藉由使樹脂滲入於凝集粒子內之空隙以減少孔洞之前述凝集粒子中，在樹脂組成物中之氮化硼粉末的比重係約與塊體相等，無法謀求樹脂組成物之輕量化。
又，本案申請人已提出一種六方晶氮化硼粉末，其係最大扭力為0.20至0.50Nm、DBP吸收量為50至100ml/100g、及敲緊體積密度為0.66至0.95g/cm3(參照專利文獻2)。在上述專利文獻記載之發明係目的在於提供一種六方晶氮化硼粉末，其係容易填充於樹脂，且清漆化所需要的溶劑量少，當填充於樹脂時，顯現高的導熱率，再者，對耐絕緣性造成不良影響之比較大的空隙幾乎消失，並可對樹脂組成物賦予高的耐絕緣性；但，構成粉末之六方晶氮化硼粒子係成為無法確認一次粒子之粒徑程度的緻密的凝集，對於因在粒子內之空隙的形成所獲得的輕量化，期望與耐絕緣性之提升一起更提升。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2017-165609號公報
[專利文獻2]國際公開2018-123571
因此，本發明之目的在於提供一種六方晶氮化硼凝集粒子及六方晶氮化硼粉末，該六方晶氮化硼凝集粒子係在包含六方晶氮化硼之鱗片狀一次粒子經凝集的凝集粒子之六方晶氮化硼粉末中，可藉由凝集解決導熱之異向性而填充於樹脂時顯現高的導熱率，同時並可對填充於樹脂時所得到的樹脂組成物賦予極高的耐絕緣力，再者，亦可謀求如此的樹脂組成物之輕量化。
本發明人等為解決上述課題，進行致力研究。其結果，藉由採用特定之製造方法所得到的六方晶氮化硼凝集粒子及六方晶氮化硼粉末，而該特定之製造方法係使用已知作為用以藉由還原氮化法獲得氮化硼之原料的含氧硼化合物、碳源及含氧鈣化合物而進行還原氮化反應；而該六方晶氮化硼凝集粒子及六方晶氮化硼粉末係藉由鱗片狀一次粒子之凝集解決導熱之異向性，以及藉由在上述反應時生成凝集粒子，使構成凝集粒子之鱗片狀一次粒子小，因此，在朝任意方向之鱗片狀一次粒子間所形成的間隙為極小，故當填充於樹脂時，即便因如此的間隙而存在樹脂難以滲入的空隙，亦不因此使樹脂組成物之耐絕緣力降低，而且，可於凝集粒子內確保樹脂不會滲入之空隙，藉此，亦可謀求樹脂組成物之輕量化，並確認可全部解決前述課題，終於完成本發明。
亦即，依據本發明，可提供一種六方晶氮化硼凝集粒子(以下，亦稱為特定六方晶氮化硼凝集粒子)，其係六方晶氮化硼一次粒子之凝集粒子，且長徑在5至10μm之範圍、長徑/短徑在1.0至1.3之範圍、圓形度在0.3至0.8之範圍，而且，從倍率10000倍之SEM觀察像中，在凝集粒子表面可確認之一次粒子的最大直徑為4μm以下。
又，依據本發明，可提供一種六方晶氮化硼粉末，係由六方晶氮化硼一次粒子之凝集粒子所構成，並藉由濕式雷射繞射粒度分布法所測定的粒度分布之累積體積頻率50%的粒徑(D50)為5至150μm，且藉由水銀壓入法所測定的細孔之體積基準中值徑為3.0μm以下，雜質元素之含量為500ppm以下。
再者，依據本發明，可提供一種六方晶氮化硼粉末，其係包含前述特定六方晶氮化硼凝集粒子作為前述六方晶氮化硼一次粒子之凝集粒子者。
以上之六方晶氮化硼粉末較佳係BET比表面積為1至15m2/g，且吸油量為50至190cc/100g者。
又，本發明之特定六方晶氮化硼凝集粒子係藉由與不具有細孔之六方晶氮化硼單粒子一起使用，不使耐絕緣力降低，可構成覆蓋單粒子之熱性異向性之六方晶氮化硼粉末。亦即，依據本發明，可提供一種六方晶氮化硼粉末，其係包含特定六方晶氮化硼凝集粒子與六方晶氮化硼單粒子，且上述特定六方晶氮化硼凝集粒子之含有比例為5%以上，藉由濕式雷射繞射粒度分布法所測定的粒度分布之累積體積頻率50%的粒徑(D50)為5至150μm。
又再者，本發明亦提供一種樹脂組成物、由上述樹脂組成物所構成的樹脂片，該樹脂組成物係填充前述氮化硼粉末作為填充劑之導熱性優異、且顯示高的耐絕緣力。
本發明之特定六方晶氮化硼凝集粒子係藉由從微細的六方晶氮化硼之鱗片狀一次粒子的凝集粒子所構成，發揮所謂可解決因凝集所產生的導熱性之異向性的效果，再者，除了上述特性，尚藉由在凝集粒子表面具有微細的細孔，以發揮以往之凝集體所無的優異特性。亦即，藉由構成本發明之特定六方晶氮化硼凝集粒子的一次粒子為微細，粒子間之間隙極小，且與習知之板狀粒子凝集粒子彼此間的間隙為不同，當填充於樹脂時存在如此的間隙之孔洞幾乎對耐絕緣力不造成影響。
本發明之六方晶氮化硼粉末係由微細的六方晶氮化硼之鱗片狀一次粒子的凝集粒子所構成，故發揮所謂可解決因凝集所產生的導熱性之異向性的效果，再者，除了上述特性，藉由具有上述微細的六方晶氮化硼之一次粒子經緻密地凝集之構造，在凝集粒子表面形成微細的細孔，並發揮以往之凝集體所無的優異特性。亦即，構成本發明之六方晶氮化硼粉末的一次粒子之凝集粒子如前述，當填充於樹脂時所存在之如此的間隙之孔洞幾乎對耐絕緣力不造成影響。
因此，填充包含前述六方晶氮化硼粉末或前述特定六方晶氮化硼凝集粒子之六方晶氮化硼粉末的樹脂組成物係可發揮極高的耐絕緣力。又，藉由存在於凝集粒子內之上述間隙，亦可謀求六方晶氮化硼粉末之輕量化、甚至填充此所得到的樹脂組成物之輕量化。
又，本發明之特定六方晶氮化硼凝集粒子及六方晶氮化硼粉末係任一者皆可不採用必須有燒結助劑之燒結方法而製造，雜質元素含量少，且可高純度化，藉此，可抑制前述樹脂組成物之耐絕緣力的降低至最大限。
圖1係在實施例A1所得到的六方晶氮化硼粉末中之特定凝集粒子的SEM照片。
圖2係在實施例A1所得到的六方晶氮化硼粉末之SEM照片。
圖3係在實施例A1所得到的六方晶氮化硼粉末之粗大凝集粒子表面的SEM照片。
(特定六方晶氮化硼凝集粒子)
本發明之特定六方晶氮化硼凝集粒子，係六方晶氮化硼一次粒子之凝集粒子，且其特徵為長徑在5至10μm之範圍、長徑/短徑在1.0至1.3之範圍、圓形度在0.3至0.8之範圍，並且從倍率10000倍之SEM觀察像中，在凝集粒子表面可確認之一次粒子的最大直徑為4μm以下。
又，六方晶氮化硼之鑑定係在X線繞射測定中，確認無六方晶氮化硼以外之歸屬尖峰，鑑定試料粉末為六方晶氮化硼粉末。在此，上述X線繞射測定係使用Rigaku公司製，全自動水平型多目的X線繞射裝 置SmartLab(商品名)。測定條件係設為掃描速度20度/分鐘、步階(step)寬度0.02度、掃描範圍10至90度。又，表示六方晶氮化硼粉末之結晶性的GI值係從六方晶氮化硼粉末之X線繞射光譜的(100)、(101)及(102)繞射線之積分強度比(面積比)，藉由式GI=[{(100)+(101)}/[(102)]而算出。六方晶氮化硼粉末之GI值為2.5以下，即使在實施例中所得到的特定六方晶氮化硼凝集粒子亦確認出此。
本發明之特定六方晶氮化硼凝集粒子係雖然由六方晶氮化硼之鱗片狀一次粒子之凝集體所構成，但如此的凝集體係並非如以往之造粒方法或燒結方法般使一度所製造出的鱗片狀之六方晶氮化硼單粒子凝集的製法，而是採用合成六方晶氮化硼之特定的反應條件，為可在反應時生成凝集粒子而得到者。
因此，本發明之特定六方晶氮化硼凝集粒子係由微細的六方晶氮化硼之鱗片狀一次粒子所構成，從倍率10000倍之SEM觀察像中，在凝集粒子表面可確認之一次粒子之最大直徑為4μm以下，尤其，由所謂3μm以下之極小的一次粒子所構成。接著，藉此，凝集粒子內之間隙為極小，填充於樹脂時，存在於上述間隙之孔洞對耐絕緣力幾乎不影響，而所得到的樹脂組成物係可發揮極高的耐絕緣力。又，藉由在凝集粒子內及表面存在細孔(間隙)，亦可謀求填充六方晶氮化硼粉末所得到的樹脂組成物之輕量化。
本發明之特定六方晶氮化硼凝集粒子係長徑在5至10μm之範圍、長徑/短徑在1.0至1.3之範圍、圓形度在0.3至0.8之範圍者，與 其他之六方晶氮化硼粒子併用而調配於樹脂組成物時，因流動性優異，且提高對樹脂之填充性的提升效果，並提昇樹脂組成物之導熱性，故為有效。
又，前述上述長徑、短徑係從倍率10000倍之SEM觀察像算出。又，圓形度係在倍率10000倍的SEM觀察像，使用圖像分析軟體而以4π×(面積)/(周圍長)2之式求出。
若依據後述之製造方法，難以製造僅由本發明之特定六方晶氮化硼凝集粒子所構成的純粹之粉末，且生成具有各種之形狀或大小的凝集粒子。因此，較佳係藉由分級等去除粗粒或微細粒子而使用來作為提高特定六方晶氮化硼凝集粒子之含有比例的粉末。
如上述，對於本發明之特定六方晶氮化硼凝集粒子，細孔之中值徑係無法選擇性進行測定，但藉由後述之製造方法所得到的構成六方晶氮化硼粉末之凝集粒子係確認出具有因微細的一次粒子之緻密凝集所得到的相同之細孔構造，藉此，可對於上述六方晶氮化硼粉末測定細孔徑，並使特定六方晶氮化硼凝集粒子之細孔的中值徑進行特定。在本發明中，如此的特定六方晶氮化硼凝集粒子之細孔的中值徑為3.0μm以下，較佳係2.8μm，更佳係2.5μm以下。同樣方式，對於本發明之特定六方晶氮化硼凝集粒子，細孔徑在3μm以下之範圍的細孔之細孔容積為0.5cm3/g以上，較佳係0.5至2.0cm3/g。
前述細孔體積基準中值徑、細孔容積係藉由使用Micromeritics公司製、AutoPore IV9520之水銀壓入法，測定0.0036μm至200μm之細孔，從以細孔徑作為橫軸、以累積細孔容積作為縱軸而作圖之積算細孔分布算出。
本發明之特定六方晶氮化硼凝集粒子係依據後述之製造方法藉由不使用燒結助劑的方法所得到，故無因燒結助劑所造成的純度降低，且為高純度，例如，在構成絕緣片之樹脂組成物中使用來作為填充劑時，與因前述細孔小者所產生的效果一起發揮作用，而有助於耐電壓性之提高。亦即，本發明之特定六方晶氮化硼凝集粒子係雜質元素之含量為500ppm以下，尤其以400ppm以下為較佳。
在此所謂的雜質元素係鈣、鎂、鈉、鋁、鋰、鍶、鐵、硫、鎳、鉻、錳、矽、磷、鈦、鋇、鈷元素。前述雜質元素之含量係謂上述雜質元素之總含量。
六方晶氮化硼凝集粒子之雜質元素含有比例係依據螢光X線分析法而測定以後述之製造所得到的六方晶氮化硼粉末的值。又，在實施例中係使用Rigaku公司製ZSX Primus2(商品名)作為螢光X線分析裝置。
本發明之特定六方晶氮化硼凝集粒子係C%為0.04%以下、O%為0.4%以下，與前述雜質元素量少者相呼應而在導熱率、耐絕緣力之提升上更為有效。
特定六方晶氮化硼凝集粒子之O%係使用堀場製作所製：氧/氮素分析裝置EMGA-620而測定。六方晶氮化硼粉末之C%係使用堀場製作所製、EMIA-110而測定。
(六方晶氮化硼粉末)
本發明之六方晶氮化硼粉末其特徵係由六方晶氮化硼一次粒子之凝集粒子所構成，且細孔之體積基準中值徑為3μm以下，雜質元素之含量為500ppm以下。
又，六方晶氮化硼之鑑定係與前述特定六方晶氮化硼凝集粒子為相同，在X線繞射測定中確認無六方晶氮化硼以外之歸屬尖峰，並鑑定試料粉末為六方晶氮化硼粉末。在此，上述X線繞射測定係與特定六方晶氮化硼凝集粒子為相同，且本發明之六方晶氮化硼粉末之GI值為2.5以下，即使在實施例中亦確認出此。
本發明之六方晶氮化硼粉末係雖然由六方晶氮化硼之鱗片狀一次粒子之凝集體所構成，但如此的凝集體係並非如以往之造粒方法或燒結方法般使一度所製造出的鱗片狀之六方晶氮化硼單粒子凝集的製法，而是採用合成六方晶氮化硼之特定的反應條件，藉由生成凝集粒子而可獲得者。
因此，構成本發明之六方晶氮化硼粉末的凝集粒子係由微細的六方晶氮化硼之鱗片狀一次粒子所構成，且凝集粒子間之間隙極小，顯示細孔之體積基準中值徑為3.0μm以下之特徵的值。如此的體積基準中值徑較佳係2.8μm，更佳係2.5μm以下。上述細孔體積基準中值徑為超過3.0μm時，填充於樹脂時，容易殘存對絕緣阻抗造成影響之氣泡，難以發揮高的耐絕緣力。亦即，藉由構成本發明之六方晶氮化硼粉末的凝集粒子之細孔的體積基準中值徑為顯示前述值，當填充於樹脂時，存在於間隙之孔洞對耐絕緣力幾乎無影響，所得到的樹脂組成物係可發揮極高的耐絕緣力。又，藉由在凝集粒子內及表面存在細孔(間隙)，亦可謀求填充六方晶氮化硼粉末所得到的樹脂組成物之輕量化。上述細孔係可藉由圖3之SEM照片而確認。
本發明之六方晶氮化硼粉末除了凝集粒子之細孔的體積基準中值徑以外，細孔徑在3μm以下之範圍的細孔的細孔容積為0.2cm3/g以上，較佳係0.5至2.0cm3/g時，更加提高因細孔之殘存所得到的樹脂組成物之輕量化的效果，故為較佳。
前述細孔體積基準中值徑、細孔容積係藉由使用島津製作所製、AutoPore IV9520之水銀壓入法，測定0.0036μm至200μm之細孔，從以細孔徑作為橫軸、以積算細孔容積作為縱軸而經作圖之積算細孔分布算出。
本發明之六方晶氮化硼粉末其特徵係藉由以後述之製造方法不使用燒結助劑的方法而得到，故無因燒結助劑所造成的純度降低，為高純度，例如，在構成絕緣片之樹脂組成物中使用來作為填充劑時，與因前述細孔小者所產生的效果一起發揮作用，而有助於耐電壓性之提高。亦即，本發明之特定六方晶氮化硼凝集粒子係雜質元素之含量為500ppm以下，尤其為400ppm以下，且為高純度。
此處所謂的雜質元素係可列舉與前述特定六方晶氮化硼凝集粒子為相同者，前述雜質元素之含量係謂上述雜質元素之總含量。
前述六方晶氮化硼粉末之雜質元素含有比例係與前述特定六方晶氮化硼凝集粒子為相同方式而測定。
本發明之六方晶氮化硼粉末係C%為0.04%以下，O%為0.4%以下，為與前述雜質元素量少者相呼應，而在導熱率、耐絕緣力之提升上更為有效。
前述六方晶氮化硼粉末之O%係以與前述特定六方晶氮化硼凝集粒子為相同方式而測定。
本發明之六方晶氮化硼粉末之粒徑係亦包含後述之混合六方晶氮化硼粉末的情形，若考量對樹脂之填充性，在濕式雷射繞射粒度分布法中之粒度分布的累積體積頻率50%之粒徑(D50)為5至150μm，較佳係10至100μm，尤其，推薦為20至80μm之粒徑。為了調整成上述粒徑，從藉由後述之製造方法所得到的粗六方晶氮化硼粉末，依據篩等之分級方法分別粗大凝集粒子，具體而言係超過200μm，尤其超過150μm之凝集粒子，亦可構成本發明之六方晶氮化硼粉末。又，分取粗大粒子而碎解成適當的大小之後，藉由返回至六方晶氮化硼粉末，亦可構成六方晶氮化硼粉末。
又，在實施例中，以前述濕式雷射繞射粒度分布法所進行的粒徑之測定係使用HORIBA公司製：LA-950V2(商品名)來進行。
又，本發明之六方晶氮化硼粉末較佳係比表面積為1至15m2/g，若為1.5至14.0m2/g，則較佳，若為2.0至13.0m2/g，則更佳。亦即，超過15.0m2/g之六方晶氮化硼粉末係意指含有許多微粒子，如此的六方晶氮化硼粉末係結晶性低的氮化硼粉末之含量變多，不僅成為在絕緣散熱片內之熱阻抗的原因，從粉末容易揚起等之操作性的觀點而言，亦不佳。另一方面，未達1m2/g之六方晶氮化硼粉末中，經粒成長之扁平的六方晶氮化硼單粒子之比例會增加，有引起因其導熱之異向性而填充於樹脂時之樹脂組成物的導熱率降低之虞，故為不佳。
上述六方晶氮化硼粉末之比表面積係藉由BET1點法而測定出的值，在實施例中，使用Mountech公司製：Macsorb HM model-1201(商品名)進行測定。
又，本發明之六方晶氮化硼粉末係吸油量為50至190ml/100g，尤其為55至170ml/100g，再更佳係60至150ml/100g。亦即，上述DBP吸收量係六方晶氮化硼粉末的特性之中，為顯示凝集粒子內之開氣孔量、有無粒子表面之結構的狀態、及與樹脂之潤濕性者，且開氣孔愈多，結構愈為發達，愈高。亦即，上述吸油量過低者係開氣孔大，且結構之發達不充分，而不佳，若過高，則有相反之傾向，形成為樹脂組成物時係容易咬住大的氣泡，故不佳。又，在本發明之六方晶氮化硼粉末中，構成此之凝集粒子係由極微細的一次粒子所構成，故結構即使發達，藉此所形成之開氣孔小，形成為樹脂組成物時，係不成為問題。
上述六方晶氮化硼粉末之吸油量係依據JIS K5101-13-1：2004(「顏料試驗方法」-第13部：吸油量-第1節：精製亞麻仁法)所示的順序而測定。
再者，本發明之六方晶氮化硼粉末較佳係敲緊體積密度為0.40g/cm3以上。亦即，上述敲緊體積密度係六方晶氮化硼粉末的特性之中，為顯示粒子形狀、粒度分布廣度的指標，所謂上述值高係大的開氣孔少，接近球狀之凝集粒子多，又，為顯示具有接近最密填充之粒度分布的狀態者。接著，上述本發明之六方晶氮化硼粉末係藉由使後述之特定的六方晶氮化硼凝集粒子之含量增加，可容易掩埋粉末內之間隙，並提高上述 敲緊體積密度。又，在實施例所製作之六方晶氮化硼粉末的敲緊體積密度係全部為0.40g/cm3以上。
本發明之六方晶氮化硼粉末較佳係以5%以上較佳係10%以上之比例包含長徑在5至10μm之範圍、長徑/短徑在1.0至1.3之範圍、圓形度在0.3至0.8之範圍的六方晶氮化硼一次粒子之凝集粒子(以下，亦稱為球狀六方晶氮化硼凝集粒子。)的態樣。該球狀六方晶氮化硼凝集粒子最適合為前述特定六方晶氮化硼凝集粒子。亦即，如從後述之製造方法所理解，特定六方晶氮化硼凝集粒子，係以包含在反應中不可避免地生成之六方晶氮化硼凝集粒子作為六方晶氮化硼粉末的方式來獲得；構成如此的粉末之六方晶氮化硼凝集粒子係具有共通且微細的一次粒子為緻密凝集的構造。因此，包含特定六方晶氮化硼粒子作為球狀六方晶氮化硼凝集粒子，就滿足本發明之六方晶氮化硼粉末之特性上，可謂為最佳。
又，若滿足本發明之六方晶氮化硼粉末的前述特性，且滿足前述之長徑、比率、圓形度，亦可使用前述之特定六方晶氮化硼凝集粒子以外的球狀六方晶氮化硼凝集粒子。
又，長徑、長徑/短徑、圓形度係與前述特定六方晶氮化硼凝集粒子同樣地，以倍率10000倍之SEM觀察像確認而求出。
本發明之六方晶氮化硼粉末係在滿足前述特性之範圍內，可混合包含其他之六方晶氮化硼粒子的六方晶氮化硼粉末。混合上述其他之六方晶氮化硼粒子的粉末亦稱為「混合六方晶氮化硼粉末」。
混合六方晶氮化硼粉末係包含特定六方晶氮化硼凝集粒子與其他之六方晶氮化硼粒子，上述特定六方晶氮化硼凝集粒子之含有比例為5%以上，較佳係10%以上，更佳係20%以上。
在本發明中，前述被混合之其他的六方晶氮化硼粉末係只要為對本發明之六方晶氮化硼的特性不造成影響者即可，並無特別限制，但當填充於樹脂之後，以由抑制孔洞發生之六方晶氮化硼單粒子所構成的粉末為適合。上述六方晶氮化硼單粒子一般較多係形成扁平狀之形狀者，雖然具有導熱之異向性，但對樹脂之填充時，藉由與六方晶氮化硼一次粒子之凝集粒子，尤其與特定六方晶氮化硼凝集粒子接觸，可解決上述異向性，並發揮優異之導熱性。
上述六方晶氮化硼單粒子係粒子之長寬比(粒子之長徑與厚度之比(長徑/厚度)為3至20，又，較佳係長徑為1至30μm者。又，在不明顯阻礙以特定六方晶氮化硼凝集粒子所產生的本發明之效果的範圍，亦可併用特定六方晶氮化硼凝集粒子以外之六方晶氮化硼凝集粒子。
在本發明之六方晶氮化硼粉末中，亦包含混合六方晶氮化硼粉末之情形，以前述特定六方晶氮化硼凝集粒子作為代表之球狀六方晶氮化硼凝集粒子係具有適用於埋住其他之凝集粒子的間隙之適度大小，又，為略球狀，故推斷藉由在六方晶氮化硼粉末中以前述比例使其存在，可提高六方晶氮化硼粉末對樹脂的填充性，並可有效地抑制比較大的氣泡之殘存，有助於樹脂組成物之耐絕緣力的提高。
前述球狀六方晶氮化硼凝集粒子之六方晶氮化硼粉末佔有的比例，係因愈大於前述之下限值，愈助長上述作用，故較佳，特定六方晶 氮化硼凝集粒子之情形，較佳係使以後述之製造方法所得到的六方晶氮化硼粉末藉由以前述篩等所進行的分級，並藉由使粒徑比較大的粒子進行分別而增加其比例。
又，前述特定六方晶氮化硼凝集粒子係以後述之製造方法生成作為六方晶氮化硼粉末之一部分者，但構成凝集粒子之六方晶氮化硼一次粒子的大小，相較於其他之凝集粒子，為齊聚小者，且具有大部分之一次粒子的長徑為4μm以下之特徵，如此的特徵亦有助於前述之樹脂組成物中的耐絕緣力之提昇。
又，在本發明中，在六方晶氮化硼粉末中之球狀六方晶氮化硼凝集粒子的含有比例(%)係亦包含特定六方晶氮化硼凝集粒子之情形，可使用以下之方法而求得。首先，使用KOWA股份有限公司之乾式振動篩KFC-500-1D，並使用網目45μm之SUS網，使六方晶氮化硼粉末以30分鐘在45μm篩體上下進行篩選分開，球出45μm篩下重量比例X%。在此之後，從所回收之45μm篩下品的倍率500倍SEM觀察像，選出特定六方晶氮化硼凝集粒子等之球狀六方晶氮化硼凝集粒子與其以外之粒子，並求出45μm篩下之球狀六方晶氮化硼凝集粒子的SEM觀察像面積比例Y%。最後，將45μm篩下重量比例X%與45μm篩下之六方晶氮化硼凝集粒子的SEM觀察像面積比例Y%相乘而得到的比例(X×Y×0.01)%，作為本發明之球狀六方晶氮化硼凝集粒子比例。例如，六方晶氮化硼粉末之45μm篩下重量比例X為20wt%，45μm篩下之球狀六方晶氮化硼凝集粒子的SEM觀察像面積比例Y為60%的話，球狀六方晶氮化硼凝集粒子比例Z係算出為20×60×0.01=12%。
在本發明之六方晶氮化硼粉末中，包含特定六方晶氮化硼凝集粒子與其他的六方晶氮化硼粒子之混合六方晶氮化硼粉末的細孔之中值徑，係與特定六方晶氮化硼凝集粒子為相同，為3.0μm以下，較佳係2.8μm以下，更佳係2.5μm以下。又，上述六方晶氮化硼粉末係細孔徑在3μm以下之範圍的細孔之細孔容積為0.5cm3/g以上，較佳係0.5至2.0cm3/g。如上述，為了維持特定六方晶氮化硼凝集粒子之特性，在六方晶氮化硼粉末中之其他的六方晶氮化硼粒子係以單粒子為適合。
前述細孔體積基準中值徑、細孔容積之測定係可與前述特定六方晶氮化硼凝集粒子相同地進行。
(氮化硼粉末之製造方法)
本發明之特定六方晶氮化硼凝集粒子及六方晶氮化硼粉末的製造方法並無特別限制，但若例示代表性的製造方法，可列舉下列之製造方法：使425μm篩上殘留份為3質量%以下之含氧硼化合物、碳源、含氧鈣化合物，以在含氧硼化合物所含有的B源與在碳源所含有的C源之比例的B/C(元素比)換算成為0.63至0.73，相對於含氧硼化合物與碳源之合計量(B2O3、C換算值)100質量份，以CaO換算成為4至12質量份之比例混合含氧鈣化合物，在氮環境下加熱至1910至2000℃之最高溫度，經還原氮化之後，藉由酸洗淨以去除存在於反應生成物中之氮化硼以外的副生成物。
(原料)
上述本發明之製造方法的最大特徵點係將以預定之比例混合粒徑被控制之含氧硼化合物、碳源、含氧鈣化合物而作為原料，以如後述般，在1910℃以上之高溫下進行還原氮化。有關各原料顯示之功能係如以下。
(含氧硼化合物)
在上述本發明之製造方法中，原料之含氧硼化合物係可無限制地使用含有硼原子之化合物。例如，可使用硼酸、硼酸酐(又稱氧化硼)、偏硼酸、過硼酸、次硼酸、四硼酸鈉、過硼酸鈉等。一般係適合使用取得容易的硼酸、氧化硼。又，使所使用之含氧硼化合物的平均粒徑形成為425μm篩上殘留份為3質量%以下，較佳係1.5質量%以下。尤其，更佳係300μm篩上殘留份為50%以下，再更佳係250μm篩上殘留份為70%以下。亦即，若含氧硼化合物之425μm篩上殘留份為3質量%以上，150μm以上之粗大氮化硼凝集粒子容易殘存，且粗大凝集粒子內之殘存空隙會增加，在所得到的六方晶氮化硼粉末中細孔之中值徑為超過3μm，引起耐絕緣力之降低。
(含氧鈣化合物)
含氧鈣化合物係藉由與含氧硼化合物形成複合氧化物，形成高融點之複合氧化物，具有防止含氧硼化合物之揮發的功能。
在本發明之製造方法中，使用來作為觸媒及含氧硼化合物之揮發抑制劑的含氧鈣化合物並無特別限制而可使用公知者，但尤其，適合使用包含氧與鈣之含氧鈣化合物。含氧鈣化合物例如，可列舉碳酸鈣、碳酸氫鈣、氫氧化鈣、氧化鈣、硝酸鈣、硫酸鈣、磷酸鈣、草酸鈣等。其中，可適合使用含氧鈣化合物。含氧鈣化合物例如，可使用碳酸鈣、碳酸氫鈣、氫氧化鈣、氧化鈣、硝酸鈣、硫酸鈣、磷酸鈣、草酸鈣等，亦可混合此等2種類以上而使用。其中，以使用氧化鈣、碳酸鈣為較佳。
上述含氧鈣化合物係亦可混合2種類以上而使用。又，上述含氧鈣化合物之平均粒徑係以平均粒徑0.01至200μm為較佳，以0.05至120μm為更佳，以0.1至80μm為特別佳。
(碳源)
在本發明之製造方法中，作為碳源並無特別限制，可使用作用為還原劑之公知的碳材料。例如，除了碳黑、活性碳、碳纖維等之非晶質碳以外，可列舉鑽石、石墨、奈米碳等之結晶性碳、使單體或聚合物進行熱分解所得到的熱分解碳等。其中，以反應性高的非晶質碳為較佳，再者，就工業上之品質控制之點而言，特別適合使用碳黑。又，上述碳黑係可使用乙炔黑、爐黑、熱碳黑等。又，上述碳源之平均粒徑係以0.01至5μm為較佳，以0.02至4μm為更佳，以0.05至3μm為特別佳。亦即，藉由使該碳源之平均粒徑設為5μm以下，碳源之反應性變高，又，藉由設為0.01μm以上，為容易操作。
在本發明之製造方法中，包含上述之各原料的混合物對反應之供給形態並無特別限制，可直接為粉末狀，但可形成造粒體來進行。
在本發明之製造方法中，前述原料之混合方法並無特別限制，可使用振動研磨機、珠粒研磨機、球研磨機、亨歇爾(Henschel)混合機、鼓式混合機、振動攪拌機、V字混合機等之一般的混合機。
又，進行造粒時之造粒方法亦可依需要而使用黏結劑，並藉由擠壓造粒、轉動造粒、以壓實機所得到的造粒等公知之方法來實施。此時，造粒體之大小係以5至10mm左右為適合。
(原料之調製)
在本發明中，還原氮化反應係藉由碳源與氮之供給來實施，但為了要有效地獲得作為目的之六方晶氮化硼凝集粒子，在含氧硼化合物所含有的B源與碳源之比例係以B/C(元素比)換算必須設為0.63至0.73，較佳係設為0.65至0.72。亦即，若該莫耳比超過0.73，不還原而揮發之硼化合物的比例會增加，容易與Ca助劑形成複合氧化物，又，上述複合氧化物之融點低，板狀粒子容易粒成長，難以獲得作為目的之一次粒子為小粒徑且具有細孔之凝集粒子。又，該莫耳比為未達0.63時，恐有碳含有比例大且源自碳的雜質殘存之虞。
在本發明中，為了有效地獲得作為目的之六方晶氮化硼凝集粒子，相對於含氧硼化合物與碳源之合計量(B2O3、C換算值)100質量份，必須以CaO換算為4至12質量份之比例混合含氧鈣化合物。此時，CaO換算質量份為4質量份以下時，不被還原而揮發之硼化合物的比例會增加，不僅收率降低，與殘存之硼化合物形成的CaO-B2O3複合氧化物之融點下降，並促進六方晶氮化硼粒子之粒成長，且難以形成具有作為目的之細孔的凝集粒子，而不佳。CaO換算質量份為12質量份以上時，有源自鈣的雜質殘存之虞，而不佳。
在本發明中，藉由調整上述原料粒徑、組成比，不進行作為目的之過度的粒成長，而可高選擇性地製作一次粒徑小的凝集粒子。
(還原氮化)
在本發明之氮化硼的製造方法中，對反應系統之氮源的供給係可藉由公知之方法來形成。例如，最普遍為在例示於後之反應裝置的反應系統內使氮氣體流通的方法。又，作為所使用之氮源係不限於上述氮氣體，而只 要在還原氮化反應中為可氮化的氣體即可，並無特別限制。具體而言，前述氮氣體之外，亦可使用氨氣。又，亦可使用在氮氣體、氨氣中混合氫、氬、氦等之非氧化性氣體的氣體。
在上述製造方法中，為了獲得結晶性高、且具有細孔之六方晶氮化硼粉末，在還原氮化反應中之加熱溫度通常必須採用1910℃至2000℃，較佳係採用1920至1980℃之溫度。藉由使加熱溫度設為1910℃至2000℃，具有六方晶氮化硼粒子之結晶性提高，一次粒子形狀外周成為更銳緣，且粒子彼此間之微小的細孔增佳之效果。又，如此的溫度未達1910℃時，未進行還原氮化反應，且難以獲得結晶性高的白色之六方晶氮化硼，超過2000℃之溫度時，效果達到極限，經濟上不僅不利，且對加熱爐之損傷會增加，而不佳。
又，還原氮化反應之時間係可適當決定，但一般為6至30小時左右。
以上之製造方法係可使用能控制反應環境的公知之反應裝置來進行。例如，可列舉藉由高頻感應加熱或加熱器加熱進行加熱處理之控制環境氛圍型高溫爐，批式爐之外，尚亦可使用推桿式隧道爐、竪型反應爐等之連續爐。
(酸洗淨)
在本發明之製造方法中，藉由上述之還原氮化所得到的反應生成物係六方晶氮化硼之外，因存在由氧化硼-氧化鈣所構成的複合氧化物等之雜質，故以使用酸進行洗淨為較佳。如此的酸洗淨之方法並無特別限制，可無限制地採用公知之方法。例如，可列舉在氮化處理後碎解所得到的含副 生成物的氮化硼並投入於容器中，加入含有該雜質之六方晶氮化硼粉末的5至10倍量之稀鹽酸(5至20質量%HCl)，並接觸4至8小時之方法等。
使用於上述酸洗淨時之酸係除了鹽酸以外，亦可使用硝酸、硫酸、乙酸等。
上述酸洗淨之後，基於洗淨殘存的酸之目的，使用純水並進行洗淨。上述洗淨之方法係過濾上述酸洗淨時之酸之後，在與所使用的酸同量之純水中使經酸洗淨之氮化硼分散，再度進行過濾。
(乾燥)
上述之酸洗淨、水洗淨後的含水塊狀物之乾燥條件較佳係50至250℃之大氣、或者在減壓下之乾燥。乾燥時間並無特別指定，但含水率不限於0%，乾燥至接近0%為止為較佳。
(分級)
乾燥後之氮化硼粉末係依需要，在碎解後，亦可進行以篩等所進行的粗粒去除、以氣流分級等所進行的微粉去除。
藉由以上之方法，可獲得包含特定六方晶氮化硼之本發明的六方晶氮化硼粉末。又，所得到的六方晶氮化硼粉末較佳係依需要，而進行粗粒之去除、或以氣流分級等所進行的微粉去除、濕式分級等之分級處理，形成為提高特定六方晶氮化硼凝集粒子之含有比例的六方晶氮化硼粉末。上述分級處理係特別以乾式篩分級處理為較佳，就網目而言以30至90μm為較佳。
(氮化硼粉末之用途)
本發明之氮化硼粉末的用途並無特別限定，並可無特別限制地適用於公知之用途。若例示適合使用之用途，就提升電性絕緣性或賦予導熱性等之目的而言，可列舉在樹脂中使用來作為填充劑之用途。在上述氮化硼粉末之用途中，所得到的樹脂組成物係具有高的電性絕緣性或導熱性。尤其，在包含上述特定氮化硼凝集粒子之粉末的用途中，所得到的樹脂組成物係具有高的導熱性以及耐絕緣力為80kV/mm以上之高的電氣絕緣性。
本發明之樹脂組成物並無限制，而可使用於公知之用途，但藉由與後述之樹脂進行混合，並形成為導熱性樹脂組成物或者導熱性成形體，較佳係可使用於聚合物系散熱片或相變化片等之熱介面材料、散熱膠帶、散熱膏脂、散熱接著劑、間隙填充劑等之有機系散熱片類、散熱塗料、散熱塗敷層等之散熱塗料類、PWB基材樹脂基板、CCL基材樹脂基板等之散熱樹脂基板、鋁基材基板、銅基材基板等之金屬基材基板之絕緣層、粉末裝置用封裝材、層間絕緣膜等之用途。
又，本發明之氮化硼粉末形成為樹脂組成物時，可與屬於一般的高導熱絕緣填充劑之氮化鋁、氧化鋁等的導熱性填充劑混合而使用。
前述樹脂可列舉聚烯烴、氯乙烯樹脂、甲基丙烯酸甲酯樹脂、尼龍、氟樹脂等之熱塑性樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、矽樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂等之熱硬化性樹脂、氟樹脂、液晶性聚合物、合成橡膠等。
又，在上述樹脂組成物係可依需要而含有公知之聚合起始劑、硬化劑、聚合抑制劑、聚合延遲劑、偶合劑、塑化劑、紫外線吸收劑、顏料、染料、抗菌劑、有機填充劑、有機無機複合填充劑等之公知的添加劑 作為樹脂組成物之調配劑。又，在無損本發明之效果的範圍可含有其他之無機填充劑。
又，本發明之氮化硼粉末亦可使用立方晶氮化硼或氮化硼成型品等之氮化硼加工品製品之原料、對工程塑膠之核劑、相變化材料、固體狀或液體狀之熱介面材料、熔融金屬或熔融玻璃成形型之離型劑、化粒品、複合陶瓷原料等之用途。
[實施例]
以下，藉由實施例更詳細說明本發明，但本發明係不限定於此等之實施例。
又，在實施例中，各測定係依據以下之方法所測定的值。
[細孔體積基準中值徑(μm)]及[3μm以下之細孔的容積(cm3/g)]
有關所得到的特定六方晶氮化硼凝集粒子及六方晶氮化硼粉末，細孔體積基準中值徑(D1)係以水銀壓入法測定出。求出0.0036μm至200μm之細孔分布時之從以細孔徑作為橫軸、並以積算細孔容積作為縱軸而經作圖之累積細孔分布，算出中值徑。使用Micromeritics公司製、AutoPore IV9520而算出。
[六方晶氮化硼粉末之粒度分布的累積體積頻率50%之粒徑D2(μm)]
對於所得到的六方晶氮化硼粉末，使用HORIBA公司製：LA-950V2而測定粒度分布之累積體積頻率50%的粒徑(D2)。六方晶氮化硼粉末之粒度分布係使用日機裝股份有限公司製：粒徑分布測定裝置MT3000而測定。 又，測定試樣係依據以下所示的方法來調製。首先，在50mL螺栓管瓶中加入乙醇20g作為分散劑，並在乙醇中使六方晶氮化硼粉末1g分散。所得到的粒度分布之累積體積頻率50%的粒徑設為(D2)。
[依據JIS K5101-13-1：2004之六方晶氮化硼粉末的吸油量]
對於所得到的六方晶氮化硼粉末，依據JIS K5101-13-1：2004(「顏料試驗方法」-第13部：吸油量-第1節：精製亞麻仁油法)所示之順序，求出吸油量。
[六方晶氮化硼粉末之比表面積(m2/g)]
對於所得到的六方晶氮化硼粉末，使用Mountech公司製：Macsorb HM model-1201而測定比表面積。
[六方晶氮化硼粉末雜質元素濃度(質量%)]
對於所得到的六方晶氮化硼粉末，使用Rigaku公司製ZSX Primus2(商品名)而測定六方晶氮化硼粉末之雜質元素(鈣、鎂、鈉、鋁、鋰、鍶、鐵、硫、鎳、鉻、錳、矽、磷、鈦、鋇、鈷)之濃度。
實施例A1
使用斯巴達式混合機(Spartan Mixer)混合425μm篩上殘留份為2.1質量%之氧化硼195g、碳黑99g、碳酸鈣55.2g。該混合物之(B/C)元素比換算為0.68，相對於含氧硼化合物、碳源之B2O3、C換算質量合計量100質量份，上述含氧鈣化合物之CaO換算質量含有比例為10.5質量份。使用石墨製塔曼高溫電爐(Tammann Furnace)，使該混合物1500g在氮氣體環境、1500℃保持6小時、在1940℃保持4小時以進行氮化處理。
然後，碎解含有副生成物的氮化硼並投入於容器中，加入含有該副生成物的氮化硼之5倍量的鹽酸(7質量%HCl)，以Three-One馬達旋轉數350rpm攪拌24小時。該酸洗淨之後，過濾酸，在與所使用之酸為同量的純水中，使過濾所得到的氮化硼分散，並再度過濾。使該操作重複至過濾後之水溶液成為中性為止之後，在200℃真空乾燥12小時。
使乾燥後所得到的粉末施加於網目90μm之篩，獲得白色之六方晶氮化硼粉末。以上述的方法測定所得到的六方晶氮化硼粉末中之各物性，並表示於表1、2中。
實施例A2
除了氧化硼之425μm篩上殘留份為2.9質量%、(B/C)元素比換算為0.72，相對於含氧硼化合物、碳源之B2O3、C換算質量合計量100質量份，上述含氧鈣化合物之CaO換算質量含有比例為8質量份以外，其餘係與實施例A1為同樣方式。各條件、測定值表示於表1、2中。
實施例A3
除了氧化硼之425μm篩上殘留份為1.0質量%、(B/C)元素比換算為0.65，相對於含氧硼化合物、碳源之B2O3、C換算質量合計量100質量份，上述含氧鈣化合物之CaO換算質量含有比例為6質量份以外，其餘係與實施例A1為同樣方式。各條件、測定值表示於表1、2中。
實施例A4
除了使氧化硼之425μm篩上殘留份為0.1質量%、且300μm篩上殘留份為15.0質量%以外，其餘係與實施例A1為同樣方式。各條件、測定值表示於表1、2中。
實施例A5
除了氧化硼之425μm篩上殘留份為0.5質量%、(B/C)元素比換算為0.70，相對於含氧硼化合物、碳源之B2O3、C換算質量合計量100質量份，上述含氧鈣化合物之CaO換算質量含有比例為8質量份以外，其餘係與實施例A1為同樣方式。又，使所得到的氮化硼粉末進行上述45μm篩處理，製作使特定六方晶氮化硼凝集粒子比例提高至52%為止之試料。測定值表示於表1、2中。
比較例A1至A6
除了變更各條件、表1所示的部分以外，其餘係與實施例A1同樣方式。各條件、測定值表示於表1、2中。在以比較例A2所製作之六方晶氮化硼粉末中係不包含相當於本發明之六方晶氮化硼凝集粒子。以比較例A6所製作之六方晶氮化硼粉末並非白色粉末，一部分碳殘存，確認出黑色部分，且未進行粉體物性之分析。
[樹脂組成物]
將在前述實施例A1至A6所得到的氮化硼粉末填充於環氧樹脂並製作樹脂組成物，進行導熱率之評估。環氧樹脂係準備(三菱化學股份有限公司製JER828)100質量份、硬化劑(咪唑系硬化劑、四國化成股份有限公司製Curazol 2E4MZ)5質量份及作為溶劑之甲乙酮210質量份的混合物。然後，以成為基材樹脂35體積%、在前述實施例A1至A6所得到的氮化硼粉末65體積%之方式以自轉/公轉混合機(倉敷紡績股份有限公司製MAZERUSTAR)混合上述清漆狀混合物與六方晶氮化硼粉末，而獲得樹脂組成物。
使用Tester產業公司製自動塗佈機PI-1210，將上述樹脂組成物塗佈於PET膜上成為厚度250至300μm左右並乾燥，在減壓下以溫度：200℃、壓力：5MPa、保持時間：30分鐘之條件使其硬化，製作厚度220μm之薄片。以溫度波熱分析裝置分析該薄片，算出導熱率之結果表示於表3中。填充實施例1至5所製作之六方晶氮化硼粉末而成的薄片之導熱率為8.5W/m‧K以上，顯示高導熱率。又，以耐電壓試驗機(多摩電測股份有限公司製)測定耐絕緣力之結果，為高達80kV/mm以上之耐絕緣力，暗示樹脂組成物內之成為耐絕緣力降低原因的較大之空隙量少。
又，從所製作之薄片的體積與重量求得實密度，並求出從樹脂與六方晶氮化硼粒子之填充率所計算的薄片理論密度設為100%時之實密度/薄片理論密度，作為樹脂薄片相對密度。以本發明之六方晶氮化硼粉末所製作的樹脂薄片之實密度/薄片理論密度為89至97%，可知在樹脂薄片內具有不使導熱率、耐絕緣力降低之微小的空隙。因而，使用本發明之六方晶氮化硼粉末，可實現無機填充樹脂片之輕量化，同時並可維持高的導熱率、耐絕緣力。
又，除了使用在比較例A1至A5所得到的氮化硼粉末以外，其餘係相同方式而獲得前述樹脂組成物，測定導熱率、耐絕緣力、樹脂薄片相對密度，表示於表3中。從表可知，填充比較例1至5所得到的氮化硼粉末而成的薄片係任一者皆無法同時達成導熱率8.5W/m‧K、耐絕緣力80kV/mm以上、樹脂薄片相對密度97.0%以下。
[表1]
Figure 111107556-A0202-12-0030-1
[表2]
Figure 111107556-A0202-12-0031-2
[表3]
Figure 111107556-A0202-12-0031-3
實施例B1
以與製造例A1相同的方法，進行反應、酸洗淨、以純水所進行的水洗、乾燥之後，在乾燥後所得到的粉末施加於網目45μm之篩，獲得包含特定六方晶氮化硼凝集粒子的白色之六方晶氮化硼粉末。在所得到的六方晶氮化硼粉末中，從倍率10000倍之SEM觀察像中，在長徑在5至10μm之範圍、長徑/短徑在1.0至1.3之範圍、圓形度在0.3至0.8之範圍，確認出在凝集粒子表面可確認的一次粒子的最大直徑為4μm以下之特定六方晶氮化硼凝集粒子的存在。如此的特定六方晶氮化硼凝集粒子之SEM圖像如前述圖1所示。又，從500倍之SEM觀察像的面積比例經計算之特定六方晶氮化硼凝集粒子的存在比例為53%。又，有關所得到的特定六方晶氮化硼凝集粒子之平均粒徑附近的一次粒子，具體的長徑、長徑/短徑、圓形度、及一次粒子之最大直徑表示於表2中。再者，從所得到的六方晶氮化硼粉末之測定值所特定的特定六方晶氮化硼凝集粒子之雜質元素的含量、細孔體積基準中值徑D1(μm)、細孔徑為3μm以下之細孔的細孔容積(cm3/g)一併表示於表4。又，雜質元素濃度為40ppm。氧濃度為0.2%，碳濃度為0.01%。
[混合六方晶氮化硼粉末及樹脂組成物]
對於包含如此方式所製造出的特定六方晶氮化硼凝集粒子之氮化硼粉末100質量份，混合由市售之六方晶氮化硼單粒子所構成的六方晶氮化硼粉末(濕式粒度分布D2=10μm、平均長寬比10、雜質元素濃度為40ppm、氧濃度為0.2%、碳濃度為0.01%)5質量份，獲得混合六方晶氮化硼粉末。有關所得到的混合六方晶氮化硼粉末，細孔體積基準中值徑D1(μm)、細孔 徑為3μm以下之細孔的細孔容積(cm3/g)、濕式粒度分布之累積體積頻率50%的粒徑D2(μm)表示於表5中。
將上述混合六方晶氮化硼粉末填充於環氧樹脂並製作樹脂組成物，進行導熱率之評估。環氧樹脂係準備(三菱化學股份有限公司製JER828)100質量份、硬化劑(咪唑系硬化劑、四國化成股份有限公司製Curazol 2E4MZ)5質量份及作為溶劑之甲乙酮210質量份的混合物。然後，以成為基材樹脂35體積%、前述六方晶氮化硼粉末65體積%之方式以自轉/公轉混合機(倉敷紡績股份有限公司製MAZERUSTAR)混合上述清漆狀混合物與六方晶氮化硼粉末，而獲得樹脂組成物。
使用Tester產業公司製自動塗佈機PI-1210，將上述樹脂組成物塗佈於PET膜上成為厚度250至300μm左右並乾燥，在減壓下以溫度：200℃、壓力：5MPa、保持時間：30分鐘之條件使其硬化，製作厚度220μm之薄片。以溫度波熱分析裝置分析該薄片，算出導熱率。又，以耐電壓試驗機(多摩電測股份有限公司製)測定耐絕緣力。使結果一併表示於表5中。
實施例B2
除了氧化硼之425μm篩上殘留份為2.8質量%，(B/C)元素比換算為0.73，相對於含氧硼化合物、碳源之B2O3、C換算質量合計量100質量份，上述含氧鈣化合物之CaO換算質量含有比例為8.2質量份以外，其餘係與實施例B1為相同方式。各條件、測定值表示於表4中。又，雜質元素濃度為20ppm。氧濃度為0.2%，碳濃度為0.01%。
[混合六方晶氮化硼粉末及樹脂組成物]
使用包含如此方式所製造出的特定六方晶氮化硼凝集粒子之氮化硼粉末，其餘係與實施例B1相同方式，調製混合六方晶氮化硼粉末，再者，將此與樹脂混合而製成樹脂組成物，進行導熱率、耐絕緣力之測定。結果一併表示於表5中。
實施例B3
除了氧化硼之425μm篩上殘留份為1.0質量%，(B/C)元素比換算為0.66，相對於含氧硼化合物、碳源之B2O3、C換算質量合計量100質量份，上述含氧鈣化合物之CaO換算質量含有比例為7質量份以外，其餘係與實施例B1為相同方式。各條件、測定值表示於表4中。又，雜質元素濃度為20ppm。氧濃度為0.2%，碳濃度為0.01%。
[混合六方晶氮化硼粉末及樹脂組成物]
使用包含如此方式所製造出的特定六方晶氮化硼凝集粒子之氮化硼粉末，其餘係與實施例B1相同方式，調製混合六方晶氮化硼粉末，再者，將此與樹脂混合而製成樹脂組成物，進行導熱率、耐絕緣力之測定。結果一併表示於表5中。
實施例B4
除了氧化硼之425μm篩上殘留份為0.1質量%，且300μm篩上殘留份為15.0質量%以外，其餘係與實施例B1為相同方式。各條件、測定值表示於表4中。又，雜質元素濃度為20ppm。氧濃度為0.2%，碳濃度為0.01%。
[混合六方晶氮化硼粉末及樹脂組成物]
使用包含如此方式所製造出的特定六方晶氮化硼凝集粒子之氮化硼粉末，其餘係與實施例B1相同方式，調製混合六方晶氮化硼粉末，再者，將 此與樹脂混合而製成樹脂組成物，進行導熱率、耐絕緣力之測定。結果一併表示於表5中。
實施例B5
除了氧化硼之425μm篩上殘留份為0.5質量%，(B/C)元素比換算為0.70，相對於含氧硼化合物、碳源之B2O3、C換算質量合計量100質量份，上述含氧鈣化合物之CaO換算質量含有比例為8質量份以外，其餘係與實施例B1為相同方式。各條件、測定值表示於表4中。又，雜質元素濃度為20ppm。氧濃度為0.2%，碳濃度為0.01%。
實施例B6
對於在實施例B1所製造之包含特定六方晶氮化硼凝集粒子的氮化硼粉末100質量份，混合由市售之六方晶氮化硼單粒子所構成的六方晶氮化硼粉末(濕式粒度分布D2=10μm、平均長寬比10、雜質元素濃度為40ppm、氧濃度為0.2%、碳濃度為0.01%)15質量份而調製混合六方晶氮化硼粉末，再者，將此與實施例B1相同地，與樹脂進行混合而製成樹脂組成物，進行導熱率、耐絕緣力之測定。結果一併表示於表5中。
[表4]
Figure 111107556-A0202-12-0036-4
[表5]
Figure 111107556-A0202-12-0036-5
如上述，填充有實施例B1至B6所製作之六方晶氮化硼粉末的薄片之導熱率為9.0W/m‧K以上，顯示高導熱率。又，為高達80kV /mm以上之耐絕緣力，暗示成為樹脂組成物內的耐絕緣力降低原因之大的空隙量少。
又，使用由一次粒徑為8μm之凝集粒子所構成，且D50為25μm之市售的六方晶氮化硼粉末取代實施例B1之特定六方晶氮化硼凝集粒子作為比較對象，與實施例B1為相同方式，調製混合六方晶氮化硼粉末，使用此而製成樹脂組成物，進行各種試驗，結果顯示導熱率為8.8W/m‧K、耐絕緣力低至65kV/mm之值。

Claims (12)

  1. 一種六方晶氮化硼凝集粒子，係六方晶氮化硼一次粒子之凝集粒子，且長徑在5至10μm之範圍、長徑/短徑在1.0至1.3之範圍、圓形度在0.3至0.8之範圍，而且，從倍率10000倍之SEM觀察像中，在凝集粒子表面可確認之一次粒子之最大直徑為4μm以下。
  2. 一種六方晶氮化硼粉末，係由六方晶氮化硼一次粒子之凝集粒子所構成，且藉由濕式雷射繞射粒度分布法所測定的粒度分布之累積體積頻率50%的粒徑(D50)為5至150μm，藉由水銀壓入法所測定的細孔之體積基準中值徑為3.0μm以下，雜質元素之含量為500ppm以下。
  3. 如請求項2所述之六方晶氮化硼粉末，其係包含請求項1所述之六方晶氮化硼凝集粒子作為前述六方晶氮化硼一次粒子之凝集粒子。
  4. 如請求項2或3所述之六方晶氮化硼粉末，其BET比表面積為1至15m2/g，吸油量為50至190cc/100g。
  5. 一種六方晶氮化硼粉末，係包含請求項1所述之六方晶氮化硼凝集粒子與六方晶氮化硼單粒子，上述六方晶氮化硼凝集粒子之含有比例為5%以上，且藉由濕式雷射繞射粒度分布法所測定的粒度分布之累積體積頻率50%的粒徑(D50)為5至150μm。
  6. 如請求項5所述之六方晶氮化硼粉末，其藉由水銀壓入法所測定的細孔之體積基準中值徑為3.0μm以下。
  7. 一種樹脂組成物，係包含請求項2至4中任一項所述之六方晶氮化硼粉末。
  8. 一種樹脂組成物，係包含請求項5或6所述之六方晶氮化硼粉末。
  9. 一種樹脂片，係由請求項7所述之樹脂組成物所構成。
  10. 如請求項9所述之樹脂片，其薄片密度相對於理論密度為89至97%。
  11. 一種樹脂片，係由請求項8所述之樹脂組成物所構成。
  12. 如請求項9至11中任一項所述之樹脂片，其耐絕緣力為80kV/mm以上。
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JP6676479B2 (ja) * 2016-06-13 2020-04-08 株式会社トクヤマ 六方晶窒化ホウ素粉末及びその製造方法
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