TW202245293A - 微型元件結構及顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種微型元件結構，其包括元件以及固定結構。元件具有上表面、下表面及第一側表面。下表面相對於上表面。第一側表面連接上表面及下表面。固定結構包括連接部及第一轉折部。連接部至少自元件的上表面延伸至第一側表面。第一轉折部接觸以連接連接部的第一末端並自第一側表面向外延伸以遠離第一側表面。連接部的第一末端位於上表面及下表面之間的第一側表面上。

Description

微型元件結構及顯示裝置
本發明是有關於一種元件結構及顯示裝置，且特別是有關於一種具有突出結構的微型元件結構及顯示裝置。
隨著科技的進步，許多電子元件的體積逐漸往微型化發展。而微型化的電子元件可能需要轉移而配置至對應的線路板上，以作為後續消費端的應用。因此，如何使微型化的電子元件在製造或應用的過程中，可以有效率地被轉移（如：可以提升提取過程的速度或良率），實已成目前研究上的熱門課題。
本發明提供一種微型元件結構或顯示裝置，其元件在製造或應用的過程中，可以有效率地被轉移。
本發明一實施例的微型元件結構包括元件以及固定結構。元件具有上表面、下表面及第一側表面。下表面相對於上表面。第一側表面連接上表面及下表面。固定結構包括連接部及第一轉折部。連接部至少自元件的上表面延伸至第一側表面。第一轉折部接觸以連接連接部的第一末端並自第一側表面向外延伸以遠離第一側表面。連接部的第一末端位於上表面及下表面之間的第一側表面上。
本發明一實施例的顯示裝置，包括微型發光元件以及固定結構。微型發光元件具有上表面、下表面及第一側表面。下表面相對於上表面。第一側表面連接上表面及下表面。固定結構包括連接部及第一轉折部。連接部至少自微型發光元件的上表面延伸至第一側表面。第一轉折部接觸以連接連接部的第一末端並自第一側表面向外延伸以遠離第一側表面。連接部的第一末端位於上表面及下表面之間的第一側表面上。第一轉折部遠離於第一側表面的末端懸空。
為讓本發明能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
在附圖中，為了清楚起見，可能放大或縮小了部分的元件或膜層的尺寸。
為求清楚表示，於圖式中可能省略繪示或標示了部分的元件或膜層。
並且，在說明書中所表示的數值，可以包括所述數值以及在本領域中具有通常知識者可接受的偏差範圍內的偏差值。舉例而言，本文使用的「約」或「基本上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍（如：±10%）內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制或誤差；或製程系統的限制或誤差，但不限）。
圖1A至圖1H是依照本發明的一實施例的一種微型元件結構的部分製作方法的部分剖視示意圖。
請參照圖1A，提供基板830，其中基板830的表面上具有依序堆疊的第二型半導體材料層813、發光材料層812、第一型半導體材料層811以及第一導電材料層814。基板830、第二型半導體材料層813、發光材料層812、第一型半導體材料層811及/或第一導電材料層814的材質、結構或形成方式可為熟知此技藝者自行選用，本發明並不以此為限。另外，第一導電材料層814可視需要形成，本發明並不以此為限。
請參照圖1A至圖1B，於形成第一型半導體材料層811之後，可以移除部分的第二型半導體材料層813、發光材料層812、第一型半導體材料層811以及第一導電材料層814，以暴露出部分的基板830。並且，對應地形成圖案化的第二型半導體層113、圖案化的發光層112、圖案化的第一型半導體層111以及圖案化的第一導電層114。上述膜層的移除方式可為熟知此技藝者自行選用，本發明並不以此為限。
請繼續參照圖1B，於圖案化第二型半導體層113、發光層112、第一型半導體層111以及第一導電層114之後，形成圖案化絕緣層115。舉例而言，圖案化絕緣層115可以覆蓋第一型半導體層111、發光層112、第二型半導體層113及第一導電層114的側壁，以及第一型半導體層111、發光層112以及第二型半導體層113所暴露出的部分基板830，但本發明不限於此。
圖案化絕緣層115的材質或形成方式可為熟知此技藝者自行選用，本發明不以此為限。
請繼續參照圖1B，於形成圖案化絕緣層115之後，形成第一電極116以及第二電極117。第一電極116電性連接於第一型半導體層111。第二電極117電性連接於第二型半導體層113。在一實施例中，第一電極116與第一型半導體層111之間可以藉由對應的第一導電層114而電性連接，但本發明不限於此。
另外，為求清楚表示，於圖1B或後續的圖式中並未一一表示所有的第一型半導體層111、發光層112、第二型半導體層113、第一導電層114、圖案化絕緣層115、第一電極116、第二電極117或其他類似的構件或對應的位置。
請參照圖1B至圖1C，於形成第一電極116以及第二電極117之後，於基板830上形成填充材料層841。
在本實施例中，填充材料層841的材質可以包括苯環丁烯（benzocyclobutene；BCB）、環烯類、聚醯亞胺類、聚醯胺類、聚酯類、聚醇類、聚環氧乙烷類、聚苯類、樹脂類、聚醚類、聚酮類、其他類似的聚合物或前述材料的組合，以於後續的製程中，可以藉由一蝕刻劑（etching reagent）將填充材料層841移除。填充材料層841形成或移除的方式可為熟知此技藝者自行選用，本發明不以此為限。
請繼續參照圖1C，於形成填充材料層841之後，可以於填充材料層841上配置載板130。在一實施例中，載板130與填充材料層841之間可以具有對應的黏著材料，但本發明不限於此。
請參照圖1C至圖1D，於配置載板130之後，可以移除基板830。舉例而言，可以將圖1C中所繪示的結構上下旋轉或翻轉（rotate or flip upside down），然後，將基板830移除。
在本實施例中，於將基板830移除之後，可以暴露出第二型半導體層113的上表面113a（即，最遠離第一型半導體層111的表面）。
請參照圖1D至圖1E，於移除基板830之後，可以移除部分的填充材料層841（標示於圖1D）。舉例而言，可以藉由蝕刻劑以蝕刻的方式移除部分的填充材料層841（標示於圖1D），以形成較薄的填充材料層842（標示於圖1E）。如此一來，可以使填充材料層842的表面842a低於第二型半導體層113的上表面113a。
在本實施例中，於移除部分的填充材料層841（標示於圖1D）時或之前，可以移除部分的圖案化絕緣層115。也就是說，圖案化絕緣層115基本上可以不覆蓋於較薄的填充材料層842（標示於圖1E）的表面824a。
在一實施例中，可以藉由乾式蝕刻 (dry etching)、濕式蝕刻 (wet etching)、雷射鑽孔（laser drilling）或研磨（grinding）的方式以移除部分的圖案化絕緣層115，但本發明不限於此。
在本實施例中，填充材料層842的表面842a基本上平行於第二型半導體層113的上表面113a，但本發明不限於此。
請參照圖1E至圖1F，移除部分的填充材料層842，以暴露出部分的載板130。舉例而言，可以藉由乾式蝕刻 (dry etching)、濕式蝕刻 (wet etching)、雷射鑽孔（laser drilling）或機械鑽孔（mechanical drilling），以形成一個或多個貫穿填充材料層842的開口或溝渠843。
請參照圖1F至圖1G，移除部分的填充材料層842而暴露出部分的載板130之後，可以於第二型半導體層113及填充材料層842上形成固定材料層820。固定材料層820可以自第二型半導體層113的上表面113a延伸至填充材料層842的表面，且進一步地填入填充材料層842的開口或溝渠843（標示於圖1F）以連接至載板130。固定材料層820的材質或形成方式可為熟知此技藝者自行選用，本發明不以此為限。
在本實施例中，固定材料層820的材質可以不同於填充材料層842的材質。舉例而言，在本實施例中，固定材料層820的材質可以包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁或上述之組合，但本發明不限於此。
請參照圖1G至圖1H，於形成固定材料層820之後，移除填充材料層842。填充材料層842的移除方式可為熟知此技藝者自行選用，本發明不以此為限。舉例而言，可以藉由濕式蝕刻的方式以移除填充材料層842。
在本實施例中，於移除填充材料層842之後，於無外力作用的情況下，部分或全部的固定材料層820可以作為用於支撐或固定的固定結構120。
經過上述製程後即可大致上完成本實施例之微型元件結構100的製作。
圖1H可以是依照本發明的一實施例的一種微型元件結構的部分剖視示意圖。圖1I可以是依照本發明的一實施例的一種微型元件結構的部分上視示意圖。舉例而言，圖1I可以是對應於圖1H中區域R1的上視示意圖。
請參照圖1H至圖1I，微型元件結構100包括元件110以及固定結構120。元件110可以具有上表面110a、下表面110b、第一側表面110c以及第二側表面110d。下表面110b相對於上表面110a。第一側表面110c相對於第二側表面110d。第一側表面110c的相對兩端分別連接上表面110a的一側及下表面110b的一側。第二側表面110d的相對兩端分別連接上表面110a的另一側及下表面110b的另一側。固定結構120包括連接部125及第一轉折部121。連接部125至少自元件110的上表面110a延伸至第一側表面110c以連接元件110。第一轉折部121與連接部125相連接。第一轉折部121可以延著第一延伸方向121d且自元件110的第一側表面110c向外（即，向遠離元件110的方向）延伸。第一轉折部121介於上表面110a及下表面110b之間。在本實施例中，元件110可以包括第一型半導體層111、發光層112、第二型半導體層113以及圖案化絕緣層115。
在本實施例中，第一延伸方向121d可以基本上平行於上表面110a。
在本實施例中，第一轉折部121的寬度121w介於0.1微米（micrometer；µm）~20 µm。
在本實施例中，第一轉折部121的厚度121h小於3 µm。
在本實施例中，連接部125可以更自元件110的上表面110a延伸至第二側表面110d以連接元件110。並且，固定結構120可以更包括第二轉折部122。第二轉折部122與連接部125相連接，且第二轉折部122不同於第一轉折部121。第二轉折部122可以延著第二延伸方向122d且自元件110的第二側表面110d向外（即，向遠離元件110的方向）延伸。第二轉折部122介於上表面110a及下表面110b之間。
在本實施例中，第二延伸方向122d可以基本上平行於上表面110a。
在本實施例中，第二轉折部122的寬度122w介於0.1 µm~20µm。
在本實施例中，第二轉折部122的厚度122h小於3 µm。
在一實施例中，第一轉折部121及/或第二轉折部122可以被稱為突出結構。
在本實施例中，元件110的上表面110a與突出結構（第一轉折部121及/或第二轉折部122）之間具有第一距離h1，元件110的上表面110a與下表面110b之間具有第三距離h3，且第三距離h3大於第一距離h1。如此一來，可以避免固定結構層凸出元件110的下表面110b（第一電極116或第二電極117的電極表面），以降低元件110接合時第一電極116或第二電極117無法有效接合至目標基板上之電極的可能。
在本實施例中，元件110可以藉由固定結構120配置於載板130上。
在本實施例中，元件110的下表面110b與載板130之間具有第二距離h2，且第一距離h1大於第二距離h2。如此一來，可以避免元件110吸取時，下壓時碰觸垂直之固定結構120導致吸取良率下降。
在本實施例中，固定結構120更包括第一支撐部123。第一支撐部123連接第一轉折部121，且第一支撐部123連接於載板130。第一支撐部123可以具有第三延伸方向123d。第三延伸方向123d不同於第一延伸方向121d。
在本實施例中，第一支撐部123的高度大於元件110與載板130之間的距離。也就是說，載板130的表面130a與第一轉折部121之間的距離大於載板130的表面130a與元件110的下表面110b之間的第二距離h2。如此一來，可以使元件110與載板130之間具有空氣間隙（air gap）。也就是說，元件110與載板130之間可以具有不為實體物所佔有的空間。
在本實施例中，固定結構120可以更包括第二支撐部124。第二支撐部124連接第二轉折部122，且第二支撐部124連接於載板130。第二支撐部124可以具有第四延伸方向124d。第四延伸方向124d不同於第二延伸方向122d。
在本實施例中，第二支撐部124的高度大於元件110與載板130之間的距離。也就是說，載板130的表面130a與第二轉折部122之間的距離大於載板130的表面130a與元件110的下表面110b之間的最短距離。
在本實施例中，固定結構120為連續結構。也就是說，連接部125、第一轉折部121、第一支撐部123、位於元件110的第二側表面110d上的部分連續結構（如：部分的連接部125）、第二轉折部122及第二支撐部124的材質基本上為相同。
在本實施例中，元件110為微發光二極體（micro LED；µLED）。舉例而言，從上視方向（如：圖1I所繪示的方向）觀之，元件110為尺寸基本上為約（1µm~100µm）×（1µm~100µm）大小的微發光二極體。
在本實施例中，元件110的上表面110a可以是第二型半導體層113遠離第一型半導體層111的表面113a，但本發明不限於此。
在本實施例中，元件110的第一側表面110c及第二側表面110d可以是圖案化絕緣層115的部分表面。
在本實施例中，元件110的至少一部分下表面110b可以是圖案化絕緣層115遠離上表面110a的部分表面，但本發明不限於此。
在本實施例中，元件110可以更包括第一導電層114，但本發明不限於此。
在本實施例中，元件110可以包括第一電極116以及第二電極117。元件110的至少一部分下表面110b可以是第一電極116遠離上表面110a的部分表面。元件110的至少一部分下表面110b可以是第二電極117遠離上表面110a的部分表面。但本發明不限於此。
圖2是依照本發明的另一實施例的一種微型元件結構的部分上視示意圖。本實施例的微型元件結構200與第一實施例的微型元件結構100相似，其相同或相似的構件以相同或相似的標號表示，且具有類似的功能、材質或配置方式，並省略描述。
請參照圖1H與圖2A，微型元件結構200a包括元件110以及固定結構120。並且，固定結構120包括連接部125及第一轉折部121。連接部125至少自元件110的上表面110a延伸至第一側表面110c。第一轉折部121與連接部125相連接。第一轉折部121可以延著第一延伸方向121d且自元件110的第一側表面110c向外（即，向遠離元件110的方向）延伸。
本實施例的固定結構120與前述的固定結構120相似，差別在於：從上視方向（如：圖2A所繪示的方向）觀之，連接部125位於第一電極116以及第二電極117之間。
其他類似於微型元件結構100或微型元件結構200a的微型元件結構200b、200c、200d、200e、200f、200g、可以如圖2B至圖2G所示。
如圖2B所示，從上視方向觀之，在微型元件結構200b中，固定結構120為複數型態且分散於元件110週側，其位置可於元件110四邊、四角或其組合型式。固定結構120的一部份與元件110相連，固定結構120的另一部份則延伸至元件110的外側。
如圖2C所示，從上視方向觀之，在微型元件結構200c中，固定結構120為為單一型態，其中間區域覆蓋元件110的上表面110a，部份區域延伸至元件110的外側。固定結構120不覆蓋至整個元件110的上表面110a。
如圖2D所示，從上視方向觀之，在微型元件結構200d中，固定結構120為為單一型態，其中間區域覆蓋元件110的上表面110a，部份區域延伸至元件110的外側。固定結構120不覆蓋至整個元件110的上表面110a。
如圖2E所示，從上視方向觀之，在微型元件結構200e中，固定結構120為為單一型態，其中間區域覆蓋元件110的上表面110a，部份區域延伸至元件110的外側。固定結構120覆蓋整個元件110的上表面110a。
如圖2F所示，從上視方向觀之，在微型元件結構200f中，固定結構120為為單一型態，其中間區域覆蓋元件110的上表面110a，部份區域延伸至元件110的外側。固定結構120不覆蓋至整個元件110的上表面110a。固定結構120中間區域可以具有圓型、方型或其他型狀的圖案開孔。
如圖2G所示，從上視方向觀之，在微型元件結構200g中，固定結構120為為單一型態，其中間區域覆蓋元件110的上表面110a，部份區域延伸至元件110的外側。固定結構120覆蓋整個元件110的上表面110a。固定結構120中間區域可以具有圓型、方型或其他型狀的圖案開孔。
圖3A至圖3C是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的部分製作方法的部分剖視示意圖。
請參照圖1I及圖3A，提供微型元件結構。在本實施例中，所提供的微型元件結構是以第一實施例的微型元件結構100為例，因此，在後續的說明及標示中以第一實施例的微型元件結構100作為示例性的表示。並且，相同或相似的構件以相同或相似的標號表示，且具有類似的功能、材質或配置方式，並省略描述。然而，在其他未繪示的實施例中，所提供的微型元件結構可以是相似於第一實施例的微型元件結構100的其他微型元件結構 （如：第二實施例的微型元件結構200）。
請參照圖3A，可以藉由轉移裝置（transfer apparatus）500，以提取微型元件結構100中的元件110。舉例而言，取放裝置500可以從元件110的上表面110a上（如：固定材料層820的表面）提取元件110。
值得注意的是，本發明對於取放裝置500的種類並不加以限制。另外，於圖示（如：圖3A或圖3B）中僅示意性地繪示取放裝置500的一部分。也就是說，於圖示中對於取放裝置500繪示的方式並未對取放裝置500的外觀、種類、數量、樣示或取放方式構成限制。
請參照圖3A至圖3B，於取放裝置500下壓或是提取的過程中，會在元件110與載板130之間產生應力，而前述的應力會使元件110與載板130之間的固定結構120產生對應的斷裂（crack），如此一來，可以使元件110自載板130分離而可被轉移。
在本實施例中，第一轉折部121的第一延伸方向121d及/或第二轉折部122的第二延伸方向122d基本上平行於元件110的上表面110a。如此一來，於取放裝置500下壓或是提取的過程中，由於前述的應力的方向基本上垂直於第一延伸方向121d及/或第二延伸方向122d，可以較容易地使第一轉折部121的某處及/或第二轉折部122的某處產生對應的斷裂，而可以提升提取過程的速度或良率。
在本實施例中，第一轉折部121的寬度121w（標示於圖1I、圖2）介於0.1µm~20 µm，且/或第一轉折部121的厚度121h（標示於圖1H）小於3µm；且/或，第二轉折部122的寬度122w介於0.1µm~20 µm（標示於圖1I、圖2），且/或第二轉折部122的厚度122h（標示於圖1H）小於3µm。如此一來，於取放裝置500下壓或是提取的過程中，可以較容易地使第一轉折部121的某處及/或第二轉折部122的某處產生對應的斷裂，而可以提升提取過程的速度或良率。
請參照圖3B，在本實施例中，於藉由取放裝置500以使第一轉折部121的某處產生對應的斷裂之後，殘存於元件110上的固定結構120’基本上仍自元件110的上表面110a延伸至第一側表面110c，且殘存於元件110上的固定結構120’基本上包括自第一側表面110c向外延伸的第一轉折部121’，其中第一轉折部121’所處位置介於所述上表面110a及所述下表面110b之間。也就是說，元件110及固定結構120’仍可被稱為微型元件結構100’。於此，第一轉折部121’遠離於第一側表面110c的末端懸空。也就是說，第一轉折部121’遠離於第一側表面110c的末端為自由末端。
在本實施例中，第一轉折部121’遠離於第一側表面110c的末端具有不規則表面，但本發明不限定於此。
類似地，在本實施例中，固定結構120’基本上可以更包括自第二側表面110d’向外延伸的第二轉折部122’，其中第二轉折部122’所處位置介於所述上表面110a及所述下表面110b之間。於此，第二轉折部122’遠離於第二側表面110d的末端懸空。也就是說，第二轉折部122’遠離於第二側表面110d的末端為自由末端。
類似地，在本實施例中，第二轉折部122’遠離於第二側表面110d的末端具有不規則表面。
請參照圖3B至圖3C，可以藉由取放裝置500，以將元件110配置於線路板330上。然後，可以使元件110與線路板330中對應的線路（未繪示）電性連接。
在本實施例中，可以使元件110的下表面110b面向線路板330的方式，以使元件110的第一電極116及第二電極117與線路板330中對應的線路（未繪示）電性連接。另外，由於固定結構120’自元件110的上表面110a延伸至第一側表面110c與第二側表面110d，且第一轉折部121’及/或第二轉折部122’介於上表面110a及下表面110b之間。因此，可以降低將元件110配置於線路板330時或之後，固定結構120’對元件110及/或線路板330的影響。
在本實施例中，線路板330可以為硬板也可以為軟板，於本發明並不以此為限。
在本實施例中，線路板330可以更包含主動式元件（如：電晶體）、被動式元件（如：電容、電阻或電感）或其他適宜的電子元件，於本發明並不以此為限。
在本實施例中，元件110與線路板330之間可以藉由導電連接件350而彼此電性連接。導電連接件350可以包括導電柱（conductive pillar）、焊球（solder ball）、導電凸塊（conductive bump）、導電片（conductive sheet）、導電膠（conductive glue）、導電膜(conductive film) 、具有其他形式或形狀的導電件或上述之組合，但本發明不限於此。
在本實施例中，可以藉由相同、相似或不同於前述的方式，將元件310及元件310’配置於線路板330上。另外，本發明並未限定元件110、元件310及元件310’彼此之間的配置順序。
在本實施例中，元件310及/或元件310’為微發光二極體，但本發明不限於此。在本實施例中，元件110、元件310及元件310’彼此之間的可發光顏色不同，但本發明不限於此。
經過上述製程後即可大致上完成本實施例之顯示裝置300的製作。
圖3C可以是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的部分剖視示意圖。
請參照圖3C，顯示裝置300包括元件110以及第一轉折部121’。第一轉折部121’介於上表面110a及下表面110b之間。第一轉折部121’自元件110的第一側表面110c向外延伸。第一轉折部121’的寬度121w介於0.1µm~10µm，且第一轉折部121’的厚度121h小於3µm。顯示裝置300的元件110為微發光二極體。
圖4是依照本發明的一實施例的一種微型元件結構的部分剖視示意圖。
在本實施例的微型元件結構400中，元件110的下表面110b可以是第二型半導體層113遠離第一型半導體層111的表面；或是，元件110的一部分上表面110a可以是圖案化絕緣層115、第一電極116及/或第二電極117遠離第二型半導體層113的部分表面。
圖5是依照本發明的一實施例的一種微型元件結構的部分剖視示意圖。
在本實施例的微型元件結構500中，元件110的上表面110a可以是第一電極116的部分表面；或是，元件110的下表面110b可以是第二電極117的部分表面。
綜上所述，本發明一實施例的微型元件結構或顯示裝置，其元件在製造或應用的過程中，可以有效率地被轉移。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍及其均等範圍所界定者為準。
100、200a、200b、200c、200d、200e、200f、200g、400、500:微型元件結構 110、310、310':元件 110a:上表面 110b:下表面 110c:第一側表面 110d:第二側表面 111:第一型半導體層 112:發光層 113:第二型半導體層 113a:上表面 114:第一導電層 111c、112c、113c、111c:側壁 115:圖案化絕緣層 116:第一電極 117:第二電極 120、120':固定結構 125:連接部 121:第一轉折部 121d:第一延伸方向 122:第二轉折部 122d:第二延伸方向 121w、122w:寬度 121h、122h:厚度 123:第一支撐部 123d:第三延伸方向 124:第二支撐部 124d:第四延伸方向 130:載板 130a:表面 300:顯示裝置 330:線路板 350:導電連接件 500:取放裝置 811、911:第一型半導體材料層 812、912:發光材料層 813、913:第二型半導體材料層 820:固定材料層 830:基板 841、842:填充材料層 830a、842a:表面 843:開口或溝渠 h1:第一距離 h2:第二距離 h3:第三距離 R1:區域
圖1A至圖1H是依照本發明的一實施例的一種微型元件結構的部分製作方法的部分剖視示意圖。 圖1I是依照本發明的一實施例的一種微型元件結構的部分上視示意圖。 圖2A至圖2G是依照本發明的另一實施例的一種微型元件結構的部分上視示意圖。 圖3A至圖3C是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的部分製作方法的部分剖視示意圖。 圖4是依照本發明的一實施例的一種微型元件結構的部分剖視示意圖。 圖5是依照本發明的一實施例的一種微型元件結構的部分剖視示意圖。
100:微型元件結構
110:元件
110a:上表面
110b:下表面
110c:第一側表面
110d:第二側表面
111:第一型半導體層
112:發光層
113:第二型半導體層
113a:上表面
114:第一導電層
115:圖案化絕緣層
116:第一電極
117:第二電極
120:固定結構
125:連接部
121:第一轉折部
121d:第一延伸方向
122:第二轉折部
122d:第二延伸方向
121h、122h:厚度
123:第一支撐部
123d:第三延伸方向
124:第二支撐部
124d:第四延伸方向
125:連接部
130:載板
130a:表面
820:固定材料層
h1:第一距離
h2:第二距離
h3:第三距離
R1:區域

Claims (18)

  1. 一種微型元件結構，包括： 元件，具有上表面、下表面及第一側表面，其中所述下表面相對於所述上表面，且所述第一側表面連接所述上表面及所述下表面；以及 固定結構，包括連接部及第一轉折部，其中所述連接部至少自所述元件的所述上表面延伸至所述第一側表面，所述第一轉折部接觸以連接所述連接部的第一末端並自所述第一側表面向外延伸以遠離所述第一側表面，其中所述連接部的所述第一末端位於所述上表面及所述下表面之間的所述第一側表面上。
  2. 如請求項1所述的微型元件結構，其中所述固定結構暴露出所述第一側表面遠離所述上表面的一部分。
  3. 如請求項1所述的微型元件結構，其中所述第一轉折部的寬度介於 0.1 µm~10 µm，且/或所述第一轉折部的厚度小於3µm。
  4. 如請求項1所述的微型元件結構，其中所述第一轉折部遠離於所述第一側表面的末端與所述第一側表面之間具有一間距。
  5. 如請求項1所述的微型元件結構，其中所述固定結構為同一材質。
  6. 如請求項1所述的微型元件結構，其中所述固定結構為連續結構。
  7. 如請求項1所述的微型元件結構，其中所述固定結構暴露出部分的所述上表面。
  8. 如請求項1所述的微型元件結構，其中所述第一轉折部遠離於所述第一側表面的末端懸空。
  9. 如請求項1所述的微型元件結構，其中所述第一轉折部遠離於所述第一側表面的末端具有不規則表面。
  10. 如請求項1所述的微型元件結構，其中所述第一轉折部的延伸方向基本上平行於所述元件的所述上表面。
  11. 如請求項1所述的微型元件結構，其中所述元件更具有第二側表面，所述第二側表面連接所述上表面及所述下表面，所述第二側表面相對於所述第一側表面，所述固定結構更自所述元件的所述上表面延伸至所述第二側表面，所述固定結構更包括自所述第二側表面向外延伸的第二轉折部，其中所述第二轉折部接觸以連接所述連接部的第二末端並自所述第二側表面向外延伸以遠離所述第二側表面，其中所述連接部的所述第二末端位於所述上表面及所述下表面之間的所述第二側表面上。
  12. 如請求項1所述的微型元件結構，其中所述上表面與所述第一轉折部之間具有第一距離，所述上表面與所述下表面之間具有第三距離，且所述第三距離大於所述第一距離。
  13. 如請求項1所述的微型元件結構，更包括： 載板，其中所述元件藉由所述固定結構配置於所述載板上。
  14. 如請求項13所述的微型元件結構，其中所述元件與所述載板之間具有空氣間隙。
  15. 如請求項13所述的微型元件結構，其中所述固定結構更包括連接所述第一轉折部的第一支撐部，且所述第一支撐部連接於所述載板。
  16. 如請求項15所述的微型元件結構，其中所述第一轉折部的延伸方向不同於所述第一支撐部的延伸方向。
  17. 如請求項15所述的微型元件結構，其中所述第一支撐部的高度大於所述元件與所述載板之間的距離。
  18. 一種顯示裝置，包括： 微型發光元件，具有上表面、下表面及第一側表面，其中所述下表面相對於所述上表面，且所述第一側表面連接所述上表面及所述下表面；以及 固定結構，包括連接部及第一轉折部，其中所述連接部至少自所述微型發光元件的所述上表面延伸至所述第一側表面，所述第一轉折部接觸以連接所述連接部的第一末端並自所述第一側表面向外延伸以遠離所述第一側表面，其中所述連接部的所述第一末端位於所述上表面及所述下表面之間的所述第一側表面上，且所述第一轉折部遠離於所述第一側表面的末端懸空。
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Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000091636A (ja) * 1998-09-07 2000-03-31 Rohm Co Ltd 半導体発光素子の製法
DE10164502B4 (de) * 2001-12-28 2013-07-04 Epcos Ag Verfahren zur hermetischen Verkapselung eines Bauelements
JP3831287B2 (ja) * 2002-04-08 2006-10-11 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
DE10238523B4 (de) * 2002-08-22 2014-10-02 Epcos Ag Verkapseltes elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
US7795076B2 (en) * 2003-06-12 2010-09-14 Symbol Technologies, Inc. Method, system, and apparatus for transfer of dies using a die plate having die cavities
DE102004020204A1 (de) * 2004-04-22 2005-11-10 Epcos Ag Verkapseltes elektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
TWI280332B (en) * 2005-10-31 2007-05-01 Guei-Fang Chen LED lighting device
US20080006922A1 (en) * 2006-07-08 2008-01-10 Charles Gutentag Thermal release adhesive-backed carrier tapes
KR101358480B1 (ko) * 2007-10-16 2014-02-05 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 점착제, 점착 시트, 다층 점착 시트 및 전자 부품의 제조 방법
DE102008028757B4 (de) * 2008-06-17 2017-03-16 Epcos Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterchipanordnung
CN101958375B (zh) * 2009-07-17 2013-01-02 财团法人工业技术研究院 氮化物半导体结构及其制造方法
CN102044404B (zh) * 2009-10-12 2015-12-09 桑迪士克科技公司 用于使经切分的半导体裸片与裸片贴胶带分离的系统
DE102010054782A1 (de) * 2010-12-16 2012-06-21 Epcos Ag Gehäustes elektrisches Bauelement
US8809875B2 (en) 2011-11-18 2014-08-19 LuxVue Technology Corporation Micro light emitting diode
US8835940B2 (en) 2012-09-24 2014-09-16 LuxVue Technology Corporation Micro device stabilization post
US8791474B1 (en) 2013-03-15 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Light emitting diode display with redundancy scheme
US9217541B2 (en) * 2013-05-14 2015-12-22 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including shear release posts
TWI534993B (zh) 2013-09-25 2016-05-21 友達光電股份有限公司 無機發光二極體之畫素結構
US9929053B2 (en) * 2014-06-18 2018-03-27 X-Celeprint Limited Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures
US9887180B2 (en) * 2015-01-30 2018-02-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a semiconductor component and a semiconductor component
US9640715B2 (en) 2015-05-15 2017-05-02 X-Celeprint Limited Printable inorganic semiconductor structures
US10200013B2 (en) * 2016-02-18 2019-02-05 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed acoustic wave filter device
US9897301B1 (en) * 2016-11-18 2018-02-20 Rich Brand Industries Ltd. E26 plastic lampholder
US10468391B2 (en) * 2017-02-08 2019-11-05 X-Celeprint Limited Inorganic light-emitting-diode displays with multi-ILED pixels
DE102017106730A1 (de) * 2017-03-29 2018-10-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Bauteils und Bauteil für ein elektronisches Bauelement
US10748804B2 (en) 2017-12-19 2020-08-18 PlayNitride Inc. Structure with micro device having holding structure
TWI699870B (zh) 2018-06-14 2020-07-21 啟端光電股份有限公司 發光二極體之承載結構及其製造方法
KR102602393B1 (ko) * 2018-07-13 2023-11-16 삼성전자주식회사 마이크로 엘이디 디스플레이 및 이의 제작 방법
TWI688121B (zh) 2018-08-24 2020-03-11 隆達電子股份有限公司 發光二極體結構
TWI680602B (zh) 2018-09-28 2019-12-21 丁肇誠 可提升巨量轉移良率的微發光二極體
TW202036838A (zh) 2018-12-13 2020-10-01 美商蘋果公司 發光二極體(led)巨量轉移裝置及製造方法
TWI690757B (zh) * 2019-01-07 2020-04-11 友達光電股份有限公司 畫素結構及其修補方法
US10910239B1 (en) * 2019-07-10 2021-02-02 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Method of transferring micro devices and device transfer system
US12057340B2 (en) * 2020-12-04 2024-08-06 X-Celeprint Limited Hybrid tethers for micro-transfer printing

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