TW202245243A - 圖像感測器及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種圖像感測器，所述圖像感測器包括：第一轉移閘極，其形成在基板上方，並且包括第一突起；第二轉移閘極，其形成在基板上方，與第一轉移閘極鄰近，並且包括第二突起；以及浮置擴散，其形成在基板中，並且與第一轉移閘極和第二轉移閘極部分地交疊，其中，第一突起和第二突起彼此面對。

Description

圖像感測器及其製造方法
各種實施例整體關於一種半導體裝置製造技術，更具體地講，關於一種圖像感測器及其製造方法。
圖像感測器是一種從光學圖像或者一個或更多個物件接收光並將所接收的光轉換為形成圖像的電訊號的裝置。近來，隨著電腦行業和通訊行業的發展，在各種領域或應用中對具有改進的性能的圖像感測器的需求不斷增加，包括例如數位相機、攝像機、諸如個人通訊系統的可擕式裝置、遊戲機、安全相機、醫療微型相機和機器人。
本專利文獻要求2017年11月30日提交於韓國智慧財產權局的韓國專利申請No. 10-2017-0163392的優先權和權益，其揭露透過引用整體併入本文。
各種實施例旨在提供一種具有改進的性能的圖像感測器及其製造方法。
在實施例中，一種圖像感測器可包括：第一轉移閘極，其形成在基板上方，並且包括第一突起；第二轉移閘極，其形成在基板上方，與第一轉移閘極鄰近，並且包括第二突起；以及浮置擴散（floating diffusion），其形成在基板中，並且與第一轉移閘極和第二轉移閘極部分地交疊。第一突起和第二突起可彼此面對。
所述圖像感測器還可包括：間隔物，其形成在第一轉移閘極的側壁和第二轉移閘極的側壁上。
間隔物可填充第一突起與第二突起之間的空間。
第一突起和第二突起可與浮置擴散交疊。
所述圖像感測器還可包括：間隔物，其形成在第一轉移閘極的側壁和第二轉移閘極的側壁上並具有厚度。第一轉移閘極和第二轉移閘極可透過間隙被分離，所述間隙大於間隔物的所述厚度的兩倍。
浮置擴散包括：第一擴散區域，其形成在基板中；以及第二擴散區域，其形成在第一擴散區域中並具有與第一擴散區域相同的導電類型以及大於第一擴散區域的雜質摻雜濃度。
第一擴散區域可環繞第二擴散區域的側表面和底表面。
第一突起和第二突起可與第一擴散區域交疊。
所述圖像感測器還可包括：間隔物，其形成在第一轉移閘極的側壁和第二轉移閘極的側壁上。第一擴散區域與第二擴散區域之間的介面可與間隔物的側壁實質上對準。
在實施例中，一種圖像感測器可包括：第一轉移閘極，其形成在基板上方，並且包括第一突起和第三突起；第二轉移閘極，其形成在基板上方，與第一轉移閘極鄰近，並且包括第二突起和第四突起；以及浮置擴散，其形成在基板中，並且與第一轉移閘極和第二轉移閘極部分地交疊。第一突起和第二突起可與浮置擴散交疊。
所述圖像感測器還可包括：間隔物，其形成在第一轉移閘極的側壁和第二轉移閘極的側壁上。
間隔物可填充第一突起與第二突起之間的空間以及第三突起與第四突起之間的另一空間。
所述圖像感測器還可包括：第一光電轉換元件和第二光電轉換元件，其形成在基板中並且分別包括與第一轉移閘極和第二轉移閘極交疊的第一區域；以及釘紮層（pinning layer），其形成在第一光電轉換元件和第二光電轉換元件的第二區域中，所述第二區域不同於第一區域。
基板可具有第一表面以及與第一表面相對的第二表面。第一轉移閘極和第二轉移閘極可形成在基板的第一表面上方。釘紮層可具有與基板的第一表面共面的表面。
第一轉移閘極可包括第一側壁，並且第一突起和第三突起分別被設置在第一側壁的相對兩端。第二轉移閘極可包括第二側壁，所述第二側壁面向第一轉移閘極的第一側壁。第二突起和第四突起可分別被設置在第二側壁的相對兩端。
第一突起和第二突起可彼此面對，並且第三突起和第四突起可彼此面對。
圖像感測器還可包括：間隔物，其形成在第一轉移閘極的側壁和第二轉移閘極的側壁上並具有厚度。第一轉移閘極與第二轉移閘極可透過間隙被分離，所述間隙大於間隔物的厚度的兩倍。
浮置擴散可包括：第一擴散區域，其形成在基板中；以及第二擴散區域，其形成在第一擴散區域中並具有與第一擴散區域相同的導電類型以及大於第一擴散區域的雜質摻雜濃度。
第一擴散區域可環繞第二擴散區域的側表面和底表面。
第一突起和第二突起可與第一擴散區域交疊。
圖像感測器還可包括：間隔物，其形成在第一轉移閘極的側壁和第二轉移閘極的側壁上。第一擴散區域與第二擴散區域之間的介面可與間隔物的側壁實質上對準。
在實施例中，一種圖像感測器可包括：浮置擴散，其形成在基板中；第一轉移閘極和第二轉移閘極，其形成在基板上方以與浮置擴散部分地交疊；以及第一虛擬圖案，其形成在基板上方以與浮置擴散交疊，並且被設置在第一轉移閘極與第二轉移閘極之間。
所述圖像感測器還可包括：間隔物，其形成在第一轉移閘極的側壁、第二轉移閘極的側壁和第一虛擬圖案的側壁上。
間隔物可填充第一轉移閘極與第一虛擬圖案之間的空間以及第二轉移閘極與第一虛擬圖案之間的空間。
所述圖像感測器還可包括：第二虛擬圖案，其形成在基板上方並且被設置在第一轉移閘極與第二轉移閘極之間；間隔物，其形成在第一轉移閘極的側壁、第二轉移閘極的側壁、第一虛擬圖案的側壁和第二虛擬圖案的側壁上；第一光電轉換元件和第二光電轉換元件，其形成在基板中並且分別包括與第一轉移閘極和第二轉移閘極交疊的第一區域；以及釘紮層，其形成在第一光電轉換元件和第二光電轉換元件的第二區域中，所述第二區域不同於第一區域。
基板可具有第一表面以及與第一表面相對的第二表面，第一轉移閘極和第二轉移閘極形成在基板的第一表面上方。釘紮層可具有與基板的第一表面共面的表面。
第一轉移閘極和第二轉移閘極可分別包括彼此面對的第一側壁和第二側壁。第一虛擬圖案和第二虛擬圖案可被設置在第一轉移閘極的第一側壁與第二轉移閘極的第二側壁之間的空間的相對兩側。
間隔物可填充第一轉移閘極與第一虛擬圖案之間的空間、第二轉移閘極與第一虛擬圖案之間的空間、第一轉移閘極與第二虛擬圖案之間的空間以及第二轉移閘極與第二虛擬圖案之間的空間。
第一轉移閘極、第二轉移閘極、第一虛擬圖案和第二虛擬圖案中的每一個可具有閘極介電層和閘極層疊的層疊結構。
所述圖像感測器還可包括：間隔物，其形成在第一轉移閘極的側壁、第二轉移閘極的側壁和第一虛擬圖案的側壁上並具有厚度。第一轉移閘極可與第二轉移閘極透過間隙被分離。所述間隙的寬度可大於間隔物的所述厚度的兩倍。
浮置擴散可包括：第一擴散區域，其形成在基板中；以及第二擴散區域，其形成在第一擴散區域中並具有與第一擴散區域相同的導電類型以及大於第一擴散區域的雜質摻雜濃度。
第一擴散區域可環繞第二擴散區域的側表面和底表面。
第一虛擬圖案可與第一擴散區域交疊。
所述圖像感測器還可包括：間隔物，其形成在第一轉移閘極的側壁、第二轉移閘極的側壁和第一虛擬圖案的側壁上。第一擴散區域與第二擴散區域之間的介面可與間隔物的側壁實質上對準。
在實施例中，一種製造圖像感測器的方法可包括以下步驟：在基板上方形成包括第一突起和第三突起的第一轉移閘極以及與第一轉移閘極鄰近並包括第二突起和第四突起的第二轉移閘極；透過使用具有第一開口的第一光罩圖案執行第一離子注入來形成與第一轉移閘極和第二轉移閘極部分地交疊的第一擴散區域；在第一轉移閘極的側壁和第二轉移閘極的側壁上形成間隔物；以及透過使用具有第一開口的第一光罩圖案執行第二離子注入來在第一擴散區域中形成第二擴散區域。第一突起被形成為面對第二突起，第三突起可被形成為面對第四突起。
在形成第一轉移閘極和第二轉移閘極之前，所述方法還可包括以下步驟：在基板中形成分別包括與第一轉移閘極和第二轉移閘極交疊的第一區域的第一光電轉換元件和第二光電轉換元件。在形成第一擴散區域之後，所述方法還可包括以下步驟：透過使用具有第二開口的第二光罩圖案執行第三離子注入來在第一光電轉換元件和第二光電轉換元件的第二區域中形成釘紮層，所述第二區域不同於第一區域。
第二開口可暴露第一光電轉換元件、第二光電轉換元件、第一轉移閘極的一部分、第二轉移閘極的一部分、第三突起、第四突起和間隔物。
第一轉移閘極可包括第一側壁，並且第一突起和第三突起分別被設置在第一側壁的相對兩端。第二轉移閘極可包括第二側壁，所述第二側壁面對第一轉移閘極的第一側壁，並且第二突起和第四突起分別被設置在第二側壁的相對兩端。
在第一離子注入中，第一開口可暴露基板、第一轉移閘極的一部分、第二轉移閘極的一部分、第一突起和第二突起。
在第二離子注入中，第一開口可暴露第一擴散區域、第一轉移閘極的所述部分、第二轉移閘極的所述部分、第一突起、第二突起和間隔物。
間隔物可填充第一突起與第二突起之間的空間以及第三突起與第四突起之間的空間。
第一轉移閘極與第二轉移閘極可透過間隙被分離，所述間隙大於間隔物的厚度的兩倍。
第一擴散區域可環繞第二擴散區域的側表面和底表面。
第一突起和第二突起與第一擴散區域交疊。
第一擴散區域與第二擴散區域之間的介面可與間隔物的側壁實質上對準。
在實施例中，一種圖像感測器可包括成像像素區塊的陣列。各個成像像素區塊可包括：不同的光電轉換元件，其彼此相鄰地形成在基板中並被構造為回應於入射光而產生光電荷；浮置擴散，其與各個成像像素區塊內的光電轉換元件相鄰地形成在基板中並被構造為儲存由光電轉換元件產生的光電荷；不同的轉移閘極，其分別形成在所述不同的光電轉換元件上方，一個轉移閘極用於一個光電轉換元件，並且被構造為將光電荷從光電轉換元件轉移到浮置擴散。轉移閘極可具有彼此面對的各個側壁，並且包括從各個側壁突出的突起。
所述圖像感測器還可包括：間隔物，其形成在轉移閘極的各個側壁上並具有厚度。
轉移閘極的各個側壁可透過間隙被分離，所述間隙大於間隔物的厚度的兩倍。
間隔物可被設置在第一突起和第二突起之間。
轉移閘極還可包括：附加突起，其從各個側壁突出並分別與所述突起相對設置。
浮置擴散可包括：第一擴散區域，其形成在基板中；以及第二擴散區域，其形成在第一擴散區域中並具有大於第一擴散區域的雜質摻雜濃度。
所揭露的圖像感測技術可被實現為在具有改進的性能的圖像感測器裝置（包括例如具有CMOS圖像感測器的圖像感測裝置）中設置像素偏置設備或電路。提供圖像感測器陣列，例如，以對在陣列上形成場景的圖像的光作出回應。在一些實現方式中，圖像感測器陣列包括相鄰單獨像素的多個像素區塊，並且像素區塊內的各個像素包括：光感測器，其進行操作以對所接收的光作出回應以產生電荷；電荷儲存區域（例如，浮置擴散區域），其儲存所產生的電荷；以及電荷轉移區域（例如，轉移電晶體），其將電荷轉移到電荷儲存區域。光感測器可被實現為包括能夠產生光生電荷的光閘、光電二極體、光電電晶體、光電導體或光敏結構。電荷轉移區域可被形成為連接到光感測器以將光感測器所產生的電荷轉移到電荷儲存區域。所揭露的技術可用於透過解決像素區塊中的相鄰電荷轉移區域之間發生的干擾並增加光-電荷轉換增益來改進圖像感測器的性能。
提供所揭露的技術的以下實施例和示例以描述具有改進的性能的圖像感測器及其製造方法的各種特徵。基於所揭露的技術的具有改進的性能的圖像感測器可按照能夠防止相鄰轉移閘極之間發生干擾並且增加轉換增益的一種或更多種裝置配置來實現。為此，以下實施例可提供一種包括各自具有至少一個突起的轉移閘極的圖像感測器及其製造方法。此外，以下實施例可提供一種圖像感測器及其製造方法，其包括使用具有突起的轉移閘極以及形成在其側壁上的間隔物透過自對準製程形成的浮置擴散。
圖1至圖3是示出根據所揭露的技術的第一實施例的圖像感測器的示例的表示的示圖。圖1是示出像素區塊的俯視圖，圖2是沿著圖1的線I-I’截取的截面圖。圖3是沿著圖1的線II-II’和III-III’截取的截面圖。
圖1至圖3示出根據用於實現所揭露的技術的第一實施例的圖像感測器內的像素區塊的示例，其包括像素陣列100（參見圖16），並且像素陣列100包括按照包括行和列的矩陣結構佈置的多個像素區塊110。多個像素區塊110中的每一個可包括具有共用像素結構的多個單獨或單元像素211至214。例如，各個像素區塊110可具有被構造成4共用像素結構的4個單元像素，其中4個單元像素共用特定一個或更多個電路結構。詳細地講，多個像素區塊110中的每一個可具有這樣的形式：四個單元像素211至214按照2×2矩陣結構佈置成兩行和兩列，並且共用相對於四個單元像素211至214在中心位置的一個浮置擴散FD作為公共電荷儲存區域，以使得共用的浮置擴散FD從四個單元像素211至214接收電荷並充當用於像素區塊110的記憶體。因此，像素區塊110可包括共用浮置擴散FD的第一單元像素211至第四單元像素214。各個像素區塊110內的單元像素211至214共用浮置擴散FD是共用結構的一個示例，其它共用結構或附加共用可用於提供圖像感測器的期望的性能。
在根據第一實施例的圖像感測器的像素區塊110中，多個單元像素211至214中的每一個可包括：光電轉換元件PD，其回應於入射光而產生光電荷；浮置擴散FD，其暫時地儲存光電轉換元件PD中產生的光電荷；以及轉移電晶體，其回應於從驅動器電路（例如，行驅動器（參見圖16的元件符號150））傳送來的轉移訊號將光電轉換元件PD中產生的光電荷轉移到浮置擴散FD。轉移電晶體可包括形成在基板200上的轉移閘極。轉移閘極具有分別位於光電轉換元件PD的一部分和浮置擴散FD的一部分上方的側壁。例如，轉移閘極的兩端分別與光電轉換元件PD的一部分和浮置擴散FD的一部分交疊。轉移訊號可被施加到轉移閘極，並且光電轉換元件PD和浮置擴散FD可分別用作轉移電晶體的源極和汲極。
在根據第一實施例的圖像感測器中，像素區塊110可包括：基板200，其具有第一表面S1以及背離第一表面S1或與第一表面S1相對的第二表面S2；光電轉換元件PD，其形成在基板200中以分別與多個單元像素211至214對應；釘紮層210，其形成在光電轉換元件PD中；隔離結構202，其形成在基板200中並將相鄰光電轉換元件PD隔離；井204，其形成在基板200中；以及浮置擴散FD，其形成在井204中。
基板200可包括半導體基板。半導體基板200可以是或者可以具有單晶態並且包括包含矽的材料。例如，基板200可包括包含單晶矽的材料。基板200可以是透過減薄製程減薄的基板或者包括透過外延生長形成的外延層的基板。例如，基板200可以是透過減薄製程減薄的塊狀矽基板。在基板200中，第一表面S1可以是正面，第二表面S2可以是背面。
光電轉換元件PD可包括光電二極體、光電電晶體、光閘或其組合。例如，光電二極體可用作光電轉換元件PD。在一些實現方式中，光電轉換元件PD可具有形成在基板200中並具有彼此互補的導電類型的第一雜質區域216和第二雜質區域218在與基板200的表面S1和S2垂直的垂直方向上層疊的形式。第一雜質區域216可以是P型雜質區域，第二雜質區域218可以是N型雜質區域。第一雜質區域216的頂表面可與基板200的第一表面S1共面。第二雜質區域218可具有大於第一雜質區域216的厚度。在垂直方向上，第二雜質區域218可具有均勻摻雜分佈或者雜質摻雜濃度在背離轉移閘極的方向上逐漸減小的摻雜分佈。後一種情況是為了確保電荷容易地在第二雜質區域218中在面向轉移閘極的方向上從具有較低雜質摻雜濃度的區域移動到具有較高雜質摻雜濃度的區域。此外，在修改例中，光電轉換元件PD可具有多個第一雜質區域216和多個第二雜質區域218在垂直方向或水平方向上交替地層疊的形式。作為參考，垂直方向可指與基板200的表面S1和S2垂直的方向，水平方向可指與基板200的表面S1和S2平行的方向。
隔離結構202可起到將相鄰像素區塊110和相鄰單元像素211至214電隔離的作用。隔離結構202可包括STI（淺溝槽隔離）、DTI（深溝槽隔離）、位能障壁或其組合。位能障壁可包括透過將雜質注入到基板200中而形成的雜質區域。例如，位能障壁可以是透過將硼作為P型雜質注入到基板200中而形成的P型雜質區域。第一實施例示出隔離結構202是位能障壁（例如，P型雜質區域）的情況。
釘紮層210可形成在基板200中並佈置在光電轉換元件PD中。在一些實現方式中，釘紮層210可形成在隔離結構202的一側。釘紮層210可被構造為具有雜質濃度比井204更高的P型雜質以防止在基板200的邊界表面處產生暗電流。釘紮層210可形成在光電轉換元件PD的第一雜質區域216中，並且可具有與基板200的第一表面S1共面的頂表面。釘紮層210的厚度可小於光電轉換元件PD的第一雜質區域216的厚度。光電轉換元件PD的第一雜質區域216和釘紮層210可具有彼此相同的導電類型，並且釘紮層210的雜質摻雜濃度可大於第一雜質區域216的雜質摻雜濃度。這是為了有效地防止產生暗電流。此外，儘管圖中未示出，在隔離結構202是位能障壁（例如，P型雜質區域）的情況下，釘紮層210可甚至延伸到與光電轉換元件PD相鄰的隔離結構202。
井204用於為浮置擴散FD提供空間並且用作轉移電晶體的通道。井204可具有P型導電性。在隔離結構202被實現為位能障壁（例如，P型雜質區域）的情況下，井204可具有與隔離結構202相同類型的導電性，但是可具有比隔離結構202的雜質摻雜濃度大的雜質摻雜濃度。井204可被設置在像素區塊110中的中心處，並且可與光電轉換元件PD部分地交疊。
浮置擴散FD可被設置在像素區塊110的中心處，並且可形成在井204中。浮置擴散FD可具有與井204互補的導電類型，並且可包括具有彼此不同的雜質摻雜濃度的多個擴散區域206和208。例如，浮置擴散FD可具有N型導電性，並且可包括形成在井204中的第一擴散區域206以及形成在第一擴散區域206中的第二擴散區域208。將浮置擴散FD配置為包括兩個擴散區域206和208可有助於改進圖像感測器的光學靈敏度，因為第一擴散區域206可起到改進並補充第二擴散區域208的電特性的作用（如下面進一步討論的）。第一擴散區域206和第二擴散區域208可具有彼此相同的導電類型，並且第二擴散區域208的雜質摻雜濃度可大於第一擴散區域206的雜質摻雜濃度。第一擴散區域206可具有環繞第二擴散區域208的側表面和底表面的形式。第一擴散區域206的面積可大於第二擴散區域208的面積。第一擴散區域206和第二擴散區域208中的每一個可沿著水平方向具有兩個邊緣。第一擴散區域206和第二擴散區域208的相鄰邊緣之間的距離可一致。第二擴散區域208的側壁（即，第一擴散區域206與第二擴散區域208之間的介面）可與形成在多個轉移閘極TG1至TG4的側壁上的間隔物220對準。
具有第一擴散區域206和第二擴散區域208的浮置擴散FD可防止其中發生接面漏電，並且可防止轉換增益由於浮置擴散FD的電容的變化而減小。此外，由於浮置擴散FD包括環繞第二擴散區域208的第一擴散區域206，所以可防止相鄰單元像素211至214之間的模糊（blooming）。作為參考，當產生超過光電轉換元件PD的電容的過量光電荷時，在光電轉換元件PD與浮置擴散FD之間的位能障壁低於相鄰光電轉換元件PD之間的位能障壁的情況下，由於過量光電荷流到浮置擴散FD（而非相鄰光電轉換元件PD），不會發生模糊。然而，在光電轉換元件PD與浮置擴散FD之間的位能障壁高於相鄰光電轉換元件PD之間的位能障壁的情況下，可導致這樣的問題：由於過量光電荷溢出到相鄰光電轉換元件PD，發生模糊。如果光電轉換元件PD與浮置擴散FD之間的位能障壁被降低以防止模糊，則可導致另一問題：光電轉換元件PD的線性井電容（linear well capacitance, LWC）減小。然而，在根據第一實施例的浮置擴散FD中，由於第一擴散區域206在光電轉換元件PD與第二擴散區域208之間提供洩漏路徑，所以可透過允許過量光電荷流到浮置擴散FD來防止模糊。由於不需要降低光電轉換元件PD與浮置擴散FD之間的位能障壁，所以還可防止或減小光電轉換元件PD的線性井電容的減小。鑒於相對於光電轉換元件PD的大小的第一擴散區域206的大小，由第一擴散區域206提供的洩漏路徑可顯著小。
在根據第一實施例的圖像感測器中，像素區塊110可包括：顏色分離元件230，其形成在基板200的第二表面S2上以與多個單元像素211至214對應；以及光聚焦元件240，其形成在顏色分離元件230上。顏色分離元件230可包括濾色器。光聚焦元件240可包括數位透鏡或半球形透鏡。
在根據第一實施例的圖像感測器中，像素區塊110可包括多個轉移閘極TG1至TG4，多個轉移閘極TG1至TG4形成在基板200上以分別與多個單元像素211至214對應。轉移閘極TG1至TG4中的每一個可包括形成在轉移閘極TG1至TG4的側壁的一個或更多個部分上的一個或更多個突起。示例性圖像感測器還可包括形成在多個轉移閘極TG1至TG4的側壁的不同部分上的間隔物220。還可在形成在轉移閘極TG1至TG4的側壁上的突起的側面形成間隔物220。
間隔物220可形成在多個轉移閘極TG1至TG4的側壁以及形成在多個轉移閘極TG1至TG4中的每一個處的一個或更多個突起的側壁上。間隔物220可在多個轉移閘極TG1至TG4的側壁上具有一致的厚度（或線寬）W4。間隔物220可包括氧化物、氮化物、氮氧化物或其組合。間隔物220可在形成浮置擴散FD的製程中用作自對準光罩圖案。
多個轉移閘極TG1至TG4可包括第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4。第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4可位於浮置擴散FD的不同側。在一些實現方式中，第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4具有在像素區塊110中在順時針方向上環繞浮置擴散FD的形式。換言之，在像素區塊110中，第一轉移閘極TG1、第二轉移閘極TG2、第三轉移閘極TG3和第四轉移閘極TG4可分別被設置在左上端、右上端、右下端和左下端。多個轉移閘極TG1至TG4中的每一個可以是或者可以包括閘極介電層222和閘極224依次層疊的層疊結構。閘極介電層222可包括氧化物、氮化物、氮氧化物或其組合。閘極224可包括導電半導體材料、包括金屬的導電材料或其組合。
多個轉移閘極TG1至TG4中的每一個可具有多個側壁SW1和SW2。多個轉移閘極TG1至TG4中的每一個可包括位於多個側壁SW1和SW2中的每一個上或耦接到多個側壁SW1和SW2中的每一個的至少一個突起。參照圖3，突起P1和P2形成在轉移閘極TG1的側壁SW1和轉移閘極TG2的側壁SW2上。在一些實現方式中，突起P1和P2形成在第一擴散區域206上方。當至少兩個突起位於各個側壁上或耦接到各個側壁時，至少一個任何突起可與浮置擴散FD交疊。因此，突起P1和P2可填充位於第一擴散區域206上方並介於兩個相鄰轉移閘極TG1至TG4之間的空間。突起P1和P2可與位於突起P1和P2之間的間隔物220一起形成自對準光罩圖案（將稍後更詳細地討論）。包括突起P1和P2的自對準光罩圖案可説明透過自對準製程形成浮置擴散FD。透過自對準製程形成的浮置擴散FD可在第二擴散區域208與多個單元像素211至214中的每一個中的光電轉換元件PD之間提供一致的距離。即，可提供轉移電晶體的一致的通道長度。另外，可防止在形成浮置擴散FD的製程中在相鄰光電轉換元件PD之間注入不必要的雜質離子。透過此，可改進圖像感測器的操作特性。具體地講，可改進各個單元像素211至214之間的一致性。
第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4中的每一個可具有第一側壁SW1和第二側壁SW2。在如圖1所示的示例性平面圖中，轉移閘極TG1至TG4中的任一個的第一側壁SW1和第二側壁SW2在彼此不同的方向上延伸。例如，第一轉移閘極TG1的第一側壁SW1沿著第一方向延伸，第一轉移閘極TG1的第二側壁SW2沿著與第一方向垂直的第二方向延伸。第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4的第一側壁SW1和第二側壁SW2可被佈置為使得轉移閘極TG1至TG4中的任一個的第一側壁SW1與轉移閘極TG1至TG4中的相鄰另一個的第二側壁SW2被分離第一間隙W1。第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4中的每一個可包括位於第一側壁SW1上或耦接到第一側壁SW1的第一突起P1以及位於第二側壁SW2上或耦接到第二側壁SW2的第二突起P2。第一突起P1和第二突起P2可與浮置擴散FD交疊。第一突起P1和第二突起P2可與浮置擴散FD的第一擴散區域206交疊。因此，在第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4中的每一個中，第一突起P1和第二突起P2可用作光罩圖案，並且可用於形成浮置擴散FD的第二擴散區域208。在第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4中的每一個中，第一突起P1和第二突起P2可在形成轉移閘極的製程中一起形成。因此，第一突起P1和第二突起P2中的每一個也可以是閘極介電層222和閘極224依次層疊的層疊結構。第一突起P1和第二突起P2的平面形狀可為多樣的（包括四邊形），並且可具有滿足相關設計規則的最小線寬。當第一突起P1和第二突起P2位於轉移閘極TG1至TG4之間時，第一突起P1和第二突起P2的最小線寬有助於防止在彼此相鄰的多個轉移閘極TG1至TG4之間發生干擾。
多個轉移閘極TG1至TG4可位於浮置擴散FD的不同側並且以第一間隙W1彼此鄰近。第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4中的任一個可具有透過第一間隙W1與第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4中的相鄰另一個的第二側壁SW2分離的第一側壁SW1。透過第一間隙W1被分離的第一側壁SW1和第二側壁SW2可被佈置為彼此面對。例如，第一轉移閘極TG1的第一側壁SW1和第二轉移閘極TG2的第二側壁SW2可利用第一間隙W1彼此面對。第二轉移閘極TG2的第一側壁SW1和第三轉移閘極TG3的第二側壁SW2可利用第一間隙W1彼此面對。第三轉移閘極TG3的第一側壁SW1和第四轉移閘極TG4的第二側壁SW2可利用第一間隙W1彼此面對。第四轉移閘極TG4的第一側壁SW1和第一轉移閘極TG1的第二側壁SW2可利用第一間隙W1彼此面對。第一間隙W1是在未形成第一突起P1和第二突起P2的區域中第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4當中的兩個相鄰轉移閘極之間的距離。第一間隙W1可具有能夠防止第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4當中的兩個相鄰轉移閘極之間發生干擾的大小。例如，第一間隙W1可大於間隔物220的厚度W4的兩倍（W1＞2×W4）。
轉移閘極TG1至TG4中的任一個的第一突起P1與轉移閘極TG1至TG4中的相鄰另一個的第二突起P2可透過第二間隙W2彼此面對或彼此分離。換言之，在第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4當中的兩個相鄰轉移閘極之間，第一突起P1和第二突起P2可透過第二間隙W2彼此面對或彼此分離。例如，第一轉移閘極TG1的第一突起P1與第二轉移閘極TG2的第二突起P2可透過第二間隙W2彼此面對或彼此分離。第二轉移閘極TG2的第一突起P1與第三轉移閘極TG3的第二突起P2可透過第二間隙W2彼此面對或彼此分離。第三轉移閘極TG3的第一突起P1與第四轉移閘極TG4的第二突起P2可透過第二間隙W2彼此面對或彼此分離。第四轉移閘極TG4的第一突起P1與第一轉移閘極TG1的第二突起P2可透過第二間隙W2彼此面對或彼此分離。第二間隙W2可小於第一間隙W1（W2＜W1）。形成在轉移閘極TG1至TG4中的任一個的第一突起P1的側壁以及轉移閘極TG1至TG4中的相鄰另一個的第二突起P2的側壁上的間隔物220可具有填充第二間隙W2的形式。第一突起P1、第二突起P2和填充第二間隙W2的間隔物220可在形成浮置擴散FD的製程中用作自對準光罩圖案。
此外，作為修改例，間隔物220可被設計為部分地填充第二間隙W2。形成在轉移閘極TG1至TG4中的任一個的第一突起P1的側壁上的間隔物220可能顯著靠近形成在轉移閘極TG1至TG4中的相鄰另一個的第二突起P2的側壁上的間隔物220，並且可能沒有完全地填充第二間隙W2。在這種情況下，間隔物220之間的距離（即，位於突起P1和P2之間並且未被間隔物220填充的部分的寬度）可顯著窄。由於形成在轉移閘極TG1至TG4中的任一個的第一突起P1的側壁上的間隔物220與形成在轉移閘極TG1至TG4中的相鄰另一個的第二突起P2的側壁上的間隔物220之間的距離顯著短，所以第一突起P1、第二突起P2和實質上填充第二間隙W2的間隔物220仍可在形成浮置擴散FD的製程中用作自對準光罩圖案。
如上所述，在根據第一實施例的圖像感測器中，由於浮置擴散FD包括具有不同雜質摻雜濃度的第一擴散區域206和第二擴散區域208並且第一擴散區域206具有環繞第二擴散區域208的側表面和底表面的形式，所以可防止浮置擴散FD中發生接面漏電，防止轉換增益由於浮置擴散FD的電容的變化而減小，並且防止模糊。
另外，由於多個轉移閘極TG1至TG4中的每一個具有一個或更多個突起，所以可透過自對準製程來提供浮置擴散FD。透過自對準製程形成的浮置擴散FD可防止在形成浮置擴散FD的製程中在光電轉換元件PD之間注入不必要的雜質，由此可改進各個單元像素211至214之間的一致性。
圖4至圖6是示出根據所揭露的技術的第二實施例的圖像感測器的示例的表示的示圖。圖4是示出像素區塊的俯視圖，圖5是沿著圖4的線I-I’截取的截面圖。圖6是沿著圖4的線II-II’和III-III’截取的截面圖。在下文中，為了說明方便，針對與第一實施例相同的元件將使用相同的元件符號，並且本文中將省略其詳細描述。
如圖4至圖6所示，根據第二實施例的圖像感測器可包括第一突起P1和第二突起P2，並且還包括耦接到轉移閘極TG1至TG4中的任一個的第一側壁SW1的第三突起P3以及耦接到轉移閘極TG1至TG4中的相鄰另一個的第二側壁SW2的第四突起P4。
第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4中的每一個可具有第一側壁SW1和第二側壁SW2。第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4中的每一個可包括耦接到第一側壁SW1的第一突起P1和第三突起P3以及耦接到第二側壁SW2的第二突起P2和第四突起P4。第一突起P1和第三突起P3可分別被設置在第一側壁SW1的相對兩端，並且第一突起P1可與浮置擴散FD交疊。第二突起P2和第四突起P4可分別被設置在第二側壁SW2的相對兩端，並且第二突起P2可與浮置擴散FD交疊。詳細地講，第一突起P1和第二突起P2可形成在浮置擴散FD的第一擴散區域206上方或與第一擴散區域206交疊。因此，在第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4中的每一個中，第一突起P1和第二突起P2可用作光罩圖案並且用於形成浮置擴散FD的第二擴散區域208的製程。第三突起P3和第四突起P4可形成在光電轉換元件PD之間的隔離結構202上方或與隔離結構202交疊。在第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4中的每一個中，第三突起P3和第四突起P4可用作光罩圖案並且用於形成釘紮層210的製程。
在第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4中的每一個中，第一突起P1至第四突起P4可在形成轉移閘極的製程中一起形成。因此，第一突起P1至第四突起P4中的每一個也可包括閘極介電層222和閘極224依次層疊的層疊結構。第一突起P1至第四突起P4的平面形狀可為多樣的（包括四邊形），並且可具有滿足相關設計規則的最小線寬。當第一突起P1至第四突起P4位於轉移閘極TG1至TG4之間時，第一突起P1至第四突起P4的最小線寬有助於防止彼此相鄰的多個轉移閘極TG1至TG4之間發生干擾。
多個轉移閘極TG1至TG4可按照第一間隙W1佈置。轉移閘極TG1至TG4位於浮置擴散FD的不同側並且以第一間隙W1彼此鄰近。第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4中的任一個可具有透過第一間隙W1彼此分離並且彼此面對的第一側壁SW1和第二側壁SW2。例如，第一轉移閘極TG1的第一側壁SW1與第二轉移閘極TG2的第二側壁SW2可利用第一間隙W1彼此面對。第二轉移閘極TG2的第一側壁SW1與第三轉移閘極TG3的第二側壁SW2可利用第一間隙W1彼此面對。第三轉移閘極TG3的第一側壁SW1與第四轉移閘極TG4的第二側壁SW2可利用第一間隙W1彼此面對。第四轉移閘極TG4的第一側壁SW1與第一轉移閘極TG1的第二側壁SW2可利用第一間隙W1彼此面對。第一間隙W1是在未形成第一突起P1至第四突起P4的區域中第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4當中的兩個相鄰轉移閘極之間的距離。第一間隙W1可具有能夠防止第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4當中的兩個相鄰轉移閘極之間發生干擾的大小。例如，第一間隙W1可大於間隔物220的厚度W4的兩倍（W1＞2×W4）。
轉移閘極TG1至TG4中的任一個的第三突起P3與轉移閘極TG1至TG4中的相鄰另一個的第四突起P4可透過第三間隙W3彼此面對或彼此分離。換言之，在第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4當中的兩個相鄰轉移閘極之間，第三突起P3和第四突起P4可透過第三間隙W3彼此面對或彼此分離。例如，第一轉移閘極TG1的第三突起P3與第二轉移閘極TG2的第四突起P4可透過第三間隙W3彼此面對或彼此分離。第二轉移閘極TG2的第三突起P3與第三轉移閘極TG3的第四突起P4可透過第三間隙W3彼此面對或彼此分離。第三轉移閘極TG3的第三突起P3與第四轉移閘極TG4的第四突起P4可透過第三間隙W3彼此面對或彼此分離。第四轉移閘極TG4的第三突起P3與第一轉移閘極TG1的第四突起P4可透過第三間隙W3彼此面對或彼此分離。第三間隙W3可小於第一間隙W1（W3＜W1）。第三間隙W3可具有與第二間隙W2實質上相同的大小（W3=W2）。形成在轉移閘極TG1至TG4中的任一個的第三突起P3的側壁以及轉移閘極TG1至TG4中的相鄰另一個的第四突起P4的側壁上的間隔物220具有填充第三間隙W3的形式。第三突起P3、第四突起P4和填充第三間隙W3的間隔物220可在形成釘紮層210的製程中用作自對準光罩圖案。
此外，作為修改例，間隔物220可被設計為部分地填充第三間隙W3。形成在轉移閘極TG1至TG4中的任一個的第三突起P3的側壁上的間隔物220可能顯著靠近形成在轉移閘極TG1至TG4中的相鄰另一個的第四突起P4的側壁上的間隔物220並且可能沒有完全填充第三間隙W3。在這種情況下，間隔物220之間的距離（即，位於突起P1和P2之間並且未被間隔物220填充的部分的寬度）可顯著窄。由於形成在轉移閘極TG1至TG4中的任一個的第三突起P3的側壁上的間隔物220與形成在轉移閘極TG1至TG4中的相鄰另一個的第四突起P4的側壁上的間隔物220之間的距離顯著短，所以第三突起P3、第四突起P4和實質上填充第三間隙W3的間隔物220仍可在形成釘紮層210的製程中用作自對準光罩圖案。
在根據第二實施例的圖像感測器中，由於浮置擴散FD包括具有不同雜質摻雜濃度的第一擴散區域206和第二擴散區域208並且第一擴散區域206具有環繞第二擴散區域208的側表面和底表面的形式，所以可防止浮置擴散FD中發生接面漏電，防止轉換增益由於浮置擴散FD的電容的變化而減小，並且防止模糊。
另外，由於多個轉移閘極TG1至TG4中的每一個具有一個或更多個突起，所以可透過自對準製程來提供浮置擴散FD和釘紮層210。透過自對準製程形成的浮置擴散FD和釘紮層210可防止在形成浮置擴散FD和釘紮層210的製程中在光電轉換元件PD之間注入不必要的雜質，由此可改進各個單元像素211至214之間的一致性。
圖7至圖9是示出根據所揭露的技術的第三實施例的圖像感測器的示例的表示的示圖。圖7是示出像素區塊的俯視圖，圖8是沿著圖7的線I-I’截取的截面圖。圖9是沿著圖7的線II-II’和III-III’截取的截面圖。
如圖7至圖9所示，根據第三實施例的圖像感測器可包括像素陣列（參見圖16的元件符號100），並且所述像素陣列可包括按照包括列和行的矩陣結構佈置的多個像素區塊110。多個像素區塊110中的每一個可包括具有共用像素結構的多個單元像素211至214。例如，多個像素區塊110中的每一個可具有4共用像素結構。在一些實現方式中，多個像素區塊110中的每一個可具有四個單元像素211至214按照2×2矩陣結構佈置並共用一個浮置擴散FD的形式。因此，像素區塊110可包括共用浮置擴散FD的第一單元像素211至第四單元像素214。
在根據第三實施例的圖像感測器的像素區塊110中，多個單元像素211至214中的每一個可包括：光電轉換元件PD，其回應於入射光產生光電荷；浮置擴散FD，其暫時地儲存光電轉換元件PD中產生的光電荷；以及轉移電晶體，其回應於從行驅動器（參見圖16的元件符號150）傳送來的轉移訊號將光電轉換元件PD中產生的光電荷轉移到浮置擴散FD。轉移電晶體可包括形成在基板200上的轉移閘極，並且轉移閘極的兩端可分別形成在浮置擴散FD和光電轉換元件PD的部分上方。在一些實現方式中，轉移閘極的端部可分別與光電轉換元件PD的一部分和浮置擴散FD的一部分交疊。轉移訊號可被施加到轉移閘極，並且光電轉換元件PD和浮置擴散FD可分別用作轉移電晶體的源極和汲極。
在根據第三實施例的圖像感測器中，像素區塊110可包括：基板200，其具有第一表面S1以及背離第一表面S1或與第一表面S1相對的第二表面S2；光電轉換元件PD，其形成在基板200中以分別與多個單元像素211至214對應；釘紮層210，其形成在光電轉換元件PD中；隔離結構202，其形成在基板200中並將相鄰光電轉換元件PD隔離；井204，其形成在基板200中；以及浮置擴散FD，其形成在井204中。
基板200可包括半導體基板。半導體基板200可以是或者可以具有單晶態並且包括包含矽的材料。在一些實現方式中，基板200可包括包含單晶矽的材料。基板200可以是透過減薄製程減薄的基板或者包括透過外延生長形成的外延層的基板。例如，基板200可以是透過減薄製程減薄的塊狀矽基板。在基板200中，第一表面S1可以是正面，第二表面S2可以是背面。
光電轉換元件PD可包括光電二極體、光電電晶體、光閘或其組合。例如，光電二極體可用作光電轉換元件PD。在一些實現方式中，光電轉換元件PD可具有形成在基板200中並具有彼此互補的導電類型的第一雜質區域216和第二雜質區域218在與基板的表面S1和S2垂直的垂直方向上層疊的形式。第一雜質區域216可以是P型雜質區域，第二雜質區域218可以是N型雜質區域。第一雜質區域216的頂表面可與基板200的第一表面S1共面。第二雜質區域218可具有大於第一雜質區域216的厚度。在垂直方向上，第二雜質區域218可具有均勻摻雜分佈或者雜質摻雜濃度在背離轉移閘極的方向上逐漸減小的摻雜分佈。後一種情況是為了確保電荷容易地在第二雜質區域218中在面向轉移閘極的方向上從具有較低雜質摻雜濃度的區域移動到具有較高雜質摻雜濃度的區域。此外，在修改例中，光電轉換元件PD可具有多個第一雜質區域216和多個第二雜質區域218在垂直方向或水平方向上交替地層疊的形式。作為參考，垂直方向可指與基板200的表面S1和S2垂直的方向，水平方向可指與基板200的表面S1和S2平行的方向。
隔離結構202可起到將相鄰像素區塊110和相鄰單元像素211至214電隔離的作用。隔離結構202可包括STI（淺溝槽隔離）、DTI（深溝槽隔離）、位能障壁或其組合。位能障壁可包括透過將雜質注入到基板200中而形成的雜質區域。例如，位能障壁可以是透過將硼作為P型雜質注入到基板200中而形成的P型雜質區域。第三實施例示出隔離結構202是位能障壁（例如，P型雜質區域）的情況。
釘紮層210可形成在基板200中並佈置在光電轉換元件PD中。在一些實現方式中，釘紮層210可形成在隔離結構202的一側。釘紮層210可被構造為具有雜質濃度比井204更高的P型雜質以防止在基板200的邊界表面處產生暗電流。釘紮層210可形成在光電轉換元件PD的第一雜質區域216中，並且可具有與基板200的第一表面S1共面的頂表面。釘紮層210的厚度可小於光電轉換元件PD的第一雜質區域216的厚度。光電轉換元件PD的第一雜質區域216和釘紮層210可具有彼此相同的導電類型，並且釘紮層210的雜質摻雜濃度可大於第一雜質區域216的雜質摻雜濃度。這是為了有效地防止產生暗電流。此外，儘管圖中未示出，在隔離結構202是位能障壁（例如，P型雜質區域）的情況下，釘紮層210可甚至延伸到與光電轉換元件PD相鄰的隔離結構202。
井204用於提供要形成浮置擴散FD的空間並且用作轉移電晶體的通道。井204可具有P型導電性。在隔離結構202被實現為位能障壁（例如，P型雜質區域）的情況下，井204可具有與隔離結構202相同類型的導電性，但是可具有比隔離結構202的雜質摻雜濃度大的雜質摻雜濃度。井204可被設置在像素區塊110中的中心處，並且可與光電轉換元件PD部分地交疊。
浮置擴散FD可被設置在像素區塊110的中心處，並且可形成在井204中。浮置擴散FD可具有與井204互補的導電類型，並且可包括具有彼此不同的雜質摻雜濃度的多個擴散區域206和208。例如，浮置擴散FD可具有N型導電性，並且可包括形成在井204中的第一擴散區域206以及形成在第一擴散區域206中的第二擴散區域208。將浮置擴散FD配置為包括兩個擴散區域206和208可有助於改進圖像感測器的光學靈敏度，因為第一擴散區域206可起到改進並補充第二擴散區域208的電特性的作用。第一擴散區域206和第二擴散區域208可具有彼此相同的導電類型，並且第二擴散區域208的雜質摻雜濃度可大於第一擴散區域206的雜質摻雜濃度。第一擴散區域206可具有環繞第二擴散區域208的側表面和底表面的形式。第一擴散區域206的面積可大於第二擴散區域208的面積。第一擴散區域206和第二擴散區域208中的每一個可沿著水平方向具有兩個邊緣。第一擴散區域206和第二擴散區域208的相鄰邊緣之間的距離可一致。第二擴散區域208的側壁（即，第一擴散區域206與第二擴散區域208之間的介面）可與形成在多個轉移閘極TG1至TG4的側壁上的間隔物220對準。
具有第一擴散區域206和第二擴散區域208的浮置擴散FD可防止其中發生接面漏電，並且可防止轉換增益由於浮置擴散FD的電容的變化而減小。此外，由於浮置擴散FD包括環繞第二擴散區域208的第一擴散區域206，所以可防止相鄰單元像素211至214之間的模糊。作為參考，當產生超過光電轉換元件PD的電容的過量光電荷時，在光電轉換元件PD與浮置擴散FD之間的位能障壁低於相鄰光電轉換元件PD之間的位能障壁的情況下，由於過量光電荷流到浮置擴散FD而非相鄰光電轉換元件PD，不會發生模糊。然而，在光電轉換元件PD與浮置擴散FD之間的位能障壁高於相鄰光電轉換元件PD之間的位能障壁的情況下，可導致這樣的問題：由於過量光電荷溢出到相鄰光電轉換元件PD，發生模糊。如果光電轉換元件PD與浮置擴散FD之間的位能障壁被降低以防止模糊，則可導致另一問題：光電轉換元件PD的線性井電容（linear well capacitance, LWC）減小。然而，在根據第三實施例的浮置擴散FD中，由於第一擴散區域206在光電轉換元件PD與第二擴散區域208之間提供洩漏路徑，所以可透過允許過量光電荷流到浮置擴散FD來防止模糊。由於不需要降低光電轉換元件PD與浮置擴散FD之間的位能障壁，所以還可防止或減小光電轉換元件PD的線性井電容的減小。鑒於相對於光電轉換元件PD的大小的第一擴散區域206的大小，由第一擴散區域206提供的洩漏路徑可顯著小。
在根據第三實施例的圖像感測器中，像素區塊110可包括：顏色分離元件230，其形成在基板200的第二表面S2上以與多個單元像素211至214對應；以及光聚焦元件240，其形成在顏色分離元件230上。顏色分離元件230可包括濾色器。光聚焦元件240可包括數位透鏡或半球形透鏡。
在參照圖7、圖8和圖9根據第三實施例的圖像感測器中，像素區塊110可包括：多個轉移閘極TG1至TG4，其形成在基板200上以分別與多個單元像素211至214對應；多個虛擬圖案D1，其形成在多個轉移閘極TG1至TG4當中的兩個相鄰轉移閘極之間（圖7和圖9）；以及間隔物220，其形成在多個虛擬圖案D1和多個轉移閘極TG1至TG4的側壁上。
間隔物220可形成在多個轉移閘極TG1至TG4的側壁和多個虛擬圖案D1的側壁上。間隔物220可在多個轉移閘極TG1至TG4的側壁上具有一致的厚度（或線寬）W4。間隔物220可包括氧化物、氮化物、氮氧化物或其組合。間隔物220可在形成浮置擴散FD的製程中用作自對準光罩圖案。
多個轉移閘極TG1至TG4可包括第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4。第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4可位於浮置擴散FD的不同側。在一些實現方式中，第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4具有在像素區塊110中在順時針方向上環繞浮置擴散FD的形式。換言之，在像素區塊110中，第一轉移閘極TG1、第二轉移閘極TG2、第三轉移閘極TG3和第四轉移閘極TG4可分別被設置在左上端、右上端、右下端和左下端。多個轉移閘極TG1至TG4中的每一個可以是或者可以包括閘極介電層222和閘極224依次層疊的層疊結構。閘極介電層222可包括氧化物、氮化物、氮氧化物或其組合。閘極224可包括導電半導體材料、包括金屬的導電材料或其組合。
多個轉移閘極TG1至TG4中的每一個可具有多個側壁SW1和SW2。至少一個虛擬圖案D1可被設置在多個轉移閘極TG1至TG4中的兩個相鄰轉移閘極之間。在一些實現方式中，至少兩個虛擬圖案D1可被設置在多個轉移閘極TG1至TG4中的兩個相鄰轉移閘極之間。在示例性圖像感測器中，至少一個虛擬圖案可形成在浮置擴散FD上方或與浮置擴散FD交疊。這是為了使用至少一個虛擬圖案透過自對準製程形成浮置擴散FD。透過自對準製程形成的浮置擴散FD可在第二擴散區域208與多個單元像素211至214中的每一個中的光電轉換元件PD之間提供一致的距離。即，可提供轉移電晶體的一致的通道長度。另外，可防止在形成浮置擴散FD的製程中在相鄰光電轉換元件PD之間注入不必要的雜質離子。透過此，可改進圖像感測器的操作特性。具體地講，可改進各個單元像素211至214之間的一致性。
第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4中的每一個可具有第一側壁SW1和第二側壁SW2。在如圖7所示的示例性平面圖中，轉移閘極TG1至TG4中的任一個的第一側壁SW1和第二側壁SW2在彼此不同的方向上延伸。例如，第一轉移閘極TG1的第一側壁SW1沿著第一方向延伸，第一轉移閘極TG2的第二側壁SW2沿著與第一方向垂直的第二方向延伸。第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4的第一側壁SW1和第二側壁SW2可被佈置為使得轉移閘極TG1至TG4中的任一個的第一側壁SW1和轉移閘極TG1至TG4中的相鄰另一個的第二側壁SW2在順時針方向上交替地設置。第一虛擬圖案D1可被設置在轉移閘極TG1至TG4中的任一個的第一側壁SW1與轉移閘極TG1至TG4中的相鄰另一個的第二側壁SW2之間。例如，第一虛擬圖案D1可被設置在第一轉移閘極TG1的第一側壁SW1與第二轉移閘極TG2的第二側壁SW2之間、第二轉移閘極TG2的第一側壁SW1與第三轉移閘極TG3的第二側壁SW2之間、第三轉移閘極TG3的第一側壁SW1與第四轉移閘極TG4的第二側壁SW2之間以及第四轉移閘極TG4的第一側壁SW1與第一轉移閘極TG1的第二側壁SW2之間。第一虛擬圖案D1可位於浮置擴散FD上方或與浮置擴散FD交疊。第一虛擬圖案D1可位於浮置擴散FD的第一擴散區域206上方或與第一擴散區域206交疊。因此，第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4和第一虛擬圖案D1可用作光罩圖案並且可用於形成浮置擴散FD的第二擴散區域208。
第一虛擬圖案D1可在形成轉移閘極的製程中一起形成。因此，各個第一虛擬圖案D1可以是或者可以包括閘極介電層222和閘極224依次層疊的層疊結構。第一虛擬圖案D1的平面形狀可為各種形狀或幾何形狀（包括四邊形），並且可具有滿足相關設計規則的最小線寬。第一虛擬圖案D1的最小線寬可確保第一虛擬圖案D1形成在多個轉移閘極TG1至TG4之間。
多個轉移閘極TG1至TG4可位於浮置擴散FD的不同側並且以第一間隙W1彼此鄰近。第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4中的任一個可具有透過第一間隙W1與第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4中的相鄰另一個的第二側壁SW2分離開的第一側壁SW1。透過第一間隙W1分離開的第一側壁和第二側壁可被佈置為彼此面對。例如，第一轉移閘極TG1的第一側壁SW1和第二轉移閘極TG2的第二側壁SW2可利用第一間隙W1彼此面對。第二轉移閘極TG2的第一側壁SW1和第三轉移閘極TG3的第二側壁SW2可利用第一間隙W1彼此面對。第三轉移閘極TG3的第一側壁SW1和第四轉移閘極TG4的第二側壁SW2可利用第一間隙W1彼此面對。第四轉移閘極TG4的第一側壁SW1和第一轉移閘極TG1的第二側壁SW2可利用第一間隙W1彼此面對。第一間隙W1是在未形成第一虛擬圖案D1的區域中第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4當中的兩個相鄰轉移閘極之間的距離。第一間隙W1可具有能夠防止第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4當中的兩個相鄰轉移閘極之間發生干擾的大小。例如，第一間隙W1可大於間隔物220的厚度W4的兩倍（W1＞2×W4）。
各個第一虛擬圖案D1可位於轉移閘極TG1至TG4中的任一個的第一側壁SW1與轉移閘極TG1至TG4中的相鄰另一個的第二側壁SW2之間。當第一虛擬圖案D1位於兩個相鄰轉移閘極之間時，第一虛擬圖案D1分別透過第二間隙W5和第三間隙W6與兩個相鄰轉移閘極分離。例如，一個第一虛擬圖案D1可位於第一轉移閘極TG1和第二轉移閘極TG2之間並且分別透過第二間隙W5和第三間隙W6與第一轉移閘極TG1和第二轉移閘極TG2分離。第二間隙W5和第三間隙W6可小於第一間隙W1，並且可具有彼此實質上相同的大小。形成在第一轉移閘極TG1的第一側壁SW1、第二轉移閘極TG2的第二側壁SW2以及第一轉移閘極TG1與第二轉移閘極TG2之間的第一虛擬圖案D1的側壁上的間隔物220可具有填充第二間隙W5和第三間隙W6的形式。因此，填充第二間隙W5和第三間隙W6的間隔物220和第一虛擬圖案D1可在形成浮置擴散FD的製程中用作自對準光罩圖案。
在根據第三實施例的圖像感測器中，由於浮置擴散FD包括具有不同雜質摻雜濃度的第一擴散區域206和第二擴散區域208並且第一擴散區域206具有環繞第二擴散區域208的側表面和底表面的形式，所以可防止浮置擴散FD中發生接面漏電，防止轉換增益由於浮置擴散FD的電容的變化而減小，並且防止模糊。
另外，由於第一虛擬圖案D1被設置在多個轉移閘極TG1至TG4之間，所以可透過自對準製程來提供浮置擴散FD。透過自對準製程形成的浮置擴散FD可防止在形成浮置擴散FD的製程中在光電轉換元件PD之間注入不必要的雜質，由此可改進各個單元像素211至214之間的一致性。
圖10至圖12是示出根據用於實現所揭露的技術的第四實施例的圖像感測器的示例的表示的示圖。圖10是示出像素區塊的俯視圖，圖11是沿著圖10的線I-I’截取的截面圖。圖12是沿著圖10的線II-II’和III-III’截取的截面圖。在下文中，為了說明方便，針對與第三實施例相同的元件將使用相同的元件符號，並且本文中將省略其詳細描述。
如圖10至圖12所示，根據第四實施例的圖像感測器可包括如上面所說明的第一虛擬圖案D1，並且還包括第二虛擬圖案D2（圖10和圖12）。第二虛擬圖案D2可被設置在多個轉移閘極TG1至TG4中的兩個相鄰轉移閘極之間。
第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4中的每一個可具有第一側壁SW1和第二側壁SW2。第一虛擬圖案D1和第二虛擬圖案D2可分別被設置在第一轉移閘極TG1的第一側壁SW1與第二轉移閘極TG2的第二側壁SW2之間、第二轉移閘極TG2的第一側壁SW1與第三轉移閘極TG3的第二側壁SW2之間、第三轉移閘極TG3的第一側壁SW1與第四轉移閘極TG4的第二側壁SW2之間以及第四轉移閘極TG4的第一側壁SW1與第一轉移閘極TG1的第二側壁SW2之間。在轉移閘極TG1至TG4中的任一個的第一側壁SW1與轉移閘極TG1至TG4中的相鄰另一個的第二側壁SW2之間的空間中，第一虛擬圖案D1和第二虛擬圖案D2可分別被設置在第一側壁SW1和第二側壁SW2之間的空間的相對兩端。形成在兩個相鄰轉移閘極的第一側壁SW1和第二側壁SW2之間的空間的側面的第一虛擬圖案D1可位於浮置擴散FD上方或與浮置擴散FD交疊。詳細地講，第一虛擬圖案D1可與浮置擴散FD的第一擴散區域206交疊。因此，第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4和第一虛擬圖案D1可用作光罩圖案並且用於形成浮置擴散FD的第二擴散區域208的製程。第二虛擬圖案D2可形成在光電轉換元件PD之間的隔離結構202上方或與隔離結構202交疊。第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4和第二虛擬圖案D2可用作光罩圖案並用於形成釘紮層210的製程。
第一虛擬圖案D1和第二虛擬圖案D2可在形成轉移閘極的製程中一起形成。因此，第一虛擬圖案D1和第二虛擬圖案D2中的每一個也可以是或者可以包括閘極介電層222和閘極224依次層疊的層疊結構。第一虛擬圖案D1和第二虛擬圖案D2的平面形狀可為各種形狀或幾何形狀（包括四邊形），並且可具有滿足相關設計規則的最小線寬。第一虛擬圖案D1和第二虛擬圖案D2的最小線寬確保第一虛擬圖案D1和第二虛擬圖案D2形成在多個轉移閘極TG1至TG4之間。
各個第二虛擬圖案D2可位於多個轉移閘極TG1至TG4當中的兩個相鄰轉移閘極之間。在這種情況下，各個第二虛擬圖案D2可透過第四間隙W7和第五間隙W8與兩個相鄰轉移閘極分離。例如，一個第二虛擬圖案D2可鄰近第一轉移閘極TG1和第二轉移閘極TG2並且分別透過第四間隙W7和第五間隙W8與第一轉移閘極TG1和第二轉移閘極TG2分離。第四間隙W7和第五間隙W8可小於第一間隙W1，並且可具有彼此實質上相同的大小。形成在第一轉移閘極TG1的第一側壁SW1、第二轉移閘極TG2的第二側壁SW2以及介於第一轉移閘極TG1和第二轉移閘極TG2之間的第二虛擬圖案D2的側壁上的間隔物220可具有填充第四間隙W7和第五間隙W8的形式。因此，填充第四間隙W7和第五間隙W8的間隔物220和第二虛擬圖案D2可在形成釘紮層210的製程中用作自對準光罩圖案。
在根據第四實施例的圖像感測器中，由於浮置擴散FD包括具有不同雜質摻雜濃度的第一擴散區域206和第二擴散區域208並且第一擴散區域206具有環繞第二擴散區域208的側表面和底表面的形式，所以可防止浮置擴散FD中發生接面漏電，防止轉換增益由於浮置擴散FD的電容的變化而減小，並且防止模糊。
另外，由於第一虛擬圖案D1和第二虛擬圖案D2被設置在多個轉移閘極TG1至TG4之間，所以可透過自對準製程來提供浮置擴散FD和釘紮層210。透過自對準製程形成的浮置擴散FD和釘紮層210可防止在形成浮置擴散FD和釘紮層210的製程中在光電轉換元件PD之間注入不必要的雜質，由此可改進各個單元像素211至214之間的一致性。
以下，將參照圖式詳細描述根據圖4至圖6所示的第二實施例的圖像感測器的製造方法的示例。為了說明方便，將針對一些元件使用圖4至圖6中所使用的相同元件符號。
圖13A至圖13F、圖14A至圖14F和圖15A至圖15F是示出根據本揭露的實施例的圖像感測器的製造方法的示例的表示的示圖。圖13A至圖13F是示出像素區塊的俯視圖，圖14A至圖14F是沿著圖13A至圖13F的線I-I’截取的截面圖。圖15A至圖15F是沿著圖13A至圖13F的線II-II’和III-III’截取的截面圖。
如圖13A、圖14A和圖15A所示，在具有第一表面S1以及背離第一表面S1或與第一表面S1相對的第二表面S2的基板10中形成與各個單元像素211至214對應的光電轉換元件PD以及將相鄰光電轉換元件PD彼此電隔離的隔離結構12。然後，形成井18以用於提供要形成浮置擴散FD的空間和轉移電晶體的通道。
基板10可包括包含單晶矽的材料。隔離結構12可形成為位能障壁。位能障壁可包括透過將例如硼的P型雜質注入到基板10中而形成的P型雜質區域。光電轉換元件PD可形成為使得具有不同導電類型的第一雜質區域14和第二雜質區域16在與基板10的第一表面或第二表面垂直的垂直方向上層疊。第一雜質區域14可以是或者可以包括P型雜質區域，第二雜質區域16可以是或者可以包括N型雜質區域。第一雜質區域14可具有與基板10的第一表面S1共面的表面，並且可具有比第二雜質區域16薄的厚度。井18可形成為具有與隔離結構12相同的導電類型，但是具有比隔離結構12的雜質摻雜濃度大的雜質摻雜濃度。井18可被設置在像素區塊110中的中心處，並且可與光電轉換元件PD部分地交疊。
接下來，在基板10上，形成多個轉移閘極TG1至TG4。同時形成多個突起P1至P4。多個轉移閘極TG1至TG4和多個突起P1至P4可透過一系列製程來形成，這些製程包括形成介電層和導電層依次層疊的層疊層以及選擇性地蝕刻層疊層。因此，多個轉移閘極TG1至TG4和多個突起P1至P4可形成為閘極介電層20和閘極22層疊的層疊結構。
多個轉移閘極TG1至TG4可包括第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4。多個突起P1至P4可包括形成為耦接到多個轉移閘極TG1至TG4的第一突起P1至第四突起P4。在各個轉移閘極中，第一突起P1和第三突起P3形成在轉移閘極的第一側壁SW1上，第二突起和第四突起形成在轉移閘極的第二側壁SW2上。轉移閘極TG1和TG4被佈置為使得轉移閘極TG1至TG4中的任一個的第一側壁SW1透過第一間隙W1與轉移閘極TG1至TG4中的相鄰另一個的第二側壁SW2分離。第一突起P1至第四突起P4的平面形狀可為四邊形，但其它實現方式也是可能的。各個突起可具有滿足相關設計規則的最小線寬。由於第一突起P1至第四突起P4的存在，第一突起P1至第四突起P4的最小線寬有助於防止彼此相鄰的多個轉移閘極TG1至TG4之間發生干擾。
第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4中的每一個可具有第一側壁SW1和第二側壁SW2。第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4中的每一個可包括耦接到第一側壁SW1的第一突起P1和第三突起P3以及耦接到第二側壁SW2的第二突起P2和第四突起P4。第一突起P1和第三突起P3可分別被設置在第一側壁SW1的相對兩端，第二突起P2和第四突起P4可分別被設置在第二側壁SW2的相對兩端。第一突起P1和第二突起P2可形成在井18上方或與井18交疊，並且用作形成浮置擴散FD的後續製程的光罩圖案。第三突起P3和第四突起P4可形成在光電轉換元件PD之間的隔離結構12上方或與隔離結構12交疊，並且可用作形成釘紮層34的後續製程的光罩圖案。第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4中的每一個可具有第一側壁SW1和第二側壁SW2。轉移閘極TG1至TG4中的任一個的第一側壁SW1透過第一間隙W1與轉移閘極TG1至TG4中的相鄰另一個的第二側壁SW2分離。第一間隙W1可意指能夠防止第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4當中的兩個相鄰轉移閘極之間發生干擾的距離。在第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4當中的兩個相鄰轉移閘極之間，第一突起P1和第二突起P2可彼此面對或透過第二間隙W2彼此分離開。第二間隙W2可小於第一間隙W1。在第一轉移閘極TG1至第四轉移閘極TG4當中的兩個相鄰轉移閘極之間，第三突起P3和第四突起P4可彼此面對或透過第三間隙W3分離。第三間隙W3可小於第一間隙W1，並且可具有與第二間隙W2實質上相同的大小。
如圖13B、圖14B和圖15B所示，在形成有多個轉移閘極TG1至TG4的基板10上形成具有第一開口24A的24。形成浮置擴散FD的第一擴散區域26的第一光罩圖案24可例如利用光阻層來形成。透過第一開口24A，形成在多個轉移閘極TG1至TG4中的兩個相鄰轉移閘極之間的空間下方的基板10、多個轉移閘極TG1至TG4的部分以及多個轉移閘極TG1至TG4的第一突起P1和第二突起P2可被暴露。
透過使用第一光罩圖案24作為離子注入屏障依次執行雜質離子注入製程和退火製程，形成第一擴散區域26。第一擴散區域26可用作浮置擴散FD。雜質離子注入製程可使用N型雜質，例如砷（As）或磷（P）。隨著退火製程進行並且注入的雜質在退火製程中擴散，第一擴散區域26可延伸以與多個轉移閘極TG1至TG4的部分、第一突起P1和第二突起P2交疊。
然後，去除第一光罩圖案24。
如圖13C、圖14C和圖15C所示，在多個轉移閘極TG1至TG4的側壁和多個突起P1至P4的側壁上形成間隔物28。間隔物28可形成為具有一致的厚度（或線寬）W4。間隔物28可包括氧化物、氮化物、氮氧化物或其組合。間隔物28可這樣形成：在形成有多個轉移閘極TG1至TG4和多個突起P1至P4的基板10的表面上形成具有一致的厚度的介電層，然後對介電層執行毯覆式蝕刻製程（blanket etching process）（例如，回蝕）。
間隔物28可形成為填充兩個相鄰轉移閘極的第一突起P1與第二突起P2之間的空間，各個空間具有與第二間隙W2對應的大小。這是為了利用多個轉移閘極TG1至TG4、第一突起P1、第二突起P2和間隔物28限定在形成浮置擴散FD的後續製程中要形成浮置擴散FD的第二擴散區域30的空間。換言之，這是為了透過自對準製程形成浮置擴散FD的第二擴散區域30。
另外，間隔物28被形成為填充兩個相鄰轉移閘極的第三突起P3與第四突起P4之間的空間，各個空間具有與第三間隙W3對應的大小。這是為了利用多個轉移閘極TG1至TG4、第三突起P3、第四突起P4和間隔物28限定在形成釘紮層34的後續製程中要形成釘紮層34的空間。換言之，這是為了透過自對準製程形成釘紮層34。
此外，間隔物28沒有完全填充第一間隙W1。這是因為第一間隙W1具有能夠防止相鄰轉移閘極TG1至TG4之間發生干擾的大小。例如，第一間隙W1可大於間隔物28的厚度W4的兩倍。
如圖13D、圖14D和圖15D所示，在形成有間隔物28的基板10上形成具有第一開口24A的第一光罩圖案24。用於形成浮置擴散FD的第二擴散區域30的第一光罩圖案24可例如利用光阻層來形成。透過第一開口24A，第一擴散區域26、多個轉移閘極TG1至TG4的部分以及多個轉移閘極TG1至TG4的第一突起P1和第二突起P2可被暴露。此外，填充位於兩個相鄰轉移閘極的第一突起P1和第二突起P2之間並具有第二間隙W2的大小的空間的間隔物28可被暴露。
透過使用第一光罩圖案24和預成結構作為離子注入屏障依次執行雜質離子注入製程和退火製程，形成第二擴散區域30。預成結構可包括多個轉移閘極TG1至TG4、第一突起P1、第二突起P2和間隔物28。利用預成結構，可按照自對準方式形成第二擴散區域30。因此，第二擴散區域30的側壁可與間隔物28實質上對準。第二擴散區域30可用作浮置擴散FD。雜質離子注入製程可使用N型雜質。
這樣，可形成包括第一擴散區域26和第二擴散區域30的浮置擴散FD。第一擴散區域26和第二擴散區域30可具有彼此相同的導電類型，並且第二擴散區域30的雜質摻雜濃度可大於第一擴散區域26的雜質摻雜濃度。第一擴散區域26可具有環繞第二擴散區域30的側表面和底表面的形式。第一擴散區域26的面積可大於第二擴散區域30的面積。在與基板10的表面S1和S2平行的水平方向上，第一擴散區域26的端部與第二擴散區域30的端部之間的距離可一致。第一擴散區域26可起到改進和補充第二擴散區域30的電特性的作用。
在實施例中，透過利用多個轉移閘極TG1至TG4、第一突起P1、第二突起P2和間隔物28限定要形成第二擴散區域30的空間，可按照自對準方式形成第二擴散區域30，並且不需要用於限定第二擴散區域30的單獨的光罩圖案。換言之，限定第一擴散區域26的第一光罩圖案24可在形成第二擴散區域30的製程中重複使用，因此，可防止由於光罩未對準引起的特性劣化。透過此，浮置擴散FD可防止其中發生接面漏電並且可防止轉換增益由於浮置擴散FD的電容的變化而減小。另外，可防止模糊。作為參考，可由於浮置擴散FD的大小（具體地講，第二擴散區域30的大小或面積）的變化而導致浮置擴散FD的電容的變化。在實施例中，由於使用預成結構透過自對準製程形成第二擴散區域30，可根本上防止浮置擴散FD的電容的變化。然後，去除第一光罩圖案24。
如圖13E、圖14E和圖15E所示，在形成有浮置擴散FD的基板10上形成具有第二開口32A的第二光罩圖案32。用於形成釘紮層34的第二光罩圖案32可例如利用光阻層來形成。透過第二開口32A，光電轉換元件PD的未與轉移閘極TG1至TG4交疊的部分可被暴露。
透過使用第二光罩圖案32作為離子注入屏障依次執行雜質離子注入製程和退火製程，形成釘紮層34。雜質離子注入製程可使用例如硼的P型雜質。形成在光電轉換元件PD中的釘紮層34用於防止產生暗電流。釘紮層34可形成在光電轉換元件PD的第一雜質區域14中，並且可與基板10的第一表面S1共面。釘紮層34的厚度可小於光電轉換元件PD的第一雜質區域14的厚度。為了有效地防止產生暗電流，光電轉換元件PD的第一雜質區域14和釘紮層34可具有彼此相同的導電類型，並且釘紮層34的雜質摻雜濃度可大於第一雜質區域14的雜質摻雜濃度。
在實施例中，透過多個轉移閘極TG1至TG4、第三突起P3、第四突起P4和間隔物28與第二光罩圖案32一起限定要形成釘紮層34的空間使得可防止由於光罩未對準引起的特性劣化。在一些實現方式中，在形成釘紮層34的製程中，可有效地防止不必要的雜質注入到相鄰光電轉換元件PD之間或相鄰轉移閘極TG1至TG4之間的基板10中。然後，去除第二光罩圖案32。
如圖13F、圖14F和圖15F所示，在基板10的第二表面S2上形成顏色分離元件36和光聚焦元件38以與各個單元像素211至214對應。顏色分離元件36可包括濾色器，光聚焦元件38可包括半球形透鏡。此後，可進一步執行本領域已知的合適製程以完成圖像感測器的製造。
從以上描述顯而易見的是，在根據實施例的圖像感測器中，由於使用預成結構來形成浮置擴散FD和釘紮層34而無需用於形成浮置擴散FD和釘紮層34的單獨光罩圖案，所以可改進浮置擴散FD和釘紮層34的特性。由於沒有形成用於形成浮置擴散FD和釘紮層34的單獨光罩圖案，所以可根本上防止由於光罩未對準引起的特性劣化。此外，製造成本可降低而無需用於形成浮置擴散FD和釘紮層34的單獨光罩圖案。
圖16是示意性地示出基於本揭露的實施例的圖像感測器的示例的表示的方塊圖。
如圖16所示，圖像感測器可包括像素陣列100、相關雙採樣（correlated double sampling, CDS）120、類比-數位轉換器（analog-digital converter, ADC）130、緩衝器140、行驅動器150、時序產生器160、控制寄存器170和斜坡訊號產生器180。多個像素110可按照矩陣結構佈置。
時序產生器160產生一個或更多個控制訊號以用於控制行驅動器150、相關雙採樣（CDS）120、類比-數位轉換器（ADC）130和斜坡訊號產生器180的相應操作。控制寄存器170產生一個或更多個控制訊號以用於控制斜坡訊號產生器180、時序產生器160和緩衝器140的相應操作。
行驅動器150透過行線耦接到像素陣列100。行驅動器150利用行線驅動像素陣列100。例如，行驅動器150可產生選擇訊號以用於從多條行線當中選擇特定行線。多條行線分別與多個像素110耦接。一條行線耦接到多個像素110中的每一個。
相關雙採樣120透過列線耦接到像素陣列150。多個像素110中的每一個感測入射光，並透過列線將圖像重置訊號和圖像訊號輸出到相關雙採樣120。相關雙採樣120對從像素陣列100接收的圖像重置訊號和圖像訊號中的每一個執行採樣。多個像素110分別耦接到多條列線。一條列線耦接到多個像素110中的每一個。類比-數位轉換器130與相關雙採樣120和斜坡訊號產生器180耦接。類比-數位轉換器130被配置為分別從相關雙採樣120和斜坡訊號產生器180接收採樣訊號和斜坡訊號，對從斜坡訊號產生器180輸出的斜坡訊號與從相關雙採樣120輸出的採樣訊號進行比較，並輸出比較訊號。在一些實現方式中，類比-數位轉換器130耦接到時序產生器160，時序產生器160向類比-數位轉換器130提供時脈訊號。類比-數位轉換器130使用從時序產生器160提供的時脈訊號來對比較訊號的位準轉變時間進行計數，並向緩衝器140輸出計數值。在一些實現方式中，時序產生器160還耦接到斜坡訊號產生器180並且斜坡訊號產生器180可在時序產生器160的控制下操作。
緩衝器140耦接到類比-數位轉換器130以從類比-數位轉換器130接收數位訊號。在一些實現方式中，緩衝器140可包括記憶體（未示出）和感測放大器（未示出）。緩衝器140儲存從類比-數位轉換器130輸出的數位訊號。在一些實現方式中，緩衝器140的記憶體儲存由類比-數位轉換器130計數並提供的計數值。計數值可與從多個像素110輸出的訊號關聯。緩衝器140還被配置為感測並放大所儲存的數位訊號，並輸出放大的結果訊號。緩衝器140的感測放大器被構造為感測並放大從記憶體輸出的相應計數值。
根據上述實施例的圖像感測器可用在各種電子裝置或系統中。以下，將參照圖17描述根據實施例的圖像感測器被應用於相機的情況。
圖17是示意性地示出包括基於所揭露的技術的實施例的圖像感測器的電子裝置的示例的表示的圖。
參照圖17，包括基於所揭露的技術的實施例的圖像感測器的電子裝置可以是能夠拍攝靜止圖像或運動畫面的相機。電子裝置可包括光學系統（或光學透鏡）910、快門單元911、圖像感測器900、用於控制/驅動圖像感測器900和快門單元911的驅動單元913以及訊號處理單元912。
光學系統910將來自物件的圖像光（入射光）引導到圖像感測器900的像素陣列（參見圖16的元件符號100）。光學系統910可由多個光學透鏡構造而成。快門單元911控制圖像感測器900的光照射週期和光遮蔽週期。驅動單元913控制圖像感測器900的傳輸操作和快門單元911的快門操作。訊號處理單元912對從圖像感測器900輸出的訊號執行各種類型的訊號處理。訊號處理後的圖像訊號Dout可被儲存在諸如記憶體的儲存介質中，或者被輸出到監視器等。
基於上述解決方案的本揭露形成光阻擋層以被嵌入在相位差檢測像素（第一像素）的光電轉換元件與成像像素（第二像素）的光電轉換元件之間的溝槽中，由此可防止由光學串擾導致的特性劣化。另外，僅在相位差檢測像素與成像像素之間的部分區域中形成用於光阻擋層的溝槽，由此可防止歸因於溝槽的特性劣化。
儘管本專利文獻包含許多細節，但是這些不應被解釋為對任何發明的範圍或可要求保護的範圍的限制，而應被解釋為可能特定發明的特定實施例所特定的特徵的描述。在本專利文獻中在單獨實施例的上下文中描述的特定特徵也可在單個實施例中組合實現。相反，在單個實施例的上下文中描述的各種特徵也可在多個實施例中單獨地實現或者以任何合適的子組合實現。此外，儘管特徵在以上可描述為按照特定組合起作用並且甚至最初如此要求保護，但是來自要求保護的組合的一個或更多個特徵在一些情況下可從組合被刪除，並且要求保護的組合可關於子組合或子組合的變型。
類似地，儘管在圖式中按照特定次序描繪了操作，這不應被理解為要求按照所示的特定次序或順序次序執行這些操作或者要執行所有示出的操作，以實現所描述的結果。此外，在本專利文獻中描述的實施例中的各種系統元件的分離不應被理解為在所有實施例中均要求這種分離。僅描述了幾個實現方式和示例。可基於本專利文獻中描述和示出的內容進行其它實現、增強和變化。
10:基板 12:隔離結構 14:第一雜質區域 16:第二雜質區域 18:井 24:第一光罩圖案 24A:第一開口 26:第一擴散區域 28:間隔物 30:第二擴散區域 32:第二光罩圖案 32A:第二開口 34:釘紮層 36:顏色分離元件 38:光聚焦元件 100:像素陣列 110:像素區塊 120:相關雙採樣 130:類比-數位轉換器 140:緩衝器 150:行驅動器 160:時序產生器 170:控制寄存器 180:斜坡訊號產生器 200:基板 202:隔離結構 204:井 206:第一擴散區域 208:第二擴散區域 210:釘紮層 211:第一單元像素 212:第二單元像素 213:第三單元像素 214:第四單元像素 216:第一雜質區域 218:第二雜質區域 220:間隔物 222:閘極介電層 224:閘極 230:顏色分離元件 240:光聚焦元件 910:光學系統 911:快門單元 912:訊號處理單元 913:驅動單元 D1:第一虛擬圖案 D2:第二虛擬圖案 Dout:圖像訊號 FD:浮置擴散 P1:第一突起 P2:第二突起 P3:第三突起 P4:第四突起 PD:光電轉換元件 S1:第一表面 S2:第二表面 SW1:第一側壁 SW2:第二側壁 TG1:第一轉移閘極 TG2:第二轉移閘極 TG3:第三轉移閘極 TG4:第四轉移閘極 W1:第一間隙 W2:第二間隙 W3:第三間隙 W4:厚度 W5:第二間隙 W6:第三間隙 W7:第四間隙 W8:第五間隙 I-I’:剖面線 II-II’:剖面線 III-III’:剖面線
［圖1］至［圖3］是示出根據本揭露的第一實施例的圖像感測器的示例的表示的示圖。 ［圖4］至［圖6］是示出根據本揭露的第二實施例的圖像感測器的示例的表示的示圖。 ［圖7］至［圖9］是示出根據本揭露的第三實施例的圖像感測器的示例的表示的示圖。 ［圖10］至［圖12］是示出根據本揭露的第四實施例的圖像感測器的示例的表示的示圖。 ［圖13A］至［圖13F］、［圖14A］至［圖14F］和［圖15A］至［圖15F］是示出根據本揭露的實施例的圖像感測器的製造方法的示例的表示的示圖。 ［圖16］是示意性地示出基於本揭露的實施例的圖像感測器的示例的表示的方塊圖。 ［圖17］是示意性地示出包括基於本揭露的實施例的圖像感測器的電子裝置的示例的表示的圖。
110:像素區塊
206:第一擴散區域
208:第二擴散區域
211:第一單元像素
212:第二單元像素
213:第三單元像素
214:第四單元像素
220:間隔物
FD:浮置擴散
P1:第一突起
P2:第二突起
PD:光電轉換元件
SW1:第一側壁
SW2:第二側壁
TG1:第一轉移閘極
TG2:第二轉移閘極
TG3:第三轉移閘極
TG4:第四轉移閘極
W1:第一間隙
W2:第二間隙
W4:厚度
I-I’:剖面線
II-II’:剖面線
III-III’:剖面線

Claims (20)

  1. 一種圖像感測器，所述圖像感測器包括： 浮置擴散，所述浮置擴散形成在基板中； 第一轉移閘極、第二轉移閘極、第三轉移閘極，以及第四轉移閘極，所述第一轉移閘極、所述第二轉移閘極、所述第三轉移閘極，以及所述第四轉移閘極形成在所述基板上方以與所述浮置擴散部分地交疊；以及 虛擬圖案，所述虛擬圖案形成在所述基板上方， 其中，所述虛擬圖案分別被設置在所述第一轉移閘極與所述第二轉移閘極之間、所述第二轉移閘極與所述第三轉移閘極之間、所述第三轉移閘極與所述第四轉移閘極之間、所述第四轉移閘極與所述第一轉移閘極之間。
  2. 如請求項1所述的圖像感測器，所述圖像感測器還包括： 間隔物，所述間隔物分別形成在所述第一轉移閘極至所述第四轉移閘極中的每一個的側壁以及所述虛擬圖案的側壁上。
  3. 如請求項2所述的圖像感測器，其中，所述間隔物分別填充所述第一轉移閘極至所述第四轉移閘極中的每一個之間的空間以及所述虛擬圖案之間的空間。
  4. 如請求項2所述的圖像感測器，其中： 所述間隔物中的每一個具有厚度，並且 所述第一轉移閘極至所述第四轉移閘極中的每一個之間的間隙具有寬度，所述寬度大於所述間隔物中的每一個的所述厚度。
  5. 如請求項1所述的圖像感測器，所述圖像感測器還包括： 第一光電轉換元件、第二光電轉換元件、第三光電轉換元件，以及第四光電轉換元件，所述第一光電轉換元件至所述第四光電轉換元件形成在所述基板中，並且分別包括與所述第一轉移閘極至所述第四轉移閘極交疊的區域。
  6. 如請求項1所述的圖像感測器，所述圖像感測器還包括： 釘紮層，所述釘紮層形成在所述基板中，所述基板在所述第一轉移閘極至所述第四轉移閘極中每一個的旁邊。
  7. 如請求項6所述的圖像感測器，其中： 所述基板具有第一表面以及與所述第一表面相對的第二表面， 所述第一轉移閘極至所述第四轉移閘極形成在所述基板的所述第一表面上方，並且 所述釘紮層中的每一個具有與所述基板的所述第一表面共面的表面。
  8. 如請求項1所述的圖像感測器，其中： 所述第一轉移閘極至所述第四轉移閘極中的每一個包括第一側壁以及第二側壁，所述第一轉移閘極的所述第一側壁面對所述第二轉移閘極的所述第二側壁，所述第二轉移閘極的所述第一側壁面對所述第三轉移閘極的所述第二側壁，所述第三轉移閘極的所述第一側壁面對所述第四轉移閘極的所述第二側壁，以及所述第四轉移閘極的所述第一側壁面對所述第一轉移閘極的所述第二側壁，並且 虛擬圖案中的每一個被設置在所述第一轉移閘極至所述第四轉移閘極的面對的第一側壁與第二側壁之間。
  9. 如請求項1所述的圖像感測器， 其中，所述第一轉移閘極至所述第四轉移閘極中的每一個以及所述虛擬圖案中的每一個分別具有閘極介電層和閘極層疊的層疊結構。
  10. 如請請求項1所述的圖像感測器，其中，所述浮置擴散包括： 第一擴散區域，所述第一擴散區域形成在所述基板中；以及 第二擴散區域，所述第二擴散區域形成在所述第一擴散區域中並具有與所述第一擴散區域相同的導電類型以及大於所述第一擴散區域的雜質摻雜濃度。
  11. 如請求項10所述的圖像感測器，其中，所述第一擴散區域環繞所述第二擴散區域的側表面和底表面。
  12. 如請求項10所述的圖像感測器，其中，所述虛擬圖案中的每一個與所述第一擴散區域交疊。
  13. 如請求項10所述的圖像感測器，所述圖像感測器還包括： 間隔物，所述間隔物形成在所述第一轉移閘極至所述第四轉移閘極的側壁與所述虛擬圖案的側壁上，並且 其中，所述第一擴散區域與所述第二擴散區域之間的介面與所述間隔物的側壁實質上對準。
  14. 一種圖像感測器，所述圖像感測器包括： 浮置擴散，所述浮置擴散形成在所述基板中； 第一轉移閘極以及第二轉移閘極，所述第一轉移閘極以及所述第二轉移閘極形成在所述基板上方以與所述浮置擴散部分地交疊，其中，所述第一轉移閘極以及所述第二轉移閘極中的每一個具有第一側壁以及第二側壁，所述第一轉移閘極的所述第一側壁佈置為平行面對所述第二轉移閘極的所述第二側壁；以及 第一虛擬圖案，所述第一虛擬圖案形成在所述基板上方，所述基板在所述第一轉移閘極的所述第一側壁與所述第二轉移閘極的所述第二側壁之間。
  15. 如請求項14所述的圖像感測器，所述圖像感測器還包括： 間隔物，所述間隔物形成在所述第一轉移閘極與所述第二轉移閘極的所述第一側壁與所述第二側壁上。
  16. 如請求項15所述的圖像感測器，其中，所述間隔物填充所述第一轉移閘極的所述第一側壁與所述第一虛擬圖案之間的第一空間以及所述第二轉移閘極的所述第二側壁與所述第一虛擬圖案之間的第二空間。
  17. 如請求項14所述的圖像感測器，其中，所述第一虛擬圖案與所述浮置擴散交疊。
  18. 如請求項14所述的圖像感測器，所述圖像感測器還包括： 第二虛擬圖案，所述第二虛擬圖案形成在所述基板上方，所述基板在所述第一轉移閘極的所述第一側壁與所述第二轉移閘極的所述第二側壁之間， 其中，所述第一虛擬圖案與所述第二虛擬圖案被設置在所述第一轉移閘極的所述第一側壁與所述第二轉移閘極的所述第二側壁之間的空間的相對兩側。
  19. 如請求項14所述的圖像感測器，所述圖像感測器還包括： 第三轉移閘極以及第四轉移閘極，其中，所述第一轉移閘極至所述第四轉移閘極在順時針方向上環繞所述浮置擴散， 其中： 所述第三轉移閘極以及所述第四轉移閘極中的每一個具有第一側壁以及第二側壁， 所述第二轉移閘極的所述第一側壁佈置為平行面對所述第三轉移閘極的所述第二側壁， 所述第三轉移閘極的所述第一側壁佈置為平行面對所述第四轉移閘極的所述第二側壁， 所述第四轉移閘極的所述第一側壁佈置為平行面對所述第一轉移閘極的所述第二側壁。
  20. 一種圖像感測器，所述圖像感測器包括： 浮置擴散，所述浮置擴散形成在所述基板中； 第一轉移閘極、第二轉移閘極、第三轉移閘極，以及第四轉移閘極，所述第一轉移閘極、所述第二轉移閘極、所述第三轉移閘極，以及所述第四轉移閘極形成在所述基板上方以與所述浮置擴散部分地交疊，其中，所述第一轉移閘極至所述第四轉移閘極在順時針方向上環繞所述浮置擴散，其中，所述第一轉移閘極具有第一側壁以及所述第二轉移閘極具有第二側壁； 虛擬圖案，所述虛擬圖案形成在所述基板上方，所述基板在所述第一轉移閘極的所述第一側壁與所述第二轉移閘極的所述第二側壁之間；以及 間隔物，所述間隔物填充所述第一轉移閘極的第一側壁與所述虛擬圖案之間的空間。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102549400B1 (ko) * 2018-03-21 2023-06-30 에스케이하이닉스 주식회사 Pd 바이어스 패턴들을 갖는 이미지 센서
KR20210010017A (ko) 2019-07-19 2021-01-27 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서
KR20210017459A (ko) * 2019-08-08 2021-02-17 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서
KR20210125744A (ko) * 2020-04-09 2021-10-19 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치
KR20210133739A (ko) * 2020-04-29 2021-11-08 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서
US20220320154A1 (en) * 2021-03-30 2022-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photodiode structure for image sensor

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2685770B2 (ja) * 1987-12-28 1997-12-03 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
KR20050011947A (ko) * 2003-07-24 2005-01-31 매그나칩 반도체 유한회사 시모스 이미지센서의 플로팅 확산영역 제조방법
JP4578792B2 (ja) * 2003-09-26 2010-11-10 富士通セミコンダクター株式会社 固体撮像装置
JP4647404B2 (ja) 2004-07-07 2011-03-09 三星電子株式会社 転送ゲート電極に重畳しながら自己整列されたフォトダイオードを有するイメージセンサの製造方法
TWI310987B (en) * 2005-07-09 2009-06-11 Samsung Electronics Co Ltd Image sensors including active pixel sensor arrays
KR20070006982A (ko) * 2005-07-09 2007-01-12 삼성전자주식회사 수광 효율이 향상된 독출 소자 공유 이미지 센서
JP4752447B2 (ja) * 2005-10-21 2011-08-17 ソニー株式会社 固体撮像装置およびカメラ
JP4764243B2 (ja) * 2006-04-20 2011-08-31 株式会社東芝 固体撮像装置
US7924333B2 (en) * 2007-08-17 2011-04-12 Aptina Imaging Corporation Method and apparatus providing shared pixel straight gate architecture
JP5292787B2 (ja) * 2007-11-30 2013-09-18 ソニー株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP2010199450A (ja) 2009-02-27 2010-09-09 Sony Corp 固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置および電子機器
JP5428395B2 (ja) * 2009-03-04 2014-02-26 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその製造方法、および撮像装置
US8237207B2 (en) * 2010-01-12 2012-08-07 Himax Imaging, Inc. Back side illumination image sensor and a process thereof
JP5537523B2 (ja) * 2011-09-22 2014-07-02 株式会社東芝 固体撮像装置
JP2016058635A (ja) * 2014-09-11 2016-04-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2018046088A (ja) * 2016-09-13 2018-03-22 セイコーエプソン株式会社 固体撮像装置及び電子機器
KR102617389B1 (ko) * 2016-10-06 2023-12-26 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서
CN212625579U (zh) * 2020-04-24 2021-02-26 格科微电子（上海）有限公司 图像传感器的像素结构

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