TW202242975A - 半導體裝置的製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 117
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims description 98
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 327
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 283
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 283
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 141
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 100
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 92
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 79
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 66
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 46
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 31
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 29
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 27
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 250
- 239000010408 film Substances 0.000 description 211
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 48
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 33
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 30
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 17
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 16
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 13
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 13
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 8
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 8
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 8
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 7
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 6
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 4
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 229920005648 ethylene methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229920005674 ethylene-propylene random copolymer Polymers 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229920000831 ionic polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 2
- 239000011254 layer-forming composition Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 238000000518 rheometry Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 2
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- CVBWTNHDKVVFMI-LBPRGKRZSA-N (2s)-1-[4-[2-[6-amino-8-[(6-bromo-1,3-benzodioxol-5-yl)sulfanyl]purin-9-yl]ethyl]piperidin-1-yl]-2-hydroxypropan-1-one Chemical compound C1CN(C(=O)[C@@H](O)C)CCC1CCN1C2=NC=NC(N)=C2N=C1SC(C(=C1)Br)=CC2=C1OCO2 CVBWTNHDKVVFMI-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N Magnesium ion Chemical compound [Mg+2] JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical class [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006242 ethylene acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005676 ethylene-propylene block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 239000001023 inorganic pigment Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910001425 magnesium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000346 polystyrene-polyisoprene block-polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 239000006254 rheological additive Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 229920000468 styrene butadiene styrene block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006027 ternary co-polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001392 ultraviolet--visible--near infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Abstract
本發明是關於依序包括工序(S1)~(S6)，更在工序(S5)之後，包括工序(SD)(工序(S1)~(S6)及(SD)是如在說明書中定義者)之半導體裝置的製造方法；或
關於依序包括工序(S11)~(S3)，更在工序(S11)之後，包括工序(W)，更在工序(S3)及工序(W)之後，依序包括工序(S14)~(S6)，更在工序(S5)之後，包括工序(SD)(工序(S11)~(S3)、(W)、(S14)~(S6)及(SD)是如在說明書中定義者)之半導體裝置的製造方法。
Description
本發明是關於半導體裝置的製造方法。若進一步詳述，則本發明是有關以先切割製程來將晶圓個片化而取得晶片，且在晶片背面形成保護膜之半導體裝置的製造方法。
近年來進行使用被稱為所謂的面朝下(face down)方式的安裝法之半導體裝置的製造。在面朝下方式中是藉由將在電路面具備凸塊的半導體晶片及該半導體晶片搭載用的基板層疊為該半導體晶片的電路面與該基板會對向而把該半導體晶片搭載於該基板上。
另外，該半導體晶片通常是將在電路面具備凸塊的半導體晶圓個片化而取得。
近年來隨著電子機器等的IC嵌入製品的小型化及薄型化，半導體晶片(以下亦稱為「晶片」)等的半導體裝置的小型化及薄型化也更被要求。為此，在從半導體晶圓(以下亦稱為「晶圓」)製造半導體裝置的過程，晶圓是被研削至數十~數百μm的厚度。如前述般研削在電路面具備凸塊等的突出部的半導體晶圓時，特別是因為凸塊等的突出部存在，在研削中發生晶圓的變形或破損的風險變高。
於是，例如採用，對於晶圓的形成有凸塊的側的面(以下亦稱為「凸塊形成面」)，貼附所謂背磨薄板之後，研削晶圓之與形成有凸塊的側的面為相反側的面(以下亦稱為「背面」)之方法。
又，與使用背磨薄板的製程不同，藉由在凸塊形成面與支撐基材之間充填樹脂層而使硬化，凸塊或晶圓端部附近的有傾斜的部分會被埋入至硬化物層，在具備該硬化物層的狀態下進行研削的方法也被提案。藉由採用如此的方法，取得厚度精度高、龜裂等少的晶圓之方法也被採用。例如，在專利文獻1是揭示對於晶圓的具有突出部的面，以埋入突出部的方式設置保護薄膜、硬化性樹脂及載體，在將該硬化性樹脂硬化之後，研削晶圓之與具有突出部的面為相反側的面之方法。
又，採用所謂先切割製程，亦即，預先在晶圓的凸塊形成面設置溝，或在晶圓內部藉由雷射等來設置改質區域，在晶圓背面的研削時，藉由研削面到達溝，或藉由研削時的振動來以改質區域作為起點劈開晶圓而將晶圓個片化成晶片的製程。先切割製程是在各個的晶片狀態下處理的工序會減少，適於更薄的晶片的製造。另外，先切割製程，一般是指預先在凸塊形成面設置溝的製程，但就本說明書而言，是指比研削工序更先進行晶圓的個片化用的預備性的處理之廣泛的意思，亦包含預先在晶圓內部設置改質處理的製程者。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特許第6312343號公報
(發明所欲解決的課題)
可是，在前述的面朝下方式中，由於成為晶片之與凸塊形成面為相反側的表面會露出的構造，因此為了取得更不易產生龜裂等的損傷的晶片，而在晶片的背面設置保護膜為理想，最好以對應於晶片的形狀來簡便地形成保護膜。
本發明是有鑑於如此的問題，以提供一種能以對應於晶片的形狀來簡便地取得被形成於晶片之與凸塊形成面為相反側的表面的保護膜等之半導體裝置的製造方法為課題。
(用以解決課題的手段)
本發明者等是構思在前述的研削工序之後，藉由另外設置切斷晶片的背面所設的保護膜等的工序，保護膜也以對應於晶片的形狀取得，以致完成本發明的製造方法。
亦即，本發明是關於下述[1]~[10]。
[1]一種半導體裝置的製造方法，依序包括下述工序(S1)~(S6)，
･工序(S1)：以被覆具有在一方的面具備凸塊的凸塊形成面之晶圓，即具有被設在前述凸塊形成面的溝或被形成於晶圓內部的改質區域之晶圓的前述凸塊及前述凸塊形成面的方式，將第一硬化性樹脂層(X1)形成為可從前述晶圓剝離之工序；
･工序(S2)：使第一硬化性樹脂層(X1)之與前述凸塊形成面為相反側的表面平坦化之工序；
･工序(S3)：使第一硬化性樹脂層(X1)硬化，而形成研削用硬化物層(p1)之工序；
･工序(S4)：將前述晶圓予以研削和前述凸塊形成面為相反側的面，而沿著前述溝或前述改質區域來個片化成複數的晶片之工序；
･工序(S5)：在前述複數的晶片之與前述凸塊形成面為相反側的面貼附第二硬化性樹脂薄膜(x2f)，而形成第二硬化性樹脂層(X2)之工序；
･工序(S6)：使第二硬化性樹脂層(X2)硬化，而形成保護膜(r)之工序，
進一步，在工序(S5)之後，包括下述工序(SD)，
･工序(SD)：將第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)予以沿著前述複數的晶片間隔來切斷而分割成對應於各晶片的形狀之工序。
[2]如[1]記載的半導體裝置的製造方法，其中，工序(S2)為在第一硬化性樹脂層(X1)上進一步層疊支撐基材(Y1)之工序。
[3]如[1]或[2]記載的半導體裝置的製造方法，其中，在工序(SD)中，藉由雷射來切斷第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)，或在第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)之與層疊有複數的晶片的面為相反側的表面貼合擴展性薄膜，藉由使該擴展性薄膜擴展來切斷第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)。
[4]如[1]~[3]的任一記載的半導體裝置的製造方法，其中，進一步，在比工序(S5)更之後，包括下述工序(SP)，
･工序(SP)：從被個片化的複數的晶片剝離研削用硬化物層(p1)。
[5]如[4]記載的半導體裝置的製造方法，其中，在比工序(S6)更之後，包括工序(SP)。
[6]如[1]~[5]的任一記載的半導體裝置的製造方法，其中，在比工序(S1)更之前，進一步包括下述工序(SC)，
･工序(SC)：在前述凸塊形成面上形成易剝離層(p2)之工序。
[7]如[6]記載的半導體裝置的製造方法，其中，易剝離層(p2)為易剝離層薄膜(p2f)。
[8]如[6]記載的半導體裝置的製造方法，其中，前述晶圓為具有被設在前述凸塊形成面的溝之晶圓，在工序(SC)中，將形成易剝離層(p2)的易剝離層形成用組成物充填於前述晶圓的溝的內部而形成易剝離層(p2)。
[9]如[4]~[8]的任一記載的半導體裝置的製造方法，其中，在工序(SP)中，在第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)之與被貼附於複數的晶片的面為相反側的面貼附黏著薄板。
[10]一種半導體裝置的製造方法，依序包括下述工序(S11)~(S3)，
･工序(S11)：以被覆具有在一方的面具備凸塊的凸塊形成面之晶圓的前述凸塊及前述凸塊形成面的方式，將第一硬化性樹脂層(X1)形成為可從前述晶圓剝離之工序；
･工序(S2)：使第一硬化性樹脂層(X1)之與前述凸塊形成面為相反側的表面平坦化之工序；
･工序(S3)：使第一硬化性樹脂層(X1)硬化，而形成研削用硬化物層(p1)之工序；
進一步，在工序(S11)之後，包括下述工序(W)，
･工序(W)：在前述晶圓的內部形成改質區域之工序，
進一步，在工序(S3)及工序(W)之後，依序包括下述工序(S14)~(S6)，
･工序(S14)：將前述晶圓予以研削和前述凸塊形成面為相反側的面，而沿著前述改質區域來個片化成複數的晶片之工序；
･工序(S5)：在前述複數的晶片之與前述凸塊形成面為相反側的面貼附第二硬化性樹脂薄膜(x2f)，而形成第二硬化性樹脂層(X2)之工序；
･工序(S6)：使第二硬化性樹脂層(X2)硬化，而形成保護膜(r)之工序，
進一步，在工序(S5)之後，包括下述工序(SD)，
･工序(SD)：將第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)予以沿著前述複數的晶片間隔來切斷而分割成對應於各晶片的形狀之工序。
[發明的效果]
若根據本發明，則可提供一種能以對應於晶片的形狀來簡便地取得被形成於晶片之與凸塊形成面為相反側的表面的保護膜之半導體裝置的製造方法
在本說明書中，所謂「半導體裝置」是指在背面形成保護膜等的晶片及包含該晶片的裝置，所謂包含該晶片的裝置是例如指被用在處理器、記憶體、感測器等之利用半導體特性而作用的裝置全面。
在本說明書中，所謂「有效成分」是指成為對象的組成物所含的成分之中，除了水或有機溶媒等的稀釋溶媒以外的成分。
又，本說明書中，重量平均分子量是藉由凝膠層析儀(GPC；GelPermeation Chromatography)法來測定的聚苯乙烯換算值。
本發明的半導體裝置的製造方法的各工序是設為容許同時進行某工序及其次的工序時，亦包括如此的實施形態。
[半導體裝置的製造方法]
將本發明的半導體裝置的製造方法之一形態(以下亦稱為「第一製造方法」)的工序概略圖顯示於圖1。
作為本發明的半導體裝置的製造方法之一形態是依序包括下述工序(S1)~(S6)，
･工序(S1)：以被覆具有在一方的面具備凸塊的凸塊形成面之晶圓，即具有被設在前述凸塊形成面的溝或被形成於晶圓內部的改質區域之晶圓的前述凸塊及前述凸塊形成面的方式，將第一硬化性樹脂層(X1)形成為可從前述晶圓剝離之工序；
･工序(S2)：使第一硬化性樹脂層(X1)之與前述凸塊形成面為相反側的表面平坦化之工序；
･工序(S3)：使第一硬化性樹脂層(X1)硬化，而形成研削用硬化物層(p1)之工序；
･工序(S4)：將前述晶圓予以研削和前述凸塊形成面為相反側的面，而沿著前述溝或前述改質區域來個片化成複數的晶片之工序；
･工序(S5)：在前述複數的晶片之與前述凸塊形成面為相反側的面貼附第二硬化性樹脂薄膜(x2f)，而形成第二硬化性樹脂層(X2)之工序；
･工序(S6)：使第二硬化性樹脂層(X2)硬化，而形成保護膜(r)之工序，
進一步，在工序(S5)之後，包括下述工序(SD)，
･工序(SD)：將第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)予以沿著前述複數的晶片間隔來切斷而分割成對應於各晶片的形狀之工序。
又，本發明的半導體裝置的製造方法之一形態中，工序(SD)是在工序(S6)之後包括為理想。
又，本發明的半導體裝置的製造方法之一形態中，在比工序(S4)更之後，亦可包括下述的任意的工序(SP)，工序(SP)是在比工序(S5)更之後包括為理想，在比工序(S6)更之後包括更為理想。
･工序(SP)：從被個片化的複數的晶片剝離研削用硬化物層(p1)之工序。
又，在本發明的半導體裝置的製造方法之一形態中，在比工序(S1)更之前，包括下述的任意的工序(SC)為理想。
･工序(SC)：在前述凸塊形成面上形成易剝離層(p2)之工序。
作為本發明的半導體裝置的製造方法之一形態是可包括前述任意採用的工序(SP)及(SC)的雙方。
以下，按每個工序詳述有關本發明的半導體裝置的製造方法。
[工序(S1)]
就工序(S1)而言，是以被覆具有於一方的面具備凸塊的凸塊形成面之晶圓，亦即具備被設在前述凸塊形成面的溝或被形成於晶圓內部的改質區域之晶圓的前述凸塊及前述凸塊形成面的方式，將第一硬化性樹脂層(X1)形成為可從前述晶圓剝離。
作為在工序(S1)使用的晶圓之一形態，例如可舉在圖2及圖3作為概略圖顯示的晶圓。將該晶圓的上面概略圖顯示於圖2，將概略剖面圖顯示於圖3。
圖2及圖3所示的晶圓是在具有於一方的面具備凸塊12的凸塊形成面11a之晶圓11的凸塊形成面11a，溝13會以不到達晶圓背面11b的方式形成之晶圓10-1(以下亦稱為「晶片製作用晶圓10-1」)。
另外，圖2中，凸塊是圖示省略。又，在以下的說明使用的圖，為了容易了解本發明的特徵，而有方便起見擴大顯示成為主要部分的部分的情況，各構成要素的尺寸比率等不一定與實際相同。
在圖2及圖3所示的晶片製作用晶圓10-1的凸塊形成面11a是格子狀地形成有複數的溝13，作為將晶片製作用晶圓10-1個片化時的分割預定線。複數的溝13是在適用先切割製程時被形成的切入溝，以比晶圓11的厚度更淺的深度形成，溝13的最深部不會到達晶圓背面11b。複數的溝13是例如可藉由使用以往眾所周知之具備切割刀的晶圓切割裝置或進行雷射切割的裝置等之切割來形成。
另外，複數的溝13是只要以製造的晶片成為所望的大小及形狀之方式形成即可，亦可不一定要將溝13形成圖2所示般的格子狀。又，晶片的大小，通常是0.5mm×0.5mm~10mm×10mm程度，但不被限定於此大小。
溝13的寬度理想是10μm~2,000μm，更理想是30μm~1,000μm，更加理想是40μm~500μm，再更加理想是50μm~300μm。
溝13的深度是按照使用的晶圓的厚度及被要求的晶片厚度來調整，理想是30μm~700μm，更理想是60μm~ 600μm，更加理想是100μm~500μm。
溝13的長寬比是亦可為2~6，或亦可為2.5~5，或亦可為3~5。
又，作為在工序(S1)使用的晶圓之一形態是例如可舉具有被形成於晶圓內部的改質區域的晶圓(以下亦稱為「晶片製作用晶圓10-2」，未圖示)。
前述改質區域的形成是例如亦可藉由比工序(S1)更前面實施下述工序(W)而進行。
＜工序(W)＞
･工序(W)：在晶圓的內部形成改質區域之工序。
改質區域的形成是可在晶圓的內部藉由對焦後的雷射或電漿的照射來進行。雷射或電漿的照射是亦可從晶圓的凸塊形成面側進行，又，亦可從晶圓的背面側進行。
前述的哪個的形態的晶圓皆是凸塊12的形狀不被特別加以限定，只要可使接觸於晶片搭載用的基板上的電極等而固定，怎樣的形狀皆可。
例如，在本說明書的各圖中，將凸塊12設為球狀，但凸塊12是亦可為旋轉楕圓體。
凸塊12的高度是不特別加以限定，可按照設計上的要求來適當變更。
若舉例，則理想是30μm~300μm，更理想是60μm~ 250μm，更加理想是80μm~200μm。
另外，所謂「凸塊12的高度」是意思著眼於1個的凸塊時，存在於離凸塊形成面11a最高的位置的部位的高度。
有關凸塊12的個數也是不被特別加以限定，可按照設計上的要求適當變更。
晶圓11是例如配線、電容器、二極體及電晶體等的電路會被形成於表面的晶圓。該晶圓的材質是不被特別加以限定，例如可舉矽晶圓、碳化矽晶圓、及化合物半導體晶圓、以及再配置半導體晶片密封的所謂的扇出型晶圓級封裝(FO-WLP)的晶圓或面板級封裝(PLP)的面板等。
晶圓11的大小是不被特別加以限定，可舉直徑8英吋(200mm)或12英吋(300mm)的圓形者，又，可配合用在各工序的裝置或製造方式等來適當選擇。
晶圓11的厚度是不被特別加以限定，由容易抑制隨著將第一硬化性樹脂層(X1)硬化時的收縮所造成的彎曲的觀點、在之後的工序中抑制晶圓11的背面11b的研削量來縮短背面研削所要的時間的觀點，理想是100μm~1,000μm，更理想是200μm~900μm，更加理想是300μm~ 800μm。
在以下的各工序的說明中，主要舉使用晶片製作用晶圓10-1的情況為例進行說明。
圖4是表示在經由工序(S1)而取得的晶片製作用晶圓10-1的凸塊形成面11a形成第一硬化性樹脂層(X1)的層疊體之一例的概略剖面圖。
就圖4所示的層疊體而言，第一硬化性樹脂層(X1)是被充填至溝13的內部，以被覆凸塊12及凸塊形成面11a的方式，在凸塊12及凸塊形成面11a上直接形成第一硬化性樹脂層(X1)。
在本說明書中，所謂「直接形成」是例如圖4所示的層疊體的情況，意指第一硬化性樹脂層(X1)被形成為不經由其他的層等，直接接觸於晶片製作用晶圓10-1的凸塊12及凸塊形成面11a。
如此，第一硬化性樹脂層(X1)是直接被形成於凸塊12及凸塊形成面11a上，但在晶圓的凸塊形成面上形成後述的易剝離層(p2)時，第一硬化性樹脂層(X1)是有經由易剝離層(p2)來形成於凸塊12及凸塊形成面11a上的情形。亦即，第一硬化性樹脂層(X1)是直接被形成於凸塊形成面11a上，或經由易剝離層(p2)來形成於凸塊形成面11a上。
作為形成第一硬化性樹脂層(X1)的方法是無特別加以制限，只要以分配器(dispenser)等來將用以形成第一硬化性樹脂層(X1)的第一硬化性樹脂(x1)供給至凸塊12及凸塊形成面11a上即可。又，亦可為例如藉由浸塗佈法等來塗佈的方法。
又，例如後述般，亦可為在支撐基材上塗佈第一硬化性樹脂(x1)來預先製作薄膜的形態之第一硬化性樹脂薄膜(x1f)(以下亦稱為「樹脂薄膜(x1f)」)，將樹脂薄膜(x1f)貼附於凸塊12及凸塊形成面11a上而形成的方法。
又，例如後述般，亦可為使用第一複合薄板(α1)來形成的方法，或亦可藉由前述的專利文獻1記載的其次的方法。亦即，在支撐基材(Y1)上設置柔軟性的第一硬化性樹脂(x1)，使柔軟性的第一硬化性樹脂(x1)與晶圓的凸塊形成面對向，而使凸塊形成面或後述的易剝離層(p2)抵接於柔軟性的第一硬化性樹脂(x1)。藉此，為被設在晶圓的凸塊會被埋入至柔軟性的第一硬化性樹脂(x1)的方法。
又，第一硬化性樹脂層(X1)的厚度理想是50μm以上，更理想是100μm以上，更加理想是200μm以上。又，理想是1,000μm以下，更理想是800μm以下。
另外，有關用以形成研削用硬化物層(p1)的第一硬化性樹脂(x1)、第一複合薄板(α1)的詳細是在工序(S3)中後述。
[工序(S2)]
就工序(S2)而言，是將第一硬化性樹脂層(X1)之與前述凸塊形成面為相反側的表面平坦化。作為前述平坦化的方法是在第一硬化性樹脂層(X1)上更層疊支撐基材(Y1)的方法為理想。
在圖5顯示使用晶片製作用晶圓10-1時的工序(S2)的適宜的一形態的概略。圖5(a)是表示在前述工序(S1)後或同時，經由工序(S2)，在第一硬化性樹脂層(X1)上更層疊支撐基材(Y1)的層疊體的概略剖面圖。
例如，在圖5(a)作為概略剖面圖表示般，藉由在第一硬化性樹脂層(X1)的表面(與凸塊形成面11a為相反側的面)上層疊支撐基材(Y1)，第一硬化性樹脂層(X1)的前述表面成為平滑，在之後的工序(S3)可將使第一硬化性樹脂層(X1)硬化而取得的研削用硬化物層(p1)的表面平滑化。若研削用硬化物層(p1)的表面為平滑，則在工序(S4)中，研削晶圓背面時，施加於晶圓的壓力容易均一地被分散，晶圓破損的風險會更被減低，又，由容易取得更均一的厚度的晶圓的觀點為理想。由如此的觀點，第一硬化性樹脂層(X1)的前述表面被形成為與晶圓背面平行更為理想。
支撐基材(Y1)是亦可為聚對苯二甲酸乙酯薄膜之類的樹脂薄膜，或亦可為由矽、玻璃或不鏽鋼之類的材質所組成的剛性的基板。
就本發明的半導體裝置的製造方法之一形態而言，是亦可在工序(S1)之後，工序(S3)之前進行工序(S2)，或亦可與工序(S1)同時進行工序(S2)。與工序(S1)同時進行工序(S2)時，例如，可使用以前述第一硬化性樹脂層(X1)作為貼附面，將具有層疊支撐基材(Y1)及樹脂薄膜(x1f)的層疊構造之第一複合薄板(α1)推壓至凸塊12及凸塊形成面11a上而貼附的方法。
並且，在工序(S2)使用支撐基材(Y1)時，剝離支撐基材(Y1)的時機是只要將第一硬化性樹脂層(X1)之與前述凸塊形成面為相反側的表面平坦化即可，無特別加以限制，但在工序(S3)形成研削用硬化物層(p1)之後剝離為理想。
[工序(S3)]
就工序(S3)而言，是使第一硬化性樹脂層(X1)硬化，而形成研削用硬化物層(p1)。
在圖5顯示使用晶片製作用晶圓10-1時的工序(S3)的適宜的一形態的概略。有關圖5(a)是如前述般，作為工序(S3)的適宜的一形態是使圖5(a)所示的層疊體中的第一硬化性樹脂層(X1)硬化，而可形成研削用硬化物層(p1)。
如圖5(b)所示般，研削用硬化物層(p1)是被構成為被覆凸塊12及凸塊形成面11a。研削用硬化物層(p1)是在之後的工序(S4)中，研削晶圓背面11b時，主要為了減低凸塊12及晶圓11的損傷風險而使用。並且，在研削處理時，可容易取得厚度精度更高的晶圓及從該晶圓被個片化的晶片。
另外，研削用硬化物層(p1)是在工序(S4)的研削處理後，在後述的工序(SP)被剝離。亦即，如前述般，研削用硬化物層(p1)是可剝離的層。
第一硬化性樹脂層(X1)的硬化是亦可按照第一硬化性樹脂(x1)所含的硬化性成分的種類，例如可利用熱硬化或能量線硬化，進行熱硬化及能量線硬化的雙方。
又，由硬化時間的縮短的觀點，第一硬化性樹脂(x1)是能量線硬化性樹脂為理想。
在本說明書中，所謂「能量線」是意思在電磁波或荷電粒子線之中具有能量量子者。可舉紫外線、放射線、電子線等，作為能量線的例子。紫外線是例如可藉由使用高壓水銀燈、FUSION LAMP、氙氣燈、黑光燈(black light)或LED燈等，作為紫外線源來照射。電子線是可照射藉由電子線加速器等而使產生者。
又，研削用硬化物層(p1)的厚度理想是50μm以上，更理想是100μm以上，更加理想是200μm以上。又，理想是1,000μm以下，更理想是800μm以下。
又，工序(S2)中，由前述的理由，在工序(S3)被形成的研削用硬化物層(p1)的表面(與凸塊形成面為相反側的面)平滑為理想，又，由同樣的觀點，研削用硬化物層(p1)的表面被形成與晶圓背面平行更理想。
＜第一硬化性樹脂(x1)＞
在工序(S1)~(S3)作為前述的第一硬化性樹脂(x1)是可舉熱硬化性或能量線硬化性者，亦可具有熱硬化性及能量線硬化性的雙方的特性。
從第一硬化性樹脂(x1)形成的第一硬化性樹脂層(X1)會被硬化，而形成研削用硬化物層(p1)。
構成第一硬化性樹脂(x1)的材料是以將第一硬化性樹脂層(X1)硬化而取得的研削用硬化物層(p1)會具有自後述的工序(S4)的研削時的壓力或振動等保護凸塊及晶圓的機能，且在後述的工序(SP)中可剝離之方式，適宜選擇即可，不被特別加以限定。例如，在硬化後，研削用硬化物層(p1)亦可為具有橡膠般的黏彈性者，又，亦可為具有剛性，到達硬的狀態的樹脂。第一硬化性樹脂(x1)是亦可含有黏度調整成分、造膜性成分、黏著性調整成分等的參與硬化的成分以外的成分。
例如，作為第一硬化性樹脂(x1)的適宜的形態，可舉「ResiFlat(註冊商標)」(商品名、Disco Corporation製)、「TEMPLOC(註冊商標)」(商品名、DENKACO.，LTD製)等。
＜第一複合薄板(α1)＞
第一複合薄板(α1)是不被特別加以限定，只要是可形成第一硬化性樹脂層(X1)的構成，具有層疊成為支撐基材(Y1)的第一支撐薄板(Z1)及樹脂薄膜(x1f)的層疊構造。
但，第一複合薄板(α1)所具有的樹脂薄膜(x1f)是由與前述的第一硬化性樹脂(x1)同樣的材質所形成。
樹脂薄膜(x1f)是亦可由1層(單層)所組成者，或亦可由2層以上的複數層所組成者。當樹脂薄膜(x1f)由複數層所組成時，該等複數層是亦可彼此相同或相異，該等複數層的組合是不被特別加以限定。
樹脂薄膜(x1f)的厚度，由對於凸塊及晶圓的凸塊形成面的被覆性的提升的觀點，理想是50μm以上，更理想是100μm以上，更加理想是200μm以上。又，理想是1,000μm以下，更理想是800μm以下。
在此，所謂「樹脂薄膜(x1f)的厚度」是意思樹脂薄膜(x1f)全體的厚度，例如，所謂由複數層所成的樹脂薄膜(x1f)的厚度是意思構成樹脂薄膜(x1f)的全部的層的合計的厚度。
以下，說明有關用在第一複合薄板(α1)的第一支撐薄板(Z1)。
(第一支撐薄板(Z1))
第一支撐薄板(Z1)是作為用以支撐樹脂薄膜(x1f)的支撐體機能，亦作為支撐基材(Y1)機能。
又，樹脂薄膜(x1f)為熱硬化性時，第一支撐薄板(Z1)是由抑制在熱硬化工序的收縮或溶融的觀點，耐熱性佳為理想。
又，樹脂薄膜(x1f)為能量線硬化性時，第一支撐薄板(Z1)是具有能量線透過性為理想。
以下，說明有關第一支撐薄板(Z1)所具有的基材、第一支撐薄板(Z1)亦可具有的黏著劑層。
(基材)
基材是薄板狀或薄膜狀者，作為其構成材料，例如可舉以下的各種樹脂。
作為構成基材的樹脂是例如可舉聚烯烴、乙烯系共聚物、聚氯乙烯系樹脂(作為單體使用聚氯乙烯而取得的樹脂)、聚對苯二甲酸乙酯、聚胺酯系樹脂等。
又，作為構成基材的樹脂是例如亦可舉至此所例示的前述樹脂之中的1種或2種以上交聯後的交聯樹脂；使用至此所例示的前述樹脂之中的1種或2種以上的離子聚合物等的變性樹脂。
構成基材的樹脂是可單獨使用1種，或亦可組合2種以上使用。構成基材的樹脂為2種以上時，該等的組合及比率是可任意選擇。
基材是可為僅1層(單層)，或亦可為2層以上的複數層。當基材為複數層時，該等複數層是可為彼此相同或相異，該等複數層的組合是不被特別加以限定。
基材的厚度是5μm~1,000μm為理想，10μm~500μm更理想，15μm~300μm更加理想，20μm~150μm更進一步理想。
基材是厚度的精度高者，亦即不論部位，厚度的偏差被抑制者為理想。前述的構成材料之中，作為如此為了構成基材而可使用的厚度的精度高的材料是例如可舉聚烯烴、聚對苯二甲酸乙酯、乙烯系共聚物等。
基材是可用眾所周知的方法製造。例如，含有樹脂的基材是可藉由將含有前述樹脂的樹脂組成物成形而製造。
(黏著劑層)
作為黏著劑層所含有的黏著劑是例如可舉含有丙烯酸系樹脂(由具有(甲基)丙烯醯基的樹脂所組成的黏著劑)、聚胺酯系樹脂(由具有聚胺酯鍵的樹脂所組成的黏著劑)、橡膠系樹脂(由具有橡膠構造的樹脂所組成的黏著劑)、矽酮系樹脂(由具有矽氧烷鍵的樹脂所組成的黏著劑)等的樹脂者。該等之中，又以含有丙烯酸系樹脂的黏著劑為理想。
黏著劑層是亦可為使用能量線硬化性黏著劑來形成者，或亦可使用非能量線硬化性黏著劑來形成者。使用能量線硬化性的黏著劑來形成的黏著劑層是可容易調節硬化前及硬化後的物性。
其次，說明有關第一複合薄板(α1)的製造方法。
＜第一複合薄板(α1)的製造方法＞
第一複合薄板(α1)是可藉由以能成為將前述的各層對應的位置關係之方式依序層疊而製造。
例如，在製造第一支撐薄板(Z1)時，在基材上層疊黏著劑層時，是在基材上塗敷黏著劑組成物，因應所需使乾燥或照射能量線，藉此可層疊黏著劑層。
另一方面，例如，在基材上層疊完了的黏著劑層上，進一步層疊第一硬化性樹脂層(X1)時，是在黏著劑層上塗敷第一硬化性樹脂薄膜形成用組成物，而可直接形成樹脂薄膜(x1f)。
第一硬化性樹脂層(X1)或黏著劑層是亦可預先藉由塗敷來以單體製造，分別在黏著劑層或基材上層疊。
[工序(S4)]
就工序(S4)而言，是將前述晶圓予以研削和前述凸塊形成面為相反側的面，而沿著前述溝或前述改質區域來個片化成複數的晶片。
作為工序(S4)之一形態，顯示使用利用圖6(a)所示的晶片製作用晶圓10-1而取得的層疊體時的概略，根據該概略圖來說明工序(S4)。
就工序(S4)而言，首先，如圖6(a)所示般，在貼附研削用硬化物層(p1)的狀態下研削晶片製作用晶圓10-1的背面11b。所謂圖6(a)中的「BG」是意思背磨。然後，如圖6(b)所示般，藉由研削至晶片製作用晶圓10-1的溝13的底部露出為止，晶片製作用晶圓10-1會沿著溝13而被個片化成複數的晶片20。
經由工序(S4)為止的工序，被個片化的複數的晶片是例如圖6(b)所示般，在隔著研削用硬化物層(p1)的狀態下彼此被保持。
又，使用設有改質區域的晶片製作用晶圓10-2作為前述晶圓時，晶圓的背面是只要被研削至晶片製作用晶圓10-2起因於改質區域而劈開被個片化的程度即可，晶圓劈開後，被研削至改質區域消失的程度為理想。晶片製作用晶圓10-2是藉由起因於改質區域而劈開，沿著前述改質區域來被個片化成複數的晶片。
在工序(S4)研削之後的晶圓的厚度理想是150μm以下，更理想是100μm以下，更加理想是75μm以下。又，理想是10μm以上，更理想是20μm以上，更加理想是30μm以上。
[工序(S5)]
就工序(S5)而言，在前述複數的晶片之與前述凸塊形成面為相反側的面形成第二硬化性樹脂層(X2)。例如圖7(a)所示般，在研削用硬化物層(p1)被形成的狀態下，在複數的晶片20之與前述凸塊形成面為相反側的面亦即背面11b形成第二硬化性樹脂層(X2)。
就工序(S5)而言，為了形成第二硬化性樹脂層(X2)，可使用第二硬化性樹脂薄膜(x2f)(以下亦稱為「樹脂薄膜(x2f)」)。樹脂薄膜(x2f)是使用具有層疊第二支撐薄板(Z2)及樹脂薄膜(x2f)的層疊構造之第二複合薄板(α2)為理想。詳細，工序(S5)是以前述樹脂薄膜(x2f)作為貼附面，將具有層疊第二支撐薄板(Z2)及樹脂薄膜(x2f)的層疊構造之第二複合薄板(α2)貼附於晶片的背面的工序為理想。
就圖7(a)而言，研削用硬化物層(p1)會進入溝至到達晶片的背面，第二硬化性樹脂層(X2)是被形成不進入至晶片間。此情況，對應晶片間的部分的第二硬化性樹脂層(X2)的厚度薄，在工序(SD)中容易切斷第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)。另一方面，研削用硬化物層(p1)未到達晶片的背面時，或以後述的易剝離層(p2)不到達溝13的深部的方式覆蓋溝13時，至少在晶片的厚度方向的一部分，第二硬化性樹脂層(X2)亦可進入至晶片間(未圖示)。就如此的形態而言，保護膜(r)會至少在晶片背面附近也保護晶片的側面，因此可減低晶片缺口等的可能性。
在工序(S5)中使用第二複合薄板(α2)時，從第二複合薄板(α2)剝離第二支撐薄板(Z2)的時機是亦可在工序(S5)與後述的工序(S6)之間，或亦可為工序(S6)之後。
並且，在工序(S5)中使用第二複合薄板(α2)時，第二複合薄板(α2)所具有的第二支撐薄板(Z2)是支撐樹脂薄膜(x2f)，且兼備作為晶圓的固定薄板的機能為理想。
在後述的工序(SD)中，藉由第二複合薄板(α2)被貼附於前述複數的晶片的背面，在進行第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)的分割時，晶片會藉由第二支撐薄板(Z2)來固定，可容易實施第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)的分割。
又，藉由使第二支撐薄板(Z2)擴展來進行後述的工序(SD)的第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)的切斷時，第二支撐薄板(Z2)是具備擴張性的擴展性薄膜為理想。
又，第二硬化性樹脂層(X2)的厚度理想是3μm以上，更理想是5μm以上，更加理想是7μm以上。又，理想是300μm以下，更理想是150μm以下，更加理想是75μm以下。
＜第二硬化性樹脂薄膜(x2f)＞
第二硬化性樹脂薄膜(x2f)是不被特別加以限定，只要是可在晶片的背面形成保護膜(r)的薄膜形態的構成，例如熱硬化性或能量線硬化性即可，亦可具有熱硬化性及能量線硬化性的雙方的特性。從樹脂薄膜(x2f)形成的第二硬化性樹脂層(X2)會藉由加熱或能量線照射來硬化，而形成保護膜(r)。
在圖8中，有關樹脂薄膜(x2f)的一例，顯示概略剖面圖。
在圖8所示的樹脂薄膜(x2f)是在其一方的面(以下亦稱為「第1面」)x2a上具備第1剝離薄膜151，在與前述第1面x2a為相反側的另一方的面(以下亦稱為「第2面」)x2b上具備第2剝離薄膜152。
具備如此的構成的樹脂薄膜(x2f)是例如捲狀保存為合適。
圖8所示的樹脂薄膜(x2f)是第1剝離薄膜151及第2剝離薄膜152的任一方被除去，產生的露出面會成為往貼附對象物的貼附面。而且，第1剝離薄膜151及第2剝離薄膜152的剩下的另一方會被除去，產生的露出面亦可成為用以構成後述的第二複合薄板(α2)的第二支撐薄板(Z2)的貼附面。又，第1剝離薄膜151及第2剝離薄膜152的剩下的另一方亦可作為第二支撐薄板(Z2)機能。
樹脂薄膜(x2f)是亦可為由1層(單層)所組成者，或亦可為由2層以上的複數層所組成者。當樹脂薄膜(x2f)為由複數層所組成時，該等複數層是亦可為彼此相同或相異，該等複數層的組合是不被特別加以限定。
樹脂薄膜(x2f)的厚度理想是3μm以上，更理想是5μm以上，更加理想是7μm以上。又，理想是300μm以下，更理想是150μm以下，更加理想是75μm以下。
在此，所謂「樹脂薄膜(x2f)的厚度」是意思樹脂薄膜(x2f)全體的厚度，例如，所謂由複數層組成的樹脂薄膜(x2f)的厚度是意思構成樹脂薄膜(x2f)的全部的層的合計的厚度。
(第二硬化性樹脂薄膜形成用組成物)
第二硬化性樹脂薄膜(x2f)是可使用含有其構成材料的第二硬化性樹脂薄膜形成用組成物來形成。例如，樹脂薄膜(x2f)是可藉由在其形成對象面塗敷第二硬化性樹脂薄膜形成用組成物，因應所需使乾燥而形成。第二硬化性樹脂薄膜形成用組成物的有效成分彼此間的含有量的比率，通常是成為與樹脂薄膜(x2f)的有效成分彼此間的含有量的比率相同。
第二熱硬化性樹脂薄膜(x2f-1)(以下亦稱為「樹脂薄膜(x2f-1)」)是可使用第二熱硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x2f-1-1)來形成，第二能量線硬化性樹脂薄膜(x2f-2)(以下亦稱為「樹脂薄膜(x2f-2)」)是可使用第二能量線硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x2f-2-1)來形成。
第二硬化性樹脂薄膜形成用組成物的塗敷是只要以眾所周知的方法來進行即可，例如可舉使用旋轉塗佈機、噴霧塗佈機、氣刀塗佈機、刮刀塗佈機、刮棒塗佈機、凹印塗佈機、軋輥塗佈機、輥襯刀塗佈機、簾式塗佈機(Curtain Coater)、模塗佈機(Die Coater)、刀式塗佈機(Knife Coater)、網版塗佈機(Screen Coater)、刮條塗佈機(Wire Bar Coater)、吻合塗佈機(Kiss Coater)等的各種塗佈機之方法。
不論樹脂薄膜(x2f)為熱硬化性及能量線硬化性的哪個，第二硬化性樹脂薄膜形成用組成物的乾燥條件是不被特別加以限定。
以下，更詳細說明有關第二熱硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x2f-1-1)及第二能量線硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x2f-2-1)。
＜第二熱硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x2f-1-1)＞
作為第二熱硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x2f-1-1)是例如可舉含有聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)、充填材(C)、著色劑(D)及添加劑(E)的第二熱硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x2f-1-1)(以下亦稱為「組成物(x2f-1-1)」)等。
(聚合物成分(A))
聚合物成分(A)是例如丙烯系聚合物為理想，亦可使用丙烯系聚合物以外的聚酯、苯氧基樹脂、聚碳酸酯、聚醚、聚氨酯、聚矽氧烷、橡膠系聚合物等。聚合物成分(A)的重量平均分子量(Mw)理想是2萬~300萬，更理想是5萬~200萬。又，亦可使用聚乙烯縮醛、飽和聚酯樹脂等。
(熱硬化性成分(B))
熱硬化性成分(B)是具有熱硬化性，用以使樹脂薄膜(x2f-1)熱硬化而形成硬質的硬化物的成分。
組成物(x2f-1-1)及樹脂薄膜(x2f-1)所含有的熱硬化性成分(B)是亦可為1種，或亦可為2種以上，2種以上時，該等的組合及比率是可任意地選擇。
熱硬化性成分(B)是例如可舉含有環氧系熱硬化性樹脂、聚醯亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等者。
該等之中，熱硬化性成分(B)是含有環氧系熱硬化性樹脂為理想。
熱硬化性成分(B)是更含有苯酚系熱硬化劑、胺系熱硬化劑等的熱硬化劑為理想，又，含有3級胺類、咪唑類、有機磷化氫類等的硬化促進劑為理想。
(充填材(C))
藉由調節組成物(x2f-1-1)及樹脂薄膜(x2f-1)中的充填材(C)的量，可更容易調節樹脂薄膜(x2f-1)的硬化物的熱膨脹係數，例如，藉由使樹脂薄膜(x2f-1)的硬化物的熱膨脹係數對於該硬化物的形成對象物最適化，使用樹脂薄膜(x2f-1)而取得的封裝的可靠度會更提升。又，藉由使用含有充填材(C)的樹脂薄膜(x2f-1)，亦可減低樹脂薄膜(x2f-1)的硬化物的吸濕率，或使放熱性提升。
充填材(C)是亦可為有機充填材及無機充填材的任一者，但無機充填材為理想。
作為理想的無機充填材是例如可舉矽石(silica)、礬土(alumina)、滑石(talc)、碳酸鈣、鈦白、鐵丹、碳化矽、氮化硼等的粉末；將該等無機充填材球形化的串珠(beads)；該等無機充填材的表面改質品；該等無機充填材的單結晶纖維；玻璃纖維等。
該等之中，無機充填材是矽石或礬土為理想。
(著色劑(D))
在此，從藉由雷射標記所形成的印字的辨識性的提升的觀點、不易看出晶片背面的研削痕而使晶片的設計性提升的觀點等，樹脂薄膜(x2f-1)及組成物(x2f-1-1)是含有著色劑(D)為理想。
著色劑(D)是例如可舉無機系顏料、有機系顏料、有機系染料等眾所周知者。
(添加劑(E))
作為添加劑(E)是例如可舉流變調節劑(Rheology Control Agent)、界面活性劑、矽油等。
更具體而言，前述流變調節劑是例如可舉聚羥基羧酸酯、多價碳素酸、聚醯胺樹脂等。
作為前述界面活性劑是例如可舉變性矽氧烷等。又，亦可使該當於前述的聚合物成分(A)的丙烯系聚合物作為界面活性劑機能。
作為前述矽油是例如可舉芳烷基變性矽油、變性聚二甲基矽氧烷等，作為變性基是可舉芳烷基；羥基等的極性基；乙烯基、苯基等的具有不飽和鍵的基。
作為添加劑(E)是上述以外者，例如亦可舉耦合劑、交聯劑、均塗劑、可塑劑、帶電防止劑、氧化防止劑、離子捕捉劑、吸氣劑、紫外線吸收劑、黏著賦予劑、連鎖移動劑等其他的各種泛用添加劑。
作為耦合劑是與聚合物成分或熱硬化性成分中含的化合物所具有的官能基反應的化合物為理想，矽烷耦合劑更為理想。
(第二熱硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x2f-1-1)的製造方法)
第二熱硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x2f-1-1)是藉由調合構成彼的各成分而取得。
各成分的調合時的添加順序是不被特別加以限定，亦可同時添加2種以上的成分。亦可適當以有機溶媒等來稀釋各成分的混合物。
＜第二能量線硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x2f-2-1)＞
作為第二能量線硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x2f-2-1)是例如可舉含有能量線硬化性成分(a)、充填材、著色劑及添加劑的第二能量線硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x2f-2-1)(以下亦稱為「組成物(x2f-2-1)」)等。
(能量線硬化性成分(a))
能量線硬化性成分(a)是藉由能量線的照射而硬化的成分。
作為能量線硬化性成分(a)是例如可舉具有能量線硬化性基之重量平均分子量為80,000~2,000,000的聚合物(a1)，及具有能量線硬化性基之重量平均分子量為100~80,000的化合物(a2)。前述聚合物(a1)是亦可為其至少一部分藉由交聯劑而被交聯者，或亦可為未被交聯者。作為能量線硬化性基是可舉丙烯醯基、甲基丙烯醯基、乙烯基等的含有不飽和碳鍵的官能基。
(充填材)
藉由調節組成物(x2f-2-1)及樹脂薄膜(x2f-2)中的充填材的量，可更容易調節樹脂薄膜(x2f-2)的硬化物的熱膨脹係數，例如，藉由使樹脂薄膜(x2f-2)的硬化物的熱膨脹係數對於保護膜的形成對象物最適化，使用樹脂薄膜(x2f-2)而取得的封裝的可靠度會更提升。又，藉由使用含有充填材的樹脂薄膜(x2f-2)，亦可減低樹脂薄膜(x2f-2)的硬化物的吸濕率，或使放熱性提升。
組成物(x2f-2-1)及樹脂薄膜(x2f-2)所含有的前述充填材是與先前說明的組成物(x2f-1-1)及樹脂薄膜(x2f-1)所含有的充填材(C)相同。
組成物(x2f-2-1)及樹脂薄膜(x2f-2)的充填材的含有的形態是亦可與組成物(x2f-1-1)及樹脂薄膜(x2f-1)的充填材(C)的含有的形態同樣。
組成物(x2f-2-1)及樹脂薄膜(x2f-2)所含有的充填材是亦可只為1種，或亦可為2種以上，2種以上時，該等的組合及比率是可任意地選擇。
(著色劑)
組成物(x2f-2-1)及樹脂薄膜(x2f-2)所含有的著色劑是與先前說明的組成物(x2f-1-1)及樹脂薄膜(x2f-1)所含有的著色劑(D)相同。
(添加劑)
組成物(x2f-2-1)及樹脂薄膜(x2f-2)所含有的添加劑是與先前說明的組成物(x2f-1-1)及樹脂薄膜(x2f-1)所含有的添加劑(E)相同。
(其他的成分)
組成物(x2f-2-1)及樹脂薄膜(x2f-2)是亦可在不損害本發明的效果的範圍內，含有不該當於能量線硬化性成分(a)、前述充填材、前述著色劑及前述添加劑的任一者的其他的成分。
作為前述其他的成分，例如可舉不具能量線硬化性基之重量平均分子量為80,000~2,000,000的聚合物、熱硬化性成分、光重合開始劑等。例如，藉由使用含有前述能量線硬化性成分(a)及熱硬化性成分的組成物(x2f-2-1)，樹脂薄膜(x2f-2)是對於被黏體的黏著力會藉由其加熱而提升，此樹脂薄膜(x2f-2)的硬化物的強度也會提升。不具能量線硬化性基之重量平均分子量為80,000~2,000,000的聚合物是作為能量線硬化性成分(a)，與具有能量線硬化性基之重量平均分子量為100~80,000的化合物(a2)時一起使用為理想。
(第二能量線硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x2f-2-1)的製造方法)
第二能量線硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x2f-2-1)是藉由調合構成彼的各成分而取得。
組成物(x2f-2-1)是例如除了調合成分的種類不同的點以外，可用與先前說明的組成物(x2f-1-1)的情況相同的方法來製造。
＜第二複合薄板(α2)＞
將第二複合薄板(α2)的構成例顯示於圖9。
第二複合薄板(α2)是第二支撐薄板(Z2)為基材，在基材的一方的面具備第二硬化性樹脂層(X2)的第二複合薄板(α2)。
又，如前述般，樹脂薄膜(x2f)是可藉由作為第二硬化性樹脂層(X2)來與第二支撐薄板(Z2)層疊，而構成第二複合薄板(α2)。
又，例如，第二複合薄板(α2)是亦可如前述般，第二支撐薄板(Z2)為基材，在基材的一方的面具備第二硬化性樹脂層(X2)的形態。
又，如在第一複合薄板(α1)的說明所述般，第二支撐薄板(Z2)是除了基材以外，亦可具有黏著劑層。第二支撐薄板(Z2)所具有的基材及黏著劑層是亦可與前述的第一支撐薄板(Z1)所具有的基材及黏著劑層同樣的構成及材質。
作為第二硬化性樹脂薄膜(x2f)或第二複合薄板(α2)，亦可使用市售品，例如可使用LINTEC Corporation製的「Adwill LC Tape」等。
[工序(S6)]
就工序(S6)而言，是使第二硬化性樹脂層(X2)硬化，而形成保護膜(r)。
例如，如圖7(b)所示般，在研削用硬化物層(p1)被形成的狀態下，在複數的晶片20之與前述凸塊形成面為相反側的面亦即背面11b形成保護膜(r)。
第二硬化性樹脂層(X2)的硬化是按照第二硬化性樹脂薄膜(x2f)所含的硬化性成分的種類，例如，可利用熱硬化或能量線硬化，亦可進行熱硬化及能量線硬化的雙方。
例如，作為工序(S6)的一形態，使第二硬化性樹脂層(X2)熱硬化時，硬化時的加熱溫度理想是100~200℃，更理想是110~170℃，更加理想是120~150℃。而且，前述熱硬化時的加熱時間理想是0.5~6小時，更理想是0.5~5小時，更加理想是1~4小時。
例如，作為工序(S6)的一形態，能量線硬化第二硬化性樹脂層(X2)時，能量線的照度是5~4,000mW/cm
2為理想，50~1,000mW/cm
2更為理想，180~280mW/cm
2更加理想。而且，前述硬化時的能量線的光量是100~4,000mJ/cm
2為理想，200~2,000mJ/cm
2更理想，450~1,000mJ/cm
2更加理想。
又，保護膜(r)的厚度理想是3μm以上，更理想是5μm以上，更加理想是7μm以上。又，理想是300μm以下，更理想是150μm以下，更加理想是75μm以下。
另外，在第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)是亦可進行雷射標記。雷射標記是藉由雷射照射來削掉第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)之與層疊有複數的晶片的面為相反側的表面，藉此標記的方法。雷射標記是只要在工序(S5)或(S6)之後進行即可，但在工序(S6)之後進行為理想。
[工序(SD)]
就工序(SD)而言，是沿著前述複數的晶片間隔來切斷第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)而分割成對應於各晶片的形狀。
工序(SD)是在工序(S5)之後進行，更在工序(S6)之後進行為理想。
在工序(SD)中，作為沿著前述複數的晶片間隔來切斷第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)而分割成對應於各晶片的形狀之方法，例如可採用刀刃切割、雷射切割、電漿切割等以往眾所周知的方法。
使用前述方法時，從第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)的側切斷第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)時，第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)是具有紅外線透過性或透明性為理想，使得晶片間隔的確認，例如圖11(a)所示的層疊體時，在晶片個片化前，晶圓11的溝13之處等的分割位置的確認成為容易，由降低可視光的透過性來不易看見晶片20的背面11b的研削痕等的表面的狀態的觀點，是具有紅外線透過性為理想。具體而言，第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)的波長1,600nm的光線透過率為25%以上理想，40%以上更理想，50%以上更加理想。光線透過率是不使用積分球測定的值，使用分光光度計作為測定器具。分光光度計是例如可使用SHIMADZU公司製，UV-VIS-NIR SPECTROPHOTOMETER UV-3600，此情況，測定是使用附屬的大形試料室MPC-3100，不使用內藏的積分球進行測定。
又，亦可採用在由第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)與複數的晶片所組成的層疊體之與第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)的層疊複數的晶片的面為相反側的表面貼合擴展性薄膜，藉由使該擴展性薄膜擴展來切斷第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)的方法(以下亦稱為「擴張割斷」)。
該等之中，由可防止刀刃往晶片的接觸的觀點、生產性提升的觀點，雷射切割、電漿切割或擴張割斷為理想，雷射切割或擴張割斷更理想。
尤其，使用晶片製作用晶圓10-2作為晶圓時，藉由晶片製作用晶圓10-2起因於改質區域而劈開，被個片化之後，在晶片間無間隙，有難以使刀刃切割用的刀刃、雷射切割用的雷射等通過於間隙的情形，因此採用擴張割斷為理想。
又，進行擴張割斷時，預先在第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)的內部形成改質區域為理想。該改質區域的形成是可在第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)的內部藉由對焦後的雷射或電漿的照射來進行。
又，亦可配合第二硬化性樹脂層(X2)的性狀，邊進行第二硬化性樹脂層(X2)的加熱或冷卻，邊進行擴張割斷。
又，亦可配合保護膜(r)的性狀，邊進行保護膜(r)的加熱或冷卻，邊進行擴張割斷。
又，進行擴張割斷時，亦可使用前述第二複合薄板(α2)的第二支撐薄板(Z2)作為擴展性薄膜。
在圖10顯示使用利用晶片製作用晶圓10-1而取得的晶片20時，亦即在工序(S6)之後進行工序(SD)時的適宜的一形態的概略。
具體而言，圖10是表示在經由黏著薄板40來以環框(ring frame)50支撐保護膜(r)與複數的晶片20的層疊體之狀態下，進行工序(SD)時的一例。
首先，如圖10(a)所示般，準備一經由工序(S6)，在研削用硬化物層(p1)被形成的狀態下，在複數的晶片20之與前述凸塊形成面為相反側的面亦即背面11b形成保護膜(r)的層疊體。而且，在該層疊體的保護膜(r)之與被貼附於複數的晶片的面為相反側的面貼附黏著薄板40。
該黏著薄板40是不被特別加以限定，只要為可支撐保護膜(r)與複數的晶片20的層疊體的薄板狀者，但例如圖10所示般，具備基材42及被設在基材42的一方的面的黏著劑層41，在該黏著劑層41上貼附保護膜(r)為理想。
在此，在前述的第二複合薄板(α2)中，亦可使用第二支撐薄板(Z2)作為黏著薄板40。
又，如圖10(a)所示般，該黏著薄板40是比保護膜(r)與複數的晶片20的層疊體更大一圈為理想。藉由黏著薄板40為如此的形態，保護膜(r)與複數的晶片20的層疊體會被配置於其中央區域，且黏著劑層41會露出於包圍中央區域的外周區域，因此可經由黏著劑層41來容易貼附於環框50。
又，例如，亦可將保護膜(r)本身設為比複數的晶片所存在的區域(亦即晶片化之前的晶圓外周)更大上一圈，在保護膜(r)之貼合有晶片的側的表面的晶片不存在的外緣部設置用以貼合於環框50的黏著劑層，經由該黏著劑層來貼附於環框50(未圖示)。
其次，如圖10(b)所示般，在保護膜(r)之與被貼附於複數的晶片20的面為相反側的面貼附黏著薄板40的狀態下，從被個片化的複數的晶片20剝離研削用硬化物層(p1)。亦即，進行工序(SP)。有關工序(SP)的詳細是後述。
其次，如圖10(c)所示般，在黏著薄板40被貼附的狀態下，沿著晶圓11的溝13之處來切斷剝離研削用硬化物層(p1)而露出的保護膜(r)，藉此可將保護膜(r)分割成對應於各晶片的形狀。可使用前述的各種方法，作為切斷方法，當採用擴張割斷時，以黏著薄板40作為擴展性薄膜為理想。
圖10所示的形態時，在工序(SD)進行擴張割斷時，工序(SP)是在比工序(SD)更之前進行為理想。另一方面，在工序(SD)使用擴張割斷以外的前述分割方法時，工序(SP)是進行工序(SD)的前後都可，但在比工序(SD)更之前進行為理想。
經由前述工序，可取得被分割的保護膜(r)與晶片的層疊體(半導體裝置)30。
並且，在圖11顯示使用利用晶片製作用晶圓10-1而取得的晶片20時，在工序(S6)之後進行工序(SD)時的其他的適宜的一形態的概略。
具體而言，圖11是表示使用保護膜(r)與複數的晶片20的層疊體，直接進行工序(SD)時的一例。
首先，如圖11(a)所示般，準備一經由工序(S6)，在研削用硬化物層(p1)被形成的狀態下，在複數的晶片20之與前述凸塊形成面為相反側的面亦即背面11b形成保護膜(r)的層疊體。
其次，如圖11(b)所示般，藉由從保護膜(r)之與被貼附於複數的晶片20的面為相反側的面來沿著晶圓11的溝13之處而切斷，可將保護膜(r)分割成對應於各晶片的形狀。切斷方法可使用前述的各種方法。藉由保護膜(r)被切斷，可取得被分割的保護膜(r)與晶片的層疊體(半導體裝置)30。
此時，保護膜(r)的切斷處14是只要保護膜(r)可切斷即可，切斷處14亦可至研削用硬化物層(p1)。但，若研削用硬化物層(p1)被完全切斷，則喪失保持被分割的保護膜(r)與晶片的層疊體30者，需要處理各個的層疊體30。因此，如圖11(b)所示般，各個的層疊體30停留於可維持在經由研削用硬化物層(p1)的狀態下彼此可保持的狀態的程度為理想。
又，由迴避處理各個的層疊體30的觀點，如圖11(c)所示般，以黏著薄板40來支撐被分割的保護膜(r)與晶片的層疊體30之後，從保護膜(r)與晶片的層疊體30剝離研削用硬化物層(p1)為理想。亦即，進行工序(SP)。可使用與在圖10說明過者同樣，作為該黏著薄板40。
[工序(SP)]
就前述的任意採用的工序(SP)而言，是將研削用硬化物層(p1)從被個片化的複數的晶片剝離。
在本發明的半導體裝置的製造方法之一形態中，工序(SP)是在比工序(S4)更之後包括。
又，工序(SP)是在比工序(S5)更之後包括為理想。藉由在比工序(S5)更之後進行工序(SP)，可迴避從被個片化的複數的晶片剝離研削用硬化物層(p1)時，晶片的支撐體變不存在的情形。因此，不產生處理各個的晶片的階段，或從研削用硬化物層(p1)移動晶片至第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)以外的支撐體的工序也成為不需要，連帶著工序數也削減。
進一步，工序(SP)是在比工序(S6)更之後包括更為理想。藉由進行工序(S6)，晶片與保護膜(r)之間會更牢固地被黏著，因此可容易將研削用硬化物層(p1)從被個片化的複數的晶片的表面剝離。
又，由於第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)本身的破損防止，又，第二硬化性樹脂層(X2)是亦有具有黏著性的情況，因此由第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)與晶片的層疊體的處理性提升的觀點，在第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)之與被貼附於複數的晶片的面為相反側的面設置支撐體為理想。
特別是在工序(SP)中，剝離研削用硬化物層(p1)時，為了防止第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)與前述支撐體的界面的剝離，前述支撐體是黏著薄板為理想。亦即，在工序(SP)中，在第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)之與被貼附於複數的晶片的面為相反側的面貼附黏著薄板為理想。作為該形態的適宜的形態的例子是可舉圖10及圖11所示的黏著薄板40，有關該黏著薄板是如前述般。
作為剝離研削用硬化物層(p1)的方法是可舉對研削用硬化物層(p1)施加外部刺激而使軟化至可剝離的程度來剝離的方法。
例如，作為形成研削用硬化物層(p1)的樹脂，前述的TEMPLOC(DENKACO.，LTD製)之類的硬化樹脂等，為了將硬化後的樹脂軟化，而使剝離處理容易，亦可施加一定溫度以上的溫水或浸漬於溫水中等來進行剝離處理。
又，作為研削用硬化物層(p1)的別的剝離方法，是可舉對研削用硬化物層(p1)照射雷射，而從被個片化的複數的晶片剝下的方法。
又，在工序(S2)使用支撐基材(Y1)時，亦即不剝離支撐基材(Y1)進行工序(S4)時，亦可同時剝離支撐基材(Y1)及研削用硬化物層(p1)，亦可將支撐基材(Y1)剝離之後，如前述般剝離研削用硬化物層(p1)。
[工序(SC)]
就前述的任意採用的工序(SC)而言，是在工序(S1)之前，在晶圓的前述凸塊形成面上形成易剝離層(p2)。
藉由工序(SC)，形成易剝離層(p2)時，經由工序(S1)~(S3)而形成的研削用硬化物層(p1)是被形成於易剝離層(p2)上。
圖12(a)~(c)是表示在經由工序(SC)及工序(S1)而取得的晶片製作用晶圓10-1的凸塊形成面11a形成易剝離層(p2)及第一硬化性樹脂層(X1)的層疊體的例子的概略剖面圖。
如圖12(a)~(c)所示般，易剝離層(p2)是被直接形成於凸塊形成面11a上。
易剝離層(p2)是主要在工序(S4)中，將晶圓背面研削之後，在工序(SP)容易從前述凸塊及凸塊形成面上剝離研削用硬化物層(p1)為目的設置。因此，易剝離層(p2)是只要至少被形成於凸塊形成面上即可，但如圖12(a)~(c)所示般，形成為被覆凸塊12及凸塊形成面11a為理想。
又，使用晶片製作用晶圓10-1作為晶圓時，如圖12(a)~(c)所示般，藉由被形成為易剝離層(p2)會覆蓋溝13，可防止研削用硬化物層(p1)與第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)直接接觸。其結果，可更容易剝離研削用硬化物層(p1)。
易剝離層(p2)是亦可將用以形成易剝離層的易剝離層形成用組成物設為薄膜的形態，作為易剝離層薄膜(p2f)使被覆於前述凸塊形成面上。又，亦可藉由分配器(dispenser)等來供給用以形成易剝離層的易剝離層形成用組成物之方法而形成。又，例如亦可藉由浸塗佈法等來形成。
由作業性的觀點，作為易剝離層薄膜(p2f)適用為理想。
又，例如，使用晶片製作用晶圓10-1作為晶圓時，使用易剝離層薄膜(p2f)作為易剝離層(p2)時，工序(S5)之後，至工序(SP)的期間，由易剝離層薄膜(p2f)可設為不會與第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)接觸的觀點，亦使用易剝離層薄膜(p2f)為理想。
例如圖12(b)所示般，只要以易剝離層薄膜(p2f)不會到達溝13的深部之方式覆蓋溝13，便可防止易剝離層薄膜(p2f)與第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)直接接觸。其結果，可更容易從切口部分剝離易剝離層薄膜(p2f)及研削用硬化物層(p1)。
又，作為易剝離層薄膜(p2f)使被覆於前述凸塊形成面上時，亦可進行加熱等，邊使擴展邊使形成。又，藉由使用為了侵入至溝部而具有充分的柔軟性及剛性的薄膜，如圖12(b)所示般，更容易形成侵入至溝的至少一部，且不到達深部之類的形態。
另外，圖12(a)的形態也被包含在以易剝離層薄膜(p2f)不會到達溝13的深部之方式覆蓋溝13的形態。
又，使用晶片製作用晶圓10-1作為晶圓時，例如圖12(c)所示般，將形成易剝離層(p2)的易剝離層形成用組成物充填於前述晶圓的溝的內部而形成易剝離層(p2)為理想。藉由預先充填比研削用硬化物層(p1)更難以和第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)或晶片的凸塊形成面或側面黏著的易剝離層形成用組成物，藉此可防止研削用硬化物層(p1)與第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)直接接觸。其結果，可更容易從切口部分剝離易剝離層薄膜(p2f)及研削用硬化物層(p1)。
就圖12(c)而言，易剝離層(p2)是到達溝13的深部，但亦可與圖12(b)同樣，將易剝離層(p2)形成為不到達溝13的深部。
又，易剝離層(p2)的厚度雖無特別加以限制，但理想是5~200μm，更理想是5~100μm，更加理想是8~80μm。
又，易剝離層(p2)是進一步與研削用硬化物層(p1)一起在工序(S4)的晶圓的研削處理時，為了減低前述凸塊及晶圓的破損的風險而作用為理想。
又，易剝離層(p2)是在工序(SP)與研削用硬化物層(p1)同時或在工序(SP)之後，從前述凸塊及凸塊形成面上剝離。
＜易剝離層形成用組成物＞
易剝離層形成用組成物是可考慮研削用硬化物層(p1)的剝離性和從前述凸塊及/或凸塊形成面上的易剝離層(p2)的剝離性來適當選擇。
易剝離層(p2)是例如能以熱可塑性樹脂所構成。前述熱可塑性樹脂的種類是不被特別加以限定，只要是具有至少來自前述凸塊及/或凸塊形成面的剝離性者，例如可舉以鈉離子、鋰離子、鎂離子等的金屬離子來將乙烯-異丁烯酸-丙烯酸酯的3元共聚物、乙烯-異丁烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物等的單體及/或複合體的羧基交聯後的離子聚合物；聚丙烯；在聚丙烯中混合苯乙烯-丁二烯共聚橡膠、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚橡膠、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚橡膠、乙烯-丙烯無規共聚橡膠、乙烯-丙烯橡膠等後的軟質聚丙烯；聚氨酯；低密度聚乙烯等的聚乙烯；乙烯-丙烯嵌段共聚物；乙烯-丙烯無規共聚物；乙烯-醋酸乙烯共聚物；乙烯-異丁烯酸共聚物；乙烯-1-辛烯共聚物；乙烯-苯乙烯共聚物；乙烯-苯乙烯-二烯共聚物；聚丁烯；等。該等之中，又以從乙烯-苯乙烯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、及聚丁烯所選擇的至少1種為理想，乙烯-苯乙烯共聚物更為理想。
又，藉由使用晶片製作用晶圓10-2作為晶圓，也可防止研削用硬化物層(p1)與第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)直接接觸。因為晶片製作用晶圓10-2的情況，不具有晶片製作用晶圓10-1的溝13，所以可迴避研削用硬化物層(p1)與第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)直接接觸。
另外，即使是使用晶片製作用晶圓10-2作為晶圓的情況，藉由設置工序(SC)，容易在工序(SP)從前述凸塊及凸塊形成面上剝離研削用硬化物層(p1)，因此由可減低施加於凸塊及晶圓等的力之觀點為理想。
[第二半導體裝置的製造方法]
又，使用晶片製作用晶圓10-2作為晶圓時，即是在比前述工序(S1)更之前不實施前述工序(W)的改質區域的形成時，亦可在比前述工序(S4)更之前實施。該情況，為了減少處理設有改質區域的晶圓的操作，而在前述工序(S3)之後，比前述工序(S4)更之前進行為理想。
亦即，作為本發明的半導體裝置的製造方法之一形態，亦可舉其次的製造方法(以下亦稱為「第二製造方法」)。並且，將該第二製造方法的工序概略圖顯示於圖13。
作為本發明的第二製造方法的一形態是依序包括下述工序(S11)~(S3)，
･工序(S11)：以被覆具有在一方的面具備凸塊的凸塊形成面之晶圓的前述凸塊及前述凸塊形成面的方式，將第一硬化性樹脂層(X1)形成為可從前述晶圓剝離之工序；
･工序(S2)：使第一硬化性樹脂層(X1)之與前述凸塊形成面為相反側的表面平坦化之工序；
･工序(S3)：使第一硬化性樹脂層(X1)硬化，而形成研削用硬化物層(p1)之工序；
進一步，在工序(S11)之後，包括下述工序(W)，
･工序(W)：在前述晶圓的內部形成改質區域之工序，
進一步，在工序(S3)及工序(W)之後，依序包括下述工序(S14)~(S6)，
･工序(S14)：將前述晶圓予以研削和前述凸塊形成面為相反側的面，而沿著前述改質區域來個片化成複數的晶片之工序；
･工序(S5)：在前述複數的晶片之與前述凸塊形成面為相反側的面貼附第二硬化性樹脂薄膜(x2f)，而形成第二硬化性樹脂層(X2)之工序；
･工序(S6)：使第二硬化性樹脂層(X2)硬化，而形成保護膜(r)之工序，
進一步，在工序(S5)之後，包括下述工序(SD)，
･工序(SD)：將第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)予以沿著前述複數的晶片間隔來切斷而分割成對應於各晶片的形狀之工序。
又，在前述第二製造方法的一形態中，工序(SD)是在工序(S6)之後包括為理想。
又，在前述第二製造方法的一形態中，亦可在比工序(S14)更之後，包括下述的任意的工序(SP)，工序(SP)是在比工序(S5)更之後包括為理想，在比工序(S6)更之後包括更為理想。
･工序(SP)：將研削用硬化物層(p1)從被個片化的複數的晶片剝離之工序。
又，在前述第二製造方法的一形態中，在比工序(S11)更之前，含有下述的任意的工序(SC)為理想。
･工序(SC)：在前述凸塊形成面上形成易剝離層(p2)之工序。
作為前述第二製造方法的一形態，是可包括前述任意採用的工序(SP)及(SC)的雙方。
就前述第二製造方法的工序(S11)而言，是以被覆具有在一方的面具備凸塊的凸塊形成面之晶圓的前述凸塊及前述凸塊形成面的方式，將第一硬化性樹脂層(X1)形成為可從前述晶圓剝離。
作為在工序(S11)使用的晶圓的一形態，是除了未預先具有溝及改質區域的情形以外，是可使用與作為在前述第一製造方法的前述工序(S1)使用的晶圓的一形態說明的晶圓同樣者，其適宜的形態也同樣。
有關第一硬化性樹脂層(X1)的形態及形成方法也與前述第一製造方法的前述工序(S1)的第一硬化性樹脂層(X1)的形態及其形成方法同樣，其適宜的形態也同樣。
前述第二製造方法的工序(S2)是與在前述第一製造方法中說明的工序(S2)同樣，前述平坦化的方法及其適宜的形態也同樣。
前述第二製造方法的工序(S3)是與在前述第一製造方法中說明的工序(S3)同樣，第一硬化性樹脂層(X1)的硬化方法及研削用硬化物層(p1)的形態及形成方法和該等的適宜的形態也同樣。
前述第二製造方法的工序(W)是與在前述第一製造方法中說明的工序(W)同樣。藉由工序(W)，在工序(S11)中的前述晶圓的內部形成改質區域，前述晶圓是成為晶片製作用晶圓10-2。
前述第二製造方法的工序(S14)是除了研削的晶圓被限定於具有被形成於晶圓內部的改質區域的晶圓以外，與在前述第一製造方法中說明的工序(S4)同樣，前述晶圓的研削方法及個片化成複數的晶片的方法和該等的適宜的形態也同樣。
前述第二製造方法的工序(S5)是與在前述第一製造方法中說明的工序(S5)同樣，第二硬化性樹脂薄膜(x2f)的形態及貼附方法和該等的適宜的形態也同樣，又，第二硬化性樹脂層(X2)的形態及其形成方法和該等的適宜的形態也同樣。
前述第二製造方法的工序(S6)是與在前述第一製造方法中說明的工序(S6)同樣，第二硬化性樹脂層(X2)的硬化方法及保護膜(r)的形態及形成方法和該等的適宜的形態也同樣。
前述第二製造方法的工序(SD)是與在前述第一製造方法中說明的工序(SD)同樣，沿著前述複數的晶片間隔來切斷第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)而分割成對應於各晶片的形狀的方法及其適宜的形態也同樣。
前述第二製造方法的任意的工序(SP)是與在前述第一製造方法中說明的工序(SP)同樣，從被個片化的複數的晶片剝離前述研削用硬化物層(p1)的方法及其適宜的形態也同樣。
前述第二製造方法的任意的工序(SC)是與在前述第一製造方法中說明的工序(SC)同樣，易剝離層(p2)的形態及其形成方法和該等的適宜的形態也同樣。
又，有關在藉由使用晶片製作用晶圓10-2作為晶圓，可防止研削用硬化物層(p1)與第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)直接接觸的前述第一製造方法中說明的效果，在前述第二製造方法中也可同樣取得。
10-1:晶片製作用晶圓
11:晶圓
11a:凸塊形成面
11b:背面
12:凸塊
13:溝
14:保護膜(r)的切斷處
20:晶片
x1:第一硬化性樹脂
X1:第一硬化性樹脂層
Y1:支撐基材
p1:研削用硬化物層
X2:第二硬化性樹脂層
r:保護膜
x2f:第二硬化性樹脂薄膜
x2a:第1面
x2b:第2面
151:第1剝離薄膜
152:第2剝離薄膜
α2:第二複合薄板
Z2:第二支撐薄板
30:被個片化的晶片與被分割的保護膜的層疊體(半導體裝置)
40:黏著薄板
41:黏著劑層
42:基材
50:環框
p2:易剝離層
p2f:易剝離層薄膜
[圖1]是本發明的半導體裝置的製造方法之一形態(第一製造方法)的工序概略圖。
[圖2]是表示在本發明之一形態使用的晶片製作用晶圓之一例的上面圖。
[圖3]是表示在本發明之一形態使用的晶片製作用晶圓之一例的概略剖面圖。
[圖4]是表示經由工序(S1)取得的層疊體之一例的概略剖面圖。
[圖5]是工序(S1)~(S3)之一形態的概略圖。
[圖6]是工序(S4)之一形態的概略圖。
[圖7]是工序(S5)~(S6)之一形態的概略圖。
[圖8]是第二硬化性樹脂薄膜(x2f)的概略剖面圖。
[圖9]是表示第二複合薄板(α2)的構成的概略剖面圖。
[圖10]是包括工序(SD)及(SP)的工序之一形態的概略圖。
[圖11]是包括工序(SD)及(SP)的工序的其他的一形態的概略圖。
[圖12]是表示經由工序(SC)及(S1)取得的層疊體的例子的概略剖面圖。
[圖13]是本發明的半導體裝置的製造方法之一形態(第二製造方法)的工序概略圖。
Claims (10)
- 一種半導體裝置的製造方法，其特徵為： 依序包括下述工序(S1)~(S6)， ･工序(S1)：以被覆具有在一方的面具備凸塊的凸塊形成面之晶圓，即具有被設在前述凸塊形成面的溝或被形成於晶圓內部的改質區域之晶圓的前述凸塊及前述凸塊形成面的方式，將第一硬化性樹脂層(X1)形成為可從前述晶圓剝離之工序； ･工序(S2)：使第一硬化性樹脂層(X1)之與前述凸塊形成面為相反側的表面平坦化之工序； ･工序(S3)：使第一硬化性樹脂層(X1)硬化，而形成研削用硬化物層(p1)之工序； ･工序(S4)：將前述晶圓予以研削和前述凸塊形成面為相反側的面，而沿著前述溝或前述改質區域來個片化成複數的晶片之工序； ･工序(S5)：在前述複數的晶片之與前述凸塊形成面為相反側的面貼附第二硬化性樹脂薄膜(x2f)，而形成第二硬化性樹脂層(X2)之工序； ･工序(S6)：使第二硬化性樹脂層(X2)硬化，而形成保護膜(r)之工序， 進一步，在工序(S5)之後，包括下述工序(SD)， ･工序(SD)：將第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)予以沿著前述複數的晶片間隔來切斷而分割成對應於各晶片的形狀之工序。
- 如請求項1記載的半導體裝置的製造方法，其中，工序(S2)為在第一硬化性樹脂層(X1)上進一步層疊支撐基材(Y1)之工序。
- 如請求項1或2記載的半導體裝置的製造方法，其中，在工序(SD)中，藉由雷射來切斷第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)，或在第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)之與層疊有複數的晶片的面為相反側的表面貼合擴展性薄膜，藉由使該擴展性薄膜擴展來切斷第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)。
- 如請求項1~3的任一項記載的半導體裝置的製造方法，其中，進一步，在比工序(S5)更之後，包括下述工序(SP)， ･工序(SP)：從被個片化的複數的晶片剝離研削用硬化物層(p1)。
- 如請求項4記載的半導體裝置的製造方法，其中，在比工序(S6)更之後，包括工序(SP)。
- 如請求項1~5的任一項記載的半導體裝置的製造方法，其中，在比工序(S1)更之前，進一步包括下述工序(SC)， ･工序(SC)：在前述凸塊形成面上形成易剝離層(p2)之工序。
- 如請求項6記載的半導體裝置的製造方法，其中，易剝離層(p2)為易剝離層薄膜(p2f)。
- 如請求項6記載的半導體裝置的製造方法，其中，前述晶圓為具有被設在前述凸塊形成面的溝之晶圓，在工序(SC)中，將形成易剝離層(p2)的易剝離層形成用組成物充填於前述晶圓的溝的內部而形成易剝離層(p2)。
- 如請求項4~8的任一項記載的半導體裝置的製造方法，其中，在工序(SP)中，在第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)之與被貼附於複數的晶片的面為相反側的面貼附黏著薄板。
- 一種半導體裝置的製造方法，其特徵為： 依序包括下述工序(S11)~(S3)， ･工序(S11)：以被覆具有在一方的面具備凸塊的凸塊形成面之晶圓的前述凸塊及前述凸塊形成面的方式，將第一硬化性樹脂層(X1)形成為可從前述晶圓剝離之工序； ･工序(S2)：使第一硬化性樹脂層(X1)之與前述凸塊形成面為相反側的表面平坦化之工序； ･工序(S3)：使第一硬化性樹脂層(X1)硬化，而形成研削用硬化物層(p1)之工序； 進一步，在工序(S11)之後，包括下述工序(W)， ･工序(W)：在前述晶圓的內部形成改質區域之工序， 進一步，在工序(S3)及工序(W)之後，依序包括下述工序(S14)~(S6)， ･工序(S14)：將前述晶圓予以研削和前述凸塊形成面為相反側的面，而沿著前述改質區域來個片化成複數的晶片之工序； ･工序(S5)：在前述複數的晶片之與前述凸塊形成面為相反側的面貼附第二硬化性樹脂薄膜(x2f)，而形成第二硬化性樹脂層(X2)之工序； ･工序(S6)：使第二硬化性樹脂層(X2)硬化，而形成保護膜(r)之工序， 進一步，在工序(S5)之後，包括下述工序(SD)， ･工序(SD)：將第二硬化性樹脂層(X2)或保護膜(r)予以沿著前述複數的晶片間隔來切斷而分割成對應於各晶片的形狀之工序。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021036543 | 2021-03-08 | ||
| JP2021-036543 | 2021-03-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202242975A true TW202242975A (zh) | 2022-11-01 |
Family
ID=83226590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111107873A TW202242975A (zh) | 2021-03-08 | 2022-03-04 | 半導體裝置的製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPWO2022190916A1 (zh) |
| CN (1) | CN116918037A (zh) |
| TW (1) | TW202242975A (zh) |
| WO (1) | WO2022190916A1 (zh) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012099622A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Panasonic Corp | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
| JP6539919B2 (ja) * | 2015-05-25 | 2019-07-10 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2018135492A1 (ja) * | 2017-01-23 | 2018-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体基板の処理方法及び半導体基板の処理装置 |
| JP6925714B2 (ja) * | 2017-05-11 | 2021-08-25 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
-
2022
- 2022-02-28 WO PCT/JP2022/008127 patent/WO2022190916A1/ja active Application Filing
- 2022-02-28 CN CN202280018923.2A patent/CN116918037A/zh active Pending
- 2022-02-28 JP JP2023505294A patent/JPWO2022190916A1/ja active Pending
- 2022-03-04 TW TW111107873A patent/TW202242975A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2022190916A1 (zh) | 2022-09-15 |
| WO2022190916A1 (ja) | 2022-09-15 |
| CN116918037A (zh) | 2023-10-20 |
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