TW202240759A - 工件處理片及裝置製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種工件處理片1，其特徵在於，具備：基材12、積層在基材12的一個面側上的界面剝蝕層11，此界面剝蝕層11可以在保持小工件2的同時，因雷射光的照射而進行界面剝蝕，其中界面剝蝕層11含有紫外線吸收劑。這樣的工件處理片，即使是微細的小工件也可以良好地進行處理。

Description

工件處理片及裝置製造方法
本發明是有關於一種為了處理半導體零件、半導體裝置等的小工件而可以使用的工件處理片、及使用此工件處理片的裝置製造方法，特別是有關於一種為了處理微發光二極體、功率元件、微機電系統（Micro Electro Mechanical Systems, MEMS）等的小工件而可以使用的工件處理片、及使用此工件處理片的裝置製造方法。
近年來，使用微發光二極體（micro LED）的顯示器的開發一直在進行中。在此顯示器中，每個畫素由微發光二極體所構成，每個微發光二極體的發光獨立地受到控制。在此顯示器的製造中，一般來說，將配置在藍寶石、玻璃等的供給基板上的微發光二極體安裝在設有配線的配線基板上是必要的。
在進行上述安裝時，將配置在供給基板上的複數個微發光二極體正確地載置到配線基板上的預定位置是必要的。此時，從複數個微發光二極體之中將預定的微發光二極體選擇性地載置到配線基板是必要的，且同時載置複數個微發光二極體也是必要的。
從良好地進行如此的安裝的觀點考慮，正在研究利用雷射光的照射。例如，正在研究將複數個微發光二極體透過預定的層而保持在支撐體之後，藉由對此層照射雷射光，在此照射位置使此層產生剝蝕，藉此將從支撐體分離（雷射剝離）的微發光二極體載置到配線基板的方法（專利文獻1）。由於雷射光的指向性及收束性優異，容易控制照射的位置，可以良好地進行選擇性的載置。 [先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特許第6546278號
[發明所欲解決的問題]
然而，使微發光二極體更進一步微縮化、更高密度地安裝微發光二極體也在進行中，在對應這些之上，要求可以比如專利文獻1般的先前手法更效率良好地處理多個微發光二極體等微細的小工件的手段。
本發明是有鑑於這樣的實際狀況而完成，目的在於提供一種即使是微細的小工件也可以良好地進行處理的工件處理片，以及使用此工件處理片的裝置製造方法。 [用以解決問題的手段]
為了達成上述目的，第一，本發明提供一種工件處理片，其特徵在於，具備：基材、積層在前述基材的一個面側上的界面剝蝕層，前述界面剝蝕層可以在保持小工件的同時，因雷射光的照射而進行界面剝蝕，其中前述界面剝蝕層含有紫外線吸收劑（發明1）。
上述發明（發明1）之工件處理片中，藉由使界面剝蝕層含有紫外線吸收劑，當照射雷射光的情況下，可以有效地進行界面剝蝕，藉此將小工件朝向對象物良好地進行分離。
在上述發明（發明1）中，前述紫外線吸收劑較佳為有機化合物（發明2）。
在上述發明（發明1、2）中，前述紫外線吸收劑較佳為具有1個以上的雜環的化合物（發明3）。
在上述發明（發明1～3）中，前述紫外線吸收劑較佳為具有碳環及雜環中的至少一種，前述紫外線吸收劑所具有的全部的前述碳環及前述雜環每個都是單環（發明4）。
在上述發明（發明1～4）中，前述紫外線吸收劑較佳為具有複數個芳香環的化合物（發明5）。
在上述發明（發明1～5）中，前述界面剝蝕層中的紫外線吸收劑的含量較佳為1質量%以上、75質量%以下（發明6）。
在上述發明（發明1～6）中，前述工件處理片在波長355nm的光線的吸光度較佳為2.0以上（發明7）。
在上述發明（發明1～7）中，前述工件處理片在波長355nm的光線的透過率較佳為1.0%以下（發明8）。
在上述發明（發明1～8）中，前述界面剝蝕層較佳為黏著劑層（發明9）。
在上述發明（發明9）中，構成前述黏著劑層的黏著劑較佳為丙烯酸系黏著劑（發明10）。
在上述發明（發明1～10）中，前述雷射光較佳為具有紫外區的波長（發明11）。
在上述發明（發明1～11）中，在使前述界面剝蝕層產生界面剝蝕時，較佳為在前述界面剝蝕所產生的位置形成氣泡（發明12）。
在上述發明（發明1～12）中，較佳為為了藉由使前述界面剝蝕層中局部地產生的界面剝蝕，將複數個小工件之中的任意的小工件從前述界面剝蝕層選擇性地分離而使用，前述複數個小工件保持在前述界面剝蝕層中與前述基材相反的面上（發明13）。
在上述發明（發明13）中，較佳為將保持在前述界面剝蝕層中與前述基材相反的面上的工件，藉由在此面上進行個片化而得到此小工件（發明14）。
在上述發明（發明13、14）中，前述小工件較佳為選自半導體零件及半導體裝置中的至少一種（發明15）。
在上述發明（發明13～15）中，前述小工件較佳為選自次毫米發光二極體（mini LED）及微發光二極體（micro LED）中的發光二極體（發明16）。
第二，本發明提供一種裝置製造方法，其特徵在於，具備：準備步驟，在具備基材、積層在前述基材的一個面側上且含有紫外線吸收劑的界面剝蝕層的工件處理片中，準備在前述界面剝蝕層側的面上保持有複數個小工件的積層體；配置步驟，以前述此積層體的此小工件側的面，面對於可以收容前述小工件的對象物的方式配置前述積層體；分離步驟，對前述積層體的前述界面剝離層的至少一個此小工件所貼附的位置照射雷射光，藉由使前述界面剝蝕層的前述照射位置產生界面剝蝕，將產生前述界面剝離的位置所存在的前述小工件從前述工件處理片分離，以將前述小工件載置到前述對象物上（發明17）。
在上述發明（發明17）中，在前述準備步驟中，較佳為將保持在前述界面剝蝕層中與前述基材相反的面上的工件，藉由在前述面上進行個片化而得到前述小工件（發明18）。
在上述發明（發明17、18）中，前述小工件較佳為選自半導體零件及半導體裝置中的至少一種（發明19）。
在上述發明（發明17～19）中，較佳為使用選自次毫米發光二極體及微發光二極體中的發光二極體作為前述小工件，製造具備複數個前述發光二極體的發光裝置（發明20）。
在上述發明（發明20）中，前述發光裝置較佳為顯示器（發明21）。 [發明功效]
本發明之工件處理片，即使是微細的小工件也可以良好地進行處理，並且，根據本發明之裝置製造方法，可以製造具有優異性能的裝置。
[用以實施發明的形態]
以下，說明關於本發明的實施形態。 第1圖顯示一實施形態之工件處理片的剖面圖。第1圖所示的工件處理片1具備：基材12、積層在基材12的一個面側上的界面剝蝕層11。
本實施形態之工件處理片1中，界面剝蝕層11可以保持小工件。亦即，本實施形態之工件處理片1在界面剝蝕層11中與基材12相反的面上所積層的小工件，可以維持小工件的狀態。
上述保持的具體態樣沒有限定，但作為較佳例，可列舉界面剝蝕層11藉由發揮出對小工件的黏著性來保持。在此情況下，如後續所述，界面剝蝕層11較佳為包含黏著劑作為構成其的成分之一，即為黏著劑層。
此外，本實施形態中界面剝蝕層11，因雷射光的照射而進行界面剝蝕。亦即，界面剝蝕層11受到上述雷射光的照射的區域中，進行局部地界面剝蝕。另外，作為上述雷射光，只要是可以使界面剝蝕產生即可，沒有特別限定，可以是具有紫外區、可見光區及紅外區的任一波長的雷射光，其中，較佳為具有紫外區的波長的雷射光。
在本說明書中，所謂的界面剝蝕是指因上述雷射光的能量而使構成界面剝蝕層11成分的一部分蒸發或揮發，藉此產生的氣體累積在界面剝蝕層11及基材12的界面而產生空隙（氣泡）。在此情況下，因氣泡而使界面剝蝕層11的形狀變化，小工件從界面剝蝕層11剝落以分離小工件。
然後，本實施形態的界面剝蝕層11含有紫外線吸收劑。藉由使界面剝蝕層11中存在紫外線吸收劑，提高界面剝蝕層11從雷射光接受能量的效率。藉此，可以有效地產生界面剝蝕，使保持的小工件從界面剝蝕層11良好地分離。特別是，可以減低用於使小工件產生充分分離而所需的雷射光的照射量，且在減低雷射光的照射裝置的運行成本的同時，可以容易良好地只有分離作為目標的小工件，且提高了精度，進一步防止因過度的雷射光照射而對裝置等的損傷。
1.界面剝蝕層 本實施形態的界面剝蝕層11的具體構成、組成可以在保持小工件的同時，具有因雷射光的照射而進行界面剝蝕的性質，並且，只要含有紫外線吸收劑，沒有特別限定。
從可以容易良好地發揮保持小工件的性質的觀點考慮，如上所述，界面剝蝕層11較佳為包含黏著劑作為構成其的成分之一。當界面剝蝕層11包含黏著劑的情況下，界面剝蝕層11較佳為由含有紫外線吸收劑的黏著性組成物所組成。
（1）紫外線吸收劑 本實施形態的紫外線吸收劑的種類沒有特別限定。本實施形態的紫外線吸收劑可以為有機化合物，也可以為無機化合物，但從容易產生良好地界面剝蝕的觀點考慮，較佳為有機化合物。
當紫外線吸收劑為有機化合物的情況下，作為此紫外線吸收劑的較佳例，可列舉：羥基苯基三嗪系紫外線吸收劑、二苯甲酮系紫外線吸收劑、苯并三唑系紫外線吸收劑、苯甲酸酯系紫外線吸收劑、苯并氧雜二酮(benzoxazinone)系紫外線吸收劑、柳酸苯酯系紫外線吸收劑、氰基丙烯酸酯系紫外線吸收劑、鎳錯合物鹽系紫外線吸收劑、氫醌系紫外線吸收劑、水楊酸系紫外線吸收劑、丙二酸酯系紫外線吸收劑、草酸系紫外線吸收劑等的化合物。這些可以單獨使用一種，也可以組合使用兩種以上。
在上述紫外線吸收劑之中，從YAG的第三次高調波（355nm）處具有良好的吸收性，且容易使界面剝蝕良好地產生的觀點考慮，較佳為使用羥基苯基三嗪系紫外線吸收劑、二苯甲酮系紫外線吸收劑及苯并三唑系紫外線吸收劑中的至少一種，特別是更佳為使用羥基苯基三嗪系紫外線吸收劑。
作為上述羥基苯基三嗪系紫外線吸收劑，可列舉：2-[4-（辛基-2-甲基乙酸酯）氧基-2-羥基苯基]-4,6-[雙（2,4-二甲基苯基）]-1,3,5-三嗪、2-[4-（2-羥基-3-十二烷氧基-丙基）氧基-2-羥基苯基]-4,6-[雙（2,4-二甲基苯基）-1,3,5-三嗪、2-[4-（2-羥基-3-十三烷氧基-丙基）氧基-2-羥基苯基]-4,6-[雙（2,4-二甲基苯基）-1,3,5-三嗪、2-（2,4-二羥基苯基））-4,6-雙-（2,4-二甲基苯基）-1,3,5-三嗪、2-[4-（2-羥基-3-（2'-乙基）己氧基]-2-羥基苯基]-4,6-[雙（2,4-二甲基苯基）-1,3,5-三嗪、2,4-雙[2-羥基-4-丁氧基苯基]-6-（2,4-二丁氧基苯基）-1,3,5-三嗪、2-（2-羥基-4-[1-辛基氧羰基乙氧基]苯基）-4,6-雙（4-苯基苯基）-1,3,5-三嗪、參[2,4,6-[2-{4-（辛基-2-甲基乙酸酯）氧基-2-羥基苯基}]-1,3,5-三嗪等。這些可以單獨使用一種，也可以組合使用兩種以上。在這些之中，較佳為使用參[2,4,6-[2-{4-（辛基-2-甲基乙酸酯）氧基-2-羥基苯基}]-1,3,5-三嗪及2-（2-羥基-4-[1-辛基氧羰基乙氧基]苯基）-4,6-雙（4-苯基苯基）-1,3,5-三嗪中的至少一者。
此外，當紫外線吸收劑為有機化合物的情況下，此紫外線吸收劑作為其化學結構上的特徵，較佳為具有1個以上的雜環的化合物。在此情況下，雜環的數量較佳為4個以下，特別是更佳為1個。
此外，作為別的化學結構上的特徵，本實施形態的紫外線吸收劑具有碳環及雜環中的至少一種的同時，此紫外線吸收劑所具有的全部的碳環及雜環較佳為每個都是單環。
作為進一步的化學結構上的特徵，本實施形態的紫外線吸收劑也較佳為具有複數個芳香環的化合物。在此情況下，芳香環的數量較佳為2個以上。此外，芳香環的數量較佳為6個以下，特別是更佳為3個以下。
在上述化學結構上的特徵中，作為構成此些的碳以外的元素，每個雜環較佳為具有選自氮、氧、磷、硫、矽及硒中的至少一種，特別是，更佳為具有選自氮、氧、磷及硫中的至少一種。此外，構成雜環的環結構的原子數沒有特別限定，例如為3個以上、9個以下，特別是較佳為5個以上、6個以下。作為較佳的雜環的具體例，可列舉：三嗪、苯并三唑、噻吩、吡咯、咪唑、吡啶、吡𠯤等。
此外，在上述化學結構上的特徵中，作為芳香環的較佳例，可列舉：苯、萘、蒽、聯苯、三苯基等。
作為具有上述化學結構上的特徵的紫外線吸收劑的實例，可列舉具有以下的式（1）的結構的紫外線吸收劑（參[2,4,6-[2-{4-（辛基-2-甲基乙酸酯）氧基-2-羥基苯基}]-1,3,5-三嗪）。
[化1]
Figure 02_image001
本實施形態的界面剝蝕層11中的紫外線吸收劑的含量，較佳為1質量%以上，更佳為2質量%以上，特別是較佳為3質量%以上，再更佳為5質量%以上。藉由使紫外線吸收劑的含量為1質量%以上，界面剝蝕層11有效率地吸收雷射光，藉此容易良好地進行界面剝蝕。此外，本實施形態的界面剝蝕層11中的紫外線吸收劑的含量，較佳為75質量%以下，更佳為60質量%以下，特別是較佳為50質量%以下，再更佳為20質量%以下。藉由使紫外線吸收劑的含量為75質量%以下，用於形成界面剝蝕層11的材料的黏度變得適度，容易確保良好的造膜性。
此外，當本實施形態的界面剝蝕層11由後述的黏著性組成物所形成的情況下，也可以在此黏著性組成物中調配紫外線吸收劑。在此情況下，此黏著性組成物中的紫外線吸收劑的調配量，較佳為1質量%以上，更佳為2質量%以上，特別是較佳為3質量%以上，進一步更佳為5質量%以上。藉由使紫外線吸收劑的調配量為1質量%以上，界面剝蝕層11有效率地吸收雷射光，藉此容易良好地進行界面剝蝕。此外，上述黏著性組成物中的紫外線吸收劑的調配量，較佳為75質量%以下，更佳為60質量%以下，特別是較佳為50質量%以下，進一步更佳為20質量%以下。藉由使紫外線吸收劑的調配量為75質量%以下，獲得的黏著劑容易發揮所期望的黏著力。
（2）黏著劑 如上所述，本實施形態的界面剝蝕層11，除了紫外線吸收劑之外，還可以包含黏著劑。在此情況下，界面剝蝕層11較佳為由含有紫外線吸收劑的黏著性組成物所形成。
作為上述黏著劑，只要可以對小工件等的被著體發揮充分的保持力（黏著力），即沒有特別限定。作為上述黏著劑的實例，可列舉：丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚乙烯醚系黏著劑等。在這些之中，從容易發揮所期望的黏著力的觀點考慮，較佳為使用丙烯酸系黏著劑。
作為上述丙烯酸系黏著劑，可列舉將丙烯酸系聚合物（A）作為基礎聚合物的丙烯酸系黏著劑。丙烯酸系聚合物（A）的重量平均分子量（Mw）較佳為1萬以上，特別是更佳為10萬以上。此外，此重量平均分子量（Mw）較佳為200萬以下，特別是更佳為150萬以下。藉由使丙烯酸系聚合物（A）的重量平均分子量為1萬以上，所獲得的黏著力的凝集力容易提高，容易抑制已分離的小工件上的黏著劑的殘留。此外，藉由使重量平均分子量為200萬以下，容易得到安定的界面剝蝕層的塗膜。另外，本說明書中的重量平均分子量（Mw）是藉由凝膠滲透層析（Gel Permeation Chromatography, GPC）法所測定的標準聚苯乙烯換算的值。
此外，丙烯酸系聚合物（A）的玻璃轉移溫度（Tg）較佳為-70℃以上，特別是更佳為-60℃以上。此外，此玻璃轉移溫度（Tg）較佳為20°C以下，特別是更佳為10°C以下。藉由使丙烯酸系聚合物（A）的玻璃轉移溫度（Tg）在上述範圍內，則在達成所期望的凝集力的同時，也容易實現所期望的黏著力。
上述丙烯酸系聚合物（A）中，作為構成單體，較佳為至少含有（甲基）丙烯酸酯單體，此外，較佳為具有可與後述的交聯劑（B）的官能基反應的官能基（以下，也稱為「反應性官能基」）。
作為上述（甲基）丙烯酸酯單體，具體來說，可列舉：（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸戊酯、2-乙基己基（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸異辛酯、（甲基）丙烯酸正辛酯、（甲基）丙烯酸正壬酯、（甲基）丙烯酸異壬酯、（甲基）丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸月桂酯等的烷基的碳數為1~18的（甲基）丙烯酸烷基酯；環烷基的碳數為1~18程度的（甲基）丙烯酸環烷基酯、（甲基）丙烯酸芐酯、（甲基）丙烯酸異莰基酯、（甲基）丙烯酸二環戊酯、（甲基）丙烯酸二環戊烯酯、（甲基）丙烯酸二環戊烯基氧乙基酯、（甲基）丙烯酸醯亞胺酯等的具有環狀骨架的（甲基）丙烯酸酯；（甲基）丙烯酸羥甲酯、2-羥乙基（甲基）丙烯酸酯、2-羥基丙基（甲基）丙烯酸酯等的含有羥基的（甲基）丙烯酸酯；（甲基）丙烯酸縮水甘油酯、β-甲基縮水甘油（甲基）丙烯酸酯、（3,4-環氧環己基）甲基（甲基）丙烯酸酯、3-環氧環-2-羥丙基（甲基）丙烯酸酯等的含有環氧基的（甲基）丙烯酸酯。
此外，也可以是由丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯、N-羥甲基丙烯醯胺等之（甲基）丙烯酸酯單體以外的單體所共聚。這些可以單獨使用一種，也可以併用兩種以上。
藉由使丙烯酸系聚合物（A）含有反應性官能基，與後述的交聯劑（B）的官能基反應而形成三維網目結構，容易提高界面剝蝕層的凝集性。作為丙烯酸系聚合物（A）的反應性官能基，可列舉：羧基、胺基、環氧基、羥基等，但為了使與如後述般作為交聯劑而較佳使用的有機多價異氰酸酯化合物容易地選擇性反應，較佳為含有羥基。
藉由使用具有上述含有羥基的（甲基）丙烯酸酯、丙烯酸等的反應性官能基的單量體來構成丙烯酸系聚合物（A），可以將反應性官能基引入丙烯酸系聚合物（A）。
在丙烯酸系聚合物（A）的全構成單體中，具有反應性官能基的單體（以下，也稱為含反應基的單體）的比例較佳為0.3質量%以上，特別是更佳為0.5質量%以上。此外，上述比例較佳為40質量%以下，特別是更佳為20質量%以下。藉由在此範圍內含有含反應基的單體，在達成所期望的凝集力的同時，容易實現所期望的黏著力。
此外，丙烯酸系聚合物（A）中，作為構成單體，較佳為含有上述的（甲基）丙烯酸烷基酯，更佳為含有烷基的碳數為1~10的（甲基）丙烯酸烷基酯，特別是更佳為含有烷基的碳數為4~8的（甲基）丙烯酸烷基酯。當丙烯酸系聚合物（A）含有上述的（甲基）丙烯酸烷基酯的情況下，在丙烯酸系聚合物（A）的全構成單體中，（甲基）丙烯酸烷基酯的比例較佳為30質量%以上，特別是更佳為35質量%以上。此外，上述比例較佳為99質量%以下，特別是更佳為95質量%以下。藉由在此範圍內含有（甲基）丙烯酸烷基酯，在達成所期望的凝集力的同時，容易實現所期望的黏著力。
從容易調整界面剝蝕層11的儲藏彈性模數到所期望的範圍的觀點考慮，較佳為使用交聯劑（B）。作為交聯劑（B），可以使用與丙烯酸系聚合物（A）等所具有的反應性官能基具有反應性的多官能性化合物。作為此多官能性化合物的實例，可列舉：異氰酸酯化合物、環氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、氮丙啶化合物、聯胺(hydrazine)化合物、醛化合物、噁唑啉化合物、金屬烷氧化物化合物、金屬螯合物化合物、金屬鹽、銨鹽、反應性酚樹脂等。
相對於丙烯酸系聚合物（A）100質量份，交聯劑（B）的調配量較佳為0.001質量份以上，特別是更佳為0.1質量份以上，進一步更佳為0.2質量份以上。此外，相對於丙烯酸系聚合物（A）100質量份，交聯劑（B）的調配量較佳為20質量份以下，特別是更佳為10質量份以下，進一步更佳為5質量份以下。
另外，構成界面剝蝕層11的黏著劑可以是具有活性能量線硬化性的黏著劑。作為此活性能量線硬化性黏著劑，可以使用公知的黏著劑，例如可以使用國際公開第2018/084021號中所公開的黏著劑。
為了形成界面剝蝕層11，除了上述的成分之外，黏著性組成物也可以添加其他的添加劑。作為此添加劑的實例，可列舉：增黏劑、染料、顏料等的著色材料、阻燃劑、填料、抗靜電劑等。另外，從容易良好地產生小工件的分離的觀點考慮，此黏著性組成物較佳為不含有氣體產生劑。當使用氣體產生劑時，可能在界面剝蝕層11的全域中產生氣體。在此情況下，可能難以僅在預期位置處產生界面剝蝕，使僅在位於此處的小工件分離，並且難以良好地進行小工件的分離。
（3）界面剝蝕層的厚度 本實施形態的界面剝蝕層11的厚度，較佳為3μm以上，特別是更佳為20μm以上，進一步更佳為25μm以上。此外，界面剝蝕層11的厚度較佳為100μm以下，特別是更佳為50μm以下，進一步更佳為40μm以下。藉由使界面剝蝕層11的厚度在上述範圍內，容易兼顧界面剝蝕層11上之小工件的保持、及因界面剝蝕之小工件的分離。
2.基材 本實施形態的基材12中，關於其組成、物性沒有特別限定。從工件處理片1容易發揮所期望的機能的觀點考慮，基材12較佳為由樹脂所構成。當基材12由樹脂所構成的情況下，作為此樹脂的實例，可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等的聚酯系樹脂；聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯-降冰片烯共聚物、降冰片烯樹脂等的聚烯烴系樹脂；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；乙烯-（甲基）丙烯酸共聚物、乙烯-（甲基）丙烯酸甲酯共聚物，其他的乙烯-（甲基）丙烯酸酯共聚物等的乙烯系共聚樹脂；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等的聚氯乙烯系樹脂；（甲基）丙烯酸酯共聚物；聚胺酯；聚醯亞胺；聚苯乙烯；聚碳酸酯；氟樹脂等。此外，構成基材12的樹脂可以是上述樹脂經交聯的樹脂、上述樹脂的離子聚合物等的改質樹脂。此外，基材12可以是由上述樹脂所組成的單層膜，或者，此膜也可以是由複數積層而成的積層膜。在此積層膜中，構成各層的材料可以是相同種類，也可以是不同種類。
本實施形態的基材12的表面，以提高對於界面剝蝕層11的密接性為目的，可以實施藉由氧化法、凹凸化法等的表面處理，或者，實施底漆處理（primer treatment）。作為上述氧化法，例如可列舉：電暈放電處理、電漿放電處理、鉻氧化處理（濕式）、火炎處理、熱風處理、臭氧、紫外線照射處理等，此外，作為凹凸化法，例如可列舉：噴砂法、溶射處理法等。
本實施形態的基材12可以含有著色劑、阻燃劑、塑化劑、抗靜電劑、潤滑劑、填料等的各種添加劑。此外，當界面剝蝕層11包含因活性能量線而硬化的材料的情況下，基材12較佳為對活性能量線具有透過性。
本實施形態的基材12的製造方法中，只要是由樹脂所製造的基材12，即沒有特別限定。例如，可以藉由T字模法、圓模法等的熔融擠出法；壓延法；乾式法、濕式法等的溶液法，將樹脂成形為片狀而製造。
本實施形態的基材12的厚度較佳為10μm以上，特別是更佳為30μm以上，進一步更佳為50μm以上。此外，基材12的厚度較佳為500μm以下，更佳為300μm以下，特別是較佳為200μm以下，進一步更佳為150μm以下，最佳為100μm以下。藉由使基材12的厚度在上述範圍內，工件處理片1具備剛性及柔軟性的預定的平衡，容易進行小工件的良好處理。
3.剝離片材 本實施形態的界面剝蝕層11中，當包含黏著劑作為構成其的成分之一的情況下，界面剝蝕層11的與基材12相反的一側的面，以保護此面為目的，可以在此面上積層剝離片材直到小工件貼附到此面。
上述剝離片材的構成是任意的，可例示藉由剝離劑等而剝離處理後的塑膠膜。作為此塑膠膜的具體例，可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等的聚酯膜，以及聚丙烯、聚乙烯等的聚烯烴膜。作為上述剝離劑，可以使用矽酮系、氟系、長鏈烷基系等，在這些之中，較佳為以低價獲得安定性能的矽酮系。
關於上述剝離片材的厚度並無特別限定，例如，可以為20μm以上、250μm以下。
4.其他構成 本實施形態之工件處理片1中，也可以在界面剝蝕層11的與基材12相反的一側的面上積層接著劑層。在此工件處理片中，接著劑層的與界面剝蝕層11相反的一側的面貼附工件，藉由將此工件與接著劑層一起切割，個片化的接著劑層可以獲得其所積層的小工件。此晶片中，藉由此個片化的接著劑層，對於此小工件所搭載的對象，可以容易地進行固定。作為構成上述接著劑層的材料，較佳為使用含有熱塑性樹脂及低分子量的熱硬化性接著成分的材料、含有B階（半硬化狀）的熱硬化型接著成分的材料等。
並且，本實施形態之工件處理片1中，也可以在界面剝蝕層11的與基材12相反的一側的面上積層保護膜形成層。在此工件處理片中，保護膜形成層的與界面剝蝕層11相反的一側的面貼附工件，藉由將此工件與保護膜形成層一起切割，可以獲得個片化的保護膜形成層所積層的小工件。作為此工件，較佳為使用在一個面上形成有電路的工件，在此情況下，通常，在與形成此電路的面相反的一側的面上積層有保護膜形成層。個片化的保護膜形成層中，藉由在預定的時間使其硬化，可以在小工件上形成具有充分耐久性的保護膜。保護膜形成層較佳為由未硬化的硬化性接著劑所組成。
5.工件處理片的物理性質 本實施形態之工件處理片中，在波長355nm的光線的吸光度較佳為2.0以上，更佳為2.5以上，特別是較佳為3.0以上，進一步更佳為3.5以上。藉由使在波長355nm的光線的吸光度為2.0以上，可以減低雷射光的照射時到達小工件的紫外區的光線的量，可以有效果地在抑制小工件的表面的損傷的同時，進行小工件的分離。另外，關於上述吸光度的上限值沒有特別限定，例如可以為6.0以下。另外，上述吸光度的測定方法的詳細內容如後述記載的試驗例所述。
本實施形態之工件處理片中，在波長355nm的光線的透過率較佳為1.0%以下，更佳為0.5%以下，特別是較佳為0.3%以下，進一步更佳為0.1%以下。藉由使在波長355nm的光線的透過率為0.3%以下，可以減低雷射光的照射時到達小工件的紫外區的光線的量，可以有效果地在抑制小工件的表面的損傷的同時，進行小工件的分離。另外，關於上述透過率的下限值沒有特別限定，例如可以為0.00001%以上，特別是可以為0.0001%以上。此外，上述透過率的測定方法的詳細內容如後述記載的試驗例所述。
本實施形態之工件處理片中，對於矽晶圓的鏡面的黏著力，較佳為10mN/25mm以上，特別是更佳為100mN/25mm以上，進一步更佳為200mN/25mm以上。藉由使上述黏著力為90mN/25mm以上，容易將小工件等的被著體良好地固定在工件處理片上，使處理性更加優異。此外，上述黏著力較佳為30000mN/25mm以下，特別是更佳為15000mN/25mm以下，進一步更佳為10000mN/25mm以下。藉由使上述黏著力為30000mN/25mm以下，因雷射光照射而使小工件的分離更加容易良好地進行。
6.工件處理片的製造方法 本實施形態之工件處理片1的製造方法沒有特別限定。例如，可以是使界面剝蝕層11直接形成在基材12上，或者，也可以是在工程片材上形成界面剝蝕層11之後，使此界面剝蝕層11轉印到基材12上。
當界面剝蝕層11包含黏著劑作為構成其的成分之一的情況下，可以藉由公知的方法進行此界面剝蝕層11的形成。例如，調製含有用於形成界面剝蝕層11的黏性組成物、以及如果需要進一步含有溶媒或分散媒的塗佈液。然後，在基材的一個面或剝離片材的具有剝離性的面（以下，有時稱為「剝離面」）塗佈上述塗佈液。隨後，藉由使所獲得的塗膜乾燥，可以形成界面剝蝕層11。
上述塗佈液的塗佈可以藉由公知的方法進行，例如，可以藉由棒塗法、刀塗法、輥塗法、刮塗法、模塗法、凹版塗布法等來進行。另外，塗佈液只要是可以進行塗佈即可，其性狀沒有特別限定，在某些情況下，用於形成界面剝蝕層11的成分以作為溶質的形式而含有，而在其他情況下，其以作為分散質的形式而含有。此外，當在剝離片材上形成界面剝蝕層11的情況下，可以將此剝離片材作為工程材料而剝離，也可以保護界面剝蝕層11直到貼附到被著體上。
當用於形成界面剝蝕層11的黏著性組成物含有上述交聯劑的情況下，較佳為藉由改變上述的乾燥的條件（溫度、時間等），或藉由另外設置的加熱處理，使塗膜內的聚合物成分與交聯劑之間進行交聯反應，在界面剝蝕層11內以所期望的存在密度來形成交聯結構。進一步地，為了使上述交聯反應充分地進行，在工件處理片1的完成後，可以進行例如在23°C、相對濕度為50%的環境中靜置數日間等的硬化。
7.工件處理片的使用方法 本實施形態之工件處理片1中，可以適用於小工件的處理。如上所述，本實施形態之工件處理片1中，由於界面剝蝕層11因雷射光的照射而有效率地進行界面剝蝕，可以將在界面剝蝕層11上所保持的小工件朝向預定的位置高精度地分離。
作為本實施形態之工件處理片1的使用方法的一實例，可列舉因使界面剝蝕層11中局部地產生界面剝蝕，而將在界面剝蝕層11的與基材12相反的面上所保持的複數個小工件之中的任意的小工件，從界面剝蝕層11選擇性地進行分離的使用方法。
在上述使用方法中，界面剝蝕層11上所保持的複數個小工件，可以為將在界面剝蝕層11的與基材12相反的面上所保持的工件（成為小工件的材料），藉由在此面上進行個片化而獲得。亦即，小工件可以藉由在界面剝蝕層11上將工件進行切割而獲得。或者，小工件可以是獨立於本實施形態之工件處理片1而形成，並載置在界面剝蝕層11上。
另外，當本實施形態之工件處理片1具備上述接著劑層、保護膜形成層的情況下，較佳為將這些層及工件在界面剝蝕層11上進行切割。藉此，可以獲得個片化的這些層所積層的小工件。
雖然關於本實施形態的小工件的形狀、尺寸沒有特別限定，但關於尺寸，小工件在平面觀察時的面積較佳為10μm 2以上，特別是更佳為100μm 2以上。此外，小工件在平面觀察時的面積較佳為1mm 2以下，特別是更佳為0.25mm 2以下。此外，作為小工件的尺度，當小工件為矩形的情況下，小工件的最小邊較佳為2μm以上，特別是更佳為5μm以上，進一步更佳為10μm以上。此外，上述最小邊較佳為1mm以下，特別是更佳0.5mm以下。作為矩形的小工件的尺度的具體例，可列舉2μm×5μm、10μm×10μm、0.5mm×0.5mm、1mm×1mm等。本實施形態之工件處理片1中，即使是這樣的微細的小工件，特別是難以因向上推針而從工件處理片分離的微細的小工件，也可以良好地進行處理。另一方面，本實施形態之工件處理片1中，關於面積超過1mm 2（例如1mm 2～2000mm 2）、厚度為1～10000μm（例如10～1000μm）等相對較大尺寸的小工件，也可以良好地進行處理。
作為小工件，可列舉半導體零件、半導體裝置等，更具體來說，可列舉：微發光二極體、功率元件、MEMS（Micro Electro Mechanical Systems）等。在這些之中，小工件較合適為發光二極體，特別是較佳為選自次毫米發光二極體及微發光二極體中的發光二極體。近年來，研究以高密度配置有次毫米發光二極體、微發光二極體的裝置的開發，在這樣的裝置的製造中，可以高精度地處理這些發光二極體的本實施形態之工件處理片1是非常合適的。
以下，作為工件處理片1的具體使用例，基於第2圖來說明裝置製造方法。此裝置製造方法至少具備三個步驟：準備步驟（第2圖的（a））、配置步驟（第2圖的（b））及分離步驟（第2圖的（c）及（d））。
在準備步驟中，如第2圖的（a）所示，準備在本實施形態之工件處理片1的界面剝蝕層12側的面上保持有複數個小工件2的積層體。此積層體可以藉由在工件處理片1上載置另外製作的小工件2來準備，或者，可以將在界面剝蝕層11側的面上所保持的工件，藉由在此面上進行個片化（即進行切割）來準備。此切割可以以公知的方法進行。
小工件2的形狀、尺寸，如上所述，沒有特別限定，較佳的尺寸也如上所述。關於小工件2的具體例，如上所述，可列舉：半導體零件、半導體裝置等，特別是可列舉：次毫米發光二極體、及微發光二極體等的發光二極體。
在隨後的配置步驟中，如第2圖的（b）所示，以使上述積層體的小工件2側的面，面對於可以收容小工件2的對象物3的方式配置上述積層體。對象物3的實例，對應於製造的裝置而適當地確定，但當小工件2是發光二極體的情況下，作為對象物3的具體例，可列舉：基板、片材、捲軸等。特別是使用設置有配線的配線基板較合適。
之後，在分離步驟中，首先，如第2圖的（c）所示，對上述積層體的界面剝離層11的至少一個小工件2所貼附的位置照射雷射光，此照射可以對於小工件2所貼附的複數個位置同時進行，或者，可以按照順序對這些位置進行照射。作為雷射光的照射條件，只要可以產生界面剝離即不受限定。作為用於照射的裝置，可以使用公知的裝置。
藉由上述照射，如第2圖的（d）所示，可以在界面剝蝕層11中所被照射的位置產生界面剝蝕。具體來說，因雷射光的照射，在界面剝蝕層11的靠近基材12的區域中，使構成此區域的成分蒸發或揮發而成為反應區域13。然後，因上述蒸發或揮發所產生的氣體累積在基材11及反應區域13之間而形成氣泡5。藉由此氣泡5的形成，在小工件2'位置的界面剝蝕層11局部地變形，以小工件2'從界面剝蝕層11剝落的方式分離小工件2'。如上所述，可以將存在於產生此界面剝蝕的位置的小工件2'載置到對象物3上。
另外，因雷射光照射而產生的反應區域13及氣泡5，通常，在小工件2'分離後也將會殘留。第3圖顯示按照順序進行雷射光的照射來分離小工件2的樣子，特別是，顯示分離後的狀態（左側兩個）、分離中的狀態（中央那個）、及分離前的狀態（右側兩個）。如圖所示，通常，與分離中的氣泡5相比，分離後的氣泡5處於稍微洩氣的狀態。
當界面剝蝕層11含有活性能量線硬化性黏著劑作為構成其的成分之一的情況下，此界面剝蝕層11可以因上述雷射光的照射而硬化。然後，藉由此硬化，使界面剝蝕層11對於小工件2的黏著力降低，再加上藉由上述界面剝蝕的作用，可以使小工件2'良好地產生分離。或者，對於上述界面剝蝕層11，可以與上述雷射光的照射進行不同的活性能量線的照射，藉此使對於小工件2的黏著力降低。這樣的活性能量線的照射，可以在雷射光的照射之前或之後進行。此外，此活性能量線的照射，對於界面剝蝕層11可以局部地進行，或者，也可以對於界面剝蝕層11的整個面上進行。上述活性能量線的照射的照射條件、照射裝置沒有特別限定，可以使用公知的條件及公知的裝置。
上述裝置製造方法可以具備除準備步驟、配置步驟及分離步驟以外的步驟。例如，在準備步驟及分離步驟之間任意的時間，可以進行研磨、晶粒接合、引線接合、塑模、檢查、轉印步驟等。
根據以上說明的裝置製造方法，可以藉由適當選擇使用的小工件2、對象物3來製造各種裝置。例如，作為小工件2，當使用選自次毫米發光二極體及微發光二極體的發光二極體的情況下，可以製造具備複數個這樣的發光二極體的發光裝置，更具體地說，可以製造顯示器。特別是，可以製造具備作為畫素的微發光二極體的顯示器、及可以製造具備作為背光的複數個次毫米發光二極體的顯示器。
以上已說明本發明之實施形態，但這些實施形態係為了便於理解本發明而記載，並非為了限定本發明而記載。因此，上述實施形態揭示之各要素，其主旨在於尚包含隸屬本發明技術範圍之所有設計變更或均等物。
例如，本實施形態之工件處理片1中，在界面剝蝕層11及基材12之間，或是在基材12的與界面剝蝕層11相反的一側的面上，可以積層其他層。作為此其他層的具體例，可列舉黏著劑層。在此情況下，可以將此黏著劑層側的面在貼附支撐台（玻璃板等的透明基板）的狀態下，進行上述的分離步驟等。
作為構成上述黏著劑層的黏著劑，沒有特別限定，但較佳為難以吸收活性能量線且難以遮斷活性能量線的黏著劑。在此情況下，當透過此黏著劑層而照射雷射光的情況下，此雷射光容易到達界面剝蝕層11，容易產生良好地界面剝蝕。具體來說，作為構成上述黏著劑層的黏著劑，較佳為使用不具有活性能量線硬化性的黏著劑，特別是更佳為使用不含有活性能量線硬化性成分的黏著劑。藉由使用不具有活性能量線硬化性的黏著劑，即使在照射上述雷射光的情況下，上述黏著劑層也不會硬化，藉此可以防止工件處理片1從透明基板發生預料之外的剝離。作為上述黏著劑層的厚度，沒有特別限定，但例如較佳為5～50μm。
[實施例] 以下，藉由實施例等更進一步具體地說明本發明，但本發明的範圍不限於這些的實施例等。
[實施例1] （1）黏著性組成物的調製 將丙烯酸2-乙基己酯80質量份、丙烯酸2-羥乙酯20質量份藉由溶液聚合法使其聚合而獲得丙烯酸系聚合物。此丙烯酸系聚合物的重量平均分子量（Mw）藉由後述的方法測定，結果為60萬。
將上述得到的丙烯酸系聚合物100質量份（固體含量換算，以下同）、作為交聯劑的三羥甲基丙烷改質甲苯二異氰酸酯（TOSOH公司製，製品名「Coronate L」）0.94質量份、作為紫外線吸收劑的參[2,4,6-[2-{4-（辛基-2-甲基乙酸酯）氧基-2-羥基苯基}]-1,3,5-三嗪（羥基苯基三嗪系紫外線吸收劑，BASF公司製，製品名「Tinuvin477」）2.0質量份在溶媒中混合，獲得黏著性組成物的塗佈液。
（2）界面剝蝕層（黏著劑層）的形成 對於在厚度38μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜的一個面上形成矽酮系的剝離劑層的剝離片材（琳得科公司製，製品名「SP-PET38131」）的剝離面，將上述步驟（1）得到的黏著性組成物的塗佈液進行塗佈，並將獲得的塗膜藉由加熱而使其乾燥。藉此，獲得塗膜乾燥而成的厚度為30μm的界面剝蝕層、及與剝離片材積層而成的積層體。
（3）工件處理片的製作 藉由使上述步驟（2）所得到的積層體的界面剝蝕層側的面、與作為基材的聚對苯二甲酸乙二酯膜（三菱化學公司製，製品名「T-910 WM19」，厚度：50μm）的一個面貼合，獲得貼附有剝離片材的工件處理片。
其中，上述重量平均分子量（Mw）是使用凝膠滲透層析法（Gel Permeation Chromatography, GPC）在以下的條件進行測定（GPC測定）的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量。 ＜測定條件＞ ・測定裝置：TOSOH公司製，HLC-8320 ・GPC管柱（按以下的順序通過）：TOSOH公司製 TSK gel superH-H TSK gel superHM-H TSK gel superH2000 ・測定溶媒：四氫呋喃 ・測定溫度：40℃
[實施例2～14及比較例1～2] 除了交聯劑的含量、及紫外線吸收劑的種類及含量如表1所示變更以外，以與實施例1相同的方式製造工件處理片。
[實施例15] 作為基材，將含有乙烯-甲基丙烯酸共聚物的樹脂組成物（Mitsui Dupont polychemical公司製，製品名「NUCREL NH903C」），藉由在小型T型模具擠壓機（東洋精機製作所公司製，製品名「LABO PLASTOMILL」）擠製成形而獲得厚度為80μm的基材（聚烯烴系基材），使用此基材的同時，除了將紫外線吸收劑的含量如表1所示變更以外，以與實施例1相同的方式製造工件處理片。
[試驗例1]（雷射剝離適性的評價） （1）工件處理片上的晶片的準備（準備步驟） （1-1）實施例1～13及15、及比較例1～2 在矽晶圓（#2000，厚度：350μm）的一個面上，將切割片材（琳得科公司製，製品名「D-485H」）的黏著面進行貼附。隨後，在此切割片材的上述黏著面的周緣部（不與矽晶圓重疊的位置）使切割用環框（Ring frame）附著。進一步地，根據環框的外徑來裁斷切割片材。之後，使用切割裝置（DISCO公司製，製品名「DFD6362」），將矽晶圓切割成具有300μm × 300μm的尺寸的晶片。之後，對切割片材照射紫外線（照度為230mW/cm 2，光量為190mJ/cm 2）。藉此，獲得在切割片材上設置有複數個晶片的積層體。
隨後，從實施例及比較例所製造的工件處理片將剝離片材進行剝離，藉此將所露出的露出表面、及如上述獲得的積層體中存在有複數個晶片的面進行貼合。之後，從複數個晶片將切割片材進行剝離。藉此，複數個晶片從切割片材轉印到工件處理片上，獲得在工件處理片上設置有複數個晶片的積層體。
（1-2）實施例14 從實施例14所製造的工件處理片將剝離片材進行剝離，藉此將所露出的露出表面貼附在矽晶圓（#2000，厚度：350μm）的一個面。隨後，在上述工件處理片的上述露出面的周緣部（不與矽晶圓重疊的位置）使切割用環框附著。進一步地，根據環框的外徑來裁斷切割片材。之後，使用切割裝置（DISCO公司製，製品名「DFD6362」），將矽晶圓切割成具有300μm × 300μm的尺寸的晶片。藉此，獲得在工件處理片上設置有複數個晶片的積層體。
（2）因照射雷射光而使晶片分離（分離步驟） 關於上述步驟（1）中所獲得的工件處理片上設置有複數個晶片的積層體，使用雷射光照射裝置，透過工件處理片對晶片照射雷射光。此照射使用2種類型的雷射光照射裝置來進行，關於實施例1～3及5～15、以及比較例1，使用第1種類型的雷射光照射裝置（在表1中以「類型1」表記）來進行。關於實施例4及比較例2，使用第2種類型的雷射光照射裝置（在表1中以「類型2」表記）來進行。
（2-1）實施例1～3及5～15、以及比較例1 使用雷射光照射裝置（YAG第三次高調波（波長355nm）及脈波寬度為20ns，光量為700mJ/cm 2），透過工件處理片對晶片照射雷射光。此照射是對於晶片中央的270μm × 270μm的區域來進行。作為其他的照射條件為頻率：30kHz，照射量為50μJ/shot。此外，照射是對於從複數個晶片中選擇100個晶片（縱10個 × 橫10個的一組晶片）來進行。
（2-2）實施例4及比較例2 使用雷射光照射裝置（Keyence公司製，製品名「MD-U1000C」），透過工件處理片對晶片照射雷射光。此照射是對於晶片中央，將雷射光斑以畫圓的方式按照順序進行照射。此時，以雷射光斑的直徑設為25μm，作為照射的軌跡產生的環的內徑成為65μm的方式來進行。作為其他的照射條件為頻率：40kHz、掃描速度：500mm/s、照射量：50μJ/shot。此外，照射是對於從複數個晶片中選擇100個晶片（縱10個 × 橫10個的一組晶片）來進行。
（3）氣泡與晶片分離的確認 關於進行以上的照射的工件處理片及晶片，確認工件處理片的基材與界面剝蝕層的界面是否產生氣泡，以及晶片是否從工件處理片脫離，並基於以下的基準，評價雷射剝離適性。結果如表1所示。 ◎...全部100個晶片的位置都產生氣泡，並且全部100個晶片都脫離。 ○...產生氣泡以及脫離的晶片數為80個以上、未滿100個。 ×...產生氣泡以及脫離的晶片數未滿80個。
[試驗例2]（紫外線吸光度及紫外線透過率的測定） 從實施例及比較例所製造的工件處理片上將剝離片材進行剝離，使界面剝蝕層露出。關於此工件處理片，使用紫外光/可見光/近紅外光分光光度計（島津製作所製，製品名「UV-3600」）及附屬的大型試料室（島津製作所製，製品名「MPC-3100」），測定紫外線吸光度及紫外線透過率（%）。此測定是使用上述分光光度計內置的積分球，將狹縫寬度20nm、波長355nm的光線，朝向界面剝蝕層側的面來照射而進行。結果如表1所示。
[試驗例3]（晶片保護性的評價） 在試驗例1中，關於因照射雷射光而從工件處理片脫離的全部晶片，使用數位顯微鏡（KEYENCE製，製品名「VHX-7000」）在倍率為100倍下，目視確認雷射光的照射面中雷射光照射痕跡的有無，並基於下述的基準來評價晶片保護性。結果如表1所示。 ◎…沒有產生雷射光照射的痕跡。 ○…對於入射的雷射的照射圖案，判斷為痕跡不明瞭而無法判明照射圖案。 ×…對於入射的雷射的照射圖案，判斷為作為痕跡明瞭而可以判明照射圖案。
[試驗例4]（透過膠帶的晶片可見性的評價） 關於試驗例1中轉印到工件處理片的複數個晶片，確認透過工件處理片的晶片表面是否可以經目視來視覺辨認，並基於以下的基準來評價透過膠帶的晶片可見性。 ○...可以視覺辨認。 × ...無法視覺辨認。
另外，表1中所記載的縮寫符號等的詳細內容如下所述。 Tinuvin477：參[2,4,6-[2-{4-（辛基-2-甲基乙酸酯）氧基-2-羥基苯基}]-1,3,5-三嗪（羥基苯基三嗪系紫外線吸收劑，BASF公司製，製品名「Tinuvin477」） Tinuvin479：2-（2-羥基-4-[1-辛基氧羰基乙氧基]苯基）-4,6-雙（4-苯基苯基）-1,3,5-三嗪（羥基苯基三嗪系紫外線吸收劑，BASF公司製，製品名「Tinuvin479」） Tinuvin326：2-（5-氯基-2H-苯并三唑-2-基）-6-（1,1-二甲基乙基）-4-甲基酚（苯并三唑系紫外線吸收劑，BASF公司製，製品名「Tinuvin326」） CYASORB UV-24：2,2'-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮（二苯甲酮系紫外線吸收劑，SOLVAY公司製，製品名「CYASORB UV-24」） PET：聚對苯二甲酸乙二酯膜（三菱化學公司製，製品名「T-910 WM19」，厚度：50μm） PO：聚烯烴系膜（含有乙烯-甲基丙烯酸共聚物的樹脂組成物（Mitsui Dupont polychemical公司製，製品名「NUCREL NH903C」）、藉由小型T型模具擠壓機（東洋精機製作所公司製，製品名「LABO PLASTOMILL」）擠製成形而獲得厚度為80μm的膜。
[表1]
      黏著性組成物的組成(質量部) 基材的 種類 雷射剝離適性 紫外線 吸光度 紫外線 透過率 (%) 晶片保護性 透過膠帶的晶片可見性
丙烯酸系 聚合物 交聯劑 紫外線吸收劑 準備步驟 雷射光 照射裝置 的種類 評價
Tinuvin 477 Tinuvin 479 Tinuvin 326 CYASORB
實施例1 100 0.94 2.0 - - - PET 轉印個片化後的晶片 類型1 ○ 3.1 0.07 ◎ ○
實施例2 100 0.94 5.0 - - - 類型1 ◎ 3.3 0.03 ◎ ○
實施例3 100 0.94 10.0 - - - 類型1 ◎ 3.5 0.02 ◎ ○
實施例4 100 0.94 10.0 - - - 類型2 ◎ 3.5 0.02 ◎ ○
實施例5 100 0.94 20.0 - - - 類型1 ◎ 3.5 0.02 ◎ ○
實施例6 100 0.94 100.0 - - - 類型1 ◎ 3.6 0.01 ◎ ○
實施例7 100 0.94 200.0 - - - 類型1 ◎ 3.6 0.01 ◎ ○
實施例8 100 0.94 250.0 - - - 類型1 ◎ 3.6 0.03 ◎ ○
實施例9 100 0.94 - 10.0 - - 類型1 ◎ 3.4 0.03 ◎ ○
實施例10 100 0.94 5.0 5.0 - - 類型1 ◎ 3.2 0.06 ◎ ○
實施例11 100 0.94 - - 10.0 - 類型1 ◎ 3.3 0.04 ◎ ○
實施例12 100 0.94 - - - 10.0 類型1 ◎ 2.9 0.02 ◎ ○
實施例13 100 4.70 10.0 - - - 類型1 ◎ 3.5 0.02 ◎ ○
實施例14 100 0.94 10.0 - - - 在工件處理片上切割 類型1 ◎ 3.5 0.02 ◎ ○
實施例15 100 0.94 10.0 - - - PO 轉印個片化後的晶片 類型1 ◎ 3.5 0.02 ◎ ○
比較例1 100 0.94 - - - - PET 類型1 × 0.2 88 × ○
比較例2 100 0.94 - - - - 類型2 × 0.2 88 × ○
從表1可知，在實施例所製造的工件處理片中，雷射剝離適性優異。進一步地，在實施例所製造的工件處理片中，紫外線透過率充分地降低，同時晶片保護性及透過膠帶的晶片可見性優異。 [產業上的可利用性]
本發明的工件處理片可以適用於製造具備微發光二極體作為畫素的顯示器等。
1:工件處理片 11:界面剝蝕層 12:基材 13:反應區域 2,2':小工件 3:對象物 4:雷射光 5:氣泡 6:雷射光照射點
第1圖是本發明的一實施形態之工件處理片的剖面圖。 第2圖是說明本發明的一實施形態之使用工件處理片的裝置製造方法的剖面圖。 第3圖是說明因雷射光的照射而產生的氣泡及反應區域的狀態的剖面圖。
1:工件處理片
11:界面剝蝕層
12:基材

Claims (21)

  1. 一種工件處理片，具備： 基材；以及 界面剝蝕層，積層在前述基材的一個面側上，可以在保持小工件的同時，因雷射光的照射而進行界面剝蝕； 其特徵在於：前述界面剝蝕層含有紫外線吸收劑。
  2. 如請求項1所述的工件處理片，其中前述紫外線吸收劑為有機化合物。
  3. 如請求項1所述的工件處理片，其中前述紫外線吸收劑為具有1個以上的雜環的化合物。
  4. 如請求項1所述的工件處理片，其中 前述紫外線吸收劑具有碳環及雜環中的至少一種， 前述紫外線吸收劑所具有的全部的前述碳環及前述雜環每個都是單環。
  5. 如請求項1所述的工件處理片，其中前述紫外線吸收劑為具有複數個芳香環的化合物。
  6. 如請求項1所述的工件處理片，其中前述界面剝蝕層中的紫外線吸收劑的含量為1質量%以上、75質量%以下。
  7. 如請求項1所述的工件處理片，其中前述工件處理片在波長355nm的光線的吸光度為2.0以上。
  8. 如請求項1所述的工件處理片，其中前述工件處理片在波長355nm的光線的透過率為1.0%以下。
  9. 如請求項1所述的工件處理片，其中前述界面剝蝕層為黏著劑層。
  10. 如請求項9所述的工件處理片，其中構成前述黏著劑層的黏著劑為丙烯酸系黏著劑。
  11. 如請求項1所述的工件處理片，其中前述雷射光具有紫外區的波長。
  12. 如請求項1所述的工件處理片，其中在使前述界面剝蝕層產生界面剝蝕時，在該界面剝蝕所產生的位置形成氣泡。
  13. 如請求項1所述的工件處理片，其是為了藉由使前述界面剝蝕層中局部地產生的界面剝蝕，將複數個小工件之中的任意的小工件從前述界面剝蝕層選擇性地分離而使用，前述複數個小工件保持在前述界面剝蝕層中與前述基材相反的面上。
  14. 如請求項13所述的工件處理片，其中將保持在前述界面剝蝕層中與前述基材相反的面上的工件，藉由在該面上進行個片化而得到前述小工件。
  15. 如請求項13所述的工件處理片，其中前述小工件為選自半導體零件及半導體裝置中的至少一種。
  16. 如請求項13所述的工件處理片，其中前述小工件為選自次毫米發光二極體（mini LED）及微發光二極體（micro LED）中的發光二極體。
  17. 一種裝置製造方法，其特徵在於，具備： 準備步驟，在具備基材、積層在前述基材的一個面側上且含有紫外線吸收劑的界面剝蝕層的工件處理片中，準備在前述界面剝蝕層側的面上保持有複數個小工件的積層體； 配置步驟，以使前述積層體的前述小工件側的面，面對於可以收容前述小工件的對象物的方式配置前述積層體；以及 分離步驟，對前述積層體的前述界面剝離層的至少一個前述小工件所貼附的位置照射雷射光，藉由使前述界面剝蝕層的前述照射位置產生界面剝蝕，將產生前述界面剝離的位置所存在的前述小工件從前述工件處理片分離，以將前述小工件載置到前述對象物上。
  18. 如請求項17所述的裝置製造方法，其中在前述準備步驟中，將保持在前述界面剝蝕層中與前述基材相反的面上的工件，藉由在前述面上進行個片化而得到前述小工件。
  19. 如請求項17所述的裝置製造方法，其中前述小工件為選自半導體零件及半導體裝置中的至少一種。
  20. 如請求項17所述的裝置製造方法，其中使用選自次毫米發光二極體及微發光二極體中的發光二極體作為前述小工件，製造具備複數個前述發光二極體的發光裝置。
  21. 如請求項20所述的裝置製造方法，其中前述發光裝置為顯示器。
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