TW202238713A - 切割裝置 - Google Patents
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Abstract
[課題]提供能抑制切割刀片的腐蝕之切割裝置。[解決手段]一種切割裝置,其切割被加工物,且具備:卡盤台,其保持被加工物;以及切割單元,其裝設包含環狀的基台與切刃之切割刀片,所述切刃包含磨粒及固定磨粒之結合材且沿著基台的外周緣而形成,並且,切割單元具備:主軸;刀片安裝件,其裝設於主軸的前端部;以及固定螺帽,其將切割刀片固定於刀片安裝件,並且,在刀片安裝件或固定螺帽設置有腐蝕層,所述腐蝕層係以比構成結合材之材質更高離子化傾向的材質而成。
Description
本發明關於切割被加工物之切割裝置。
在元件晶片的製造流程中,係使用在由格子狀地排列之多條切割道(分割預定線)所劃分之多個區域分別形成有元件之晶圓。沿著切割道分割此晶圓,藉此能得到分別具備元件之多個元件晶片。元件晶片被安裝至行動電話、個人電腦等各式各樣的電子設備。
晶圓的分割能使用切割裝置。切割裝置具備保持被加工物之卡盤台與對被加工物施行切割加工之切割單元。切割單元內置有主軸,主軸的前端部裝設切割被加工物之環狀的切割刀片(參照專利文獻1)。藉由使切割刀片旋轉並切入被卡盤台保持之晶圓而切割、分割晶圓。
在以切割裝置切割被加工物之際,會將純水等液體(切割液)供給至被加工物及切割刀片。藉由供給切割液,而冷卻被加工物與切割刀片,且沖洗由切割所產生之屑(切割屑)。然而,純水的電阻率高,因此若在切割加工期間將純水作為切割液而供給至被加工物及切割刀片,則在高速旋轉之切割刀片與被加工物的接觸區域變得容易產生靜電。藉此,有形成於被加工物之元件發生靜電破壞而元件晶片的良率降低之虞。
於是,提出使用混合有二氧化碳之純水(碳酸水)作為切割液之方法(參照專利文獻2、3)。與純水相比,碳酸水的電阻率較小,因此即使在切割加工期間被供給至被加工物及切割刀片也難以產生靜電。藉此,抑制元件的靜電破壞。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2000-87282號公報
[專利文獻2]日本特開平8-130201號公報
[專利文獻3]日本特開平11-300184號公報
[發明所欲解決的課題]
使用切割裝置切割被加工物之際,若持續將切割液供給至切割刀片,則切割刀片會因切割液而腐蝕、消耗。尤其,若使用混合有二氧化碳之純水作為切割液,則容易進行切割刀片的腐蝕。其結果,切割刀片的強度降低,變得容易產生切割刀片的破損或被加工物的加工不良。
本發明為鑑於此問題所完成者,其目的在於提供能抑制切割刀片的腐蝕之切割裝置。
[解決課題的技術手段]
根據本發明的一態樣,提供一種切割裝置,其切割被加工物,且具備:卡盤台,其保持該被加工物;以及切割單元,其裝設包含環狀的基台與切刃之切割刀片,所述切刃包含磨粒及固定該磨粒之結合材且沿著該基台的外周緣而形成,並且,該切割單元具備:主軸;刀片安裝件,其裝設於該主軸的前端部;以及固定螺帽,其將該切割刀片固定於該刀片安裝件,並且,在該刀片安裝件或該固定螺帽設置有腐蝕層,所述腐蝕層係以比構成該結合材之材質更高離子化傾向的材質而成。
並且,根據本發明的另一態樣,提供一種切割裝置,其切割被加工物,且具備:卡盤台,其保持該被加工物;以及切割單元,其裝設包含環狀的基台與切刃之切割刀片,所述切刃包含磨粒及固定該磨粒之結合材且沿著該基台的外周緣而形成,並且,該切割單元具備:主軸;刀片安裝件,其裝設於該主軸的前端部;以及固定螺帽,其將該切割刀片固定於該刀片安裝件,並且,該刀片安裝件或該固定螺帽係以比構成該結合材之材質更高離子化傾向的材質而成。
此外,較佳為該結合材及該腐蝕層係藉由含有硫之鎳電鍍層所構成,該腐蝕層中之硫的含有率高於該結合材中之硫的含有率。並且,較佳為該腐蝕層中之硫的含有率為該結合材中之硫的含有率的1.2倍以上。
[發明功效]
在本發明的一態樣之切割裝置中,在刀片安裝件與固定螺帽的其中一者或兩者設置有腐蝕層,所述腐蝕層係以比構成切割刀片的切刃的結合材之材質更高離子化傾向的材質而成。藉此,將切割液供給至切割刀片之際,腐蝕層會優先犧牲性地腐蝕,而抑制切割刀片的切刃的腐蝕。
以下,參照隨附圖式說明本實施方式。首先,說明本實施方式之切割裝置的構成例。圖1係表示切割裝置2之立體圖。此外,在圖1中,X軸方向(加工進給方向、左右方向、第一水平方向)與Y軸方向(分度進給方向、前後方向、第二水平方向)是指互相垂直的方向。並且,Z軸方向(垂直方向、上下方向、高度方向)是與X軸方向及Y軸方向垂直的方向。
切割裝置2具備基台4,所述基台4支撐及容納構成切割裝置2之各構成要素。在基台4的上側設置有覆蓋基台4的上表面側之蓋6。在蓋6的內部形成有進行被加工物11的加工之空間(加工室),在加工室內設置有對被加工物11施行切割加工之切割單元8。
在切割單元8裝設切割被加工物11之工具,亦即環狀的切割刀片(電鑄磨石)20。並且,切割單元8係與使切割單元8沿著Y軸方向及Z軸方向移動之滾珠螺桿式的移動機構(未圖示)連結。
在切割單元8的下方設置有保持被加工物11之卡盤台(保持台)10。卡盤台10的上表面為與水平方向(XY平面方向)大致平行的平坦面,且構成保持被加工物11之保持面10a。保持面10a透過形成於卡盤台10的內部之流路(未圖示)、閥等而與噴射器等吸引源(未圖示)連接。
卡盤台10係與使卡盤台10沿著X軸方向移動之滾珠螺桿式的移動機構(未圖示)連結。並且,卡盤台10係與使卡盤台10繞著與Z軸方向大致平行的旋轉軸進行旋轉之馬達等旋轉驅動源(未圖示)連結。
在基台4的前方側的角部設置有卡匣載置台12。在卡匣載置台12的上表面上載置能容納多個被加工物11之卡匣14。並且,卡匣載置台12係與使卡匣載置台12沿著Z軸方向移動(升降)之升降機構(未圖示)連結。藉由升降機構而調節卡匣14的高度(Z軸方向上的位置),以適當地進行從卡匣14搬出被加工物11及將被加工物搬入卡匣14。
例如,被加工物11為以矽等半導體材料而成之圓盤狀的晶圓,且具備互相大致平行的正面及背面。被加工物11係藉由以互相交叉之方式排列成格子狀之多條切割道(分割預定線)而被劃分成多個矩形狀的區域。並且,在由切割道所劃分之區域的正面側分別形成有IC(Integrated Circuit,積體電路)、LSI(Large Scale Integration,大型積體電路)、LED(Light Emitting Diode,發光二極體)、MEME(Micro Electro Mechanical Systems,微機電系統)元件等元件。若藉由切割裝置2而將被加工物11沿著切割道進行切割、分割,則製造出分別具備元件之多個元件晶片。
但是,被加工物11的材質、形狀、構造、大小等並無限制。例如,被加工物11可為以矽之外的半導體(GaAs、InP、GaN、SiC等)、藍寶石、玻璃(石英玻璃、硼矽酸玻璃等)、樹脂、陶瓷、金屬而成之晶圓(基板)。並且,元件的種類、數量、形狀、構造、大小、配置等亦無限制,被加工物11亦可未形成有元件。再者,被加工物11可為CSP(Chip Size Package,晶片級封裝)基板、QFN(Quad Flat Non-leaded package,四方平面無引腳封裝)基板等封裝基板。
在藉由切割裝置2而將被加工物11進行加工之際,為了方便處理(搬送、保持等)被加工物11,係藉由環狀的框架13而支撐被加工物11。框架13係以SUS(不銹鋼)等金屬而成,且在框架13的中央部設置有在厚度方向貫通框架13之圓形的開口。框架13的開口的直徑大於被加工物11的直徑,被加工物11配置於框架13的開口的內側。
在被加工物11及框架13貼附膠膜15。膠膜15包含形成為圓形之薄膜狀的基材與設置於基材上之黏著層(糊層)。例如,基材係以聚烯烴、聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯等樹脂而成。並且,黏著層係以環氧系、丙烯酸系或橡膠系的接著劑等而成。此外,黏著層可為藉由紫外線的照射而硬化之紫外線硬化型的樹脂。
若將膠膜15的中央部貼附於被加工物11的背面(下表面)側,且將膠膜15的外周部貼附於框架13,則被加工物11係透過膠膜15而被框架13支撐。然後,被加工物11在被框架13支撐之狀態下被容納於卡匣14。
在卡匣載置台12的附近設置有搬送被加工物11之搬送機構(未圖示)。例如,搬送機構具備吸引保持框架13的上表面側之多個吸引墊。然後,搬送機構將未加工的被加工物11從卡匣14搬送至卡盤台10,且將加工完畢的被加工物11從卡盤台10搬送至卡匣14。
在蓋6的前表面6a側設置有顯示部(顯示單元、顯示裝置)16。顯示部16係藉由各種顯示器所構成,且顯示與切割裝置2相關之各種資訊。例如,顯示部16可顯示操作畫面、加工狀況、加工條件、被加工物11的圖像等。
此外,顯示部16可為觸控面板式的顯示器。在此情形中,顯示部16發揮作為使用者介面的功能,操作員可藉由顯示部16的觸控操作而將資訊輸入切割裝置2。亦即,顯示部16也發揮作為用於將資訊輸入切割裝置2的輸入部(輸入單元、輸入裝置)的功能。但是,輸入部亦可與顯示部16分開獨立設置。此情形,可使用鍵盤、滑鼠等作為輸入部。
構成切割裝置2之各構成要素(切割單元8、卡盤台10、卡匣載置台12、顯示部16等)係與控制部(控制單元、控制裝置)18連接。控制部18生成控制切割裝置2的各構成要素的動作之控制訊號,並控制切割裝置2的運行。
例如,控制部18係藉由電腦所構成。具體而言,控制部18包含:運算部,其進行切割裝置2的運行所需的運算;以及記憶部,其記憶切割裝置2的運行所使用之各種資訊(資料、程式等)。運算部係包含CPU(Central Processing Unit,中央處理單元)等處理器而構成。並且,記憶部係包含ROM(Read Only Memory,唯讀記憶體)、RAM(Random Access Memory,隨機存取記憶體)等記憶體而構成。
容納於卡匣14之被加工物11係藉由搬送機構而被搬送至卡盤台10上,並被卡盤台10保持。例如,被加工物11係透過膠膜15而配置於卡盤台10的保持面10a上。在此狀態下,若使吸引源的吸引力(負壓)作用於保持面10a,則被加工物11係透過膠膜15而被卡盤台10吸引保持。
被卡盤台10保持之被加工物11係被切割單元8加工。具體而言,切割單元8使切割刀片20旋轉並切入被加工物11,藉此切割被加工物11。此外,切割加工期間,將液體(切割液)供給至被加工物11及切割刀片20。藉由切割液,冷卻被加工物11及切割刀片20,且沖洗因切割加工而產生之屑(加工屑)。然後,加工後的被加工物11被搬送機構搬送,並容納於卡匣14。
圖2(A)係表示切割單元8之立體圖。在切割單元8裝設切割被加工物11之環狀的切割刀片20。切割刀片20具備環狀的基台22與形成於基台22之環狀的切刃24。
基台22係以導電性的金屬(鋁合金等)而成,且包含正面(第一面)22a、背面(第二面)22b及外周緣(側面)22c,所述外周緣(側面)22c係與正面22a及背面22b連接。在基台22的中央部設置有在厚度方向貫通基台22之圓柱狀的開口部22d。並且,在基台22的正面22a側設置有從正面22a往基台22的厚度方向突出之環狀的凸部22e。
在基台22的背面22b側,沿著外周緣22c形成有環狀的切刃24。切刃24被形成為從基台22的外周緣22c朝向基台22的半徑方向外側突出。
切刃24包含:磨粒,其係以金剛石、立方氮化硼(cBN:cubic Boron Nitride)等而成;及結合材,其以金屬等而成,且固定磨粒。例如,切刃24係藉由以電沉積於基台22的外周部之鎳將磨粒固定而形成。此情形,切刃24的結合材係藉由鎳電鍍層所構成。但是,磨粒的材質、磨粒的粒徑、結合材的材質等並無限制,係因應被加工物11的材質或加工條件而適當選擇。
切割單元8具備形成為中空的圓柱狀之外殼30。在外殼30容納有沿著Y軸方向配置之圓柱狀的主軸32。主軸32的前端部(一端側)係從外殼30露出。並且,主軸32的基端部(另一端側)係與使主軸32旋轉之馬達等旋轉驅動源(未圖示)連結。
在主軸32的前端部裝設有支撐切割刀片20之刀片安裝件34。刀片安裝件34係以導電性的金屬(鋁合金等)而成,且包含圓盤狀的凸緣部36與圓柱狀的支撐軸(輪轂部)38。例如,刀片安裝件34係藉由螺帽等固定具而固定於主軸32的前端部。
凸緣部36包含正面(第一面)36a、背面(第二面)36b及外周緣(側面)36c,所述外周緣(側面)36c係與正面36a及背面36b連接。並且,在凸緣部36的外周部,沿著外周緣36c設置有從正面36a往凸緣部36的厚度方向突出之環狀的凸部36d。凸部36d的前端面係與正面36a大致平行的平坦面,且構成支撐切割刀片20之支撐面36e。
支撐軸38被設置成從凸緣部36的正面36a的中央部突出。凸緣部36的中心位置與支撐軸38的中心位置大致一致。並且,在支撐軸38的外周面形成有螺紋槽38a。
將環狀的固定螺帽40鎖緊於支撐軸38的螺紋槽38a,所述固定螺帽40將切割刀片20固定於刀片安裝件34。固定螺帽40係以導電性的金屬(鋁合金等)而成,且包含正面(第一面)40a、背面(第二面)40b及外周緣(側面)40c,所述外周緣(側面)40c係與正面40a及背面40b連接。在固定螺帽40的中央部設置有在厚度方向貫通固定螺帽40之圓柱狀的開口部40d。並且,在開口部40d的內部露出之固定螺帽40的內周面,形成有與支撐軸38的螺紋槽38a對應之螺紋槽。
切割刀片20係以將支撐軸38插入開口部22d之方式裝設於刀片安裝件34。在此狀態下,若將固定螺帽40與支撐軸38的螺紋槽38a螺合並擰緊,則切割刀片20會與凸緣部36的支撐面36e及固定螺帽40的背面40b接觸,而被刀片安裝件34與固定螺帽40夾持。藉此,切割刀片20被裝設、固定於刀片安裝件34。然後,切割刀片20藉由從旋轉驅動源透過主軸32及刀片安裝件34所傳遞之動力,而繞著與Y軸方向大致平行的旋轉軸進行旋轉。
圖2(B)係表示裝設有刀片蓋42之切割單元8之立體圖。裝設於切割單元8之切割刀片20係藉由固定於外殼30之箱型的刀片蓋42而被覆蓋。刀片蓋42具備:一對連接部44,其供給切割液;以及一對噴嘴46,其與連接部44連接,且以夾住切割刀片20的下端部之方式配置。在一對噴嘴46分別形成有朝向切割刀片20開口之供給口(未圖示)。
連接部44係與切割液的流路亦即導管、管線等配管連接。然後,被加工物11的切割期間,已供給至連接部44之切割液會流入噴嘴46,並從噴嘴46的供給口朝向切割刀片20的正面及背面進行供給。作為切割液,例如能使用純水。並且,為了抑制切割加工期間之靜電的發生,亦可使用電阻率比純水低的液體。例如,亦可使用混合有二氧化碳之純水(碳酸水)作為切割液。
此外,若在被加工物11的切割期間持續將切割液供給至切割刀片20,則切割刀片20的切刃24會因切割液而腐蝕、消耗。尤其,若使用混合有二氧化碳之純水(碳酸水),則容易進行切刃24的腐蝕。若產生切刃24的腐蝕,則切刃24的強度會降低,變得容易產生切割刀片20的破損或被加工物11的加工不良。
於是,在本實施方式中,在刀片安裝件34與固定螺帽40的其中一者或兩者設置有使犧牲防蝕產生之腐蝕層(犧牲層)。藉此,將切割液供給至切割刀片20之期間,腐蝕層會優先犧牲性地腐蝕,而抑制切刃24的結合材的腐蝕。其結果,抑制切刃24的強度的降低。
圖3係表示刀片安裝件34之立體圖。在刀片安裝件34的中央部設置有在凸緣部36的背面36b開口之圓柱狀的開口部34a。在將刀片安裝件34裝設於主軸32(参照圖2(A))之際,將主軸32的前端部插入開口部34a。
並且,在刀片安裝件34設置有使犧牲防蝕產生之腐蝕層(犧牲層)50。例如,在凸緣部36的背面36b側,以包圍開口部34a之方式形成具有預定寬度之環狀的腐蝕層50。但是,只要腐蝕層50係與刀片安裝件34電性連接,則腐蝕層50的數量、大小、形狀、位置等並無限制。例如,在凸緣部36的背面36b側,亦可沿著凸緣部36的圓周方向大致等間隔地排列多個腐蝕層50。並且,腐蝕層50亦可形成於凸緣部36的正面36a(參照圖2(A))、外周緣36c或支撐軸38。
圖4係表示固定螺帽40之立體圖。在固定螺帽40設置有使犧牲防蝕產生之腐蝕層(犧牲層)52。例如,在固定螺帽40的正面40a側,沿著固定螺帽40的圓周方向大致等間隔地排列具有預定寬度之多個(圖4中為四個)圓弧狀的腐蝕層52。但是,只要腐蝕層52係與固定螺帽40電性連接,則腐蝕層52的數量、大小、形狀、位置等並無限制。例如,亦可沿著固定螺帽40的圓周方向連續性地形成環狀的腐蝕層52。並且,腐蝕層52亦可形成於固定螺帽40的背面40b或外周緣40c。
若將刀片安裝件34裝設於切割刀片20(參照圖2(A)),則切刃24會與凸緣部36的支撐面36e接觸。藉此,切刃24的結合材與腐蝕層50(參照圖3)係透過凸緣部36而電性連接。並且,基台22係與固定螺帽40的背面40b接觸。藉此,切刃24的結合材與腐蝕層52(圖4参照)係透過基台22及固定螺帽40而電性連接。
此外,腐蝕層50(參照圖3)較佳為設置於在將切割刀片20裝設於刀片安裝件34之際與切割刀片20接觸之區域(支撐面36e,參照圖2(A))以外的區域。同樣地,腐蝕層52(參照圖4)較佳為設置於在將切割刀片20裝設於刀片安裝件34之際與切割刀片20接觸之區域(固定螺帽40的背面40b,參照圖2(A))以外的區域。此情形,變得難以產生由腐蝕層50、52與切割刀片20接觸所導致之腐蝕層50、52的磨耗或剝離。
切割加工期間,以預定流量連續性地朝向切割刀片20供給切割液,切割刀片20、刀片安裝件34及固定螺帽40暴露於切割液。在此,腐蝕層50、52係以比構成切割刀片20的切刃24的結合材之材質更大離子化傾向的材質而成。因此,將切割液供給至切割刀片20之期間,腐蝕層50、52會取代切刃24的切刃24而優先腐蝕。具體而言,若將混合有二氧化碳之純水等作為切割液並供給至切割刀片20,則比起切刃24的結合材,會從腐蝕層50、52優先溶出金屬離子,而進行腐蝕層50、52的腐蝕。其結果,藉由腐蝕層50、52的腐蝕而產生抑制切刃24的結合材的腐蝕之犧牲防蝕作用。
腐蝕層50、52的具體的材質可因應切刃24的結合材的材質而適當選擇。例如,在切刃24的結合材係藉由鎳電鍍層所構成之情形中,可將比起鎳更大離子化傾向的鋁、鋅等金屬使用作為腐蝕層50、52。
但是,切刃24的結合材與腐蝕層50、52亦可使用相同的材料而形成。例如,切刃24的結合材與腐蝕層50、52可皆藉由含有硫之鎳電鍍層所構成。此情形,藉由硫的含有量而控制切刃24的結合材與腐蝕層50、52的離子化傾向的大小。具體而言,藉由使腐蝕層50、52中之硫的含有率高於切刃24的結合材中之硫的含有率,而可使腐蝕層50、52的離子化傾向大於切刃24的結合材。
此外,為了充分確保切刃24的結合材與腐蝕層50、52的離子化傾向之差而使犧牲防蝕有效地發動,較佳為將腐蝕層50、52中之硫的含有率設為切刃24的結合材中之硫的含有率的1.2倍以上。例如,腐蝕層50、52中之硫的含有率被設定成0.27質量%以上且0.33質量%以下,切刃24的結合材中之硫的含有率被設定成0.17質量%以上且0.22質量%以下。
腐蝕層50、52的形成方法可因應腐蝕層50、52的材質而適當選擇。例如,在形成含有硫之鎳電鍍層作為腐蝕層50、52之情形中,首先,準備儲存有電鍍液之電鍍槽。作為電鍍液,能使用包含鎳之電解液(硫酸鎳、氯化鎳、胺基磺酸鎳等)。並且,在電鍍液中,添加以預定濃度含有硫之添加液。添加液的添加量係因應腐蝕層50、52的硫的含有量的目標値而進行調節。
接著,使刀片安裝件34及固定螺帽40浸漬於電鍍液。此時,在刀片安裝件34及固定螺帽40形成遮罩,所述遮罩覆蓋形成腐蝕層50、52之區域以外的區域。然後,一邊攪拌電鍍液一邊使直流電流流通電鍍液。藉此,鎳電沉積於刀片安裝件34及固定螺帽40,形成以預定的含有量包含硫之鎳電鍍層(腐蝕層50、52)。
此外,腐蝕層可僅設置於刀片安裝件34與固定螺帽40的其中一者。具體而言,在將腐蝕層50設置於刀片安裝件34之情形中,可省略腐蝕層52。同樣地,在將腐蝕層52設置於固定螺帽40之情形中,可省略腐蝕層50。
如同上述,在本實施方式之切割裝置中,在刀片安裝件34與固定螺帽40的其中一者或兩者設置腐蝕層,所述腐蝕層係以比構成切割刀片20的切刃24的結合材之材質更高離子化傾向的材質而成。藉此,將切割液供給至切割刀片20之際,腐蝕層會優先犧牲性地腐蝕,而抑制切割刀片20的切刃24的腐蝕。
此外,腐蝕層50、52亦可被設置成埋設於刀片安裝件34及固定螺帽40。例如,在刀片安裝件34的凸緣部36的背面36b側,以包圍開口部34a之方式形成環狀的槽。然後,以將槽進行填充之方式形成腐蝕層50。同樣地,在固定螺帽40的正面40a側,以包圍開口部40d之方式形成多個圓弧狀的槽。然後,以將槽進行填充之方式形成腐蝕層52。藉此,變得難以產生腐蝕層50、52的剝離。
並且,亦可使刀片安裝件34及固定螺帽40本身發揮作為犧牲防蝕構件的功能,以取代形成腐蝕層50、52。具體而言,刀片安裝件34及固定螺帽40亦可藉由比構成切割刀片20的切刃24的結合材之材質更高離子化傾向的材質所構成。藉此,能省略將腐蝕層50、52形成於刀片安裝件34及固定螺帽40之步驟。例如,刀片安裝件34係以選自鐵、鉻、鋅、錳、鋁、鋯之金屬的單質、或者包含此等金屬中的至少一種之合金而成。並且,例如固定螺帽40係以選自鐵、鉻、鋅、錳、鈦、鋯之金屬的單質、或者包含此等金屬中的至少一種之合金而成。
此外,亦可僅刀片安裝件34與固定螺帽40的其中一者係藉由比構成切刃24的結合材之材質更高離子化傾向的材質所構成。並且,刀片安裝件34與固定螺帽40分別可整體係藉由比構成切刃24的結合材之材質更高離子化傾向的材質所構成,亦可僅局部的區域係藉由比構成切刃24的結合材之材質更高離子化傾向的材質所構成。
另外,上述實施方式之構造、方法等,只要不脫離本發明目的之範圍,即可進行適當變更並實施。
11:被加工物
13:框架
15:膠膜
2:切割裝置
4:基台
6:蓋
6a:前表面
8:切割單元
10:卡盤台(保持台)
10a:保持面
12:卡匣載置台
14:卡匣
16:顯示部(顯示單元、顯示裝置)
18:控制部(控制單元、控制裝置)
20:切割刀片(電鑄磨石)
22:基台
22a:正面(第一面)
22b:背面(第二面)
22c:外周緣(側面)
22d:開口部
22e:凸部
24:切刃
30:外殼
32:主軸
34:刀片安裝件
34a:開口部
36:凸緣部
36a:正面(第一面)
36b:背面(第二面)
36c:外周緣(側面)
36d:凸部
36e:支撐面
38:支撐軸(輪轂部)
38a:螺紋槽
40:固定螺帽
40a:正面(第一面)
40b:背面(第二面)
40c:外周緣(側面)
40d:開口部
42:刀片蓋
44:連接部
46:噴嘴
50:腐蝕層(犧牲層)
52:腐蝕層(犧牲層)
圖1係表示切割裝置之立體圖。
圖2(A)係表示切割單元之立體圖,圖2(B)係表示裝設有刀片蓋之切割單元之立體圖。
圖3係表示刀片安裝件之立體圖。
圖4係表示固定螺帽之立體圖。
2:切割裝置
4:基台
6:蓋
6a:前表面
8:切割單元
10:卡盤台(保持台)
10a:保持面
11:被加工物
12:卡匣載置台
13:框架
14:卡匣
15:膠膜
16:顯示部(顯示單元、顯示裝置)
18:控制部(控制單元、控制裝置)
20:切割刀片(電鑄磨石)
Claims (4)
- 一種切割裝置,其切割被加工物,且特徵在於具備: 卡盤台,其保持該被加工物;以及 切割單元,其裝設包含環狀的基台與切刃之切割刀片,該切刃包含磨粒及固定該磨粒之結合材且沿著該基台的外周緣而形成, 該切割單元具備:主軸;刀片安裝件,其裝設於該主軸的前端部;以及固定螺帽,其將該切割刀片固定於該刀片安裝件, 在該刀片安裝件或該固定螺帽設置有腐蝕層,該腐蝕層係以比構成該結合材之材質更高離子化傾向的材質而成。
- 如請求項1之切割裝置,其中,該結合材及該腐蝕層係藉由含有硫之鎳電鍍層所構成, 該腐蝕層中之硫的含有率高於該結合材中之硫的含有率。
- 如請求項2之切割裝置,其中,該腐蝕層中之硫的含有率為該結合材中之硫的含有率的1.2倍以上。
- 一種切割裝置,其切割被加工物,且特徵在於具備: 卡盤台,其保持該被加工物;以及 切割單元,其裝設包含環狀的基台與切刃之切割刀片,該切刃包含磨粒及固定該磨粒之結合材且沿著該基台的外周緣而形成, 該切割單元具備:主軸;刀片安裝件,其裝設於該主軸的前端部;以及固定螺帽,其將該切割刀片固定於該刀片安裝件, 該刀片安裝件或該固定螺帽係以比構成該結合材之材質更高離子化傾向的材質而成。
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