TW202234986A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

基板處理裝置及基板處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202234986A
TW202234986A TW111103260A TW111103260A TW202234986A TW 202234986 A TW202234986 A TW 202234986A TW 111103260 A TW111103260 A TW 111103260A TW 111103260 A TW111103260 A TW 111103260A TW 202234986 A TW202234986 A TW 202234986A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
base portion
detection
base
processing apparatus
Prior art date
Application number
TW111103260A
Other languages
English (en)
Inventor
福井祥吾
御所眞高
岡村聡
浦智仁
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW202234986A publication Critical patent/TW202234986A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B5/00—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat
    • F26B5/005—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat by dipping them into or mixing them with a chemical liquid, e.g. organic; chemical, e.g. organic, dewatering aids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H01L21/67265—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

[課題] 使用超臨界狀態的處理流體將基板乾燥時，可抑制發生於基板表面上的微粒。 [技術內容] 一種基板處理裝置，是使用超臨界流體，對於在圖型形成面形成了液膜的基板，進行乾燥，具備：處理容器，是將基板收容並且被供給超臨界流體；及基板保持部，是在處理容器內將基板保持，且具有在圖型形成面朝上方的狀態下將基板從下方支撐的基座部；及第1檢出部，是檢出基座部對於水平面的傾斜；及姿勢調整機構，是調整基座部對於水平面的傾斜；及控制部，是藉由依據第1檢出部的檢出結果將姿勢調整機構控制，來進行基座部的水平校正。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明，是有關於基板處理裝置及基板處理方法。
近年來，在半導體裝置的製造中，會對於上面被沾染了處理液的基板進行超臨界乾燥處理，其是藉由使基板上面的處理液與超臨界狀態的處理流體接觸，而將處理液置換成超臨界狀態的處理流體，來進行基板的乾燥。在專利文獻1中，記載了實施超臨界乾燥方法及該方法用的裝置。在專利文獻1中記載了，藉由最初將超臨界流體由小流量朝腔室內的基板的下方供給，來防止由初期加壓所產生的基板的破損，當腔室內的壓力到達既定的壓力之後，再將超臨界流體由大流量朝向基板的上面供給。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2013-251550號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明所提供的技術，是使用超臨界狀態的處理流體將基板乾燥時，可以抑制發生於基板表面上的微粒。 [用以解決問題之技術手段]
依據本發明的一態樣的話，可提供一種基板處理裝置，是使用超臨界流體，對於在圖型形成面形成了液膜的基板，進行乾燥，具備：處理容器，是將前述基板收容並且被供給前述超臨界流體；及基板保持部，是在前述處理容器內將前述基板保持，且具有在前述圖型形成面朝上方的狀態下將前述基板從下方支撐的基座部；及第1檢出部，可檢出前述基座部對於水平面的傾斜。 [發明的效果]
依據本發明的話，使用超臨界狀態的處理流體將基板乾燥時，可以抑制發生於基板表面上的微粒。
參照附件圖面說明基板處理裝置的一實施方式的超臨界乾燥裝置1。為了說明的方便，依據需要，使用在各圖中表記的XYZ垂直交叉座標系來顯示方向。X方向及Y方向是彼此垂直交叉的水平方向，Z方向是垂直方向。
如圖1所示，超臨界乾燥裝置1，是具有處理容器10作為超臨界腔室。在處理容器10的內部形成有處理空間12。處理容器10是在其側面，具有成為處理空間12的入口的開口部14。
處理容器10，是具有流體供給部16及流體排出部18。處理流體，是從無圖示的超臨界的處理流體(例如超臨界狀態中的二氧化碳)的供給源被供給至流體供給部16(參照箭頭)，再從流體供給部16朝處理空間12內被吐出。流體供給部16是例如由條形噴嘴所構成。處理流體，是透過流體排出部18朝處理空間12的外部被排出(參照箭頭)。雖省略處理流體的供給系統及排出系統的詳細說明，但是超臨界乾燥裝置可採用任意公知的構成。
超臨界乾燥裝置，是具有基板保持部20。在圖示的實施方式中，基板保持部20，是形成朝水平方向(X方向)可移動的托盤，具有：大致板狀的基座部22、及與基座部22的一端連結的蓋體24。
在基座部(基座部本體)22的上面，設置至少3個(圖示例中為4個)朝上方突出的支撐銷26。支撐銷26，是例如，藉由被內藏在基座部(基座部本體)22中的線性致動器260(參照圖2)而可以朝垂直方向昇降。支撐銷26，主要是為了可以對於藉由支撐銷26被支撐的半導體晶圓等的基板W，進行高度位置的微調整及姿勢(對於水平面的傾斜)的微調整而使用。又，在此，除了支撐銷26以外的基座部22的部分(板狀部分)也稱為基座部本體。
在基座部22及蓋體24之間，是設有調整基座部22對於水平面的傾斜用的姿勢調整機構28。如圖2所示，姿勢調整機構28，可以是例如，由：コ的字形(角括弧形)剖面的基體281、及被安裝於基體281的全部8個的可動壓銷282所構成。各可動壓銷282是藉由線性致動器283而可以朝垂直方向移動。線性致動器283是具備例如滾珠螺桿也可以。8個可動壓銷282是被分成2組。如圖4概略所示，第1組的4個可動壓銷282是被設置在蓋體24的一側，第2組的4個可動壓銷282是被設置在蓋體24的另一側。依據此構成的話，明顯可以藉由調節各可動壓銷282的前端的高度位置(Z方向位置)，自由地調節基座部22對於水平面的傾斜(詳細的話，傾斜方向及傾斜量的雙方)。姿勢調整機構28的構成，不限定於如圖2所示者，可以將基座部22對於水平面的傾斜自由地調整的話，可以採用任意的構成。
基板保持部20是在「處理位置(後述的圖6及圖8所示的位置)」及「退避位置(圖1所示的位置)」之間朝水平方向可進退。當基板保持部20位於處理位置時，蓋體24是被插入處理容器10的開口部14將開口部14密閉，且，基座部22是被收容於處理空間12。基板保持部20位於退避位置時，蓋體24是將開口部14開放，基座部22是朝處理空間12的外側退出。
處理容器10，是被固定於台座30。台座30，是例如，從將X方向作為長邊方向，將Y方向作為短邊方向的從俯視看時，可以構成大致長方形的形狀。台座30，是透過3個以上(例如4個)的昇降致動器32被安裝於基板處理裝置的機框40(框架)。機框40，可以視為將超臨界乾燥裝置的各式各樣的構成要素固定用的不動的構造物。昇降致動器32可以設於長方形的台座30的四隅。昇降致動器32，可以是例如具有電動旋轉馬達及滾珠螺桿等的線性致動器。
在台座30上設有朝水平方向(X方向)延伸的導軌34。在導軌34上設有行走體36，可藉由從無圖示的驅動機構(例如被內藏於行走體36)所發生的驅動力沿著導軌34移動。基板保持部20是透過臂38被安裝在行走體36。因此，藉由將行走體36沿著導軌34移動，就可以將基板保持部20在前述的處理位置及退避位置之間移動。
在退避位置中的基板保持部20的下方設有基板昇降機60，可藉由無圖示的基板昇降機移動機構朝垂直方向昇降。基板昇降機60是具有3根以上(在圖示例中為3根)的昇降銷62。藉由將基板昇降機60上昇使位於上昇位置，就可以由昇降銷62的前端將被基板保持部20(詳細的話支撐銷26)支撐的基板W支撐擧升。為了使其成為可能，在基座部22中設置昇降銷62可通過的貫通孔。貫通孔的位置，在圖3及圖4中，是由參照符號62P顯示。
當基板昇降機60位於上昇位置時，可以在：從圖1的Y方向後方側朝向前方側進入超臨界乾燥裝置1內的無圖示的基板搬運臂、及基板昇降機60之間，進行基板W的交接。即，基板W的搬入時，是藉由實行以下的步驟(S1)～(S3)，就可以進行處理前的基板W的搬入。(S1)在基板保持部20位於退避位置的狀態下，將空的基板昇降機60位於上昇位置。(S2)藉由無圖示的基板搬運臂，將基板W放置在基板昇降機60的昇降銷62上。(S3)將基板搬運臂從基座部22的上方退避之後將基板昇降機60下降，由此將基板W從基板昇降機60朝基座部22的支撐銷26傳送。處理後的基板W的搬出時，實行與上述相反的步驟即可。
基板昇降機60是只有朝上下方向可移動地構成也可以，此情況，也可迴避基板昇降機60與其周邊零件干涉。可取代此，基板昇降機60不是只有上下方向，也可朝Y方向(圖1的紙面深度方向)移動地構成也可以。藉此，成為容易迴避基板昇降機60與其周邊零件干涉。
超臨界乾燥裝置1，是具有複數測距感測器。測距感測器，是例如，可以使用紅外線或是雷射等的光學的測距感測器。測距感測器，是被固定於機框40其本身、或是透過無圖示的感測器保持體被固定於機框40。在複數測距感測器中，包含：複數(在圖示例中為4個)第1測距感測器51、複數(在圖示例中為5個)第2測距感測器52、複數(在圖示例中為5個)第3測距感測器53、及複數(在圖示例中為4個)第4測距感測器54。
第1測距感測器51，是位於退避位置(如圖1所示的位置)中的基板保持部20的基座部22的下方，測量從第1測距感測器51的各個至基板保持部20的基座部22的下面為止的垂直方向距離(沿著Z方向測量的距離)。
第2測距感測器52，是位於退避位置中的基板保持部20的基座部22的下方，測量從第2測距感測器52的各個至被支撐於基板保持部20的基座部22上(詳細的話支撐銷26上)的基板W的下面為止的垂直方向距離。為了讓第2測距感測器52的感測光可到達基板W的下面，而在基板保持部20的基座部22，設有與第2測距感測器52同數的貫通孔。貫通孔，是當基板保持部20位於退避位置時，位於第2測距感測器52的光軸(感測光的光路)上。貫通孔，可以被設於例如在圖3及圖4中由參照符號52p顯示的位置。
只要第2測距感測器52的感測光可到達基板W的下面的話，不設置與第2測距感測器52同數的貫通孔也可以。即，在基座部22，設有任何的缺口即可。
第3測距感測器53，是位於退避位置中的基板保持部20的基座部22的上方，測量從第3測距感測器53的各個至被支撐於基板保持部20的基座部22上的基板W的上面(詳細的話形成於基板W的上面的液膜的表面)為止的垂直方向距離。
第4測距感測器54，是位於台座30的四隅的上方，測量從第4測距感測器54的各個至台座30的四隅為止的垂直方向距離。依據第4測距感測器54的測量值，可以檢出台座30對於水平面的傾斜(台座30的上面的傾斜)。
在圖3中，第1測距感測器51的感測光朝基座部22的下面的照射位置51p的例是由黑圓顯示。由虛線顯示的大的圓We是顯示基板W的周緣(端緣)的位置。第1測距感測器51的感測光的照射位置51p，從俯視看是在基板W的周緣附近。照射位置51p，是各別被配置於以基板W的中心為中心的圓的圓周上且將圓周N等分(N是第1測距感測器的數量，在圖示例中為4)的角度位置。
依據第1測距感測器51的檢出值，可以界定基座部22對於水平面(與重力方向垂直的平面)的傾斜方向及傾斜量(傾斜角度)。N是3以上的話，明顯可以界定基座部22的傾斜方向及傾斜量，在此藉由N=4使冗長化的話，就提高測量信賴性。
又，超臨界乾燥裝置1的安裝時會進行第1測距感測器51的校正(機械的校正、電力的校正、運算處理上的校正皆可以)，例如，測量對象面(在此為基座部22的下面)是水平的話，第1測距感測器51的檢出值會成為全部相同。對於此點，是在第2～第4測距感測器中也相同。
在圖3中，第2測距感測器52的感測光朝基板W下面的照射位置52p的例是由白圓顯示。第2測距感測器52的感測光的照射位置52p，是在基板W的中心為1個，在周緣附近為4個。基板W的周緣附近的4個照射位置52p，是各別被配置在以基板W的中心為中心的圓的圓周上且將圓周4等分的角度位置。
依據第2測距感測器52的檢出值，可以界定基板W對於水平面的傾斜方向及傾斜量(傾斜角度)。因為IPA液膜是存在於基板W的表面上，所以從基板W的表面側精確測量基板W其本身的傾斜是困難的，但是藉由將檢出光照射在基板W的背面，就可精確測量基板W的傾斜。
且因為第2測距感測器的照射位置52p也被設定在基板W的中心，所以在基板W產生撓曲的情況時，也可以檢出其撓曲。第2測距感測器52的數量不限定於5個，可以對應所要求的冗長性而變更。
如圖3所示，將2個臂38安裝在基板保持部20的蓋體24的兩側較佳。藉由這樣做，可保證臂38在其移動範圍內不會干涉第1測距感測器51及第2測距感測器52的裝置設計(零件版面布置)是成為容易。
在圖4中，第3測距感測器53的感測光的基板W的上面(詳細的話位於上面的液槳的表面)的照射位置53p的例，是由被附加剖面線的圓顯示。第3測距感測器53的感測光的照射位置53p，是與第2測距感測器52同樣，在基板W的中心設置1個，在周緣附近設置4個。在圖示例中，第3測距感測器53的感測光的照射位置53p，雖是在基板W的中心周圍，位於對於第2測距感測器52的感測光的照射位置52p錯開45度的位置，但是不限定於此。
依據第3測距感測器53的檢出值，可以檢出基板W的上面中的液膜(槳)的液面的高度及其均一性。液面的高度若過高的話，液面有可能接觸將處理容器10的處理空間12劃界的頂壁的下面。液面的高度若過低的話，會導致太快乾燥，而有可能發生乾燥不良。液面高度若是不均一的情況時，液面的局部有可能與上述頂壁的下面接觸。且，在液面高度不均一的情況中，液膜的厚度是具有不均一的可能性，此情況，有可能發生局部的乾燥不良、微粒大量形成或是圖型崩壞。
又，被設於基座部22的上面的例如4根支撐銷26，可以設於例如第3測距感測器53的感測光的照射位置53p(周緣附近的4個)的正下方。可取代此，將4個支撐銷26，配置於將以基板W的中心為中心的圓的圓周4等分的角度位置也可以。
如圖1所示，超臨界乾燥裝置1是具有控制部100。控制部100，是例如電腦，具備運算部101及記憶部102。在記憶部102中，存儲：在超臨界乾燥裝置1(或是包含超臨界乾燥裝置1的基板處理系統)中被實行的各種的處理控制的程式。運算部101，是藉由將被記憶在記憶部102的程式讀出並實行，來控制超臨界乾燥裝置的動作。程式，是被記錄於可藉由電腦而被讀取的記憶媒體中，從該記憶媒體被安裝在控制部100的記憶部102者也可以。可藉由電腦而讀取的記憶媒體，是例如硬碟(HD)、軟碟(FD)、雷射唱片(光碟)(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
接著說明，超臨界乾燥裝置1的動作，特別是基板W從基板搬運臂(無圖示)透過基板昇降機60朝退避位置中的基板保持部20的支撐銷26被傳遞的時點開始，至為了該基板W的處理而使基板保持部20從退避位置至處理位置為止移動的時點為止的動作。又，此基板W，是例如，在其表面(圖型形成面)形成有IPA的槳(液膜)，且，其表面的圖型的凹部內是被IPA填滿。此基板W，是例如，在無圖示的單片式洗淨裝置中，依序被施加：(1)濕式蝕刻、藥液洗淨等的藥液處理，(2)藉由清洗液將藥液沖掉的清洗處理，(3)將清洗液置換成IPA並形成IPA的槳(液膜)的IPA置換處理。大多的情況，複數超臨界乾燥裝置1及複數上述單片式洗淨裝置是組合形成1個基板處理(液處理及乾燥)系統，在此基板處理系統內，基板是藉由上述基板搬運臂被搬運。
以下說明的動作，是依據：被記憶於控制部100的記憶部102、或從控制部100的上位電腦被發訊的處理製程，在控制部100的控制下被自動地實施。
＜調整過程1：台座30的水平校正＞ 首先，對於在退避位置中的基板保持部20的支撐銷26上將表面(圖型形成面)朝上方地被放置的基板W，檢出光是從第1～第3測距感測器51～53的各個照射該基板W，且來自第4測距感測器54的檢出光是被照射在台座30的上面的四隅。且，依據第4測距感測器54的檢出結果，檢出台座30對於水平面的傾斜。傾斜若超過了容許範圍的情況時，藉由將4個昇降致動器32的1個以上適宜動作，來進行台座30的水平校正。又，台座30的水平校正(傾斜調整)，不限定於基板處理前的此時間點，在基板的處理後、待機時(例如基板W從超臨界乾燥裝置1被搬出之後等待下一片基板W的搬入時)進行也可以。台座30的水平校正，可以在超臨界乾燥裝置1的運轉時的任意的時間點進行，例如在超臨界乾燥處理中進行也可以。
＜調整過程2：基座部22的水平校正＞ 接著，再度從第1～第4測距感測器51～54的各個照射檢出光。且，依據第1測距感測器51的檢出結果，檢出基座部22對於水平面的傾斜。傾斜若超過了容許範圍的情況時，藉由將被設於基板保持部20的姿勢調整機構28動作，來進行基座部22的水平校正。
＜調整過程3：基板W的水平校正＞ 接著，從第1～第4測距感測器51～54的各個照射檢出光。且，依據第2測距感測器52的檢出結果，檢出基座部22上的基板W對於水平面的傾斜。傾斜若超過了容許範圍的情況時，藉由使被設於基座部22的支撐銷26動作，來進行基板W的水平校正。
＜調整過程4：基板W的高度調整＞ 接著，從第1～第4測距感測器51～54的各個照射檢出光。且，依據第3測距感測器53的檢出結果，檢出基座部22上的基板W表面上的IPA的槳的表面高度。表面高度若超過了容許範圍情況時，藉由使被設於基座部22的支撐銷26動作，而將基板W的高度下降至適切的高度為止。
＜調整過程5：最終確認＞ 接著，從第1～第4測距感測器51～54的各個照射檢出光。依據第1～第4測距感測器51～54的檢出值，若所求得的台座30對於水平面的傾斜、基座部22對於水平面的傾斜、基板W對於水平面的傾斜、基板W的表面上的IPA的槳的表面高度全部沒有問題的話，就可以將基板保持部20移動至處理位置，開始進行超臨界乾燥處理。
超臨界乾燥處理，可以由本案申請人的先行申請案(例如日本特開2020-170873號，另有其他多數)等的公知的方法實行。例如，藉由從超臨界狀態的處理流體(例如二氧化碳)的供給源(無圖示)朝處理空間12內供給處理流體，將處理空間12內昇壓至規定的壓力為止(昇壓過程)，其後，藉由將超臨界流體在處理空間12內流通，而將基板W上的IPA由處理流體進行置換(流通過程)。置換完成之後，從處理空間12內將處理流體排出將處理空間12減壓至常壓。由此使超臨界狀態的處理流體被氣化，可以防止圖型崩壞地將基板W乾燥。此時基板W的表面若傾斜的話，IPA膜厚的面內均一性會惡化，由此超臨界流體置換的面內均一性會惡化，由此會導致圖型崩壞或是微粒等級的惡化。但是，依據本實施方式的話，基板W的表面可以穩定地維持水平，可以獲得較佳的處理結果。
在各基板W的處理之前實行：(1)台座30對於水平面的傾斜調整(台座30的水平校正)，(2)基座部22對於水平面的傾斜調整(基座部22的水平校正)，(3)基板W對於水平面的傾斜調整(基板W的水平校正)，(4)基板W的表面上的IPA的槳的表面的高度調整(基板的高度調整)的全部較佳。但是在進行全部的調整中會花費某程度的時間。在調整若花費太多時間的話，IPA的槳會乾燥，槳的膜厚會變薄，或是槳部分地消失而有可能讓基板W的表面露出。此情況，也會導致圖型崩壞或是微粒等級的惡化。
為了防止上述問題發生，基板W被搬入基板保持部20之後，若經過了預先被決定的時間的話，就在中途處停止上述(1)～(4)的調整，並將基板保持部20移動至處理位置，開始進行超臨界乾燥處理也可以。此情況，剩下部分的調整是在下一片基板W被搬入基板保持部20時進行即可。即，例如，對於第1片的基板W的上述(1)及(2)的調整結束的時點，若經過了預先被決定的時間的話，就在該時點結束調整，讓上述(3)及(4)的調整對於第2片的基板W進行也可以。
第1變形實施方式，是在圖5所示的位置，且在基座部22的上面設置吸盤70也可以。將吸盤70配置的位置，是例如，從俯視看，可以接近第2測距感測器52朝基板W下面照射的位置。又，在基座部22的中央部中，因為具有讓來自第2測距感測器52的檢出光通過用的貫通孔(圖3中的52p的位置)，所以以將此貫通孔包圍的方式配置3個吸盤70。又，設置了吸盤70的情況時，可以藉由下述的步驟進行基板的水平校正及高度調節。即，首先，依據由第2測距感測器52所獲得的檢出結果將支撐銷26昇降，進行基板W的水平校正。此時，基板W對於支撐銷26的昇降量的變位若未被第2測距感測器52檢出的情況時，判斷為基板W是水平。且，對於上述的基板W對於支撐銷26的昇降量的變位未被認定的支撐銷26，藉由使用最接近其的吸盤70將基板W吸附，而將基板W與該支撐銷26密接即可。如此的話，可藉由該支撐銷26進行基板W的高度調節。
例如，也可以將各吸盤70設成對於基座部22朝上下方向可昇降。藉由這樣做，除了基板W的水平校正及高度調節以外，也可以進行基板W的翹曲的修正。此情況，吸盤70，是例如，可以透過線性致動器(無圖示)而被安裝在基座部22。此情況時，前述的第3過程及第4過程，可以藉由調節各吸盤70的高度而進行。
無關基板W的翹曲狀況而時常由吸盤70將基板W吸附的情況時，不設置支撐銷26也可以。對應基板W的翹曲狀況來決定使用或不使用吸盤70的情況時，例如，要使用吸盤70時，才將支撐銷26的高度下降也可以。
第2及第3變形實施方式，是設置間接檢出傾斜的裝置(蓋體傾斜檢出裝置)，藉由檢出與基座部22一體的蓋體24的傾斜，來間接檢出基座部22對於水平面的傾斜也可以。
第2變形實施方式的構成是如圖6及圖7所示。第2變形實施方式的蓋體傾斜檢出裝置，是具備複數第5測距感測器55。第5測距感測器55，是與第1～第4測距感測器51～54同樣，可以使用紅外線或是雷射等的光學的測距感測器，且可以直接被固定於機框40其本身，或是透過無圖示的感測器保持體間接地被固定於機框40。如圖6所示基板保持部20位於處理位置時，第5測距感測器55，是對於被設定於蓋體24的前面24F(此為垂直面)的複數(較佳是3個以上，在圖示例中為4個)照射位置55p照射感測光。依據各測距感測器55至照射位置55p為止的距離，可以界定各照射位置55p的座標，依據此就可以檢出蓋體24的傾斜。藉由將照射位置55p設定3個以上，就可以檢出有關於蓋體24的任意的方向的傾斜。
第3變形實施方式的構成是如圖8及圖9所示。第3變形實施方式的蓋體傾斜檢出裝置，是具有1個以上的傾斜感測器56。傾斜感測器56是多軸感測器(可以檢出朝向不同方向的2個以上的軸周圍的角度位置者)的情況時，傾斜感測器56的數量是1個即可，此情況，可以將傾斜感測器56(56F)設於例如蓋體24的前面24F。傾斜感測器56是一軸感測器(只可以檢出1個軸周圍的角度位置者)的情況時，可以將傾斜感測器56設於朝向蓋體24的方向不同的2個面(例如前面24F及側面24S(此對於前面24F垂直))。又，在側面24S設置傾斜感測器56(56S)的情況時，且基板保持部20是位於處理位置時，蓋體24是比處理容器10的前面更朝前方突出，且蓋體24的側面24S不會被處理容器10覆蓋較佳。
依據上述的第2及第3變形實施方式的話，可以在基板保持部20位於處理位置的基板W的乾燥處理中或是乾燥處理開始之前，依據蓋體24的傾斜檢出基座部22的傾斜。因此，因為例如基板保持部20及處理容器10之間不適切的干涉，而導致基座部22(即其上的基板W)傾斜時，可以檢出如此的事件發生。基座部22的異常的傾斜若被檢出時，控制部100是發出警報來通知操作者異常發生也可以，停止超臨界乾燥裝置1的運轉也可以。
這次揭示的實施方式的全部的點皆只是例示，而非限制。上述的實施方式，只要不脫離附件的請求的範圍及其主旨的話，由各式各樣的形態進行省略、置換、變更也可以。
基板W雖是例如半導體晶圓，但是不限定於此，半導體裝置製造的領域中所使用的其他的基板(陶瓷基板、玻璃基板)也可以。
W:基板 1:超臨界乾燥裝置 10:處理容器 12:處理空間 14:開口部 16:流體供給部 18:流體排出部 20:基板保持部 22:基座部 24:蓋體 24F:前面 24S:側面 26:支撐銷 28:姿勢調整機構 30:台座 32:昇降致動器 34:導軌 36:行走體 38:臂 40:機框 51~55:測距感測器(第1～5檢出部) 51p~55p:照射位置 56:傾斜感測器 60:基板昇降機 62:昇降銷 62P:貫通孔 70:吸盤 100:控制部 101:運算部 102:記憶部 260:線性致動器 281:基體 282:可動壓銷 283:線性致動器
[圖1]一實施方式的基板處理裝置的縱剖側面圖。 [圖2]顯示姿勢調整機構的構成的一例的概略縱剖側面圖。 [圖3]說明檢出光的照射位置等用的從基板保持部的下方觀看的俯視圖。 [圖4]說明檢出光的照射位置等用的從基板保持部的上方觀看的俯視圖。 [圖5]說明第1變形實施方式中的吸盤的配置用的從基板保持部的上方觀看的俯視圖。 [圖6]第2變形實施方式的基板處理裝置的縱剖側面圖，具備檢出蓋體的傾斜用的測距感測器。 [圖7]說明將檢出光朝蓋體照射的照射位置用的如圖6所示的蓋體的前視圖。 [圖8]第3變形實施方式的基板處理裝置的縱剖側面圖，具備檢出蓋體的傾斜的傾斜感測器。 [圖9]說明將傾斜感測器配置於蓋體用的如圖8所示的蓋體的前視圖。
1:超臨界乾燥裝置
10:處理容器
12:處理空間
14:開口部
16:流體供給部
18:流體排出部
20:基板保持部
22:基座部
24:蓋體
26:支撐銷
28:姿勢調整機構
30:台座
32:昇降致動器
34:導軌
36:行走體
38:臂
40:機框
51~54:測距感測器(第1~4檢出部)
60:基板昇降機
62:昇降銷
100:控制部
101:運算部
102:記憶部
W:基板

Claims (15)

  1. 一種基板處理裝置， 是使用超臨界流體，對於在圖型形成面形成了液膜的基板，進行乾燥，具備： 處理容器，是將前述基板收容並且被供給前述超臨界流體；及 基板保持部，是在前述處理容器內將前述基板保持，且具有在前述圖型形成面朝上方的狀態下將前述基板從下方支撐的基座部；及 第1檢出部，是檢出前述基座部對於水平面的傾斜。
  2. 如請求項1的基板處理裝置，其中，進一步具備： 姿勢調整機構，是調整前述基座部對於水平面的傾斜；及 控制部，是藉由依據前述第1檢出部的檢出結果將前述姿勢調整機構控制，來進行前述基座部的水平校正。
  3. 如請求項1或2的基板處理裝置，其中， 前述處理容器，是具有收容基板用的開口部， 前述基板保持部，是包含蓋體，其是與前述基座部連接並且將前述開口部塞住， 前述基板保持部，是在處理位置及退避位置之間可進退， 前述基板保持部位於前述處理位置時，前述蓋體是將前述開口部塞住並且前述基座部是被收容在前述處理容器內， 前述基板保持部位於前述退避位置時，前述蓋體是將前述開口部開放並且前述基座部是退出前述處理容器外， 前述第1檢出部的位置，是被設置在當前述基板保持部位於前述退避位置時可以檢出前述基座部對於水平面的傾斜的位置。
  4. 如請求項3的基板處理裝置，其中， 前述第1檢出部，是被設置在前述退避位置中的前述基板保持部的前述基座部的下方。
  5. 如請求項3的基板處理裝置，其中， 前述第1檢出部，是包含3個以上的光學的感測器，可以測量前述基座部的下面的3處以上的高度位置。
  6. 如請求項3的基板處理裝置，其中， 進一步具備第2檢出部，可檢出被前述基座部支撐的形成於前述基板上面的液膜表面的高度位置。
  7. 如請求項6的基板處理裝置，其中， 前述第2檢出部，是被設置在前述退避位置中的前述基板保持部的前述基座部的上方。
  8. 請求項3附屬於請求項2的情況時的如請求項6的基板處理裝置，其中， 前述基座部，是具有：基座部本體、及從前述基座部本體朝上方突出將前述基板從下方支撐的複數支撐構件、及將前述複數支撐構件對於前述基座部本體昇降的昇降機構， 前述控制部，是依據前述第1檢出部的檢出結果由前述姿勢調整機構進行了前述基座部的水平校正之後，依據前述第2檢出部的檢出結果由前述昇降機構進行前述液膜的表面的高度位置的調節。
  9. 如請求項3的基板處理裝置，其中， 進一步具備第3檢出部，可檢出被前述基座部支撐的前述基板對於水平面的傾斜。
  10. 如請求項9的基板處理裝置，其中， 前述第3檢出部，是被設置在前述退避位置中的前述基板保持部的前述基座部的下方。
  11. 如請求項9的基板處理裝置，其中， 前述第3檢出部，是包含3個以上的光學的感測器，可以測量前述基座部的下面的3處以上的高度位置，讓從前述光學的感測器被照射的光可被照射在前述基板的下面的缺口，是被設置在前述基座部。
  12. 如請求項8的基板處理裝置，其中， 前述控制部，是依據前述第1檢出部的檢出結果藉由前述姿勢調整機構進行了前述基座部的水平校正之後，對於依據前述第2檢出部的檢出結果由前述昇降機構實行前述液膜的表面的高度位置的調整，是在與其同時、或是在其之前、或是在其之後，依據前述第3檢出部的檢出結果藉由前述昇降機構進行前述基板的水平校正。
  13. 一種基板處理方法， 是使用超臨界流體，對於在圖型形成面形成了液膜的基板，進行乾燥，對於使用前述超臨界流體進行乾燥之前所實行的過程，具備： 第1檢出過程，是檢出在前述圖型形成面朝上方的狀態下將前述基板從下方支撐的基板保持部的基座部對於水平面的傾斜；及 基座部水平校正過程，是依據前述第1檢出過程的檢出結果，進行前述基座部的水平校正。
  14. 如請求項13的基板處理方法，其中， 對於使用前述超臨界流體進行乾燥之前所實行的過程，進一步具備： 第2檢出過程，是檢出被前述基座部支撐的前述基板的上面所形成的液膜的表面的高度位置；及 液膜高度調節過程，是依據前述第1檢出過程的檢出結果進行了前述基座部的水平校正之後，依據前述第2檢出過程的檢出結果進行前述液膜的表面的高度位置的調節。
  15. 如請求項14的基板處理方法，其中， 對於使用前述超臨界流體進行乾燥之前所實行的過程，進一步具備： 第3檢出過程，是檢出被前述基座部支撐的前述基板對於水平面的傾斜；及 基板水平校正過程，是在依據前述第1檢出過程的檢出結果進行了前述基座部的水平校正之後，對於依據前述第2檢出過程的檢出結果實行前述液膜的表面的高度位置的調整，是與其同時、或是在其之前、或是在其之後，依據前述第3檢出過程的檢出結果進行前述基板的水平校正。
TW111103260A 2021-02-08 2022-01-26 基板處理裝置及基板處理方法 TW202234986A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021018400A JP2022121188A (ja) 2021-02-08 2021-02-08 基板処理装置および基板処理方法
JP2021-018400 2021-02-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202234986A true TW202234986A (zh) 2022-09-01

Family

ID=82704732

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111103260A TW202234986A (zh) 2021-02-08 2022-01-26 基板處理裝置及基板處理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220254658A1 (zh)
JP (1) JP2022121188A (zh)
KR (1) KR20220114485A (zh)
CN (1) CN114914172A (zh)
TW (1) TW202234986A (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200108876A (ko) * 2018-01-26 2020-09-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치
EP4397648A1 (en) 2022-09-08 2024-07-10 LG Chem, Ltd. Method for preparing neopentyl glycol

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9587880B2 (en) 2012-05-31 2017-03-07 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for drying substrate
CN110663101B (zh) * 2017-05-24 2023-08-18 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法
JP2023501943A (ja) * 2019-11-01 2023-01-20 ラム リサーチ コーポレーション 重力場センサを備えたウエハハンドリングロボット
KR102235042B1 (ko) * 2020-06-16 2021-03-31 에스케이씨솔믹스 주식회사 엔드 이펙터 변위 측정 방법 및 장치
KR102584512B1 (ko) * 2020-12-31 2023-10-05 세메스 주식회사 버퍼 유닛 및 온도 변화가 수반되는 기판 지지 부재의 수평 측정용 기판형 센서의 보관 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220114485A (ko) 2022-08-17
US20220254658A1 (en) 2022-08-11
CN114914172A (zh) 2022-08-16
JP2022121188A (ja) 2022-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10756046B2 (en) Bonding apparatus, bonding system, bonding method and storage medium
TW202234986A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2016127086A (ja) 基板吸着補助部材及び基板搬送装置
JP5381118B2 (ja) プローブ装置
US8167521B2 (en) Substrate transfer apparatus and vertical heat processing apparatus
JP6908757B2 (ja) 接合装置、接合システム、接合方法及びコンピュータ記憶媒体
JP2000260852A (ja) 検査ステージ及び検査装置
TWI743614B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP5913053B2 (ja) 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR20210033886A (ko) 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법
JP2020127046A (ja) 接合装置、接合システム、接合方法及びコンピュータ記憶媒体
JP5899153B2 (ja) 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
CN115985807A (zh) 基板处理装置
JP7183223B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2013120903A (ja) 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP7405268B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP7308087B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2024080255A (ja) 搬送アームの高さ検出方法
TW202301538A (zh) 處理裝置及定位方法
JP2023059818A (ja) 基板処理装置
JP2022185826A (ja) 樹脂被覆方法及び樹脂被覆装置
JP2022154603A (ja) 処理装置及び基板搬送方法
JP2020077758A (ja) ウエハアライメント装置
CN116739966A (zh) 计算机程序、基板接合系统以及基板接合方法