KR102235042B1 - 엔드 이펙터 변위 측정 방법 및 장치 - Google Patents

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김인철
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박성순
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Abstract

본 개시의 기술적 사상에 의한 일 양태에 따르면, 반도체 장비의 로드락 게이트(loadlock gate)를 통과하는 엔드 이펙터(end effector)의 변위 측정 방법에 있어서, 상기 엔드 이펙터의 이동 경로와 수직하게 상기 로드락 게이트에 설치된 적어도 하나의 변위 센서를 통해 상기 엔드 이펙터의 변위를 측정하는 단계; 및 상기 변위 센서의 변위 측정 결과를 기초로, 상기 엔드 이펙터의 피치(pitch), 롤(roll) 및 요우(yaw) 중 적어도 하나의 변화를 산출하는 단계를 포함하는 방법이 개시된다.

Description

엔드 이펙터 변위 측정 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING DISPLACEMENT OF END EFFECTOR}
본 개시(disclosure)의 기술적 사상은 엔드 이펙터 변위 측정 방법 및 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 로드락 게이트에 설치된 변위 센서를 통해 엔드 이펙터의 위치 변화를 산출할 수 있는 엔드 이펙터 변위 측정 방법 및 장치에 관한 것이다.
도 1은 일반적인 웨이퍼를 이용한 반도체 공정 시스템을 설명하기 위한 도면이다. 도 1에서 도시되는 바와 같이, 반도체 공정 시스템은 로드 포트(10), EFEM(equipment front end module, 20), 반도체 공정 장치(30) 등의 반도체 장비를 포함할 수 있다. 이러한 반도체 공정 시스템은 풉(FOUP, front opening unified pod, 11)이라 불리는 밀폐식 저장 포드 내부에 웨이퍼를 저장하여 로드 포트(loadport, 10)위에 고정시키고, EFEM(equipment front end module, 20)을 이용하여 풉(11)에 저장된 웨이퍼를 반도체 공정 장치(30)에 이송함으로써, 웨이퍼에 대한 가공을 수행하게 한다.
EFEM(20)은 웨이퍼 반송 장치가 설치된 웨이퍼 이송실을 구비하고, 웨이퍼 이송실의 일 측에는 풉(11)과 결합하는 로드 포트(10)가 접속된다. 또한, EFEM(20)의 웨이퍼 이송실의 타 측에는 로드락 게이트(loadlock gate, 23)을 통해 반도체 공정 장치(30)가 연결되고, 로봇암(21) 및 이의 단부에 설치된 엔드 이펙터(end effector, 22)를 통해 반도체 풉(11) 내부에 저장된 웨이퍼(12)가 공정 장치(30)로 이송되거나, 또는 반도체 공정 장치(30)에서 가공 처리를 마친 웨이퍼(12)가 풉(11) 내부로 이송된다.
반도체 공정 장치(30)는 로드락(loadlock, 31), 공정 챔버(32), 로봇암(33) 등으로 구성되고, 로봇암(21) 및 엔드 이펙터(22)를 통해 로드락(31)으로 로딩된 웨이퍼(12)를 로봇암(32)을 통해 공정 챔버(33)로 이송하여 가공처리가 수행될 수 있도록 한다.
그런데, 이러한 반도체 공정 시스템은, 로봇암(21)의 관절을 구성하는 체인, 벨트 등의 늘어짐 등으로 인하여, 웨이퍼(12)를 이송하는 엔드 이펙터(22)가 기존의 설치 상태 대비 하측으로 처지거나, 일 방향으로 틀어지는 경우, 로드락(31)에 웨이퍼(12)를 올리거나 또는 로드락(31)에서 웨이퍼(12)를 꺼내오는 과정에서 엔드 이펙터(22)가 로드락(31) 또는 로드락 게이트(23)와 충돌이 발생함으로써, 웨이퍼(12)의 파손이 발생하거나, 파티클이 발생하는 위험을 가지고 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 한국 등록특허공보 등록번호 제10-1613135호(발명의 명칭: 반도체 기판의 위치 검출 장치 및 위치 검출 방법)에는 카메라에 의해 촬영된 화상 데이터로부터 원반상 기판의 중심 위치 좌표를 정확하게 검출하며, 처리 도중에 반송되고 있는 원반상 기판의 지지부재 상에서의 위치 어긋남량을 산출하고, 정확한 재치 위치에 재치할 수 있도록 위치 보정을 수행하는 위치 검출 장치가 개시되어 있다.
그러나, 종래 기술에 따른 상기 위치 검출장치는 카메라를 이용하기 때문에, 구성이 복잡해지고, 장치의 크기가 증가하는 문제점이 있으며, 화상 데이터로부터 추출한 데이터를 이용하여 기판의 중심 위치 좌표를 산출함으로써, 데이터 연산과정이 복잡해지는 문제점이 있다.
본 개시의 기술적 사상에 따른 엔드 이펙터 변위 측정 방법 및 장치가 이루고자 하는 기술적 과제는, 보다 간이하면서도 객관적이고 정확하게 엔드 이펙터의 위치 변화를 산출할 수 있도록 하는데 있다.
본 개시의 기술적 사상에 따른 엔드 이펙터 변위 측정 방법 및 장치가 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 개시의 기술적 사상에 의한 일 양태에 따르면, 반도체 장비의 로드락 게이트를 통과하는 엔드 이펙터의 변위 측정 방법에 있어서, 상기 엔드 이펙터의 이동 경로와 수직하게 상기 로드락 게이트에 설치된 적어도 하나의 변위 센서를 통해 상기 엔드 이펙터의 변위를 측정하는 단계; 및 상기 변위 센서의 변위 측정 결과를 기초로, 상기 엔드 이펙터의 피치(pitch), 롤(roll) 및 요우(yaw) 중 적어도 하나의 변화를 산출하는 단계를 포함하는 방법이 개시된다.
예시적인 실시예에 따르면, 상기 변위 센서는, 상기 로드락 게이트의 상면 또는 하면에 설치되며, 상기 피치 및 상기 롤 중 적어도 하나의 변화를 산출하기 위한 상기 엔드 이펙터의 제 1 변위를 측정하는 제 1 변위 센서; 및 상기 로드락 게이트의 측면에 설치되며, 상기 요우의 변화를 산출하기 위한 상기 엔드 이펙터의 제 2 변위를 측정하는 제 2 변위 센서를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예에 따르면, 상기 제 1 변위는 상기 엔드 이펙터의 이동에 따른 수직 방향의 변위이고, 상기 제 2 변위는 상기 엔드 이펙터의 이동에 따른 수평 방향의 변위일 수 있다.
예시적인 실시예에 따르면, 상기 제 1 변위 센서는 상기 엔드 이펙터의 폭 방향 일 측의 수직 변위를 측정하도록 상기 로드락 게이트의 상면 또는 하면에 설치되고, 상기 제 2 변위 센서는 상기 로드락 게이트의 양 측면 중 상기 제 1 변위 센서로부터 거리가 먼 측면에 설치될 수 있다.
예시적인 실시예에 따르면, 상기 엔드 이펙터의 피치, 롤 및 요우 중 적어도 하나의 변화를 산출하는 단계에서는, Pitch(θ) = sin-1(b/a)의 공식에 의해 상기 피치의 변화(Pitch(θ)를 산출하고, 상기 a는 상기 엔드 이펙터의 이동에 따라 상기 제 1 변위 센서가 변위를 감지할 수 있는 거리를 나타내고, 상기 b는 상기 제 1 변위의 최대값을 나타낼 수 있다.
예시적인 실시예에 따르면, 상기 엔드 이펙터의 피치, 롤 및 요우 중 적어도 하나의 변화를 산출하는 단계에서는, Roll(θ) = tan-1(c/b)의 공식에 의해 상기 롤의 변화(Roll(θ))를 산출하고, 상기 c는 상기 제 1 변위 센서로부터 상기 제 2 변위 센서까지 수평 거리를 나타내고, 상기 b는 상기 제 1 변위의 최대값을 나타낼 수 있다.
예시적인 실시예에 따르면, 상기 엔드 이펙터의 피치, 롤 및 요우 중 적어도 하나의 변화를 산출하는 단계에서는, Yaw(θ) = sin-1(e/d)의 공식에 의해 상기 요우의 변화(Yaw(θ))를 산출하고, 상기 d는 상기 엔드 이펙터의 이동에 따라 상기 제 2 변위 센서가 변위를 감지할 수 있는 거리를 나타내고, 상기 e는 상기 제 2 변위의 최대값을 나타낼 수 있다.
예시적인 실시예에 따르면, 상기 엔드 이펙터의 피치, 롤 및 요우 중 적어도 하나의 변화 값이 소정의 범위 이상인 경우, 이상 감지 알림을 출력하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 개시의 기술적 사상에 의한 따른 양태에 따르면, 반도체 장비의 로드락 게이트를 통과하는 엔드 이펙터의 변위 측정 장치에 있어서, 상기 엔드 이펙터의 이동 경로와 수직하게 상기 로드락 게이트에 설치되어, 상기 엔드 이펙터의 변위를 측정하는 적어도 하나의 변위 센서; 및 상기 변위 센서의 변위 측정 결과를 기초로, 상기 엔드 이펙터의 피치(pitch), 롤(roll) 및 요우(yaw) 중 적어도 하나의 변화를 산출하는 프로세서를 포함하는 장치가 개시된다.
예시적인 실시예에 따르면, 상기 변위 센서는, 상기 로드락 게이트의 상면 또는 하면에 설치되며, 상기 피치 및 상기 롤 중 적어도 하나의 변화를 산출하기 위한 상기 엔드 이펙터의 제 1 변위를 측정하는 제 1 변위 센서; 및 상기 로드락 게이트의 측면에 설치되며, 상기 요우의 변화를 산출하기 위한 상기 엔드 이펙터의 제 2 변위를 측정하는 제 2 변위 센서를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예에 따르면, 상기 제 1 변위는 상기 엔드 이펙터의 이동에 따른 수직 방향의 변위이고, 상기 제 2 변위는 상기 엔드 이펙터의 이동에 따른 수평 방향의 변위일 수 있다.
예시적인 실시예에 따르면, 상기 제 1 변위 센서는 상기 엔드 이펙터의 폭 방향 일 측의 수직 변위를 측정하도록 상기 로드락 게이트의 상면 또는 하면에 설치되고, 상기 제 2 변위 센서는 상기 로드락 게이트의 양 측면 중 상기 제 1 변위 센서로부터 거리가 먼 측면에 설치될 수 있다.
예시적인 실시예에 따르면, 상기 프로세서는, Pitch(θ) = sin-1(b/a)의 공식에 의해 상기 피치의 변화(Pitch(θ)를 산출하고, 상기 a는 상기 엔드 이펙터의 이동에 따라 상기 제 1 변위 센서가 변위를 감지할 수 있는 거리를 나타내고, 상기 b는 상기 제 1 변위의 최대값을 나타낼 수 있다.
예시적인 실시예에 따르면, 상기 프로세서는, Roll(θ) = tan-1(c/b)의 공식에 의해 상기 롤의 변화(Roll(θ))를 산출하고, 상기 c는 상기 제 1 변위 센서로부터 상기 제 2 변위 센서까지 수평 거리를 나타내고, 상기 b는 상기 제 1 변위의 최대값을 나타낼 수 있다.
예시적인 실시예에 따르면, 상기 프로세서는, Yaw(θ) = sin-1(e/d)의 공식에 의해 상기 요우의 변화(Yaw(θ))를 산출하고, 상기 d는 상기 엔드 이펙터의 이동에 따라 상기 제 2 변위 센서가 변위를 감지할 수 있는 거리를 나타내고, 상기 e는 상기 제 2 변위의 최대값을 나타낼 수 있다.
예시적인 실시예에 따르면, 상기 프로세서는, 상기 엔드 이펙터의 피치, 롤 및 요우 중 적어도 하나의 변화 값이 소정의 범위 이상인 경우, 이상 감지 알림을 출력할 수 있다.
본 개시의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 엔드 이펙터 변위 측정 방법 및 장치에 따르면, 보다 간이하면서도 객관적이고 정확하게 엔드 이펙터의 위치 변화를 검출할 수 있다.
본 개시의 기술적 사상에 따른 로봇의 상태 판단 방법 및 장치가 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 개시가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 개시에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 일반적인 웨이퍼를 이용한 반도체 공정 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 3차원 공간에서의 회전 운동을 설명하기 위한 도면이다.
도 3a 내지 도 3d는 엔드 이펙터의 위치 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 개시의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 엔드 이펙터 변위 측정 장치의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 5 내지 도 7은 본 개시의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따라, 변위 센서를 EFEM에 설치하는 예시를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 개시의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 엔드 이펙터 변위 측정 방법을 나타내는 순서도이다.
도 9a 내지 도 9c는 도 8의 820 단계를 수행하는 방법을 예시적으로 설명하기 위한 도면이다.
본 개시의 기술적 사상은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 이를 상세히 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 개시의 기술적 사상을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 개시의 기술적 사상의 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 개시의 기술적 사상을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 본 개시의 설명 과정에서 이용되는 숫자(예를 들어, 제 1, 제 2 등)는 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구분하기 위한 식별기호에 불과하다.
또한, 본 개시에서, 일 구성요소가 다른 구성요소와 "연결된다" 거나 "접속된다" 등으로 언급된 때에는, 상기 일 구성요소가 상기 다른 구성요소와 직접 연결되거나 또는 직접 접속될 수도 있지만, 특별히 반대되는 기재가 존재하지 않는 이상, 중간에 또 다른 구성요소를 매개하여 연결되거나 또는 접속될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
또한, 본 개시에 기재된 "~부", "~기", "~자", "~모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 프로세서(Processor), 마이크로 프로세서(Micro Processer), 마이크로 컨트롤러(Micro Controller), CPU(Central Processing Unit), GPU(Graphics Processing Unit), APU(Accelerate Processor Unit), DSP(Digital Signal Processor), ASIC(Application Specific Integrated Circuit), FPGA(Field Programmable Gate Array) 등과 같은 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.
그리고 본 개시에서의 구성부들에 대한 구분은 각 구성부가 담당하는 주기능 별로 구분한 것에 불과함을 명확히 하고자 한다. 즉, 이하에서 설명할 2개 이상의 구성부가 하나의 구성부로 합쳐지거나 또는 하나의 구성부가 보다 세분화된 기능별로 2개 이상으로 분화되어 구비될 수도 있다. 그리고 이하에서 설명할 구성부 각각은 자신이 담당하는 주기능 이외에도 다른 구성부가 담당하는 기능 중 일부 또는 전부의 기능을 추가적으로 수행할 수도 있으며, 구성부 각각이 담당하는 주기능 중 일부 기능이 다른 구성부에 의해 전담되어 수행될 수도 있음은 물론이다.
이하, 본 개시의 기술적 사상에 따른 실시 예들을 차례로 상세히 설명한다.
도 2는 3차원 공간에서의 회전 운동을 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 3차원 공간에서 물체의 회전은 서로 수직하는 3가지 축을 기준으로 하는 회전 운동으로 정의될 수 있다.
예를 들어, 도 2에서 도시되는 바와 같이, 물체는 서로 수직한 X, Y, Z 축을 중심으로 회전 가능하며, X축을 중심으로 회전하는 것을 롤(roll), Y축을 중심으로 회전하는 것을 피치(Pitch), Z축을 중심으로 회전하는 것을 요우(yaw)라고 정의될 수 있다. 또한, 물체가 X 축 방향으로 이동을 하고 있다고 가정하면, 피치는 이동 방향에 대해 수직의 수평면에 있는 축을 중심으로 하는 회전 운동, 롤은 이동방향에 대해 평행한 수평면에 있는 축을 중심으로 하는 회전 운동, 요우는 이동방향에 대해 수직의 수직면에 있는 축을 중심으로 하는 회전 운동으로 정의될 수 있다.
도 3a 내지 도 3d는 엔드 이펙터의 위치 변화를 설명하기 위한 도면이다.
로봇암(도 2의 21)의 단부에 설치되어 웨이퍼를 이송하는 엔드 이펙터(22)는 반도체 공정 시스템의 사용에 따라, 도 3a 내지 3d에 도시되는 바와 같이, 최초 설치된 엔드 이펙터(22)의 상태와 다르게 위치 변화, 즉, 피치, 롤, 요우의 변화가 발생할 수 있다.
여기서, 피치는 엔드 이펙터(22)의 길이 방향(또는, 전방 이동방향)에 대해 수직의 수평면에 있는 축을 중심으로 하는 회전, 롤은 엔드 이펙터(22)의 길이 방향에 대해 평행한 수평면에 있는 축을 중심으로 하는 회전, 요우는 엔드 이펙터(22)의 길이 방향에 대해 수직의 수직면에 있는 축을 중심으로 하는 회전을 지칭할 수 있다.
엔드 이펙터(22)의 위치 변화로 인하여, 엔드 이펙터(22)에는 처짐 및 일 방향의 틀어짐이 발생될 수 있다. 예를 들어, 엔드 이펙터(22)에 피치가 생기면, 도 3b에서 도시되는 바와 같이, 엔드 이펙터(22)의 전단부가 하측으로 처지는 현상이 발생될 수 있다. 또한, 예를 들어, 엔드 이펙터(22)에 롤이 생기면, 도 3c에서 도시되는 바와 같이, 엔드 이펙터(22)의 폭 방향의 일 측이 하측으로 처지는 현상이 발생될 수 있다. 또한, 예를 들어, 엔드 이펙터(22)에 요우가 생기면, 도 3d에서 도시되는 바와 같이, 엔드 이펙터(22)가 일 측으로 틀어지는 현상이 발생될 수 있다.
이하에서는, 엔드 이펙터(22)에 발생되는 이러한 피치, 롤, 요우의 변화 정도를 산출하여, EFEM 이상 여부를 감지할 수 있는 엔드 이펙터 변위 측정 장치에 대하여 상술하기로 한다.
도 4은 본 개시의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 엔드 이펙터 변위 측정 장치의 구성을 나타내는 블록도이다.
엔드 이펙터 변위 측정 장치(100)는 센서부(110), 통신부(120), 메모리(130) 및 프로세서(140)를 포함할 수 있다.
다만, 구성 요소가 전술한 예에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 엔드 이펙터 변위 측정 장치(100)는 전술한 구성 요소보다 더 많은 구성 요소를 포함하거나 더 적은 구성 요소를 포함할 수 있다. 또한, 일 실시예에서, 각 구성 요소는 물리적으로 동일한 하나의 장치 내에 설치되거나, 적어도 일부가 상이한 장치에 이격되어 설치될 수 있다. 뿐만 아니라, 각 구성 요소 중 적어도 일부가 하나의 칩(Chip) 형태로 구현될 수도 있다. 또한, 일 실시예에서, 통신부(120), 메모리(130) 및 프로세서(140) 중 적어도 하나는 EFEM(도 5의 20) 등의 반도체 장비 또는 반도체 공정 시스템을 관리/제어하기 위한 컨트롤러 또는 모니터링 장치에 일 구성 요소로서 포함될 수 있다.
센서부(100)는, 예를 들어, EFEM(도 5의 20) 등의 반도체 장비에 구비되는 로드락 게이트(도 5의 23)를 통과하는 엔드 이펙터(22)의 변위를 측정할 수 있다. 이를 위해, 센서부(100)는 엔드 이펙터(22)의 이동 경로와 수직하도록 로드락 게이트(도 5의 23)의 상이한 위치에 설치되는 적어도 하나의 변위 센서(111, 112)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 변위 센서(111, 112)는 엔드 이펙터(22)의 제 1 변위를 측정하는 제 1 변위 센서(111)와 제 2 변위를 측정하는 제 2 변위 센서(112)로 구성될 수 있다. 여기서, 제 1 변위는 엔드 이펙터(22)의 수직 변위이고, 제 2 변위는 엔드 이펙터(22)의 수평 변위일 수 있다. 변위 센서(111, 112)는, 예를 들어, 레이저 광원과 수광소자로 구성되는 레이저 변위 센서일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 실시예에 따라, 다양한 변위 센서가 적용될 수 있다.
통신부(120)는 외부 장치와 신호를 송수신할 수 있다. 외부 장치와 송수신하는 신호는 제어 정보와 데이터를 포함할 수 있다. 이때, 외부 장치는 단말, 서버 등을 포함할 수 있다. 통신부(120)는 유무선 통신부를 모두 포함할 수 있다. 또한, 통신부(120)는 유무선 채널을 통해 신호를 수신하여 프로세서(140)로 출력하고, 프로세서(1400)로부터 출력된 신호를 유무선 채널을 통해 전송할 수 있다.
메모리(130)는 엔드 이펙터 변위 측정 장치(100)의 동작에 필요한 프로그램 및 데이터를 저장할 수 있다. 일 실시예에서, 메모리(130)는 엔드 이펙터 변위 측정 장치(100)가 송수신하는 신호에 포함된 제어 정보 또는 데이터를 저장할 수 있다. 메모리(130)는 롬(ROM), 램(RAM), 하드디스크, CD-ROM 및 DVD 등과 같은 저장 매체 또는 저장 매체들의 조합으로 구성될 수 있다. 또한, 메모리(130)는 복수 개일 수 있다.
프로세서(140)는 엔드 이펙터 변위 측정 장치(100)가 동작하는 일련의 과정을 제어할 수 있다. 예를 들면, 본 개시의 실시예에 따른 동작을 수행하도록 엔드 이펙터 변위 측정 장치(100)의 구성요소들을 제어할 수 있다. 프로세서(140)는 복수 개일 수 있으며, 프로세서(140)는 메모리(140)에 저장된 프로그램을 실행함으로써 엔드 이펙터 변위 측정 장치(100)의 동작을 수행할 수 있다.
일 실시예에서, 프로세서(140)는 변위 센서(111, 112)의 변위 측정 결과를 기초로, 엔드 이펙터(22)의 위치 변화, 즉, 피치, 롤 및 요우 중 적어도 하나의 변화를 산출할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(140)는 제 1 변위 센서(111)에 의해 측정된 엔드 이펙터(22)의 수직 변위 값을 기초로, 피치 및/또는 롤의 변화를 산출할 수 있으며, 제 2 변위 센서(112)에 의해 측정된 엔드 이펙터(22)의 수평 변위 값을 기초로, 요우의 변화를 산출할 수 있다. 이때, 피치, 롤 및/또는 요우의 변화 값은 각 회전 축을 기준으로 한 기존 설치 상태 대비 회전 각도로써 표현될 수 있다.
프로세서(140)가 엔드 이펙터(22)의 위치 변화를 산출하는 구체적인 방법은, 이하, 도 8 및 도 9a 내지 9c를 참조하여 상술하기로 한다.
일 실시예에서, 프로세서(140)는 산출된 엔드 이펙터(22)의 피치, 롤 및 요우 중 적어도 하나의 변화 값이 소정의 기준 범위 이상인 경우, 이상 감지 알림을 출력할 수 있다. 실시예에 따라, 프로세서(140)는 피치, 롤 및 요우 각각에 대하여 상이한 우선 순위를 부여하여 이상 감지 알림의 출력 여부를 결정할 수 있다. 즉, 예를 들어, 프로세서(140)는, 피치, 롤 및 요우 각각에 대하여 이상 감지 알림을 출력 여부를 결정하는 기준 범위를 사용자 입력 등에 기초하여 상이하게 설정할 수 있다.
일 실시예에서, 프로세서(140)는 사용자 입력 또는 외부 장치의 요청 신호에 따라, 산출된 피치, 롤 및/또는 요우의 변화 값을 실시간 또는 주기적으로 전송할 수 있다.
일 실시예에서, 프로세서(140)는 변위 센서(111, 112)에 의해 측정된 엔드 이펙터(22)의 변위와 이를 기초로 산출된 피치, 롤 및 요의 변화 값에 대한 데이터를 공정 조건 등과 함께 저장할 수 있다. 또한, 프로세서(140)는 누적된 상기 데이터를 기초로, 공정 조건 등에 따른 엔드 이펙터(22)의 수명 및/또는 교환 주기 등을 예측할 수 있다.
도 5 내지 도 7은 본 개시의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따라, 변위 센서를 EFEM에 설치하는 예시를 설명하기 위한 도면이다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 엔드 이펙터 변위 측정 장치(100)의 변위 센서(111, 112)는 로드락 게이트(23)를 통과하는 엔드 이펙터(22)의 이동 경로에 수직하도록 로드락 게이트(23)의 상, 하면 및/또는 측면에 설치될 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 변위 센서(111)는 로드락 게이트(23)의 상면 또는 하면에 설치되어 엔드 이펙터(22)의 수직 변위를 측정할 수 있다. 예를 들어, 제 1 변위 센서(111)는, 로드락 게이트(23)의 하면에 설치되되, 엔드 이펙터(22)의 설정된 이동 경로를 고려하여 엔드 이펙터(22) 및 이에 거치된 웨이퍼(12)의 가장 긴 거리를 감지할 수 있도록, 로드락 게이트(23)를 통과하는 엔드 이펙터(22)의 폭 방향 일 측에 정렬되도록 구성될 수 있다. 이를 통해, 측정된 수직 변위 값이 피치와 롤을 동시 산출하는데 이용될 수 있으며, 피치 및 롤의 변화에 대한 산출 정확도를 보다 높일 수 있다.
일 실시예에서, 제 2 변위 센서(112)는 로드락 게이트(23)의 측면에 설치되어, 엔드 이펙터(22)의 수평 변위를 측정할 수 있다. 예를 들어, 제 2 변위 센서(112)는 엔드 이펙터(22)의 설정된 이동 경로를 고려하여 로드락 게이트(23)를 통과하는 엔드 이펙터(22)에 대응하는 높이에 설치되되, 로드락 게이트(23)의 양 측면 중 제 1 변위 센서(112)로부터 더 거리가 먼 측면에 설치되도록 구성될 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 엔드 이펙터의 변위 측정 방법을 나타내는 순서도이며, 도 9a 내지 도 9c는 도 8의 820 단계를 수행하는 방법을 예시적으로 설명하기 위한 도면이다.
810 단계에서, 엔드 이펙터 변위 측정 장치(100)는 변위 센서(111, 112)를 통해 로드락 게이트(23)를 통과하는 엔드 이펙터(22)의 변위를 측정할 수 있다. 예를 들어, 로드락 게이트(23)의 하면에 설치된 제 1 변위 센서(111)가 엔드 이펙터(22)의 제 1 변위(즉, 수직 변위)를 측정하고, 로드락 게이트(23)의 측면에 설치된 제 2 변위 센서(112)가 엔드 이펙터(22)의 제 2 변위(즉, 수평 변위)를 측정할 수 있다.
이때, 변위 센서(111, 112)의 감지 주기 및/또는 횟수는 변위 측정 대상인 엔드 이펙터(22)의 길이 및 폭에 대응하여 설정될 수 있다.
이후, 820 단계에서, 엔드 이펙터 변위 측정 장치(100)는 변위 측정 결과를 기초로, 엔드 이펙터(22)의 피치, 롤 및 요우 중 적어도 하나의 변화를 산출할 수 있다.
일 실시예에서, 엔드 이펙터 변위 측정 장치(100)는, 도 9a에 도시되는 바와 같이, 제 1 변위 센서(111)의 측정 값을 기초로, 엔드 이펙터(22)의 피치의 변화 값을 산출할 수 있다.
예를 들어, 피치의 변화 값(Pitch(θ))은 하기 공식에 따라 산출될 수 있다.
Pitch(θ) = sin-1(b/a)
여기서, 'a'는 엔드 이펙터(22)의 이동에 따라 제 1 변위 센서(111)가 엔드 이펙터(22)의 수직 변위를 감지할 수 있는 거리를 나타낼 수 있다. 즉, 'a'는 엔드 이펙터(22)가 로드락 게이트(23)의 내측으로 진입함에 따라, 제 1 변위 센서(111)가 엔드 이펙터(22)에 대한 감지를 개시한 시점에서 감지를 종료한 시점까지의 거리 또는, 측정 대상인 엔드 이펙터(22) 및 웨이퍼(12)에 대한 제 1 변위 센서(111)의 감지 길이를 의미할 수 있다.
일 실시예에서, 'a'는 (엔드 이펙터(22)의 이동 속도) × {(제 1 변위 센서(111)가 엔드 이펙터(22)의 감지를 마치는 시점(Off time)) - (제 1 변위 센서(111)가 엔드 이펙터(22) 감지하는 시점(On time))}를 통해 산출될 수 있다.
또한, 'b'는 제 1 변위 센서(111)가 측정한 수직 변위의 최대값을 나타낼 수 있다. 예를 들어, 제 1 변위 센서(111)가 로드락 게이트(23)의 하면에 설치되어 있고, 엔드 이펙터(22)의 전단이 하측으로 일정한 기울기로 처진 경우라면, 엔드 이펙터(22)가 로드락 게이트(23)의 내측으로 진입함에 따라, 제 1 변위 센서(111)가 측정하는 수직 변위는 선형적으로 증가하며, 최종 측정 시 최대값이 될 수 있다.
즉, 엔드 이펙터 변위 측정 장치(100)는 제 1 변위 센서(111)의 엔드 이펙터(22) 및 웨이퍼(12)에 대한 감지 거리와 최종 감지 시점에 측정된 수직 변위의 최대값을 이용하여, 역사인(arcsine)를 통해 피치의 변화 각도를 산출할 수 있다.
또한, 일 실시예에서, 엔드 이펙터 변위 측정 장치(100)는, 도 9b에 도시되는 바와 같이, 제 1 변위 센서(111)의 측정 값을 기초로, 엔드 이펙터(22)의 롤의 변화 값을 산출할 수 있다.
예를 들어, 롤의 변화 값(Roll(θ))은 하기 공식에 따라 산출될 수 있다.
Roll(θ) = tan-1(c/b)
여기서, 'c'는 제 1 변위 센서(111)로부터 제 2 변위 센서(112)가 수평 방향으로 이격된 거리를 나타낼 수 있다.
즉, 엔드 이펙터 변위 측정 장치(100)는 제 1 변위 센서(111)와 제 2 변위 센서(112)의 수평 거리와 최종 감지 시점에 측정된 수직 변위의 최대값을 이용하여, 역탄젠트(arctangent)를 통해 롤의 변화 각도를 산출할 수 있다.
또한, 일 실시예에서, 엔드 이펙터 변위 측정 장치(100)는, 도 9c에 도시되는 바와 같이, 제 2 변위 센서(111)의 측정 값을 기초로, 엔드 이펙터(22)의 요우의 변화 값을 산출할 수 있다.
예를 들어, 요우의 변화 값(Yaw(θ))은 하기 공식에 따라 산출될 수 있다.
Yaw(θ) = sin-1(e/d)
여기서, 'd'는 엔드 이펙터(22)의 이동에 따라 제 2 변위 센서(112)가 엔드 이펙터(22)의 수평 변위를 감지할 수 있는 거리를 나타낼 수 있다. 즉, 'd'는 엔드 이펙터(22)가 로드락 게이트(23)의 내측으로 진입함에 따라, 제 2 변위 센서(112)가 엔드 이펙터(22)에 대한 감지를 개시한 시점에서 감지를 종료한 시점까지의 거리 또는, 측정 대상인 엔드 이펙터(22) 및 웨이퍼(12)에 대한 제 2 변위 센서(112)의 감지 길이를 의미할 수 있다.
일 실시예에서, 'd'는 (엔드 이펙터(22)의 이동 속도) × {(제 2 변위 센서(112)가 엔드 이펙터(22)의 감지를 마치는 시점(Off time)) - (제 2 변위 센서(112)가 엔드 이펙터(22) 감지하는 시점(On time))}를 통해 산출될 수 있다.
또한, 'e'는 제 2 변위 센서(112)가 측정한 수평 변위의 최대값을 나타낼 수 있다. 예를 들어, 제 2 변위 센서(112)가 로드락 게이트(23)의 측면에 설치되어 있고, 엔드 이펙터(22)의 전단이 제 2 변위 센서(112)의 반대 측으로 일정한 기울기로 틀어진 경우라면, 엔드 이펙터(22)가 로드락 게이트(23)의 내측으로 진입함에 따라, 제 2 변위 센서(112)가 측정하는 수평 변위는 선형적으로 증가하며, 최종 측정 시 최대값이 될 수 있다.
즉, 엔드 이펙터 변위 측정 장치(100)는 제 2 변위 센서(112)의 엔드 이펙터(22) 및 웨이퍼(12)에 대한 감지 거리와 최종 감지 시점에 측정된 수평 변위의 최대값을 이용하여, 역사인(arcsine)를 통해 요우의 변화 각도를 산출할 수 있다.
다만, 이러한 산출 방법은 예시적인 것으로서, 이에 한정되는 것은 아니며, 실시예에 따라, 다양하게 변형되어 적용될 수 있다.
이후, 830 단계에서, 엔드 이펙터 변위 측정 장치(100)는 산출된 엔드 이펙터(22)의 피치, 롤 및 요우 중 적어도 하나의 변화 값이 소정의 기준 범위 이상인 경우, 이상 감지 알림을 출력할 수 있다.
예를 들어, 이상 감지 알림의 출력은 EFEM(도 5의 20) 등의 반도체 장비 및/또는 반도체 공정 시스템에 구비된 디스플레이 장치에 산출된 변화 값 및 이상 감지 알림을 소정의 방식으로 표시하거나, 유, 무선 통신을 통해 연결된 단말, 서버 등의 외부 장치에 상기 변화 값 및 이상 감지 알림을 전송함으로써 수행될 수 있다. 이러한 알림을 기초로, 사용자는 엔드 이펙터(22)의 변형 정도를 인지하고, 교체 여부 등을 결정할 수 있게 된다. 또한, 실시예에 따라, 엔드 이펙터 변위 측정 장치(100)가 사용자 입력 또는 외부 장치의 요청 신호에 따라, 산출된 피치, 롤 및/또는 요우의 변화 값을 실시간 또는 주기적으로 전송하도록 구현될 수 있다.
일 실시예에서, 엔드 이펙터 변위 측정 장치(100)는 사용자의 입력 또는 설정에 기초하여, 피치, 롤 및 요우 각각에 대하여 상이한 우선 순위를 부여할 수 있다. 예를 들어, 피치의 경우, 공정에 미치는 영향이 크기 때문에, 롤 및/또는 요우 대비 기준 범위를 더 낮게 설정할 수 있다.
한편, 도시되어 있지 않으나, 일 실시예에서, 변위 측정 방법(800)은 변위 센서(111, 112)에 의해 측정된 엔드 이펙터(22)의 변위(즉, 수직 변위 및 수평 변위) 및/또는, 이를 기초로 산출된 피치, 롤 및 요우 중 적어도 하나의 변화 값을 공정 조건 등에 대응하여 저장하는 단계; 및 엔드 이펙터(22)의 변위 및/또는, 피치, 롤 및 요우 중 적어도 하나의 변화 값에 대한 누적 데이터를 기초로, 공정 조건에 따른 엔드 이펙터(22)의 수명 및/또는 교환 주기 등을 예측하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 엔드 이펙터 변위 측정 방법(800)은 다양한 컴퓨터 수단을 통하여 수행될 수 있는 프로그램 명령 형태로 구현되어 컴퓨터 판독 가능 매체에 기록될 수 있다. 상기 컴퓨터 판독 가능 매체는 프로그램 명령, 데이터 파일, 데이터 구조 등을 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다. 상기 매체에 기록되는 프로그램 명령은 본 발명을 위하여 특별히 설계되고 구성된 것들이거나 컴퓨터 소프트웨어 당업자에게 공지되어 사용 가능한 것일 수도 있다. 컴퓨터 판독 가능 기록 매체의 예에는 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체(magnetic media), CD-ROM, DVD와 같은 광기록 매체(optical media), 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical media), 및 롬(ROM), 램(RAM), 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 장치가 포함된다. 프로그램 명령의 예에는 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드를 포함한다.
또한, 개시된 실시예들에 따른 서비스형 함수를 제공하는 시스템 또는 시스템의 동작방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다.
컴퓨터 프로그램 제품은 S/W 프로그램, S/W 프로그램이 저장된 컴퓨터로 읽을 수 있는 저장 매체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 컴퓨터 프로그램 제품은 전자 장치의 제조사 또는 전자 마켓(예, 구글 플레이 스토어, 앱 스토어)을 통해 전자적으로 배포되는 S/W 프로그램 형태의 상품(예, 다운로더블 앱)을 포함할 수 있다. 전자적 배포를 위하여, S/W 프로그램의 적어도 일부는 저장 매체에 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다. 이 경우, 저장 매체는 제조사의 서버, 전자 마켓의 서버, 또는 SW 프로그램을 임시적으로 저장하는 중계 서버의 저장매체가 될 수 있다.
컴퓨터 프로그램 제품은, 서버 및 클라이언트 장치로 구성되는 시스템에서, 서버의 저장매체 또는 클라이언트 장치의 저장매체를 포함할 수 있다. 또는, 서버 또는 클라이언트 장치와 통신 연결되는 제 3 장치(예, 스마트폰)가 존재하는 경우, 컴퓨터 프로그램 제품은 제 3 장치의 저장매체를 포함할 수 있다. 또는, 컴퓨터 프로그램 제품은 서버로부터 클라이언트 장치 또는 제 3 장치로 전송되거나, 제 3 장치로부터 클라이언트 장치로 전송되는 S/W 프로그램 자체를 포함할 수 있다.
이 경우, 서버, 클라이언트 장치 및 제 3 장치 중 하나가 컴퓨터 프로그램 제품을 실행하여 개시된 실시예들에 따른 방법을 수행할 수 있다. 또는, 서버, 클라이언트 장치 및 제 3 장치 중 둘 이상이 컴퓨터 프로그램 제품을 실행하여 개시된 실시예들에 따른 방법을 분산하여 실시할 수 있다.
예를 들면, 서버(예로, 클라우드 서버 또는 인공 지능 서버 등)가 서버에 저장된 컴퓨터 프로그램 제품을 실행하여, 서버와 통신 연결된 클라이언트 장치가 개시된 실시예들에 따른 방법을 수행하도록 제어할 수 있다.
이상에서 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속한다.
100: 엔드 이펙터 변위 측정 장치
110: 센서부 111: 제 1 변위 센서
112: 제 2 변위 센서 120: 통신부
130: 메모리 140: 프로세서

Claims (16)

  1. 반도체 장비의 로드락 게이트(loadlock gate)를 통과하는 엔드 이펙터(end effector)의 변위 측정 방법에 있어서,
    상기 로드락 게이트를 통과하는 상기 엔드 이펙터의 이동 경로와 수직하도록 상기 로드락 게이트의 하면 또는 상면에 설치된 제 1 변위 센서와 상기 로드락 게이트의 측면에 설치된 제 2 변위 센서를 통해, 상기 엔드 이펙터가 상기 로드락 게이트를 통과하는 동안 수직 방향의 제 1 변위와 수평 방향의 제 2 변위를 측정하는 단계; 및
    상기 제 1 변위 센서 및 상기 제 2 변위 센서의 측정 결과를 기초로 상기 엔드 이펙터의 피치(pitch), 롤(roll) 및 요우(yaw) 중 적어도 하나의 변화를 산출하는 단계를 포함하고,
    상기 엔드 이펙터의 피치(pitch), 롤(roll) 및 요우(yaw) 중 적어도 하나의 변화를 산출하는 단계는,
    상기 제 1 변위 센서가 상기 엔드 이펙터에 대하여 감지를 개시한 시점부터 감지를 완료한 시점까지의 감지 거리, 상기 제 1 변위 센서와 상기 제 2 변위 센서 간의 수평 거리 및 상기 제 1 변위의 최대값을 기초로 상기 엔드 이펙터의 피치 및 롤의 변화를 산출하는 단계; 및
    상기 제 2 변위 센서가 상기 엔드 이펙터에 대하여 감지를 개시한 시점부터 감지를 완료한 시점까지의 감지 거리 및 상기 제 2 변위의 최대값을 기초로 상기 엔드 이펙터의 요유의 변화를 산출하는 단계를 포함하는, 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 변위 센서는 상기 엔드 이펙터의 폭 방향 일 측의 수직 변위를 측정하도록 상기 로드락 게이트의 상면 또는 하면에 설치되고,
    상기 제 2 변위 센서는 상기 로드락 게이트의 양 측면 중 상기 제 1 변위 센서로부터 거리가 먼 측면에 설치되는, 엔드 이펙터의 변위 측정 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 엔드 이펙터의 피치 및 롤의 변화를 산출하는 단계에서는,
    Pitch(θ) = sin-1(b/a)
    의 공식에 의해 상기 피치의 변화(Pitch(θ)를 산출하고,
    상기 a는 상기 제 1 변위 센서가 상기 엔드 이펙터에 대하여 감지를 개시한 시점부터 감지를 완료한 시점까지의 감지 거리를 나타내고, 상기 b는 상기 제 1 변위의 최대값을 나타내는, 엔드 이펙터의 변위 측정 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 엔드 이펙터의 피치 및 롤의 변화를 산출하는 단계에서는,
    Roll(θ) = tan-1(c/b)
    의 공식에 의해 상기 롤의 변화(Roll(θ))를 산출하고,
    상기 c는 상기 제 1 변위 센서로부터 상기 제 2 변위 센서까지 수평 거리를 나타내고, 상기 b는 상기 제 1 변위의 최대값을 나타내는, 엔드 이펙터의 변위 측정 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 엔드 이펙터의 요유의 변화를 산출하는 단계에서는,
    Yaw(θ) = sin-1(e/d)
    의 공식에 의해 상기 요우의 변화(Yaw(θ))를 산출하고,
    상기 d는 상기 제 2 변위 센서가 상기 엔드 이펙터에 대하여 감지를 개시한 시점부터 감지를 완료한 시점까지의 감지 거리를 나타내고, 상기 e는 상기 제 2 변위의 최대값을 나타내는, 엔드 이펙터의 변위 측정 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 엔드 이펙터의 피치, 롤 및 요우 중 적어도 하나의 변화 값이 소정의 범위 이상인 경우, 이상 감지 알림을 출력하는 단계를 더 포함하는, 엔드 이펙터의 변위 측정 방법.
  9. EFEM(equipment front end module)의 로드락 게이트(loadlock gate)를 통과하는 엔드 이펙터(end effector)의 변위 측정 장치에 있어서,
    상기 로드락 게이트를 통과하는 상기 엔드 이펙터의 이동 경로와 수직하도록 상기 로드락 게이트의 하면 또는 상면에 설치된 제 1 변위 센서와 상기 로드락 게이트의 측면에 설치된 제 2 변위 센서 ― 상기 제 1 변위 센서와 상기 제 2 변위 센서는 상기 엔드 이펙터가 로드락 게이트를 통과하는 동안 수직 방향의 제 1 변위와 수평 방향의 제 2 변위를 각각 측정함 ― ; 및
    상기 제 1 변위 센서 및 상기 제 2 변위 센서의 측정 결과를 기초로 상기 엔드 이펙터의 피치(pitch), 롤(roll) 및 요우(yaw) 중 적어도 하나의 변화를 산출하는 프로세서를 포함하고,
    상기 프로세서는,
    상기 제 1 변위 센서가 상기 엔드 이펙터에 대하여 감지를 개시한 시점부터 감지를 완료한 시점까지의 감지 거리, 상기 제 1 변위 센서와 상기 제 2 변위 센서 간의 수평 거리 및 상기 제 1 변위의 최대값을 기초로 상기 엔드 이펙터의 피치 및 롤의 변화를 산출하고,
    상기 제 2 변위 센서가 상기 엔드 이펙터에 대하여 감지를 개시한 시점부터 감지를 완료한 시점까지의 감지 거리 및 상기 제 2 변위의 최대값을 기초로 상기 엔드 이펙터의 요유의 변화를 산출하는, 엔드 이펙터의 변위 측정 장치.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 변위 센서는 상기 엔드 이펙터의 폭 방향 일 측의 수직 변위를 측정하도록 상기 로드락 게이트의 상면 또는 하면에 설치되고,
    상기 제 2 변위 센서는 상기 로드락 게이트의 양 측면 중 상기 제 1 변위 센서로부터 거리가 먼 측면에 설치되는, 엔드 이펙터의 변위 측정 장치.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    Pitch(θ) = sin-1(b/a)
    의 공식에 의해 상기 피치의 변화(Pitch(θ)를 산출하고,
    상기 a는 상기 제 1 변위 센서가 상기 엔드 이펙터에 대하여 감지를 개시한 시점부터 감지를 완료한 시점까지의 감지 거리를 나타내고, 상기 b는 상기 제 1 변위의 최대값을 나타내는, 엔드 이펙터의 변위 측정 장치.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    Roll(θ) = tan-1(c/b)
    의 공식에 의해 상기 롤의 변화(Roll(θ))를 산출하고,
    상기 c는 상기 제 1 변위 센서로부터 상기 제 2 변위 센서까지 수평 거리를 나타내고, 상기 b는 상기 제 1 변위의 최대값을 나타내는, 엔드 이펙터의 변위 측정 장치.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    Yaw(θ) = sin-1(e/d)
    의 공식에 의해 상기 요우의 변화(Yaw(θ))를 산출하고,
    상기 d는 상기 제 2 변위 센서가 상기 엔드 이펙터에 대하여 감지를 개시한 시점부터 감지를 완료한 시점까지의 감지 거리를 나타내고, 상기 e는 상기 제 2 변위의 최대값을 나타내는, 엔드 이펙터의 변위 측정 장치.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 엔드 이펙터의 피치, 롤 및 요우 중 적어도 하나의 변화 값이 소정의 범위 이상인 경우, 이상 감지 알림을 출력하는, 엔드 이펙터의 변위 측정 장치.
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