TW202234426A - 金屬層、觸控感應器、調光元件、光電轉換元件、熱射線控制構件、天線、電磁波屏蔽構件、圖像顯示裝置及金屬層之製造方法 - Google Patents
金屬層、觸控感應器、調光元件、光電轉換元件、熱射線控制構件、天線、電磁波屏蔽構件、圖像顯示裝置及金屬層之製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
本發明之金屬層包含屬於第3週期及/或第4週期之金屬作為主要成分，且包含氪原子及/或氙原子。
Description
本發明係關於一種金屬層、觸控感應器、調光元件、光電轉換元件、熱射線控制構件、天線、電磁波屏蔽構件、圖像顯示裝置及金屬層之製造方法，詳細而言，本發明係關於一種金屬層、具備該金屬層之觸控感應器、具備該金屬層之調光元件、具備該金屬層之光電轉換元件、具備該金屬層之熱射線控制構件、具備該金屬層之天線、具備該金屬層之電磁波屏蔽構件、具備該金屬層之圖像顯示裝置、及金屬層之製造方法。
近年來，已知使用金屬層作為觸控面板等之電極構件。
作為此種金屬層，例如，提出了一種導電性金屬層，其係於存在氬氣之情況下藉由濺鍍進行成膜而成者(例如參照專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2012-234796號公報
[發明所欲解決之問題]
另一方面，於將金屬層加工成電極構件時，存在對金屬層進行加熱之情形。於此種情形時，要求於加熱前後抑制金屬層之電阻值之增加(加熱穩定性優異)。
本發明提供一種加熱穩定性優異之金屬層、具備該金屬層之觸控感應器、具備該金屬層之調光元件、具備該金屬層之光電轉換元件、具備該金屬層之熱射線控制構件、具備該金屬層之天線、具備該金屬層之電磁波屏蔽構件、具備該金屬層之圖像顯示裝置、及加熱穩定性優異之金屬層之製造方法。
[解決問題之技術手段]
本發明[1]係一種金屬層，其包含屬於第3週期及/或第4週期之金屬作為主要成分，且包含氪原子及/或氙原子。
本發明[2]包含如上述[1]所記載之金屬層，其具有導電性。
本發明[3]包含如上述[1]或[2]所記載之金屬層，其具有圖案形狀。
本發明[4]包含一種觸控感應器，其具備如上述[1]至[3]中任一項所記載之金屬層。
本發明[5]包含一種調光元件，其具備如上述[1]至[3]中任一項所記載之金屬層。
本發明[6]包含一種光電轉換元件，其具備如上述[1]至[3]中任一項所記載之金屬層。
本發明[7]包含一種熱射線控制構件，其具備如上述[1]至[3]中任一項所記載之金屬層。
本發明[8]包含一種天線，其具備如上述[1]至[3]中任一項所記載之金屬層。
本發明[9]包含一種電磁波屏蔽構件，其具備如上述[1]至[3]中任一項所記載之金屬層。
本發明[10]包含一種圖像顯示裝置，其具備如上述[1]至[3]中任一項所記載之金屬層。
本發明[11]係一種金屬層之製造方法，其係於存在氪及/或氙之情況下，藉由以屬於第3週期及/或第4週期之金屬作為靶材之濺鍍法而形成金屬層。
[發明之效果]
本發明之金屬層之製造方法係於存在氪及/或氙之存在下，藉由以屬於第3週期及/或第4週期之金屬作為靶材之濺鍍法而形成金屬層。
於藉由濺鍍法形成金屬層之情形時，源自濺鍍氣體之原子被吸入至金屬層中。
於該方法中，使用原子量較氬更大之氪及/或氙來代替氬作為濺鍍氣體，因此可抑制源自濺鍍氣體之原子(氪原子及/或氙原子)被吸入至金屬層中。
藉此，可製造加熱穩定性優異之金屬層。
因此，本發明之金屬層之加熱穩定性優異。
又，本發明之金屬層、觸控感應器、調光元件、光電轉換元件、熱射線控制構件、天線、電磁波屏蔽構件、圖像顯示裝置由於具備本發明之金屬層，故而加熱穩定性優異。
如圖1所示，金屬層1具有特定厚度之膜形狀(包含片形狀)，在與厚度方向正交之面方向上延伸，且具有平坦之上表面及平坦之下表面。
金屬層1包含金屬、及微量之源自濺鍍氣體之原子，較佳為包含金屬、及源自濺鍍氣體之原子。具體而言，金屬層1包含作為主要成分之金屬、及作為微量成分之源自濺鍍氣體之原子，較佳為包含金屬及源自濺鍍氣體之原子。更具體而言，於金屬層1中，在金屬基質中存在微量之源自濺鍍氣體之原子。
金屬包含屬於第3週期及/或第4週期之金屬作為主要成分。即，金屬層1包含屬於第3週期及/或第4週期之金屬作為主要成分。
作為屬於第3週期之金屬，例如可列舉：鎂(Mg)、鋁(Al)、矽(Si)、磷(P)等，較佳可列舉鋁(Al)。
作為屬於第4週期之金屬，例如可列舉：鈦(Ti)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鋅(Zn)、鎵(Ga)等，較佳可列舉銅(Cu)。
屬於第3週期及/或第4週期之金屬可單獨使用或併用兩種以上。
金屬亦可包含其他金屬作為副成分。
作為其他金屬，例如可列舉：屬於第5週期之金屬、屬於第6週期之金屬等。
作為屬於第5週期之金屬，例如可列舉：鋯(Zr)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銀(Ag)、銦(In)等。
作為屬於第6週期之金屬，例如可列舉：鉭(Ta)、鎢(W)、錸(Re)、鋨(Os)、銥(Ir)、鉑(Pt)、金(Au)等。
其他金屬可單獨使用或併用兩種以上。
金屬較佳為不包含其他金屬而包含屬於第3週期及/或第4週期之金屬，更佳為包含屬於第3週期之金屬，或者包含屬於第4週期之金屬。
關於源自濺鍍氣體之原子，詳見後述，於藉由濺鍍法形成金屬層1之情形時，源自濺鍍氣體之原子為被吸入至金屬層1中之原子，作為源自濺鍍氣體之原子，具體而言，可列舉氪原子及/或氙原子。即，金屬層1包含氪原子及/或氙原子。
作為源自濺鍍氣體之原子，較佳可列舉氪原子或氙原子，更佳可列舉氪原子。
金屬層1中之源自濺鍍氣體之原子之含量例如為0.5原子%以下，較佳為0.2原子%以下，更佳為0.1原子%以下，進而較佳為0.05原子%以下，尤佳為0.02原子%以下，特佳為0.01原子%以下。源自濺鍍氣體之原子之含量例如可藉由螢光X射線分析、或下文關於實施例所敍述之拉塞福逆散射譜法(Rutherford Backscattering Spectrometry，簡稱RBS)進行鑑定。
上述含量之下限為藉由螢光X射線分析裝置或拉塞福逆散射譜法而能夠確認到氪原子及/或氙原子之存在時所對應之比率，至少為0.00001原子%以上。
金屬層1之厚度例如為10 nm以上，較佳為30 nm以上，又，例如為5000 nm以下，較佳為1500 nm以下，更佳為500 nm以下，進而較佳為300 nm以下，尤佳為100 nm以下。
金屬層1之厚度之測定方法將於下述實施例中進行詳細說明。
繼而，參照圖2A及圖2B對金屬層1之製造方法進行說明。
該製造方法係於存在濺鍍氣體(氪及/或氙)之情況下，藉由以上述金屬(包含屬於第3週期及/或第4週期之金屬作為主要成分之金屬)作為靶材之濺鍍法而形成金屬層1。
於藉由濺鍍法形成金屬層1時，首先，如圖2A所示，準備基材2。
基材2具有膜形狀。
作為基材2，例如就可撓性之觀點而言，可列舉高分子膜。作為高分子膜之材料，可列舉例如聚乙烯、聚丙烯、環烯烴聚合物等烯烴樹脂、例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯樹脂、例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸樹脂(丙烯酸樹脂及/或甲基丙烯酸樹脂)、例如聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚芳酯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、纖維素樹脂、聚苯乙烯樹脂等，較佳為聚酯樹脂，更佳為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)。
基材2之厚度例如為1 μm以上，較佳為10 μm以上，較佳為30 μm以上，又，例如為300 μm以下，較佳為200 μm以下，更佳為100 μm以下，進而較佳為60 μm以下。
基材2之厚度可使用針盤量規(PEACOCK公司製造，「DG-205」)進行測定。
又，對於基材2，就賦予耐擦傷性之觀點而言，可視需要對其實施硬塗處理等表面處理。
繼而，如圖2B所示，於存在濺鍍氣體(氪及/或氙)之情況下，藉由以上述金屬作為靶材之濺鍍法，於基材2之厚度方向上之一面形成(配置)金屬層1。
具體而言，於濺鍍裝置中，在沿著成膜輥之周面搬送基材2之同時，一面使包含上述金屬之靶材與基材2之厚度方向上之一面對向，一面於存在濺鍍氣體(較佳為氪或氙，更佳為氪)之情況下進行濺鍍。
作為濺鍍，例如可列舉：二極濺鍍法、ECR(Electron Cyclotron Resonance，電子回旋共振)濺鍍法、磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等。
又，於濺鍍中，除氪及/或氙以外，例如亦可存在氧等反應性氣體。
濺鍍裝置內之氪及/或氙之分壓例如為0.01 Pa以上，較佳為0.1 Pa以上，更佳為0.3 Pa以上，又，例如為10 Pa以下，較佳為5 Pa以下，更佳為1 Pa以下。
濺鍍裝置內之壓力(成膜壓力)係氪及/或氙之分壓及反應性氣體之分壓的合計壓力，例如為0.1 Pa以上，較佳為0.3 Pa以上，又，例如為15 Pa以下，較佳為10 Pa以下，更佳為5 Pa以下，進而較佳為1 Pa以下，尤佳為0.5 Pa以下。
又，作為用於濺鍍之電源，例如可列舉：直流(DC)電源、交流中頻(AC/MF)電源、高頻(RF)電源、疊加有直流電源之高頻電源，較佳可列舉直流(DC)電源。
靶材表面之水平磁場之強度例如為10 mT以上，較佳為20 mT以上，又，例如為200 mT以下，較佳為100 mT以下。藉由將靶材表面之水平磁場之強度調整至上述範圍內，可調整金屬層1中之濺鍍氣體之原子含量。
成膜輥之溫度例如為-30℃以上，較佳為-10℃以上，又，例如為180℃以下，較佳為90℃以下，更佳為60℃以下，進而較佳為40℃以下，尤佳為未達10℃。
藉由上述濺鍍，而將金屬層1形成(配置)於基材2之厚度方向上之一面。藉此，能夠獲得金屬層1，並且能夠獲得朝向厚度方向上之一側依序具備基材2及金屬層1之積層體3。
並且，此種金屬層1具有導電性。
若金屬層1具有導電性，則適宜用作下述觸控感應器、調光元件、光電轉換元件、熱射線控制構件、天線、電磁波屏蔽構件、圖像顯示裝置等所具備之電極構件。
詳細而言，於金屬包含銅(Cu)之情形時，金屬層1之表面電阻值例如為5 Ω/□以下，較佳為0.5 Ω/□以下，更佳為0.35 Ω/□以下，進而較佳為0.30 Ω/□以下，進而更佳為0.23 Ω/□以下，又，通常超過0.001 Ω/□，又，為0.01 Ω/□以上，較佳為0.1 Ω/□以上。
又，於金屬包含鋁(Al)之情形時，金屬層1之表面電阻值例如為10 Ω/□以下，較佳為5.00 Ω/□以下，更佳為2.00 Ω/□以下，進而較佳為1.70 Ω/□以下，又，通常超過0.001 Ω/□，又，為0.1 Ω/□以上，較佳為1.00 Ω/□以上。
再者，表面電阻值可依據JIS K7194藉由四端子法進行測定。
又，於金屬包含銅(Cu)之情形時，金屬層1之比電阻例如為10×10
-6Ω・cm以下，較佳為2.50×10
-6Ω・cm以下，更佳為2.40×10
-6Ω・cm以下，進而較佳為2.30×10
-6Ω・cm以下，尤佳為2.05×10
-6Ω・cm以下，又，例如為0.10×10
-6Ω・cm以上。
又，於金屬包含鋁(Al)之情形時，金屬層1之比電阻例如為20×10
-6Ω・cm以下，較佳為9.0×10
-6Ω・cm以下，更佳為7.0×10
-6Ω・cm以下，又，例如為0.10×10
-6Ω・cm以上，較佳為1.0×10
-6Ω・cm以上。
再者，關於比電阻，可使用依據JIS K7194藉由四端子法所求出之表面電阻值、及金屬層1之厚度，基於下述式(1)而算出。
金屬層1之比電阻＝金屬層1之厚度×金屬層1之表面電阻值 (1)
又，若藉由上述濺鍍法來製造金屬層1，則源自濺鍍氣體之原子被吸入至金屬層1中。
但是，於該方法中，使用原子量較氬更大之氪及/或氙來代替通常使用之氬作為濺鍍氣體，因此可抑制源自濺鍍氣體之原子被吸入至金屬層1中。
即，儘管此種金屬層1包含氪原子及/或氙原子，但如上所述，氪原子及/或氙原子之吸入量得到抑制，因此該金屬層1可於加熱前後抑制電阻值之增加(換言之，該金屬層1之加熱穩定性優異)。
又，此種金屬層1包含屬於第3週期及/或第4週期之金屬作為主要成分，並且如上所述，加熱穩定性優異。即，藉由該方法，即使不以例如金(Au)(屬於第6週期之金屬)等昂貴之金屬作為主要成分，亦可製造加熱穩定性優異之金屬層1。因此，工業生產性優異。
金屬層1可於與基材2相反之側具備與金屬層1鄰接之樹脂層(未圖示)。樹脂層例如為用於將金屬層1與其他構件加以貼合之接著層或黏著層，又，例如為保護金屬層1之塗佈層。樹脂層之材料並無限定，可使用丙烯酸樹脂等公知之樹脂。又，樹脂層中可含有紫外線吸收劑或防腐劑。紫外線吸收劑或防腐劑之材料並無限定，例如可列舉日本專利特開2015-022397中所揭示之苯并三唑系化合物等。
又，如圖3所示，亦可於積層體3中將金屬層1圖案化。即，金屬層1具有圖案形狀。
為了將金屬層1圖案化，例如對金屬層1進行蝕刻。藉此，積層體3具有：具有金屬層1之圖案部4；及不具有金屬層1之非圖案部5。積層體3可於圖案部4與非圖案部5之上表面具備樹脂層(未圖示)。樹脂層例如為用於將積層體3與其他構件加以貼合之接著層或黏著層，又，例如為保護積層體3之圖案部4之塗佈層。又，樹脂層中可含有紫外線吸收劑或防腐劑、抗遷移劑，例如可含有日本專利特開2015-022397中所揭示之苯并三唑系化合物等。
並且，該金屬層1用於各種用途，例如適宜用作觸控感應器、調光元件(PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal，聚合物分散液晶)、PNLC(Polymer Network Liquid Crystal，聚合物網絡液晶)或SPD(Suspended Particle Device，懸浮粒子元件)等電壓驅動型調光元件或電致變色(EC)等電流驅動型調光元件)、光電轉換元件(以有機薄膜太陽電池或染料敏化太陽電池為代表之太陽電池元件)、熱射線控制構件(近紅外反射及/或吸收構件或者遠紅外反射及/或吸收構件)、天線(透光性天線)、電磁波屏蔽構件、加熱器構件、圖像顯示裝置等所具備之電極構件。
此種觸控感應器、調光元件、光電轉換元件、熱射線控制構件、天線、電磁波屏蔽構件、加熱器構件、及圖像顯示裝置由於具備本發明之金屬層1，故而加熱穩定性優異。
[實施例]
以下記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體數值可替換為上述「實施方式」中所記載之與其等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等該記載之上限值(被定義為「以下」、「未達」之數值)或下限值(被定義為「以上」、「超過」之數值)。又，於以下記載中，除非另有說明，否則「份」及「%」以質量作為基準。
1.金屬層之製造
實施例1
將包含丙烯酸樹脂之紫外線硬化性樹脂塗佈於包含PET膜卷(東麗公司製造，厚度50 μm)之基材之厚度方向上之一面，藉由紫外線照射使其硬化。藉此，形成了厚度2 μm之硬塗層而準備好基材。
將該基材設置於真空濺鍍裝置，以極限真空度成為0.9×10
-4Pa之方式進行充分之真空排氣而對基材進行了脫氣處理。然後，一面沿著成膜輥搬送基材，一面於存在氪原子(濺鍍氣體)之低壓環境下，藉由以銅(Cu)作為靶材之濺鍍法，於基材之厚度方向上之一面形成(配置)厚度70 nm之金屬層。藉此製造了金屬層。再者，濺鍍條件如下所述。
＜濺鍍條件＞
電源：DC電源
靶材之水平磁場強度：90 mT
成膜氣壓：0.4 Pa
成膜輥溫度：-8℃
實施例2
除了將金屬層之厚度變更為87 nm以外，藉由與實施例1相同之方式而製造金屬層。
實施例3
除了將靶材變更為鋁(Al)，將靶材之水平磁場強度變更為50 mT以外，藉由與實施例1相同之方式而製造金屬層。
比較例1
除了將濺鍍氣體變更為氬氣以外，藉由與實施例1相同之方式而製造金屬層。
比較例2
除了將濺鍍氣體變更為氬氣以外，藉由與實施例2相同之方式而製造金屬層。
比較例3
除了將濺鍍氣體變更為氬氣以外，藉由與實施例3相同之方式而製造金屬層。
2.評估
＜金屬層之厚度＞
對於各實施例及各比較例之金屬層，藉由FIB(Focused Ion Beam，聚焦離子束)微採樣法，使用FIB裝置(Hitachi公司製造，「FB2200」，加速電壓：10 kV)製作TEM(Transmission Electron Microscopy，穿透式電子顯微鏡)用剖面試樣。繼而，使用場發射型穿透式電子顯微鏡(FE-TEM，JOEL公司製造，「JEM-2800」，加速電壓：200 kV)觀察剖面，測定金屬層之厚度。將其結果示於表1。
＜表面電阻值之測定＞
對於各實施例及各比較例之金屬層，依據JIS K7194，藉由四端子法而測定表面電阻值(以下，稱為表面電阻值A)。將其結果示於表1。
繼而，將各實施例及各比較例之金屬層於80℃下加熱3小時，以同樣之方法測定表面電阻值(以下，稱為表面電阻值B)。將其結果示於表1。
另外，將各實施例及各比較例之金屬層於140℃下加熱1小時，以同樣之方法測定表面電阻值(以下，稱為表面電阻值C)。將其結果示於表1。
＜加熱穩定性＞
對各實施例及各比較例之金屬層之加熱穩定性進行評估。
具體而言，基於下述式(2)及下述式(3)，算出電阻變化之比(B/A)及電阻變化之比(C/A)。
電阻變化之比(B/A)＝表面電阻值B/表面電阻值A (2)
電阻變化之比(C/A)＝表面電阻值C/表面電阻值A (3)
電阻變化之比(B/A)及電阻變化之比(C/A)表示加熱後之表面電阻值相對於加熱前之表面電阻值之變化，電阻變化之比(B/A)及電阻變化之比(C/A)越小，表示越可於加熱前後抑制金屬層之電阻值之增加(加熱穩定性越優異)。
＜比電阻之測定＞
基於下述式(4)，算出各實施例及各比較例之金屬層之比電阻。
金屬層之比電阻＝金屬層之厚度×金屬層之表面電阻值A (4)
＜氪原子及氬原子之鑑定＞
藉由拉塞福逆散射譜法(RBS)來分析各實施例及各比較例之金屬層中是否存在氪原子及氬原子。藉由求出作為檢測元素之金屬元素(Cu或Al)、Ar、Kr此三種元素之元素比率，而確定金屬層中是否存在氪原子或氬原子。評估結果為，確認到實施例1～3之金屬層中含有氪原子，又，比較例1～3之金屬層中含有氬原子。
＜使用裝置＞
Pelletron 3SDH(美國國家靜電公司製造)
＜測定條件＞
入射離子：4He
++入射能量：2300 keV
入射角：0 deg
散射角：160 deg
試樣電流：5 nA
光束直徑：2 mm
面內旋轉：無
照射量：75 μC
3.探討
於實施例1及比較例1中，除了濺鍍氣體不同以外，以相同之步序製造金屬層。
相較於使用氬作為濺鍍氣體之比較例1，使用氪作為濺鍍氣體之實施例1之電阻變化之比(B/A)及電阻變化之比(C/A)更小。
由此可知，若使用氪作為濺鍍氣體，則加熱穩定性優異。
又，於實施例2與比較例2之比較、及實施例3與比較例3之比較中，亦同樣如此。
[表1]
| 表1 | |||||||||
| 實施例、 比較例No. | 金屬層 | 評估 | |||||||
| 比電阻 | 表面電阻值(Ω/□) | 加熱穩定性 | |||||||
| 濺鍍氣體 | 金屬 | 厚度(nm) | (×10 -6Ω・cm) | 表面電阻值A | 表面電阻值B | 表面電阻值C | 電阻變化之比 (B/A) | 電阻變化之比 (C/A) | |
| 實施例1 | Kr | Cu | 70 | 2.31 | 0.33 | 0.32 | 0.71 | 0.97 | 2.15 |
| 比較例1 | Ar | Cu | 70 | 2.50 | 0.36 | 0.37 | 1.67 | 1.03 | 4.64 |
| 實施例2 | Kr | Cu | 87 | 2.01 | 0.23 | 0.22 | 0.48 | 0.96 | 2.09 |
| 比較例2 | Ar | Cu | 87 | 2.08 | 0.24 | 0.26 | 1.06 | 1.08 | 4.42 |
| 實施例3 | Kr | Al | 41 | 6.90 | 1.68 | 1.65 | 1.6 | 0.98 | 0.95 |
| 比較例3 | Ar | Al | 41 | 8.06 | 1.96 | 2.57 | 1.97 | 1.31 | 1.01 |
再者，上述發明係作為本發明之示例之實施方式而提供，但其僅為示例，不可限定性地進行解釋。該技術領域之從業者所知之本發明之變化例亦包含於下述發明申請專利範圍內。
[產業上之可利用性]
金屬層、觸控感應器、調光元件、光電轉換元件、熱射線控制構件、天線、電磁波屏蔽構件、圖像顯示裝置及金屬層之製造方法例如適宜用作觸控面板等之電極構件。
1:金屬層
2:基材
3:積層體
4:圖案部
5:非圖案部
圖1係表示本發明之金屬層之一實施方式之概略圖。
圖2A及圖2B係表示本發明之金屬層之製造方法之一實施方式的概略圖，圖2A表示準備基材之步驟，圖2B表示於存在濺鍍氣體(氪及/或氙)之情況下，藉由以屬於第3週期及/或第4週期之金屬作為靶材之濺鍍法，於基材之厚度方向上之一面形成(配置)金屬層之步驟。
圖3係表示將圖2B所示之積層體之金屬層圖案化之形態的概略圖。
1:金屬層
Claims (11)
- 一種金屬層，其特徵在於包含屬於第3週期及/或第4週期之金屬作為主要成分，且 包含氪原子及/或氙原子。
- 如請求項1之金屬層，其具有導電性。
- 如請求項1或2之金屬層，其具有圖案形狀。
- 一種觸控感應器，其特徵在於具備如請求項1至3中任一項之金屬層。
- 一種調光元件，其特徵在於具備如請求項1至3中任一項之金屬層。
- 一種光電轉換元件，其特徵在於具備如請求項1至3中任一項之金屬層。
- 一種熱射線控制構件，其特徵在於具備如請求項1至3中任一項之金屬層。
- 一種天線，其特徵在於具備如請求項1至3中任一項之金屬層。
- 一種電磁波屏蔽構件，其特徵在於具備如請求項1至3中任一項之金屬層。
- 一種圖像顯示裝置，其特徵在於具備如請求項1至3中任一項之金屬層。
- 一種金屬層之製造方法，其特徵在於：於存在氪及/或氙之情況下，藉由以屬於第3週期及/或第4週期之金屬作為靶材之濺鍍法而形成金屬層。
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2021
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