TW202233786A - 衝擊吸收黏著片 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於提供一種衝擊吸收黏著片，其即便減薄衝擊吸收層，亦能夠充分地吸收由電子零件等之碰撞所引起之衝擊，能夠無損傷或位置偏移地接收電子零件。 本發明之衝擊吸收黏著片1具有至少1層黏著劑層10。針對黏著劑層10藉由下述條件之熱機械分析(TMA)所得之沒入深度相對於黏著劑層10之厚度的比率(沒入深度/厚度×100)為10%以上。本發明之衝擊吸收黏著片1較佳為具有至少1層基材11。 ・熱機械分析(TMA) 探針直徑：1.0 mm 模式：針入模式 壓入荷重：0.05 N 測定氛圍溫度：-40℃ 壓入負荷時間：20分鐘

Description

衝擊吸收黏著片
本發明係關於一種衝擊吸收黏著片。更詳細而言，本發明係關於一種能夠良好地用於轉印半導體晶片或LED晶片等小型之電子零件的衝擊吸收黏著片。
於半導體裝置之製造過程中，一般將半導體晶圓以暫時固定於切割膠帶上之狀態藉由切割而單片化，單片化之半導體晶片係自晶圓背面之切割膠帶側藉由頂針構件推壓並被稱為吸嘴之吸附治具拾取，安裝於電路基板等安裝基板(例如，專利文獻1)。
然而，由於微細加工技術之進步，半導體晶片之小型化、薄型化不斷發展，變得難以利用吸嘴單個地拾取。又，半導體裝置之小型化亦正在發展，要求將多個微細之半導體晶片密集地安裝於安裝基板上，亦有藉由吸嘴單獨地安裝則效率較差之問題。
作為解決上述問題之方法，研究出稱為雷射轉移(laser transfer)之技術(例如，參照專利文獻2)。於雷射轉移中，首先，將半導體晶片等小型(例如，一邊為100 μm以下尺寸之方形)之電子零件格子狀地配置於暫時固定材上，將配置有電子零件之面朝向下方配置。其次，與該暫時固定材之配置有電子零件之面對向且設置間隙地配置用於轉印(接收)電子零件之轉印用基板。繼而，藉由自暫時固定材側對電子零件照射雷射光而解除暫時固定進行剝離，掉落至轉印用基板上，藉此進行轉印。轉印至轉印用基板之電子零件可轉印至其他載體基板並安裝於安裝基板，或者可藉由自轉印用基板直接轉印至安裝基板而進行安裝。
於雷射轉移中，無需使用吸嘴等機械地拾取小型之電子零件，可藉由對複數個電子零件照射並掃掠雷射光而在光學之時間標度內進行轉印，故而效率飛躍性地提昇。又，藉由設置間隙(clearance)地配置暫時固定材與轉印用基板，亦有能夠將電子零件調整成所需之間隔而排列電子零件之優點。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2019-9203號公報 專利文獻2：日本專利特開2019-067892公報
[發明所欲解決之問題]
然而，於雷射轉移中，由於設置間隙(clearance)地配置暫時固定材與轉印用基板，故而有產生剝離之電子零件碰撞至轉印用基板時受到衝擊而破損、或彈跳而發生位置偏移、或翻轉等不良情況的問題，於轉印用基板之表面設置有用以緩和電子零件碰撞至轉印用基板時之衝擊的衝擊吸收層(例如，專利文獻2)。此種衝擊吸收層必須增厚以便能夠在電子零件碰撞時充分地吸收衝擊，但若過於增厚，則有與電子零件之密接性上升而接收之電子零件向其他載體基板或安裝基板之轉印性受損、轉印用基板之製造成本上升等課題。
本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種衝擊吸收黏著片，其即便減薄衝擊吸收層，亦能夠充分地吸收由電子零件等之碰撞所引起之衝擊，能夠無損傷或位置偏移地接收電子零件。 [解決問題之技術手段]
本發明之第1態樣提供一種衝擊吸收黏著片，其具有至少1層黏著劑層。於本發明之第1態樣之衝擊吸收黏著片中，針對上述黏著劑層藉由下述條件之熱機械分析(TMA)所得之沒入深度相對於上述黏著劑層之厚度的比率(沒入深度/厚度×100)為10%以上。 ・熱機械分析(TMA) 探針直徑：1.0 mm 模式：針入模式 壓入荷重：0.05 N 測定氛圍溫度：-40℃ 壓入負荷時間：20分鐘
本發明之第1態樣之衝擊吸收黏著片能夠良好地用作雷射轉移步驟中之轉印用基板。於雷射轉移步驟中，在光學之時間標度內完成電子零件之轉印，故而該時間標度內之黏著劑之衝擊緩和特性變得重要。具體而言，光學之時間標度與掃掠雷射光之頻率相關，例如為100 kHz等。100 kHz之頻率區域之黏著劑物性根據時溫等效原理，相當於-40℃之低溫區域之黏著劑物性，因此於該溫度區域內，對黏著劑施加荷重時之變形量越大，則意味著衝擊緩和特性越優異。例如，可將熱機械分析(TMA)中-40℃下對黏著劑層施加荷重時之上述比率(沒入深度/厚度×100)用作衝擊緩和特性之指標。 -40℃下之熱機械分析(TMA)中之上述比率(沒入深度/厚度×100)為10%以上之構成就即便減薄上述黏著劑層，亦能夠充分地吸收由電子零件之碰撞所引起之衝擊、能夠無損傷或位置偏移地接收電子零件之方面而言較佳。就能夠充分地吸收由電子零件之碰撞所引起之衝擊之方面而言，該比率較佳為15%以上，亦可為20%以上、30%以上、40%以上、50%以上、60%以上、70%以上、或者80%以上。
於本發明之第1態樣之衝擊吸收黏著片中，上述黏著劑層於常溫下之探針觸黏值較佳為10 N/cm 2以上42 N/cm 2以下。上述探針觸黏值為10 N/cm 2以上之構成就能夠充分地吸收由電子零件等向黏著劑層之碰撞所引起之衝擊、能夠抑制碰撞時電子零件之彈跳所引起之位置偏移或翻轉等之方面而言較佳。就能夠抑制電子零件之位置偏移或翻轉之方面而言，上述探針觸黏值較佳為13 N/cm 2以上，亦可為16 N/cm 2以上、或19 N/cm 2以上。又，上述探針觸黏值為42 N/cm 2以下之構成就防止黏著劑向接收之電子零件固著、糊劑殘留之觀點而言較佳，亦可為40 N/cm 2以下、或者35 N/cm 2以下。
於雷射轉移步驟中，在光學之時間標度內完成電子零件之轉印，故而該時間標度內之黏著劑之衝擊緩和特性變得重要。具體而言，光學之時間標度與掃掠雷射光之頻率相關，例如為100 kHz等。若換算成時間標度，則為約10微秒，黏著劑必須對該時間標度內之衝擊作回應而變形。 於本發明之第1態樣之衝擊吸收黏著片中，上述黏著劑層於頻率100 kHz、25℃下之儲存彈性模數(Pa)之常用對數(Log 10G')較佳為7.5以下。上述儲存彈性模數之常用對數為7.5以下之構成就能夠充分地吸收由電子零件等向黏著劑層之碰撞所引起之衝擊、能夠抑制碰撞時電子零件之彈跳所引起之位置偏移或翻轉等之方面而言較佳。就由電子零件之碰撞所引起之衝擊之吸收性之觀點而言，上述儲存彈性模數之常用對數較佳為7.4以下，亦可為7.3以下、7.2以下、7.1以下、或7以下。
於本發明之第1態樣之衝擊吸收黏著片中，上述黏著劑層於頻率100 kHz、25℃下之損耗係數(tanδ)較佳為0.8以上。上述損耗係數為0.8以上之構成就上述黏著劑層於光學之時間標度內表現出優異之衰減性、能夠充分地吸收由電子零件等向黏著劑層之碰撞所引起之衝擊、能夠抑制碰撞時電子零件之彈跳所引起之位置偏移或翻轉等之方面而言較佳。就由電子零件之碰撞所引起之衝擊之吸收性之觀點而言，上述損耗係數較佳為0.95以上，亦可為1.2以上。
於本發明之第1態樣之衝擊吸收黏著片中，上述黏著劑層對不鏽鋼於常溫下之黏著力較佳為0.01 N/20 mm以上4.2 N/20 mm以下。上述黏著劑層對不鏽鋼於常溫下之黏著力為0.01 N/20 mm以上之構成就抑制搬送該衝擊吸收黏著片上之電子零件時之位置偏移地將其保持之方面而言較佳，上述黏著力更佳為0.03 N/20 mm以上，亦可為0.05 N/20 mm以上。上述黏著劑層對不鏽鋼於常溫下之黏著力為4.2 N/20 mm以下之構成就將該衝擊吸收黏著片上之電子零件轉印至其他載體基板或安裝基板時之轉印性之觀點而言較佳，亦可為3.0 N/20 mm以下、或者2.0 N/20 mm以下。 再者，於上述黏著劑層由放射線硬化性黏著劑形成之情形時，上述黏著力意指放射線硬化後之黏著力。
於本發明之第1態樣之衝擊吸收黏著片中，上述黏著劑層對不鏽鋼於常溫下之黏著力更佳為1 N/20 mm以下。黏著劑層對不鏽鋼之黏著力為1 N/20 mm以下之構成就能夠提高將該衝擊吸收黏著片上之電子零件轉印至其他載體基板或安裝基板時之轉印性、抑制電子零件之糊劑殘留之觀點而言較佳，亦可為0.75 N/20 mm以下、或者0.5 N/20 mm以下。 再者，於上述黏著劑層由放射線硬化性黏著劑形成之情形時，上述黏著力意指放射線硬化後之黏著力。
於本發明之第1態樣之衝擊吸收黏著片中，上述黏著劑層較佳為由放射線硬化性黏著劑形成。上述黏著劑層由放射線硬化性黏著劑形成之構成就本發明之第1態樣之衝擊吸收黏著片接收電子零件後，能夠藉由使上述黏著劑層利用放射線照射硬化而降低對電子零件之密接性、提高接收之電子零件向其他載體基板或安裝基板之轉印性、抑制電子零件之糊劑殘留的觀點而言較佳。
於本發明之第1態樣之衝擊吸收黏著片中，上述黏著劑層之厚度較佳為1 μm以上200 μm以下。上述黏著劑層之厚度為1 μm以上之構成就防止黏著片之黏著劑脫落等之方面而言較佳。就由電子零件之碰撞所引起之衝擊之吸收性之觀點而言，上述黏著劑層厚度較佳為5 μm以上，亦可為10 μm以上、20 μm以上、或者30 μm以上。上述黏著劑層之厚度為200 μm以下之構成就將該衝擊吸收黏著片上之電子零件轉印至其他載體基板或安裝基板時之轉印性之觀點而言較佳，亦可為150 μm以下、100 μm以下。
本發明之第1態樣之衝擊吸收黏著片較佳為具有至少1層基材。藉由使本發明之第1態樣之衝擊吸收黏著片除了上述黏著劑層以外具有基材，就接收電子零件時之穩定性或操作性提高之方面而言較佳。上述基材就接收電子零件時之穩定性或操作性之觀點而言，較佳為由聚酯膜形成。
本發明之第1態樣之衝擊吸收黏著片良好地用於利用上述黏著劑層接收配置於暫時固定材上之電子零件。本發明之第1態樣之衝擊吸收黏著片由於具有本發明之黏著劑層，故而能夠充分地吸收由電子零件等向黏著劑層之碰撞所引起之衝擊，能夠抑制碰撞時電子零件之彈跳所引起之位置偏移或翻轉等。
於本發明之第1態樣之衝擊吸收黏著片中，較佳為上述暫時固定材之配置有電子零件之面與上述衝擊吸收黏著片之黏著劑層之黏著面相對向且設置間隙地配置。該構成就能夠控制上述基板與本發明之第1態樣之衝擊吸收黏著片之位置關係、能夠將電子零件配置於衝擊吸收黏著片上之所需位置之方面而言較佳。
又，本發明之第2態樣提供一種電子零件之加工方法。本發明之第2態樣之電子零件之加工方法包括利用本發明之第1態樣之衝擊吸收黏著片之黏著劑層之黏著面接收配置於暫時固定材上之電子零件的步驟(第1步驟)。於本發明之第2態樣之電子零件之加工方法中，本發明之第1態樣之衝擊吸收黏著片能夠充分地吸收由電子零件等向黏著劑層之碰撞所引起之衝擊、能夠抑制碰撞時電子零件之彈跳所引起之位置偏移或翻轉等。
於本發明之第2態樣之電子零件之加工方法中，較佳為上述暫時固定材上配置有電子零件之面與本發明之第1態樣之衝擊吸收黏著片之黏著劑層之黏著面相對向且設置間隙地配置。該構成就能夠控制上述暫時固定材與本發明之第1態樣之衝擊吸收黏著片之位置關係、能夠將電子零件配置於衝擊吸收黏著片之所需位置之方面而言較佳。
本發明之第2態樣之電子零件之加工方法較佳為進而包括：將上述衝擊吸收黏著片上之電子零件配置於其他黏著片或其他基板上之步驟(第2步驟)；及自上述衝擊吸收黏著片之黏著劑層之黏面上剝離電子零件之步驟(第3步驟)。本發明之第2態樣之電子零件之加工方法藉由包括第2步驟及第3步驟，能夠有效率地移載電子零件。 [發明之效果]
本發明之衝擊吸收黏著片即便減薄上述黏著劑層，亦能夠充分地吸收由電子零件等向黏著劑層之碰撞所引起之衝擊、能夠抑制碰撞時電子零件之彈跳所引起之位置偏移或翻轉等，接收之電子零件向其他載體基板或安裝基板之轉印性亦優異。 因此，能夠良好地用於將電子零件有效率地移載至其他載體基板或安裝基板上。
[衝擊吸收黏著片] 本發明之衝擊吸收黏著片具有至少1層黏著劑層。於本發明之衝擊吸收黏著片中，針對上述黏著劑層藉由下述條件之熱機械分析(TMA)所得之沒入深度相對於上述黏著劑層之厚度的比率(沒入深度/厚度×100)為10%以上。 ・熱機械分析(TMA) 探針直徑：1.0 mm 模式：針入模式 壓入荷重：0.05 N 測定氛圍溫度：-40℃ 壓入負荷時間：20分鐘
再者，於本說明書中，有時將上述黏著劑層稱為「本發明之黏著劑層」。又，於本說明書中，有時將「本發明之衝擊吸收黏著片」簡稱為「本發明之黏著片」。又，「黏著片」包括「黏著帶」之含義。即，本發明之衝擊吸收黏著片可為具有帶狀之形態之黏著帶。
本發明之衝擊吸收黏著片用於將半導體晶片或LED晶片等小型之電子零件移載至電路基板等安裝基板之加工技術，於本發明之黏著劑層配置電子零件。藉由將本發明之衝擊吸收黏著片用於電子零件之移載，能夠將複數個電子零件於光學之時間標度內配置於本發明之黏著劑層，無需單個地進行拾取。配置於本發明之黏著劑層之電子零件能夠轉印至其他載體基板並安裝於安裝基板，或者能夠自本發明之衝擊吸收黏著片直接移載至安裝基板，故而能夠格外地提高製造效率。
本發明之衝擊吸收黏著片只要具有由本發明之黏著劑層形成之黏著面(黏著劑層表面)，則其形態無特別限定。例如，可為僅單面為黏著面之單面黏著片，亦可為雙面為黏著面之雙面黏著片。又，於本發明之衝擊吸收黏著片為雙面黏著片之情形時，本發明之衝擊吸收黏著片可具有兩個黏著面由本發明之黏著劑層提供之形態，亦可具有一個黏著面由本發明之黏著劑層提供、另一個黏著面由本發明之黏著劑層以外之黏著劑層(本說明書中，有時稱為「其他黏著劑層」)提供的形態。
本發明之衝擊吸收黏著片可為不具有基材(基材層)之所謂「無基材類型」之黏著片，亦可為具有基材之類型之黏著片。再者，於本說明書中，有時將「無基材類型」之黏著片稱為「無基材黏著片」，有時將具有基材之類型之黏著片稱為「附基材之黏著片」。作為上述無基材黏著片，例如，可例舉：僅由本發明之黏著劑層構成之雙面黏著片、或由本發明之黏著劑層與其他黏著劑層(本發明之黏著劑層以外之黏著劑層)構成之雙面黏著片等。再者，作為上述附基材之黏著片，例如，可例舉：於基材之單面側具有本發明之黏著劑層之單面黏著片、或於基材之雙面側具有本發明之黏著劑層之雙面黏著片、或於基材之一面側具有本發明之黏著劑層且於另一面側具有其他黏著劑層之雙面黏著片等。再者，上述「基材(基材層)」係指支持體，係使用本發明之衝擊吸收黏著片時，與黏著劑層一起接收電子零件之部分。黏著片之使用時剝離之隔離件(剝離襯墊)不包括於上述基材。
以下，參照圖式對本發明之衝擊吸收黏著片之實施方式進行說明，但本發明之衝擊吸收黏著片不限於該實施方式。圖1係表示本發明之衝擊吸收黏著片之一實施方式的剖面模式圖，1表示衝擊吸收黏著片，10表示黏著劑層，11表示基材。
如圖1所示，衝擊吸收黏著片1具有黏著劑層10與基材11積層而成之積層構造。衝擊吸收黏著片1用於將半導體晶片或LED晶片等小型之電子零件安裝於電路基板等安裝基板之加工技術，於黏著劑層10配置電子零件。即，於衝擊吸收黏著片1中，黏著劑層10係由本發明之黏著劑層構成，用於配置/保持電子零件之黏著劑層。具體而言，黏著劑層10良好地用於將暫時固定於基板之電子零件自上述基板分離，並接收分離之上述電子零件。
圖2係表示本發明之衝擊吸收黏著片之另一實施方式之剖面模式圖，2表示衝擊吸收黏著片，20表示黏著劑層，21表示基材，22表示黏著劑層。
如圖2所示，衝擊吸收黏著片2具有黏著劑層20、基材21、及黏著劑層22積層而成之積層構造。於衝擊吸收黏著片2中，黏著劑層20係由本發明之黏著劑層構成，用於配置/保持電子零件之黏著劑層。於衝擊吸收黏著片2中，黏著劑層22可由本發明之黏著劑層構成，亦可由發明之黏著劑層以外之黏著劑層構成。
(本發明之黏著劑層) 本發明之黏著劑層中，藉由上述條件之熱機械分析(TMA)所得之沒入深度相對於上述黏著劑層之厚度的比率(沒入深度/厚度×100)為10%以上。本發明之衝擊吸收黏著片能夠良好地用作雷射轉移步驟中之轉印用基板。於雷射轉移步驟中，於光學之時間標度內完成電子零件之轉印，故而該時間標度內之黏著劑之衝擊緩和特性變得重要。具體而言，光學之時間標度與掃掠雷射光之頻率相關，例如為100 kHz等。100 kHz之頻率區域之黏著劑物性根據時溫等效原理，相當於-40℃之低溫區域下之黏著劑物性，因此，於該溫度區域內對黏著劑施加荷重時之變形量越大，則意味著衝擊緩和特性越優異。例如，可將熱機械分析(TMA)中-40℃下對黏著劑層施加荷重時之上述比率(沒入深度/厚度×100)用作衝擊緩和特性之指標。
-40℃下之熱機械分析(TMA)中之上述比率(沒入深度/厚度×100)為10%以上之構成就即便減薄黏著劑層亦能夠充分地吸收由電子零件等之碰撞所引起之衝擊、能夠無損傷或位置偏移地接收電子零件之方面而言較佳。就能夠充分地吸收由電子零件等之碰撞所引起之衝擊之方面而言，該比率較佳為15%以上，亦可為20%以上、30%以上、40%以上、50%以上、60%以上、70%以上、或者80%以上。就接收之電子零件向其他載體基板或安裝基板之轉印性之觀點而言，上述比率較佳為95%以下，亦可為90%以下。
上述比率(沒入深度/厚度×100)例如可藉由後述實施例所記載之方法進行測定，可藉由調整構成上述黏著劑層之黏著劑之種類或組成、交聯劑之種類或使用量等而進行調整。
於本發明之衝擊吸收黏著片中，本發明之黏著劑層於常溫下之探針觸黏值較佳為10 N/cm 2以上42 N/cm 2以下。上述探針觸黏值為10 N/cm 2以上之構成就能夠充分地吸收由電子零件等向黏著劑層之碰撞所引起之衝擊、能夠抑制碰撞時電子零件之彈跳所引起之位置偏移或翻轉等之方面而言較佳。就能夠抑制電子零件之位置偏移或翻轉之方面而言，上述探針觸黏值較佳為13 N/cm 2以上，亦可為16 N/cm 2以上、或者19 N/cm 2以上。又，上述探針觸黏值為42 N/cm 2以下之構成就防止黏著劑向接收之電子零件之固著、糊劑殘留之觀點而言較佳，亦可為40 N/cm 2以下、或者35 N/cm 2以下。
上述探針觸黏值具體而言可藉由後述實施例所記載之方法進行測定，可藉由調整構成上述黏著劑層之黏著劑之種類或組成、交聯劑之種類或使用量等而進行調整。
於雷射轉移步驟中，於光學之時間標度內完成電子零件之轉印，故而該時間標度內之黏著劑之衝擊緩和特性變得重要。具體而言，光學之時間標度與掃掠雷射光之頻率相關，例如為100 kHz等。若換算成時間標度，則為約10微秒，黏著劑必須對該時間標度內之衝擊作回應而變形。 於本發明之衝擊吸收黏著片中，本發明之黏著劑層於頻率100 kHz、25℃下之儲存彈性模數(Pa)之常用對數(Log 10G')較佳為7.5以下。上述儲存彈性模數之常用對數為7.5以下之構成就能夠充分地吸收由電子零件等向黏著劑層之碰撞所引起之衝擊、能夠抑制碰撞時電子零件之彈跳所引起之位置偏移或翻轉等之方面而言較佳。就由電子零件之碰撞所引起之衝擊之吸收性之觀點而言，上述儲存彈性模數之常用對數較佳為7.4以下，亦可為7.3以下、7.2以下、7.1以下、或者7以下。就防止於搬送衝擊吸收黏著片上接收之電子零件時位置偏移之觀點而言，上述儲存彈性模數之常用對數較佳為4以上，亦可為5以上。
於本發明之衝擊吸收黏著片中，上述黏著劑層於頻率100 kHz、25℃下之損耗係數(tanδ)較佳為0.8以上。上述損耗係數為0.8以上之構成就上述黏著劑層於光學之時間標度內表現出優異之衰減性、能夠充分地吸收由電子零件等向黏著劑層之碰撞所引起之衝擊、能夠抑制碰撞時電子零件之彈跳所引起之位置偏移或翻轉等的方面而言較佳。就由電子零件之碰撞所引起之衝擊之吸收性之觀點而言，上述損耗係數較佳為0.95以上，亦可為1.2以上。就防止於搬送衝擊吸收黏著片上接收之電子零件時位置偏移之觀點而言，上述損耗係數較佳為2.8以下，亦可為2.3以下。
100 kHz之頻率區域之黏著劑物性根據時溫等效原理相當於-40℃之低溫區域下之黏著劑物性，故而該溫度區域內之黏著劑之衝擊緩和特性亦同樣重要。 於本發明之衝擊吸收黏著片中，本發明之黏著劑層於頻率1 Hz、-40℃下之儲存彈性模數(Pa)之常用對數(Log 10G')較佳為8.5以下。上述儲存彈性模數之常用對數為8.5以下之構成就能夠充分地吸收由電子零件等向黏著劑層之碰撞所引起之衝擊、能夠抑制碰撞時電子零件之彈跳所引起之位置偏移或翻轉等的方面而言較佳。就由電子零件之碰撞所引起之衝擊之吸收性之觀點而言，上述儲存彈性模數之常用對數較佳為8.4以下，亦可為8.3以下、8.2以下、8.1以下、或者8以下。就防止於搬送衝擊吸收黏著片上接收之電子零件時位置偏移之觀點而言，上述儲存彈性模數之常用對數較佳為4以上，亦可為5以上。
於本發明之衝擊吸收黏著片中，上述黏著劑層於頻率1 Hz、-40℃下之損耗係數(tanδ)較佳為0.1以上。上述損耗係數為0.1以上之構成就上述黏著劑層於低溫下表現出優異之衰減性、能夠充分地吸收由電子零件等向黏著劑層之碰撞所引起之衝擊、能夠抑制碰撞時電子零件之彈跳所引起之位置偏移或翻轉等的方面而言較佳。就由電子零件之碰撞所引起之衝擊之吸收性之觀點而言，上述損耗係數較佳為0.2以上，亦可為0.3以上、0.4以上、或者0.5以上。就防止於搬送衝擊吸收黏著片上接收之電子零件時位置偏移之觀點而言，上述損耗係數較佳為2.2以下，亦可為1.7以下。
上述儲存彈性模數之常用對數、損耗係數例如可藉由後述實施例所記載之動態黏彈性測定而進行測定，可藉由調整構成上述黏著劑層之黏著劑之種類或組成、交聯劑之種類或使用量等而進行調整。
於本發明之衝擊吸收黏著片中，本發明之黏著劑層對不鏽鋼於常溫下之黏著力較佳為0.01 N/20 mm以上4.2 N/20 mm以下。上述黏著劑層對不鏽鋼於常溫下之黏著力為0.01 N/20 mm以上之構成就於向下一步驟等搬送時抑制接收之電子零件之位置偏移地保持之方面而言較佳，上述黏著力更佳為0.03 N/20 mm以上，亦可為0.05 N/20 mm以上。上述黏著劑層對不鏽鋼於常溫下之黏著力為4.2 N/20 mm以下之構成就接收之電子零件向其他載體基板或安裝基板之轉印性之觀點而言較佳，亦可為3.0 N/20 mm以下、或者2.0 N/20 mm以下。 再者，於上述黏著劑層由放射線硬化性黏著劑形成之情形時，上述黏著力意指放射線硬化後之黏著力。
於本發明之衝擊吸收黏著片中，本發明之黏著劑層對不鏽鋼於常溫下之黏著力更佳為1 N/20 mm以下。黏著劑層對不鏽鋼於常溫下之黏著力為1 N/20 mm以下之構成就能夠提高接收之電子零件向其他載體基板或安裝基板之轉印性、抑制電子零件之糊劑殘留之觀點而言較佳，亦可為0.75 N/20 mm以下、或者0.5 N/20 mm以下。又，黏著劑層對不鏽鋼於常溫下之黏著力亦可為0.001 N/20 mm以上、或者0.005 N/20 mm以上。 再者，於上述黏著劑層由放射線硬化性黏著劑形成之情形時，上述黏著力意指放射線硬化後之黏著力。
於本發明之衝擊吸收黏著片中，本發明之黏著劑層較佳為由放射線硬化性黏著劑形成。本發明之黏著劑層由放射線硬化性黏著劑形成之構成就本發明之衝擊吸收黏著片接收電子零件後，能夠藉由使上述黏著劑層利用放射線照射硬化而降低對電子零件之密接性、提高接收之電子零件向其他載體基板或安裝基板之轉印性、抑制電子零件之糊劑殘留的觀點而言較佳。放射線硬化性黏著劑例如可藉由以後述「放射線硬化性黏著劑」形成而實現。
於本發明之衝擊吸收黏著片中，於上述黏著劑層由放射線硬化性黏著劑形成之情形時，黏著劑層對不鏽鋼於常溫下之放射線硬化前之黏著力較佳為0.1 N/20 mm以上。上述放射線硬化前之黏著力為0.1 N/20 mm以上之構成就能夠抑制碰撞時電子零件之彈跳所引起之位置偏移或翻轉等之方面而言較佳。就能夠抑制電子零件之位置偏移或翻轉之方面而言，上述放射線硬化前之黏著力更佳為0.2 N/20 mm以上，亦可為0.3 N/20 mm以上。上述放射線硬化前之黏著力之上限無特別限定，可為20 N/20 mm以下、18N/20 mm以下、或者15 N/20 mm以下。
上述黏著力例如可藉由後述實施例所記載之黏著力測定而進行測定，可藉由調整構成上述黏著劑層之黏著劑之種類或組成、交聯劑之種類或使用量等而進行調整。又，上述黏著劑層由放射線硬化性黏著劑形成之情形時之放射線硬化後之黏著力可進而藉由調整放射能量之量等而進行調整。
於本發明之衝擊吸收黏著片中，本發明之黏著劑層之厚度較佳為1 μm以上200 μm以下。本發明之黏著劑層之厚度為1 μm以上之構成就防止黏著片之黏著劑脫落等之方面而言較佳。就由電子零件之碰撞所引起之衝擊之吸收性之觀點而言，本發明之黏著劑層之厚度較佳為5 μm以上，亦可為10 μm以上、20 μm以上、或者30 μm以上。本發明之黏著劑層之厚度為200 μm以下之構成就將該衝擊吸收黏著片上之電子零件轉印至其他載體基板或安裝基板時之轉印性之觀點而言較佳，亦可為150 μm以下、100 μm以下。
作為構成本發明之黏著劑層之黏著劑，無特別限定，例如，可例舉：丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、乙烯基烷基醚系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、氟系黏著劑、環氧系黏著劑等。其中，作為構成黏著劑層之黏著劑，就透明性、黏著性、成本、黏著劑之設計容易性之方面而言，較佳為丙烯酸系黏著劑。即，本發明之黏著劑層較佳為由丙烯酸系黏著劑構成之丙烯酸系黏著劑層。上述黏著劑可單獨使用或組合2種以上使用。
上述丙烯酸系黏著劑層含有丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物。上述丙烯酸系聚合物係包含丙烯酸系單體(分子中具有(甲基)丙烯醯基之單體)作為構成聚合物之單體成分的聚合物。上述丙烯酸系聚合物較佳為包含(甲基)丙烯酸烷基酯作為構成聚合物之單體成分的聚合物。再者，丙烯酸系聚合物可單獨使用或者組合2種以上使用。
形成本發明之黏著劑層之黏著劑組合物可為任意形態。例如，黏著劑組合物可為乳液型、溶劑型(溶液型)、活性能量線硬化型、熱熔型(hot melt型)等。其中，就生產性之方面，容易獲得光學特性或外觀性優異之黏著劑層之方面而言，較佳為溶劑型、活性能量線硬化型之黏著劑組合物。特別是就能夠吸收由電子零件之碰撞所引起之衝擊、抑制電子零件之位置偏移或翻轉之觀點而言，較佳為溶劑型之黏著劑組合物。
即，本發明之黏著劑層為含有丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑層，較佳為由溶劑型之丙烯酸系黏著劑組合物形成。
作為上述活性能量線，例如，可例舉：α射線、β射線、γ射線、中子射線、電子束等游離放射線、或紫外線等，尤其是較佳為紫外線。即，上述活性能量線硬化型之黏著劑組合物較佳為紫外線硬化型之黏著劑組合物。
作為形成上述丙烯酸系黏著劑層之黏著劑組合物(丙烯酸系黏著劑組合物)，例如，可例舉：以丙烯酸系聚合物作為必需成分之丙烯酸系黏著劑組合物、或者以構成丙烯酸系聚合物之單體(monomer)之混合物(有時稱為「單體混合物」)或其部分聚合物作為必需成分之丙烯酸系黏著劑組合物等。作為前者，例如可例舉所謂溶劑型之丙烯酸系黏著劑組合物等。又，作為後者，例如可例舉所謂活性能量線硬化型之丙烯酸系黏著劑組合物等。上述「單體混合物」意指包含構成聚合物之單體成分之混合物。又，上述「部分聚合物」亦有時稱為「預聚物」，意指上述單體混合物中之單體成分中之1或2個以上之單體成分部分地聚合之組合物。
上述丙烯酸系聚合物係以丙烯酸系單體作為必需之單體成分(monomer成分)而構成(形成)之聚合物。上述丙烯酸系聚合物較佳為以(甲基)丙烯酸烷基酯作為必需之單體成分而構成(形成)之聚合物。即，上述丙烯酸系聚合物較佳為包含(甲基)丙烯酸烷基酯作為結構單元。於本說明書中，「(甲基)丙烯酸」表示「丙烯酸」及/或「甲基丙烯酸」(「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」中之一者或兩者)，其他亦相同。再者，上述丙烯酸系聚合物由1種或2種以上之單體成分構成。
關於作為必需之單體成分之上述(甲基)丙烯酸烷基酯，較佳為例舉具有直鏈或支鏈狀之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯。再者，(甲基)丙烯酸烷基酯可單獨使用或者組合2種以上使用。
作為具有直鏈或支鏈狀之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯，無特別限定，例如可例舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)、(甲基)丙烯酸異硬脂酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等具有碳數為1～20之直鏈或支鏈狀之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯。其中，上述具有直鏈或支鏈狀之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯較佳為具有碳數為4～18之直鏈或支鏈狀之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯，更佳為丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)、丙烯酸正丁酯(BA)、丙烯酸月桂酯(LA)、甲基丙烯酸月桂酯(LMA)。又，上述具有直鏈或支鏈狀之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯可單獨使用或組合2種以上使用。
構成上述丙烯酸系聚合物之總單體成分(100重量%)中之上述(甲基)丙烯酸烷基酯之比率無特別限定，就能夠吸收由電子零件之碰撞所引起之衝擊、抑制電子零件之位置偏移或翻轉之觀點，控制為上述各特性(特別是藉由熱機械分析(TMA)所得之沒入深度相對於上述黏著劑層之厚度之比率(沒入深度/厚度×100))之觀點而言，較佳為80重量%以上，亦可為85重量%以上、或者90重量%以上。(甲基)丙烯酸烷基酯之比率之上限亦無特別限定，可為99重量%以下、或者98重量%以下。
上述丙烯酸系聚合物可與上述(甲基)丙烯酸烷基酯一同包含共聚性單體作為構成聚合物之單體成分。即，上述丙烯酸系聚合物可包含共聚性單體作為結構單元。再者，共聚性單體可單獨使用或組合2種以上使用。
作為上述共聚性單體，無特別限定，就成為與後述交聯劑或兼具紫外線聚合性碳-碳雙鍵與作為第2官能基之異氰酸基之異氰酸酯化合物等之反應點的方面，透明性、黏著力之控制等之方面而言，較佳為例舉分子內具有羥基之單體、分子內具有羧基之單體。即，上述丙烯酸系聚合物較佳為包含分子內具有羥基之單體作為結構單元。又，上述丙烯酸系聚合物較佳為包含分子內具有羧基之單體作為結構單元。
上述分子內具有羥基之單體為分子內(1分子內)具有至少1個羥基(hydroxyl group)之單體，較佳為例舉具有(甲基)丙烯醯基或乙烯基等具有不飽和雙鍵之聚合性之官能基且具有羥基者。於本說明書中，有時將上述「分子內具有羥基之單體」稱為「含羥基之單體」。再者，含羥基之單體可單獨使用或組合2種以上使用。
作為上述含羥基之單體，例如，可例舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸羥基辛酯、(甲基)丙烯酸羥基癸酯、(甲基)丙烯酸羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)酯等含羥基之(甲基)丙烯酸酯；乙烯醇；烯丙醇等。
其中，作為上述含羥基之單體，較佳為含羥基之(甲基)丙烯酸酯，更佳為丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)、丙烯酸4-羥基丁酯(4HBA)。
於上述丙烯酸系聚合物含有上述含羥基之單體作為構成聚合物之單體成分之情形時，構成上述丙烯酸系聚合物之總單體成分(100重量%)中之上述含羥基之單體之比率無特別限定，就成為與後述交聯劑或兼具紫外線聚合性碳-碳雙鍵與作為第2官能基之異氰酸基之異氰酸酯化合物等之反應點、控制交聯度或放射線硬化性之方面，透明性、黏著力之控制等之方面而言，較佳為0.5重量%以上，更佳為0.8重量%以上，進而較佳為1重量%以上。又，上述含羥基之單體之比率之上限較佳為20重量%以下，更佳為18重量%以下，進而較佳為15重量%以下。
上述分子內具有羧基之單體為分子內(1分子內)具有至少1個羧基之單體，較佳為例舉具有(甲基)丙烯醯基或乙烯基等具有不飽和雙鍵之聚合性之官能基且具有羧基者。於本說明書中，有時將上述「分子內具有羧基之單體」稱為「含羧基之單體」。再者，含羧基之單體可單獨使用或組合2種以上使用。
作為上述含羧基之單體，例如可例舉：(甲基)丙烯酸、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸、異丁烯酸等。又，上述含羧基之單體例如亦包括順丁烯二酸酐、伊康酸酐等含酸酐基之單體。
其中，作為上述含羧基之單體，較佳為(甲基)丙烯酸，更佳為丙烯酸(AA)。
於上述丙烯酸系聚合物含有上述含羧基之單體作為構成聚合物之單體成分之情形時，構成上述丙烯酸系聚合物之總單體成分(100重量%)中之上述含羧基之單體之比率無特別限定，就成為與後述交聯劑或兼具紫外線聚合性碳-碳雙鍵與作為第2官能基之異氰酸基之異氰酸酯化合物等之反應點、控制交聯度或放射線硬化性的方面，透明性、黏著力之控制等之方面而言，較佳為0.5重量%以上，更佳為0.8重量%以上，進而較佳為1重量%以上。又，上述含羧基之單體之比率之上限較佳為20重量%以下，更佳為18重量%以下，進而較佳為15重量%以下。
構成上述丙烯酸系聚合物之總單體成分(100重量%)中之上述含羥基之單體及上述含羧基之單體之比率之合計無特別限定，就成為與後述交聯劑或兼具紫外線聚合性碳-碳雙鍵與作為第2官能基之異氰酸基之異氰酸酯化合物等之反應點的方面，透明性、黏著力之控制等之方面而言，較佳為1重量%以上，更佳為3重量%以上。又，上述比率之合計之上限就獲得具有適度之柔軟性之黏著劑層之方面，獲得透明性優異之黏著劑層之方面而言，較佳為20重量%以下，更佳為15重量%以下。
進而，作為共聚性單體，例如可例舉多官能性單體。作為上述多官能性單體，例如，可例舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷三(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸烯丙酯、(甲基)丙烯酸乙烯酯、二乙烯苯、環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯等。再者，多官能性單體可單獨使用或組合2種以上使用。
於上述丙烯酸系聚合物含有上述多官能性單體作為構成聚合物之單體成分之情形時，構成上述丙烯酸系聚合物之總單體成分(100重量%)中之上述多官能性單體之比率無特別限定，較佳為0.5重量%以下(例如，超過0重量%且為0.5重量%以下)，更佳為0.2重量%以下(例如，超過0重量%且為0.2重量%以下)。
上述丙烯酸系聚合物例如就其凝集力或耐熱性等之改質之觀點而言，可包含源自能夠與(甲基)丙烯酸酯共聚之一種或兩種以上之其他單體的單體單元。作為用以形成丙烯酸系聚合物之單體單元之其他共聚性單體，例如，可例舉：含氮之單體、含脂環結構之單體、含環氧基之單體、含磺酸基之單體、及含磷酸基之單體。作為含氮之單體，例如，可例舉：丙烯醯嗎啉、丙烯醯胺、N-乙烯基吡咯啶酮、及丙烯腈。作為含脂環結構之單體，例如，可例舉：(甲基)丙烯酸環丙酯、(甲基)丙烯酸環丁酯、(甲基)丙烯酸環戊酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸環庚酯、(甲基)丙烯酸環辛酯、(甲基)丙烯酸異𦯉酯、(甲基)丙烯酸雙環戊酯。作為含環氧基之單體，例如，可例舉：(甲基)丙烯酸縮水甘油酯及(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯。作為含磺酸基之單體，例如，可例舉：苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、及(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸。作為含磷酸基之單體，例如，可例舉丙烯醯基磷酸2-羥基乙酯。
上述丙烯酸系聚合物較佳為包含形成均聚物時之玻璃轉移溫度(Tg)較低之單體(以下，有時稱為「低Tg單體」)作為構成聚合物之單體成分，但並無特別限定。若使用低Tg單體作為上述單體成分，則含有該丙烯酸系聚合物之黏著劑變得柔軟，就能夠控制本發明之黏著劑層之上述各特性(特別是藉由熱機械分析(TMA)所得之沒入深度相對於上述黏著劑層之厚度的比率(沒入深度/厚度×100))、吸收由電子零件之碰撞所引起之衝擊、抑制電子零件之位置偏移或翻轉的觀點而言較佳。
上述低Tg單體之形成均聚物時之玻璃轉移溫度無特別限定，例如為0℃以下，較佳為-10℃以下，更佳為-25℃以下。藉由使上述低Tg單體之Tg為上述範圍，黏著劑層之衝擊吸收性提昇。
上述低Tg單體可為作為構成丙烯酸系聚合物之單體成分所含之單體而例示之上述單體，亦可為其以外之單體。尤其是構成丙烯酸系聚合物之單體成分較佳為作為上述構成丙烯酸系聚合物之單體成分所例示之單體且包含作為低Tg單體之單體成分。上述低Tg單體可僅為1種，亦可為2種以上。
作為上述低Tg單體，無特別限定，例如可例舉：丙烯酸2-乙基己酯(EHA、均聚物之Tg：-70℃)、丙烯酸丁酯(BA、均聚物之Tg：-55℃)、甲基丙烯酸月桂酯(LMA、均聚物之Tg：-65℃)、丙烯酸月桂酯(LA、均聚物之Tg：-23℃)、丙烯酸異壬酯(iNAA、均聚物之Tg：-58℃)等，較佳為丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸月桂酯。
於上述丙烯酸系聚合物含有上述低Tg單體作為構成聚合物之單體成分之情形時，構成上述丙烯酸系聚合物之總單體成分(100重量%)中之上述低Tg單體之比率無特別限定，較佳為80重量%以上，亦可為85重量%以上、或者90重量%以上。低Tg單體之比率之上限亦無特別限定，可為99重量%以下、或者98重量%以下。若低Tg單體之比率為上述範圍內，則就能夠控制上述各特性(尤其是藉由熱機械分析(TMA)所得之沒入深度相對於上述黏著劑層之厚度之比率(沒入深度/厚度×100))、吸收由電子零件之碰撞所引起之衝擊、抑制電子零件之位置偏移或翻轉的觀點而言較佳。再者，於構成聚合物之單體成分中包含2種以上之低Tg單體之情形時，上述「低Tg單體之比率」為上述2種以上之低Tg單體之比率之合計。
本發明之黏著劑層中之基礎聚合物(尤其是丙烯酸系聚合物)之含量無特別限定，相對於本發明之黏著劑層之總重量100重量%，較佳為50重量%以上(例如，50～100重量%)，更佳為80重量%以上(例如，80～100重量%)，進而較佳為90重量%以上(例如，90～100重量%)。
本發明之黏著劑層所含有之上述丙烯酸系聚合物等基礎聚合物可藉由使單體成分聚合而獲得。作為聚合方法，無特別限定，例如，可例舉：溶液聚合方法、乳化聚合方法、塊狀聚合方法、基於活性能量線照射之聚合方法(活性能量線聚合方法)等。其中，就黏著劑層之透明性、成本等之方面而言，較佳為溶液聚合方法、活性能量線聚合方法，更佳為溶液聚合方法。
又，於上述單體成分之聚合時，可使用各種通常之溶劑。作為上述溶劑，例如，可例舉：乙酸乙酯、乙酸正丁酯等酯類；甲苯、苯等芳香族烴類；正己烷、正庚烷等脂肪族烴類；環己烷、甲基環己烷等脂環式烴類；甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮類等有機溶劑。再者，溶劑可單獨使用或者組合2種以上使用。
於上述單體成分之聚合時，可根據聚合反應之種類，使用熱聚合起始劑或光聚合起始劑(光起始劑)等聚合起始劑。再者，聚合起始劑可單獨使用或組合2種以上使用。
作為上述熱聚合起始劑，無特別限定，例如，可例舉：偶氮系聚合起始劑、過氧化物系聚合起始劑(例如，過氧化二苯甲醯、過氧化順丁烯二酸第三丁酯等)、氧化還原系聚合起始劑等。其中，較佳為過氧化物系聚合起始劑。作為上述偶氮系聚合起始劑，可例舉：2,2'-偶氮二異丁腈(以下，有時稱為「AIBN」)、2,2'-偶氮雙-2-甲基丁腈(以下，有時稱為「AMBN」)、2,2'-偶氮雙(2-甲基丙酸)二甲酯、4,4'-偶氮雙-4-氰基戊酸等。再者，熱聚合起始劑可單獨使用或組合2種以上使用。
上述熱聚合起始劑之使用量無特別限定，例如，相對於構成上述丙烯酸系聚合物之總單體成分100重量份，較佳為0.05重量份以上，更佳為0.1重量份以上，且較佳為0.5重量份以下，更佳為0.3重量份以下。
作為上述光聚合起始劑，無特別限定，例如可例舉：安息香醚系光聚合起始劑、苯乙酮系光聚合起始劑、α-酮醇系光聚合起始劑、芳香族磺醯氯系光聚合起始劑、光活性肟系光聚合起始劑、安息香系光聚合起始劑、苯偶醯系光聚合起始劑、二苯甲酮系光聚合起始劑、縮酮系光聚合起始劑、9-氧硫𠮿
Figure 110148702-A0304-1
系光聚合起始劑等。此外，亦可例舉：醯基氧化膦系光聚合起始劑、二茂鈦系光聚合起始劑。作為上述安息香醚系光聚合起始劑，例如，可例舉：安息香甲醚、安息香乙醚、安息香丙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、2,2-二甲氧基-1,2-二苯乙烷-1-酮、大茴香醚甲醚等。作為上述苯乙酮系光聚合起始劑，例如，可例舉：2,2-二乙氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、1-羥基環己基苯基酮、4-苯氧基二氯苯乙酮、4-(第三丁基)二氯苯乙酮等。作為上述α-酮醇系光聚合起始劑，例如，可例舉：2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-[4-(2-羥基乙基)苯基]-2-甲基丙烷-1-酮等。作為上述芳香族磺醯氯系光聚合起始劑，例如，可例舉2-萘磺醯氯等。作為上述光活性肟系光聚合起始劑，例如，可例舉1-苯基-1,1-丙烷二酮-2-(O-乙氧基羰基)-肟等。作為上述安息香系光聚合起始劑，例如，可例舉安息香等。作為上述苯偶醯系光聚合起始劑，例如可例舉苯偶醯等。作為上述二苯甲酮系光聚合起始劑，例如，可例舉：二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、聚乙烯二苯甲酮、α-羥基環己基苯基酮等。作為上述縮酮系光聚合起始劑，例如，可例舉苯偶醯二甲基縮酮等。作為上述9-氧硫𠮿
Figure 110148702-A0304-1
系光聚合起始劑，例如，可例舉：9-氧硫𠮿
Figure 110148702-A0304-1
、2-氯9-氧硫𠮿
Figure 110148702-A0304-1
、2-甲基9-氧硫𠮿
Figure 110148702-A0304-1
、2,4-二甲基9-氧硫𠮿
Figure 110148702-A0304-1
、異丙基9-氧硫𠮿
Figure 110148702-A0304-1
、2,4-二異丙基9-氧硫𠮿
Figure 110148702-A0304-1
、十二烷基9-氧硫𠮿
Figure 110148702-A0304-1
等。作為上述醯基氧化膦系光聚合起始劑，例如，可例舉：2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-氧化膦、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦等。作為上述二茂鈦系光聚合起始劑，例如，可例舉雙(η 5-2,4-環戊二烯-1-基)-雙(2,6-二氟-3-(1H-吡咯-1-基)-苯基)鈦等。再者，光聚合起始劑可單獨使用或組合2種以上使用。
於上述丙烯酸系聚合物之聚合時使用上述光聚合起始劑之情形時，上述光聚合起始劑之使用量無特別限定，例如，相對於構成上述丙烯酸系聚合物之總單體成分100重量份，較佳為0.01重量份以上，更佳為0.1重量份以上，且較佳為3重量份以下，更佳為1.5重量份以下。
本發明之黏著劑層之形成可使用交聯劑，但無特別限定。例如，就使丙烯酸系黏著劑層中之丙烯酸系聚合物交聯、吸收由電子零件之碰撞所引起之衝擊、抑制電子零件之位置偏移或翻轉的觀點而言，能夠控制上述各特性(尤其是藉由熱機械分析(TMA)所得之沒入深度相對於上述黏著劑層之厚度的比率(沒入深度/厚度×100))。再者，交聯劑可單獨使用或者組合2種以上使用。
作為上述交聯劑，無特別限定，例如，可例舉：異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑、脲系交聯劑、金屬烷氧化物系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、㗁唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、胺系交聯劑等。其中，較佳為異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑，更佳為異氰酸酯系交聯劑。
作為上述異氰酸酯系交聯劑(多官能異氰酸酯化合物)，例如，可例舉：1,2-伸乙基二異氰酸酯、1,4-伸丁基二異氰酸酯、1,6-六亞甲基二異氰酸酯等低級脂肪族多異氰酸酯類；伸環戊基二異氰酸酯、伸環己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲伸苯基二異氰酸酯、氫化二甲苯二異氰酸酯等脂環族多異氰酸酯類；2,4-甲伸苯基二異氰酸酯、2,6-甲伸苯基二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯等芳香族多異氰酸酯類等。又，作為上述異氰酸酯系交聯劑，例如，亦可例舉：三羥甲基丙烷/甲伸苯基二異氰酸酯加成物(商品名「Coronate L」、Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造)、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯加成物(商品名「Coronate HL」、Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造)、三羥甲基丙烷/苯二甲基二異氰酸酯加成物(商品名「Takenate D-110N」、三井化學股份有限公司製造)等市售品。
作為上述環氧系交聯劑(多官能環氧化合物)，例如，可例舉：N,N,N',N'-四縮水甘油基間苯二甲胺、二縮水甘油基苯胺、1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺基甲基)環己烷、1,6-己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇聚縮水甘油醚、甘油聚縮水甘油醚、季戊四醇聚縮水甘油醚、聚甘油聚縮水甘油醚、山梨糖醇酐聚縮水甘油醚、三羥甲基丙烷聚縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三(2-羥基乙基)異氰尿酸三縮水甘油酯、間苯二酚二縮水甘油醚、雙酚-S-二縮水甘油醚、以及分子內具有2個以上環氧基之環氧系樹脂等。又，作為上述環氧系交聯劑，例如，可例舉商品名「Tetrad C」(三菱瓦斯化學股份有限公司製造)等市售品。
於將交聯劑用於本發明之黏著劑層之形成之情形時，上述交聯劑之使用量無特別限定，就能夠吸收由電子零件之碰撞所引起之衝擊、抑制電子零件之位置偏移或翻轉之觀點、控制上述各特性(特別是藉由熱機械分析(TMA)所得之沒入深度相對於上述黏著劑層之厚度的比率(沒入深度/厚度×100))之方面而言，相對於基礎聚合物100重量份，較佳為0.001重量份以上，更佳為0.01重量份以上。又，上述使用量之上限就於黏著劑層中獲得適度之柔軟性、提昇黏著力之方面而言，相對於基礎聚合物100重量份，較佳為10重量份以下，更佳為5重量份以下。
本發明之黏著劑層之形成亦可使用交聯促進劑，但無特別限定。交聯促進劑之種類可根據使用之交聯劑之種類適當選擇。再者，於本說明書中，交聯促進劑係指提高利用交聯劑之交聯反應之速度的觸媒。作為該交聯促進劑，可例示：二月桂酸二辛基錫、二月桂酸二丁基錫、二乙酸二丁基錫、二乙醯丙酮酸二丁基錫、四正丁基錫、氫氧化三甲基錫等含錫(Sn)之化合物；N,N,N',N'-四甲基己二胺或三乙胺等胺類、咪唑類等含N之化合物；等。其中，較佳為含Sn之化合物。該等交聯促進劑之使用於使用含羥基之單體作為上述副單體且使用異氰酸酯系交聯劑作為交聯劑之情形時特別有效果。上述黏著劑組合物所含之交聯促進劑之量相對於上述丙烯酸系聚合物100質量份，例如可設為0.001～0.5質量份左右(較佳為0.001～0.1質量份左右)。
本發明之黏著劑層可為能夠於衝擊吸收黏著片之使用過程中藉由來自外部之作用而有意地降低黏著力的黏著劑層(黏著力可降低型黏著劑層)，亦可為於衝擊吸收黏著片之使用過程中黏著力幾乎或完全不會藉由來自外部之作用而降低的黏著劑層(黏著力不降低型黏著劑層)，可根據使用本發明之衝擊吸收黏著片而安裝電子零件之方法或條件等而適當選擇。
於本發明之黏著劑層為黏著力可降低型黏著劑層之情形時，於本發明之衝擊吸收黏著片之製造過程或使用過程中，能夠區分使用本發明之黏著劑層表現出相對較高之黏著力之狀態與表現出相對較低之黏著力之狀態。例如，於本發明之衝擊吸收黏著片之使用過程中，於本發明之黏著劑層接收(轉印)電子零件之步驟中，利用本發明之黏著劑層表現出相對較高之黏著力之狀態，能夠充分地吸收由電子零件等向黏著劑層之碰撞所引起之衝擊、能夠抑制碰撞時電子零件之彈跳所引起之位置偏移或翻轉等。另一方面，其後，於將利用本發明之衝擊吸收黏著片接收之電子零件轉印至其他載體基板或安裝基板之過程中，藉由降低本發明之黏著劑層之黏著力，能夠提高轉印性(交接性)或抑制向電子零件之糊劑殘留。
作為形成此種黏著力可降低型黏著劑層之黏著劑，例如，可例舉：放射線硬化性黏著劑、加熱發泡型黏著劑等，放射線硬化性黏著劑就操作性之方面而言較佳。即，本發明之衝擊吸收黏著片較佳為由放射線硬化性黏著劑形成。作為形成黏著力可降低型黏著劑層之黏著劑，可使用一種黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著劑。
作為上述放射線硬化性黏著劑，例如可使用藉由電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線、或X射線之照射而硬化之類型之黏著劑，尤佳為使用藉由紫外線照射而硬化之類型之黏著劑(紫外線硬化性黏著劑)。
作為上述放射線硬化性黏著劑，例如，可例舉含有丙烯酸系聚合物等基礎聚合物、及具有放射線聚合性之碳-碳雙鍵等官能基之放射線聚合性之單體成分或低聚物成分的添加型之放射線硬化性黏著劑。作為基礎聚合物，可使用與上述相同之丙烯酸系聚合物。
作為上述放射線聚合性之單體成分，例如，可例舉：胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。作為上述放射線聚合性之低聚物成分，例如，可例舉：胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，較佳為分子量為100～30000左右者。形成本發明之黏著劑層之放射線硬化性黏著劑中之上述放射線硬化性之單體成分及低聚物成分之含量相對於上述基礎聚合物100質量份，例如為5～500質量份、較佳為40～150質量份左右。又，作為添加型之放射線硬化性黏著劑，例如可使用日本專利特開昭60-196956號公報所揭示者。
作為上述放射線硬化性黏著劑，亦可例舉含有於聚合物側鏈、或聚合物主鏈中、聚合物主鏈末端具有放射線聚合性之碳-碳雙鍵等官能基之基礎聚合物的內在型之放射線硬化性黏著劑。若使用此種內在型之放射線硬化性黏著劑，則有能夠抑制由形成之黏著劑層內之低分子量成分之移動所引起之黏著特性之非期望之經時性變化的傾向。
作為上述內在型之放射線硬化性黏著劑所含有之基礎聚合物，較佳為丙烯酸系聚合物。作為放射線聚合性之碳-碳雙鍵向丙烯酸系聚合物之導入方法，例如可例舉如下方法：使包含具有第1官能基之單體成分之原料單體聚合(共聚)而獲得丙烯酸系聚合物後，使具有能夠與上述第1官能基反應之第2官能基及放射線聚合性之碳-碳雙鍵之化合物維持碳-碳雙鍵之放射線聚合性地對丙烯酸系聚合物進行縮合反應或加成反應。
作為上述第1官能基與上述第2官能基之組合，例如，可例舉：羧基與環氧基、環氧基與羧基、羧基與氮丙啶基、氮丙啶基與羧基、羥基與異氰酸基、異氰酸基與羥基等。該等之中，就反應追蹤之容易性之觀點而言，較佳為羥基與異氰酸基之組合、異氰酸基與羥基之組合。其中，製作具有反應性較高之異氰酸基之聚合物之技術難度較高，另一方面，就具有羥基之丙烯酸系聚合物之製作及獲取之容易性之觀點而言，較佳為上述第1官能基為羥基且上述第2官能基為異氰酸基之組合。作為具有異氰酸基及放射性聚合性之碳-碳雙鍵之化合物、即含放射線聚合性之不飽和官能基之異氰酸酯化合物，例如，可例舉：甲基丙烯醯基異氰酸酯、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。又，作為具有羥基之丙烯酸系聚合物，可例舉包含源自上述含羥基之單體、或2-羥基乙基乙烯醚、4-羥基丁基乙烯醚、二乙二醇單乙烯醚等醚系化合物之結構單元者。
於使用上述含放射線聚合性之不飽和官能基之異氰酸酯化合物之情形時，形成本發明之黏著劑層之放射線硬化性黏著劑中之上述含放射線聚合性之不飽和官能基之異氰酸酯化合物之含量相對於上述基礎聚合物100質量份，例如為5～100質量份、較佳為7～50質量份左右。
上述放射線硬化性黏著劑較佳為含有光聚合起始劑。作為上述光聚合起始劑，例如，可例舉：α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、安息香醚系化合物、縮酮系化合物、芳香族磺醯氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、9-氧硫𠮿
Figure 110148702-A0304-1
系化合物、樟腦醌、鹵化酮、醯基膦氧化物、醯基膦酸酯等。作為上述α-酮醇系化合物，例如，可例舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-1-(4-(4-(2-羥基-2-甲基丙醯基)苄基)苯基)-2-甲基丙烷-1-酮等。作為上述苯乙酮系化合物，例如，可例舉：甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲基硫基)-苯基]-2-嗎啉基丙烷-1等。作為上述安息香醚系化合物，例如，可例舉：安息香乙醚、安息香異丙醚、大茴香偶姻甲醚等。作為上述縮酮系化合物，例如，可例舉苯偶醯二甲基縮酮等。作為上述芳香族磺醯氯系化合物，例如，可例舉2-萘磺醯氯等。作為上述光活性肟系化合物，例如，可例舉1-苯基-1,2-丙烷二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等。作為上述二苯甲酮系化合物，例如，可例舉：二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等。作為上述9-氧硫𠮿
Figure 110148702-A0304-1
系化合物，例如，可例舉：9-氧硫𠮿
Figure 110148702-A0304-1
、2-氯9-氧硫𠮿
Figure 110148702-A0304-1
、2-甲基9-氧硫𠮿
Figure 110148702-A0304-1
、2,4-二甲基9-氧硫𠮿
Figure 110148702-A0304-1
、異丙基9-氧硫𠮿
Figure 110148702-A0304-1
、2,4-二氯9-氧硫𠮿
Figure 110148702-A0304-1
、2,4-二乙基9-氧硫𠮿
Figure 110148702-A0304-1
、2,4-二異丙基9-氧硫𠮿
Figure 110148702-A0304-1
等。放射線硬化性黏著劑中之光聚合起始劑之含量相對於基礎聚合物100質量份，例如為0.05～20質量份。
上述加熱發泡型黏著劑為含有藉由加熱而發泡或膨脹之成分(發泡劑、熱膨脹性微球等)之黏著劑。作為上述發泡劑，可例舉各種無機系發泡劑或有機系發泡劑。作為上述無機系發泡劑，例如，可例舉：碳酸銨、碳酸氫銨、碳酸氫鈉、亞硝酸銨、硼氫化鈉、疊氮類等。作為上述有機系發泡劑，例如，可例舉：三氯單氟甲烷、二氯單氟甲烷等氟氯化烷烴；偶氮二異丁腈、偶氮二羧醯胺、偶氮二羧酸鋇等偶氮系化合物；對甲苯磺醯肼、二苯基碸-3,3'-二磺醯肼、4,4'-氧基雙(苯磺醯肼)、烯丙基雙(磺醯肼)等肼系化合物；對甲苯基磺醯胺脲、4,4'-氧基雙(苯磺醯胺脲)等胺脲系化合物；5-嗎啉基-1,2,3,4-噻三唑等三唑系化合物；N,N'-二亞硝基五亞甲基四胺、N,N'-二甲基-N,N'-二亞硝基對苯二甲醯胺等N-亞硝基系化合物等。作為上述熱膨脹性微球，例如，可例舉殼內封入有藉由加熱而容易地氣化並膨脹之物質之構成之微球。作為上述藉由加熱而容易地氣化並膨脹之物質，例如，可例舉：異丁烷、丙烷、戊烷等。將藉由加熱而容易地氣化並膨脹之物質利用凝聚(coacervation)法或界面聚合法等而封入至殼形成物質內，藉此能夠製作熱膨脹性微球。作為上述殼形成物質，可使用表現出熱熔性之物質、或能夠藉由封入物質之熱膨脹之作用而破裂之物質。作為此種物質，例如，可例舉：偏二氯乙烯・丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、聚碸等。
作為上述黏著力不降低型黏著劑層，例如，可例舉感壓型黏著劑層。再者，感壓型黏著劑層包括使上文中關於黏著力可降低型黏著劑層所敍述之由放射線硬化性黏著劑形成之黏著劑層預先藉由放射線照射而硬化並具有一定之黏著力之形態之黏著劑層。作為形成黏著力不降低型黏著劑層之黏著劑，可使用一種黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著劑。又，可本發明之黏著劑層之整體為黏著力不降低型黏著劑層，亦可一部分為黏著力不降低型黏著劑層。例如，於本發明之黏著劑層具有單層構造之情形時，可本發明之黏著劑層之整體為黏著力不降低型黏著劑層，亦可本發明之黏著劑層中之特定之部位為黏著力不降低型黏著劑層且其他部位為黏著力可降低型黏著劑層。又，於本發明之黏著劑層具有積層構造之情形時，可積層構造中之所有黏著劑層為黏著力不降低型黏著劑層，亦可積層構造中之一部分黏著劑層為黏著力不降低型黏著劑層。
使由放射線硬化性黏著劑形成之黏著劑層(放射線未照射放射線硬化型黏著劑層)預先藉由放射線照射而硬化之形態之黏著劑層(放射線照射過之放射線硬化型黏著劑層)即便藉由放射線照射而降低黏著力，亦表現出起因於含有之聚合物成分之黏著性，能夠發揮本發明之衝擊吸收黏著片所需之最低限度之黏著力。於使用放射線照射過之放射線硬化型黏著劑層之情形時，於本發明之黏著劑層之面擴散方向，可本發明之黏著劑層之整體為放射線照射過之放射線硬化型黏著劑層，亦可本發明之黏著劑層之一部分為放射線照射過之放射線硬化型黏著劑層且其他部分為放射線未照射之放射線硬化型黏著劑層。再者，於本說明書中，「放射線硬化型黏著劑層」係指由放射線硬化性黏著劑形成之黏著劑層，包括具有放射線硬化性之放射線未照射放射線硬化型黏著劑層及該黏著劑層藉由放射線照射而硬化後之放射線硬化完之放射線硬化型黏著劑層雙方。
作為形成上述感壓型黏著劑層之黏著劑，可使用公知或慣用之感壓型之黏著劑，較佳為使用以丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑。於本發明之黏著劑層含有丙烯酸系聚合物作為感壓型之黏著劑之情形時，該丙烯酸系聚合物較佳為包含源自(甲基)丙烯酸酯之結構單元作為以質量比率計最多之結構單元的聚合物。作為上述丙烯酸系聚合物，例如，可採用作為上述添加型之放射線硬化性黏著劑可包含之丙烯酸系聚合物所說明的丙烯酸系聚合物。
本發明之黏著劑層可於無損本發明之效果之範圍內根據需要進而含有黏著賦予樹脂(松香衍生物、聚萜烯樹脂、石油樹脂、油溶性酚等)、防老化劑、填充劑、著色劑(顏料或染料等)、紫外線吸收劑、抗氧化劑、鏈轉移劑、塑化劑、軟化劑、界面活性劑、抗靜電劑等添加劑。再者，此種添加劑可單獨使用或者組合2種以上使用。
本發明之黏著劑層(尤其是丙烯酸系黏著劑層)之製作方法無特別限定，例如，可例舉：將上述黏著劑組合物塗佈(塗敷)於基材或隔離件上，使所獲得之黏著劑組合物層乾燥硬化；或將上述黏著劑組合物塗佈(塗敷)於基材或隔離件上，對所獲得之黏著劑組合物層照射活性能量線而使之硬化。又，可視需要進而加熱乾燥。
作為上述活性能量線，例如，可例舉：α射線、β射線、γ射線、中子射線、電子束等游離放射線、或紫外線等，尤其是較佳為紫外線。又，活性能量線之照射能量、照射時間、照射方法等無特別限制。
上述黏著劑組合物可利用公知或慣用之方法製作。例如，溶劑型之丙烯酸系黏著劑組合物可藉由於含有上述丙烯酸系聚合物之溶液中視需要混合添加劑(例如，紫外線吸收劑等)而製作。例如，活性能量線硬化型之丙烯酸系黏著劑組合物可藉由於上述丙烯酸系單體之混合物或其部分聚合物中根據需要混合添加劑(例如，紫外線吸收劑等)而製作。
再者，上述黏著劑組合物之塗佈(塗敷)可利用公知之塗佈法。例如，可使用凹版輥塗佈機、逆輥塗佈機、接觸輥塗佈機、浸漬輥塗佈機、棒式塗佈機、刮刀塗佈機、噴霧塗佈機、缺角輪塗佈機、直接塗佈機等塗佈機。
尤其是於藉由活性能量線硬化型之黏著劑組合物形成黏著劑層之情形時，活性能量線硬化型之黏著劑組合物較佳為包含光聚合起始劑。再者，於活性能量線硬化型之黏著劑組合物含有紫外線吸收劑之情形時，作為光聚合起始劑，較佳為至少包含於較廣之波長範圍內具有吸光特性之光聚合起始劑。例如，較佳為至少包含除了紫外光以外，於可見光下亦具有吸光特性之光聚合起始劑。其原因在於，擔憂基於活性能量線之硬化因紫外線吸收劑之作用受阻礙，若包含於較廣之波長範圍內具有吸光特性之光聚合起始劑，則黏著劑組合物容易獲得較高之光硬化性。
(基材) 本發明之衝擊吸收黏著片較佳為具有至少1層基材。即，本發明之衝擊吸收黏著片較佳為附基材之黏著片。本發明之衝擊吸收黏著片藉由除了上述黏著劑層以外具有基材而發揮作為支持體之功能，就提昇接收電子零件時之穩定性或操作性之方面而言較佳。
作為上述基材，無特別限定，例如，可良好地使用塑膠膜。作為塑膠基材之構成材料，就接收電子零件時之穩定性或操作性之觀點而言，較佳為熱塑性樹脂。作為熱塑性樹脂，例如，可例舉：聚烯烴、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯硫醚、芳香族聚醯胺、氟樹脂、纖維素系樹脂、及聚矽氧樹脂，較佳為聚酯膜。作為聚烯烴，例如，可例舉：低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、及乙烯-己烯共聚物。作為聚酯，例如，可例舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯及聚對苯二甲酸丁二酯。基材可由一種材料構成，亦可由兩種以上之材料構成。基材可具有單層構造，亦可具有多層構造。又，基材於由塑膠膜構成之情形時，可為未延伸膜，可為單軸延伸膜，亦可為雙軸延伸膜。衝擊吸收黏著片之使用時剝離之隔離件不包括於「基材」。
上述基材之厚度無特別限定，例如就確保用以發揮作為支持體之功能之強度的觀點而言，較佳為10 μm以上，更佳為30 μm以上。又，就於本發明之衝擊吸收黏著片中實現適度之可撓性之觀點而言，基材之厚度較佳為200 μm以下，更佳為180 μm以下。再者，上述基材可具有單層及複層之任一形態。又，對於上述基材之表面，可為了提高與本發明之黏著劑層之密接性而適當實施例如電暈放電處理、電漿處理等物理性處理、底塗處理等化學性處理等公知慣用之表面處理。
(其他黏著劑層) 於本發明之衝擊吸收黏著片為附基材之黏著片之情形時，較佳為於本發明之未積層黏著劑層之另一面進而具有黏著劑層(其他黏著劑)。即，本發明之衝擊吸收黏著片較佳為附基材之雙面黏著片。藉由使本發明之衝擊吸收黏著片為附基材之雙面黏著片，例如能夠將其他黏著劑層固定於其他基板(載體基板)，就作業性之觀點而言較佳。
上述其他黏著劑層可由與本發明之黏著劑層相同之黏著劑構成，亦可由與本發明之黏著劑層不同之黏著劑構成。例如，較佳為放射線硬化性黏著劑或加熱發泡型黏著劑等黏著力可降低型黏著劑層。能夠於其他黏著劑層與載體基板之密接性較高之狀態下轉印電子零件，且其後能夠藉由放射線照射或加熱而使其他黏著劑層之黏著力降低，自載體基板容易地剝離，故而就能夠容易地再利用載體基板而二次加工性優異之觀點而言較佳。
其他黏著劑層之厚度無特別限定，較佳為1 μm以上，更佳為3 μm以上。若厚度為一定以上，則容易穩定地固定於載體基板而較佳。又，其他黏著劑層之厚度之上限值無特別限定，較佳為100 μm以下，更佳為80 μm以下。若厚度為一定以下，則容易自載體基板剝離，二次加工性提高而較佳。
(隔離件) 本發明之衝擊吸收黏著片之黏著劑層表面(本發明之黏著劑層及/或其他黏著劑層之黏著面)可直至使用時之前經隔離件保護。於本發明之衝擊吸收黏著片為雙面黏著片之情形時之各黏著面可分別經2片隔離件保護，亦可經雙面為剝離面之1片隔離件以捲繞成捲筒狀之形態(捲繞體)保護。隔離件係用作黏著劑層之保護材，於使用時被剝離。又，於本發明之衝擊吸收黏著片為無基材黏著片之情形時，隔離件亦承擔作為黏著劑層之支持體之作用。再者，亦可未必設置隔離件。
作為上述隔離件，可使用慣用之剝離紙等，無特別限定，例如，可例舉：具有剝離處理層之基材、包含氟聚合物之低接著性基材或包含無極性聚合物之低接著性基材等。作為上述具有剝離處理層之基材，例如，可例舉：藉由聚矽氧系、長鏈烷基系、氟系、硫化鉬等剝離處理劑進行了表面處理之塑膠膜或紙等。作為上述包含氟聚合物之低接著性基材中之氟系聚合物，例如，可例舉：聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、氯氟乙烯-偏二氟乙烯共聚物等。又，作為上述無極性聚合物，例如，可例舉烯烴系樹脂(例如，聚乙烯、聚丙烯等)等。再者，隔離件可藉由公知或慣用之方法形成。 隔離件之厚度無特別限定，可自5～100 μm之範圍適當選擇。
(本發明之衝擊吸收黏著片) 本發明之衝擊吸收黏著片之製造方法視上述黏著劑組合物之組成等而不同，無特別限定，可利用公知之形成方法，例如，可例舉以下之(1)～(4)等方法。 (1)將上述黏著劑組合物塗佈(塗敷)於基材上而形成組合物層，使該組合物層硬化(例如，熱硬化或基於紫外線等活性能量線照射之硬化)形成黏著劑層而製造黏著片的方法 (2)將上述黏著劑組合物塗佈(塗敷)於隔離件上而形成組合物層，使該組合物層硬化(例如，熱硬化或基於紫外線等活性能量線照射之硬化)形成黏著劑層後，將該黏著劑層轉印於基材上而製造黏著片的方法 (3)將上述黏著劑組合物塗佈(塗敷)於基材上，使之乾燥形成黏著劑層而製造黏著片的方法 (4)將上述黏著劑組合物塗佈(塗敷)於隔離件上，使之乾燥形成黏著劑層後，將該黏著劑層轉印於基材上而製造黏著片的方法
作為上述(1)～(4)中之製膜方法，就生產性優異之方面而言，較佳為乾燥而形成黏著劑層之方法。
作為將上述黏著劑組合物塗佈(塗敷)於特定之面上之方法，可採用公知之塗佈方法，無特別限定，例如，可例舉：輥塗、接觸輥塗佈、凹版塗佈、反向塗佈、輥刷、噴塗、浸漬輥塗佈、棒式塗佈、刮塗、氣刀塗佈、淋幕式塗佈、模唇塗佈、藉由模嘴塗佈機等之擠出塗佈法等。
本發明之衝擊吸收黏著片之厚度(總厚度)無特別限定，較佳為1 μm以上，更佳為2 μm以上，進而較佳為3 μm以上。若厚度為一定以上，則電子零件容易精度良好地轉印至本發明之黏著劑層而較佳。又，本發明之衝擊吸收黏著片之厚度(總厚度)之上限值無特別限定，較佳為500 μm以下，更佳為300 μm以下。若厚度為一定以下，則容易將電子零件精度良好地轉印至其他載體基板或安裝基板而較佳。再者，本發明之衝擊吸收黏著片之厚度不包括隔離件之厚度。
本發明之衝擊吸收黏著片由於具有本發明之黏著劑層，故而表現出優異之衝擊吸收性。例如，後述落球試驗中之衝擊吸收率(%)為10%以上，較佳為15%以上，亦可為20%以上、25%以上、30%以上、35%以上、或者40%以上。
又，本發明之衝擊吸收黏著片例如在後述落球試驗中之黏著劑之沒入深度相對於黏著劑之厚度的比率(落球試驗後之黏著劑沒入深度/厚度×100)為7%以上，較佳為10%以上，亦可為15%以上、20%以上、25%以上、或者30%以上。
落球試驗可藉由以下方法進行。 首先，於衝擊吸收黏著片(寬度30 mm×長度30 mm)之與評價面之黏著劑層相反側之面整面經由雙面接著帶，使用2 kg手壓輥貼附於SUS板(厚度5 mm)。 於以上所述之方式所獲得之評價用試樣之黏著劑層面使用落球試驗機，使1 g之鐵球自高度1 m自由掉落。藉由共焦雷射顯微鏡測量由該鐵球達到之向黏著劑層面之沒入深度。其次，將該沒入深度(μm)除以黏著片之厚度(μm)，求出黏著劑之沒入深度相對於黏著劑之厚度的比率(落球試驗後之黏著劑沒入深度/厚度×100)。 又，利用該落球試驗機測量於上述條件下施加衝擊時之衝擊荷重F，藉由下式求出衝擊吸收率(%)。 衝擊吸收率(%)＝｛(F 0－F 1)/F 0｝×100 (於上述式中，F 0係未貼附黏著片而使鐵球僅碰撞SUS板時之衝擊荷重，F 1係使鐵球碰撞由SUS板與黏著片構成之構造體之黏著片上時之衝擊荷重)
本發明之衝擊吸收黏著片係用於電子零件之加工方法(電子零件之加工用途)。更具體而言，本發明之衝擊吸收黏著片可良好地用於利用本發明之黏著劑層接收配置於暫時固定材(基板、或黏著片)上之電子零件。本發明之衝擊吸收黏著片由於具有本發明之黏著劑層，故而能夠充分地吸收由電子零件等向黏著劑層之碰撞所引起之衝擊，能夠抑制碰撞時電子零件之彈跳所引起之位置偏移或翻轉等。
於將本發明之衝擊吸收黏著片用於上述電子零件之加工用途之情形時，較佳為上述暫時固定材之配置有電子零件之面與本發明之衝擊吸收黏著片之黏著劑層之黏著面相對向且設置間隙地配置。該構成就能夠控制上述暫時固定材與本發明之衝擊吸收黏著片之位置關係、能夠將電子零件配置於衝擊吸收黏著片之所需位置之方面而言較佳。
本發明之電子零件之加工方法包括利用本發明之衝擊吸收黏著片之黏著劑層之黏著面接收配置於暫時固定材上之電子零件的步驟(第1步驟)。於本發明之電子零件之加工方法中，本發明之衝擊吸收黏著片能夠充分地吸收由電子零件等向黏著劑層之碰撞所引起之衝擊，能夠抑制碰撞時電子零件之彈跳所引起之位置偏移或翻轉等。
於本發明之電子零件之加工方法中，較佳為上述暫時固定材上配置有電子零件之面與本發明之衝擊吸收黏著片之黏著劑層之黏著面相對向且設置間隙地配置。該構成就能夠控制上述暫時固定材與本發明之衝擊吸收黏著片之位置關係、能夠將電子零件配置於衝擊吸收黏著片之所需位置的方面而言較佳。
本發明之電子零件之加工方法較佳為進而包括將上述衝擊吸收黏著片上之電子零件配置於其他黏著片或其他基板上之步驟(第2步驟)、及自上述衝擊吸收黏著片之黏著劑層之黏著面上剝離電子零件之步驟(第3步驟)。本發明之電子零件之加工方法藉由包括第2步驟及第3步驟，能夠有效率地移載電子零件。
以下，參照圖式，對本發明之電子零件之加工方法之實施方式進行說明，但本發明之電子零件之加工方法不限於該實施方式。圖3係表示使用圖1所示之衝擊吸收黏著片1之本發明之電子零件之加工方法之一實施方式中之第1步驟的剖面模式圖。
於本實施方式中，本發明之電子零件之加工方法之第1步驟係分離配置於暫時固定材30之電子零件31(參照圖3(a))，利用衝擊吸收黏著片1之黏著劑層10之黏著面進行接收的步驟(參照圖3(b)、(c))。
於圖3(a)中，於暫時固定材30之單面配置有複數個電子零件31。構成暫時固定材30之材料無特別限定，可例舉上述塑膠膜或玻璃基板。又，暫時固定材30亦可為黏著片，於該情形時，電子零件31可配置於黏著片之黏著面上。暫時固定材30較佳為由放射線透過性之材料構成。
將電子零件31配置於暫時固定材30之單面之方法無特別限定，例如，可例舉經由上述黏著力可降低型黏著劑層配置電子零件31。於該情形時，藉由對黏著力可降低型黏著劑層照射放射線或進行加熱，能夠解除暫時固定狀態。於本實施方式中，電子零件31係經由上述放射線硬化性黏著劑層(省略圖示)配置於暫時固定材30。
於本實施方式中，於暫時固定材30之單面配置有複數個電子零件31。於本實施方式中，上述電子零件31之尺寸例如為1 μm 2～250000 μm 2。根據本發明之電子零件之加工方法，能夠有效率地移載此種小型之電子零件。
於本實施方式中，將暫時固定材30之配置有電子零件31之面朝向下方進行配置，將衝擊吸收黏著片1之黏著劑層10之黏著面朝向上方進行配置，將暫時固定材30之暫時固定有電子零件31之面與衝擊吸收黏著片1之黏著劑層10之黏著面相對向且設置間隙d地配置。藉由設置間隙d，能夠控制暫時固定材30與本發明之衝擊吸收黏著片1之位置關係，能夠將電子零件31配置於衝擊吸收黏著片1之所需位置。間隙d之間隔無特別限定，例如為1～1000 μm左右。
於本實施方式中，黏著劑層10係由衝擊吸收性黏著劑形成。又，衝擊吸收黏著片1之未形成黏著劑層10之面亦可積層其他黏著劑層，於該情形時，可經由該其他黏著劑層固定於其他基板(省略圖示)。
於本實施方式中，自暫時固定材30之側對電子零件31照射雷射光L而解除電子零件31之暫時固定狀態，將電子零件31自暫時固定材30分離。更詳細而言，若對電子零件31接觸之部分之暫時固定材30照射雷射光L，則黏著力降低，藉由將電子零件31自暫時固定材30剝離而分離。雷射光L可對複數個電子零件31分別地照射，可對一部分進行照射，亦可對所有電子零件31一起進行照射，亦可藉由掃掠進行照射。於本實施方式中，對複數個電子零件31之一部分進行照射。
於圖3(b)中，自暫時固定材30分離之電子零件31朝向衝擊吸收黏著片1掉落並被黏著劑層10之黏著面接收。由於黏著劑層10由本發明之黏著劑層構成，表現出優異之衝擊吸收性，故而能夠吸收由電子零件之碰撞所引起之衝擊而防止破損，能夠抑制電子零件之位置偏移或翻轉。
於圖3(c)、(d)中，對配置於暫時固定材30之其他電子零件31照射雷射光L而使之分離、掉落，接收(轉印)至黏著劑層10之黏著面。於本實施方式中，對圖3(b)中照射過雷射光L之電子零件31之相鄰之電子零件31照射雷射光L。
於圖3(c)、(d)中，暫時固定材30與衝擊吸收黏著片1之位置關係可與圖3(b)相同，亦可使位置關係偏移。於本實施方式中，使暫時固定材30向圖3之右方向偏移特定間隔後，對衝擊吸收黏著片1照射雷射光L。藉此，能夠將電子零件31控制成所需間距地配置於衝擊吸收黏著片1之黏著劑層10。
於圖3(e)中表示藉由反覆進行圖3(c)、(d)所示之步驟而於黏著劑層10接收全部電子零件31的形態。於本實施方式中，電子零件31係設置所需間距地排列。
圖4係表示使用圖1所示之衝擊吸收黏著片1之本發明之電子零件之加工方法之一實施方式中之第2步驟及第3步驟的剖面模式圖。
如圖4(a)所示，與其他黏著片或基板40相對向且分開地配置排列於衝擊吸收黏著片1之黏著劑層10之黏著面上之電子零件31。於40為黏著片之情形時，基板40之與衝擊吸收黏著片1相對向之面41為黏著面，於40為安裝基板之情形時，面41為電路面。
其次，如圖4(b)所示，使其他黏著片或基板40之面41與排列於衝擊吸收黏著片1之黏著劑層10之黏著面上之電子零件31靠近，使電子零件31與面41接觸，藉此，能夠將電子零件31配置於其他黏著片或基板40之面41。
其次，於黏著劑層10由放射線硬化性黏著劑形成之情形時，如圖4(c)所示，自衝擊吸收黏著片1之基材11側向電子零件31照射紫外線U。藉由紫外線U，由放射線硬化性黏著劑形成之黏著劑層10硬化而黏著力降低，能夠剝離電子零件31。紫外線U可對全部電子零件31進行照射，亦可視需要進行遮蔽等而對一部分電子零件31進行照射。本實施方式係對全部電子零件31照射紫外線U。
其次，如圖4(d)所示，藉由使衝擊吸收黏著片1與其他黏著片或基板40分開，能夠自衝擊吸收黏著片1之黏著劑層10之黏著面上剝離電子零件31，與此同時，向其他黏著片或基板40之面41轉印。構成黏著劑層10之放射線硬化性黏著劑由於藉由紫外線U而硬化，黏著力降低，故而能夠容易地剝離電子零件31，轉印並配置於其他黏著片或基板40之面41。於維持衝擊吸收黏著片1之黏著劑層10上之電子零件31配置圖案之狀態下轉印、配置於面41。
作為安裝於安裝基板上之電子零件，無特別限定，可良好地用於微細且薄型之半導體晶片或LED晶片。 實施例
以下，例舉實施例對本發明更詳細地進行說明，但本發明不受該等實施例任何限定。
[製造例1]丙烯酸系聚合物A之製造 於甲苯中添加丙烯酸2-乙基己酯100重量份、丙烯酸2-羥基乙酯12.6重量份、及作為聚合起始劑之過氧化苯甲醯0.25重量份後，於氮氣氣流下於60℃下進行聚合反應，於其中添加異氰酸甲基丙烯醯氧基乙酯13.5重量份進行加成反應，藉此獲得具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系共聚物(丙烯酸系聚合物A)之甲苯溶液。
[製造例2]丙烯酸系聚合物B之製造 於乙酸乙酯中添加丙烯酸2-乙基己酯100重量份、丙烯酸2-羥基乙酯4重量份、及作為聚合起始劑之偶氮二異丁腈0.2重量份後，加熱至70℃而獲得丙烯酸系共聚物(丙烯酸系聚合物B)之乙酸乙酯溶液。
[製造例3]丙烯酸系聚合物C之製造 於甲苯中添加丙烯酸丁酯70重量份、丙烯酸2-乙基己酯30重量份、丙烯酸3重量份、丙烯酸4-羥基丁酯0.05重量份、及作為聚合起始劑之偶氮二異丁腈0.08重量份後，加熱至70℃而獲得丙烯酸系共聚物(丙烯酸系聚合物C)之甲苯溶液。
[製造例4]丙烯酸系聚合物D之製造 於甲苯中添加甲基丙烯酸月桂酯91重量份、甲基丙烯酸2-羥基乙酯9.3重量份、及作為聚合起始劑之偶氮二異丁腈0.2重量份後，於氮氣氣流下於60℃下進行聚合反應，於其中添加異氰酸甲基丙烯醯氧基乙酯9.1重量份進行加成反應，藉此獲得具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系共聚物(丙烯酸系聚合物D)之甲苯溶液。
[製造例5]丙烯酸系聚合物E之製造 於乙酸乙酯中添加丙烯酸2-乙基己酯95重量份、丙烯酸5重量份、及作為聚合起始劑之過氧化苯甲醯0.15重量份後，加熱至70℃而獲得丙烯酸系共聚物(丙烯酸系聚合物E)之乙酸乙酯溶液。
[製造例6]丙烯酸系聚合物F之製造 於甲苯中添加丙烯酸2-乙基己酯75重量份、丙烯醯嗎啉15重量份、丙烯酸2-羥基乙酯22重量份、及作為聚合起始劑之過氧化苯甲醯0.275重量份後，於氮氣氣流下於60℃下進行聚合反應，於其中添加異氰酸甲基丙烯醯氧基乙酯19.8重量份進行加成反應，藉此獲得具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系共聚物(丙烯酸系聚合物F)之甲苯溶液。
[製造例7]丙烯酸系聚合物G之製造 於甲苯中添加丙烯酸丁酯50重量份、丙烯酸乙酯39重量份、丙烯酸2-羥基乙酯20重量份、及作為聚合起始劑之過氧化苯甲醯0.3重量份後，於氮氣氣流下於60℃下進行聚合反應，於其中添加異氰酸甲基丙烯醯氧基乙酯21.3重量份進行加成反應，藉此獲得具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系共聚物(丙烯酸系聚合物G)之甲苯溶液。
[實施例1] (黏著劑之製備) 於包含100重量份之丙烯酸系聚合物A之丙烯酸系聚合物溶液A中添加交聯劑(Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造、商品名「Coronate L」)0.2重量份、及α-羥基酮系光聚合起始劑(BASF JAPAN製造、商品名「Irgacure 127」、分子量：340.4、波長365 nm之吸光係數：1.07×10 2ml/g・cm)3重量份，獲得黏著劑。 (黏著片) 於聚對苯二甲酸乙二酯膜(厚度：50 μm)之一個面以溶劑揮發(乾燥)後之厚度成為5 μm之方式塗佈上述黏著劑而形成黏著層，獲得黏著片。利用隔離件(Mitsubishi Chemical公司製造、DIAFOIL MRF)保護所獲得之黏著片之黏著面，獲得包含(聚對苯二甲酸乙二酯膜/黏著層/隔離件)之黏著片。
[實施例2] 將溶劑揮發(乾燥)後之黏著劑層之厚度設為30 μm，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得包含(聚對苯二甲酸乙二酯膜/黏著層/隔離件)之黏著片。
[實施例3] 將溶劑揮發(乾燥)後之黏著劑層之厚度設為50 μm，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得包含(聚對苯二甲酸乙二酯膜/黏著層/隔離件)之黏著片。
[實施例4] 將溶劑揮發(乾燥)後之黏著劑層之厚度設為100 μm，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得包含(聚對苯二甲酸乙二酯膜/黏著層/隔離件)之黏著片。
[實施例5] 將溶劑揮發(乾燥)後之黏著劑層之厚度設為200 μm，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得包含(聚對苯二甲酸乙二酯膜/黏著層/隔離件)之黏著片。
[實施例6] 將交聯劑(Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造、商品名「Coronate L」)之調配量設為1重量份，將溶劑揮發(乾燥)後之黏著劑層之厚度設為50 μm，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得包含(聚對苯二甲酸乙二酯膜/黏著層/隔離件)之黏著片。
[實施例7] 將交聯劑(Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造、商品名「Coronate L」)之調配量設為3重量份，將溶劑揮發(乾燥)後之黏著劑層之厚度設為50 μm，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得包含(聚對苯二甲酸乙二酯膜/黏著層/隔離件)之黏著片。
[實施例8] 使用隔離件(Mitsubishi Chemical公司製造、DIAFOIL MRF)代替聚對苯二甲酸乙二酯膜，將溶劑揮發(乾燥)後之黏著劑層之厚度設為50 μm，除此以外，以與實施例1相同之方式，獲得包含(隔離件/黏著層/隔離件)之無基材之雙面黏著片。
[實施例9] (黏著劑之製備) 於包含100重量份之丙烯酸系聚合物B之丙烯酸系聚合物溶液B中添加交聯劑(Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造、商品名「Coronate L」)0.6重量份、及交聯促進劑(Tokyo Fine Chemical公司製造、商品名「Enbilizer OL-1」)0.05重量份，獲得黏著劑。 (黏著片) 將溶劑揮發(乾燥)後之黏著劑層之厚度設為50 μm，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得包含(聚對苯二甲酸乙二酯膜/黏著層/隔離件)之黏著片。
[實施例10] (黏著劑之製備) 於包含100重量份之丙烯酸系聚合物C之丙烯酸系聚合物溶液C中添加交聯劑(Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造、商品名「Coronate L」)1.0重量份、及交聯劑(三菱瓦斯化學股份有限公司製造、商品名「Tetrad C」)0.6重量份，獲得黏著劑。 (黏著片) 將溶劑揮發(乾燥)後之黏著劑層之厚度設為50 μm，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得包含(聚對苯二甲酸乙二酯膜/黏著層/隔離件)之黏著片。
[實施例11] (黏著劑之製備) 於包含100重量份之丙烯酸系聚合物D之丙烯酸系聚合物溶液D中添加交聯劑(Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造、商品名「Coronate L」)0.5重量份、及α-羥基酮系光聚合起始劑(BASF JAPAN製造、商品名「Irgacure 127」、分子量：340.4、波長365 nm之吸光係數：1.07×10 2ml/g・cm)3重量份，獲得黏著劑。 (黏著片) 將溶劑揮發(乾燥)後之黏著劑層之厚度設為50 μm，除此以外，以與實施例1相同之方式，獲得包含(聚對苯二甲酸乙二酯膜/黏著層/隔離件)之黏著片。
[實施例12] (黏著劑之製備) 於包含100重量份之丙烯酸系聚合物E之丙烯酸系聚合物溶液C中添加交聯劑(三菱瓦斯化學股份有限公司製造、商品名「Tetrad C」)2.0重量份，獲得黏著劑。 (黏著片) 將溶劑揮發(乾燥)後之黏著劑層之厚度設為50 μm，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得包含(聚對苯二甲酸乙二酯膜/黏著層/隔離件)之黏著片。
[實施例13] 將溶劑揮發(乾燥)後之黏著劑層之厚度設為200 μm，除此以外，以與實施例12相同之方式獲得包含(聚對苯二甲酸乙二酯膜/黏著層/隔離件)之黏著片。
[比較例1] (黏著劑之製備) 於包含100重量份之丙烯酸系聚合物F之丙烯酸系聚合物溶液F中添加交聯劑(Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造、商品名「Coronate L」)0.5重量份、及α-羥基酮系光聚合起始劑(BASF JAPAN製造、商品名「Irgacure 127」、分子量：340.4、波長365 nm之吸光係數：1.07×10 2ml/g・cm)3重量份，獲得黏著劑。 (黏著片) 將溶劑揮發(乾燥)後之黏著劑層之厚度設為50 μm，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得包含(聚對苯二甲酸乙二酯膜/黏著層/隔離件)之黏著片。
[比較例2] (黏著劑之製備) 於包含100重量份之丙烯酸系聚合物G之丙烯酸系聚合物溶液G中添加交聯劑(Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造、商品名「Coronate L」)0.2重量份、及α-羥基酮系光聚合起始劑(BASF JAPAN製造、商品名「Irgacure 127」、分子量：340.4、波長365 nm之吸光係數：1.07×10 2ml/g・cm)3重量份，獲得黏著劑。 (黏著片) 將溶劑揮發(乾燥)後之黏著劑層之厚度設為50 μm，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得包含(聚對苯二甲酸乙二酯膜/黏著層/隔離件)之黏著片。
＜評價＞ 對實施例及比較例中所獲得之黏著片進行以下之評價。將結果示於表1、2。
(1)使用TMA之-40℃環境下之沒入深度 使用TMA Q400(TA-instrument公司製造)，且使用ϕ1.0 mm之探針，利用針入模式，於氮氣流量：50.0 ml/min、壓入荷重：0.05 N、測定氛圍溫度：-40℃、壓入負荷時間：20 min之條件下測量剝離隔離件而暴露之黏著劑層之沒入深度。測定係以N＝5實施，將該等測定值中之除最大值與最小值以外之N＝3之平均值作為樣品之沒入深度。 算出相對於初期黏著劑層之厚度之沒入深度比率(沒入深度/厚度×100)。
(2)探針觸黏值 使黏著片(寬度20 mm×長度50 mm)之與評價面之黏著劑層相反側之面整面經由雙面接著帶(日東電工股份有限公司、商品名「No.5600」)使用2 kg手壓輥貼附於載玻片(Matsunami Glass Ind公司製造、26 mm×76 mm)。 使用探針黏性測定機(RHESCA公司製造、商品名「TACKINESS Model TAC-II」)，利用5 mmϕ之SUS製之探針端子，於探針下降速度(Immersion speed)：120 mm/min、測試速度(test speed)：600 mm/min、密接荷重(Prelod)：20 gf、密接保持時間(press time)：1秒之條件下測量以如上所述之方式獲得之評價用試樣之剝離隔離件而暴露之該黏著劑層面之探針觸黏值。測定係以N＝5實施，將該等測定值之平均值設為探針觸黏值。 又，實施例8之不具有基材之黏著片係將與評價面之黏著劑層相反側之面使用2 kg手壓輥貼附於上述載玻片，以與上述相同之條件測量探針觸黏值。
(3)黏著力(對SUS304) 將實施例及比較例之黏著片之隔離件剝離，將暴露之黏著劑層面貼附於SUS304，藉由依據JIS Z 0237：2000之方法(貼合條件：2 kg輥往返1次、拉伸速度：300 mm/min、剝離角度：180°、測定溫度：23℃)測定該黏著片之黏著力。
(4)放射線硬化後之黏著力(對SUS304) 實施例1～7、11及比較例1、2之紫外線硬化型黏著片係將該黏著片之隔離件剝離，將暴露之黏著劑層面貼附於SUS304，對該黏著劑層整面使用紫外線照射裝置(日東精機製造、商品名「UM-810」)將高壓水銀燈之紫外線(特定波長：365 nm、累計光量：460 mJ/cm 2)照射整面，製作評價用試樣。關於所獲得之該試樣之黏著力，藉由與上述相同之條件(依據JIS Z 0237：2000之方法)測定硬化後之黏著劑層之黏著力。 又，實施例8之不具有基材之紫外線硬化型黏著片係將該黏著片之僅一方之隔離件剝離，將暴露之黏著劑層面貼附於SUS304，對該黏著劑層整面使用紫外線照射裝置(日東精機製造、商品名「UM-810」)將高壓水銀燈之紫外線(特定波長：365 nm、累計光量：460 mJ/cm 2)照射整面，剝離另一方之隔離件，於該剝離之面貼附單面黏著帶(日東電工股份有限公司、商品名「No.315」)，製作評價用試樣。藉由與上述相同之條件(依據JIS Z 0237：2000之方法)測定所獲得之試樣之黏著力。
(5)使用動態黏彈性測定裝置之頻率100 kHz、25℃下之儲存彈性模數、損耗係數(tanδ) 使用實施例及比較例中所獲得之黏著劑，製作厚度50 μm之不具有基材之黏著片，將該黏著片以厚度成為1.0 mm以上之方式積層，使用治具沖裁成ϕ8 mm尺寸，放置於ARES-G2(TA instruments)之探針。自-45℃至30℃每5℃以應變0.05%且以0.1 Hz至10 Hz之頻率進行測定。其後，使用該分析裝置中內置之解析工具，將基準溫度設為25℃，基於WLF式掃描測定資料，合成主曲線，藉此獲得儲存彈性模數、及tanδ之頻率依存性資料。自所獲得之資料提取100 kHz之儲存彈性模數、及損耗係數(tanδ)之值。
(6)使用動態黏彈性測定裝置之頻率1 Hz、-40℃下之儲存彈性模數、損耗係數(tanδ) 使用實施例及比較例中所獲得之黏著劑，製作厚度50 μm之不具有基材之黏著片，將該黏著片以厚度成為1.0 mm以上之方式積層，使用治具沖裁成ϕ8 mm尺寸，放置於ARES-G2(TA instruments)之探針。自-50℃至200℃每5℃以應變0.05%且以1 Hz之頻率進行測定。自所獲得之資料提取-40℃之儲存彈性模數、及損耗係數(tanδ)之值。
(7)衝擊吸收性(沒入深度、衝擊吸收率) 使黏著片(寬度30 mm×長度30 mm)之與評價面之黏著劑層相反側之面整面經由雙面接著帶(日東電工股份有限公司、商品名「No.5603」)使用2 kg手壓輥貼附於SUS板(厚度5 mm)。 將以如上所述之方式所獲得之評價用試樣之隔離件剝離，使用落球試驗機，使1 g之鐵球自高度1 m自由掉落至暴露之該黏著劑層面。藉由共焦雷射顯微鏡測量該鐵球向黏著劑層面之沒入深度。其次，將該沒入深度(μm)除以黏著片之厚度(μm)，求出黏著劑之沒入深度相對於黏著劑之厚度的比率(落球試驗後之黏著劑沒入深度/厚度×100)。 又，利用該落球試驗機，測量上述條件下施加衝擊時之衝擊荷重F，藉由下式求出衝擊吸收率(%)。 衝擊吸收率(%)＝｛(F 0－F 1)/F 0｝×100 (於上述式中，F 0係未貼附黏著片而使鐵球僅碰撞SUS板時之衝擊荷重，F 1係使鐵球碰撞包含SUS板與黏著片之構造體之黏著片上時之衝擊荷重) 又，藉由以下指標評價落球試驗中之接獲性。 ○・・・沒入深度之比率：10%以上 △・・・沒入深度之比率：7%以上且未達10% ×・・・沒入深度之比率：未達7%
[表1]
(表1)
構成    實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8
黏著劑層 厚度[μm] 5 30 50 100 200 50 50 50
基材 厚度[μm] 50 50 50 50 50 50 50 -
黏著片 厚度[μm] 55 80 100 150 250 100 100 50
彈性模數 LogG' (1 Hz, -40℃) 7.10 7.10 7.10 7.10 7.10 7.54 7.79 7.10
tan δ (1 Hz,-40℃) 1.16 1.16 1.16 1.16 1.16 0.90 0.65 1.16
彈性模數 LogG' (100 kHz, 25℃) 6.68 6.68 6.68 6.68 5.68 6.89 6.86 6.68
tanδ (100 kHz, 25℃) 1.71 1.71 1.71 1.71 1.71 1.47 1.22 1.71
初期黏著力 (對SUS304) [N/20 mm] 5.27 7.87 7.83 7.43 8.73 1.73 0.48 8.40
放射線硬化後黏著力 (對SUS304) [N/20 mm] 0.05 0.06 0.06 0.06 0.07 0.06 0.06 0.07
探針觸黏值 [N/cm 2] 12.3 19.9 21.6 19.2 19.7 19.0 16.2 19.9
TMA沒入深度 [μm] 4.32 20.90 39.97 48.12 113.66 25.71 20.21 39.97
TMA沒入/厚度×100 [%] 86.4% 69.7% 79.9% 48.1% 56.8% 51.4% 40.4% 79.9%
落球試驗中之衝擊荷重F 1[N] 128.6 94.5 79.8 77.7 71.4 100.8 103.2 75.6
落球試驗中之衝擊吸收率 [%] 18.3 40.0 49.3 50.7 54.7 36.0 34.5 52.0
落球試驗後之黏著劑沒入半徑 [mm] 0.097 0.231 0.359 0.367 0.38 0.345 0.26 0.368
落球試驗後之黏著劑沒入深度 [μm] 1.5 8.4 20.4 21.3 22.8 18.8 10.7 21.4
落球試驗後之黏著劑沒入深度/厚度×100 [%] 29.6 28.0 40.7 21.3 11.4 37.6 21.3 42.8
落球試驗中之接獲性 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
[表2]
(表2)
構成    實施例9 實施例10 實施例11 實施例12 實施例13 比較例1 比較例2
黏著劑層 厚度 [μm] 50 50 50 50 200 50 50
基材 厚度 [μm] 50 50 50 50 50 50 50
黏著片 厚度 [μm] 100 100 100 100 250 100 100
彈性模數 LogG' (1 Hz, -40℃) 6.30 7.75 8.11 7.29 7.29 8.40 8.70
tanδ (1 Hz, -40℃) 1.39 0.85 0.21 0.86 0.86 0.25 0.08
彈性模數 LogG' (100 kHz, 25℃) 5.70 7.05 6.19 6.92 6.92 7.81 7.62
tanδ (100 kHz, 25℃) 1.54 1.43 0.97 0.98 0.98 0.74 0.20
初期黏著力 (對SUS304) [N/20 mm] 1.16 1.50 12.1 0.62 4.1 13.7 12.4
放射線硬化後黏著力 (對SUS304) [N/20 mm] - - 0.10 - - 0.08 0.17
探針觸黏值 [N/cm 2] 17.9 16.3 40.7 17.6 17.9 30.7 19.6
TMA沒入深度 [μm] 26.02 22.20 7.38 18.68 46.71 4.68 4.25
TMA沒入/厚度×100 [%] 52.0% 44.4% 14.8% 37.4% 23.4% 9.4% 8.5%
落球試驗中之衝擊荷重F 1[N] 86.1 92.4 94.5 91.4 91.3 118.5 121.4
落球試驗中之衝擊吸收率 [%] 45.3 41.3 40.0 42.0 42.0 24.8 22.9
落球試驗後之黏著劑沒入半徑 [mm] 0.302 0.251 0.23 0.265 0.34 0.14 0.1
落球試驗後之黏著劑沒入深度 [μm] 14.4 9.9 8.3 11.1 18.3 3.1 1.6
落球試驗後之黏著劑沒入深度/厚度×100 [%] 28.8 19.9 16.7 22.2 9.1 6.3 3.2
落球試驗中之接獲性 ○ ○ ○ ○ △ × ×
以下記載上述中說明之發明之變化。 〔附記1〕一種衝擊吸收黏著片，其特徵在於：其係具有至少1層黏著劑層者， 針對上述黏著劑層藉由下述條件之熱機械分析(TMA)所得之沒入深度相對於上述黏著劑層之厚度的比率(沒入深度/厚度×100)為10%以上。 ・熱機械分析(TMA) 探針直徑：1.0 mm 模式：針入模式 壓入荷重：0.05 N 測定氛圍溫度：-40℃ 壓入負荷時間：20分鐘 〔附記2〕如附記1所記載之衝擊吸收黏著片，其中上述黏著劑層於常溫下之探針觸黏值為10 N/cm 2以上42 N/cm 2以下。 〔附記3〕如附記1或2所記載之衝擊吸收黏著片，其中上述黏著劑層於頻率100 kHz、25℃下之儲存彈性模數(Pa)之常用對數(Log 10G')為7.5以下。 〔附記4〕如附記1至3中任一項所記載之衝擊吸收黏著片，其中上述黏著劑層於頻率100 kHz、25℃下之損耗係數(tanδ)為0.8以上。 〔附記5〕如附記1至4中任一項所記載之衝擊吸收黏著片，其中上述黏著劑層對不鏽鋼於常溫下之黏著力(於上述黏著劑層由放射線硬化性黏著劑形成之情形時，放射線硬化後之黏著力)為0.01 N/20 mm以上4.2 N/20 mm以下。 〔附記6〕如附記1至5中任一項所記載之衝擊吸收黏著片，其中上述黏著劑層對不鏽鋼於常溫下之黏著力(於上述黏著劑層由放射線硬化性黏著劑形成之情形時，放射線硬化後之黏著力)為1 N/20 mm以下。 〔附記7〕如附記1至6中任一項所記載之衝擊吸收黏著片，其中上述黏著劑層由放射線硬化性黏著劑形成。 〔附記8〕如附記1至7中任一項所記載之衝擊吸收黏著片，其中上述黏著劑層之厚度為1 μm以上200 μm以下。 〔附記9〕如附記1至8中任一項所記載之衝擊吸收黏著片，其中上述黏著劑層由丙烯酸系黏著劑形成。 〔附記10〕如附記1至9中任一項所記載之衝擊吸收黏著片，其中上述衝擊吸收黏著片具有至少1層基材。 〔附記11〕如附記10所記載之衝擊吸收黏著片，其中上述基材由聚酯膜形成。 〔附記12〕如附記1至11中任一項所記載之衝擊吸收黏著片，其用於利用上述黏著劑層接收配置於暫時固定材上之電子零件。 〔附記13〕如附記12所記載之衝擊吸收黏著片，其中上述暫時固定材之配置有電子零件之面與上述衝擊吸收黏著片之黏著劑層之黏著面相對向且設置間隙地配置。 〔附記14〕一種電子零件之加工方法，其特徵在於包括利用具有至少1層黏著劑層之衝擊吸收黏著片之上述黏著劑層之黏著面接收配置於暫時固定材上之電子零件的步驟，上述黏著層藉由下述條件之熱機械分析(TMA)所得之沒入深度相對於上述黏著劑層之厚度的比率(沒入深度/厚度×100)為10%以上。 ・熱機械分析(TMA) 探針直徑：1.0 mm 模式：針入模式 壓入荷重：0.05 N 測定氛圍溫度：-40℃ 壓入負荷時間：20分鐘 〔附記15〕如附記14所記載之電子零件之加工方法，其中暫時固定材上配置有電子零件之面與上述衝擊吸收黏著片之黏著劑層之黏著面係相對向且設置間隙地配置。 〔附記16〕如附記14或15所記載之電子零件之加工方法，其包括將上述衝擊吸收黏著片上之電子零件配置於其他黏著片或其他基板上的步驟、及自上述衝擊吸收黏著片之黏著劑層之黏著面上剝離電子零件之步驟。
1:衝擊吸收黏著片 2:衝擊吸收黏著片 10:黏著劑層 11:基材 20:黏著劑層 21:基材 22:黏著劑層(其他黏著劑層) 30:暫時固定材(基板或黏著片) 31:電子零件 40:黏著片或基板 41:面 d:間隙 L:雷射光 U:紫外線
圖1係表示本發明之衝擊吸收黏著片之一實施方式的剖面模式圖。 圖2係表示本發明之衝擊吸收黏著片之另一實施方式的剖面模式圖。 圖3(a)～(e)係表示使用圖1所示之衝擊吸收黏著片之電子零件之加工方法之一實施方式中之第1步驟的剖面模式圖。 圖4(a)～(d)係表示使用圖1所示之衝擊吸收黏著片之電子零件之加工方法之一實施方式中之第2步驟及第3步驟的剖面模式圖。
1:衝擊吸收黏著片
10:黏著劑層
11:基材

Claims (16)

  1. 一種衝擊吸收黏著片，其特徵在於：其係具有至少1層黏著劑層者， 針對上述黏著劑層藉由下述條件之熱機械分析(TMA)所得之沒入深度相對於上述黏著劑層之厚度的比率(沒入深度/厚度×100)為10%以上， ・熱機械分析(TMA) 探針直徑：1.0 mm 模式：針入模式 壓入荷重：0.05 N 測定氛圍溫度：-40℃ 壓入負荷時間：20分鐘。
  2. 如請求項1之衝擊吸收黏著片，其中上述黏著劑層於常溫下之探針觸黏值為10 N/cm 2以上42 N/cm 2以下。
  3. 如請求項1或2之衝擊吸收黏著片，其中上述黏著劑層於頻率100 kHz、25℃下之儲存彈性模數(Pa)之常用對數(Log 10G')為7.5以下。
  4. 如請求項1至3中任一項之衝擊吸收黏著片，其中上述黏著劑層於頻率100 kHz、25℃下之損耗係數(tanδ)為0.8以上。
  5. 如請求項1至4中任一項之衝擊吸收黏著片，其中上述黏著劑層對不鏽鋼於常溫下之黏著力(於上述黏著劑層由放射線硬化性黏著劑形成之情形時，放射線硬化後之黏著力)為0.01 N/20 mm以上4.2 N/20 mm以下。
  6. 如請求項1至5中任一項之衝擊吸收黏著片，其中上述黏著劑層對不鏽鋼於常溫下之黏著力(於上述黏著劑層由放射線硬化性黏著劑形成之情形時，放射線硬化後之黏著力)為1 N/20 mm以下。
  7. 如請求項1至6中任一項之衝擊吸收黏著片，其中上述黏著劑層由放射線硬化性黏著劑形成。
  8. 如請求項1至7中任一項之衝擊吸收黏著片，其中上述黏著劑層之厚度為1 μm以上200 μm以下。
  9. 如請求項1至8中任一項之衝擊吸收黏著片，其中上述黏著劑層由丙烯酸系黏著劑形成。
  10. 如請求項1至9中任一項之衝擊吸收黏著片，其中上述衝擊吸收黏著片具有至少1層基材。
  11. 如請求項10之衝擊吸收黏著片，其中上述基材由聚酯膜形成。
  12. 如請求項1至11中任一項之衝擊吸收黏著片，其用於利用上述黏著劑層接收配置於暫時固定材上之電子零件。
  13. 如請求項12之衝擊吸收黏著片，其中上述暫時固定材之配置有電子零件之面與上述衝擊吸收黏著片之黏著劑層之黏著面相對向且設置間隙地配置。
  14. 一種電子零件之加工方法，其特徵在於包括利用具有至少1層黏著劑層之衝擊吸收黏著片之上述黏著劑層之黏著面接收配置於暫時固定材上之電子零件的步驟；上述黏著層利用下述條件之熱機械分析(TMA)所得之沒入深度相對於上述黏著劑層之厚度的比率(沒入深度/厚度×100)為10%以上， ・熱機械分析(TMA) 探針直徑：1.0 mm 模式：針入模式 壓入荷重：0.05 N 測定氛圍溫度：-40℃ 壓入負荷時間：20分鐘。
  15. 如請求項14之電子零件之加工方法，其中暫時固定材上配置有電子零件之面與上述衝擊吸收黏著片之黏著劑層之黏著面係相對向且設置間隙地配置。
  16. 如請求項14或15之電子零件之加工方法，其包括：將上述衝擊吸收黏著片上之電子零件配置於其他黏著片或其他基板上之步驟、及自上述衝擊吸收黏著片之黏著劑層之黏著面上剝離電子零件之步驟。
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