TW202231645A - 賦予反應性之化合物、賦予反應性之化合物的製造方法、以及積層體 - Google Patents
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 223
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 40
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 65
- -1 diazocyclopropenyl group Chemical group 0.000 claims description 63
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 59
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 18
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 13
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 13
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 12
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 3
- YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N Diazomethane Chemical group C=[N+]=[N-] YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 62
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 47
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 47
- JGFZNNIVVJXRND-UHFFFAOYSA-N N,N-Diisopropylethylamine (DIPEA) Chemical compound CCN(C(C)C)C(C)C JGFZNNIVVJXRND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 34
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 28
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 24
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 23
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 23
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N methanediyl Chemical compound [CH2] HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 21
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 20
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 19
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 19
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 15
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 15
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- 239000000047 product Substances 0.000 description 14
- 239000012488 sample solution Substances 0.000 description 13
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 12
- IVRMZWNICZWHMI-UHFFFAOYSA-N azide group Chemical group [N-]=[N+]=[N-] IVRMZWNICZWHMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 12
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 12
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 12
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 12
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 11
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 11
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical class C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- MGNCLNQXLYJVJD-UHFFFAOYSA-N cyanuric chloride Chemical compound ClC1=NC(Cl)=NC(Cl)=N1 MGNCLNQXLYJVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 9
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Chemical group COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000003775 Density Functional Theory Methods 0.000 description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 8
- 239000002585 base Substances 0.000 description 8
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 8
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000002371 ultraviolet--visible spectrum Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 7
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- 150000000094 1,4-dioxanes Chemical class 0.000 description 6
- GKVDXUXIAHWQIK-UHFFFAOYSA-N 3H-diazirine Chemical compound C1N=N1 GKVDXUXIAHWQIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 150000001793 charged compounds Chemical class 0.000 description 6
- 238000002000 high resolution fast-atom bombardment mass spectrometry Methods 0.000 description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 6
- 238000006713 insertion reaction Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000001782 photodegradation Methods 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 5
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 5
- JIHQDMXYYFUGFV-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine Chemical compound C1=NC=NC=N1 JIHQDMXYYFUGFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical class ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical group C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 4
- 125000006340 pentafluoro ethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 4
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 4
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 3
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 3
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 3
- 229910000063 azene Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 238000004992 fast atom bombardment mass spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 3
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 3
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004057 DFT-B3LYP calculation Methods 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N Trichloro(2H)methane Chemical compound [2H]C(Cl)(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 125000003636 chemical group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000752 ionisation method Methods 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000250 methylamino group Chemical group [H]N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 2
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 2
- FIDRAVVQGKNYQK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4-tetrahydrotriazine Chemical compound C1NNNC=C1 FIDRAVVQGKNYQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYADHXFMURLYQI-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-triazine Chemical compound C1=CN=NC=N1 FYADHXFMURLYQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC=NC(N)=N1 VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004958 1,4-naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- FQOCLPVKIAIIMR-UHFFFAOYSA-N 2,4-dichloro-6-(diazomethyl)-1,3,5-triazine Chemical compound ClC1=NC(Cl)=NC(C=[N+]=[N-])=N1 FQOCLPVKIAIIMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUEUIRBYQZARJR-UHFFFAOYSA-N 2-n,4-n-dipropyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound CCCNC1=NC=NC(NCCC)=N1 AUEUIRBYQZARJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJNLCHNQVJVCPY-UHFFFAOYSA-N 2-n-methoxy-2-n-methyl-4-n,6-n-dipropyl-1,3,5-triazine-2,4,6-triamine Chemical compound CCCNC1=NC(NCCC)=NC(N(C)OC)=N1 FJNLCHNQVJVCPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHKUFWFVZIIVDL-UHFFFAOYSA-N 3,5,6-trichloro-1,2,4-triazine Chemical compound ClC1=NN=C(Cl)C(Cl)=N1 YHKUFWFVZIIVDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHYFYQKMYMKPKD-UHFFFAOYSA-N 3-ethoxysilylpropan-1-amine Chemical class CCO[SiH2]CCCN AHYFYQKMYMKPKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXEVBKYJNFWMPR-UHFFFAOYSA-N 3-phenyl-3-(trifluoromethyl)diazirine Chemical group C=1C=CC=CC=1C1(C(F)(F)F)N=N1 IXEVBKYJNFWMPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZKGFGLOQNSMBS-UHFFFAOYSA-N 4,5,6-trichlorotriazine Chemical compound ClC1=NN=NC(Cl)=C1Cl LZKGFGLOQNSMBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKIRBWUXMBMFKQ-UHFFFAOYSA-N 6-(diazomethyl)-2-N,4-N-bis(3-triethoxysilylpropyl)-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound C(C)O[Si](CCCNC1=NC(=NC(=N1)NCCC[Si](OCC)(OCC)OCC)C=[N+]=[N-])(OCC)OCC GKIRBWUXMBMFKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWLLEPSXPVWJAT-UHFFFAOYSA-N CCCNC1=NC(OCCC(C)OC)=NC(OCCC(C)OC)=N1 Chemical compound CCCNC1=NC(OCCC(C)OC)=NC(OCCC(C)OC)=N1 FWLLEPSXPVWJAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AKNDRTUFMPUBON-UHFFFAOYSA-N CCO[Si](CCCC1(N)N=C(NCCC[Si](OCC)(OCC)OCC)N=CN1)(OCC)OCC Chemical compound CCO[Si](CCCC1(N)N=C(NCCC[Si](OCC)(OCC)OCC)N=CN1)(OCC)OCC AKNDRTUFMPUBON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical class [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 238000004224 UV/Vis absorption spectrophotometry Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000003556 assay Methods 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Chemical class 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 150000001923 cyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O diazynium Chemical group [NH+]#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N ethoxysilane Chemical group CCO[SiH3] CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012900 molecular simulation Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004355 nitrogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Chemical group 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N triethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OCC)(OCC)OCC NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004636 vulcanized rubber Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
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- C07F7/1804—Compounds having Si-O-C linkages
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
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- B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
- B32B7/04—Interconnection of layers
- B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
- C07F7/1804—Compounds having Si-O-C linkages
- C07F7/1872—Preparation; Treatments not provided for in C07F7/20
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Abstract
本發明之賦予反應性之化合物係於1分子內具備以下述式(1)所表示之矽烷耦合部位、以及二氮環丙烯基。
Description
本發明係關於一種賦予反應性之化合物、賦予反應性之化合物的製造方法、以及積層體。
本申請案基於2020年11月5日在日本提出申請之日本特願2020-185196號、以及2021年9月7日在日本提出申請之日本特願2021-145578號主張優先權，且引用上述申請案之內容至本文中。
將不同之材料接合的複合材料(例如於無機基材或高分子基材上形成有金屬膜)之積層體係被用於手機的電路基板或車輛之構件等。
積層體中，若材料間之密合性低則在材料間產生剝離。因此，積層體中，提升密合性為重要的特性。作為提升材料間之密合性的技術，存在有例如於基材之表面形成凹凸之技術。藉由於基材之表面的凹凸填入一部分金屬膜，會展現錨定(anchor)效果而使密合性提升。
然而，例如若於電路基板用之基材的表面具有凹凸，則訊號之傳遞距離變長，而產生傳遞損失。因此，在電路基板用途中，不易使用於基材之表面形成凹凸之技術。
作為不於表面形成凹凸，而提升密合力之技術，存在有藉由電暈放電處理，來於基板上導入羥基之技術。然而，在電暈放電處理中，有使基材劣化之可能性，再者，由於導入之羥基亦少，故而對於提升密合性的效果有限。
作為不於表面形成凹凸，而提升密合力之技術，除上述之外，還有使可對基材之表面賦予反應性之化合物來與基材之表面進行反應之技術。例如，為了提升高分子材料與玻璃、金屬等之積層體的性能而開發有一種有機官能性矽烷化合物。由於此方法係使用耦合劑(亦即雙官能性分子)，故而會反應於高分子材料與接合對象(例如金屬)兩者，而形成共價鍵。具體而言，矽烷耦合劑為有機官能性矽烷單體類，並具有二元反應性。此特性係可使位於分子之一端的官能基水解，而形成矽醇，接著藉由與玻璃等上之類官能基、或金屬氧化物上之OH基的縮合等來鍵結。矽烷分子之另端存在有可與胺基或巰基等有機物反應的官能基。如此般，矽烷耦合劑係作為以共價鍵來使有機物與其他材料鍵結之分子而言非常有用而廣為人知。
專利文獻1揭示一種金屬膜形成方法，係金屬膜之形成方法，具備：於基體表面設置包含特定化合物之劑的步驟；以及於化合物之表面，藉由濕式鍍敷之手法來設置金屬膜的步驟，化合物係於一分子內具有OH基或OH生成基、疊氮基、以及三嗪環之化合物，前述基體係使用聚合物而構成。對具備疊氮基之分子照射紫外光，而自疊氮基生成氮烯，使生成之氮烯與基材表面進行反應，藉此能夠獲得高密合性。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第4936344號公報。
[發明所欲解決之課題]
然而，相較於專利文獻1之技術，現今需求一種獲得高密合性之方法。再者，在專利文獻1之技術中，係對具備疊氮基之分子照射短波長之紫外光，故而存在有基材劣化，密合性下降之問題。
本發明係有鑒於上述課題而完成者，其目的在於提供一種抑制基材之光劣化，且獲得高密合性之賦予反應性之化合物、賦予反應性之化合物的製造方法、以及積層體。
[用以解決課題之手段]
為了解決前述課題，本發明提出以下手段。
＜1＞ 本發明一實施形態相關之賦予反應性之化合物係於1分子內具備：以下述式(1)所表示之矽烷耦合部位；以及二氮環丙烯基。
[化學式1]
式(1)中之*表示鄰接之碳原子，R
1、R
2以及R
3表示氫原子或烷基，R
1、R
2以及R
3可為相同，亦可為不同。
＜2＞ 上述＜1＞所記載之賦予反應性之化合物可為以下述式(2)所表示之化合物。
[化學式2]
[化學式3]
[化學式4]
式(2)中之X表示三嗪環或苯環，Z
1、Z
2以及Z
3表示O、NH、S、或CH
2之任一者，m1、m2、m3表示1至10之整數，Y
1、Y
2以及Y
3為前述矽烷耦合部位、或以上述式(3)或式(11)所表示之二氮環丙烯基，Y
1、Y
2以及Y
3之至少1個為前述矽烷耦合部位，Y
1、Y
2以及Y
3之至少1個為前述二氮環丙烯基，上述式(3)中之*表示鄰接之碳原子，R
4為任意之官能基，上述式(11)中之*表示鄰接之碳原子，R
5為任意之官能基，A為亞芳基或2價之雜環基。
＜3＞ 如＜2＞所記載之賦予反應性之化合物中，前述X可為三嗪環。
＜4＞如上述＜2＞或＜3＞之賦予反應性之化合物中，前述Z
1、Z
2以及Z
3可為NH或O。
＜5＞如上述＜4＞所記載之賦予反應性之化合物可為以下述式(4)所表示之化合物。
[化學式5]
＜6＞如上述＜4＞所記載之賦予反應性之化合物可為以下述式(12)所表示之化合物。
[化學式6]
＜7＞如上述＜4＞所記載之賦予反應性之化合物可為以下述式(13)所表示之化合物。
[化學式7]
＜8＞如上述＜4＞所記載之賦予反應性之化合物可為以下述式(14)所表示之化合物。
[化學式8]
＜9＞本發明一實施形態相關之賦予反應性之化合物的製造方法，具備：賦予二氮環丙烯基之步驟，係使具備已三鹵化之三嗪環之化合物與具備羥基以及二氮環丙烯基之化合物進行反應，而獲得賦予1個以上之二氮環丙烯基的賦予二氮環丙烯基之化合物；以及賦予矽烷耦合部位之步驟，係使前述賦予二氮環丙烯基之化合物與具備胺基以及以下述式(6)所表示之矽烷耦合部位的化合物進行反應。
[化學式9]
[化學式9]
式(6)中之*表示鄰接之碳原子，R
1、R
2以及R
3表示氫原子或烷基，R
1、R
2以及R
3可為相同，亦可為不同。
＜10＞如＜9＞所記載之賦予反應性之化合物的製造方法可在前述賦予二氮環丙烯基之步驟中，賦予2個前述二氮環丙烯基。
＜11＞如＜9＞或＜10＞所記載之賦予反應性之化合物的製造方法可藉由使下述式(18)的化合物與3-胺丙基三乙氧基矽烷進行反應，獲得下述式(4)的化合物。
[化學式10]
[化學式11]
＜12＞ 如上述＜9＞或＜10＞所記載之賦予反應性之化合物的製造方法可藉由使下述式(20)的化合物與3-胺丙基三乙氧基矽烷進行反應，獲得下述式(13)的化合物。
[化學式12]
[化學式13]
＜13＞如＜9＞所記載之賦予反應性之化合物的製造方法可在前述賦予二氮環丙烯基之步驟中，賦予1個前述二氮環丙烯基。
＜14＞如＜9＞或＜13＞所記載之賦予反應性之化合物的製造方法可藉由使下述式(15)的化合物與3-胺丙基三乙氧基矽烷進行反應，獲得下述式(12)的化合物。
[化學式14]
[化學式15]
＜15＞如上述＜9＞或＜13＞所記載之賦予反應性之化合物的製造方法可藉由使下述式(17)的化合物與3-胺丙基三乙氧基矽烷進行反應，獲得下述式(14)的化合物。
[化學式16]
[化學式17]
＜16＞ 本發明一態樣相關之積層體，具備：第1基材；賦予反應性之化合物層，係設置於前述第1基材上，且由上述＜1＞至＜8＞中任一項所記載之賦予反應性之化合物所構成；以及第2基材，係設置於前述賦予反應性之化合物層上。
[發明功效]
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根據本發明之上述態樣，能夠提供一種抑制基材之光劣化且獲得高密合性的賦予反應性之化合物、賦予反應性之化合物的製造方法、以及積層體。
以下，就本發明實施形態相關之賦予反應性之化合物說明。然而，本發明並不限定於以下實施形態。
(賦予反應性之化合物)
本實施形態相關之賦予反應性之化合物，係於1分子內具備：以下述式(1)所表示之矽烷耦合部位、以及二氮環丙烯基。下述式(1)中之*表示鄰接之碳原子。
[化學式18]
本實施形態相關之賦予反應性之化合物係具備1個以上之矽烷耦合部位。矽烷耦合部位為藉由水解產生矽醇基之部位。所產生之矽醇基會與積層體中之金屬層的金屬反應，而改善密合性。亦即，藉由將本實施形態相關之賦予反應性之化合物吸附於基材表面，而產生矽醇基，來改善相對於金屬層之密合性。相對於金屬層之密合性會隨著賦予反應性之化合物中之矽烷耦合部位越多而越改善。於相對於金屬層之密合性低的情況，較佳為增加矽烷耦合部位之數量。
上述式(1)中之矽烷耦合部位的R
1、R
2以及R
3表示氫原子或烷基。R
1、R
2以及R
3可分別為相同亦可為不同。作為R
1、R
2以及R
3之烷基，可列舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基等。作為R
1、R
2以及R
3之烷基較佳為甲基、乙基。
本實施形態相關之賦予反應性之化合物具備1個以上之二氮環丙烯基。二氮環丙烯基在化學性上穩定，且藉由照射長波長側紫外線，會產生碳烯。碳烯係反應性高，能夠與碳烯附近之分子形成共價鍵。因此，於將本實施形態相關之賦予反應性之化合物塗佈於基材表面後、或將基材浸漬於賦予反應性之化合物之溶液，藉此在使賦予反應性之化合物吸附於基材表面後，藉由照射光，能夠在基材與賦予反應性之化合物之間形成共價鍵。藉此，能夠在基材與本實施形態相關之賦予反應性之化合物之間獲得高密合性。進而，由於碳烯能夠獲得比自疊氮基所產生之氮烯要更高之密合性，故而能獲得比使用疊氮基之以往的賦予反應性之化合物要更高之密合性。再者，二氮環丙烯基相較於疊氮基以及產生碳烯之重氮甲基在長波長側具有吸收帶，故而能夠抑制樹脂之光劣化。相對於基材之密合性係隨著賦予反應性之化合物中之二氮環丙烯基的數量越多則越改善。於使用密合性低之基材的情況等，較佳為增加二氮環丙烯基的數量。
賦予反應性之化合物較佳為以下述式(2)所表示之化合物。
上述式(2)中之X表示三嗪環或苯環。X係作為矽烷耦合部位與二氮環丙烯基之間的間隔物來發揮機能。再者，上述式(2)中之X係藉由調整與Z
1、Z
2、Z
3之鍵結位置，而能夠調整矽烷耦合部位(涉及到相對於積層體之金屬層的吸附)與二氮環丙烯基(涉及到相對於積層體之基材的吸附)的位置關係。藉此，能夠調整基材與金屬層之密合性。為了調整製造容易性以及二氮環丙烯基與矽烷耦合部位之位置關係，X較佳為三嗪環。三嗪環可為1,2,3-三嗪、1,2,4-三嗪、以及1,3,5-三嗪之任一者，特佳為1,3,5-三嗪。於上述式(2)中之X為苯環的情況，相對於Z
1、Z
2、Z
3之鍵結位置並無特別限定，較佳為鍵結於1位、3位、以及5位。於X為苯環的情況下，Z
1、Z
2、Z
3以外的部分並無特別限定，可為氫原子，亦可為羥基、甲基等任意之官能基。
上述式(2)中之Z
1、Z
2以及Z
3較佳為O、NH、S、或CH
2之任一種。就製造之容易性、及化學性的穩定性等之方面看來，Z
1、Z
2以及Z
3較佳為O或NH。Z
1、Z
2以及Z
3可分別為相同，亦可為不同。
m1、m2、m3之整數表示矽烷耦合部位與二氮環丙烯基之間的間隔物之長度。藉由調整m1、m2、m3之數量，能夠調整基材與二氮環丙烯基之接觸頻率以及金屬層與矽烷耦合部位之接觸頻率。上述式(2)中之m1、m2、m3較佳為1至10之整數。m1、m2、以及m3較佳為1至6之整數。m1、m2、m3之整數可為相同，亦可為不同。
Y
1、Y
2以及Y
3為以上述式(1)所表示之矽烷耦合部位或以下述式(3)或式(11)所表示之二氮環丙烯基。Y
1、Y
2以及Y
3之至少1個為上述式(1)所表示之矽烷耦合部位。上述式(2)中，矽烷耦合部位之數量為1或2。以上述式(2)所表示之賦予反應性之化合物具備至少1個以上之矽烷耦合部位，故而能夠改善賦予反應性之化合物與金屬層的密合性。於欲更加改善相對於金屬層之密合性的情況，係將矽烷耦合部位之數量設為2。
Y
1、Y
2以及Y
3之至少1個為以下述式(3)或式(11)所表示之二氮環丙烯基(含二氮環丙烯之基)。上述式(2)中，二氮環丙烯基之數量為1或2。以上述式(2)所表示之賦予反應性之化合物係具備至少1個以上之二氮環丙烯基，故而能夠在賦予反應性之化合物與基材之間形成1個以上之強固的共價鍵。因此，本實施形態相關之賦予反應性之化合物與基材之密合性優異。於欲更加改善相對於金屬層之密合性的情況，係將二氮環丙烯基之數量設為2。此外，下述式(3)中之*表示鄰接之碳原子。下述式(3)中之R
4並無特別限定，為任意之官能基。二氮環丙烯基因為存在於末端附近，而與基材之接觸頻率提升，故而R
4較佳為氫原子、甲基、乙基、或三氟甲基、五氟乙基。特別是若R
4為三氟甲基、五氟乙基，則光反應效率提升故而較佳。
下述式(11)中之*表示鄰接之碳原子。下述式(11)中之R
5並無特別限定，為任意之官能基。二氮環丙烯基因為存在於末端附近，而與基材之接觸頻率提升，故而R
5較佳為氫原子、甲基、乙基、或三氟甲基、五氟乙基。特別是若R
5為三氟甲基、五氟乙基，則光反應效率提升故而較佳。下述式(11)中之A為亞芳基、或2價之雜環基。該亞芳基或2價之雜環基係可以鹵素原子、烷基等來取代氫原子之一部分或全部。
下述式(11)中作為A之亞芳基，可列舉例如：1,3-伸苯基、1,4-伸苯基、1,4-伸萘基、1,5-伸萘基、2,6-伸萘基等。
下述式(11)中作為A的2價之雜環基，可列舉將直接鍵結於呋喃、噻吩、吡啶等的構成雜環之碳原子或雜原子上之氫原子當中2個氫原子予以去除後的2價之基。
[化學式20]
[化學式21]
作為上述式(2)之具體例，可列舉例如：以下述式(5)所表示之N
2,N
4-雙(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙基)-N
6-((3-三乙氧基矽基)丙基)-1,3,5-三嗪-2,4,6-三胺；以下述式(4)所表示之4,6-雙(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-N-((3-三乙氧基矽基)丙基)-1,3,5-三嗪-2-胺；以下述式(12)所表示之6-(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-N
2,N
4-雙(3-(三乙氧基矽基)丙基)-1,3,5-三嗪-2,4-二胺；以下述式(13)所表示之N-((3-三乙氧基矽基)丙基)-4,6-雙((4-(3-(三氟甲基)-3H-二氮環丙烯-3-基)芐基)氧基)-1,3,5-三嗪-2-胺；以下述式(14)所表示之N
2,N
4-雙((3-三乙氧基矽基)丙基)-6-((4-(3-(三氟甲基)-3H-二氮環丙烯-3-基)芐基)氧基)-1,3,5-三嗪-2,4-二胺等。
[化學式23]
 | |||
 |
[化學式24]
[化學式25]
(賦予反應性之化合物之作用)
由於本實施形態相關之賦予反應性之化合物具有作為光反應性氮官能基之二氮環丙烯基、以及矽烷耦合部位，故而在光(波長360nm附近)中二氮環丙烯基會光分解，而產生作為反應性之化學基的碳烯(價電子為6個且未帶電荷之二配位碳)。此碳烯之部位與積層體之基材表面形成共價鍵。於形成共價鍵後，此賦予反應性之化合物之矽烷耦合部位會被固定於基材表面。矽烷耦合部位會藉由溶媒等所含之水分所進行水解而形成矽醇基。因此，能夠對此基材賦予可透過矽醇基而與其他材料(例如金屬層)接合之反應性。
以往所知悉的具有疊氮基與三嗪環之化合物係利用光而分解，疊氮基之部位產生高反應性之化學基(氮烯)。此處，相對於產生源自疊氮基之部位的氮烯之化合物，本實施形態之產生碳烯的賦予反應性之化合物可以更長波長之光來活性化。
再者，本實施形態之具有二氮環丙烯基的賦予反應性之化合物，相對於具有疊氮基之以往的化合物，接合強度高。例如，於將賦予有賦予反應性之化合物之樹脂進行金屬鍍敷的情況，本實施形態之賦予反應性之化合物比具有疊氮基之以往的化合物要更不易產生金屬剝離。本揭示之賦予反應性之化合物除了樹脂與金屬之接合以外，亦可應用於矽氧樹脂彼此之接合等的樹脂與樹脂之接合。再者，本揭示之賦予反應性之化合物亦可應用於樹脂與陶瓷、石英等之無機材料之接合等。
(賦予反應性之化合物的製造方法)
本實施形態之賦予反應性之化合物，可藉由例如於具備三嗪環或苯環之化合物導入矽烷耦合部位以及二氮環丙烯基之方法來適當製造。此處，雖舉已三鹵化之三嗪環為例來說明，但於苯環之情況亦可利用化學反應來進行合成。所謂已三鹵化之三嗪環，意指三嗪環之氫原子被3個鹵素取代。作為取代之鹵素，較佳為氯。作為具備已三鹵化之三嗪環之化合物，可列舉：三聚氯氰、3,5,6-三氯-1,2,4-三嗪、4,5,6-三氯-1,2,3-三嗪。
本實施形態相關之賦予反應性之化合物的製造方法係具備：賦予二氮環丙烯基之步驟，係使具備已三鹵化之三嗪環之化合物與具備羥基以及二氮環丙烯基的化合物進行反應，獲得賦予二氮環丙烯基之化合物；以及賦予矽烷耦合部位之步驟，係使具備賦予二氮環丙烯基之化合物與具備胺基以及以下述式(6)所表示之矽烷耦合部位的化合物進行反應。下述式(6)中之*表示鄰接之碳原子。此處，作為具備已三鹵化之三嗪環的化合物，雖使用將1,3,5-三嗪進行氯化後之三聚氯氰的例來進行說明，但具備已三鹵化之其他三嗪環的化合物之情況亦可藉由相同之反應來獲得本實施形態相關之賦予反應性之化合物。
＜賦予二氮環丙烯基之步驟＞
賦予二氮環丙烯基之步驟中，係使三聚氯氰與具備羥基以及二氮環丙烯基之化合物進行反應，獲得賦予二氮環丙烯基之化合物。作為具備羥基以及二氮環丙烯基之化合物，可列舉例如：2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙醇、2-(3-丁基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙醇、2-(3-戊基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙醇、(4-(3-(三氟甲基)-3H-二氮環丙烯-3-基)苯基)甲醇等。
於以下說明使用2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙醇之情況的合成。於賦予1個二氮環丙烯基的情況，可列舉例如下述式(7)之反應。下述式(7)中之base表示鹼，可使用二異丙基乙基胺、吡啶、三乙基胺等。藉由下述式(7)之反應，能夠獲得下述式(15)之2,4-二氯-6-(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-1,3,5-三嗪。
[化學式28]
[化學式29]
於以下說明(4-(3-(三氟甲基)-3H-二氮環丙烯-3-基)苯基)乙醇之情況的合成。於賦予1個二氮環丙烯基的情況，可列舉例如下述式(16)之反應。下述式(16)中之base表示鹼，可使用二異丙基乙基胺、吡啶、三乙基胺等。藉由下述式(16)之反應，能夠獲得下述式(17)之2,4-二氯-6-((4-(3-(三氟甲基)-3H-二氮環丙烯-3-基)芐基)氧基)-1,3,5-三嗪。反應時之溫度為例如室溫(20℃至30℃)。
[化學式30]
於賦予2個二氮環丙烯基之情況，反應可列舉例如下述式(8)。下述式(8)中之base表示鹼，可使用二異丙基乙基胺、吡啶、三乙基胺等。藉由下述式(8)之反應，能夠獲得下述式(18)之2-氯-4,6-雙(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-1,3,5-三嗪。賦予至三嗪環之二氮環丙烯基之數量可藉由賦予二氮環丙烯基時之反應溫度來控制。於僅賦予1個二氮環丙烯基的情況，可例如將反應時之溫度設為室溫，於賦予2個二氮環丙烯基的情況，則將反應時之溫度設為例如40℃至50℃。反應溫度可適當設定。
[化學式33]
於使用(4-(3-(三氟甲基)-3H-二氮環丙烯-3-基)苯基)甲醇來賦予2個二氮環丙烯基的情況，反應如下述式(19)所示。下述式(19)中之base表示鹼，可使用二異丙基乙基胺、吡啶、三乙基胺等。藉由下述式(19)之反應，能夠獲得下述式(20)之2-氯-4,6-雙((4-(3-(三氟甲基)-3H-二氮環丙烯-3-基)芐基)氧基)-1,3,5-三嗪。賦予至三嗪環之二氮環丙烯基之數量可藉由賦予二氮環丙烯基時之反應溫度及調配比來控制。
[化學式34]
＜賦予矽烷耦合部位之步驟＞
賦予矽烷耦合部位之步驟中，係使以上述賦予二氮環丙烯基之步驟所得之賦予二氮環丙烯基的化合物與具備胺基以及以上述式(6)所表示之矽烷耦合部位的化合物進行反應。經由此賦予矽烷耦合部位之步驟，能夠獲得本實施形態相關之賦予反應性之化合物。
上述式(6)中之矽烷耦合部位的R
1、R
2以及R
3表示氫原子或烷基。R
1、R
2以及R
3可分別為相同，亦可不同。作為R
1、R
2以及R
3之烷基可列舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基等。作為R
1、R
2以及R
3之烷基較佳為甲基、乙基。
作為具備胺基以及以上述式(6)所表示之矽烷耦合部位的化合物之例可列舉：3-胺丙基三乙氧基矽烷、3-胺丙基三甲氧基矽烷等。
將以上述式(7)所合成之2,4-二氯-6-(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-1,3,5-三嗪與3-胺丙基三乙氧基矽烷之反應例表示於下述式(9)。下述式(9)中，base表示鹼，可使用二異丙基乙基胺、吡啶、三乙基胺等。經由下述式(9)之反應，能夠獲得上述式(12)之6-(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-N
2,N
4-雙(3-(三乙氧基矽基)丙基)-1,3,5-三嗪-2,4-二胺。
[化學式36]
將以上述式(8)所合成之2-氯-4,6-雙(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-1,3,5-三嗪與3-胺丙基三乙氧基矽烷之反應例表示於下述式(10)。下述式(10)中，base表示鹼，可使用二異丙基乙基胺、吡啶、三乙基胺等。經由下述式(10)之反應，能夠獲得上述式(4)之4,6-雙(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-N-((3-三乙氧基矽基)丙基)-1,3,5-三嗪-2-胺。
將以上述式(16)所合成之2,4-二氯-6-((4-(3-(三氟甲基)-3H-二氮環丙烯-3-基)芐基)氧基)-1,3,5-三嗪與3-胺丙基三乙氧基矽烷之反應例表示於下述式(21)。下述式(21)中，base表示鹼，可使用二異丙基乙基胺、吡啶、三乙基胺等。經由下述式(21)之反應，能夠獲得上述式(14)之N
2,N
4-雙((3-三乙氧基矽基)丙基)-6-((4-(3-(三氟甲基)-3H-二氮環丙烯-3-基)芐基)氧基)-1,3,5-三嗪-2,4-二胺。
將以上述式(19)所合成之2-氯-4,6-雙((4-(3-(三氟甲基)-3H-二氮環丙烯-3-基)芐基)氧基)-1,3,5-三嗪與3-胺丙基三乙氧基矽烷之反應例表示於下述式(22)。下述式(22)中，base表示鹼，可使用二異丙基乙基胺、吡啶、三乙基胺等。經由下述式(22)之反應，能夠獲得上述式(13)之N-((3-三乙氧基矽基)丙基)-4,6-雙((4-(3-(三氟甲基)-3H-二氮環丙烯-3-基)芐基)氧基)-1,3,5-三嗪-2-胺。
[化學式39]
(積層體)
接著說明使用本實施形態相關之賦予反應性之化合物的積層體之一例。如圖1所示，本發明之實施形態相關之積層體100係具備基材(第1基材)1、賦予反應性之化合物層2、以及金屬層(第2基材)3。以下，就各部分來說明。
(基材)
作為基材1可列舉陶瓷等之無機材料、或樹脂等。基材1之形態並無特別限定，可為板狀，亦可為粒狀。基材1為第1基材之例。
作為樹脂，可為硬化性樹脂(例如熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、電子束硬化性樹脂)、熱塑性樹脂、纖維強化樹脂、橡膠(硫化橡膠)、或於表面設置有包含這些聚合物之塗膜等的其他材質。作為樹脂，具體而言，可列舉丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS；Acrylonitrile Butadiene Styrene)樹脂。ABS樹脂係被用於車輛之構件等，且藉由於表面實施金屬鍍敷，來使用於具有ABS與金屬之接合的部位之積層體。再者，作為電路用之樹脂，可列舉：環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、或液晶聚合物、環烯聚合物(COP；Cyclo Olefin Polymer)、氟系樹脂、聚苯硫醚(PPS；Polyphenylene Sulfide)等。
於將積層體100作為印刷電路板而使用之情況，係在配線之焊接等中對積層體100施加熱負荷。再者，於將積層體100用於電子製品之可動部分的情況，需要充分的機械強度。因此，就耐熱性、機械強度以及尺寸穩定性之方面而言，較佳為具有優異性質之聚醯亞胺樹脂。
作為基材1之無機材料，可列舉例如含有氧化矽之材質。除此之外，對於電子機器之構件、電路基板而言，還有包含無機以及有機之各種素材之基板，藉由於表面以金屬鍍敷等來形成有電路，用作積層體。
基材1之樹脂亦可對應於機械強度之改善等的目的，而含有滑石等之無機粒子、潤滑劑、抗靜電劑等。
於將積層體100作為印刷電路板而使用之情況，該積層體100之厚度並無特別限定，例如於將基材1用於可撓性配線基板之情況，基材1之厚度較佳為1μm以上至200μm以下。於基材1之厚度未達1μm之情況，有基材1之機械強度不足的可能性，故而較不佳。基材1之厚度更佳為3μm以上。再者若膜之厚度超過200μm，有時使彎折性下降，故而較不佳。基材1之厚度更佳為150μm以下。
於將積層體100作為印刷電路板而使用之情況，基材1之算術平均粗度Ra為例如0.01μm至1μm。若算術平均粗度Ra為0.01μm至1μm之間，則亦可對應於電路之微細化。再者，若算術平均粗度Ra為0.2μm以下，則可降低高頻域中之傳輸損失。算術平均粗度Ra可依照JIS B 0601：2013而測定。
(賦予反應性之化合物層2)
賦予反應性之化合物層2係設置於基材1上，並由本實施形態相關之賦予反應性之化合物所構成。此處，所謂「設置於基材1上」，不僅為以相接於基材1之表面之方式來設置賦予反應性之化合物層2之情形，亦包含於基材1與賦予反應性之化合物層2之間設置中間層之情形。再者，亦包含部分性設置於基材1之表面之情形。
賦予反應性之化合物層2之厚度只要覆蓋基材1之整面，則無特別限定。賦予反應性之化合物層2之厚度只要為例如構成賦予反應性之化合物層2之賦予反應性之化合物的單分子之厚度以上(單分子層以上)即可。賦予反應性之化合物層2之厚度的上限並無特別限定，例如為400nm以下。
(金屬層)
金屬層3係設置於賦予反應性之化合物層2上。作為金屬層3可由銀、錫、銅、銅合金等所構成。於積層體100為印刷基板之情況，就功率損失、傳輸損失之方面而言，作為構成金屬層3之金屬較佳為導電率高之銅以及銅合金。金屬層為第2基材之例。
金屬層之厚度並無特別限定，例如為0.1μm至50μm。金屬層之厚度更佳為2μm至10μm。若金屬層之厚度為0.1μm至50μm，則能獲得充分的機械強度。
以上，已就本實施形態相關之積層體100說明。本實施形態中，作為第2基材，雖已舉金屬層3為例來說明，但本發明之第2基材並不被限定於金屬層3。例如，作為第2基材亦可使用由液晶聚合物、環氧樹脂、矽氧樹脂等所構成之樹脂基材來取代金屬層。再者，作為第2基材，亦可取代金屬層，而使用由陶瓷、石英等所構成之無機基材。再者，本實施形態中，作為第2基材，雖已舉使用金屬層之例，但只要能夠透過賦予反應性之化合物來接合第1基材與第2基材，則第2基材之形狀便不被限定於層狀。本揭示之積層體之第1基材與第2基材之組合可為例如：樹脂與陶瓷等之無機材料的組合、樹脂與金屬的組合、陶瓷等之無機材料與金屬的組合、或是同種/不同種之樹脂的組合等。
(積層體的製造方法)
於以下說明本實施形態相關之積層體的製造方法，但本實施形態相關之積層體的製造方法並不限定於以下方法。
於製造本實施形態相關之積層體時，首先，於基材(第1基材)1上形成由本實施形態相關之賦予反應性之化合物所構成之賦予反應性之化合物層2。形成賦予反應性之化合物層2之方法並無特別限定。例如，亦可將包含賦予反應性之化合物之溶液塗佈於基材1的表面而形成賦予反應性之化合物層2。或是亦可藉由將基材1浸漬於包含賦予反應性之化合物之溶液，而形成賦予反應性之化合物層2。
於使用包含賦予反應性之化合物之溶液的情況，作為溶媒可適當選擇水、有機溶媒等。具體而言，可為水、乙醇、丙酮、芳香族烴、酯或醚等。對於溶媒，亦可使賦予反應性之化合物不溶解而是使賦予反應性之化合物分散。於使用溶液的情況，亦可藉由自然乾燥或加熱等使溶液中之溶媒揮發。
亦可於包含賦予反應性之化合物之溶液添加增幅劑。作為增幅劑，可列舉有助於其他鍵結的化合物(例如矽烷耦合劑)、光增感劑(例如二苯甲酮)等。
於基材1上形成賦予反應性之化合物層2後，藉由施予能量，而自賦予反應性之化合物之二氮環丙烯基產生碳烯。藉由此碳烯與基材1進行反應，而於賦予反應性之化合物層2與基材1之間獲得高密合性。
作為施予能量之手段，可例如藉由照射光來進行。本實施形態之賦予反應性之化合物的二氮環丙烯基雖會在廣泛範圍之波長反應而活性化，但為了抑制光所產生之劣化，光較佳為長波長側。具體而言，較佳為300nm以上之波長，較佳為450nm以下之波長。對光之照射而言，可適當使用既存之光照射裝置。此時，為了提高活性化之效果，亦可於照射前將形成有賦予反應性之化合物層2之基材1予以加熱。
於對賦予反應性之化合物層2施予能量，而改善基材1與賦予反應性之化合物層2之間的密合性後，設置金屬層(第2基材)3。可藉由鍍敷等來設置金屬層3。作為鍍敷之方法，可適當選擇利用乾式鍍敷(蒸鍍或濺鍍)之手法、以及利用濕式鍍敷之手法，亦可併用兩者。於形成金屬層3時，對於金屬薄膜之形成而言，較佳為使用所謂無電鍍或電鍍之濕式鍍敷。亦可於金屬層3形成前，適當地適用以往習知之鍍敷步驟的前處理步驟。再者，於將樹脂基材或無機基材等形成於賦予反應性之化合物層2上作為第2基材的情況，可使用公知之方法。
[實施例]
繼而，就本發明之實施例說明，實施例中之條件係為了確認本發明之實施可能性以及效果所採用的一條件例，本發明並不被限定於此一條件例。本發明只要不超出本發明主旨，而在達成本發明之目的的範圍中，可採用各種條件。
(試驗條件)
關於試料之合成以及合成後之試料的分析係使用以下機器、試藥。
・分析機器
核磁共振光譜：JEOL JNM-ECA500 NMR(Nuclear Magnetic Resonance)測定裝置(500 MHz)
質量分析：JEOL JMS-700 質量分析裝置
・試藥
各種試藥：使用市售之試藥並對應於需要而藉由常規方法進行純化。此外，2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙醇係自amadis chemical所購入。(4-(3-(三氟甲基)-3H-二氮環丙烯-3-基)苯基)甲醇係自東京化成工業所購入。
各種反應溶媒：對應於需要而藉由常規方法進行乾燥、純化。
矽膠：Wako-gel C-200(和光純藥)、矽膠 60N(關東化學)
以下，說明試料之合成方法。
(實施例1)
在將10mL支管燒瓶設為氬氣氛圍下，添加脫水THF(四氫呋喃；tetrahydrofuran)(1.1mL)、2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙醇(0.39mL,4.07mmol,2.50eq.)以及二異丙基乙基胺(0.54mL,4.07mmol,2.50eq.)後，冷卻至0℃。添加溶解於脫水THF(0.72mL)之三聚氯氰(0.307g,1.63mmol,1.00eq.)，在遮光下攪拌1小時。於升溫至室溫(20℃至30℃)後，在遮光下攪拌16小時。於攪拌後，添加水，並以乙醚進行萃取。在以無水硫酸鈉來將有機層乾燥並過濾後，去除溶媒，而進行真空乾燥，藉此獲得作為粗產物之黃色液體(0.654g)。利用將己烷：氯仿=1：1作為展開溶媒之矽膠管柱層析來將粗產物分離純化，藉此獲得成為黃色液體之2,4-二氯-6-(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-1,3,5-三嗪(0.292g,1.18mmol,72%)。
所得之化合物(2,4-二氯-6-(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-1,3,5-三嗪)之核磁共振光譜分析以及質量分析的結果如下述所表示。
1H NMR(500MHz,CDCl
3)：δ 1.14(s,3H,CH
3),1.88(t,J=6.6Hz,2H,CH
2), 4.43(t,J=6.6Hz,2H,CH
2)；
13C NMR(126MHz,CDCl
3)：δ 20.1,23.7,33.6,65.4,170.8,172.7；
FAB-MS：m／z 248 [(M+H)
+].
繼而，於50mL支管燒瓶加入2,4-二氯-6-(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-1,3,5-三嗪(0.500g,2.02mmol,1.00eq.)，並設為氬氣氛圍下。於添加脫水1,4-二噁烷(10.1mL)、3-胺丙基三乙氧基矽烷(0.86mL,3.69mmol,1.83eq.)以及二異丙基乙基胺(0.81mL,4.76mmol,2.36eq.)，並升溫至65℃後，在遮光下攪拌3小時。於攪拌後，添加水，並以乙醚進行萃取。在以無水硫酸鈉來將有機層乾燥並過濾後，去除溶媒，而進行真空乾燥，藉此獲得作為粗產物之無色液體(1.04g)。利用將氯仿：乙酸乙酯=3：1作為展開溶媒之矽膠管柱層析來將粗產物進行分離純化，藉此獲得成為無色液體之實施例1之6-(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-N
2,N
4-雙(3-(三乙氧基矽基)丙基)-1,3,5-三嗪-2,4-二胺(0.476g,0.770mmol,38%)。
所得之化合物(6-(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-N
2,N
4-雙(3-(三乙氧基矽基)丙基)-1,3,5-三嗪-2,4-二胺)之核磁共振光譜分析以及質量分析的結果如下述所表示。
1H NMR(500MHz,CDCl3)：δ 0.66(br t,4H,CH
2),1.09(s,3H,CH
3),1.23 (t,J=6.9Hz,18H,CH
3),1.67(br s,4H,CH
2),1.77(br s,2H,CH
2),3.33 and 3.40(each br s,total 4H,CH
2),3.82(q,J=6.9Hz,12H,CH
2),4.13 and 4.20(each br s,total 2H,CH
2),5.14 and 5.24(br s,2H,NH)；
13C NMR(126MHz,CDCl
3)：δ 7.75,18.4,20.1,23.0,24.1,34.1,43.3,58.5,61.4, 16.3,170.0；
HR-FAB-MS：m／z Calcd for C
25H
52N
7O
7Si
2[(M+H)
+]：618.3467；Found：618.3471.
(實施例2)
於將10mL支管燒瓶設為氬氣氛圍下，添加脫水THF(1.1mL)、2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙醇(0.39mL,4.07mmol,2.50eq.)以及二異丙基乙基胺(0.54mL,4.07mmol,2.50eq.)後，冷卻至0℃。添加溶解於脫水THF(0.72mL)之三聚氯氰(0.308g,1.63mmol,1.00eq.)，在遮光下攪拌1小時。在升溫至40℃後，在遮光下攪拌17小時。在攪拌後，添加水，並以乙醚進行萃取。在以無水硫酸鈉將有機層乾燥並過濾後，去除溶媒，而進行真空乾燥，藉此獲得粗產物黃色液體(0.582g)。利用將己烷：氯仿=1：1作為展開溶媒之矽膠管柱層析來將粗產物進行分離純化，藉此獲得成為黃色液體之2-氯-4,6-雙(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-1,3,5-三嗪(0.227g,0.728mmol,45%)。
所得之化合物(2-氯-4,6-雙(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-1,3,5-三嗪)之核磁共振光譜分析以及質量分析的結果如下述所表示。
1H NMR(500MHz,CDCl
3)：δ1.13(s,6H,CH
3),1.85(t,J=6.4Hz,4H,CH
2), 4.37 (t,J=6.4Hz,4H,CH
2)；
13C NMR(126MHz,CDCl
3)：δ20.2,23.8,33.8,64.4,171.9,172.9；
FAB-MS：m／z 312 [(M+H)
+].
繼而，於50mL支管燒瓶加入2-氯-4,6-雙(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-1,3,5-三嗪(0.396g,1.27mmol,1.00eq.)，並設為氬氣氛圍下。於添加脫水1,4-二噁烷(8.5mL)、3-胺丙基三乙氧基矽烷(0.34mL,1.46mmol,1.15eq.)以及二異丙基乙基胺(0.33mL,1.94mmol,1.53eq.)，並升溫至65℃後，在遮光下攪拌3小時。在攪拌後，添加水，並以乙醚進行萃取。在以無水硫酸鈉來將有機層乾燥並過濾後，去除溶媒，而進行真空乾燥，藉此獲得作為粗產物之黃色液體(0.645g)。利用將氯仿：乙酸乙酯=4：1作為展開溶媒之矽膠管柱層析來將粗產物進行分離純化，藉此獲得成為黃色液體之實施例2之4,6-雙(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-N-((3-三乙氧基矽基)丙基)-1,3,5-三嗪-2-胺(0.501g,1.01mmol,80%)。
所得之化合物(4,6-雙(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-N-((3-三乙氧基矽基)丙基)-1,3,5-三嗪-2-胺)之核磁共振光譜分析以及質量分析的結果如下述所表示。
1H NMR(500MHz,CDCl
3)：δ 0.67(t,J=7.6Hz,2H,CH
2),1.10(s,3H,CH
3),1.11 (s,3H,CH
3),1.23(t,J=6.9Hz,9H,CH
3),1.71(quint,J=7.6Hz,2H,CH
2),1.79(t,J=6.3Hz,2H,CH
2),1.81(t,J=6.3Hz,2H,CH
2),3.44(q,J=7.6Hz,2H,CH
2),3.83(q,J=6.9Hz,6H,CH
2),4.22(t,J=6.3Hz,2H,CH
2),4.28(t,J=6.3Hz,2H,CH
2),5.80(br t,1H,NH)；
13C NMR(126MHz,CDCl
3)：δ 7.73,18.4,20.12,20.14,22.9,23.97,24.01,33.9, 43.5,58.5,62.3,62.4,168.1,171.3,171.9；
HR-FAB-MS：m／z calcd for C
20H
37N
8O
5Si[(M+H)
+]：497.2656；Found：497.2652.
(實施例3)
於50mL支管燒瓶加入三聚氯氰(1.00g,5.42mmol,1.00eq.)，並設為氬氣氛圍下。在使上述三聚氯氰溶解於脫水二氯甲烷(9.5mL)後，冷卻至0℃。添加溶解於脫水二氯甲烷(5.4mL)之(4-(3-(三氟甲基)-3H-二氮環丙烯-3-基)苯基)甲醇(1.17g,5.41mmol,1.00eq.)與二異丙基乙基胺(1.01mL,5.94mmol,1.10eq.)，並在遮光下攪拌1小時。在升溫至室溫(20℃至30℃)後，在遮光下攪拌1.5小時。在攪拌後，添加水，並以乙醚進行萃取。以無水硫酸鈉來將有機層乾燥並過濾後，去除溶媒，而進行真空乾燥，藉此獲得作為粗產物之黃色液體(1.88g)。利用將己烷：氯仿=1：4作為展開溶媒之矽膠管柱層析來將粗產物進行分離純化，藉此獲得成為黃色液體之2,4-二氯-6-((4-(3-(三氟甲基)-3H-二氮環丙烯-3-基)芐基)氧基)-1,3,5-三嗪(1.45g,3.98mmol,73%)。
所得之化合物(2,4-二氯-6-((4-(3-(三氟甲基)-3H-二氮環丙烯-3-基)芐基)氧基)-1,3,5-三嗪)之核磁共振光譜分析以及質量分析的結果如下述所表示。
1H NMR(500MHz,CDCl
3)：δ 5.53(s,2H,CH
2),7.23(d,J=8.6Hz,2H,benzene-H), 7.51(d,J=8.6Hz,2H,benzene-H)；
13C NMR(126MHz,CDCl
3)：δ 28.4(q,J=40.9Hz),70.7,122.1(q,J=275Hz),127.0, 128.9,130.0,135.5,170.8,172.8；
19F NMR(471MHz,CDCl
3)：δ -65.0；
HR-FAB-MS：m／z calcd for C12H7Cl2F3N5O[(M+H)
+]：363.9980；Found：363.9972.
繼而，於20mL支管燒瓶加入2,4-二氯-6-((4-(3-(三氟甲基)-3H-二氮環丙烯-3-基)芐基)氧基)-1,3,5-三嗪(0.300g,0.824mmol,1.00eq.)，並設為氬氣氛圍下。在添加脫水1,4-二噁烷(6.04mL)、3-胺丙基三乙氧基矽烷(0.44mL,1.89mmol,2.29eq.)以及二異丙基乙基胺(0.42mL,2.47mmol,3.00eq.)，並升溫至65℃後，在遮光下攪拌3小時。在攪拌後，添加水，並以乙醚進行萃取。以無水硫酸鈉來將有機層乾燥並過濾後，去除溶媒，而進行真空乾燥，藉此獲得作為粗產物之黃色液體(0.360g)。利用氯仿：乙酸乙酯=4：1作為展開溶媒之矽膠管柱層析來將粗產物進行分離純化，藉此獲得成為黃色液體之實施例3之N
2,N
4-雙((3-三乙氧基矽基)丙基)-6-((4-(3-(三氟甲基)-3H-二氮環丙烯-3-基)芐基)氧基)-1,3,5-三嗪-2,4-二胺(0.160g,0.218mmol,26%)。
所得之化合物(N
2,N
4-雙((3-三乙氧基矽基)丙基)-6-((4-(3-(三氟甲基)-3H-二氮環丙烯-3-基)芐基)氧基)-1,3,5-三嗪-2,4-二胺)之核磁共振光譜分析以及質量分析的結果如下述所表示。
1H NMR(500MHz,CDCl
3)：δ 0.65 and 0.66(each br t,total 4H,CH
2), 1.22(t,J=6.9Hz,18Ｈ,CH
3),1.68(br s,4H,CH
2),3.33 and 3.39(each br s,total 4H,CH
2),3.82(q,J=6.9Hz,12H,CH
2),5.14,5.23 and 5.29(each br s,total 2H,NH), 5.33(br s,2H,CH
2),7.16(d,J=6.9Hz,2H,benzene-H),7.43-7.48(br m,2H,benzene-H)；
13C NMR(126MHz,CDCl
3)：δ 7.75,18.4,23.0,23.1,28.4(q,J=40.9Hz),43.4,58.5, 66.8,67.0,67.2,122.2(q,J=275Hz),126.5,127.9,128.3,128.4,128.5,138.9,166.8,167.3,167.6,170.0,170.4；
19F NMR(471MHz,CDCl
3)：δ -65.2.
(實施例4)
於50mL支管燒瓶加入三聚氯氰(1.00g,5.42mmol,1.00eq.)，並設為氬氣氛圍下。於使上述三聚氯氰溶解於脫水二氯甲烷(9.5mL)後，冷卻至0℃。添加溶解於脫水二氯甲烷(5.4mL)之(4-(3-(三氟甲基)-3H-二氮環丙烯-3-基)苯基)甲醇(2.42g,11.9mmol,2.20eq.)與二異丙基乙基胺(2.02mL,11.9mmol,2.20eq.)，在遮光下攪拌1小時。在升溫至室溫(20℃至30℃)後，於遮光下攪拌16小時。在攪拌後，添加水，並以乙醚進行萃取。在以無水硫酸鈉來將有機層乾燥並過濾後，去除溶媒，而進行真空乾燥，藉此獲得作為粗產物之黃色固體(3.32g)。利用將己烷：氯仿=1：4作為展開溶媒之矽膠管柱層析來將粗產物進行分離純化，藉此獲得成為白色固體之2-氯-4,6-雙((4-(3-(三氟甲基)-3H-二氮環丙烯-3-基)芐基)氧基)-1,3,5-三嗪(2.46g,4.52mmol,83%)。
所得之化合物(2-氯-4,6-雙((4-(3-(三氟甲基)-3H-二氮環丙烯-3-基)芐基)氧基)-1,3,5-三嗪)之核磁共振光譜分析以及質量分析的結果如下述所表示。
1H NMR(500MHz,CDCl
3)：δ 5.47(s,4H,CH
2),7.21(d,J=8.4Hz,4H,benzene-H), 7.47(d,J=8.4Hz,4H,benzene-H)；
13C NMR(126MHz,CDCl
3)：δ 28.4(q,J=40.9Hz),69.8,122.1(q,J=275Hz),126.9, 128.7,129.7,136.3,172.0,173.0；
19F NMR(471MHz,CDCl
3)：δ -65.0.
HR-FAB-MS：m／z Calcd for C
21H
13ClF
6N
7O
2[(M+H)
+]：544.0723；Found：544.0722.
繼而，於20mL支管燒瓶加入2-氯-4,6-雙((4-(3-(三氟甲基)-3H-二氮環丙烯-3-基)芐基)氧基)-1,3,5-三嗪(0.266g,0.489mmol,1.00eq.)，並設為氬氣氛圍下。在添加脫水1,4-二噁烷(5.35mL)、3-胺丙基三乙氧基矽烷(0.12mL,0.515mmol,1.05eq.)以及二異丙基乙基胺(0.12mL,0.706mmol,1.44eq.)，並升溫至65℃後，在遮光下攪拌3小時。在攪拌後，添加水，並以乙醚進行萃取。以無水硫酸鈉來將有機層乾燥並過濾後，去除溶媒，而進行真空乾燥，藉此獲得作為粗產物之黃色液體(0.339g)。利用將氯仿：乙酸乙酯=4：1作為展開溶媒之矽膠管柱層析來將粗產物進行分離純化，藉此獲得成為黃色液體之N-((3-三乙氧基矽基)丙基)-4,6-雙((4-(3-(三氟甲基)-3H-二氮環丙烯-3-基)芐基)氧基)-1,3,5-三嗪-2-胺(0.243g,0.333mmol,68%)。
所得之化合物(N-((3-三乙氧基矽基)丙基)-4,6-雙((4-(3-(三氟甲基)-3H-二氮環丙烯-3-基)芐基)氧基)-1,3,5-三嗪-2-胺)之核磁共振光譜分析以及質量分析的結果如下述所表示。
1H NMR(500MHz,CDCl
3)：δ 0.64(t,J=7.5Hz,2H,CH
2),1.22(t,J=6.9Hz,9H,CH
3), 1.69(quint,J=7.5Hz,2H,CH
2),3.41(q,J=7.5Hz,2H,CH
2),3.82(q,J=6.9Hz,6H,CH
2),5.36(s,2H,CH
2),5.39(s,2H,CH
2),5.91(t,J=7.5Hz,1H,NH),7.18(d,J=7.9Hz,4H,benzene-H),7.43(d,J=7.9Hz,2H,benzene-H),7.46(d,J=7.9Hz,2H,benzene-H)；
13C NMR(126MHz,CDCl
3)：δ 7.73,18.4,22.8,28.4(q,J=40.9Hz),43.5,58.6,67.8, 68.1,122.1(q,J=275Hz),126.6,128.2,128.5,128.9,129.0,138.0,168.1,171.3,171.9；
19F NMR(471MHz,CDCl
3)：δ -65.1.
(參考例1)
於10mL支管燒瓶加入2,4-二氯-6-(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-1,3,5-三嗪(0.110g,0.443mmol,1.00eq.)，並設為氬氣氛圍下。在添加脫水1,4-二噁烷(2.21mL)、丙胺(0.08mL,0.974mmol,2.20eq.)以及二異丙基乙基胺(0.23mL,1.35mmol,3.05eq.)，並升溫至65℃後，在遮光下攪拌3小時。在攪拌後，添加水，並以乙醚進行萃取。以無水硫酸鈉來將有機層乾燥並過濾後，去除溶媒，而進行真空乾燥，藉此獲得作為粗產物之白色固體(0.152g)。利用將氯仿作為展開溶媒之矽膠管柱層析來將粗產物進行分離純化，藉此獲得成為白色固體之6-(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-N
2,N
4-二丙基-1,3,5-三嗪-2,4-二胺(0.130g,0.443mmol,100%)。
所得之化合物(6-(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-N
2,N
4-二丙基-1,3,5-三嗪-2,4-二胺)之核磁共振光譜分析以及質量分析的結果如下述所表示。
1H NMR(500MHz,CDCl
3)：δ 0.95(t,J=7.2Hz,6H,CH
3),1.09(s,3H,CH
3),1.58(br sext,4H,CH
2),1.74 and 1.78(br t and br s,total 2H,CH
2),3.30 and 3.36(each br s,total 4H,CH
2),4.13 and 5.07(each br s,total 2H,NH)；
13C NMR(126MHz,CDCl
3)：δ 11.5,20.2,23.0,24.1,34.1,42.7,61.3,61.4, 166.9,167.3,170.3；
HR-FAB-MS：m／z Calcd for C
13H
24N
7O [(M+H)
+]：294.2042；Found：294.2044.
(參考例2)
於20mL支管燒瓶加入2-氯-4,6-雙(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-1,3,5-三嗪(0.280g,0.898mmol,1.00eq.)，並設為氬氣氛圍下。在添加脫水1,4-二噁烷(5.58mL)、丙胺(0.09mL,1.10mmol,1.22eq.)以及二異丙基乙基胺(0.23mL,1.35mmol,1.50eq.)，並升溫至65℃後，在遮光下攪拌3小時。在攪拌後，添加水，並以乙醚進行萃取。以無水硫酸鈉來將有機層乾燥並過濾後，去除溶媒，而進行真空乾燥，藉此獲得作為粗產物之白色固體(0.300g)。利用將氯仿作為展開溶媒之矽膠管柱層析來將粗產物進行分離純化，藉此獲得成為白色固體之4,6-雙(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-N-丙基-1,3,5-三嗪-2-胺(0.291g,0.870mmol,97%)。
所得之化合物(4,6-雙(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-N-丙基-1,3,5-三嗪-2-胺)之核磁共振光譜分析以及質量分析的結果如下述所表示。
1H NMR(500MHz,CDCl
3)：δ 0.96(t,J=7.2Hz,3H,CH
3),1.10(s,3H,CH
3),1.11 (s,3H,CH
3),1.61(sext,J=7.2Hz,2H,CH
2),1.79(t,J=6.6Hz,2H,CH
2),1.82(t,J=6.9Hz,2H,CH
2),3.40(q,J=7.2Hz,2H,CH
2),4.23(t,J=6.6Hz,2H,CH
2),4.29(t,J=6.9Hz,2H,CH
2),5.65(br s,1H,NH)；
13C NMR(126MHz,CDCl
3)：δ 11.4,20.2,22.8,24.0,24.1,34.0,42.9,62.3, 62.5,168.2,171.3,171.9；
HR-FAB-MS：m／z Calcd for C
14H
23N
8O
2[(M+H)
+]：335.1944；Found：335.1948.
(比較例1)
於50mL三口燒瓶加入攪拌子與三聚氯氰(1.00g,5.42mmol)，接著添加THF(6mL)以及乙腈(6mL)，並冷卻至-10℃。在添加三甲基矽基重氮甲基(2.0M己烷溶液,3.0mL,6.0mmol)後，升溫至室溫(20℃至30℃)並攪拌6小時。於攪拌結束後，添加水，將混合溶液以乙醚進行萃取。以無水硫酸鈉來將有機層乾燥並過濾後，利用旋轉蒸發器來進行濃縮、減壓乾燥，藉此獲得茶色固體之粗產物。利用將氯仿：己烷=4：1作為展開溶媒之矽膠層析來將此粗產物進行分離、純化，藉此獲得成為黃色固體之2,4-二氯-6-(重氮甲基)-1,3,5-三嗪(0.689 g,3.63mmol,67%)。
繼而，於50mL三口燒瓶加入攪拌子與2,4-二氯-6-(重氮甲基)-1,3,5-三嗪(0.758g,3.99mmol)，並成為氬氣氛圍下後，添加乾燥1,4-二噁烷(25mL)。在添加三乙基胺(1.66mL,12.0mmol)後，添加3-胺丙基三乙氧基矽烷(2.14mL,9.18mmol)，並在65℃攪拌3小時。在攪拌結束後，添加水，並將混合溶液以乙醚進行萃取。在以無水硫酸鈉來將有機層乾燥並過濾後，利用旋轉蒸發器來進行濃縮、減壓乾燥，藉此獲得黃色黏稠性油狀之粗產物。利用將氯仿作為展開溶媒之矽膠管柱層析來將此粗產物分離、純化，藉此獲得成為黃色黏稠性油狀之作為賦予反應性之化合物之2,4-雙[(3-三乙氧基矽基丙基)胺基]-6-重氮甲基-1,3,5-三嗪(1.661g, 2.97 mmol, 74%)。
所得之化合物(2,4-雙[(3-三乙氧基矽基丙基)胺基]-6-重氮甲基-1,3,5-三嗪)之核磁共振光譜分析以及質量分析的結果如下述所表示。
1H NMR(400MHz,CDCl
3)δ 0.66 (t,J=8.4Hz,4H,CH
2),1.27 (t,J=7.0Hz,18H,CH
3),1.67(br s,4H,CH
2),3.36(br s,4H,CH
2),3.82(q,J=7.0Hz,12H,CH
2), 4.83-5.24(m,2H,NH),5.44(br s,1H, CH)；
13C NMR (101 MHz, CDCl
3)δ 7.7,18.3,23.0, 43.1, 51.5, 58.4, 146.8,165.1；
FAB-MS m／z [(M+H)
+]： 560.3048
(UV-vis吸收光譜模擬)
對賦予反應性之化合物之UV-vis吸收光譜的模擬係使用以下理論計算程式。
・理論計算程式 Gaussian 16,Revision C.01
UV-vis吸收光譜之模擬方法：將上述式(4)之賦予反應性之化合物的三乙氧基矽基丙基胺基簡化為甲基胺基後之模型化合物(將本實施例2之三乙氧基矽基丙基胺基取代為甲基胺基後之模型化合物)進行分子模擬，並藉由密度函數理論(DFT；Density Functional Theory)計算來將分子構造最佳化。DFT計算之類函數係使用B3LYP，基函數係使用6-31G(d)。使用所得之模型化合物的最佳構造，進行含時密度函數理論(TD-DFT；Time-Dependent Density Functional Theory)計算，藉此獲得UV-vis吸收光譜的模擬結果。TD-DFT計算之類函數係使用B3LYP，基函數係使用6-31+G(d,p)。
(UV-vis吸收光譜)
再者，關於所得之實施例1至實施例4以及比較例1的分析係使用以下機器、試藥。
・測定機器 UV-vis吸收光譜：JASCO V-670
・試料溶液 將實施例1與實施例2以及比較例1之各化合物以丙酮洗淨後，於經乾燥之50mL定量瓶，以使試料濃度成為50μmoldm
-3或2mmoldm
-3之方式來秤入，並以無水乙醇定量稀釋。選擇無水乙醇之理由是為了防止存在於各化合物之乙氧基矽烷部分的水解之故。
・測定：將試料溶液加入至以丙酮洗淨並經乾燥之石英玻璃槽(1cm)，而藉由以下條件進行測定。
UV-vis吸收光譜測定條件：帶寬：2nm，掃描速度：200nm／min，感應速率：Fast，數據讀取間隔：1nm
於圖2表示利用模擬所得之吸收光譜。於圖3表示所觀測之比較例1之光譜。如圖2及圖3所示，於具有二氮環丙烯基之模型化合物的情況，源自二氮環丙烯基之n-π*越遷的吸收可確認到落在360nm附近，但於具有重氮甲基之比較例1的情況，則未能在360nm附近確認到吸收。從而，根據實施例2之模擬，相較於比較例1之重氮甲基，由於可以長波長側之光來產生碳烯，故而若使用本揭示之賦予反應性之化合物，則可抑制光劣化。
於圖4表示實施例1之吸收光譜。圖4(a)為試料濃度50μmoldm
-3之吸收光譜，圖4(b)為試料濃度2mmoldm
-3之吸收光譜。再者，於圖5表示實施例2之吸收光譜。圖5(a)為試料濃度50μmoldm
-3之吸收光譜，圖5(b)為試料濃度2mmoldm
-3之吸收光譜。於下述表1彙整測定結果。表1之λ
ABS意指光吸收波長(nm)，ε意指莫耳吸光係數(dm
3mol
-1cm
-1)。圖4(a)以及4(b)之橫軸為波長(nm)，縱軸為吸光度(任意單位)。圖5(a)以及5(b)之橫軸為波長(nm)，縱軸為吸光度(任意單位)。如圖4(b)及圖5(b)所示，實施例1與實施例2都於400nm以下之紫外線區域觀測到兩個吸收帶。若對照模擬結果來解析，於360nm附近所觀測到之吸收帶可歸屬為源自二氮環丙烯基之n-π*越遷的吸收(亦即誘發光分解為碳烯之吸收)。由上述內容看來，已證明具有二氮環丙烯基之實施例1與實施例2，會藉由長波長之紫外光(UVA)照射來產生碳烯，而抑制光劣化，並可與基材表面反應。再者，同樣地關於實施例3以及實施例4，亦在357nm附近確認到光吸收之峰值。
[表1]
| λ ABS[nm] | ε[dm 3mol -1cm -1] | |
| 實施例1 | 221 | 5.65×10 4 |
| 331 | 1.72×10 2 | |
| 實施例2 | 223 | 2.93×10 4 |
| 345 | 1.42×10 2 |
(二氮環丙烯單元之光分解確認實驗1)
繼而，進行確認實施例1與實施例2之二氮環丙烯基能否因照射長波長之紫外光(UVA)(波長365nm)而分解為碳烯的實驗。由於實施例1之6-(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-N
2,N
4-雙(3-(三乙氧基矽基)丙基)-1,3,5-三嗪-2,4-二胺的矽烷耦合部位會水解，故而使用不具有矽烷耦合部位而容易進行操作之參考例1之6-(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-N
2,N
4-二丙基-1,3,5-三嗪-2,4-二胺來進行確認實驗。同樣地，亦取代實施例2之4,6-雙(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-N-((3-三乙氧基矽基)丙基)-1,3,5-三嗪-2-胺，而使用參考例2之4,6-雙(2-(3-甲基-3H-二氮環丙烯-3-基)乙氧基)-N-丙基-1,3,5-三嗪-2-胺來進行確認實驗。測定條件如以下所示。
・測定機器 UV-vis吸收光譜：JASCO V-670
・試料溶液 將參考例1之化合物以丙酮洗淨後，於經乾燥之50mL定量瓶以使試料濃度成為4mmoldm
-3之方式來秤入，並以無水甲醇來定量稀釋。再者，將參考例2之化合物以丙酮洗淨後，於經乾燥之50mL定量瓶以使試料濃度成為2mmoldm
-3之方式來秤入，並以無水甲醇來定量稀釋。
・測定：將試料溶液加入至以丙酮洗淨並經乾燥之石英玻璃槽(1cm)，而藉由以下條件進行測定。
UV-vis吸收光譜測定條件：帶寬：2nm，掃描速度：200nm／min，感應速率：Fast，數據讀取間隔：1nm
・光源：AS ONE Handy UV燈(兼用254nm/365nm)
・光照射條件：波長：365nm，時間0 min至40min
於圖6表示針對參考例1之試料溶液，在照射光時之吸收光譜的變化。於圖7表示針對參考例2之試料溶液，在照射光時之吸收光譜的變化。橫軸為波長，縱軸為吸光度(任意單位)。如圖6及圖7所示，得知照射時間越長，則源自二氮環丙烯基之n-π*越遷的峰值(360nm附近)變越小。這表示二氮環丙烯基會因光照射而光分解為碳烯。因此，確認到藉由波長365nm之光照射，可使二氮環丙烯基分解為碳烯。
(二氮環丙烯單元之光分解確認實驗2)
為了支持藉由二氮環丙烯基之光分解而產生碳烯之論述，便藉由使參考例1與參考例2分別溶解於甲醇，並將照射365nm之紫外光10分鐘前後的溶液進行質量分析，藉此調查光反應生成物。測定條件如以下所示。
・測定機器：JEOL JMS-700 質量分析裝置
・試料溶液：於樣品瓶秤入6mg試料，並添加3mL無水甲醇來作為試料溶液。
・光源：AS ONE Handy UV燈(兼用254nm/365nm)
・測定：將調整後之試料溶液的一部分不施加任何操作而加入至樣品瓶，並將其作為紫外光照射前之樣品。將殘留之調整溶液的一部分加入至石英槽，之後對石英槽以Handy UV 燈來照射365nm之紫外光10分鐘後，將該溶液加入至樣品瓶，並將其作為紫外光照射後之樣品。以質量分析來分析這些樣品。
紫外光照射前之參考例1的試料溶液之質譜(離子化法：電子電離化)中，檢出一致於參考例1之分子量的m／z293之分子離子(M
+)峰值。另一方面，紫外光照射後之試料溶液的質譜中，檢出在照射前所未檢出之源自光反應生成物之m／z297之分子離子(M
+)峰值。此峰值一致於使二氮環丙烯基光分解所生成之碳烯對甲醇之羥基(OH基)進行OH插入反應而生成之6-(3-甲氧基丁氧基)-N
2,N
4-二丙基-1,3,5-三嗪-2,4-二胺的分子量297。紫外光照射前之參考例2之試料溶液的質譜(離子化法：快速原子撞擊游離化)中，檢出m／z335之分子離子峰值。若考量到m／z 335為質子化分子離子基，則此峰值之質量成為334，而一致於參考例2之分子量334。在紫外光照射後之參考例2之試料溶液的質譜中，檢出m／z343之分子離子峰值。若考量到m／z343為質子化分子離子基，則此峰值之質量成為342，而與使分子構造內之兩個二氮環丙烯基光分解所產生之碳烯對甲醇之羥基(OH基)進行OH插入反應而生成之4,6-雙(3-甲氧基丁氧基)-N-丙基-1,3,5-三嗪-2-胺的分子量342一致。由檢出碳烯對乙醇之OH鍵進行插入反應之生成物作為光反應生成物的結果看來，已支持可藉由波長365nm之光照射來使二氮環丙烯基分解為碳烯之論述。
(使用賦予反應性之化合物之積層體的製作與剝離強度評價)
繼而，製作使用實施例1、實施例2以及實施例4之賦予反應性之化合物的積層體，並進行該積層體之剝離強度評價(密合性評價)。評價用試料係以下述順序準備。
「預浸溶液」
一邊於蒸餾水50mL進行10分鐘之超音波攪拌，一邊添加4.25g的 Rohm and Haas電子材料製造的Cataprep404A以及添加13.2g 的NaCl，而製作預浸溶液。
「催化劑溶液」
一邊於蒸餾水50mL進行10分鐘之超音波攪拌，一邊添加12.5g 的Rohm and Haas電子材料製造的Cataprep404。於Cataprep404完全溶解後，添加1.5mL 的Rohm and Haas電子材料製造的cataposit44，而製作催化劑溶液。
「促進劑溶液」
一邊於蒸餾水47.5mL進行10分鐘之超音波攪拌，一邊添加2.5g的Rohm and Haas電子材料製造的促進劑―19E，而製作促進劑溶液。
「無電鍍溶液」
一邊於蒸餾水42.6mL進行10分鐘之超音波攪拌，一邊添加2.5mL的奥野製藥工業製造的AddcopperIW-A、0.75mL的奥野製藥工業製造的AddcopperC、4mL的奥野製藥工業製造的Addcopper、以及0.15mL的奥野製藥工業製造的無電解銅R-N，而製作無電鍍溶液。
丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂基板(ABS基板)係使用三菱化學公司製造的ABS基板(1mm×30mm×厚度130μm)。將ABS基板浸漬於乙醇，並照射超音波10分鐘，而將ABS基板洗淨，使之乾燥。於乾燥後，於ABS基板之表面使用電暈放電裝置(信光電氣計裝製造的Corona Master、電壓輸出：12kV、照射距離：0.5mm)，進行3次電暈處理。之後，使ABS基板浸漬於實施例1或實施例2之乙醇溶液(濃度0.1wt%)10秒，使之乾燥，藉此形成賦予反應性之化合物層。此外，關於實施例4，係製作無進行電暈放電處理與有進行電暈放電處理之情況下的積層體。
針對形成賦予反應性之化合物層後之ABS基板，以高壓水銀燈或LED(Light-Emitting Diode；發光二極體)燈來照射光。高壓水銀燈以及LED之光的主波長都為365nm，由紫外線積算照度計UVPF-A2(峰值感測度355nm)之測定結果看來，照度分別為17mW／cm
2、396mW／cm
2。照射時間設為5分鐘。將光照射後之ABS基板浸漬於預浸溶液1分鐘，在浸漬後不進行洗淨，而浸漬於50℃之催化劑溶液1分鐘，之後以蒸餾水洗淨。之後，不將ABS基板乾燥，而浸漬於促進劑溶液3分鐘，再以蒸餾水洗淨。於洗淨後，在保持濕潤之狀態下將ABS基板浸漬於32℃之無電鍍銅液15分鐘，而以蒸餾水以及乙醇洗淨並進行乾燥。於乾燥後，將形成有銅層之ABS基板(積層體)在80℃下進行退火10分鐘。退火後冷卻至室溫。於冷卻後，將退火後之積層體浸漬於硫酸銅系銅電鍍液，並以電壓15V、電流密度0.02A／cm
2來進行鍍銅60分鐘，而以蒸餾水進行洗淨乾燥，並在80℃進行退火10分鐘，獲得使用各實施例之賦予反應性之化合物的積層體。
「剝離強度測定」
對使用實施例1以及實施例2之賦予反應性之化合物的積層體之銅層部分切出寬度1cm之切痕並使用密合試驗機(IMADA製造的IMADA FORCE MEASUREMENT model mX2)，以拉伸速度50mm／min、拉伸角度90°的條件來測定銅層與ABS基板之剝離強度。於表2表示所得之結果。再者，於表3表示實施例4之有無進行電暈放電處理的結果。
[表2]
| UV燈 [主波長：365nm] | UV照射時間[min.] | 剝離強度[kN/m] | |
| 實施例1 | 實施例2 | ||
| 高壓水銀燈 | 5 | 0.92 | 1.00 |
| LED燈 | 5 | 0.45 | 0.77 |
[表3]
| UV燈 [主波長：365nm] | UV照射時間[min.] | 剝離強度[kN/m] | |
| 實施例4 (無進行電暈處理) | 實施例4 (有進行電暈處理) | ||
| 高壓水銀燈 | 5 | 1.20 | 1.01 |
| LED燈 | 5 | 1.19 | 1.22 |
如表2所示，在以高壓水銀燈來照射紫外光之情況，將實施例1以及實施例2作為賦予反應性之化合物而使用的任一者之積層體都表現高剝離強度。此被認為是自實施例1或實施例2所產生之碳烯會對於藉由電暈放電所產生之基板表面上的羥基(OH基)產生OH插入反應，而在賦予反應性之化合物與基板表面之間形成共價鍵是和高密合性有關連。
再者，由於藉由電暈放電來導入至基板表面上之羥基的數量少，故而不易在維持羥基的數量少的狀態下獲得高密合性，但確認到透過二氮環丙烯基之光反應而使實施例1與實施例2之賦予反應性之化合物鍵結於基板表面，來賦予矽醇生成基，而在矽醇與銅層之間形成鍵結，藉此可改善密合性。於使用LED燈的情況下，相較於使用分子內之二氮環丙烯基數為1個之實施例1的積層體，使用二氮環丙烯基數為2個之實施例2的積層體顯示較高剝離強度。再者，相較於LED燈，使用水銀燈者會顯示更高剝離強度。於使用將主波長設為365nm且在紫外光區域具有幅度寬廣之光譜的高壓水銀燈之情況，容易產生碳烯，而使賦予反應性之化合物與基板之光反應效率變高，故而不會取決於分子內之二氮環丙烯基的數量，不論使用任一賦予反應性之化合物都可獲得高鍍敷密合性。另一方面，於使用以365nm為中心並具有狹窄光譜之LED燈的情況，則不易產生碳烯，而使賦予反應性之化合物與基板之光反應效率變低，故而使用具有較多二氮環丙烯基且與基板之反應準確率高之實施例2能夠獲得高密合性。
另一方面，如表3所示，於使用實施例4之賦予反應性之化合物的情況，將高壓水銀燈或LED燈用於光反應光源都顯示相同程度之剝離強度。除此之外，即便在未進行電暈處理之情況，亦顯示高剝離強度。判斷這應該是實施例4之賦予反應性之化合物具有3-三氟甲基-3-苯基二氮環丙烯骨架，而使二氮環丙烯基之光分解效率提升、以及不僅是所產生之碳烯的O-H插入反應還可產生C-H插入反應之故。
由以上結果看來，認為具有二氮環丙烯基之賦予反應性之化合物作為光反應性分子接合劑是非常有用的。
[產業可利用性]
根據本發明之賦予反應性之化合物、賦予反應性之化合物的製造方法、以及積層體，能抑制基材之光劣化，且獲得高密合性，故而在產業上的可利用性高。
1:基材
2:賦予反應性之化合物層
3:金屬層
100:積層體
[圖1]係以示意方式表示使用本發明之實施例相關之賦予反應性之化合物的積層體之剖面圖。[圖2]係本發明之實施例相關之賦予反應性之化合物的推定光吸收光譜。[圖3]係本發明之比較例相關之賦予反應性之化合物的光吸收光譜。[圖4]係本發明之實施例1相關之賦予反應性之化合物的光吸收光譜。[圖5]係本發明之實施例2相關之賦予反應性之化合物的光吸收光譜。[圖6]係表示對參考例1相關之賦予反應性之化合物進行光照射時之光吸收光譜的變化之圖式。[圖7]係表示對參考例2相關之賦予反應性之化合物進行光照射時之光吸收光譜的變化之圖式。
Claims (16)
- 一種賦予反應性之化合物，於1分子內具備：以下述式(1)所表示之矽烷耦合部位；以及二氮環丙烯基；[化學式1] 式(1)中之*表示鄰接之碳原子，R 1、R 2以及R 3表示氫原子或烷基，R 1、R 2以及R 3可為相同或不同。
- 如請求項1所記載之賦予反應性之化合物，其係以下述式(2)所表示之化合物；[化學式2]
[化學式3] [化學式4]
式(2)中之X表示三嗪環或苯環，Z 1、Z 2以及Z 3表示O、NH、S、或CH 2之任一者，m 1、m 2、m 3表示1至10之整數，Y 1、Y 2以及Y 3為以前述矽烷耦合部位或上述式(3)或式(11)所表示之二氮環丙烯基，Y 1、Y 2以及Y 3之至少1者為前述矽烷耦合部位，Y 1、Y 2以及Y 3之至少1者為前述二氮環丙烯基，上述式(3)中之*表示鄰接之碳原子，R 4為任意之官能基，上述式(11)中之*表示鄰接之碳原子，R 5為任意之官能基，A為亞芳基或2價之雜環基。
- 如請求項2所記載之賦予反應性之化合物，其中前述X為三嗪環。
- 如請求項2或3所記載之賦予反應性之化合物，其中前述Z 1、Z 2以及Z 3為NH或O。
- 如請求項4所記載之賦予反應性之化合物，其係以下述式(4)所表示之化合物； [化學式5]。。 。
- 如請求項4所記載之賦予反應性之化合物；其係以下述式(12)所表示之化合物；[化學式6] 。
- 如請求項4所記載之賦予反應性之化合物；其係以下述式(13)所表示之化合物；[化學式7] 。
- 如請求項4所記載之賦予反應性之化合物；其係以下述式(14)所表示之化合物；[化學式8] 。
- 一種賦予反應性之化合物的製造方法，具備： 賦予二氮環丙烯基之步驟，係使具備有已三鹵化之三嗪環的化合物與具備有羥基以及二氮環丙烯基的化合物進行反應，而獲得被賦予1個以上之二氮環丙烯基的賦予二氮環丙烯基之化合物；以及 賦予矽烷耦合部位之步驟，係使前述賦予二氮環丙烯基之化合物與具備有胺基以及以下述式(6)所表示之矽烷耦合部位的化合物進行反應； [化學式9]式(6)中之*表示鄰接之碳原子，R 1、R 2以及R 3表示氫原子或烷基，R 1、R 2以及R 3可為相同或不同。
- 如請求項9所記載之賦予反應性之化合物的製造方法，其中前述賦予二氮環丙烯基之步驟中，賦予2個前述二氮環丙烯基。
- 如請求項9或10所記載之賦予反應性之化合物的製造方法，其中藉由使下述式(18)的化合物與3-胺丙基三乙氧基矽烷進行反應，獲得下述式(4)的化合物；[化學式10]
[化學式11] 。
- 如請求項9或10所記載之賦予反應性之化合物的製造方法，其中藉由使下述式(20)的化合物與3-胺丙基三乙氧基矽烷進行反應，獲得下述式(13)的化合物； [化學式12]
[化學式13] 。
- 如請求項9所記載之賦予反應性之化合物的製造方法，其中前述賦予二氮環丙烯基之步驟中，賦予1個前述二氮環丙烯基。
- 如請求項9或13所記載之賦予反應性之化合物的製造方法，其中藉由使下述式(15)的化合物與3-胺丙基三乙氧基矽烷進行反應，獲得下述式(12)的化合物；[化學式14] [化學式15]
- 如請求項9或13所記載之賦予反應性之化合物的製造方法，其中藉由使下述式(17)的化合物與3-胺丙基三乙氧基矽烷進行反應，獲得下述式(14)的化合物；[化學式16] [化學式17]
。
- 一種積層體，具備： 第1基材； 賦予反應性之化合物層，係設置於前述第1基材上，且由如請求項1至8中任一項所記載之賦予反應性之化合物所構成；以及 第2基材，係設置於前述賦予反應性之化合物層上。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020-185196 | 2020-11-05 | ||
| JP2020185196 | 2020-11-05 | ||
| JP2021-145578 | 2021-09-07 | ||
| JP2021145578 | 2021-09-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202231645A true TW202231645A (zh) | 2022-08-16 |
| TWI837537B TWI837537B (zh) | 2024-04-01 |
Family
ID=
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7347877B2 (ja) | 2023-09-20 |
| WO2022097644A1 (ja) | 2022-05-12 |
| JP2023165713A (ja) | 2023-11-17 |
| JPWO2022097644A1 (zh) | 2022-05-12 |
| KR20230092950A (ko) | 2023-06-26 |
| EP4242215A1 (en) | 2023-09-13 |
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