TW202231467A - 印刷配線板之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明之課題在於提供一種印刷配線板之製造方法，其可形成小徑的通孔，膠渣去除性優異，抑制暈圈現象之發生。 本發明之解決手段為一種印刷配線板之製造方法，其依序包含：(A)藉由雷射，在包含樹脂組成物的硬化物之絕緣層中形成開口部之步驟；及(B)對於開口部，進行使用研磨粒的噴砂處理，形成通孔之步驟。

Description

印刷配線板之製造方法

本發明關於印刷配線板之製造方法。

近年來，於印刷配線板中，增建層係複層化，要求配線的微細化及高密度化。增建層係藉由交替堆疊絕緣層與導體層的增層(build-up)方式而形成，於增層方式之製造方法中，絕緣層一般係藉由使樹脂組成物熱硬化而形成。

適合內層電路基板的絕緣層之形成的樹脂組成物之提案，例如包含專利文獻1中記載的樹脂組成物，有許多者。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2017-59779號公報

[發明所欲解決的課題]

可是，於製造印刷配線板時，有時在絕緣層中通孔。所謂「通孔」，通常表示貫穿絕緣層的孔。作為形成通孔之方法，考慮使用雷射之方法。

若以雷射形成通孔，則於通孔中可能形成被稱為膠渣的樹脂殘渣。為了去除該膠渣，於藉由雷射的通孔之形成後，通常進行使用藥液去除膠渣之去膠渣處理。本發明者發現若照射雷射而產生熱，則該熱係傳到絕緣層及內層電路基板的基底金屬而發生暈圈現象。所謂暈圈現象，就是指在通孔的周圍，於絕緣層與內層電路基板之間發生剝離者。如此的暈圈現象，通常係通孔的周圍之樹脂因熱而劣化，該劣化的部分被粗化液等的藥液所侵蝕而發生。尚且，前述劣化部分通常被觀察為變色部。

又，考慮使用噴砂處理來抑制暈圈現象之方法，但以噴砂處理難以形成小徑的通孔，且通孔的加工速度慢。

本發明係鑒於上述情事而完成者，提供一種印刷配線板之製造方法，其可形成小徑的通孔，膠渣去除性優異，抑制暈圈現象之發生。 [解決課題的手段]

本發明者為了解決上述課題而專心致力地檢討，結果發現在藉由雷射形成開口部後，以噴砂處理形成通孔，而膠渣去除性優異，可抑制暈圈現象，終於完成本發明。

亦即，本發明包含下述之內容。 [1]一種印刷配線板之製造方法，其依序包含： (A)藉由雷射，在包含樹脂組成物的硬化物之絕緣層中形成開口部之步驟；及 (B)對於開口部，進行使用研磨粒的噴砂處理，形成通孔之步驟。 [2]如[1]記載之印刷配線板之製造方法，其中研磨粒之平均粒徑為10μm以下。 [3]如[1]或[2]記載之印刷配線板之製造方法開口部之深度，其中開口部之深度為絕緣層之厚度的50%以上95%以下。 [4]如[1]~[3]中任一項記載之印刷配線板之製造方法，其中 (B)步驟為通過遮罩，使研磨粒衝撞開口部的底面而形成通孔之步驟， 遮罩之厚度及開口部之深度的合計值與通孔的開口徑之比(合計值/開口徑)為3以下。 [5]如[1]~[4]中任一項記載之印刷配線板之製造方法，其中絕緣層在23℃的彈性模數為0.1GPa以上。 [6]如[1]~[5]中任一項記載之印刷配線板之製造方法，其中樹脂組成物包含無機填充材。 [7]如[6]記載之印刷配線板之製造方法，其中將樹脂組成物中的不揮發成分當作100質量%時，無機填充材之含量為20質量%以上。 [8]如[1]~[7]中任一項記載之印刷配線板之製造方法，其中樹脂組成物包含硬化性樹脂。 [9]如[8]記載之印刷配線板之製造方法，其中將樹脂組成物中的不揮發成分當作100質量%時，硬化性樹脂之含量為10質量%以上。 [10]如[8]或[9]記載之印刷配線板之製造方法，其中硬化性樹脂包含環氧樹脂及硬化劑。 [11]如[10]記載之印刷配線板之製造方法，其中硬化劑為選自酚系樹脂、活性酯系樹脂及氰酸酯系樹脂的1種以上。 [12]如[1]~[11]中任一項記載之印刷配線板之製造方法，其中雷射為CO ₂雷射或UV-YAG雷射。 [發明的效果]

根據本發明，可提供一種印刷配線板之製造方法，其可形成小徑的通孔，膠渣去除性優異，抑制暈圈現象之發生。

[實施發明的形態]

以下，顯示實施形態及例示物，詳細地說明本發明。惟，本發明不受以下列舉的實施形態及例示物所限定，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍之範圍內，可任意變更而實施。

於詳細說明本發明之印刷配線板之製造方法之前，說明本發明之印刷配線板之製造方法中使用「樹脂組成物」及「附支撐體的樹脂薄片」。

[樹脂組成物] 用於硬化體之形成的樹脂組成物，可其硬化物的絕緣層具有充分的硬度及絕緣性者。於一實施形態中，樹脂組成物包含(a)無機填充材。樹脂組成物視需要可進一步包含(b)硬化性樹脂、(c)硬化促進劑、(d)熱塑性樹脂、(e)彈性體及(f)其他添加劑。以下，詳細說明樹脂組成物所含有的各成分。

＜(a)無機填充材＞ 樹脂組成物含有(a)無機填充材。作為無機填充材的材料，使用無機化合物。作為無機填充材的材料之例，可舉出二氧化矽、氧化鋁、鋁矽酸鹽、玻璃、堇青石、矽氧化物、硫酸鋇、碳酸鋇、滑石、黏土、雲母粉、氧化鋅、水滑石、水鋁石、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、氮化鋁、氮化錳、硼酸鋁、碳酸鍶、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、氧化鈦、氧化鋯、鈦酸鋇、鈦酸鋯酸鋇、鋯酸鋇、鋯酸鈣、磷酸鋯及磷酸鎢酸鋯等。於此等之中，宜為碳酸鈣、二氧化矽，特佳為二氧化矽。作為二氧化矽，例如可舉出無定形二氧化矽、熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、合成二氧化矽、中空二氧化矽等。又，作為二氧化矽，較佳為球狀二氧化矽。(a)無機填充材可單獨1種類使用，也可組合2種類以上使用。

作為(a)成分之市售品，例如可舉出DENKA公司製之「UFP-30」、「ASFP-20」；日鐵化學&材料公司製之「SP60-05」、「SP507-05」、「SPH516-05」；ADMATECHS公司製之「YC100C」、「YA050C」、「YA050C-MJE」、「YA010C」；TOKUYAMA公司製之「Silfill NSS-3N」、「Silfill NSS-4N」、「Silfill NSS-5N」；ADMATECHS公司製之「SC2500SQ」、「SO-C4」、「SO-C2」、「SO-C1」等。

(a)成分之比表面積較佳為1m ²/g以上，更佳為2m ²/g以上，特佳為3m ²/g以上。上限係沒有特別的限制，但較佳為60m ²/g以下、50m ²/g以下或40m ²/g以下。比表面積係依照BET法，使用比表面積測定裝置(MOUNTECH公司製Macsorb HM-1210)，使氮氣吸附於試料表面，使用BET多點法算出比表面積而得。

(a)成分之平均粒徑，從顯著得到本發明的所欲效果之觀點來看，較佳為0.01μm以上，更佳為0.05μm以上，尤佳為0.1μm以上，且較佳為5μm以下，更佳為2μm以下，尤佳1μm以下。

(a)成分之平均粒徑可藉由以米氏(Mie)散射理論為基礎的雷射繞射・散射法進行測定。具體而言，可藉由雷射繞射散射式粒徑分布測定裝置，以體積基準作成無機填充材之粒徑分布，將其中值粒徑當作平均粒徑而測定。測定樣品係可使用在小瓶中秤取無機填充材100mg、甲基乙基酮10g，以超音波使其分散10分鐘者。對於測定樣品，使用雷射繞射式粒徑分布測定裝置，將使用的光源波長設為藍色及紅色，以流通池(flow cell)方式測定(a)成分之粒徑分布，從所得之粒徑分布，算出平均粒徑作為中值粒徑。作為雷射繞射式粒徑分布測定裝置，例如可舉出堀場製作所公司製「LA-960」等。

從提高耐濕性及分散性之觀點來看，(a)成分較佳為被表面處理劑所處理。作為表面處理劑，例如可舉出乙烯基矽烷系偶合劑、(甲基)丙烯酸系偶合劑、含氟的矽烷偶合劑、胺基矽烷系偶合劑、環氧基矽烷系偶合劑、巰基矽烷系偶合劑、矽烷系偶合劑、烷氧基矽烷、有機矽氮烷化合物、鈦酸酯系偶合劑等。其中，從顯著得到本發明的效果之觀點來看，較佳為乙烯基矽烷系偶合劑、(甲基)丙烯酸系偶合劑、胺基矽烷系偶合劑，更佳為胺基矽烷系偶合劑。又，表面處理劑可單獨1種類使用，也可任意地組合2種類以上使用。

作為表面處理劑之市售品，例如可舉出信越化學工業公司製「KBM1003」(乙烯基三乙氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM503」(3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM403」(3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM803」(3-巰基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBE903」(3-胺基丙基三乙氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM573」(N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「SZ-31」(六甲基二矽氮烷)、信越化學工業公司製「KBM103」(苯基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM-4803」(長鏈環氧型矽烷偶合劑)、信越化學工業公司製「KBM-7103」(3,3,3-三氟丙基三甲氧基矽烷)等。

表面處理劑所致的表面處理之程度，從無機填充材的分散性提升之觀點來看，較佳為侷限於特定之範圍內。具體而言，無機填充材100質量份較佳為被0.2質量份~5質量份的表面處理劑所表面處理，更佳為被0.2質量份~3質量份所表面處理，尤佳為被0.3質量份~2質量份所表面處理。

表面處理劑所致的表面處理之程度，係可藉由無機填充材的每單位表面積之碳量來評價。無機填充材的每單位表面積之碳量，從無機填充材的分散性提升之觀點來看，較佳為0.02mg/m ²以上，更佳為0.1mg/m ²以上，尤佳為0.2mg/m ²以上。另一方面，從抑制樹脂清漆的熔融黏度及薄片形態之熔融黏度上升之觀點來看，較佳為1mg/m ²以下，更佳為0.8mg/m ²以下，尤佳為0.5mg/m ²以下。

無機填充材的每單位表面積之碳量，係可在藉由溶劑(例如甲基乙基酮(MEK))洗淨處理表面處理後的無機填充材後而測定。具體而言，將作為溶劑的充分量之MEK加到經表面處理劑所表面處理之無機填充材中，在25℃下超音波洗淨5分鐘。去除上清液，使固體成分乾燥後，可使用碳分析計測定無機填充材的每單位表面積之碳量。作為碳分析計，可使用堀場製作所公司製「EMIA-320V」等。

(a)成分之含量(質量%)，從顯著得到本發明的效果之觀點來看，將樹脂組成物中的不揮發成分當作100質量%時，較佳為20質量%以上，更佳為30質量%以上，尤佳為40質量%以上、50質量%以上，且較佳為95質量%以下，更佳為90質量%以下，尤佳為85質量%以下、80質量%以下。尚且，於本發明中，樹脂組成物中的各成分之含量只要沒有另外明示，則為將樹脂組成物中的不揮發成分當作100質量%時之值。

(a)成分之含量(體積%)，從顯著得到本發明的效果之觀點來看，將樹脂組成物中的不揮發成分當作100體積%時，較佳為10體積%以上，更佳為30體積%以上，尤佳為50體積%以上，且較佳為90體積%以下，更佳為85體積%以下，尤佳為80體積%以下。

＜(b)硬化性樹脂＞ 樹脂組成物可含有(b)硬化性樹脂。作為(b)硬化性樹脂，可使用在形成印刷配線板的絕緣層時可使用的硬化性樹脂，較佳為熱硬化性樹脂。

作為熱硬化性樹脂，例如可舉出環氧樹脂、苯酚系樹脂、萘酚系樹脂、苯并㗁𠯤系樹脂、活性酯系樹脂、氰酸酯系樹脂、碳二亞胺系樹脂、胺系樹脂、酸酐系樹脂等。(b)成分可單獨1種類使用，也可以任意之比率組合2種類以上而使用。以下，亦將如苯酚系樹脂、萘酚系樹脂、苯并㗁𠯤系樹脂、活性酯系樹脂、氰酸酯系樹脂、碳二亞胺系樹脂、胺系樹脂、酸酐系樹脂，與環氧樹脂反應而可使樹脂組成物硬化的樹脂，彙總稱為「硬化劑」。作為樹脂組成物，從降低介電正切之觀點，較佳為包含環氧樹脂及硬化劑作為(b)成分。

作為(b)成分的環氧樹脂，例如可舉出聯二甲酚型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三苯酚型環氧樹脂、萘酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、第三丁基兒茶酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、環氧丙基胺型環氧樹脂、環氧丙基酯型環氧樹脂、環氧丙基環己烷型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、線狀脂肪族環氧樹脂、具有丁二烯構造的環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、雜環式環氧樹脂、含螺環的環氧樹脂、環己烷型環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂、三羥甲基型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂、苯酚鄰苯二甲醯亞胺型環氧樹脂等。環氧樹脂可單獨1種類使用，也可組合2種類以上使用。

樹脂組成物較佳包含在1分子中具有2個以上環氧基的環氧樹脂作為(b)成分。從顯著得到本發明的所欲效果之觀點來看，相對於(b)成分的不揮發成分100質量%，在1分子中具有2個以上環氧基的環氧樹脂之比例較佳為50質量%以上，更佳為60質量%以上，特佳為70質量%以上。

於環氧樹脂中，有在溫度20℃下液狀的環氧樹脂(以下亦稱為「液狀環氧樹脂」)與在溫度20℃下固體狀的環氧樹脂(以下亦稱為「固體狀環氧樹脂」)。樹脂組成物係在作為(b)成分，可僅包含液狀環氧樹脂，也可僅包含固體狀環氧樹脂，亦可組合包含液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂。

作為液狀環氧樹脂，較佳為在1分子中具有2個以上環氧基的液狀環氧樹脂。

作為液狀環氧樹脂，較佳為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、環氧丙基酯型環氧樹脂、環氧丙基胺型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、具有酯骨架的脂環式環氧樹脂、環己烷型環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、環氧丙基胺型環氧樹脂、及具有丁二烯構造的環氧樹脂、環氧丙基環己烷型環氧樹脂、苯酚鄰苯二甲醯亞胺型環氧樹脂，更佳為雙酚A型環氧樹脂、環氧丙基環己烷型環氧樹脂、苯酚鄰苯二甲醯亞胺型環氧樹脂。

作為液狀環氧樹脂之具體例，可舉出DIC公司製之「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」(萘型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「828US」、「jER828EL」、「825」、「Epikote 828EL」(雙酚A型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「jER807」、「1750」(雙酚F型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「jER152」(苯酚酚醛清漆型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「630」、「630LSD」(環氧丙基胺型環氧樹脂)；日鐵化學&材料公司製之「ZX1059」(雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂之混合品)；Nagase ChemteX公司製之「EX-721」(環氧丙基酯型環氧樹脂)；DAICEL公司製之「Celloxide 2021P」(具有酯骨架的脂環式環氧樹脂)；DAICEL公司製之「PB-3600」(具有丁二烯構造的環氧樹脂)；日鐵化學&材料公司製之「ZX1658」、「ZX1658GS」(液狀1,4-環氧丙基環己烷型環氧樹脂)等。此等可單獨1種類使用，也可組合2種以上使用。

作為固體狀環氧樹脂，較佳為在1分子中具有3個以上環氧基的固體狀環氧樹脂，更佳為在1分子中具有3個以上環氧基的芳香族系固體狀環氧樹脂。

作為固體狀環氧樹脂，較佳為聯二甲酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘型4官能環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三苯酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂，更佳為聯苯型環氧樹脂、聯二甲酚型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂。

作為固體狀環氧樹脂，較佳為萘型4官能環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三苯酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂，更佳為萘型4官能環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂及聯苯型環氧樹脂。作為固體狀環氧樹脂之具體例，可舉出DIC公司製之「HP4032H」(萘型環氧樹脂)、「HP-4700」、「HP-4710」(萘型4官能環氧樹脂)、「N-690」(甲酚酚醛清漆型環氧樹脂)、「N-695」(甲酚酚醛清漆型環氧樹脂)、「HP-7200」、「HP-7200HH」、「HP-7200H」(二環戊二烯型環氧樹脂)、「EXA-7311」、「EXA-7311-G3」、「EXA-7311-G4」、「EXA-7311-G4S」、「HP6000」(萘醚型環氧樹脂)；日本化藥公司製之「EPPN-502H」(三苯酚型環氧樹脂)、「NC7000L」(萘酚酚醛清漆型環氧樹脂)、「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(聯苯型環氧樹脂)；日鐵化學&材料公司製之「ESN475V」(萘型環氧樹脂)、「ESN485」(萘酚酚醛清漆型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「YX4000H」、「YL6121」(聯苯型環氧樹脂)、「YX4000HK」(聯二甲酚型環氧樹脂)、「YX8800」(蒽型環氧樹脂)；大阪瓦斯化學公司製之「PG-100」、「CG-500」、三菱化學公司製之「YL7760」(瓦斯AF型環氧樹脂)、「YL7800」(茀型環氧樹脂)、「jER1010」(固體狀雙酚A型環氧樹脂)、「jER1031S」(四苯基乙烷型環氧樹脂)；日本化藥公司製之「WHR-991S」(苯酚鄰苯二甲醯亞胺型環氧樹脂)等。此等可單獨1種使用，也可組合2種以上使用。

組合使用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂作為(b)成分時，彼等之量比(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂)以質量比計較佳為1：0.1~1：20，更佳為1：0.3~1：10，特佳為1：0.5~1：5。由於液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之量比在該範圍內，可顯著得到本發明的所欲效果。再者，通常以附支撐體的樹脂薄片之形態使用時，造成適度的黏著性。又，通常以附支撐體的樹脂薄片之形態使用時，得到充分的可撓性，操作性提升。再者，通常可得到具有充分的斷裂強度之硬化物。

作為(b)成分的環氧樹脂之環氧當量，較佳為50g/eq.~5000g/eq.，更佳為50g/eq.~3000g/eq.，尤佳為80g/eq. ~2000g/eq.，尤更佳為110g/eq.~1000g/eq.。由於成為該範圍，可造成樹脂組成物的硬化物之交聯密度充分的硬化體。環氧當量表示包含1當量的環氧基之環氧樹脂的質量。該環氧當量可依照JIS K7236測定。

作為(b)成分的環氧樹脂之重量平均分子量(Mw)，從顯著得到本發明的所欲效果之觀點來看，較佳為100~5000，更佳為250~3000，尤佳400~1500。環氧樹脂之重量平均分子量可為藉由凝膠滲透層析(GPC)法所測定的聚苯乙烯換算之重量平均分子量。

作為(b)成分的環氧樹脂之含量，從得到顯示良好的機械強度、絕緣可靠性之硬化體的觀點來看，將樹脂組成物中的不揮發成分當作100質量%時，較佳為1質量%以上，更佳為3質量%以上，尤佳為5質量%以上。環氧樹脂之含量的上限，從顯著得到本發明的所欲效果之觀點來看，較佳為50質量%以下，更佳為45質量%以下，特佳為40質量%以下。

作為(b)成分的活性酯系樹脂，可使用在1分子中具有1個以上活性酯基的樹脂。其中，作為活性酯系樹脂，較佳為酚酯類、硫酚酯類、N-羥基胺酯類、雜環羥基化合物之酯類等之在1分子中具有2個以上反應活性高的酯基之樹脂。該活性酯系樹脂較佳藉由羧酸化合物及/或硫代羧酸化合物與羥基化合物及/或硫醇化合物之縮合反應而得者。尤其從耐熱性提升之觀點來看，較佳為由羧酸化合物與羥基化合物所得之活性酯系樹脂，更佳為由羧酸化合物與苯酚化合物及/或萘酚化合物所得之活性酯系樹脂。

作為羧酸化合物，例如可舉出苯甲酸、乙酸、琥珀酸、馬來酸、伊康酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、均苯四酸等。

作為苯酚化合或萘酚化合物，例如可舉出氫醌、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、還原酚酞、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、苯酚、鄰甲酚、間甲酚、對甲酚、兒茶酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、均苯三酚(phloroglucin)、苯三酚、二環戊二烯型二酚化合物、苯酚酚醛清漆等。此處，所謂「二環戊二烯型二酚化合物」，就指對二環戊二烯1分子縮合苯酚2分子而得之二酚化合物。

作為活性酯系樹脂之較佳具體例，可舉出含有二環戊二烯型二酚構造之活性酯系樹脂、含有萘構造之活性酯系樹脂、含有苯酚酚醛清漆的乙醯化物之活性酯系樹脂、含有苯酚酚醛清漆的苯甲醯化物之活性酯系樹脂。其中，較佳為含有萘構造之活性酯系樹脂、含有二環戊二烯型二酚構造之活性酯系樹脂。所謂「二環戊二烯型二酚構造」，就是表示由伸苯基-二伸環戊基-伸苯基所成之2價結構單元。

作為活性酯系樹脂之市售品，於含有二環戊二烯型二酚構造之活性酯系樹脂中，可舉出「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC-8000-65T」、「HPC-8000H-65TM」、「EXB-8000L-65TM」(DIC公司製)；於含有萘構造之活性酯系樹脂中，可舉出「EXB9416-70BK」、「EXB-8150-65T」(DIC公司製)；於含有苯酚酚醛清漆的乙醯化物之活性酯系樹脂中，可舉出「DC808」(三菱化學公司製)；於含有苯酚酚醛清漆的苯甲醯化物之活性酯系樹脂中，可舉出「YLH1026」(三菱化學公司製)；於苯酚酚醛清漆的乙醯化物之活性酯系樹脂中，可舉出「DC808」(三菱化學公司製)；於苯酚酚醛清漆的苯甲醯化物之活性酯系樹脂中，可舉出「YLH1026」(三菱化學公司製)、「YLH1030」(三菱化學公司製)、「YLH1048」(三菱化學公司製)等。

作為(b)成分的苯酚系樹脂及萘酚系樹脂，從耐熱性及耐水性之觀點來看，較佳為具有酚醛清漆構造者。又，從與導體層的密著性之觀點來看，較佳為含氮苯酚系硬化劑，更佳為含有三𠯤骨架的苯酚系硬化劑。

作為苯酚(phenol)系硬化劑及萘酚(naphthol)系硬化劑之具體例，例如可舉出明和化成公司製之「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」、日本化藥公司製之「NHN」、「CBN」、「GPH」、日鐵化學&材料公司製之「SN170」、「SN180」、「SN190」、「SN475」、「SN485」、「SN495」、「SN-495V」、「SN375」、「SN395」、DIC公司製之「TD-2090」、「LA-7052」、「LA-7054」、「LA-1356」、「LA-3018- 50P」、「EXB-9500」等。

作為(b)成分的苯并㗁𠯤系樹脂之具體例，可舉出JFE化學公司製之「JBZ-OD100」(苯并㗁𠯤環當量218)、「JBZ-OP100D」(苯并㗁𠯤環當量218)、「ODA-BOZ」(苯并㗁𠯤環當量218)；四國化成工業公司製之「P-d」(苯并㗁𠯤環當量217)、「F-a」(苯并㗁𠯤環當量217)；昭和高分子公司製之「HFB2006M」(苯并㗁𠯤環當量432)等。

作為(b)成分的氰酸酯系樹脂，例如可舉出雙酚A二氰酸酯、多酚氰酸酯、寡(3-亞甲基-1,5-伸苯基氰酸酯)、4,4’-亞甲基雙(2,6-二甲基苯基氰酸酯)、4,4’-亞乙基二苯基二氰酸酯、六氟雙酚A二氰酸酯、2,2-雙(4-氰酸酯基)苯基丙烷、1,1-雙(4-氰酸酯基苯基甲烷)、雙(4-氰酸酯基-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸酯基苯基-1-(甲基亞乙基))苯、雙(4-氰酸酯基苯基)硫醚及雙(4-氰酸酯基苯基)醚等之2官能氰酸酯樹脂；由苯酚酚醛清漆及甲酚酚醛清漆等所衍生之多官能氰酸酯樹脂；此等氰酸酯樹脂經一部分三𠯤化之預聚物等。作為氰酸酯系樹脂之具體例，可舉LONZA日本公司製之「PT30」、「PT30S」及「PT60」(苯酚酚醛清漆型多官能氰酸酯樹脂)；「ULL-950S」(多官能氰酸酯樹脂)；「BA230」、「BA230S75」(雙酚A二氰酸酯之一部分或全部經三𠯤化成三聚物之預聚物)、「BADCy」(雙酚A二氰酸酯)等。

作為(b)成分的碳二亞胺系樹脂之具體例，可舉出日清紡化學公司製之Carbodilite(註冊商標)V-03(碳二亞胺基當量：216)、V-05(碳二亞胺基當量：216)、V-07(碳二亞胺基當量：200)；V-09(碳二亞胺基當量：200)；LAN化學公司製之Stabaxol(註冊商標)P(碳二亞胺基當量：302)。

作為(b)成分的胺系樹脂，可舉出在1分子內中具有1個以上胺基之樹脂，例如可舉出脂肪族胺類、聚醚胺類、脂環式胺類、芳香族胺類等，其中從達成本發明之所欲效果之觀點來看，較佳為芳香族胺類。胺系樹脂較佳為一級胺或二級胺，更佳為一級胺。作為胺系樹脂之具體例，可舉出4,4’-亞甲基雙(2,6-二甲基苯胺)、二苯基二胺基碸、4,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基碸、3,3’-二胺基二苯基碸、間苯二胺、間苯二甲基二胺、二乙基甲苯二胺、4,4’-二胺基二苯基醚、3,3’-二甲基-4,4’-二胺基聯苯、2,2’-二甲基-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二羥基聯苯胺、2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)丙烷、3,3-二甲基-5,5-二乙基-4,4-二苯基甲烷二胺、2,2-雙(4-胺基苯基)丙烷、2,2-雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)丙烷、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、4,4’-雙(4-胺基苯氧基)聯苯、雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)碸、雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)碸等。胺系樹脂亦可使用市售品，例如可舉出日本化藥公司製之「KAYABOND C-200S」、「KAYABOND C-100」、「KAYAHARD A-A」、「KAYAHARD A-B」、「KAYAHARD A-S」、三菱化學公司製之「EPICURE W」等。

作為(b)成分的酸酐系樹脂，可舉出在1分子內中具有1個以上酸酐基之樹脂。作為酸酐系樹脂之具體例，可舉出鄰苯二甲酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、甲基四氫鄰苯二甲酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐、甲基納迪克酸酐、氫化甲基納迪克酸酐、三烷基四氫鄰苯二甲酸酐、十二烯基琥珀酸酐、5-(2,5-二氧代四氫-3-呋喃基)-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸酐、偏苯三酸酐、均苯四酸酐、二苯基酮四羧酸二酐、聯苯基四羧酸二酐、萘四羧酸二酐、氧基二鄰苯二甲酸二酐、3,3’-4,4’-二苯基碸四羧酸二酐、1,3,3a,4,5,9b-六氫-5-(四氫-2,5-二氧代-3-呋喃基)-萘并[1,2-C]呋喃-1,3-二酮、乙二醇雙(偏苯三酸酐)、苯乙烯與馬來酸共聚合成之苯乙烯・馬來酸樹脂等之聚合物型酸酐等。

作為(b)成分的硬化劑，較佳為苯酚系樹脂、萘酚系樹脂、苯并㗁𠯤系樹脂、活性酯系樹脂、氰酸酯系樹脂、碳二亞胺系樹脂、胺系樹脂及酸酐系樹脂之任一者，更佳為活性酯系樹脂、酚系樹脂、碳二亞胺系樹脂及萘酚系樹脂之任一者，尤佳為選自酚系樹脂、活性酯系樹脂及氰酸酯系樹脂的1種以上。

含有環氧樹脂及硬化劑作為(b)成分時，環氧樹脂與全部的硬化劑之量比，以[環氧樹脂的環氧基之合計數]：[硬化劑的反應基之合計數]之比率計，較佳為1：0.01~1：5之範圍，更佳為1：0.1~1：3，尤佳為1：0.3~1：2。此處，所謂「環氧樹脂的環氧基數」，就是將樹脂組成物中存在的環氧樹脂之不揮發成分的質量除以環氧當量而得之值全部合計的值。又，所謂「硬化劑的活性基數」，就是將樹脂組成物中存在的硬化劑之不揮發成分的質量除以活性基當量而得之值全部合計的值。作為(b)成分，由於環氧樹脂與硬化劑之量比成為該範圍內，可得到柔軟性優異的硬化體。

作為(b)成分的硬化劑之含量，從得到柔軟性優異的硬化體之觀點來看，相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%，較佳為1質量%以上，更佳為3質量%以上，尤佳為5質量%以上，且較佳為40質量%以下，更佳為30質量%以下，尤佳為20質量%以下。

(b)成分之含量，從顯著得到本發明的效果之觀點來看，相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%，較佳為10質量%以上，更佳為13質量%以上，尤佳為15質量%以上，且較佳為50質量%以下，更佳為45質量%以下，尤佳為40質量%以下。

＜(c)硬化促進劑＞ 樹脂組成物亦可含有(c)硬化促進劑作為任意成分。作為硬化促進劑，例如可舉出磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、胍系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑等，較佳為胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑，更佳為胺系硬化促進劑。硬化促進劑可單獨1種使用，也可組合2種以上使用。

作為磷系硬化促進劑，例如可舉出三苯基膦、硼酸鏻化合物、四苯基鏻四苯基硼酸鹽、正丁基鏻四苯基硼酸鹽、四丁基鏻癸酸鹽、(4-甲基苯基)三苯基鏻硫氰酸鹽、四苯基鏻硫氰酸鹽、丁基三苯基鏻硫氰酸鹽等，較佳為三苯基膦、四丁基鏻癸酸鹽。

作為胺系硬化促進劑，例如可舉出三乙胺、三丁胺等之三烷基胺、4-二甲基胺基吡啶、苄基二甲基胺、2,4,6,-參(二甲基胺基甲基)苯酚、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)-十一烯等，較佳為4-二甲基胺基吡啶、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)-十一烯。

作為咪唑系硬化促進劑，例如可舉出2-甲基咪唑、2-十一基咪唑、2-十七基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-十一基咪唑鎓偏苯三酸酯、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸酯、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三𠯤、2,4-二胺基-6-[2’-十一基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三𠯤、2,4-二胺基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三𠯤、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三𠯤異三聚氰酸加成物、2-苯基咪唑異三聚氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2,3-二氫-1H-吡咯并[1,2-a]苯并咪唑、1-十二基-2-甲基-3-苄基咪唑鎓氯化物、2-甲基咪唑啉、2-苯基咪唑啉等之咪唑化合物及咪唑化合物與環氧樹脂之加成物，較佳為2-乙基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑。

作為咪唑系硬化促進劑，可使用市售品，例如可舉出三菱化學公司製之「P200-H50」等。

作為胍系硬化促進劑，例如可舉出氰胍、1-甲基胍、1-乙基胍、1-環己基胍、1-苯基胍、1-(鄰甲苯基)胍、二甲基胍、二苯基胍、三甲基胍、四甲基胍、五甲基胍、1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯、7-甲基-1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯、1-甲基雙胍、1-乙基雙胍、1-正丁基雙胍、1-正十八基雙胍、1,1-二甲基雙胍、1,1-二乙基雙胍、1-環己基雙胍、1-烯丙基雙胍、1-苯基雙胍、1-(鄰甲苯基)雙胍等，較佳為氰胍、1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯。

作為金屬系硬化促進劑，例如可舉出鈷、銅、鋅、鐵、鎳、錳、錫等之金屬的有機金屬錯合物或有機金屬鹽。作為有機金屬錯合物之具體例，可舉出乙醯丙酮鈷(II)、乙醯丙酮鈷(III)等之有機鈷錯合物、乙醯丙酮銅(II)等之有機銅錯合物、乙醯丙酮鋅(II)等之有機鋅錯合物、乙醯丙酮鐵(III)等之有機鐵錯合物、乙醯丙酮鎳(II)等之有機鎳錯合物、乙醯丙酮錳(II)等之有機錳錯合物等。作為有機金屬鹽，例如可舉出辛酸鋅、辛酸錫、環烷酸鋅、環烷酸鈷、硬脂酸錫、硬脂酸鋅等。

(c)硬化促進劑之含量，將樹脂組成物中的不揮發成分當作100質量%時，較佳為0.01質量%以上，更佳為0.02質量%以上，特佳為0.03質量%以上，且較佳為3質量%以下，更佳為1質量%以下，特佳為0.5質量%以下。

再者，不含(b)成分的硬化劑時，(c)硬化促進劑之含量，將樹脂組成物中的不揮發成分當作100質量%，較佳為0.01質量%以上，更佳為0.02質量%以上，特佳為0.03質量%以上，且較佳為3質量%以下，更佳為1質量%以下，特佳為0.5質量%以下。

＜(d)熱塑性樹脂＞ 樹脂組成物亦可含有(d)熱塑性樹脂作為任意成分。作為(d)熱塑性樹脂，例如可舉出苯氧基樹脂、聚乙烯縮醛樹脂、聚烯烴樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚伸苯基醚樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚酯樹脂等，較佳為苯氧基樹脂。熱塑性樹脂可單獨1種使用，也可組合2種以上使用。

(d)熱塑性樹脂的聚苯乙烯換算之重量平均分子量較佳為10000以上，更佳為15000以上，尤佳為20000以上。上限較佳為100000以下，更佳為70000以下，尤佳為60000以下。(d)熱塑性樹脂的聚苯乙烯換算之重量平均分子量係以凝膠滲透層析(GPC)法測定。具體而言，(d)熱塑性樹脂的聚苯乙烯換算之重量平均分子量可使用島津製作所公司製LC-9A/RID-6A作為測定裝置，使用昭和電工公司製Shodex K-800P/K-804L/K-804L管柱，使用氯仿等作為移動相，將管柱溫度設為40℃而測定，使用標準聚苯乙烯之校正曲線而算出。

作為苯氧基樹脂，例如可舉出具有選自由雙酚A骨架、雙酚F骨架、雙酚S骨架、雙酚苯乙酮骨架、酚醛清漆骨架、聯苯骨架、茀骨架、二環戊二烯骨架、降莰烯骨架、萘骨架、蒽骨架、金剛烷骨架、萜烯骨架及三甲基環己烷骨架所成之群組中的1種類以上之骨架的苯氧基樹脂。苯氧基樹脂之末端可為酚性羥基、環氧基等之任一官能基。苯氧基樹脂可單獨1種使用，也可組合2種以上使用。作為苯氧基樹脂之具體例，可舉出三菱化學公司製之「1256」及「4250」(皆為含有雙酚A骨架的苯氧基樹脂)、「YX8100」(含有雙酚S骨架的苯氧基樹脂)及「YX6954」(含雙酚苯乙酮骨架的苯氧基樹脂)，另外亦可舉出日鐵化學&材料公司製之「FX280」及「FX293」、三菱化學公司製之「YL7500BH30」、「YX6954BH30」、「YX7553」、「YX7553BH30」、「YL7553BH30」、「YL7769BH30」、「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」及「YL7482」等。

作為聚乙烯縮醛樹脂，例如可舉出聚乙烯縮甲醛樹脂、聚乙烯縮丁醛樹脂，較佳為聚乙烯縮丁醛樹脂。作為聚乙烯縮醛樹脂之具體例，例如可舉出電氣化學工業公司製之「電化Butyral 4000-2」、「電化Butyral 5000-A」、「電化Butyral 6000-C」、「電化Butyral 6000-EP」、積水化學工業公司製之S-LEC BH系列、BX系列(例如BX-5Z)、KS系列(例如KS-1)、BL系列、BM系列等。

作為聚醯亞胺樹脂之具體例，可舉出新日本理化公司製之「Rikacoat SN20」及「Rikacoat PN20。作為聚醯亞胺樹脂之具體例，還可舉出使2官能性羥基末端聚丁二烯、二異氰酸酯化合物及四元酸酐反應而得之線狀聚醯亞胺(日本特開2006-37083號公報記載之聚醯亞胺)、含有聚矽氧烷骨架的聚醯亞胺(日本特開2002-12667號公報及日本特開2000-319386號公報等記載之聚醯亞胺)等之改質聚醯亞胺。

作為聚醯胺醯亞胺樹脂之具體例，可舉出東洋紡公司製之「Vylomax HR11NN」及「Vylomax HR16NN」。作為聚醯胺醯亞胺樹脂之具體例，還可舉出日立化成公司製之「KS9100」、「KS9300」(含有聚矽氧烷骨架的聚醯胺醯亞胺)等之改質聚醯胺醯亞胺。

作為聚醚碸樹脂之具體例，可舉出住友化學公司製之「PES5003P」等。作為聚伸苯基醚樹脂之具體例，可舉出三菱瓦斯化學公司製之寡伸苯基醚・苯乙烯樹脂「OPE-2St 1200」等。作為聚醚醚酮樹脂之具體例，可舉出住友化學公司製之「Sumipro K」等。作為聚醚醯亞胺樹脂之具體例，可舉出GE公司製之「Ultem」等。

作為聚碸樹脂之具體例，可舉出Solvay Advanced Polymers公司製之聚碸「P1700」、「P3500」等。

作為聚烯烴樹脂，例如可舉出低密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物等之乙烯系共聚合樹脂；聚丙烯、乙烯-丙烯嵌段共聚物等之聚烯烴系彈性體等。

作為聚酯樹脂，例如可舉出聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚萘二甲酸丁二酯樹脂、聚對苯二甲酸丙二酯樹脂、聚萘二甲酸丙二酯樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲酯樹脂等。

其中，作為(d)熱塑性樹脂，較佳為苯氧基樹脂、聚乙烯縮醛樹脂。因此於合適的一實施形態中，熱塑性樹脂包含選自由苯氧基樹脂及聚乙烯縮醛樹脂所成之群組的1種以上。其中，作為熱塑性樹脂，較佳為苯氧基樹脂，特佳是重量平均分子量為10,000以上的苯氧基樹脂。

(d)熱塑性樹脂之含量，將樹脂組成物中的不揮發成分當作100質量%時，較佳為0.1質量%以上，更佳為0.3質量%以上，尤佳為0.5質量%以上。上限較佳為5質量%以下，更佳為4質量%以下，尤佳為3質量%以下。

＜(e)彈性體＞ 樹脂組成物係除了上述成分以外，亦可使用(e)彈性體作為任意成分。(e)成分可單獨1種使用，也可併用2種以上。

作為(e)成分，較佳為在分子內具有由聚丁二烯構造、聚矽氧烷構造、聚(甲基)丙烯酸酯構造、聚伸烷基構造、聚伸烷氧基構造、聚異戊二烯構造、聚異丁烯構造、聚酯構造及聚碳酸酯構造所選出的1種以上之構造的樹脂，更佳為在分子內具有由聚丁二烯構造、聚(甲基)丙烯酸酯構造、聚伸烷氧基構造、聚異戊二烯構造、聚酯構造或聚碳酸酯構造所選出的1種或2種以上之構造的樹脂，更佳為在分子內具有聚丁二烯構造、聚酯構造及聚碳酸酯構造的任一者之樹脂。再者，所謂「(甲基)丙烯酸酯」，就是包含甲基丙烯酸酯及丙烯酸酯以及彼等之組合的用語。此等構造可於彈性體分子的主鏈，也可含於側鏈。

從顯著得到本發明的效果之觀點來看，(e)成分較佳為高分子量。(e)成分之數量平均分子量(Mn)較佳為1,000以上，更佳為1500以上，尤佳為3000以上、5000以上。上限較佳為1,000,000以下，更佳為900,000以下。數量平均分子量(Mn)係使用GPC(凝膠滲透層析法)所測定的聚苯乙烯換算之數量平均分子量。

從顯著得到本發明的效果之觀點來看，(e)成分較佳為玻璃轉移溫度(Tg)低者。(e)成分的玻璃轉移溫度(Tg)較佳為30℃以下，更佳為20℃以下，尤佳為10℃以下。較佳為-60℃以上，更佳為-50℃以上，尤佳為-45℃以上。

(e)成分係從與(b)成分的環氧樹脂反應，使樹脂組成物硬化而提高剝離強度之觀點來看，較佳為具有與(b)成分的環氧樹脂能反應的官能基。尚且，作為與環氧樹脂能反應的官能基，亦包含因加熱而出現的官能基。

於合適的一實施形態中，與(b)成分的環氧樹脂能反應的官能基係選自由羥基、羧基、酸酐基、酚性羥基、環氧基、異氰酸酯基及胺基甲酸酯基所成之群組中的1種以上之官能基。其中，作為該官能基，較佳為羥基、酸酐基、酚性羥基、環氧基、異氰酸酯基及胺基甲酸酯基，更佳為羥基、酸酐基、酚性羥基、環氧基，特佳為酚性羥基。惟，包含環氧基作為官能基時，(e)成分之重量平均分子量(Mw)較佳為5,000以上。

(e)成分之合適實施形態係含有聚丁二烯構造的樹脂，聚丁二烯構造可含於主鏈，也可含於側鏈。尚且，聚丁二烯構造可一部分或全部被氫化。將含有聚丁二烯構造的樹脂稱為聚丁二烯樹脂。

作為聚丁二烯樹脂之具體例，可舉出CRAY VALLEY公司製之「Ricon 130MA8」、「Ricon 130MA13」、「Ricon 130MA20」、「Ricon 131MA5」、「Ricon 131MA10」、「Ricon 131MA17」、「Ricon 131MA20」、「Ricon 184MA6」(含有酸酐基的聚丁二烯)、日本曹達公司製之「GQ-1000」(導入有羥基、羧基的聚丁二烯)、「G-1000」、「G-2000」、「G-3000」(兩末端羥基聚丁二烯)、「GI-1000」、「GI-2000」、「GI-3000」(兩末端羥基氫化聚丁二烯)、Nagase ChemteX公司製之「FCA-061L」(氫化聚丁二烯骨架環氧樹脂)等。作為一實施形態，可舉出以羥基末端聚丁二烯、二異氰酸酯化合物及四元酸酐作為原料之線狀聚醯亞胺(日本特開2006-37083號公報、國際公開第2008/153208號中記載之聚醯亞胺)、含有酚性羥基的丁二烯等。該聚醯亞胺樹脂的丁二烯構造之含有率較佳為60質量%~95質量%，更佳為75質量%~85質量%。該聚醯亞胺樹脂之詳細係可參照日本特開2006-37083號公報、國際公開第2008/153208號之記載，其內容係併入本說明書中。

(e)成分之合適實施形態為含有聚(甲基)丙烯酸酯構造之樹脂。將含有聚(甲基)丙烯酸酯構造之樹脂稱為聚(甲基)丙烯酸樹脂。作為聚(甲基)丙烯酸樹脂之具體例，可舉出Nagase ChemteX公司製之Teisan樹脂、根上工業公司製之「ME-2000」、「W-116.3」、「W-197C」、「KG-25」、「KG-3000」等。

(e)成分之合適實施形態為含有聚碳酸酯構造之樹脂。將含有聚碳酸酯構造之樹脂稱為聚碳酸酯樹脂。作為聚碳酸酯樹脂，可舉出旭化成化學公司製之「T6002」、「T6001」(聚碳酸酯二醇)、KURARAY公司製之「C-1090」、「C-2090」、「C-3090」(聚碳酸酯二醇)等。又，亦可使用以羥基末端聚碳酸酯、二異氰酸酯化合物及四元酸酐作為原料之線狀聚醯亞胺。該聚醯亞胺樹脂的碳酸酯構造之含有率較佳為60質量%~95質量%，更佳為75質量%~85質量%。該聚醯亞胺樹脂之詳細係可參照國際公開第2016/129541號之記載，其內容係併入本說明書中。

又，(e)成分的其他實施形態為含有聚矽氧烷構造之樹脂。將含有聚矽氧烷構造之樹脂稱為矽氧烷樹脂。作為矽氧烷樹脂，例如可舉出信越聚矽氧公司製之「SMP-2006」、「SMP-2003PGMEA」、「SMP-5005PGMEA」、以胺基末端聚矽氧烷及四元酸酐作為原料之線狀聚醯亞胺(國際公開第2010/053185號、日本特開2002-12667號公報及日本特開2000-319386號公報等)等。

(e)成分的其他實施形態為含有聚伸烷基構造、聚伸烷氧基構造之樹脂。將含有聚伸烷基構造之樹脂稱為聚伸烷基樹脂，將含有聚伸烷氧基構造之樹脂稱為聚伸烷氧基樹脂。聚伸烷氧基構造較佳為碳原子數2~15的聚伸烷氧基構造，更佳為碳原子數3~10的聚伸烷氧基構造，尤佳為碳原子數5~6的聚伸烷氧基構造。作為聚伸烷基樹脂、聚伸烷氧基樹脂之具體例，可舉出旭化成纖維公司製之「PTXG-1000」、「PTXG-1800」等。

(e)成分的其他實施形態為含有聚異戊二烯構造之樹脂。將含有聚異戊二烯構造之樹脂稱為聚異戊二烯樹脂。作為聚異戊二烯樹脂之具體例，可舉出KURARAY公司製之「KL-610」、「KL613」等。

(e)成分的其他實施形態為含有聚異丁烯構造之樹脂。將含有聚異丁烯構造之樹脂稱為聚異丁烯樹脂。作為異丁烯樹脂之具體例，可舉出KANEKA公司製之「SIBSTAR-073T」(苯乙烯-異丁烯-苯乙烯三嵌段共聚物)、「SIBSTAR-042D」(苯乙烯-異丁烯二嵌段共聚物)等。

(e)成分之合適實施形態為含有聚酯構造之樹脂。將含有聚酯構造之樹脂稱為聚酯樹脂。作為聚酯樹脂，可舉出東洋紡公司製之「Vylon 600」、「Vylon 560」、「Vylon 230」、「Vylon GK-360」、「Vylon BX-1001」、三菱化學公司製之「LP-035」、「LP-011」、「TP-220」、「TP-249」、「SP-185」等。

(e)彈性體之含量，從顯著得到本發明的效果之觀點來看，將樹脂組成物中的不揮發成分當作100質量%時，較佳為5質量%以上，更佳為10質量%以上，尤佳為15質量%以上。上限較佳為50質量%以下，更佳為45質量%以下，尤佳為40質量%以下。

＜(f)其他添加劑＞ 樹脂組成物係除了上述成分以外，還可進一步包含其他添加劑作為任意成分。作為如此的添加劑，例如可舉出難燃劑；有機填充材；有機銅化合物、有機鋅化合物及有機鈷化合物等之有機金屬化合物；增黏劑；消泡劑；調平劑；密著性賦予劑；著色劑等之樹脂添加劑。此等添加劑可單獨使用1種類，也可以任意比率組合2種類以上使用。

作為難燃劑，例如可舉出磷腈化合物、有機磷系難燃劑、有機系含氮的磷化合物、氮化合物、矽氧系難燃劑、金屬氫氧化物等，較佳為磷腈化合物。難燃劑可單獨1種使用，或也可併用2種以上。

磷腈化合物只要是以氮與磷作為構成元素之環狀化合物，則沒有特別的限定，但磷腈化合物較佳為具有酚性羥基的磷腈化合物。

作為磷腈化合物之具體例，例如可舉出大塚化學公司製之「SPH-100」、「SPS-100」、「SPB-100」「SPE-100」、伏見製藥所公司製之「FP-100」、「FP-110」、「FP-300」、「FP-400」等，較佳為大塚化學公司製之「SPH-100」。

作為磷腈化合物以外之難燃劑，可使用市售品，例如可舉出三光公司製之「HCA-HQ」、大八化學工業公司製之「PX-200」等。作為難燃劑，較佳為不易水解者，例如較佳為10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物等。

難燃劑之含量，將樹脂組成物中的不揮發成分當作100質量%時，較佳為0.1質量%以上，更佳為0.2質量%以上，尤佳為0.3質量%以上。上限較佳為15質量%以下，更佳為10質量%以下，尤佳為5質量%以下。

作為有機填充材，可使用在形成印刷配線板的絕緣層時能使用之任意的有機填充材，例如可舉出橡膠粒子、聚醯胺微粒子、聚矽氧粒子等。作為橡膠粒子，亦可使用市售品，例如可舉出DOW化學日本公司製之「EXL2655」、AICA工業公司製之「AC3401N」、「AC3816N」等。有機填充材可單獨1種使用，或也可併用2種以上。

有機填充材之含量，將樹脂組成物中的不揮發成分當作100質量%時，較佳為0.1質量%以上，更佳為0.15質量%以上，尤佳為0.2質量%以上。上限較佳為10質量%以下，更佳為5質量%以下，尤佳為3質量%以下。

樹脂組成物之調製方法係沒有特別的限定，例如可舉出將摻合成分與視需要溶劑等一起，使用旋轉混合機等進行混合・分散之方法等。

[附支撐體的樹脂薄片] 附支撐體的樹脂薄片包含支撐體與設於該支撐體上的以樹脂組成物所形成的樹脂組成物層。樹脂組成物係如[樹脂組成物]欄中說明者。

樹脂組成物層之厚度，從印刷配線板的薄型化，及即使該樹脂組成物之硬化物為薄膜也能提供絕緣性優異的硬化物之觀點來看，較佳為150μm以下，更佳為100μm以下，尤佳為50μm以下。樹脂組成物層之厚度的下限係沒有特別的限定，但通常可設為1μm以上、5μm以上等。

作為支撐體，例如可舉出由塑膠材料所成之薄膜、金屬箔、離型紙，較佳為由塑膠材料所成之薄膜、金屬箔。

使用由塑膠材料所成的薄膜作為支撐體時，作為塑膠材料，例如可舉出聚對苯二甲酸乙二酯(以下「亦簡稱PET」)、聚萘二甲酸乙二酯(以下亦簡稱「PEN」)等之聚酯；聚碳酸酯(以下亦簡稱「PC」)；聚甲基丙烯酸甲酯(以下亦簡稱「PMMA」)等之丙烯酸、環狀聚烯烴、三乙醯纖維素(以下亦簡稱「TAC」)、聚醚硫化物(以下亦簡稱「PES」)；聚醚酮；聚醯亞胺等。其中，較佳聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯，特佳為便宜的聚對苯二甲酸乙二酯。

使用金屬箔作為支撐體時，作為金屬箔，例如可舉出銅箔、鋁箔等，較佳為銅箔。作為銅箔，可使用由銅的單金屬所成之箔，也可使用由銅與其他金屬(例如錫、鉻、銀、鎂、鎳、鋯、矽、鈦等)的合金所成之箔。

支撐體係可對於與樹脂組成物層接合之面施予消光處理、電暈處理、抗靜電處理。

又，作為支撐體，亦可使用在與樹脂組成物層接合之面具有脫模層的附脫模層之支撐體。作為使用於附脫模層之支撐體的脫模層之脫模劑，例如可舉出選自由醇酸樹脂、聚烯烴樹脂、胺基甲酸酯樹脂及聚矽氧樹脂所成之群組中的1種以上之脫模劑。附脫模層之支撐體亦可使用市售品，例如可舉出LINTEC公司製之「SK-1」、「AL-5」、「AL-7」、東麗公司製之「Lumirror T60」、帝人公司製之「Purex」、UNITIKA公司製之「Unipeel」等之具有以醇酸樹脂系脫模劑為主成分的脫模層之PET薄膜；杜邦薄膜公司製之「U2-NR1」等。

支撐體之厚度係沒有特別的限定，但較佳為5μm~75μm之範圍，更佳為10μm~60μm之範圍。尚且，使用附脫模層之支撐體時，附脫模層之支撐體全體的厚度較佳為上述範圍。

於一實施形態中，附支撐體的樹脂薄片係視需要可進一步包含其他層。作為該其他層，例如可舉出在樹脂組成物層之未與支撐體接合的面(亦即與支撐體相反側的面)所設置之符合支撐體的保護膜等。保護膜之厚度係沒有特別的限定，但例如為1μm~40μm。藉由層合保護膜，可防止灰塵等對樹脂組成物層的表面之附著或損傷。

附支撐體的樹脂薄片可藉由例如調製在有機溶劑中溶解有樹脂組成物之樹脂清漆，將該樹脂清漆，使用模塗機等塗佈於支撐體上，更使其乾燥來形成樹脂組成物層而製造。

作為有機溶劑，例如可舉出丙酮、甲基乙基酮(MEK)及環己酮等之酮類；乙酸乙酯、乙酸丁酯、賽珞蘇乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯及卡必醇乙酸酯等之乙酸酯類；賽珞蘇及丁基卡必醇等之卡必醇類；甲苯及二甲苯等之芳香族烴類；二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺(DMAc)及N-甲基吡咯啶酮等之醯胺系溶劑等。有機溶劑可單獨1種使用，也可組合2種以上使用。

乾燥可藉由加熱、熱風噴吹等眾所周知之方法來實施。乾燥條件係沒有特別的限定，但以樹脂組成物層中的有機溶劑之含量成為10質量%以下，較佳成為5質量%以下之方式乾燥。雖然亦隨著樹脂清漆中的有機溶劑之沸點而不同，但例如使用含有30質量%~60質量%的有機溶劑之樹脂清漆時，可藉由在50℃~150℃下乾燥3分鐘~10分鐘，而形成樹脂組成物層。

附支撐體的樹脂薄片可捲繞成捲筒狀而保存。附支撐體的樹脂薄片具有保護膜時，可藉由剝離保護膜而使用。

[印刷配線板之製造方法] 本發明之印刷配線板之製造方法依序包含： (A)藉由雷射，在包含樹脂組成物的硬化物之絕緣層中形成開口部之步驟；及 (B)對於開口部，進行使用研磨粒的噴砂處理，形成通孔之步驟。

如上述，作為在絕緣層中形成通孔之方法，考慮使用雷射之方法。若僅使用雷射來形成通孔，則會因照射雷射所產生的熱而發生暈圈現象。又，除了使用雷射來形成通孔之方法以外，還有以噴砂處理形成通孔之方法。若僅以噴砂處理形成通孔，雖然能抑制暈圈現象之發生，但難以形成小徑的通孔，且通孔的加工速度慢。

於本發明中，首先藉由雷射在絕緣層中形成開口部，其次藉由噴砂處理使研磨粒衝撞開口部的底面而形成通孔，可形成小徑的通孔，膠渣去除性優異，可抑制暈圈現象之發生。又，藉由雷射形成作為通孔的一部分之開口部，不形成通孔之全體，可減少雷射的射擊數。又，於藉由雷射所形成的開口部，藉由噴砂處理形成通孔，因此可抑制通孔的底部周邊之樹脂的劣化，而可抑制暈圈現象之發生，亦可縮短加工時間(通孔加工性)。

於進行步驟(A)之前，印刷配線板之製造方法可包含： (1)準備內層電路基板之步驟，及 (3)在內層電路基板之主表面上，形成絕緣層之步驟。 又，為了利用於前述步驟(3)中的絕緣層之形成，印刷配線板之製造方法可進一步包含： (2)準備附支撐體的樹脂薄片之步驟，該附支撐體的樹脂薄片包含支撐體與設於該支撐體上的以樹脂組成物所形成之樹脂組成物層。 以下，說明印刷配線板之製造方法的各步驟。

＜步驟(1)＞ 步驟(1)作為準備內層電路基板之步驟。內層電路基板通常具備支撐基板與設於支撐基板之表面上的金屬層。金屬層露出內層電路基板之主表面，在具有該金屬層的區域形成通孔。因此，於內層電路基板之主表面中形成有通孔的區域係以金屬層所形成。

作為支撐基板之材料，例如可舉出玻璃環氧基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚伸苯基醚基板等。作為金屬層之材料，可舉出銅箔、附載體的銅箔、後述導體層之材料等，較佳為銅箔。

內層電路基板之主表面的算術平均粗糙度(Ra)較佳為500nm以下，更佳為450nm以下，尤佳為400nm以下、350nm以下。由於將內層電路基板之主表面的算術平均粗糙度(Ra)設為500nm以下，可抑制主表面上所形成的絕緣層深入到內層電路基板的深處，可提高通孔的加工性。下限係沒有特別的限定，但較佳為10nm以上，更佳為50nm以上，尤佳為100nm以上。主表面的算術平均粗糙度(Ra)係依據ISO 25178所測定之值，可使用非接觸型表面粗糙度計進行測定。所謂內層電路基板之主表面，就是表示設置絕緣層的內層電路基板之表面。

又，當前述算術平均粗糙度(Ra)在主表面中不固定時，只要形成有金屬層的區域之主表面的算術平均粗糙度(Ra)在前述之範圍即可，較佳形成通孔的區域之主表面的算術平均粗糙度(Ra)在前述範圍。

作為內層電路基板之主表面的十點平均粗糙度(Rz)，較佳為5000nm以下，更佳為4500nm以下，尤佳為4000nm以下。由於將內層電路基板之主表面的十點平均粗糙度(Rz)設為5000nm以下，可抑制在主表面上所形成的絕緣層深入到內層電路基板的深處，可提高絕緣可靠性。下限係沒有特別的限定，但較佳為50nm以上，更佳為100nm以上，尤佳為1000nm以上。主表面的十點平均粗糙度(Rz)係依據ISO 25178所測定之值，可使用非接觸型表面粗糙度計進行測定。

又，當前述十點平均粗糙度(Rz)在主表面中不固定時，較佳形成有金屬層的區域之主表面的十點平均粗糙度(Rz)在前述之範圍，更佳形成有通孔的區域之主表面的十點平均粗糙度(Rz)在前述範圍。

內層電路基板之主表面例如可藉由進行蝕刻處理、研磨，而將算術平均粗糙度(Ra)及十點平均粗糙度(Rz)調整至前述範圍。

＜步驟(2)＞ 步驟(2)係準備附支撐體的樹脂薄片之步驟，該附支撐體的樹脂薄片包含支撐體與設於該支撐體上的以樹脂組成物所形成之樹脂組成物層。附支撐體的樹脂薄片係如上述中說明。

＜步驟(3)＞ 步驟(3)係在內層電路基板之主表面上，形成絕緣層之步驟。於步驟(3)中，例如在內層電路基板之主表面上，層合附支撐體的樹脂薄片之樹脂組成物層，使樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層。

如圖1中顯示一例，內層電路基板10具備支撐基板11及設於支撐基板11之表面的金屬層12。於步驟(3)中，在內層電路基板10之主表面10a上層合附支撐體的樹脂薄片(未圖示)，使樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層22。通常，由於在金屬層12之表面上設置絕緣層22，故金屬層12之與支撐基板11側的表面相反側的表面為主表面10a。尚且，於圖1中，金屬層12係設於支撐基板11之一表面，但亦可設於支撐基板11之兩表面。

內層電路基板與附支撐體的樹脂薄片之層合，例如可藉由從支撐體側將附支撐體的樹脂薄片加熱壓接於內層電路基板而進行。作為將附支撐體的樹脂薄片加熱壓接於內層電路基板的構件(以下，亦稱為「加熱壓接構件」)，例如可舉出經加熱的金屬板(SUS端面板等)或金屬輥(SUS輥)等。再者，較佳為不將加熱壓接構件直接加壓於附支撐體的樹脂薄片，而是以附支撐體的樹脂薄片充分追隨內層電路基板的表面凹凸之方式，隔著耐熱橡膠等的彈性材來加壓。

內層電路基板與附支撐體的樹脂薄片之層合係可藉由真空層合法實施。於真空層合法中，加熱壓接溫度較佳為60℃~160℃，更佳為80℃~140℃之範圍，加熱壓接壓力較佳為0.098MPa~1.77MPa，更佳為0.29MPa~1.47MPa之範圍，加熱壓接時間較佳為20秒~400秒，更佳為30秒~300秒之範圍。層合較佳為在壓力26.7hPa以下之減壓條件下實施。

層合係可使用市售的真空層合機進行。作為市售的真空層合機，例如可舉出名機製作所公司製之真空加壓式層合機、Nikko-Materials公司製的真空施加機、分批式真空加壓層合機等。

於層合之後，在常壓下(大氣壓下)，例如可藉由從支撐體側來將加熱壓接構件加壓，進行所層合之附支撐體的樹脂薄片之平滑化處理。平滑化處理的加壓條件可設為與上述層合的加熱壓接條件同樣之條件。平滑化處理可藉由市售的層合機進行。尚且，層合與平滑化處理亦可使用上述市售的真空層合機連續地進行。

將附支撐體的樹脂薄片層合於內層電路基板後，使樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層。樹脂組成物層的熱硬化條件係沒有特別的限定，可使用在形成印刷配線板的絕緣層時通常採用的條件。

例如，樹脂組成物層之熱硬化條件，雖然隨著樹脂組成物的種類等而不同，但硬化溫度較佳為120℃~240℃，更佳為150℃~220℃，尤佳為170℃~210℃。硬化時間較佳為5分鐘~120分鐘，更佳為10分鐘~100分鐘，尤佳為15分鐘~100分鐘。

於使樹脂組成物層熱硬化之前，可在比硬化溫度更低的溫度下預備加熱樹脂組成物層。例如，於使樹脂組成物層熱硬化之前，可在50℃以上且未達120℃(較佳為60℃以上115℃以下，更佳為70℃以上110℃以下)之溫度下，將樹脂組成物層預備加熱5分鐘以上(較佳為5分鐘~150分鐘，更佳為15分鐘~120分鐘，尤佳為15分鐘~100分鐘)。

從形成小徑的通孔之觀點，絕緣層之厚度為25μm以下，較佳為20μm以下，更佳為15μm以下，尤佳為10μm以下。絕緣層之厚度的下限係沒有特別的限定，但通常可設為1μm以上、5μm以上等。

尚且，於步驟(3)中，代替使用樹脂薄片之方法，可在內層電路基板之主表面上直接塗佈樹脂組成物，形成絕緣層。當時之形成絕緣層的條件係與使用附支撐體的樹脂薄片形成絕緣層之條件同樣。

使樹脂組成物層在200℃下90分鐘硬化成的絕緣層之23℃的彈性模數，從提高通孔加工性之觀點來看，較佳為0.1GPa以上，更佳為1GPa以上，尤佳為3GPa以上，且較佳為30GPa以下，更佳為25GPa以下，尤佳為20GPa以下。彈性模數可藉由後述實施例中記載之方法測定。

支撐體可在使附支撐體的樹脂薄片層合後且於熱硬化前去除，也可在步驟(A)結束後去除，亦可在使附支撐體的樹脂薄片層合後且於熱硬化後去除，亦可在步驟(B)的噴砂處理中作為遮罩使用後去除。

＜步驟(A)＞ 步驟(A)係藉由雷射，在包含樹脂組成物的硬化物之絕緣層中形成開口部之步驟。作為步驟(A)之一實施形態，如圖2中顯示一例，對在內層電路基板10之主表面10a上所形成的絕緣層22照射雷射，而形成開口部30。

雷射照射較佳為在絕緣層22上設有噴砂處理用的遮罩之狀態下進行。因此，步驟(A)可在雷射照射之前，包含在絕緣層22上形成遮罩之步驟。作為遮罩，例如可舉出乾膜、金屬箔及此等之組等。此等遮罩例如可在剝離支撐體後，藉由將乾膜及金屬箔的任一者層合於絕緣層上，而設於絕緣層22上。

作為乾膜，較佳為藉由曝光及顯像得到圖型乾膜者，更佳為對於後述步驟(B)中的噴砂處理具有耐性的薄膜。又，作為乾膜，可使用由光阻組成物所成之感光性乾膜。作為如此的乾膜，例如可使用以酚醛清漆樹脂、丙烯酸樹脂等之樹脂所形成的乾膜。

作為金屬箔，例如可舉出銅箔、鋁箔等，較佳為銅箔。作為銅箔，可使用由銅的單金屬所成之箔，也可使用由銅與其他金屬(例如錫、鉻、銀、鎂、鎳、鋯、矽、鈦等)的合金所成之箔。

從提高通孔的加工性之觀點來看，乾膜的遮罩之厚度較佳為10μm以上，更佳為15μm以上，尤佳為20μm以上，且較佳為100μm以下，更佳為70μm以下，尤佳為50μm以下。

從提高通孔的加工性之觀點來看，金屬箔等的遮罩之厚度較佳為1μm以上，更佳為2μm以上，尤佳為3μm以上，且較佳為40μm以下，更佳為20μm以下，尤佳為15μm以下。

又，作為遮罩，亦可使用支撐體21。使用支撐體21作為遮罩時，由於可省略設置與支撐體21不同的遮罩之步驟，故可簡單化製造方法。於本實施形態中，如圖2所示，顯示使用支撐體21作為遮罩之例。

開口部之深度a，從顯著得到本發明的效果之觀點來看，較佳為絕緣層之厚度的50%以上，更佳為60%以上，尤佳為70%以上。上限較佳為絕緣層之厚度的95%以下，更佳為90%以下，尤佳為85%以下。所謂開口部之深度，就是指從絕緣層之與遮罩相接側之表面(圖2中為支撐體21)到開口部的底部為止距離。開口部之深度可對絕緣層的非加工部與加工部的最深部分之差進行剖面觀察，算出而求得。

開口部之開口徑b可為通孔的開口徑(通孔徑)。從形成小徑的通孔之觀點來看，開口徑b較佳為100μm以下，更佳為75μm以下，尤佳為55μm以下，且較佳為5μm以上，更佳為10μm以上，尤佳為15μm以上。尚且，開口徑b係如圖2所示，表示絕緣層22之上端的直徑。

開口部之深度a與開口部之開口徑b的比(開口部之深度a/開口部之開口徑b)，從顯著得到本發明的效果之觀點來看，較佳為0.1以上，更佳為0.3以上，尤佳為0.5以上，且較佳為3以下，更佳為1以下，尤佳為0.7以下。

作為可用於開口部之形成的雷射光源，例如可舉出CO ₂雷射(二氧化碳雷射)、UV-YAG雷射、UV雷射、YAG雷射、準分子雷射等。其中，從加工速度、成本之觀點來看，較佳為CO ₂雷射或UV-YAG雷射。

照射CO ₂雷射時，從提高通孔加工性之觀點來看，射擊數較佳為2以下，更佳為1。為了使射擊數成為上述範圍內，較佳為使CO ₂雷射的能量及脈衝寬度成為一定值以上。CO ₂雷射之能量較佳為0.3W以上，更佳為0.5W以上，尤佳為1.0W以上，且較佳為30W以下，更佳為20W以下，尤佳為15W以下。又，CO ₂雷射之脈衝寬度較佳為3μsec以上，更佳為5μsec以上，尤佳為8μsec以上，且較佳為40μsec以下，更佳為30μsec以下，尤佳為20μsec以下。

照射UV-YAG雷射時，從提高通孔加工性之觀點來看，射擊數較佳為20以下，更佳為15。為了使射擊數成為上述範圍內，較佳為使UV-YAG雷射的能量及脈衝寬度成為一定值以上。UV-YAG雷射之能量較佳為0.05W以上，更佳為0.10W以上，尤佳為0.15W以上，且較佳為20W以下，更佳為10W以下，尤佳為5W以下。

通孔之形成係可使用市售的雷射裝置來實施。作為市售的二氧化碳雷射裝置，例如可舉出日立VIA MECHANICS公司製「LC-2E21B/1C」、三菱電機公司製「ML605GTWII」、松下焊接系統公司製之基板開孔雷射加工機等。又，作為UV-YAG雷射裝置，例如可舉出VIA MECHANICS公司製「LU-2L212/M50L」等。

於步驟(A)中，如上述，較佳為對設有支撐體21等之遮罩的絕緣層22照射雷射，而形成開口部30。因此，較佳開口部30係不僅絕緣層22而且亦連通遮罩而形成。因此，如圖2所示之例使用支撐體21作為遮罩時，開口部30可連續地形成於絕緣層22及支撐體21中。此時，遮罩之厚度(圖2中為支撐體21之厚度)及開口部之深度a的合計值c與藉由步驟(B)所形成的通孔的開口徑之比(合計值c/開口徑)，從顯著得到本發明的效果之觀點來看，較佳為3以下，更佳為2.5以下，尤佳為2以下，且較佳為0.1以上，更佳為0.3以上，尤佳為0.5以上。此處，所謂遮罩之厚度，就是指在進行步驟(B)之前的遮罩之厚度。

又，遮罩之厚度及開口部之深度a的合計值c與步驟(B)之前的開口部30的開口徑b之比(合計值c/開口徑b)，從顯著得到本發明的效果之觀點來看，較佳為3以下，更佳為2.5以下，尤佳為2以下，且較佳為0.1以上，更佳為0.3以上，尤佳為0.5以上。

遮罩之厚度及開口部之深度的合計值c，從顯著得到本發明的效果之觀點來看，較佳為遮罩與絕緣層的合計之厚度的50%以上，更佳為60%以上，尤佳為70%以上。上限較佳為遮罩與絕緣層的合計之厚度的95%以下，更佳為90%以下，尤佳為80%以下。

＜步驟(B)＞ 步驟(B)係對於開口部，進行使用研磨粒的噴砂處理，而形成通孔之步驟。步驟(B)之詳細的一實施形態為通過遮罩，使研磨粒衝撞開口部的底面而形成通孔。作為遮罩，較佳為經由步驟(A)而開口的支撐體、乾膜及金屬箔之至少任一者，更佳為支撐體。

步驟(B)係進行噴砂處理，使研磨粒衝撞如圖2所示的開口部30之底面(亦即，絕緣層的露出面)而形成通孔40(圖3中顯示通孔形成後之一例)。此處，所謂噴砂處理，就是指對於未被支撐體、乾膜或金屬箔等遮罩所覆蓋的地方之表面，以特定的壓力噴射空氣而從噴嘴噴射研磨粒或研磨粒的漿體溶液，使該研磨粒衝撞絕緣層，形成通孔之處理。步驟(B)中的噴砂處理可為噴吹研磨粒的乾噴砂處理及噴吹研磨粒的漿體溶液的濕噴砂處理之任一者，但從形成小徑的通孔之觀點來看，較佳為濕噴砂處理。

作為用於噴砂處理的研磨粒之修正莫氏硬度，從藉由噴砂處理形成小徑的通孔之觀點來看，較佳為1以上，更佳為5以上，尤佳為6以上、7以上。上限值通常可設為15以下等。研磨粒的修正莫氏硬度例如可使用莫氏硬度計測定。

作為研磨粒，可舉出以二氧化矽、玻璃等之無機化合物；鋼、不銹鋼、鋅、銅等之金屬化合物；石榴石、氧化鋯、碳化矽、氧化鋁、碳化硼等之陶瓷；以乾冰等作為主成分的粒子等。其中，從顯著得到本發明的所欲效果之觀點來看，較佳為無機化合物、陶瓷，較佳為氧化鋁、碳化矽及二氧化矽之任一者。二氧化矽較佳為結晶二氧化矽。

研磨粒可使用市售品。作為市售品，例如可舉出DENKA公司製「DAW-03」、日鐵化學&材料公司製「AY2-75」(氧化鋁)；信濃電氣精鍊公司製「GP#4000」、「SER-A06」(碳化矽)；龍森公司製「IMSIL A-8」(結晶二氧化矽)；不二製作所製「Fujirundum WA」(熔融氧化鋁)。

研磨粒之平均粒徑為0.5μm以上，較佳為1μm以上，更佳為2μm以上。由於將研磨粒之平均粒徑的下限值設為該範圍內，可提高通孔加工性。又，可抑制噴砂處理中的研磨粒之回吹，可抑制遮罩的研削。研磨粒的回吹係指噴吹於開口部的研磨粒因侵入開口部而返回的氣流之作用，使衝撞速度降低之現象，尤其於平均粒徑小的研磨粒中顯著。研磨粒之平均粒徑的上限值為20μm以下，較佳為15μm以下，更佳為10μm以下。由於將研磨粒之平均粒徑的上限值設為該範圍內，可提高小徑的通孔之加工性。研磨粒之平均粒徑例如可藉由掃描型電子顯微鏡觀察進行測定，詳細係可藉由日本特開2008-41932號公報中記載之方法進行。

噴射研磨粒的壓力(加工壓力)較佳為0.05MPa以上，更佳為0.1MPa以上，尤佳為0.15MPa以上，且較佳為1MPa以下，更佳為0.8MPa以下，尤佳為0.5MPa以下。由於將加工壓力設為該範圍內，可縮短加工時間。此處的加工壓力係在絕緣層表面之值。

噴嘴與遮罩的距離較佳為200mm以下，更佳為190mm以下，尤佳為180mm以下，且較佳為10mm以上，更佳為15mm以上，尤佳為20mm以上。由於將前述距離設為該範圍內，可有效率地形成通孔。

只要使用本發明之製造方法，則即使通常通孔的頂徑為小徑的通孔，也顯示能縮短噴砂處理的加工時間之特性。加工時間較佳為未達10分鐘，更佳為8分鐘以下，尤佳為5分鐘以下、未達5分鐘。下限係沒有特別的限定，但可設為0.1分鐘以上等。

圖3中，例如以支撐體21作為遮罩之例，但是代替支撐體21，亦可使用金屬箔及乾膜的任一者作為遮罩。

＜其他步驟＞ 製造印刷配線板時，可在步驟(B)結束後，進一步實施(C)將絕緣層粗化處理之步驟、(D)形成導體層之步驟。此等步驟(C)及步驟(D)可依照印刷配線板之製造時使用的本業者眾所周知之各種方法來實施。又，視需要可重複實施步驟(A)~步驟(D)的絕緣層及導體層之形成，而形成多層配線板。再者，印刷配線板之製造方法可在適當的時機包含去除遮罩之步驟。通常，遮罩係在步驟(B)之後、步驟(C)之前被去除。

步驟(C)為將絕緣層粗化處理(亦稱為去膠渣處理)之步驟。通常於該步驟(C)中，亦進行研磨粒之去除。粗化處理之程序、條件係沒有特別的限定，可採用在形成印刷配線板的絕緣層時通常使用之眾所周知的程序、條件。例如，可依順序實施膨潤液的膨潤處理、氧化劑的粗化處理及中和液的中和處理，而將絕緣層粗化處理。作為用於粗化處理的膨潤液，並沒有特別的限定，但可舉出鹼溶液、界面活性劑溶液等，較佳為鹼溶液，作為該鹼溶液，更佳為氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液。作為市售的膨潤液，例如可舉出ATOTECH日本公司製之「Swelling Dip Securiganth P」、「Swelling Dip Securiganth SBU」、「Swelling Dip Securigant P」等。膨潤液的膨潤處理係沒有特別的限定，例如可藉由在30℃~90℃的膨潤液中浸漬絕緣層1分鐘~20分鐘而進行。從將絕緣層的樹脂之膨潤抑制在適度的程度之觀點來看，較佳為在40℃~80℃的膨潤液中浸漬絕緣層5分鐘~15分鐘。作為用於粗化處理的氧化劑，並沒有特別的限定，但例如可舉出在氫氧化鈉的水溶液中溶解有過錳酸鉀或過錳酸鈉之鹼性過錳酸溶液。鹼性過錳酸溶液等之氧化劑的粗化處理，較佳為在經加熱到60℃~100℃的氧化劑溶液中浸漬絕緣層10分鐘~30分鐘而進行。又，鹼性過錳酸溶液中的過錳酸鹽之濃度較佳為5質量%~10質量%。作為市售的氧化劑，例如可舉出ATOTECH日本公司製的「Concentrate Compact CP」、「Dosing Solution Securiganth P」等之鹼性過錳酸溶液。另外，作為用於粗化處理的中和液，較佳為酸性的水溶液，作為市售品，例如可舉出ATOTECH日本公司製之「Reduction Solution Securigant P」。中和液的處理係可藉由將施有氧化劑的粗化處理之處理面在30℃~80℃的中和液中浸漬1分鐘~30分鐘而進行。從作業性等之點來看，較佳為將施有氧化劑的粗化處理之對象物在40℃~70℃的中和液中浸漬5分鐘~20分鐘之方法。

於一實施形態中，粗化處理後的絕緣層表面之算術平均粗糙度(Ra)較佳為500nm以下，更佳為400nm以下，尤佳為300nm以下。下限係沒有特別的限定，但較佳為30nm以上，更佳為40nm以上，尤佳為50nm以上。絕緣層表面之算術平均粗糙度(Ra)可使用非接觸型表面粗糙度計進行測定。

步驟(D)係形成導體層之步驟，在絕緣層上形成導體層。導體層所使用的導體材料係沒有特別的限定。於合適的實施形態中，導體層包含選自由金、鉑、鈀、銀、銅、鋁、鈷、鉻、鋅、鎳、鈦、鎢、鐵、錫及銦所成之群組中的1種以上之金屬。導體層可為單金屬層，也可為合金層，作為合金層，例如可舉出由選自上述之群組中的2種以上之金屬的合金(例如，鎳-鉻合金、銅-鎳合金及銅-鈦合金)所形成的層。其中，從導體層形成的通用性、成本、圖型化的容易性等之觀點來看，較佳為鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅的單金屬層，或鎳-鉻合金、銅-鎳合金、銅-鈦合金的合金層，更佳為鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅的單金屬層，或鎳-鉻合金的合金層，尤佳為銅的單金屬層。

導體層可為單層構造，也可為由不同種類的金屬或合金所成之單金屬層或合金層2層以上層合之複層構造。當導體層為複層構造時，與絕緣層相接之層較佳為鉻、鋅或鈦的單金屬層、或鎳-鉻合金的合金層。

導體層之厚度係取決於所欲的印刷配線板之設計，但一般為3μm~35μm，較佳為5μm~30μm。

於一實施形態中，導體層可藉由鍍敷而形成。例如可藉由半加成法、全加成法等之習知技術，鍍敷於絕緣層之表面，形成具有所欲的配線圖型之導體層，從製造的簡便性之觀點來看，較佳為藉由半加成法形成。以下，顯示藉由半加成法形成導體層之例。

首先，於絕緣層之表面上，藉由無電解鍍敷形成鍍敷種子層。接著，於所形成的鍍敷種子層上，對應於所欲的配線圖型，形成使鍍敷種子層的一部分露出之遮罩圖型。於所露出的鍍敷種子層上，藉由電解鍍敷形成金屬層後，去除遮罩圖型。然後，可藉由蝕刻等去除不要的鍍敷種子層，形成具有所欲的配線圖型之導體層。

本發明之印刷配線板之製造方法係由於進行步驟(A)及步驟(B)，而顯示能形成小徑的通孔之特性。通孔的頂徑(通孔徑)較佳為100μm以下，更佳為75μm以下，尤佳為55μm以下，且較佳為5μm以上，更佳為10μm以上，尤佳為15μm以上。通孔徑之測定方法、評價之詳細可以後述實施例中記載的方法進行。

本發明之印刷配線板之製造方法由於進行步驟(A)及步驟(B)，而顯示膠渣去除性優異的特性。因此，藉由本發明之方法形成通孔後，若進行依膨潤液、粗化液及中和液之順序浸漬的去膠渣處理，則在通孔底部看不到樹脂殘渣。膠渣去除性之評價可以後述實施例中記載的方法進行。

本發明之印刷配線板之製造方法係顯示抑制暈圈現象的特性。具體而言，即使通孔徑為上述範圍內之小徑，也可抑制暈圈現象。以下，關於暈圈現象，參照圖式進行說明。

圖4係示意地顯示以雷射形成有通孔的習知印刷配線板之形成導體層的剛剛之前的絕緣層22之與金屬層12(圖4中未圖示)相反側的面22U之平面圖。圖5係與內層電路基板的金屬層12一起，示意地顯示以雷射形成有通孔的習知印刷配線板之形成導體層的剛剛之前的絕緣層22之剖面圖。圖5中，以通過通孔40的孔底220之中心220C且平行於絕緣層22的厚度方向之平面，顯示切斷絕緣層22後的剖面。

如圖5所示，若以雷射形成通孔40，則有因雷射之熱所造成的樹脂之劣化而發生變色部240。該變色部240係在粗化處理時遭受藥劑之侵蝕，絕緣層22從金屬層12剝離，會形成從孔底220的邊緣250起連續的間隙部260(暈圈現象)。

於本發明中，由於在藉由雷射形成開口部後，採用不易產生熱的噴砂處理，故可抑制樹脂之劣化。因此，可抑制絕緣層22從金屬層12剝離，可減小間隙部260的尺寸。

孔底(通孔之底(孔底))220之邊緣250係相當於間隙部260的內周側之緣部。因此，從孔底220之邊緣250到間隙部260的外周側之端部(亦即，與孔底220的中心220C遠離側之端部)270為止之距離Wb係相當於間隙部260之面內方向的尺寸。此處，所謂面內方向，就是指垂直於絕緣層22之厚度方向的方向。又，於以下之說明中，有時將前述距離Wb當作從通孔40的孔底220之邊緣250起的暈圈距離Wb。可藉由從該孔底220之邊緣250起的暈圈距離Wb，評價暈圈現象的抑制程度。具體而言，從孔底220之邊緣250起的暈圈距離Wb愈小，可評價愈能有效果地抑制暈圈現象。

只要使用本發明之製造方法，則即使形成頂徑為50μm以下的通孔，也可使從絕緣層22之通孔40的孔底220之邊緣250起的暈圈距離Wb較佳成為5μm以下，更佳成為4μm以下，尤佳成為3μm以下。下限係沒有特別的限制，但可設為0μm以上、0.1μm以上等。

本發明之製造方法係如圖6~圖10中顯示一例，可製造具有通孔與溝槽之印刷配線板。詳細係如圖6中顯示一例，於進行步驟(A)之前在內層電路基板10上形成絕緣層22，更將金屬箔60層合於絕緣層22上。層合金屬箔60後，如圖7中顯示一例，對於金屬箔60進行圖型蝕刻處理，去除金屬箔60的一部分而形成孔61。然後，如圖8中顯示一例，進行在金屬箔60的特定部位照射雷射之步驟(A)，而形成開口部30。接著，如圖9中顯示一例，進行步驟(B)，而從開口部30形成通孔40，同時藉由噴砂處理來使研磨粒衝撞孔61之底部，形成溝槽50。然後，如圖10中顯示一例，藉由電解鍍敷而埋入通孔40及溝槽50，形成填孔(Filled via)80。於填孔80之形成後，視需要可去除金屬箔60。 又，亦可將金屬箔層合於附支撐體的樹脂薄片之樹脂組成物層，得到附樹脂組成物層的金屬箔，將附樹脂組成物層的金屬箔層合於內層電路基板，將絕緣層及金屬箔形成於內層電路基板上。

另外，本發明之製造方法係如圖11~圖16中顯示一例，可製造具有圖型導體層之印刷配線板。詳細係如圖11中顯示一例，於進行步驟(A)之前在內層電路基板10上形成絕緣層22，更將金屬箔60及乾膜70層合於絕緣層22上。層合金屬箔60及乾膜70後，如圖12中顯示一例，將乾膜70的一部分曝光、顯像而形成去除了乾膜70的一部分之孔71。然後，如圖13中顯示一例，進行在乾膜70之特定部位照射雷射之步驟(A)，而形成開口部30。接著，如圖14中顯示一例，進行步驟(B)而從開口部30形成通孔40。於步驟(B)結束後，如圖15中顯示一例，藉由電解鍍敷而埋入通孔40及孔71，形成填孔80，如圖16中顯示一例，去除乾膜(未圖示)，而形成圖型導體層。作為前述電解鍍敷的鍍敷種子層，可使用金屬箔60。 於去除乾膜之前，視需要為了調整填孔80的高度，可拋光研磨等來研磨填孔80之表面。 又，亦可將金屬箔層合於附支撐體的樹脂薄片之樹脂組成物層，得到附樹脂組成物層的金屬箔，將附樹脂組成物層的金屬箔層合於內層電路基板，將絕緣層及金屬箔形成於內層電路基板上。

本發明之製造方法係如圖17~圖21中顯示一例，可製造具有通孔與溝槽之印刷配線板。詳細係如圖17中顯示一例，於進行步驟(A)之前在內層電路基板10上形成絕緣層22，更將乾膜70層合於絕緣層22上。層合乾膜70後，如圖18中顯示一例，對於乾膜70的一部分進行曝光、顯像而形成去除了乾膜70的一部分之孔71。然後，如圖19中顯示一例，進行在乾膜70之特定部位照射雷射之步驟(A)，而形成開口部30。接著，如圖20中顯示一例，進行步驟(B)而從開口部30形成通孔40，同時藉由噴砂處理來使研磨粒衝撞孔71之底部，形成溝槽50。然後，如圖21中顯示一例，藉由電解鍍敷而埋入通孔40及溝槽50，形成填孔80。於填孔80之形成後，視需要可去除乾膜70。 於去除乾膜之前，視需要為了調整填孔80的高度，可拋光研磨等來研磨填孔80之表面。

[半導體裝置] 本發明之半導體裝置包含印刷配線板。本發明之半導體裝置可使用藉由本發明之製造方法所得之印刷配線板來製造。

作為半導體裝置，可舉出供用於電氣製品(例如電腦、行動電話、數位相機及電視等)及交通工具(例如機車、汽車、電車、船舶及航空機等)等之各種半導體裝置。

本發明之半導體裝置係可藉由在印刷配線板之導通部位，安裝零件(半導體晶片)而製造。所謂「導通部位」，就是「印刷配線板中傳導電氣訊號的部位」，該處可為表面，也可為經埋入的部位而皆無妨。又，半導體晶片只要是以半導體作為材料的電路元件，則沒有特別的限定。

製造本發明之半導體裝置時的半導體晶片之安裝方法，只要是半導體晶片能有效地發揮功能，則沒有特別的限定，但具體而言可舉出線接合安裝方法、覆晶安裝方法、無凸塊之藉由增建層(BBUL)的安裝方法、藉由各向異性導電膜的(ACF)安裝方法、藉由非導電性膜(NCF)的安裝方法等。此處，所謂的「無凸塊之藉由增建層(BBUL)的安裝方法」，就是「將半導體晶片直接埋入印刷配線板的凹部中，連接半導體晶片與印刷配線板上的配線之安裝方法」。 [實施例]

以下，顯示實施例來具體說明本發明。但，本發明不受以下的實施例所限定。於以下之說明中，表示量之「份」及「%」只要未另外明示，則分別意指「質量份」及「質量%」。又，以下說明的操作，只要未另外明示，則在常溫常壓之環境下進行。

＜合成例1：彈性體之合成＞ 於反應容器中，置入2官能性羥基末端聚丁二烯(日本曹達公司製「G-3000」，數量平均分子量=3000，羥基當量=1800g/eq.)69g、芳香族烴系混合溶劑(出光石油化學公司製「Ipzole 150」)40g與月桂酸二丁錫0.005g，混合而使其均勻地溶解。變成均勻時，升溫至60℃，更邊攪拌邊添加異佛爾酮二異氰酸酯(Evonik Degussa日本公司製「IPDI」，異氰酸酯基當量=113g/eq.)8g，進行約3小時反應。

接著，於反應物中，添加甲酚酚醛清漆樹脂(DIC公司製「KA-1160」，羥基當量=117g/eq.)23g與乙基二甘醇乙酸酯(DAICEL公司製)60g，邊攪拌邊升溫到150℃為止，進行約10小時反應。藉由FT-IR，進行2250cm ^-1的NCO波峰消失之確認。以NCO波峰消失之確認，視為反應終點，將反應物降溫到室溫為止。然後，以100網目的濾布過濾反應物，得到具有丁二烯構造及酚性羥基之彈性體(含有酚性羥基的丁二烯樹脂：不揮發成分50質量%)。彈性體之數量平均分子量為5900，玻璃轉移溫度為-7℃。

＜附支撐體的樹脂薄片1之製作＞ 混合聯苯型環氧樹脂(日本化藥公司製「NC-3000-L」，環氧當量約269g/eq.)10份、液狀1,4-環氧丙基環己烷(日鐵化學&材料公司製「ZX1658」，環氧當量約135g/eq.)10份、聯二甲酚型環氧樹脂(三菱化學公司製「YX4000H」，環氧當量約185g/eq.)10份、活性酯化合物(DIC公司製「HPC-8000-65T」，活性基當量約223g/eq.，不揮發成分65質量%的甲苯溶液)50份、含三𠯤骨架的酚系硬化劑(DIC公司製「LA-3018-50P」，羥基當量約151g/eq.，固體成分50%的2-甲氧基丙醇溶液)6份、苯氧基樹脂(三菱化學公司製「YX7553BH30」，固體成分30質量%的MEK與環己酮的1：1溶液)10份、碳二亞胺化合物(日清紡化學公司製「V-03」，活性基當量約216g/eq.，固體成分50質量%的甲苯溶液)10份、經胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)所表面處理的球形二氧化矽(平均粒徑0.5μm，ADMATECHS公司製「SO-C2」)220份、磷系難燃劑(三光公司製「HCA-HQ-HS」，10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物)1份、橡膠粒子(AICA工業公司製、Stafilrod AC3816N)1份、硬化促進劑(4-二甲基胺基吡啶(DMAP)，固體成分5質量%的MEK溶液)5份、甲基乙基酮25份、環己酮15份，以高速旋轉混合機均勻地分散，製作樹脂清漆1。

其次，在作為支撐體之附脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(LINTEC公司製「AL5」，厚度38μm)之脫模面上，以樹脂組成物層之厚度成為40μm之方式均勻地塗佈樹脂清漆1，在80~120℃(平均100℃)下乾燥6分鐘，製作附支撐體的樹脂薄片1。又，使樹脂清漆1的塗佈厚度變化，製作乾燥後的樹脂組成物層之厚度為20μm及15μm之附支撐體的樹脂薄片1。

＜附支撐體的樹脂薄片2之製作＞ 混合聯苯型環氧樹脂(日本化藥公司製「NC-3000-L」，環氧當量約269g/eq.)30份、雙酚A型環氧樹脂(三菱化學公司製「828EL」，環氧當量約180g/eq.)20份、四苯基乙烷型環氧樹脂(三菱化學製「jER1031S」，環氧當量約198g/eq.)5份、含三𠯤骨架的苯酚酚醛清漆系硬化劑(DIC公司製「LA-7054」，羥基當量約125g/eq.，固體成分60%的MEK溶液)10份、苯酚酚醛清漆系硬化劑(DIC公司製「TD2090」，羥基當量約105g/eq.)6份、苯氧基樹脂(三菱化學公司製「YX7553BH30」，固體成分30質量%的MEK與環己酮之1：1溶液)8份、經胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)所表面處理的球形二氧化矽(平均粒徑0.5μm，ADMATECHS公司製「SO-C2」)140份、磷系難燃劑(三光公司製「HCA-HQ-HS」，10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物)5份、硬化促進劑(4-二甲基胺基吡啶(DMAP)，固體成分5質量%的MEK溶液)3份、甲基乙基酮25份、環己酮15份，以高速旋轉混合機均勻地分散，製作樹脂清漆2。

於附支撐體的樹脂薄片1之製作中，將樹脂清漆1換成樹脂清漆2。以上的事項以外係與附支撐體的樹脂薄片1之製作同樣，製作附支撐體的樹脂薄片2。

＜附支撐體的樹脂薄片3之製作＞ 混合雙酚A型環氧樹脂(三菱化學公司製「828EL」，環氧當量約180g/eq.)20份、萘酚型環氧樹脂(日鐵化學&材料公司製「ESN-475V」，環氧當量約332g/eq.)10份、聯二甲酚型環氧樹脂(三菱化學公司製「YX4000H」，環氧當量約185g/eq.)10份、萘醚型環氧樹脂(DIC公司製「HP6000」，環氧當量約260g/eq.)20份、氰酸酯系硬化劑(LONZA日本公司製「BA230S75」，氰酸酯當量約235g/eq.、不揮發成分75質量%的MEK溶液)10份、氰酸酯系硬化劑(LONZA日本公司製「BADCy」，氰酸酯當量約142g/eq.)10份、活性酯化合物(DIC公司製「HPC-8000-65T」、活性基當量約223g/eq.，不揮發成分65質量%的甲苯溶液)20份、苯氧基樹脂(三菱化學公司製「YX7553BH30」，固體成分30質量%的MEK與環己酮之1：1溶液)8份、經胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)所表面處理的球形二氧化矽(平均粒徑0.5μm，ADMATECHS公司製「SO-C2」)170份、硬化促進劑(4-二甲基胺基吡啶(DMAP)，固體成分5質量%的MEK溶液)3份、乙醯丙酮鈷(III)(東京化成公司製)之1質量%的MEK溶液5份、甲基乙基酮40份、環己酮20份，以高速旋轉混合機均勻地分散，製作樹脂清漆3。

於附支撐體的樹脂薄片1之製作中，將樹脂清漆1換成樹脂清漆3。以上的事項以外係與附支撐體的樹脂薄片1之製作同樣，製作附支撐體的樹脂薄片3。

＜附支撐體的樹脂薄片4之製作＞ 混合苯酚鄰苯二甲醯亞胺型環氧樹脂(日本化藥公司製「WHR-991S」，環氧當量約265g/eq.)5份、聯苯型環氧樹脂(日本化藥公司製「NC-3000-L」，環氧當量約269g/eq.)20份、合成例1所得之彈性體50份、經甲基丙烯醯基矽烷系偶合劑(信越化學工業公司製「KBM503」)所表面處理的球形二氧化矽(平均粒徑0.08μm，比表面積30.7m ²/g，DENKA公司製「UFP-30」)15份、磷系難燃劑(三光公司製「HCA-HQ-HS」，10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物)5份、硬化促進劑(1-苄基-2-苯基咪唑(四國化成工業公司製「1B2PZ」)之固體成分10質量%的甲基乙基酮溶液)2份、甲基乙基酮20份，以高速旋轉混合機均勻地分散，製作樹脂清漆4。

於附支撐體的樹脂薄片1之製作中，將樹脂清漆1換成樹脂清漆4。以上的事項以外係與附支撐體的樹脂薄片1之製作同樣，製作附支撐體的樹脂薄片4。

＜附支撐體的樹脂薄片5之製作＞ 於附支撐體的樹脂薄片1之製作中， (1)將經胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)所表面處理的球形二氧化矽(平均粒徑0.5μm，ADMATECHS公司製「SO-C2」)220份換成經胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)所表面處理的球形氧化鋁(平均粒徑5.3μm，DENKA公司製「DAW-0525」)270份， (2)進一步使用將經胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)所表面處理的球形氧化鋁(平均粒徑0.3μm，DENKA公司製「ASFP-20」)50份。 以上的事項以外係與附支撐體的樹脂薄片1之製作同樣，製作附支撐體的樹脂薄片5。

下述表中顯示用於樹脂清漆1~5之調製的成分與其摻合量(不揮發分的質量份)。尚且，(a)成分之含量表示將樹脂組成物中的不揮發成分當作100質量%時之含量。

＜彈性模數之評價＞ (1)評價用硬化物之製作 於經脫模劑處理的PET薄膜(LINTEC公司製「501010」，厚度38μm，240mm見方)之脫模劑未處理面，重疊玻璃布基材環氧樹脂兩面覆銅層合板(PANASONIC公司製「R5715ES」，厚度0.7mm，255mm見方)，以聚醯亞胺接著膠帶(寬度10mm)固定四邊(以下，亦稱為「固定PET薄膜」)。

使用分批式真空加壓層合機(名機公司製，MVLP-500)，將所製作的樹脂厚度40μm之附支撐體的樹脂薄片1~5分別層合於上述「固定PET薄膜」之脫模處理面上。層合係藉由減壓30秒而使氣壓成為13hPa以下，然後以30秒、100℃、壓力0.74MPa加壓而進行。

接著，剝離支撐體，投入190℃的烘箱後，於90分鐘的硬化條件下使附支撐體的樹脂薄片熱硬化。

熱硬化後，剝離聚醯亞胺接著膠帶，從玻璃布基材環氧樹脂兩面覆銅層合板拆卸硬化物，亦更剝離PET薄膜(LINTEC公司製「501010」)，而得到薄片狀的硬化物。將所得之硬化物稱為「評價用硬化物」。

(2)彈性模數之評價 對所得之評價用硬化物，依據日本工業規格(JIS K7127)，藉由Tensilon萬能試驗機(A&D公司製)進行硬化物之拉伸試驗，測定在23℃下的彈性模數。

＜實施例1＞ (1)附支撐體的樹脂薄片之層合 將所製作的樹脂厚度40μm之附支撐體的樹脂薄片1，使用分批式真空加壓層合機(名機公司製，MVLP-500)，以樹脂組成物層接於藉由微蝕刻劑(MEC公司製「CZ8201」)進行了銅表面的粗化處理的層合板之兩面的方式進行層合。層合係藉由減壓30秒而使氣壓成為13hPa以下，然後以30秒、100℃、壓力0.74MPa加壓而進行。

(2)樹脂組成物層之硬化 將所層合之附支撐體的樹脂薄片在180℃、30分鐘之硬化條件下，使樹脂組成物層硬化而形成絕緣層。

(3)通孔之形成 (3-1)藉由雷射形成開口部 使用CO ₂雷射加工機(日立VIA MECHANICS公司製「LC-2E21B/1C」)來形成開口部。絕緣層表面中的開口部之頂徑(直徑)為50μm，開口部之深度為30μm。尚且，開口部之深度可對絕緣層的非加工部與加工部的最深部分之差進行剖面觀察，算出而求得。

(3-2)噴砂處理 接著，使用#2000的氧化鋁研磨粒漿體(平均粒徑6.7μm)作為研磨粒，以經由CO ₂雷射開口的支撐體作為遮罩，對開口部進行噴砂加工，形成通孔(頂徑(直徑)為50μm)。於噴砂加工後剝離支撐體，得到評價用基板1。

＜實施例2＞ 於實施例1中，將附支撐體的樹脂薄片1換成附支撐體的樹脂薄片2。以上的事項以外係與實施例1同樣，得到評價用基板2。

＜實施例3＞ 於實施例1中，將附支撐體的樹脂薄片1換成附支撐體的樹脂薄片3。以上的事項以外係與實施例1同樣，得到評價用基板3。

＜實施例4＞ 於實施例1中，將附支撐體的樹脂薄片1換成附支撐體的樹脂薄片4。以上的事項以外係與實施例1同樣，得到評價用基板4。

＜實施例5＞ 於實施例1中，將附支撐體的樹脂薄片1換成附支撐體的樹脂薄片5。以上的事項以外係與實施例1同樣，得到評價用基板5。

＜實施例6＞ (1)附樹脂組成物層的銅箔之製作 於附載體的銅箔(三井金屬礦業公司製，Microthin MTEx，銅箔之厚度3μm)上，以樹脂組成物層之厚度成為40μm的方式均勻地塗佈樹脂清漆1，在80~120℃(平均100℃)下乾燥6分鐘，而製作附樹脂組成物層的銅箔。

(2)附樹脂組成物層的銅箔之層合 將所得之附樹脂組成物層的銅箔，在藉由微蝕刻劑(MEC公司製「CZ8201」)進行了銅表面的粗化處理之層合板的兩面，使用真空加壓層合機(名機公司製，MVLP-500)，以樹脂組成物層接於層合板的方式進行層合。層合係藉由減壓30秒而使氣壓成為13hPa以下，然後以30秒、100℃、壓力0.74MPa加壓而進行。

(3)樹脂組成物層之硬化 將層合有附載體的銅箔之樹脂組成物層在180℃、30分鐘之硬化條件下，使樹脂組成物層硬化而形成絕緣層。

(4)通孔之形成 (4-1)藉由雷射形成開口部 剝離載體後，使用CO ₂雷射加工機(日立VIA MECHANICS公司製「LC-2E21B/1C」)來形成開口部。絕緣層表面中的開口部之頂徑(直徑)為50μm，開口部之深度為30μm。

(4-2)噴砂處理 接著，使用#2000的氧化鋁研磨粒漿體(平均粒徑6.7 μm)作為研磨粒，以經由CO ₂雷射開口的銅箔作為遮罩，進行開口部的噴砂加工，形成通孔(頂徑(直徑)為50μm)。於噴砂加工後剝離銅箔，得到評價用基板6。

＜實施例7＞ (1)附支撐體的樹脂薄片之層合 將所製作的樹脂厚度40μm之附支撐體的樹脂薄片1，使用分批式真空加壓層合機(名機公司製，MVLP-500)，以樹脂組成物層接於附載體的銅箔(三井金屬礦業公司製，Microthin MTEx，銅箔之厚度3μm)之方式進行層合。層合係藉由減壓30秒而使氣壓成為13hPa以下，然後以30秒、100℃、壓力0.74MPa進行加壓而得到附樹脂組成物層的銅箔。

(2)附樹脂組成物層的銅箔之層合 將所得之附樹脂組成物層的銅箔，在藉由微蝕刻劑(MEC公司製「CZ8201」)進行了銅表面的粗化處理之層合板的兩面，使用真空加壓層合機(名機公司製，MVLP-500)，以樹脂組成物層接於層合板的方式進行層合。層合係藉由減壓30秒而使氣壓成為13hPa以下，然後以30秒、100℃、壓力0.74MPa加壓而進行。

(3)樹脂組成物層之硬化 將樹脂組成物層在180℃、30分鐘之硬化條件下硬化，而形成絕緣層。

(4)銅箔的開口部之形成 藉由前述微蝕刻劑進行蝕刻，而在附載體的銅箔之一部分形成溝槽形成用的開口部。

(5)通孔之形成 (5-1)藉由雷射形成開口部 使用CO ₂雷射加工機出立VIA MECHANICS公司製「LC-2E21B/1C」)來形成開口部。絕緣層表面中的開口部之頂徑(直徑)為50μm，開口部之深度為30μm。

(5-2)噴砂處理 接著，使用#2000的氧化鋁研磨粒漿體(平均粒徑6.7μm)作為研磨粒，以經由CO ₂雷射開口的銅箔作為遮罩，進行開口部的噴砂加工，形成通孔(頂徑(直徑)為50μm)。又，藉由噴砂加工，在形成有溝槽形成用的孔之部分亦挖掘絕緣層，形成溝槽。於噴砂加工後剝離銅箔，得到評價用基板7。

＜實施例8＞ 於實施例7中，在(3)樹脂組成物層之硬化後進行以下之操作，不進行(4)銅箔的開口部之形成。以上的事項以外係與實施例7同樣，得到評價用基板8。

(4)乾膜之層合 於銅箔表面上貼合乾膜(Nikko-Materials公司製，NCM325，厚度25μm)。乾膜之層合係使用分批式真空加壓層合機(名機製作所公司製「MVLP-500」)，減壓30秒而使氣壓成為13hPa以下後，在壓力0.1MPa、溫度70℃下進行20秒加壓。然後，將具有溝槽圖型的玻璃遮罩放置於乾膜之保護層的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜上，藉由UV燈以照射強度20mJ/cm ²進行UV照射。UV照射後，使用25℃的1%碳酸鈉水溶液，以噴射壓力0.15MPa進行50秒的噴灑處理。然後，進行水洗而形成溝槽圖型形成用的開口部。

＜實施例9＞ (1)附樹脂組成物層的銅箔之製作 於銅箔(JX金屬公司製，JDLC，厚度12μm)上，以樹脂組成物層之厚度成為40μm的方式均勻塗佈樹脂清漆1，在80~120℃(平均100℃)下乾燥6分鐘，而製作附樹脂組成物層的銅箔。 (2)附銅箔附樹脂組成物層之銅箔銅箔之層合 將所得之附樹脂組成物層的銅箔，在藉由微蝕刻劑(MEC公司製「CZ8201」)進行了銅表面的粗化處理之層合板的兩面，使用真空加壓層合機(名機公司製，MVLP-500)，以樹脂組成物層接於層合板的方式進行層合。層合係藉由減壓30秒而使氣壓成為13hPa以下，然後以30秒、100℃、壓力0.74MPa加壓而進行。

(3)樹脂組成物層之硬化 將層合有附樹脂組成物層的銅箔之層合板在180℃、30分鐘之硬化條件下，使樹脂組成物層硬化而形成絕緣層，得到附有銅箔及硬化層的層合板。

(4)銅箔之半蝕刻 以氯化鐵溶液浸漬附有銅箔及硬化層的層合板，而進行半蝕刻使銅之厚度成為12μm~5μm，以純水沖走所附著的氯化鐵溶液。

(5)雷射加工之前處理 接著，使用雷射加工用之前處理液(MacDermid Performance Solutions日本公司製，「MULTIBOND 100」)，施予雷射加工用之前處理加工。

(6)通孔之形成 (6-1)藉由雷射形成開口部 使用CO ₂雷射加工機(日立VIA MECHANICS公司製「LC-2E21B/1C」)來形成開口部。絕緣層表面中的開口部之頂徑(直徑)為50μm，開口部之深度為30μm。

(6-2)噴砂處理 接著，使用#2000的氧化鋁研磨粒漿體(平均粒徑6.7 μm)作為研磨粒，以經由CO ₂雷射開口的銅箔作為遮罩，進行開口部的噴砂加工，形成通孔(頂徑(直徑)為50μm)。於噴砂加工後剝離銅箔，得到評價用基板9。

＜實施例10＞ 於實施例9中，不進行(4)銅箔之半蝕刻。以上的事項以外係與實施例9同樣，得到評價用基板10。

＜實施例11＞ 於實施例1中，將樹脂厚度40μm之附支撐體的樹脂薄片1換成樹脂厚度20μm之附支撐體的樹脂薄片1，如以下地進行通孔之形成。以上的事項以外係與實施例1同樣，得到評價用基板11。

(1)通孔之形成 (1-1)藉由雷射形成開口部 使用CO ₂雷射加工機(日立VIA MECHANICS公司製「LC-2E21B/1C」)來形成開口部。絕緣層表面中的開口部之頂徑(直徑)為30μm，開口部之深度為15μm。

(1-2)噴砂處理 接著，使用#3000的氧化鋁研磨粒漿體(平均粒徑4.0μm)作為研磨粒，以經由CO ₂雷射開口的支撐體作為遮罩，進行開口部的噴砂加工，形成通孔(頂徑(直徑)為30μm)。於噴砂加工後剝離支撐體，得到評價用基板11。

＜實施例12＞ 於實施例7中，將樹脂厚度40μm之附支撐體的樹脂薄片1換成樹脂厚度15μm之附支撐體的樹脂薄片1，如以下地進行通孔之形成。以上的事項以外係與實施例7同樣，得到評價用基板12。

(1)通孔之形成 (1-1)藉由雷射形成開口部 使用UV-YAG雷射加工機(VIA MECHANICS公司製「LU-2L212/M50L」)來形成開口部。絕緣層表面中的開口部之頂徑(直徑)為20μm，開口部之深度為12μm。

(1-2)噴砂處理 接著，使用#3000的氧化鋁研磨粒漿體(平均粒徑4.0μm)作為研磨粒，以經由UV-YAG雷射開口的銅箔作為遮罩，進行開口部的噴砂加工，形成通孔(頂徑(直徑)為20μm)。於噴砂加工後剝離銅箔，得到評價用基板12。

＜實施例13＞ 於實施例12中，將附載體的銅箔(三井金屬礦業公司製，Microthin MTEx，銅箔之厚度3μm)換成乾膜(旭化成公司製，商品名「ATP-10VTDS」、厚度10μm)。以上的以外係與實施例12同樣，得到評價用基板13。

＜實施例14＞ 於實施例13中，在以UV-YAG雷射形成開口部之前，使用遮罩，在乾膜形成溝槽圖型用的開口部。以上的事項以外係與實施例13同樣，得到評價用基板14。

＜實施例15＞ 於實施例2中，將樹脂厚度40μm之附支撐體的樹脂薄片2換成樹脂厚度25μm之附支撐體的樹脂薄片2，如以下地進行通孔之形成。以上的事項以外係與實施例2同樣，得到評價用基板15。

(1)通孔之形成 (1-1)藉由雷射形成開口部 使用CO ₂雷射加工機(日立VIA MECHANICS公司製「LC-2E21B/1C」)來形成開口部。絕緣層表面中的開口部之頂徑(直徑)為30μm，開口部之深度為25μm。

(1-2)藉由噴砂的通孔加工 接著，使用#3000的氧化鋁研磨粒漿體(平均粒徑4.0μm)作為研磨粒，以經由CO ₂雷射開口的支撐體作為遮罩，進行開口部的噴砂加工，形成通孔(頂徑(直徑)為30μm)。於噴砂加工後剝離支撐體，得到評價用基板15。

＜比較例1＞ 於實施例1中，如以下地進行通孔之形成。以上的事項以外係與實施例1同樣，得到評價用基板16。

(1)通孔之形成 形成絕緣層後，剝離支撐體的PET薄膜。於剝離支撐體後的絕緣層，使用UV-YAG雷射加工機(VIA MECHANICS公司製「LU-2L212/M50L」)來形成通孔，得到評價用基板16。尚且，絕緣層表面中之通孔的頂徑(直徑)為50μm。

＜比較例2＞ 於實施例1中，如以下地進行通孔之形成。以上的事項以外係與實施例1同樣，得到評價用基板17。

(1)通孔之形成 使用CO ₂雷射加工機(日立VIA MECHANICS公司製「LC-2E21B/1C」)來形成通孔，得到評價用基板17。尚且，絕緣層表面中之通孔的頂徑(直徑)為50μm。

＜比較例3＞ 於實施例1中，如以下地進行通孔之形成。以上的事項以外係與實施例1同樣，得到評價用基板18。

(1)通孔之形成 (1-1)藉由雷射形成開口部 使用CO ₂雷射加工機(日立VIA MECHANICS公司製「LC-2E21B/1C」)來形成開口部。絕緣層表面中的開口部之頂徑(直徑)為50μm，開口部之深度為35μm。將其稱為基板。

(1-2)去膠渣處理 使基板在作為膨潤液之ATOTECH日本公司製之含有二乙二醇單丁基醚的Swelling Dip Securigand P中於60℃浸漬5分鐘，接著在作為粗化液之ATOTECH日本公司製之Concentrate Compact P(KMnO ₄：60g/L、NaOH：40g/L之水溶液)中於80℃浸漬30分鐘，最後在作為中和液之ATOTECH日本公司製之Reduction Solution Securigant P中於40℃浸漬5分鐘，而去除開口部的底部，形成通孔。

＜比較例4＞ 於實施例1中，如以下地進行通孔之形成。以上的事項以外係與實施例1同樣，得到評價用基板19。

(1)通孔之形成 (1-1)藉由噴砂用阻劑形成通孔圖型 在絕緣層表面，使用噴砂用阻劑(Nikko-Materials公司製，NCM250，厚度50μm)，以形成直徑50μm的通孔之方式進行圖型化。

(1-2)噴砂處理 接著，使用#2000的氧化鋁研磨粒漿體(平均粒徑6.7μm)作為研磨粒，以形成有通孔圖型的噴砂用阻劑作為遮罩，進行通孔部分之噴砂加工，得到評價用基板19。

＜比較例5＞ 於比較例4中，如以下地進行(1)通孔之形成。以上的事項以外係比較例4同樣，得到評價用基板20。

(1)通孔之形成 (1-1)藉由噴砂用阻劑形成通孔圖型 在絕緣層表面，使用噴砂用阻劑(Nikko-Materials公司製，NCM250，厚度50μm)，以形成直徑150μm的通孔之方式進行圖型化。

(1-2)藉由噴砂的通孔加工 接著，使用#1200的氧化鋁研磨粒漿體(平均粒徑9.5 μm)，以形成有通孔圖型的噴砂用阻劑作為遮罩，進行通孔部分之噴砂加工，得到評價用基板20。

＜通孔徑之評價＞ ○：以100μm以下的開口徑能形成通孔者。 ×：以100μm以下的開口徑無法形成通孔者。

＜膠渣去除性之評價＞ 將實施例及比較例所得之評價用基板1~20，在作為膨潤液之ATOTECH日本公司製之含有二乙二醇單丁基醚的Swelling Dip Securigand P中於60℃浸漬5分鐘，接著在作為粗化液之ATOTECH日本公司製之Concentrate Compact P(KMnO ₄：60g/L、NaOH：40g/L之水溶液)中於80℃浸漬15分鐘，最後在作為中和液之ATOTECH日本公司製之Reduction Solution Securigant P中於40℃浸漬5分鐘。然後，以電子顯微鏡觀察通孔，用以下之基準來評價。 ○：在通孔底部看不到樹脂殘渣。 ×：在通孔底部看到樹脂殘渣。

＜暈圈之評價＞ 對於膠渣去除性之評價後之評價用基板，使用FIB-SEM複合裝置(SII奈米科技公司製「SMI3050SE」)，進行剖面觀察。詳細而言，使用FIB(聚焦離子束)，將絕緣層，以平行於該絕緣層之厚度方向且通過通孔的孔底之中心的剖面出現之方式削出。藉由SEM觀察該剖面。於所觀察的影像中，有看見從孔底之邊緣起連續，且絕緣層從內層基板的銅箔剝離而形成之間隙部。因此，測定從孔底之邊緣起到間隙部的外周側之端部為止的距離，當作暈圈距離，用以下之基準來評價。 ○：暈圈距離為5μm以下。 ×：暈圈距離超過5μm。

＜通孔加工性之評價＞ (1)藉由CO ₂雷射的通孔加工性評價 以藉由CO ₂雷射加工使開口部之深度成為特定深度時所需要的射擊數進行評價，用以下之基準來評價。 ◎：射擊數為1。 ○：射擊數為2。 ×：射擊數為3以上。

(2)藉由UV-YAG雷射的通孔加工性評價 以藉由UV-YAG雷射加工使開口部之深度成為特定深度時所需要的射擊數進行評價，用以下之基準來評價。 ○：射擊數為20以下。 ×：射擊數超過20。

(3)藉由噴砂的通孔加工性評價 去除開口部底部的絕緣層，以到層合板的導體層露出為止所需要的噴砂加工時間進行評價，用以下之基準來評價。 ◎：加工時間未達5分鐘。 ○：加工時間為5分鐘以上且未達10分鐘。 ×：加工時間為10分鐘以上。

＊表中，「WB」意指濕噴砂處理。無機填充材之含量係將樹脂組成物中的不揮發成分當作100質量%時之值。

10:內層電路基板 11:支撐基板 12:金屬層 10a:主表面 21:支撐體 22:絕緣層 30:開口部 40:通孔 50:溝槽 60:金屬箔 61:孔 70:乾膜 71:孔 80:填孔 22U:與金屬層相反側的絕緣層之面 220:孔底 220C:孔底之中心 240:變色部 250:通孔的孔底之邊緣 260:間隙部 270:間隙部的外周側之端部 a:開口部之深度 b:開口部徑(通孔徑) c:遮罩之厚度及開口部之深度的合計值 Wb:從孔底的邊緣起之暈圈距離

[圖1]係顯示在內層電路基板之主表面上形成有絕緣層及支撐體的樣子之一例之示意剖面圖。 [圖2]係顯示進行步驟(A)後的樣子之一例之示意剖面圖。 [圖3]係顯示進行步驟(B)後的樣子之一例之示意剖面圖。 [圖4]係示意地顯示以習知雷射加工形成通孔的印刷配線板之形成導體層的剛剛之前的絕緣層之平面圖。 [圖5]係示意地顯示以習知雷射加工形成通孔的印刷配線板之形成導體層的剛剛之前的絕緣層之剖面圖。 [圖6]係顯示在內層電路基板之主表面上形成有絕緣層及金屬箔的樣子之一例之示意剖面圖。 [圖7]係顯示對金屬箔進行圖型蝕刻處理後的樣子之一例之示意剖面圖。 [圖8]係顯示進行步驟(A)後的樣子之一例之示意剖面圖。 [圖9]係顯示進行步驟(B)後的樣子之一例之示意剖面圖。 [圖10]係顯示形成填孔後的樣子之一例之示意剖面圖。 [圖11]係顯示在內層電路基板之主表面上形成有絕緣層、金屬箔及乾膜的樣子之一例之示意剖面圖。 [圖12]係顯示曝光、顯像後的樣子之一例之示意剖面圖。 [圖13]係顯示進行步驟(A)後的樣子之一例之示意剖面圖。 [圖14]係顯示進行步驟(B)後的樣子之一例之示意剖面圖。 [圖15]係顯示形成填孔後的樣子之一例之示意剖面圖。 [圖16]係顯示去除乾膜後的樣子之一例之示意剖面圖。 [圖17]係顯示在內層電路基板之主表面上形成有絕緣層及乾膜的樣子之一例之示意剖面圖。 [圖18]係顯示曝光、顯像後的樣子之一例之示意剖面圖。 [圖19]係顯示進行步驟(A)後的樣子之一例之示意剖面圖。 [圖20]係顯示進行步驟(B)後的樣子之一例之示意剖面圖。 [圖21]係顯示形成填孔後的樣子之一例之示意剖面圖。

10:內層電路基板

10a:主表面

11:支撐基板

12:金屬層

21:支撐體

22:絕緣層

40:通孔

Claims (12)

1. 一種印刷配線板之製造方法，其依序包含： (A)藉由雷射，在包含樹脂組成物的硬化物之絕緣層形成開口部之步驟；及 (B)對於開口部，進行使用研磨粒的噴砂處理，形成通孔之步驟。
2. 如請求項1之印刷配線板之製造方法，其中研磨粒之平均粒徑為10μm以下。
3. 如請求項1之印刷配線板之製造方法，其中開口部之深度為絕緣層之厚度的50%以上95%以下。
4. 如請求項1之印刷配線板之製造方法，其中 (B)步驟為通過遮罩，使研磨粒衝撞開口部的底面而形成通孔之步驟， 遮罩之厚度及開口部之深度的合計值與通孔的開口徑之比(合計值/開口徑)為3以下。
5. 如請求項1之印刷配線板之製造方法，其中絕緣層在23℃的彈性模數為0.1GPa以上。
6. 如請求項1之印刷配線板之製造方法，其中樹脂組成物包含無機填充材。
7. 如請求項6之印刷配線板之製造方法，其中將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%時，無機填充材之含量為20質量%以上。
8. 如請求項1之印刷配線板之製造方法，其中樹脂組成物包含硬化性樹脂。
9. 如請求項8之印刷配線板之製造方法，其中將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%時，硬化性樹脂之含量為10質量%以上。
10. 如請求項8之印刷配線板之製造方法，其中硬化性樹脂包含環氧樹脂及硬化劑。
11. 如請求項10之印刷配線板之製造方法，其中硬化劑為選自酚系樹脂、活性酯系樹脂及氰酸酯系樹脂的1種以上。
12. 如請求項1之印刷配線板之製造方法，其中雷射為CO ₂雷射或UV-YAG雷射。

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