TW202229441A - 化學增幅型正型感光性樹脂組成物、感光性乾膜、感光性乾膜的製造方法、經圖型化之阻劑膜的製造方法、附鑄膜之基板的製造方法及鍍敷造形物的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種能夠抑制酸產生劑的分解的化學增幅型正型感光性樹脂組成物、具備由該化學增幅型正型感光性樹脂組成物構成的感光性層的感光性乾膜以及其製造方法、使用化學增幅型正型感光性樹脂組成物的經圖型化之阻劑膜的製造方法、附鑄模之基板的製造方法與鍍敷造形物的製造方法。化學增幅型正型感光性樹脂組成物包含：酸產生劑(A)，通過活性光線或放射線的照射而產生酸；樹脂(B)，對鹼的溶解性因酸的作用而增大；酸擴散抑制劑(C)，酸產生劑(A)包含通過活性光線或放射線的照射而產生磺酸的非離子類酸產生劑，酸擴散抑制劑(C)包含特定結構的化合物。

Description

化學增幅型正型感光性樹脂組成物、感光性乾膜、感光性乾膜的製造方法、經圖型化之阻劑膜的製造方法、附鑄膜之基板的製造方法及鍍敷造形物的製造方法

本發明係關於化學增幅型正型感光性樹脂組成物、具備由該化學增幅型正型感光性樹脂組成物構成的感光性層的感光性乾膜、該感光性乾膜的製造方法、使用所述化學增幅型正型感光性樹脂組成物的經圖型化之阻劑膜的製造方法、附鑄模之基板的製造方法與鍍敷造形物的製造方法。

目前，感光蝕刻加工(photofabrication)已經成為精密微細加工技術的主流。感光蝕刻加工是指，將光阻劑組成物塗布在被加工物表面從而形成光阻劑層，利用光微影技術使光阻劑層圖型化，並將圖型化後的光阻劑層(光阻劑圖型)作為遮罩進行化學蝕刻、電解蝕刻，或者進行以電鍍為主體的電鑄等，來製造半導體封裝等各種精密部件的技術的總稱。

此外，近年來，隨著電子設備的小型化，半導體封裝的高密度安裝技術不斷推進，正在謀求基於封裝的多引腳薄膜安裝化、封裝尺寸的小型化、倒裝晶片方式的2維安裝技術、3維安裝技術的安裝密度的提高。在這樣的高密度安裝技術中，例如封裝上突出的凸塊等突起電極(安裝端子)、或將從晶圓上的週邊端子延伸的再配線(RDL)與安裝端子相連接的金屬柱等作為連接端子而被高精度地配置在基板上。

在如上所述的感光蝕刻加工中使用了光阻劑組成物，作為那樣的光阻劑組成物，公知有包含酸產生劑的化學增幅型光阻劑組成物(參照專利文獻1、2等)。化學增幅型光阻劑組成物是指，通過照射放射線(曝光)而從酸產生劑產生酸，通過加熱處理促進酸的擴散，從而相對於組成物中的基體樹脂等引起酸催化反應，使其鹼溶解性發生變化。

這樣的化學增幅型光阻劑組成物例如被用於通過鍍敷步驟形成如凸塊、金屬柱以及Cu再配線那樣的鍍敷造形物等。具體而言，使用化學增幅型光阻劑組成物，在如金屬基板那樣的支持體上形成所期望的膜厚的光阻劑層，經由規定的遮罩圖型進行曝光並顯影，形成作為選擇性地去除(剝離)了形成鍍敷造形物的部分的鑄模而使用的光阻劑圖型。然後，通過鍍敷將銅等導體埋入該被去除的部分(非阻劑部)後，去除其周圍的光阻劑圖型，由此能夠形成凸塊、金屬柱以及Cu再配線。 此外，化學增幅型光阻劑組成物例如也被用於通過蝕刻加工基板時的蝕刻遮罩的形成。具體而言，使用化學增幅型光阻劑組成物在基板上形成所期望的膜厚的光阻劑層，接著，經由規定的遮罩圖型，僅對光阻劑層的與蝕刻對象部位相對應的部分進行曝光，之後將曝光後的光阻劑層顯影，形成作為蝕刻遮罩使用的光阻劑圖型。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本特開平9-176112號公報 專利文獻2：日本特開平11-52562號公報

[發明欲解決之課題]

在這樣的化學增幅型光阻劑組成物中，為了抑制從酸產生劑產生的酸從曝光部向非曝光部擴散，有時摻混鹼性化合物作為酸擴散抑制劑。 然而，若將酸擴散抑制劑摻混至化學增幅型正型光阻劑組成物，則有時酸產生劑分解而導致化學增幅型正型光阻劑組成物的穩定性變差。

本發明是鑒於上述課題而完成的，其目的在於提供一種能夠抑制酸產生劑的分解的化學增幅型正型感光性樹脂組成物、具備由該化學增幅型正型感光性樹脂組成物構成的感光性層的感光性乾膜、該感光性乾膜的製造方法、使用所述化學增幅型正型感光性樹脂組成物的經圖型化之阻劑膜的製造方法、使用所述化學增幅型正型感光性樹脂組成物的附鑄模之基板的製造方法與使用所述化學增幅型正型感光性樹脂組成物的鍍敷造形物的製造方法。 [用以解決課題之手段]

本發明人等為了達成上述目的而不斷銳意研究，結果發現通過如下的化學增幅型正型感光性樹脂組成物，能夠解決上述課題，從而完成了本發明，所述化學增幅型正型感光性樹脂組成物包含：酸產生劑(A)，通過活性光線或放射線的照射而產生酸；樹脂(B)，對鹼的溶解性因酸的作用而增大；酸擴散抑制劑(C)，酸產生劑(A)包含通過活性光線或放射線的照射而產生磺酸的非離子類酸產生劑，酸擴散抑制劑(C)包含以下述式(c1)表示的胍化合物。具體而言，本發明提供以下技術方案。

本發明的第1態樣為一種化學增幅型正型感光性樹脂組成物，包含：酸產生劑(A)，通過活性光線或放射線的照射而產生酸；樹脂(B)，對鹼的溶解性因酸的作用而增大；酸擴散抑制劑(C)， 酸產生劑(A)包含通過活性光線或放射線的照射而產生磺酸的非離子類酸產生劑， 酸擴散抑制劑(C)包含從以下述式(c1)表示的胍化合物以及其互變異構物中選擇的至少一種。

(式(c1)中，R ^c1～R ^c5分別獨立地為氫原子或者1價的有機基團， -NR ^c2R ^c3可以是以-N=R ^c6表示的基團， -NR ^c4R ^c5可以是以-N=R ^c7表示的基團， R ^c6以及R ^c7分別獨立地為經由雙鍵與氮原子鍵結的2價的有機基團， R ^c1～R ^c5中的1個或者2個為氫原子， R ^c1為可以與以下述式(c2)表示的胍骨架一起形成共軛體系的有機基團，

R ^c1與R ^c2或者R ^c3可以形成與胍骨架一起形成共軛體系的含氮雜環， R ^c1與R ^c4或者R ^c5可以形成與胍骨架一起形成共軛體系的含氮雜環， R ^c1與R ^c6或者R ^c7可以形成與胍骨架一起形成共軛體系的含氮雜環， R ^c2或者R ^c3、與R ^c4或者R ^c5可以相互連接而形成含氮雜環。)

本發明的第2態樣為一種感光性乾膜，具有基材薄膜與形成於基材薄膜的表面的感光性層，感光性層由第1態樣的化學增幅型正型感光性樹脂組成物構成。

本發明的第3態樣為一種感光性乾膜的製造方法，包括在基材薄膜上塗布第1態樣的化學增幅型正型感光性樹脂組成物從而形成感光性層。

本發明的第4態樣為一種經圖型化之阻劑膜的製造方法，包括： 積層步驟，在基板上積層由第1態樣的化學增幅型正型感光性樹脂組成物構成的感光性層； 曝光步驟，對感光性層位置選擇性地照射活性光線或放射線來進行曝光； 顯影步驟，對曝光後的感光性層進行顯影。

本發明的第5態樣為一種附鑄模之基板的製造方法，包括： 積層步驟，在具有金屬表面的基板上積層由第1態樣的化學增幅型正型感光性樹脂組成物構成的感光性層； 曝光步驟，對感光性層位置選擇性地照射活性光線或放射線來進行曝光； 顯影步驟，對曝光後的感光性層進行顯影來製作用於形成鍍敷造形物的鑄模。

本發明的第6態樣為一種鍍敷造形物的製造方法，包括： 鍍敷步驟，對通過第4態樣的附鑄模之基板的製造方法製造的附鑄模之基板實施鍍敷，從而在鑄模內形成鍍敷造形物。 [發明之效果]

根據本發明，能夠提供一種能抑制酸產生劑的分解的化學增幅型正型感光性樹脂組成物、具備由該化學增幅型正型感光性樹脂組成物構成的感光性層的感光性乾膜、該感光性乾膜的製造方法、使用所述化學增幅型正型感光性樹脂組成物的經圖型化之阻劑膜的製造方法、使用所述化學增幅型正型感光性樹脂組成物的附鑄模之基板的製造方法與使用所述化學增幅型正型感光性樹脂組成物的鍍敷造形物的製造方法。

《化學增幅型正型感光性樹脂組成物》

化學增幅型正型感光性樹脂組成物(以下也記作感光性樹脂組成物)含有：酸產生劑(A)，通過活性光線或放射線的照射而產生酸(以下也記作酸產生劑(A))；樹脂(B)，對鹼的溶解性因酸的作用而增大(以下也記作樹脂(B))；酸擴散抑制劑(C)。並且，酸產生劑(A)包含通過活性光線或放射線的照射而產生磺酸的非離子類酸產生劑，酸擴散抑制劑(C)包含以下述式(c1)表示的胍化合物。感光性樹脂組成物也可以根據需要包含鹼可溶性樹脂(D)、含硫化合物(E)以及有機溶劑(S)等成分。

以下，對感光性樹脂組成物所包含的必需或者任意的成分與感光性樹脂組成物的製造方法進行說明。

＜酸產生劑(A)＞ 酸產生劑(A)是通過活性光線或放射線的照射而產生酸的化合物，是通過光直接或者間接地產生酸的化合物。酸產生劑(A)包含通過活性光線或放射線的照射而產生磺酸的非離子類酸產生劑(以下，也記載為產生磺酸的非離子類酸產生劑)。 通過活性光線或放射線的照射而產生磺酸的非離子類酸產生劑可能通過酸擴散抑制劑而分解。但是，通過使用後述的特定結構的酸擴散抑制劑(C)，能夠抑制通過活性光線或放射線的照射而產生磺酸的非離子類酸產生劑的分解。

作為通過活性光線或放射線的照射而產生磺酸的非離子類酸產生劑，可例舉醯亞胺磺酸酯化合物、肟磺酸酯化合物等鋶酯化合物。 醯亞胺磺酸酯化合物是具有以＞N-O-SO ₂-表示的結構的化合物，通過活性光線或放射線的照射並利用N-O鍵分解而產生磺酸。另外，與肟磺酸酯化合物相比，醯亞胺磺酸酯化合物更容易產生因酸擴散抑制劑引起的分解，但是通過使用後述的特定結構的酸擴散抑制劑(C)，即使是醯亞胺磺酸酯化合物也能夠抑制分解。 肟磺酸酯化合物是具有以=N-O-SO ₂-表示的結構的化合物，通過活性光線或放射線的照射並利用N-O鍵分解而產生磺酸。

作為肟磺酸酯化合物，例如可例舉以下述式(a1)表示的化合物。

上述式(a1)中，R ^20a表示1價、2價或者3價的有機基團，R ^21a表示取代或未取代的飽和烴基、不飽和烴基或者芳香族基團，n表示括號內的結構的重複單元數。

上述式(a1)中，作為芳香族基團，例如可例舉苯基、萘基等芳基或呋喃基、噻吩基等雜芳基。它們可以在環上具有1個以上的適當的取代基，例如鹵素原子、烷基、烷氧基、硝基等。另外，R ^21a特別優選碳原子數為1以上6以下的烷基，可例舉甲基、乙基、丙基、丁基。特別優選R ^20a為芳香族基團、R ^21a為碳原子數為1以上4以下的烷基的化合物。

作為以上述式(a1)表示的酸產生劑，在n=1時，可例舉R ^20a為苯基、甲基苯基、甲氧基苯基中的任一者，且R ^21a為甲基的化合物，具體而言，可例舉α-(甲基磺醯氧基亞胺基)-1-苯基乙腈、α-(甲基磺醯氧基亞胺基)-1-(p-甲基苯基)乙腈、α-(甲基磺醯氧基亞胺基)-1-(對甲氧基苯基)乙腈、[2-(丙基磺醯氧基亞胺基)-2,3-二羥基噻吩-3-亞基](鄰甲苯基)乙腈等。在n=2時，作為以上述式(a1)表示的化合物，具體而言，可例舉以下述式表示的化合物。

作為醯亞胺磺酸酯化合物，例如可例舉以下述式(a2)表示的化合物。

(式(a2)中，R ^22a是1價的有機基團，R ^23a～R ^28a分別獨立地為氫原子或者1價的有機基團，R ^23a與R ^24a、R ^24a與R ^25a、R ^25a與R ^26a、R ^26a與R ^27a、或者R ^27a與R ^28a可以分別相互鍵結而形成環。)

作為R ^22a的有機基團在不妨礙本發明的目的的範圍內沒有特別限定。該有機基團可以是烴基，也可以包含O、N、S、P、鹵素原子等雜原子。此外，該有機基團的結構可以為直鏈狀，也可以為支鏈狀，也可以為環狀，還可以為這些結構的組合。

作為R ^22a而優選的有機基團，可例舉可被鹵素原子以及/或者烷硫基取代的碳原子數為1以上18以下的脂肪族烴基、可具有取代基的碳原子數為6以上20以下的芳基、可具有取代基的碳原子數為7以上20以下的芳烷基、可具有取代基的碳原子數為7以上20以下的烷基芳基、樟腦-10-基、以及以下式(a2a)表示的基團。

(式(a2a)中，Y ¹為單鍵或者碳原子數為1以上4以下的烷二基。R ^29a以及R ^30a分別為可被鹵素原子取代的碳原子數為2以上6以下的烷二基或者可被鹵素原子取代的碳原子數為6以上20以下的伸芳基。R ^31a為可被鹵素原子取代的碳原子數為1以上18以下的烷基、碳原子數為3以上12以下的脂環式烴基、可被鹵素原子取代的碳原子數為6以上20以下的芳基、可被鹵素原子取代的碳原子數為7以上20以下的芳烷基。a以及b分別為0或者1，a以及b中的至少一方為1。)

在作為R ^22a的有機基團具有鹵素原子作為取代基的情況下，作為該鹵素原子，可例舉氯原子、溴原子、碘原子、氟原子。

在作為R ^22a的有機基團為被烷硫基取代而得的碳原子數為1以上18以下的烷基的情況下，烷硫基的碳原子數優選為1以上18以下。 作為碳原子數為1以上18以下的烷硫基，可例舉甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、異丁硫基、正戊硫基、異戊硫基、叔戊硫基、正己硫基、正庚硫基、異庚硫基、叔庚硫基、正辛硫基、異辛硫基、叔辛硫基、2-乙基己硫基、正壬硫基、正癸硫基、正十一烷硫基、正十二烷硫基、正十三烷硫基、正十四烷硫基、正十五烷硫基、正十六烷硫基、正十七烷硫基以及正十八烷硫基。

在作為R ^22a的有機基團為可被鹵素原子以及/或者烷硫基取代的碳原子數為1以上18以下的脂肪族烴基的情況下，該脂肪族烴基可以包含不飽和雙鍵。 此外，該脂肪族烴基的結構沒有特別限定，可以為直鏈狀，也可以為支鏈狀，也可以為環狀，還可以為這些結構的組合。

作為在作為R ^22a的有機基團為烯基的情況下的優選例，可例舉烯丙基、2-甲基-2-丙烯基。

作為在作為R ^22a的有機基團為烷基的情況下的優選例，可例舉甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、異丁基、正戊基、異戊基、叔戊基、正己基、正己烷-2-基、正己烷-3-基、正庚基、正庚烷-2-基、正庚烷-3-基、異庚基、叔庚基、正辛基、異辛基、叔辛基、2-乙基己基、正壬基、異壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基以及正十八烷基。

在作為R ^22a的有機基團為脂環式烴基的情況下，作為構成該脂環式烴基的主骨架的脂環式烴的例子，可例舉環丙烷、環丁烷、環戊烷、環己烷、環庚烷、環辛烷、環癸烷、雙環[2.1.1]己烷、雙環[2.2.1]庚烷、雙環[3.2.1]辛烷、雙環[2.2.2]辛烷以及金剛烷。作為脂環式烴基，優選從這些脂環式烴中去除1個氫原子而得的基團。

作為在作為R ^22a的有機基團為被鹵素原子取代而得的脂肪族烴基的情況下的優選例，可例舉三氟甲基、五氟乙基、2-氯乙基、2-溴乙基、七氟正丙基、3-溴丙基、九氟正丁基、十三氟正己基、十七氟正辛基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二氟乙基、1,1-二氟-正丙基、1,1,2,2-四氟-正丙基、3,3,3-三氟-正丙基、2,2,3,3,3-五氟-正丙基、2-降冰片基-1,1-二氟乙基、2-降冰片基四氟乙基以及3-金剛烷基-1,1,2,2-四氟丙基。

作為在作為R ^22a的有機基團為被烷硫基取代而得的脂肪族烴基的情況下的優選例，可例舉2-甲硫基乙基、4-甲硫基-正丁基以及2-正丁硫基乙基。

作為在作為R ^22a的有機基團為被鹵素原子以及烷硫基取代而得的脂肪族烴基的情況下的優選例，可例舉3-甲硫基-1,1,2,2-四氟-正丙基。

作為在作為R ^22a的有機基團為芳基的情況下的優選例，可例舉苯基、萘基、聯苯基。

作為在作為R ^22a的有機基團為被鹵素原子取代而得的芳基的情況下的優選例，可例舉五氟苯基、氯苯基、二氯苯基、三氯苯基。

作為在作為R ^22a的有機基團為被烷硫基取代而得的芳基的情況下的優選例，可例舉4-甲基硫苯基、4-正丁基硫苯基、4-正辛基硫苯基、4-正十二烷基硫苯基。

作為在作為R ^22a的有機基團為被鹵素原子以及烷硫基取代而得的芳基的情況下的優選例，可例舉1,2,5,6-四氟-4-甲基硫苯基、1,2,5,6-四氟-4-正丁基硫苯基、1,2,5,6-四氟-4-正十二烷基硫苯基。

作為在作為R ^22a的有機基團為芳烷基的情況下的優選例，可例舉苄基、苯乙基、2-苯基丙烷-2-基、二苯基甲基、三苯基甲基。

作為在作為R ^22a的有機基團為被鹵素原子取代而得的芳烷基的情況下的優選例，可例舉五氟苯基甲基、苯基二氟甲基、2-苯基四氟乙基、2-(五氟苯基)乙基。

作為在作為R ^22a的有機基團為被烷硫基取代而得的芳烷基的情況下的優選例，可例舉對甲硫基苄基。

作為在作為R ^22a的有機基團為被鹵素原子以及烷硫基取代而得的芳烷基的情況下的優選例，可例舉2-(2,3,5,6-四氟-4-甲硫基苯基)乙基。

作為在作為R ^22a的有機基團為烷基芳基的情況下的優選例，可例舉2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、3-異丙基苯基、4-異丙基苯基、4-正丁基苯基、4-異丁基苯基、4-叔丁基苯基、4-正己基苯基、4-環己基苯基、4-正辛基苯基、4-(2-乙基-正己基)苯基、2,3-二甲基苯基、2,4-二甲基苯基、2,5-二甲基苯基、2,6-二甲基苯基、3,4-二甲基苯基、3,5-二甲基苯基、2,4-二叔丁基苯基、2,5-二叔丁基苯基、2,6-二叔丁基苯基、2,4-二叔戊基苯基、2,5-二叔戊基苯基、2,5-二叔辛基苯基、2-環己基苯基、3-環己基苯基、4-環己基苯基、2,4,5-三甲基苯基、2,4,6-三甲基苯基、2,4,6-三異丙基苯基。

以式(a2a)表示的基團為含醚基的基團。 式(a2a)中，作為以Y ¹表示的碳原子數為1以上4以下的烷二基，可例舉亞甲基、乙烷-1,2-二基、乙烷-1,1-二基、丙烷-1,3-二基、丙烷-1,2-二基、丁烷-1,4-二基、丁烷-1,3-二基、丁烷-2,3-二基、丁烷-1,2-二基。 式(a2a)中，作為以R ^29a或者R ^30a表示的碳原子數為2以上6以下的烷二基，可例舉乙烷-1,2-二基、丙烷-1,3-二基、丙烷-1,2-二基、丁烷-1,4-二基、丁烷-1,3-二基、丁烷-2,3-二基、丁烷-1,2-二基、戊烷-1,5-二基、戊烷-1,3-二基、戊烷-1,4-二基、戊烷-2,3-二基、己烷-1,6-二基、己烷-1,2-二基、己烷-1,3-二基、己烷-1,4-二基、己烷-2,5-二基、己烷-2,4-二基、己烷-3,4-二基。

式(a2a)中，在R ^29a或者R ^30a為被鹵素原子取代而得的碳原子數為2以上6以下的烷二基的情況下，作為鹵素原子，可例舉氯原子、溴原子、碘原子以及氟原子。作為被鹵素原子取代而得的烷二基的例子，可例舉四氟乙烷-1,2-二基、1,1-二氟乙烷-1,2-二基、1-氟乙烷-1,2-二基、1,2-二氟乙烷-1,2-二基、六氟丙烷-1,3-二基、1,1,2,2,-四氟丙烷-1,3-二基、1,1,2,2,-四氟戊烷-1,5-二基。

式(a2a)中，作為在R ^29a或者R ^30a為伸芳基的情況下的例子，可例舉1,2-伸苯基、1,3-伸苯基、1,4-伸苯基、2,5-二甲基-1,4-伸苯基、聯苯基-4,4’-二基、二苯基甲烷-4,4’-二基、2,2,-二苯基丙烷-4,4’-二基、萘-1,2-二基、萘-1,3-二基、萘-1,4-二基、萘-1,5-二基、萘-1,6-二基、萘-1,7-二基、萘-1,8-二基、萘-2,3-二基、萘-2,6-二基、萘-2,7-二基。

式(a2a)中，在R ^29a或者R ^30a為被鹵素原子取代而得的伸芳基的情況下，作為鹵素原子，可例舉氯原子、溴原子、碘原子以及氟原子。作為被鹵素原子取代而得的伸芳基的例子，可例舉2,3,5,6-四氟-1,4-伸苯基。

式(a2a)中，作為以R ^31a表示的可具有支鏈的碳原子數為1以上18以下的烷基，可例舉甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、異丁基、正戊基、異戊基、叔戊基、正己基、正己烷-2-基、正己烷-3-基、正庚基、正庚烷-2-基、正庚烷-3-基、異庚基、叔庚基、正辛基、異辛基、叔辛基、2-乙基己基、正壬基、異壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基。

式(a2a)中，在R ^31a為被鹵素原子取代而得的碳原子數為1以上18以下的烷基的情況下，作為鹵素原子，可例舉氯原子、溴原子、碘原子以及氟原子。作為被鹵素原子取代而得的烷基的例子，可例舉三氟甲基、五氟乙基、七氟正丙基、九氟正丁基、十三氟正己基、十七氟正辛基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二氟乙基、1,1-二氟-正丙基、1,1,2,2-四氟-正丙基、3,3,3-三氟-正丙基、2,2,3,3,3-五氟-正丙基、1,1,2,2-四氟十四烷基。

式(a2a)中，在R ^31a為碳原子數為3以上12以下的脂環式烴基的情況下，作為構成該脂環式烴基的主骨架的脂環式烴的例子，可例舉環丙烷、環丁烷、環戊烷、環己烷、環庚烷、環辛烷、環癸烷、雙環[2.1.1]己烷、雙環[2.2.1]庚烷、雙環[3.2.1]辛烷、雙環[2.2.2]辛烷以及金剛烷。作為脂環式烴基，優選從這些脂環式烴中去除1個氫原子而得的基團。

式(a2a)中，在R ^31a為芳基、鹵化芳基、芳烷基、鹵化芳烷基的情況下，這些基團的優選例與R ^22a為這些基團的情況相同。

在以式(a2a)表示的基團中，優選的基團為以R ^29a表示的基團中與硫原子鍵結的碳原子被氟原子取代而得的基團。上述優選的基團的碳原子數優選為2以上18以下。

作為R ^22a，優選碳原子數為1以上8以下的全氟烷基。此外，從容易形成高精細的阻劑圖型的觀點出發，樟腦-10-基也優選作為R ^22a。

式(a2)中，R ^23a～R ^28a為氫原子或者1價的有機基團。此外，R ^23a與R ^24a、R ^24a與R ^25a、R ^25a與R ^26a、R ^26a與R ^27a、或者R ^27a與R ^28a可以分別相互鍵結而形成環。例如，可以通過使R ^25a與R ^26a鍵結而與萘環一起形成五員環，從而形成苊骨架。

作為1價的有機基團，優選可被脂環式烴基、雜環基(heterocyclyl group)或者鹵素原子取代且可具有支鏈的碳原子數為4以上18以下的烷基、烷氧基；雜環氧基；可被脂環式烴基、雜環基(heterocyclyl group)或者鹵素原子取代且可具有支鏈的碳原子數為4以上18以下的烷硫基；雜環硫基。 此外，還優選為該烷氧基的與氧原子不相鄰的任意位置的亞甲基被-CO-取代而得的基團。 還優選為該烷氧基被-O-CO-鍵或者-O-CO-NH-鍵中斷而得的基團。另外，-O-CO-鍵以及-O-CO-NH-鍵的左端是靠近烷氧基中的萘二甲酸母核的一側。 進而，可被脂環式烴基、雜環基或者鹵素原子取代且可具有支鏈的碳原子數為4以上18以下的烷硫基也優選作為R ^23a～R ^28a。 還優選為該烷硫基的與硫原子不相鄰的任意位置的亞甲基被-CO-取代而得的基團。 還優選為該烷硫基被-O-CO-鍵或者-O-CO-NH-鍵中斷而得的基團。另外，-O-CO-鍵以及-O-CO-NH-鍵的左端是靠近烷硫基中的萘二甲酸母核的一側。

作為R ^23a～R ^28a，優選R ^24a為有機基團、R ^23a以及R ^25a～R ^28a為氫原子，或者R ^25a為有機基團、R ^23a、R ^24a以及R ^26a～R ^28a為氫原子。此外，R ^23a～R ^28a也可以全部為氫原子。

作為R ^23a～R ^28a為未取代的烷基的情況下的例子，可例舉正丁基、仲丁基、叔丁基、異丁基、正戊基、異戊基、叔戊基、正己基、正庚基、異庚基、叔庚基、正辛基、異辛基、叔辛基、2-乙基己基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基。

作為R ^23a～R ^28a為未取代的烷氧基的情況下的例子，可例舉正丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、異丁氧基、正戊氧基、異戊氧基、叔戊氧基、正己氧基、正庚氧基、異庚氧基、叔庚氧基、正辛氧基、異辛氧基、叔辛氧基、2-乙基己基、正壬氧基、正癸氧基、正十一烷氧基、正十二烷氧基、正十三烷氧基、正十四烷氧基、正十五烷氧基、正十六烷氧基、正十七烷氧基、正十八烷氧基。

作為R ^23a～R ^28a為未取代的烷硫基的情況下的例子，可例舉正丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、異丁硫基、正戊硫基、異戊硫基、叔戊硫基、正己硫基、正庚硫基、異庚硫基、叔庚硫基、正辛硫基、異辛硫基、叔辛硫基、2-乙基己硫基、正壬硫基、正癸硫基、正十一烷硫基、正十二烷硫基、正十三烷硫基、正十四烷硫基、正十五烷硫基、正十六烷硫基、正十七烷硫基、正十八烷硫基。

在R ^23a～R ^28a為被脂環式烴基取代而得的烷基、烷氧基或者烷硫基的情況下，作為構成脂環式烴基的主骨架的脂環式烴的例子，可例舉環丙烷、環丁烷、環戊烷、環己烷、環庚烷、環辛烷、環癸烷、雙環[2.1.1]己烷、雙環[2.2.1]庚烷、雙環[3.2.1]辛烷、雙環[2.2.2]辛烷以及金剛烷。作為脂環式烴基，優選從這些脂環式烴中去除1個氫原子而得的基團。

在R ^23a～R ^28a為被雜環基取代而得的烷基、烷氧基或者烷硫基的情況下，或者在R ^23a～R ^28a為雜環氧基的情況下，作為構成雜環基或者雜環氧基的主骨架的雜環的例子，可例舉吡咯、噻吩、呋喃、吡喃、硫吡喃、咪唑、吡唑、噻唑、異噻唑、噁唑、異噁唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、噠嗪、吡咯烷、吡唑烷、咪唑烷、異噁唑烷、異噻唑烷、哌啶、哌嗪、嗎啉、硫代嗎啉、色滿、硫色滿、異色滿、異硫色滿、吲哚啉、異吲哚啉、4-氮茚、吲哚嗪、吲哚、吲唑、嘌呤、喹嗪、異喹啉、喹啉、萘啶、酞嗪、喹噁啉、喹唑啉、噌啉、喋啶、吖啶、呸啶、菲咯啉、咔唑、咔啉、吩嗪、三氮蒽、噻二唑、噁二唑、三嗪、三唑、四唑、苯并咪唑、苯并噁唑、苯并噻唑、苯并噻二唑、苯并呋咱、萘并咪唑、苯并三唑、四氮雜茚。此外，還優選為使這些雜環中具有共軛鍵的環氫化而得的飽和雜環。 作為取代烷基、烷氧基或者烷硫基的雜環基、或者雜環氧基中所含的雜環基，優選為從上述雜環中去除1個氫原子而得的基團。

作為R ^23a～R ^28a為包含脂環式烴基的烷氧基的情況下的例子，可例舉環戊基氧基、甲基環戊基氧基、環己基氧基、氟環己基氧基、氯環己基氧基、環己基甲基氧基、甲基環己基氧基、降冰片基氧基、乙基環己基氧基、環己基乙基氧基、二甲基環己基氧基、甲基環己基甲基氧基、降冰片基甲基氧基、三甲基環己基氧基、1-環己基丁基氧基、金剛烷基氧基、薄荷基氧基、正丁基環己基氧基、叔丁基環己基氧基、冰片基氧基、異冰片基氧基、十氫萘基氧基、二環戊二烯氧基、1-環己基戊基氧基、甲基金剛烷基氧基、金剛烷基甲基氧基、4-戊基環己基氧基、環己基環己基氧基、金剛烷基乙基氧基、二甲基金剛烷基氧基。

作為R ^23a～R ^28a為雜環氧基的情況下的例子，可例舉四氫呋喃基氧基、糠基氧基、四氫糠基氧基、四氫吡喃基氧基、丁內酯基氧基、吲哚基氧基。

作為R ^23a～R ^28a為包含脂環式烴基的烷硫基的情況下的例子，可例舉環戊基硫基、環己基硫基、環己基甲硫基、降冰片基硫基、異降冰片基硫基。

作為R ^23a～R ^28a為雜環硫基的情況下的例子，可例舉糠基硫基、四氫呋喃基硫基。

作為R ^23a～R ^28a為烷氧基的與氧原子不相鄰的任意位置的亞甲基被-CO-取代而得的基團的情況下的例子，可例舉2-酮丁基-1-氧基、2-酮戊基-1-氧基、2-酮己基-1-氧基、2-酮庚基-1-氧基、2-酮辛基-1-氧基、3-酮丁基-1-氧基、4-酮戊基-1-氧基、5-酮己基-1-氧基、6-酮庚基-1-氧基、7-酮辛基-1-氧基、3-甲基-2-酮戊烷-4-氧基、2-酮戊烷-4-氧基、2-甲基-2-酮戊烷-4-氧基、3-酮庚烷-5-氧基、2-金剛烷酮-5-氧基。

作為R ^23a～R ^28a為烷硫基的與硫原子不相鄰的任意位置的亞甲基被-CO-取代而得的基團的情況下的例子，可例舉2-酮丁基-1-硫基、2-酮戊基-1-硫基、2-酮己基-1-硫基、2-酮庚基-1-硫基、2-酮辛基-1-硫基、3-酮丁基-1-硫基、4-酮戊基-1-硫基、5-酮己基-1-硫基、6-酮庚基-1-硫基、7-酮辛基-1-硫基、3-甲基-2-酮戊烷-4-硫基、2-酮戊烷-4-硫基、2-甲基-2-酮戊烷-4-硫基、3-酮庚烷-5-硫基。

作為以式(a2)表示的化合物的具體例，可例舉以下的化合物。

作為醯亞胺磺酸酯化合物，還可例舉以下述式(a3)表示的化合物。

式(a3)中，R ^b1為碳原子數為1以上30以下的烴基。 在作為R ^b1的烴基包含1個以上的亞甲基的情況下，至少一部分亞甲基可以被從-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-SO-、-SO ₂-、-CR ^b4R ^b5-以及-NR ^b6-構成的群組中選擇的基團取代。 在作為R ^b1的烴基包含烴環的情況下，構成烴環的至少1個碳原子可以被從N、O、P、S以及Se構成的群組中選擇的雜原子或者包含該雜原子的原子團取代。 R ^b4以及R ^b5分別獨立地為氫原子或者鹵素原子，R ^b4以及R ^b5中的至少一方為鹵素原子。 R ^b6為氫原子或者碳原子數為1以上6以下的烴基。 R ^a1以及R ^a2分別獨立地為氫原子、可具有取代基的碳原子數為1以上20以下的脂肪族烴基、可具有取代基的環構成原子數為5以上20以下的芳香族基團或者以-R ^a3-R ^a4表示的基團。 R ^a1以及R ^a2不同時為氫原子。 在作為R ^a1或者R ^a2的脂肪族烴基包含1個以上的亞甲基的情況下，至少一部分亞甲基可以被從-O-、-S-、-CO-、 -CO-O-、-SO-、-SO ₂-以及-NR ^a5-構成的群組中選擇的基團取代。 R ^a5為氫原子或者碳原子數為1以上6以下的烴基。 R ^a3為亞甲基、-O-、-CO-、-CO-O-、-SO-、-SO ₂-或者-NR ^a6-。 R ^a6為氫原子或者碳原子數為1以上6以下的烴基。 R ^a4為可具有取代基的環構成原子數為5以上20以下的芳香族基團、碳原子數為1以上6以下的全氟烷基、可具有取代基的碳原子數為7以上20以下的芳烷基、或者包含可具有取代基的環構成原子數為5以上20以下的芳香族雜環基的雜芳基烷基。 Q ¹以及Q ²分別獨立地為氟原子或者碳原子數為1以上6以下的全氟烷基。 L為酯鍵。

式(a3)中，作為R ^a1以及R ^a2的碳原子數為1以上20以下的脂肪族烴基可以為直鏈狀，也可以為支鏈狀，也可以為環狀，還可以為這些結構的組合。 作為脂肪族烴基，優選為烷基。作為烷基的優選的具體例，可例舉甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基以及正癸基。 作為R ^a1以及R ^a2的碳原子數為1以上20以下的脂肪族烴基可具有的取代基，可例舉羥基、巰基、胺基、鹵素原子、氧原子、硝基、氰基等。取代基的數量是任意的。作為R ^a1以及R ^a2的具有取代基的碳原子數為1以上20以下的脂肪族烴基，例如可例舉碳原子數為1以上6以下的全氟烷基。作為其具體例，可例舉CF ₃-、CF ₃CF ₂-、(CF ₃) ₂CF-、CF ₃CF ₂CF ₂-、CF ₃CF ₂CF ₂CF ₂-、(CF ₃) ₂CFCF ₂-、 CF ₃CF ₂(CF ₃)CF-、(CF ₃) ₃C-。

式(a3)中，作為R ^a1以及R ^a2的可具有取代基的環構成原子數為5以上20以下的芳香族基團，可以為芳香族烴基，也可以為芳香族雜環基。 作為芳香族基團，可例舉苯基、萘基等芳基或呋喃基、噻吩基等雜芳基。 環構成原子數為5以上20以下的芳香族基團可具有的取代基與作為R ^a1以及R ^a2的碳原子數為1以上20以下的脂肪族烴基可具有的取代基相同。

式(a3)中，作為R ^a4的可具有取代基的環構成原子數為5以上20以下的芳香族基團與對R ^a1以及R ^a2說明的可具有取代基的環構成原子數為5以上20以下的芳香族基團相同。 式(a3)中，作為R ^a4的碳原子數為1以上6以下的全氟烷基與作為R ^a1以及R ^a2說明的碳原子數為1以上6以下的全氟烷基相同。 式(a3)中，作為R ^a4的可具有取代基的碳原子數為7以上20以下的芳烷基的具體例，可例舉苄基、苯乙基、α-萘基甲基、β-萘基甲基、2-α-萘基乙基以及2-β-萘基乙基等。 式(a3)中，雜芳基烷基是指芳基烷基中的構成芳香族烴環的一部分碳原子被N、O或S等雜原子取代而得的基團。作為R ^a4的包含可具有取代基的環構成原子數為5以上20以下的芳香族雜環基的雜芳基烷基的具體例，可例舉吡啶-2-基甲基、吡啶-3-基甲基、吡啶-4-基甲基等。

式(a3)中，作為R ^a5的碳原子數為1以上6以下的烴基可以為脂肪族烴基，也可以為芳香族烴基，還可以為脂肪族烴基與芳香族烴基的組合。脂肪族烴基可以為直鏈狀，也可以為支鏈狀，也可以為環狀，還可以為這些結構的組合。 作為脂肪族烴基，可例舉甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基等烷基。 作為芳香族烴基，可例舉苯基。

式(a3)中，作為R ^a6的碳原子數為1以上6以下的烴基與對R ^a5說明的碳原子數為1以上6以下的烴基相同。

式(a3)中，作為R ^b1的碳原子數為1以上30以下的烴基可以為脂肪族烴基，也可以為芳香族烴基，還可以為脂肪族烴基與芳香族烴基的組合。脂肪族烴基可以為直鏈狀，也可以為支鏈狀，也可以為環狀，還可以為這些結構的組合。 作為脂肪族烴基，可例舉甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基等鏈狀的脂肪族烴基、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、金剛烷基、降冰片基等環狀的脂肪族烴基(烴環)。 作為芳香族烴基，可例舉苯基、萘基。 作為將脂肪族烴基以及芳香族烴基組合而得的基團，可例舉苄基、苯乙基、呋喃基甲基。 在作為R ^b1的烴基包含烴環的情況下，作為取代構成烴環的至少1個碳原子的包含雜原子的原子團，可例舉   -CO-、-CO-O-、-SO-、-SO ₂-、-SO ₂-O-、-P(=O)-(OR ^b7) ₃。R ^b7為碳原子數為1以上6以下的烴基，與對R ^a5說明的碳原子數為1以上6以下的烴基相同。

式(a3)中，作為R ^b4以及R ^b5的鹵素原子的具體例，可例舉氯原子、氟原子、溴原子以及碘原子。

式(a3)中，作為R ^b6的碳原子數為1以上6以下的烴基，與式(a3)中作為R ^a5說明的碳原子數為1以上6以下的烴基相同。

式(a3)中，作為Q ¹以及Q ²的碳原子數為1以上6以下的全氟烷基，與式(a3)中作為R ^a1以及R ^a2說明的碳原子數為1以上6以下的全氟烷基相同。

在以式(a3)表示的化合物中，作為L的酯鍵的方向沒有特別限定，可以是-CO-O-以及-O-CO-中的任一個。

以式(a3)表示的化合物優選為以下述式(a3-1)表示的化合物。

式(a3-1)中的R ^b1、R ^a1、Q ¹以及Q ²與式(a3)中的這些相同。)

式(a3-1)中的R ^a1為可具有取代基的碳原子數為1以上20以下的脂肪族烴基，在作為R ^a1的脂肪族烴基包含1個以上的亞甲基的情況下，優選為至少一部分亞甲基可以被從-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-SO-、-SO ₂-以及   -NR ^a5-構成的群組中選擇的基團取代的、以式(a3-1)表示的化合物。

以式(a3)表示的化合物能夠通過以下的N-有機磺醯氧基化合物的製造方法來製造。 在能夠製造以式(a3)表示的化合物的N-有機磺醯氧基化合物的製造方法中，包括使N-羥基化合物(a’)與磺醯氟化合物(b’)在鹼性化合物(d’)的存在下進行反應，其特徵在於，在使N-羥基化合物(a’)與磺醯氟化合物(b’)反應時，系統中存在矽烷化劑(c’)，磺醯氟化合物(b’)以下述式(b1-1)表示，矽烷化劑(c’)可以將N-羥基化合物(a’)所具有的氮原子上的羥基轉化為以下述式(ac1)表示的甲矽烷氧基。

(式(ac1)中，R ^c1分別獨立地為碳原子數為1以上10以下的烴基。)

(式(b1-1)中，R ^b1、L、Q ¹以及Q ²分別與上述式(a3)中的這些相同。)

此外，在能夠製造以式(a3)表示的化合物的N-有機磺醯氧基化合物的製造方法中，包括：矽烷化步驟，利用矽烷化劑(c’)使N-羥基化合物(a’)矽烷化；縮合步驟，使在矽烷化步驟中生成的N-羥基化合物(a’)的矽烷化物在鹼性化合物(d’)的存在下，與磺醯氟化合物(b’)縮合，磺醯氟化合物(b’)以上述式(b1-1)表示，矽烷化劑可以將N-羥基化合物(a’)所具有的氮原子上的羥基轉化為以上述式(ac1)表示的甲矽烷氧基。

N-羥基化合物(a’)是以下述式(a3-2)表示的化合物。

式(a3-2)中的R ^a1以及R ^a2與上述式(a3)中的這些相同。

N-羥基化合物(a’)能夠通過例如國際公開第2014/084269號手冊、日本特表2017-535595號公報中公開的那樣的常規方法來合成。例如，以市售的溴化物為起始物質，通過以下述式所示的反應將萘二甲酸酐上的溴基轉化為R ^a1之後，使羥胺鹽酸鹽等羥胺化合物作用於酸酐基來進行N-羥基醯亞胺化，由此能夠合成以式(a3-2)表示的R ^a2為氫原子的化合物。此外，作為N-羥基化合物(a’)，可以使用市售品。

磺醯氟化合物(b’)能夠通過常規方法合成。例如，在(b1-1)中，Q ¹以及Q ²為氟原子的化合物能夠通過以下述式表示的反應來合成。此外，作為磺醯氟化合物(b’)，可以使用市售品。

式(ac1)中，作為R ^c1的碳原子數為1以上10以下的烴基可以為脂肪族烴基，也可以為芳香族烴基，還可以為脂肪族烴基與芳香族烴基的組合。脂肪族烴基可以為直鏈狀，也可以為支鏈狀，也可以為環狀，還可以為這些結構的組合。 作為脂肪族烴基，可例舉甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基以及正癸基等烷基。 作為芳香族烴基，可例舉苯基、萘基。

作為矽烷化劑(c’)，可例舉以下述式(c’1)表示的化合物。

(式(c’1)中，R ^c1與式(ac1)中的R ^c1相同，X為鹵素原子。)

式(c’1)中，作為X的鹵素原子的具體例，可例舉氯原子、氟原子、溴原子以及碘原子。

作為矽烷化劑(c’)的具體例，可例舉三甲基氯矽烷、三甲基氟矽烷、三甲基溴矽烷、叔丁基二甲基氯矽烷、乙基二甲基氯矽烷、異丙基二甲基氯矽烷。

鹼性化合物(d’)可以是有機鹼，也可以是無機鹼。 作為有機鹼，例如，可例舉含氮鹼性化合物，作為具體例，可例舉甲胺、乙胺、正丙胺、異丙胺、正丁胺、二甲胺、二乙胺、二正丙胺、二異丙胺、二正丁胺、三甲胺、三乙胺、甲基二乙胺、N-乙基二異丙胺、三正丙胺、三異丙胺、單乙醇胺、二乙醇胺以及三乙醇胺等胺類；吡咯、哌啶、1,8-二氮雜雙環[5,4,0]-7-十一碳烯以及1,5-二氮雜雙環[4,3,0]-5-壬烷等環狀鹼性化合物；四甲基氫氧化銨(TMAH)、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨(TPAH)、四丁基氫氧化銨、甲基三丙基氫氧化銨、甲基三丁基氫氧化銨、苄基三甲基氫氧化銨、苄基三乙基氫氧化銨以及三甲基(2-羥乙基)氫氧化銨等季銨鹽等。 作為無機鹼，例如可例舉金屬氫氧化物、金屬碳酸氫鹽以及金屬重碳酸鹽。作為無機鹼的具體例，可例舉氫氧化鋰、氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銣、氫氧化銫、氫氧化鎂、氫氧化鈣、氫氧化鍶以及氫氧化鋇等金屬氫氧化物；碳酸鋰、碳酸鉀、碳酸鈉、碳酸銣、碳酸銫、碳酸鎂、碳酸鈣、碳酸鍶以及碳酸鋇等金屬碳酸鹽；碳酸氫鋰、碳酸氫鉀、碳酸氫鈉、碳酸氫銣以及碳酸氫銫等金屬重碳酸鹽等。

在N-有機磺醯氧基化合物的製造方法中，使這樣的N-羥基化合物(a’)與磺醯氟化合物(b’)在矽烷化劑(c’)以及鹼性化合物(d’)的存在下進行反應。 像這樣，在使N-羥基化合物(a’)與磺醯氟化合物(b’)在鹼性化合物(d’)的存在下進行反應時，通過使矽烷化劑(c’)存在，從而能夠高效地製造N-有機磺醯氧基化合物。例如，相對於原料的N-羥基化合物(a’)以及磺醯氟化合物(b’)，能夠以65%以上得到N-有機磺醯氧基化合物。

通過N-有機磺醯氧基化合物的製造方法，可得到具有N-羥基化合物(a’)的與氮原子鍵結的羥基的氫原子被去除的基團、和源自磺醯氟化合物(b’)的R ^b1-SO ₂-鍵結而得的結構的N-有機磺醯氧基化合物。

在N-有機磺醯氧基化合物的製造方法中，在使N-羥基化合物(a’)與磺醯氟化合物(b’)在鹼性化合物(d’)的存在下進行反應時，只要系統中存在矽烷化劑(c’)即可，可以同時混合N-羥基化合物(a’)、磺醯氟化合物(b’)、矽烷化劑(c’)以及鹼性化合物(d’)，也可以在使N-羥基化合物(a’)與矽烷化劑(c’)部分反應後或者使N-羥基化合物(a’)與矽烷化劑(c’)完成反應後，再添加磺醯氟(b’)以及鹼性化合物(d’)。

若使這樣的N-羥基化合物(a’)與磺醯氟化合物(b’)在矽烷化劑(c’)以及鹼性化合物(d’)的存在下進行反應，則N-羥基化合物(a’)被矽烷化劑(c’)矽烷化，使氮原子上的羥基被轉化為以上述式(ac1)表示的甲矽烷氧基(步驟1：矽烷化步驟)。 然後，使在矽烷化步驟中生成的N-羥基化合物(a’)的矽烷化物與鹼性化合物(d’)作用的磺醯氟化合物(b’)進行縮合(步驟2：縮合步驟)。由此，可得到N-有機磺醯氧基化合物。

作為N-有機磺醯氧基化合物的製造方法的一例，在以下示出使用以上述式(a3-2)表示的化合物作為N-羥基化合物(a’)、使用在上述式(b1-1)中Q ¹以及Q ²為氟原子的化合物作為磺醯氟化合物(b’)、使用三甲基氯矽烷作為矽烷化劑(c’)、使用三乙胺作為鹼性化合物(d’)的情況下的反應式。另外，以下所示的不是分析確認的反應機構，而是根據原料與其反應中的行為推定的反應機構。

作為能夠在反應中採用的有機溶劑，例如可例舉乙酸乙酯、乙酸丁酯、溶纖劑乙酸酯等酯類；丙酮、甲基乙基酮、異丁基酮、甲基異丁基酮等酮類；乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙二酸二乙酯等酯類；N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲醯胺等醯胺類；二乙醚、乙基環戊醚、四氫呋喃、二噁烷等醚類；甲苯、二甲苯等芳香族烴類；己烷、庚烷、辛烷、十氫化萘等脂肪族烴類；氯仿、二氯甲烷(dichloromethane)、二氯甲烷(methylene chloride)、二氯乙烷等鹵化烴類；乙腈、丙腈等腈類溶劑；二甲亞碸、二甲磺醯胺等。所使用的溶劑可以使用1種溶劑，也可以任意組合使用2種以上。 作為能夠採用的反應溫度，例如在-10℃～200℃的範圍內，優選在0℃～150℃的範圍內，更優選在5℃～120℃的範圍內。 作為能夠採用的反應時間，例如為5分鐘以上20小時以下，為10分鐘以上15小時以下，為30分鐘以上12小時以下。

相對於N-羥基化合物(a’)，優選分別過量地使用磺醯氟化合物(b’)、矽烷化劑(c’)以及鹼性化合物(d’)。例如，相對於1.0莫耳N-羥基化合物(a’)，優選以1.1莫耳以上2.5莫耳以下使用磺醯氟化合物(b’)、以1.1莫耳以上2.5莫耳以下使用矽烷化劑(c’)、以1.1莫耳以上2.5莫耳以下使用鹼性化合物(d’)。

酸產生劑(A)可以包含通過活性光線或放射線的照射而產生磺酸的非離子類酸產生劑以外的酸產生劑。 通過活性光線或放射線的照射而產生磺酸的非離子類酸產生劑的質量相對於酸產生劑(A)的質量的比率優選為5質量%以上，更優選為10質量%以上，進一步優選為25質量%以上。

酸產生劑(A)整體的含量相對於感光性樹脂組成物的總固體成分量優選為0.01質量%以上20質量%以下，更優選為0.03質量%以上10質量%以下，特別優選為0.05質量%以上8質量%以下。在本說明書中，固體成分是指有機溶劑(S)以及水以外的成分。 此外，通過活性光線或放射線的照射而產生磺酸的非離子類酸產生劑相對於感光性樹脂組成物的總固體成分量優選為0.01質量%以上20質量%以下，更優選為0.03質量%以上10質量%以下，特別優選為0.05質量%以上8質量%以下。

＜樹脂(B)＞ 作為對鹼的溶解性因酸的作用而增大的樹脂(B)，並沒有特別地限定，能夠使用任意的對鹼的溶解性因酸的作用而增大的樹脂。其中，優選含有從酚醛清漆樹脂(B1)、聚羥基苯乙烯樹脂(B2)以及丙烯酸樹脂(B3)構成的群組中選擇的至少1種樹脂。

[酚醛清漆樹脂(B1)] 作為酚醛清漆樹脂(B1)，能夠使用包含以下述式(b-11)表示的結構單元的樹脂。

上述式(b-11)中，R ^1b表示酸解離性溶解抑制基團，R ^2b、R ^3b分別獨立地表示氫原子或者碳原子數為1以上6以下的烷基。

作為以上述R ^1b表示的酸解離性溶解抑制基團，優選以下述式(b-12)、(b-13)表示的基團、碳原子數為1以上6以下的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基、乙烯基氧基乙基、四氫吡喃基、四氫呋喃基或者三烷基甲矽烷基。

上述式(b-12)、(b-13)中，R ^4b、R ^5b分別獨立地表示氫原子、或者碳原子數為1以上6以下的直鏈狀或支鏈狀的烷基，R ^6b表示碳原子數為1以上10以下的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基，R ^7b表示碳原子數為1以上6以下的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基，o表示0或者1。

作為上述直鏈狀或支鏈狀的烷基，可例舉甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、戊基、異戊基、新戊基等。另外，作為上述環狀的烷基，可例舉環戊基、環己基等。

在此，作為以上述式(b-12)表示的酸解離性溶解抑制基團，具體來說，可例舉甲氧基乙基、乙氧基乙基、正丙氧基乙基、異丙氧基乙基、正丁氧基乙基、異丁氧基乙基、叔丁氧基乙基、環己氧基乙基、甲氧基丙基、乙氧基丙基、1-甲氧基-1-甲基-乙基、1-乙氧基-1-甲基乙基等。此外，作為以上述式(b-13)表示的酸解離性溶解抑制基團，具體來說，可例舉叔丁氧基羰基、叔丁氧基羰基甲基等。此外，作為上述三烷基甲矽烷基，可例舉三甲基甲矽烷基、三叔丁基二甲基甲矽烷基等各烷基的碳原子數為1以上6以下的基團。

[聚羥基苯乙烯樹脂(B2)] 作為聚羥基苯乙烯樹脂(B2)，能夠使用包含以下述式(b4)表示的結構單元的樹脂。

上述式(b4)中，R ^8b表示氫原子或者碳原子數為1以上6以下的烷基，R ^9b表示酸解離性溶解抑制基團。

上述碳原子數為1以上6以下的烷基例如為碳原子數為1以上6以下的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基。作為直鏈狀或支鏈狀的烷基，可例舉甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、戊基、異戊基、新戊基等，作為環狀的烷基，可例舉環戊基、環己基等。

作為上述以R ^9b表示的酸解離性溶解抑制基團，能夠使用與上述式(b-12)、(b-13)中例示的酸解離性溶解抑制基團同樣的酸解離性溶解抑制基團。

此外，出於適度地控制物理、化學特性的目的，聚羥基苯乙烯樹脂(B2)能夠包含其他的聚合性化合物作為結構單元。作為這樣的聚合性化合物，可例舉公知的自由基聚合性化合物、陰離子聚合性化合物。此外，作為這樣的聚合性化合物，例如能夠例舉丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸等一元羧酸類；馬來酸、富馬酸、衣康酸等二元羧酸類；2-甲基丙烯醯氧基乙基琥珀酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基馬來酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基鄰苯二甲酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基六氫鄰苯二甲酸等具有羧基以及酯鍵的甲基丙烯酸衍生物類；(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯等(甲基)丙烯酸烷基酯類；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯類；(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸芳基酯類；馬來酸二乙酯、富馬酸二丁酯等二元羧酸二酯類；苯乙烯、α-甲基苯乙烯、氯苯乙烯、氯甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、羥基苯乙烯、α-甲基羥基苯乙烯、α-乙基羥基苯乙烯等含乙烯基的芳香族化合物類；乙酸乙烯酯等含乙烯基的脂肪族化合物類；丁二烯、異戊二烯等共軛二烯烴類；丙烯腈、甲基丙烯腈等含腈基的聚合性化合物類；氯乙烯、偏二氯乙烯等含氯的聚合性化合物；丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺等含醯胺鍵的聚合性化合物類等。

[丙烯酸樹脂(B3)] 作為丙烯酸樹脂(B3)，只要是對鹼的溶解性因酸的作用而增大的丙烯酸樹脂、且是一直以來摻混在各種感光性樹脂組成物中的丙烯酸樹脂，就沒有特別地限定。另外，在本申請的說明書以及申請專利的範圍中，將後述的包含以式(b5)～式(b7)表示的具有酸解離性基團的源自(甲基)丙烯酸酯的結構單元的樹脂定義為丙烯酸樹脂(B3)。 例如，丙烯酸樹脂(B3)優選為含有從包含例如含-SO ₂-環式基或者含內酯環式基的丙烯酸酯衍生的結構單元(b-3)。在該情況下，在形成阻劑圖型時，容易形成具有優選的截面形狀的阻劑圖型。

(含-SO ₂-環式基) 在此，「含-SO ₂-環式基」表示在其環骨架中含有包含-SO ₂-的環的環式基，具體而言，為-SO ₂-中的硫原子(S)形成環式基的環骨架的一部分的環式基。在該環骨架中將包含-SO ₂-的環計作第1個環，在只有該環的情況下稱為單環式基，在還具有其他環結構的情況下不論其結構如何均稱為多環式基。含-SO ₂-環式基可以是單環式的，也可以是多環式的。

含-SO ₂-環式基特別優選為在其環骨架中包含-O-SO ₂-的環式基，即含有-O-SO ₂-中的-O-S-形成為環骨架的一部分的磺內酯(sultone)環的環式基。

含-SO ₂-環式基的碳原子數優選為3以上30以下，更優選為4以上20以下，進一步優選為4以上15以下，特別優選為4以上12以下。該碳原子數是構成環骨架的碳原子的數量，不包含取代基中的碳原子數。

含-SO ₂-環式基可以為含-SO ₂-的脂肪族環式基，也可以為含-SO ₂-的芳香族環式基。優選為含-SO ₂-的脂肪族環式基。

作為含-SO ₂-的脂肪族環式基，可例舉從構成其環骨架的碳原子的一部分被-SO ₂-或者-O-SO ₂-取代後的脂肪族烴環中去除至少1個氫原子而得的基團。更具體而言，可例舉從構成其環骨架的-CH ₂-被-SO ₂-取代後的脂肪族烴環中去除至少1個氫原子而得的基團、從構成其環的-CH ₂-CH ₂-被-O-SO ₂-取代後的脂肪族烴環中去除至少1個氫原子而得的基團等。

該脂環式烴環的碳原子數優選為3以上20以下，更優選為3以上12以下。該脂環式烴環可以是多環式的，也可以是單環式的。作為單環式的脂環式烴基，優選為從碳原子數為3以上6以下的單環烷烴中去除2個氫原子而得的基團。作為該單環烷烴，能夠例示環戊烷、環己烷等。作為多環式的脂環式烴環，優選為從碳原子數為7以上12以下的多環烷烴中去除2個氫原子而得的基團，作為該多環烷烴，具體而言，可例舉金剛烷、降冰片烷、異冰片烷、三環癸烷、四環十二烷等。

含-SO ₂-環式基可以具有取代基。作為該取代基，可例舉例如烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、氧原子(=O)、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基、氰基等。

作為該取代基的烷基，優選碳原子數為1以上6以下的烷基。該烷基優選為直鏈狀或支鏈狀。具體而言，可例舉甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基等。這些之中，優選為甲基或者乙基，特別優選為甲基。

作為該取代基的烷氧基，優選碳原子數為1以上6以下的烷氧基。該烷氧基優選為直鏈狀或支鏈狀。具體而言，可例舉作為上述取代基的烷基所例舉的烷基與氧原子(-O-)鍵結而得的基團。

作為該取代基的鹵素原子，可例舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，優選氟原子。

作為該取代基的鹵化烷基，可例舉上述烷基的一部分或全部的氫原子被上述鹵素原子取代而得的基團。

作為該取代基的鹵化烷基，可例舉作為上述取代基的烷基所例舉的烷基的一部分或全部的氫原子被上述鹵素原子取代而得的基團。作為該鹵化烷基，優選為氟化烷基，特別優選為全氟烷基。

上述的-COOR”、-OC(=O)R”中的R”均為氫原子或者碳原子數為1以上15以下的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基。

在R”為直鏈狀或支鏈狀的烷基的情況下，該鏈狀的烷基的碳原子數優選為1以上10以下，更優選為1以上5以下，特別優選為1或者2。

在R”為環狀的烷基的情況下，該環狀的烷基的碳原子數優選為3以上15以下，更優選為4以上12以下，特別優選為5以上10以下。具體而言，能夠例示從可被氟原子或氟化烷基取代或者未被取代的單環烷烴中、或者從雙環烷烴、三環烷烴、四環烷烴等多環烷烴中去除1個以上氫原子而得的基團等。更具體而言，可例舉從環戊烷、環己烷等單環烷烴中或者從金剛烷、降冰片烷、異冰片烷、三環癸烷、四環十二烷等多環烷烴中去除1個以上氫原子而得的基團等。

作為該取代基的羥基烷基，優選碳原子數為1以上6以下的羥基烷基。具體而言，可例舉作為上述取代基的烷基所例舉的烷基的至少1個氫原子被羥基取代而得的基團。

作為含-SO ₂-環式基，更具體而言，可例舉以下述式(3-1)～(3-4)表示的基團。

(式中，A’為可以含有氧原子或硫原子的碳原子數為1以上5以下的伸烷基、氧原子或者硫原子，z為0以上2以下的整數，R ^10b為烷基、烷氧基、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基或者氰基，R”為氫原子或者烷基。)

在上述式(3-1)～(3-4)中，A’為可以含有氧原子(-O-)或硫原子(-S-)的碳原子數為1以上5以下的伸烷基、氧原子或者硫原子。作為A’中的碳原子數為1以上5以下的伸烷基，優選為直鏈狀或支鏈狀的伸烷基，可例舉亞甲基、伸乙基、正伸丙基、異伸丙基等。

在該伸烷基包含氧原子或硫原子的情況下，作為其具體例，可例舉在所述伸烷基的末端或碳原子間介有-O-或-S-的基團，例如可例舉-O-CH ₂-、-CH ₂-O-CH ₂-、 -S-CH ₂-、-CH ₂-S-CH ₂-等。作為A’，優選碳原子數為1以上5以下的伸烷基或者-O-，更優選碳原子數為1以上5以下的伸烷基，最優選亞甲基。

z可以是0、1以及2中的任一個，最優選為0。在z是2的情況下，多個R ^10b可以分別相同也可以不同。

作為R ^10b中的烷基、烷氧基、鹵化烷基、  -COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基，可分別例舉與上述說明的作為含-SO ₂-環式基可以具有的取代基而例舉的烷基、烷氧基、鹵化烷基、-COOR”、-OC(=O)R”以及羥基烷基同樣的基團。

以下，例示以上述式(3-1)～(3-4)表示的具體的環式基。另外，式中的「Ac」表示乙醯基。

作為含-SO ₂-環式基，優選為在上述中以所述式(3-1)表示的基團，更優選為從以所述化學式(3-1-1)、(3-1-18)、(3-3-1)以及(3-4-1)中的任一個表示的基團構成的群組中選擇的至少1種，最優選為以所述化學式(3-1-1)表示的基團。

(含內酯環式基) 「含內酯環式基」表示在其環骨架中含有包含-O-C(=O)-的環(內酯環)的環式基。將內酯環記作第一個環，在僅有內酯環的情況下稱為單環式基，在還具有其他環結構的情況下，無論其結構如何均稱為多環式基。含內酯環式基可以為單環式基，也可以為多環式基。

作為結構單元(b-3)中的含內酯環式基，沒有特別限定，可使用任意的含內酯環式基。具體而言，作為含內酯單環式基，可例舉從四～六員環內酯中去除1個氫原子而得的基團，例如從β-丙內酯中去除1個氫原子而得的基團、從γ-丁內酯中去除1個氫原子而得的基團、從δ-戊內酯中去除1個氫原子而得的基團等。此外，作為含內酯多環式基，可例舉從具有內酯環的雙環烷烴、三環烷烴、四環烷烴中去除1個氫原子而得的基團。

作為結構單元(b-3)，只要是具有含-SO ₂-環式基或含內酯環式基的結構單元，則其他部分的結構並無特別地限定，優選從作為從與α位的碳原子鍵結的氫原子可以被取代基取代的丙烯酸酯衍生的結構單元的、包含含-SO ₂-環式基的結構單元(b-3-S)以及作為從與α位的碳原子鍵結的氫原子可以被取代基取代的丙烯酸酯衍生的結構單元的、包含含內酯環式基的結構單元(b-3-L)構成的群組中選擇的至少1種結構單元。

[結構單元(b-3-S)] 作為結構單元(b-3-S)的例子，更具體而言，可例舉以下述式(b-S1)表示的結構單元。

(式中，R為氫原子、碳原子數為1以上5以下的烷基或者碳原子數為1以上5以下的鹵化烷基，R ^11b為含-SO ₂-環式基，R ^12b為單鍵或者2價的連接基團。)

式(b-S1)中，R與上述相同。 R ^11b與上述例舉的含-SO ₂-環式基相同。 R ^12b可以是單鍵、2價的連接基團中的任一種。

作為R ^12b中的2價的連接基團，並未特別地限定，作為優選的例子，可例舉可具有取代基的2價烴基、含雜原子的2價的連接基團等。

•可具有取代基的2價烴基 作為2價的連接基團的烴基，可以是脂肪族烴基，也可以是芳香族烴基。脂肪族烴基表示不具有芳香族性的烴基。該脂肪族烴基可以是飽和的，也可以是不飽和的。通常優選為飽和烴基。作為該脂肪族烴基，更具體而言，可例舉直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基、在結構中含環的脂肪族烴基等。

所述直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基的碳原子數優選為1以上10以下，更優選為1以上8以下，進一步優選為1以上5以下。

作為直鏈狀的脂肪族烴基，優選為直鏈狀的伸烷基。具體而言，可例舉亞甲基[-CH ₂-]、伸乙基 [-(CH ₂) ₂-]、三亞甲基[-(CH ₂) ₃-]、四亞甲基[-(CH ₂) ₄-]、五亞甲基[-(CH ₂) ₅-]等。

作為支鏈狀的脂肪族烴基，優選為支鏈狀的伸烷基。具體而言，可例舉-CH(CH ₃)-、-CH(CH ₂CH ₃)-、 -C(CH ₃) ₂-、-C(CH ₃)(CH ₂CH ₃)-、-C(CH ₃)(CH ₂CH ₂CH ₃)-、 -C(CH ₂CH ₃) ₂-等烷基亞甲基；-CH(CH ₃)CH ₂-、 -CH(CH ₃)CH(CH ₃)-、-C(CH ₃) ₂CH ₂-、-CH(CH ₂CH ₃)CH ₂-、 -C(CH ₂CH ₃) ₂-CH ₂-等烷基伸乙基；-CH(CH ₃)CH ₂CH ₂-、  -CH ₂CH(CH ₃)CH ₂-等烷基三亞甲基；-CH(CH ₃)CH ₂CH ₂CH ₂-、-CH ₂CH(CH ₃)CH ₂CH ₂-等烷基四亞甲基等烷基伸烷基等。作為烷基伸烷基中的烷基，優選碳原子數為1以上5以下的直鏈狀的烷基。

上述的直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基可以具有取代氫原子的取代基(氫原子以外的基團或者原子)，也可以不具有取代基。作為該取代基，可例舉氟原子、被氟原子取代而得的碳原子數為1以上5以下的氟化烷基、側氧基(=O)等。

作為上述的在結構中含環的脂肪族烴基，可例舉在環結構中含雜原子的可含取代基的環狀的脂肪族烴基(從脂肪族烴環中去除2個氫原子而得的基團)、該環狀的脂肪族烴基與直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基的末端鍵結而得的基團、該環狀的脂肪族烴基介於直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基之間的基團等。作為上述的直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基，可例舉與上述相同的基團。

環狀的脂肪族烴基的碳原子數優選為3以上20以下，更優選為3以上12以下。

環狀的脂肪族烴基可以是多環式的，也可以是單環式的。作為單環式的脂肪族烴基，優選從單環烷烴中去除2個氫原子而得的基團。該單環烷烴的碳原子數優選為3以上6以下。具體而言，可例舉環戊烷、環己烷等。作為多環式的脂肪族烴基，優選從多環烷烴中去除2個氫原子而得的基團。該多環烷烴的碳原子數優選為7以上12以下。具體而言，可例舉金剛烷、降冰片烷、異冰片烷、三環癸烷、四環十二烷等。

環狀的脂肪族烴基可以具有取代氫原子的取代基(氫原子以外的基團或者原子)，也可以不具有取代基。作為該取代基，可例舉烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、側氧基(=O)等。

作為上述取代基的烷基，優選碳原子數為1以上5以下的烷基，更優選甲基、乙基、丙基、正丁基以及叔丁基。

作為上述取代基的烷氧基，優選碳原子數為1以上5以下的烷氧基，更優選甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基以及叔丁氧基，特別優選甲氧基以及乙氧基。

作為上述取代基的鹵素原子，可例舉氟原子、氯原子、溴原子以及碘原子等，優選為氟原子。

作為上述取代基的鹵化烷基，可例舉上述烷基的一部分或全部的氫原子被上述鹵素原子取代而得的基團。

環狀的脂肪族烴基中，構成其環結構的碳原子的一部分可以被-O-或者-S-取代。作為該含雜原子的取代基，優選-O-、-C(=O)-O-、-S-、-S(=O) ₂-、-S(=O) ₂-O-。

作為2價烴基的芳香族烴基，為具有至少1個芳香環的2價烴基，可以具有取代基。芳香環只要是具有4n+2個π電子的環狀共軛體系則沒有特別地限定，可以是單環式，也可以是多環式。芳香環的碳原子數優選為5以上30以下，更優選為5以上20以下，進一步優選為6以上15以下，特別優選為6以上12以下。其中，該碳原子數不包含取代基的碳原子數。

作為芳香環，具體來說，可例舉苯、萘、蒽以及菲等芳香族烴環；構成所述芳香族烴環的碳原子的一部分被雜原子取代而得的芳香族雜環等。作為芳香族雜環中的雜原子，可例舉氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體來說，可例舉吡啶環、噻吩環等。

作為2價烴基的芳香族烴基，具體而言，可例舉從上述芳香族烴環或芳香族雜環中去除2個氫原子而得的基團(伸芳基或者伸雜芳基)；從包含2個以上的芳香環的芳香族化合物(例如聯苯、芴等)中去除2個氫原子而得的基團；從上述芳香族烴環或芳香族雜環中去除1個氫原子而得的基團(芳基或者雜芳基)的1個氫原子被伸烷基取代而得的基團(例如從苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等芳基烷基中的芳基中進一步去除1個氫原子而得的基團)等。

與上述芳基或者雜芳基鍵結的伸烷基的碳原子數優選為1以上4以下，更優選為1以上2以下，特別優選為1。

在上述的芳香族烴基中，該芳香族烴基所具有的氫原子可以被取代基取代。例如，該芳香族烴基中與芳香環鍵結的氫原子可以被取代基取代。作為該取代基，例如可例舉烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、側氧基(=O)等。

作為上述取代基的烷基，優選碳原子數為1以上5以下的烷基，更優選甲基、乙基、正丙基、正丁基以及叔丁基。

作為上述取代基的烷氧基，優選碳原子數為1以上5以下的烷氧基，且優選甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基以及叔丁氧基，更優選甲氧基以及乙氧基。

作為上述取代基的鹵素原子可例舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，優選氟原子。

作為上述取代基的鹵化烷基，可例舉上述烷基的一部分或全部的氫原子被所述鹵素原子取代而得的基團。

•含雜原子的2價的連接基團 含雜原子的2價的連接基團中的雜原子是指碳原子以及氫原子以外的原子，例如可例舉氧原子、氮原子、硫原子以及鹵素原子等。

作為含雜原子的2價的連接基團，具體而言，可例舉-O-、-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-O-、-S-、 -S(=O) ₂-、-S(=O) ₂-O-、-NH-、-NH-C(=O)-、-NH-C(=NH)-、=N-等非烴類連接基團、這些非烴類連接基團中的至少1種與2價烴基的組合等。作為該2價烴基，可例舉與上述可具有取代基的2價烴基相同的基團，優選為直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基。

上述中，-C(=O)-NH-中的-NH-、-NH-、   -NH-C(=NH)-中的H可以分別被烷基、醯基等取代基取代。該取代基的碳原子數優選為1以上10以下，更優選為1以上8以下，特別優選為1以上5以下。

作為R ^12b中的2價的連接基團，特別優選為直鏈狀或支鏈狀的伸烷基、環狀的脂肪族烴基或者含雜原子的2價的連接基團。

在R ^12b中的2價的連接基團為直鏈狀或支鏈狀伸烷基的情況下，該伸烷基的碳原子數優選為1以上10以下，更優選為1以上6以下，特別優選為1以上4以下，最優選為1以上3以下。具體而言，可例舉與在作為所述2價的連接基團的「可具有取代基的2價烴基」的說明中、作為直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基而例舉的直鏈狀的伸烷基、支鏈狀的伸烷基相同的基團。

在R ^12b中的2價的連接基團為環狀的脂肪族烴基的情況下，作為該環狀的脂肪族烴基，可例舉與在作為所述2價的連接基團的「可具有取代基的2價烴基」的說明中、作為「在結構中含環的脂肪族烴基」而例舉的環狀的脂肪族烴基相同的基團。

作為該環狀的脂肪族烴基，特別優選為從環戊烷、環己烷、降冰片烷、異冰片烷、金剛烷、三環癸烷或者四環十二烷中去除兩個以上氫原子而得的基團。

在R ^12b中的2價的連接基團為含雜原子的2價的連接基團的情況下，就作為該連接基團而優選的例子而言，可例舉-O-、-C(=O)-O-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、 -C(=O)-NH-、-NH-(H可以被烷基、醯基等取代基取代)、 -S-、-S(=O) ₂-、-S(=O) ₂-O-、以通式-Y ^1b-O-Y ^2b-、-[Y ^1b-C(=O)-O] _m’-Y ^2b-或者-Y ^1b-O-C(=O)-Y ^2b-表示的基團[式中，Y ^1b以及Y ^2b分別獨立地為可具有取代基的2價烴基，O為氧原子，m’為0以上3以下的整數]等。

在R ^12b中的2價的連接基團為-NH-的情況下，-NH-中的氫原子可以被烷基、醯基等取代基取代。該取代基(烷基、醯基等)的碳原子數優選為1以上10以下，更優選為1以上8以下，特別優選為1以上5以下。

式-Y ^1b-O-Y ^2b-、-[Y ^1b-C(=O)-O] _m’-Y ^2b-或者 -Y ^1b-O-C(=O)-Y ^2b-中，Y ^1b以及Y ^2b分別獨立地為可具有取代基的2價烴基。作為該2價烴基，可例舉與作為所述2價的連接基團的說明中所例舉的「可具有取代基的2價烴基」相同的基團。

作為Y ^1b，優選直鏈狀的脂肪族烴基，更優選直鏈狀的伸烷基，更優選碳原子數為1以上5以下的直鏈狀的伸烷基，特別優選亞甲基以及伸乙基。

作為Y ^2b，優選直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基，更優選亞甲基、伸乙基以及烷基亞甲基。該烷基亞甲基中的烷基優選碳原子數為1以上5以下的直鏈狀的烷基，更優選碳原子數為1以上3以下的直鏈狀的烷基，特別優選甲基。

在以式-[Y ^1b-C(=O)-O] _m’-Y ^2b-表示的基團中，m’為0以上3以下的整數，優選為0以上2以下的整數，更優選為0或者1，特別優選為1。即，作為以式-[Y ^1b-C(=O)-O] _m’-Y ^2b-表示的基團，特別優選以式-Y ^1b-C(=O)-O-Y ^2b-表示的基團。其中，優選以式-(CH ₂) _a’-C(=O)-O-(CH ₂) _b’-表示的基團。該式中，a’為1以上10以下的整數，優選為1以上8以下的整數，更優選為1以上5以下的整數，進一步優選為1或者2，最優選為1。b’為1以上10以下的整數，優選為1以上8以下的整數，更優選為1以上5以下的整數，進一步優選為1或者2，最優選為1。

對於R ^12b中的2價的連接基團，作為含雜原子的2價的連接基團，優選由至少1種非烴基與2價烴基的組合構成的有機基團。其中，優選具有氧原子作為雜原子的直鏈狀的基團例如包含醚鍵或者酯鍵的基團，更優選以所述的式-Y ^1b-O-Y ^2b-、-[Y ^1b-C(=O)-O] _m’-Y ^2b-或者-Y ^1b-O-C(=O)-Y ^2b-表示的基團，特別優選以所述的式-[Y ^1b-C(=O)-O] _m’-Y ^2b-或者-Y ^1b-O-C(=O)-Y ^2b-表示的基團。

作為R ^12b中的2價的連接基團，優選伸烷基或者包含酯鍵(-C(=O)-O-)的2價的連接基團。

該伸烷基優選為直鏈狀或支鏈狀的伸烷基。作為該直鏈狀的脂肪族烴基的優選例，可例舉亞甲基   [-CH ₂-]、伸乙基[-(CH ₂) ₂-]、三亞甲基[-(CH ₂) ₃-]、四亞甲基[-(CH ₂) ₄-]以及五亞甲基[-(CH ₂) ₅-]等。作為該支鏈狀的伸烷基的優選例，可例舉-CH(CH ₃)-、-CH(CH ₂CH ₃)-、 -C(CH ₃) ₂-、-C(CH ₃)(CH ₂CH ₃)-、-C(CH ₃)(CH ₂CH ₂CH ₃)-、 -C(CH ₂CH ₃) ₂-等烷基亞甲基；-CH(CH ₃)CH ₂-、 -CH(CH ₃)CH(CH ₃)-、-C(CH ₃) ₂CH ₂-、-CH(CH ₂CH ₃)CH ₂-、 -C(CH ₂CH ₃) ₂-CH ₂-等烷基伸乙基；-CH(CH ₃)CH ₂CH ₂-、 -CH ₂CH(CH ₃)CH ₂-等烷基三亞甲基；-CH(CH ₃)CH ₂CH ₂CH ₂-、-CH ₂CH(CH ₃)CH ₂CH ₂-等烷基四亞甲基等烷基伸烷基等。

作為包含酯鍵的2價的連接基團，特別優選以式：-R ^13b-C(=O)-O-[式中，R ^13b為2價的連接基團]表示的基團。即，結構單元(b-3-S)優選為以下述式(b-S1-1)表示的結構單元。

(式中，R以及R ^11b分別與上述相同，R ^13b是2價的連接基團。)

作為R ^13b，並無特別地限定，例如可例舉與所述的R ^12b中的2價的連接基團相同的基團。 作為R ^13b的2價的連接基團，優選為直鏈狀或支鏈狀的伸烷基、在結構中含環的脂肪族烴基、或者含雜原子的2價的連接基團，更優選為直鏈狀或支鏈狀的伸烷基或者包含氧原子作為雜原子的2價的連接基團。

作為直鏈狀的伸烷基，優選為亞甲基或者伸乙基，特別優選為亞甲基。作為支鏈狀的伸烷基，優選為烷基亞甲基或者烷基伸乙基，特別優選為-CH(CH ₃)-、 -C(CH ₃) ₂-或者-C(CH ₃) ₂CH ₂-。

作為包含氧原子的2價的連接基團，優選包含醚鍵或者酯鍵的2價的連接基團，更優選所述的-Y ^1b-O-Y ^2b-、-[Y ^1b-C(=O)-O] _m’-Y ^2b-或者-Y ^1b-O-C(=O)-Y ^2b-。Y ^1b以及Y ^2b分別獨立地為可具有取代基的2價烴基，m’為0以上3以下的整數。其中，優選-Y ^1b-O-C(=O)-Y ^2b-，特別優選以-(CH ₂) _c-O-C(=O)-(CH ₂) _d-表示的基團。c為1以上5以下的整數，優選為1或者2。d為1以上5以下的整數，優選為1或者2。

作為結構單元(b-3-S)，特別地，優選為以下述式(b-S1-11)或者(b-S1-12)表示的結構單元，更優選為以式(b-S1-12)表示的結構單元。

(式中，R、A’、R ^10b、z以及R ^13b分別與上述相同。)

式(b-S1-11)中，A’優選為亞甲基、氧原子 (-O-)或者硫原子(-S-)。

作為R ^13b，優選為直鏈狀或支鏈狀的伸烷基或者包含氧原子的2價的連接基團。作為R ^13b中的直鏈狀或支鏈狀的伸烷基、包含氧原子的2價的連接基團，可分別例舉與所述的直鏈狀或支鏈狀的伸烷基、包含氧原子的2價的連接基團相同的基團。

作為以式(b-S1-12)表示的結構單元，特別地，優選為以下述式(b-S1-12a)或者(b-S1-12b)表示的結構單元。

(式中，R以及A’分別與上述相同，c～e分別獨立地為1以上3以下的整數。)

[結構單元(b-3-L)] 作為結構單元(b-3-L)的例子，例如可例舉將所述的式(b-S1)中的R ^11b以含內酯環式基進行取代而得的結構單元，更具體而言，可例舉以下述式(b-L1)～(b-L5)表示的結構單元。

(式中，R為氫原子、碳原子數為1以上5以下的烷基或者碳原子數為1以上5以下的鹵化烷基；R’分別獨立地為氫原子、烷基、烷氧基、鹵化烷基、羥基、-COOR”、 -OC(=O)R”、羥基烷基或者氰基，R”為氫原子或者烷基；R ^12b為單鍵或者2價的連接基團，s”為0以上2以下的整數；A”為可以含有氧原子或硫原子的碳原子數為1以上5以下的伸烷基、氧原子或者硫原子；r為0或者1。)

式(b-L1)～(b-L5)中的R與上述相同。 作為R’中的烷基、烷氧基、鹵化烷基、-COOR”、 -OC(=O)R”、羥基烷基，可分別例舉與作為含-SO ₂-環式基可以具有的取代基所例舉的有關烷基、烷氧基、鹵化烷基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基的前述說明的基團相同的基團。

若考慮工業上容易獲得等，則R’優選為氫原子。 R”中的烷基可以為直鏈狀、支鏈狀、環狀中的任一種。 在R”為直鏈狀或支鏈狀的烷基的情況下，優選碳原子數為1以上10以下，進一步優選碳原子數為1以上5以下。 在R”為環狀的烷基的情況下，優選碳原子數為3以上15以下，進一步優選碳原子數為4以上12以下，最優選碳原子數為5以上10以下。具體而言，能夠例示從可被氟原子或氟化烷基取代或者未被取代的單環烷烴中、或者從雙環烷烴、三環烷烴、四環烷烴等多環烷烴中去除1個以上的氫原子而得的基團等。具體而言，可例舉從環戊烷、環己烷等單環烷烴中或者從金剛烷、降冰片烷、異冰片烷、三環癸烷、四環十二烷等多環烷烴中去除1個以上的氫原子而得的基團等。 作為A”，可例舉與所述的式(3-1)中的A’相同的基團。A”優選碳原子數為1以上5以下的伸烷基、氧原子(-O-)或者硫原子(-S-)，更優選碳原子數為1以上5以下的伸烷基或者-O-。作為碳原子數為1以上5以下的伸烷基，更優選為亞甲基或者二甲基亞甲基，最優選為亞甲基。

R ^12b與所述式(b-S1)中的R ^12b相同。 式(b-L1)中，s”優選為1或者2。 以下，對以所述式(b-L1)～(b-L3)表示的結構單元的具體例進行例示。以下的各式中，R ^α表示氫原子、甲基或者三氟甲基。

作為結構單元(b-3-L)，優選從以所述的式(b-L1)～(b-L5)表示的結構單元構成的群組中選擇的至少1種，更優選從以式(b-L1)～(b-L3)表示的結構單元構成的群組中選擇的至少1種，特別優選從以所述的式(b-L1)或者(b-L3)表示的結構單元構成的群組中選擇的至少1種。 其中，優選從以所述的式(b-L1-1)、(b-L1-2)、(b-L2-1)、(b-L2-7)、(b-L2-12)、(b-L2-14)、(b-L3-1)以及(b-L3-5)表示的結構單元構成的群組中選擇的至少1種。

此外，作為結構單元(b-3-L)，還優選為以下述式(b-L6)～(b-L7)表示的結構單元。

式(b-L6)以及(b-L7)中，R以及R ^12b與上述相同。

此外，丙烯酸樹脂(B3)中，作為因酸的作用使丙烯酸樹脂(B3)對鹼的溶解性提高的結構單元，包括具有酸解離性基團的以下述式(b5)～(b7)表示的結構單元。

上述式(b5)～(b7)中，R ^14b以及R ^18b～R ^23b分別獨立地表示氫原子、碳原子數為1以上6以下的直鏈狀或支鏈狀的烷基、氟原子、或者碳原子數為1以上6以下的直鏈狀或支鏈狀的氟化烷基，R ^15b～R ^17b分別獨立地表示碳原子數為1以上6以下的直鏈狀或支鏈狀的烷基、碳原子數為1以上6以下的直鏈狀或支鏈狀的氟化烷基、或者碳原子數為5以上20以下的脂肪族環式基，R ^16b以及R ^17b可以相互鍵結而與兩者所鍵結的碳原子一起形成碳原子數為5以上20以下的烴環，Y ^b表示可具有取代基的脂肪族環式基或者烷基，p表示0以上4以下的整數，q表示0或者1。

另外，作為上述直鏈狀或支鏈狀的烷基，可例舉甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、戊基、異戊基、新戊基等。此外，氟化烷基是指，上述烷基的一部分或全部的氫原子被氟原子取代而得的基團。 作為脂肪族環式基的具體例，可例舉從單環烷烴中或者從雙環烷烴、三環烷烴、四環烷烴等多環烷烴中去除1個以上的氫原子而得的基團。具體而言，可例舉從環戊烷、環己烷、環庚烷、環辛烷等單環烷烴中或從金剛烷、降冰片烷、異冰片烷、三環癸烷、四環十二烷等多環烷烴中去除1個氫原子而得的基團。特別地，優選從環己烷、金剛烷中去除1個氫原子而得的基團(可以進一步具有取代基)。

在上述R ^16b以及R ^17b未相互鍵結形成烴環的情況下，從高對比度、解析度、焦點深度寬等良好的觀點來看，作為上述R ^15b、R ^16b以及R ^17b，優選碳原子數為2以上4以下的直鏈狀或支鏈狀的烷基。作為上述R ^19b、R ^20b、R ^22b、R ^23b，優選為氫原子或者甲基。

上述R ^16b以及R ^17b也可以與兩者所鍵結的碳原子一起形成碳原子數為5以上20以下的脂肪族環式基。作為這樣的脂肪族環式基的具體例，可例舉從單環烷烴中或者從雙環烷烴、三環烷烴、四環烷烴等多環烷烴中去除1個以上的氫原子而得的基團。具體而言，可例舉從環戊烷、環己烷、環庚烷、環辛烷等單環烷烴中或從金剛烷、降冰片烷、異冰片烷、三環癸烷、四環十二烷等多環烷烴中去除1個以上的氫原子而得的基團。特別地，優選為從環己烷、金剛烷中去除1個以上的氫原子而得的基團(可以進一步具有取代基)。

進而，在上述R ^16b以及R ^17b形成的脂肪族環式基在其環骨架上具有取代基的情況下，作為該取代基的例子，可例舉羥基、羧基、氰基、氧原子(=O)等極性基團或者碳原子數為1以上4以下的直鏈狀或支鏈狀的烷基。作為極性基團，特別優選為氧原子(=O)。

上述Y ^b為脂肪族環式基或者烷基，可例舉從單環烷烴中或者從雙環烷烴、三環烷烴、四環烷烴等多環烷烴中去除1個以上的氫原子而得的基團等。具體而言，可例舉從環戊烷、環己烷、環庚烷、環辛烷等單環烷烴中或從金剛烷、降冰片烷、異冰片烷、三環癸烷、四環十二烷等多環烷烴中去除1個以上的氫原子而得的基團等。特別優選從金剛烷中去除1個以上的氫原子而得的基團(可以進一步具有取代基)。

進而，在上述Y ^b的脂肪族環式基在其環骨架上具有取代基的情況下，作為該取代基的例子，可例舉羥基、羧基、氰基、氧原子(=O)等極性基團或者碳原子數為1以上4以下的直鏈狀或支鏈狀的烷基。作為極性基團，特別優選為氧原子(=O)。

另外，在Y ^b為烷基的情況下，優選碳原子數為1以上20以下、優選為6以上15以下的直鏈狀或支鏈狀的烷基。這樣的烷基特別優選為烷氧基烷基，作為這樣的烷氧基烷基，可例舉1-甲氧基乙基、1-乙氧基乙基、1-正丙氧基乙基、1-異丙氧基乙基、1-正丁氧基乙基、1-異丁氧基乙基、1-叔丁氧基乙基、1-甲氧基丙基、1-乙氧基丙基、1-甲氧基-1-甲基-乙基、1-乙氧基-1-甲基乙基等。

作為以上述式(b5)表示的結構單元的優選的具體例，能夠例舉以下述式(b5-1)～(b5-33)表示的結構單元。

上述式(b5-1)～(b5-33)中，R ^24b表示氫原子或者甲基。

作為以上述式(b6)表示的結構單元的優選的具體例，能夠例舉以下述式(b6-1)～(b6-26)表示的結構單元。

上述式(b6-1)～(b6-26)中，R ^24b表示氫原子或者甲基。

作為以上述式(b7)表示的結構單元的優選的具體例，能夠例舉以下述式(b7-1)～(b7-15)表示的結構單元。

上述式(b7-1)～(b7-15)中，R ^24b表示氫原子或者甲基。

在以上說明的以式(b5)～(b7)表示的結構單元中，從容易合成且比較容易高靈敏度化的觀點來看，優選為以式(b6)表示的結構單元。此外，在以式(b6)表示的結構單元中，優選Y ^b是烷基的結構單元，且優選R ^19b以及R ^20b中的一方或者雙方是烷基的結構單元。

進而，丙烯酸樹脂(B3)優選為由包含以上述式(b5)～(b7)表示的結構單元並且包含從具有醚鍵的聚合性化合物衍生的結構單元的共聚物構成的樹脂。

作為上述的具有醚鍵的聚合性化合物，能夠例示具有醚鍵以及酯鍵的(甲基)丙烯酸衍生物等自由基聚合性化合物，作為具體例，可例舉(甲基)丙烯酸2-甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-乙氧基乙酯、甲氧基三乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸3-甲氧基丁酯、乙基卡必醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸四氫糠酯等。此外，上述具有醚鍵的聚合性化合物優選為(甲基)丙烯酸2-甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-乙氧基乙酯、甲氧基三乙二醇(甲基)丙烯酸酯。這些聚合性化合物可以單獨使用，也可以將2種以上組合使用。

進而，出於適度地控制物理、化學特性的目的，在丙烯酸樹脂(B3)中，能夠包含其他的聚合性化合物作為結構單元。作為這樣的聚合性化合物，可例舉公知的自由基聚合性化合物、陰離子聚合性化合物。

作為這樣的聚合性化合物，例如能夠例舉以下化合物等：丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸等一元羧酸類；馬來酸、富馬酸、衣康酸等二元羧酸類；2-甲基丙烯醯氧基乙基琥珀酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基馬來酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基鄰苯二甲酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基六氫鄰苯二甲酸等具有羧基以及酯鍵的甲基丙烯酸衍生物類；(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸環己酯等(甲基)丙烯酸烷基酯類；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯類；(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸芳基酯類；馬來酸二乙酯、富馬酸二丁酯等二元羧酸二酯類；苯乙烯、α-甲基苯乙烯、氯苯乙烯、氯甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、羥基苯乙烯、α-甲基羥基苯乙烯、α-乙基羥基苯乙烯等含乙烯基的芳香族化合物類；乙酸乙烯酯等含乙烯基的脂肪族化合物類；丁二烯、異戊二烯等共軛二烯烴類；丙烯腈、甲基丙烯腈等含腈基的聚合性化合物類；氯乙烯、偏二氯乙烯等含氯的聚合性化合物；丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺等含醯胺鍵的聚合性化合物類。

如上所述，丙烯酸樹脂(B3)也可以包含源自具有上述一元羧酸類或二元羧酸類這樣的羧基的聚合性化合物的結構單元。然而，從容易形成包括截面形狀為良好的矩形的非阻劑部的阻劑圖型的觀點來看，丙烯酸樹脂(B3)優選為實質上不包含源自具有羧基的聚合性化合物的結構單元。具體而言，丙烯酸樹脂(B3)中的源自具有羧基的聚合性化合物的結構單元的比率優選為20質量%以下，更優選為15質量%以下，特別優選為5質量%以下。 在丙烯酸樹脂(B3)中，優選為，包含較多量的源自具有羧基的聚合性化合物的結構單元的丙烯酸樹脂與僅包含少量或者不包含源自具有羧基的聚合性化合物的結構單元的丙烯酸樹脂併用。

此外，作為聚合性化合物，能夠例舉具有酸非解離性的脂肪族多環式基的(甲基)丙烯酸酯類、含乙烯基的芳香族化合物類等。從工業上容易獲得等觀點來看，作為酸非解離性的脂肪族多環式基，特別優選為三環癸基、金剛烷基、四環十二烷基、異冰片基、降冰片基等。這些脂肪族多環式基可以具有碳原子數為1以上5以下的直鏈狀或支鏈狀的烷基作為取代基。

作為具有酸非解離性的脂肪族多環式基的(甲基)丙烯酸酯類，具體而言，能夠例示下述式(b8-1)～(b8-5)的結構的化合物。

上述式(b8-1)～(b8-5)中，R ^25b表示氫原子或者甲基。

在丙烯酸樹脂(B3)包含含有含-SO ₂-環式基或者含內酯環式基的結構單元(b-3)的情況下，丙烯酸樹脂(B3)中的結構單元(b-3)的含量優選為5質量%以上，更優選為10質量%以上，特別優選為10質量%以上50質量%以下，最優選為10質量%以上30質量%以下。感光性樹脂組成物在包含上述範圍內的量的結構單元(b-3)的情況下，容易兼顧良好的顯影性與良好的圖型形狀。

此外，丙烯酸樹脂(B3)優選包含5質量%以上、更優選包含10質量%以上、特別優選包含10質量%以上50質量%以下的以上述式(b5)～(b7)表示的結構單元。

丙烯酸樹脂(B3)優選包含源自上述的具有醚鍵的聚合性化合物的結構單元。丙烯酸樹脂(B3)中，源自具有醚鍵的聚合性化合物的結構單元的含量優選為0質量%以上50質量%以下，更優選為5質量%以上30質量%以下。

丙烯酸樹脂(B3)優選包含源自上述的具有酸非解離性的脂肪族多環式基的(甲基)丙烯酸酯類的結構單元。丙烯酸樹脂(B3)中，源自具有酸非解離性的脂肪族多環式基的(甲基)丙烯酸酯類的結構單元的含量優選為0質量%以上50質量%以下，更優選為5質量%以上30質量%以下。

作為以上說明的丙烯酸樹脂(B3)，從解析度、顯影性以及所形成的阻劑膜的鍍敷液抗性的平衡優異的觀點來看，還優選為包含源自羥基苯乙烯的結構單元以及/或者源自苯乙烯的結構單元、與以上述的式(b5)～(b7)表示的結構單元的樹脂。 在該情況下，相對於丙烯酸樹脂(B3)的質量，丙烯酸樹脂(B3)中的源自羥基苯乙烯的結構單元以及/或者源自苯乙烯的結構單元的含量、與以上述的式(b5)～(b7)表示的結構單元的含量的合計優選為80質量%以上，更優選為90質量%以上，最優選為100質量%。 從使用感光性樹脂組成物形成的阻劑膜的顯影性、尺寸精度、鍍敷液抗性的平衡的觀點出發，在包含源自羥基苯乙烯的結構單元以及/或者源自苯乙烯的結構單元、與以式(b5)～(b7)表示的結構單元的丙烯酸樹脂(B3)中，相對於丙烯酸樹脂(B3)的質量，源自羥基苯乙烯的結構單元以及/或者源自苯乙烯的結構單元的含量優選為40質量%以上90質量%以下，更優選為50質量%以上90質量%以下，進一步優選為60質量%以上90質量%以下。 從提高感光性樹脂組成物的顯影性的觀點來看，在包含源自羥基苯乙烯的結構單元以及/或者源自苯乙烯的結構單元、與以式(b5)～(b7)表示的結構單元的丙烯酸樹脂(B3)中，相對於丙烯酸樹脂(B3)的質量，源自羥基苯乙烯的結構單元的含量優選為40質量%以上70質量%以下，更優選為50質量%以上70質量%以下。 此外，從感光性樹脂組成物的顯影性以及解析度的觀點出發，在包含源自羥基苯乙烯的結構單元以及/或者源自苯乙烯的結構單元、與以式(b5)～(b7)表示的結構單元的丙烯酸樹脂(B3)中，相對於丙烯酸樹脂(B3)的質量，以式(b5)～(b7)表示的結構單元的含量優選為10質量%以上50質量%以下，更優選為10質量%以上40質量%以下，進一步優選為10質量%以上30質量%以下。

只要感光性樹脂組成物含有規定量的丙烯酸樹脂(B3)，則也能夠使用以上說明的丙烯酸樹脂(B3)以外的丙烯酸樹脂作為樹脂(B)。作為這樣的丙烯酸樹脂(B3)以外的丙烯酸樹脂，只要是包含以上述的式(b5)～(b7)表示的結構單元的樹脂，就沒有特別地限定。

以上說明的樹脂(B)的聚苯乙烯換算質量平均分子量優選為10000以上600000以下，更優選為20000以上400000以下，進一步優選為30000以上300000以下。通過設為這樣的質量平均分子量，能夠在使感光性層從基板的剝離性不降低的前提下保持感光性層的充分的強度，進而能夠進一步防止鍍敷時的外形(profile)的膨脹或者裂紋的產生。

此外，樹脂(B)的分散度優選為1.05以上。在此，分散度是指將質量平均分子量除以數均分子量而得的值。通過設為這樣的分散度，能夠得到所期望的相對於鍍敷的應力抗性或者能夠避免由鍍敷處理得到的金屬層變得容易膨脹的問題。

優選將樹脂(B)的含量設為相對於感光性樹脂組成物的總固體成分量為5質量%以上99質量%以下。

＜酸擴散抑制劑(C)＞ 感光性樹脂組成物中包含的酸擴散抑制劑(C)包含從以下述式(c1)表示的胍化合物以及其互變異構物中選擇的至少一種。 像這樣，通過在感光性樹脂組成物中摻混以式(c1)表示的胍化合物等作為酸擴散抑制劑(C)，能夠抑制通過活性光線或放射線的照射而產生磺酸的非離子類酸產生劑因酸擴散抑制劑而分解。

詳細而言，經過研究，結果本發明人等發現若將一般的酸擴散抑制劑例如三甲胺、二乙胺、三乙胺、二正丙胺、三正丙胺、三正戊胺、三苄胺、二乙醇胺、三乙醇胺、正己胺、正庚胺、正辛胺、正壬胺、1-甲基吡咯烷、1,5-二氮雜雙環[4,3,0]-5-壬烯、2,2,6,6-四甲基哌啶、4-羥基-1,2,2,6,6-五甲基哌啶、1-苄基哌啶、1-哌啶乙醇、1-甲基哌啶、1-環己基哌啶、四甲基胍或1,3-二(2-甲基苯基)胍等烷基胺類的酸擴散抑制劑與上述的通過活性光線或放射線的照射而產生磺酸的非離子類酸產生劑一起使用，則容易發生產生磺酸的非離子類酸產生劑被分解的問題。 在上述的感光性樹脂組成物中，通過使用以式(c1)表示的胍化合物作為酸擴散抑制劑(C)，能夠抑制通過活性光線或放射線的照射而產生磺酸的非離子類酸產生劑的分解。

詳細情況不明，但推測像這樣能夠抑制通過活性光線或放射線的照射而產生磺酸的非離子類酸產生劑的分解的理由如下。 以式(c1)所示的胍化合物為在胍中導入與胍骨架一起形成共軛體系的取代基、或者在胍中引入與胍骨架一起形成共軛體系的環狀結構(含氮雜環)而得的結構。例如，屬以式(c1)所示的胍化合物的三苯基胍是在胍的所有氮原子上導入了芳香族烴基的化合物，是導入了與胍骨架一起形成共軛體系的取代基的結構。此外，屬式(c1)的2-胺基-4,6-二甲基嘧啶是將胍的2個氮原子引入與胍骨架一起形成共軛體系的環狀結構即含氮雜環而得的結構。 像這樣，通過導入特定的取代基或引入環狀結構，從而產生鹼性度的降低、立體障礙引起的親核性的降低。由此，推測為酸擴散抑制劑對產生磺酸的非離子類酸產生劑的親核攻擊受到抑制，產生磺酸的非離子類酸產生劑的分解受到抑制。 另外，在具有陽離子部與陰離子部的離子性的酸產生劑、不產生磺酸的非離子類酸產生劑等並非產生磺酸的非離子類酸產生劑的酸產生劑中，與產生磺酸的非離子類酸產生劑相比，難以發生上述的酸產生劑被分解的問題。

(式(c1)中，R ^c1～R ^c5分別獨立地為氫原子或者1價的有機基團， -NR ^c2R ^c3可以是以-N=R ^c6表示的基團， -NR ^c4R ^c5可以是以-N=R ^c7表示的基團， R ^c6以及R ^c7分別獨立地為經由雙鍵與氮原子鍵結的2價的有機基團， R ^c1～R ^c5中的1個或者2個為氫原子， R ^c1為可以與以下述式(c2)表示的胍骨架一起形成共軛體系的有機基團，

R ^c1與R ^c2或者R ^c3可以形成與胍骨架一起形成共軛體系的含氮雜環， R ^c1與R ^c4或者R ^c5可以形成與胍骨架一起形成共軛體系的含氮雜環， R ^c1與R ^c6或者R ^c7可以形成與胍骨架一起形成共軛體系的含氮雜環， R ^c2或者R ^c3與R ^c4或者R ^c5可以相互連接而形成含氮雜環。)

式(c1)中，R ^c1為可以與以上述式(c2)表示的胍骨架一起形成共軛體系的有機基團。 另外，共軛體系(共軛結構)是指2個以上的化學鍵的電子彼此通過相互作用而離域的結構，例如為多重鍵的π電子、孤對電子、非鍵電子對通過單鍵相連並相互作用而離域的結構。 作為R ^c1的可以與胍骨架一起形成共軛體系的有機基團，可例舉可具有取代基的芳香族烴基以及可具有取代基的芳香族雜環基。 作為芳香族烴基，可例舉苯環以及萘環。 作為芳香族雜環基，可例舉吡啶環、嘧啶環以及嘧啶酮環。 作為芳香族烴基、芳香族雜環基可具有的取代基，可例舉鹵素原子、碳原子數為1以上5以下的烷基、碳原子數為1以上5以下的烷氧基、碳原子數為1以上5以下的烷氧基羰基以及碳原子數為1以上5以下的氟烷基。 作為鹵素原子，可例舉氟原子、氯原子、溴原子以及碘原子。 碳原子數為1以上5以下的烷基可以為直鏈狀，也可以為支鏈狀，還可以為環狀。作為烷基的具體例，可例舉甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基以及正戊基等。 碳原子數為1以上5以下的烷氧基可以為直鏈狀，也可以為支鏈狀，還可以為環狀。作為烷氧基的具體例，可例舉甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基。 作為碳原子數為1以上5以下的烷氧基羰基，可例舉甲氧基羰基。 作為碳原子數為1以上5以下的氟烷基，可例舉作為上述取代基的烷基所例舉的烷基的一部分或全部的氫原子被上述鹵素原子取代而得的基團。

式(c1)中，R ^c2～R ^c5分別獨立地為氫原子或者1價的有機基團。作為R ^c2～R ^c5，可例舉可具有取代基的芳香族烴基以及可具有取代基的芳香族雜環基。 芳香族烴基、芳香族雜環基以及芳香族烴基和芳香族雜環基可具有的取代基的具體例與上述的R ^c1中的芳香族烴基、芳香族雜環基以及芳香族烴基和芳香族雜環基可具有的取代基相同。

作為這樣的以式(c1)表示的胍化合物，優選為在式(c1)中，R ^c1、R ^c2以及R ^c4分別獨立地為可具有取代基的芳香族烴基、R ^c3以及R ^c5為氫原子的胍化合物。該胍化合物是具有在胍中導入了與胍骨架一起形成共軛體系的取代基的結構的化合物。 通過使用該胍化合物，可以形成截面形狀為矩形的阻劑圖型。例如，在鍍敷造形物的形成製程中，通過使成為鑄模的阻劑圖型的非阻劑部的截面形狀為矩形，從而能夠充分確保凸塊以及金屬柱等連接端子、Cu再配線的底面與支持體的接觸面積。這樣一來，容易形成與支持體的密合性良好的連接端子或Cu再配線。 作為該胍化合物的具體例，可例舉下述化合物。

式(c1)中，R ^c1與R ^c2或者R ^c3可以連接而形成與胍骨架一起形成共軛體系的含氮雜環。此外，R ^c1與R ^c4或者R ^c5可以連接而形成與胍骨架一起形成共軛體系的含氮雜環。 作為與胍骨架一起形成共軛體系的含氮雜環，可例舉嘧啶環以及嘧啶酮環。與胍骨架一起形成共軛體系的含氮雜環可以具有取代基。作為該取代基，可例舉碳原子數為1以上5以下的烷基。

作為這樣的以式(c1)表示的胍化合物，優選為在式(c1)中，R ^c1與R ^c2連接而形成與胍骨架一起形成共軛體系的含氮雜環、R ^c4為可具有取代基的芳香族烴基、R ^c3以及R ^c5為氫原子的胍化合物。該胍化合物是具有在胍中引入了與胍骨架一起形成共軛體系的環狀結構而得的結構的化合物。作為該胍化合物的具體例，可例舉下述化合物。

式(c1)中，-NR ^c2R ^c3可以是以-N=R ^c6表示的基團，-NR ^c4R ^c5可以是以-N=R ^c7表示的基團。R ^c6以及R ^c7分別獨立地為經由雙鍵與氮原子鍵結的2價的有機基團。 在-NR ^c2R ^c3是以-N=R ^c6表示的基團的情況下，式(c1)優選為R ^c1與R ^c6形成與胍骨架一起形成共軛體系的含氮雜環。 在-NR ^c4R ^c5是以-N=R ^c7表示的基團的情況下，式(c1)優選為R ^c1與R ^c7形成與胍骨架一起形成共軛體系的含氮雜環。 作為與胍骨架一起形成共軛體系的含氮雜環，可例舉嘧啶環以及嘧啶酮環。與胍骨架一起形成共軛體系的含氮雜環可以具有取代基。作為該取代基，可例舉碳原子數為1以上5以下的烷基。

作為這樣的以式(c1)表示的胍化合物，優選為在式(c1)中，-NR ^c2R ^c3為以-N=R ^c6表示的基團、R ^c1與R ^c6形成與胍骨架一起形成共軛體系的含氮雜環、R ^c4以及R ^c5為氫原子的胍化合物。該胍化合物是具有在胍中引入了與胍骨架一起形成共軛體系的環狀結構而得的結構的化合物。作為該胍化合物的具體例，可例舉下述化合物。

式(c1)中，R ^c2或者R ^c3、與R ^c4或者R ^c5可以相互連接而形成含氮雜環。R ^c2或者R ^c3、與R ^c4或者R ^c5相互連接而形成的含氮雜環可以是單環，也可以是2個以上的單環縮合或者共用一邊從而鍵結而得的多環。

作為這樣的以式(c1)表示的胍化合物，優選為以下述式(c3)表示的胍化合物。該胍化合物是具有在胍中引入了與胍骨架一起形成共軛體系的環狀結構和含氮雜環而得的結構的化合物。

(式(c3)中，環Z ^c1是與胍骨架一起形成共軛體系的含氮雜環，環Z ^c2是含氮雜環。)

式(c3)中，作為環Z ^c1的與胍骨架一起形成共軛體系的含氮雜環，可例舉嘧啶環以及嘧啶酮環。與胍骨架一起形成共軛體系的含氮雜環可以具有取代基。作為該取代基，可例舉碳原子數為1以上5以下的烷基。 作為環Z ^c2的含氮雜環可以是單環，也可以是2個以上的單環縮合或者共用一邊鍵結而得的多環。作為環Z ^c2，可例舉苯并咪唑環。

作為以式(c3)表示的胍化合物的具體例，可例舉下述化合物。

以式(c1)表示的胍化合物可以通過公知的方法製造，也能夠作為市售品獲得。

以式(c1)表示的胍化合物以及其互變異構物的含量沒有特別地限定，但相對於上述樹脂(B)以及下述鹼可溶性樹脂(D)的合計質量100質量份，以式(c1)表示的胍化合物以及其互變異構物優選以0.01質量份以上5質量份以下的範圍來使用，更優選以0.05質量份以上3質量份以下的範圍來使用，特別優選以0.07質量份以上0.5質量份以下的範圍來使用。

＜酸擴散控制劑(C’)＞ 感光性樹脂組成物優選不含有以式(c1)表示的化合物以外的酸擴散控制劑(C’)，但也可以含有以式(c1)表示的化合物以外的酸擴散控制劑(C’)。作為以式(c1)表示的化合物以外的酸擴散控制劑(C’)，可例舉含氮化合物(C’1)，還能夠根據需要含有有機羧酸、或者磷的含氧酸或其衍生物(C’2)。

[含氮化合物(C’1)] 作為含氮化合物(C’1)，能夠例舉三甲胺、二乙胺、三乙胺、二正丙胺、三正丙胺、三正戊胺、三苄胺、二乙醇胺、三乙醇胺、正己胺、正庚胺、正辛胺、正壬胺、乙二胺、N,N,N’,N’-四甲基乙二胺、四亞甲基二胺、六亞甲基二胺、4,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯醚、4,4’-二胺基二苯甲酮、4,4’-二胺基二苯胺、甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、丙醯胺、苯甲醯胺、吡咯烷酮、N-甲基吡咯烷酮、甲基脲、1,1-二甲基脲、1,3-二甲基脲、1,1,3,3,-四甲基脲、1,3-二苯基脲、咪唑、苯并咪唑、4-甲基咪唑、8-羥基喹啉、吖啶、嘌呤、吡咯烷、哌啶、2,4,6-三(2-吡啶基)均三嗪、嗎啉、4-甲基嗎啉、哌嗪、1,4-二甲基哌嗪、1,4-二氮雜雙環[2.2.2]辛烷、吡啶等。這些可以單獨使用，也可以將2種以上組合使用。

此外，也能夠將ADK STAB LA-52、ADK STAB LA-57、ADK STAB LA-63P、ADK STAB LA-68、ADK STAB LA-72、ADK STAB LA-77Y、ADK STAB LA-77G、ADK STAB LA-81、ADK STAB LA-82以及ADK STAB LA-87(均為ADEKA公司製)或4-羥基-1,2,2,6,6-五甲基哌啶衍生物等市售的受阻胺化合物或2,6-二苯基吡啶以及2,6-二叔丁基吡啶等2,6-位被烴基等取代基取代而得的吡啶作為含氮化合物(C’1)使用。

相對於上述樹脂(B)以及下述鹼可溶性樹脂(D)的合計質量100質量份，含氮化合物(C’1)通常以0質量份以上5質量份以下的範圍來使用，特別優選以0質量份以上3質量份以下的範圍來使用。

[有機羧酸、或者磷的含氧酸或其衍生物(C’2)] 在有機羧酸、或者磷的含氧酸或其衍生物(C’2)中，作為有機羧酸，具體而言，優選為丙二酸、檸檬酸、蘋果酸、琥珀酸、苯甲酸、水楊酸等，特別優選為水楊酸。

作為磷的含氧酸或其衍生物，可例舉磷酸、磷酸二正丁酯、磷酸二苯酯等磷酸以及它們的酯這樣的衍生物；膦酸、膦酸二甲酯、膦酸二正丁酯、苯基膦酸、膦酸二苯酯、膦酸二苄酯等膦酸以及它們的酯這樣的衍生物；次膦酸、苯基次膦酸等次膦酸以及它們的酯這樣的衍生物等。在這些之中，特別優選為膦酸。這些可以單獨使用，也可以將2種以上組合使用。

相對於上述樹脂(B)以及下述鹼可溶性樹脂(D)的合計質量100質量份，有機羧酸、或者磷的含氧酸或其衍生物(C’2)通常以0質量份以上5質量份以下的範圍來使用，特別優選以0質量份以上3質量份以下的範圍來使用。

此外，為了形成鹽而使其穩定化，有機羧酸、或者磷的含氧酸或其衍生物(C’2)優選使用與上述含氮化合物(C’1)同等的量。

＜鹼可溶性樹脂(D)＞ 為了提高鹼可溶性，感光性樹脂組成物優選還含有鹼可溶性樹脂(D)。在此，鹼可溶性樹脂是指：利用樹脂濃度20質量%的樹脂溶液(溶劑：丙二醇單甲醚乙酸酯)在基板上形成膜厚1μm的樹脂膜，在2.38質量%的TMAH(四甲基氫氧化銨)水溶液中浸漬1分鐘時溶解0.01μm以上的樹脂，且是指不屬上述(B)成分的樹脂(典型地，是指即使通過酸的作用，鹼可溶性實質上也不變動的樹脂)。作為鹼可溶性樹脂(D)，優選為從酚醛清漆樹脂(D1)、聚羥基苯乙烯樹脂(D2)以及丙烯酸樹脂(D3)構成的群組中選擇的至少1種樹脂。

[酚醛清漆樹脂(D1)] 酚醛清漆樹脂例如通過使具有酚性羥基的芳香族化合物(以下，簡稱為「酚類」)與醛類在酸觸媒下加成縮合而得到。

作為上述酚類，例如可例舉苯酚、鄰甲酚、間甲酚、對甲酚、鄰乙基苯酚、間乙基苯酚、對乙基苯酚、鄰丁基苯酚、間丁基苯酚、對丁基苯酚、2,3-二甲苯酚、2,4-二甲苯酚、2,5-二甲苯酚、2,6-二甲苯酚、3,4-二甲苯酚、3,5-二甲苯酚、2,3,5-三甲基苯酚、3,4,5-三甲基苯酚、對苯基苯酚、間苯二酚、對苯二酚、對苯二酚單甲醚、連苯三酚、間苯三酚、羥基聯苯、雙酚A、水楊酸、沒食子酸、沒食子酸酯、α-萘酚、β-萘酚等。 作為上述醛類，例如可例舉甲醛、糠醛、苯甲醛、硝基苯甲醛、乙醛等。 加成縮合反應時的觸媒沒有特別地限定，例如可使用酸觸媒中的鹽酸、硝酸、硫酸、甲酸、草酸、乙酸等。

另外，通過使用鄰甲酚、將樹脂中羥基的氫原子取代為其他的取代基、或者使用體積大的醛類，可進一步提高酚醛清漆樹脂的柔軟性。

酚醛清漆樹脂(D1)的質量平均分子量在不妨礙本發明的目的的範圍內並無特別地限定，優選為1000以上50000以下。

[聚羥基苯乙烯樹脂(D2)] 作為構成聚羥基苯乙烯樹脂(D2)的羥基苯乙烯類化合物，可例舉對羥基苯乙烯、α-甲基羥基苯乙烯、α-乙基羥基苯乙烯等。 進而，聚羥基苯乙烯樹脂(D2)優選是與苯乙烯樹脂的共聚物。作為這樣的構成苯乙烯樹脂的苯乙烯類化合物，可例舉苯乙烯、氯苯乙烯、氯甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、α-甲基苯乙烯等。

聚羥基苯乙烯樹脂(D2)的質量平均分子量在不妨礙本發明的目的的範圍內並無特別地限定，優選為1000以上50000以下。

[丙烯酸樹脂(D3)] 作為丙烯酸樹脂(D3)，優選包括由具有醚鍵的聚合性化合物衍生的結構單元以及由具有羧基的聚合性化合物衍生的結構單元。

作為上述具有醚鍵的聚合性化合物，能夠例示2-甲氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、甲氧基三乙二醇(甲基)丙烯酸酯、3-甲氧基丁基(甲基)丙烯酸酯、乙基卡必醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、四氫糠基(甲基)丙烯酸酯等具有醚鍵以及酯鍵的(甲基)丙烯酸衍生物等。上述具有醚鍵的聚合性化合物優選為2-甲氧基乙基丙烯酸酯、甲氧基三乙二醇丙烯酸酯。這些聚合性化合物可以單獨使用，也可以將2種以上組合使用。

作為上述具有羧基的聚合性化合物，能夠例示丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸等一元羧酸類；馬來酸、富馬酸、衣康酸等二元羧酸類；2-甲基丙烯醯氧基乙基琥珀酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基馬來酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基鄰苯二甲酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基六氫鄰苯二甲酸等具有羧基以及酯鍵的化合物等。上述具有羧基的聚合性化合物優選為丙烯酸、甲基丙烯酸。這些聚合性化合物可以單獨使用，也可以將2種以上組合使用。

丙烯酸樹脂(D3)的質量平均分子量在不妨礙本發明的目的的範圍內並無特別地限定，優選為50000以上800000以下。

在將感光性樹脂組成物的總固體成分設為100質量份的情況下，鹼可溶性樹脂(D)的含量優選為0質量份以上80質量份以下，更優選為5質量份以上70質量份以下。

＜含硫化合物(E)＞ 在將感光性樹脂組成物用於形成在金屬基板上的圖型的情況下，感光性樹脂組成物優選包含含硫化合物(E)。含硫化合物(E)是包含可以與金屬配位的硫原子的化合物。另外，關於可以產生2個以上的互變異構物的化合物，在至少1個互變異構物包含與構成金屬基板的表面的金屬進行配位的硫原子的情況下，該化合物屬含硫化合物。 在由Cu等金屬構成的表面上形成作為鍍敷用的鑄模來使用的阻劑圖型的情況下，容易產生底腳等截面形狀的不良情況。但是，在感光性樹脂組成物包含含硫化合物(E)的情況下，即使在基板中的由金屬構成的表面上形成阻劑圖型的情況下，也容易抑制底腳等截面形狀的不良情況的發生。另外，「底腳」是指由於阻劑部在基板表面與阻劑圖型的接觸面附近向非阻劑部側伸出，從而在非阻劑部中底部的寬度相比於頂部的寬度變窄的現象。 在將感光性樹脂組成物用於形成在除金屬基板以外的基板上的圖型的情況下，感光性樹脂組成物無需特別包含含硫化合物。在將感光性樹脂組成物用於形成在除金屬基板以外的基板上的圖型的情況下，從因感光性樹脂組成物的成分數的降低而容易製造感光性樹脂組成物的方面、能夠降低感光性樹脂組成物的製造成本的方面等來看，感光性樹脂組成物優選不包含含硫化合物(E)。 另外，不會特別發生用於形成在除金屬基板以外的基板上的圖型的感光性樹脂組成物因包含含硫化合物(E)而導致的不良情況。

可以與金屬配位的硫原子例如作為巰基 (-SH)、硫羧基(-CO-SH)、二硫羧基(-CS-SH)以及硫羰基 (-CS-)等而包含於含硫化合物中。 從容易與金屬配位、使底腳的抑制效果優異的方面來看，含硫化合物優選具有巰基。

作為具有巰基的含硫化合物的優選例，可例舉以下述式(e1)表示的化合物。

(式中，R ^e1以及R ^e2分別獨立地表示氫原子或者烷基，R ^e3表示單鍵或者伸烷基，R ^e4表示可包含除碳以外的原子的u價的脂肪族基，u表示2以上4以下的整數。)

在R ^e1以及R ^e2為烷基的情況下，該烷基可以為直鏈狀，也可以為支鏈狀，優選為直鏈狀。在R ^e1以及R ^e2為烷基的情況下，該烷基的碳原子數在不妨礙本發明的目的的範圍內沒有特別地限定。作為該烷基的碳原子數，優選為1以上4以下，特別優選為1或者2，最優選為1。作為R ^e1與R ^e2的組合，優選的是一方為氫原子而另一方為烷基，特別優選的是一方為氫原子而另一方為甲基。

在R ^e3為伸烷基的情況下，該伸烷基可以為直鏈狀，也可以為支鏈狀，優選為直鏈狀。在R ^e3為伸烷基的情況下，該伸烷基的碳原子數在不妨礙本發明的目的的範圍內沒有特別地限定。作為該伸烷基的碳原子數，優選為1以上10以下，更優選為1以上5以下，特別優選為1或者2，最優選為1。

R ^e4為可包含除碳以外的原子的2價以上4價以下的脂肪族基。作為R ^e4可包含的除碳以外的原子，可例舉氮原子、氧原子、硫原子、氟原子、氯原子、溴原子以及碘原子等。作為R ^e4的脂肪族基的結構可以為直鏈狀，也可以為支鏈狀，也可以為環狀，還可以為將這些結構組合而得的結構。

在以式(e1)表示的化合物中，更優選以下述式(e2)表示的化合物。

(式(e2)中，R ^e4以及u與式(e1)同義。)

在以上述式(e2)表示的化合物中，優選下述的化合物。

以下述式(e3-L1)～(e3-L7)表示的化合物也被例舉為具有巰基的含硫化合物的優選例。

(式(e3-L1)～(e3-L7)中，R’、s”、A”以及r與對於丙烯酸樹脂(B3)所述的式(b-L1)～(b-L7)相同。)

作為以上述式(e3-L1)～(e3-L7)表示的巰基化合物的優選的具體例，可例舉下述的化合物。

以下述式(e3-1)～(e3-4)表示的化合物也被例舉為具有巰基的含硫化合物的優選例。

(對於式(e3-1)～(e3-4)中的簡寫符號的定義，與關於丙烯酸樹脂(B3)所述的、對於式(3-1)～(3-4)所述的內容相同。)

作為以上述式(e3-1)～(e3-4)表示的巰基化合物的優選的具體例，可例舉下述的化合物。

此外，作為具有巰基的化合物的優選例，可例舉以下述式(e4)表示的化合物。

(在式(e4)中，R ^e5為從羥基、碳原子數為1以上4以下的烷基、碳原子數為1以上4以下的烷氧基、碳原子數為1以上4以下的烷硫基、碳原子數為1以上4以下的羥基烷基、碳原子數為1以上4以下的巰基烷基、碳原子數為1以上4以下的鹵化烷基以及鹵素原子構成的群組中選擇的基團，n1為0以上3以下的整數，n0為0以上3以下的整數，在n1為2或者3的情況下，R ^e5可以相同也可以不同。)

作為R ^e5為碳原子數為1以上4以下的可具有羥基的烷基的情況下的具體例，可例舉甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基以及叔丁基。在這些烷基中，優選為甲基、羥基甲基以及乙基。

作為R ^e5為碳原子數為1以上4以下的烷氧基的情況下的具體例，可例舉甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基以及叔丁氧基。在這些烷氧基中，優選為甲氧基以及乙氧基，更優選為甲氧基。

作為R ^e5為碳原子數為1以上4以下的烷硫基的情況下的具體例，可例舉甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、仲丁硫基以及叔丁硫基。在這些烷硫基中，優選為甲硫基以及乙硫基，更優選為甲硫基。

作為R ^e5為碳原子數為1以上4以下的羥基烷基的情況下的具體例，可例舉羥基甲基、2-羥基乙基、1-羥基乙基、3-羥基正丙基以及4-羥基正丁基等。在這些羥基烷基中，優選為羥基甲基、2-羥基乙基以及1-羥基乙基，更優選為羥基甲基。

作為R ^e5為碳原子數為1以上4以下的巰基烷基的情況下的具體例，可例舉巰基甲基、2-巰基乙基、1-巰基乙基、3-巰基正丙基以及4-巰基正丁基等。在這些巰基烷基中，優選為巰基甲基、2-巰基乙基以及1-巰基乙基，更優選為巰基甲基。

在R ^e5為碳原子數為1以上4以下的鹵化烷基的情況下，作為鹵化烷基中所包含的鹵素原子，可例舉氟、氯、溴、碘等。作為R ^e5為碳原子數為1以上4以下的鹵化烷基的情況下的具體例，可例舉氯甲基、溴甲基、碘甲基、氟甲基、二氯甲基、二溴甲基、二氟甲基、三氯甲基、三溴甲基、三氟甲基、2-氯乙基、2-溴乙基、2-氟乙基、1,2-二氯乙基、2,2-二氟乙基、1-氯-2-氟乙基、3-氯正丙基、3-溴正丙基、3-氟正丙基以及4-氯正丁基等。在這些鹵化烷基中，優選為氯甲基、溴甲基、碘甲基、氟甲基、二氯甲基、二溴甲基、二氟甲基、三氯甲基、三溴甲基以及三氟甲基，更優選為氯甲基、二氯甲基、三氯甲基以及三氟甲基。

作為R ^e5為鹵素原子的情況下的具體例，可例舉氟、氯、溴或者碘。

在式(e4)中，n1為0以上3以下的整數，更優選為1。在n1為2或者3的情況下，多個R ^e5可以相同也可以不同。

在以式(e4)表示的化合物中，苯環上的R ^e5的取代位置並無特別地限定。苯環上的R ^e5的取代位置優選相對於-(CH ₂) _n0-SH的鍵結位置為間位或者對位。

作為以式(e4)表示的化合物，優選至少具有1個從烷基、羥基烷基以及巰基烷基構成的群組中選擇的基團作為R ^e5的化合物，更優選具有1個從烷基、羥基烷基以及巰基烷基構成的群組中選擇的基團作為R ^e5的化合物。在以式(e4)表示的化合物具有1個從烷基、羥基烷基以及巰基烷基構成的群組中選擇的基團作為R ^e5的情況下，烷基、羥基烷基或者巰基烷基的苯環上的取代位置優選相對於-(CH ₂) _n0-SH的鍵結位置為間位或者對位，更優選為對位。

在式(e4)中，n0為0以上3以下的整數。從化合物的製備、獲得較為容易的方面來看，n0優選為0或者1，更優選為0。

作為以式(e4)表示的化合物的具體例，可例舉對巰基苯酚、對硫代甲酚、間硫代甲酚、4-(甲硫基)苯硫醇、4-甲氧基苯硫醇、3-甲氧基苯硫醇、4-乙氧基苯硫醇、4-異丙氧基苯硫醇、4-叔丁氧基苯硫醇、3,4-二甲氧基苯硫醇、3,4,5-三甲氧基苯硫醇、4-乙基苯硫醇、4-異丙基苯硫醇、4-正丁基苯硫醇、4-叔丁基苯硫醇、3-乙基苯硫醇、3-異丙基苯硫醇、3-正丁基苯硫醇、3-叔丁基苯硫醇、3,5-二甲基苯硫醇、3,4-二甲基苯硫醇、3-叔丁基-4-甲基苯硫醇、3-叔-4-甲基苯硫醇、3-叔丁基-5-甲基苯硫醇、4-叔丁基-3-甲基苯硫醇、4-巰基苄醇、3-巰基苄醇、4-(巰基甲基)苯酚、3-(巰基甲基)苯酚、1,4-二(巰基甲基)苯酚、1,3-二(巰基甲基)苯酚、4-氟苯硫醇、3-氟苯硫醇、4-氯苯硫醇、3-氯苯硫醇、4-溴苯硫醇、4-碘苯硫醇、3-溴苯硫醇、3,4-二氯苯硫醇、3,5-二氯苯硫醇、3,4-二氟苯硫醇、3,5-二氟苯硫醇、4-巰基兒茶酚、2,6-二叔丁基-4-巰基苯酚、3,5-二叔丁基-4-甲氧基苯硫醇、4-溴-3-甲基苯硫醇、4-(三氟甲基)苯硫醇、3-(三氟甲基)苯硫醇、3,5-雙(三氟甲基)苯硫醇、4-甲硫基苯硫醇、4-乙硫基苯硫醇、4-正丁硫基苯硫醇以及4-叔丁硫基苯硫醇等。

此外，作為具有巰基的含硫化合物，可例舉包含被巰基取代而得的含氮芳香族雜環的化合物以及包含被巰基取代而得的含氮芳香族雜環的化合物的互變異構物。 作為含氮芳香族雜環的優選的具體例，可例舉咪唑、吡唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、噁唑、噻唑、吡啶、嘧啶、噠嗪、吡嗪、1,2,3-三嗪、1,2,4-三嗪、1,3,5-三嗪、吲哚、吲唑、苯并咪唑、苯并噁唑、苯并噻唑、1H-苯并三唑、喹啉、異喹啉、噌啉、酞嗪、喹唑啉、喹喔啉以及1,8-萘啶(naphthyridine)。

作為適宜為含硫化合物的含氮雜環化合物以及含氮雜環化合物的互變異構物的優選的具體例，可例舉以下的化合物。

在感光性樹脂組成物包含含硫化合物(E)的情況下，其使用量相對於上述樹脂(B)以及鹼可溶性樹脂(D)的合計質量100質量份優選為0.01質量份以上5質量份以下，更優選為0.02質量份以上3質量份以下，特別優選為0.05質量份以上2質量份以下。

＜有機溶劑(S)＞ 感光性樹脂組成物優選含有有機溶劑(S)。在不妨礙本發明的目的的範圍內，有機溶劑(S)的種類沒有特別地限定，能夠從以往的用於正型的感光性樹脂組成物的有機溶劑中適當地選擇並使用。

作為有機溶劑(S)的具體例，能夠例舉丙酮、甲基乙基酮、環己酮、甲基異戊酮、2-庚酮等酮類；乙二醇、乙二醇單乙酸酯、二乙二醇、二乙二醇單乙酸酯、丙二醇、丙二醇單乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、二丙二醇、二丙二醇單乙酸酯的單甲醚、單乙醚、單丙醚、單丁醚、單苯醚等多元醇類以及其衍生物；二噁烷等環式醚類；甲酸乙酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、丙酮酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯、2-羥基丙酸甲酯、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯等酯類；甲苯、二甲苯等芳香族烴類；γ-丁內酯等內酯類等。這些可以單獨使用，也可以將2種以上混合使用。

在不妨礙本發明的目的的範圍內，有機溶劑(S)的含量沒有特別地限定。在將感光性樹脂組成物用於如使利用旋塗法等得到的感光性層的膜厚達到5μm以上那樣的厚膜用途的情況下，優選以使感光性樹脂組成物的固體成分濃度達到20質量%以上70質量%以下的範圍來使用有機溶劑(S)。

＜其他成分＞ 為了提高可塑性，感光性樹脂組成物也可以還含有聚乙烯樹脂。作為聚乙烯樹脂的具體例，可例舉聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚羥基苯乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯基苯甲酸、聚乙烯基甲基醚、聚乙烯基乙基醚、聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙烯基苯酚以及它們的共聚物等。從玻璃轉移點較低的觀點來看，聚乙烯樹脂優選為聚乙烯基甲基醚。

此外，為了提高使用感光性樹脂組成物形成的鑄模等阻劑圖型與基板的黏著性，感光性樹脂組成物可以還含有黏著助劑。

此外，為了提高塗布性、消泡性、調平性等，感光性樹脂組成物可以還含有界面活性劑。作為界面活性劑，例如優選地使用氟類界面活性劑或聚矽氧類界面活性劑。 作為氟類界面活性劑的具體例，可例舉BM-1000、BM-1100(均為BM化學公司製)、MEGAFAC F142D、MEGAFAC F172、MEGAFAC F173、MEGAFAC F183(均為大日本油墨化學工業公司製)、Fluorad FC-135、Fluorad FC-170C、Fluorad FC-430、Fluorad FC-431(均為住友3M公司製)、Surflon S-112、Surflon S-113、Surflon S-131、Surflon S-141、Surflon S-145(均為旭硝子公司製)、SH-28PA、SH-190、SH-193、SZ-6032、SF-8428(均為東麗有機矽公司製)等市售的氟類界面活性劑，但不限定於這些。 作為聚矽氧類界面活性劑，能夠優選地使用未改性聚矽氧類界面活性劑、聚醚改性聚矽氧類界面活性劑、聚酯改性聚矽氧類界面活性劑、烷基改性聚矽氧類界面活性劑、芳烷基改性聚矽氧類界面活性劑以及反應性聚矽氧類界面活性劑等。 作為聚矽氧類界面活性劑，能夠使用市售的聚矽氧類界面活性劑。作為市售的聚矽氧類界面活性劑的具體例，可例舉PAINTADD M(東麗·道康寧公司製)、特皮卡K1000、特皮卡K2000、特皮卡K5000(均為高千穗產業公司製)、XL-121(聚醚改性聚矽氧類界面活性劑，科萊恩公司製)、BYK-310(聚酯改性聚矽氧類界面活性劑，畢克化學公司製)等。

此外，為了進行對顯影液的溶解性的微調整，感光性樹脂組成物也可以還含有酸、酸酐或者高沸點溶劑。

作為酸以及酸酐的具體例，能夠例舉：乙酸、丙酸、正丁酸、異丁酸、正戊酸、異戊酸、苯甲酸、桂皮酸等一元羧酸類；乳酸、2-羥基丁酸、3-羥基丁酸、水楊酸、間羥基苯甲酸、對羥基苯甲酸、2-羥基桂皮酸、3-羥基桂皮酸、4-羥基桂皮酸、5-羥基間苯二甲酸、丁香酸等羥基一元羧酸類；草酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、馬來酸、衣康酸、六氫鄰苯二甲酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、1,2-環己烷二羧酸、1,2,4-環己烷三羧酸、丁烷四羧酸、偏苯三酸、均苯四酸、環戊烷四羧酸、丁烷四羧酸、1,2,5,8-萘四羧酸等多元羧酸類；衣康酸酐、琥珀酸酐、檸康酸酐、十二烯基琥珀酸酐、三羧酸酐、馬來酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、甲基四氫鄰苯二甲酸酐、降莰烯二酸酐、1,2,3,4-丁烷四羧酸酐、環戊烷四羧酸二酐、鄰苯二甲酸酐、均苯四酸酐、偏苯三酸酐、二苯甲酮四羧酸酐、乙二醇雙偏苯三酸酐、甘油三偏苯三酸酐等酸酐等。

此外，作為高沸點溶劑的具體例，能夠例舉N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基甲醯苯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亞碸、苄基乙基醚、二己基醚、丙酮基丙酮、異佛爾酮、己酸、辛酸、1-辛醇、1-壬醇、苯甲醇、乙酸苄酯、苯甲酸乙酯、草酸二乙酯、馬來酸二乙酯、γ-丁內酯、碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯、苯基溶纖劑乙酸酯等。

此外，為了提高靈敏度，感光性樹脂組成物可以還含有增感劑。 此外，感光性樹脂組成物可以還含有染料、顏料。

＜化學增幅型正型感光性樹脂組成物的製備方法＞ 以通常的方法將上述各成分混合、攪拌從而製備化學增幅型正型感光性樹脂組成物。作為能夠在將上述各成分混合、攪拌時使用的裝置，可例舉溶解器、均質機、三輥研磨機等。在將上述各成分均勻地混合後，可以進一步使用篩網、膜濾器等對得到的混合物進行過濾。 由於化學增幅型正型感光性樹脂組成物可抑制產生磺酸的非離子類酸產生劑的分解，因此即使在製備化學增幅型正型感光性樹脂組成物後經過較長時間，產生磺酸的非離子類酸產生劑的功能也難以劣化。

《感光性乾膜》 感光性乾膜具有基材薄膜與形成於該基材薄膜的表面的感光性層，感光性層由前述的感光性樹脂組成物構成。

作為基材薄膜，優選具有透光性。具體而言，可例舉聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、聚丙烯(PP)薄膜、聚乙烯(PE)薄膜等，在使透光性以及斷裂強度的平衡優異的觀點來看，優選聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜。

在基材薄膜上塗布所述感光性樹脂組成物，從而形成感光性層，由此製造感光性乾膜。 在基材薄膜上形成感光性層時，使用塗敷器、棒塗布器、線棒塗布器、輥塗布器、幕簾塗布器等來塗布感光性樹脂組成物並使其乾燥，從而使得在基材薄膜上乾燥後的膜厚優選達到0.5μm以上300μm以下，更優選達到1μm以上300μm以下，特別優選達到3μm以上100μm以下。

感光性乾膜也可以在感光性層上還具有保護薄膜。作為該保護薄膜，可例舉聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、聚丙烯(PP)薄膜、聚乙烯(PE)薄膜等。

《經圖型化之阻劑膜以及附鑄模之基板的製造方法》 使用上述說明的感光性樹脂組成物而在基板上形成經圖型化之阻劑膜的方法並無特別地限定。所述經圖型化之阻劑膜優選用作用於形成鍍敷造形物的鑄模、利用蝕刻加工基板時的蝕刻遮罩等。 可例舉包括以下步驟的經圖型化之阻劑膜的製造方法作為優選的方法： 積層步驟，在基板上積層由感光性樹脂組成物構成的感光性層； 曝光步驟，對感光性層位置選擇性地照射活性光線或放射線來進行曝光； 顯影步驟，對曝光後的感光性層進行顯影。 具備用於形成鍍敷造形物的鑄模的附鑄模之基板的製造方法除了具有在具有金屬表面的基板的金屬表面上積層感光性層的步驟、在顯影步驟中利用顯影製作用於形成鍍敷造形物的鑄模以外，與經圖型化之阻劑膜的製造方法相同。

作為對感光性層進行積層的基板，沒有特別地限定，能夠使用以往公知的基板，例如能夠例示電子部件用的基板或在其上形成了規定的配線圖型的基板等。作為基板，也能夠使用矽基板或玻璃基板等。 在製造具備用於形成鍍敷造形物的鑄模的附鑄模之基板的情況下，作為基板，使用具有金屬表面的基板。作為構成金屬表面的金屬種類，優選為銅、金、鋁，更優選為銅。

例如以如下的方式在基板上積層感光性層。即，在基板上塗布液狀的感光性樹脂組成物，通過加熱去除溶劑，由此形成期望的膜厚的感光性層。只要能夠以期望的膜厚形成作為鑄模的阻劑圖型，則對感光性層的厚度沒有特別地限定。感光性層的膜厚沒有特別地限定，優選為0.5μm以上，更優選為0.5μm以上300μm以下，特別優選為1μm以上150μm以下，最優選為3μm以上100μm以下。

作為向基板上塗布感光性樹脂組成物的塗布方法，能夠採用旋塗法、狹縫塗布法、輥塗法、篩網印刷法、塗敷器法等方法。優選對感光性層進行預烘烤。預烘烤的條件根據感光性樹脂組成物中的各成分的種類、摻混比例、塗布膜厚等的不同而不同，但通常是以70℃以上200℃以下、優選以80℃以上150℃以下，進行2分鐘以上120分鐘以下左右。

對如上述那樣形成的感光性層，經由規定的圖型的遮罩，選擇性地照射(曝光)活性光線或放射線，例如波長為300nm以上500nm以下的紫外線或可見光線、例如g線(波長436nm)、h線(波長405nm)、i線(波長365nm)。

作為放射線的線源，能夠使用低壓汞燈、高壓汞燈、超高壓汞燈、金屬鹵化物燈、氬氣雷射等。此外，放射線中包括微波、紅外線、可見光線、紫外線、X射線、γ射線、電子射線、質子射線、中子射線、離子射線等。放射線照射量根據感光性樹脂組成物的組成、感光性層的膜厚等的不同而不同，例如為100J/m ²以上10000 J/m ²以下。此外，為了產生酸，放射線中包含使酸產生劑(A)活化的光線。

曝光後，使用公知的方法加熱感光性層從而促進酸的擴散，在感光性層中被曝光的部分中，使感光性層的鹼溶解性變化。

接著，將被曝光後的感光性層按照以往已知的方法進行顯影，溶解並去除不需要的部分，由此形成規定的阻劑圖型或者用於形成鍍敷造形物的鑄模。此時，作為顯影液，可使用鹼性水溶液。

作為顯影液，例如能夠使用氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、偏矽酸鈉、氨水、乙胺、正丙胺、二乙胺、二正丙胺、三乙胺、甲基二乙胺、二甲基乙醇胺、三乙醇胺、四甲基氫氧化銨(羥化四甲銨)、四乙基氫氧化銨、吡咯、哌啶、1,8-二氮雜雙環[5,4,0]-7-十一烯、1,5-二氮雜雙環[4,3,0]-5-壬烷等鹼類的水溶液。此外，也能夠將在上述鹼類的水溶液中添加有適當量的甲醇、乙醇等水溶性有機溶劑或界面活性劑的水溶液作為顯影液使用。

顯影時間根據感光性樹脂組成物的組成、感光性層的膜厚等的不同而不同，通常為1分鐘以上30分鐘以下之間。顯影方法可以是盛液法、浸漬法、覆液法、噴霧顯影法等中的任一種。

在顯影後，進行30秒以上90秒以下之間的流動水清洗，使用空氣槍、烤箱等進行乾燥。像這樣地，在基板的表面上，形成圖型化為期望的形狀的阻劑膜。此外，像這樣地，能夠製造在具有金屬表面的基板的金屬表面上具備作為鑄模的阻劑圖型的附鑄模之基板。

使用感光性樹脂組成物形成的阻劑圖型的膜厚(經圖型化之阻劑膜)沒有特別地限定，厚膜以及薄膜均能夠適用。感光性樹脂組成物優選用於形成厚膜的阻劑圖型。具體而言，使用感光性樹脂組成物形成的阻劑圖型的膜厚優選為0.5μm以上，更優選為0.5μm以上300μm以下，進一步優選為0.5μm以上200μm以下，特別優選為0.5μm以上150μm以下。 膜厚的上限值例如可以為100μm以下。膜厚的下限值例如可以為1μm以上，也可以為3μm以上。

《鍍敷造形物的製造方法》 在利用上述的方法形成的附鑄模之基板的鑄模中的非阻劑部(被顯影液去除的部分)中，利用鍍敷埋入金屬等導體，由此能夠形成例如凸塊以及金屬柱等連接端子、或Cu再配線那樣的鍍敷造形物。另外，鍍敷處理方法沒有特別地限制，能夠採用以往公知的各種方法。作為鍍敷液，特別優選使用焊接鍍敷液、銅鍍敷液、金鍍敷液、鎳鍍敷液。剩下的鑄模在最後根據常規方法使用剝離液等去除。

在製造鍍敷造形物時，有時優選對在成為鍍敷造形物形成用的鑄模的阻劑圖型的非圖型部中所露出的金屬表面進行灰化處理。 具體而言，例如將使用包含含硫化合物(E)的感光性樹脂組成物而形成的圖型用作鑄模來形成鍍敷造形物的情況。在該情況下，有時容易損害鍍敷造形物對金屬表面的密合性。該不良情況在使用以所述的式(e1)表示的含硫化合物(E)或以式(e4)表示的含硫化合物(E)的情況下較為顯著。 但是，若進行上述的灰化處理，則即使將使用包含含硫化合物(E)的感光性樹脂組成物而形成的圖型用作鑄模，也容易形成與金屬表面良好地密合的鍍敷造形物。 另外，對於將包含被巰基取代而得的含氮芳香族雜環的化合物用作含硫化合物(E)的情況，與鍍敷造形物的密合性有關的上述的問題幾乎不會發生或為輕度。因此，在使用包含被巰基取代而得的含氮芳香族雜環的化合物作為含硫化合物(E)的情況下，即使不進行灰化處理，也容易形成對金屬表面的密合性良好的鍍敷造形物。

灰化處理只要是不會造成在成為鍍敷造形物形成用的鑄模的阻劑圖型上無法形成所期望的形狀的鍍敷造形物的程度的損害的方法，則並無特別地限定。 作為優選的灰化處理方法，可例舉使用氧電漿的方法。為了使用氧電漿對基板上的金屬表面進行灰化，只要使用公知的氧電漿產生裝置來產生氧電漿，並且對基板上的金屬表面照射該氧電漿即可。

在用於產生氧電漿的氣體中，能夠在不妨礙本發明的目的的範圍內混合以往與氧氣一起用於電漿處理的各種氣體。作為該氣體，例如可例舉氮氣、氫氣以及CF ₄氣體等。 使用氧電漿的灰化條件在不妨礙本發明的目的的範圍內並無特別地限定，處理時間為例如10秒鐘以上20分鐘以下的範圍，優選為20秒鐘以上18分鐘以下的範圍，更優選為30秒鐘以上15分鐘以下的範圍。 通過將採用氧電漿的處理時間設定為上述的範圍，從而容易在不給阻劑圖型的形狀帶來變化的前提下發揮使鍍敷造形物的密合性改良的效果。 [實施例]

以下，通過實施例對本發明更詳細地進行說明，但是本發明並不限定於這些實施例。

[實施例1～4以及比較例1～4] 在實施例1～4以及比較例1～4中，使用下述PAG1作為酸產生劑(A)。

在實施例1～4以及比較例1～4中，使用以下的Resin-A1以及Resin-A2作為對鹼的溶解性因酸的作用而增大的樹脂(樹脂(B))。下述結構式中的各結構單元中的括弧的右下的數字表示樹脂中的結構單元的含量(質量%)。Resin-A1的質量平均分子量Mw為98000，Resin-A2的質量平均分子量Mw為10000。

作為酸擴散抑制劑(C)，使用下述C1～C4。

作為鹼可溶性樹脂(D)，使用以下的Resin-B(聚羥基苯乙烯樹脂)、Resin-C(酚醛清漆樹脂(間甲酚單獨縮合物))。下述結構式中的各結構單元中的括弧的右下的數字表示各樹脂中的結構單元的含量(質量%)。Resin-B的質量平均分子量(Mw)為2500，分散度(Mw/Mn)為2.4。Resin-C的質量平均分子量(Mw)為8000。

作為含硫化合物(E)，使用以下的含硫化合物T1。

分別使表1所記載的種類以及量的酸產生劑(A)、樹脂(B)、酸擴散控制劑(C)、鹼可溶性樹脂(D)、含硫化合物(E)與界面活性劑(BYK310，畢克化學公司製)溶解於3-甲氧基丁基乙酸酯(MA)與丙二醇單甲醚乙酸酯(PM)的混合溶劑(MA/PM=6/4(質量比))，得到各實施例以及比較例的感光性樹脂組成物。另外，界面活性劑(BYK310，畢克化學公司製)以相對於樹脂(B)以及鹼可溶性樹脂(D)的合計量為0.05質量份的方式進行添加。 實施例1～4以及比較例1～4的感光性樹脂組成物以固體成分濃度為35質量%的方式進行製備。

使用得到的感光性樹脂組成物，按照以下的方法評價圖型形狀。將結果記載於表1。

[圖型形狀的評價]

準備在直徑8英寸的矽基板的表面設置有濺鍍而得的銅層的基板，將實施例以及比較例的感光性樹脂組成物塗布在該基板的銅層上，形成了膜厚為7μm的感光性層。接著，將感光性層以120℃預烘烤4分鐘。預烘烤後，使用線寬2.0μm、間距寬2.0μm的配線間距圖型(line and space pattern)的遮罩與曝光裝置FPA-5510iV(佳能股份有限公司製)，以可形成規定尺寸的圖型的最低曝光量的1.2倍的曝光量，使用波長365nm的紫外線進行圖型曝光。接著，將基板載置在加熱板上以90℃進行1.5分鐘的曝光後加熱(PEB)。然後，重複進行共計2次以下操作：將四甲基氫氧化銨的2.38重量%水溶液(顯影液，NMD-3，東京應化工業股份有限公司製)滴加到曝光後的感光性層之後，在23℃下靜置30秒鐘。之後，將阻劑圖型表面進行流動水清洗(漂洗)後，吹送氮氣，得到阻劑圖型。利用掃描型電子顯微鏡觀察該阻劑圖型的截面形狀，並對圖型的截面形狀進行了評價。 具體來說，將阻劑圖型與基板接觸的面(底部)的寬度和阻劑圖型與基板接觸的面的相反面(頂部)的寬度相同的情況評價為○，將阻劑圖型與基板接觸的面(底部)的寬度比阻劑圖型與基板接觸的面的相反面(頂部)的寬度寬的錐形的情況評價為△，將和阻劑圖型與基板接觸的面(底部)的寬度以及阻劑圖型與基板接觸的面的相反面(頂部)的寬度相比，阻劑圖型的厚度方向中間部分的寬度較窄的情況即所謂的中間變細的情況評價為×。將結果示出在表1。

[酸產生劑因酸擴散抑制劑引起的分解性的評價] 將在實施例1～4以及比較例1～4中使用的各酸擴散抑制劑C1～C4與PAG1分別以相應莫耳混合，從而製備γ-丁內酯(GBL)溶液，在40℃下保管24小時。另外，以固體成分濃度為1.0質量%的方式製備γ-丁內酯(GBL)溶液。 在保管後，使用 ¹⁹F-NMR通過下述式計算出酸產生劑(PAG1)的分解率，將分解率小於1%的情況評價為◎，將分解率為1%以上20%以下的情況評價為○，將分解率超過20%的情況評價為×。式中，酸狀態的積分比為CF ₃SO ₃H中的F的積分比，PAG狀態的積分比為PAG1中的F的積分比。將結果示出在表1的「穩定性」一欄中。 酸產生劑的分解率(%)=(酸狀態的積分比)/[(PAG狀態的積分比)+(酸狀態的積分比)]×100

根據實施例1～4，在如下的正型感光性樹脂組成物中，產生磺酸的非離子類酸產生劑因酸擴散抑制劑(C)引起的分解率極低：包含通過活性光線或放射線的照射而產生酸的酸產生劑(A)、對鹼的溶解性因酸的作用而增大的樹脂(B)、酸擴散抑制劑(C)，酸產生劑(A)包含通過活性光線或放射線的照射而產生磺酸的非離子類酸產生劑，酸擴散抑制劑(C)包含以式(c1)表示的胍化合物。此外，在實施例1以及3中，阻劑圖型的形狀也為矩形，圖型形狀良好。

另一方面，根據比較例1～4可知，在使用並非以式(c1)表示的胍化合物的化合物來代替以式(c1)表示的胍化合物作為酸擴散抑制劑(C)的情況下，產生磺酸的非離子類酸產生劑被分解。

Claims (12)

1. 一種化學增幅型正型感光性樹脂組成物，包含：酸產生劑(A)，通過活性光線或放射線的照射而產生酸；樹脂(B)，對鹼的溶解性因酸的作用而增大；酸擴散抑制劑(C)，其特徵在於， 所述酸產生劑(A)包含通過所述活性光線或放射線的照射而產生磺酸的非離子類酸產生劑， 所述酸擴散抑制劑(C)包含從以下述式(c1)表示的胍化合物以及其互變異構物中選擇的至少一種，

   

   式(c1)中，R ^c1～R ^c5分別獨立地為氫原子或者1價的有機基團， -NR ^c2R ^c3可以是以-N=R ^c6表示的基團， -NR ^c4R ^c5可以是以-N=R ^c7表示的基團， R ^c6以及R ^c7分別獨立地為經由雙鍵與氮原子鍵結的2價的有機基團， R ^c1～R ^c5中的1個或者2個為氫原子， R ^c1為可以與以下述式(c2)表示的胍骨架一起形成共軛體系的有機基團，

   

   R ^c1與R ^c2或者R ^c3可以形成與所述胍骨架一起形成共軛體系的含氮雜環， R ^c1與R ^c4或者R ^c5可以形成與所述胍骨架一起形成共軛體系的含氮雜環， R ^c1與R ^c6或者R ^c7可以形成與所述胍骨架一起形成共軛體系的含氮雜環， R ^c2或者R ^c3、與R ^c4或者R ^c5可以相互連接而形成含氮雜環。
2. 如請求項1之化學增幅型正型感光性樹脂組成物，其中， 所述R ^c1、R ^c2以及R ^c4分別獨立地為可具有取代基的芳香族烴基，R ^c3以及R ^c5為氫原子。
3. 如請求項1之化學增幅型正型感光性樹脂組成物，其中， -NR ^c2R ^c3為以-N=R ^c6表示的基團，R ^c1與R ^c6形成與所述胍骨架一起形成共軛體系的含氮雜環。
4. 如請求項1～3的任一項之化學增幅型正型感光性樹脂組成物，其中， 所述非離子類酸產生劑是從醯亞胺磺酸酯化合物以及肟磺酸酯化合物構成的群組中選擇的至少一種。
5. 如請求項1～4的任一項之化學增幅型正型感光性樹脂組成物，其中， 還含有鹼可溶性樹脂(D)。
6. 如請求項5之化學增幅型正型感光性樹脂組成物，其中， 所述鹼可溶性樹脂(D)包含從酚醛清漆樹脂(D1)、聚羥基苯乙烯樹脂(D2)以及丙烯酸樹脂(D3)構成的群組中選擇的至少1種樹脂。
7. 如請求項1～6的任一項之化學增幅型正型感光性樹脂組成物，其中， 還含有包含能夠與金屬配位的硫原子的含硫化合物(E)。
8. 一種感光性乾膜，其特徵在於， 具有基材薄膜與形成於所述基材薄膜的表面的感光性層，所述感光性層由請求項1～7的任一項之化學增幅型正型感光性樹脂組成物構成。
9. 一種感光性乾膜的製造方法，其特徵在於，包括： 在基材薄膜上塗布請求項1～7的任一項之化學增幅型正型感光性樹脂組成物從而形成感光性層。
10. 一種經圖型化之阻劑膜的製造方法，其特徵在於，包括： 積層步驟，在基板上積層由請求項1～7的任一項之化學增幅型正型感光性樹脂組成物構成的感光性層； 曝光步驟，對所述感光性層位置選擇性地照射活性光線或放射線來進行曝光； 顯影步驟，對曝光後的所述感光性層進行顯影。
11. 一種附鑄模之基板的製造方法，其特徵在於，包括： 積層步驟，在具有金屬表面的基板上，積層由請求項1～7的任一項之化學增幅型正型感光性樹脂組成物構成的感光性層； 曝光步驟，對所述感光性層位置選擇性地照射活性光線或放射線來進行曝光； 顯影步驟，對曝光後的所述感光性層進行顯影來製作用於形成鍍敷造形物的鑄模。
12. 一種鍍敷造形物的製造方法，其特徵在於，包括： 鍍敷步驟，對通過請求項11之附鑄模之基板的製造方法製造的所述附鑄模之基板實施鍍敷，從而在所述鑄模內形成鍍敷造形物。