TW202129413A - 化學增幅型正型感光性樹脂組成物、感光性乾膜、感光性乾膜之製造方法、經圖型化阻劑膜之製造方法、附鑄模之基板之製造方法及鍍敷成型物之製造方法 - Google Patents

Abstract

提供一種容易形成剖面形狀為矩形之阻劑圖型，感度良好，且能抑制酸產生劑分解之化學增幅型正型感光性樹脂組成物，具備包含該化學增幅型正型感光性樹脂組成物之感光性層之感光性乾膜及其製造方法、使用化學增幅型正型感光性樹脂組成物之經圖型化阻劑膜之製造方法、附鑄模之基板之製造方法、及鍍敷成型物之製造方法。 一種化學增幅型正型感光性樹脂組成物，其係包含：因活性光線或放射線之照射而產生酸之酸產生劑(A)、因酸之作用而對鹼之溶解性增大之樹脂(B)，及酸擴散抑制劑(C)，其中酸產生劑(A)包含因活性光線或放射線之照射而產生磺酸之非離子系酸產生劑，且酸擴散抑制劑(C)包含因活性光線或放射線之照射而進行分解之特定構造之化合物。

Description

化學增幅型正型感光性樹脂組成物、感光性乾膜、感光性乾膜之製造方法、經圖型化阻劑膜之製造方法、附鑄模之基板之製造方法及鍍敷成型物之製造方法

本發明係關於化學增幅型正型感光性樹脂組成物、具備包含該化學增幅型正型感光性樹脂組成物之感光性層之感光性乾膜、該感光性乾膜之製造方法、使用前述化學增幅型正型感光性樹脂組成物之經圖型化阻劑膜之製造方法、附鑄模之基板之製造方法、及鍍敷成型物之製造方法。

現在，感光加工(photofabrication)已成為精密微細加工技術之主流。感光加工係將光阻組成物塗佈於被加工物表面而形成光阻層，藉由光微影技術來將光阻層予以圖型化，將經圖型化之光阻層(光阻圖型)作為遮罩來進行化學蝕刻、電解蝕刻、或電鍍為主體之電鑄等，從而製造半導體封裝等之各種精密零件之技術的總稱。

又，近年來伴隨電子機器之小型化，且半導體封裝之高密度實裝技術發展，從而謀求基於封裝之多腳(multipin)薄膜實裝化、封裝尺寸之小型化、利用覆晶方式之2次元實裝技術、3次元實裝技術的實裝密度提升。此種高密度實裝技術中，在基板上高精度地配置例如，在封裝上突出之凸塊等之突起電極(實裝端子)，或，連接從晶圓上之周邊端子所延伸之再配線(RDL)與實裝端子之金屬柱等作為連接端子。

上述般之感光加工係使用光阻組成物，作為此種光阻組成物，已知包含酸產生劑之化學增幅型光阻組成物(參照專利文獻1、2等)。化學增幅型光阻組成物係藉由放射線照射(曝光)而從酸產生劑來產生酸，藉由加熱處理來促進酸之擴散，從而對於組成物中之基質樹脂等造成酸觸媒反應，且其之鹼溶解性變化者。

此種化學增幅型光阻組成物係例如使用於由鍍敷步驟所成之凸塊、金屬柱、及Cu再配線般之鍍敷成型物之形成等。具體而言，使用化學增幅型光阻組成物，在如金屬基板之支持體上形成所欲膜厚之光阻層，隔著指定之遮罩圖型進行曝光，並進行顯像，而形成光阻圖型，該光阻圖型係使用形成鍍敷成型物之部分被選擇性地除去(剝離)而成之鑄模。其後，藉由鍍敷在該已除去之部分(非阻劑部)埋入銅等之導體後，藉由除去其周圍之光阻圖型，而可形成凸塊、金屬柱、及Cu再配線。 又，化學增幅型光阻組成物也係利用於例如，藉由蝕刻來加工基板時之蝕刻遮罩之形成。具體而言，使用化學增幅型光阻組成物在基板上形成所欲膜厚之光阻層，其次隔著指定之遮罩圖型來單僅曝光該當於光阻層蝕刻對象場所之部分後，將經曝光之光阻層予以顯像，而形成使用作為蝕刻遮罩之光阻圖型。

有於此種化學增幅型光阻組成物摻合光反應型酸擴散抑制劑(光反應型淬滅劑、光崩解性鹼)之技術(參照專利文獻3)。光反應型酸擴散抑制劑為陰離子與陽離子之鹽，在受到曝光之前係具有藉由離子交換反應來捕捉從酸產生劑等所產生之酸的淬滅作用，且因曝光而進行分解從而失去該淬滅作用。因此，對於使用含有光反應型酸擴散抑制劑之化學增幅型光阻組成物所形成之阻劑膜進行曝光時，由於在曝光部下光反應型酸擴散抑制劑會失去相對於由酸產生劑等所產生之酸的鹼性，而另一方面在未曝光部下光反應型酸擴散抑制劑會捕捉酸，且從曝光部朝向未曝光部之酸擴散受到抑制等，故認為可謀求微影特性之提升。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平9-176112號公報 [專利文獻2]日本特開平11-52562號公報 [專利文獻3]日本特開2013-200560號公報

[發明欲解決之課題]

一般而言，在形成阻劑圖型之情況，諸多情況係希望該剖面形狀為矩形。例如，在上述之由鍍敷步驟所成之凸塊或金屬柱等之連接端子之形成，或，Cu再配線之形成中，對於成為鑄模之阻劑圖型之非阻劑部，則係強烈希望該剖面形狀為矩形。在鍍敷成型物之形成製程中，成為鑄模之阻劑圖型之非阻劑部之剖面形狀藉由為矩形，而能充分確保凸塊及金屬柱等之連接端子，或Cu再配線之底面與支持體之接觸面積。藉此，容易形成與支持體之密著性為良好之連接端子或Cu再配線。

如專利文獻1、及專利文獻2所揭示般之使用自以往已知之化學增幅型阻劑組成物形成阻劑圖型時，仍常會有難以形成剖面形狀為矩形之阻劑圖型的情況。 該問題係藉由將專利文獻3揭示之光反應型酸擴散抑制劑摻合至化學增幅型正型光阻組成物而能獲得解決。於此情況，微影特性提升，且容易形成剖面形狀為矩形之阻劑圖型。

然而，若將光反應型酸擴散抑制劑摻合於化學增幅型正型光阻組成物時，會有酸產生劑進行分解而化學增幅型正型光阻組成物之安定性變差的情況。

又，為了以高精度形成連接端子或Cu再配線等，要求對於所照射之放射線等具有良好感度從而能以較少曝光量取得阻劑圖型。

本發明係有鑑於上述課題所完成者，其目的在於提供一種容易形成剖面形狀為矩形之阻劑圖型，感度良好，且能抑制酸產生劑分解之化學增幅型正型感光性樹脂組成物、具備包含該化學增幅型正型感光性樹脂組成物之感光性層之感光性乾膜、該感光性乾膜之製造方法、使用前述化學增幅型正型感光性樹脂組成物之經圖型化阻劑膜之製造方法、使用前述化學增幅型正型感光性樹脂組成物之附鑄模之基板之製造方法、使用前述化學增幅正型感光性樹脂組成物之鍍敷成型物之製造方法。 [用以解決課題之手段]

本發明者等為了達成上述目的經過重複精心研究之結果，發現藉由一種化學增幅型正型感光性樹脂組成物，即能解決上述課題，進而完成本發明；該化學增幅型正型感光性樹脂組成物包含因活性光線或放射線之照射而產生酸之酸產生劑(A)、因酸之作用而對鹼之溶解性增大之樹脂(B)，及酸擴散抑制劑(C)，酸產生劑(A)包含因活性光線或放射線之照射而產生磺酸之非離子系酸產生劑，酸擴散抑制劑(C)包含因活性光線或放射線之照射而進行分解之下述式(c1)所示之化合物。具體而言，本發明提供如以下者。

本發明之第1態樣為一種化學增幅型正型感光性樹脂組成物，其係包含因活性光線或放射線之照射而產生酸之酸產生劑(A)、因酸之作用而對鹼之溶解性增大之樹脂(B)、及酸擴散抑制劑(C)，其中 前述酸產生劑(A)包含因前述活性光線或放射線之照射而產生磺酸之非離子系酸產生劑， 前述酸擴散抑制劑(C)包含因前述活性光線或放射線之照射而進行分解之下述式(c1)所示之化合物。

(式(c1)中， M^m+ 表示m價有機陽離子， m表示1以上之整數， 環Z表示苯環，或，苯環經縮合之多環， 環Z之苯環數x表示1以上4以下之整數， R^1c 表示取代基， A^- 表示-COO^- 或-SO₂ O^- ， n表示2以上2x+3以下之整數， p表示0以上2x+3-n之整數，p為2以上時，複數之R^1c 可為相同亦可為相異，複數之R^1c 亦可連結而形成環。)

本發明之第2態樣為一種感光性乾膜，其係具有：基材膜，與形成於基材膜表面之感光性層，感光性層包含第1態樣之化學增幅型正型感光性樹脂組成物。

本發明之第3態樣為一種感光性乾膜之製造方法，其係包含：在基材膜上塗佈第1態樣之化學增幅型正型感光性樹脂組成物而形成感光性層。

本發明之第4態樣為一種經圖型化阻劑膜之製造方法，其係包含： 在基板上層合包含第1態樣之化學增幅型正型感光性樹脂組成物之感光性層的層合步驟、 對感光性層位置選擇性地照射活性光線或放射線而進行曝光的曝光步驟、及將曝光後之感光性層予以顯像的顯像步驟。

本發明之第5態樣為一種附鑄模之基板之製造方法，其係包含： 於具有金屬表面之基板上層合包含第1態樣之化學增幅型正型感光性樹脂組成物之感光性層的層合步驟、 對感光性層位置選擇性地照射活性光線或放射線而進行曝光的曝光步驟、及將曝光後之感光性層予以顯像而製作形成鍍敷成型物用之鑄模的顯像步驟。

本發明之第6態樣為一種鍍敷成型物之製造方法，其係包含：對藉由第4態樣之附鑄模之基板之製造方法所製造之附鑄模之基板施加鍍敷，而在鑄模內形成鍍敷成型物的鍍敷步驟。 [發明效果]

根據本發明，可提供一種容易形成剖面形狀為矩形之阻劑圖型，感度良好，且能抑制酸產生劑分解之化學增幅型正型感光性樹脂組成物、具備包含該化學增幅型正型感光性樹脂組成物之感光性層之感光性乾膜、該感光性乾膜之製造方法、使用前述化學增幅型正型感光性樹脂組成物之經圖型化阻劑膜之製造方法、使用前述化學增幅型正型感光性樹脂組成物之附鑄模之基板之製造方法、使用前述化學增幅型正型感光性樹脂組成物之鍍敷成型物之製造方法。

≪化學增幅型正型感光性樹脂組成物≫

化學增幅型正型感光性樹脂組成物(以下，亦記載為感光性樹脂組成物)含有：因活性光線或放射線之照射而產生酸之酸產生劑(A)(以下，亦記載為酸產生劑(A))，因酸之作用而對鹼之溶解性增大之樹脂(B)(亦記載為以下樹脂(B))，及酸擴散抑制劑(C)。且，酸產生劑(A)包含因活性光線或放射線之照射而產生磺酸之非離子系酸產生劑。酸擴散抑制劑(C)包含因活性光線或放射線之照射而進行分解之下述式(c1)所示之化合物。感光性樹脂組成物係因應必要亦可包含鹼可溶性樹脂(D)、含硫化合物(E)、及有機溶劑(S)等之成分。

以下，說明關於感光性樹脂組成物所包含之必須或任意之成分，與感光性樹脂組成物之製造方法。

＜酸產生劑(A)＞ 酸產生劑(A)為因活性光線或放射線之照射而產生酸之化合物，且係藉由光而直接或間接地產生酸之化合物。酸產生劑(A)包括因活性光線或放射線之照射而產生磺酸之非離子系酸產生劑(以下，亦記載為非離子系酸產生劑)。 以藉由包含非離子系酸產生劑，而對於例如g線(波長436nm)、h線(波長405nm)、或i線(波長365nm)具有感度為佳。 非離子系酸產生劑係藉由酸擴散抑制劑而能分解者。但，藉由使用後述之因活性光線或放射線之照射而進行分解之特定構造之酸擴散抑制劑(C)，即能抑制非離子系酸產生劑之分解。

作為非離子系酸產生劑，可舉出如醯亞胺磺酸酯化合物或肟磺酸酯化合物等之鋶酯化合物。 醯亞胺磺酸酯化合物為具有＞N-O-SO₂ -所示之構造之化合物，且係因活性光線或放射線之照射而在N-O鍵分解從而產生磺酸。 肟磺酸酯化合物為具有=N-O-SO₂ -所示之構造之化合物，且係因活性光線或放射線之照射而在N-O鍵進行分解從而產生磺酸。

作為肟磺酸酯化合物，可舉出例如，下述式(a1)所示之化合物。

上述式(a1)中，R^20a 表示1價、2價、或3價有機基，R^21a 表示取代或未取代之飽和烴基、不飽和烴基、或芳香族基，n表示括弧內之構造之重複單位數。

上述式(a1)中，作為芳香族基，可舉出例如，苯基、萘基等之芳基，或呋喃基、噻吩基等之雜芳基。該等在環上亦可具有1個以上之適當之取代基，例如鹵素原子、烷基、烷氧基、硝基等。又，R^21a 係以碳原子數1以上6以下之烷基為佳，可舉出如甲基、乙基、丙基、丁基。尤其，以R^20a 為芳香族基，R^21a 為碳原子數1以上4以下之烷基之化合物為佳。

作為上述式(a1)所示之酸產生劑，n=1時，可舉出如R^20a 為苯基、甲基苯基、甲氧基苯基之任一者，且R^21a 為甲基之化合物，具體地可舉出如α-(甲基磺醯氧基亞胺基)-1-苯基乙腈、α-(甲基磺醯氧基亞胺基)-1-(p-甲基苯基)乙腈、α-(甲基磺醯氧基亞胺基)-1-(p-甲氧基苯基)乙腈、[2-(丙基磺醯氧基亞胺基)-2,3-二羥基噻吩-3-亞基](o-甲苯基)乙腈等。作為上述式(a1)所示之化合物，n=2時，具體地可舉出如下述式所示之化合物。

作為醯亞胺磺酸酯化合物，可舉出例如，下述式(a2)所示之化合物。

(式(a2)中，R^22a 為1價有機基，R^23a 、R^24a 、R^25a 、及R^26a 係各自獨立為氫原子或1價有機基；R^23a 與R^24a 、R^24a 與R^25a 、或R^25a 與R^26a 各自係亦可互相結合而形成環。)

作為R^22a 之有機基，在不阻礙本發明之目的範圍，無特別限定。該有機基可為烴基，亦可包含O、N、S、P、鹵素原子等之雜原子。又，該有機基之構造可為直鏈狀，可為支鏈狀，可為環狀，亦可為該等構造之組合。

作為R^22a 之適宜有機基，可舉出如鹵素原子、及/或可經烷硫基取代之碳原子數1以上18以下之脂肪族烴基、可具有取代基之碳原子數6以上20以下之芳基、可具有取代基之碳原子數7以上20以下之芳烷基、可具有取代基之碳原子數7以上20以下之烷基芳基、樟腦-10-基、及下式(a2a)所示之基。

(式(a2a)中，Y¹ 為單鍵或碳原子數1以上4以下之烷二基。R^27a 及R^28a 係各自為可經鹵素原子取代之碳原子數2以上6以下之烷二基，或可經鹵素原子取代之碳原子數6以上20以下之伸芳基。R^29a 為可經鹵素原子取代之碳原子數1以上18以下之烷基、碳原子數3以上12以下之脂環式烴基、可經鹵素原子取代之碳原子數6以上20以下之芳基、可經鹵素原子取代之碳原子數7以上20以下之芳烷基。a及b係各自為0或1，a及b之至少一者為1。)

作為R^22a 之有機基在具有鹵素原子作為取代基時，作為該鹵素原子，可舉出如氯原子、溴原子、碘原子、氟原子。

作為R^22a 之有機基為經烷硫基取代之碳原子數1以上18以下之烷基時，以烷硫基之碳原子數為1以上18以下者為佳。 作為碳原子數1以上18以下之烷硫基，可舉出如甲硫基、乙硫基、n-丙硫基、異丙硫基、n-丁硫基、sec-丁硫基、tert-丁硫基、異丁硫基、n-戊硫基、異戊硫基、tert-戊硫基、n-己硫基、n-庚硫基、異庚硫基、tert-庚硫基、n-辛硫基、異辛硫基、tert-辛硫基、2-乙基己硫基、n-壬硫基、n-癸硫基、n-十一烷硫基、n-十二烷硫基、n-十三烷硫基、n-十四烷硫基、n-十五烷硫基、n-十六烷硫基、n-十七烷硫基、及n十八烷硫基。

作為R^22a 之有機基，在為鹵素原子、及/或可經烷硫基取代之碳原子數1以上18以下之脂肪族烴基時，該脂肪族烴基亦可包含不飽和雙鍵。 又，該脂肪族烴基之構造並無特別限定，可為直鏈狀，可為支鏈狀，可為環狀，亦可為該等構造之組合。

作為R^22a 之有機基在作為烯基時之適宜例，可舉出如烯丙基、2-甲基-2-丙烯基。

作為R^22a 之有機基在作為烷基時之適宜例，可舉出如甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、sec-丁基、tert-丁基、異丁基、n-戊基、異戊基、tert-戊基、n-己基、n-己烷-2-基、n-己烷-3-基、n-庚基、n-庚烷-2-基、n-庚烷-3-基、異庚基、tert-庚基、n-辛基、異辛基、tert-辛基、2-乙基己基、n-壬基、異壬基、n-癸基、n-十一基,n-十二基、n-十三基、n-十四基、n-十五基、n-十六基、n-十七基、及n-十八基。

作為R^22a 之有機基為脂環式烴基時，作為構成該脂環式烴基之主骨架之脂環式烴之例，可舉出如環丙烷、環丁烷、環戊烷、環己烷、環庚烷、環辛烷、環癸烷、雙環[2.1.1]己烷、雙環[2.2.1]庚烷、雙環[3.2.1]辛烷、雙環[2.2.2]辛烷、及金剛烷。作為脂環式烴基，以從該等之脂環式烴去除1個氫原子之基為佳。

作為R^22a 之有機基在作為經鹵素原子取代之脂肪族烴基時之適宜例，可舉出如三氟甲基、五氟乙基、2-氯乙基、2-溴乙基、七氟-n-丙基、3-溴丙基、九氟-n-丁基、十三氟-n-己基、十七氟-n-辛基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二氟乙基、1,1-二氟-n-丙基、1,1,2,2-四氟-n-丙基、3,3,3-三氟-n-丙基、2,2,3,3,3-五氟-n-丙基、2-降莰基-1,1-二氟乙基、2-降莰基四氟乙基、及3-金剛烷基-1,1,2,2-四氟丙基。

作為R^22a 之有機基在作為經烷硫基取代之脂肪族烴基時之適宜例，可舉出如2-甲硫基乙基、4-甲硫基-n-丁基、及2-n-丁硫基乙基。

作為R^22a 之有機基在作為經鹵素原子及烷硫基所取代之脂肪族烴基時之適宜例，可舉出如3-甲硫基-1,1,2,2-四氟-n-丙基。

作為R^22a 之有機基在作為芳基時之適宜例，可舉出如苯基、萘基、聯苯基。

作為R^22a 之有機基在作為為經鹵素原子取代之芳基時之適宜例，可舉出如五氟苯基、氯苯基、二氯苯基、三氯苯基。

作為R^22a 之有機基在作為經烷硫基取代之芳基時之適宜例，可舉出如4-甲硫基苯基、4-n-丁硫基苯基、4-n-辛硫基苯基、4-n-十二烷硫基苯基。

作為R^22a 之有機基在作為經鹵素原子及烷硫基所取代之芳基時之適宜例，可舉出如1,2,5,6-四氟-4-甲硫基苯基、1,2,5,6-四氟-4-n-丁硫基苯基、1,2,5,6-四氟-4-n-十二烷硫基苯基。

作為R^22a 之有機基在作為芳烷基時之適宜例，可舉出如苄基、苯乙基、2-苯基丙烷-2-基、二苯基甲基、三苯基甲基。

作為R^22a 之有機基為經鹵素原子取代之芳烷基時之適宜例，可舉出如五氟苯基甲基、苯基二氟甲基、2-苯基四氟乙基、2-(五氟苯基)乙基。

作為R^22a 之有機基為經烷硫基取代之芳烷基時之適宜例，可舉出如p-甲硫基苄基。

作為R^22a 之有機基為經鹵素原子及烷硫基所取代之芳烷基時之適宜例，可舉出如2-(2,3,5,6-四氟-4-甲硫基苯基)乙基。

作為R^22a 之有機基在作為烷基芳基時之適宜例，可舉出如2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、3-異丙基苯基、4-異丙基苯基、4-n-丁基苯基、4-異丁基苯基、4-tert-丁基苯基、4-n-己基苯基、4-環己基苯基、4-n-辛基苯基、4-(2-乙基-n-己基)苯基、2,3-二甲基苯基、2,4-二甲基苯基、2,5-二甲基苯基、2,6-二甲基苯基、3,4-二甲基苯基、3,5-二甲基苯基、2,4-二-tert-丁基苯基、2,5-二-tert-丁基苯基、2,6-二-tert-丁基苯基、2,4-二-tert-戊基苯基、2,5-二-tert-戊基苯基、2,5-二-tert-辛基苯基、2-環己基苯基、3-環己基苯基、4-環己基苯基、2,4,5-三甲基苯基、2,4,6-三甲基苯基、2,4,6-三異丙基苯基。

式(a2a)所示之基為含醚基之基。 式(a2a)中，作為Y¹ 所示之碳原子數1以上4以下之烷二基，可舉出如亞甲基、乙烷-1,2-二基、乙烷-1,1-二基、丙烷-1,3-二基、丙烷-1,2-二基、丁烷-1,4-二基、丁烷-1,3-二基、丁烷-2,3-二基、丁烷-1,2-二基。 式(a2a)中，作為R^27a 或R^28a 所示之碳原子數2以上6以下之烷二基，可舉出如乙烷-1,2-二基、丙烷-1,3-二基、丙烷-1,2-二基、丁烷-1,4-二基、丁烷-1,3-二基、丁烷-2,3-二基、丁烷-1,2-二基、戊烷-1,5-二基、戊烷-1,3-二基、戊烷-1,4-二基、戊烷-2,3-二基、己烷-1,6-二基、己烷-1,2-二基、己烷-1,3-二基、己烷-1,4-二基、己烷-2,5-二基、己烷-2,4-二基、己烷-3,4-二基。

式(a2a)中，R^27a 或R^28a 為經鹵素原子取代之碳原子數2以上6以下之烷二基時，作為鹵素原子，可舉出如氯原子、溴原子、碘原子、及氟原子。作為經鹵素原子取代之烷二基之例，可舉出如四氟乙烷-1,2-二基、1,1-二氟乙烷-1,2-二基、1-氟乙烷-1,2-二基、1,2-二氟乙烷-1,2-二基、六氟丙烷-1,3-二基、1,1,2,2,-四氟丙烷-1,3-二基、1,1,2,2,-四氟戊烷-1,5-二基。

式(a2a)中，作為R^27a 或R^28a 為伸芳基時之例，可舉出如1,2-伸苯基、1,3-伸苯基、1,4-伸苯基、2,5-二甲基-1,4-伸苯基、聯苯基-4,4’-二基、二苯基甲烷-4,4’-二基、2,2,-二苯基丙烷-4,4’-二基、萘-1,2-二基、萘-1,3-二基、萘-1,4-二基、萘-1,5-二基、萘-1,6-二基、萘-1,7-二基、萘-1,8-二基、萘-2,3-二基、萘-2,6-二基、萘-2,7-二基。

式(a2a)中，R^27a 或R^28a 為經鹵素原子取代之伸芳基時，作為鹵素原子，可舉出如氯原子、溴原子、碘原子、及氟原子。作為經鹵素原子取代之伸芳基之例，可舉出如2,3,5,6-四氟-1,4-伸苯基。

式(a2a)中，作為R^29a 所示之可具有分支之碳原子數1以上18以下之烷基，可舉出如甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、sec-丁基、tert-丁基、異丁基、n-戊基、異戊基、tert-戊基、n-己基、n-己烷-2-基、n-己烷-3-基、n-庚基、n-庚烷-2-基、n-庚烷-3-基、異庚基、tert-庚基、n-辛基、異辛基、tert-辛基、2-乙基己基、n-壬基、異壬基、n-癸基、n-十一基、n-十二基、n-十三基、n-十四基、n-十五基、n-十六基、n-十七基、n-十八基。

式(a2a)中，R^29a 為經鹵素原子取代之碳原子數1以上18以下之烷基時，作為鹵素原子，可舉出如氯原子、溴原子、碘原子、及氟原子。作為經鹵素原子取代之烷基之例，可舉出如三氟甲基、五氟乙基、七氟-n-丙基、九氟-n-丁基、十三氟-n-己基、十七氟-n-辛基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二氟乙基、1,1-二氟-n-丙基、1,1,2,2-四氟-n-丙基、3,3,3-三氟-n-丙基、2,2,3,3,3-五氟-n-丙基、1,1,2,2-四氟十四基。

式(a2a)中，R^29a 為碳原子數3以上12以下之脂環式烴基時，作為構成該脂環式烴基之主骨架之脂環式烴之例，可舉出如環丙烷、環丁烷、環戊烷、環己烷、環庚烷、環辛烷、環癸烷、雙環[2.1.1]己烷、雙環[2.2.1]庚烷、雙環[3.2.1]辛烷、雙環[2.2.2]辛烷、及金剛烷。作為脂環式烴基，以從該等脂環式烴去除1個氫原子之基為佳。

式(a2a)中，R^29a 為芳基、鹵化芳基、芳烷基、鹵化芳烷基時，該等之基之適宜例係與R^22a 為該等之基時相同。

式(a2a)所示之基之中較為適宜之基為R^27a 所示之基之中與硫原子鍵結之碳原子經氟原子取代之基。該適宜之基之碳原子數係以2以上18以下為佳。

作為R^22a ，以碳原子數1以上8以下之全氟烷基為佳。又，由於容易形成高精細阻劑圖型，故R^22a 也係以樟腦-10-基為佳。

式(a2)中，R^23a ~R^26a 為氫原子或1價有機基。又，R^23a 與R^24a 、R^24a 與R^25a ，或R^25a 與R^26a 係各自亦可互相結合而形成環。例如，藉由R^25a 與R^26a 結合並與萘環一同形成五員環，從而也可形成苊骨架。

作為1價有機基，以脂環式烴基、雜環基(雜環基)，或可經鹵素原子取代，且亦可具有分支之碳原子數4以上18以下之烷基、烷氧基；雜環基氧基；脂環式烴基、雜環基(雜環基)，或可經鹵素原子取代，且亦可具有分支之碳原子數4以上18以下之烷硫基；雜環基硫基為佳。 又，也以該烷氧基之不與氧原子鄰接之任意位置之亞甲基經-CO-取代之基為佳。 也以該烷氧基被-O-CO-鍵、或-O-CO-NH-鍵中斷之基為佳。尚且，-O-CO-鍵及-O-CO-NH-鍵之左端為靠近烷氧基中之萘二甲酸母核之側。 並且，作為R^23a ~R^26a ，也以脂環式烴基、雜環基，或可經鹵素原子取代，且亦可具有分支之碳原子數4以上18以下之烷硫基為佳。 也以該烷硫基之不與硫原子鄰接之任意位置之亞甲基經-CO-取代之基為佳。 也以該烷硫基被-O-CO-鍵、或-O-CO-NH-鍵中斷之基為佳。尚且，-O-CO-鍵及-O-CO-NH-鍵之左端為靠近烷硫基中之萘二甲酸母核之側。

作為R^23a ~R^26a ，以R^23a 為有機基且R^24a ~R^26a 為氫原子，或R^24a 為有機基且R^23a 、R^25a 、及R^26a 為氫原子為佳。又，R^23a ~R^26a 可全部為氫原子。

作為R^23a ~R^26a 為無取代之烷基時之例，可舉出如n-丁基、sec-丁基、tert-丁基、異丁基、n-戊基、異戊基、tert-戊基、n-己基、n-庚基、異庚基、tert-庚基、n-辛基、異辛基、tert-辛基、2-乙基己基、n-壬基、n-癸基、n-十一基、n-十二基、n-十三基、n-十四基,n-十五基、n-十六基、n-十七基、n-十八基。

作為R^23a ~R^26a 為無取代之烷氧基時之例，可舉出如n-丁氧基、sec-丁氧基、tert-丁氧基、異丁氧基、n-戊氧基、異戊氧基、tert-戊氧基、n-己氧基、n-庚氧基、異庚氧基、tert-庚氧基、n-辛氧基、異辛氧基、tert-辛氧基、2-乙基己基、n-壬氧基、n-癸氧基、n-十一烷氧基、n-十二烷氧基、n-十三烷氧基、n-十四烷氧基、n-十五烷氧基、n-十六烷氧基、n-十七烷氧基、n-十八烷氧基。

作為R^23a ~R^26a 為無取代之烷硫基時之例，可舉出如n-丁硫基、sec-丁硫基、tert-丁硫基、異丁硫基、n-戊硫基、異戊硫基、tert-戊硫基、n-己硫基、n-庚硫基、異庚硫基、tert-庚硫基、n-辛硫基、異辛硫基、tert-辛硫基、2-乙基己硫基、n-壬硫基、n-癸硫基、n-十一烷硫基、n-十二烷硫基、n-十三烷硫基、n-十四烷硫基、n-十五烷硫基、n-十六烷硫基、n-十七烷硫基、n十八烷硫基。

R^23a ~R^26a 為經脂環式烴基取代之烷基、烷氧基或烷硫基時，作為構成脂環式烴基之主骨架之脂環式烴之例，可舉出如環丙烷、環丁烷、環戊烷、環己烷、環庚烷、環辛烷、環癸烷、雙環[2.1.1]己烷、雙環[2.2.1]庚烷、雙環[3.2.1]辛烷、雙環[2.2.2]辛烷、及金剛烷。作為脂環式烴基，以從該等脂環式烴去除1個氫原子之基為佳。

在R^23a ~R^26a 為經雜環基取代之烷基、烷氧基或烷硫基時，或在R^23a ~R^26a 為雜環基氧基時，作為構成雜環基或雜環基氧基之主骨架之雜環之例，可舉出如吡咯、噻吩、呋喃、吡喃、噻喃、咪唑、吡唑、噻唑、異噻唑、噁唑、異噁唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、嗒嗪、吡咯啶、吡唑啶、咪唑啶、異噁唑啶、異噻唑烷、哌啶、哌嗪、嗎啉、硫代嗎啉、色滿(chroman)、硫色滿、異色滿、異硫色滿、吲哚啉、異吲哚啉、4-氮茚(pyrindine)、吲哚嗪、吲哚、吲唑、嘌呤、喹嗪、異喹啉、喹啉、萘啶、酞嗪、喹喔啉、喹唑啉、噌啉、蝶啶、吖啶、呸啶、啡啉、咔唑、咔啉(carboline)、菲嗪、三氮雜蒽(anthyridine)、噻二唑、噁二唑、三嗪、三唑、四唑、苯並咪唑、苯並噁唑、苯並噻唑、苯並噻二唑、苯並呋咱(benzofuroxan)、萘咪唑、苯並三唑、四氮茚。又，該等雜環之中對具有共軛鍵之環加氫而成之飽和雜環也為佳。 作為將烷基、烷氧基或烷硫基予以取代之雜環基、或雜環基氧基所包含之雜環基，以從上述之雜環去除1個氫原子之基為佳。

作為R^23a ~R^26a 為包含脂環式烴基之烷氧基時之例，可舉出如環戊氧基、甲基環戊氧基、環己氧基、氟環己氧基、氯環己氧基、環己基甲氧基、甲基環己氧基、降莰基氧基、乙基環己氧基、環己基乙氧基、二甲基環己氧基、甲基環己基甲氧基、降莰基甲氧基、三甲基環己氧基、1-環己基丁氧基、金剛烷基氧基、薄荷腦基氧基、n-丁基環己氧基、tert-丁基環己氧基、莰基氧基、異莰基氧基、十氫萘基氧基、二環戊二烯氧基、1-環己基戊氧基、甲基金剛烷基氧基、金剛烷基甲氧基、4-戊基環己氧基、環己基環己氧基、金剛烷基乙氧基、二甲基金剛烷基氧基。

作為R^23a ~R^26a 為雜環基氧基時之例，可舉出如四氫呋喃基氧基、糠基氧基、四氫糠基氧基、四氫吡喃基氧基、丁內酯基氧基、吲哚基氧基。

作為R^23a ~R^26a 為包含脂環式烴基之烷硫基時之例，可舉出如環戊硫基、環己硫基、環己基甲硫基、降莰基硫基、異降莰基硫基。

作為R^23a ~R^26a 為雜環基硫基時之例，可舉出如糠基硫基、四氫呋喃基硫基。

作為R^23a ~R^26a 為烷氧基之不與氧原子鄰接之任意位置之亞甲基被-CO-取代之基時之例，可舉出如2-酮丁基-1-氧基(2-ketobutyl-1-oxyl)、2-酮戊基-1-氧基、2-酮己基-1-氧基、2-酮庚基-1-氧基、2-酮辛基-1-氧基、3-酮丁基-1-氧基、4-酮戊基-1-氧基、5-酮己基-1-氧基、6-酮庚基-1-氧基、7-酮辛基-1-氧基、3-甲基-2-酮戊烷-4-氧基、2-酮戊烷-4-氧基、2-甲基-2-酮戊烷-4-氧基、3-酮庚烷-5-氧基、2-金剛烷酮-5-氧基。

作為R^23a ~R^26a 為烷硫基之不與硫原子鄰接之任意位置之亞甲基被-CO-取代之基時之例，可舉出如2-酮丁基-1-硫基、2-酮戊基-1-硫基、2-酮己基-1-硫基、2-酮庚基-1-硫基、2-酮辛基-1-硫基、3-酮丁基-1-硫基、4-酮戊基-1-硫基、5-酮己基-1-硫基、6-酮庚基-1-硫基、7-酮辛基-1-硫基、3-甲基-2-酮戊烷-4-硫基、2-酮戊烷-4-硫基、2-甲基-2-酮戊烷-4-硫基、3-酮庚烷-5-硫基。

作為式(a2)所示之化合物之具體例，可舉出如以下之化合物。

作為醯亞胺磺酸酯化合物，也可舉出如下述式(a3)所示之化合物。

式(a3)中，R^b1 為碳原子數1以上30以下之烴基。 作為R^b1 之烴基為包含1個以上亞甲基時，亞甲基之至少一部分亦可被選自由-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-SO-、-SO₂ -、-CR^b4 R^b5 -、及-NR^b6 -所成群之基所取代。 作為R^b1 之烴基在包含為烴環時，構成烴環之碳原子之至少1個也可被選自由N、O、P、S、及Se所成群之雜原子或包含該雜原子之原子團所取代。 R^b4 及R^b5 係各自獨立為氫原子、或鹵素原子，R^b4 及R^b5 之至少一者為鹵素原子。 R^b6 為氫原子、或碳原子數1以上6以下之烴基。 R^a1 、及R^a2 係各自獨立為氫原子、可具有取代基之碳原子數1以上20以下之脂肪族烴基、可具有取代基之環構成原子數5以上20以下之芳香族基、或-R^a3 -R^a4 所示之基。 R^a1 、及R^a2 不同時為氫原子。 作為R^a1 或R^a2 之脂肪族烴基在包含1個以上亞甲基時，亞甲基之至少一部分也可被選自由-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-SO-、-SO₂ -、及-NR^a5 -所成群之基所取代。 R^a5 為氫原子、或碳原子數1以上6以下之烴基。 R^a3 為亞甲基、-O-、-CO-、-CO-O-、-SO-、-SO₂ -、或-NR^a6 -。 R^a6 為氫原子、或碳原子數1以上6以下之烴基。 R^a4 為可具有取代基之環構成原子數5以上20以下之芳香族基、碳原子數1以上6以下之全氟烷基、可具有取代基之碳原子數7以上20以下之芳烷基，或包含可具有取代基之環構成原子數5以上20以下之芳香族雜環基之雜芳基烷基。 Q¹ 、及Q² 係各自獨立為氟原子、或碳原子數1以上6以下之全氟烷基。 L為酯鍵。

式(a3)中，作為R^a1 及R^a2 之碳原子數1以上20以下之脂肪族烴基可為直鏈狀，可為支鏈狀，可為環狀，亦可為該等構造之組合。 作為脂肪族烴基，以烷基為佳。作為烷基之適宜具體例，可舉出如甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基、n-戊基、n-己基、n-庚基、n-辛基、2-乙基己基、n-壬基、及n-癸基。 作為R^a1 及R^a2 之作為碳原子數1以上20以下之脂肪族烴基可具有之取代基，可舉出如羥基、巰基、胺基、鹵素原子、氧原子、硝基、氰基等。取代基之數為任意者。作為R^a1 及R^a2 之作為具有取代基之碳原子數1以上20以下之脂肪族烴基，可舉出例如，碳原子數1以上6以下之全氟烷基。作為該具體例，可舉出如CF₃ -、CF₃ CF₂ -、(CF₃ )₂ CF-、CF₃ CF₂ CF₂ -、CF₃ CF₂ CF₂ CF₂ -、(CF₃ )₂ CFCF₂ -、CF₃ CF₂ (CF₃ )CF-、(CF₃ )₃ C-。

式(a3)中，作為R^a1 及R^a2 之可具有取代基之環構成原子數5以上20以下之芳香族基係可為芳香族烴基，也可為芳香族雜環基。 作為芳香族基，可舉出如苯基、萘基等之芳基，或呋喃基、噻吩基等之雜芳基。 環構成原子數5以上20以下之芳香族基所可具有之取代基係與作為R^a1 及R^a2 之碳原子數1以上20以下之脂肪族烴基所具有之取代基相同。

式(a3)中，作為R^a4 之可具有取代基之環構成原子數5以上20以下之芳香族基係與關於R^a1 及R^a2 所說明之可具有取代基之環構成原子數5以上20以下之芳香族基相同。 式(a3)中，作為R^a4 之碳原子數1以上6以下之全氟烷基係與關於R^a1 及R^a2 所說明之碳原子數1以上6以下之全氟烷基相同。 式(a3)中，作為R^a4 之作為可具有取代基之碳原子數7以上20以下之芳烷基之具體例，可舉出如苄基、苯乙基、α-萘基甲基、β-萘基甲基、2-α-萘基乙基、及2-β-萘基乙基等。 式(a3)中，雜芳基烷基係指芳基烷基中之構成芳香族烴環之碳原子之一部分被N、O或S等之雜原子所取代之基。作為R^a4 之作為包含可具有取代基之環構成原子數5以上20以下之芳香族雜環基之雜芳基烷基之具體例，可舉出如吡啶-2-基甲基、吡啶-3-基甲基、吡啶-4-基甲基等。

式(a3)中，作為R^a5 之碳原子數1以上6以下之烴基可為脂肪族烴基，可為芳香族烴基，亦可為該等之組合。脂肪族烴基可為直鏈狀，可為支鏈狀，可為環狀，亦可為該等構造之組合。 作為脂肪族烴基，可舉出如甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基、n-戊基、n-己基等之烷基。 作為芳香族烴基，可舉出如苯基。

式(a3)中，作為R^a6 之碳原子數1以上6以下之烴基係與關於R^a5 所說明之碳原子數1以上6以下之烴基相同。

式(a3)中，作為R^b1 之碳原子數1以上30以下之烴基可為脂肪族烴基，可為芳香族烴基，亦可為該等之組合。脂肪族烴基可為直鏈狀，可為支鏈狀，可為環狀，亦可為該等構造之組合。 作為脂肪族烴基，可舉出如甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基、n-戊基、n-己基等之鏈狀脂肪族烴基，或環丙基、環丁基、環戊基、環己基、金剛烷基、降莰基等之環狀脂肪族烴基(烴環)。 作為芳香族烴基，可舉出如苯基、萘基。 作為組合脂肪族烴基及芳香族烴基而成之基，可舉出如苄基、苯乙基、呋喃基甲基。 作為R^b1 之烴基在包含烴環時，作為將構成烴環之碳原子之至少1個予以取代之包含雜原子之原子團，可舉出如-CO-、-CO-O-、-SO-、-SO₂ -、-SO₂ -O-、-P(=O)-(OR^b7 )₃ 。R^b7 為碳原子數1以上6以下之烴基，且與關於R^a5 所說明之碳原子數1以上6以下之烴基相同。

式(a3)中，作為R^b4 及R^b5 之作為鹵素原子之具體例，可舉出如氯原子、氟原子、溴原子、及碘原子。

式(a3)中，作為R^b6 之碳原子數1以上6以下之烴基係與作為式(a3)中之R^a5 所說明之碳原子數1以上6以下之烴基相同。

式(a3)中，作為Q¹ 及Q² 之作為碳原子數1以上6以下之全氟烷基，與作為式(a3)中之R^a1 及R^a2 所說明之碳原子數1以上6以下之全氟烷基相同。

式(a3)所示之化合物中，作為L之酯鍵之方向並無特別限定，可為-CO-O-也可為-O-CO-之任一者。

式(a3)所示之化合物係以下述式(a3-1)所示之化合物為佳。

式(a3-1)中之R^b1 、R^a1 、Q¹ 、及Q² 係以與式(a3)中之該等相同。)

式(a3-1)中之R^a1 為可具有取代基之碳原子數1以上20以下之脂肪族烴基，作為R^a1 之脂肪族烴基為包含1個以上亞甲基之情況，亞甲基之至少一部分也可被選自由-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-SO-、-SO₂ -、及-NR^a5 -所成群之基所取代，以式(a3-1)所示之化合物為佳。

式(a3)所示之化合物係可使用以下之N-有機磺醯氧基化合物之製造方法來製造。 可製造式(a3)所示之化合物之N-有機磺醯氧基化合物之製造方法為一種N-有機磺醯氧基化合物之製造方法，其係包含使N-羥基化合物(a’)與磺酸氟化物化合物(b’)在鹼性化合物(d’)之存在下進行反應之N-有機磺醯氧基化合物之製造方法，其特徵為在使N-羥基化合物(a’)與磺酸氟化物化合物(b’)進行反應時，在系統中存在有矽化劑(c’)，其中磺酸氟化物化合物(b’)為下述式(b1-1)所示，且矽化劑(c’)係能將N-羥基化合物(a’)所具有之氮原子上之羥基轉換成下述式(ac1)所示之矽氧基。

(式(ac1)中，R^c1 係各自獨立為碳原子數1以上10以下之烴基。)

(式(b1-1)中，R^b1 、L、Q¹ 、及Q² 係各自與上述式(a3)中之該等相同。)

又，可製造式(a3)所示之化合物之N-有機磺醯氧基化合物之製造方法為一種N-有機磺醯氧基化合物之製造方法，其係包含：藉由矽化劑(c’)而使N-羥基化合物(a’)進行矽化之矽化步驟，及使在矽化步驟生成之N-羥基化合物(a’)之矽化物在鹼性化合物(d’)之存在下與磺酸氟化物化合物(b’)進行縮合之縮合步驟，且磺酸氟化物化合物(b’)為上述式(b1-1)所示，矽化劑係能將N-羥基化合物(a’)所具有之氮原子上之羥基轉換成上述式(ac1)所示之矽氧基。

N-羥基化合物(a’)為下述式(a3-2)所示之化合物。

式(a3-2)中之R^a1 及R^a2 係與上述式(a3)中之該等相同。

N-羥基化合物(a’)係可藉由例如國際公開第2014/084269號公報，或日本特表2017-535595號公報所揭示之常法進行合成。例如，式(a3-2)所示且R^a2 為氫原子之化合物係可藉由將市售之溴化物作為起始物質之下述式所示之反應，將萘二甲酸酐上之溴基轉換成R^a1 後，藉由使酸酐基與鹽酸羥胺等之羥基胺化合物作用，進行N-羥基醯亞胺化來合成。又，作為N-羥基化合物(a’)，也可使用市售品。

磺酸氟化物化合物(b’)係可藉由常法進行合成。例如，(b1-1)中，Q¹ 及Q² 為氟原子之化合物係可藉由下述式所示之反應進行合成。又，作為磺酸氟化物化合物(b’)，也可使用市售品。

式(ac1)中，作為R^c1 之碳原子數1以上10以下之烴基可為脂肪族烴基，可為芳香族烴基，亦可為該等之組合。脂肪族烴基可為直鏈狀，可為支鏈狀，可為環狀，亦可為該等構造之組合。 作為脂肪族烴基，可舉出如甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基、n-戊基、n-己基、n-庚基、n-辛基、2-乙基己基、n-壬基、及n-癸基等之烷基。 作為芳香族烴基，可舉出如苯基、萘基。

作為矽化劑(c’)，可舉出如下述式(c’1)所示之化合物。

(式(c’1)中，R^c1 係與式(ac1)中之R^c1 相同，X為鹵素原子。)

式(c’1)中，當作作為X之鹵素原子之具體例，可舉出如氯原子、氟原子、溴原子、及碘原子。

作為矽化劑(c’)之具體例，可舉出如三甲基矽基氯、三甲基矽基氟、三甲基矽基溴、t-丁基二甲基矽基氯、乙基二甲基矽基氯、異丙基二甲基矽基氯。

鹼性化合物(d’)可為有機鹼，亦可為無機鹼。 作為有機鹼，可舉出例如，含氮鹼性化合物，作為具體例，可舉出如甲基胺、乙基胺、n-丙基胺、異丙基胺、n-丁基胺、二甲基胺、二乙基胺、二-n-丙基胺、二異丙基胺、二-n-丁基胺、三甲基胺、三乙基胺、甲基二乙基胺、N-乙基二異丙基胺、三-n-丙基胺、三異丙基胺、單乙醇胺、二乙醇胺、及三乙醇胺等之胺類、吡咯、哌啶、1,8-二吖雙環[5,4,0]-7-十一烯、及1,5-二吖雙環[4,3,0]-5-壬烷等之環狀鹼性化合物、氫氧化四甲基銨(TMAH)、氫氧化四乙基銨、氫氧化四丙基銨(TPAH)、氫氧化四丁基銨、氫氧化甲基三丙基銨、氫氧化甲基三丁基銨、氫氧化苄基三甲基銨、氫氧化苄基三乙基銨、及氫氧化三甲基(2-羥基乙基)銨等之第4級銨鹽等。 作為無機鹼，可舉出例如，金屬氫氧化物、金屬碳酸氫鹽、及金屬碳酸氫鹽。作為無機鹼之具體例，可舉出如氫氧化鋰、氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銣、氫氧化銫、氫氧化鎂、氫氧化鈣、氫氧化鍶、及氫氧化鋇等之金屬氫氧化物、碳酸鋰、碳酸鉀、碳酸鈉、碳酸銣、碳酸銫、碳酸鎂、碳酸鈣、碳酸鍶、及碳酸鋇等之金屬碳酸鹽、碳酸氫鋰、碳酸氫鉀、碳酸氫鈉、碳酸氫銣、及碳酸氫銫等之金屬碳酸氫鹽等。

N-有機磺醯氧基化合物之製造方法係如此般在矽化劑(c’)及鹼性化合物(d’)之存在下使N-羥基化合物(a’)與磺酸氟化物化合物(b’)進行反應。 因此，在使N-羥基化合物(a’)與磺酸氟化物化合物(b’)在鹼性化合物(d’)之存在下進行反應時，藉由使矽化劑(c’)存在，即可效率良好地製造N-有機磺醯氧基化合物。例如，相對於原料之N-羥基化合物(a’)及磺酸氟化物化合物(b’)，能以65%以上取得N-有機磺醯氧基化合物。

藉由N-有機磺醯氧基化合物之製造方法，而可取得具有鍵結於N-羥基化合物(a’)之氮原子上之羥基之氫原子被除去之基，與源自磺酸氟化物化合物(b’)之R^b1 -SO₂ -鍵結而成之構造之N-有機磺醯氧基化合物。

N-有機磺醯氧基化合物之製造方法中，在鹼性化合物(d’)之存在下使N-羥基化合物(a’)與磺酸氟化物化合物(b’)進行反應時，系統中存在有矽化劑(c’)即可，可同時混合N-羥基化合物(a’)、磺酸氟化物化合物(b’)、矽化劑(c’)及鹼性化合物(d’)，也可在使N-羥基化合物(a’)與矽化劑(c’)進行一部分反應後或N-羥基化合物(a’)與矽化劑(c’)之反應結束後，才添加磺酸氟化物(b’)及鹼性化合物(d’)。

如此般在矽化劑(c’)及鹼性化合物(d’)之存在下使N-羥基化合物(a’)與磺酸氟化物化合物(b’)進行反應時，N-羥基化合物(a’)因矽化劑(c’)而受到矽化，氮原子上之羥基被轉換成上述式(ac1)所示之矽氧基(Step1：矽化步驟)。 其後，矽化步驟所生成之N-羥基化合物(a’)之矽化物會與經過鹼性化合物(d’)作用之磺酸氟化物化合物(b’)進行縮合(Step2：縮合步驟)。藉此，而可取得N-有機磺醯氧基化合物。

作為N-有機磺醯氧基化合物之製造方法之一例，在以下展示N-羥基化合物(a’)係使用上述式(a3-2)所示之化合物，磺酸氟化物化合物(b’)係使用上述式(b1-1)中Q¹ 及Q² 為氟原子之化合物、矽化劑(c’)係使用三甲基矽基氯、鹼性化合物(d’)係使用三乙基胺時之反應式。尚且，以下所示並非係經過分析性確認之反應機構，而係從原材料與其反應中之行為來推定之反應機構。

作為反應能採用之有機溶劑，可舉出例如，乙酸乙酯、乙酸丁酯、溶纖劑乙酸酯等之酯類、丙酮、甲基乙基酮、異丁基酮、甲基異丁基酮等之酮類、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙二酸二乙基酯等之酯類、N-甲基吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺等之醯胺類、二乙基醚、乙基環戊基醚、四氫呋喃、二噁烷等之醚類、甲苯、二甲苯等之芳香族烴類、己烷、庚烷、辛烷、十氫萘等之脂肪族烴類、氯仿、二氯甲烷、二氯甲烷、二氯乙烷等之鹵化烴類、乙腈、丙腈等之腈系溶劑、二甲亞碸、二甲基磺醯胺等。所使用之有機溶劑係可使用1種類之溶劑，也可任意組合2種以上來使用。 作為可採用之反應溫度，例如-10℃~200℃之範圍，以0℃~150℃之範圍為佳，較佳為5℃~120℃之範圍。 作為可採用之反應時間，例如5分鐘以上20小時以下，10分鐘以上15小時以下，30分鐘以上12小時以下。

以相對於N-羥基化合物(a’)而分別過剩地使用磺酸氟化物化合物(b’)、矽化劑(c’)及鹼性化合物(d’)為佳。例如，相對於N-羥基化合物(a’)1.0莫耳，以使用磺酸氟化物化合物(b’)1.1莫耳以上2.5莫耳以下、矽化劑(c’)1.1莫耳以上2.5莫耳以下、鹼性化合物(d’)1.1莫耳以上2.5莫耳以下為佳。

酸產生劑(A)也可包含因活性光線或放射線之照射而產生磺酸之非離子系酸產生劑以外之酸產生劑。 產生磺酸之非離子系酸產生劑之質量對酸產生劑(A)之質量的比率係以50質量%以上為佳，以70質量%以上為較佳，以80質量%以上為更佳，以90質量%以上為更佳，以95質量%以上為特佳，以100質量%為最佳。

相對於感光性樹脂組成物之全固體成分量，酸產生劑(A)之全體含量係以0.01質量%以上20質量%以下為佳，以0.03質量%以上10質量%以下為較佳，以0.05質量%以上8質量%以下為特佳。 又，相對於感光性樹脂組成物之全固體成分量，因活性光線或放射線之照射而產生磺酸之非離子系酸產生劑係以0.01質量%以上20質量%以下為佳，以0.03質量%以上10質量%以下為較佳，以0.05質量%以上8質量%以下為特佳。

＜樹脂(B)＞ 作為因酸之作用而對鹼之溶解性增大之樹脂(B)，並無特別限定，可使用因酸之作用而對於鹼之溶解性增大之任意樹脂。其中，亦可含有選自由酚醛樹脂(B1)、聚羥基苯乙烯樹脂(B2)、及丙烯酸樹脂(B3)所成群之至少1種樹脂為佳。

[酚醛樹脂(B1)] 作為酚醛樹脂(B1)，可使用包含下述式(b-11)所示之構成單位之樹脂。

上述式(b-11)中，R^1b 表示酸解離性溶解抑制基，R^2b 、R^3b 係各自獨立表示氫原子或碳原子數1以上6以下之烷基。

作為上述R^1b 所示之酸解離性溶解抑制基，以下述式(b-12)、(b-13)所示之基、碳原子數1以上6以下之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基、乙烯氧基乙基、四氫吡喃基、四氫呋喃基、或三烷基矽基為佳。

上述式(b-12)、(b-13)中，R^4b 、R^5b 係各自獨立表示氫原子、或碳原子數1以上6以下之直鏈狀或分支狀之烷基，R^6b 表示碳原子數1以上10以下之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基，R^7b 表示碳原子數1以上6以下之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基，o表示0或1。

作為上述直鏈狀或分支狀之烷基，可舉出如甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。又，作為上述環狀之烷基，可舉出如環戊基、環己基等。

在此，作為上述式(b-12)所示之酸解離性溶解抑制基，具體地可舉出如甲氧基乙基、乙氧基乙基、n-丙氧基乙基、異丙氧基乙基、n-丁氧基乙基、異丁氧基乙基、tert-丁氧基乙基、環己氧基乙基、甲氧基丙基、乙氧基丙基、1-甲氧基-1-甲基-乙基、1-乙氧基-1-甲基乙基等。又，作為上述式(b-13)所示之酸解離性溶解抑制基，具體地可舉出如tert-丁氧基羰基、tert-丁氧基羰基甲基等。又，作為上述三烷基矽基，可舉出如三甲基矽基、三-tert-丁基二甲基矽基等之各烷基之碳原子數為1以上6以下之基。

[聚羥基苯乙烯樹脂(B2)] 作為聚羥基苯乙烯樹脂(B2)，可使用包含下述式(b4)所示之構成單位之樹脂。

上述式(b4)中，R^8b 表示氫原子或碳原子數1以上6以下之烷基，R^9b 表示酸解離性溶解抑制基。

上述碳原子數1以上6以下之烷基為例如碳原子數1以上6以下之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基。作為直鏈狀或分支狀之烷基，可舉出如甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等，作為環狀之烷基，可舉出如環戊基、環己基等。

作為上述R^9b 所示之酸解離性溶解抑制基，可使用與上述式(b-12)、(b-13)所例示者為相同之酸解離性溶解抑制基。

並且，聚羥基苯乙烯樹脂(B2)在為了適度地控制物理、化學特性之目的上，可包含其他聚合性化合物作為構成單位。作為此種聚合性化合物，可舉出如公知之自由基聚合性化合物，或陰離子聚合性化合物。又，作為此種聚合性化合物，可舉出例如，丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸等之單羧酸類；馬來酸、富馬酸、伊康酸等之二羧酸類；2-甲基丙烯醯氧基乙基琥珀酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基馬來酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基酞酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基六氫酞酸等之具有羧基及酯鍵之甲基丙烯酸衍生物類；甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、丁基(甲基)丙烯酸酯等之(甲基)丙烯酸烷基酯類；2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯等之(甲基)丙烯酸羥基烷基酯類；苯基(甲基)丙烯酸酯、苄基(甲基)丙烯酸酯等之(甲基)丙烯酸芳基酯類；馬來酸二乙基酯、富馬酸二丁基酯等之二羧酸二酯類；苯乙烯、α-甲基苯乙烯、氯苯乙烯、氯甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、羥基苯乙烯、α-甲基羥基苯乙烯、α-乙基羥基苯乙烯等之含乙烯基之芳香族化合物類；乙酸乙烯酯等之含乙烯基之脂肪族化合物類；丁二烯、異戊二烯等之共軛二烯烴類；丙烯腈、甲基丙烯腈等之含腈之聚合性化合物類；氯乙烯、偏二氯乙烯等之含氯之聚合性化合物；丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺等之含醯胺鍵之聚合性化合物類等。

[丙烯酸樹脂(B3)] 作為丙烯酸樹脂(B3)，只要係因酸之作用而對鹼之溶解性增大之丙烯酸樹脂，且係自以往就摻合於各種感光性樹脂組成物者，即無特別限定。 丙烯酸樹脂(B3)係以含有例如由包含含-SO₂ -之環式基、或含內酯之環式基之丙烯酸酯所衍生之構成單位(b-3)為佳。於該情況，在形成阻劑圖型之際，容易形成具有較佳剖面形狀之阻劑圖型。

(含-SO₂ -之環式基) 在此，「含-SO₂ -之環式基」係指表示在該環骨架中含有包含-SO₂ -之環的環式基，具體而言，-SO₂ -中之硫原子(S)形成環式基之環骨架一部分之環式基。將該環骨架中包含-SO₂ -之環計數作為第一個環，在僅該環時則為單環式基，在更具有其他環構造時，則無關其之構造皆稱為多環式基。含-SO₂ -之環式基可為單環式亦可為多環式。

含-SO₂ -之環式基尤其係以在該環骨架中含有-O-SO₂ -之環式基，即含有-O-SO₂ -中之-O-S-會形成環骨架一部分之磺內酯(sultone)環的環式基為佳。

含-SO₂ -之環式基之碳原子數係以3以上30以下為佳，以4以上20以下為較佳，以4以上15以下為更佳，以4以上12以下為特佳。該碳原子數為構成環骨架之碳原子之數，且係不包含取代基中之碳原子數者。

含-SO₂ -之環式基可為含-SO₂ -之脂肪族環式基，也可為含-SO₂ -之芳香族環式基。以含-SO₂ -之脂肪族環式基為佳。

作為含-SO₂ -之脂肪族環式基，可舉出如，從構成該環骨架之碳原子之一部分被-SO₂ -或-O-SO₂ -所取代之脂肪族烴環去除至少1個氫原子之基。更具體地可舉出如，從構成該環骨架之-CH₂ -被-SO₂ -所取代之脂肪族烴環去除至少1個氫原子之基、從構成該環之-CH₂ -CH₂ -被-O-SO₂ -所取代之脂肪族烴環去除至少1個氫原子之基等。

該脂環式烴環之碳原子數係以3以上20以下為佳，以3以上12以下為較佳。該脂環式烴環可為多環式，亦可為單環式。作為單環式之脂環式烴基，以從碳原子數3以上6以下之單環烷去除2個氫原子之基為佳。作為該單環烷，可例示如環戊烷、環己烷等。作為多環式之脂環式烴環，以從碳原子數7以上12以下之多環烷去除2個氫原子之基為佳，作為該多環烷，具體地可舉出如金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。

含-SO₂ -之環式基係也可具有取代基。作為該取代基，可舉出例如，烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、氧原子(=O)、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基、氰基等。

當作作為該取代基之烷基，以碳原子數1以上6以下之烷基為佳。該烷基係以直鏈狀或支鏈狀為佳。具體地可舉出如甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、n-戊基、異戊基、新戊基、n-己基等。該等之中，以甲基、或乙基為佳，以甲基為特佳。

當作作為該取代基之烷氧基，以碳原子數1以上6以下之烷氧基為佳。該烷氧基係以直鏈狀或支鏈狀為佳。具體地可舉出如前述之當作作為取代基之烷基所舉出之烷基與氧原子(-O-)鍵結之基。

當作作為該取代基之鹵素原子，可舉出如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，以氟原子為佳。

當作作為該取代基之鹵化烷基，可舉出如前述之烷基之氫原子之一部分或全部被前述鹵素原子所取代之基。

當作作為該取代基之鹵化烷基，可舉出如前述之當作作為取代基之烷基所舉出之烷基之氫原子之一部分或全部被前述鹵素原子所取代之基。該鹵化烷基係以氟化烷基為佳，特別係以全氟烷基為佳。

前述之-COOR”、-OC(=O)R”中之R”皆為氫原子或碳原子數1以上15以下之直鏈狀、支鏈狀或環狀之烷基。

R”為直鏈狀或支鏈狀之烷基時，該鏈狀之烷基之碳原子數係以1以上10以下為佳，以1以上5以下為較佳，以1或2為特佳。

R”為環狀之烷基時，該環狀之烷基之碳原子數係以3以上15以下為佳，以4以上12以下為較佳，以5以上10以下為特佳。具體地可例示如，從可經氟原子或氟化烷基所取代或可不經取代之單環烷、或雙環烷、三環烷、四環烷等之多環烷去除1個以上氫原子之基等。更具體地可舉出如，從環戊烷、環己烷等之單環烷，或金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之多環烷去除1個以上氫原子之基等。

當作作為該取代基之羥基烷基，以碳原子數1以上6以下之羥基烷基為佳。具體地可舉出如，前述之當作作為取代基之烷基所舉出之烷基之氫原子之至少1個被羥基取代之基。

作為含-SO₂ -之環式基，更具體地可舉出如下述式(3-1)~(3-4)所示之基。

(式中，A’為可包含氧原子或硫原子之碳原子數1以上5以下之伸烷基、氧原子或硫原子，z為0以上2以下之整數，R^10b 為烷基、烷氧基、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基、或氰基，R”為氫原子、或烷基。)

上述式(3-1)~(3-4)中，A’為可包含氧原子(-O-)或硫原子(-S-)之碳原子數1以上5以下之伸烷基、氧原子、或硫原子。作為A’中之碳原子數1以上5以下之伸烷基，以直鏈狀或支鏈狀之伸烷基為佳，可舉出如亞甲基、伸乙基、n-伸丙基、伸異丙基等。

該伸烷基在包含氧原子或硫原子時，作為其之具體例，可舉出如在前述之伸烷基之末端或碳原子間存在有-O-、或-S-之基，可舉出例如-O-CH₂ -、-CH₂ -O-CH₂ -、-S-CH₂ -、-CH₂ -S-CH₂ -等。作為A’，以碳原子數1以上5以下之伸烷基、或-O-為佳，以碳原子數1以上5以下之伸烷基為較佳，以亞甲基為最佳。

z可為0、1、及2之任一者，以0為最佳。z為2時，複數之R^10b 係分別可為相同，亦可為相異。

作為R^10b 中之烷基、烷氧基、鹵化烷基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基，可分別舉出如，與在關於作為含-SO₂ -之環式基所可具有之取代基所舉出之烷基、烷氧基、鹵化烷基、-COOR”、-OC(=O)R”、及羥基烷基之上述說明者為相同者。

以下，例示前述式(3-1)~(3-4)所示之具體的環式基。尚且，式中之「Ac」表示乙醯基。

作為含-SO₂ -之環式基，上述之中係以前述之式(3-1)所示之基為佳，以選自由前述之化學式(3-1-1)、(3-1-18)、(3-3-1)、及(3-4-1)之任一式所示之基所成群之至少1種為較佳，以前述化學式(3-1-1)所示之基為最佳。

(含內酯之環式基) 「含內酯之環式基」係指表示在其環骨架中包含含有-O-C(=O)-之環(內酯環)之環式基。將內酯環計數作為第一個環，在僅有內酯環時則稱為單環式基，在更具有其他環構造時，無關其之構造皆稱為多環式基。含內酯之環式基可為單環式基，亦可為多環式基。

作為構成單位(b-3)中之內酯環式基，並無特別限定，而能使用任意者。具體而言，作為含內酯之單環式基，可舉出如，從四至六員環內酯去除1個氫原子之基，例如從β-丙內酯去除1個氫原子之基、從γ-丁內酯去除1個氫原子之基、從δ-戊內酯去除1個氫原子之基等。又，作為含內酯之多環式基，可舉出如，從具有內酯環之雙環烷、三環烷、四環烷去除1個氫原子之基。

作為構成單位(b-3)，只要係具有含-SO₂ -之環式基、或含內酯之環式基者，其他部分之構造皆無特別限定，以選自由構成單位(b-3-S)，及構成單位(b-3-L)所成群之至少1種構成單位為佳，該構成單位(b-3-S)係由鍵結於α位碳原子之氫原子可經取代基所取代之丙烯酸酯所衍生之構成單位且包含含-SO₂ -之環式基者，該構成單位(b-3-L)係由鍵結於α位碳原子之氫原子可經取代基所取代之丙烯酸酯所衍生之構成單位且係包含含內酯之環式基者。

[構成單位(b-3-S)] 作為構成單位(b-3-S)之例，更具體地可舉出如下述式(b-S1)所示之構成單位。

(式中，R為氫原子、碳原子數1以上5以下之烷基、或碳原子數1以上5以下之鹵化烷基，R^11b 為含-SO₂ -之環式基，R^12b 為單鍵或2價連結基。)

式(b-S1)中，R係與前述相同。 R^11b 係與前述舉出之含-SO₂ -之環式基相同。 R^12b 可為單鍵、2價連結基之任一者。

作為R^12b 中之2價連結基，並無特別限定，可舉出如可具有取代基之2價烴基、包含雜原子之2價連結基等作為適宜者。

・可具有取代基之2價烴基 作為2價連結基之烴基可為脂肪族烴基，也可為芳香族烴基。脂肪族烴基係意指不具有芳香族性之烴基。該脂肪族烴基可為飽和亦可為不飽和。通常係以飽和烴基為佳。作為該脂肪族烴基，更具體地可舉出如直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基、構造中包含環之脂肪族烴基等。

前述直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之碳原子數係以1以上10以下為佳，以1以上8以下為較佳，以1以上5以下為更佳。

作為直鏈狀之脂肪族烴基，以直鏈狀之伸烷基為佳。具體地可舉出如亞甲基[-CH₂ -]、伸乙基[-(CH₂ )₂ -]、三亞甲基[-(CH₂ )₃ -]、四亞甲基[-(CH₂ )₄ -]、五亞甲基[-(CH₂ )₅ -]等。

作為支鏈狀之脂肪族烴基，以支鏈狀之伸烷基為佳。具體地可舉出如-CH(CH₃ )-、-CH(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ -、-C(CH₃ )(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )(CH₂ CH₂ CH₃ )-、-C(CH₂ CH₃ )₂ -等之烷基亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ -、-CH(CH₃ )CH(CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ CH₂ -、-CH(CH₂ CH₃ )CH₂ -、-C(CH₂ CH₃ )₂ -CH₂ -等之烷基伸乙基；     -CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ -等之烷基三亞甲基；    -CH(CH₃ )CH₂ CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -等之烷基四亞甲基等之烷基伸烷基等。作為烷基伸烷基中之烷基，以碳原子數1以上5以下之直鏈狀之烷基為佳。

上述之直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基係可具有且亦可不具有將氫原子予以取代之取代基(氫原子以外之基或原子)。作為該取代基，可舉出如氟原子、經氟原子取代之碳原子數1以上5以下之氟化烷基、側酮基(=O)等。

作為上述之構造中包含環之脂肪族烴基，可舉出如可包含環構造中包含雜原子之取代基之環狀脂肪族烴基(從脂肪族烴環去除2個氫原子之基)、該環狀脂肪族烴基鍵結於直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基末端之基、該環狀之脂肪族烴基存在於直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之途中之基等。作為上述之直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基，可舉出如與前述相同者。

環狀脂肪族烴基之碳原子數係以3以上20以下為佳，以3以上12以下為較佳。

環狀脂肪族烴基可為多環式亦可為單環式。作為單環式之脂肪族烴基，以從單環烷去除2個氫原子之基為佳。該單環烷之碳原子數係以3以上6以下為佳。具體地可舉出如環戊烷、環己烷等。作為多環式之脂肪族烴基，以從多環烷去除2個氫原子之基為佳。該多環烷之碳原子數係以7以上12以下為佳。具體地可舉出如金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。

環狀脂肪族烴基係可具有也可不具有將氫原子予以取代之取代基(氫原子以外之基或原子)。作為該取代基，可舉出如烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、側酮基(=O)等。

上述之當作作為取代基之烷基，以碳原子數1以上5以下之烷基為佳，以甲基、乙基、丙基、n-丁基、及tert-丁基為較佳。

上述之當作作為取代基之烷氧基，以碳原子數1以上5以下之烷氧基為佳，以甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、及tert-丁氧基為較佳，以甲氧基、及乙氧基為特佳。

上述之當作作為取代基之鹵素原子，可舉出如氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子等，以氟原子為佳。

上述之當作作為取代基之鹵化烷基，可舉出如前述烷基之氫原子之一部分或全部被上述鹵素原子所取代之基。

環狀脂肪族烴基係構成該環構造之碳原子之一部分也可被-O-或-S-取代。作為該包含雜原子之取代基，以-O-、-C(=O)-O-、-S-、-S(=O)₂ -、-S(=O)₂ -O-為佳。

作為2價烴基之芳香族烴基係至少具有1個芳香環之2價烴基，且亦可具有取代基。芳香環只要具有4n+2個π電子之環狀共軛系統，即無特別限定，可為單環式亦可為多環式。芳香環之碳原子數係以5以上30以下為佳，以5以上20以下為較佳，以6以上15以下為更佳，以6以上12以下為特佳。但，該碳原子數係不包含取代基之碳原子數者。

作為芳香環，具體地可舉出如苯、萘、蒽、及菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子之一部被雜原子取代之芳香族雜環等。作為芳香族雜環中之雜原子，可舉出如氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體地可舉出如吡啶環、噻吩環等。

當作作為2價烴基之芳香族烴基，具體地可舉出如，從上述之芳香族烴環或芳香族雜環去除2個氫原子之基(伸芳基、或雜伸芳基)；從包含2個以上芳香環之芳香族化合物(例如，聯苯基、茀等)去除2個氫原子之基；從上述之芳香族烴環或芳香族雜環去除1個氫原子之基(芳基、或雜芳基)之1個氫原子被伸烷基所取代之基(例如，從苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基中之芳基再去除1個氫原子之基)等。

鍵結於上述之芳基或雜芳基之伸烷基之碳原子數係以1以上4以下為佳，以1以上2以下為較佳，以1為特佳。

上述之芳香族烴基中，該芳香族烴基所具有之氫原子係亦可被取代基所取代。例如，鍵結於該芳香族烴基中之芳香環上之氫原子可被取代基所取代。作為該取代基，可舉出例如，烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、側酮基(=O)等。

上述之當作作為取代基之烷基，以碳原子數1以上5以下之烷基為佳，以甲基、乙基、n-丙基、n-丁基、及tert-丁基為較佳。

上述之當作作為取代基之烷氧基，以碳原子數1以上5以下之烷氧基為佳，以甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、及tert-丁氧基為佳，以甲氧基、及乙氧基為較佳。

上述之當作作為取代基之鹵素原子，可舉出如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，以氟原子為佳。

上述之當作作為取代基之鹵化烷基，可舉出如與前述烷基之氫原子之一部分或全部被前述鹵素原子取代之基。

・包含雜原子之2價連結基 包含雜原子之2價連結基中之雜原子係碳原子及氫原子以外之原子，可舉出例如，氧原子、氮原子、硫原子、及鹵素原子等。

作為包含雜原子之2價連結基，具體地可舉出如，-O-、-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-O-、-S-、-S(=O)₂ -、-S(=O)₂ -O-、-NH-、-NH-C(=O)-、-NH-C(=NH)-、=N-等之非烴系連結基、該等非烴系連結基之至少1種與2價烴基之組合等。作為該2價烴基，可舉出如與上述之可具有取代基之2價烴基為相同者，以直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基為佳。

上述之中，-C(=O)-NH-中之-NH-、-NH-、 -NH-C(=NH)-中之H係分別可被烷基、醯基等之取代基所取代。該取代基之碳原子數係以1以上10以下為佳，以1以上8以下為較佳，以1以上5以下為特佳。

作為R^12b 中之2價連結基，尤其係以直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、環狀之脂肪族烴基，或包含雜原子之2價連結基為佳。

R^12b 中之2價連結基為直鏈狀或支鏈狀伸烷基時，該伸烷基之碳原子數係以1以上10以下為佳，以1以上6以下為較佳，以1以上4以下為特佳，以1以上3以下為最佳。具體而言，可舉出如與在前述作為2價連結基之「可具有取代基之2價烴基」之說明中，作為直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基所舉出之直鏈狀之伸烷基、支鏈狀之伸烷基為相同者。

R^12b 中之2價連結基為環狀之脂肪族烴基時，作為該環狀之脂肪族烴基，可舉出如與在前述作為2價連結基之「可具有取代基之2價烴基」之說明中，作為「構造中包含環之脂肪族烴基」所舉出之環狀之脂肪族烴基為相同者。

作為該環狀之脂肪族烴基，以從環戊烷、環己烷、降莰烷、異莰烷、金剛烷、三環癸烷、或四環十二烷去除二個以上氫原子之基為特佳。

R^12b 中之2價連結基為包含雜原子之2價連結基時，作為該連結基，作為較佳者可舉出如，-O-、-C(=O)-O-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-(H可被烷基、醯基等之取代基所取代)、-S-、-S(=O)₂ -、-S(=O)₂ -O-、一般式-Y^1b -O-Y^2b -、-[Y^1b -C(=O)-O]_m’ -Y^2b -、或-Y^1b -O-C(=O)-Y^2b -所示之基[式中，Y^1b 、及Y^2b 係各自獨立為可具有取代基之2價烴基，O為氧原子，m’為0以上3以下之整數]等。

R^12b 中之2價連結基為-NH-時，-NH-中之氫原子係也可被烷基、醯基等之取代基所取代。該取代基(烷基、醯基等)之碳原子數係以1以上10以下為佳，以1以上8以下為較佳，以1以上5以下為特佳。

式-Y^1b -O-Y^2b -、-[Y^1b -C(=O)-O]_m’ -Y^2b -、或 -Y^1b -O-C(=O)-Y^2b -中，Y^1b 、及Y^2b 係各自獨立為可具有取代基之2價烴基。作為該2價烴基，可舉出如與前述作為2價連結基之說明中舉出之「可具有取代基之2價烴基」為相同者。

Y^1b 係以直鏈狀之脂肪族烴基為佳，以直鏈狀之伸烷基為較佳，以碳原子數1以上5以下之直鏈狀之伸烷基為較佳，以亞甲基、及伸乙基為特佳。

Y^2b 係以直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基為佳，以亞甲基、伸乙基、及烷基亞甲基為較佳。該烷基亞甲基中之烷基係以碳原子數1以上5以下之直鏈狀之烷基為佳，以碳原子數1以上3以下之直鏈狀之烷基為較佳，以甲基為特佳。

式-[Y^1b -C(=O)-O]_m’ -Y^2b -所示之基中，m’為0以上3以下之整數，以0以上2以下之整數為佳，以0或1為較佳，以1為特佳。亦即，作為式-[Y^1b -C(=O)-O]_m’ -Y^2b -所示之基，以式-Y^1b -C(=O)-O-Y^2b -所示之基為特佳。其中亦以式-(CH₂ )_a’ -C(=O)-O-(CH₂ )_b’ -所示之基為佳。該式中，a’為1以上10以下之整數，以1以上8以下之整數為佳，以1以上5以下之整數為較佳，以1或2為更佳，以1為最佳。b’為1以上10以下之整數，以1以上8以下之整數為佳，以1以上5以下之整數為較佳，以1或2為更佳，以1為最佳。

關於R^12b 中之2價連結基，作為包含雜原子之2價連結基，以包含至少1種之非烴基與2價烴基之組合之有機基為佳。其中亦以具有氧原子作為雜原子之直鏈狀之基，例如包含醚鍵、或酯鍵之基為佳，以前述之式-Y^1b -O-Y^2b -、  -[Y^1b -C(=O)-O]_m’ -Y^2b -、或-Y^1b -O-C(=O)-Y^2b -所示之基為較佳，以前述之式-[Y^1b -C(=O)-O]_m’ -Y^2b -、或-Y^1b -O-C(=O)-Y^2b -所示之基為特佳。

作為R^12b 中之2價連結基，以伸烷基、或包含酯鍵(-C(=O)-O-)者為佳。

該伸烷基係以直鏈狀或支鏈狀之伸烷基為佳。作為該直鏈狀之脂肪族烴基之適宜例，可舉出如亞甲基[-CH₂ -]、伸乙基[-(CH₂ )₂ -]、三亞甲基[-(CH₂ )₃ -]、四亞甲基[-(CH₂ )₄ -]、及五亞甲基[-(CH₂ )₅ -]等。作為支鏈狀之伸烷基之適宜例，可舉出如-CH(CH₃ )-、-CH(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ -、-C(CH₃ )(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )(CH₂ CH₂ CH₃ )-、-C(CH₂ CH₃ )₂ -等之烷基亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ -、-CH(CH₃ )CH(CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ CH₂ -、-CH(CH₂ CH₃ )CH₂ -、-C(CH₂ CH₃ )₂ -CH₂ -等之烷基伸乙基； -CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ -等之烷基三亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -等之烷基四亞甲基等之烷基伸烷基等。

作為包含酯鍵之2價連結基，尤其係以式： -R^13b -C(=O)-O-[式中，R^13b 為2價連結基]所示之基為佳。即，以構成單位(b-3-S)係下述式(b-S1-1)所示之構成單位為佳。

(式中，R、及R^11b 係分別與前述相同，R^13b 為2價連結基。)

R^13b 並無特別限定，可舉出例如，與前述之R^12b 中之2價連結基為相同者。 作為R^13b 之2價連結基，以直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、構造中包含環之脂肪族烴基、或包含雜原子之2價連結基為佳，以直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，或包含氧原子作為雜原子之2價連結基為佳。

作為直鏈狀之伸烷基，以亞甲基、或伸乙基為佳，以亞甲基為特佳。作為支鏈狀之伸烷基，以烷基亞甲基、或烷基伸乙基為佳，以-CH(CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ -、或-C(CH₃ )₂ CH₂ -為特佳。

作為包含氧原子之2價連結基，以包含醚鍵、或酯鍵之2價連結基為佳，以前述之-Y^1b -O-Y^2b -、   -[Y^1b -C(=O)-O]_m’ -Y^2b -、或-Y^1b -O-C(=O)-Y^2b -為較佳。Y^1b 、及Y^2b 係各自獨立為可具有取代基之2價烴基，m’為0以上3以下之整數。其中亦以-Y^1b -O-C(=O)-Y^2b -為佳，以 -(CH₂ )_c -O-C(=O)-(CH₂ )_d -所示之基為特佳。c為1以上5以下之整數，以1或2為佳。d為1以上5以下之整數，以1或2為佳。

作為構成單位(b-3-S)，尤其係以下述式(b-S1-11)、或(b-S1-12)所示之構成單位為佳，以式(b-S1-12)所示之構成單位為較佳。

(式中，R、A’、R^10b 、z、及R^13b 係分別與前述相同。)

式(b-S1-11)中，A’係以亞甲基、氧原子(-O-)、或硫原子(-S-)為佳。

R^13b 係以直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，或包含氧原子之2價連結基為佳。作為R^13b 中之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、包含氧原子之2價連結基，分別可舉出如與前述之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、包含氧原子之2價連結基為相同者。

作為式(b-S1-12)所示之構成單位，尤其係以下述式(b-S1-12a)、或(b-S1-12b)所示之構成單位為佳。

(式中，R、及A’分別係與前述相同，c~e係各自獨立為1以上3以下之整數。)

[構成單位(b-3-L)] 作為構成單位(b-3-L)之例，可舉出例如將前述之式(b-S1)中之R^11b 以含內酯之環式基來取代者，更具體地可舉出如下述式(b-L1)~(b-L5)所示之構成單位。

(式中，R為氫原子、碳原子數1以上5以下之烷基、或碳原子數1以上5以下之鹵化烷基；R’係各自獨立為氫原子、烷基、烷氧基、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基、或氰基，R”為氫原子、或烷基；R^12b 為單鍵、或2價連結基，s”為0以上2以下之整數；A”為可包含氧原子或硫原子之碳原子數1以上5以下之伸烷基、氧原子、或硫原子；r為0或1。)

式(b-L1)~(b-L5)中之R係與前述相同。 作為R’中之烷基、烷氧基、鹵化烷基、-COOR”、   -OC(=O)R”、羥基烷基，分別可舉出如，在關於作為含  -SO₂ -之環式基可具有之取代基中所舉出之烷基、烷氧基、鹵化烷基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基之前述者為相同者。

若考慮到工業上容易取得等時，R’係以氫原子為佳。 R”中之烷基可為直鏈狀、支鏈狀、環狀之任一者。 R”為直鏈狀或支鏈狀之烷基時，以碳原子數1以上10以下為佳，以碳原子數1以上5以下為更佳。 R”為環狀烷基時，以碳原子數3以上15以下為佳，以碳原子數4以上12以下為更佳，以碳原子數5以上10以下為最佳。具體地可例示如，從可經氟原子或氟化烷基取代或亦可不經取代之單環烷、雙環烷、三環烷、四環烷等之多環烷去除1個以上氫原子之基等。具體地可舉出如，從環戊烷、環己烷等之單環烷，或金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之多環烷去除1個以上氫原子之基等。 作為A”，可舉出如與前述之式(3-1)中之A’相同者。A”係以碳原子數1以上5以下之伸烷基、氧原子(-O-)或硫原子(-S-)為佳，以碳原子數1以上5以下之伸烷基、或-O-為較佳。作為碳原子數1以上5以下之伸烷基，以亞甲基、或二甲基亞甲基為較佳，以亞甲基為最佳。

R^12b 係與前述之式(b-S1)中之R^12b 相同。 式(b-L1)中，s”係以1或2為佳。 以下例示前述之式(b-L1)~(b-L3)所示之構成單位之具體例。以下之各式中，R^α 展示氫原子、甲基、或三氟甲基。

作為構成單位(b-3-L)，以選自由前述式(b-L1)~(b-L5)所示之構成單位所成群之至少1種為佳，以選自由式(b-L1)~(b-L3)所示之構成單位所成群之至少1種為較佳，以選自由前述式(b-L1)或(b-L3)所示之構成單位所成群之至少1種為特佳。 其中，以選自由前述之式(b-L1-1)、(b-L1-2)、(b-L2-1)、(b-L2-7)、(b-L2-12)、(b-L2-14)、(b-L3-1)、及(b-L3-5)所示之構成單位所成群之至少1種為佳。

又，作為構成單位(b-3-L)，亦以下述式(b-L6)~(b-L7)所示之構成單位為佳。

式(b-L6)及(b-L7)中，R及R^12b 係與前述相同。

又，丙烯酸樹脂(B3)包含具有酸解離性基之下述式(b5)~(b7)所示之構成單位作為因酸之作用而提高丙烯酸樹脂(B3)對鹼之溶解性的構成單位。

上述式(b5)~(b7)中，R^14b 、及R^18b ~R^23b 係各自獨立表示氫原子、碳原子數1以上6以下之直鏈狀或分支狀之烷基、氟原子、或碳原子數1以上6以下之直鏈狀或分支狀之氟化烷基，R^15b ~R^17b 係各自獨立表示碳原子數1以上6以下之直鏈狀或分支狀之烷基、碳原子數1以上6以下之直鏈狀或分支狀之氟化烷基、或碳原子數5以上20以下之脂肪族環式基，R^16b 及R^17b 亦可互相結合而與兩者所結合之碳原子一同形成碳原子數5以上20以下之烴環，Y^b 表示可具有取代基之脂肪族環式基或烷基，p表示0以上4以下之整數，q表示0或1。

尚且，作為上述直鏈狀或分支狀之烷基，可舉出如甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。又，氟化烷基係指上述烷基之氫原子之一部分或全部被氟原子所取代者。 作為脂肪族環式基之具體例，可舉出如從單環烷、雙環烷、三環烷、四環烷等之多環烷去除1個以上氫原子之基。具體地可舉出如，從環戊烷、環己烷、環庚烷、環辛烷等之單環烷，或金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之多環烷去除1個氫原子之基。尤其係以從環己烷、金剛烷去除1個氫原子之基(亦可更具有取代基)為佳。

在上述R^16b 及R^17b 相結合而形成烴環時，從高對比且解像度、焦點深度寬等為良好之觀點，上述R^15b 、R^16b 、及R^17b 係以碳原子數2以上4以下之直鏈狀或分支狀之烷基為佳。上述R^19b 、R^20b 、R^22b 、R^23b 係以氫原子或甲基為佳。

上述R^16b 及R^17b 亦可與兩者所結合之碳原子一同形成碳原子數5以上20以下之脂肪族環式基。作為此種脂肪族環式基之具體例，可舉出如從單環烷、雙環烷、三環烷、四環烷等之多環烷去除1個以上氫原子之基。具體地可舉出如從環戊烷、環己烷、環庚烷、環辛烷等之單環烷，或金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之多環烷去除1個以上氫原子之基。尤其係以從環己烷、金剛烷去除1個以上氫原子之基(亦可更具有取代基)為佳。

並且，上述R^16b 及R^17b 所形成之脂肪族環式基在該環骨架上具有取代基時，作為該取代基之例，可舉出如羥基、羧基、氰基、氧原子(=O)等之極性基，或碳原子數1以上4以下之直鏈狀或分支狀之烷基。作為極性基，尤其係以氧原子(=O)為佳。

上述Y^b 為脂肪族環式基或烷基，可舉出如從單環烷、雙環烷、三環烷、四環烷等之多環烷去除1個以上氫原子之基等。具體地可舉出如，從環戊烷、環己烷、環庚烷、環辛烷等之單環烷，或金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之多環烷去除1個以上氫原子之基等。尤其係以從金剛烷去除1個以上氫原子之基(亦可更具有取代基)為佳。

並且，上述Y^b 之脂肪族環式基在該環骨架上具有取代基時，作為該取代基之例，可舉出如羥基、羧基、氰基、氧原子(=O)等之極性基，或碳原子數1以上4以下之直鏈狀或分支狀之烷基。做為極性基，尤其係以氧原子(=O)為佳。

又，Y^b 為烷基時，以碳原子數1以上20以下，較佳為6以上15以下之直鏈狀或分支狀之烷基為佳。此種烷基尤其係以烷氧基烷基為佳，作為此種烷氧基烷基，可舉出如1-甲氧基乙基、1-乙氧基乙基、1-n-丙氧基乙基、1-異丙氧基乙基、1-n-丁氧基乙基、1-異丁氧基乙基、1-tert-丁氧基乙基、1-甲氧基丙基、1-乙氧基丙基、1-甲氧基-1-甲基-乙基、1-乙氧基-1-甲基乙基等。

作為上述式(b5)所示之構成單位之為佳具體例，可舉出如下述式(b5-1)~(b5-33)所示者。

上述式(b5-1)~(b5-33)中，R^24b 表示氫原子或甲基。

作為上述式(b6)所示之構成單位之為佳具體例，可舉出如下述式(b6-1)~(b6-26)所示者。

上述式(b6-1)~(b6-26)中，R^24b 表示氫原子或甲基。

作為上述式(b7)所示之構成單位之為佳具體例，可舉出如下述式(b7-1)~(b7-15)所示者。

上述式(b7-1)~(b7-15)中，R^24b 表示氫原子或甲基。

以上說明之式(b5)~(b7)所示之構成單位之中，從容易合成且容易相對性高感度化之觀點，以式(b6)所示之構成單位為佳。又，式(b6)所示之構成單位之中，以Y^b 為烷基之構成單位為佳，以R^19b 及R^20b 之單方或雙方為烷基之構成單位為佳。

並且，丙烯酸樹脂(B3)係以包含共聚物之樹脂為佳，該樹脂包含：具有上述式(b5)~(b7)所示之構成單位，以及由具有醚鍵之聚合性化合物所衍生之構成單位。

作為上述具有醚鍵之聚合性化合物，可例示如具有醚鍵及酯鍵之(甲基)丙烯酸衍生物等之自由基聚合性化合物，作為具體例，可舉出如2-甲氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-乙氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、甲氧基三乙二醇(甲基)丙烯酸酯、3-甲氧基丁基(甲基)丙烯酸酯、乙基卡必醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、四氫糠基(甲基)丙烯酸酯等。又，上述具有醚鍵之聚合性化合物係以2-甲氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-乙氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、甲氧基三乙二醇(甲基)丙烯酸酯為佳。該等聚合性化合物係可單獨使用，亦可組合使用2種以上。

並且，在適度地控制物理、化學特性之目的上，丙烯酸樹脂(B3)中可包含其他聚合性化合物作為構成單位。作為此種聚合性化合物，可舉出如公知之自由基聚合性化合物，或陰離子聚合性化合物。

作為此種聚合性化合物，可舉出例如，丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸等之單羧酸類；馬來酸、富馬酸、伊康酸等之二羧酸類；2-甲基丙烯醯氧基乙基琥珀酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基馬來酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基酞酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基六氫酞酸等之具有羧基及酯鍵之甲基丙烯酸衍生物類；甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、丁基(甲基)丙烯酸酯、環己基(甲基)丙烯酸酯等之(甲基)丙烯酸烷基酯類；2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯等之(甲基)丙烯酸羥基烷基酯類；苯基(甲基)丙烯酸酯、苄基(甲基)丙烯酸酯等之(甲基)丙烯酸芳基酯類；馬來酸二乙基酯、富馬酸二丁基酯等之二羧酸二酯類；苯乙烯、α-甲基苯乙烯、氯苯乙烯、氯甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、羥基苯乙烯、α-甲基羥基苯乙烯、α-乙基羥基苯乙烯等之含乙烯基之芳香族化合物類；乙酸乙烯酯等之含乙烯基之脂肪族化合物類；丁二烯、異戊二烯等之共軛二烯烴類；丙烯腈、甲基丙烯腈等之含腈之聚合性化合物類；氯乙烯、偏二氯乙烯等之含氯聚合性化合物；丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺等之含醯胺鍵之聚合性化合物類等。

如上述般，丙烯酸樹脂(B3)亦可包含源自如上述之單羧酸類或二羧酸類之具有羧基之聚合性化合物的構成單位。但，從容易形成包含剖面形狀為良好矩形之非阻劑部之阻劑圖型的觀點，丙烯酸樹脂(B3)係以實質上不包含源自具有羧基之聚合性化合物之構成單位為佳。具體而言，丙烯酸樹脂(B3)中之源自具有羧基之聚合性化合物之構成單位之比率係以20質量%以下為佳，以15質量%以下為較佳，以5質量%以下為特佳。 丙烯酸樹脂(B3)中，相對性多量地包含源自具有羧基之聚合性化合物之構成單位的丙烯酸樹脂係以與僅少量包含或不包含源自具有羧基之聚合性化合物之構成單位的丙烯酸樹脂一起併用為佳。

又，作為聚合性化合物，可舉出如具有酸非解離性脂肪族多環式基之(甲基)丙烯酸酯類、含乙烯基之芳香族化合物類等。作為酸非解離性脂肪族多環式基，從工業上容易取得等之觀點，尤其係以三環癸基、金剛烷基、四環十二基、異莰基、降莰基等為佳。該等脂肪族多環式基係亦可具有碳原子數1以上5以下之直鏈狀或支鏈狀之烷基作為取代基。

作為具有酸非解離性脂肪族多環式基之(甲基)丙烯酸酯類，具體地可例示如下述式(b8-1)~(b8-5)之構造者。

上述式(b8-1)~(b8-5)中，R^25b 表示氫原子或甲基。

丙烯酸樹脂(B3)在包含含-SO₂ -之環式基、或含內酯之環式基之構成單位(b-3)時，丙烯酸樹脂(B3)中之構成單位(b-3)之含量係以5質量%以上為佳，以10質量%以上為較佳，以10質量%以上50質量%以下為特佳，以10質量%以上30質量%以下為最佳。感光性樹脂組成物在包含上述範圍內之量之構成單位(b-3)時，容易同時取得良好顯像性與良好圖型形狀。

又，丙烯酸樹脂(B3)係以包含前述式(b5)~ (b7)所示之構成單位5質量%以上為佳，以包含10質量%以上為較佳，以包含10質量%以上50質量%以下為特佳。

丙烯酸樹脂(B3)係以包含上述之源自具有醚鍵之聚合性化合物之構成單位為佳。丙烯酸樹脂(B3)中之源自具有醚鍵之聚合性化合物之構成單位之含量係以0質量%以上50質量%以下為佳，以5質量%以上30質量%以下為較佳。

丙烯酸樹脂(B3)係以包含上述之源自具有酸非解離性脂肪族多環式基之(甲基)丙烯酸酯類之構成單位為佳。丙烯酸樹脂(B3)中之源自具有酸非解離性脂肪族多環式基之(甲基)丙烯酸酯類之構成單位之含量係以0質量%以上50質量%以下為佳，以5質量%以上30質量%以下為較佳。

感光性樹脂組成物只要含有指定量之丙烯酸樹脂(B3)，則也可使用以上說明之丙烯酸樹脂(B3)以外之丙烯酸樹脂作為樹脂(B)。作為此種丙烯酸樹脂(B3)以外之丙烯酸樹脂，只要係包含前述式(b5)~(b7)所示之構成單位之樹脂，即無特別限定。

以上說明之樹脂(B)之聚苯乙烯換算質量平均分子量係以10000以上600000以下為佳，較佳為20000以上400000以下，更佳為30000以上300000以下。藉由作成此種質量平均分子量，可不使從基板之剝離性降低而能保持感光性層之充分強度，以及能防止鍍敷時之輪廓之膨脹或龜裂產生。

又，樹脂(B)之分散度係以1.05以上為佳。在此，分散度係將質量平均分子量除以數平均分子量之值。藉由作成此種分散度，可取得所欲之對鍍敷之應力耐性，或可迴避藉由鍍敷處理而得之金屬層變得容易膨脹之問題。

相對於感光性樹脂組成物之全固體成分量，樹脂(B)之含量係以作成5質量%以上70質量%以下為佳。

＜酸擴散抑制劑(C)＞ 感光性樹脂組成物所包含之酸擴散抑制劑(C)包含：因活性光線或放射線之照射而進行分解之下述式(c1)所示之化合物。 藉由將因活性光線或放射線之照射而進行分解之式(c1)所示之化合物作為酸擴散抑制劑(C)摻合至感光性樹脂組成物，而能發揮成為藉由光反應型酸擴散抑制劑而容易形成剖面形狀為矩形之阻劑圖型之感光性樹脂組成物的效果，並且能抑制非離子系酸產生劑之由酸擴散抑制劑造成之分解。

更詳述之，光反應型酸擴散抑制劑係具有藉由離子交換反應來捕捉因活性光線或放射線之照射(曝光)而從酸產生劑所產生之酸的淬滅作用。 光分解型酸擴散抑制劑由於在受到曝光時會進行分解而失去淬滅作用，故光分解型酸擴散抑制劑在未曝光部係作用作為酸擴散抑制劑，在曝光部係不會作用作為酸擴散抑制劑。因此，藉由使用光分解型酸擴散抑制劑，而能抑制酸從曝光部擴散至未曝光部。故，可提升曝光部與未曝光部之酸濃度對比，且可提升形狀等之微影特性。 然而，若將一般性光反應型酸擴散抑制劑與上述非離子系酸產生劑一同使用時，經過檢討之結果，本發明者等發現容易產生非離子系酸產生劑分解之問題。 前述之感光性樹脂組成物中，藉由使用身為光分解型酸擴散抑制劑之因活性光線或放射線之照射而進行分解之式(c1)所示之化合物作為酸擴散抑制劑(C)，可抑制非離子系酸產生劑之分解。

(式(c1)中， M^m+ 表示m價有機陽離子， m表示1以上之整數， 環Z表示苯環，或，苯環經縮合之多環， 環Z之苯環數x表示1以上4以下之整數， R^1c 表示取代基， A^- 表示-COO^- 或-SO₂ O^- ， n表示2以上2x+3以下之整數， p表示0以上2x+3-n之整數，p為2以上時，複數之R^1c 可為相同亦可為相異，複數之R^1c 亦可連結而形成環。)

式(c1)中，環Z表示苯環，或，2個以上4個以下之苯環經縮合之多環。環Z之苯環數之x為1以上4以下之整數。 作為2個以上4個以下之苯環經縮合之多環，可舉出如萘環、蒽環、菲環、稠四苯環。

式(c1)中，A^- 為-COO^- 或-SO₂ O^- 。 A^- 為-COO^- 時，式(c1)所示之化合物因活性光線或放射線之照射而進行分解，則產生羧酸。又，A^- 為-SO₂ O^- 時，式(c1)所示之化合物因活性光線或放射線之照射而進行分解，則產生磺酸。

式(c1)中，當作作為R^1c 之取代基，可舉出如鹵素原子、碳原子數1以上5以下之烷基、碳原子數1以上5以下之烷氧基、或碳原子數1以上5以下之氟烷基。 作為鹵素原子，可舉出如氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子。 碳原子數1以上5以下之烷基可為直鏈狀，可為支鏈狀，亦可為環狀。該烷基係可在鏈中包含-O-、-COO-、-OCO-等之包含雜原子之2價基，亦可具有羥基等之取代基。作為烷基之具體例，可舉出如甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基、及n-戊基等。 碳原子數1以上5以下之烷氧基可為直鏈狀，可為支鏈狀，亦可為環狀。作為烷氧基之具體例，可舉出如甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、異丙氧基、n-丁氧基、異丁氧基、sec-丁氧基、tert-丁氧基、n-戊氧基。 作為碳原子數1以上5以下之氟烷基，可舉出如前述之作為取代基之烷基所舉出之烷基之氫原子之一部分或全部被前述鹵素原子取代之基。 p為2以上時，複數之R^1c 可為相同亦可為相異。複數之R^1c 亦可連結而形成環。例如，2個R^1c 亦可分別鍵結在環Z之鄰接之碳原子上，且與所鍵結之碳原子一同形成環。作為所形成之環，可舉出如可具有羥基或烷基等之取代基之四氫吡喃環、二氫吡喃環或內酯環。

環Z中，A^- 、羥基及R^1c 鍵結之位置並無特別限定。例如，A^- 所鍵結之苯環上，相對於A^- 之鍵結位置之羥基鍵結位置可為鄰位、間位、及對位之任一者。從感光性樹脂組成物之安定性之觀點，以A^- 所鍵結之苯環上，對於A^- 之鍵結位置之至少一個羥基之鍵結位置為鄰位，即，在環Z中，與A^- 所鍵結之碳原子鄰接之2個碳原子之至少一個上鍵結有羥基為佳。

式(c1)中，n表示2以上2x+3以下之整數，以4以下為佳，較佳為3以下。

作為式(c1)所示之化合物中之陰離子部之具體例，可舉出如以下之陰離子。

作為M^m+ 之m價有機陽離子並無特別限定，只要係能與式(c1)中之陰離子形成鹽之陽離子即可。

當作作為M^m+ 之m價有機陽離子，可舉出例如，下述式(c1-1)所示之陽離子。

上述式(c1-1)中，X^1c 表示原子價g之硫原子或碘原子，g為1或2。h表示括弧內之構造之重複單位數。R^1c 為與X^1c 鍵結之有機基，且表示碳原子數6以上30以下之芳基、碳原子數4以上30以下之雜環基、碳原子數1以上30以下之烷基、碳原子數2以上30以下之烯基、或碳原子數2以上30以下之炔基，R^1c 也可被選自由烷基、羥基、烷氧基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、芳硫基羰基、醯氧基、芳硫基、烷硫基、芳基、雜環、芳氧基、烷基亞磺醯基、芳基亞磺醯基、烷基磺醯基、芳基磺醯基、伸烷氧基、胺基、氰基、硝基之各基、及鹵素所成群之至少1種所取代。R^1c 之個數為g+h(g-1)+1，R^1c 係分別可為相同亦可為相異。又，2個以上之R^1c 係也可互相直接地，或隔著-O-、-S-、-SO-、-SO₂ -、-NH-、-NR^2c -、-CO-、 -COO-、-CONH-、碳原子數1以上3以下之伸烷基、或伸苯基進行鍵結，而形成包含X^1c 之環構造。R^2c 為碳原子數1以下5以上之烷基或碳原子數6以上10以下之芳基。

X^2c 為下述式(c1-2)所示之構造。

上述式(c1-2)中，X^4c 表示碳原子數1以上8以下之伸烷基、碳原子數6以上20以下之伸芳基、或碳原子數8以上20以下之雜環化合物之2價基，X^4c 係也可被選自由碳原子數1以上8以下之烷基、碳原子數1以上8以下之烷氧基、碳原子數6以上10以下之芳基、羥基、氰基、硝基之各基、及鹵素所成群之至少1種所取代。X^5c 表示-O-、-S-、-SO-、-SO₂ -、-NH-、-NR^2c -、-CO-、-COO-、-CONH-、碳原子數1以上3以下之伸烷基、或伸苯基。h表示括弧內之構造之重複單位數。h+1個之X^4c 及h個之X^5c 可為相同亦可為相異。R^2c 係與前述之定義相同。

作為上述式(c1-1)所示之陽離子，可舉出如，三苯基鋶、三-p-甲苯基鋶、4-(苯硫基)苯基二苯基鋶、雙[4-(二苯基鋶基)苯基]硫醚、雙[4-｛雙[4-(2-羥基乙氧基)苯基]鋶基｝苯基]硫醚、雙｛4-[雙(4-氟苯基)鋶基]苯基｝硫醚、4-(4-苄醯基-2-氯苯硫基)苯基雙(4-氟苯基)鋶、7-異丙基-9-側酮基-10-硫雜-9,10-二氫蒽-2-基二-p-甲苯基鋶、7-異丙基-9-側酮基-10-硫雜-9,10-二氫蒽-2-基二苯基鋶、2-[(二苯基)鋶基]噻噸酮、4-[4-(4-tert-丁基苄醯基)苯硫基]苯基二-p-甲苯基鋶、4-(4-苄醯基苯硫基)苯基二苯基鋶、二苯基苯甲醯甲基鋶、4-羥基苯基甲基苄基鋶、2-萘基甲基(1-乙氧基羰基)乙基鋶、4-羥基苯基甲基苯甲醯甲基鋶、苯基[4-(4-聯苯硫基)苯基]4-聯苯基鋶、苯基[4-(4-聯苯硫基)苯基]3-聯苯基鋶、[4-(4-乙醯苯硫基)苯基]二苯基鋶、十八基甲基苯甲醯甲基鋶、二苯基錪、二-p-甲苯基錪、雙(4-十二基苯基)錪、雙(4-甲氧基苯基)錪、(4-辛氧基苯基)苯基錪、雙(4-癸氧基)苯基錪、4-(2-羥基十四烷氧基)苯基苯基錪、4-異丙基苯基(p-甲苯基)錪、或4-異丁基苯基(p-甲苯基)錪等。

上述式(c1-1)所示之陽離子之中，作為較佳之陽離子，可舉出如下述式(c1-3)所示之陽離子。

上述式(c1-3)中，R^11c 、R^13c 及R^14c 係各自獨立表示可具有取代基之芳基，R^12c 表示可具有取代基之伸芳基。

上述式(c1-3)中，當作作為R^11c 、R^13c 及R^14c 之芳基，可舉出如苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基。 當作作為R^12c 之伸芳基，可舉出如從作為R^11c 、R^13c 及R^14c 之芳基去除1個氫原子之基。 當作作為R^11c 、R^13c 及R^14c 之芳基所可具有之取代基，或作為R^12a 之伸芳基所可具有之取代基，可舉出如烷基、羥基、烷氧基、烷基羰基、烷基羰氧基、烷氧基羰基、鹵素原子。 作為R^12c ，以p-伸苯基、或m-伸苯基為佳，以p-伸苯基為較佳。作為R^11c 、R^13c 、及R^14c ，以各自獨立為可具有取代基之苯基、可具有取代基之萘基、可具有取代基之聯苯基、可具有取代基之茀基為佳，以苯基、茀-2-基、或9,9-二甲基茀-2-基為較佳。

作為上述式(c1-3)所示之鋶離子之具體例，可舉出如4-(苯硫基)苯基二苯基鋶、4-(4-苄醯基-2-氯苯硫基)苯基雙(4-氟苯基)鋶、4-(4-苄醯基苯硫基)苯基二苯基鋶、苯基[4-(4-聯苯硫基)苯基]4-聯苯基鋶、苯基[4-(4-聯苯硫基)苯基]3-聯苯基鋶、[4-(4-乙醯苯硫基)苯基]二苯基鋶、二苯基[4-(p-三聯苯硫基)苯基]二苯基鋶、苯基[4-(9,9-二甲基茀-2-硫基)苯基]9,9-二甲基茀-2-基鋶。

式(c1)中，m係以1為佳。

式(c1)所示之化合物係以下述式(c2)所示之化合物為佳。

(式(c2)中，M^m+ 、R^1c 、A^- 、m、n、p係分別與式(c1)中之該等相同， q表示0以上3以下之整數，且n、p、及q滿足n+p≦(q×2)+5之式。)

式(c1)所示之化合物係可藉由公知方法來製造。 例如，藉由使式(c1)所示之化合物中之源自陰離子之酸(即，A^- 為-COO^- 時，-COO^- 成為-COOH之化合物，A^- 為-SO₂ O^- 時，-SO₂ O^- 成為-SO₂ OH之化合物)，與具有M^m+ 之鹽之鹽交換反應，而可取得式(c1)所示之化合物。

式(c1)所示之化合物之含量並無特別限定，相對於上述樹脂(B)及下述鹼可溶性樹脂(D)之合計質量100質量份，式(c1)所示之化合物係以在0.01質量份以上5質量份以下之範圍使用為佳，以在0.10質量份以上3質量份以下之範圍使用為較佳，以在0.25質量份以上1質量份以下之範圍使用為特佳。

＜酸擴散控制劑(C’)＞ 感光性樹脂組成物也可含有式(c1)所示之化合物以外之酸擴散控制劑(C’)。作為式(c1)所示之化合物以外之酸擴散控制劑(C’)，以含氮化合物(C’1)為佳，以及因應必要可含有有機羧酸、或磷之含氧酸或其衍生物(C’2)。

[含氮化合物(C’1)] 作為含氮化合物(C’1)，可舉出如三甲基胺、二乙基胺、三乙基胺、二-n-丙基胺、三-n-丙基胺、三-n-戊基胺、三苄基胺、二乙醇胺、三乙醇胺、n-己基胺、n-庚基胺、n-辛基胺、n-壬基胺、乙二胺、N,N,N’,N’-四甲基乙二胺、四亞甲基二胺、六亞甲基二胺、4,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基醚、4,4’-二胺基二苯甲酮、4,4’-二胺基二苯基胺、甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、丙醯胺、苄醯胺、吡咯啶酮、N-甲基吡咯啶酮、甲基脲、1,1-二甲基脲、1,3-二甲基脲、1,1,3,3,-四甲基脲、1,3-二苯基脲、咪唑、苯並咪唑、4-甲基咪唑、8-氧喹啉、吖啶、嘌呤、吡咯啶、哌啶、2,4,6-三(2-吡啶基)-S-三嗪、嗎啉、4-甲基嗎啉、哌嗪、1,4-二甲基哌嗪、1,4-二吖雙環[2.2.2]辛烷、吡啶等。該等係可單獨使用，亦可組合使用2種以上。

又，作為含氮化合物(C’1)，也可使用Adekastab LA-52、Adekastab LA-57、Adekastab LA-63P、Adekastab LA-68、Adekastab LA-72、Adekastab LA-77Y、Adekastab LA-77G、Adekastab LA-81、Adekastab LA-82、及Adekastab LA-87(皆為ADEKA公司製)，或4-羥基-1,2,2,6,6-五甲基哌啶衍生物等之市售之受阻胺化合物，或2,6-二苯基吡啶、及2,6-二-tert-丁基吡啶等之2,6-位被烴基等之取代基所取代之吡啶。

相對於上述樹脂(B)及下述鹼可溶性樹脂(D)之合計質量100質量份，含氮化合物(C’1)通常係在0質量份以上5質量份以下之範圍使用，以在0質量份以上3質量份以下之範圍使用為特佳。

[有機羧酸、或磷之含氧酸或其衍生物(C’2)] 有機羧酸、或磷之含氧酸或其衍生物(C’2)之中，作為有機羧酸，具體而言，以丙二酸、檸檬酸、蘋果酸、琥珀酸、安息香酸、柳酸等為適宜，尤其係以柳酸為佳。

作為磷之含氧酸或其衍生物，可舉出如磷酸、磷酸二-n-丁基酯、磷酸二苯基酯等之磷酸及該等之酯般之衍生物；膦酸、膦酸二甲基酯、膦酸-二-n-丁基酯、苯基膦酸、膦酸二苯基酯、膦酸二苄基酯等之膦酸及該等之酯般之衍生物；膦酸、苯基膦酸等之膦酸及該等之酯般之衍生物等。該等之中，尤其係以膦酸為佳。該等係可單獨使用，亦可組合使用2種以上。

相對於上述樹脂(B)及下述鹼可溶性樹脂(D)之合計質量100質量份，有機羧酸、或磷之含氧酸或其衍生物(C’2)通常係在0質量份以上5質量份以下之範圍使用，以在0質量份以上3質量份以下之範圍使用為特佳。

又，為了使鹽形成並使其安定，有機羧酸、或磷之含氧酸或其衍生物(C’2)係以使用與上述含氮化合物(C’1)同等量為佳。

＜鹼可溶性樹脂(D)＞ 感光性樹脂組成物為了提高鹼可溶性，以更含有鹼可溶性樹脂(D)為佳。在此，鹼可溶性樹脂係指藉由樹脂濃度20質量%之樹脂溶液(溶劑：丙二醇單甲基醚乙酸酯)，在基板上形成膜厚1μm之樹脂膜，浸漬於2.38質量%之TMAH(氫氧化四甲基銨)水溶液1分鐘後，會溶解0.01μm以上者，且係不該當於前述(B)成分者(典型係指即使因酸之作用鹼可溶性仍實質地不會變動之樹脂)。作為鹼可溶性樹脂(D)，以選自由酚醛樹脂(D1)、聚羥基苯乙烯樹脂(D2)、及丙烯酸樹脂(D3)所成群之至少1種樹脂為佳。

[酚醛樹脂(D1)] 酚醛樹脂係例如可藉由使具有酚性羥基之芳香族化合物(以下，單稱為「酚類」)與醛類在酸觸媒下進行加成縮合而得。

作為上述酚類，可舉出例如，酚、o-甲酚、m-甲酚、p-甲酚、o-乙基酚、m-乙基酚、p-乙基酚、o-丁基酚、m-丁基酚、p-丁基酚、2,3-茬酚、2,4-茬酚、2,5-茬酚、2,6-茬酚、3,4-茬酚、3,5-茬酚、2,3,5-三甲基酚、3,4,5-三甲基酚、p-苯基酚、間苯二酚、氫醌、氫醌單甲基醚、苯三酚、間苯三酚、羥基二苯基、雙酚A、没食子酸、没食子酸酯、α-萘酚、β-萘酚等。 作為上述醛類，可舉出例如甲醛、糠醛、苯甲醛、硝基苯甲醛、乙醛等。 加成縮合反應時之觸媒並非係受到特別限定者，例如酸觸媒係可使用如鹽酸、硝酸、硫酸、甲酸、草酸、乙酸等。

尚且，藉由使用o-甲酚，將樹脂中之羥基之氫原子取代成其他取代基，或使用高體積度之醛類，而能使酚醛樹脂之柔軟性更加提升。

酚醛樹脂(D1)之質量平均分子量在阻礙本發明之目的範圍，即並無特別限定，以1000以上50000以下為佳。

[聚羥基苯乙烯樹脂(D2)] 作為構成聚羥基苯乙烯樹脂(D2)之羥基苯乙烯系化合物，可舉出如p-羥基苯乙烯、α-甲基羥基苯乙烯、α-乙基羥基苯乙烯等。 並且，聚羥基苯乙烯樹脂(D2)係以作成與苯乙烯樹脂之共聚物為佳。作為構成此種苯乙烯樹脂之苯乙烯系化合物，可舉出如苯乙烯、氯苯乙烯、氯甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、α-甲基苯乙烯等。

聚羥基苯乙烯樹脂(D2)之質量平均分子量在不阻礙本發明之目的範圍，即並無特別限定，以1000以上50000以下為佳。

[丙烯酸樹脂(D3)] 作為丙烯酸樹脂(D3)，以包含：由具有醚鍵之聚合性化合物所衍生之構成單位，及由具有羧基之聚合性化合物所衍生之構成單位為佳。

作為上述具有醚鍵之聚合性化合物，可例示如2-甲氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、甲氧基三乙二醇(甲基)丙烯酸酯、3-甲氧基丁基(甲基)丙烯酸酯、乙基卡必醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、四氫糠基(甲基)丙烯酸酯等之具有醚鍵及酯鍵之(甲基)丙烯酸衍生物等。上述具有醚鍵之聚合性化合物係以2-甲氧基乙基丙烯酸酯、甲氧基三乙二醇丙烯酸酯為佳。該等聚合性化合物係可單獨使用，亦可組合使用2種以上。

作為上述具有羧基之聚合性化合物，可例示如丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸等之單羧酸類；馬來酸、富馬酸、伊康酸等之二羧酸類；2-甲基丙烯醯氧基乙基琥珀酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基馬來酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基酞酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基六氫酞酸等之具有羧基及酯鍵之化合物等。上述具有羧基之聚合性化合物係以丙烯酸、甲基丙烯酸為佳。該等聚合性化合物係可單獨使用，亦可組合使用2種以上。

丙烯酸樹脂(D3)之質量平均分子量在不阻礙本發明之目的範圍，即無特別限定，以50000以上800000以下為佳。

將感光性樹脂組成物之全固體成分作成100質量份時，鹼可溶性樹脂(D)之含量係以3質量份以上80質量份以下為佳，以5質量份以上70質量份以下為較佳。藉由將鹼可溶性樹脂(D)之含量作成上述範圍，而容易使鹼可溶性提升。

＜含硫化合物(E)＞ 感光性樹脂組成物在使用於金屬基板上之圖型形成時，感光性樹脂組成物係以包含含硫化合物(E)為佳。含硫化合物(E)係包含能對金屬進行配位之硫原子之化合物。尚且，關於能產生2個以上之互變異構物之化合物，在至少1個互變異構物包含會對於構成金屬基板表面之金屬進行配位之硫原子時，該化合物即該當於含硫化合物。 由Cu等之金屬所構成之表面上，在形成使用作為鍍敷用鑄模之阻劑圖型時，容易產生足化(footing)等之剖面形狀之不良情況。但，感光性樹脂組成物在包含含硫化合物(E)時，即使在基板之由金屬所構成之表面上形成阻劑圖型之情況，仍容易抑制足化等之剖面形狀之不良情況產生。尚且，「足化」係指在基板表面與阻劑圖型之接觸面附近，由於阻劑部突出至非阻劑部側，而在非阻劑部底部之寬度變得比頂部之寬度還窄之現象。 感光性樹脂組成物在使用於金屬基板以外之基板上之圖型形成時，感光性樹脂組成物並不特別需要包含含硫化合物。感光性樹脂組成物在使用於金屬基板以外之基板上之圖型形成時，從藉由減少感光性樹脂組成物之成分數量而製造感光性樹脂組成物之製造為容易之觀點，或從能減低感光性樹脂組成物之製造成本之觀點等，感光性樹脂組成物係以不包含含硫化合物(E)為佳。 尚且，使用於金屬基板以外之基板上之圖型形成之感光性樹脂組成物不會特別有因包含含硫化合物(E)所造成之不良情況。

能對金屬進行配位之硫原子係例如作為巰基(-SH)、硫代羧基(-CO-SH)、二硫代羧基(-CS-SH)、及硫羰基(-CS-)等而被包含於含硫化合物中。 由於容易對金屬進行配位，且足化之抑制效果優異，故含硫化合物係以具有巰基為佳。

作為具有巰基之含硫化合物之較佳例，可舉出如下述式(e1)所示之化合物。

(式中，R^e1 及R^e2 係各自獨立表示氫原子或烷基，R^e3 表示單鍵或伸烷基，R^e4 表示可包含碳以外之原子之u價脂肪族基，u表示2以上4以下之整數。)

R^e1 及R^e2 為烷基時，該烷基可為直鏈狀亦可為支鏈狀，以直鏈狀為佳。R^e1 及R^e2 為烷基時，該烷基之碳原子數在不阻礙本發明之目的範圍內，即無特別限定。作為該烷基之碳原子數，以1以上4以下為佳，以1或2為特佳，以1為最佳。作為R^e1 與R^e2 之組合，以一者為氫原子而另一者為烷基為佳，以一方者為氫原子而另一者為甲基為特佳。

R^e3 為伸烷基時，該伸烷基可為直鏈狀亦可為支鏈狀，以直鏈狀為佳。R^e3 為伸烷基時，該伸烷基之碳原子數在不阻礙本發明之目的範圍內，即無特別限定。作為該伸烷基之碳原子數，以1以上10以下為佳，以1以上5以下為較佳，以1或2為特佳，以1為最佳。

R^e4 為可包含碳以外之原子之2價以上4價以下之脂肪族基。作為R^e4 可包含之碳以外之原子，可舉出如氮原子、氧原子、硫原子、氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子等。R^e4 之脂肪族基之構造係可為直鏈狀，可為支鏈狀，亦可為環狀，也可為組合該等構造而成之構造。

式(e1)所示之化合物之中，以下述式(e2)所示之化合物為較佳。

(式(e2)中，R^e4 及u係與式(e1)中同義。)

上述式(e2)所示之化合物之中，以下述之化合物為佳。

作為具有巰基之含硫化合物之較佳例，也可舉出如下述式(e3-L1)~(e3-L7)所示之化合物。

(式(e3-L1)~(e3-L7)中，R’、s”、A”、及r係與關於丙烯酸樹脂(B3)之前述式(b-L1)~(b-L7)中相同。)

作為上述式(e3-L1)~(e3-L7)所示之巰基化合物之適宜具體例，可舉出如下述之化合物。

作為具有巰基之含硫化合物之較佳例，也可舉出如下述式(e3-1)~(e3-4)所示之化合物。

(關於式(e3-1)~(e3-4)中之略稱之定義，係與關於丙烯酸樹脂(B3)所前述之有關式(3-1)~(3-4)之前述內容相同。)

作為上述式(e3-1)~(e3-4)所示之巰基化合物之適宜具體例，可舉出如下述之化合物。

又，作為具有巰基之化合物之適宜例，可舉出如下述式(e4)所示之化合物。

(式(e4)中，R^e5 為選自由羥基、碳原子數1以上4以下之烷基、碳原子數1以上4以下之烷氧基、碳數1以上4以下之烷硫基、碳數1以上4以下之羥基烷基、碳數1以上4以下之巰基烷基、碳數1以上4以下之鹵化烷基及鹵素原子所成群之基，n1為0以上3以下之整數，n0為0以上3以下之整數，n1為2或3時，R^e5 可為相同亦可為相異。)

作為R^e5 為碳原子數1以上4以下之可具有羥基之烷基時之具體例，可舉出如甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、sec-丁基、及tert-丁基。該等烷基之中，以甲基、羥基甲基、及乙基為佳。

作為R^e5 為碳原子數1以上4以下之烷氧基時之具體例，可舉出如甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、異丙氧基、n-丁氧基、異丁氧基、sec-丁氧基、及tert-丁氧基。該等烷氧基之中，以甲氧基、及乙氧基為佳，以甲氧基為較佳。

作為R^e5 為碳原子數1以上4以下之烷硫基時之具體例，可舉出如甲硫基、乙硫基、n-丙硫基、異丙硫基、n-丁硫基、異丁硫基、sec-丁硫基、及tert-丁硫基。該等烷硫基之中，以甲硫基、及乙硫基為佳，以甲硫基為較佳。

作為R^e5 為碳原子數1以上4以下之羥基烷基時之具體例，可舉出如羥基甲基、2-羥基乙基、1-羥基乙基、3-羥基-n-丙基、及4-羥基-n-丁基等。該等羥基烷基之中，以羥基甲基、2-羥基乙基、及1-羥基乙基為佳，以羥基甲基為較佳。

作為R^e5 為碳原子數1以上4以下之巰基烷基時之具體例，可舉出如巰基甲基、2-巰基乙基、1-巰基乙基、3-巰基-n-丙基、及4-巰基-n-丁基等。該等巰基烷基之中，以巰基甲基、2-巰基乙基、及1-巰基乙基為佳，以巰基甲基為較佳。

R^e5 為碳原子數1以上4以下之鹵化烷基時，作為鹵化烷基所包含之鹵素原子，可舉出如氟、氯、溴、碘等。作為R^e5 為碳原子數1以上4以下之鹵化烷基時之具體例，可舉出如氯甲基、溴甲基、碘甲基、氟甲基、二氯甲基、二溴甲基、二氟甲基、三氯甲基、三溴甲基、三氟甲基、2-氯乙基、2-溴乙基、2-氟乙基、1,2-二氯乙基、2,2-二氟乙基、1-氯-2-氟乙基、3-氯-n-丙基、3-溴-n-丙基、3-氟-n-丙基、及4-氯-n-丁基等。該等鹵化烷基之中，以氯甲基、溴甲基、碘甲基、氟甲基、二氯甲基、二溴甲基、二氟甲基、三氯甲基、三溴甲基、及三氟甲基為佳，氯甲基、二氯甲基、三氯甲基、及三氟甲基為較佳。

作為R^e5 為鹵素原子時之具體例，可舉出如氟、氯、溴、或碘。

式(e4)中，n1為0以上3以下之整數，以1為較佳。n1為2或3時，複數之R^e5 可為相同亦可為相異。

式(e4)所示之化合物中，苯環上之R^e5 之取代位置並無特別限定。苯環上之R^e5 之取代位置係以相對於 -(CH₂ )_n0 -SH之鍵結位置為間位或對位為佳。

作為式(e4)所示之化合物，R^e5 係以具有至少1個選自由烷基、羥基烷基、及巰基烷基所成群之基之化合物為佳，R^e5 係以具有1個選自由烷基、羥基烷基、及巰基烷基所成群之基之化合物為較佳。式(e4)所示之化合物在具有1個選自由烷基、羥基烷基、及巰基烷基所成群之基作為R^e5 時，烷基、羥基烷基、或巰基烷基之苯環上之取代位置係以相對於-(CH₂ )_n0 -SH之鍵合位置為間位或對位為佳，以對位為較佳。

式(e4)中，n0為0以上3以下之整數。從化合物之調製，或取得為容易之觀點，n0係以0或1為佳，以0為較佳。

作為式(e4)所示之化合物之具體例，可舉出如p-巰基酚、p-硫甲酚、m-硫甲酚、4-(甲硫基)苯硫醇、4-甲氧基苯硫醇、3-甲氧基苯硫醇、4-乙氧基苯硫醇、4-異丙氧基苯硫醇、4-tert-丁氧基苯硫醇、3,4-二甲氧基苯硫醇、3,4,5-三甲氧基苯硫醇、4-乙基苯硫醇、4-異丙基苯硫醇、4-n-丁基苯硫醇、4-tert-丁基苯硫醇、3-乙基苯硫醇、3-異丙基苯硫醇、3-n-丁基苯硫醇、3-tert-丁基苯硫醇、3,5-二甲基苯硫醇、3,4-二甲基苯硫醇、3-tert-丁基-4-甲基苯硫醇、3-tert-4-甲基苯硫醇、3-tert-丁基-5-甲基苯硫醇、4-tert-丁基-3-甲基苯硫醇、4-巰基苄基醇、3-巰基苄基醇、4-(巰基甲基)酚、3-(巰基甲基)酚、1,4-二(巰基甲基)酚、1,3-二(巰基甲基)酚、4-氟苯硫醇、3-氟苯硫醇、4-氯苯硫醇、3-氯苯硫醇、4-溴苯硫醇、4-碘苯硫醇、3-溴苯硫醇、3,4-二氯苯硫醇、3,5-二氯苯硫醇、3,4-二氟苯硫醇、3,5-二氟苯硫醇、4-巰基兒茶酚、2,6-二-tert-丁基-4-巰基酚、3,5-二-tert-丁基-4-甲氧基苯硫醇、4-溴-3-甲基苯硫醇、4-(三氟甲基)苯硫醇、3-(三氟甲基)苯硫醇、3,5-雙(三氟甲基)苯硫醇、4-甲硫基苯硫醇、4-乙硫基苯硫醇、4-n-丁硫基苯硫醇、及4-tert-丁硫基苯硫醇等。

又作為具有巰基之含硫化合物，可舉出如，包含經巰基取代之含氮芳香族雜環之化合物，及包含經巰基取代之含氮芳香族雜環之化合物之互變異構物。 作為含氮芳香族雜環之適宜具體例，可舉出如咪唑、吡唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、噁唑、噻唑、吡啶、嘧啶、嗒嗪、吡嗪、1,2,3-三嗪、1,2,4-三嗪、1,3,5-三嗪、吲哚、吲唑、苯並咪唑、苯並噁唑、苯並噻唑、1H-苯並三唑、喹啉、異喹啉、噌啉、酞嗪、喹唑啉、喹喔啉、及1,8-萘啶。

作為適宜作為含硫化合物之含氮雜環化合物、及含氮雜環化合物之互變異構物之適宜具體例，可舉出如以下之化合物。

感光性樹脂組成物在包含含硫化合物(E)時，其之使用量係相對於上述樹脂(B)及鹼可溶性樹脂(D)之合計質量100質量份，以0.01質量份以上5質量份以下為佳，以0.02質量份以上3質量份以下為較佳，以0.05質量份以上2質量份以下為特佳。

＜有機溶劑(S)＞ 感光性樹脂組成物係以含有有機溶劑(S)為佳。有機溶劑(S)之種類在不阻礙本發明之目的範圍內，即無特別限定，可從以往使用於正型感光性樹脂組成物之有機溶劑當中適宜選擇使用。

作為有機溶劑(S)之具體例，可舉出如丙酮、甲基乙基酮、環己酮、甲基異戊基酮、2-庚酮等之酮類；乙二醇、乙二醇單乙酸酯、二乙二醇、二乙二醇單乙酸酯、丙二醇、丙二醇單乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、二丙二醇、二丙二醇單乙酸酯之單甲基醚、單乙基醚、單丙基醚、單丁基醚、單苯基醚等之多價醇類及其衍生物；二噁烷等之環式醚類；甲酸乙酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、丙酮酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯、2-羥基丙酸甲酯、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯等之酯類；甲苯、二甲苯等之芳香族烴類等。該等係可單獨，亦可混合2種以上使用。

有機溶劑(S)之含量在不阻礙本發明之目的範圍內，即無特別限定。將感光性樹脂組成物藉由旋轉塗佈法等而得之感光性層之膜厚會成為5μm以上之厚膜用途上使用之情況，以感光性樹脂組成物之固體成分濃度成為30質量%以上70質量%以下之範圍來使用有機溶劑(S)為佳。

＜其他成分＞ 感光性樹脂組成物為了提升塑化性，亦可更含有聚乙烯基樹脂。作為聚乙烯基樹脂之具體例，可舉出如聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚羥基苯乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯基安息香酸、聚乙烯基甲基醚、聚乙烯基乙基醚、聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯啶酮、聚乙烯基酚，及該等之共聚物等。聚乙烯基樹脂在低玻璃轉移溫度之觀點，以聚乙烯基甲基醚為佳。

又，感光性樹脂組成物為了提升使用感光性樹脂組成物所形成之鑄模等之阻劑圖型與基板之接著性，亦可更含有接著助劑。

又，感光性樹脂組成物為了提升塗布性、消泡性、調平性等，亦可更含有界面活性劑。作為界面活性劑，較佳使用例如氟系界面活性劑或矽氧系界面活性劑。 作為氟系界面活性劑之具體例，可舉出如BM-1000、BM-1100(皆為BM CHEMIE公司製)、Megafac F142D、Megafac F172、Megafac F173、Megafac F183(皆為大日本油墨化學工業公司製)、Fluorad FC-135、Fluorad FC-170C、Fluorad FC-430、Fluorad FC-431(皆為住友3M公司製)、Surflon S-112、Surflon S-113、Surflon S-131、Surflon S-141、Surflon S-145(皆為旭硝子公司製)、SH-28PA、SH-190、SH-193、SZ-6032、SF-8428(皆為東麗矽氧公司製)等之市售之氟系界面活性劑，但並非係受限於該等者。 作為矽氧系界面活性劑，較佳可使用如未變性矽氧系界面活性劑、聚醚變性矽氧系界面活性劑、聚酯變性矽氧系界面活性劑、烷基變性矽氧系界面活性劑、芳烷基變性矽氧系界面活性劑、及反應性矽氧系界面活性劑等。 作為矽氧系界面活性劑，可使用市售之矽氧系界面活性劑。作為市售之矽氧系界面活性劑之具體例，可舉出如Painted M(東麗道康寧公司製)、Topeka K1000、Topeka K2000、Topeka K5000(皆為高千穂產業公司製)、XL-121(聚醚變性矽氧系界面活性劑，科萊恩公司製)、BYK-310(聚酯變性矽氧系界面活性劑，BYK Chemie公司製)等。

又，感光性樹脂組成物為了進行對顯像液之溶解性之微調整，亦可更含有酸、酸酐，或高沸點溶劑。

作為酸及酸酐之具體例，可舉出如乙酸、丙酸、n-丁酸、異丁酸、n-戊酸、異戊酸、安息香酸、桂皮酸等之單羧酸類；乳酸、2-羥基丁酸、3-羥基丁酸、柳酸、m-羥基安息香酸、p-羥基安息香酸、2-羥基桂皮酸、3-羥基桂皮酸、4-羥基桂皮酸、5-羥基異酞酸、丁香酸等之羥基單羧酸類；草酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、馬來酸、伊康酸、六氫酞酸、酞酸、異酞酸、對酞酸、1,2-環己烷二羧酸、1,2,4-環己烷三羧酸、丁烷四羧酸、偏苯三甲酸、苯均四酸、環戊烷四羧酸、丁烷四羧酸、1,2,5,8-萘四羧酸等之多價羧酸類；無水伊康酸、無水琥珀酸、無水檸康酸、無水十二烯基琥珀酸、無水丙三甲酸、無水馬來酸、無水六氫酞酸、無水甲基四氫酞酸、無水納迪克酸(himic anhydride)、1,2,3,4-丁烷四羧酸酐、環戊烷四羧酸二酐、無水酞酸、無水苯均四酸、無水偏苯三甲酸、無水二苯甲酮四羧酸、乙二醇雙無水偏苯三甲酸酯、丙三醇參無水偏苯三甲酸酯等之酸酐等。

又，作為高沸點溶劑之具體例，可舉出如N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基甲醯苯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、二甲亞碸、苄基乙基醚、二己基醚、丙酮基丙酮、異佛爾酮、己酸、辛酸、1-辛醇、1-壬醇、苄基醇、乙酸苄基酯、安息香酸乙酯、草酸二乙基酯、馬來酸二乙基酯、γ-丁內酯、碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯、苯基溶纖劑乙酸酯等。

又，感光性樹脂組成物為了提升感度，亦可更含有增感劑。

＜化學增幅型正型感光性樹脂組成物之調製方法＞ 化學增幅型正型感光性樹脂組成物係使用通常方法將上述各成分予以混合、攪拌來調製。作為將上述各成分予以混合、攪拌時所能使用之裝置，可舉出如溶解器、均質機、三輥軋機等。將上述各成分均勻混合後，亦可將取得之混合物更使用篩目、膜濾器等進行過濾。

≪感光性乾膜≫ 感光性乾膜係具有基材膜，與形成於該基材膜表面之感光性層，且感光性層為包含前述感光性樹脂組成物者。

作為基材膜，以具有光穿透性者為佳。具體地可舉出如聚對酞酸乙二酯(PET)膜、聚丙烯(PP)膜、聚乙烯(PE)膜等，在光穿透性及斷裂強度之平衡優異之面上，以聚對酞酸乙二酯(PET)膜為佳。

藉由在基材膜上塗佈前述感光性樹脂組成物來形成感光性層，從而製造感光性乾膜。 在基材膜上形成感光性層之際，使用塗佈器(applicator)、棒塗機、線棒塗佈機、輥塗機、淋幕式塗佈機等，以在基材膜上乾燥後之膜厚較佳成為0.5μm以上300μm以下，更佳成為1μm以上300μm以下，特佳成為3μm以上100μm以下之方式來塗佈感光性樹脂組成物，並使其乾燥。

感光性乾膜係亦可在感光性層之上更具有保護膜。作為該保護膜，可舉出如聚對酞酸乙二酯(PET)膜、聚丙烯(PP)膜、聚乙烯(PE)膜等。

≪經圖型化阻劑膜、及附鑄模之基板之製造方法≫ 使用上述說明之感光性樹脂組成物，在基板上形成經圖型化阻劑膜之方法並無特別限定。該經圖型化阻劑膜係適宜使用作為形成鍍敷成型物用之鑄模，或藉由蝕刻來加工基板時之蝕刻遮罩等。 作為適宜方法，可舉出如一種經圖型化阻劑膜之製造方法，其係包含： 在基板上層合包含感光性樹脂組成物之感光性層的層合步驟、 對感光性層位置選擇性地照射活性光線或放射線來進行曝光的曝光步驟，及將曝光後之感光性層予以顯像之顯像步驟。 具備形成鍍敷成型物用之鑄模之附鑄模之基板之製造方法係除了在具有金屬表面之基板之金屬表面上層合感光性層的步驟，及在顯像步驟中製作藉由顯像來形成鍍敷成型物用之鑄模之外，其他係與經圖型化阻劑膜之製造方法相同。

作為層合感光性層之基板，並無特別限定，可使用以往公知者，可例示例如，電子零件用之基板，或在此上已形成指定配線圖型者等。作為基板，也可使用矽基板或玻璃基板等。 在製造具備形成鍍敷成型物用之鑄模之附鑄模之基板的情況，使用具有金屬表面之基板作為基板。作為構成金屬表面之金屬種類，以銅、金、鋁為佳，以銅為較佳。

感光性層係藉由例如以下之操作來層合於基板上。即，將液狀之感光性樹脂組成物塗佈於基板上，藉由加熱來去除溶劑而形成所欲膜厚之感光性層。感光性層之厚度只要係能將成為鑄模之阻劑圖型形成為所欲之膜厚，即無特別限定。感光性層之膜厚並無特別限定，以0.5μm以上為佳，以0.5μm以上300μm以下為較佳，以1μm以上150μm以下為特佳，以3μm以上100μm以下為最佳。

作為在基板上之感光性樹脂組成物之塗布方法，可採用旋轉塗佈法、狹縫塗佈法、輥塗法、網版印刷法、塗佈器(applicator)法等之方法。以對感光性層進行預烘烤為佳。預烘烤條件係根據感光性樹脂組成物中之各成分之種類、摻合比例、塗布膜厚等而不同，通常為70℃以上200℃以下，較佳為80℃以上150℃以下，且為2分以上120分以下程度。

對於藉由上述操作所形成之感光性層，隔著指定圖型之遮罩，選擇性地照射(曝光)活性光線或放射線，例如波長為300nm以上500nm以下之紫外線或可見光線，例如，g線(波長436nm)、h線(波長405nm)，或i線(波長365nm)。

作為放射線之線源，可使用低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵素燈、氬氣雷射等。又，放射線包括微波、紅外線、可見光線、紫外線、X線、γ線、電子線、陽子線、中性子線、離子線等。放射線照射量係根據感光性樹脂組成物之組成或感光性層之膜厚等而不同，例如在使用超高壓水銀燈使用之情況為100mJ/cm² 以上10000mJ/cm² 以下。又，為了使酸產生，放射線係包括使酸產生劑(A)活性化之光線。

曝光後係藉由使用公知方法來加熱感光性層來促進酸之擴散，在感光性樹脂膜中經曝光之部分中使感光性層之鹼溶解性變化。

其次，根據以往已知之方法來將經曝光之感光性層予以顯像，藉由溶解、去除不需要之部分，而形成用來形成指定阻劑圖型、或鍍敷成型物之鑄模。此時，使用鹼性水溶液作為顯像液。

作為顯像液，可使用例如，氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、偏矽酸鈉、氨水、乙基胺、n-丙基胺、二乙基胺、二-n-丙基胺、三乙基胺、甲基二乙基胺、二甲基乙醇胺、三乙醇胺、氫氧化四甲基銨(氫氧化四甲基銨)、氫氧化四乙基銨、吡咯、哌啶、1,8-二吖雙環[5,4,0]-7-十一烯、1,5-二吖雙環[4,3,0]-5-壬烷等之鹼類之水溶液。又，也可將對上述鹼類之水溶液適當量添加甲醇、乙醇等之水溶性有機溶劑或界面活性劑之水溶液使用作為顯像液。

顯像時間也根據感光性樹脂組成物之組成或感光性層之膜厚等而不同，通常在1分以上30分以下之間。顯像方法可為盛液法、浸漬法、盛液法、噴霧顯像法等之任一者。

顯像後在30秒以上90秒以下之間進行流水洗淨，使用氣槍或烤箱等使其乾燥。藉此操作而在基板表面上將經圖型化阻劑膜形成為所欲之形狀。又，藉此操作，而可製造在具有金屬表面之基板之金屬表面上具備成為鑄模之阻劑圖型之附鑄模之基板。 藉由使用上述感光性樹脂組成物，而可形成剖面形狀為矩形之阻劑圖型。

使用感光性樹脂組成物所形成之阻劑圖型之膜厚(經圖型化阻劑膜)並無特別限定，能適用為厚膜也能適用為薄膜。感光性樹脂組成物較佳使用於形成厚膜之阻劑圖型。使用感光性樹脂組成物所形成之阻劑圖型之膜厚，具體而言，以0.5μm以上為佳，以0.5μm以上300μm以下為較佳，以0.5μm以上200μm以下為更佳，以0.5μm以上150μm以下為特佳。 膜厚之上限值可為例如100μm以下。膜厚之下限值可為例如1μm以上，也可為3μm以上。

≪鍍敷成型物之製造方法≫ 在藉由上述方法所形成之附鑄模之基板之鑄模中之非阻劑部(被顯像液去除之部分)上，藉由鍍敷來埋入金屬等之導體，而可形成例如，凸塊及金屬柱等之連接端子，或Cu再配線般之鍍敷成型物。尚且，鍍敷處理方法並無特別限制，可採用自以往公知之各種方法。作為鍍敷液，尤其係適宜使用鍍焊劑、鍍銅、鍍金、鎳鍍敷液。殘留之鑄模最後係根據常法使用剝離液等來去除。

在製造鍍敷成型物之際，有對於在成為鍍敷成型物形成用鑄模之阻劑圖型之非圖型部露出之金屬表面進行灰化(ashing)處理為佳之情況。 具體而言，例如，將使用包含含硫化合物(E)之感光性樹脂組成物所形成之圖型使用作為鑄模來形成鍍敷成型物的情況。於此情況，會有容易使對於鍍敷成型物之金屬表面之密著性受損的情況。該不良情況在使用前述之式(e1)所示之含硫化合物(E)，或式(e4)所示之含硫化合物(E)之情況為顯著者。 但，若進行上述灰化處理，即使將使用包含含硫化合物(E)之感光性樹脂組成物所形成之圖型使用作為鑄模，在金屬表面仍容易良好地形成經密著之鍍敷成型物。 尚且，關於使用包含經巰基取代之含氮芳香族雜環之化合物作為含硫化合物(E)之情況，關於鍍敷成型物之密著性之上述問題係幾乎沒有或為輕度者。因此，在使用包含經巰基取代之含氮芳香族雜環之化合物作為含硫化合物(E)之情況，即便不進行灰化處理，仍容易形成對金屬表面之密著性為良好之鍍敷成型物。

灰化處理只要係不會對鍍敷成型物形成用鑄模之阻劑圖型造成無法形成所欲形狀之鍍敷成型物程度之損傷的方法，即無特別限定。 作為較佳灰化處理方法，可舉出如使用氧電漿之方法。為了使用氧電漿將基板上之金屬表面予以灰化，使用公知之氧電漿產生裝置來使氧電漿產生，並將該氧電漿照射至基板上之金屬表面即可。

產生氧電漿所使用之氣體中，在不阻礙本發明之目的範圍，可混合以往與氧一同地使用於電漿處理之各種氣體。作為該氣體，可舉出例如氮氣、氫氣、及CF₄ 氣體等。 使用氧電漿之灰化條件，在不阻礙本發明之目的範圍內，即並無特別限定，處理時間係例如10秒以上20分以下之範圍，以20秒以上18分以下之範圍為佳，較佳為30秒以上15分以下之範圍。 藉由將利用氧電漿之處理時間設定成上述範圍，而不會造成阻劑圖型之形狀之變化，且變得容易達成鍍敷成型物之密著性改良之效果。 [實施例]

以下，藉由實施例更加詳細說明本發明，但本發明並非係受到該等實施例所限定者。

[調製例1] (巰基化合物T2之合成) 調製例1係合成出下述構造之巰基化合物T2作為含硫化合物(E)。

在燒瓶內添加7-氧雜降莰-5-烯-2,3-二羧酸酐(7-Oxanorborna-2-ene-5,6-dicarboxylic acid)15.00g，與四氫呋喃150.00g並進行攪拌。其次，在燒瓶內添加硫乙酸(AcSH)7.64g，在室溫下攪拌3.5小時。其後，濃縮反應液，而取得5-乙醯硫代-7-氧雜降莰烷-2,3-二羧酸酐22.11g。 將5-乙醯硫代-7-氧雜降莰烷-2,3-二羧酸酐22.11g，與濃度10質量%之氫氧化鈉水溶液30.11g添加至燒瓶內後，在室溫下，攪拌燒瓶之內容物2小時。其次，在燒瓶內添加濃度20質量%之鹽酸(80.00g)，而將反應液作成酸性。其後，進行利用乙酸乙酯200g之萃取4次，而取得包含巰基化合物T2之萃取液。對濃縮萃取液而回收之殘渣添加四氫呋喃(THF)25.11g使其溶解。對取得之THF溶液滴下庚烷而使巰基化合物T2析出，藉由過濾來回收經析出之巰基化合物T2。以下記載巰基化合物T2之¹ H-NMR之測量結果。¹ H-NMR(DMSO-d6)：δ12.10(s, 2H),4.72(d, 1H), 4.43(s, 1H), 3.10(t, 1H), 3.01(d, 1H), 2.85(d, 1H), 2.75(d, 1H), 2.10(t, 1H), 1.40(m, 1H)

[實施例1~12、及比較例1~4] 實施例1~12、及比較例1~4係使用下述PAG1作為酸產生劑(A)。

實施例1~12、及比較例1~4中，使用以下之Resin-A1及Resin-A2作為因酸之作用而對鹼之溶解性增大之樹脂(樹脂(B))。下述構造式中之各構成單位中之括弧之右下數字係表示樹脂中之構成單位之含量(質量%)。Resin-A1之質量平均分子量Mw為42000，Resin-A2之質量平均分子量Mw為40000。

使用下述C1~C11作為酸擴散抑制劑(C)。

使用以下之Resin-B(聚羥基苯乙烯樹脂)、Resin-C(酚醛樹脂(m-甲酚單獨縮合物))作為鹼可溶性樹脂(D)。下述構造式中之各構成單位中之括弧之右下數字係表示各樹脂中之構成單位之含量(質量%)。Resin-B之質量平均分子量(Mw)為2500，分散度(Mw/Mn)為2.4。Resin-C之質量平均分子量(Mw)為8000。

使用以下之含硫化合物T1~T3作為含硫化合物(E)。

分別使表1記載之種類及量之酸產生劑(A)、樹脂(B)、酸擴散控制劑(C)、鹼可溶性樹脂(D)、含硫化合物(E)，及界面活性劑(BYK310、BYK Chemie公司製)溶解於丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)，而取得各實施例及比較例之感光性樹脂組成物。尚且，界面活性劑(BYK310、BYK Chemie公司製)係以相對於樹脂(B)及鹼可溶性樹脂(D)之合計量成為0.05質量份之方式來添加。 實施例1~12、及比較例1~4之感光性樹脂組成物係調製成固體成分濃度為35質量%。

使用取得之感光性樹脂組成物，根據以下之方法來評價形狀及感度。將結果記載於表1及2。

[形狀之評價]

準備直徑500mm之玻璃基板表面上設置由濺鍍所成之銅層的基板，並將實施例、及比較例之感光性樹脂組成物塗佈於該基板之銅層上，而形成膜厚5μm之感光性層。其次，使感光性層在120℃下預烘烤4分鐘。預烘烤後，使用線寬2μm線間距寬2μm之線寬與線間距圖型之遮罩，與曝光裝置FPA-5510iV(佳能股份有限公司製)，在能形成指定尺寸圖型之最低曝光量之1.2倍之曝光量下，使用波長365nm之紫外線來曝光圖型。其次，將基板載置於加熱板上，在90℃下進行1.5分鐘之曝光後加熱(PEB)。其後，重複進行將氫氧化四甲基銨之2.38重量%水溶液(顯像液，NMD-3，東京應化工業股份有限公司製)滴下至經曝光之感光性層後，在23℃下靜置30秒鐘之操作，計2次。其後，流水洗淨(潤洗)阻劑圖型表面後，進行吹氮而取得阻劑圖型。藉由掃描型電子顯微鏡觀察該阻劑圖型之剖面形狀來評價圖型之剖面形狀。 具體而言，將阻劑圖型之與基板接觸之面(底部)之寬度設為Wb，將阻劑圖型之與基板接觸之面相反之面(頂部)之寬度設為Wt時，(Wt-Wb)/Wt為±10%以內之情況評價為○，將(Wt-Wb)/Wt為±10%之範圍外之情況評價為×。將結果展示於表1。

[感度之評價] 使用線寬與線間距圖型形成用之遮罩，藉由與形狀之評價相同之方法，調整曝光量來形成線寬2μm線間距寬2μm之線寬與線間距圖型。將能形成指定尺寸之線寬與線距圖型之曝光量當作感度。將結果展示於表1。

[酸產生劑之由酸擴散抑制劑造成之分解性之評價] 調整出將實施例1~12、及比較例1~4所使用之各酸擴散抑制劑C1~C12，與PAG1分別以等莫耳進行混合之丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)溶液，並在40℃下保管24小時。尚且，丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液係調整成固體成分濃度為2質量%。 保管後，使用¹⁹ F-NMR藉由下述式來算出酸產生劑(PAG1)之分解率，將分解率未滿1%之情況評價為○，將分解率為1%以上5%以下之情況評價為△，將分解率超過5%之情況評價為×。式中，酸狀態之積分比為CF₃ SO₃ H中之F之積分比，PAG狀態之積分比為PAG1中之F之積分比。將結果展示於表1之「安定性」欄。 酸產生劑之分解率(%)=(酸狀態之積分比)/[(PAG狀態之積分比)+(酸狀態之積分比)]×100

根據實施例1~12，得知比起不包含因活性光線或放射線之照射而進行分解之酸擴散抑制劑之比較例1及3之正型感光性樹脂組成物，而包含因活性光線或放射線之照射而產生酸之酸產生劑(A)、因酸之作用而對鹼之溶解性增大之樹脂(B)及酸擴散抑制劑(C)，且酸產生劑(A)包含因活性光線或放射線之照射而產生磺酸之非離子系酸產生劑，酸擴散抑制劑(C)包含因活性光線或放射線之照射而進行分解之式(c1)所示之化合物之正型感光性樹脂組成物之形狀更為良好，且感度也為同等以上。並且，非離子系酸產生劑之由酸擴散抑制劑(C)造成之分解率亦為低。

另一方面，根據比較例2及4，得知在使用因活性光線或放射線之照射雖會進行分解但並非為式(c1)所示之化合物的化合物作為酸擴散抑制劑(C)的情況，會將產生磺酸之非離子系酸產生劑予以分解。

Claims (13)

1. 一種化學增幅型正型感光性樹脂組成物，其係包含：因活性光線或放射線之照射而產生酸之酸產生劑(A)、因酸之作用而對鹼之溶解性增大之樹脂(B)，及酸擴散抑制劑(C)；其中， 前述酸產生劑(A)包含因前述活性光線或放射線之照射而產生磺酸之非離子系酸產生劑， 前述酸擴散抑制劑(C)包含因前述活性光線或放射線之照射而進行分解之下述式(c1)所示之化合物；

   

   式(c1)中， M^m+ 表示m價有機陽離子， m表示1以上之整數， 環Z表示苯環，或，苯環經縮合之多環， 環Z之苯環數x為1以上4以下之整數， R^1c 表示取代基， A^- 表示-COO^- 或-SO₂ O^- ， n表示2以上2x+3以下之整數， p表示0以上2x+3-n之整數，p為2以上時，複數之R^1c 可為相同亦可為相異，複數之R^1c 亦可連結而形成環。
2. 如請求項1之化學增幅型正型感光性樹脂組成物，其中在環Z中，在與前述A^- 所鍵結之碳原子鄰接之2個碳原子之至少一者鍵結有羥基。
3. 如請求項1之化學增幅型正型感光性樹脂組成物，其中前述式(c1)所示之化合物為下述式(c2)所示之化合物；

   

   式(c2)中，M^m+ 、R^1c 、A^- 、m、n、p係分別與式(c1)中之該等相同， q表示0以上3以下之整數， n、p、及q滿足n+p≦(q×2)+5之式。
4. 如請求項3之化學增幅型正型感光性樹脂組成物，其中前述q為0以上1以下。
5. 如請求項1之化學增幅型正型感光性樹脂組成物，其中前述非離子系酸產生劑為選自由醯亞胺磺酸酯化合物及肟磺酸酯化合物所成群之至少一種。
6. 如請求項1之化學增幅型正型感光性樹脂組成物，其中更含有鹼可溶性樹脂(D)。
7. 如請求項6之化學增幅型正型感光性樹脂組成物，其中前述鹼可溶性樹脂(D)包含選自由酚醛樹脂(D1)、聚羥基苯乙烯樹脂(D2)、及丙烯酸樹脂(D3)所成群之至少1種之樹脂。
8. 如請求項1~7中任一項之化學增幅型正型感光性樹脂組成物，其中更含硫化合物(E)，該含硫黃化合物(E)包含能對金屬進行配位之硫原子。
9. 一種感光性乾膜，其係具有：基材膜，與形成於前述基材膜表面之感光性層，且前述感光性層係包含如請求項1~8中任一項之化學增幅型正型感光性樹脂組成物。
10. 一種感光性乾膜之製造方法，其係包含：在基材膜上塗佈如請求項1~8中任一項之化學增幅型正型感光性樹脂組成物而形成感光性層。
11. 一種經圖型化阻劑膜之製造方法，其係包含： 在基板上層合包含如請求項1~8中任一項之化學增幅型正型感光性樹脂組成物之感光性層的層合步驟、 對前述感光性層位置選擇性地照射活性光線或放射線進行曝光的曝光步驟，及 將曝光後之前述感光性層予以顯像的顯像步驟。
12. 一種附鑄模之基板之製造方法，其係包含： 在具有金屬表面之基板上層合包含如請求項1~8中任一項之化學增幅型正型感光性樹脂組成物之感光性層的層合步驟、 對前述感光性層位置選擇性地照射活性光線或放射線進行曝光的曝光步驟，及 將曝光後之前述感光性層予以顯像來製作形成鍍敷成型物用之鑄模的的顯像步驟。
13. 一種鍍敷成型物之製造方法，其係包含：對藉由如請求項12之附鑄模之基板之製造方法所製造之前述附鑄模之基板施加鍍敷，而在前述鑄模內形成鍍敷成型物的鍍敷步驟。