TW202226428A - 基板處理裝置及基板搬送方法 - Google Patents

基板處理裝置及基板搬送方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202226428A
TW202226428A TW110129435A TW110129435A TW202226428A TW 202226428 A TW202226428 A TW 202226428A TW 110129435 A TW110129435 A TW 110129435A TW 110129435 A TW110129435 A TW 110129435A TW 202226428 A TW202226428 A TW 202226428A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
space
opening
processing apparatus
substrate processing
Prior art date
Application number
TW110129435A
Other languages
English (en)
Inventor
三枝直也
田邊廣太
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW202226428A publication Critical patent/TW202226428A/zh

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67213Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one ion or electron beam chamber

Abstract

本發明之課題為抑制開口部所設置之構造物的劣化。
一種基板處理裝置,具備:基板搬出入模組,係具有在將基板搬出至較大氣壓而被控制為正壓的外部空間之際會被控制為大氣壓環境且能夠讓基板通過之內部空間;開口部,係設置於該基板搬出入模組來連通該內部空間與外部空間;閘閥,係設置於開口部且具有搬送空間;噴出部,係從外部空間側朝開口部的緣部噴出吹淨氣體;以及排氣口,係以不同於開口部之路徑來將搬送空間排氣。

Description

基板處理裝置及基板搬送方法
本發明係關於一種基板處理裝置及基板搬送方法。
基板處理裝置中,會在基板搬出時等能夠讓基板通過之開口部設置有閘閥等構造物(參照例如專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1:日本特開2019-220588號公報
本發明係提供一種能夠抑制開口部所設置之構造物的劣化之技術。
本發明一樣態之基板處理裝置具備:基板搬出入模組,係具有在將基板搬出至較大氣壓而被控制為正壓的外部空間之際會被控制為大氣壓環境且能夠讓基板通過之內部空間;開口部,係設置於該基板搬出入模組來連通該內部空間與外部空間;閘閥,係設置於開口部且具有搬送空間;噴出部,係從外部空間側朝開口部的緣部噴出吹淨氣體;以及排氣口,係以不同於開口部之路徑來將搬送空間排氣。
依據本發明,便可抑制開口部所設置之構造物的劣化。
1:基板處理裝置
2:製程腔室
3:搬送室
4:加載互鎖室
5:閘閥
6:加載互鎖面板
7:控制部
71:控制器
72:使用者介面
73:記憶部
8:載置器
42、42U、42L:開口部
51U:閘蓋
51L:閘蓋
55、55U、55L:導軌
56:區隔壁
61、61U、61L:噴嘴(噴出部)
62、62U、62L:開口部
66:分隔壁
421U、421L、422U、422L:緣部
641U、642U、643U、644U、645U、646U、641L、642L、643L、644L、645L、646L:排氣口
S、SU、SL:內部空間
圖1係顯示實施型態相關之基板處理裝置1的概略構成例之圖式。
圖2係顯示加載互鎖室4的概略構成例之圖式。
圖3係顯示加載互鎖室4及閘閥5的概略構成例之圖式。
圖4係顯示加載互鎖室4及閘閥5的概略構成例之圖式。
圖5係示意性地顯示基板G、閘閥5及加載互鎖室4的概略構成之圖式。
圖6係顯示加載互鎖面板6的概略構成例之圖式。
圖7係顯示加載互鎖面板6的概略構成例之圖式。
圖8係示意性地顯示所被噴出之吹淨氣體的流動之圖式。
圖9係示意性地顯示所被噴出之吹淨氣體的流動之圖式。
圖10係顯示噴嘴61的概略構成例之圖式。
圖11為從加載互鎖室4側來觀看加載互鎖面板6之圖式。
圖12係示意性地顯示所被排氣之氣體的流動之圖式。
圖13係示意性地顯示所被排氣之氣體的流動之圖式。
圖14係示意性地顯示所被排氣之氣體的流動之圖式。
圖15係示意性地顯示所被排氣之氣體的流動之圖式。
圖16係示意性地顯示所被排氣之氣體的流動之圖式。
圖17係示意性地顯示所被排氣之氣體的流動之圖式。
圖18係顯示基板處理裝置1中所實施之處理(基板搬送方法)的範例之流程圖。
圖19係顯示加載互鎖室4、閘閥5、噴嘴61及排氣管64A的概略構成例之圖式。
以下,參照圖式來針對本案所揭示之基板處理裝置及基板搬送方法的實施型態詳細地說明。此外,並未因本實施型態而被侷限於所揭示之基板處理裝置及基板搬送方法。
基板處理裝置中,在將已處理後的基板搬出至外部之際,附著在基板之處理氣體會附著在可供搬出基板之開口部所設置的構造物而發生腐蝕等,便有構造物劣化之可能性。於是,期待有一種能夠抑制可供搬出基板之開口部所設置的構造物劣化之技術。
圖1係顯示實施型態相關之基板處理裝置1的概略構成例之圖式。圖式中係顯示XYZ座標系統。X軸方向及Y軸方向係分別對應於以可供搬出基板之開口部的某一側來作為正面之情況之基板處理裝置的左右方向及前後方向。 Z軸方向係對應於水平配置之基板處理裝置的上下方向(高度方向),即鉛直方向。
基板處理裝置1係包含製程腔室2、搬送室3、加載互鎖室4、閘閥5、加載互鎖面板6及控制部7,圖1中,加載互鎖面板6係以從閘閥5被卸下之狀態來加以圖示。控制部7係以功能方塊來加以圖示。基板處理裝置1的加載互鎖室4係構成為可在與搬送室3為相反側處來與載置器8相連結。載置器8可非為基板處理裝置1的構成要素,亦可為基板處理裝置1的構成要素。
基板處理裝置1中,製程腔室2、搬送室3及加載互鎖室4係分別具有能夠收納基板等之內部空間。相鄰之內部空間彼此係透過開口部而相連通。開口部係設置有開閉用的構造物。開閉用構造物的範例為閘閥,將當中的一個圖示為閘閥5。藉由關閉開口部來使內部空間成為氣密狀態,便可將內部空間彼此控制為相異的氣壓環境。可控制之氣壓環境的範例為大氣壓環境及減壓環境。減壓環境為壓力會低於大氣壓環境之環境(例如真空壓環境)。
以下,針對基板處理裝置1的構成要素依序做說明。此外,成為基板處理裝置1的處理對象之基板係在後述圖5中圖示為基板G,因此,以下便稱作基板G。
製程腔室2為會進行基板G的處理之部分(模組)。將製程腔室2例示為可對基板G實施處理之複數製程腔室21~製程腔室23。製程腔室21~製程腔室23中對基板G所實施之處理可為相同的處理,亦可為不同的處理。基板G的範例為FPD(Flat Panel Display)用玻璃基板。FPD的範例為液晶顯示器、有機EL顯示器等。基板G的其他範例為以聚醯亞胺等合成樹脂構成之可彎折的材料所構成之片體或膜。基板處理的範例為電漿處理。電漿處理的範例為蝕刻處理、灰化處理、成膜處理等電漿處理。在基板處理中會使用各種處理氣體。處理氣體的範例為含有氯原子之氯系氣體以及含有氟原子之氟系氣體。上述般之處理氣體可相對於例如基板處理裝置1之一部分的構成要素而為腐蝕性氣體。特別是當與含有水分之大氣混合時,其腐蝕性會變得更加明顯。
搬送室3為會在製程腔室2與加載互鎖室4之間搬送基板G之部分(模組)。基板G係藉由例如真空機器人來被加以搬送。雖未圖示,搬送室3係具有2 段構成的搬送機器人,會進行從製程腔室2來搬出並保持已處理後的基板G,且將未處理的基板G朝製程腔室2搬入之基板搬送。
加載互鎖室4為藉由將基板G暫時地保持在內部所設置之緩衝器(圖中未顯示)來協調搬送室3與外部空間之間的基板G搬送之基板搬出入模組。在此範例中,載置器8所具有之空間係相當於外部空間,加載互鎖室4會在與載置器8之間進行基板G的搬入及搬出。基板G的搬入係包括從載置器8來將製程腔室25中被處理前的基板G(未處理基板)置入(搬入)至加載互鎖室4的內部空間。基板G的搬出係包括從加載互鎖室4來將製程腔室2中已處理後的基板G(處理後基板)取出(搬出)至載置器8。此外,由於如上述般地搬送機器人係具有2段構成,故加載互鎖室4亦是具有2段構成。有關加載互鎖室4,亦參照圖2來加以說明。
圖2係顯示加載互鎖室4的概略構成例之圖式。加載互鎖室4係包含本體41與開口部42。本體41會界定出內部空間S。開口部42係連通內部空間S與外部空間(即載置器8)。當基板G通過內部空間S而被搬出至載置器8之際,內部空間S會被控制為大氣壓,而載置器8係被控制為較大氣壓更為正壓。控制係藉由後述控制部7來進行。
內部空間S係包含上下地相互分離之內部空間SU(上側內部空間)與內部空間SL(下側內部空間)。對應於此,開口部42係包含開口部42U與開口部42L。
開口部42U會連通內部空間SU與載置器8。將開口部42U當中延伸於上下方向(Z軸方向)之緣部稱作緣部421U來加以圖示。緣部421U為位在開口部42U的左右之一對緣部。將開口部42U當中延伸於左右方向(X軸方向)之緣部稱作緣部422U來加以圖示。緣部422U為位在開口部42U的上下之一對緣部。
開口部42L會連通內部空間SL與載置器8。將開口部42L當中延伸於上下方向(Z軸方向)之緣部稱作緣部421L來加以圖示。緣部421L為位在開口部42L的左右之一對緣部。將開口部42L當中延伸於左右方向(X軸方向)之緣部稱作緣部422L來加以圖示。緣部422L為位在開口部42L的上下之一對緣部。
回到圖1,閘閥5係相對於加載互鎖室4的開口部當中挾置著加載互鎖室4而與搬送室3為相反側(即載置器8側)的開口部來加以設置。針對如此般地相對於加載互鎖室4所設置之閘閥5,亦參照圖3及圖4來進一步說明。
圖3及圖4係顯示加載互鎖室4及閘閥5的概略構成例之圖式。圖3為半剖面圖。圖4中的白色箭頭係示意性地顯示閘門的開閉方向。
加載互鎖室4的本體41係圖示為會界定出內部空間S的上下面及側面之壁部。對幾個壁部賦予符號而圖示為上部壁411、中間壁412及下部壁413。上部壁411會在內部空間S中界定出內部空間SU的上面。中間壁412會在內部空間S中界定出內部空間SU的下面及內部空間SL的上面。下部壁413會在內部空間S中界定出內部空間SL的下面。
閘閥5係設置於開口部42。更具體而言,閘閥5係包含有閘閥5U、閘閥5L及區隔壁56。閘閥5U為對應於開口部42U之上側閘閥。閘閥5U在打開時,其開口部會與開口部42U相連通。閘閥5U的開口部可在加載互鎖室4與加載互鎖面板6之間界定出會連續於內部空間SU且與載置器8的內部相連通之上側搬送空間。閘閥5L為對應於開口部42L之下側閘閥。閘閥5L在打開時,其開口部會與開口部42L相連通。閘閥5L的開口部可在加載互鎖室4與加載互鎖面板6之間界定出會連續於內部空間SL且與載置器8的內部相連通之下側搬送空間。區隔壁56係設置為會在閘閥5U與閘閥5L之間而連接於加載互鎖室4的中間壁412。區隔壁56係可界定出上側搬送空間及下側搬送空間的一部分。後續,將上側搬送空間與下側搬送空間統稱作搬送空間。
閘閥5U係包含有閘蓋51U、閥體52U、氣壓缸53U、導引塊體54U及導軌55U。閘蓋51U會和閘蓋51U的內側所設置之閥體52U一起上下移動。閘蓋51U會沿著加載互鎖室4之開口部42U的緣部421U來隨著閥體52U的上下移動而移動。閥體52U會連動於氣壓缸53U而上下移動。氣壓缸53U為一種例如構成為可控制上下方向的移動之致動器。又,閥體52U係透過導引塊體54U而可滑動地連接於導軌55U。導軌55U會引導閥體52U的移動方向。導軌55U為設置於開口部42U的緣部421U之一對導軌,係延伸於上下方向。藉由閥體52U會沿著導軌55U移動,來讓閥體52U之上下方向的移動變得穩 定。由於導軌55U亦為會支撐閥體52U的移動之部分,故被要求強度須高於其他部分。用以賦予如此般高強度的導軌55U之材質的範例為SUS440C。
閘閥5L係包含有閘蓋51L、閥體52L、氣壓缸53L、導引塊體54L及導軌55L。關於該等要素,由於與閘閥5U之相對應的部分相同,故省略說明。此外,將導軌55U及導軌55L統稱作導軌55(參照後述圖6)。
圖5係示意性地顯示基板G、閘閥5及加載互鎖室4的概略構成之圖式。此外,省略加載互鎖面板6的圖示。延伸於橫向(Y軸方向)之白色箭頭係示意性地顯示基板G的移動方向。延伸於縱向(Z軸方向)之白色箭頭係示意性地顯示閘閥5的開閉方向。例如當閥體52U移動至上方來打開開口部42U時,藉由臂部A而被加以支撐之基板G會從載置器8透過上側搬送空間來被搬入至內部空間SU。又,基板G會從內部空間SU透過上側搬送空間來被搬出至載置器8。關於閥體52L亦可說是相同。此外,將用以在加載互鎖室4及閘閥5中提高氣密性之密封組件以圓黑圖形來加以圖示。
回到圖1,加載互鎖面板6係被安裝在閘閥5。有關加載互鎖面板6的細節,之後會參照圖6及其他圖式來另外說明。
控制部7會控制基板處理裝置1之各部的動作。控制部7係構成為包含有控制器71、使用者介面72及記憶部73等。控制器71係具備CPU,會控制例如製程腔室2、搬送室3、加載互鎖室4、閘閥5及安裝於加載互鎖面板6之噴嘴61(後述)等的動作。使用者介面72係具有例如工程管理者為了管理基板處理裝置1而進行指令的輸入操作等之鍵盤,以及可視化地顯示基板處理裝置1的運轉狀況之顯示器。記憶部73係保存有配方,該配方係記錄有為了藉由控制器71的控制來實現基板處理裝置1所執行的各種處理之控制程式(軟體)及處理條件資訊等。使用者介面72及記憶部73係連接於控制器71。然後,依需要,藉由來自使用者介面72之指示等,從記憶部73來呼叫出任意配方且使控制器71實行,藉此在控制器71的控制下,以基板處理裝置1來進行所需處理。控制程式及處理條件資訊等配方可利用被儲存在能夠讓電腦讀取的記錄媒體(例如CD-ROM、硬碟、軟碟、快閃記憶體)之狀態者。又,亦可從其他裝置而透過例如專用線路來隨時傳送並在線上加以利用。
載置器8為會在與加載互鎖室4之間進行基板G的搬入及搬出之部分(模組)。載置器8係構成為包含有例如晶圓匣盒放置架以及會收納晶圓匣盒放置架上所配置的基板G之一對晶圓匣盒等。晶圓匣盒內係上下且相距間隔地配置有多層基板G。例如一晶圓匣盒係收納有未處理基板,另一晶圓匣盒則是收納有已處理後的基板。
針對以上所說明之基板處理裝置1的動作當中,尤其是基板G的搬送相關之動作概要來加以說明。打開閘閥5來將基板G從載置器8搬入至加載互鎖室4。關閉閘閥5來將加載互鎖室4從大氣壓控制為減壓環境。被搬入至加載互鎖室4之基板G會經過搬送室3而被搬送至製程腔室2。搬送室3及製程腔室2亦是被控制為減壓環境。將基板G從加載互鎖室4朝搬送室3移送之際,加載互鎖室4與搬送室3係被控制為相同程度的減壓環境。在製程腔室2中會進行使用處理氣體之基板G的處理。在處理完成後,將基板G經過搬送室3來搬送至加載互鎖室4。在加載互鎖室4被升壓控制為大氣壓後,打開閘閥5來將基板G從加載互鎖室4搬出至載置器8。
此處,當在製程腔室2被處理後的基板G(已處理後的基板)通過搬送室3及加載互鎖室4而被搬出至載置器8時,加載互鎖室4是被升壓控制為大氣壓,而載置器8則是被控制為較大氣壓更為正壓。因此,便會產生從載置器8朝向加載互鎖室4之氣流。另外,基板G(已處理後的基板)會附著有處理氣體。於是,附著在被搬出的基板G之處理氣體便會從載置器8朝加載互鎖室4擴散,且乘著氣流而碰觸並附著在加載互鎖室4之開口部42的緣部所設置之構造物(例如閘閥5的導軌55)。由於開口部42的緣部所設置之構造物亦是被曝露在大氣,故會有因處理氣體的成分與大氣中的水分反應而導致腐蝕(劣化)之可能性。
為了抑制處理氣體附著在開口部42的緣部所設置之構造物(即構造物的劣化),在實施型態相關之基板處理裝置1中,係從載置器8側朝開口部42的緣部來噴出氣體。噴出機構(噴出部)的範例為會噴附從吹淨氣體的供應管所供應的吹淨氣體來作為氣體之噴嘴,或從載置器8側來將周圍的氣體送風之風扇等。以下,便針對噴出部為噴嘴之範例來加以說明。利用噴嘴來噴出吹 淨氣體之實施機構的一範例為加載互鎖面板6。加載互鎖面板6係藉由將噴嘴等組裝在例如加載互鎖室4與外部空間之間的分隔壁所構成。
圖6及圖7係顯示加載互鎖面板6的概略構成例之圖式。圖6為加載互鎖室4、閘閥5及加載互鎖面板6的立體分解圖。圖7為從載置器8側來觀看加載互鎖面板6之圖式。加載互鎖面板6係挾置著閘閥5而對向於加載互鎖室4及閘閥5來被設置於與加載互鎖室4為相反側。圖6及圖7係顯示加載互鎖面板6之構成要素當中的噴嘴61、開口部62、供氣管63及分隔壁66。
噴嘴61係以會從載置器8側朝加載互鎖室4之開口部42的緣部來噴出吹淨氣體之方式而對向於開口部42的緣部來加以設置。由於開口部42的緣部係設置有作為構造物之導軌55,故噴嘴61係以會朝導軌55噴出吹淨氣體之方式而對向於導軌55來加以設置。具體而言,噴嘴61係包含噴嘴61U與噴嘴61L。噴嘴61U為對向於開口部42U的緣部421U,即一對導軌55U般所設置之一對噴嘴。噴嘴61L為對向於開口部42L的緣部421L,即一對導軌55L般所設置之一對噴嘴。
開口部62係設置為會與加載互鎖室4的開口部42及閘閥5的開口部相連通。開口部62係包含開口部62U及開口部62L。開口部62U係設置為會與開口部42U及閘閥5U的開口部相連通。開口部62U係可界定出上側搬送空間的端部。開口部62L係設置為會與開口部42L及閘閥5L的開口部相連通。開口部62L係可界定出下側搬送空間的端部。
供氣管63為會將吹淨氣體供氣至噴嘴61之供氣流道(供應流道)。吹淨氣體的範例為乾燥空氣。供氣管63係包含供氣管63U及供氣管63L。供氣管63U會將吹淨氣體供氣至噴嘴61U。供氣管63L會將吹淨氣體供氣至噴嘴61L。
分隔壁66會區隔開口部62U與開口部62L,係連接於閘閥5的區隔壁56來加以設置。分隔壁66係可界定出上側搬送空間之端部及下側搬送空間之端部的一部分。
由於噴嘴61係設置為會對向於導軌55,故噴嘴61便會朝導軌55的正面噴出吹淨氣體。藉此,便可使吹淨氣體有效率地碰觸到導軌55。關於此,參照圖8及圖9來加以說明。
圖8及圖9係示意性地顯示所被噴出之吹淨氣體的流動之圖式。當如圖8所示般地朝導軌55的側面噴出吹淨氣體之情況,挾置著導軌55而與該側面為相反側之部分會不易發生吹淨氣體的流動。於是,在不易發生吹淨氣體的流動之部位處,則從載置器8擴散之處理氣體便有可能會附著在導軌55。當如圖9所示般地朝導軌55的正面噴出吹淨氣體之情況,導軌55的正面部分及兩側部分皆會產生吹淨氣體的流動。於是,從載置器8擴散之處理氣體在到達導軌55前便會因吹淨氣體的流動而被去除,便不易附著在導軌55。因此,吹淨氣體不僅是導軌55的側面,最好是亦朝導軌55的正面噴出。
圖10係顯示噴嘴的概略構成例之圖式。在此範例中,噴嘴61為會從複數孔噴出吹淨氣體之噴淋板,係包含板體611、板體612及密封組件613。板體611係包含有設置在不同位置之埠口611a、埠口611b及埠口611c。藉由將供氣管63選擇性地連接於該等埠口之任一者來調整供氣管63的連接部位。在此範例中,埠口611b係連接有供氣管63,其他埠口611a及埠口611c則是關閉的。此外,連接有供氣管63之埠口並不一定要是3個,關於從板體12朝導軌55之氣體噴出,只要是已決定最佳位置,則亦可僅設置一個,又,為了依狀況來適當地選擇最佳位置,而亦可設置複數個。
板體612係具有複數噴出孔612a。複數噴出孔612a係設置為可獲得所需流量,例如數十L/min~數百L/min左右的流量。複數噴出孔612a係格子狀地設置於例如上下方向(Z軸方向)及左右方向(X軸方向)。各噴出孔612a係具有例如直徑為數mm左右的圓形形狀。此外,不限於上述,複數噴出孔612a亦可配列為菱形狀或同心圓狀等,又,各噴出孔亦可為方形或橢圓形等。
板體611及板體612係以會氣密地形成將被供氣至板體611的埠口(在此範例中為埠口611b)之吹淨氣體引導至板體612的各噴出孔612a之內部空間之方式,而透過密封組件613來被加以結合。
藉由以噴嘴61來作為噴淋板,便可容易調整例如吹淨氣體的噴出範圍。加載互鎖面板6亦組裝有會將藉由例如以上所說明的噴嘴61所噴出之吹淨氣體加以排氣之構成。關於此,參照圖11來加以說明。
圖11為從加載互鎖室4側來觀看加載互鎖面板6之圖式。加載互鎖面板6除了以上所說明之噴嘴61、開口部62、供氣管63及分隔壁66以外,係包 含有排氣管64、排氣口641U~排氣口646U及排氣口641L~排氣口646L、以及吹淨氣體控制器65。此外,此範例中,供氣管63的供氣管63U係在加載互鎖面板6的上部中央處以分歧點63Ua分歧且延伸左右方向(X軸方向)來連接於噴嘴61U。供氣管63的供氣管63L係在加載互鎖面板6的下部中央處以分歧點63La分歧且延伸於左右方向來連接於噴嘴61L。
排氣管64為用以將搬送空間排氣之排氣流道。排氣管64係包含排氣管64U及排氣管64L。
排氣管64U係連接於排氣口641U~排氣口646U。排氣口641U~646U係以不同於開口部42U、閘閥5U的開口部及加載互鎖面板6的開口部62U之路徑來將上側搬送空間排氣。排氣口641U~排氣口646U係設置於加載互鎖室4之開口部42U的緣部422U附近(例如數mm~數cm左右的範圍內),且沿著緣部422U來加以設置(於X方向)。
排氣管64L係連接於排氣口641L~排氣口646L。排氣口641L~646L係以不同於開口部42L、閘閥5L的開口部及加載互鎖面板6的開口部62L之路徑來將下側搬送空間排氣。排氣口641L~排氣口646L係設置於加載互鎖室4之開口部42L的緣部422L附近,且沿著緣部422L來加以設置(於X軸方向)。
針對排氣管64U及排氣管64L來更加詳細地敘述。排氣管64U係在加載互鎖面板6的上部中央處以分歧點64Ua分歧且延伸於左右方向來分別連接於排氣口641U~排氣口646U。排氣口641U~646U係設置於上側搬送空間內的上方。排氣口641U~排氣口646U係具有與開口部42U的開口中心軸方向(Y軸方向)呈交叉之中心軸方向(在此範例中為Z軸方向的中心軸方向)。排氣口641U~排氣口646U係位在開口部42U左右的緣部421U所設置之一對導軌55U彼此之間。排氣口641U及排氣口646U係設置於導軌55U附近。排氣口643U及排氣口644U係設置於上側搬送空間的中央附近。排氣口642U係設置於排氣口641U與643U之間。排氣口645U係設置於排氣口644U與排氣口646U之間。
排氣管64L係在加載互鎖面板6的下部中央處以分歧點64La分歧且延伸於左右方向來分別連接於排氣口641L~排氣口646L。排氣口641L~646L係設置於下側搬送空間內的下方。排氣口641L~排氣口646L係具有與開口部42L 的開口中心軸方向(Y軸方向)呈交叉之中心軸方向(在此範例中為Z軸方向的中心軸方向)。排氣口641L~排氣口646L係位在開口部42L左右的緣部421L所設置之一對導軌55L彼此之間。排氣口641L及排氣口646L係設置於導軌55L附近。排氣口643L及排氣口644L係設置於下側搬送空間的中央附近。排氣口642L係設置於排氣口641L與643L之間。排氣口645L係設置於排氣口644L與排氣口646L之間。
如上所述般地,藉由不僅是導軌55附近,且亦將排氣口設置在上側搬送空間及下側搬送空間的中央附近,則搬送空間整體便會變得容易排氣。關於此,參照圖12~圖17來加以說明。
圖12~圖17係示意性地顯示所被排氣之氣體的流動之圖式。如圖12及圖13所示,當只有導軌55附近設置有排氣口的情況,便只會在導軌55附近形成有吹淨氣體的排氣流。如圖14及圖15所示,當導軌55附近與搬送空間中央附近之間(中間位置)亦設置有排氣口的情況,則吹淨氣體的排氣流便亦會形成於中間位置。如圖16及圖17所示,當搬送空間中央亦設置有排氣口的情況,則吹淨氣體的排氣流便亦會形成於中央附近。因此,排氣口不光是導軌55附近,最好是設置到搬送空間中央附近。
回到圖11,吹淨氣體控制器65會控制供氣管63之吹淨氣體的供氣。吹淨氣體之供氣控制的範例為供氣之ON.OFF及流量的調整等。又,吹淨氣體控制器65會控制排氣管64所進行之排氣。吹淨氣體之排氣控制的範例為排氣之ON.OFF及流量的調整等。為了該等供氣控制及排氣控制,吹淨氣體控制器65可構成為包含有相對於供氣管63及排氣管64來加以設置之可變閥、流量計等。
針對吹淨氣體控制器65所進行之供氣及排氣的ON.OFF控制範例來加以敘述。將未處理基板從載置器8搬入至加載互鎖室4時,係將供氣及排氣控制為OFF。將已處理後的基板從加載互鎖室4朝載置器8搬出時,則是將供氣及排氣控制為ON。此外,雖未在通常的處理中實施,但因某種理由而將未處理基板從加載互鎖室4朝載置器8搬出時,則是將供氣及排氣控制為OFF。在啟動基板處理裝置1(待機狀態)時,係將供氣及排氣控制為ON。而在未啟動基板處理裝置1(關機狀態)時,則是將供氣及排氣控制為OFF。當吹淨氣體 的供氣及/或排氣並未正常地動作之情況,係將供氣及排氣控制為OFF。此外,吹淨氣體控制器65所進行之供氣控制及排氣控制可在控制部7(圖1)的控制下來進行。當吹淨氣體控制器65所進行之吹淨氣體的供氣及/或排氣並未正常地動作之情況(例如流量降低之情況),控制部7可進行會產生警訊般之控制。
針對以上所說明之基板處理裝置1的動作當中,尤其是從加載互鎖室4來將基板G搬出至載置器8時的動作,參照圖18來加以說明。
圖18係顯示基板處理裝置中所實施之處理(基板搬送方法)的範例之流程圖。除了有特別說明的情況,各處理係藉由控制部7的控制來進行。最初,基板G是以處理前的狀態而位在製程腔室2內。
在步驟S1中,會進行基板處理。亦即,在製程腔室2中會實施使用有處理氣體(例如氯系氣體)之基板G的處理。處理中未消耗而殘留的處理氣體則會附著在基板G。
步驟S2中,係將加載互鎖室控制為減壓環境。亦即,係將加載互鎖室4控制為較大氣壓而更為減壓之減壓環境。此外,亦可從將未處理的基板G由加載互鎖室4搬入至製程腔室2之時間點便持續維持減壓環境。
在步驟S3中,會將吹淨氣體噴出或排氣。亦即,透過供氣管63來將吹淨氣體供應至噴嘴61且朝導軌55U及導軌55L噴出。與此同時,透過排氣口641U~排氣口646U及641L~排氣口646L及排氣管64來將搬送空間排氣。
在步驟S4中,會搬出基板G。亦即,在如上述步驟S3般地將吹淨氣體噴出或排氣之狀態下,從製程腔室2通過搬送室3及加載互鎖室4來將基板G搬出至載置器8。此時,從搬送室3被移送至加載互鎖室4之基板G會被暫時留置在加載互鎖室4,且在將加載互鎖室4升壓至大氣壓後,便打開閘閥5而朝載置器8被搬出。此外,吹淨氣體的噴出.排氣可與基板G之從製程腔室2朝搬送室3的搬送並行地開始,亦可開始於在基板G朝搬送室3的搬送後,直到打開閘閥5為止的期間。
以上的處理中,從加載互鎖室4來將基板G搬出至載置器8之際,會和吹淨氣體的噴出一起進行搬送空間的排氣(步驟S3及S4)。於是,如以上所說明般地,便可抑制處理氣體附著在開口部42所設置之構造物(例如導軌55)而導致構造物劣化。
以上所說明之實施型態應被認為所有要點僅為例示而非用以限制本發明之內容。上述實施型態可以各種型態來加以具體化。上述實施型態可在未背離添附的申請專利範圍及其要旨之範圍內,而以各種型態來做省略、置換或變更。
上述實施型態中,已針對從上方來將上側的上側搬送空間排氣之範例加以說明。此外,亦可從下方來將上側搬送空間排氣。此情況下,排氣口係設置於上側搬送空間的下方。又,亦可從上方及下方兩者來將上側搬送空間排氣。此情況下,排氣口係設置於上側搬送空間內的上方及下方。
上述實施型態中,已針對從下方來將下側的下側搬送空間排氣之範例加以說明。此外,亦可從上方來將下側搬送空間排氣。此情況下,排氣口係設置於下側搬送空間內的上方。又,亦可從上方及下方兩者來將下側搬送空間排氣。此情況下,例如排氣口係設置於下側搬送空間內的上方及下方。
例如當與吹淨氣體一起被排氣之處理氣體是較空氣更輕的情況,由於氣體會變得容易移動至上側搬送空間及下側搬送空間的上方,故上方排氣會較下方排氣可將氣體更有效率地排出之可能性便會提高。而當與吹淨氣體一起被排氣之處理氣體是較空氣更重的情況(例如氯系氣體的情況),由於氣體會變得容易移動至上側搬送空間及下側搬送空間的下方,故下方排氣會較上方排氣可將氣體更有效率地排出之可能性便會提高。針對上側搬送空間亦為下方排氣之範例,參照圖19來加以說明。
圖19係顯示加載互鎖室4、閘閥5、噴嘴61及排氣管64A的概略構成例之圖式(半剖面圖)。將加載互鎖面板6除了噴嘴61與排氣管64A以外則予以省略。為排氣流道之排氣管64A係包含排氣管64UA及排氣管64LA。排氣管64UA係通過閘閥5之區隔壁56上的緣部而連接於複數排氣口。例示出複數排氣口當中的排氣口646UA及排氣口645UA。區隔壁56上所設置之該等排氣口係設置於上側搬送空間內的下方來從下方將上側搬送空間加以排氣。排氣管64LA係與排氣管64L同樣地連接於下側搬送空間內下方的排氣口,於是,下側搬送空間亦會從下方被排氣。
上述實施型態中,已針對吹淨氣體的噴出及排氣相關之要素,例如於加載互鎖面板6組裝有噴嘴61及排氣口641U等之範例來加以說明。此外,不 限於上述般之樣態,吹淨氣體的噴出及排氣相關之要素亦可以所有樣態而被設置在基板處理裝置1。
上述實施型態中,已針對製程腔室2乃為製程腔室21~製程腔室23的3個製程腔室之範例來加以說明。此外,製程腔室2可為單一的製程腔室,亦可為2個或4個以上的製程腔室。
上述實施型態中,已針對基板搬出入模組為加載互鎖室4之範例來加以說明。此外,除了加載互鎖室4以外,亦可使用能在基板處理裝置1中進行基板G的搬出入之所有模組來作為基板搬出入模組。
以上所說明之基板處理裝置1例如具體如下。如參照圖1~圖17等所說明般地,基板處理裝置1係具備基板搬出入模組(例如加載互鎖室4)、開口部42、閘閥5、噴出部(例如噴嘴61)及排氣口(排氣口641U等)。基板搬出入模組係具有在將基板G搬出至較大氣壓而被控制為正壓的外部空間(例如載置器8)之際,會被控制為大氣壓環境來讓基板G通過之內部空間S。開口部42係設置於基板搬出入模組,且會連通內部空間S與外部空間。閘閥5係相對於開口部42來加以設置,且具有搬送空間。噴出部會從外部空間側朝開口部42的緣部噴出吹淨氣體。排氣口(641U等)係以不同於開口部42之路徑來將搬送空間排氣。
依據上述基板處理裝置1,係從較開口部42更為外部空間側來朝開口部42的緣部噴出吹淨氣體。又,係以不同於開口部42之路徑來將搬送空間排氣。藉此,便可抑制基板G的搬出時附著在基板G之處理氣體附著在開口部42的緣部所設置之構造物。於是,便可抑制開口部42所設置之構造物的劣化。
如參照圖11等所說明般地,排氣口可沿著開口部42的緣部422U及緣部422L而設置有複數個(排氣口641U~排氣口646U及排氣口641L~排氣口646L等)。藉此,便可容易對搬送空間整體進行排氣。
如參照圖11等所說明般地,排氣口可具有與開口部42的開口中心軸方向(Y軸方向)呈交叉之中心軸方向(例如Z軸方向的中心軸方向)。例如上述般地,便可將搬送空間排氣至與開口部42不同的方向。
如參照圖11及圖19等所說明般地,排氣口可包含有設置於搬送空間的下方之排氣口(排氣口641L等、排氣口646UA等)。藉由從下方來將搬送空間排氣,便可有效率地將較空氣更重之氣體排出。
如參照圖2、圖3、圖6及圖11等所說明般地,內部空間S係包含上側內部空間(內部空間SU)及下側內部空間(內部空間SL),搬送空間係包含連通於上側內部空間之上側搬送空間以及連通於下側內部空間之下側搬送空間,排氣口可設置於上側搬送空間及下側搬送空間之任一者(排氣口641U等及排氣口641L等)。藉此,便可將上側搬送空間及下側搬送空間之任一者加以排氣。
如參照圖10等所說明般地,噴出部可為噴淋板。藉此,便可容易調節例如吹淨氣體的噴出範圍。
如參照圖3、圖4、圖6及圖7等所說明般地,閘閥5係包含會沿著開口部42的緣部421U等而移動之閥體52U等,以及會引導閥體52U等的移動方向之導軌55,噴出部可朝導軌55來噴出吹淨氣體。基板處理裝置1可具備有使用可能會讓導軌55腐蝕的處理氣體(例如含有氯原子之處理氣體)來處理基板G之製程腔室2。藉此,便可抑制導軌55的腐蝕。
參照圖18所說明之基板搬送方法亦為本發明之一樣態。亦即,基板搬送方法係包含在基板處理裝置1中,從較開口部42更為外部空間側(載置器8側)來朝開口部42的緣部噴出吹淨氣體且以不同於開口部42之路徑來將搬送空間排氣之步驟S3。藉由此基板搬送方法亦可如以上所說明般地抑制開口部42所設置之構造物的劣化。
4:加載互鎖室
5:閘閥
6:加載互鎖面板
42、42U、42L:開口部
55、55U、55L:導軌
56:區隔壁
61、61U、61L:噴嘴
62、62U、62L:開口部
66:分隔壁
421U、421L、422U、422L:緣部
S、SU、SL:內部空間

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置,具備:
    基板搬出入模組,係具有在將基板搬出至較大氣壓而被控制為正壓的外部空間之際會被控制為大氣壓環境且能夠讓該基板通過之內部空間;
    開口部,係設置於該基板搬出入模組來連通該內部空間與該外部空間;
    閘閥,係相對於該開口部來加以設置且具有搬送空間;
    噴出部,係從該外部空間側朝該開口部的緣部噴出吹淨氣體;以及
    排氣口,係以不同於該開口部之路徑來將該搬送空間排氣。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,其中該排氣口係沿著該開口部的緣部而設置有複數個。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置,其中該排氣口係具有與該開口部的開口中心軸方向呈交叉之中心軸方向。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置,其中該排氣口係包含設置於該搬送空間的下方之排氣口。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板處理裝置,其中該內部空間係包含上側內部空間及下側內部空間;
    該搬送空間係包含連通於該上側內部空間之上側搬送空間及連通於該下側內部空間之下側搬送空間;
    該排氣口係設置於該上側搬送空間及該下側搬送空間之任一者。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理裝置,其中該噴出部為噴淋板。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之基板處理裝置,其中該基板搬出入模組係構成為可連結於具有該外部空間的載置器之加載互鎖室。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之基板處理裝置,其中該閘閥係包含會沿著該開口部的緣部當中延伸於第1方向的第1緣部移動之閥體,以及會引導該閥體的移動方向之導軌;
    該噴出部會朝該導軌噴出該吹淨氣體。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置,其係具備有使用可能會讓該導軌腐蝕的處理氣體來處理該基板之製程腔室。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置,其中該處理氣體係包含氯原子。
  11. 一種基板搬送方法,係在基板處理裝置中包含以下步驟:
    從較開口部要靠外部空間側來朝開口部的緣部噴出吹淨氣體,且以不同於開口部之路徑來將搬送空間排氣;
    該基板處理裝置係具備:
    基板搬出入模組,具有在將基板搬出至較大氣壓而被控制為正壓的該外部空間之際會被控制為大氣壓環境且能夠讓該基板通過的內部空間;
    該開口部,係設置於該基板搬出入模組來連通該內部空間與該外部空間;以及
    閘閥,相對於該開口部來加以設置且具有該搬送空間。
TW110129435A 2020-08-19 2021-08-10 基板處理裝置及基板搬送方法 TW202226428A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020138838A JP7458267B2 (ja) 2020-08-19 2020-08-19 基板処理装置及び基板搬送方法
JP2020-138838 2020-08-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202226428A true TW202226428A (zh) 2022-07-01

Family

ID=80283204

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110129435A TW202226428A (zh) 2020-08-19 2021-08-10 基板處理裝置及基板搬送方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7458267B2 (zh)
KR (1) KR102580036B1 (zh)
CN (1) CN114078729A (zh)
TW (1) TW202226428A (zh)

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003100838A (ja) 2001-09-25 2003-04-04 Sony Corp 基板処理装置および基板処理方法
JP2003109994A (ja) 2001-09-26 2003-04-11 Applied Materials Inc 基板処理装置
KR20070049693A (ko) * 2005-11-09 2007-05-14 삼성전자주식회사 기판 가공 장치
JP5037058B2 (ja) 2006-08-01 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 中間搬送室、基板処理システム、及び当該中間搬送室の排気方法
US8113757B2 (en) 2006-08-01 2012-02-14 Tokyo Electron Limited Intermediate transfer chamber, substrate processing system, and exhaust method for the intermediate transfer chamber
JP4954728B2 (ja) * 2007-01-26 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 ゲートバルブの洗浄方法及び基板処理システム
JP4985031B2 (ja) * 2007-03-29 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置、真空処理装置の運転方法及び記憶媒体
JP4959457B2 (ja) 2007-07-26 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 基板搬送モジュール及び基板処理システム
US20100236478A1 (en) 2007-09-03 2010-09-23 Tokyo Electron Limited Vacuum processing system
JP5005512B2 (ja) 2007-11-07 2012-08-22 東京エレクトロン株式会社 ゲートバルブ装置および真空処理装置およびゲートバルブ装置における弁体の開放方法。
US8011381B2 (en) 2008-10-02 2011-09-06 Applied Material, Inc. Balanced purge slit valve
JP2011054928A (ja) 2009-08-04 2011-03-17 Tokyo Electron Ltd ゲートバルブ及びそれを用いた基板処理システム
JP2011061149A (ja) 2009-09-14 2011-03-24 Tokyo Electron Ltd 共通搬送装置及びこれを用いた処理システム
KR20150090943A (ko) * 2014-01-29 2015-08-07 세메스 주식회사 기판처리장치 및 방법
JP7105629B2 (ja) 2018-06-20 2022-07-25 東京エレクトロン株式会社 自動教示方法及び制御装置
US11282728B2 (en) 2018-06-29 2022-03-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Contamination control in semiconductor manufacturing systems

Also Published As

Publication number Publication date
CN114078729A (zh) 2022-02-22
JP7458267B2 (ja) 2024-03-29
KR102580036B1 (ko) 2023-09-18
KR20220022866A (ko) 2022-02-28
JP2022034907A (ja) 2022-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110809820B (zh) 侧储存舱、设备前端模块及用于处理基板的方法
JP4571525B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP4251580B1 (ja) 被収容物搬送システム
KR101220790B1 (ko) 진공 처리 장치, 진공 처리 장치의 운전 방법 및 기억 매체
JP4272230B2 (ja) 減圧乾燥装置
WO2015166710A1 (ja) パージ装置及びパージ方法
JP5208948B2 (ja) 真空処理システム
WO1999054927A1 (fr) Dispositif de stockage de materiau non traite et etage d'entree/sortie
KR20190122161A (ko) 배기 노즐 유닛, 로드 포트 및 efem
JP6120621B2 (ja) 真空処理装置及びその運転方法
JP2007165644A (ja) 真空処理装置及び帯状気流形成装置
TW201347067A (zh) 加載互鎖裝置
TWI681491B (zh) 基板處理裝置
TW202226428A (zh) 基板處理裝置及基板搬送方法
KR101962752B1 (ko) 양방향 배기구조 사이드 스토리지
KR102100032B1 (ko) 게이트 밸브 장치 및 기판 처리 시스템
JP2009218505A (ja) アンロードチャンバ及びその運転方法
KR102517603B1 (ko) 기판 반송 방법 및 기판 처리 장치
JP2023031991A (ja) Efem、不活性ガス供給制御方法
KR20220080941A (ko) 기판 처리 장치
WO2014041656A1 (ja) 真空処理装置
JP2009212174A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体
KR20080086041A (ko) 기판 처리 장치
JPH0684737A (ja) クリーンエア装置
JP2011056425A (ja) 減圧乾燥装置