TW202225215A - 光學薄膜製造用薄膜、光學薄膜之製造方法及光學薄膜 - Google Patents

Abstract

本發明提供：一種光學薄膜製造用薄膜，其在製造收縮應力為相同程度的光學薄膜時，可抑制延伸溫度的高溫化，且可得到光學性能優異的光學薄膜；一種使用此種光學薄膜製造用薄膜的光學薄膜之製造方法及一種光學薄膜。本發明係一種光學薄膜製造用薄膜，其包含聚乙烯醇，該聚乙烯醇具有含有矽之基及伸乙基單元，該含有矽之基係矽醇基或在水的存在下可轉化成矽醇基之基，相對於該聚乙烯醇中之全部結構單元，該含有矽之基的含量為0.01莫耳%以上1.0莫耳%以下，該伸乙基單元的含量為0.5莫耳%以上10莫耳%以下。

Description

光學薄膜製造用薄膜、光學薄膜之製造方法及光學薄膜

本發明係關於光學薄膜製造用薄膜、光學薄膜之製造方法、及光學薄膜。

具有光之透射及遮蔽功能的偏光板，係與使光之偏光狀態改變的液晶同為液晶顯示器(LCD)的基本構成要素。許多偏光板具有三乙酸纖維素(TAC)薄膜等保護薄膜貼合在偏光薄膜之表面的結構。就偏光薄膜而言，於將聚乙烯醇薄膜(以下，有將「聚乙烯醇」簡稱為「PVA」)單軸延伸而成的基材(延伸薄膜)上，吸附有以碘系色素(I ₃ ^-、I ₅ ^-等)或稱為二色性有機染料之二色性色素者成為主流。

LCD可使用於電子計算機及手錶等小型機器、智慧手機、筆記型電腦、液晶顯示器、液晶彩色投影機、液晶電視、行車用導航系統、行動電話、在屋內外使用的計測機器等廣泛範圍。隨著近年LCD的高性能化，而對於作為LCD的構成要素的偏光板亦被要求高性能化。具體而言，需要一種偏光板，其具有更優異的光學性能，且即使在高溫下尺寸安定性亦是優異。因此，用於偏光板的偏光膜需要具有更優異的光學性能(偏光性能)，且較小的高溫下收縮應力。

然而，在偏光膜中，在提高光學性能(偏光性能)的同時降低高溫下的收縮應力並不容易。一般而言，此係因偏光膜的偏光性能與收縮應力之間存在折衷關係。亦即，如欲提高偏光膜的偏光性能，則收縮應力會變大，如欲減小收縮應力，則偏光性能會降低。

專利文獻1揭示一種使用具有至少2500的聚合度之PVA的偏光薄膜，作為改善光學性能及耐濕熱性等之偏光薄膜。在該專利文獻1中，係使用於以二甲基亞碸為主成分之溶劑中溶解聚合度為4980等的高聚合度之PVA而成的PVA製膜溶液，而進行製膜。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 特開平1-105204號公報

[發明欲解決之課題]

於工業上PVA薄膜之製造，一般係考慮環境面、經濟性等，使用以水作為溶劑的PVA水溶液作為製膜溶液。然而，如專利文獻1般使用聚合度高的PVA的情況下，由於PVA水溶液的黏度上升，所以PVA薄膜的製膜性惡化，而在工業生產上不佳。因此，期望藉由提高PVA聚合度的方法以外的方法來提高光學薄膜的光學性能之方法。又，在光學薄膜的製造條件(延伸條件)相同的情況下，由具有高聚合度的PVA之PVA薄膜所得到之光學薄膜，相較於具有低聚合度的PVA之PVA薄膜，具有較高的收縮應力。因此，在使用具有高聚合度的PVA之PVA薄膜的情況下，為了得到光學性能優異，且收縮應力小的光學薄膜，在製造光學薄膜時的延伸溫度有高溫化的需要，而在工業生產上不佳。因此，期望即使在使用具有高聚合度的PVA之PVA薄膜的情況下，也可不使在製造光學薄膜時的延伸溫度高溫化，而得到光學性能優異的光學薄膜的手法。

本發明者等發現，使用包含具有含有矽之基的PVA之PVA薄膜時，可在抑制PVA水溶液的黏度上升的同時，大幅提昇所得到之光學薄膜的光學性能。然而，即使使用包含具有含有矽之基的PVA之PVA薄膜的情況下，在製造光學薄膜時的延伸溫度仍有高溫化的需要。

本發明係基於如以上之情況而完成者，其目的為提供：一種光學薄膜製造用薄膜，其在製造收縮應力為相同程度的光學薄膜時，可抑制延伸溫度的高溫化，且可得到光學性能優異的光學薄膜；一種使用此種光學薄膜製造用薄膜的光學薄膜之製造方法及一種光學薄膜。 [用以解決課題之手段]

前述目的藉由提供下述中之任一者而達成： [1]一種光學薄膜製造用薄膜，其包含PVA，該PVA具有含有矽之基及伸乙基單元，前述含有矽之基係矽醇基或在水的存在下可轉化成矽醇基之基，相對於前述PVA中全部結構單元，前述含有矽之基的含量為0.01莫耳%以上1.0莫耳%以下，前述伸乙基單元的含量為0.5莫耳%以上10莫耳%以下； [2]如[1]之光學薄膜製造用薄膜，其中前述PVA的黏度平均聚合度為1,000以上6,000以下，皂化度為98.7莫耳%以上； [3]如[2]之光學薄膜製造用薄膜，其中前述黏度平均聚合度與前述含有矽之基的含量之積為100莫耳%以上2,000莫耳%以下； [4]如[1]～[3]中任一項之光學薄膜製造用薄膜，其平均厚度為1μm以上75μm以下； [5]如[1]～[4]中任一項之光學薄膜製造用薄膜，其膨潤度為140%以上400%以下； [6]如[1]～[5]中任一項之光學薄膜製造用薄膜，其中前述光學薄膜為偏光薄膜； [7]如[1]～[6]中任一項之光學薄膜製造用薄膜，其係非延伸薄膜； [8]一種光學薄膜之製造方法，其具備將如[1]～[7]中之任一項之光學薄膜製造用薄膜進行單軸延伸之步驟； [9]如[8]之光學薄膜之製造方法，前述光學薄膜係偏光薄膜； [10]一種光學薄膜，其包含PVA，該PVA具有含有矽之基及伸乙基單元，前述含有矽之基係矽醇基或在水的存在下可轉化成矽醇基之基，相對於前述PVA中全部結構單元，前述含有矽之基的含量為0.01莫耳%以上1.0莫耳%以下，前述伸乙基單元的含量為0.5莫耳%以上10莫耳%以下； [11]如[10]之光學薄膜，其收縮應力為100N/m ²以下； [12]如[10]或[11]之光學薄膜，其係偏光薄膜；及 [13]如[10]～[12]中任一項之光學薄膜，其係單層薄膜。 [發明之效果]

根據本發明，可提供：一種光學薄膜製造用薄膜，其在製造收縮應力為相同程度的光學薄膜時，可抑制延伸溫度的高溫化，且可得到光學性能優異的光學薄膜；一種使用此種光學薄膜製造用薄膜的光學薄膜之製造方法及一種光學薄膜。換言之，根據本發明之光學薄膜製造用薄膜及光學薄膜之製造方法，在提高所得到之光學薄膜的光學性能的同時，亦可抑制收縮應力的增大及延伸溫度的高溫化。

[用以實施發明的形態]

＜光學薄膜製造用薄膜＞ 本發明之光學薄膜製造用薄膜包含聚乙烯醇，其係具有含有矽之基及伸乙基單元之聚乙烯醇(以下，有時稱為「改質PVA」)。

(改質PVA) 改質PVA係具有乙烯醇單元(-CH ₂-CH(OH)-)作為結構單元之聚合物，且其具有含有矽之基及伸乙基單元。改質PVA亦可進一步具有乙酸乙烯酯單元等乙烯酯單元或其他結構單元。

改質PVA的黏度平均聚合度的下限較佳為1,000，更佳為2,000，進一步較佳為2,500。改質PVA的黏度平均聚合度為前述下限以上，藉此本發明之光學薄膜製造用薄膜變得延伸加工性優異，而可得到光學性能更高，且具有良好的耐濕熱性之光學薄膜。另一方面，前述黏度平均聚合度的上限較佳為6,000，更佳為5,000，進一步較佳為4,000。改質PVA的黏度平均聚合度為前述上限以下，藉此發揮良好的水溶性，並可抑制水溶液的黏度之上升。又，改質PVA的黏度平均聚合度為前述上限以下，藉此可更加抑制延伸溫度的高溫化。因此，改質PVA的黏度平均聚合度為前述上限以下，藉此可發揮良好的製膜性，而提高本發明之光學薄膜製造用薄膜的生產性。此外，在改質PVA的黏度平均聚合度為前述上限以下的情況下，變得容易從本發明之光學薄膜製造用薄膜得到收縮應力的增大受到抑制之光學薄膜。

黏度平均聚合度意指依照JIS K6726-1994之記載而測定的平均聚合度。亦即，在本說明書中，黏度平均聚合度，係將PVA之殘存乙烯酯基再皂化，純化後，於30℃之水中測定極限黏度[η](單位：分升(deciliter)/g)，從該極限黏度根據下式求得。 黏度平均聚合度Po＝([η]×10 ⁴/8.29) ^(1/0.62)

改質PVA之皂化度的下限較佳為98.7莫耳%，更佳為99.0莫耳%，進一步較佳為99.5莫耳%，更進一步較佳為99.8莫耳%，特佳為99.9莫耳%。皂化度為前述下限以上，藉此可得到光學性能及耐濕熱性等更優異的光學薄膜。另一方面，皂化度的上限並無特別限制，然而從改質PVA之生產性的觀點來看，較佳為99.99莫耳%以下。

PVA之皂化度，係意指PVA所具有之乙烯醇單元的莫耳數相對於可藉由皂化而變換成乙烯醇單元之結構單元(典型而言為乙烯酯單元)與乙烯醇單元的合計莫耳數之比率(莫耳%)。PVA之皂化度可依照JIS K6726-1994之記載而測定。

改質PVA具有含有矽之基。此含有矽之基係矽醇基或在水的存在下可轉化成矽醇基之基。矽醇基係指具有矽原子、及與該矽原子鍵結之至少1個羥基的基。矽醇基所具有的羥基之數目通常為1～3之任一者，較佳為3。矽醇基所具有的羥基，亦可以鹽(例如：-ONa、-OK等)之狀態存在。

在水存在下可轉化成矽醇基之基，意指於水中將PVA在反應時間2小時、反應溫度150℃之條件下加熱的情況下，可轉化成矽醇基之基。此朝向矽醇基的轉化亦可藉由水解而產生。作為在水存在下可轉化成矽醇基之基，可列舉至少1個烷氧基或醯氧基與矽原子鍵結的基等，具體而言，可列舉三甲氧基矽基、三乙氧基矽基、三異丙氧基矽基、二甲氧基甲基矽基、二乙氧基甲基矽基、甲氧基二甲基矽基、乙氧基二甲基矽基、三乙醯氧基矽基等。

作為含有矽之基，即矽醇基或在水存在下可轉化成矽醇基之基，可列舉下述式(1)～(3)中任一者所表示之基。此等之中，較佳為下述式(1)所表示之基。

式(1)～(3)中，R ¹係各自獨立，為氫原子、經取代或者未經取代之碳數1～20的烴基、或經取代或未經取代之碳數1～20的醯基。R ²係各自獨立，經取代或未經取代之碳數1～20的烴基。

作為R ¹及R ²所表示之碳數1～20之烴基，可列舉脂肪族烴基、脂環式烴基(環己基等)、芳香族烴基(苯基等)等，較佳為脂肪族烴基。作為脂肪族烴基，可列舉甲基、乙基、丙基等烷基、乙烯基等烯基、乙炔基等炔基等，較佳為烷基。就R ¹及R ²所表示之烴基的碳數而言，較佳為1～6，更佳為1～3。R ¹及R ²表示之烴基所具有的氫原子之至少一部分亦可經鹵素原子、羧基、烷氧基(甲氧基、乙氧基等)等取代。

作為R ¹所表示之碳數1～20之醯基，可列舉羰基(-CO-)與氫原子或碳數1～19之烴基鍵結而成的基。就碳數1～19之烴基而言，較佳為脂肪族烴基，更佳為烷基。作為醯基，具體而言，可列舉甲醯基、乙醯基、丙醯基、苄醯基等。就R ¹所表示之醯基之碳數而言，較佳為1～6，更佳為1～3。R ¹表示的醯基所具有的氫原子之至少一部分亦可經鹵素原子、羧基、烷氧基(甲氧基等)等取代。

在前述式(1)～(3)中任一者所表示之基中，R ¹之至少一個為氫原子的情況下，該基為矽醇基。又，在前述式(1)～(3)中任一者所表示之基中，全部R ¹均非氫原子的情況下，該基為在水存在下可轉化成矽醇基之基。就R ¹而言，較佳為氫原子、或經取代或未經取代之碳數1～20之烴基。

從所得到的光學薄膜之光學性能的觀點等來看，較佳為含有矽之基係以藉由矽-碳鍵結而與聚合物主鏈中之碳原子直接鍵結。

相對於改質PVA中之全部結構單元的含有矽之基的含量為0.01莫耳%以上1.0莫耳%以下。如此，藉由使用具有所定量的含有矽之基的改質PVA，提升所得到之光學薄膜的光學性能。改質PVA的含有矽之基的含量的下限為0.01莫耳%，亦有較佳為0.05莫耳%，更佳為0.1莫耳%，進一步較佳為0.15莫耳%的情況。藉由將含有矽之基的含量設為前述下限以上，可充分提高光學薄膜的光學性能。另一方面，相對於改質PVA中之全部結構單元的含有矽之基的含量的上限為1.0莫耳%，較佳為0.8莫耳%，更佳為0.6莫耳%，進一步較佳為0.4莫耳%。藉由將含有矽之基的含量設為前述上限以下，改質PVA的水溶性及水溶液的黏度安定性變得良好，而可提高薄膜生產性(製膜性)。又，藉由將含有矽之基的含量設為前述上限以下，亦可抑制延伸溫度的高溫化等。

在改質PVA中，含有矽之基的含量(莫耳%)係例如可從皂化前之乙烯酯聚合物的質子NMR求得。其中，測定皂化前之乙烯酯聚合物的質子NMR時，係將乙烯酯聚合物藉由己烷-丙酮再沉澱純化，而從聚合物中完全除去未反應之單體，繼而於90℃進行2日減壓乾燥後，溶解於CDCl ₃溶劑中而供分析使用。

改質PVA的黏度平均聚合度與含有矽之基的含量之積的下限，亦有較佳為100莫耳%，更佳為200莫耳%，進一步較佳為300莫耳%，更進一步較佳為400莫耳%的情況。前述積為前述下限以上，藉此所得到之光學薄膜的光學性能變得更優異。另一方面，前述積的上限較佳為2,000莫耳%，更佳為1,500莫耳%，進一步較佳為1,200莫耳%，特佳為800莫耳%。前述積為前述上限以下，藉此更提高改質PVA的水溶性，延伸溫度的高溫化亦更受到抑制，故可更提高該光學薄膜製造用薄膜的生產性等。

改質PVA較佳為包含具有含有矽之基的結構單元。作為具有含有矽之基的結構單元，可列舉下述式(4)所表示之結構單元。

式(4)中，R ³為氫原子或甲基。R ⁴為單鍵或2價之連結基。R ⁵為含有矽之基。

就R ³而言，較佳為氫原子。

作為R ⁴所表示之2價的連結基，可列舉以-(CH ₂) _n-(n為1～5之整數。)或-CONR ⁶-R ⁷-(R ⁶為氫原子或碳數1～5之烷基。R ⁷為前述-(CH ₂) _n-所表示之基、或包含氧原子及氮原子之至少一者的2價烴基。)所表示之基。

作為包含氧原子及氮原子之至少一者的2價烴基，可列舉-CH ₂CH ₂NHCH ₂CH ₂CH ₂-、-CH ₂CH ₂NHCH ₂CH ₂-、 -CH ₂CH ₂NHCH ₂-、-CH ₂CH ₂N(CH ₃)CH ₂CH ₂-、-CH ₂CH ₂N(CH ₃)CH ₂- 、-CH ₂CH ₂OCH ₂CH ₂CH ₂-、-CH ₂CH ₂OCH ₂CH ₂-、-CH ₂CH ₂OCH ₂- 等。就包含氧原子及氮原子之至少一者的2價烴基之碳數而言，例如可為2以上6以下。

R ⁴較佳為單鍵。

就R ⁵所表示之含有矽之基之具體例而言，如上所述，可列舉前述式(1)～(3)中任一者所表示之基，較佳為以前述式(1)所表示之基。

具有含有矽之基的結構單元中所含的含有矽之基的數量並無特別限定，亦可為1。相對於改質PVA中之全部結構單元的具有含有矽之基的結構單元的含量範圍，可為上述之含有矽之基的含量範圍。又，改質PVA之黏度平均聚合度與具有含有矽之基的結構單元的含量之積的範圍，可為上述之黏度平均聚合度與含有矽之基的含量之積的範圍。

改質PVA進一步具有伸乙基單元(-CH ₂-CH ₂-)。相對於改質PVA中之全部結構單元之伸乙基單元的含量為0.5莫耳%以上10莫耳%以下。如此，藉由使用具有所定量的伸乙基單元的改質PVA，在抑制延伸溫度的高溫化的同時可得到光學性能優異的光學薄膜。伸乙基單元的含量的下限較佳為1.0莫耳%，更佳為2.0莫耳%。藉由將伸乙基單元的含量設為前述下限以上，更可抑制延伸溫度的高溫化。另一方面，伸乙基單元的含量的上限較佳為6莫耳%，更佳為5莫耳，進一步較佳為4.5莫耳%。藉由將伸乙基單元的含量設為前述上限以下，可提高改質PVA的水溶性等。

改質PVA中之伸乙基單元的含量係例如可使用質子NMR求得，例如與上述之含有矽之基的含量同樣地藉由以質子NMR測定為改質PVA之前驅物的改質乙烯酯系聚合物，而可求得改質PVA之伸乙基單元含量。

改質PVA亦可具有乙烯醇單元、乙烯酯單元、具有含有矽之基的結構單元及伸乙基單元以外的其他結構單元。但是，相對於改質PVA的全部結構單元之前述其他結構單元的含量亦有較佳為15莫耳%以下，更佳為5莫耳%以下，進一步較佳為1莫耳%以下，更進一步較佳為0.1莫耳%以下的情況。藉由改質PVA實質上由乙烯醇單元、乙烯酯單元、具有含有矽之基的結構單元及具有伸乙基單元之結構單元構成，而有可更充分地發揮本發明之效果之情形。

該光學薄膜製造用薄膜，可單獨地含有1種改質PVA，亦可含有聚合度、皂化度、含有矽之基的含量及伸乙基單元含量等彼此相異的2種以上之改質PVA。

該光學薄膜製造用薄膜中的改質PVA之含量的下限並無特別限定，但較佳為50質量%，更佳為80質量%，進一步較佳為85質量%。可藉由將改質PVA之含量調至前述下限以上，而更加提高本發明之效果。另一方面，該含量的上限並無特別限定，可為100質量%，較佳為99質量%，更佳為95質量%。此外，光學薄膜製造用薄膜中各成分的含量(質量%)，係以乾燥狀態，即除了水以外的全部成分之合計含量作為基準之值。

(改質PVA之製造方法) 改質PVA之製造方法並無特別限定。例如，可藉由使乙烯酯單體、具有含有矽之基的單體、及乙烯共聚合，並將所得到之乙烯酯聚合物皂化而製造。

作為乙烯酯單體，可列舉例如：甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、纈草酸乙烯酯、羊蠟酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯、硬脂酸乙烯酯、安息香酸乙烯酯、三甲基乙酸乙烯酯、三級碳酸乙烯酯(vinyl versatate)等。此等之中，以乙酸乙烯酯為較佳。

作為具有含有矽之基的單體，可列舉乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基甲基二甲氧基矽烷、乙烯基二甲基甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基甲基二乙氧基矽烷、乙烯基二甲基乙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基甲基二甲氧基矽烷、烯丙基二甲基甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、烯丙基甲基二乙氧基矽烷、烯丙基二甲基乙氧基矽烷、乙烯基參(β-甲氧基乙氧基)矽烷、乙烯基異丁基二甲氧基矽烷、乙烯基乙基二甲氧基矽烷、乙烯基甲氧基二丁氧基矽烷、乙烯基二甲氧基丁氧基矽烷、乙烯基三丁氧基矽烷、乙烯基甲氧基二己氧基矽烷、乙烯基二甲氧基己氧基矽烷、乙烯基三己氧基矽烷、乙烯基甲氧基二辛氧基矽烷、乙烯基二甲氧基辛氧基矽烷、乙烯基三辛氧基矽烷、乙烯基甲氧基二月桂氧基矽烷、乙烯基二甲氧基月桂氧基矽烷、乙烯基甲氧基二油氧基矽烷、乙烯基二甲氧基油氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯胺-丙基三甲氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯胺-丙基三乙氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯胺-丙基三(β-甲氧基乙氧基)矽烷、2-(甲基)丙烯醯胺-乙基三甲氧基矽烷、1-(甲基)丙烯醯胺-甲基三甲氧基矽烷、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙基三甲氧基矽烷、2-(甲基)丙烯醯胺-異丙基三甲氧基矽烷、N-(2-(甲基)丙烯醯胺-乙基)-胺基丙基三甲氧基矽烷、(3-(甲基)丙烯醯胺-丙基)-氧基丙基三甲氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯胺-丙基三乙醯氧基矽烷、2-(甲基)丙烯醯胺-乙基三乙醯氧基矽烷、4-(甲基)丙烯醯胺-丁基三乙醯氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯胺-丙基三丙醯基氧基矽烷、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙基三乙醯氧基矽烷、N-(2-(甲基)丙烯醯胺-乙基)-胺基丙基三乙醯氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯胺-丙基異丁基二甲氧基矽烷、2-(甲基)丙烯醯胺-乙基二甲基甲氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯胺-丙基甲基二乙醯氧基矽烷、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙基氫二甲氧基矽烷、3-(N-甲基-(甲基)丙烯醯胺)-丙基三甲氧基矽烷、2-(N-乙基-(甲基)丙烯醯胺)-乙基三乙醯氧基矽烷等。

作為使乙烯酯單體、具有含有矽之基的單體、及乙烯共聚合的方法，並無特別限定，可列舉總體聚合法、溶液聚合法、懸浮聚合法、乳化聚合法等周知之方法。此等方法之中，較佳為在無溶劑中進行的總體聚合法、及使用醇等溶劑進行的溶液聚合法。作為於溶液聚合時作為溶劑使用的溶劑，可列舉乙酸甲酯、乙酸乙酯等酯；苯、甲苯等芳香族烴；甲醇、乙醇等低級醇等。

作為使用於共聚合反應的起始劑，可適宜選擇先前周知之偶氮系起始劑、過氧化物系起始劑、氧化還原系起始劑等。作為偶氮系起始劑，可列舉2,2’-偶氮雙異丁腈、2,2’-偶氮雙(2,4-二甲基纈草腈)、2,2’-偶氮雙(4-甲氧基-2,4-二甲基纈草腈)等。作為過氧化物系起始劑，可列舉過氧二碳酸二正丙酯、過氧二碳酸二異丙酯、過氧二碳酸二-2-乙基己酯、過氧二碳酸二乙氧基乙酯等過碳酸酯化合物；過氧新癸酸三級丁酯、過氧新癸酸α-

酯等之過酯化合物；乙醯環己過磺酸(acetyl cyclohexane sulfonyl peroxide)、過氧化二異丁醯(diisobutyryl peroxide)；2,4,4-三甲基戊基-2-過氧苯氧基乙酸酯等。再者，亦可將例示之前述過氧化物系起始劑與過硫酸鉀、過硫酸銨、過氧化氫等組合，作為起始劑。作為氧化還原系起始劑，可列舉將前述之過氧化物與亞硫酸氫鈉、碳酸氫鈉、酒石酸、L-抗壞血酸、雕白粉(Rongalite)等還原劑組合者。

關於進行共聚合反應時之聚合溫度，並無特別限制，但較佳為0℃以上180℃以下，更佳為20℃以上160℃以下，進一步較佳為30℃以上150℃以下。

就乙烯酯聚合物之製造方法而言，較佳為在乙烯酯單體及具有含有矽之基的單體的共存下，一邊加壓乙烯一邊進行共聚合。此時的聚合反應器內的乙烯壓力並沒有特別限定，但亦有較佳為0.01～2.0MPa，更佳為0.05～1.0MPa，進一步較佳為0.1～0.65MPa的情況。聚合反應器的出口之乙烯酯系單體的聚合率並沒有特別限定，但亦有較佳為5～90%，更佳為15～85%的情況。

在使乙烯酯單體、具有含有矽之基的單體、及乙烯共聚合時，只要在無損本發明之效果的範圍，則可視需要而與可共聚合之其他單體共聚合。作為該其他單體，可列舉例如：丙烯、1-丁烯、異丁烯等碳數3～30之烯烴；丙烯酸或其鹽；丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸三級丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸十二酯、丙烯酸十八酯等丙烯酸酯；甲基丙烯酸或其鹽；甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丙酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸三級丁酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸十二酯、甲基丙烯酸十八酯等甲基丙烯酸酯；丙烯醯胺、N-甲基丙烯醯胺、N-乙基丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺、二丙酮丙烯醯胺、丙烯醯胺丙磺酸或其鹽、丙烯醯胺丙基二甲基胺或其鹽、N-羥甲基丙烯醯胺或其衍生物等丙烯醯胺衍生物；甲基丙烯醯胺、N-甲基甲基丙烯醯胺、N-乙基甲基丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺丙磺酸或其鹽、甲基丙烯醯胺丙基二甲基胺或其鹽、N-羥甲基甲基丙烯醯胺或其衍生物等甲基丙烯醯胺衍生物；N-乙烯基甲醯胺、N-乙烯基乙醯胺、N-乙烯基吡咯啶酮等N-乙烯基醯胺；甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚、正丙基乙烯基醚、異丙基乙烯基醚、正丁基乙烯基醚、異丁基乙烯基醚、三級丁基乙烯基醚、十二基乙烯基醚、硬脂基乙烯基醚等乙烯基醚；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰化乙烯基；氯乙烯、偏二氯乙烯、氟乙烯、偏二氟乙烯等鹵素化乙烯基；乙酸烯丙酯、氯化烯丙基等烯丙基化合物；馬來酸或其鹽、酯或酸酐；衣康酸或其鹽、酯或酸酐；乙酸異丙烯酯等。乙烯酯聚合物可具有源自上述其他單體之中1種或2種以上的結構單元。

乙烯酯聚合物中源自前述其他單體(乙烯酯單體、具有含有矽之基的單體及乙烯以外的單體)之結構單元所佔的比率，只要不妨礙本發明之效果，則不一定會予以限制，但亦有以下之情形：以構成乙烯酯聚合物之全部結構單元的莫耳數為基準，較佳為15莫耳%以下，更佳為5莫耳%以下，進一步較佳為1莫耳%以下，更進一步較佳為0.1莫耳%以下。

乙烯酯聚合物接著依照周知之方法，於溶劑中皂化，衍生成改質PVA。就用於皂化反應之溶劑而言，較佳為醇。作為醇，可列舉甲醇、乙醇等低級醇，特別適合使用甲醇。於皂化反應所使用的溶劑中，除醇之外，亦可進一步含有丙酮、乙酸甲酯、乙酸乙酯等酯、甲苯等有機溶劑。作為使用於皂化反應之觸媒，可列舉例如：氫氧化鉀、氫氧化鈉等鹼金屬氫氧化物、甲醇鈉(sodium methylate)等鹼觸媒、礦酸等酸觸媒等。就皂化反應之溫度而言，可設為例如20℃以上60℃以下。在伴隨皂化反應之進行而有凝膠狀生成物析出的情況下，可藉由在該時點將生成物粉碎、洗淨後，乾燥，而得到改質PVA。

(可塑劑) 本發明之光學薄膜製造用薄膜，較佳為包含可塑劑。光學薄膜製造用薄膜可藉由包含可塑劑，而提高延伸性等。就可塑劑而言，較佳為多元醇。作為多元醇，可列舉乙二醇、甘油、丙二醇、二乙二醇、二甘油、三乙二醇、四乙二醇、三羥甲基丙烷等。此等之中，從延伸性之提高效果的點來看，較佳為甘油。可塑劑可使用1種或2種以上。

就本發明之光學薄膜製造用薄膜中的可塑劑之含量的下限而言，相對於100質量份之改質PVA，較佳為1質量份，更佳為3質量份，進一步較佳為5質量份。可塑劑之含量為前述下限以上，藉此可提高薄膜之延伸性，且更提高所得到的光學薄膜之光學性能等。另一方面，就該可塑劑之含量的上限而言，相對於100質量份之改質PVA，較佳為20質量份，更佳為17質量份，進一步較佳為15質量份。可塑劑之含量為前述上限以下，藉此可抑制因薄膜變得過於柔軟而使操作性降低等。

(界面活性劑) 該光學薄膜製造用薄膜較佳為包含界面活性劑。藉由使用包含界面活性劑之製膜原液進行製膜，而製膜性會提高而薄膜之厚度不均的產生受到抑制，並且薄膜從製膜所用之金屬輥、輸送帶的剝離變得容易。從包含界面活性劑之製膜原液製造光學薄膜製造用薄膜的情況下，在所得到之薄膜中，可含有界面活性劑。

界面活性劑之種類並無特別限定，然而從對金屬輥、輸送帶之剝離性的觀點等來看，較佳為陰離子性界面活性劑及非離子性界面活性劑。

作為陰離子性界面活性劑，可列舉例如：月桂酸鉀等羧酸型；聚氧伸乙基月桂基醚硫酸鹽、硫酸辛酯等硫酸酯型；十二基苯磺酸鹽等磺酸型等。

就非離子性界面活性劑而言，可列舉例如聚氧伸乙基油基醚等烷基醚型；聚氧伸乙基辛基苯基醚等烷基苯基醚型；聚氧伸乙基月桂酸酯等烷基酯型；聚氧伸乙基月桂基胺基醚等烷基胺型；聚氧伸乙基月桂醯胺等烷基醯胺型；聚氧伸乙基聚氧伸丙基醚等聚丙二醇醚型；月桂酸二乙醇醯胺、油酸二乙醇醯胺等烷醇醯胺型；聚氧伸烷基烯丙基苯基醚等烯丙基苯基醚型等。

界面活性劑可單獨使用1種，或將2種以上組合而使用。

在該光學薄膜製造用薄膜包含界面活性劑的情況下，相對於100質量份之改質PVA，其含量的下限較佳為0.01質量份，更佳為0.02質量份，進一步較佳為0.05質量份。藉由將界面活性劑的含量設為前述下限以上，而更加提升製膜性及剝離性。另一方面，相對於100質量份之改質PVA，該含量的上限較佳為0.5質量份，更佳為0.3質量份，進一步較佳為0.1質量份。可藉由將界面活性劑之含量設為前述上限以下，而抑制因界面活性劑滲出至薄膜表面而產生黏結(blocking)使操作性降低。

(其他添加劑等) 本發明之光學薄膜製造用薄膜中，可進一步視需要適宜地含有充填劑、銅化合物等之加工安定劑、耐候性安定劑、著色劑、紫外線吸收劑、光安定劑、抗氧化劑、抗靜電劑、難燃劑、其他熱可塑性樹脂、潤滑劑、香料、消泡劑、消臭劑、增量劑、剝離劑、脫模劑、補強劑、交聯劑、防黴劑、防腐劑、結晶化速度延遲劑等添加劑。

本發明之光學薄膜製造用薄膜，亦可含有上述之改質PVA以外的PVA。本發明之光學薄膜製造用薄膜中，包含改質PVA的全部PVA、可塑劑及界面活性劑之合計含量，亦有較佳為80質量%以上，更佳為90質量%以上，進一步較佳為95質量%以上，更進一步較佳為99質量%以上之情況。本發明之光學薄膜製造用薄膜藉由實質上由PVA、可塑劑及界面活性劑所構成，而可更充分地發揮本發明之效果。

相對於本發明之光學薄膜製造用薄膜中所含之全部的PVA而言之上述改質PVA的含量，較佳為50質量%以上，更佳為80質量%以上，更佳為90質量%以上，進一步較佳為95質量%以上、更進一步較佳為99質量%以上。本發明之光學薄膜製造用薄膜中，主要使用改質PVA作為PVA，藉此更可充分發揮本發明之效果。

本發明之光學薄膜製造用薄膜中，改質PVA、可塑劑及界面活性劑之合計含量，亦有較佳為80質量%以上，更佳為90質量%以上，進一步較佳為95質量%以上，更進一步較佳為99質量%以上之情況。本發明之光學薄膜製造用薄膜藉由實質上由改質PVA、可塑劑及界面活性劑所構成，而可更充分地發揮本發明之效果。

(形狀・物性等) 本發明之光學薄膜製造用薄膜，係作為光學薄膜之材料所使用之所謂的原材薄膜(raw film)。但是，本發明之光學薄膜製造用薄膜，並不限定於為卷狀者。

本發明之光學薄膜製造用薄膜的平均厚度並無特別限制，就下限而言，較佳為1μm，更佳為5μm，進一步較佳為10μm。可藉由使平均厚度為前述下限以上，而抑制在製造光學薄膜時的單軸延伸處理之際的斷膜。又，就該平均厚度的上限而言，較佳為75μm，更佳為60μm，進一步較佳為45μm，更進一步較佳為35μm。可藉由使平均厚度為前述上限以下，而抑制單軸延伸處理之際的延伸不均。再者，「平均厚度」意指在任意5點所測定之厚度的平均值(以下，關於平均厚度亦相同)。

本發明之光學薄膜製造用薄膜，可為包含1層PVA層(包含改質PVA之層)的單層薄膜，亦可為包含1層PVA層的多層薄膜。但是，使用於偏光薄膜之製造的情況等，較佳為單層薄膜。就本發明之光學薄膜製造用薄膜所具有的PVA層之平均厚度的下限而言，較佳為1μm，更佳為5μm，進一步較佳為10μm。可藉由使平均厚度為前述下限以上，而抑制在製造光學薄膜時的單軸延伸處理之際的斷膜。又，就該平均厚度的上限而言，較佳為75μm，更佳為60μm，進一步較佳為45μm，更進一步較佳為35μm。可藉由使平均厚度為前述上限以下，而抑制單軸延伸處理之際的延伸不均。

光學薄膜製造用薄膜中的PVA層之具體組成及較佳組成，可引用前述光學薄膜製造用薄膜本身之具體組成及較佳組成的記載。

本發明之光學薄膜製造用薄膜為單層薄膜的情況下，為確保操作性，而平均厚度較佳為20μm以上，更佳為30μm以上。另一方面，本發明之光學薄膜製造用薄膜為多層薄膜的情況下，可使PVA層之平均厚度為20μm以下，亦可使其為15μm以下。

多層薄膜意指具有2層以上之層的薄膜。多層薄膜之層數可為5層以下，亦可為3層以下。作為多層薄膜，可列舉具有基材樹脂層及PVA層之積層結構的光學薄膜製造用薄膜。基材樹脂層之平均厚度，為例如20μm以上500μm以下。多層薄膜中的基材樹脂層，較佳為可與PVA層一起進行單軸延伸者。就構成基材樹脂層之樹脂而言，可使用聚酯、聚烯烴等。其中，較佳為非晶質聚酯樹脂，適合使用聚對酞酸乙二酯、及使異酞酸、1,4-環己二甲醇等共聚合成分與聚對酞酸乙二酯共聚合而成的非晶質聚酯樹脂。基材樹脂層與PVA層之間，亦可設置接著劑層。

本發明之光學薄膜製造用薄膜的寬度並無特別限制，可依照其用途等而決定。例如，光學薄膜製造用薄膜之寬度的下限較佳為3m。近年，從液晶電視、液晶顯示器之大畫面化進展的點來看，若使光學薄膜製造用薄膜之寬度為3m以上，則適合於將此等作為最終製品的用途。另一方面，光學薄膜製造用薄膜之寬度的上限以7m為較佳。可藉由使寬度為7m以下，而在以實用化之裝置製造光學薄膜的情況下，有效率地進行單軸延伸處理等。

本發明之光學薄膜製造用薄膜的膨潤度，從光學薄膜之生產性或光學性能的觀點等來看，較佳為140%以上400%以下之範圍內。該膨潤度的下限，更佳為180%，進一步較佳為190%。又，膨潤度的上限，更佳為220%，進一步較佳為210%。薄膜之膨潤度，可藉由例如增強熱處理之條件，而調整至更小的值等。

此處，「薄膜之膨潤度」意指藉由下式所求得之值。 膨潤度(%)＝100×N/M 式中，N表示將從薄膜採集之樣本，於30℃之蒸餾水中浸漬30分鐘後，除去表面的水之後的樣本之質量(g)。M表示將該樣本於105℃之乾燥機中乾燥16小時之後的樣本之質量(g)。

本發明之光學薄膜製造用薄膜，通常為實質上無延伸的薄膜(非延伸薄膜、未延伸薄膜)。該光學薄膜製造用薄膜的面內相位差，較佳為100nm以下，更佳為50nm以下。通常，可藉由將本發明之光學薄膜製造用薄膜進行延伸處理(單軸延伸處理或二軸延伸處理)等，而得到光學薄膜。

根據本發明之光學薄膜製造用薄膜，其在製造收縮應力為同程度的光學薄膜的情況下，可抑制延伸溫度的高溫化，且可得到光學性能優異的光學薄膜。再者，光學性能係可列舉光透射性、偏光性等。作為可藉由該光學薄膜製造用薄膜製造的光學薄膜，可列舉偏光薄膜、相位差薄膜、視野角提高薄膜、亮度提高薄膜等，較佳為偏光薄膜。

＜光學薄膜製造用薄膜之製造方法＞ 本發明之光學薄膜製造用薄膜的製造方法並無特別限定，較佳可採用製膜後之薄膜的厚度及寬度變得更均勻的製造方法。例如，可使用製膜原液來製造，該製膜原液係將改質PVA、及視需要進一步添加之可塑劑、界面活性劑及其他添加劑等中之1種或2種以上溶解於液體介質中而成。製膜原液含有可塑劑、界面活性劑及其他添加劑之至少1種的情況下，較佳為彼等成分均勻地混合。

作為使用於製膜原液之調製的液體介質，可列舉例如水、二甲基亞碸、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、乙二醇、甘油、丙二醇、二乙二醇、三乙二醇、四乙二醇、三羥甲基丙烷、伸乙基二胺、二伸乙三胺等，可使用此等之中的1種或2種以上。此等之中，又從造成環境之負荷或回收性的觀點來看，較佳為水。又，上述之改質PVA之水溶性亦為優良，又，作為較高溫(例如80℃)的水溶液的情況下的黏度上升亦受到抑制。從此點來看，較佳可使用水作為液體介質。

製膜原液的揮發分率(製膜時藉由揮發或蒸發而被除去的液體介質等揮發性成分於製膜原液中的含有比率)，例如較佳為50質量%以上95質量%以下，更佳為55質量%以上90質量%以下，進一步較佳為60質量%以上85質量%以下。製膜原液的揮發分率為50質量%以上，藉此製膜原液之黏度不會變得過高，調製製膜原液時，過濾、脫泡可順利地進行，異物、缺點少的薄膜之製造變得容易。另一方面，製膜原液的揮發分率為95質量%以下，藉此製膜原液的濃度不會變得過低，工業上的薄膜之製造變得容易。

就製膜時的製膜原液之溫度而言，可設為例如60℃以上150℃以下，較佳為設為70℃以上130℃以下。藉由使用改質PVA，且在此種較高溫下進行製膜，可將製膜原液的黏度壓得較低，而可提高製膜性。

就使用製膜原液製膜時的製膜方法而言，可列舉例如流延製膜法、押出製膜法、濕式製膜法、凝膠製膜法等。此等製膜方法可只採用1種，亦可將2種以上組合而採用。此等製膜方法之中，又由於流延製膜法及押出製膜法可得到厚度及寬度均勻且物性良好的薄膜，而為較佳。對於所製膜之薄膜，可視需要進行乾燥、熱處理。

就本發明之光學薄膜製造用薄膜的具體製造方法之例而言，可列舉例如以下之例。使用T型狹縫模頭、料斗板(hopper plate)、I-模頭、唇式塗布機模頭等，將製膜原液均勻地吐出或流延在位於最上游側旋轉之經加熱之第1輥(或者輸送帶)的周面上。使揮發性成分從被吐出或流延在該第1輥(或輸送帶)的周面上之膜的一面蒸發而使其乾燥。繼而在配置於其下游側之1個或複數個旋轉、加熱之輥的周面上進一步進行乾燥，或使其通過熱風乾燥裝置之中而使其進一步乾燥。然後，藉由捲取裝置捲取薄膜。藉由加熱輥的乾燥與藉由熱風乾燥裝置的乾燥，亦可適當的組合而實施。

再者，在本發明之光學薄膜製造用薄膜為多層薄膜的情況下，可藉由例如將製膜原液塗布在基材樹脂薄膜(基材樹脂層)上，而製造多層薄膜。此時，為了改善PVA層與基材樹脂層之間的接著性，可將基材樹脂薄膜之表面改質，或可在基材樹脂薄膜之表面塗布接著劑。

＜光學薄膜之製造方法＞ 本發明之光學薄膜的製造方法，係具備將上述之光學薄膜製造用薄膜進行單軸延伸的步驟。以下，列舉偏光薄膜之製造方法作為光學薄膜之製造方法的一例，具體地說明。

就偏光薄膜之製造方法而言，可列舉具備將光學薄膜製造用薄膜(以下，亦稱為「PVA薄膜」)分別進行染色之染色步驟、進行單軸延伸之延伸步驟、及視需要而進一步使其膨潤之膨潤步驟、使其交聯之交聯步驟、進行固定處理之固定處理步驟、進行洗淨之洗淨步驟、使其乾燥之乾燥步驟、進行熱處理之熱處理步驟等的方法。此情況，就各步驟之順序而言，並無特別限定，然而可依照例如膨潤步驟、染色步驟、交聯步驟、延伸步驟、固定處理步驟等之順序進行。又，亦可同時進行1個或2個以上之步驟，或者亦可將各步驟進行2次或其以上。

膨潤步驟可藉由將PVA薄膜浸漬於水中而進行。就浸漬於水時之水的溫度而言，較佳為20℃以上55℃以下，更佳為22℃以上50℃以下，進一步較佳為25℃以上45℃以下。又，就浸漬於水之時間而言，例如較佳為0.1分鐘以上5分鐘以下，更佳為0.5分鐘以上3分鐘以下。再者，浸漬於水時之水並不限定為純水，可為溶解有各種成分的水溶液，亦可為水與水性介質之混合物。

染色步驟可藉由使二色性色素對PVA薄膜接觸而進行。就二色性色素而言，一般使用碘系色素。就染色之時機而言，可為單軸延伸前、單軸延伸時及單軸延伸後之任一階段。染色較佳可採用藉由使PVA薄膜浸漬在為染色浴的含有碘-碘化鉀之溶液(尤其水溶液)中而進行的方法。染色浴中的碘之濃度，較佳為0.01質量%以上0.5質量%以下，碘化鉀之濃度較佳為0.01質量%以上10質量%以下。又，染色浴之溫度係以20℃以上50℃以下，特別是較佳為25℃以上40℃以下。較佳之染色時間為0.2分鐘以上5分鐘以下。

藉由進行使PVA薄膜中之改質PVA交聯之交聯步驟，而可於以高溫進行濕式延伸時，有效地抑制PVA溶出至水中。從此觀點來看，較佳為交聯步驟在染色步驟之後延伸步驟之前進行。交聯步驟可藉由將PVA薄膜浸漬在包含交聯劑之水溶液中而進行。就交聯劑而言，可使用硼酸、硼砂等硼酸鹽等硼化合物之1種或2種以上。包含交聯劑之水溶液中的交聯劑之濃度，較佳為1質量%以上15質量%以下，更佳為1.5質量%以上7質量%以下，進一步較佳為2質量%以上6質量%以下。可藉由使交聯劑之濃度在前述範圍內，而維持充分之延伸性。包含交聯劑之水溶液亦可含有碘化鉀等。包含交聯劑之水溶液的溫度，較佳設為20℃以上60℃以下，特別是25℃以上55℃以下。可藉由使溫度為前述範圍內，而效率良好地交聯。

將PVA薄膜進行單軸延伸之延伸步驟，可藉由濕式延伸法或乾式延伸法之任一者進行。濕式延伸法之情況，可於包含硼酸之水溶液中進行，亦可在上述之染色浴中、後述之固定處理浴中進行。又，乾式延伸法之情況，可於室溫直接進行延伸，亦可一邊加熱一邊延伸，亦可使用吸水後之PVA薄膜於空氣中進行。此等之中，由於可沿寬度方向以高均勻性延伸，故較佳為濕式延伸法，更佳為在包含硼酸之水溶液中進行單軸延伸。硼酸水溶液中的硼酸之濃度，較佳為0.5質量%以上6.0質量%以下，更佳為1.0質量%以上5.0質量%以下，特佳為1.5質量%以上4.0質量%以下。又，硼酸水溶液亦可含有碘化鉀，碘化鉀之濃度較佳為0.01質量%以上10質量%以下。單軸延伸的延伸溫度較佳為30℃以上90℃以下，更佳為40℃以上80℃以下，進一步較佳為50℃以上75℃以下，特佳為55℃以上68℃以下。

單軸延伸的延伸倍率(由非延伸之PVA薄膜的總延伸倍率)，從所得到之偏光薄膜之偏光性能的觀點來看較佳為5倍以上，更佳為5.5倍以上。延伸倍率的上限並無特別限制，但較佳為延伸倍率為8倍以下。

將長尺寸PVA薄膜進行單軸延伸之情況的單軸延伸之方向並無特別限制，可採用往長方向之單軸延伸或橫向單軸延伸。從能得到偏光性能優異的偏光薄膜而言，以往長方向之單軸延伸為較佳。往長方向之單軸延伸，係可藉由使用具備互相平行之複數個輥的延伸裝置，改變各輥間之周速而進行。另一方面，橫向單軸延伸可使用拉幅機型延伸機進行。

延伸步驟中最大延伸應力較佳為30N/mm ²以下。於此，最大延伸應力係指將施加於PVA薄膜的最大張力除以原料之PVA薄膜截面積之值。藉由降低最大延伸應力，可得到收縮應力小的偏光薄膜。最大延伸應力更佳為25N/mm ²以下。又通常，最大延伸應力為1N/mm ²以上。延伸步驟中最大延伸應力可藉由提高延伸溫度而降低。

對於偏光薄膜之製造，為了使二色性色素(碘系色素等)對PVA薄膜的吸附更加牢固，可於延伸步驟之後進行固定處理步驟。作為使用於固定處理之固定處理浴，可使用包含硼酸、硼砂等硼化合物之1種或2種以上的水溶液。又，亦可視需要而在固定處理浴中添加碘化合物、金屬化合物。固定處理浴中的硼化合物之濃度係較佳為2質量%以上15質量%以下，特別是3質量%以上10質量%以下。可藉由使硼化合物之濃度為前述範圍內，而使二色性色素之吸附更牢固。固定處理浴之溫度係較佳為15℃以上60℃以下，特別是25℃以上40℃以下。

洗淨步驟一般係將薄膜浸漬於蒸餾水、純水、水溶液等而進行。此時，從偏光性能提高的點來看，較佳為使用含有碘化鉀等碘化物作為助劑的水溶液，碘化物之濃度較佳為設為0.5質量%以上10質量%以下。又，洗淨處理中的水溶液之溫度一般為5℃以上50℃以下，較佳為10℃以上45℃以下，進一步較佳為15℃以上40℃以下。可藉由使水溶液之溫度為前述範圍，而更加提高偏光性能等。

乾燥步驟之條件並無特別限制，但較佳為在30℃以上150℃以下，特別是在50℃以上130℃以下之溫度進行PVA薄膜之乾燥。藉由於前述範圍內之溫度乾燥，而容易得到尺寸安定性優異的偏光薄膜。

再者，相位差薄膜等、偏光薄膜以外之光學薄膜，亦可藉由具備將本發明之光學薄膜製造用薄膜進行單軸延伸之步驟的方法來製造。具體之製造方法，除使用本發明之光學薄膜製造用薄膜以外，可採用先前周知之方法。

＜光學薄膜＞ 本發明之光學薄膜係一種包含PVA(改質PVA)之光學薄膜，其中該PVA(改質PVA)具有含有矽之基及伸乙基單元，前述含有矽之基係矽醇基或在水的存在下可轉化成矽醇基之基，相對於前述改質PVA中之全部結構單元，前述含有矽之基的含量為0.01莫耳%以上1.0莫耳%以下，前述伸乙基單元的含量為0.5莫耳%以上10莫耳%以下。

本發明之光學薄膜亦可為使用本發明之光學薄膜製造用薄膜藉由上述之製造方法所得到之光學薄膜。本發明之光學薄膜中所含之改質PVA的具體結構、含量等之詳細內容係與本發明之光學薄膜製造用薄膜中所含之改質PVA相同。又，本發明之光學薄膜亦可含有與本發明之光學薄膜製造用薄膜相同的其他成分。

本發明之光學薄膜，可為偏光薄膜、相位差薄膜、視野角提升薄膜、亮度提高薄膜等，而較佳為偏光薄膜。在此情況，偏光薄膜中通常包含二色性色素，又，改質PVA亦可進行交聯。

本發明之光學薄膜較佳為延伸薄膜，更佳為單軸延伸薄膜。又，本發明之光學薄膜，可為單層薄膜，亦可為多層薄膜，但以單層薄膜為較佳。在此種薄膜之情況，本發明之光學薄膜可更適合使用作為偏光薄膜等。

本發明之光學薄膜之收縮應力較佳為100N/mm ²以下。藉由小的收縮應力，即使在高溫使用的情況下亦可成為尺寸安定性優異者。收縮應力更佳為80N/mm ²以下。本發明之光學薄膜的收縮應力的下限可為例如10N/mm ²，亦可為20N/mm ²或40N/mm ²。於此收縮應力係將作為試料之偏光薄膜的延伸方向兩端邊固定，將於80℃維持4小時時的張力除以試料的截面面積所得之值，具體而言，係指藉由後述實施例中所記載的方法所求得之值。

本發明之光學薄膜為偏光薄膜的情況下，較佳為偏光薄膜之二色性比(R)為100以上。藉由包含上述之改質PVA，而生產性良好地製造具有此種高二色性比(R)的偏光薄膜。二色性比(R)更佳為150以上，進一步較佳為190以上，特佳為200以上。就該二色性比(R)的上限而言，為例如350，亦可為300或250。

偏光薄膜之二色性比(R)的計算方法，如以下所述。首先，排除了表面反射之透射率(T’)與單體透射率(single layer transmittance)(T)的關係係以式(a)表示。此時，偏光薄膜之折射率設為1.5，於表面之反射率設為4%。透射率(T’)與偏光度(V)二色性比(R)的關係以式(b)表示。因此，可藉由計測了單體透射率(T)及偏光度(V)以後，使用彼等之值解式(a)及(b)，而算出偏光薄膜的二色性比(R)。 T’＝T/(1-0.04) ²…(a) R＝｛-ln[T’(1-V)]｝/｛-ln[T’(1＋V)]｝　…(b)

偏光薄膜，係通常在其兩面或單面貼合光學上為透明且具有機械強度之保護膜而作成偏光板來使用。就保護膜而言，可使用三乙酸纖維素(TAC)薄膜、環烯烴聚合物(COP)薄膜、乙酸・丁酸纖維素(CAB)薄膜、丙烯酸系薄膜、聚酯系薄膜等。又，作為用於貼合之接著劑，可列舉PVA系接著劑、胺基甲酸酯系接著劑、丙烯酸酯系紫外線硬化型接著劑等。亦即，偏光板係具有：偏光薄膜及在該偏光薄膜之單面或兩面直接或透過接著劑層積層而成的保護膜。

偏光板係例如可於塗布丙烯酸系等之黏著劑後，貼合於玻璃基板，而作為LCD之零件使用。再者，對於偏光板，亦可進一步貼合相位差薄膜、視野角提高薄膜、亮度提高薄膜等。 [實施例]

以下，藉由實施例更詳細地說明本發明，然而本發明不受此等之實施例任何限定。各測定及評價之方法如以下之說明。

[PVA之聚合度(黏度平均聚合度)] 關於以下之合成例中所合成的各PVA，係依照JIS K6726-1994之記載，測定黏度平均聚合度。

[PVA之皂化度] 關於下列合成例中所合成的各PVA，係依照JIS K6726-1994之記載，測定皂化度。

[PVA中之含有矽之基及伸乙基單元的含量] 針對於以下合成例合成的各PVA，由皂化前之乙烯酯聚合物的質子NMR測定含有矽之基及伸乙基單元的含量。測定皂化前之乙烯酯聚合物的質子NMR時，係將乙烯酯聚合物藉由己烷-丙酮再沉澱而純化，從聚合物中完全除去未反應之單體，繼而於90℃進行2日減壓乾燥後，將其溶解在CDCl ₃溶劑中，供分析使用。

[薄膜之膨潤度] 將在以下之實施例及比較例中所得到的各薄膜(光學薄膜製造用薄膜)切取成1.5g，浸漬在1000g之30℃的蒸餾水中30分鐘。浸漬30分鐘後取出薄膜，用濾紙吸取表面之水後，測定其質量(N)。繼而，將該薄膜於105℃之乾燥機中乾燥16小時後，測定乾燥後之質量(M)。從所得到之質量(N)及質量(M)，依照下列之式，求取薄膜的膨潤度。 膨潤度(%)＝100×N/M

[偏光薄膜之二色性比(光學性能)] 從在以下之實施例及比較例所得到的各偏光薄膜之寬度方向的中央部分，往偏光薄膜之長度方向，採集4cm之長方形的樣本。對於此樣本，使用附有積分球之分光光度計(日本分光股份有限公司製「V7100」)，依據JIS Z8722(物體色之測定方法)，進行了C光源、2°視野之可見光區域的視感度校正以後，測定單體透射率(T)及偏光度(V)。

藉由從所得到的單體透射率(T)及偏光度(V)之值解下述式(a)及(b)，而算出偏光薄膜之二色性比(R)。其中，偏光薄膜之折射率設為1.5，於表面之反射率設為4%。又，如此一來，將在實施例及比較例之單軸拉伸處理浴的溫度條件下所製作的偏光薄膜之二色性比(R)設為R ₀。 T’＝T/(1-0.04) ²…(a) R＝｛-ln[T’(1-V)]｝/｛-ln[T’(1＋V)]｝　…(b)

[偏光薄膜的收縮應力] 針對於以下之實施例及比較例所得到之各偏光薄膜的收縮應力，使用島津製作所製之附有恆溫槽的自動繪圖儀「AG-X」及錄影式伸長計「TR ViewX120S」進行測定。測定係使用在20℃/20%RH，經18小時調整濕度的偏光薄膜。自動繪圖儀「AG-X」之恆溫槽設為20℃後，將偏光薄膜(長度方向15cm、寬度方向1.5cm)安裝於夾頭(夾頭間隔5cm)，在拉伸開始的同時，將恆溫槽開始朝80℃升溫。此外，將偏光薄膜的延伸方向設為長度方向，沿此方向進行拉伸。將偏光薄膜以1mm/min的速度拉伸，在張力到達2N的時點停止拉伸，在該狀態下測定至4小時後為止之張力。此時，夾頭間的距離因熱膨脹而改變，因此在夾頭貼上標線貼紙，使用錄影式伸長計「TR ViewX120S」來進行測定，以便對應於貼附在夾頭上的標線貼紙移動量來修正夾頭間的距離。又，將從4小時後的張力的測定值減去初期張力2N的值設為偏光薄膜的收縮力，將此收縮力除以樣本的截面面積所得之值設為收縮應力(N/mm ²)又，如此一來，將以實施例及比較例的單軸延伸處理浴之溫度條件製造的偏光薄膜的收縮應力(SF)設為SF ₀。

[在偏光薄膜之收縮應力75N/mm ²的二色性比及延伸溫度] 在以下之實施例及比較例中，將單軸延伸處理浴之溫度設定成低2℃或4℃的溫度，除了變更染色處理浴的碘濃度以外，以同樣的方法，以使所得到之偏光薄膜的透射度成為44.0%，得到單軸延伸處理浴的溫度相異之偏光薄膜。測定所得到之各偏光薄膜的單體透射率(T)及偏光度(V)，以前述之方法求得二色性比(R)。於此，將以單軸延伸處理浴之溫度低2℃的條件所得到之偏光薄膜的二色性比(R)設為R _-2、將以單軸延伸處理浴之溫度低4℃的條件所得到之偏光薄膜的二色性比(R)設為R _-4。又，將各偏光薄膜的收縮應力以前述之方法進行測定。於此，將以單軸延伸處理浴之溫度低2℃的條件所得到之偏光薄膜的收縮力(SF)設為SF _-2、將以單軸延伸處理浴之溫度低4℃的條件所得到之偏光薄膜的收縮力(SF)設為SF _-4。

從如此操作所得到之單軸延伸處理浴之溫度相異的3種類之偏光薄膜的二色性比(R ₀、R _-2、R _-4)及收縮應力(SF ₀、SF _-2、SF _-4)之值，繪製二色性比與收縮應力之關係，藉由直線近似，算出在收縮應力75N/mm ²的二色性比。又，繪製收縮應力與單軸延伸處理浴之溫度之關係，藉由直線近似，算出收縮應力75N/mm ²中之延伸溫度。

[合成例1]PVA-1之合成 在具備攪拌機、氮導入口、乙烯導入口、起始劑添加口及延遲溶液添加口之5L加壓反應槽中，添加3000g之乙酸乙烯酯、3.6g之乙烯基三甲氧基矽烷作為具有含有矽之基的單體、升溫至60℃後藉由30分鐘氮氣氣泡通入，而使系統進行氮置換。接著導入乙烯以使反應槽壓力成為0.26MPa。將前述之聚合槽內溫調整至60℃後，注入1.0g之2,2’-偶氮雙異丁腈(AIBN)開始聚合。聚合中一邊注入2質量%乙烯基三甲氧基矽烷的甲醇溶液，一邊導入乙烯使反應槽壓力維持在0.26MPa、聚合溫度維持在60℃，3小時後當聚合率到達20%時進行冷卻停止聚合。至聚合結束為止，所添加的乙烯基三甲氧基矽烷的甲醇溶液為84ml。接著，於減壓下除去未反應之乙酸乙烯酯，得到改質聚乙酸乙烯酯(以下，有時簡稱為改質PVAc)的甲醇溶液。將所得到之改質PVAc之甲醇溶液的濃度調整至23.5質量%，添加NaOH甲醇溶液(10質量%濃度)，使鹼莫耳比(NaOH之莫耳數/PVAc中之乙烯酯單元的莫耳數)成為0.04，進行皂化。將所得到之聚乙烯醇以甲醇洗淨。藉由以上操作所得到之PVA-1的聚合度(黏度平均聚合度)為3,300，皂化度為99.9莫耳%，含有矽之基的含量為0.2莫耳%，伸乙基單元含量為2.5莫耳%。

[合成例2～9]PVA-2～PVA-9之合成 依照合成例1，且適宜地調整所用的單體之比率、聚合條件及皂化條件，得到具有表1所記載的黏度平均聚合度、皂化度、含有矽之基的含量、及伸乙基單元的含量之PVA-2～PVA-9。

[實施例1] 調製包含100質量份之PVA-1、10質量份之作為可塑劑的甘油、及0.1質量份之作為界面活性劑的聚氧伸乙基月桂基醚硫酸鈉，且PVA含有率為9.5質量%的水溶液，作為製膜原液。將該製膜原液於80℃之金屬輥上乾燥，將所得到之薄膜於熱風乾燥機中，以105℃之溫度進行10分鐘熱處理，藉此將膨潤度調為200%，而製作平均厚度為30μm之PVA薄膜(光學薄膜製造用薄膜)。

由所得到之PVA薄膜的寬方向中央部分切取寬度5cm×長度9cm的樣本，使寬度5cm×長度5cm之範圍可單軸延伸。將該樣本浸漬於30℃之純水中60秒並同時於長度方向單軸延伸為2.0倍，而進行膨潤處理。繼而浸漬在含有0.05質量%碘及1.15質量%碘化鉀的水溶液(染色處理浴：溫度32℃)中120秒，並同時於長度方向單軸延伸為1.2倍(全體為2.4倍)而使碘吸附。接著，浸漬在含有2.6質量%硼酸之水溶液(硼酸交聯處理浴：溫度32℃)中120秒，並同時於長度方向單軸延伸為1.25倍(全體為3.0倍)。進一步浸漬於以2.8質量%之比率含有硼酸且以5質量%之比率含有碘化鉀的69℃的水溶液(單軸延伸處理浴)中，並同時於長度方向單軸延伸至以全體為6.0倍為止。然後，藉由在含有1.5質量%硼酸及3.5質量%碘化鉀之濃度的溫度22℃的碘化鉀水溶液(洗淨浴)中浸漬5秒，將薄膜洗淨。最後於80℃乾燥4分鐘而得到偏光薄膜。

使用所得到之偏光薄膜，根據前述之方法，求出在偏光薄膜的收縮應力75N/mm ²的二色性比。又，根據前述之方法，求得在偏光薄膜之收縮應力75N/mm ²的延伸溫度。將結果顯示於表1及圖1。

[實施例2～3及比較例1～5] 除了使用表1所記載的PVA(PVA-2～PVA-8)，且調整製膜原液之PVA含有率及熱處理溫度，使PVA薄膜之平均厚度成為30μm、膨潤度成為200%以外，係與實施例1同樣地，進行PVA薄膜的製作及評價。使用所得到之PVA薄膜，且變更單軸延伸處理浴之溫度及染色處理浴之碘濃度，使所得到的偏光薄膜之收縮應力成為75N/mm ²前後且單體透射率成為44.0%以外，與實施例1同樣地進行偏光薄膜之製造及評價。將結果顯示於表1及圖1、2。

[比較例6] 使用PVA-9作為PVA欲作成製膜原液，然而PVA不溶解，而無法製作製膜原液。因此，無法製造PVA薄膜及偏光薄膜，亦無法測定在偏光薄膜之收縮應力75N/mm ²的二色性比及延伸溫度。

[表1]

		實施例1	實施例2	實施例3	比較例1	比較例2	比較例3	比較例4	比較例5	比較例6
PVA		合成例1	合成例2	合成例3	合成例4	合成例5	合成例6	合成例7	合成例8	合成例9
種類		PVA-1	PVA-2	PVA-3	PVA-4	PVA-5	PVA-6	PVA-7	PVA-8	PVA-9
黏度平均聚合度		3300	3300	2400	2400	4000	3300	2400	2400	2400
皂化度	［莫耳%］	99.9	99.9	99.9	99.9	99.9	99.9	99.9	99.9	99.9
含有矽之基的含量	［莫耳%］	0.2	0.1	0.2	0	0	0	0.2	0.4	1.1
伸乙基單元的含量	［莫耳%］	2.5	2.5	4.5	0	0	2.5	0	0	2.5
黏度平均聚合度與含有矽之基的含量之積	［莫耳%］	660	330	480	0	0	0	480	960	2640
在收縮應力75N/mm 2的二色性比		212	202	206	177	192	193	195	213	無法測定
在收縮應力75N/mm 2的延伸溫度	［℃］	67.1	63.2	64.4	55.9	62.5	59.9	63.2	69.2	無法測定

如表1及圖1所示般，根據實施例1～3之光學薄膜製造用薄膜(PVA薄膜)，在製造收縮應力為75N/mm ²的光學薄膜時，在68℃以下的延伸溫度，可得到二色性比為200以上的光學薄膜。亦即，根據實施例1～3之光學薄膜用製造薄膜，在製造收縮應力為同程度的光學薄膜時，可抑制延伸溫度的高溫化，且可得到光學性能優異的光學薄膜。換言之，根據實施例1～3之光學薄膜用製造薄膜，在提高所得到之光學薄膜的光學性能的同時，亦可抑制收縮應力的增大及延伸溫度的高溫化。

如圖2所示般，與使用相同聚合度的PVA而成之光學薄膜製造用薄膜(PVA薄膜)比較時，可知以下之情事。與使用聚合度2400之無改質PVA之比較例1相比較，使用聚合度2400且含有矽之基的含量0.2莫耳%或0.4莫耳%之改質PVA的比較例4、5之在收縮應力75N/mm ²的二色性比(光學性能)雖遽增，但延伸溫度亦大幅上升。亦即，與使用無改質PVA的情況相比較，可知根據使用只具有含有矽之基的PVA之PVA薄膜，所得到之光學薄膜的光學性能雖可大幅提升，但無法抑制延伸溫度的高溫化。另一方面，就使用聚合度2400、含有矽之基的含量0.2莫耳%且伸乙基單元的含量4.5莫耳%之改質PVA的實施例3而言，在收縮應力75N/mm ²的二色性比(光學性能)比比較例4高，且延伸溫度大致相同，故可抑制延伸溫度的高溫化。亦即，與使用只具有含有矽之基的PVA的情況相比較，根據使用具有含有矽之基及伸乙基單元的PVA而成之光學薄膜製造用薄膜(PVA薄膜)，在製造收縮應力為同程度的光學薄膜時，可抑制延伸溫度的高溫化，且可得到光學性能優異的光學薄膜。換言之，可提高所得到之光學薄膜的光學性能，且可抑制收縮應力的增大及延伸溫度的高溫化。 [產業上利用之可能性]

本發明之光學薄膜製造用薄膜，可適合使用作為LCD之構成材料的偏光薄膜等之材料。

無。

圖1係將於實施例1～3及比較例1～5所得到之各偏光薄膜的收縮應力成為75N/mm ²時的延伸溫度相對於此時的二色性比繪製而成之圖示。 圖2係將於實施例3及比較例1、4、5所得到之各偏光薄膜的收縮應力成為75N/mm ²時的延伸溫度相對於此時的二色性比繪製而成之圖示。

無。

Claims (13)

1. 一種光學薄膜製造用薄膜，其包含聚乙烯醇，該聚乙烯醇具有含有矽之基及伸乙基單元，  該含有矽之基係矽醇基或在水的存在下可轉化成矽醇基之基，  相對於該聚乙烯醇中之全部結構單元，該含有矽之基的含量為0.01莫耳%以上1.0莫耳%以下，該伸乙基單元的含量為0.5莫耳%以上10莫耳%以下。
2. 如請求項1之光學薄膜製造用薄膜，其中該聚乙烯醇的黏度平均聚合度為1,000以上6,000以下，皂化度為98.7莫耳%以上。
3. 如請求項2之光學薄膜製造用薄膜，其中該黏度平均聚合度與該含有矽之基的含量之積為100莫耳%以上2,000莫耳%以下。
4. 如請求項1至請求項3中任一項之光學薄膜製造用薄膜，其平均厚度為1μm以上75μm以下。
5. 如請求項1至請求項4中任一項之光學薄膜製造用薄膜，其膨潤度為140%以上400%以下。
6. 如請求項1至請求項5中任一項之光學薄膜製造用薄膜，其中該光學薄膜為偏光薄膜。
7. 如請求項1至請求項6中任一項之光學薄膜製造用薄膜，其係非延伸薄膜。
8. 一種光學薄膜之製造方法，其具備將如請求項1至請求項7中任一項之光學薄膜製造用薄膜進行單軸延伸之步驟。
9. 如請求項8之光學薄膜之製造方法，該光學薄膜為偏光薄膜。
10. 一種光學薄膜，其包含聚乙烯醇，該聚乙烯醇具有含有矽之基及伸乙基單元，  該含有矽之基係矽醇基或在水的存在下可轉化成矽醇基之基，  相對於該聚乙烯醇中之全部結構單元，該含有矽之基的含量為0.01莫耳%以上1.0莫耳%以下，該伸乙基單元的含量為0.5莫耳%以上10莫耳%以下。
11. 如請求項10之光學薄膜，其收縮應力為100N/m ²以下。
12. 如請求項10或請求項11之光學薄膜，其係偏光薄膜。
13. 如請求項10至請求項12中任一項之光學薄膜，其係單層薄膜。

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