TW202218870A - 積層體及剝離劑組成物 - Google Patents

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森谷俊介
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Abstract

本發明提供一種積層體，其具備：半導體基板、支撐基板、設為與上述半導體基板相接之剝離層、以及設在上述支撐基板與上述剝離層之間之接著層；其特徵係，上述剝離層為由含有聚二甲基矽氧烷所成之聚有機矽氧烷成分的剝離劑組成物所獲得之膜；且上述聚有機矽氧烷成分在25℃的黏度為5.50×10 3Pa･s～0.75×10 3Pa･s；上述膜的厚度為0.01μm～4.90μm。

Description

積層體及剝離劑組成物
本發明係關於一種積層體及剝離劑組成物。
過去在二維平面方向上集積之半導體晶圓，以更進一步的集積化為目的，不斷追求一種亦將平面進一步集積（積層）於三維方向上之半導體集積技術。該三維積層係藉由矽穿孔電極（TSV：through silicon via）進行接線，並集積為多層之技術。集積為多層時，被集積之各晶圓係藉由對與已形成之電路面為相反之側（即背面）進行研磨而薄化，再積層已薄化之半導體晶圓。
薄化前的半導體晶圓（於此亦簡稱為晶圓），係為了以研磨裝置進行研磨而被接著於支撐體。此時的接著係須於研磨後能輕易地被剝離，故稱為暫時接著。該暫時接著係須能輕易地從支撐體上拆除，若為了拆除而施加很大的力，則已薄化之半導體晶圓可能會有被切斷或變形之情形，為了避免如此情形發生，須能輕易地被拆除。然而，在研磨半導體晶圓的背面時發生因研磨應力而導致脫落或偏離之情形並不理想。因此，暫時接著所要求之性能係能承受研磨時的應力，並且在研磨後能輕易地被拆除。 如此情事下，需要對研磨時的平面方向持有高的應力（強的接著力），對拆除時的縱向具有低的應力（弱的接著力）之性能（例如專利文獻1、2）。
而半導體晶圓係經由例如金屬的導電性材料所成之凸塊球（bump ball）而與半導體晶片電連接，使用具備如此凸塊球之晶片，藉此可實現半導體封裝的小型化。 凸塊球通常係由焊料等金屬構成，因此對壓力等負荷較弱，例如可能會發生因半導體裝置之製造程序中接合時的荷重而導致變形之情形（例如參照專利文獻3）。 在如此課題存在下，隨著近來半導體領域的發展，對於抑制起因於半導體裝置之製造程序中壓力等負荷所導致之凸塊球變形之技術的要求愈增。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］
［專利文獻1］日本特開2004-64040號公報 ［專利文獻2］日本特開2012-106486號公報 ［專利文獻3］國際公開2018/083964號公報 ［專利文獻4］日本特開2013-179135號公報 ［專利文獻5］美國2012/0329249號公報 ［專利文獻6］國際公開2012/118700號公報 ［專利文獻7］日本特開2014-146793號公報 ［專利文獻8］國際公開2015/190438號公報
［發明所欲解決之技術問題］
本發明係有鑑於上述情事所成之發明，目的在於提供一種具備剝離層之積層體、及給予理想的膜作為如此剝離層之剝離劑組成物；前述剝離層，係在半導體基板與支撐基板接合時、對半導體基板的背面進行加工時等之耐熱性優異，並且能夠抑制起因於製造半導體裝置時等之壓力等負荷所導致之半導體基板的損傷。 ［技術手段］
本發明人為了解決上述課題而深入研究之結果，發現：具備半導體基板、支撐基板、設為與上述半導體基板相接之剝離層、以及設在上述支撐基板與上述剝離層之間之接著層的積層體中，使上述剝離層為由含有聚二甲基矽氧烷所成之聚有機矽氧烷成分的剝離劑組成物所獲得之膜，將上述聚有機矽氧烷成分的黏度設為指定的值，並將上述膜的厚度設為指定的範圍，藉此可解決上述課題，從而完成本發明。 又，專利文獻4～8中，雖揭露一種晶圓加工體、基板之加工方法、使用暫時接著劑之積層體等相關之技術，但任一文獻皆未具體地揭露組合本發明之黏度範圍與膜厚範圍及由其所發揮之效果。
亦即，本發明係提供： 1.         一種積層體，其具備： 半導體基板、 支撐基板、 設為與上述半導體基板相接之剝離層、以及 設在上述支撐基板與上述剝離層之間之接著層；其特徵係 上述剝離層係由含有聚二甲基矽氧烷所成之聚有機矽氧烷成分之剝離劑組成物所獲得之膜； 上述聚有機矽氧烷成分在25℃的黏度為5.50×10 3Pa･s～0.75×10 3Pa･s；且 上述膜的厚度為0.01μm～4.90μm。 2.         如項1所述之積層體，其中，上述聚有機矽氧烷成分在25℃的黏度為5.00×10 3Pa･s～0.80×10 3Pa･s。 3.         如項2所述之積層體，其中，上述聚有機矽氧烷成分在25℃的黏度為4.52×10 3Pa･s～0.96×10 3Pa･s。 4.         如項1至3中任一項所述之積層體，其中，上述膜的厚度為0.25μm～3.75μm。 5.         如項4所述之積層體，其中，上述膜的厚度為1.75μm～2.75μm。 6.         如項1至5中任一項所述之積層體，其中，上述接著層設為與上述支撐基板及上述剝離層相接。 7.         如項1至6中任一項所述之積層體，其中，上述接著層為使用含有接著劑成分（S）之接著劑組成物而獲得之膜，且上述接著劑成分（S）含有選自聚有機矽氧烷系接著劑、丙烯酸樹脂系接著劑、環氧樹脂系接著劑、聚醯胺系接著劑、聚苯乙烯系接著劑、聚醯亞胺系接著劑及酚樹脂系接著劑中至少一種。 8.         如項7所述之積層體，其中，上述接著劑成分（S）含有聚矽氧烷系接著劑。 9.         如項8所述之積層體，其中，上述聚有機矽氧烷系接著劑含有藉由矽氫化反應而硬化之聚有機矽氧烷成分（A）。 10.     一種剝離劑組成物，其係用以形成積層體之剝離層，且上述積層體具備半導體基板、支撐基板、設為與上述半導體基板相接之上述剝離層、以及設在上述支撐基板與上述剝離層之間之接著層，作為上述剝離層之膜的厚度為0.01μm～4.90μm；其特徵係含有聚二甲基矽氧烷所成之聚有機矽氧烷成分，且上述聚有機矽氧烷成分在25℃的黏度為5.50×10 3Pa･s～0.75×10 3Pa･s。 11.     如項10所述之剝離劑組成物，其中，上述聚有機矽氧烷成分在25℃的黏度為5.00×10 3Pa･s～0.80×10 3Pa･s。 12.     如項11所述之剝離劑組成物，其中，上述聚有機矽氧烷成分在25℃的黏度為4.52×10 3Pa･s～0.96×10 3Pa･s。 13.     如項10至12中任一項所述之剝離劑組成物，其中，上述膜的厚度為0.25μm～3.75μm。 14.     如項13所述之剝離劑組成物，其中，上述膜的厚度為1.75μm～2.75μm。 15.     如項10至14中任一項所述之剝離劑組成物，其中，上述接著層設為與上述支撐基板及上述剝離層相接。 16.     如項10至15中任一項所述之剝離劑組成物，其中，上述接著層為使用含有接著劑成分（S）之接著劑組成物而獲得之膜，且上述接著劑成分（S）含有選自聚有機矽氧烷系接著劑、丙烯酸樹脂系接著劑、環氧樹脂系接著劑、聚醯胺系接著劑、聚苯乙烯系接著劑、聚醯亞胺系接著劑及酚樹脂系接著劑中至少一種。 17.     如項16所述之剝離劑組成物，其中，上述接著劑成分（S）含有聚有機矽氧烷系接著劑。 18.     如項17所述之剝離劑組成物，其中，上述聚有機矽氧烷系接著劑含有藉由矽氫化反應而硬化之聚有機矽氧烷成分（A）。 ［發明之效果］
本發明之積層體係具備：半導體基板、支撐基板、設為與上述半導體基板相接之剝離層、以及設在上述支撐基板與上述剝離層之間之接著層，上述剝離層係由含有耐熱性優異的熱可塑性聚合物之聚二甲基矽氧烷所成之聚有機矽氧烷成分之剝離劑組成物所獲得之膜，且上述聚有機矽氧烷成分在25℃的黏度係調整至指定的範圍，並且，上述膜的厚度係調整至指定的範圍，因此耐熱性優異，還可抑制起因於壓力等外部負荷所導致之如半導體基板所具有之凸塊變形等半導體基板的損傷。
藉由使用具有如此特徵之本發明之積層體，可期待製造出可靠性更高的半導體元件。
又，藉由滿足本發明之黏度範圍與膜厚範圍之條件，而可發揮本發明之效果之理由係推測如下。
亦即，若剝離層過薄，則抑制對於半導體基板的損害之保護功能會降低，反之，若剝離層過厚，流動性會增高，其結果，保護功能仍會降低；此外，若聚有機矽氧烷成分的黏度過低，則流動性會增高，保護功能會降低，反之，若聚有機矽氧烷成分的黏度過高，則剝離層的密著性會在與接著層等鄰接之功能層及基板之間惡化，而容易發生界面剝離，其結果，保護功能會降低，如此推定下，推測出藉由使用會表現良好的耐熱性及剝離性之聚二甲基矽氧烷作為構成膜之聚有機矽氧烷成分，且將該成分的黏度調整至指定的範圍，然後進一步將所獲得之膜的膜厚調整至指定的範圍，便可發揮上述效果。
一種積層體，其具備：半導體基板、支撐基板、設為與上述半導體基板相接之剝離層、以及設在上述支撐基板與上述剝離層之間之接著層；上述剝離層係由含有聚二甲基矽氧烷所成之聚有機矽氧烷成分之剝離劑組成物所獲得之膜；且上述聚有機矽氧烷成分在25℃的黏度為5.50×10 3Pa･s～0.75×10 3Pa･s；上述膜的厚度為0.01μm～4.90μm。 理想態樣中，本發明之積層體係具備：半導體基板、支撐基板、設為與上述半導體基板相接之剝離層、以及與上述支撐基板及上述剝離層相接之接著層。
半導體基板，例如為晶圓，表面具有電路面，背面為經加工者，其具體例可列舉直徑300mm、厚度770μm左右之矽晶圓，但不限於此。
尤其，根據本發明，即使半導體基板在其表面上具備如凸塊、柱之電極或是如端子等電連接用部分之功能部分之情形，與此相接而設置剝離層，藉此能夠避免或抑制因加熱或加壓而導致該功能部分的損傷。
附凸塊之半導體基板之具體例，可列舉具有球凸塊、印刷凸塊、柱形凸塊（stud bump）、鍍凸塊等凸塊之矽晶圓，通常從凸塊高度為1～200μm左右、凸塊直徑1μm～200μm、凸塊間距1μm～500μm之條件中適宜選擇。
鍍凸塊之具體例，可列舉：SnAg凸塊、SnBi凸塊、Sn凸塊、AuSn凸塊等以Sn為主體之合金鍍等，但不限於此等。 附柱之半導體基板之柱的構成材料，可列舉以Sn為主體之合金、銅及其合金等，但不限於此等。
支撐基板，係為了支撐半導體基板而接合之支撐體（載體），其具體例可列舉直徑300mm、厚度700μm左右之玻璃晶圓，但不限於此。
如上所述，本發明之積層體所具備之剝離層係由含有聚二甲基矽氧烷所成之聚有機矽氧烷成分之剝離劑組成物所獲得之膜，且上述聚有機矽氧烷成分在25℃的黏度為5.50×10 3Pa･s～0.75×10 3Pa･s，上述膜的厚度為0.01μm～4.90μm。
從再現性良好地抑制起因於如壓力或溫度之外部負荷所導致之如半導體基板所具有之凸塊變形等半導體基板的損傷之觀點而言，該黏度的上限值，理想為5.00×10 3Pa･s，進一步理想為4.52×10 3Pa･s，至於該黏度的下限值，理想為0.80×10 3Pa･s，進一步理想為0.96×10 3Pa･s；進一步從再現性良好地獲得即使於施加壓力或溫度之外部負荷後仍可輕易地將基板分離之積層體之觀點而言，該黏度的上限值，再進一步理想為4.02×10 3Pa･s，更加理想為3.50×10 3Pa･s，至於該黏度的下限值，再進一步理想為0.98×10 3Pa･s，更加理想為1.00×10 3Pa･s。
又，本發明中，聚有機矽氧烷成分的黏度，係可使用如日本安東帕股份有限公司製之黏彈性測定裝置MCR302之流變儀進行測定。
從再現性良好地抑制起因於如壓力或溫度之外部負荷所導致之如半導體基板所具有之凸塊變形等半導體基板的損傷之觀點而言，上述膜的厚度的上限值，理想為3.75μm，進一步理想為2.75μm，至於上述膜的厚度的下限值，理想為0.25μm，進一步理想為1.75μm；進一步從再現性良好地獲得即使於施加壓力或溫度之外部負荷後仍可輕易地將基板分離之積層體之觀點而言，上述膜的厚度的上限值，再進一步理想為2.70μm，更加理想為2.65μm，至於上述膜的厚度的下限值，再進一步理想為1.80μm，更加理想為1.85μm。
本發明所使用之聚二甲基矽氧烷係由式（X）表示，但不否定在聚二甲基矽氧烷總體中，可能存在有於末端或重複單元中間含有微量-Si(CH 3) 3基或-Si(CH 3) 2-O-基以外的其他基團作為不純結構之聚二甲基矽氧烷。
［化1］
Figure 02_image001
（n m係表示重複單元的數量，且為正的整數。）
如上所述，上述剝離劑組成物含有聚二甲基矽氧烷所成之聚有機矽氧烷成分，因此，該聚有機矽氧烷成分主要是含有聚二甲基矽氧烷，但不否定在聚二甲基矽氧烷總體中，可能含有聚二甲基矽氧烷以外的聚有機矽氧烷。
就此點而言，本發明所使用之聚二甲基矽氧烷的純度，係視分子量、分散度、所使用之原料的純度及所採用之合成方法而異，故無法一概規定，但通常為99%以上。
本發明所使用之聚二甲基矽氧烷的重量平均分子量，通常為100,000～2,000,000，其分散度，通常為1.0～10.0。
本發明所使用之聚有機矽氧烷成分，係由一種或兩種以上的聚二甲基矽氧烷所成，且適宜選擇上述重量平均分子量及分散度之範圍內之一種或兩種以上的聚二甲基矽氧烷，以滿足上述黏度的條件。
又，聚二甲基矽氧烷等聚有機矽氧烷的重量平均分子量、數平均分子量以及分散度，係例如可使用凝膠滲透層析（GPC）裝置（東曹股份有限公司製之EcoSEC，HLC-8320GPC）及GPC管柱（東曹股份有限公司製之TSKgel SuperMultiporeHZ-N、TSKgel SuperMultiporeHZ-H），管柱溫度設為40℃，使用四氫呋喃作為溶離液（溶出溶劑），流量（流速）設為0.35mL/min，使用聚苯乙烯（Sigma-Aldrich公司製）作為標準樣品來進行測定。
上述剝離劑組成物亦可含有溶劑。 如此溶劑，例如只要是可良好地溶解聚有機矽氧烷成分，則無特別限定，如此良溶劑之具體例可列舉：己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、異十二烷等直鏈狀或支鏈狀脂肪族飽和烴等直鏈狀或支鏈狀脂肪族烴；環己烷、環庚烷、環辛烷、異丙基環己烷、對薄荷烷等環狀脂肪族飽和烴、檸檬烯等環狀脂肪族不飽和烴等環狀脂肪族烴；苯、甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、對稱三甲苯、1,2,4-三甲苯、異丙苯、1,4-二異丙苯、對異丙基甲苯等芳香族烴；MIBK（甲基異丁基酮）、乙基甲基酮、丙酮、二異丁基酮、2-辛酮、2-壬酮、5-壬酮等二烷基酮、環己酮等環烷基酮等脂肪族飽和烴酮、異佛爾酮等烯基酮等脂肪族不飽和烴酮等酮；二乙基醚、二(正丙基)醚、二(正丁基)醚、二(正戊基)醚等二烷基醚、四氫呋喃、二噁烷等環狀烷基醚等醚；二乙基硫醚、二(正丙基)硫醚、二(正丁基)硫醚等二烷基硫醚等硫醚；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基異丁醯胺、N-甲基吡咯烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮等醯胺；乙腈、3-甲氧基丙腈等腈；丙二醇單甲醚、二乙二醇單甲醚、三乙二醇單甲醚、二丙二醇單甲醚等二醇單烷基醚、二乙二醇單苯醚等二醇單芳基醚等二醇單烴醚；環己醇等環狀烷基醇等烷基醇、二丙酮醇、苄醇、2-苯氧基乙醇、2-苄氧基乙醇、3-苯氧基苄醇、四氫糠醇等烷基醇以外的單醇；乙二醇單己醚、丙二醇單丁醚、二乙二醇單乙醚、二丙二醇單丁醚、乙二醇單丁醚、二乙二醇單丁醚、二乙二醇單異丁醚、二丙二醇單甲醚、二乙二醇單丙醚（丙基卡必醇）、二乙二醇單己醚、2-乙基己基卡必醇、二丙二醇單丙醚、三丙二醇單甲醚、二乙二醇單甲醚、三丙二醇單丁醚等二醇單烷基醚等、2-苯氧基乙醇等二醇單芳基醚等二醇單醚；乙二醇二丁醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、丙二醇二丁醚、二丙二醇甲基正丙基醚、二丙二醇二甲醚、二丙二醇二乙醚、二丙二醇二丁醚、三乙二醇二甲醚、三乙二醇丁基甲基醚、四乙二醇二甲醚等二醇二烷基醚等二醇二醚；二丙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯等二醇單烷基醚乙酸酯等二醇醚乙酸酯；碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯、碳酸伸乙烯酯等環狀碳酸酯；乙酸丁酯、乙酸戊酯等酯等。此等溶劑，係可單獨使用一種或是組合使用兩種以上。
此外，上述剝離劑組成物，只要聚有機矽氧烷成分不會析出，亦能以調整黏度及表面張力等目的，同時含有良溶劑及一種或兩種以上的不良溶劑，其具體例可列舉：乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、二丙二醇、1,3-丁二醇、2,3-丁二醇等多元醇；甲醇、乙醇、丙醇等直鏈狀或支鏈狀烷基單醇；乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇、三丙二醇、己二醇、三乙二醇、1,2-丁二醇、2,3-丁二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇等二醇等。
當上述剝離劑組成物含有溶劑之情形時，溶劑的量，相對於組成物整體，通常可設為70質量%～99.9質量%，因此，聚二甲基矽氧烷所成之聚有機矽氧烷成分的量，相對於組成物整體，係0.1質量%～30質量%。
上述剝離劑組成物，在不損害本發明之效果之範圍內，亦可含有聚二甲基矽氧烷所成之聚有機矽氧烷成分及溶劑以外的其他成分，惟從再現性良好地獲得均一性優異的膜之觀點、避免調製組成物的複雜化之觀點等而言，上述剝離劑組成物係僅含有聚二甲基矽氧烷所成之聚有機矽氧烷成分及溶劑。
上述剝離劑組成物，例如可藉由將聚有機矽氧烷成分與溶劑混合來製造。
其混合順序並無特別限定，作為可輕易且再現性良好地製造剝離劑組成物之方法之一例，可列舉使聚有機矽氧烷成分一次性溶解於溶劑中之方法；以及使一部分的聚有機矽氧烷成分溶解於溶劑後，使剩餘部分另外溶解於溶劑中，再將所獲得之各溶液混合之方法，但不限於此等。在調製剝離劑組成物時，亦可在成分不會分解或變質之範圍內適宜加熱。
本發明中，亦能以除去異物之目的，在製造剝離劑組成物之過程中或將所有成分混合後，對所使用之溶劑及溶液等使用亞微米級的過濾器等進行過濾。
上述所說明之剝離劑組成物亦為本發明之標的，其相關各條件（理想的條件、製造條件等）係如上所述。藉由使用本發明之剝離劑組成物，能夠再現性良好地製造出理想的膜作為例如可用於製造半導體元件之剝離層。
作為由本發明之剝離劑組成物所獲得之膜的剝離層，係由聚二甲基矽氧烷所成之聚有機矽氧烷成分所構成，因此其並非硬化膜，而是熱可塑性膜，藉由使用如此熱可塑性膜可有效地抑制對於半導體基板的損傷。
本發明之積層體所具備之接著層，例如可為由含有接著劑成分（S）之接著劑組成物所獲得之膜。
如此接著劑成分（S），只要是用於此種用途，則無特別限定，可列舉例如：聚有機矽氧烷系接著劑、丙烯酸樹脂系接著劑、環氧樹脂系接著劑、聚醯胺系接著劑、聚苯乙烯系接著劑、聚醯亞胺系接著劑、酚樹脂系接著劑等，但不限於此等。
此等中，接著劑成分（S）理想為聚有機矽氧烷系接著劑（聚有機矽氧烷成分），因其在加工晶圓等時會表現出理想的接著能力，在加工後可適當地剝離，而且耐熱性亦優異，且與上述剝離層關係良好。
理想態樣中，本發明所使用之接著劑組成物，係含有藉由矽氫化反應而硬化之聚有機矽氧烷成分（A）作為接著劑成分；進一步理想的一例中，藉由矽氫化反應而硬化之聚有機矽氧烷成分（A）係含有聚矽氧烷（A1）及鉑族金屬系觸媒（A2）；上述聚矽氧烷（A1）含有選自由SiO 2表示之矽氧烷單元（Q單元）、由R 1R 2R 3SiO 1/2表示之矽氧烷單元（M單元）、由R 4R 5SiO 2/2表示之矽氧烷單元（D單元）、及由R 6SiO 3/2表示之矽氧烷單元（T單元）所成群中一種或兩種以上的單元；且上述聚矽氧烷（A1）係含有聚有機矽氧烷（a1）及聚有機矽氧烷（a2）；上述聚有機矽氧烷（a1）含有選自由SiO 2表示之矽氧烷單元（Q ’單元）、由R 1’R 2’R 3’SiO 1/2表示之矽氧烷單元（M ’單元）、由R 4’R 5’SiO 2/2表示之矽氧烷單元（D ’單元）、及由R 6’SiO 3/2表示之矽氧烷單元（T ’單元）所成群中一種或兩種以上的單元，並且含有選自上述M ’單元、D ’單元、及T ’單元所成群中至少一種；上述聚有機矽氧烷（a2）含有選自由SiO 2表示之矽氧烷單元（Q ”單元）、由R 1”R 2”R 3”SiO 1/2表示之矽氧烷單元（M ”單元）、由R 4”R 5”SiO 2/2表示之矽氧烷單元（D ”單元）、及由R 6”SiO 3/2表示之矽氧烷單元（T ”單元）所成群中一種或兩種以上的單元，並且含有選自上述M ”單元、D ”單元、及T ”單元所成群中至少一種。
R 1～R 6係鍵結於矽原子之基團或原子，各自獨立地表示烷基、烯基或氫原子。
R 1’～R 6’係鍵結於矽原子之基團，各自獨立地表示烷基或烯基，R 1’～R 6’之至少一個為烯基。
R 1”～R 6”係鍵結於矽原子之基團或原子，各自獨立地表示烷基或氫原子，R 1”～R 6”之至少一個為氫原子。
烷基，可為直鏈狀、支鏈狀、環狀之任一種，但理想為直鏈狀或支鏈狀烷基；其碳數雖無特別限定，但通常為1～40，理想為30以下，進一步理想為20以下，再進一步理想為10以下。
直鏈狀或支鏈狀烷基之具體例可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、正戊基、1-甲基-正丁基、2-甲基-正丁基、3-甲基-正丁基、1,1-二甲基-正丙基、1,2-二甲基-正丙基、2,2-二甲基-正丙基、1-乙基-正丙基、正己基、1-甲基-正戊基、2-甲基-正戊基、3-甲基-正戊基、4-甲基-正戊基、1,1-二甲基-正丁基、1,2-二甲基-正丁基、1,3-二甲基-正丁基、2,2-二甲基-正丁基、2,3-二甲基-正丁基、3,3-二甲基-正丁基、1-乙基-正丁基、2-乙基-正丁基、1,1,2-三甲基-正丙基、1,2,2-三甲基-正丙基、1-乙基-1-甲基-正丙基、1-乙基-2-甲基-正丙基等，但不限於此等。 其中，理想為甲基。
環狀烷基之具體例可列舉：環丙基、環丁基、1-甲基-環丙基、2-甲基-環丙基、環戊基、1-甲基-環丁基、2-甲基-環丁基、3-甲基-環丁基、1,2-二甲基-環丙基、2,3-二甲基-環丙基、1-乙基-環丙基、2-乙基-環丙基、環己基、1-甲基-環戊基、2-甲基-環戊基、3-甲基-環戊基、1-乙基-環丁基、2-乙基-環丁基、3-乙基-環丁基、1,2-二甲基-環丁基、1,3-二甲基-環丁基、2,2-二甲基-環丁基、2,3-二甲基-環丁基、2,4-二甲基-環丁基、3,3-二甲基-環丁基、1-正丙基-環丙基、2-正丙基-環丙基、1-異丙基-環丙基、2-異丙基-環丙基、1,2,2-三甲基-環丙基、1,2,3-三甲基-環丙基、2,2,3-三甲基-環丙基、1-乙基-2-甲基-環丙基、2-乙基-1-甲基-環丙基、2-乙基-2-甲基-環丙基、2-乙基-3-甲基-環丙基等環烷基；雙環丁基、雙環戊基、雙環己基、雙環庚基、雙環辛基、雙環壬基、雙環癸基等雙環烷基等，但不限於此等。
烯基，可為直鏈狀、支鏈狀之任一種，其碳數雖無特別限定，但通常為2～40，理想為30以下，進一步理想為20以下，再進一步理想為10以下。
烯基之具體例可列舉：乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-甲基-1-乙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-甲基-2-丙烯基、1-乙基乙烯基、1-甲基-1-丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-正丙基乙烯基、1-甲基-1-丁烯基、1-甲基-2-丁烯基、1-甲基-3-丁烯基、2-乙基-2-丙烯基、2-甲基-1-丁烯基、2-甲基-2-丁烯基、2-甲基-3-丁烯基、3-甲基-1-丁烯基、3-甲基-2-丁烯基、3-甲基-3-丁烯基、1,1-二甲基-2-丙烯基、1-異丙基乙烯基、1,2-二甲基-1-丙烯基、1,2-二甲基-2-丙烯基、1-環戊烯基、2-環戊烯基、3-環戊烯基、1-己烯基、2-己烯基、3-己烯基、4-己烯基、5-己烯基、1-甲基-1-戊烯基、1-甲基-2-戊烯基、1-甲基-3-戊烯基、1-甲基-4-戊烯基、1-正丁基乙烯基、2-甲基-1-戊烯基、2-甲基-2-戊烯基、2-甲基-3-戊烯基、2-甲基-4-戊烯基、2-正丙基-2-丙烯基、3-甲基-1-戊烯基、3-甲基-2-戊烯基、3-甲基-3-戊烯基、3-甲基-4-戊烯基、3-乙基-3-丁烯基、4-甲基-1-戊烯基、4-甲基-2-戊烯基、4-甲基-3-戊烯基、4-甲基-4-戊烯基、1,1-二甲基-2-丁烯基、1,1-二甲基-3-丁烯基、1,2-二甲基-1-丁烯基、1,2-二甲基-2-丁烯基、1,2-二甲基-3-丁烯基、1-甲基-2-乙基-2-丙烯基、1-二級丁基乙烯基、1,3-二甲基-1-丁烯基、1,3-二甲基-2-丁烯基、1,3-二甲基-3-丁烯基、1-異丁基乙烯基、2,2-二甲基-3-丁烯基、2,3-二甲基-1-丁烯基、2,3-二甲基-2-丁烯基、2,3-二甲基-3-丁烯基、2-異丙基-2-丙烯基、3,3-二甲基-1-丁烯基、1-乙基-1-丁烯基、1-乙基-2-丁烯基、1-乙基-3-丁烯基、1-正丙基-1-丙烯基、1-正丙基-2-丙烯基、2-乙基-1-丁烯基、2-乙基-2-丁烯基、2-乙基-3-丁烯基、1,1,2-三甲基-2-丙烯基、1-三級丁基乙烯基、1-甲基-1-乙基-2-丙烯基、1-乙基-2-甲基-1-丙烯基、1-乙基-2-甲基-2-丙烯基、1-異丙基-1-丙烯基、1-異丙基-2-丙烯基、1-甲基-2-環戊烯基、1-甲基-3-環戊烯基、2-甲基-1-環戊烯基、2-甲基-2-環戊烯基、2-甲基-3-環戊烯基、2-甲基-4-環戊烯基、2-甲基-5-環戊烯基、2-亞甲基-環戊基、3-甲基-1-環戊烯基、3-甲基-2-環戊烯基、3-甲基-3-環戊烯基、3-甲基-4-環戊烯基、3-甲基-5-環戊烯基、3-亞甲基-環戊基、1-環己烯基、2-環己烯基、3-環己烯基等，但不限於此等。其中，理想為乙烯基、2-丙烯基。
如上所述，聚矽氧烷（A1）係含有聚有機矽氧烷（a1）及聚有機矽氧烷（a2），而聚有機矽氧烷（a1）中所含之烯基及聚有機矽氧烷（a2）中所含之氫原子（Si-H基）藉由鉑族金屬系觸媒（A2）經由矽氫化反應而形成交聯結構並硬化。其結果，形成硬化膜。
聚有機矽氧烷（a1），係含有選自Q ’單元、M ’單元、D ’單元及T ’單元所成群中一種或兩種以上的單元，並且含有選自上述M ’單元、D ’單元及T ’單元所成群中至少一種。聚有機矽氧烷（a1），亦可組合使用兩種以上滿足如此條件之聚有機矽氧烷。
選自Q ’單元、M ’單元、D ’單元及T ’單元所成群中兩種以上的理想組合可列舉：（Q ’單元及M ’單元）、（D ’單元及M ’單元）、（T ’單元及M ’單元）、（Q ’單元、T ’單元及M ’單元），但不限於此等。
此外，於含有兩種以上聚有機矽氧烷（a1）中所含之聚有機矽氧烷之情形時，理想為：（Q ’單元及M ’單元）與（D ’單元及M ’單元）之組合、（T ’單元及M ’單元）與（D ’單元及M ’單元）之組合、（Q ’單元、T ’單元及M ’單元）與（T ’單元及M ’單元）之組合，但不限於此等。
聚有機矽氧烷（a2），係含有選自Q ”單元、M ”單元、D ”單元及T ”單元所成群中一種或兩種以上的單元，並且含有選自上述M ”單元、D ”單元及T ”單元所成群中至少一種。聚有機矽氧烷（a2），亦可組合使用兩種以上滿足如此條件之聚有機矽氧烷。
選自Q ”單元、M ”單元、D ”單元及T ”單元所成群中兩種以上的理想組合可列舉：（M ”單元及D ”單元）、（Q ”單元及M ”單元）、（Q ”單元、T ”單元及M ”單元），但不限於此等。
聚有機矽氧烷（a1），係由其矽原子上鍵結有烷基及／或烯基而成之矽氧烷單元所構成，由R 1’～R 6’表示之所有取代基中烯基的比例，理想為0.1莫耳%～50.0莫耳%，進一步理想為0.5莫耳%～30.0莫耳%，至於其餘R 1’～R 6’可為烷基。
聚有機矽氧烷（a2），係由其矽原子上鍵結有烷基及／或氫原子而成之矽氧烷單元所構成，由R 1”～R 6”表示之所有取代基及取代原子中氫原子的比例，理想為0.1莫耳%～50.0莫耳%，進一步理想為10.0莫耳%～40.0莫耳%，至於其餘R 1”～R 6”可為烷基。
聚矽氧烷（A1）係含有聚有機矽氧烷（a1）及聚有機矽氧烷（a2），而本發明之理想態樣中，聚有機矽氧烷（a1）中所含之烯基與聚有機矽氧烷（a2）中所含之構成Si-H鍵之氫原子的莫耳比，係在1.0：0.5～1.0：0.66之範圍內。
聚有機矽氧烷（a1）、聚有機矽氧烷（a2）等聚矽氧烷的重量平均分子量，通常分別為500～1,000,000，惟從再現性良好地實現本發明之效果之觀點而言，理想是分別為5,000～50,000。
聚有機矽氧烷（a1）及聚有機矽氧烷（a2）的黏度，通常分別為10～1000000（mPa･s），惟從再現性良好地實現本發明之效果之觀點而言，理想是分別為50～10000（mPa･s）。又，聚有機矽氧烷（a1）及聚有機矽氧烷（a2）的黏度，係在25℃下以E型旋轉黏度計所測定之值。
聚有機矽氧烷（a1）及聚有機矽氧烷（a2）係藉由矽氫化反應相互反應而成為膜。因此，其硬化機制係與例如經由矽醇基之機制不同，故任一矽氧烷皆無須含有矽醇基、或如烷氧基之藉由水解來形成矽醇基之官能基。
本發明之理想態樣中，接著劑成分（S）係同時含有上述聚矽氧烷（A1）及鉑族金屬系觸媒（A2）。 如此鉑系的金屬觸媒，係用以促進聚有機矽氧烷（a1）的烯基與聚有機矽氧烷（a2）的Si-H基之間的矽氫化反應之觸媒。
鉑系的金屬觸媒之具體例可列舉：鉑黑、四氯化鉑、氯鉑酸、氯鉑酸與一元醇之反應物、氯鉑酸與烯烴類之錯合物、雙乙醯乙酸鉑等鉑系觸媒，但不限於此等。
鉑與烯烴類之錯合物，可列舉例如二乙烯基四甲基二矽氧烷與鉑之錯合物，但不限於此。
鉑族金屬系觸媒（A2）的量，相對於聚有機矽氧烷（a1）及聚有機矽氧烷（a2）的合計量，通常在1.0～50.0ppm之範圍內。
聚有機矽氧烷成分（A），亦能以抑制矽氫化反應進行之目的而含有聚合抑制劑（A3）。 聚合抑制劑，只要可抑制矽氫化反應進行，則無特別限定，其具體例可列舉1-乙炔基-1-環己醇、1,1-二苯基-2-丙炔-1-醇等炔基醇等。
聚合抑制劑的量，相對於聚有機矽氧烷（a1）及聚有機矽氧烷（a2）的合計量，從獲得其效果之觀點而言，通常在1000.0ppm以上；從防止過度抑制矽氫化反應之觀點而言，通常在10000.0ppm以下。
本發明所使用之接著劑組成物亦可含有剝離劑成分（B）。藉由接著劑組成物中含有如此剝離劑成分（B），便可再現性良好且適當地剝離所獲得之接著層。
如此剝離劑成分（B），典型而言，可列舉聚有機矽氧烷，其具體例可列舉：含環氧基之聚有機矽氧烷、含甲基之聚有機矽氧烷、含苯基之聚有機矽氧烷等，但不限於此等。
作為剝離劑成分（B）之聚有機矽氧烷之理想例，可列舉：含環氧基之聚有機矽氧烷、含甲基之聚有機矽氧烷、含苯基之聚有機矽氧烷等，但不限於此等。
作為剝離劑成分（B）之聚有機矽氧烷的重量平均分子量，通常為100,000～2,000,000，惟從再現性良好地實現本發明之效果之觀點而言，理想為200,000～1,200,000，進一步理想為300,000～900,000；其分散度，通常為1.0～10.0，惟從再現性良好地實現理想的剝離之觀點等而言，理想為1.5～5.0，進一步理想為2.0～3.0。又，重量平均分子量及分散度可由上述方法進行測定。
作為剝離劑成分（B）之聚有機矽氧烷的黏度，通常為1,000～2,000,000mm 2/s。又，作為剝離劑成分（B）之聚有機矽氧烷的黏度的值，係以動黏度表示，厘司（cSt）=mm 2/s。亦可由黏度（mPa･s）除以密度（g/cm 3）求得。亦即，該值係可由在25℃下所測定之以E型旋轉黏度計所測定之黏度及密度求得，可由算式：動黏度（mm 2/s）=黏度（mPa･s）/密度（g/cm 3）算出。
含環氧基之聚有機矽氧烷，可列舉例如含有由R 11R 12SiO 2/2表示之矽氧烷單元（D 10單元）。
R 11係鍵結於矽原子之基團，表示烷基；R 12係鍵結於矽原子之基團，表示環氧基或含有環氧基之有機基；烷基之具體例可列舉上述例示。
含有環氧基之有機基中之環氧基，可不與其他環縮合而為獨立之環氧基，亦可如1,2-環氧環己基，為與其他環形成縮合環之環氧基。
含有環氧基之有機基之具體例，可列舉3-環氧丙氧基丙基（3-glycidoxypropyl）、2-(3,4-環氧環己基)乙基，但不限於此等。
本發明中，含環氧基之聚有機矽氧烷之一理想例，可列舉含環氧基之聚二甲基矽氧烷，但不限於此。
含環氧基之聚有機矽氧烷，係含有上述矽氧烷單元（D 10單元），但除了D 10單元以外，亦可含有上述Q單元、M單元及／或T單元。
本發明之理想態樣中，含環氧基之聚有機矽氧烷之具體例可列舉：僅由D 10單元所成之聚有機矽氧烷；含有D 10單元及Q單元之聚有機矽氧烷；含有D 10單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D 10單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D 10單元、Q單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D 10單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D 10單元、Q單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷等。
含環氧基之聚有機矽氧烷，理想為環氧值在0.1～5之含環氧基之聚二甲基矽氧烷，其重量平均分子量通常為1,500～500,000，惟從抑制接著劑中之析出之觀點而言，理想為100,000以下。
含環氧基之聚有機矽氧烷之具體例，可列舉由式（E1）至（E3）表示者，但不限於此等。
［化2］
Figure 02_image003
（m 1及n 1表示各重複單元的數量，且為正的整數。）
［化3］
Figure 02_image005
（m 2及n 2表示各重複單元的數量，且為正的整數；R為碳數1～10之伸烷基。）
［化4］
Figure 02_image007
（m 3、n 3及o 3表示各重複單元的數量，且為正的整數；R為碳數1～10之伸烷基。）
含甲基之聚有機矽氧烷，可列舉例如含有由R 210R 220SiO 2/2表示之矽氧烷單元（D 200單元），理想為含有由R 21R 22SiO 2/2表示之矽氧烷單元（D 20單元）。
R 210及R 220係鍵結於矽原子之基團，各自獨立地表示烷基，但至少其中一個為甲基；烷基之具體例可列舉上述例示。
R 21係鍵結於矽原子之基團，表示烷基；烷基之具體例可列舉上述例示。其中，R 21理想為甲基。
本發明中，含甲基之聚有機矽氧烷之一理想例，可列舉聚二甲基矽氧烷，但不限於此。
含甲基之聚有機矽氧烷係含有上述矽氧烷單元（D 200單元或D 20單元），但除了D 200單元及D 20單元以外，亦可含有上述Q單元、M單元及／或T單元。
本發明之某態樣中，含甲基之聚有機矽氧烷之具體例可列舉：僅由D 200單元所成之聚有機矽氧烷；含有D 200單元及Q單元之聚有機矽氧烷；含有D 200單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D 200單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D 200單元、Q單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D 200單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D 200單元、Q單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷。
本發明之理想態樣中，含甲基之聚有機矽氧烷之具體例可列舉：僅由D 20單元所成之聚有機矽氧烷；含有D 20單元及Q單元之聚有機矽氧烷；含有D 20單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D 20單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D 20單元、Q單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D 20單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D 20單元、Q單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷。
含甲基之聚有機矽氧烷之具體例，可列舉由式（M1）表示者，但不限於此。
［化5］
Figure 02_image009
（n 4係表示重複單元的數量，且為正的整數。）
含苯基之聚有機矽氧烷，可列舉例如含有由R 31R 32SiO 2/2表示之矽氧烷單元（D 30單元）。
R 31係鍵結於矽原子之基團，表示苯基或烷基；R 32係鍵結於矽原子之基團，表示苯基；烷基之具體例可列舉上述例示，但理想為甲基。
含苯基之聚有機矽氧烷係含有上述矽氧烷單元（D 30單元），但除了D 30單元以外，亦可含有上述Q單元、M單元及／或T單元。
本發明之理想態樣中，含苯基之聚有機矽氧烷之具體例可列舉：僅由D 30單元所成之聚有機矽氧烷；含有D 30單元及Q單元之聚有機矽氧烷；含有D 30單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D 30單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D 30單元、Q單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D 30單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D 30單元、Q單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷。
含苯基之聚有機矽氧烷之具體例，可列舉由式（P1）或（P2）表示者，但不限於此等。
［化6］
Figure 02_image011
（m 5及n 5表示各重複單元的數量，且為正的整數。）
［化7］
Figure 02_image013
（m 6及n 6表示各重複單元的數量，且為正的整數。）
本發明所使用之接著劑組成物，係能夠以任意比率含有接著劑成分（S）及剝離劑成分（B），但若考慮到接著性與剝離性之平衡，成分（S）與成分（B）之比率，以質量比計，理想為99.995：0.005～30：70，進一步理想為99.9：0.1～75：25。
亦即，當含有藉由矽氫化反應而硬化之聚有機矽氧烷成分（A）之情形時，成分（A）與成分（B）之比率，以質量比計，理想為99.995：0.005～30：70，進一步理想為99.9：0.1～75：25。
本發明所使用之接著劑組成物，亦能以調整黏度等為目的而含有溶劑，其具體例可列舉：脂肪族烴、芳香族烴、酮等，但不限於此等。
更具體而言，可列舉：己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、異十二烷、薄荷烷、檸檬烯、甲苯、二甲苯、對稱三甲苯、異丙苯、MIBK（甲基異丁基酮）、乙酸丁酯、二異丁基酮、2-辛酮、2-壬酮、5-壬酮等，但不限於此等。如此溶劑，係可單獨使用一種或是組合使用兩種以上。
當本發明所使用之接著劑組成物含有溶劑之情形時，其含量，雖是考量到所期望之組成物的黏度、所採用之塗布方法、所製作之膜的厚度等而適宜設定，但相對於組成物整體，係在10～90質量%左右之範圍。
本發明所使用之接著劑組成物的黏度，在25℃下通常為500～20,000mPa･s，理想為1,000～5,000mPa･s。本發明所使用之接著劑組成物的黏度，可考慮到所使用之塗布方法、所期望之膜厚等各種要素，藉由變更所使用之溶劑的種類或其等之比率、膜構成成分濃度等來進行調整。又，本發明中，膜構成成分係意指組成物中所含之溶劑以外的成分。
本發明所使用之接著劑組成物，係可藉由混合接著劑成分（S）、與當有使用時再混合剝離劑成分（B）及溶劑來製造。
其混合順序並無特別限定，作為可輕易且再現性良好地製造接著劑組成物之方法之一例，可列舉例如：使接著劑成分（S）及剝離劑成分（B）溶解於溶劑中之方法；以及使一部分的接著劑成分（S）及剝離劑成分（B）溶解於溶劑後，使剩餘部分溶解於溶劑中，再將所獲得之溶液混合之方法，但不限於此等。又，在調製接著劑組成物時，亦可在成分不會分解或變質之範圍內適宜加熱。
本發明中，亦能以除去異物之目的，在製造接著劑組成物之過程中或將所有成分混合後，對所使用之溶劑及溶液等使用亞微米級的過濾器等進行過濾。
本發明之積層體所具備之接著層的厚度，通常為5～500μm，惟從保持膜強度之觀點而言，理想為10μm以上，進一步理想為20μm以上，再進一步理想為30μm以上；從避免因厚膜導致不均一性之觀點而言，理想為200μm以下，進一步理想為150μm以下，再進一步理想為120μm以下，更加理想為70μm以下。
本發明之積層體，例如可由包含以下步驟之方法來製造：第一步驟，將剝離劑組成物塗布於半導體基板的表面，如有需要則將其加熱，而形成剝離劑塗布層；第二步驟，將接著劑組成物塗布於支撐基板的表面，如有需要則將其加熱，而形成接著劑塗布層；以及第三步驟，對半導體基板的剝離劑塗布層、以及支撐基板的接著劑塗布層實施加熱處理及減壓處理之至少一種處理，同時施加上述半導體基板及上述支撐基板之厚度方向的荷重，使之密著，隨後，實施後加熱處理，藉此形成積層體。 又，只要不會損害本發明之效果，亦可在任一基板上，分別依序進行各組成物之塗布及加熱。
塗布方法雖無特別限定，但通常為旋轉塗布法。又，可採用另外以旋轉塗布法等形成塗布膜，再貼附片材狀的塗布膜作為接著劑塗布層或剝離劑塗布層之方法。
所塗布之接著劑組成物的加熱溫度，係視接著劑組成物所含之接著劑成分的種類及量、含有溶劑與否、所使用之溶劑的沸點、所期望之接著層的厚度等而異，故無法一概規定，通常為80℃～150℃；至於其加熱時間，通常為30秒～5分鐘。 當接著劑組成物含有溶劑之情形時，通常會對所塗布之接著劑組成物進行加熱。
所塗布之剝離劑組成物的加熱溫度，係視酸產生劑的種類及量、所使用之溶劑的沸點、所期望之剝離層的厚度等而異，故無法一概規定，惟從再現性良好地實現理想的剝離層之觀點而言，為80℃以上；從抑制酸產生劑分解之觀點等而言，為300℃以下；至於其加熱時間，係視加熱溫度，通常在10秒～10分鐘之範圍內適宜決定。 當剝離劑組成物含有溶劑之情形時，通常會對所塗布之剝離劑組成物進行加熱。
加熱，可使用加熱板、烘箱等進行。
塗布接著劑組成物後再將其加熱而獲得之接著劑塗布層的膜厚，係最終能適宜定為上述接著層的厚度之範圍。
塗布剝離劑組成物後再將其加熱而獲得之剝離劑塗布層的膜厚，係最終能適宜定為上述剝離層的厚度之範圍。
本發明中，將如此塗布層彼此相接貼合，實施加熱處理或減壓處理或者此兩種處理，同時施加半導體基板及支撐基板之厚度方向的荷重，使兩個層密著，隨後，實施後加熱處理，藉此可獲得本發明之積層體。又，要採用加熱處理、減壓處理、並用兩種處理之哪一種處理條件，係考量到接著劑組成物的種類、所要求之接著強度等各種情事後才適宜決定。
加熱處理，從使接著劑塗布層軟化以實現與剝離劑塗布層適當地貼合之觀點、使在形成接著劑塗布層時之加熱中未能充分硬化之種類的接著劑適當地硬化之觀點等而言，通常係從20～150℃之範圍內適宜決定。尤其，從抑制或避免接著劑成分（S）的過度硬化或不必要的變質之觀點而言，理想為130℃以下，進一步理想為90℃以下；至於其加熱時間，從確實地表現理想的接著之觀點而言，通常為30秒以上，理想為1分鐘以上，惟從抑制接著層及其他部件變質之觀點而言，通常為10分鐘以下，理想為5分鐘以下。
減壓處理，可使彼此相接之接著劑塗布層及剝離劑塗布層暴露在10Pa～10,000Pa的氣壓下。減壓處理的時間，通常為1～30分鐘。
從再現性良好地獲得基板能良好地分離之積層體之觀點而言，彼此相接之接著劑塗布層及剝離劑塗布層理想是藉由減壓處理來進行貼合，進一步理想是藉由並用加熱處理及減壓處理來進行貼合。
上述半導體基板及上述支撐基板之厚度方向的荷重，只要為不會對上述半導體基板及上述支撐基板以及此等之間的兩個層帶來不良影響，且可使此等確實地密著之荷重，則無特別限定，通常係在10～1000N之範圍內。
後加熱的溫度，從實現充分的硬化速度之觀點等而言，理想為120℃以上；從防止基板及各層變質之觀點等而言，理想為260℃以下。
後加熱的時間，從實現構成積層體之基板及層之理想的接合之觀點而言，通常為1分鐘以上，理想為5分鐘以上；從抑制或避免因過度加熱而對各層帶來不良影響等之觀點而言，通常為180分鐘以下，理想為120分鐘以下。
加熱，可使用加熱板、烘箱等進行。當使用加熱板進行後加熱之情形時，可將積層體的半導體基板及支撐基板之任一基板朝下進行加熱，惟從再現性良好地實現理想的剝離之觀點而言，理想是將半導體基板朝下進行後加熱。
又，後加熱處理之一目的，係在於實現作為更加理想的自立膜之接著層，尤其當含有藉由矽氫化反應而硬化之成分之情形時，係在於適當地實現其硬化。
本發明之加工後之半導體基板之製造方法，係包含將本發明之積層體的上述半導體基板進行加工之第一步驟。
第一步驟中，施予在半導體基板上之加工例如係指對晶圓之電路面的相反側進行之加工，可列舉藉由研磨晶圓背面來使晶圓薄化。之後，進行矽穿孔電極（TSV）等之形成，隨後從支撐基板上將薄化晶圓剝離，形成晶圓的積層體，再實施三維安裝。此外，亦在其前後進行晶圓背面電極等之形成。晶圓之薄化及TSV製程中，會在被接著於支撐基板之狀態下負荷250～350℃左右的高溫。本發明之積層體，包含接著層及剝離層在內，係具有對該負荷之耐熱性。
並且，本發明之積層體，係上述剝離層形成為與半導體基板相接，因此即使在施加高溫或壓力之情形時，仍可抑制起因於如此外部負荷所導致之如半導體基板所具有之凸塊變形之半導體基板的損傷。就此點而言，因是視接著層的種類及膜厚、剝離層的厚度等而異，故無法一概規定，但具體而言，本發明之積層體中，通常即使在溫度200℃以上之條件下，理想態樣中是即使在溫度250℃以上之條件下，進一步理想態樣中是即使在300℃以上之條件下，再進一步理想態樣中是即使在350℃以上之條件下，更加理想態樣中是即使在350℃以上、加壓力60N/cm 2以上之條件下，再更進一步理想態樣中是即使在溫度400℃以上、加壓力120N/cm 2以上之嚴苛條件下，仍可降低該半導體基板的損傷。
又，加工不限於以上所述，亦包含例如在為了支撐用以安裝半導體零件之基材而與支撐基板暫時接著之情形時，實施半導體零件安裝製程等。
本發明之加工後之半導體基板之製造方法，通常係包含將半導體基板與支撐基板分離（剝離）之第二步驟。
本發明之積層體，其基板及接著層係經由剝離層而可剝離地接著，故將半導體基板與支撐基板分離（剝離）之方法可列舉：將之浸漬於溶劑、雷射剝離、由具銳部之機材進行之機械剝離、於支撐體與晶圓間撕揭之剝離等，但不限於此等。
尤其，本發明之積層體，由於適當地形成其剝離層，因此藉由將積層體浸漬於有機溶劑中，從而可在剝離層與接著層之界面輕易地剝離。如此有機溶劑，典型而言，可列舉：己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、異十二烷等直鏈狀或支鏈狀脂肪族飽和烴等直鏈狀或支鏈狀脂肪族烴；環己烷、環庚烷、環辛烷、異丙基環己烷、對薄荷烷等環狀脂肪族飽和烴、檸檬烯等環狀脂肪族不飽和烴等環狀脂肪族烴；苯、甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、對稱三甲苯、1,2,4-三甲苯、異丙苯、1,4-二異丙苯、對異丙基甲苯等芳香族烴；MIBK（甲基異丁基酮）、乙基甲基酮、丙酮、二異丁基酮、2-辛酮、2-壬酮、5-壬酮等二烷基酮、環己酮等環烷基酮等脂肪族飽和烴酮、異佛爾酮等烯基酮等脂肪族不飽和烴酮等酮；二乙基醚、二(正丙基)醚、二(正丁基)醚、二(正戊基)醚等二烷基醚、四氫呋喃、二噁烷等環狀烷基醚等醚；二乙基硫醚、二(正丙基)硫醚、二(正丁基)硫醚等二烷基硫醚等硫醚；乙酸丁酯、乙酸戊酯等酯等。此等有機溶劑，係可單獨使用一種或是組合使用兩種以上。
當支撐基板具有透光性之情形時，從支撐基板側對剝離層或接著層照射必要的光，藉此使剝離層或接著層發生分離或分解，隨後，例如可將任一基板拉起，從而輕易地將半導體基板與支撐基板分離。 光之照射，可使用雷射光進行，亦可使用來自燈等之光源的非雷射光進行。
本發明之加工後之半導體基板之製造方法，通常係包含將已分離之半導體基板洗淨之第三步驟。洗淨，為了將接著劑殘渣及剝離劑殘渣清除，可對已分離之半導體基板的表面噴塗洗淨劑組成物、或將已分離之半導體基板浸漬於洗淨劑組成物中來進行。此外，亦可使用去除膠帶等來清除殘渣。
與本發明之加工後之半導體基板之製造方法的上述步驟相關之構成要素及方法要素，只要在不脫離本發明要旨之範圍內，亦可進行各種變更。 本發明之加工後之半導體基板之製造方法亦可包含上述步驟以外的步驟。
本發明之剝離方法，係藉由將本發明之積層體浸漬於有機溶劑中，來將半導體基板與支撐基板分離。 ［實施例］
（1）攪拌機：新基股份有限公司製之自轉公轉攪拌機ARE-500。 （2）流變儀：日本安東帕股份有限公司製之黏彈性測定裝置MCR302。 （3）真空貼合裝置：休斯微技術股份有限公司製之手動接合機（Manual bonder）。 （4）加熱壓接裝置：休斯微技術股份有限公司製之8吋手動接合機。
［1］接著劑組成物之調製 ［調製例1］ 於自轉公轉攪拌機專用600mL攪拌容器中加入：含有聚矽氧烷骨架及乙烯基之MQ樹脂（瓦克化學公司製）80g、黏度100mPa･s的含SiH基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷（瓦克化學公司製）2.52g、黏度70mPa･s的含SiH基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷（瓦克化學公司製）5.89g、1-乙炔基-1-環己醇（瓦克化學公司製）0.22g，並以攪拌機攪拌5分鐘。
於所獲得之混合物中加入：另外將鉑觸媒（瓦克化學公司製）0.147g及黏度1,000mPa･s的含乙烯基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷（瓦克化學公司製）5.81g以攪拌機攪拌5分鐘而獲得之混合物中的3.96g，再以攪拌機攪拌5分鐘。 最後，以尼龍過濾器300網目過濾所獲得之混合物，從而獲得接著劑組成物。
［2］剝離劑組成物之調製 ［調製例2-1］ 於自轉公轉攪拌機專用600mL攪拌容器中加入：黏度5000000mPa･s的為聚二甲基矽氧烷之聚有機矽氧烷（瓦克化學公司製，商品名GENIOPLAST GUM）50g、及對薄荷烷（日本萜類化學（Nippon Terpene Chemicals）股份有限公司製）450g，並以攪拌機攪拌5分鐘。 最後，以尼龍過濾器300網目過濾所獲得之混合物，從而獲得剝離劑組成物。
［調製例2-2］ 於自轉公轉攪拌機專用600mL攪拌容器中加入：黏度5000000mPa･s的為聚二甲基矽氧烷之聚有機矽氧烷（瓦克化學公司製，商品名GENIOPLAST GUM）25g、黏度1000000mPa･s的為聚二甲基矽氧烷之聚有機矽氧烷（瓦克化學公司製，商品名AK1000000）25g、及對薄荷烷（日本萜類化學股份有限公司製）450g，並以攪拌機攪拌5分鐘。 最後，以尼龍過濾器300網目過濾所獲得之混合物，從而獲得剝離劑組成物。
［調製例2-3］ 於自轉公轉攪拌機專用600mL攪拌容器中加入：黏度1000000mPa･s的為聚二甲基矽氧烷之聚有機矽氧烷（瓦克化學公司製，商品名AK1000000）50g、及對薄荷烷（日本萜類化學股份有限公司製）450g，並以攪拌機攪拌5分鐘。 最後，以尼龍過濾器300網目過濾所獲得之混合物，從而獲得剝離劑組成物。
［調製例2-4］ 於自轉公轉攪拌機專用600mL攪拌容器中加入：黏度5000000mPa･s的為聚二甲基矽氧烷之聚有機矽氧烷（瓦克化學公司製，商品名GENIOPLAST GUM）25g、黏度10000mPa･s的為聚二甲基矽氧烷之聚有機矽氧烷（瓦克化學公司製，商品名AK10000）25g、及對薄荷烷（日本萜類化學股份有限公司製）450g，並以攪拌機攪拌5分鐘。 最後，以尼龍過濾器300網目過濾所獲得之混合物，從而獲得剝離劑組成物。
［調製例2-5］ 於自轉公轉攪拌機專用600mL攪拌容器中加入：黏度5000000mPa･s的為聚二甲基矽氧烷之聚有機矽氧烷（瓦克化學公司製，商品名GENIOPLAST GUM）25g、黏度1000mPa･s的為聚二甲基矽氧烷之聚有機矽氧烷（瓦克化學公司製，商品名AK1000）25g、及對薄荷烷（日本萜類化學股份有限公司製）450g，並以攪拌機攪拌5分鐘。 最後，以尼龍過濾器300網目過濾所獲得之混合物，從而獲得剝離劑組成物。
［調製例2-6］ 於自轉公轉攪拌機專用600mL攪拌容器中加入：黏度5000000mPa･s的為聚二甲基矽氧烷之聚有機矽氧烷（瓦克化學公司製，商品名GENIOPLAST GUM）25g、黏度50mPa･s的為聚二甲基矽氧烷之聚有機矽氧烷（瓦克化學公司製，商品名AK50）25g、及對薄荷烷（日本萜類化學股份有限公司製）450g，並以攪拌機攪拌5分鐘。 最後，以尼龍過濾器300網目過濾所獲得之混合物，從而獲得剝離劑組成物。
［調製例2-7］ 於自轉公轉攪拌機專用600mL攪拌容器中加入：黏度5000000mPa･s的為聚二甲基矽氧烷之聚有機矽氧烷（瓦克化學公司製，商品名GENIOPLAST GUM）25g、黏度30000mPa･s的為聚甲基苯基矽氧烷之聚有機矽氧烷（Gelest公司製，商品名PMM-1043）25g、及對薄荷烷（日本萜類化學股份有限公司製）450g，並以攪拌機攪拌5分鐘。 最後，以尼龍過濾器300網目過濾所獲得之混合物，從而獲得剝離劑組成物。
［調製例2-8］ 於自轉公轉攪拌機專用600mL攪拌容器中加入：黏度5000000mPa･s的為聚二甲基矽氧烷之聚有機矽氧烷（瓦克化學公司製，商品名GENIOPLAST GUM）25g、黏度500mPa･s的為聚甲基苯基矽氧烷之聚有機矽氧烷（Gelest公司製，商品名PMM-1023）25g、及對薄荷烷（日本萜類化學股份有限公司製）450g，並以攪拌機攪拌5分鐘。 最後，以尼龍過濾器300網目過濾所獲得之混合物，從而獲得剝離劑組成物。
［3］聚有機矽氧烷混合物（聚有機矽氧烷成分）之黏度測定 ［調製例3-1至3-8］ 首先，除了不使用對薄荷烷以外，其餘皆分別進行與調製例2-1至2-8中相同的作業，來調製聚有機矽氧烷混合物。
分別將所獲得之各聚有機矽氧烷混合物以45℃恆溫槽內的攪拌轉子攪拌一晚。接著，讓各混合物放置冷卻至室溫後，再以攪拌機進一步攪拌5分鐘。藉由如此攪拌，會獲得已充分混合之均一性高的聚有機矽氧烷混合物。然後，使用流變儀測定所獲得之各混合物在25℃的黏度，藉此算出聚有機矽氧烷成分（以下，亦稱作POS成分）的黏度。結果示於表1。
［表1］
調製例 黏度（Pa･s）
3-1 5573
3-2 3473
3-3 1277
3-4 1023
3-5 893
3-6 705
3-7 1225
3-8 741
［4］樣品基板之製作 ［製造例1］ 切割附凸塊之基板（晶圓）作為裝置側的晶圓（半導體基板），準備4cm×4cm的樣品基板。又，每一個樣品基板的凸塊數量為5044個，且凸塊結構係：柱部由銅所構成；蓋部由錫銀（銀1.8wt%）所構成；以及柱與蓋之間由鎳所構成。
［製造例2］ 切割矽晶圓作為裝置側的晶圓（半導體基板），準備4cm×4cm的樣品基板。
［5］評價用積層體之製作 ［比較例1］ 將調製例1中所獲得之接著劑組成物旋轉塗布於製造例1中所獲得之樣品基板存在凸塊之面上，使最終所獲得之積層體中的膜厚為60μm，從而在作為半導體基板之樣品基板上形成接著劑塗布層。 然後，使用貼合裝置，將樣品基板（矽晶圓）與作為支撐基板之100mm玻璃晶圓以夾住接著劑塗布層的方式進行貼合後，將樣品基板朝下，在加熱板上進行200℃、10分鐘的後加熱處理，藉此製作積層體。又，貼合係在溫度23℃、減壓度1,500Pa下進行。
［比較例2］ 將調製例2-1中所獲得之剝離劑組成物旋轉塗布於製造例1中所獲得之樣品基板存在凸塊之面上，使最終所獲得之積層體中的膜厚為2.50μm，並且在120℃下加熱90秒，從而在作為半導體基板之樣品基板上形成剝離劑塗布層。 另一方面，將調製例1中所獲得之接著劑組成物旋轉塗布於100mm玻璃晶圓（EAGLE-XG，康寧公司製，厚度500μm，以下相同）上，使最終所獲得之積層體中的膜厚為60μm，從而在作為支撐基板之玻璃晶圓上形成接著劑塗布層。 然後，使用貼合裝置，將樣品基板（矽晶圓）與玻璃晶圓以夾住剝離劑塗布層及接著劑塗布層的方式進行貼合後，將樣品基板朝下，在加熱板上進行200℃、10分鐘的後加熱處理，藉此製作積層體。又，貼合係在溫度23℃、減壓度1,500Pa下進行。
［實施例1至4及比較例3］ 除了分別使用調製例2-2至2-6中所獲得之剝離劑組成物來取代調製例2-1中所獲得之剝離劑組成物以外，其餘皆以與比較例2相同方法製作積層體。
［實施例5至8、比較例4］ 除了剝離層的厚度分別設為0.50μm、1.00μm、1.50μm、2.00μm或5.00μm以外，其餘皆以與實施例1相同方法製作積層體。
［比較例5至6］ 除了分別使用調製例2-7至2-8中所獲得之剝離劑組成物來取代調製例2-1中所獲得之剝離劑組成物以外，其餘皆以與比較例2相同方法製作積層體。
［6］積層體之高溫高壓處理 使用加熱壓接裝置，對實施例1至5及比較例1至4中所獲得之各積層體施予高溫高壓處理。處理係由以下順序進行。 將積層體的支撐基板朝下放置於設定為70℃之平台上，在溫度420℃、壓力120N/cm 2、及處理時間8秒之加熱壓接條件下，從半導體基板側在半導體基板及支撐基板之垂直方向上施加壓力，同時加熱。 隔著作為支撐基板之玻璃基板，使用光學顯微鏡觀察處理後之各積層體的半導體基板狀況，以肉眼確認有無凸塊變形。此外，對一部分的積層體，於觀察後確認是否能以手動將附凸塊之基板從積層體上剝離。結果示於表2及3。
［表2］
  膜厚 （μm） POS成分的黏度 （Pa･s） 凸塊變形 剝離可否
比較例1 - - 有 不可
比較例2 2.50 5573 有 -
實施例1 2.50 3473 無 可
實施例2 2.50 1277 無 可
實施例3 2.50 1023 無 可
實施例4 2.50 893 無 -
比較例3 2.50 705 有 不可
［表3］
  膜厚 （μm） POS成分的黏度 （Pa･s） 凸塊變形 剝離可否
實施例5 0.50 3473 無 -
實施例1 2.50 3473 無 可
比較例4 5.00 3473 有 -
如表2及3所示，具備由含有具有本發明指定範圍的黏度之聚二甲基矽氧烷所成之聚有機矽氧烷成分之剝離劑組成物所獲得，且具有本發明指定範圍的膜厚之膜作為剝離層之積層體，係可抑制因高溫高壓處理引起之凸塊變形。此外，實施例1至3的積層體，係確認到：即使在高溫高壓處理後，仍可僅用手提起支撐基板，即容易地將支撐基板從積層體上拆除，且可輕易地將半導體基板與支撐基板分離。
另一方面，如表2所示，具備由含有不具本發明指定範圍的黏度之聚二甲基矽氧烷所成之聚有機矽氧烷成分之剝離劑組成物所獲得之膜作為剝離層之積層體，係即使該膜具有本發明指定範圍的膜厚，仍無法抑制凸塊變形。
此外，如表3所示，具備不具本發明指定範圍的膜厚之膜作為剝離層之積層體，係即使該膜為由含有具有本發明指定範圍的黏度之聚二甲基矽氧烷所成之聚有機矽氧烷成分之剝離劑組成物所獲得之膜，仍無法抑制凸塊變形。
從以上結果可知：為了要抑制凸塊變形，係需要由具有本發明指定範圍的黏度之聚二甲基矽氧烷所成之聚有機矽氧烷成分所構成，且具有本發明指定範圍的膜厚之剝離層。
［7］積層體之高溫處理 使用加熱板，對實施例1、5至8及比較例4至6中所獲得之各積層體施予高溫處理。處理係由以下順序進行。 將積層體的支撐基板朝下放置於設定為280℃之加熱板上，加熱5分鐘。 隔著作為支撐基板之玻璃基板，使用光學顯微鏡觀察處理後之各積層體的半導體基板狀況，以肉眼確認有無凸塊變形。此外，對一部分的積層體，於觀察後確認是否能以手動將附凸塊之基板從積層體上剝離。結果示於表4及5。
［表4］
  膜厚 （μm） POS成分的黏度 （Pa･s） 凸塊變形 剝離可否
實施例5 0.50 3473 無 -
實施例6 1.00 3473 無 -
實施例7 1.50 3473 無 -
實施例8 2.00 3473 無 可
實施例1 2.50 3473 無 可
比較例4 5.00 3473 有 -
［表5］
  膜厚 （μm） POS成分的黏度 （Pa･s） 凸塊變形 剝離可否
實施例1 2.50 3473 無 可
比較例5 2.50 1225 有 -
比較例6 2.50 741 有 -
如表4所示，具備不具本發明指定範圍的膜厚之膜作為剝離層之積層體，係即使該膜為由含有具有本發明指定範圍的黏度之聚二甲基矽氧烷所成之聚有機矽氧烷成分之剝離劑組成物所獲得之膜，在進行加熱處理之情形時，仍無法抑制凸塊變形。另一方面，具備由含有具有本發明指定範圍的黏度之聚二甲基矽氧烷所成之聚有機矽氧烷成分之剝離劑組成物所獲得，且具有本發明指定範圍的膜厚之膜作為剝離層之積層體，係可抑制因高溫處理引起之凸塊變形。此外，實施例1及8的積層體，係確認到：即使在高溫處理後，仍可僅用手提起支撐基板，即容易地將支撐基板從積層體上拆除，且可輕易地將半導體基板與支撐基板分離。
如表5所示，具備由含有聚二甲基矽氧烷及聚甲基苯基矽氧烷所成之聚有機矽氧烷成分之剝離劑組成物所獲得之膜作為剝離層之積層體，係在進行加熱處理之情形時，無法抑制凸塊變形。
從以上結果可知：為了要抑制凸塊變形，係需要由具有本發明指定範圍的黏度之聚二甲基矽氧烷所成之聚有機矽氧烷成分所構成，且具有本發明指定範圍的膜厚之剝離層。
［8］藉由溶劑進行之剝離性之確認 ［比較參考例1］ 將調製例1中所獲得之接著劑組成物旋轉塗布於製造例2中所獲得之樣品基板上，使最終膜厚為60μm，而形成接著劑塗布層，再將形成有該接著劑塗布層之樣品基板以基板朝下在200℃下於加熱板上加熱10分鐘，從而獲得具有接著層之樣品基板。將該基板浸漬於9mL的對薄荷烷中，測量直到接著層開始剝離為止的時間。又，當直到5分鐘後仍無法確認到剝離之情形時，評價為無剝離（以下相同）。
［參考例1］ 將調製例2-2中所獲得之剝離劑組成物旋轉塗布於製造例2中所獲得之樣品基板上，使最終膜厚為2.50μm，而形成剝離劑塗布層後，於該層上旋轉塗布調製例1中所獲得之接著劑組成物，使最終膜厚為60μm，而形成接著劑塗布層，再將形成有該兩個塗布層之樣品基板以基板朝下在200℃下於加熱板上加熱10分鐘，從而獲得具有接著層及剝離層之樣品基板。將該基板浸漬於9mL的對薄荷烷中，測量直到接著層開始剝離為止的時間。
結果統一示於表6。如表6所示，可確認到：形成於由本發明之剝離劑組成物所獲得之剝離層上之接著層，係藉由浸漬於有機溶劑中而會良好地剝離。
［表6］
  膜厚 （μm） POS成分的黏度 （Pa･s） 直到開始剝離為止的時間 （秒）
比較參考例1 - - 無剝離
參考例1 2.50 3473 15

Claims (18)

  1. 一種積層體，其具備： 半導體基板、 支撐基板、 設為與該半導體基板相接之剝離層、以及 設在該支撐基板與該剝離層之間之接著層；其特徵係 該剝離層係由含有聚二甲基矽氧烷所成之聚有機矽氧烷成分之剝離劑組成物所獲得之膜； 該聚有機矽氧烷成分在25℃的黏度為5.50×10 3Pa･s～0.75×10 3Pa･s；且 該膜的厚度為0.01μm～4.90μm。
  2. 如請求項1所述之積層體，其中，該聚有機矽氧烷成分在25℃的黏度為5.00×10 3Pa･s～0.80×10 3Pa･s。
  3. 如請求項2所述之積層體，其中，該聚有機矽氧烷成分在25℃的黏度為4.52×10 3Pa･s～0.96×10 3Pa･s。
  4. 如請求項1所述之積層體，其中，該膜的厚度為0.25μm～3.75μm。
  5. 如請求項4所述之積層體，其中，該膜的厚度為1.75μm～2.75μm。
  6. 如請求項1所述之積層體，其中，該接著層設為與該支撐基板及該剝離層相接。
  7. 如請求項1至6中任一項所述之積層體，其中，該接著層為使用含有接著劑成分（S）之接著劑組成物而獲得之膜，且該接著劑成分（S）含有選自聚有機矽氧烷系接著劑、丙烯酸樹脂系接著劑、環氧樹脂系接著劑、聚醯胺系接著劑、聚苯乙烯系接著劑、聚醯亞胺系接著劑及酚樹脂系接著劑中至少一種。
  8. 如請求項7所述之積層體，其中，該接著劑成分（S）含有聚有機矽氧烷系接著劑。
  9. 如請求項8所述之積層體，其中，該聚有機矽氧烷系接著劑含有藉由矽氫化反應而硬化之聚有機矽氧烷成分（A）。
  10. 一種剝離劑組成物，其係用以形成積層體之剝離層，且該積層體具備半導體基板、支撐基板、設為與該半導體基板相接之該剝離層、以及設在該支撐基板與該剝離層之間之接著層，作為該剝離層之膜的厚度為0.01μm～4.90μm；其特徵係含有聚二甲基矽氧烷所成之聚有機矽氧烷成分，且該聚有機矽氧烷成分在25℃的黏度為5.50×10 3Pa･s～0.75×10 3Pa･s。
  11. 如請求項10所述之剝離劑組成物，其中，該聚有機矽氧烷成分在25℃的黏度為5.00×10 3Pa･s～0.80×10 3Pa･s。
  12. 如請求項11所述之剝離劑組成物，其中，該聚有機矽氧烷成分在25℃的黏度為4.52×10 3Pa･s～0.96×10 3Pa･s。
  13. 如請求項10所述之剝離劑組成物，其中，該膜的厚度為0.25μm～3.75μm。
  14. 如請求項13所述之剝離劑組成物，其中，該膜的厚度為1.75μm～2.75μm。
  15. 如請求項10所述之剝離劑組成物，其中，該接著層設為與該支撐基板及該剝離層相接。
  16. 如請求項10所述之剝離劑組成物，其中，該接著層為使用含有接著劑成分（S）之接著劑組成物而獲得之膜，且該接著劑成分（S）含有選自聚有機矽氧烷系接著劑、丙烯酸樹脂系接著劑、環氧樹脂系接著劑、聚醯胺系接著劑、聚苯乙烯系接著劑、聚醯亞胺系接著劑及酚樹脂系接著劑中至少一種。
  17. 如請求項16所述之剝離劑組成物，其中，該接著劑成分（S）含有聚有機矽氧烷系接著劑。
  18. 如請求項17所述之剝離劑組成物，其中，該聚有機矽氧烷系接著劑含有藉由矽氫化反應而硬化之聚有機矽氧烷成分（A）。
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