JP7345725B2 - 半導体基板の洗浄方法、加工された半導体基板の製造方法及び剥離用組成物 - Google Patents
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Description
この点、銅やスズといった金属からバンプボールは、耐腐食性に乏しいことから、支持体やウエハーの接着剤残留物を除去するための洗浄剤組成物で損傷を受けるという課題があり(特許文献3)、基板の洗浄の際にバンプボールを腐食しないことが、洗浄剤組成物や洗浄方法に求められる事項の一つとして挙げられる。
1.半導体基板上の接着層を、剥離用組成物を用いて剥離する工程を含む、半導体基板の洗浄方法であって、
上記剥離用組成物が、溶媒を含み、塩を含まず、
上記溶媒が、式(L)で表される有機溶媒を80質量%以上含むことを特徴とする半導体基板の洗浄方法、
2.上記溶媒が、上記式(L)で表される有機溶媒を85質量%以上含む1の半導体基板の洗浄方法、
3.上記溶媒が、上記式(L)で表される有機溶媒からなる2の半導体基板の洗浄方法、
4.上記L1及びL2が、同一の基である1~3のいずれかの半導体基板の洗浄方法、
5.上記炭素数2~5のアルキル基が、エチル基、n-プロピル基又はn-ブチル基である4の半導体基板の洗浄方法、
6.上記接着層が、シロキサン系接着剤、アクリル樹脂系接着剤、エポキシ樹脂系接着剤、ポリアミド系接着剤、ポリスチレン系接着剤、ポリイミド接着剤及びフェノール樹脂系接着剤から選ばれる少なくとも1種を含む接着剤成分(S)を含む接着剤組成物を用いて得られる膜であることを特徴とする1~5のいずれかの半導体基板の洗浄方法、
7.上記接着剤成分(S)が、シロキサン系接着剤を含む6の半導体基板の洗浄方法、
8.上記シロキサン系接着剤が、ヒドロシリル化反応により硬化するポリオルガノシロキサン成分(A)を含む7の半導体基板の洗浄方法、
9.半導体基板と、支持基板と、接着剤組成物から得られる接着層とを備える積層体を製造する第1工程、得られた積層体の半導体基板を加工する第2工程、
支持基板から、半導体基板及び接着層を分離する第3工程、及び
半導体基板上の接着層を剥離用組成物を用いて剥離する第4工程
を含む、加工された半導体基板の製造方法において、
上記剥離用組成物が、溶媒を含み、塩を含まず、
上記溶媒が、式(L)で表される有機溶媒を80質量%以上含むことを特徴とする加工された半導体基板の製造方法、
10.上記溶媒が、上記式(L)で表される有機溶媒を85質量%以上含む9の加工された半導体基板の製造方法、
11.上記溶媒が、上記式(L)で表される有機溶媒からなる10の加工された半導体基板の製造方法、
12.上記L1及びL2が、同一の基である9~11のいずれかの加工された半導体基板の製造方法、
13.上記炭素数2~5のアルキル基が、エチル基、n-プロピル基又はn-ブチル基である12の加工された半導体基板の製造方法、
14.上記接着層が、シロキサン系接着剤、アクリル樹脂系接着剤、エポキシ樹脂系接着剤、ポリアミド系接着剤、ポリスチレン系接着剤、ポリイミド接着剤及びフェノール樹脂系接着剤から選ばれる少なくとも1種を含む接着剤成分(S)を含む接着剤組成物を用いて得られる膜であることを特徴とする9~13のいずれかの加工された半導体基板の製造方法、
15.上記接着剤成分(S)が、シロキサン系接着剤を含む14の加工された半導体基板の製造方法、
16.上記シロキサン系接着剤が、ヒドロシリル化反応により硬化するポリオルガノシロキサン成分(A)を含む15の加工された半導体基板の製造方法、
17.半導体基板を洗浄する際に上記半導体基板上の接着層を剥離するために用いられる剥離用組成物であって、
溶媒を含み、塩を含まず、
上記溶媒が、式(L)で表される有機溶媒を80質量%以上含むことを特徴とする剥離用組成物、
18.上記溶媒が、上記式(L)で表される有機溶媒を85質量%以上含む17の剥離用組成物、
19.上記溶媒が、上記式(L)で表される有機溶媒からなる18の剥離用組成物、
20.上記L1及びL2が、同一の基である17~19のいずれかの剥離用組成物、
21.上記炭素数2~5のアルキル基が、エチル基、n-プロピル基又はn-ブチル基である20の剥離用組成物、
22.上記接着層が、シロキサン系接着剤、アクリル樹脂系接着剤、エポキシ樹脂系接着剤、ポリアミド系接着剤、ポリスチレン系接着剤、ポリイミド接着剤及びフェノール樹脂系接着剤から選ばれる少なくとも1種を含む接着剤成分(S)を含む接着剤組成物を用いて得られる膜であることを特徴とする17~21のいずれかの剥離用組成物、
23.上記接着剤成分(S)が、シロキサン系接着剤を含む22の剥離用組成物、
24.上記シロキサン系接着剤が、ヒドロシリル化反応により硬化するポリオルガノシロキサン成分(A)を含む23の剥離用組成物
を提供する。
特に、接着層を有する半導体基板がバンプを備える場合、バンプへのダメージを回避又は抑制しつつ、当該接着層を好適に且つ容易に除去できるため、高効率且つ高信頼性で良好な半導体素子の製造を期待できる。
このような接着剤成分(S)は、この種の用途に用いられるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、シロキサン系接着剤、アクリル樹脂系接着剤、エポキシ樹脂系接着剤、ポリアミド系接着剤、ポリスチレン系接着剤、ポリイミド接着剤、フェノール樹脂系接着剤等が挙げられる。
これらの中でも、ウエハー等の加工時は好適な接着能を示し、加工の後は好適に剥離可能であり、更に耐熱性にも優れることから、接着剤成分(S)としては、シロキサン系接着剤が好ましい。
中でも、メチル基が好ましい。
中でも、エテニル基、2-プロペニル基が好ましい。
なお、本発明における重量平均分子量及び数平均分子量並びに分散度は、例えば、GPC装置(東ソー(株)製 EcoSEC,HLC-8320GPC)及びGPCカラム(東ソー(株)製 TSKgel SuperMultiporeHZ-N, TSKgel SuperMultiporeHZ-H)を用い、カラム温度を40℃とし、溶離液(溶出溶媒)としてテトラヒドロフランを用い、流量(流速)を0.35mL/分とし、標準試料としてポリスチレン(シグマアルドリッチ社製)を用いて、測定することができる。
このような白金系の金属触媒は、ポリオルガノシロキサン(a1)のアルケニル基とポリオルガノシロキサン(a2)のSi-H基とのヒドロシリル化反応を促進するための触媒である。
白金とオレフィン類との錯体としては、例えばジビニルテトラメチルジシロキサンと白金との錯体が挙げられるが、これに限定されない。
白金族金属系触媒(A2)の量は、通常、ポリオルガノシロキサン(a1)及びポリオルガノシロキサン(a2)の合計量に対して、1.0~50.0ppmの範囲である。
重合抑制剤は、ヒドロシリル化反応の進行を抑制できる限り特に限定されるものではなく、その具体例としては、1-エチニル-1-シクロヘキサノール、1,1-ジフェニル-2-プロピオン-1-オール等のアルキニルアルコール等が挙げられる。
重合抑制剤の量は、ポリオルガノシロキサン(a1)及びポリオルガノシロキサン(a2)の合計量に対して、通常、その効果を得る観点から1000.0ppm以上であり、ヒドロシリル化反応の過度な抑制を防止する観点から10000.0ppm以下である。
このような剥離剤成分(B)として、典型的には、ポリオルガノシロキサンが挙げられ、その具体例としては、エポキシ基含有ポリオルガノシロキサン、メチル基含有ポリオルガノシロキサン、フェニル基含有ポリオルガノシロキサン等が挙げられるが、これらに限定されない。
本発明において、エポキシ基含有ポリオルガノシロキサンの好ましい一例としては、エポキシ基含有ポリジメチルシロキサンを挙げることができるが、これに限定されない。
R21は、ケイ素原子に結合する基であり、アルキル基を表し、アルキル基の具体例としては、上述の例示を挙げることができる。中でも、R21としては、メチル基が好ましい。
メチル基含有ポリオルガノシロキサンとの好ましい一例としては、ポリジメチルシロキサンを挙げることができるが、これに限定されない。
すなわち、ヒドロシリル化反応により硬化するポリオルガノシロキサン成分(A)が含まれる場合、成分(A)と成分(B)との比率は、質量比で、好ましくは99.995:0.005~30:70、より好ましくは99.9:0.1~75:25である。
本発明において、膜構成成分とは、組成物に含まれる溶媒以外の成分を意味する。
その混合順序は特に限定されるものではないが、容易にかつ再現性よく接着剤組成物を製造できる方法の一例としては、例えば、接着剤成分(S)と剥離剤成分(B)を溶媒に溶解させる方法や、接着剤成分(S)と剥離剤成分(B)の一部を溶媒に溶解させ、残りを溶媒に溶解させ、得られた溶液を混合する方法が挙げられるが、これらに限定されない。なお、接着剤組成物を調製する際、成分が分解したり変質したりしない範囲で、適宜加熱してもよい。
本発明においては、異物を除去する目的で、接着剤組成物を製造する途中で又は全ての成分を混合した後に、サブマイクロメートルオーダーのフィルター等を用いてろ過してもよい。
ここで、式(L)で表される有機溶媒は、1種単独であっても、2種以上であってもよい。
このような塩の具体例としては、この種の用途に用いられるものが挙げられ、典型的には、接着層や接着層残渣の除去の促進等を目的として添加される、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムフルオリド(フッ化テトラブチルアンモニウムともいう)等のアンモニウム塩である。
本発明で用いる剥離用組成物は、式(L)で表される有機溶媒を含むので、このような塩を含有させる必要はない。
このような塩は、基板、特にバンプ付き基板等への腐食等のダメージを引き起こし得るため、本発明では、塩を含まない剥離用組成物を用いる。但し、剥離用組成物を構成するバルクの溶媒に、塩が不純物として当初から微量含まれる場合には、その塩の存在までをも否定するわけではない。
この場合、上記剥離用組成物に含まれる溶媒は、上記式(L)で表される有機溶媒のみから完全に構成され、その他の溶媒を不純物として含まないことが理想であるが、精製による純度向上にも限界が存在し、技術的にそれは不可能である。
従って、本発明において、上記剥離用組成物に含まれる溶媒は、溶媒として意図して用いられたものが上記式(L)で表される有機溶媒のみからなるものであって、水、構造上又は性質上類似するため分離が容易でない有機溶媒等の不純物が、バルクの上記式(L)で表される有機溶媒に含まれることまでをも否定するものではない。
このような事情から、上記剥離用組成物に含まれる溶媒が上記式(L)で表される有機溶媒からなる場合、上記剥離用組成物に含まれる溶媒中、上記式(L)で表される有機溶媒の含有量は、ガスクロマトグラフィーによる純度の値として、完全に100%とならないこともあり得、通常94%以上、好ましくは95%以上、より好ましくは96%以上、より一層好ましくは97%以上、更に好ましくは98%以上、更に一層好ましくは99%以上である。
半導体基板上の接着層を剥離用組成物に継続的に接触させる方法は、半導体基板上の接着層が、剥離用組成物に時間的継続性をもって接触する限り特に限定されるものではなく、この時間的継続性には、接着層が常に剥離用組成物に接触している場合だけでなく、例えば、接着層と有機溶媒との接触を一定時間行った後、当該接触を一度休止し、再度当該接触を行う場合やこれを繰り返す場合も含まれ、また、半導体基板上の接着層全体が剥離用組成物に接触している場合だけでなく、接着層の一部が剥離用組成物に接触している場合も含まれるが、より効果的な洗浄を再現性よく実現する観点から、半導体基板上の接着層が、剥離用組成物に常に接触している態様が好ましく、また、半導体基板上の接着層全体が、剥離用組成物に接触している態様が好ましい。
浸漬時間は、接着層の膨潤が起こり、接着層が半導体基板から剥離される限り特に限定されるものではないが、より効果的な洗浄を再現性よく実現する観点から、5秒以上であり、プロセス上のスループットの観点から、5分以下である。
剥離した接着層を取り除く方法は、半導体基板の上から剥離した接着層が除去される限り特に限定されるものではなく、接着層が付いた半導体基板を剥離用組成物に浸漬する場合には、剥離用組成物から半導体基板を取り出すことなく、剥離した接着層を除いてもよく、或いは、剥離用組成物から半導体基板を取り出して、剥離した接着層を除去してもよい。この際、単に剥離用組成物から半導体基板を取り出すことで、剥離した接着層が自然に剥離用組成物中に残り、その大部分を取り除くことができる場合もある。
具体的には、半導体基板と、支持基板と、接着剤組成物から得られる接着層とを備える積層体を製造する第1工程、得られた積層体の半導体基板を加工する第2工程、加工した半導体基板及び接着層と支持基板とを分離する第3工程及び加工した半導体基板上から接着層を除去し、加工した半導体基板を洗浄する第4工程を含む、薄化等の加工がされた半導体基板の製造方法であって、この第4工程において、本発明の半導体基板の洗浄方法が使用される。
従って、以下、ポリシロキサン系接着剤(接着剤組成物)を用いて得られる接着層を用いて加工された半導体基板を製造する際に、当該接着層を本発明の洗浄方法によって取り除く例について説明するが、本発明は、これに限定されるわけではない。
その他の態様においては、かかる第1工程は、例えば、半導体基板のウエハーの回路面に接着剤組成物を塗布し、それを加熱して接着剤塗布層を形成する工程と、支持基板の表面に剥離剤組成物を塗布し、それを加熱して剥離剤塗布層を形成する工程と、半導体基板の接着剤塗布層と、支持基板の剥離剤塗布層とを、加熱処理及び減圧処理の少なくとも一方を実施しながら、半導体基板及び支持基板の厚さ方向の荷重をかけて密着させ、その後、後加熱処理を実施することにより、積層体とする工程とを含む。なお、接着剤組成物を半導体基板に、剥離剤組成物を支持基板にそれぞれ塗布し、加熱したが、いずれか一方の基板に、接着剤組成物及び剥離剤組成物の塗布及び加熱をそれぞれ順次行ってもよい。
上記各態様において、加熱処理、減圧処理、両者の併用のいずれの処理条件を採用するかは、接着剤組成物の種類や剥離剤組成物の具体的組成、両組成物から得られる膜の相性、膜厚、求める接着強度等の各種事情を勘案した上で決定される。
特に、本発明の半導体基板の洗浄方法は、バンプ付き半導体基板のバンプへのダメージを抑制しつつ、効果的に基板を洗浄できる。
このようなバンプ付き半導体基板の具体例としては、ボールバンプ、印刷バンプ、スタッドバンプ、めっきバンプ等のバンプを有するシリコンウエハーが挙げられ、通常、バンプ高さ1~200μm程度、バンプ径1~200μm、バンプピッチ1~500μmという条件から適宜選択される。
めっきバンプの具体例としては、SnAgバンプ、SnBiバンプ、Snバンプ、AuSnバンプ等のSnを主体とした合金めっき等が挙げられるが、これらに限定されない。
加熱は、ホットプレート、オーブン等を用いて行うことができる。
なお、後加熱処理の一つの目的は、接着剤成分(S)をより好適に硬化させることである。
本発明で用いる積層体に施される加工の一例としては、半導体基板の表面の回路面とは反対の裏面の加工が挙げられ、典型的には、ウエハー裏面の研磨によるウエハーの薄化が挙げられる。このような薄化されたウエハーを用いて、シリコン貫通電極(TSV)等の形成を行い、次いで支持体から薄化ウエハーを剥離してウエハーの積層体を形成し、3次元実装化される。また、それに前後してウエハー裏面電極等の形成も行われる。ウエハーの薄化とTSVプロセスには支持体に接着された状態で250~350℃の熱が付加されるが、本発明で用いる積層体が含む接着層は、その熱に対する耐熱性を有している。
例えば、直径300mm、厚さ770μm程度のウエハーは、表面の回路面とは反対の裏面を研磨して、厚さ80~4μm程度まで薄化することができる。
第3工程では、加工された半導体基板及び接着層と、支持基板とを分離する。この際、剥離層が積層体に含まれる場合は、通常、支持基板とともに、剥離層も取り除く。
加工された半導体基板及び接着層と、半導体基板とを分離する方法は、接着層とそれと接する剥離層又は支持基板との間で剥離すればよく、そのような剥離方法としては、レーザー剥離、鋭部を有する機材による機械的な剥離、マニュアルで引きはがす剥離等が挙げられるが、これらに限定されない。
第4工程は、半導体基板上の接着層を、本発明の洗浄方法により取り除く工程であり、具体的には、例えば、薄化基板上の接着層を本発明の洗浄方法によって効率的に取り除く。この際の諸条件は、上述した通りである。
[装置]
(1)自転公転ミキサー:(株)シンキー製 自転公転ミキサー ARE-500
(2)粘度計:東機産業(株)製 回転粘度計TVE-22H
(3)撹拌機:アズワン(株)製 ミックスローターバリアブル 1-1186-12
(4)光学顕微鏡:オリンパス(株)製 半導体/FPD検査顕微鏡 MX61L
N-メチルピロリドン:関東化学(株)製 純度>99.0%
ジ(n-ブチル)エーテル:東京化成工業(株)製 純度>99.0%
ジエチルエーテル:関東化学(株)製 純度>99.5%
ジ(n-プロピル)エーテル:東京化成工業(株)製 純度>98.0%
ジ(n-プロピル)スルフィド:東京化成工業(株)製 純度>98.0%
ジ(n-ペンチル)エーテル:東京化成工業(株)製 純度>98.0%
ジ(n-ブチル)スルフィド:東京化成工業(株)製 純度>98.0%
5-ノナノン:東京化成工業(株)製 純度>98.0%
[調製例1]
自転公転ミキサー専用600mL撹拌容器に、(a1)としてビニル基含有MQ樹脂(ワッカーケミ社製)95g、溶媒としてp-メンタン(日本テルペン化学(株)製)93.4g及び(A2)として1,1-ジフェニル-2-プロピン-1-オール(東京化成工業(株)製)0.41gを加え、自転公転ミキサーで5分間撹拌した。
得られた混合物に、(a2)として粘度100mPa・sのSiH基含有直鎖状ポリジメチルシロキサン(ワッカーケミ社製)19.0g、(a1)として粘度200mPa・sのビニル基含有直鎖状ポリジメチルシロキサン(ワッカーケミ社製)29.5g、(B)としてポリジメチルシロキサンである粘度1000000mm2/sのポリオルガノシロキサン(ワッカーケミ社製、商品名AK1000000)65.9g、(A3)として1-エチニル-1-シクロヘキサノール(ワッカーケミ社製)0.41gを加え、自転公転ミキサーで更に5分間撹拌した。
その後、得られた混合物に、(A2)として白金触媒(ワッカーケミ社製)0.20gと(a1)として粘度1000mPa・sのビニル基含有直鎖状ポリジメチルシロキサン(ワッカーケミ社製)17.7gとを自転公転ミキサーで5分間撹拌して別途得られた混合物から14.9gを加え、自転公転ミキサーで更に5分間撹拌し、得られた混合物をナイロンフィルター300メッシュでろ過し、接着剤組成物を得た。
[製造例1]
デバイス側のウエハーとしての4cm×4cmのSiウエハー(厚さ775μm)に、調製例1で得られた組成物をスピンコーターで塗布し、ホットプレートを用いて、120℃で1.5分間、次いで200℃で10分間加熱し、ウエハー上に厚さ60μmの薄膜を形成し、接着層付きウエハーを得た。
バンプ付き基板をカットし、4cm×4cmのサンプル基板を準備した。なお、1つのサンプル基板当たりのバンプの数は、5044個であり、バンプの構造はピラー部が銅で、キャップ部がスズ銀(銀1.8質量%)およびピラーとキャップの間がニッケルからなっている。
[実施例1-1]
製造例1で作製した接着層付きウエハーを、実施例1-1の剥離用組成物としてのジ(n-ブチル)エーテル9mLに浸漬し、ウエハー上から接着層が剥離を開始するまでの時間を計測した所、11秒であった。
製造例1で作製した接着層付きウエハーを、実施例1-2の剥離用組成物としてのジ(n-ブチル)エーテルとN-メチルピロリドンとの混合溶媒(9:1(w/w))9mLに浸漬し、ウエハー上から接着層が剥離を開始するまでの時間を計測した所、12秒であった。
製造例1で作製した接着層付きウエハーを、実施例2の剥離用組成物としてのジエチルエーテル9mLに浸漬し、ウエハー上から接着層が剥離を開始するまでの時間を計測した所、3秒であった。
製造例1で作製した接着層付きウエハーを、実施例3の剥離用組成物としてのジ(n-プロピル)エーテル9mLに浸漬し、ウエハー上から接着層が剥離を開始するまでの時間を計測した所、5秒であった。
製造例1で作製した接着層付きウエハーを、実施例4の剥離用組成物としてのジ(n-プロピル)スルフィド9mLに浸漬し、ウエハー上から接着層が剥離を開始するまでの時間を計測した所、12秒であった。
製造例1で作製した接着層付きウエハーを、実施例5の剥離用組成物としてのジ(n-ペンチル)エーテル9mLに浸漬し、ウエハー上から接着層が剥離を開始するまでの時間を計測した所、23秒であった。
製造例1で作製した接着層付きウエハーを、実施例6の剥離用組成物としてのジ(n-ブチル)スルフィド9mLに浸漬し、ウエハー上から接着層が剥離を開始するまでの時間を計測した所、22秒であった。
製造例1で作製した接着層付きウエハーを、比較例1の剥離用組成物としての5-ノナノン9mLに浸漬し、ウエハー上から接着層が剥離を開始するまでの時間を計測した所、36秒であった。
[実施例7]
製造例2で作製したサンプル基板を、ジ(n-ブチル)エーテル9mLに浸漬し、1時間静置した後にイソプロパノールとアセトンで洗浄し、光学顕微鏡でバンプダメージの有無を観察した。その結果、バンプダメージは観測されなかった。
テトラブチルアンモニウムフルオリド・3水和物(関東化学(株)製)2gとジ(n-ブチル)エーテル18gとを、室温でミックスローターを用いてよく撹拌したが、テトラブチルアンモニウムフルオリドが溶け残った。それ故、溶液の上澄みを回収した。
そして、製造例2で作製したサンプル基板を、回収した溶液の上澄み9mLに浸漬し、1時間静置した後にイソプロパノールとアセトンで洗浄し、光学顕微鏡でバンプダメージの有無を観察した。その結果、サンプル基板の全体に亘り、ダメージを受けたバンプが確認された(ダメージを受けたバンプの推定個数1000~2000個)。
Claims (24)
- 上記溶媒が、上記式(L)で表される有機溶媒を85質量%以上含む請求項1記載の半導体基板の洗浄方法。
- 上記溶媒が、上記式(L)で表される有機溶媒からなる請求項2記載の半導体基板の洗浄方法。
- 上記L1及びL2が、同一の基である請求項1~3のいずれか1項記載の半導体基板の洗浄方法。
- 上記炭素数2~5のアルキル基が、エチル基、n-プロピル基又はn-ブチル基である請求項4記載の半導体基板の洗浄方法。
- 上記シロキサン系接着剤が、ヒドロシリル化反応により硬化するポリオルガノシロキサン成分(A)を含む請求項1~5のいずれか1項記載の半導体基板の洗浄方法。
- 上記ポリオルガノシロキサン成分(A)が、SiO2で表されるシロキサン単位(Q単位)、R1R2R3SiO1/2で表されるシロキサン単位(M単位)、R4R5SiO2/2で表されるシロキサン単位(D単位)及びR6SiO3/2で表されるシロキサン単位(T単位)からなる群より選ばれる1種又は2種以上の単位を含むポリシロキサン(A1)と、白金族金属系触媒(A2)とを含み、R1~R6は、ケイ素原子に結合する基又は原子であり、それぞれ独立して、アルキル基、アルケニル基又は水素原子であることを特徴とする請求項6記載の半導体基板の洗浄方法。
- 上記ポリシロキサン(A1)が、SiO2で表されるシロキサン単位(Q’単位)、R1’R2’R3’SiO1/2で表されるシロキサン単位(M’単位)、R4’R5’SiO2/2で表されるシロキサン単位(D’単位)及びR6’SiO3/2で表されるシロキサン単位(T’単位)からなる群より選ばれる1種又は2種以上の単位を含むとともに、上記M’単位、D’単位及びT’単位からなる群より選ばれる少なくとも1種を含むポリオルガノシロキサン(a1)と、SiO2で表されるシロキサン単位(Q”単位)、R1”R2”R3”SiO1/2で表されるシロキサン単位(M”単位)、R4”R5”SiO2/2で表されるシロキサン単位(D”単位)及びR6”SiO3/2で表されるシロキサン単位(T”単位)からなる群より選ばれる1種又は2種以上の単位を含むとともに、上記M”単位、D”単位及びT”単位からなる群より選ばれる少なくとも1種を含むポリオルガノシロキサン(a2)とを含み、R1’~R6’は、ケイ素原子に結合する基であり、それぞれ独立して、アルキル基又はアルケニル基を表すが、R1’~R6’の少なくとも1つは、アルケニル基であり、R1”~R6”は、ケイ素原子に結合する基又は原子であり、それぞれ独立して、アルキル基又は水素原子を表すが、R1”~R6”の少なくとも1つは、水素原子である請求項7記載の半導体基板の洗浄方法。
- 導電性材料からなる接続部を有する半導体基板と、支持基板と、接着剤組成物から得られる接着層とを備える積層体を製造する第1工程、
得られた積層体の半導体基板を加工する第2工程、
支持基板から、半導体基板及び接着層を分離する第3工程、及び
半導体基板上の接着層を剥離用組成物を用いて剥離する第4工程
を含む、加工された半導体基板の製造方法において、
上記接着剤組成物が、シロキサン系接着剤を含む接着剤成分(S)を含み、
上記剥離用組成物が、溶媒を含み、塩を含まず、
上記溶媒が、式(L)で表される有機溶媒を80質量%以上含むことを特徴とする加工された半導体基板の製造方法。
- 上記溶媒が、上記式(L)で表される有機溶媒を85質量%以上含む請求項9記載の加工された半導体基板の製造方法。
- 上記溶媒が、上記式(L)で表される有機溶媒からなる請求項10記載の加工された半導体基板の製造方法。
- 上記L1及びL2が、同一の基である請求項9~11のいずれか1項記載の加工された半導体基板の製造方法。
- 上記炭素数2~5のアルキル基が、エチル基、n-プロピル基又はn-ブチル基である請求項12記載の加工された半導体基板の製造方法。
- 上記シロキサン系接着剤が、ヒドロシリル化反応により硬化するポリオルガノシロキサン成分(A)を含む請求項9~13のいずれか1項記載の加工された半導体基板の製造方法。
- 上記ポリオルガノシロキサン成分(A)が、SiO2で表されるシロキサン単位(Q単位)、R1R2R3SiO1/2で表されるシロキサン単位(M単位)、R4R5SiO2/2で表されるシロキサン単位(D単位)及びR6SiO3/2で表されるシロキサン単位(T単位)からなる群より選ばれる1種又は2種以上の単位を含むポリシロキサン(A1)と、白金族金属系触媒(A2)とを含み、R1~R6は、ケイ素原子に結合する基又は原子であり、それぞれ独立して、アルキル基、アルケニル基又は水素原子であることを特徴とする請求項14記載の加工された半導体基板の製造方法。
- 上記ポリシロキサン(A1)が、SiO2で表されるシロキサン単位(Q’単位)、R1’R2’R3’SiO1/2で表されるシロキサン単位(M’単位)、R4’R5’SiO2/2で表されるシロキサン単位(D’単位)及びR6’SiO3/2で表されるシロキサン単位(T’単位)からなる群より選ばれる1種又は2種以上の単位を含むとともに、上記M’単位、D’単位及びT’単位からなる群より選ばれる少なくとも1種を含むポリオルガノシロキサン(a1)と、SiO2で表されるシロキサン単位(Q”単位)、R1”R2”R3”SiO1/2で表されるシロキサン単位(M”単位)、R4”R5”SiO2/2で表されるシロキサン単位(D”単位)及びR6”SiO3/2で表されるシロキサン単位(T”単位)からなる群より選ばれる1種又は2種以上の単位を含むとともに、上記M”単位、D”単位及びT”単位からなる群より選ばれる少なくとも1種を含むポリオルガノシロキサン(a2)とを含み、R1’~R6’は、ケイ素原子に結合する基であり、それぞれ独立して、アルキル基又はアルケニル基を表すが、R1’~R6’の少なくとも1つは、アルケニル基であり、R1”~R6”は、ケイ素原子に結合する基又は原子であり、それぞれ独立して、アルキル基又は水素原子を表すが、R1”~R6”の少なくとも1つは、水素原子である請求項15記載の加工された半導体基板の製造方法。
- 上記溶媒が、上記式(L)で表される有機溶媒を85質量%以上含む請求項17記載の剥離用組成物。
- 上記溶媒が、上記式(L)で表される有機溶媒からなる請求項18記載の剥離用組成物。
- 上記L1及びL2が、同一の基である請求項17~19のいずれか1項記載の剥離用組成物。
- 上記炭素数2~5のアルキル基が、エチル基、n-プロピル基又はn-ブチル基である請求項20記載の剥離用組成物。
- 上記シロキサン系接着剤が、ヒドロシリル化反応により硬化するポリオルガノシロキサン成分(A)を含む請求項17~21のいずれか1項記載の剥離用組成物。
- 上記ポリオルガノシロキサン成分(A)が、SiO2で表されるシロキサン単位(Q単位)、R1R2R3SiO1/2で表されるシロキサン単位(M単位)、R4R5SiO2/2で表されるシロキサン単位(D単位)及びR6SiO3/2で表されるシロキサン単位(T単位)からなる群より選ばれる1種又は2種以上の単位を含むポリシロキサン(A1)と、白金族金属系触媒(A2)とを含み、R1~R6は、ケイ素原子に結合する基又は原子であり、それぞれ独立して、アルキル基、アルケニル基又は水素原子であることを特徴とする請求項22記載の剥離用組成物。
- 上記ポリシロキサン(A1)が、SiO2で表されるシロキサン単位(Q’単位)、R1’R2’R3’SiO1/2で表されるシロキサン単位(M’単位)、R4’R5’SiO2/2で表されるシロキサン単位(D’単位)及びR6’SiO3/2で表されるシロキサン単位(T’単位)からなる群より選ばれる1種又は2種以上の単位を含むとともに、上記M’単位、D’単位及びT’単位からなる群より選ばれる少なくとも1種を含むポリオルガノシロキサン(a1)と、SiO2で表されるシロキサン単位(Q”単位)、R1”R2”R3”SiO1/2で表されるシロキサン単位(M”単位)、R4”R5”SiO2/2で表されるシロキサン単位(D”単位)及びR6”SiO3/2で表されるシロキサン単位(T”単位)からなる群より選ばれる1種又は2種以上の単位を含むとともに、上記M”単位、D”単位及びT”単位からなる群より選ばれる少なくとも1種を含むポリオルガノシロキサン(a2)とを含み、R1’~R6’は、ケイ素原子に結合する基であり、それぞれ独立して、アルキル基又はアルケニル基を表すが、R1’~R6’の少なくとも1つは、アルケニル基であり、R1”~R6”は、ケイ素原子に結合する基又は原子であり、それぞれ独立して、アルキル基又は水素原子を表すが、R1”~R6”の少なくとも1つは、水素原子である請求項23記載の剥離用組成物。
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