TW202217909A - 多處理半導體處理系統 - Google Patents

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巴德里Ｎ 拉馬穆爾蒂
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Abstract

示例性基板處理系統可以包括複數個處理區域。該系統可以包括限定與複數個處理區域流體耦接的轉移區域的轉移區域外殼。該系統可包括複數個基板支撐件。複數個基板支撐件中的每個基板支撐件可以在轉移區域和複數個處理區域的相關處理區域之間垂直平移。該些系統可以包括轉移裝置，該轉移裝置包括延伸穿過轉移區域外殼的可旋轉軸。轉移裝置還可包括與可旋轉軸耦接的端執行器。該些系統可以包括排氣前線，該排氣前線包括複數個前線尾部。複數個前線尾部中的每個前線尾部可以與複數個處理區域中的單獨的處理區域流體耦接。系統可包括複數個節流閥。

Description

多處理半導體處理系統
本申請要求於 2020 年 7 月 19 日提交的題為「MULTIPLE PROCESS SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM」的美國專利申請號 16/932,795 的優先權，該申請透過引用整體併入本文。
本技術係關於半導體處理和設備。更具體地，本技術係關於具有多個處理區域的半導體處理系統。
半導體處理系統通常利用群集工具將多個處理腔室整合在一起。這種配置可以促進多個按順序的處理操作的執行，而無需從受控處理環境中移除基板，或者它可以允許在不同的腔室中一次對多個基板執行類似的處理。這些腔室可以包括例如脫氣腔室、預處理腔室、轉移腔室、化學氣相沉積腔室、物理氣相沉積腔室、蝕刻腔室、計量腔室和其他腔室。選擇群集工具中的腔室組合，以及運行這些腔室的操作條件和參數，以使用特定處理配方和處理流程製造特定結構。
一些處理系統可以包括連接在一起的多個處理區域和轉移區域。根據部件的佈局和配置，透過系統輸送的前驅物可能可以流體地進出不同的區域。當沉積和清潔前驅物(包括前驅物的電漿增強物質)可能進入系統的區域時，系統內可能發生沉積或損壞。此外，特定的佈局和流動模式可能會限制不同處理區域之間的壓差，這可能會限制可以同時執行的處理類型，並且可能會挑戰系統不同區域的消耗。
因此，需要能夠用於在半導體處理腔室和系統內有效地流動和排出材料的改進的系統和部件。本技術解決了這些和其他需要。
示例性基板處理系統可以包括複數個處理區域。系統可以包括限定出與複數個處理區域流體耦接的轉移區域的轉移區域外殼。系統可包括複數個基板支撐件。複數個基板支撐件中的每個基板支撐件可以在轉移區域和複數個處理區域的相關處理區域之間垂直平移。系統可以包括轉移裝置，該轉移裝置包括延伸穿過轉移區域外殼的可旋轉軸。轉移裝置還可包括與可旋轉軸耦接的端執行器。該系統可以包括排氣前線，該排氣前線包括複數個前線尾部。複數個前線尾部中的每個前線尾部可以與複數個處理區域中的單獨的處理區域流體耦接。該系統可包括複數個節流閥。複數個節流閥中的一個節流閥可以結合在複數個前線尾部的每個前線尾部中。
在一些實施例中，系統可以包括複數個淨化通道，該複數個淨化通道延伸圍繞複數個基板支撐件中的每個基板支撐件。複數個淨化通道中的每個淨化通道可以延伸穿過靠近複數個基板支撐件中的基板支撐件的轉移區域外殼。複數個處理區域中的每個處理區域可以至少部分地由單獨的蓋堆疊從上方加以限定。每個蓋堆疊可以包括與基板處理系統的排氣口流體耦接的泵送襯墊。每個泵送襯墊可以至少部分地限定來自用於透過複數個淨化通道輸送的淨化氣體的每個處理區域的排氣流動路徑。該系統可以包括從複數個基板支撐件中的每個基板支撐件延伸的阻流襯墊。當基板支撐件處於用於處理的升高位置時，每個阻流襯墊可以限定複數個孔，這些孔在相關聯的處理區域和轉移區域之間提供流體連通。複數個基板支撐件可以包括圍繞轉移區域分佈的至少三個基板支撐件。轉移裝置可以位於複數個基板支撐件之間的中央。
本技術的一些實施例可以包括半導體處理方法。該方法可包括透過基板處理系統的複數個蓋堆疊輸送一種或多種處理前驅物。複數個蓋堆疊中的每個蓋堆疊流體地進入複數個處理區域中的處理區域。複數個處理區域中的每個處理區域可以至少部分地由複數個蓋堆疊的一蓋堆疊和複數個基板支撐件的一基板支撐件來限定。該方法可以包括在複數個處理區域中的兩個處理區域之間形成壓差。該方法可以包括透過延伸穿過限定轉移區域的轉移區域外殼的複數個淨化通道將淨化氣體輸送到基板處理系統的轉移區域中。轉移區域可以與複數個處理區域中的每個處理區域流體耦接。該方法可以包括透過複數個蓋堆疊中的每個蓋堆疊的泵送襯墊排出處理前驅物和淨化氣體。
在一些實施例中，複數個處理區域中的兩個處理區域之間的壓差可以大於或大約為10托。基板處理系統可以包括位於轉移區域中的轉移裝置。轉移裝置可包括延伸穿過轉移區域外殼的可旋轉軸。端執行器可以與可旋轉軸耦接。端執行器可包括限定與淨化源流體連接的中心孔的中心轂。端執行器還可以包括複數個臂，該複數個臂的臂的數量等於複數個基板支撐件中的基板支撐件的數量。輸送可以包括將第一前驅物輸送到複數個處理區域中的兩個處理區域中的第一處理區域。該方法可以包括將第二前驅物輸送到複數個處理區域中的兩個處理區域中的第二處理區域。第一前驅物或第二前驅物可以是沉積前驅物。
複數個基板支撐件中的每個基板支撐件還可以包括從每個基板支撐件向基板處理系統的轉移區域延伸的阻流襯墊。每個阻流襯墊可以限定複數個孔，當基板支撐件處於升高位置以進行處理時，這些孔在處理區域和轉移區域之間提供流體連通。淨化氣體可以透過限定在阻流襯墊中的複數個孔從轉移區域輸送。基板處理系統可以包括系統前線，該系統前線包括複數個前線尾部。複數個前線尾部中的每個前線尾部可以與複數個處理區域中的單獨的處理區域流體耦接。基板處理系統可包括複數個節流閥。複數個節流閥中的一個節流閥可以結合在複數個前線尾部的每個前線尾部中。該方法可以包括與複數個節流閥中的第二節流閥分開地調節複數個節流閥中的第一節流閥以維持複數個處理區域中的兩個處理區域之間的壓差。一種或多種處理前驅物可被淨化氣體限制或防止流入基板處理系統的轉移區域。
這種技術可以提供優於傳統系統和技術的許多好處。例如，淨化通道可以限制或防止處理前驅物進入系統內的轉移區域。此外，系統可以促進在系統內的不同處理區域內執行不同的處理。茲結合以下描述和附圖更詳細地描述(連同它們的許多優點和特徵)這些和其他實施例。
基板處理可包括用於添加、移除或以其他方式修改晶片或半導體基板上的材料的時間密集型操作。基板的有效移動可減少佇列時間並提高基板產量。為了增加群集工具內處理的基板數量，可以在主機上加入額外的腔室。儘管可以透過加長工具不斷增加轉移機器人和處理腔室，但這可能會隨著群集工具的佔地面積擴大而變得空間效率低下。因此，本技術可以包括在限定的佔地面積內具有增加數量的處理腔室的群集工具。為了適應轉移機器人的有限佔地面積，本技術可以從機器人橫向向外增加處理腔室的數量。例如，一些傳統的群集工具可以包括一個或兩個處理腔室，這些處理腔室圍繞位於中央的轉移機器人的部分來定位，以最大化機器人徑向周圍的腔室數量。本技術可以透過結合橫向向外的附加腔室作為另一列或另一組腔室來擴展該概念。例如，本技術可應用於包括三個、四個、五個、六個或更多個可在一或更多機器人進出位置中的每一個處進出的處理腔室的群集工具。
然而，隨著附加處理位置的添加，在每個位置沒有附加轉移能力的情況下，從中央機器人進出這些位置可能不再可行。一些傳統技術可以包括晶片載體，在過渡期間基板保持在晶片載體上。然而，晶片載體可能會導致基板上的熱不均勻性和顆粒污染。本技術透過合併與處理腔室區域垂直對齊的轉移部分和可與中央機器人協同操作以進出額外晶片位置的輸送帶或轉移裝置來克服這些問題。基板支撐件然後可以在轉移區域和處理區域之間垂直平移以輸送用於處理的基板。
當轉移區域對於處理區域是流體可進出的時，處理氣體或電漿增強物質可以滲透透過處理區域並進入轉移區域。這些可包括沉積前驅物、清潔氣體或其他材料的活性前驅物可導致在轉移區域內發生沉積或其他處理相互作用，並且可能導致在轉移區域部件上發生沉積或損壞。本技術可以透過將一種或多種淨化氣體輸送到轉移區域以幫助限制或防止處理前驅物進入轉移區域來克服這些問題。此外，透過利用這些淨化氣體並控制它們的流量並結合額外的系統部件，本技術可以允許在系統的各個處理區域內執行不同的處理，這可以增加根據本技術的一些實施例的系統的功能。
雖然剩餘的揭露內容將例行地確定可以採用本結構和方法的特定結構(例如四位置轉移區域)，但是將容易理解，基板處理系統或部件可以同等地用於任何數量的其他系統或腔室。因此，不應認為該技術僅限於單獨用於任何特定腔室。此外，雖然將描述示例性工具系統以為本技術提供基礎，但應理解，本技術可以與任何數量的半導體處理腔室和工具結合，其中這些半導體處理室和工具可以從將要描述的一些或所有操作和系統中受益。
圖1A示出了根據本技術的一些實施例的沉積、蝕刻、烘烤和固化腔室的基板處理工具或處理系統100的一個實施例的俯視圖。在圖中，一組前開口的晶圓盒102供應各種尺寸的基板，這些基板由機械臂104a和104b接收在工廠界面103內，並在被輸送到基板處理區域108(其位於腔室系統或四個一組部分109a-c中)之一者之前被放置在裝載閘或低壓保持區域106中，四個一組部分109a-c之每者可以是具有與複數個處理區域108流體耦接的轉移區域的基板處理系統。儘管圖示了四個一組系統，但應當理解，本技術同樣包括結合獨立腔室、雙腔室和其他多腔室系統的平台。容納在轉移腔室112中的第二機械臂110可以用於將基板晶片從保持區域106輸送到四個一組部分109並返回，並且第二機械臂110可以容納在轉移腔室中，其中每個四個一組部分或處理系統可以與該轉移腔室連接在一起。每個基板處理區域 108 可以被配備以執行多個基板處理操作，包括任意數量的沉積處理，包括循環層沉積、原子層沉積、化學氣相沉積、物理氣相沉積以及蝕刻、預清潔、退火、電漿處理、脫氣、定向和其他基板處理。
每個四個一組部分109可以包括轉移區域，該轉移區域可以從第二機械臂110接收基板並且將基板輸送到第二機械臂110。腔室系統的轉移區域可以與具有第二機械臂110的轉移腔室對齊。在一些實施例中，機器人可以橫向進出轉移區域。在隨後的操作中，轉移部分的部件可以將基板垂直地平移到上覆的處理區域108中。類似地，轉移區域也可操作以在每個轉移區域內的位置之間旋轉基板。基板處理區域108可以包括用於在基板或晶片上沉積、退火、固化和/或蝕刻材料薄膜的任何數量的系統部件。在一種配置中，兩組處理區域，例如四個一組部分 109a 和 109b 中的處理區域，可用於在基板上沉積材料，而第三組處理腔室(例如四個一組部分109c中的處理腔室或區域)則可用於固化、退火或處理沉積的薄膜。在另一種配置中，所有三組腔室，例如所示的所有十二個腔室，可以被配置為在基板上沉積和/或固化薄膜。
如圖所示，第二機械臂110可以包括用於同時輸送和/或取回複數個基板的兩個臂。例如，每個四個一組部分109可以包括沿著轉移區域的外殼的表面的兩個進出口107，其可以與第二機械臂橫向對齊。可以沿著與轉移腔室112相鄰的表面限定進出口。在一些實施例中，例如所示出的，第一進出口可以與四個一組部分的複數個基板支撐件中的第一基板支撐件對準。此外，第二進出口可以與四個一組部分的複數個基板支撐件中的第二基板支撐件對準。在一些實施例中，第一基板支撐件可以與第二基板支撐件相鄰，並且兩個基板支撐件可以限定第一列基板支撐件。如所示配置中所示，第二列基板支撐件可定位在第一列基板支撐件後面而從轉移腔室112橫向向外。第二機械臂110的兩個臂可以間隔開以允許兩個臂同時進入四個一組部分或腔室系統以將一個或兩個基板輸送至或取回轉移區域內的基板支撐件。
所描述的任何一或更多轉移區域可以與與不同實施例中所示的製造系統分離的附加腔室合併。應當理解，處理系統100考慮了用於材料薄膜的沉積、蝕刻、退火和固化腔室的附加配置。此外，任何數量的其他處理系統可以與本技術一起使用，其可以結合用於執行任何特定操作（例如基板移動）的輸送系統。在一些實施例中，可以提供對多個處理腔室區域的進出同時在各個部分(例如所提到的保持和轉移區域)中保持真空環境的處理系統可以允許在多個腔室中執行操作同時在離散的處理之間保持特定的真空環境。
圖1B示出了根據本技術的一些實施例的示例性處理工具(例如穿過腔室系統)的一個實施例的示意性橫截面正視圖。圖1B可以示出透過任何四個一組部分109中的任何兩個相鄰處理區域108的截面視圖。正視圖可以說明一或更多處理區域108與轉移區域 120 的配置或流體耦接。例如，連續的轉移區域120可由轉移區域外殼125限定。外殼可以限定開放的內部容積，在該內部容積中可以設置多個基板支撐件130。例如，如圖1A所示，示例性處理系統可以包括四個或更多個，包括分佈在外殼內圍繞轉移區域的複數個基板支撐件130。基板支撐件可以是如圖所示的基座，但也可以使用多種其他配置。在一些實施例中，基座可以在轉移區域120和覆蓋轉移區域的處理區域之間垂直平移。基板支撐件可以沿著基板支撐件的中心軸而沿著腔室系統內的第一位置和第二位置之間的路徑垂直平移。因此，在一些實施例中，每一基板支撐件130可與由一或更多腔室部件界定的上覆處理區域108軸向對準。
開放式轉移區域可以提供轉移裝置135(例如轉盤)在各種基板支撐件之間接合和移動基板(例如旋轉)的能力。轉移裝置135可以圍繞中心軸旋轉。這可以允許基板被定位以在處理系統內的任何處理區域108內進行處理。轉移裝置135可包括一或更多端執行器，其可從上方、下方接合基板，或可接合基板的外邊緣以圍繞基板支撐件移動。轉移裝置可以從轉移腔室機器人接收基板，例如先前描述的機器人110。轉移裝置然後可以旋轉基板以交替基板支撐件以促進附加基板的輸送。
一旦經定位並等待處理，轉移裝置可以將端執行器或臂定位在基板支撐件之間，這可以允許基板支撐件升高經過轉移裝置135並且將基板輸送到處理區域108中，該處理區域108可以從轉移區域垂直偏移。例如，並且如圖所示，基板支撐件130a可以將基板輸送到處理區域108a中，而基板支撐件130b可以將基板輸送到處理區域108b中。這可以用其他兩個基板支撐件和處理區域而發生，以及在包括附加處理區域的實施例中具有附加基板支撐件和處理區域而發生。在該配置中，當可操作地接合而用於處理基板時(例如在第二位置)，基板支撐件可以至少部分地從下方限定處理區域108，並且處理區域可以與相關聯的基板支撐件軸向對齊。處理區域可以由面板140以及其他蓋堆疊部件從上方限定。在一些實施例中，每個處理區域可具有單獨的蓋堆疊部件，但在一些實施例中，部件可容納複數個處理區域108。基於這種配置，在一些實施例中，每個處理區域108可以與轉移區域流體耦接，同時從上方與腔室系統或四個一組部分內的每個其他處理區域流體隔離。
在一些實施例中，面板140可以作為用於在處理區域108內產生局部電漿的系統的電極來操作。如圖所示，每個處理區域可以利用或結合單獨的面板。例如，可以包括面板140a以從處理區域108a上方限定，並且可以包括面板140b以從處理區域108b上方限定。在一些實施例中，基板支撐件可以作為用於在面板和基板支撐件之間產生電容耦接電漿的配對電極來操作。根據容積幾何形狀，泵送襯墊145可以至少部分地徑向地或橫向地限定處理區域108。同樣，可以為每個處理區域使用單獨的泵送襯墊。例如，泵送襯墊145a可以至少部分徑向地限定處理區域108a，並且泵送襯墊145b可以至少部分地徑向限定處理區域108b。在實施例中，阻擋板150可以定位在蓋155和面板140之間，並且可以再次包括單獨的阻擋板以促進每個處理區域內的流體分佈。例如，可以包括阻擋板150a以用於朝向處理區域108a的分佈，並且可以包括阻擋板150b以用於朝向處理區域108b的分佈。
蓋155可以是用於每個處理區域的單獨部件，或者可以包括一或更多共同態樣。在一些實施例中(例如所示出的)，蓋155可以是限定多個孔160的單個部件，其用於將流體輸送到單獨的處理區域。例如，蓋155可以限定用於將流體輸送到處理區域108a的第一孔160a，並且蓋155可以限定用於將流體輸送到處理區域108b的第二孔160b。可以為每個部分內的附加處理區域定義附加孔(當包括時)。在一些實施例中，每個四個一組部分109－或可容納多於或少於四個基板的多處理區域部分，可包括一或更多遠程電漿單元165，其用於將電漿流出物輸送到處理腔室中。在一些實施例中，可以為每個腔室處理區域併入單獨的電漿單元，儘管在一些實施例中可以使用更少的遠程電漿單元。例如，如圖所示，單個遠程電漿單元165可用於多個腔室，例如兩個、三個、四個或更多個腔室而高達至特定四個一組部分的所有腔室。在本技術的實施例中，管道可以從遠程電漿單元165延伸到每個孔160以用於輸送電漿流出物以進行處理或清潔。
在一些實施例中，淨化通道 170可以延伸穿過靠近或接近每個基板支撐件 130 的轉移區域外殼。例如，複數個淨化通道可以延伸穿過轉移區域外殼以提供流體進出口以供經流體耦接的淨化氣體被輸送到轉移區域中。淨化通道的數量可以與處理系統內的基板支撐件的數量相同或不同(包括更多或更少)。例如，淨化通道170可以延伸穿過每個基板支撐件下方的轉移區域外殼，並且在一些實施例中，多個淨化通道可以分佈在每個基板支撐件周圍。對於圖示的兩個基板支撐件130，第一淨化通道170a可以延伸穿過靠近基板支撐件130a的外殼，並且第二淨化通道170b可以延伸穿過靠近基板支撐件130b的外殼。應當理解，任何附加的基板支撐件可以類似地具有延伸穿過轉移區域外殼的經鉛錘線校正的淨化通道，以提供進入轉移區域的淨化氣體。
當淨化氣體透過一或更多淨化通道輸送時，它可以類似地透過泵送襯墊145排出，泵送襯墊145可以提供來自處理系統的所有排出路徑。因此，在一些實施例中，處理前驅物和淨化氣體都可以透過泵送襯墊排出。淨化氣體可向上流動至相關聯的泵送襯墊，例如流過淨化通道170b的淨化氣體可從泵送襯墊145b從處理系統排出。如下文將進一步解釋的，可以輸送淨化氣體流以限制處理前驅物侵入系統的轉移區域。此外，在本技術的一些實施例中，為了限制處理前驅物在各個處理區域之間的中心區域中的積聚，額外的淨化氣體可以流過並圍繞轉移裝置135。
如所指出的，處理系統100(或更具體地，與處理系統100或其他處理系統結合的四個一組部分或腔室系統)可以包括位於所示處理腔室區域下方的轉移部分。圖2示出了根據本技術的一些實施例的示例性腔室系統200的轉移部分的示意性等距視圖。圖2可以示出上述轉移區域120的其他態樣或態樣的變化，並且可以包括所描述的任何部件或特徵。圖示的系統可以包括轉移區域外殼205，轉移區域外殼205限定了在其中可以包括多個部件的轉移區域。轉移區域可以另外至少部分地由處理腔室或與轉移區域流體耦接的處理區域從上方限定，例如圖1A的四個一組部分109中所示的處理腔室區域108。轉移區域外殼的側壁可以限定一或更多進出位置207，基板可以透過該些進出位置207被輸送和取回，例如透過如上所述的第二機械臂110。在一些實施例中，進出位置207可以是狹縫閥或其他可密封進出位置，其包括門或其他密封機構以在轉移區域外殼205內提供密封環境。儘管示出了兩個這樣的進出位置207，但是應當理解，在一些實施例中可以僅包括單個進出位置207，以及在轉移區域外殼的多個側面上的進出位置。還應當理解，所示的轉移部分的尺寸可以適合任何基板尺寸，包括200mm、300mm、450mm，或更大或更小的基板，包括以任意數量的幾何形狀或以形狀為特徵的基板。
在轉移區域外殼205內可以是圍繞轉移區域容積來定位的複數個基板支撐件210。儘管圖示了四個基板支撐件，但應理解，本技術的實施例類似地涵蓋任何數量的基板支撐件。例如，根據本技術的實施例，多於或大約三個、四個、五個、六個、八個或更多個基板支撐件210可以容納在轉移區域中。第二機械臂110可以透過進出口207將基板輸送到基板支撐件210a或210b中的一個或兩個。類似地，第二機械臂110可以從這些位置取回基板。升降銷212可以從基板支撐件210突出，並且可以允許機器人進出基板下方。在一些實施例中，升降銷可以固定在基板支撐件上，或者固定在基板支撐件的可以在下方凹陷的位置處，或者升降銷可以透過基板支撐件另外升高或降低。基板支撐件210可以是垂直可平移的，並且在一些實施例中可以延伸至基板處理系統的處理腔室區域，例如處理腔室區域108，其位於轉移區域外殼205上方。
轉移區域外殼 205 可為對準系統提供進出口 215，對準系統可包括對準器，該對準器可如圖所示延伸穿過轉移區域外殼的孔並且可以與通過相鄰孔而突出或傳輸的雷射、照相機或其他監控裝置一起操作，並且該對準器可以確定正在平移的基板是否正確對齊。轉移區域外殼205還可以包括轉移裝置220，該轉移裝置220可以以多種方式操作以定位基板並在各種基板支撐件之間移動基板。在一實例中，轉移裝置220可將基板支撐件210a及210b上的基板移動至基板支撐件210c及210d，這可允許額外的基板被輸送到轉移腔室中。額外的轉移操作可包括在基板支撐件之間旋轉基板以在上覆處理區域中進行額外處理。
轉移裝置220可包括中心轂225，其可包括延伸到轉移腔室中的一或更多軸。與軸連接的可以是端執行器 235。端執行器235可包括從中心轂徑向或橫向向外延伸的複數個臂237。儘管示出了有臂從其延伸的中心體，但在各種實施例中，端執行器還可包括單獨的臂，每個臂均與軸或中心轂耦接。在本技術的實施例中可以包括任意數量的臂。在一些實施例中，臂237的數量可以類似於或等於腔室中所包括的基板支撐件210的數量。因此，如圖所示，對於四個基板支撐件，轉移裝置220可以包括從端執行器延伸的四個臂。臂的特徵可以在於任何數量的形狀和輪廓，例如直輪廓或弓形輪廓，以及包括任何數量的遠側輪廓，其包括鉤、環、叉或用於支撐基板和/或提供進出基板的其他設計，例如用於對齊或接合。
如上所述，在一些實施例中，可以在處理區域內包括中央淨化。例如，當四個基板支撐件 210 中的每一個都包括靠近桿並延伸穿過轉移腔室外殼的淨化通道時，流可能不會延伸越過中心轂 225。因此，可能流向該區域的處理前驅物可能會積聚而不是從轉移區域淨化。為了限制或防止這種影響，在一些實施例中，本技術可以透過和/或圍繞轉移裝置來傳遞額外的淨化。如下文將描述的，流可以從端執行器下方延伸，並且流也可以延伸穿過的中心孔240，中心孔240限定穿過中心轂。孔可以提供流體進出口，該流體進出口係從端執行器可以與其耦接的轉移裝置的軸(例如可旋轉軸)進入轉移區域。淨化源可與軸流體連接以提供穿過中心孔的淨化路徑。
端執行器235或端執行器的部件或部分可用於在轉移或移動期間接觸基板。這些部件以及端執行器可由多種材料製成或包括多種材料，包括導電和/或絕緣材料。在一些實施例中，材料可以被塗覆或鍍覆以承受與可能從上覆處理腔室進入轉移腔室的前驅物或其他化學品的接觸。
此外，可以提供或選擇材料以承受其他環境特性，例如溫度。在一些實施例中，基板支撐件可用於加熱設置在支撐件上的基板。基板支撐件可被配置為將表面或基板溫度增加至大於或約100℃、大於或約200℃、大於或約300℃、大於或約400℃、大於或約500℃的溫度、大於或約600°C、大於或約700°C、大於或約800°C、或更高。在操作期間可以保持這些溫度中的任何一個，並且因此轉移裝置220的部件可以暴露於這些所提及的或包含的溫度中的任何一個。因此，在一些實施例中，可以選擇任何材料以適應這些溫度範圍，並且可以包括諸如陶瓷和金屬之類的材料，其特徵在於相對低的熱膨脹係數或其他有益特性。
部件耦接器還可以適用於在高溫和/或腐蝕性環境中操作。例如，在端執行器和端部分是陶瓷的情況下，耦接器可以包括壓配合、卡扣配合或可不含附加材料（例如螺栓）的其他配合，這些材料可能隨溫度膨脹和收縮，並且可能導致開裂陶瓷。在一些實施例中，端部可以與端執行器連續，並且可以與端執行器一體地形成。可以使用可以促進操作或操作期間阻力的任何數量的其他材料，並且類似地被本技術涵蓋。
圖3示出了根據本技術的一些實施例的示例性基板處理系統的示例性排氣系統300的示意性等距視圖。該圖可以說明上述處理系統和部件的態樣，並且可以說明系統的附加態樣。該圖可以說明移除了多個部件的系統，以便於說明處理系統的排氣系統。應當理解，排氣系統300可以包括在別處描述或圖示的處理系統的任何部分的任何態樣，並且可以圖示與在別處描述的任何系統結合的排氣系統的態樣。例如，排氣系統300可以示出移除了一些先前描述的蓋堆疊部件的系統。應當理解，仍然可以結合這些部件，例如在每個處理位置包括泵送襯墊。
如前所述，根據本技術的一些實施例的處理系統可以包括可以從轉移區域310垂直平移的基板支撐件305，轉移區域310可以包括上述腔室部分200的任何態樣。基板支撐件305可以各自延伸到相關聯的處理區域，在那裡它們可以至少部分地從下方限定處理區域，且其中面板或其他蓋堆疊部件至少部分地從上方限定處理區域。泵送襯墊可以至少部分地徑向限定處理區域，並且可以提供如上所述的排氣路徑，其可以將材料輸送到排氣系統，例如圖中所示。每個泵送襯管可提供通向前線尾部315的進出口，該前線尾部可通向前線。前線可以將前線尾部315中的每一個與泵送系統318流體耦接，泵送系統318被配置為從系統汲取材料。如圖所示，每個前線尾部315可以在如圖所示的外部位置處與單獨的處理區域耦接，但是在如先前描述的徑向拉製泵襯墊的實施例中，泵送管線可以在任意數量的位置處連接。
如圖所示，前線尾部 315 可以是來自處理系統(包括來自轉移區域 310)的唯一排氣路徑。此外，如圖所示，基板支撐件305可能不完全安置或密封蓋堆疊部件(例如可以支撐單獨蓋堆疊部件的下蓋板320)，並且可以至少部分地限定基板支撐件周圍的處理區域。下蓋板320也可以從上方限定轉移區域。因此，每個處理區域然後可以與基板支撐件周圍的轉移區域流體耦接。當淨化氣體從靠近基板支撐件的淨化通道流出時，氣體然後可以在流過泵送襯墊並在進入排氣系統之前被抽吸到圍繞基板支撐件的泵送襯墊並通過下蓋板。因此，泵送襯墊可限定來自每個處理區域的排氣流動路徑，其用於可從泵送襯墊上方輸送的處理前驅物以及可從轉移區域和泵送襯墊下方輸送的淨化氣體。
當每個處理區域正在執行相似的操作時，這可以包括從處理區域圍繞每個基板支撐件來輸送相似量的淨化氣體，所示的中心區域可能沒有太多流過該區域，因為淨化氣體大體可以流動向上到相關的處理區域，並且可能不會流過基板支撐件或在基板支撐件之間流動。為了限制處理材料或前驅物在轉移區域內的積累，額外的淨化流可以如上文針對本技術的一些實施例所討論的那樣被集中輸送到轉移區域中。
在以下將進一步討論的一些實施例中，根據本技術的系統可用於在不同的處理區域內執行不同的處理，並且這些不同的處理可同時執行。透過流動不同的前驅物，例如沉積或蝕刻前驅物，可以在各個區域中執行複數個不同的處理。透過使用如所述的淨化氣體(這些氣體在轉移區域中的混合)，這可能產生額外的沉積材料或蝕刻劑，並且這些材料的流動可以被限制或防止在轉移區域中彼此相互作用。此外，透過包括一或更多附加部件或流程控制，可以進一步增加可以同時執行的處理的範圍。
當在相對相似的處理壓力下執行單獨的處理時，系統可以透過在單獨的區域處的相似淨化流和相對相似的排氣率保持平衡。然而，本技術還可促進可在各種處理區域內的不同處理壓力下發生的處理。在不同壓力下可能發生的處理期間中的一個考慮因素是透過排氣系統的壓力可能不相等或不相似。儘管在一些實施例中可以併入多個泵送系統，但是本技術可以在每個前線尾部315中包括節流閥325。透過在本技術的一些實施例中具有可獨立控制的節流閥，單個泵送系統318可用於作為複數個處理區域中的每個處理區域的排氣泵來操作。透過在單獨的處理區域中調節進入流速並且獨立地操作節流閥，可以在不同的處理區域中同時執行在不同處理壓力下發生的處理。
可用於在不同處理區域內維持不同壓力的前驅物的不同流速可影響前驅物或流出物流入處理系統的轉移區域的可能性。因此，在一些實施例中，淨化氣體輸送系統也可以分離，這可以允許向不同的處理區域輸送不同的淨化速率。例如，在較高處理壓力下操作的處理區域可以透過提供如先前描述的從轉移區域輸送的增加的淨化氣流來適應。增加的淨化氣流可起到阻止處理流出物、副產物或前驅物進入轉移區域的作用，或可限制侵入。
如前所述，排氣可以從處理區域徑向向外吸入形成在泵送襯墊中的氣室。然後可以將材料吸入泵送襯管邊緣處的相關前線尾部。還可以執行輸送淨化氣體以確保圍繞基板支撐件的徑向基本相等的分佈，這可以確保對處理前驅物的更均勻的影響，並且可以限制對正在處理的基板的影響。圖4示出了根據本技術的一些實施例的淨化氣體輸送系統400的示意性局部等距視圖。該圖示可以在轉移區域外殼405下方示出，其可以包括上述轉移區域外殼125的任何態樣。該視圖可以示出轉移區域外殼的一部分，其可以在轉移區域內的一個基板支撐區域處。該圖可以示出圍繞一個基板支撐件的系統的一部分，但是應當理解，這些部件可以包括在系統的任何基板支撐件或單獨的處理區域中或圍繞該系統的任何基板支撐件或單獨的處理區域。類似於上述淨化通道170，淨化通道410可以圍繞基板支撐件基座延伸，並且可以延伸穿過基板支撐件附近的轉移區域外殼，例如基板支撐件的台板部分的徑向向外。
在一些實施例中，淨化通道可以從氣室415供給，這可以促進輸送到圍繞每個基板支撐件的複數個淨化通道。例如，可以在圍繞每個基板支撐件周圍的每組淨化通道形成氣室。在一些實施例中，淨化源420(例如惰性或非反應性氣體源)可以與每個氣室流體耦接。例如，單獨可控源可以與每個氣室耦接，這可以允許圍繞每個單獨的基板支撐件而輸送不同的淨化氣體流速。例如，對於更高壓力的處理，可以透過淨化通道410輸送更大流速的淨化氣體以對抗來自處理區域的增加的壓力。為了進一步控制處理區域和轉移區域之間的流體流動，在一些實施例中，可以在每個處理區域和轉移區域之間併入阻流襯墊。
圖5示出了根據本技術的一些實施例的處理系統500的示意性局部截面視圖。處理系統500可以包括之前描述的任何系統的任何特徵、部件或態樣，並且可以示出可以與根據本技術的實施例的任何系統結合的附加特徵。該圖可以示出圍繞一個基板支撐件的系統的一部分，但是應當理解，這些部件可以包括在系統的任何基板支撐件或單獨的處理區域中。系統500可以包括轉移區域外殼505和蓋板510，蓋板510可以安置在轉移區域外殼上並且可以限定單獨的處理區域。這些部件可以與之前描述的結構部件相同。基板支撐件515可以如先前針對處理區域所描述的那樣從轉移區域朝向覆蓋的蓋堆疊延伸進入或穿過蓋板。
如上所述，在一些實施例中，額外的流動部件可以併入系統以進一步限制處理材料進入轉移區域。例如，在一些實施例中，阻流襯墊520可以安置在每個基板支撐件上，並且可以從基板支撐件朝向轉移區域垂直延伸。阻流襯墊可以在近端安置在基板支撐件上，並且可以在遠端徑向向外延伸。當基板支撐件升高到操作位置時，向外延伸部接著可以置放抵靠蓋板510。如圖所示，阻流襯墊可以接觸蓋板以阻止處理區域和轉移區域之間的額外流動。如圖所示，阻流襯墊520可以限定穿過徑向向外延伸部的複數個孔525，當阻流襯墊抵靠蓋板接合時，這些孔可以提供相關聯的處理區域和轉移區域之間的流體連通。孔525可以圍繞基板支撐件而徑向延伸以允許均勻流過阻流襯墊。孔的尺寸可以設置為提供任何數量的阻流器，這可以基於系統內的任何流體流量或壓力。例如，孔的尺寸可以小於或約10mm，並且可以小於或約9mm、小於或約8mm、小於或約7mm、小於或約6mm、小於或約5mm、小於或約4mm、小於或約3mm、小於或約2mm、小於或約1mm、或更小。
可以在基板支撐件和蓋板之間形成間隙 530以限制湍流或其他渦流的形成以用於從轉移區域向上流動的淨化氣體。該間隙可以在阻流襯墊的靠近蓋堆疊的泵送襯墊的近端區域擴大阻流襯墊和蓋堆疊之間的空間。間隙530可以是任何尺寸，並且可以至少等於穿過阻流襯墊而形成的孔525的直徑。在一些實施例中，間隙530可以是孔525的直徑的至少大約1.5倍，並且可以是直徑的至少大約2.0倍、直徑的至少大約2.5倍、直徑的至少大約3.0倍、直徑的至少大約3.5倍、至少約 4.0 倍的直徑、至少約 4.5 倍的直徑、至少約 5.0 倍的直徑或更大。透過結合阻流襯墊，當在多個處理區域內操作不同的處理時，可以更容易地控制多個處理區域之間的不同淨化流。
上述系統可用於執行半導體處理，並且在一些實施例中可用於同時執行多個不同的處理。圖6示出了根據本技術的一些實施例的半導體處理方法600中的選定操作。該方法可以在多種處理系統中執行，包括上述處理系統100，其可以包括本揭露通篇描述的任何特徵或部件。該方法可以包括在半導體處理或腔室清潔期間在處理系統的轉移區域內執行淨化操作，這可以限制材料在轉移區域內積聚，如前所述。方法600可以包括多個可選操作，其可以或可以不與根據本技術的方法的一些實施例具體相關聯。例如，描述了許多操作以提供更廣範圍的結構的形成和執行的操作，但許多操作對技術並不關鍵，或者許多操作可以透過容易理解的替代方法執行。方法可以在包括上述任何部件、配置或態樣的任何處理腔室或系統中執行，包括上述轉移裝置或排氣系統的任何態樣。根據本技術的實施例，該方法也可在可受益於淨化的任何其他處理腔室中執行。
方法600可以包括在所列操作開始之前的附加操作。例如，額外的處理操作可以包括將基板輸送到轉移區域、在基板支撐件之間旋轉基板、以及在處理系統或任何其他處理腔室內執行任何數量的基板處理。基板可以安置在其上的基板支撐件(例如在轉移區域內)，基板支撐件可以被轉移到處理區域，該處理區域可以如先前描述的那樣覆蓋在轉移區域上。在操作605，可將一種或多種處理前驅物輸送至處理區域，其可包括輸送至多個處理區域(例如透過如前所述的單獨的蓋堆疊)。如上所述，每個處理區域可以至少部分地由相關聯的蓋堆疊、基板支撐件和泵送襯墊來限定，且處理和淨化材料可以透過泵送襯墊而從系統排出。
在一些實施例中，可以在不同的處理區域中執行不同的處理操作，如前所述。例如，可以在使用第一前驅物或第一組前驅物的第一腔室或第一組腔室中執行第一處理，並且可以在第二腔室或第二組腔室中使用第二前驅物或第二組前驅物來執行不同於第一處理的第二處理。該處理的特徵可以在於任何數量的不同態樣，包括在區域之間可以相似或不同的任何溫度、壓力、流量和材料條件的集合。應當理解，可以執行任意數量的不同操作，並且以下示例不旨在限制本技術所涵蓋的能力或處理。例如，在一些實施例中，第一處理可以包括基板預處理操作，而第二處理可以包括沉積操作。此外，在一些實施例中，第一處理可以包括第一沉積操作，而第二處理可以包括不同的沉積操作。這種處理可以允許形成具有一數量的材料層的材料堆疊(例如記憶體堆疊)，這可以允許透過在多個位置之間旋轉基板來執行該形成，而與在處理工具上使用多個腔室相比，這可以顯著降低產量。
因為每個處理區域可以由基板支撐件加熱，所以對於任何處理可以容易地調節從一個處理區域到下一個處理區域的溫度。還可以在處理區域之間調節壓力，這可以透過利用根據先前描述的本技術的實施例的部件調節流速、淨化氣體輸送和排氣管線節流來適應。例如，在一些實施例中，如前所述的阻流襯墊可以與每個處理區域結合。因此，在一些實施例中，可以在可選操作610處在兩個處理區域之間產生壓差。例如，第一處理可以在小於或約20托、小於或約15托、小於或約10托、小於或約5托、或更少的第一操作壓力下進行。在相鄰處理區域或系統的附加處理區域中同時執行的第二處理可以在相似或不同的操作壓力下執行。例如，第二處理可以在大於或約10托、大於或約15托、大於或約20托、大於或約25托或更高的壓力下進行。同時操作期間處理區域之間的差異可大於或約1托，並且可大於或約5托、大於或約10托、大於或約15托、大於或約20托、或更多。
在操作615處，一種或多種淨化氣體可以被輸送到在每個處理區域下方延伸的轉移區域中。淨化氣體可以流過一或更多淨化通道，例如之前描述的，其可以靠近每個基板支撐件來定位(包括圍繞支撐件)，並且可以延伸穿過轉移區域外殼。在一些實施例中，可額外地透過可旋轉軸提供淨化氣體，這可將額外淨化氣體輸送到轉移區域中(例如透過由轉移裝置的中心轂限定的中心孔)。此外，淨化氣體可以輸送通過在轉移區域底部圍繞轉移裝置的軸的擋板，或輸送通過如前所述的轉移裝置的軸的孔。
為了提供如上所述的壓差，可以調節被輸送的前驅物的流速。如果在每個站提供恆定的淨化流速，這可以增加從處理區域到轉移區域的擴散潛力。因此，在一些實施例中，可以在站之間調整淨化氣體的輸送，其中可以在以更高壓力操作的站處提供更高的淨化氣體的流速。提供變化的淨化氣體速率還可確保處理前驅物被限制或防止流入基板處理系統的轉移區域。在操作620，處理系統可以耗盡一種或多種處理前驅物、處理的副產物以及透過轉移區域輸送的淨化氣體。如前所述，藉由將淨化氣體排出通過泵送襯墊和排氣系統，淨化氣體可以提供屏障以限制或防止處理前驅物在轉移區域內積聚。因為取決於正在執行的處理，排氣流在多個區域之間可能不同，所以在一些實施例中，排氣管線可以包括如前所述的單獨的節流閥，其可以控制流向中央泵送系統的流量。第一節流閥可以與第二節流閥分開調節，或者系統的每個節流閥可以成組地或單獨地操作，以在處理期間保持壓差。
淨化氣體可以包括惰性或不與系統的一種或多種組分反應的任何材料，並且可以包括氮氣、氬氣、氦氣、氫氣、氧氣或任何其他處理前驅物或載氣，它們可以限制對正在執行的處理的影響。因為可以輸送淨化氣體以提供屏障或幕簾以限制來自處理區域的處理前驅物的流動，所以流量可以小於處理前驅物的流量。例如，在一些實施例中，從每個淨化通道輸送的淨化氣體可以以小於或大約90％的透過相關聯的蓋堆疊輸送的處理前驅物的流量的容積來輸送。另外，輸送的淨化氣體可以是小於或約85%的處理前驅物的流量，並且可以小於或約80%、小於或約75%、小於或約70%、小於或約 65%、小於或約 60%、小於或約 55%、小於或約 50%、或更少。
如前所述，可以提供在轉移裝置上方和下方輸送的淨化氣體，以防止形成可能發生處理材料積聚的死區。為了限制輸送對到每個處理區域的平衡流速的影響，在一些實施例中，集中輸送的淨化氣體的量可以小於輸送到任何單獨淨化通道的量。例如，在一些實施例中，透過和/或圍繞轉移裝置集中輸送的淨化氣體可以小於或大約為80%的從靠近單獨基板支撐件的任何單獨淨化通道輸送的容積。
在轉移裝置周圍和/或透過轉移裝置輸送的淨化氣體的容積可以至少部分地基於轉移區域的容積、透過蓋堆疊輸送的前驅物的容積，以及任何其他特性處理和腔室配置。在一些實施例中，透過和/或圍繞轉移裝置軸輸送的淨化氣體的總容積可小於或約20slm，並且可小於或約15slm、小於或約10slm、小於或約5slm，小於或約1slm，小於或約0.5slm，小於或約0.3slm，或更少。在一些實施例中，輸送可以以小於或大約3slm的速率進行，這可以限制對轉移裝置的熱影響，儘管在高壓處理操作期間可以提供更高的流速。因為轉移裝置可以提供用於淨化氣體的流動路徑，所以在一些實施例中可以控制淨化氣體的流速以限制沿著臂或轉移裝置的任何態樣的冷卻。透過可包括根據本技術的一些實施例的一或更多部件的處理系統的轉移區域提供淨化氣體，可限制或防止處理前驅物的流動流入和/或積聚在轉移區域內，並且在多個基板處理操作期間，可以在單獨的處理區域中保持不同的處理條件。
在前面的描述中，為了解釋的目的，已經闡述了許多細節以提供對本技術的各種實施例的理解。然而，對於所屬技術領域具有通常知識者來說顯而易見的是，可以在沒有這些細節中的一些或者具有附加細節的情況下實踐某些實施例。
已經揭露了幾個實施例，所屬技術領域具有通常知識者將認識到，在不脫離實施例的精神的情況下，可以使用各種修改、替代構造和等同物。此外，為了避免不必要地混淆本技術，未描述許多眾所周知的處理和元件。因此，以上描述不應被視為限制本技術的範圍。此外，方法或處理可被描述為按順序的的或分步的，但應理解，這些操作可同時執行，或以與所列不同的按順序的執行。
在提供值範圍的情況下，應當理解，除非上下文另有明確規定，也特別揭露該範圍的上限和下限之間的每個中間值（精確到下限單位的最小分數）。任何規定值或規定範圍內未規定的中間值與該規定範圍內的任何其他規定或中間值之間的任何更窄範圍都包括在內。這些較小範圍的上限和下限可以獨立地包括在該範圍內或排除在該範圍內，並且每個範圍(其中一個、兩個皆非或兩個皆包括在較小的範圍內)也包括在該技術內，受制於任何明確排除的限制規定的範圍。如果所述範圍包括一個或兩個限制，則還包括那種排除所包含的其中一個或兩個限制的範圍。
如本文和所附請求項中所用，單數形式「一」、「一種」和「該」包括複數參考，除非上下文另有明確規定。因此，例如，提及「軸」包括複數個這樣的軸，並且提及「孔」包括提及所屬技術領域具有通常知識者已知的一或更多連接器及其等效物，等等。
此外，當在本說明書和下文中的請求項使用時，詞語「包括」、「包含」旨在指定所述特徵、整數、部件或操作的存在，但不排除一或更多其他特徵、整數、部件、操作、動作或組的存在或添加。
100:處理系統 102:前開口的晶圓盒 104a、104b:機械臂 103:工廠界面 108:處理區域 109a-c:四個一組部分 106:保持區域 112:轉移腔室 110:第二機械臂 107:進出口 120:轉移區域 125:轉移區域外殼 130:基板支撐件 135:轉移裝置 140:面板 140a:面板 140b:面板 108a:處理區域 108b:處理區域 130a:基板支撐件 130b:基板支撐件 145:泵送襯墊 145a:泵送襯墊 145b:泵送襯墊 150:阻擋板 155:蓋 160:孔 160a:第一孔 165:遠程電漿單元 170:淨化通道 170a:第一淨化通道 130a:基板支撐件 170b:第二淨化通道 200:腔室系統 205:轉移區域外殼 207:進出位置 210a、210b:基板支撐件 212:升降銷 215:進出口 220:轉移裝置 210c、210d:基板支撐件 225:中心轂 235:端執行器 237:臂 240:中心孔 300:排氣系統 310:轉移區域 305:基板支撐件 200:腔室部分 315:前線尾部 318:泵送系統 320:下蓋板 325:節流閥 410:淨化通道 400:淨化氣體輸送系統 415:氣室 420:淨化源 500:處理系統 505:轉移區域外殼 510:蓋板 515:基板支撐件 520:阻流襯墊 525:孔 530:間隙 600:方法 605:操作 610:操作 615:操作 620:操作
透過參考說明書的其餘部分和附圖，可以實現對所揭露技術的性質和優點的進一步理解。
圖1A示出了根據本技術的一些實施例的示例性處理工具的示意性俯視圖。
圖1B示出了根據本技術的一些實施例的示例性處理系統的示意性局部剖視圖。
圖2示出了根據本技術的一些實施例的示例性基板處理系統的轉移部分的示意性等距視圖。
圖3示出了根據本技術的一些實施例的示例性基板處理系統的示例性排氣系統的示意性等距視圖。
圖4示出了根據本技術的一些實施例的淨化氣體輸送系統的示意性局部等距視圖。
圖5示出了根據本技術的一些實施例的處理系統的示意性局部剖視圖。
圖6示出了根據本技術的一些實施例的半導體處理方法中的選定的操作。
包括幾個圖作為示意圖。應當理解的是，這些圖是為了說明的目的，除非特別說明是按比例或比例的，否則不應認為是按比例或比例的。此外，作為示意圖，提供這些圖是為了幫助理解，並且可能不包括與現實表現相比的所有態樣或訊息，並且可能包括誇示材料用於說明目的。
在附圖中，相似的部件和/或特徵可以具有相同的元件符號。此外，相同類型的各種部件可以透過在元件符號後面加上區分相似部件的字母來區分。如果說明書中僅使用第一元件符號，則該描述適用於具有相同第一元件符號的任何一個相似部件，而不管字母如何。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
300:排氣系統
310:轉移區域
305:基板支撐件
200:腔室部分
315:前線尾部
318:泵送系統
320:下蓋板
325:節流閥

Claims (20)

  1. 一種基板處理系統，包括： 複數個處理區域； 一轉移區域外殼，其限定與該複數個處理區域流體耦接的一轉移區域； 複數個基板支撐件，該複數個基板支撐件中的每個基板支撐件可在該轉移區域和該複數個處理區域的一相關處理區域之間垂直平移； 一轉移裝置，其包括： 延伸穿過該轉移區域外殼的一可旋轉軸，以及 一端執行器，其與該可旋轉軸連接； 一排氣前線，其包括複數個前線尾部，該複數個前線尾部中的每個前線尾部與該複數個處理區域中的一單獨處理區域流體耦接；和 複數個節流閥，其中該複數個節流閥中的一個節流閥結合在該複數個前線尾部的每個前線尾部中。
  2. 如請求項1所述的基板處理系統，還包括： 複數個淨化通道，其圍繞該複數個基板支撐件中的每個基板支撐件而延伸。
  3. 根據請求項2所述的基板處理系統，其中該複數個淨化通道中的每個淨化通道延伸穿過該複數個基板支撐件中的一基板支撐件附近的該轉移區域外殼。
  4. 根據請求項2所述的基板處理系統，其中該複數個處理區域中的每個處理區域至少部分地由一單獨的蓋堆疊從上方限定，並且其中每個蓋堆疊包括與該基板處理系統的一排氣口流體耦接的一泵送襯墊.
  5. 根據請求項4所述的基板處理系統，其中每個泵送襯墊至少部分地限定來自每個處理區域的用於透過該複數個淨化通道來輸送的一淨化氣體的一排氣流動路徑。
  6. 如請求項1所述的基板處理系統，還包括： 從該複數個基板支撐件中的每個基板支撐件延伸的一阻流襯墊。
  7. 根據請求項6所述的基板處理系統，其中當該基板支撐件處於用於處理的一升高位置時，每個阻流襯墊限定複數個孔而在一相關聯的處理區域和該轉移區域之間提供流體連通。
  8. 根據請求項1所述的基板處理系統，其中該複數個基板支撐件包括圍繞該轉移區域分佈的至少三個基板支撐件，並且其中該轉移裝置位於該複數個基板支撐件之間的中央。
  9. 一種半導體處理方法，包括： 輸送一或更多處理前驅物而通過一基板處理系統的複數個蓋堆疊，該複數個蓋堆疊中的每個蓋堆疊流體地進出複數個處理區域中的一處理區域，其中該複數個處理區域中的每個處理區域是至少部分地由該複數個蓋堆疊的一蓋堆疊和複數個基板支撐件的一基板支撐件來限定； 在該複數個處理區域中的兩個處理區域之間形成一壓差； 經由延伸穿過限定該轉移區域的一轉移區域外殼的複數個淨化通道而將一淨化氣體輸送到該基板處理系統的一轉移區域中，其中該轉移區域與該複數個處理區域中的每個處理區域流體耦接；和 經由該複數個蓋堆疊中的每個蓋堆疊的一泵送襯墊而排出該等處理前驅物和該淨化氣體。
  10. 根據請求項9所述的半導體處理方法，其中該複數個處理區域中的該兩個處理區域之間的該壓差大於或約為10托。
  11. 如請求項9所述的半導體處理方法，其中該基板處理系統包括位於該轉移區域中的一轉移裝置，該轉移裝置包括： 延伸穿過該轉移區域外殼的一可旋轉軸，以及 與該可旋轉軸耦接的一端執行器，其中該端執行器包括限定一中心孔的一中心轂，該中心孔與一淨化源流體耦接，並且其中該端執行器還包括複數個臂，該複數個臂的臂的一數量等於該複數個基板支撐件中的基板支撐件的一數量。
  12. 如請求項9所述的半導體處理方法，其中該輸送包括： 將一第一前驅物輸送到該複數個處理區域中的該兩個處理區域中的一第一處理區域；和 將一第二前驅物輸送到該複數個處理區域中的該兩個處理區域中的一第二處理區域。
  13. 如請求項12所述的半導體處理方法，其中該第一前驅物或該第二前驅物是一沉積前驅物。
  14. 如請求項9所述的半導體處理方法，其中該複數個基板支撐件中的每個基板支撐件還包括： 從每個基板支撐件向該基板處理系統的該轉移區域延伸的一阻流襯墊。
  15. 根據請求項14所述的半導體處理方法，其中當該基板支撐件處於用於處理的一升高位置時，每個阻流襯墊限定複數個孔而提供該處理區域和該轉移區域之間的流體連通。
  16. 根據請求項15所述的半導體處理方法，其中該淨化氣體透過限定在該阻流襯墊中的該複數個孔而從該轉移區域來輸送。
  17. 如請求項9所述的半導體處理方法，其中該基板處理系統還包括： 一系統前線，其包括複數個前線尾部，該複數個前線尾部中的每個前線尾部與該複數個處理區域中的一單獨處理區域流體耦接。
  18. 如請求項17所述的半導體處理方法，其中該基板處理系統還包括： 複數個節流閥，其中該複數個節流閥中的一節流閥結合在該複數個前線尾部的每個前線尾部中。
  19. 如請求項18所述的半導體處理方法，還包括： 與該複數個節流閥中的一第二節流閥分開地調節的該複數個節流閥中的一第一節流閥，以維持該複數個處理區域中的該兩個處理區域之間的該壓差。
  20. 根據請求項9所述的半導體處理方法，其中該一或更多處理前驅物被該淨化氣體限制或防止流入該基板處理系統的該轉移區域。
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