TW202216870A - 發泡成形用組成物、發泡成形體、電線、發泡成形體之製造方法、及電線之製造方法 - Google Patents

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北原隆宏
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Abstract

本發明之目的在於提供一種發泡成形用組成物,該發泡成形用組成物可製造耐熱性優異,平均泡徑較小,且發泡率較大,外徑穩定性良好之發泡成形體及發泡電線。 本發明之發泡成形用組成物,其含有:樹脂(A),其熱分解溫度為330℃以上;及化合物(B),其選自由磷酸酯及其鹽、以及磷酸酯錯合物所組成之群中至少一種。

Description

發泡成形用組成物、發泡成形體、電線、發泡成形體之製造方法、及電線之製造方法
本發明係關於一種發泡成形用組成物、發泡成形體、電線、發泡成形體之製造方法、及電線之製造方法。
作為電線之被覆材料,期望降低介電常數以提昇電特性,而為實現低介電常數化,較為有效的是將被覆材料製成發泡體。以樹脂作為材料之發泡體通常藉由發泡成形而獲得,該發泡成形係使氣體存在於熔融樹脂中而成形。
為了使所得之發泡體之形狀或特性均勻,發泡體中之氣泡較佳為微細且均勻地分佈。為了使氣泡細小化或均勻分佈化,存在下述方法,即,使發泡成核劑以成為發泡成形時產生氣泡之起點之方式存在於樹脂中。
例如,專利文獻1中揭示有一種發泡成核劑及發泡體用組成物,上述發泡成核劑含有選自由磷酸酯錯合物(a-1)及磷系酯化合物(a-2)所組成之群中至少一種化合物,且平均粒徑為0.01 μm~300 μm;上述發泡體用組成物含有上述發泡成核劑及樹脂成分(B),該樹脂成分(B)係選自由彈性體(b-1)及熱塑性樹脂(b-2)所組成之群中至少一種成分。
對於此種發泡成形用組成物,要求其具有進一步之耐熱性、阻燃性等,已研究出可利用一種功能性極高之被稱為超級工程塑膠之樹脂。 然而,被歸類為超級工程塑膠之樹脂雖耐熱性優異,但問題在於介電常數相對高。
專利文獻2中揭示有一種絕緣電線,該絕緣電線具備:導體、及形成於上述導體周圍且具有發泡區域之發泡絕緣體,上述發泡絕緣體由含有聚苯硫醚樹脂及氧化鋁之樹脂組成物構成,上述發泡絕緣體之發泡度為30%以上且80%以下。
又,專利文獻3中揭示有一種發泡電線,其具有導體及發泡絕緣層,上述發泡絕緣層由結晶性熱塑性樹脂之熔點或非晶性熱塑性樹脂之玻璃轉移點為150℃以上之熱塑性樹脂構成,且平均氣泡直徑為5 μm以下。
專利文獻4中揭示有一種壁紙用組成物,該壁紙用組成物係於熱塑性彈性體中添加發泡劑、及作為發泡成核劑之具有特定結構之芳香族環狀磷酸酯鹽而成。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1:日本特開2013-147566號公報 專利文獻2:日本特開2017-157463號公報 專利文獻3:國際公開第2011/118717號 專利文獻4:日本特開平11-130892號公報
[發明所欲解決之課題]
本發明之目的在於提供一種發泡成形用組成物,該發泡成形用組成物可製造耐熱性優異,平均泡徑較小,且發泡率較大,火花產生較少之發泡成形體及發泡電線。 [解決課題之技術手段]
本發明係關於一種發泡成形用組成物,其含有:樹脂(A),其熱分解溫度為330℃以上;及化合物(B),其選自由磷酸酯及其鹽、以及磷酸酯錯合物所組成之群中至少一種。 上述樹脂(A)較佳為介電常數為4.0以下。 上述樹脂(A)較佳為可進行熔融加工。 上述樹脂(A)較佳為熔點為250℃以上。 上述樹脂(A)較佳為選自由聚苯硫醚(PPS)及聚芳醚酮(PAEK)所組成之群中至少一種。
上述化合物(B)較佳為熔點為300℃以上。 上述化合物(B)較佳為下述式(1)所表示之芳香族環狀磷酸酯鹽。
Figure 02_image001
(式中,R 1、R 2、R 3、R 4表示氫原子、碳原子數1~8之烷基或環烷基、或者碳原子數6~12之芳基、烷基芳基或芳烷基(arylalkyl);R 5、R 6表示氫原子或甲基;n表示1或2之整數;m表示0~2之整數;X表示m+n價之金屬)。
上述式(1)之R 1及R 2較佳為第三丁基。 上述式(1)之X較佳為鈉。 上述化合物(B)較佳為磷酸2,2'-亞甲基雙(4,6-二第三丁基苯基)鈉。
本發明亦是一種發泡成形體,其得自上述發泡成形用組成物。 上述發泡成形體較佳為發泡率為10%以上。 本發明亦是一種電線,其具備芯線及被覆材料,該被覆材料被覆上述芯線且得自上述發泡成形用組成物。 於上述電線中,被覆材料之發泡率較佳為10%以上。
本發明亦是一種發泡成形體之製造方法,其包括:使上述發泡成形用組成物進行發泡成形之步驟。 本發明亦是一種電線之製造方法,其包括:將上述發泡成形用組成物被覆於芯線而獲得電線之步驟。 發明之效果
本發明之發泡成形用組成物可藉由具有上述構成而製作發泡率較大,且平均泡徑較小,火花產生較少,外徑、靜電電容之差異較小,表面較為平滑之發泡成形體及發泡電線。
先前,於將以超級工程塑膠為代表之高熔點且成形溫度較高之功能性塑膠用於發泡成形用組成物之情形時,使用非活性氣體等物理發泡劑、或於成形溫度進行熱分解之化學發泡劑。進而為了提昇發泡率,考慮併用發泡成核劑。本發明人等發現若將上述化合物(B)用作發泡成核劑,則可獲得良好之發泡性能,從而完成了本發明。 進而,若該化合物(B)之熔點為300℃以上,則其效果更加顯著。 上述功能性塑膠由於成形溫度較高,故若摻合通用之發泡成核劑,則於成形時會導致發泡成核劑熔融而難以有效地發揮作用。若上述化合物(B)使用熔點為300℃以上者,則可更好地解決此種問題。 以下,對本發明詳細地進行說明。
本發明中之樹脂(A)之熱分解溫度為330℃以上。由於上述樹脂(A)如上所述具有較高之熱分解溫度,故本發明之發泡成形用組成物可獲得較高之耐熱性、及優異之機械特性。上述熱分解溫度較佳為350℃以上,更佳為400℃以上。 於本說明書中,熱分解溫度係藉由TG(加熱重量變化測定),於空氣中以10℃/min加熱時之1%重量減少溫度。
進而,為了減少通訊電線之訊號損失,上述樹脂(A)之介電常數較佳為4.0以下。上述介電常數更佳為3.8以下,進而較佳為3.5以下。 上述介電常數係藉由頻率6 GHz下之空腔共振器法進行測定。
就可獲得耐熱性優異且連續使用溫度範圍較廣之發泡成形體之觀點而言,樹脂(A)較理想為熔點為200℃以上或成形溫度為250℃以上。進而更佳為熔點為250℃以上或成形溫度為300℃以上。 於本說明書中,熔點係示差掃描熱量計(DSC)所測定之溫度,成形溫度為一般推薦之適於成形的溫度,且於該溫度具有流動性且不會引起著色等樹脂劣化之溫度,具有流動性意指於該溫度時MFR為0.0001以上。
上述樹脂(A)於380℃、5000 g荷重之條件下測定之熔體流動速率(MFR)較佳為1~150 g/10分鐘,更佳為5~130 g/10分鐘,進而較佳為10~100 g/10分鐘。藉由使MFR為上述範圍,可提昇電線擠出加工穩定性,獲得拉伸伸長率較高之絕緣層。上述芳香族聚醚酮樹脂之MFR係依據ASTM D1238,使用熔融指數測定儀進行測定。
上述樹脂(A)較佳為可進行熔融加工。上述樹脂(A)具體可例舉:聚芳醚酮(PAEK)(更具體而言,例如為:聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酮酮(PEKK)、聚醚酮(PEK)、聚醚醚酮酮(PEEKK)等)、聚苯硫醚(PPS)、聚醚碸(PES)、液晶聚合物(LCP)、聚碸(PSF)、非晶性聚芳酯(PAR)、聚醚腈(PEN)、熱塑聚醯亞胺(TPI)、聚醯亞胺(PI)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚醯胺醯亞胺(PAI)、氟樹脂等。
其中,較佳為選自由液晶聚合物(LCP)、聚苯硫醚(PPS)、聚醚碸(PES)及聚芳醚酮(PAEK)所組成之群中至少一種,特佳為選自由聚苯硫醚(PPS)及聚芳醚酮(PAEK)所組成之群中至少一種。 上述樹脂(A)可使用一種或兩種以上。
其中,藉由使用被稱為聚芳醚酮(PAEK)之芳香族聚醚酮樹脂,可提昇薄壁加工性,製成拉伸伸長率較高之發泡成形體。 上述芳香族聚醚酮樹脂並無特別限制,只要包含由伸芳基、醚基[-O-]及羰基[-C(=O)-]所構成之重複單位即可,例如包含下述式(a1)~(a5)中任一者所表示之重複單位。 [-Ar-O-Ar-C(=O)-]                                                 (a1) [-Ar-O-Ar-C(=O)-Ar-C(=O)-]                               (a2) [-Ar-O-Ar-O-Ar-C(=O)-]                                       (a3) [-Ar-O-Ar-C(=O)-Ar-O-Ar-C(=O)-Ar-C(=O)-]     (a4) [-Ar-O-Ar-O-Ar-C(=O)-Ar-C(=O)-]                      (a5) (式中,Ar表示可具有取代基之2價芳香族烴環基)。 作為Ar所表示之2價芳香族烴環基,例如可例示:伸苯基(鄰、間、或對伸苯基等)、伸萘基等碳數6~10之伸芳基;聯伸苯基(2,2'-聯伸苯基、3,3'-聯伸苯基、4,4'-聯伸苯基等)等聯伸芳基(各伸芳基之碳數為6~10);鄰伸聯三苯基、間伸聯三苯基或對伸聯三苯基等伸聯三芳基(各伸芳基之碳數為6~10)等。該等芳香族烴環基可具有取代基,例如:鹵素原子、烷基(甲基等直鏈狀或支鏈狀之碳數1~4之烷基等)、鹵烷基、羥基、烷氧基(甲氧基等直鏈狀或支鏈狀之碳數1~4之烷氧基等)、巰基、烷硫基、羧基、磺基、胺基、N-取代胺基、氰基等。再者,於重複單位(a1)~(a5)中,各Ar之種類彼此可相同,亦可不同。較佳之Ar為伸苯基(例如對伸苯基)、聯伸苯基(例如4,4'-聯伸苯基)。
作為具有重複單位(a1)之樹脂,例如可例示聚醚酮(例如Victrex公司製造之「PEEK-HT」)等。作為具有重複單位(a2)之樹脂,例如可例示聚醚酮酮(例如Arkema+Oxford Performance Material公司製造之「PEKK」)等。作為具有重複單位(a3)之樹脂,例如可例示:聚醚醚酮(例如Victrex公司製造之「VICTREX PEEK」、Evonik公司製造之「Vestakeep(註冊商標)」、Daicel-Evonik公司製造之「Vestakeep-J」、Solvay Speciality Polymers公司製造之「Keta Spire(註冊商標)」)、聚醚-二苯基-醚-苯基-酮-苯基(例如Solvay Speciality Polymers公司製造之「Kadel(註冊商標)」)等。作為具有重複單位(a4)之樹脂,例如可例示聚醚酮醚酮酮(例如,Victrex公司製造之「VICTREX ST」)等。作為具有重複單位(a5)之樹脂,例如可例示聚醚醚酮酮等。於由伸芳基、醚基及羰基所構成之重複單位中,醚鏈段(E)與酮鏈段(K)之比率例如為E/K=0.5~3,較佳為0.5~2.0左右。由於醚鏈段賦予分子鏈柔軟性,酮鏈段賦予分子鏈剛性,故醚鏈段越多結晶速度越快,最終可達到之結晶度越高;而酮鏈段越多則玻璃轉移溫度及熔點呈升高趨勢。該等芳香族聚醚酮樹脂可單獨使用,或組合使用兩種以上。
於該等芳香族聚醚酮樹脂中,較佳為具有重複單位(a1)~(a4)中任一者之芳香族聚醚酮樹脂。例如,上述芳香族聚醚酮樹脂較佳為選自由聚醚酮、聚醚醚酮、聚醚酮酮及聚醚酮醚酮酮所組成之群中至少一種樹脂。進而更佳為選自由聚醚酮、聚醚醚酮及聚醚酮酮所組成之群中至少一種樹脂。就電線加工性提昇,介電常數較低之觀點而言,特佳為聚醚酮酮。
上述芳香族聚醚酮樹脂之熔點較佳為300℃以上。更佳為320℃以上。藉由為上述範圍之熔點,可提昇所得之成形品之耐熱性。
上述芳香族聚醚酮樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為130℃以上。更佳為135℃以上,進而較佳為140℃以上。藉由設為上述範圍之玻璃轉移溫度,可獲得耐熱性優異之絕緣電線。玻璃轉移溫度之上限並無特別限制,就成形性之觀點而言,較佳為220℃以下,更佳為180℃以下。 上述玻璃轉移溫度係依據JIS K7121,使用示差掃描熱量測定(DSC)裝置,於升溫速度為20℃/分鐘之測定條件下進行測定。
上述樹脂(A)之含量相對於發泡成形用組成物100質量份,較佳為50質量份以上,更佳為80質量份以上。進而較佳為90質量份以上,進而更佳為95質量份以上,特佳為98質量份以上。上限為99.999質量份以下,更佳為99.99質量份以下。
於本發明中,作為發泡成核劑起作用之上述化合物(B)係選自由磷酸酯及其鹽、以及磷酸酯錯合物所組成之群中至少一種化合物。 為了有效地發揮本發明之效果,較理想為化合物(B)於成形溫度時未熔融。因此,化合物(B)之熔點較理想為300℃以上。進而更佳為350℃以上,最佳為400℃以上。
可用作上述化合物(B)之磷酸酯化合物中具代表性者為磷酸酯、亞磷酸酯、酸性磷酸酯、酸性亞磷酸酯或其氨、胺、三聚氰胺、鹼金屬或者鹼土類金屬等之鹽,其具體結構並無特別限定。
作為其具體例,可例舉:磷酸三苯酯、磷酸三月桂酯、磷酸三硬脂酯、磷酸三油酯、磷酸二甲苯基二苯酯、磷酸乙基二苯酯、磷酸異丙基二苯酯、磷酸正丁基二苯酯、磷酸2-乙基己基二苯酯、磷酸異癸基二苯酯、磷酸鯨蠟基二苯酯、磷酸硬脂基二苯酯、磷酸油基二苯酯、磷酸丁基二甲酚酯、磷酸辛基二甲酚酯、磷酸月桂基二甲酚酯、焦磷酸二丁酯、酸式磷酸單苯酯、酸式磷酸二苯酯、酸式磷酸單甲酚酯、酸式磷酸二甲酚酯、酸式磷酸單(二甲苯)酯、酸式磷酸2-丙烯醯氧基乙酯、酸式磷酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯、磷酸二苯基(2-丙烯醯氧基乙基)酯、磷酸二苯基(2-甲基丙烯醯氧基乙基)酯、磷酸三萘酯、磷酸三(壬基苯基)酯、磷酸三(2,6-二甲基苯基)酯、四苯基間苯二酚二磷酸酯、四苯基對苯二酚二磷酸酯、四苯基雙酚A二磷酸酯、四(2,6-二甲基苯基)間苯二酚二磷酸酯、四(2,6-二甲基苯基)雙酚A二磷酸酯、四(2,6-二甲基苯基)聯苯二磷酸酯、四苯基乙二醇二磷酸酯、雙(2,6-二甲基苯基)新戊四醇二磷酸酯、酸式磷酸二(二甲苯)酯等酸性磷酸酯;或酸性亞磷酸酯、磷酸二甲酯-銨鹽、磷酸二乙酯-銨鹽、磷酸乙酯-銨鹽、磷酸二正丁酯-銨鹽、磷酸二丁氧基乙酯-三乙醇胺鹽、磷酸二辛酯-嗎福啉鹽、磷酸單正丁酯-鈉鹽、磷酸二苯酯-銨鹽、磷酸二苯酯-三聚氰胺鹽、磷酸二苯酯-哌𠯤鹽、磷酸苯酯-銨鹽、磷酸二甲酚酯-乙二胺鹽、磷酸甲酚酯-鈉鹽、磷酸二(二甲苯)酯-三聚氰胺鹽等酸性磷酸酯;或酸性亞磷酸酯之氨、胺、三聚氰胺、鹼金屬或鹼土類金屬之鹽等。
更具體而言,例如可例舉:磷酸雙(4-第三丁基苯基)鈉、磷酸2,2'-亞甲基雙(4,6-二第三丁基苯基)鈉等磷酸酯之鹽、2-羥基-2-側氧基-4,6,10,12-四第三丁基-1,3,2-二苯并[d,g]全氫二氧雜磷八環鈉鹽等。又,酯可為單酯,可為二酯,可為三酯,亦可為三酯以上之酯。該等可單獨使用一種,亦可組合使用兩種以上。
其中,較佳為芳香族磷酸酯,更佳為芳香族磷酸酯之鹽,進而較佳為具有環狀結構之芳香族磷酸酯之鹽。上述具有環狀結構之芳香族磷酸酯鹽特佳為下述式(1)所表示之芳香族環狀磷酸鹽。
Figure 02_image003
式中,R 1、R 2、R 3、R 4表示氫原子、碳原子數1~8之烷基或環烷基、或者碳原子數6~12之芳基、烷基芳基或芳烷基;R 5、R 6表示氫原子或甲基;n表示1或2之整數;m表示0~2之整數;X表示m+n價之金屬。
作為上述式(1)中之R 1及R 2所表示之烷基,例如可例舉:甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、異戊基、第二戊基、第三戊基、己基、異己基、庚基、辛基、異辛基、2-乙基己基、第三辛基。作為環烷基,可例舉:環戊基、環己基、環庚基等。
作為R 1及R 2所表示之芳基,可例舉:苯基、萘基、聯苯基等。作為烷基芳基,可例舉:4-甲基苯基、4-第三丁基苯基、壬基苯基等。作為芳烷基,可例舉:苄基、苯乙基、異丙苯基等。
作為X所表示之金屬,可例舉:鋰、鈉、鉀等鹼金屬;鎂、鈣等鹼土類金屬;鋁;鋅;鈦等。
於式(1)中,R 1及R 2較佳為烷基芳基,更佳為第三丁基苯基。 上述X所表示之金屬較佳為鈉、鉀、銣、鈣、鋇,其中,更佳為鈉。更具體而言,化合物(B)最佳為下述式(2)所表示之磷酸2,2'-亞甲基雙(4,6-二第三丁基苯基)鈉。
Figure 02_image005
可用作上述化合物(B)之磷酸酯錯合物係由金屬及具有磷酸酯之有機化合物所構成之錯合物,其具體結構並無特別限定。作為構成該錯合物之有機化合物,例如可例舉:雙(4,4',6,6'-四-第三丁基-2,2'-亞甲基二苯基)磷酸酯、2,2'-亞甲基-雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸酯、2,2'-亞甲基-雙(4,6-二-甲基苯基)磷酸酯、2,2'-亞甲基-雙(4,6-二-甲基苯基)磷酸酯、2,2'-亞甲基-雙(4,6-二-乙基苯基)磷酸酯、2,2'-亞甲基-雙(4-甲基-6-第三丁基苯基)磷酸酯、2,2'-亞甲基-雙(4-乙基-6-第三丁基苯基)磷酸酯、2,2'-亞乙基-雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸酯、2,2'-亞乙基-雙(4-異丙基-6-第三丁基苯基)磷酸酯、2,2'-亞乙基-雙(4-間丁基-6-第三丁基苯基)磷酸酯、2,2'-亞丁基-雙(4,6-二-甲基苯基)磷酸酯、2,2'-亞丁基-雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸酯、2,2'-第三辛基亞甲基-雙(4,6-二-甲基苯基)磷酸酯、2,2'-第三辛基亞甲基-雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸酯、雙[2,2'-硫代雙(4-乙基-6-第三丁基苯基)磷酸酯]、雙[2,2'-硫代雙-(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸酯]、雙[2,2'-硫代雙-(4-第三辛基苯基)磷酸酯]、雙[2,2'-亞甲基-雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸酯]、雙[2,2'-亞乙基-雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸酯]、雙[(4,4'-二甲基-6,6'-二-第三丁基-2,2'-聯苯基)磷酸酯]、(4,4'-二甲基-5,6'-二-第三丁基-2,2'-聯苯基)磷酸酯、三[2,2'-亞甲基-雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸酯]、三[2,2'-亞乙基-雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸酯]、苯基雙(十二烷基)磷酸酯、苯基乙基氫磷酸酯、苯基雙(3,5,5-三甲基己基)磷酸酯、乙基二苯基磷酸酯、2-乙基己基二(甲苯基)磷酸酯、二苯基氫磷酸酯、亞甲基二苯基磷酸酯、雙(2-乙基己基)對甲苯基磷酸酯、三甲苯基磷酸酯、雙(2-乙基己基)苯基磷酸酯、二(壬基)苯基磷酸酯、苯基甲基氫磷酸酯、二(十二烷基)對甲苯基磷酸酯、對甲苯基雙(2,5,5-三甲基己基)磷酸酯、2-乙基己基二苯基磷酸酯、三(丁氧基乙基)磷酸酯、磷酸三辛酯、三甲酚磷酸酯、甲酚基二苯基磷酸酯、二乙基氯磷酸酯、二苯基氯磷酸酯、二乙基溴磷酸酯、二苯基溴磷酸酯、二甲基氯磷酸酯、苯基氯磷酸酯、三甲基磷酸酯、三乙基磷酸酯、三正丁基磷酸酯、三癸基磷酸酯、三苯基磷酸酯、異丙基三苯基磷酸酯、異癸基二苯基磷酸酯、亞甲基二苯基磷酸酯等。
又,作為構成磷酸酯錯合物之金屬,例如可例舉:鋁、鈉、鋰、鈣、鎂、鋇。該等可單獨使用一種,亦可組合使用兩種以上。其中,較佳為芳香族磷酸酯,進而較佳為環狀芳香族磷酸酯,最佳為芳香族環狀磷酸酯之鈉錯合物。
上述化合物(B)中,作為熔點為300℃以上之化合物,具體而言,例如可例舉:磷酸2,2'-亞甲基雙(4,6-二第三丁基苯基)鈉等。
上述化合物(B)之含量相對於樹脂(A)與化合物(B)之合計量較佳為0.001~20質量份。若化合物(B)之含量過少,則於所得之被覆材料中不易獲得微細之氣泡;若過多,則有於電線成形時產生大量火花之隱憂。
本發明之發泡成形用組成物較佳為進而含有氮化硼。藉由含有氮化硼,可獲得具有平均泡徑更小之微細且均勻之氣泡的被覆材料。
氮化硼之平均粒徑較佳為8.0 μm以上。先前,氮化硼之平均粒徑呈變小之趨勢,並未具體地研究使用平均粒徑相對較大之氮化硼。 本發明之發泡成形用組成物藉由含有具有上述特定範圍之平均粒徑之氮化硼,可形成具備平均泡徑更小且發泡率更高之被覆材料之發泡電線。
氮化硼之平均粒徑更佳為9.0 μm以上,進而較佳為10.0 μm以上,進而更佳為10.5 μm以上,特佳為11.0 μm以上,進而特佳為12.0 μm以上,最佳為13.0 μm以上。 又,若氮化硼之平均粒徑過大,則有平均泡徑變大之隱憂,或產生大量火花之隱憂。氮化硼之平均粒徑較佳為25 μm以下,更佳為20 μm以下。 藉由氮化硼之平均粒徑為上述範圍,可形成具有微細且均勻之氣泡之被覆材料。 氮化硼之平均粒徑係使用雷射繞射、散射式粒度分佈分析裝置求得之值。於使用濕式法之情形時,作為介質,適當選擇即可,例如可使用甲醇等。
氮化硼之(D84-D16)/D50所表示之粒度分佈較佳為1.2以下。 D84、D50及D16表示於將氮化硼之粉體集群之總體積設為100%求出累積曲線時,該累積曲線於84%之點之粒徑(μm)、50%之點之粒徑(μm)、及16%之點之粒徑(μm)。再者,粒度分佈之累積自小粒徑側進行。上述粉體集群之總體積係以下述方式獲得,即,製備甲醇等介質中分散有氮化硼之粉體之樣品,並且使用雷射繞射、散射式粒度分佈分析裝置(例如日機裝(股)製造之Microtrac MT3300)。 藉由氮化硼之粒度分佈為上述範圍,可形成具有微細且均勻之氣泡之被覆材料,並且可進一步抑制火花產生。 上述粒度分佈更佳為1.1以下,進而較佳為1.0以下。粒度分佈之下限並無特別限定,例如可為0.1。 上述粒度分佈(體積粒度分佈)之累積曲線係使用雷射繞射、散射式粒度分佈分析裝置(例如日機裝(股)製造之Microtrac MT3300)而獲得者。於使用濕式法之情形時,作為介質,適當選擇即可,例如可使用甲醇等。
氮化硼較佳為經粉碎者。若氮化硼為經粉碎者,則可進一步抑制火花產生。 上述粉碎可於能使氮化硼之平均粒徑或粒度分佈處於上述範圍內之方法及條件進行。例如適當選擇粉碎機之種類、條件而進行。作為上述粉碎機,例如可使用:噴射磨機、錘磨機、球磨機、針磨機等。
氮化硼可藉由分級而調整為上述範圍之平均粒徑或粒度分佈。 本發明之組成物並無特別限制,例如,氮化硼之含量較佳為0.1~10質量%,更佳為0.1~2.0質量%,進而較佳為0.1~1.5質量%,進而更佳為0.1~1.0質量%。若氮化硼之含量過少,則有於所得之發泡電線之被覆材料中不易獲得微細之氣泡之隱憂;若過多,則有製造成本變高之隱憂。
於不損害本發明之效果之範圍內,本發明之發泡成形用組成物可進而含有含多原子陰離子之無機鹽。 作為上述含多原子陰離子之無機鹽,可例舉美國專利第4,764,538號說明書所揭示者。
於不損害本發明之效果之範圍內,本發明之發泡成形用組成物可進而含有:磺酸、膦酸、或該等之鹽、沸石等。又,亦可併用ADCA(偶氮二甲醯胺)、DPT(N,N'-二亞硝基五亞甲基四胺)、OBSH(4,4'-氧基雙苯磺醯肼)等有機系發泡成核劑。
本發明之發泡成形用組成物除樹脂(A)、及化合物(B)以外,可於不損害本發明之效果之範圍內含有先前公知之填充材料。
作為上述填充材料,例如可例舉:石墨、碳纖維、焦炭、二氧化矽、氧化鋅、氧化鎂、硫酸鎂、氧化錫、氧化銻、碳酸鈣、碳酸鎂、玻璃、滑石、mica、雲母、氮化鋁、磷酸鈣、絹雲母、矽藻土、氮化矽、精細二氧化矽、燻製二氧化矽(fumed silica)、氧化鋁、氧化鋯、石英粉、高嶺土、膨潤土、氧化鈦等。上述填充材料之形狀並無特別限定,可例舉:纖維狀、針狀、粉末狀、粒狀、珠粒狀等。再者,上述填充材料係不同於氮化硼者。
本發明之發泡成形用組成物可進而含有除上述樹脂(A)以外之熱塑性樹脂。作為除上述樹脂(A)以外之熱塑性樹脂,例如可例舉:聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、氯乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂等通用樹脂;聚醯胺(PA)、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、矽樹脂等工程塑膠。又,亦可含有熱固性彈性體、熱塑性彈性體。
本發明之發泡成形用組成物可進而含有添加劑等其他成分。作為其他成分,例如可例舉:玻璃纖維、玻璃粉末、石綿纖維等填充材料;補強劑、穩定劑、潤滑劑、顏料、阻燃劑、其他添加劑等。 本發明之發泡成形用組成物例如亦可藉由包括下述混合步驟之製造方法(以下稱為「組成物之製造方法」)獲得,該混合步驟係將樹脂(A)、化合物(B)、及視需要添加之氮化硼、填充劑、添加劑等混合而獲得混合物。
作為上述混合方法,例如可使用先前公知之方法等,較佳為不易使上述化合物(B)凝集之混合方法。 作為上述混合方法,亦可例舉:使用亨舍爾混合機、帶式混合機、V型混合器、球磨機等之方法等。又,例如亦可例舉:藉由熔融混練進行混合之方法。
本發明之發泡成形用組成物之製造方法可包括對藉由上述混合步驟所得之混合物進行混練之混練步驟。藉由上述混練,可獲得顆粒(pellet)。上述混練例如可藉由使用單螺桿擠出機、雙螺桿擠出機等先前公知之熔融混練機之方法進行。
上述樹脂以外之熱塑性樹脂、氮化硼、含多原子陰離子之無機鹽、填充材料、其他添加劑等各成分作為可含有於本發明之發泡成形用組成物中之成分已經進行了說明,可根據其性質等,於上述發泡成形用組成物之製造方法之各步驟中進行適當添加。又,可進而添加氟樹脂、氮化硼。
本發明之發泡成形用組成物適合用作發泡性組成物。進而,上述發泡成形用組成物適合作為用以形成電線被覆材料之電線被覆用組成物使用。
本發明之發泡成形體之製造方法包括使上述發泡成形用組成物進行發泡成形之步驟。
使上述發泡成形用組成物進行發泡成形之方法並無特別限定,例如可使用先前公知之方法,例如可例舉下述方法等:於熔融之上述樹脂(熔融樹脂)中使用氣體,向設計成用於發泡操作之螺桿擠出機中投入本發明之發泡成形用組成物,使用連續氣體射出法。
作為上述氣體,例如可使用氯二氟甲烷、氮氣、二氧化碳、氬氣、氦氣、氟氯碳化物等非活性氣體或上述氣體之混合物,可作為加壓氣體導入擠出機內之熔融樹脂中,亦可藉由使化學發泡劑溶混於熔融樹脂中而產生。上述氣體溶解於上述擠出機內之熔融樹脂中。
熔融物之壓力於從擠出模頭擠出時突然降低,藉此,溶解於上述熔融樹脂中之氣體自熔融物中釋放出。自擠出機擠出之擠出物繼而藉由例如導入水中等方法進行冷卻而固化。
由於上述發泡成形體係使上述發泡成形用組成物發泡成形而獲得者,故介電常數較低,呈現穩定之外徑,較為輕量,且製成下述被覆材料時可獲得線徑、厚度等之大小較為穩定之形狀。 發泡成形體中之氣泡之總容積例如可藉由對上述擠出機中之氣體之插入量進行調節等、或者藉由選擇要溶解之氣體之種類,視用途而適當調整。
上述發泡成形體能以自上述擠出機擠出時視用途而成形之成形體之形式獲得。作為上述成形方法,並無特別限定,進行加熱熔融成形即可,例如可例舉:擠出發泡成形、射出發泡成形、模具發泡成形等。
上述發泡成形體之形狀並無特別限定,例如可製為:發泡電線等之被覆材料、線材等絲狀、片狀、膜狀、桿狀、管狀等各種形狀。上述發泡成形體例如可用作:電性絕緣材料、隔熱材料、隔音材料、懸浮材料等輕量結構材料、緩衝墊等緩衝材料等。又,上述發泡成形體尤其適合用作發泡電線之被覆材料。 所得之發泡成形體較佳為含有本發明之發泡成形用組成物之熔融固化體及氣泡,且上述氣泡均勻分佈於熔融固化體中。上述氣泡之平均泡徑並無限定,例如較佳為100 μm以下。進而較佳為60 μm以下。又,平均泡徑較佳為0.1 μm以上。 上述發泡成形體之發泡率並無特別限定,較佳為10%以上,更佳為15%以上。發泡率之上限並無特別限定,例如為80%。
本發明之發泡成形體之特徵之一亦在於,表面與習知之發泡成形體相比較為平滑。就表面為平滑之觀點而言,適合用於滑動性優異之發泡構件等。 於本發明中,用手摸發泡成形體之表面,觀察此時手感覺到之卡頓(突起)之程度,藉此進行評價。又,亦可如下所述,藉由雷射顯微鏡測定電線表面,藉由表面形狀修正之二次局部修正指定電線之範圍,對所得之圖像資料實施修正後,計算500×2000 μm之表面粗糙度,藉此以數值進行評價。上述表面粗糙度較佳為未達10.0 μm。
本發明之電線之製造方法包括使上述發泡成形用組成物被覆於芯線而獲得電線之步驟。藉由使用上述發泡成形用組成物,可形成具備被覆材料之發泡電線,該被覆材料具有微細且均勻之氣泡。獲得上述電線之步驟較佳為使上述發泡成形用組成物發泡成形之步驟。 藉由上述電線之製造方法所得之電線由被覆材料及芯線所構成,該被覆材料由上述發泡成形用組成物形成。使上述發泡成形用組成物被覆於芯線所得之電線亦為本發明之一。
由於上述被覆材料係使上述發泡成形用組成物被覆於芯線所得者,故具有微細且均勻之氣泡。又,介電常數較低,呈現穩定之外徑,較為輕量,可獲得線徑、厚度等之大小較為穩定之形狀。 又,上述被覆材料與上述發泡成形體同樣為具有平滑之表面者,顯示出同樣之物性。
上述電線除了使上述發泡成形用組成物被覆於芯線上以外,可藉由與先前同樣之方法而製作,例如可使用擠出發泡成形而製造。較佳之擠出成形條件可根據所使用之組成物之組成或芯線之尺寸進行適當選擇。
作為使上述發泡成形用組成物被覆於芯線之方法,例如可例舉:於熔融樹脂中使用可溶性氣體,向設計成用於發泡操作之螺桿擠出機中投入本發明之發泡成形用組成物,使用連續氣體射出法之方法等。作為上述氣體,可使用與用於發泡成形體之製造方法之氣體相同之氣體。
所得之被覆材料較佳為含有本發明之發泡成形用組成物之熔融固化體及氣泡,且上述氣泡均勻分佈於熔融固化體中。 上述氣泡之平均泡徑並無限定,例如較佳為200 μm以下,更佳為100 μm以下,進而較佳為50 μm以下,進而更佳為40 μm以下,特佳為30 μm以下,進而特佳為20 μm以下。又,平均泡徑較佳為0.1 μm以上,更佳為0.5 μm以上,進而更佳為1 μm以上。 此種被覆材料之結構係由本發明之發泡成形用組成中之樹脂(A)與特定之化合物(B)之組合獲得者。 上述平均泡徑係藉由利用掃描型電子顯微鏡(SEM)獲得被覆材料截面之圖像,藉由圖像處理計算各泡之直徑,對該等直徑取平均而求得之值。
上述被覆材料之發泡率較佳為10%以上。更佳為20%以上,進而較佳為30%以上,進而更佳為43%以上。上限並無特別限定,例如為90%。發泡率之上限亦可為80%。若發泡率變高,則會產生氣泡破裂或氣泡合併,而無法獲得所需之成形品。 上述發泡率係設為((樹脂之比重-發泡體之比重)/樹脂之比重)×100所求得之值。上述發泡率例如可藉由對上述擠出機中之氣體之插入量進行調節等,或者藉由選擇要溶解之氣體之種類,視用途而適當調整。
上述被覆材料較佳為每3500 m之火花數量未達5個。更佳為未達3個,進而較佳為1個以下。上述火花數量係藉由Beta Laser-Mike Sparktester HFS1220,於1500 V之電壓進行測定所得之值。
芯線之材料例如可使用:銀、銅、鋁等金屬導體材料。又,可為單一材質,亦能以銀或錫等對表面進行鍍覆。又,亦可將碳用作導體。 芯線較佳為直徑0.02~3 mm。芯線之直徑更佳為0.04 mm以上,進而較佳為0.05 mm以上,特佳為0.1 mm以上。芯線之直徑更佳為2 mm以下。又,上述芯線可為單線,亦可為將多根芯線絞合而成之絞線。 上述電線之上述被覆材料之厚度較佳為0.01~3.0 mm。被覆材料之厚度亦較佳為2.0 mm以下。 上述導體可為圓形、平板型、扁形等形狀。
上述發泡電線由芯線及被覆芯線之被覆材料所構成。上述發泡電線適合用於:連接電腦及其周邊機器之電纜類、進行高容量之影像或聲音之高速通訊之電纜類、連接資料中心之伺服器間之電纜類,例如:LAN用電纜、USB電纜、閃電電纜(lightning cable)、HDMI(註冊商標)電纜、QSFP電纜、航空宇宙用電線、地下輸電電纜、海底電力電纜、高壓電纜、超導電纜、纏繞電線、汽車用電線、線束/電力組件、機器人/FA用電線、OA機器用電線、資訊機器用電線(光纜、LAN電纜、HDMI(註冊商標)電纜、閃電電纜、音頻電纜等)、通訊基站用內部配線、大電流內部配線(變頻器、功率調節器、蓄電池系統等)、電子機器內部配線、小型電子機器/移動式配線、可動部配線、電氣機器內部配線、測定機器類內部配線、電力電纜(建設用、風力/太陽能發電用等)、控制/儀器配線用電纜、馬達用電纜等。
上述電線可為於芯線與被覆材料之間插入非發泡層之兩層構造(表層-泡沫層),可為非發泡層被覆外層之兩層構造(泡沫層-表層),進而亦可為非發泡層被覆表層-泡沫層之外層而成之三層構造(表層-泡沫層-表層)。 上述電線之非發泡層並無特別限定,具體而言可為由聚芳醚酮(PAEK)(更具體而言,例如為聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酮酮(PEKK)、聚醚酮(PEK)、聚醚醚酮酮(PEEKK)等)、聚苯硫醚(PPS)、聚醚碸(PES)、液晶聚合物(LCP)、聚碸(PSF)、非晶聚芳酯(PAR)、聚醚腈(PEN)、熱塑聚醯亞胺(TPI)、聚醯亞胺(PI)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚醯胺醯亞胺(PAI)、氟樹脂等樹脂所構成之樹脂層。 實施例
以下,基於實施例對本發明具體地進行說明。 於實施例及比較例中,使用下述樹脂(1)~(4)作為樹脂(A)。 樹脂(1):芳香族聚醚酮樹脂/聚醚酮酮PEKK(MFR:10 g/10分鐘,熔點:335℃,玻璃轉移溫度Tg:162℃,熱分解起始溫度:520℃) 樹脂(2):芳香族聚醚酮樹脂/聚醚酮酮PEKK(MFR:12 g/10分鐘、熔點:356℃,玻璃轉移溫度Tg:165℃,熱分解起始溫度:501℃) 樹脂(3):芳香族聚醚酮樹脂/聚醚醚酮PEEK(MFR:20 g/10分鐘、熔點:345℃,玻璃轉移溫度Tg:143℃,熱分解起始溫度:529℃) 樹脂(4):聚芳硫醚/聚苯硫醚PPS(MFR:20 g/10分鐘,熔點:275℃,玻璃轉移溫度Tg:90℃,熱分解起始溫度:458℃)
(發泡電線成形方法) 將用於擠出發泡絕緣層之單軸擠出機設為缸體直徑35 mm、L/D=32、模頭內徑0.8 mm、片外徑1.50~5.0 mm。使上述單軸擠出機於缸體溫度280~400℃、螺桿轉速5~30 rpm下運轉,自料斗供給上述所得之樹脂組成物。藉由所吐出之熔融樹脂組成物,於導體(直徑0.5 mm、截面面積0.20 mm 2、軟銅線單線)上形成厚度0.3 mm~0.8 mm之絕緣層,獲得絕緣電線。將此時之線速度設為20~200 m/分鐘。關於氮氣,自料筒之中央部區段C部分,使用氣體注射裝置,對應目標之發泡率,調整導入氣體之氮氣量。 發泡電線成形係將藉由熔融混練調整至規定添加量之顆粒(組成物)設定為表2所示之擠出機溫度,調整擠出溫度、氮氣導入流量(壓力)、擠出速度、牽引速度而進行。將電線擠出條件示於表3中。 連續進行1小時,於成形穩定之3000 m處,觀測到線徑不一、火花噴出。進而,針對所得之發泡電線,藉由下述方法測定發泡率及平均泡徑,觀察表面狀態,測定表面粗糙度。 對所得之發泡絕緣電線進行各種評價。將結果示於表1中。
實施例1 於擠出機轉速15 rpm、氮氣導入流量11 cc/min、牽引速度105 m/min,對樹脂(1)中添加有0.5質量份磷酸2,2'-亞甲基雙(4,6-二第三丁基苯基)鈉(ADEKA股份有限公司製造之結晶成核劑Adekastab NA-11;熔點≧400℃)之顆粒實施發泡電線成形,獲得了目標之外徑1.28 mm之發泡電線。線徑差異之標準偏差為0.011,良好;火花數量亦為2個,非常良好。所得之發泡電線之分析結果中,發泡率為28%,平均泡徑為42 μm,良好;表面狀態之觸感亦極為良好,且表面粗糙度亦為9.6 μm,非常良好。
實施例2 於擠出速度15 rpm、氮氣導入流量17 cc/min、牽引速度100 m/min下,對樹脂(1)中添加有1.0質量份磷酸2,2'-亞甲基雙(4,6-二第三丁基苯基)鈉(ADEKA股份有限公司製造之結晶成核劑Adekastab NA-11)之顆粒實施發泡電線成形,獲得了目標之外徑1.32 mm。線徑差異之標準偏差為0.012,良好;火花數量亦為1個,非常良好。所得之發泡電線之分析結果中,發泡率為30%,平均泡徑為35 μm,良好;表面狀態之觸感亦極為良好,且表面粗糙度亦為9.3 μm,非常良好。
實施例3 於擠出速度15 rpm、氮氣導入流量15 cc/min、牽引速度98 m/min,對樹脂(2)中添加有1.0質量份磷酸2,2'-亞甲基雙(4,6-二第三丁基苯基)鈉(ADEKA股份有限公司製造之結晶成核劑Adekastab NA-11)之顆粒實施發泡電線成形,獲得了目標之外徑1.31 mm。線徑差異之標準偏差為0.014,良好;火花數量亦為3個,非常良好。所得之發泡電線之分析結果中,發泡率為32%,平均泡徑為33 μm,良好;表面狀態之觸感亦極為良好,且表面粗糙度亦為8.8 μm,非常良好。
實施例4 於擠出速度15 rpm、氮氣導入流量14 cc/min、牽引速度97 m/min,對樹脂(3)中添加有1.0質量份磷酸2,2'-亞甲基雙(4,6-二第三丁基苯基)鈉(ADEKA股份有限公司製造之結晶成核劑Adekastab NA-11)之顆粒實施發泡電線成形,獲得了目標之外徑1.35 mm。線徑差異之標準偏差為0.015,良好;火花數量亦為3個,非常良好。所得之發泡電線之分析結果中,發泡率為35%,平均泡徑為36 μm,良好;表面狀態之觸感亦極為良好,且表面粗糙度亦為9.5 μm,非常良好。
實施例5 於擠出速度20 rpm、氮氣導入流量10 cc/min、牽引速度110 m/min,對樹脂(4)中添加有1.0質量份磷酸2,2'-亞甲基雙(4,6-二第三丁基苯基)鈉(ADEKA股份有限公司製造之結晶成核劑Adekastab NA-11)之顆粒實施發泡電線成形,獲得了目標之外徑1.44 mm。線徑差異之標準偏差為0.017,良好;火花數量亦為3個,非常良好。所得之發泡電線之分析結果中,發泡率為25%,平均泡徑為44 μm,良好;表面狀態之觸感亦極為良好,且表面粗糙度亦為10.1 μm,非常良好。
實施例6 將樹脂(1)與樹脂(2)以1:1進行混合,向該混合物中添加磷酸2,2'-亞甲基雙(4,6-二第三丁基苯基)鈉(ADEKA股份有限公司製造之結晶成核劑Adekastab NA-11)1.0質量份而獲得顆粒,於擠出速度15 rpm、氮氣導入流量15 cc/min、牽引速度102 m/min,對所得之顆粒實施發泡電線成形,獲得了目標之外徑1.29 mm。線徑差異之標準偏差為0.011,良好;火花數量亦有2個,非常良好。所得之發泡電線之分析結果中,發泡率為30%,平均泡徑為37 μm,良好;表面狀態之觸感亦極為良好,且表面粗糙度亦為9.3 μm,非常良好。
比較例1 於擠出速度15 rpm、氮氣導入流量10 cc/min、牽引速度70 m/min,對樹脂(1)中無其他添加物之顆粒實施發泡電線成形。基本未見發泡,外徑不均一,靜電電容差異非常大。未能獲得目標之發泡電線。
比較例2 於擠出速度15 rpm、氮氣導入流量12 cc/min、牽引速度92 m/min,對樹脂(3)中添加有1.0質量份氧化鋁之顆粒實施發泡電線成形,獲得了外徑1.29 mm之發泡電線。線徑差異之標準偏差為0.102,不穩定;火花數量亦為100個以上,非常差。所得之發泡電線之分析結果中,發泡率為30%,平均泡徑為82 μm,較大;表面狀態亦不良,且表面粗糙度亦為16.4 μm,較差。
藉由如下方法測定本說明書中之各種特性。 (熱分解溫度)關於樹脂之熱分解溫度,熱分解溫度係藉由TG(加熱重量變化測定),於空氣中以10℃/min加熱時之1%重量減少溫度。藉由精工電子公司製造之示差熱熱重量同步測定裝置TG/DTA6300進行測定。
(熔點)樹脂之熔點定義為,使用RDC220(精工電子公司製)以升溫速度10℃/分鐘進行測定時與峰值所對應之溫度。樹脂之熔點係以溫度之形式求出,即,使用示差掃描熱量測定(DSC)裝置,以10℃/分鐘之速度升溫時之熔解熱曲線中與極大值所對應之溫度。
(玻璃轉移溫度(Tg)) 玻璃轉移溫度係依據JIS K7121,使用示差掃描熱量測定(DSC)裝置,於升溫速度為20℃/分鐘之測定條件下進行測定。
(MFR) 樹脂之MFR係依據ASTM D-1238,使用KAYENESS熔融指數測定儀Series4000(安田精機公司製),以直徑2.1 mm且長度為8 mm之模頭進行測定。於PAEK樹脂之情形時,設為於380℃、5 kg荷重測定時之值。於PPS樹脂之情形時,設為於315℃、5 kg荷重測定時之值。
(外徑) 使用LASER MICRO DIAMETER LDM-303H-XY(TAKIKAWA ENGINEERING公司製),測定電線外徑。
(火花數量) 使用Beta Laser-Mike Sparktester HFS1220,於1500 V之電壓,對每3500 m之火花數量進行測定。
(發泡率) 以((樹脂之比重-發泡體之比重)/樹脂之比重)×100求出。
(平均泡徑) 獲取電線截面之SEM圖像,藉由圖像處理計算各泡之直徑,對該等直徑取平均,藉此求出平均泡徑。
(表面狀態) 用手摸被覆電線之表面,觀察此時手感覺到之卡頓(突起)之程度。 良  無卡頓,或有少許卡頓 差  相當卡頓。
(表面粗糙度) 藉由基恩士公司之雷射顯微鏡測定電線表面,藉由表面形狀修正之二次局部修正指定電線之範圍,對所得之圖像資料實施修正後,計算500×2000 μm之表面粗糙度。
[表1]
      實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 比較例1 比較例2
樹脂A    樹脂1 樹脂1 樹脂2 樹脂3 樹脂4 樹脂1/ 樹脂2 樹脂1 樹脂3
化合物B    NA-11 NA-11 NA-11 NA-11 NA-11 NA-11 氧化鋁
添加量 質量份 0.5 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0
擠出機轉速 rpm 15 15 15 15 20 15 15 15
牽引速度 m/分鐘 105 100 98 97 110 102 70 92
氣體導入量 cc/min. 11 17 15 14 10 15 10 12
被覆後外徑 mm 1.28 1.32 1.31 1.35 1.44 1.29 不穩定 1.29
導體直徑 mm 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
外徑差異之標準偏差    0.011 0.012 0.014 0.015 0.017 0.011    0.102
火花 2 1 3 3 3 2    100以上
發泡率 % 28 30 32 35 25 30    30
平均泡徑 μm 42 35 33 36 44 37    82
表面狀態 -
表面粗糙度 μm 9.6 9.3 8.8 9.5 10.1 9.3    16.4
[表2]
C1 280~340
C2 310~380
C3(氣體導入) 340~400
C4 340~400
C5 340~400
H1 340~400
H2 330~400
Die(模頭) 330~400
[表3]
擠出機尺寸 ϕ35 mm
模頭內徑 0.8 mm
片外徑 1.5~5.0 mm
螺桿轉速 5~30 rpm
導線(芯線) 0.5 mm
氮氣壓力 10~35 MPa
氮氣流量 5~30 cc/分鐘
[產業上之可利用性]
本發明之發泡成形用組成物尤其適合作為發泡電線被覆材料之形成材料。

Claims (16)

  1. 一種發泡成形用組成物,其含有:樹脂(A),其熱分解溫度為330℃以上;及化合物(B),其選自由磷酸酯及其鹽、以及磷酸酯錯合物所組成之群中至少一種。
  2. 如請求項1之發泡成形用組成物,其中,樹脂(A)之介電常數為4.0以下。
  3. 如請求項1或2之發泡成形用組成物,其中,樹脂(A)可進行熔融加工。
  4. 如請求項1、2或3之發泡成形用組成物,其中,樹脂(A)之熔點為250℃以上。
  5. 如請求項1、2、3或4之發泡成形用組成物,其中,樹脂(A)係選自由聚苯硫醚(PPS)及聚芳醚酮(PAEK)所組成之群中至少一種。
  6. 如請求項1、2、3、4或5之發泡成形用組成物,其中,化合物(B)之熔點為300℃以上。
  7. 如請求項1、2、3、4、5或6之發泡成形用組成物,其中,化合物(B)係下述式(1)所表示之芳香族環狀磷酸酯鹽,
    Figure 03_image007
    (式中,R 1、R 2、R 3、R 4表示氫原子、碳原子數1~8之烷基或環烷基、或者碳原子數6~12之芳基、烷基芳基或芳烷基(arylalkyl);R 5、R 6表示氫原子或甲基;n表示1或2之整數;m表示0~2之整數;X表示m+n價之金屬)。
  8. 如請求項7之發泡成形用組成物,其中,式(1)之R 1及R 2為第三丁基。
  9. 如請求項7或8之發泡成形用組成物,其中,式(1)之X為鈉。
  10. 如請求項7、8或9之發泡成形用組成物,其中,化合物(B)為磷酸2,2'-亞甲基雙(4,6-二第三丁基苯基)鈉。
  11. 一種發泡成形體,其得自請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9或10之發泡成形用組成物。
  12. 如請求項11之發泡成形體,其發泡率為10%以上。
  13. 一種電線,其具備芯線及被覆材,該被覆材被覆上述芯線且得自請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9或10之發泡成形用組成物。
  14. 如請求項13之電線,其中,被覆材之發泡率為10%以上。
  15. 一種發泡成形體之製造方法,其包括:使請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9或10之發泡成形用組成物進行發泡成形之步驟。
  16. 一種電線之製造方法,其包括:將請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9或10之發泡成形用組成物被覆於芯線而獲得電線之步驟。
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