TW202216866A - 附有相位差層之偏光板之製造方法 - Google Patents

附有相位差層之偏光板之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明以較高之良率提供一種翹曲得到抑制之附有相位差層之偏光板。本發明之實施方式之附有相位差層之偏光板之製造方法包括：準備積層體，該積層體依序具有第一保護膜、包含偏光元件及配置於上述偏光元件之至少一側之保護層的偏光板、相位差層、及第二保護膜，且上述偏光板之厚度與上述相位差層之厚度之合計為50 μm以下，上述偏光板之厚度相對於上述相位差層之厚度之比為5以上；及於將上述積層體載置於載置面之狀態下，將上述積層體放置於水蒸氣量為10.5 g/m 3以上之環境下進行加濕處理，且上述附有相位差層之偏光板之製造方法係在上述積層體之主面相對於上述載置面具有角度之狀態下進行載置。

Description

附有相位差層之偏光板之製造方法
本發明係關於一種附有相位差層之偏光板之製造方法。
以液晶顯示裝置及電致發光(EL)顯示裝置(例如有機EL顯示裝置、無機EL顯示裝置)為代表之圖像顯示裝置正在迅速普及。典型而言，於圖像顯示裝置中使用偏光板及相位差板。自實用方面考慮，廣泛使用一種由偏光板與相位差板一體化而成之附有相位差層之偏光板(例如專利文獻1)。近年來，業界正在研究使用可撓性基板(例如樹脂基板)來實現圖像顯示裝置之彎曲、折彎、摺疊、捲取之可能性。作為用於此種圖像顯示裝置之附有相位差層之偏光板，期待一種薄型之附有相位差層之偏光板。然而，薄型之附有相位差層之偏光板存在容易發生翹曲之問題。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利第3325560號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明係為了解決上述習知問題而完成者，其主要目的在於以較高之良率提供一種翹曲得到抑制之附有相位差層之偏光板。 [解決問題之技術手段]
根據本發明之實施方式，提供一種附有相位差層之偏光板之製造方法。該製造方法包括：準備積層體，該積層體依序具有第一保護膜、包含偏光元件及配置於上述偏光元件之至少一側之保護層的偏光板、相位差層、及第二保護膜，且上述偏光板之厚度與上述相位差層之厚度之合計為50 μm以下，上述偏光板之厚度相對於上述相位差層之厚度之比為5以上；及於將上述積層體載置於載置面之狀態下，將上述積層體放置於水蒸氣量為10.5 g/m 3以上之環境下進行加濕處理；且上述附有相位差層之偏光板之製造方法係在上述積層體之主面相對於上述載置面具有角度之狀態下進行載置。 於一實施方式中，上述製造方法包括：將上述偏光板與上述相位差層進行積層而獲得積層體前驅物。 於一實施方式中，上述製造方法包括：將上述積層體前驅物切割成單片狀。 於一實施方式中，在排列有複數個上述積層體之狀態下進行上述加濕處理。 於一實施方式中，上述第一保護膜於40℃及92%RH下之透濕度為30 g/m 2・24 h以下。 於一實施方式中，上述第二保護膜於40℃及92%RH下之透濕度為30 g/m 2・24 h以下。 於一實施方式中，上述製造方法包括：一面對上述偏光板及上述相位差層進行輥搬送，一面進行積層。 於一實施方式中，上述製造方法包括：使用活性能量線硬化型接著劑將上述偏光板與上述相位差層進行積層。 於一實施方式中，上述活性能量線硬化型接著劑之硬化後之厚度為0.4 μm以上。 於一實施方式中，上述積層體具有配置於上述相位差層之未配置有上述偏光板之側的黏著劑層，且因上述加濕處理而產生之上述偏光板、上述相位差層及上述黏著劑層之積層部分之每單位面積的重量增加為0.1%以上。 於一實施方式中，上述加濕處理之時間為6小時以上。 於一實施方式中，上述加濕處理時之水蒸氣量為10.5 g/m 3～30 g/m 3。 於一實施方式中，上述製造方法包括：於水蒸氣量為10.2 g/m 3以下之環境下將上述偏光板與上述相位差層進行積層。 於一實施方式中，上述加濕處理時之水蒸氣量較上述偏光板與上述相位差層之積層時之水蒸氣量多0.5 g/m 3以上。 於一實施方式中，上述相位差層或上述保護層於40℃及92%RH下之透濕度為300 g/m 2・24 h以上。 於一實施方式中，上述偏光板僅於上述偏光元件之未配置有上述相位差層之側配置有保護層。 於一實施方式中，上述偏光元件之厚度方向上之重心位於較上述偏光板與上述相位差層之積層部分的厚度方向上之重心更靠近上述相位差層側。 於一實施方式中，上述相位差層為液晶化合物之配向固化層。 [發明效果]
根據本發明之實施方式，藉由在特定條件下對依序具有第一保護膜、偏光板、相位差層、及第二保護膜之積層體實施加濕處理，即便偏光板及相位差層具有特定厚度，亦可以較高之良率製造翹曲得到抑制之附有相位差層之偏光板。
以下，對本發明之實施方式進行說明，但本發明並不受該等實施方式限定。
(用語及符號之定義) 本說明書中之用語及符號之定義如下所述。 (1)折射率(nx、ny、nz) 「nx」係面內之折射率最大之方向(即遲相軸方向)上之折射率，「ny」係在面內與遲相軸正交之方向(即進相軸方向)上之折射率，「nz」係厚度方向上之折射率。 (2)面內相位差(Re) 「Re(λ)」係23℃下以波長λ nm之光測得之面內相位差。例如，「Re(550)」係23℃下以波長550 nm之光測得之面內相位差。將層(膜)之厚度設為d(nm)時，Re(λ)係藉由式：Re(λ)＝(nx－ny)×d而求出。 (3)厚度方向上之相位差(Rth) 「Rth(λ)」係23℃下以波長λ nm之光測得之厚度方向上之相位差。例如，「Rth(550)」係23℃下以波長550 nm之光測得之厚度方向上之相位差。將層(膜)之厚度設為d(nm)時，Rth(λ)係藉由式：Rth(λ)＝(nx－nz)×d而求出。 (4)Nz係數 Nz係數係藉由Nz＝Rth/Re而求出。 (5)角度 本說明書中，當提及角度時，該角度包含相對於基準方向呈順時針方向及逆時針方向之兩種情況。因此，例如「45°」意指±45°。
本發明之一實施方式之附有相位差層之偏光板之製造方法包括：準備積層體，該積層體具有包含偏光元件之偏光板及相位差層；及於將積層體載置於載置面之狀態下將其放置於特定環境下。
A.積層體 圖1係表示本發明之第一實施方式之積層體之概略構成的模式性剖視圖。積層體100自視認側依序具有第一保護膜31、偏光板10、相位差層20及第二保護膜32。於圖示例中，偏光板10包含偏光元件11及配置於偏光元件11之視認側(未配置有相位差層20之側)之保護層12，於偏光元件11與相位差層20之間未配置有保護層。根據此種形態，例如，可良好地達成下述偏光板之厚度、總厚度、厚度比。代表性而言，上述偏光元件之厚度方向上之重心位於較偏光板與相位差層之積層部分的厚度方向上之重心更靠近相位差層側。
雖未圖示，但亦可於偏光元件11之另一側(偏光元件11與相位差層20之間)進而包含保護層。
圖2係表示本發明之第二實施方式之積層體之概略構成的模式性剖視圖。於上述第一實施方式中，將相位差層20設為單層，相對於此，於第二實施方式中，相位差層20具有包含第一相位差層21及第二相位差層22之積層構造。相位差層20亦可不同於圖示例而具有三層以上之積層構造。
雖未圖示，但積層體亦可進而具有其他功能層。關於積層體可具有之功能層之種類、特性、數量、組合、配置等，可根據目的進行適當設定。例如，積層體可進而具有導電層或附有導電層之各向同性基材。代表性而言，導電層或附有導電層之各向同性基材配置於相位差層20與第二保護膜32之間。再者，具有導電層或附有導電層之各向同性基材之積層體(附有相位差層之偏光板)例如應用於在圖像顯示面板內部組裝有觸控感測器之所謂之內部觸控面板型輸入顯示裝置。作為另一例，積層體可進而具有其他相位差層。關於其他相位差層之光學特性(例如折射率特性、面內相位差、Nz係數、光彈性係數)、厚度、配置等，可根據目的進行適當設定。作為具體例，可於偏光元件11之視認側設置對經由偏光太陽鏡進行視認時之視認性進行改善之其他相位差層(代表性而言為賦予(橢)圓偏光功能之層、賦予超高相位差之層)。藉由具有此種層，即便於經由偏光太陽鏡等偏光鏡對顯示畫面進行視認之情形時，亦可實現優異之視認性。因此，所獲得之附有相位差層之偏光板亦適宜應用於能夠在室外使用之圖像顯示裝置中。
構成積層體之各構件可經由任意適當之接著層(未圖示)而積層。作為接著層之具體例，可例舉接著劑層、黏著劑層。例如，第一保護膜31經由黏著劑層而貼合於偏光板10。第一保護膜31可在藉由本發明之實施方式所獲得之附有相位差層之偏光板被供於使用之前(在積層於圖像顯示面板之前)剝離，或者可在最終製品(圖像顯示裝置)之製造過程中剝離，亦可直接搭載於最終製品。
例如，第二保護膜32經由黏著劑層而貼合於相位差層20。自實用方面考慮，第二保護膜32可在藉由本發明之實施方式所獲得之附有相位差層之偏光板被供於使用之前，作為被暫時黏著之剝離膜(隔離件)發揮功能。藉由暫時黏著剝離膜，例如，可在保護黏著劑層之同時進行積層體之輥形成。
例如，相位差層20經由接著劑層(較佳為使用活性能量線硬化型接著劑)而貼合於偏光板10。於相位差層20具有兩層以上之積層構造之情形時，各個相位差層經由接著劑層(較佳為使用活性能量線硬化型接著劑)而貼合在一起。
A-1.偏光板 上述偏光板包含偏光元件及保護層。偏光板之厚度亦取決於所包含之保護層之數量，較佳為20 μm以上，更佳為25 μm以上。另一方面，偏光板之厚度較佳為40 μm以下，更佳為36 μm以下，進而較佳為33 μm以下。再者，於積層偏光元件與保護層時使用接著層之情形時，偏光板之厚度不包括接著層之厚度。
代表性而言，上述偏光元件係包含二色性物質(例如碘)之樹脂膜。作為樹脂膜，例如可例舉：聚乙烯醇(PVA)系膜、部分縮甲醛化PVA系膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化膜等親水性高分子膜。
偏光元件之厚度較佳為15 μm以下，更佳為12 μm以下，進而較佳為10 μm以下。另一方面，偏光元件之厚度較佳為1 μm以上。
偏光元件較佳為於波長380 nm～780 nm中之任一波長下顯現吸收二色性。偏光元件之單體透過率例如為41.5%～46.0%，較佳為42.0%～46.0%，更佳為44.5%～46.0%。偏光元件之偏光度較佳為97.0%以上，更佳為99.0%以上，進而較佳為99.9%以上。
上述保護層可由能夠作為偏光元件之保護層使用之任意適當之膜形成。作為成為該膜之主成分之材料之具體例，可例舉：三乙醯纖維素(TAC)等纖維素系樹脂、或聚酯系、聚乙烯醇系、聚碳酸酯系、聚醯胺系、聚醯亞胺系、聚醚碸系、聚碸系、聚苯乙烯系、聚降冰片烯系等環烯烴系、聚烯烴系、(甲基)丙烯酸系、乙酸酯系等透明樹脂。
藉由本發明之實施方式所獲得之附有相位差層之偏光板，代表性而言配置於圖像顯示裝置之視認側，保護層12配置於視認側。因此，可視需要對保護層12實施硬塗(HC)處理、抗反射處理、抗沾黏處理、防眩處理等表面處理。
保護層12之厚度較佳為5 μm～80 μm，更佳為10 μm～40 μm，進而較佳為10 μm～30 μm。再者，於實施了上述表面處理之情形時，保護層12之厚度係包括表面處理層之厚度在內之厚度。
關於配置於偏光元件11與相位差層20之間之保護層(未圖示)，於一實施方式中，較佳為在光學上具有各向同性。本說明書中，所謂之「在光學上具有各向同性」係指面內相位差Re(550)為0 nm～10 nm，厚度方向上之相位差Rth(550)為-10 nm～+ 10 nm。配置於偏光元件11與相位差層20之間之保護層之厚度較佳為5 μm～80 μm，更佳為10 μm～40 μm，進而較佳為10 μm～30 μm。
偏光板可藉由任意適當之方法而製作。具體而言，偏光板可包含由單層樹脂膜製作而成之偏光元件，亦可包含使用兩層以上之積層體所獲得之偏光元件。
關於由上述單層樹脂膜製造偏光元件之方法，代表性而言，包括：對樹脂膜實施利用碘或二色性染料等二色性物質進行之染色處理、及延伸處理。作為樹脂膜，例如使用聚乙烯醇(PVA)系膜、部分縮甲醛化PVA系膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化膜等親水性高分子膜。該方法亦可進而包含不溶化處理、膨潤處理、交聯處理等。藉由對所獲得之偏光元件之至少一側積層保護層，可獲得偏光板。由於此種製造方法係業界周知之慣用方法，故省略詳細說明。
作為使用上述積層體所獲得之偏光元件之具體例，可例舉使用下述積層體所獲得之偏光元件：樹脂基材與積層於該樹脂基材之PVA系樹脂層(PVA系樹脂膜)之積層體、或樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層之積層體。關於使用樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層之積層體所獲得之偏光元件，例如可藉由以下方式而製作：將PVA系樹脂溶液塗佈於樹脂基材，並使其乾燥而於樹脂基材上形成PVA系樹脂層，從而獲得樹脂基材與PVA系樹脂層之積層體；對該積層體進行延伸及染色，將PVA系樹脂層製成偏光元件。於本實施方式中，較佳為於樹脂基材之單側形成包含鹵化物及聚乙烯醇系樹脂之聚乙烯醇系樹脂層。代表性而言，延伸包括：將積層體浸漬於硼酸水溶液中進行延伸。進而，延伸可視需要進而包括：於在硼酸水溶液中進行延伸之前於高溫(例如95℃以上)下對積層體進行空中延伸。此外，於本實施方式中，較佳為將積層體供於下述乾燥收縮處理：藉由一面於長度方向上進行搬送一面進行加熱而使其於寬度方向上收縮2%以上。代表性而言，本實施方式之製造方法包含依序對積層體實施空中輔助延伸處理、染色處理、水中延伸處理、及乾燥收縮處理。藉由導入輔助延伸，即便於熱塑性樹脂上塗佈PVA之情形時，亦可提高PVA之結晶性，可達成較高之光學特性。又，藉由同時預先提高PVA之配向性，而於之後的染色步驟及延伸步驟中浸漬於水中時，可防止PVA之配向性之降低或溶解等問題，可達成較高之光學特性。進而，於將PVA系樹脂層浸漬於液體中之情形時，相較於PVA系樹脂層不含鹵化物之情形而言，可抑制聚乙烯醇分子之配向之混亂及配向性之降低。藉此，可提高經過染色處理及水中延伸處理等將積層體浸漬於液體中進行之處理步驟所獲得之偏光元件之光學特性。進而，藉由乾燥收縮處理使積層體於寬度方向上收縮，藉此可提高光學特性。所獲得之樹脂基材/偏光元件之積層體可直接使用(即，可將樹脂基材作為偏光元件之保護層)，亦可於自樹脂基材/偏光元件之積層體將樹脂基材剝離後所得之剝離面、或與剝離面相反側之面，積層符合目標之任意適當之保護層而使用。此種偏光元件之製造方法之詳細情況例如記載於日本專利特開2012-73580號公報、日本專利第6470455號中。該等公報之所有記載內容係作為參考而引用至本說明書中。
A-2.相位差層 上述相位差層之厚度亦取決於其構成(是單層還是具有積層構造)，較佳為8 μm以下，更佳為5 μm以下。另一方面，相位差層之厚度例如為1 μm以上。再者，於相位差層為積層構造之情形時，「相位差層之厚度」意指各相位差層之厚度之合計。具體而言，「相位差層之厚度」不包括接著層之厚度。
作為上述相位差層，較佳為使用液晶化合物之配向固化層(液晶配向固化層)。藉由使用液晶化合物，可使所獲得之相位差層之nx與ny之差明顯大於非液晶材料，因此可使用以獲得所需面內相位差之相位差層之厚度明顯變小。因此，可實現附有相位差層之偏光板之顯著之薄型化。本說明書中，所謂之「配向固化層」係指液晶化合物於層內沿特定方向配向，且其配向狀態固定之層。再者，「配向固化層」之概念如下所述包含使液晶單體硬化所得之配向硬化層。於相位差層中，代表性而言，棒狀液晶化合物以在相位差層之遲相軸方向上排列之狀態配向(水平配向)。
上述液晶配向固化層可藉由以下方式形成，即，對特定基材之表面實施配向處理，於該表面塗佈包含液晶化合物之塗佈液，使該液晶化合物沿與上述配向處理對應之方向進行配向，並固定該配向狀態。作為配向處理，可採用任意適當之配向處理。具體而言，可例舉：機械配向處理、物理配向處理、化學配向處理。作為機械配向處理之具體例，可例舉：摩擦處理、延伸處理。作為物理配向處理之具體例，可例舉：磁場配向處理、電場配向處理。作為化學配向處理之具體例，可例舉：斜向蒸鍍法、光配向處理。各種配向處理之處理條件可根據目的而採用任意適當之條件。
液晶化合物之配向係藉由根據液晶化合物之種類於表現液晶相之溫度下進行處理而進行。藉由進行此種溫度處理，液晶化合物成為液晶狀態，該液晶化合物根據基材表面之配向處理方向進行配向。
於一實施方式中，配向狀態之固定係藉由對以上述方式配向之液晶化合物進行冷卻而進行。於液晶化合物為聚合性單體或交聯性單體之情形時，配向狀態之固定係藉由對以如上方式配向之液晶化合物實施聚合處理或交聯處理而進行。
液晶化合物之具體例及配向固化層之形成方法之詳細情況記載於日本專利特開2006-163343號公報中。該公報之記載係作為參考而引用至本說明書中。
相位差層20如上所述，可為單層，亦可具有兩層以上之積層構造。
如圖1所示，於相位差層20為單層之情形時之一實施方式中，相位差層20可作為λ/4板發揮功能。具體而言，相位差層之Re(550)較佳為100 nm～180 nm，更佳為110 nm～170 nm，進而較佳為110 nm～160 nm。相位差層之厚度可以能夠獲得λ/4板所需之面內相位差之方式進行調整。於相位差層為上述液晶配向固化層之情形時，其厚度例如為1.0 μm～2.5 μm。於本實施方式中，相位差層之遲相軸與偏光元件之吸收軸所成之角度較佳為40°～50°，更佳為42°～48°，進而較佳為44°～46°。於本實施方式中，相位差層較佳為顯現相位差值根據測定光之波長而變大之逆分散波長特性。再者，於該實施方式中，積層體可進而具有配置於相位差層20與第二保護膜32之間之顯現nz＞nx＝ny之折射率特性之層(其他相位差層，未圖示)。
於相位差層20為單層之情形時之另一實施方式中，相位差層20可作為λ/2板發揮功能。具體而言，相位差層之Re(550)較佳為200 nm～300 nm，更佳為230 nm～290 nm，進而較佳為230 nm～280 nm。相位差層之厚度可以能夠獲得λ/2板所需之面內相位差之方式進行調整。於相位差層為上述液晶配向固化層之情形時，其厚度例如為2.0 μm～4.0 μm。於本實施方式中，相位差層之遲相軸與偏光元件之吸收軸所成之角度較佳為10°～20°，更佳為12°～18°，進而較佳為12°～16°。
如圖2所示，於相位差層20具有積層構造之情形時，相位差層20例如具有自偏光板側依序配置有第一相位差層(H層)21及第二相位差層(Q層)22之兩層積層構造。H層代表性而言可作為λ/2板發揮功能，Q層代表性而言可作為λ/4板發揮功能。具體而言，H層之Re(550)較佳為200 nm～300 nm，更佳為220 nm～290 nm，進而較佳為230 nm～280 nm；Q層之Re(550)較佳為100 nm～180 nm，更佳為110 nm～170 nm，進而較佳為110 nm～150 nm。H層之厚度可以能夠獲得λ/2板所需之面內相位差之方式進行調整。於H層為上述液晶配向固化層之情形時，其厚度例如為2.0 μm～4.0 μm。Q層之厚度可以能夠獲得λ/4板所需之面內相位差之方式進行調整。於Q層為上述液晶配向固化層之情形時，其厚度例如為1.0 μm～2.5 μm。於本實施方式中，H層之遲相軸與偏光元件之吸收軸所成之角度較佳為10°～20°，更佳為12°～18°，進而較佳為12°～16°；Q層之遲相軸與偏光元件之吸收軸所成之角度較佳為70°～80°，更佳為72°～78°，進而較佳為72°～76°。於相位差層20具有積層構造之情形時，各個層(例如H層及Q層)可顯現相位差值根據測定光之波長而變大之逆分散波長特性，亦可顯現相位差值根據測定光之波長而變小之正波長分散特性，亦可顯現相位差值幾乎不根據測定光之波長而發生變化之平坦波長分散特性。
關於相位差層20(於具有積層構造之情形時為各個層)，代表性而言，折射率特性呈現nx＞ny＝nz之關係。再者，「ny＝nz」不僅意指ny與nz完全相等之情形，亦包括實質上相等之情形。因此，於不損害本發明之效果之範圍內，有可能存在ny＞nz或ny＜nz之情形。相位差層之Nz係數較佳為0.9～1.5，更佳為0.9～1.3。
如上所述，相位差層較佳為液晶配向固化層。作為上述液晶化合物，例如可例舉液晶相為向列相之液晶化合物(向列型液晶)。作為此種液晶化合物，例如可使用液晶聚合物或液晶單體。液晶化合物之液晶性之表現機制可為溶致型或熱致型之任一種。液晶聚合物及液晶單體可分別單獨使用，亦可進行組合。
於液晶化合物為液晶單體之情形時，該液晶單體較佳為聚合性單體及交聯性單體。其原因在於，藉由使液晶單體聚合或交聯(即硬化)，可固定液晶單體之配向狀態。在使液晶單體配向後，例如，若使液晶單體彼此聚合或交聯，則可藉此固定上述配向狀態。此處，藉由聚合而形成聚合物，藉由交聯而形成立體網狀結構，但其等為非液晶性。因此，所形成之相位差層不會發生例如因液晶性化合物特有之溫度變化而向液晶相、玻璃相、結晶相轉移。結果，相位差層成為不受溫度變化影響之穩定性極其優異之相位差層。
液晶單體呈現液晶性之溫度範圍根據其種類而有所不同。具體而言，該溫度範圍較佳為40℃～120℃，進而較佳為50℃～100℃，最佳為60℃～90℃。
作為上述液晶單體，可採用任意適當之液晶單體。例如，可使用日本專利特表2002-533742(WO00/37585)、EP358208(US5211877)、EP66137(US4388453)、WO93/22397、EP0261712、DE19504224、DE4408171、及GB2280445等中所記載之聚合性液晶原基化合物等。作為此種聚合性液晶原基化合物之具體例，例如可例舉：巴斯夫公司之商品名LC242、默克公司之商品名E7、瓦克化學公司之商品名LC-Sillicon-CC3767。作為液晶單體，較佳為向列性液晶單體。
A-3.偏光板與相位差層之厚度之關係 上述偏光板之厚度與上述相位差層之厚度之合計(有時簡稱為「總厚度」)為50 μm以下，較佳為45 μm以下，更佳為40 μm以下。另一方面，總厚度例如為25 μm以上。
上述偏光板之厚度相對於上述相位差層之厚度的比(偏光板之厚度/相位差層之厚度，有時簡稱為「厚度比」)為5以上，較佳為8以上，更佳為10以上。另一方面，厚度比較佳為30以下，更佳為25以下。
本發明之實施方式之製造方法中所使用之積層體可謂是總厚度較薄，且偏光板之厚度相對於總厚度之比率較大(相位差層之厚度之比率較小)。本發明人等發現，於總厚度及厚度比處於上述特定範圍內之情形時，容易產生上述翹曲之問題。更詳細而言，於偏光板之厚度與相位差層之厚度之差不大之情形時，及於偏光板之厚度過大之情形時，附有相位差層之偏光板不容易產生翹曲之問題。本發明人等基於此種新見解對翹曲之抑制進行了銳意研究，結果發現，藉由本發明之實施方式之製造方法可有效率地抑制翹曲。
A-4.第一保護膜 第一保護膜31可由任意適當之材料形成。作為形成材料之具體例，可例舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯系聚合物；二乙醯纖維素、三乙醯纖維素等纖維素系聚合物；聚碳酸酯系聚合物；聚甲基丙烯酸甲酯等(甲基)丙烯酸系聚合物；聚降冰片烯等環烯烴系聚合物。其等可單獨使用，亦可組合兩種以上而使用。
第一保護膜於40℃及92%RH下之透濕度較佳為30 g/m 2・24 h以下，更佳為20 g/m 2・24 h以下。根據此種第一保護膜，可獲得於下述加濕處理中適當地對積層體(較佳為偏光元件)賦予水分，且翹曲得到抑制之附有相位差層之偏光板。另一方面，第一保護膜於40℃及92%RH下之透濕度例如為5 g/m 2・24 h以上。
第一保護膜之厚度較佳為15 μm～50 μm，更佳為25 μm～40 μm。
如上所述，第一保護膜31可經由黏著劑層而貼合於偏光板10。作為黏著劑層，可採用任意適當之構成。作為具體例，可例舉：丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、矽酮系黏著劑、聚酯系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、環氧系黏著劑、及聚醚系黏著劑。藉由對形成黏著劑之基質樹脂之單體之種類、數量、組合及調配比、以及交聯劑之調配量、反應溫度、反應時間等進行調整，可製備具有符合目標之所需特性之黏著劑。黏著劑之基質樹脂可單獨使用，亦可組合兩種以上而使用。基質樹脂較佳為丙烯酸系樹脂(具體而言，黏著劑層較佳為由丙烯酸系黏著劑構成)。黏著劑層之厚度例如為5 μm～15 μm。黏著劑層於25℃下之儲存模數例如為1.0×10 5Pa～1.0×10 7Pa。
於一實施方式中，使用第一保護膜上預先形成有上述黏著劑層之積層物(以下稱為「表面保護膜」)。表面保護膜之厚度較佳為30 μm～60 μm，更佳為30 μm～50 μm。再者，如上所述，於將第一保護膜剝離之情形時，可與黏著劑層一同(將整個表面保護膜)剝離。
A-5.第二保護膜 第二保護膜32可由任意適當之塑膠膜構成。作為塑膠膜之具體例，可例舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜。如上所述，第二保護膜32可作為隔離件發揮功能。具體而言，作為第二保護膜32，較佳地使用表面經剝離劑塗佈之塑膠膜。作為剝離劑之具體例，可例舉矽酮系剝離劑、氟系剝離劑、丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑。
第二保護膜於40℃及92%RH下之透濕度較佳為30 g/m 2・24 h以下，更佳為20 g/m 2・24 h以下。根據此種第二保護膜，可獲得於下述加濕處理中適當地對積層體(較佳為偏光元件)賦予水分，且翹曲得到抑制之附有相位差層之偏光板。另一方面，第二保護膜於40℃及92%RH下之透濕度例如為5 g/m 2・24 h以上。
第二保護膜之厚度較佳為20 μm～80 μm，更佳為35 μm～55 μm。
A-6.積層體之製作 積層體100例如可藉由如下方式獲得：將偏光板10與相位差層20進行積層而製作積層體前驅物，將第一保護膜31及第二保護膜32積層於所獲得之積層體前驅物，藉此獲得積層體100。
偏光板10與相位差層20之積層係例如一面對其等進行輥搬送(藉由所謂之卷對卷)一面進行。代表性而言，積層係藉由對形成於基材之液晶配向固化層進行轉印而進行。如圖2所示，於相位差層具有積層構造之情形時，可於偏光板上依序積層(轉印)各個相位差層，亦可將相位差層之積層物積層(轉印)於偏光板。
上述轉印係例如使用活性能量線硬化型接著劑而進行。活性能量線硬化型接著劑之硬化後之厚度(接著劑層之厚度)較佳為0.4 μm以上，更佳為0.4 μm～3.0 μm，進而較佳為0.6 μm～1.5 μm。具有上述特定之總厚度及厚度比的附有相位差層之偏光板之翹曲主要是因為偏光板與相位差層之積層中所使用之接著劑(具體是因為活性能量線硬化型接著劑之硬化時之收縮)而產生的，故將偏光板10與相位差層20進行積層所獲得之積層體前驅物有可能產生翹曲。
圖3係表示積層體前驅物之翹曲之狀態之一例的剖視圖。再者，圖3中，為了更容易看清圖，積層體前驅物之剖面省略了影線。圖3所示之例中，積層體前驅物90產生了向偏光板10側凸起之翹曲。翹曲呈現沿著偏光板10(偏光元件11)之吸收軸方向產生之趨勢。
偏光板10與相位差層20之積層較佳為於水蒸氣量(A1)為10.2 g/m 3以下之環境下進行。積層時之水蒸氣量(A1)更佳為6.0 g/m 3～10.0 g/m 3，進而較佳為8.0 g/m 3～9.5 g/m 3。藉由在水蒸氣量(A1)為此種範圍之環境下進行積層，使得例如下述加濕處理所帶來之效果變得明顯。積層時之此種水蒸氣量(A1)例如可藉由在溫度18℃～25℃之範圍內根據溫度改變相對濕度而實現。關於水蒸氣量(A1)，例如於溫度為18℃之情形時，可藉由將相對濕度設為65%RH以下而實現；又，例如於溫度為20℃之情形時，可藉由將相對濕度設為55%RH以下而實現；又，例如於溫度為23℃之情形時，可藉由將相對濕度設為45%RH以下而實現。再者，相對濕度之下限例如可為30%RH。
於一實施方式中，保護層12及相位差層20中之任一者於40℃及92%RH下之透濕度較佳為300 g/m 2・24 h以上，更佳為400 g/m 2・24 h～1000 g/m 2・24 h，進而較佳為400 g/m 2・24 h～800 g/m 2・24 h。若保護層12及相位差層20中之任一者為此種透濕度，則可明顯地獲得下述加濕處理所帶來之效果。
如上所述，於積層體進而具有其他功能層(例如導電層、其他相位差層)之情形時，功能層可藉由任意適當之方法而積層或形成於特定位置。
關於至少具有偏光板10及相位差層20之積層體前驅物與第一保護膜31之積層，例如藉由貼合上述表面保護膜而進行。關於積層體前驅物與第二保護膜32之積層，例如使用黏著劑而進行。黏著劑之厚度(配置於相位差層20與第二保護膜32之間之黏著劑層之厚度)例如為10 μm～20 μm。
B.加濕處理 將上述積層體供於加濕處理。藉由對積層體實施加濕處理，可獲得對積層體(較佳為偏光元件)賦予水分，且翹曲得到抑制之附有相位差層之偏光板。例如，藉由將積層體置於水蒸氣量為10.5 g/m 3以上之環境下而進行加濕處理。加濕處理時之水蒸氣量(A2)較佳為10.5 g/m 3～30 g/m 3，更佳為11 g/m 3～20 g/m 3。
關於上述加濕處理時之水蒸氣量(A2)，例如於溫度為18℃之情形時，可藉由將相對濕度設為80%RH以上而實現；又，例如於溫度為20℃之情形時，可藉由將相對濕度設為60%RH以上而實現；又，例如於溫度為23℃之情形時，可藉由將相對濕度設為50%RH以上而實現。再者，相對濕度之上限例如可為100%RH。
於一實施方式中，在滿足水蒸氣量多於上述水蒸氣量(A1)之環境下對積層體實施加濕處理。更詳細而言，加濕處理時之水蒸氣量(A2)與上述水蒸氣量(A1)之差較佳為0.5 g/m 3以上，更佳為1.0 g/m 3～28 g/m 3，進而較佳為1.0 g/m 3～12 g/m 3，特佳為1.5 g/m 3～10 g/m 3，最佳為1.5 g/m 3～8 g/m 3。藉由在此種條件下進行加濕，可對積層體賦予適量之水分。更詳細而言，可不使積層體收縮而對積層體賦予水分。於加濕處理中，若對積層體賦予之水分量過多，則例如可能產生凸起之朝向與初始翹曲相反之翹曲及/或在面內與初始翹曲之方向正交之方向上之翹曲。
於一實施方式中，較佳為以自偏光板至黏著劑層為止之積層部分之每單位面積之重量增加0.1%以上之方式對積層體實施加濕處理。關於藉由加濕處理所產生之自偏光板至黏著劑層為止之積層部分之每單位面積之重量增加，更佳為0.1%～2.0%，進而較佳為0.1%～1.0%，特佳為0.1%～0.5%。藉由將重量增加設為此種範圍，可使偏光元件吸收所需量之水分。其結果為，可有效地抑制所獲得之附有相位差層之偏光板之翹曲。此處，自偏光板至黏著劑層為止之積層部分例如如圖4所示，係指偏光板10、接著劑層40、相位差層20(於具有積層構造之情形時包括接著劑層)及黏著劑層50之積層部分80。再者，圖4中，積層部分之剖面省略了影線。
加濕處理之時間較佳為6小時以上，更佳為12小時以上，進而較佳為24小時以上。根據此種處理時間，例如可良好地達成上述所需之重量增加(水分吸收)。另一方面，加濕處理之時間例如為150小時以下。由於即便加濕處理之時間過長，效果亦不會發生改變，故而加濕處理之時間之上限可根據所需之重量增加量與製造效率之平衡性來決定。
加濕處理時，上述積層體係以其主面相對於載置面具有角度之狀態被載置。圖5係表示將積層體載置於載置面之狀態之一例的剖視圖。再者，圖5中，為了更容易看清圖，積層體之剖面省略了影線。圖示例中，積層體100係以積層體100之主面100a相對於載置面S具有角度θ之方式載置於載置面S。角度θ為超過0°且為90°以下，較佳為70°～90°，更佳為80°～90°。
又，圖示例中，n片單片狀之積層體100以相鄰積層體100之主面重疊之方式排列。代表性而言，在加濕處理之前，使積層體成為特定尺寸之單片狀。單片狀之積層體較佳為藉由切割長條狀之積層體前驅物而獲得。具體而言，較佳為藉由切割長條狀之積層體前驅物而獲得單片狀之積層體前驅物後，將第一保護膜及第二保護膜積層於該單片狀之積層體前驅物，從而獲得單片狀之積層體。根據此種形態，例如由於無需大規模之輥搬送(卷對卷)設備，故而可提高製造效率。再者，對於產生了翹曲之積層體前驅物，較佳為如圖5所示以所獲得之單片狀之積層體重合之方式進行切割。於一實施方式中，沿著相對於長條狀之積層體前驅物之長度方向呈45°之方向進行切割。於另一實施方式中，沿著長條狀之積層體前驅物之長度方向及寬度方向(與長度方向正交之方向)進行切割。
根據此種形態，可以較高之良率製造使積層體(偏光元件)有效率地吸收了水分，且翹曲得到抑制之附有相位差層之偏光板。具體而言，藉由採用積層體之主面相對於載置面具有角度之狀態，如圖5所示，可一次性地於均勻之狀態(例如，對積層體施加之力較均勻之狀態)下對複數個積層體實施加濕處理。其結果為，可對複數個積層體均勻地賦予水分(例如，藉由一次加濕處理，可於複數個積層體中良好地達成上述偏光板與相位差層之積層部分之重量增加)，可以較高之良率製造翹曲得到抑制之附有相位差層之偏光板。又，所獲得之附有相位差層之偏光板的外觀亦優異。 [實施例]
以下，藉由實施例對本發明進行具體說明，但本發明並不受該等實施例限定。再者，厚度及透濕度係藉由下述測定方法所測得之值。又，若無特別說明，則實施例及比較例中之「份」及「%」為重量基準。 ＜厚度＞ 10 μm以下之厚度係使用掃描式電子顯微鏡(日本電子公司製造，產品名「JSM-7100F」)而測定。超過10 μm之厚度係使用數位式測微計(Anritsu公司製造，產品名「KC-351C」)而測定。 ＜透濕度＞ 藉由杯式法(JIS Z 0208)求出透濕度。
[實施例1] (偏光板之製作) 使用長條狀之Tg約為75℃之非晶質之間苯二甲酸共聚聚對苯二甲酸乙二酯膜(厚度：100 μm)作為熱塑性樹脂基材，對該樹脂基材之單面實施電暈處理。 向以9：1之比率混合有聚乙烯醇(聚合度4200，皂化度99.2莫耳%)及乙醯乙醯基改性PVA(日本合成化學工業公司製造，商品名「GOHSEFIMER」)之PVA系樹脂100重量份中，添加碘化鉀13重量份，將所得者溶於水中而製備PVA水溶液(塗佈液)。 藉由將上述PVA水溶液塗佈於樹脂基材之電暈處理面，並於60℃下進行乾燥，而形成厚度13 μm之PVA系樹脂層，製作積層體。 將所獲得之積層體於130℃之烘箱內沿縱向(長度方向)單軸延伸至2.4倍(空中輔助延伸處理)。 繼而，將積層體浸漬於液溫40℃之不溶化浴(相對於水100重量份，調配4重量份之硼酸而獲得之硼酸水溶液)中30秒(不溶化處理)。 繼而，於液溫30℃之染色浴(相對於水100重量份，以1：7之重量比調配碘與碘化鉀而獲得之碘水溶液)中，一面以最終所獲得之偏光元件之單體透過率(Ts)成為所需值之方式調整濃度，一面浸漬60秒(染色處理)。 然後，浸漬於液溫40℃之交聯浴(相對於水100重量份，調配3重量份之碘化鉀並調配5重量份之硼酸而獲得之硼酸水溶液)中30秒(交聯處理)。 然後，將積層體浸漬於液溫70℃之硼酸水溶液(硼酸濃度4重量%，碘化鉀濃度5重量%)中，同時於周速不同之輥間沿縱向(長度方向)以總延伸倍率成為5.5倍之方式進行單軸延伸(水中延伸處理)。 然後，將積層體浸漬於液溫20℃之洗淨浴(相對於水100重量份，調配4重量份之碘化鉀而獲得之水溶液)(洗淨處理)。 然後，一面於保持在約90℃之烘箱中進行乾燥，一面使其接觸表面溫度保持在約75℃之SUS製加熱輥(乾燥收縮處理)。 藉此，於樹脂基材上形成厚度約5 μm之偏光元件，獲得具有樹脂基材/偏光元件之構成之積層體。
經由紫外線硬化型接著劑，將HC-COP膜(厚度27 μm)作為保護層貼合於所獲得之積層體之偏光元件側。再者，HC-COP膜係於環烯烴系樹脂(COP)膜(厚度25 μm)上形成有HC層(厚度2 μm)之膜，以使COP膜成為偏光元件側之方式進行貼合。繼而，自偏光元件剝離樹脂基材，而獲得具有HC-COP膜(保護層)/偏光元件之構成之偏光板。
(相位差層之製作) 將顯現向列型液晶相之聚合性液晶(巴斯夫公司製造：商品名「Paliocolor LC242」，由下述式表示)10 g、及針對該聚合性液晶化合物之光聚合起始劑(巴斯夫公司製造：商品名「Irgacure 907」)3 g溶解於甲苯40 g中，而製備液晶組合物(塗佈液)。 [化1]
Figure 02_image001
使用摩擦布對聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(厚度38 μm)表面進行摩擦，實施配向處理。將配向處理之方向設為貼合於偏光板時相對於偏光元件之吸收軸方向自視認側觀察呈15°之方向。藉由棒式塗佈機將上述液晶塗佈液塗佈於該配向處理表面，於90℃下加熱乾燥2分鐘，藉此使液晶化合物配向。使用金屬鹵素燈對藉由上述方式所形成之液晶層照射1 mJ/cm 2之光，使該液晶層硬化，藉此於PET膜上形成液晶配向固化層A(H層)。液晶配向固化層A之厚度為2.5 μm，面內相位差Re(550)為270 nm。進而，液晶配向固化層A呈現nx＞ny＝nz之折射率特性。
變更塗佈厚度，並將配向處理方向設為相對於偏光元件之吸收軸方向自視認側觀察呈75°之方向，除此以外，藉由與上述同樣之方式於PET膜上形成液晶配向固化層B(Q層)。液晶配向固化層B之厚度為1.5 μm，面內相位差Re(550)為140 nm。進而，液晶配向固化層B呈現nx＞ny＝nz之折射率特性。
(積層體之製作) 將所獲得之液晶配向固化層A(H層)及液晶配向固化層B(Q層)依序轉印至所獲得之偏光板之偏光元件側。此時，使偏光元件之吸收軸與配向固化層A之遲相軸所成之角度成為15°，並使偏光元件之吸收軸與配向固化層B之遲相軸所成之角度成為75°而進行轉印(貼合)。各個轉印係經由紫外線硬化型接著劑(厚度1.0 μm)而進行。藉此獲得積層體前驅物。再者，轉印(貼合)係一面進行輥搬送一面進行的。進而，轉印(貼合)係於水蒸氣量為9.3 g/m 3之環境下(23℃及45%RH)下進行的。 所獲得之積層體前驅物之總厚度為36 μm，厚度比為8。
將所獲得之長條狀之積層體前驅物沿著相對於長度方向及寬度方向(與長度方向正交之方向)呈45°之方向進行切割，而獲得165 mm×80 mm之單片狀之積層體前驅物。再者，長度方向相當於偏光元件之吸收軸方向。
繼而，於積層體前驅物之偏光板之保護層側貼合表面保護膜(厚度48 μm)。再者，表面保護膜係於PET系膜(厚度38 μm，透濕度18 g/m 2・24 h)上形成有黏著劑層(厚度10 μm)之膜。 進而，經由黏著劑層(厚度15 μm)將隔離件(厚度38 μm，透濕度18 g/m 2・24 h)貼合於積層體前驅物之液晶配向固化層B(Q層)側，而獲得165 mm×80 mm之單片狀之積層體。 同樣地製作165 mm×80 mm之單片狀之積層體共計500片。
(加濕處理) 將所獲得之500片單片狀之積層體進行重合而製成積層體集合體，如圖5所示，在以各積層體之主面相對於載置面呈90°之角度之方式進行了載置之狀態下，對積層體實施加濕處理。具體而言，將500片積層體(積層體集合體)收容於具有特定尺寸之盒體內，在以各積層體之主面相對於盒體之內側底面(載置面)呈90°之角度之方式進行了載置之狀態下進行加濕處理。此處，於下述狀態下進行加濕處理：各積層體之長邊與盒體之內側底面相接，於盒體內之空留空間(位於積層體集合體之前端及後端之積層體之主面、與盒體之內側側面之間的空間)內嵌入有未發泡之聚苯乙烯(PS)片材。加濕處理係於23℃及60%RH(水蒸氣量為12.4 g/m 3)下進行24小時。 藉此獲得附有相位差層之偏光板。
[實施例2] 製作偏光板時，使用TAC膜(厚度27 μm)代替HC-COP膜作為保護層，除此以外，藉由與實施例1同樣之方式獲得附有相位差層之偏光板。
[比較例1] 未切割長條狀之積層體前驅物，且製作長條狀之積層體後以捲取成卷狀之狀態供於加濕處理，除此以外，藉由與實施例1同樣之方式獲得附有相位差層之偏光板。
[比較例2] 加濕處理時，以各積層體之主面相對於載置面呈0°之角度之方式載置積層體集合體(於載置面重疊500片積層體而載置)，除此以外，藉由與實施例1同樣之方式獲得附有相位差層之偏光板。
[比較例3] 除了於23℃及45%RH(水蒸氣量為9.3 g/m 3)下進行24小時之加濕處理以外，藉由與實施例1同樣之方式獲得附有相位差層之偏光板。
[參考例1] 對於厚度60 μm之PVA系樹脂膜之長條捲筒，一面利用輥延伸機以總延伸倍率成為6.0倍之方式沿長度方向進行單軸延伸，一面實施膨潤、染色、交聯及洗淨處理，最後實施乾燥處理，藉此製作厚度22 μm之偏光元件。於所獲得之偏光元件之一面貼合附有HC層之TAC膜(厚度71 μm)。進而，於偏光元件之另一面貼合顯現逆分散波長依存性且Re(550)為140 nm之聚碳酸酯樹脂相位差膜(厚度58 μm)。此處，以相位差膜之遲相軸與偏光元件之吸收軸所成之角度成為45°之方式進行貼合。藉此，獲得附有相位差層之偏光板。附有相位差層之偏光板之總厚度為151 μm，厚度比為1.6。將該附有相位差層之偏光板切成165 mm×80 mm尺寸，並靜置於平面上，結果並未確認到翹曲。
[參考例2] 藉由與參考例1同樣之方式製作厚度22 μm之偏光元件。於所獲得之偏光元件之一面貼合附有HC層之TAC膜(厚度91 μm)，並於另一面貼合TAC膜(厚度80 μm)而獲得偏光板。除了使用該偏光板以外，藉由與實施例1同樣之方式獲得具有下述構成之附有相位差層之偏光板：附有HC層之TAC膜/偏光元件/TAC膜/接著劑層/相位差層(H層)/接著劑層/相位差層(Q層)。附有相位差層之偏光板之總厚度為197 μm，厚度比為48。將該附有相位差層之偏光板切成165 mm×80 mm尺寸，並靜置平面上，結果並未確認到翹曲。
對實施例及比較例進行下述評估。將評估結果彙總於表1及表2中。 ＜評估＞ 1.每單位面積之重量變化 使用電子秤測定加濕前後之自偏光板至黏著劑層為止之積層部分(圖4所示之積層部分80)之重量，並根據所獲得之測定值而算出。 2.翹曲量 於平面上，將單片狀之積層體前驅物及附有相位差層之偏光板以其相位差層側成為平面側之方式進行靜置，測定此時距離平面最高之部分之高度，求出翹曲量。 再者，將翹曲向靜置面側凸起之情形表示為「正(+)」，將翹曲向與靜置面相反側凸起之情形表示為「負(-)」。又，表中之「(MD)」相當於上述輥搬送之搬送方向，相當於偏光元件之吸收軸方向。 3.外觀 以目視觀察所獲得之附有相位差層之偏光板之外觀。再者，評估基準如下所述。 (評估基準) 良好：未確認到凹痕 不良：確認到凹痕
[表1]
   積層體前驅物
總厚度(μm) 厚度比 積層時之溫度/濕度(℃/%RH) 水蒸氣量A1 (g/m 2) 翹曲量(mm)
實施例1 36 8 23/45 9.3 -40(MD)
實施例2 36 8 23/45 9.3 -40(MD)
比較例1 36 8 23/45 9.3 -40(MD)
比較例2 36 8 23/45 9.3 -40(MD)
比較例3 36 8 23/45 9.3 -40(MD)
[表2]
   加濕處理 每單位面積之重量變化(%) 翹曲量(mm) 外觀
積層體之狀態 溫度/濕度 (℃/%RH) 水蒸氣量A2 (g/m 2) A2－A1 (g/m 2) 時間 (小時)
實施例1 橫向放置 23/60 12.4 3.1 24 +0.1〜0.4 -20(MD))～+20(TD) 良好
實施例2 橫向放置 23/60 12.4 3.1 24 +0.1〜0.4 -20(MD)～+20(TD) 良好
比較例1 卷狀 23/60 12.4 3.1 24 0 -40(MD) 良好
比較例2 縱向放置 23/60 12.4 3.1 24 +0.1~0.7 -20(MD)～+40(TD) 不良
比較例3 橫向放置 23/45 9.3 0 24 0 -40(MD) 良好
根據表1可明確，於實施例1、2中，可確認因加濕處理所產生之重量變化處於0.1%至0.4%之範圍內，所獲得之附有相位差層之偏光板之翹曲處於-20 mm至+20 mm之範圍內(-係確認到MD方向之翹曲，+係確認到與MD方向正交之TD方向之翹曲)。如此，於實施例1、2中，可對複數個積層體均勻地賦予水分，積層體前驅物所產生之翹曲之矯正情況亦均勻性較高。 相對於此，於載置面上重疊載置有積層體之比較例2中，確認到因加濕處理所產生之重量變化存在差異。具體而言，位於積層體集合體之上方之積層體較位於下方之積層體而言，所施加之力較小，位於上方之積層體較位於下方之積層體而言吸收更多水分，關於位於上方之積層體，確認到凸起之朝向與積層體前驅物所產生之翹曲相反之翹曲。另一方面，關於位於下方之積層體，其積層體前驅物所產生之翹曲得到改善。如此，確認到積層體前驅物所產生之翹曲之矯正情況亦存在差異。又，關於所獲得之附有相位差層之偏光板，亦確認到凹痕。
關於在卷狀之狀態下進行了加濕處理之比較例1，於捲成卷狀之內側部分，每單位面積之重量未發生變化，翹曲亦未得到改善。 再者，根據參考例可明確，此種翹曲可謂是總厚度較薄且偏光板之厚度相對於總厚度之比率較大的附有相位差層之偏光板所特有之問題。 [產業上之可利用性]
本發明之一實施方式之附有相位差層之偏光板可用作圖像顯示裝置之附有相位差層之偏光板，尤其適宜用於彎曲或可折彎、可摺疊、或可捲取之圖像顯示裝置。作為圖像顯示裝置，代表性而言，可例舉：液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置、無機EL顯示裝置。
10:偏光板 11:偏光元件 12:保護層 20:相位差層 21:第一相位差層(H層) 22:第二相位差層(Q層) 31:第一保護膜 32:第二保護膜 40:接著劑層 50:黏著劑層 80:積層部分 90:積層體前驅物 100:積層體 100a:積層體之主面 S:載置面
圖1係表示本發明之第一實施方式之積層體之概略構成的模式性剖視圖。 圖2係表示本發明之第二實施方式之積層體之概略構成的模式性剖視圖。 圖3係表示積層體前驅物之翹曲狀態之一例的剖視圖。 圖4係表示自偏光板至黏著劑層為止之積層部分之一例的剖視圖。 圖5係表示將積層體載置於載置面之狀態之一例的剖視圖。
100:積層體
100a:積層體之主面
S:載置面

Claims (18)

  1. 一種附有相位差層之偏光板之製造方法，其包括： 準備積層體，該積層體依序具有第一保護膜、包含偏光元件及配置於上述偏光元件之至少一側之保護層的偏光板、相位差層、及第二保護膜，且上述偏光板之厚度與上述相位差層之厚度之合計為50 μm以下，上述偏光板之厚度相對於上述相位差層之厚度之比為5以上；及 於將上述積層體載置於載置面之狀態下，將上述積層體放置於水蒸氣量為10.5 g/m 3以上之環境下進行加濕處理；且 上述附有相位差層之偏光板之製造方法係在上述積層體之主面相對於上述載置面具有角度之狀態下進行載置。
  2. 如請求項1之製造方法，其包括：將上述偏光板與上述相位差層進行積層而獲得積層體前驅物。
  3. 如請求項2之製造方法，其包括：將上述積層體前驅物切割成單片狀。
  4. 如請求項1至3中任一項之製造方法，其在排列有複數個上述積層體之狀態下進行上述加濕處理。
  5. 如請求項1至4中任一項之製造方法，其中上述第一保護膜於40℃及92%RH下之透濕度為30 g/m 2・24 h以下。
  6. 如請求項1至5中任一項之製造方法，其中上述第二保護膜於40℃及92%RH下之透濕度為30 g/m 2・24 h以下。
  7. 如請求項1至6中任一項之製造方法，其包括：一面對上述偏光板及上述相位差層進行輥搬送，一面進行積層。
  8. 如請求項1至7中任一項之製造方法，其包括：使用活性能量線硬化型接著劑將上述偏光板與上述相位差層進行積層。
  9. 如請求項8之製造方法，其中上述活性能量線硬化型接著劑之硬化後之厚度為0.4 μm以上。
  10. 如請求項1至9中任一項之製造方法，其中上述積層體具有配置於上述相位差層之未配置有上述偏光板之側的黏著劑層，且 因上述加濕處理而產生之上述偏光板、上述相位差層及上述黏著劑層之積層部分之每單位面積的重量增加為0.1%以上。
  11. 如請求項1至10中任一項之製造方法，其中上述加濕處理之時間為6小時以上。
  12. 如請求項1至11中任一項之製造方法，其中上述加濕處理時之水蒸氣量為10.5 g/m 3～30 g/m 3。
  13. 如請求項1至12中任一項之製造方法，其包括：於水蒸氣量為10.2 g/m 3以下之環境下將上述偏光板與上述相位差層進行積層。
  14. 如請求項1至13中任一項之製造方法，其中上述加濕處理時之水蒸氣量較上述偏光板與上述相位差層之積層時之水蒸氣量多0.5 g/m 3以上。
  15. 如請求項1至14中任一項之製造方法，其中上述相位差層或上述保護層於40℃及92%RH下之透濕度為300 g/m 2・24 h以上。
  16. 如請求項1至15中任一項之製造方法，其中上述偏光板僅於上述偏光元件之未配置有上述相位差層之側配置有保護層。
  17. 如請求項1至16中任一項之製造方法，其中上述偏光元件之厚度方向上之重心位於較上述偏光板與上述相位差層之積層部分的厚度方向上之重心更靠近上述相位差層側。
  18. 如請求項1至17中任一項之製造方法，其中上述相位差層為液晶化合物之配向固化層。
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