TW202209948A - 薄膜線路板及其製作方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種薄膜線路板，包括第一薄膜基板、第二薄膜基板、絕緣隔離基板以及防水結構。第一薄膜基板配置有第一線路結構。第二薄膜基板配置有第二線路結構。絕緣隔離基板配置於第一薄膜基板與第二薄膜基板之間，第一線路結構位於第一薄膜基板與絕緣隔離基板之間，第二線路結構位於第二薄膜基板與絕緣隔離基板之間。防水結構包括第一熔接層與第二熔接層。第一熔接層位於第一薄膜基板與絕緣隔離基板之間並圍繞第一線路結構。第二熔接層位於第二薄膜基板與絕緣隔離基板之間並圍繞第二線路結構。本發明亦提供一種薄膜線路板的製作方法。

Description

薄膜線路板及其製作方法
本發明涉及輸入裝置領域，尤其係關於一種應用於鍵盤裝置的薄膜線路板及其製作方法。
隨著科技的日新月異，電子設備的蓬勃發展為人類的生活帶來許多的便利性，因此如何讓電子設備的操作更人性化是重要的課題。常見的電子設備的輸入裝置包括滑鼠裝置、鍵盤裝置以及軌跡球裝置等，其中鍵盤裝置可供使用者直接地將文字以及符號輸入至電腦，因此相當受到重視。
習知鍵盤裝置大多包含有底板、薄膜線路板、剪刀式連接元件、鍵帽以及彈性元件，且剪刀式連接元件連接於底板與鍵帽之間。對於薄膜線路板來說，其通常由三片薄膜所製作而成，其由上而下例如為上薄膜基板、絕緣隔離基板以及下薄膜基板。按照習知的薄膜線路板製造工藝，會在上薄膜基板與下薄膜基板上分別印刷電路圖案，再將上薄膜基板、絕緣隔離基板與下薄膜基板三者進行結合。
當鍵盤裝置有防水需求時，由於薄膜線路板為鍵盤裝置內相當重要的線路零件，因此針對薄膜線路板的防水要求需達到高標準的等級。目前業界的方案是在薄膜線路板的周圍印刷防水膠來達到周圍 密封防止水氣進入的效果，但是印刷防水膠增加了製作成本以及對環境保護的破壞，因此，如何針對上述的問題進行改善，實為本領域相關人員所關注的焦點。
本發明的目的之一在於提供一種薄膜線路板及其製作方法，藉由超音波熱熔設備於薄膜線路板上熔融出防水結構，有效提高生產效率以及降低製作成本。
本發明的其他目的和優點可以從本發明所揭露的技術特徵中得到進一步的了解。
為達上述之一或部分或全部目的或是其他目的，本發明提供一種薄膜線路板，包括第一薄膜基板、第二薄膜基板、絕緣隔離基板、第一防水結構以及一第二防水結構。第一薄膜基板配置有第一線路結構。第二薄膜基板相對於第一薄膜基板配置，且第二薄膜基板配置有第二線路結構。絕緣隔離基板配置於第一薄膜基板與第二薄膜基板之間，且第一線路結構位於第一薄膜基板與絕緣隔離基板之間，第二線路結構位於第二薄膜基板與絕緣隔離基板之間。防水結構包括一第一熔接層與一第二熔接層，第一熔接層位於第一薄膜基板與絕緣隔離基板之間並圍繞第一線路結構。第二熔接層位於第二薄膜基板與絕緣隔離基板之間並圍繞第二線路結構。
在本發明的一實施例中，上述的第一薄膜基板包括第一定位貫孔，絕緣隔離基板包括第二定位貫孔，第二薄膜基板包括第三定位貫孔，且第一定位貫孔、第二定位貫孔與第三定位貫孔連通於彼此。
在本發明的一實施例中，上述的第一熔接層包括第一熔接部以及第二熔接部，第二熔接層包括第三熔接部以及第四熔接部，第一熔接部圍繞第一線路結構與第二熔接部，且第二熔接部圍繞第一定位貫孔靠近絕緣隔離基板的開口處以及圍繞第二定位貫孔靠近第一薄膜基板的開口處，第三熔接部圍繞第二線路結構與第四熔接部，且第四熔接部圍繞第二定位貫孔靠近第二薄膜基板的開口處以及圍繞第三定位貫孔靠近絕緣隔基板的開口處。
在本發明的一實施例中，上述的第一熔接層更包括第五熔接部，第二熔接層更包括第六熔接部，第五熔接部位於第一線路結構與第一熔接部之間，且第五熔接部圍繞第一線路結構與第二熔接部，第六熔接部位於第二線路結構與第三熔接部之間，且第六熔接部圍繞第二線路結構與第四熔接部。
在本發明的一實施例中，上述的防水結構係藉由超音波熱熔設備熔融第一薄膜基板、第二薄膜基板以及絕緣隔離基板而於第一薄膜基板與絕緣隔離基板之間形成第一熔接層以及於第二薄膜基板與絕緣隔離基板之間形成第二熔接層。
在本發明的一實施例中，上述的薄膜線路板更包括防滑結構，防滑結構配置於第一薄膜基板遠離絕緣隔離基板的表面上或是配置於第二薄膜基板遠離絕緣基板的表面上。
本發明亦提出一種薄膜線路板的製作方法，包括下列步驟：提供第一薄膜基板，配置有第一線路結構；提供絕緣隔離基板；提供第二薄膜基板，配置有第二線路結構；對第一薄膜基板、絕緣隔離基板以及第二薄膜基板進行超音波熱熔處理以形成防水結構，防水結構包括位於第一薄膜基板與絕緣隔離基板之間的第一熔接層以及位於第 二薄膜基板與絕緣隔離基板之間的第二熔接層，第一熔接層圍繞第一線路結構，第二熔接層圍繞第二線路結構。
在本發明的一實施例中，上述對第一薄膜基板、絕緣隔離基板以及第二薄膜基板進行超音波熱熔處理的步驟前包括下列步驟：對第一薄膜基板、絕緣隔離基板以及第二薄膜基板進行板材定位處理；對第一薄膜基板、絕緣隔離基板以及第二薄膜基板進行板材位置糾偏處理。
在本發明的一實施例中，上述的板材定位處理、板材糾偏處理以及超音波熱熔處理係藉由超音波熱熔設備來完成。
在本發明的一實施例中，上述的超音波熱熔設備包括第一滾筒裝置、糾偏裝置以及第二滾筒裝置。第一滾筒裝置用以對第一薄膜基板、絕緣隔離基板以及第二薄膜基板進行板材定位處理。糾偏裝置用以對第一薄膜基板、絕緣隔離基板以及第二薄膜基板進行板材位置糾偏處理。第二滾筒裝置用以對第一薄膜基板、絕緣隔離基板以及第二薄膜基板進行超音波熱熔處理。
本發明實施例的薄膜線路板及其製作方法，其主要藉由超音波熱熔設備對薄膜線路板的第一薄膜基板、絕緣隔離基板以及第二薄膜基板進行超音波熱熔處理，使得第一薄膜基板、絕緣隔離基板以及第二薄膜基板熔接於彼此以形成防水結構，也就是於第一薄膜基板與絕緣隔離基板之間形成圍繞第一線路結構的第一熔接層以及於第二薄膜基板與絕緣隔離基板之間形成圍繞第二線路結構的第二熔接層，上述第一熔接層與第二熔接層具有密封薄膜線路板的功效，有效防止水氣透過基板與基板之間的間隙進入到薄膜線路板內部的線路結構，此 外，在不使用防水膠的前提下，有效高生產效率以及降低製作成本，更進一步達到環境保護的目的。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
1:薄膜線路板
11:第一薄膜基板
12:第二薄膜基板
13:絕緣隔離基板
14:防水結構
15:第一線路結構
16:第二線路結構
17:防滑結構
110:第一定位貫孔
120:第三定位貫孔
130:第二定位貫孔
141:第一熔接層
142:第二熔接層
1411:第一熔接部
1412:第二熔接部
1413:第五熔接部
1421:第三熔接部
1422:第四熔接部
1423:第六熔接部
2:超音波熱熔設備
21:第一滾筒裝置
22:第二滾筒裝置
23:糾偏裝置
220:表面
221:第一圖案
222:第二圖案
223:第三圖案
S1~S6:步驟
圖1為本發明一實施例的薄膜線路板的結構示意圖。
圖2為圖1所示薄膜線路板的部分結構於一視角的側視概念示意圖。
圖3為圖1所示薄膜線路板的部分結構於另一視角的側視概念示意圖。
圖4為本發明一實施例的薄膜線路板的製作方法流程示意圖。
圖5為本發明一實施例的超音波熱熔設備的結構示意圖。
圖6為圖5所示超音波熱熔設備的第二滾筒裝置的部分結構示意圖。
請參閱圖1至圖3，圖1為本發明一實施例的薄膜線路板的結構示意圖。圖2為圖1所示薄膜線路板的部分結構於一視角的側視概念示意圖。圖3為圖1所示薄膜線路板的部分結構於另一視角的側視概念示意圖。圖1至圖3所示，本實施例的薄膜線路板1包括第一薄膜基板11、第二薄膜基板12、絕緣隔離基板13以及防水結構14。第一薄膜基板11上配置有第一線路結構15。第二薄膜基板12相對於第一薄膜基板11配置，且第二薄膜基板12上配置有第二線路結構16。絕緣隔離基板13配置於第一薄膜基板11與第二薄膜基板12之間，且第 一線路結構15位於第一薄膜基板11與絕緣隔離基板13之間，第二線路結構16位於第二薄膜基板12絕緣隔離基板13之間。防水結構14包括第一熔接層141與第二熔接層142。第一熔接層141位於第一薄膜基板11與絕緣隔離基板13之間，且第一熔接層141圍繞第一線路結構15。第二熔接層142位於第二薄膜基板12與絕緣隔離基板13之間，且第二熔接層142圍繞第二線路結構16。
需特別說明的是，本實施例的第一薄膜基板11與第二薄膜基板12例如是採用聚酯薄膜(PET)為基材，但本發明並不以此為限。本實施例的第一線路結構15與第二線路結構16例如是以印刷方式根據指定的電路圖案分別形成第一薄膜基板11與第二薄膜基板12的表面上，但本發明並不以此為限。本實施例的薄膜線路板1可配置於如桌上型電腦所使用之外接鍵盤(例如，PS2介面之鍵盤或USB介面之鍵盤)或是例如筆記型電腦或膝上型電腦所使用的內建鍵盤，但本發明並不以此為限，也就是說，本發明之薄膜線路板1的概念可以應用於任何以薄膜線路板1作為訊號輸入介面的電子產品。
以下再針對本實施例的薄膜線路板的其它細部做更進一步描述。
如圖1至圖3所示，本實施例的第一薄膜基板11包括第一定位貫孔110，絕緣隔離基板13包括第二定位貫孔130，第二薄膜基板12包括第三定位貫孔120，且第一定位貫孔110、第二定位貫孔130與第三定位貫孔120連通於彼此，在本實施例中，第一定位貫孔110、第二定位貫孔130與第三定位貫孔120的數量為多個，但本發明並不加以限定上述定位貫孔的數量，當薄膜線路板1配置於鍵盤裝置時，薄 膜線路板1可以藉由上述這些定位貫孔而組裝定位於鍵盤裝置的殼體內。
如圖1至圖3所示，本實施例的第一熔接層141包括第一熔接部1411以及第二熔接部1412。在本實施例中，第一熔接部1411圍繞第一線路結構15與第二熔接部1412，也就是第一熔接部1411位於薄膜線路板1的最外圍處，其主要是將第一薄膜基板11與絕緣隔離基板13之間所產生的間隙進行密封，用以阻擋水氣從第一薄膜基板11與絕緣隔離基板13之間的間隙進入到第一線路結構15，而第二熔接部1412圍繞第一定位貫孔110靠近絕緣隔離基板13的開口處以及圍繞第二定位貫孔130靠近第一薄膜基板11的開口處，其主要是將第一定位貫孔110的周邊處與第二定位貫孔130周邊處之間所產生的間隙進行密封，用以阻擋水氣從第一定位貫孔110與第二定位貫孔130進行到第一線路結構15。
如圖1至圖3所示，本實施例的第二熔接層142包括第三熔接部1421以及第四熔接部1422。在本實施例中，第三熔接部1421圍繞第二線路結構16與第四熔接部1422，也就是第三熔接部1421位於薄膜線路板1的最外圍處，其主要是將第二薄膜基板12與絕緣隔離基板13之間所產生的間隙進行密封，用以阻擋水氣從第二薄膜基板12與絕緣隔離基板13之間的間隙進入到第二線路結構16，而第四熔接部1422圍繞第二定位貫孔130靠近第二薄膜基板12的開口處以及圍繞第三定位貫孔120靠近絕緣隔離基板13的開口處，其主要是將第二定位貫孔130的周邊處與第三定位貫孔120周邊處之間所產生的間隙進行密封，用以阻擋水氣從第二定位貫孔130與第三定位貫孔120進行到第二線路結構16。
如圖1與圖2所示，本實施例的第一熔接層141更包括第五熔接部1413，第二熔接層142更括第六熔接部1423。第五熔接部1413位於第一線路結構15與第一熔接部1411之間，且第五熔接部1413圍繞第一線路結構15與第二熔接部1412。第六熔接部1423位於第二線路結構16與第三熔接部1421之間，且第六熔接部1423圍繞第二線路結構16與第四熔接部1422。在本實施例中，第五熔接部1413主要是與第一熔接部1411搭配以加強第一薄膜基板11與絕緣隔離基板13之間的密封強度，而第六熔接部1423主要是與第三熔接部1421搭配以加強第二薄膜基板12與絕緣隔離基板13之間的密封強度，但本發明並不此為限，在其它的實施例中，上述的第五熔接部1413與第六熔接部1423可以省略僅具有第一熔接部1411、第二熔接部1412、第三熔接部1421以及第四熔接部1422即可，或是在第一薄膜基板11與絕緣隔離基板13之間以及第二薄膜基板12與絕緣隔離基板13之間增加兩個以上的熔接部。
需特別說明的是，本實施例的防水結構14係藉由超音波熱熔設備熔融第一薄膜基板11、第二薄膜基板12以及絕緣隔離基板13而於第一薄膜基板11與絕緣隔離基板13之間形成第一熔接層141以及於第二薄膜基板12與絕緣隔離基板13之間形成第二熔接層142。具體而言，超音波熱熔設備的原理是由發聲器產生高頻率信號，通過固定於超音波熱熔設備上的焊頭直接接觸於以塑膠材料(如PET)所完成的板材工件上，藉由高頻振動使得板材工件內的分子發生劇烈摩擦而產生局部高溫，當溫度高於塑膠材料的熔點，塑膠材料就會融化，等熔融的塑膠材料冷卻後就會重新固化黏合以達到熔接的效果，在本實施例中，超音波熱熔設備的焊頭例如是採用滾筒狀的焊頭。
如圖1所示，本實施例的薄膜線路板1更包括防滑結構17。在本實施例中，防滑結構17配置於第一薄膜基板11遠離絕緣隔離基板13的表面上(也就是如圖2所示的第一薄膜基板11的外表面)。當超音波熱熔設備熔融第一薄膜基板11、第二薄膜基板12以及絕緣隔離基板13時，超音波熱熔設備的滾筒狀焊頭會於第一薄膜基板11遠離絕緣隔離基板13的表面上進行滾動，而防滑結構17可增加第一薄膜基板11與滾筒狀焊頭之間的摩擦力，進而防止滾筒狀焊頭產生空轉的情形。需特別說明的是，防滑結構17配置於第一薄膜基板11遠離絕緣隔離基板的表面上僅為本發明的其中之一實施例，本發明並不以此為限，在其它的實施例中，當超音波熱熔設備的滾筒狀焊頭於第二薄膜基板12遠離絕緣隔離基板13的表面上進行滾動時，防滑結構17也可以配置於第二薄膜基板12遠離絕緣隔離基板13的表面(也就是如圖2所示的第二薄膜基板12的外表面)上。
以下再針對本實施例的薄膜線路板的製作方法做進一步描述。
請參閱圖4，其為本發明一實施例的薄膜線路板的製作方法流程示意圖。如圖4所示，並請同時參閱圖1至圖3，本實施例的薄膜線路板的製作方法包括下列步驟：首先，如步驟S1所示，提供第一薄膜基板11，第一薄膜基板11上配置有第一線路結構15；接著，如步驟S2所示，提供絕緣隔離基板13；然後，如步驟S3所示，提供第二薄膜基板12，第二薄膜基板12上配置有第二線路結構16；然後，如步驟S4所示，對第一薄膜基板11、絕緣隔離基板13以及第二薄膜基板12進行板材定位處理，用以使第一薄膜基板11、絕緣隔離基板13以及第二薄膜基板12進行彼此之間的初步對位；然後，如步驟S5 所示，對第一薄膜基板11、絕緣隔離基板13以及第二薄膜基板12進行板材位置糾偏處理，用以微調第一薄膜基板11、絕緣隔離基板13以及第二薄膜基板12彼此之間的位置，使得這些板材之間的對位更加精確。然後，如步驟S6所示，對第一薄膜基板11、絕緣隔離基板13以及第二薄膜基12板進行超音波熱熔處理以形成防水結構14，防水結構14包括位於第一薄膜基板11與絕緣隔離基板13之間的第一熔接層141以及位於第二薄膜基板12與絕緣隔離基板13之間的第二熔接層142，第一熔接層141圍繞第一線路結構15，第二熔接層142圍繞第二線路結構16。
請參閱圖5，其為本發明一實施例的超音波熱熔設備的結構示意圖。如圖5所示，本實施例的超音波熱熔設備2應用於如圖4所示的薄膜線路板的製作方法中。超音波熱熔設備2包括第一滾筒裝置21、第二滾筒裝置22以及糾偏裝置23。第一滾筒裝置21用以對第一薄膜基板11、絕緣隔離基板13以及第二薄膜基板12進行如圖4步驟S4所示的板材定位處理。糾偏裝置23用以對第一薄膜基板11、絕緣隔離基板13以及第二薄膜基板12進行如圖4步驟S5所示的板材位置糾偏處理。第二滾筒裝置22用以對第一薄膜基板11、絕緣隔離基板13以及第二薄膜基板12進行如圖4步驟S6所示的超音波熱熔處理。
請參閱圖6，其為圖5所示超音波熱熔設備的第二滾筒裝置的部分結構示意圖。如圖6所示，超音波熱熔設備2的第二滾筒裝置22具有第一圖案221、第二圖案222以及第三圖案223，第一圖案221、第二圖案222與第三圖案223凸出於第二滾筒裝置的表面220，當超音波熱熔設備2對第一薄膜基板11、第二薄膜基板12以及絕緣隔離基板13進行超音波熱熔處理時，第一圖案221、第二圖案222與第三圖案 223會分別壓印在薄膜線路板1對應的位置上，進而形成如圖1至圖3所示的第一熔接部1411、第二熔接部1412、第三熔接部1421、第四熔接部1422、第五熔接部1413以及第六熔接部1423，具體而言，第一圖案221形成第一熔接部1411與第三熔接部1421，第二圖案222形成第五熔接部1413與第六熔接部1423，第三圖案223形成第二熔接部1412與第四熔接部1422。
綜上所述，本發明實施例的薄膜線路板及其製作方法，其主要藉由超音波熱熔設備對薄膜線路板的第一薄膜基板、絕緣隔離基板以及第二薄膜基板進行超音波熱熔處理，使得第一薄膜基板、絕緣隔離基板以及第二薄膜基板熔接於彼此以形成防水結構，也就是於第一薄膜基板與絕緣隔離基板之間形成圍繞第一線路結構的第一熔接層以及於第二薄膜基板與絕緣隔離基板之間形成圍繞第二線路結構的第二熔接層，上述第一熔接層與第二熔接層具有密封薄膜線路板的功效，有效防止水氣透過基板與基板之間的間隙進入到薄膜線路板內部的線路結構，此外，在不使用防水膠的前提下，有效高生產效率以及降低製作成本，更進一步達到環境保護的目的。
惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。另外，本發明的任一實施例或申請專利範圍不須達成本發明所揭露之全部目的或優點或特點。此外，摘要部分和標題僅是用來輔助專利文件搜尋之用，並非用來限制本發明之權利範圍。此外，本說明書或申請專利範圍中提及的”第一”、”第二”等用語僅用以命名元件 (element)的名稱或區別不同實施例或範圍，而並非用來限制元件數量上的上限或下限。
1:薄膜線路板
11:第一薄膜基板
12:第二薄膜基板
13:絕緣隔離基板
14:防水結構
15:第一線路結構
16:第二線路結構
141:第一熔接層
142:第二熔接層
1411:第一熔接部
1413:第五熔接部
1421:第三熔接部
1423:第六熔接部

Claims (10)

  1. 一種薄膜線路板，包括：
    一第一薄膜基板，配置有一第一線路結構；
    一第二薄膜基板，相對於該第一薄膜基板配置，且該第二薄膜基板配置有一第二線路結構；
    一絕緣隔離基板，配置於該第一薄膜基板與該第二薄膜基板之間，且該第一線路結構位於該第一薄膜基板與該絕緣隔離基板之間，該第二線路結構位於該第二薄膜基板與該絕緣隔離基板之間；以及
    一防水結構，包括一第一熔接層與一第二熔接層，該第一熔接層位於該第一薄膜基板與該絕緣隔離基板之間，且該第一熔接層圍繞該第一線路結構，該第二熔接層位於該第二薄膜基板與該絕緣隔離基板之間，且該第二熔接層圍繞該第二線路結構。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的薄膜線路板，其中該第一薄膜基板包括一第一定位貫孔，該絕緣隔離基板包括一第二定位貫孔，該第二薄膜基板包括一第三定位貫孔，且該第一定位貫孔、該第二定位貫孔與該第三定位貫孔連通於彼此。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的薄膜線路板，其中該第一熔接層構包括一第一熔接部以及一第二熔接部，該第二熔接層包括一第三熔接部以及一第四熔接部，該第一熔接部圍繞該第一線路結構與該第二熔接部，且該第二熔接部圍繞該第一定位貫孔靠近該絕緣隔離基板的開口處以及圍繞該第二定位貫孔靠近該第一薄膜基板的開口處，該第三熔接部圍繞該第二線路結構與該第四熔接部，且該第四熔接部圍繞該第二定位貫孔靠近該第二薄膜基板的開口處以及圍繞該第三定位貫孔靠近該絕緣隔基板的開口處。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的薄膜線路板，其中該第一熔接層更包括一第五熔接部，該第二熔接層更包括一第六熔接部，該第五熔接部位於該第一線路結構與該第一熔接部之間，且該第五熔接部圍繞該第一線路結構與該第二熔接部，該第六熔接部位於該第二線路結構與該第三熔接部之間，且該第六熔接部圍繞該第二線路結構與該第四熔接部。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的薄膜線路板，其中該防水結構係藉由一超音波熱熔設備熔融該第一薄膜基板、該第二薄膜基板以及該絕緣隔離基板而於該第一薄膜基板與該絕緣隔離基板之間形成該第一熔接層以及於該第二薄膜基板與該絕緣隔離基板之間形成該第二熔接層。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的薄膜線路板，更包括一防滑結構，該防滑結構配置於該第一薄膜基板遠離該絕緣隔離基板的表面上或是配置於該第二薄膜基板遠離該絕緣基板的表面上。
  7. 一種薄膜線路板的製作方法，該方法包括下列步驟：
    提供一第一薄膜基板，配置有一第一線路結構；
    提供一絕緣隔離基板；
    提供一第二薄膜基板，配置有一第二線路結構；以及
    對該第一薄膜基板、該絕緣隔離基板以及該第二薄膜基板進行一超音波熱熔處理以形成一防水結構，該防水結構包括位於該第一薄膜基板與該絕緣隔離基板之間的一第一熔接層以及位於該第二薄膜基板與該絕緣隔離基板之間的一第二熔接層，該第一熔接層圍繞該第一線路結構，該第二熔接層圍繞該第二線路結構。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的薄膜線路板的製作方法，其中對該第一薄膜基板、該絕緣隔離基板以及該第二薄膜基板進行該超音波熱熔處理的步驟前包括下列步驟：
    對該第一薄膜基板、該絕緣隔離基板以及該第二薄膜基板進行一板材定位處理；以及
    對該第一薄膜基板、該絕緣隔離基板以及該第二薄膜基板進行一板材位置糾偏處理。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的薄膜線路板的製作方法，其中該板材定位處理、該板材糾偏處理以及該超音波熱熔處理係藉由一超音波熱熔設備來完成。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的薄膜線路板的製作方法，其中該超音波熱熔設備包括：
    一第一滾筒裝置，用以對該第一薄膜基板、該絕緣隔離基板以及該第二薄膜基板進行該板材定位處理；
    一糾偏裝置，用以對該第一薄膜基板、該絕緣隔離基板以及該第二薄膜基板進行該板材位置糾偏處理；以及
    一第二滾筒裝置，用以對該第一薄膜基板、該絕緣隔離基板以及該第二薄膜基板進行該超音波熱熔處理。
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