TW202209017A - 用於產生基板之表面之位層資料之系統及方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供用於產生位層資料的系統、裝置及方法。一實例方法可包括接收一基板之一第一區的第一位層資料。該第一區可包括具有一第一表面位層之一第一子區，及具有一第二表面位層之一第二子區。該實例方法可進一步包括基於該第一位層資料產生量測控制圖資料。該實例方法可進一步包括基於該量測控制圖資料產生該基板之一第二區的第二位層資料。該第二區可包括各自具有等於約該第一表面位層之一第三表面位層的複數個第三子區，且視情況不包括具有等於約該第二表面位層之一表面位層的區。

Description

用於產生基板之表面之位層資料之系統及方法

本發明係關於微影，且更特定言之係關於用於聚焦微影工具之系統及方法。

微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其可互換地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於所形成之IC之個別層上的電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(例如抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之相鄰目標部分之網路。傳統微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案，同時平行或反平行於此掃描方向而同步地掃描目標部分來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。

隨著半導體製造製程繼續進步，幾十年來，電路元件之尺寸已不斷地縮減，同時每器件之諸如電晶體之功能元件的量已穩定地增加，其遵循通常被稱作「莫耳定律(Moore's law)」之趨勢。為了跟上莫耳定律，半導體行業正追逐使得能夠產生愈來愈小特徵的技術。為了將圖案投影於基板上，微影裝置可使用電磁輻射。此輻射之波長判定圖案化於基板上之特徵的最小大小。當前在使用中之典型波長係365奈米(nm)(i線)、248 nm、193 nm及13.5 nm。

本發明描述用於以較快及較精確方式產生基板(例如，具有具有多個高度位層之表面的晶圓)之表面之位層資料以準確地量測在基板之每一位層處在基板之每一區域內遍及基板之高度變化的系統、裝置、方法及電腦程式產品之各種態樣。在一些態樣中，本文所揭示之系統、裝置、方法及電腦程式產品可對於三維記憶體陣列(例如，三維NOT-AND(3D NAND)記憶體陣列)執行大範圍調平並基於所產生位層資料及本文中所描述之其他技術校準器件形貌。在一些態樣中，本文所揭示之系統、裝置、方法及電腦程式產品可利用精細感測器與粗略感測器的組合(例如，可使用相同感測器或不同感測器來實施)，其中粗略感測器量測記憶體單元與周邊之間的高度差以用於判定某些區之有效性且精細感測器量測一個位層(例如，記憶體單元)處之高度變化。

在一些態樣中，本發明描述一種系統。該系統可包括經組態以接收基板之第一區之第一位層資料的位層感測控制器。該第一區可包括具有一第一表面位層之一第一子區，及具有一第二表面位層之一第二子區。在一個說明性及非限制性實例中，第一表面位層可對應於記憶體單元之頂部表面，且第二表面位層可對應於鄰近於記憶體單元而安置的周邊之底部表面。位層感測控制器可經進一步組態以基於第一位層資料產生量測控制圖資料(例如，包括所關注的區域、無效區域或兩者)。系統可進一步包括經組態以基於量測控制圖資料(例如，基於所關注區域)產生基板之第二區之第二位層資料的第二位層感測器件。在一些態樣中，量測控制圖資料可包括伺服偏移圖(x,y)及有效性圖(x,y)中之至少一者。第二區可包括各自具有等於約第一表面位層之第三表面位層的複數個第三子區。視情況，在一些態樣中，第二區可進一步不包括具有等於約第二表面位層之表面位層的區。

在一些態樣中，位層感測控制器可經進一步組態以接收設計佈局資料。在一些態樣中，設計佈局資料可包括圖形資料系統(GDS)資料檔案。在一些態樣中，所接收設計佈局資料可包括第一位層資料，位層感測控制器可經進一步組態以自所接收設計佈局資料提取第一位層資料。在其他態樣中，位層感測控制器可經進一步組態以基於所接收設計佈局資料產生第一位層資料。

在一些態樣中，系統可進一步包括經組態以產生第一位層資料並直接地或間接地傳輸第一位層資料至位層感測控制器的第一位層感測器件。在一些態樣中，第一位層感測器件可經進一步組態以產生處於第一解析度之第一位層資料。在一些態樣中，第二位層感測器件可經進一步組態以產生處於第二解析度之第二位層資料。在一些態樣中，第二解析度可高於第一解析度。舉例而言，第二位層資料之第二量測雜訊可小於約5奈米，且第一位層資料之第一量測雜訊可小於約5微米。在一些態樣中，第一位層感測器件可經進一步組態以在第一量測持續時間期間產生第一位層資料。在一些態樣中，第二位層感測器件可經進一步組態以在第二量測持續時間處產生第二位層資料。在一些態樣中，第一量測持續時間可大於第二量測持續時間。在一些態樣中，第一位層感測器件可包括可見光譜感測器。在一些態樣中，第二位層感測器件可包括紫外線光譜感測器。在一些態樣中，第一位層感測器件及第二位層感測器件可包括於諸如位層感測器之相同位層感測器件中。在一些態樣中，第一位層感測器件及第二位層感測器件可包括於單晶片位層感測器(例如，位層感測晶片)中。在其他態樣中，第一位層感測器件及第二位層感測器件可包括於諸如空氣量規(例如，氣體量規接近性感測器)及光學感測器之兩個不同位層感測器件中。

在一些態樣中，位層感測控制器可經組態以基於將第一加權值應用於第一子區及將第二加權值應用於第二子區而產生量測控制圖資料。在一個說明性及非限制性實例中，第一加權值可為約一，且第二加權值可為約零。

在一些態樣中，位層感測控制器可經進一步組態以基於第一位層資料產生第一形貌圖資料。在一些態樣中，位層感測控制器可經進一步組態以基於第二位層資料產生第二形貌圖資料。在一些態樣中，第二形貌圖資料可不同於第一形貌圖資料。

在一些態樣中，位層感測控制器可經進一步組態以基於量測控制圖資料產生伺服控制信號。在一些態樣中，伺服控制信號可經組態以指示第二位層感測器件使用特定伺服偏移。在一些態樣中，伺服控制信號可經組態以指示第二位層感測器件遵循處於約第三表面位層之基板形貌。在一些態樣中，伺服控制信號可經進一步組態以指示第二位層感測器件在量測製程期間將第三表面位層保持在第二位層感測器件之量測範圍內(或在一些態樣中，在約焦平面處)。在一些態樣中，伺服控制信號可經進一步組態以指示第二位層感測器件修改伺服高度目標。舉例而言，在一些態樣中，伺服控制信號可經進一步組態以指示第二位層感測器件將伺服高度目標修改為在第一表面位層與第二表面位層之間。

在一些態樣中，本發明描述一種裝置。該裝置可包括經組態以接收基板之第一區之第一位層資料的位層感測控制器。該第一區可包括具有一第一表面位層之一第一子區，及具有一第二表面位層之一第二子區。位層感測控制器可經進一步組態以基於第一位層資料產生量測控制圖資料。該裝置可進一步包括經組態以基於量測控制圖資料產生基板之第二區之第二位層資料的第二位層感測器件。該第二區可包括各自具有等於約該第一表面位層之一第三表面位層的複數個第三子區，且在一些可選態樣中不包括具有等於約該第二表面位層之一表面位層的區。

在一些態樣中，本發明描述一種用於產生位層資料之方法。該方法可包括藉由位層感測控制器產生基板之第一區之第一位層資料。該第一區可包括具有一第一表面位層之一第一子區，及具有一第二表面位層之一第二子區。方法可進一步包括藉由位層感測控制器及基於第一位層資料產生量測控制圖資料。該方法可進一步包括藉由第二位層感測器件及基於量測控制圖資料產生基板之第二區之第二位層資料。該第二區可包括各自具有等於約該第一表面位層之一第三表面位層的複數個第三子區，且在一些可選態樣中不包括具有等於約該第二表面位層之一表面位層的區。

在一些態樣中，方法可進一步包括藉由位層感測控制器接收包括第一位層資料之設計佈局資料。在一些態樣中，設計佈局資料可包括GDS資料檔案。

在一些態樣中，方法可進一步包括藉由第一位層感測器件產生第一位層資料及藉由第一位層感測器件傳輸第一位層資料至位層感測控制器。在一些態樣中，方法可進一步包括藉由第一位層感測器件產生處於第一解析度及在第一量測持續時間處之第一位層資料。在一些態樣中，方法可進一步包括藉由第二位層感測器件產生處於第二解析度及在第二量測持續時間處之第二位層資料。在一些態樣中，第二解析度可大於約第一解析度。在一些態樣中，第二量測持續時間可小於約第二量測持續時間。

在一些態樣中，方法可進一步包括藉由位層感測控制器基於將第一加權值應用於第一子區及將第二加權值應用於第二子區而產生量測控制圖資料。

在一些態樣中，方法可進一步包括藉由位層感測控制器基於第一位層資料產生第一形貌圖資料。在一些態樣中，方法可進一步包括藉由位層感測控制器基於第二位層資料產生第二形貌圖資料。在一些態樣中，第二形貌圖資料不同於第一形貌圖資料。

在一些態樣中，方法可進一步包括藉由位層感測控制器基於量測控制圖資料產生伺服控制信號。在一些態樣中，方法可進一步包括藉由第二位層感測器件及基於伺服控制信號遵循在約第三表面位層處之基板形貌。在一些態樣中，方法可進一步包括藉由第二位層感測器件及基於伺服控制信號在量測製程期間將第三表面位層保持在第二位層感測器件之量測範圍內(或在一些態樣中，在約焦平面處)。在一些態樣中，方法可進一步包括藉由第二位層感測器件及基於伺服控制信號將伺服高度目標修改為在第一表面位層與第二表面位層之間。

下文中參考隨附圖式來詳細地描述另外特徵及優點以及各種態樣之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定態樣。本文中僅出於說明性目的而呈現此類態樣。基於本文含有之教示，額外態樣對於熟習相關技術者而言將為顯而易見。

本說明書揭示併有本發明之特徵之一或多個實施例。所揭示實施例僅僅描述本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明之廣度及範疇由隨附在此之申請專利範圍及其等效者界定。

所描述之實施例及本說明書中對「一個實施例」、「一實施例」、「一實例實施例」等之參考指示所描述之實施例可包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等短語未必指代相同實施例。另外，在結合一實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確描述，結合其他實施例實現此特徵、結構或特性在熟習此項技術者之認識範圍內。

諸如「在...下方」、「以下」、「下部」、「以上」、「在...上」、「上部」及類似者的空間相對術語本文中出於易於描述而使用以描述如諸圖中所說明的一個元件或特徵對於另一元件或特徵的關係。除了諸圖中所描繪的定向以外，空間相對術語亦意欲涵蓋裝置在使用或操作中的不同定向。裝置可以其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向)且本文中所使用之空間相對描述符可同樣相應地進行解譯。

如本文中所使用之術語「約」指示可基於特定技術變化之給定數量之值。基於特定技術，術語「約」可指示例如在值之10%至30%內(例如，值之±10%、±20%或±30%)變化之給定數量之值。概述

在一個實例中，諸如掃描器之微影裝置可包括用以量測在曝光之前晶圓表面之高度的位層感測器(或高度感測器)。微影裝置可使用此量測：(i)在曝光期間計算曝光剖面繼之以晶圓載物台(及在一些態樣中，投影系統特性)；及(ii)用於在曝光期間形成的調平及聚焦誤差進行診斷。位層感測器可在量測晶圓圖時嘗試保持晶圓焦點對準時控制晶圓載物台。位層感測器俘獲為用以找到晶圓之表面的初始量測。

在增加器件形貌情況下，尤其是在3D NAND記憶體陣列中，位層感測器之要求在範圍及解析度兩者方面變得更嚴格。在KrF系統上，舉例而言，諸如當製造階梯結構時，器件形貌可具有多個微米之台階。在ArF及ArFi系統上之其他3D NAND記憶體陣列通常經平坦化，從而具有高達200 nm之形貌。在另一實例中，在不久的將來預期超過20微米之器件形貌，且長期預期超過40微米之器件形貌(例如，基於約800層之最小值，其中每一層為至少約50 nm厚。

在一個實例中，位層感測器可在量測掃描期間藉由嘗試遵循基板形貌來量測高度圖。量測可以用於產生晶圓高度圖。隨後，基板曝光可使用所產生晶圓高度圖來執行。常常在(1)再現性及雜訊、(2)解析度及(3)量測範圍之間存在直接聯繫。然而，增加之量測範圍(z)通常導致較高雜訊，且增加之(x,y)解析度亦通常導致較高雜訊。因此，用於大範圍調平及3D NAND使用情況的最佳位層感測器可具有：(i)極大範圍(z)；(ii)高解析度(x,y)；(iii)低量測雜訊(例如，nm尺度)；及(iv)高準確度(例如，nm尺度)。另外，雜訊應保持低，此係因為通常相同掃描器亦用於其他更多聚焦關鍵層。然而，當改良上述參數中之一者時，其他可惡化。

在量測掃描期間，位層感測器可保持靜止而晶圓台左右移動(例如，經由伺服控制信號)以量測不同區域且上下移動以確保被量測的區域之表面高度保持在位層感測器之有效量測範圍中。即使當遇到表面高度實質變化時(例如，當在溝槽上橫穿時)，位層感測器晶圓台上下移動以遵循每一區域之表面形貌，從而導致量測誤差(例如，不準確的量測、由諸如溝槽的非關鍵表面之量測引起的量測誤差)。

另外，若器件形貌之範圍超過位層感測器之範圍，則以下失效模式可發生： a.  位層感測器俘獲失效(例如，感測器(自動)聚焦控制或量測高度控制)； b.  對針錯誤位層(例如，周邊而非記憶體單元)的位層感測器俘獲，從而導致非預期偏移； c.  得到正確高度的問題；及 d.  晶圓圖中之週期跳變(例如，錯誤高度量測、大增益誤差、伺服問題(例如，動力學，無法跟蹤))。

在一個實例中，此等實際問題(例如，「位層感測器失效」)對於調平而言可能比具有器件形貌之完美高度圖及其變化更重要。在另一實例中，一些位層感測器(或與位層感測器交互的處理器)在量測晶圓之形貌之後及在形成晶圓圖之後應用校正(例如，藉由將權重應用於不同區域)。

相反，本發明之一些態樣可基於藉由使用粗略高度感測器「預先掃描」基板形貌或自所接收GDS檔案獲得的粗略高度資料界定所關注區(例如，需要準確表面形貌量測的關鍵區域或子區)。本發明之一些態樣可在單獨量測動作中或在運作中(例如，使用串聯之兩個感測器)執行預先掃描。本發明之一些態樣接著可產生包括伺服偏移圖(x,y)、有效性圖(x,y)或兩者的量測控制圖。在一個說明性及非限制性實例(其中每一晶圓上之每一場具有實質上相同的器件形貌)中，本發明之一些態樣可基於彼事實產生量測控制圖。隨後，本發明之一些態樣可使用量測控制圖來量測高度圖以確保關注區經準確地量測。最終，基板曝光可使用所產生高度圖來執行。

在一些態樣中，伺服偏移圖(x,y)可包括經組態以在量測掃描期間控制不同區的(例如，沿著XY平面)基板台之高度(例如，沿著Z軸)的一組偏置設定。在一些態樣中，伺服偏移圖可包括：對於所關注區(例如，複數個「對於量測有效的」子區)中之每一者，「啟動伺服」、「伺服在作用中」或「伺服控制係可用的」值、旗標或控制信號，或任何其他合適之特性；及對於非關鍵區(例如複數個「對於量測無效的」子區，)中之每一者，「去啟動伺服」、「伺服不在作用中」或「伺服控制並不可用」值、旗標或控制信號，或任何其他合適之特性。在量測掃描期間，在一些態樣中，在基板台左右移動(例如，經由藉由位層感測控制器基於伺服偏移圖產生的伺服控制信號)以量測不同區但保持大體在一位置(例如，沿著Z軸)(其中所關注區之表面高度保持在藉由位層感測器件(例如，其中位層感測器件包含輻射發射感測器)發射的量測輻射之焦點處或附近或在位層感測器件(例如，其中位層感測器件包含空氣量規)的範圍之中間周圍)處時，本文所揭示之位層感測器件(例如，高度感測器件)可保持靜止。結果，當遇到表面高度具有實質變化的非關鍵區時(例如，當在溝槽上橫穿時)，本文所揭示之位層感測器件可指示基板台不上下移動以遵循彼非關鍵區之表面形貌(例如，藉由在彼非關鍵區之量測期間去啟動伺服控制)，從而導致所關注區之量測錯誤的減小及量測速度及準確度的增大(例如，藉由忽略或繞過非關鍵區之表面，諸如溝槽)。

在一些態樣中，有效性圖(x,y)可包括經組態以使得能夠在量測掃描期間控制僅僅所關注區之基板台之高度的一組有效性設定(例如，預先量測有效性設定)。在一些態樣中，有效性圖可包括：對於所關注區(例如，其偏置小於或等於最大偏置值)中之每一者，為一之值(例如，「1」或「1.00」)、「有效的」後設資料旗標，或任何其他合適之特性；及對於非關鍵區(例如，其偏置大於最大偏置值)中之每一者，為零之值(例如，「0」或「0.00」)、「無效的」後設資料旗標，或任何其他合適之特性。在一些態樣中，本文所揭示之位層感測器件可：當有效性圖值為一時遵循基板之表面形貌(例如，藉由當位層感測器件與基板之間的距離改變時調整基板台之位置)；且當有效性圖值為零時不遵循基板之表面形貌(例如，藉由當位層感測器件與基板之間的距離改變時不調整基板台之位置)。在量測掃描期間，在一些態樣中，本文所揭示之位層感測器件可：基於為一的所關注區之有效性圖值來量測所關注區之高度；且基於為零之其有效性圖值而不量測非關鍵區之高度。在其他態樣中，在量測掃描期間，本文所揭示之位層感測器件可：產生傳輸伺服控制信號至伺服，該伺服控制信號經組態以指示伺服調整所關注區的基板台之位置，使得所關注區之表面高度保持在藉由位層感測器件發射的量測輻射之焦點處或附近(例如，指示基板之表面需要所關注區的位層感測器件的焦點對準)；且既不產生亦不傳輸伺服控制信號至伺服以調整非關鍵區之基板台的位置(例如，指示基板之表面不需要非關鍵區之位層感測器件的焦點對準)。在一些態樣中，當遇到表面高度具有實質變化的非關鍵區時，本文所揭示之位層感測器件有目的地不指示基板台不上下移動以遵循彼非關鍵區之表面形貌，從而導致所關注區之量測錯誤的減小及量測速度及準確度的增大。在一些態樣中，有效性圖(x,y)可包括經組態以指示位層感測控制器在判定基板之表面形貌時不使用(例如，丟棄)自非關鍵區獲得之高度量測的一組有效性設定(例如，預先量測有效性設定)。

進一步相比之下，只要存在充足量測表面(例如，同時單元區域保持主導)，本發明之一些態樣可提供實質上增加之(及在一些態樣中，不受限制的)範圍。舉例而言，本發明之一些態樣可在量測晶圓形貌之前應用校正(例如，藉由將權重應用於不同區域)以識別所關注區域且接著在量測晶圓形貌期間使用伺服控制以遵循晶圓形貌並使僅在關注的彼等區域處之晶圓表面保持在感測器焦平面處。本發明之一些態樣可基於在實際高度量測開始之前獲取或產生的資料界定此等所關注區域。舉例而言，本發明之一些態樣可在實際高度量測開始之前使用相同位層感測器LS、不同感測器、任何其他合適之器件或其任何組合獲取或獲得此資料。在另一實例中，本發明之一些態樣可在實際高度量測開始之前基於度量衡資料(例如，單獨度量衡工具)、GDS檔案或設計佈局(例如，藉由使用者所提供或自儲存器件擷取)、任何其他合適之資料或電子資訊或其任何組合產生此資料。

在一些態樣中，本發明描述接收在基板處的區之代表基板處之第一子區及第二子區的資料的系統。所接收資料可包括例如自第一高度感測器件接收到之高度資訊、GDS檔案或兩者。在一些態樣中，兩個子區中之僅僅一者可係所關注的(例如，用於微影製程之關鍵區域)。亦即，對於高度量測，在例如第一子區處之高度僅僅需要被準確地量測。藉由選擇在基板處之對應於第一子區(例如，所接收資料)的彼等「關鍵」區域，此等所選擇區域可在下一量測步驟期間在器件量測範圍(例如，焦點對準)內量測。此可藉由相對於彼此移動基板及器件(例如，伺服控制)而進行，使得當器件在所選擇區域中之一者處時，所選擇區域落在量測範圍內。注意，高度感測器件通常「遵循」被量測的基板之形貌且因此亦遵循彼時刻落在範圍外部的彼等區域。

在一些態樣中，對應於第二區域的區域(例如，並非所關注的或並非關鍵之區域)可並不落在量測範圍內。在此等區域處，基板及器件不能相對於彼此移動(例如，無用以調整相互距離的伺服控制)。因此，可保持如第一區域所定義的距離。在其他態樣中，關鍵及非關鍵區域兩者可保持在高度感測器件之量測範圍內(例如，使用伺服偏移)。

在一些態樣中，定義或選擇待用於準確高度量測的所關注區可藉由將權重應用於不同子區而執行。在一些態樣中，將另外導致基板之位置調整的伺服控制信號可經忽略以確保子區在量測範圍內。在一些態樣中，控制圖可包括作為輸出之多於兩個位層或表面。因此，控制圖可包括具有不同權重之複數個區域。在一些態樣中，「粗略圖」可在運作中藉由第一(例如，粗略)高度感測器件量測。亦即，來自第一高度感測器件之資料可被處理並直接與預期值相比較。若該值在經界定範圍內，則對應區域可藉由第二(例如，精細)高度感測器件量測(例如，在伺服控制下)。在一些態樣中，若在可接受範圍外部(例如，該區域可不在量測範圍中)，則無校正性信號將被發送至伺服器。

在一些態樣中，當器件形貌再現時，本發明之一些態樣可使用粗略量測每層一次校準器件形貌。粗略校準量測可藉由位層感測器本身或運用具有大範圍之單獨感測器來達成。在運用位層感測器之俘獲光點情況下(或運用量測光點情況下)，此粗略量測可藉由在多個高度處實行量測而執行。在一些態樣中，量測可並不係時間關鍵，此係因為其僅僅必須每層一次實行。晶粒之主要區域(單元)接著可經準確地量測。

在一些態樣中，本文所揭示之位層感測器可對於平均場(例如，如參看圖4描述)每層一次執行校準序列。舉例而言，本文所揭示之位層感測器可經組態以執行以下操作： 1.  運用大Z範圍掃描密集地量測一或多個場； 2.  計算LS高度圖(大範圍)； 3.  界定用於接下來晶圓之俘獲Z位層及安全位置(例如，具有最大區域之位層)； 4.  界定用於伺服控制之有效位置； 5.  使例如具有不足增益或在感測器之量測範圍(例如，線性範圍)外部的場位置無效； 6.  俘獲有效位置(例如，所關注區)； 7.  僅僅在有效區域上伺服(例如，使用來自初始校準之有效圖)；及 8.  使用來自經量測晶圓圖及場內圖(例如，用於平均曝光場之經校準器件形貌圖)之受信任資料子集來報告高度剖面。

在一些態樣中，本文所揭示之方法可藉由亦關於伺服高度來量測位層感測器增益而擴展。舉例而言，本文所揭示之方法可進一步包括量測在場之不同位置處、在不同伺服高度處之增益。藉由判定在哪些伺服高度處增益係有效的，位層感測器LS可藉由例如使用增益作為信任之量測而判定位層感測器LS在哪些伺服高度處產生可信信號。

在一個說明性實例中，本文所揭示之方法可進一步包括藉由對不同高度執行掃描及判定每一所計算增益是否在每一特定高度處「如所預期」而計算所有場點(例如，包括單元及周邊兩者)之增益。若增益「如所預期」，則方法可進一步包括判定特定高度量測係有效的。若增益「不如所預期」(例如，不足增益)，則方法可進一步包括判定特定高度量測係無效的。換言之，當在特定位置上存在不足增益時，可使此等位置無效，或伺服高度目標可經調適，使得遍及全場存在充足增益。結果，本文所揭示之方法可藉由例如克服週期性位層感測器之週期性而增大週期性位層感測器之範圍。

在一些態樣中，本文所揭示之方法可藉由在曝光設定點計算中使用器件指印而進一步擴展。在一些情況下，在計算曝光軌跡時忽略周邊，或若聚焦靈敏度已知為隨場中之位置而變，則執行「光譜中之晶粒」(類似於對指印的最佳化)可亦係有益的。

在一些態樣中，使用者可對使用本文所揭示之位層感測器來量測晶圓之形貌感興趣。在一些態樣中，晶圓之區域(使用者對準確地量測該晶圓之區域關注)的可大於位層感測器之量測點大小。舉例而言，使用者可對量測頂部、底部或3D-NAND結構之間的任何區域關注，且量測點可經組態以適合彼區域。在一些態樣中，不能準確量測的其他區域可並不為使用者所主要關注，且因此位層感測器可：(i)聲明彼等區域之量測無效且不使用其；或(ii)結合校準圖使用彼等區域之量測(例如，藉由基於校準圖將權重之集合應用於彼等量測)。

在一些態樣中，位層感測器可經組態以偵測晶圓之區域是否可經準確地量測。舉例而言，位層感測器可經組態以偵測區域是否可藉由分析所量測表面上之增益及比較彼增益與所預期增益而準確地量測。在另一實例中，位層感測器可經組態以偵測區域是否可藉由使用沿著Z軸為雜訊但在XY平面中具有高空間解析度的校準圖準確地量測。為獲得或產生校準圖，位層感測器可經組態以但在不同週期中使用俘獲光點(例如，粗略量測光點)或量測光點(例如，精細量測光點)(例如，因此光點大小明顯較小)。隨後，位層感測器可經組態以使用校準圖以使特定量測讀數無效或用經校準(例如，但非準確)值替換特定量測讀數。在一些態樣中，校準圖本身可包括無效的區域(例如，位層感測器不能量測或不准許量測的區域)。在一些態樣中，位層感測器可經組態以藉由再次分析用於量測彼等區域的感測器之增益而偵測此等無效區域。

在一些態樣中，本發明提供包括控制器及高度感測器件之系統。控制器可經組態以接收基板之第一區的第一資料，其中第一區包括(i)具有第一表面位層之第一子區及(ii)具有第二表面位層之第二子區。控制器可經進一步組態以基於第一資料產生量測控制圖。控制器可經進一步組態以基於量測控制圖控制高度量測。高度感測器件可具有量測範圍。高度感測器件可經組態以執行高度量測。高度感測器件可經進一步組態以產生基板之第二區的第二資料，其中第二區包括(iii)複數個第三子區，其中複數個第三子區中之每一者具有等於配置於量測範圍內的約第一表面位層之第三表面位層。

存在許多對本文所揭示之系統、裝置、方法及電腦程式產品的益處。舉例而言，本發明提供在掃描器中執行所有形貌量測。在另一實例中，本發明提供單一位層感測器設計用於所有應用。在又一實例中，本發明提供高解析度。

然而，在更詳細地描述此類態樣之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之態樣之實例環境。實例微影系統

圖1為微影裝置100之示意性說明，其中可實施本發明之態樣。如圖1中所展示，自垂直於XZ平面(例如，X軸指向右側，Z軸指向上方，且Y軸指向遠離觀看者之頁)之視角(例如，側視圖)說明微影裝置100，同時自垂直於XY平面(例如，X軸指向右側，Y軸指向上方，且Z軸指向朝著觀看者的頁)之額外視角(例如，俯視圖)呈現圖案化器件MA及基板W。

在一些態樣中，微影裝置100可包括以下結構中之一或多者：照明系統IL (例如，照明器)，其經組態以調節輻射光束B (例如，深紫外線(DUV)輻射光束或極紫外線(EUV)輻射光束)；支撐結構MT (例如，光罩台)，其經組態以圖案化器件MA (例如，光罩、倍縮光罩或動態圖案化器件)且連接至經組態以準確地定位圖案化器件MA的第一定位器PM；及基板固持器(諸如基板台WT(例如，晶圓台)，其經組態以固持基板W (例如抗蝕劑塗佈晶圓)且連接至經組態以準確地定位基板W之第二定位器PW。微影裝置100亦具有投影系統PS (例如，折射投影透鏡系統)，其經組態以將由圖案化器件MA賦予到輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如包括一或多個晶粒的一部分)上。

儘管參考折射微影裝置，但應注意包含反射式投影系統及經配置用於反射式圖案化器件的微影裝置係在本發明之範圍內。

在一些態樣中，在操作中，照明系統IL可自輻射源SO接收輻射光束(例如，經由圖1中所展示之光束遞送系統BD)。照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學結構，諸如折射、反射、反射折射、磁性、電磁、靜電及其他類型之光學組件，或其任何組合。在一些態樣中，照明系統IL可經組態以調節輻射光束B以在圖案化器件MA之平面處在其橫截面具有所要空間及角強度分佈。

在一些態樣中，支撐結構MT可以取決於圖案化器件MA相對於參考框架之定向、微影裝置100之設計及其他條件(諸如，圖案化器件MA是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。藉由使用感測器，支撐結構MT可確保圖案化器件MA (例如)相對於投影系統PS處於所要位置。

術語「圖案化器件」MA應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束B之橫截面中向輻射光束B賦予圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案的任何器件。被賦予至輻射光束B之圖案可對應於產生於目標部分C中以形成積體電路之器件中的特定功能層。

在一些態樣中，圖案化器件MA可為透射式(如在圖1之微影裝置100中)或反射式。圖案化器件MA可包括各種結構，諸如倍縮光罩、光罩、可程式化鏡面陣列、可程式化LCD面板、其他合適結構或其組合。光罩包括諸如二元、交替相移或衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。在一個實例中，可程式化鏡面陣列可包括具有小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由小鏡面之矩陣反射之輻射光束B中賦予圖案。

術語「投影系統」PS應廣泛解譯且可涵蓋如適於所使用之曝光輻射，及/或適於(例如，基板W上之)浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、合成、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可將真空環境用於EUV或電子束輻射，此係由於其他氣體可吸收過多輻射或電子。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。另外，在一些態樣中，術語「投影透鏡」在本文中之任何使用可解譯為與更通用術語「投影系統」PS同義。

在一些態樣中，微影裝置100可屬於具有兩個(例如，「雙載物台」)或多於兩個基板台WT及/或兩個或多於兩個光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外基板台WT，或可在一或多個台上進行預備步驟，而將一或多個其他基板台WT用於曝光。在一個實例中，可在定位於基板台WT中之一者上的基板W上實行基板W之後續曝光的預備步驟，此時定位於基板台WT之另一者上的另一基板W正用於將圖案曝光於另一基板W上。在一些態樣中，額外台可不為基板台WT。

在一些態樣中，除了基板台WT以外，微影裝置100可包括量測載物台。量測載物台可經配置以固持感測器。感測器可經配置以量測投影系統PS之特性、輻射光束B之特性或兩者。在一些態樣中，量測載物台可固持多重感測器。在一些態樣中，量測載物台可在基板台WT遠離投影系統PS時在投影系統PS之下移動。

在一些態樣中，微影裝置100亦可屬於基板之至少一部分可藉由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統PS與基板W之間的空間的類型。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，圖案化器件MA與投影系統PS之間的空間。浸潤技術用於增大投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。各種浸潤技術描述於2005年10月4日發佈的且標題為「LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD」之美國專利第6,952,253號中，其以全文引用的方式併入本文中。

參看圖1，照明系統IL自輻射源SO接收輻射光束B。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射器時，輻射源SO及微影裝置100可為單獨的物理實體。在此情況下，不認為輻射源SO形成微影裝置100之部分，且輻射光束B係憑藉包括(例如)合適導向鏡及/或光束擴展器之光束遞送系統BD(例如，圖1中所展示)而自輻射源SO傳遞至照明系統IL。在其他情況下，舉例而言，當輻射源SO為水銀燈時，輻射源SO可為微影裝置100之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD (在需要時)可被稱作輻射系統。

在一些態樣中，照明系統IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。一般而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈之至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作「σ外部」及「σ內部」)。另外，照明系統IL可包括各種其他組件，諸如積光器IN及輻射收集器CO (例如，聚光器或收集器光學件)。在一些態樣中，照明系統IL可用於將輻射光束B調節為在其橫截面中具有所要之均勻性及強度分佈。

在一些態樣中，可使用光罩對準標記M1及M2及基板對準標記P1及P2來對準圖案化裝置MA及基板W。儘管圖1將基板對準標記P1及P2說明為佔據專用目標部分，但基板對準標記P1及P2可定位在目標部分之間的空間中。基板對準標記P1及P2在位於目標部分C之間時被稱為切割道對準標記。基板對準標記P1及P2亦可配置於目標部分C區域中作為晶粒內標記。此等晶粒內標記亦可被用作例如用於疊對量測的度量衡標記。

在一些態樣中，出於說明而非侷限性的目的，在本文中圖式中之一或多者可利用笛卡爾座標系統。笛卡爾座標系統包括三條軸線：X軸；Y軸；及Z軸。三條軸線中之每一者與其他兩條軸線正交(例如，X軸與Y軸及Z軸正交、Y軸與X軸及Z軸正交、Z軸與X軸及Y軸正交)。繞X軸之旋轉被稱作Rx旋轉。繞Y軸之旋轉被稱作Ry旋轉。繞Z軸之旋轉被稱作Rz旋轉。在一些態樣中，X軸及Y軸界定水平平面，而Z軸在豎直方向上。在一些態樣中，笛卡爾座標系統之定向可不同，例如，使得Z軸具有沿著水平平面之分量。在一些態樣中，可使用另一座標系統，諸如圓柱形座標系統。

參看圖1，輻射光束B入射於被固持於支撐結構MT上之圖案化器件MA上，且係由該圖案化器件MA而圖案化。在已橫穿圖案化器件MA之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，該投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。在一些態樣中，投影系統PS可具有與照明系統光瞳共軛之光瞳。在一些態樣中，輻射之部分自照明系統光瞳處之強度分佈發散且橫穿光罩圖案而不受光罩圖案MP處的繞射影響，且產生照明系統光瞳處之強度分佈之影像。

投影系統PS將光罩圖案MP之影像MP'投影至塗佈於基板W上之抗蝕劑層上，其中影像MP'係由自光罩圖案MP藉由來自強度分佈之輻射而產生之繞射光束而形成。舉例而言，光罩圖案MP可包括線及空間之陣列。在該陣列處且不同於零階繞射的輻射之繞射產生轉向繞射光束，其在垂直於線之方向上具有方向改變。非繞射光束(例如所謂的零階繞射光束)橫穿圖案，而傳播方向無任何改變。零階繞射光束橫穿投影系統PS之在投影系統PS之光瞳共軛物上游的上部透鏡或上部透鏡群組，以到達光瞳共軛物。在光瞳共軛之平面中且與零階繞射光束相關聯的強度分佈之部分為照明系統IL之照明系統光瞳中之強度分佈的影像。在一些態樣中，孔徑器件可經安置於或實質上位於包括投影系統PS之光瞳共軛的平面處。

投影系統PS經配置以借助於透鏡或透鏡群組不僅俘獲零階繞射光束，且亦俘獲一階或一階及更高階繞射光束(圖中未示)。在一些態樣中，可使用用於使在垂直於線之方向上延伸之線圖案成像的偶極照明以利用偶極照明之解析度增強效應。舉例而言，一階繞射光束在基板W之位層處與對應的零階繞射光束干涉，以在最高可能解析度及製程窗(例如，與可容許的曝光劑量偏差組合之可用聚焦深度)下產生光罩圖案MP之影像。在一些態樣中，可藉由在照明系統光瞳之相對象限中提供輻射極(圖中未示)來減小像散像差。另外，在一些態樣中，可藉由阻擋與相對象限中之輻射極相關聯的投影系統PS之光瞳共軛中之零階光束來減小像散像差。此更詳細描述於2009年3月31日發佈且標題為「LITHOGRAPHIC PROJECTION APPARATUS AND A DEVICE MANUFACTURING METHOD」之美國專利第7,511,799號中，其以全文引用的方式併入本文中。

在一些態樣中，借助於第二定位器PW及定位量測系統PMS (例如，包括諸如干涉量測器件、線性編碼器或電容式感測器之位置感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便在輻射光束B之路徑中將不同目標部分C定位於集中且對準之位置處。類似地，可使用第一定位器PM及另一位置感測器(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容式感測器(圖1中未展示)相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件MA(例如，在自光罩庫機械擷取之後或在掃描期間)。可使用光罩對準標記M1及M2及基板對準標記P1及P2來對準圖案化器件MA及基板W。

一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程定位器(粗略定位)及短衝程定位器(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分之長衝程定位器及短衝程定位器來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用光罩對準標記M1及M2及基板對準標記P1及P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管基板對準標記(如所說明)佔據專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(例如，切割道對準標記)。類似地，在多於一個晶粒經提供於圖案化器件MA上的情形中，光罩對準標記M1及M2可位於晶粒之間。

支撐結構MT及圖案化器件MA可處於真空腔室V中，其中真空內機器人IVR可用以將諸如光罩之圖案化器件移入及移出真空腔室。替代地，當支撐結構MT及圖案化器件MA在真空腔室之外部時，與真空內機器人類似，真空外機器人可用於各種輸送操作。在一些態樣中，需要校準真空內機器人及真空外機器人兩者以用於任何有效負載(例如光罩)至轉移台之固定運動安裝台之平滑轉移。

在一些態樣中，微影裝置100可用於以下模式中之至少一者中： 1.  在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(例如，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，以使得可曝光不同目標部分C。 2.  在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影於目標部分C上時，支撐結構MT及基板台WT經同步地掃描 (例如，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之(縮小)放大率及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT (例如，光罩台)之速度及方向。 3.  在另一模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持實質上靜止，從而固持可程式化圖案化器件MA，且移動或掃描基板台WT。可使用脈衝式輻射源SO，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件MA (諸如，可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。

在一些態樣中，微影裝置100可採用上述使用模式之組合及/或變體或完全不同使用模式。

微影裝置100可形成微影製造單元之部分。微影製造單元亦可包括用以對基板執行曝光前製程及曝光後製程之一或多個裝置。舉例而言，此等裝置可包括用於沈積抗蝕劑層之旋塗器、用於顯影經曝光的抗蝕劑之顯影器、冷卻板及烘烤板。基板處置器(例如，機器人)自輸入/輸出埠拾取基板，在不同製程裝置之間移動基板，並遞送基板至微影裝置100之裝載匣。此等器件(常常統稱為塗佈顯影系統)係在塗佈顯影系統控制單元之控制下，該塗佈顯影系統控制單元自身由監督控制系統控制，該監督控制系統亦經由微影控制單元來控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。實例位層感測器

在一些態樣中，位層感測器(例如，亦稱作形貌量測系統或高度感測器)可整合於微影裝置100中且經配置以量測基板W之頂部表面的形貌。計算系統(例如，圖9中展示之實例計算系統1100)可自此等量測產生基板W之形貌的圖，在本文中亦被稱作「高度圖」。高度圖可包括指示依據基板W上之位置而變化的基板W之高度的電子資訊(例如，資料、數值)。隨後，計算系統可在基板W上之圖案轉印期間使用此高度圖來校正或調整基板W之位置，以便在基板W上之經恰當聚焦位置中提供圖案化器件MA之空中影像。應理解，「高度」在此上下文中係指廣泛地在平行於基板W之頂部表面的平面外之尺寸(例如，Z軸)。在一些態樣中，位層感測器可在固定位置(例如，相對於其自身光學系統)處執行量測，且基板W與位層感測器之光學系統之間的相對移動跨基板W在各位置處產生高度量測。

圖2展示根據本發明之一些態樣的包括用於實例微影裝置(例如，圖1之微影裝置100)之實例位層感測器LS的實例環境400。如圖2中所展示，自垂直於XZ平面之視角(例如，側視圖)說明實例位層感測器LS。應理解，圖2僅僅說明實例位層感測器LS之操作原理。

如圖2中所展示，實例位層感測器LS包括一光學系統，該光學系統包括投影單元LSP及偵測單元LSD。投影單元LSP包括提供輻射光束LSB之輻射源LSO，該輻射光束由投影單元LSP之投影光柵PGR賦予。輻射源LSO可為例如窄頻帶或寬頻帶輻射源(諸如超連續光譜光源)，偏振或非偏振、脈衝或連續(諸如偏振或非偏振雷射光束)。在一些態樣中，輻射源LSO可包括具有不同顏色或波長範圍之複數個輻射源，諸如複數個LED。實例位層感測器LS之輻射源LSO不限於可見光輻射，而在一些態樣中可另外或替代地涵蓋UV及/或IR輻射及適合於自基板W之表面或自基板W處之層反射的任何波長範圍。

在一些態樣中，投影光柵PGR可為包括(例如)產生具有定期變化之強度的圖案化輻射光束BE1之週期性結構的光柵。圖案化輻射光束BE1可相對於垂直於入射基板表面的軸(Z軸)以在0度與90度之間，及在一些態樣中在70度與80度之間的入射角ANG經導向基板W上之量測位置MLO。在量測位置MLO處，圖案化輻射光束BE1可由基板W反射並經導向如由經反射圖案化輻射光束BE2 (例如，回應於藉由圖案化輻射光束BE1照明量測位置MLO而自晶圓W之表面部分或完全反射或折射的輻射光束)指示的偵測單元LSD。

在一些態樣中，為了判定量測位置MLO處之高度位層，實例位層感測器LS可進一步包括一偵測單元LSD，該偵測單元LSD包括偵測光柵DGR、偵測器DET(例如，光偵測器、攝影機)及用於處理偵測器DET之輸出信號的計算系統(例如，圖9中展示之實例計算系統1100)。在一些態樣中，偵測光柵DGR之結構可與投影光柵PGR之結構相同。在一些態樣中，偵測器DET可產生指示所接收光之強度或表示所接收強度之空間分佈的偵測器輸出信號。偵測器DET可包括一或多個偵測器類型(諸如光偵測器、成像器件、攝影機、干涉計或其他合適器件、結構或其組合)之任何組合。

在一些態樣中，藉助於三角量測技術，計算系統可判定量測位置MLO處之高度位層。偵測到之高度位層可與如藉由偵測器DET量測之信號強度相關。在一些態樣中，信號強度可具有部分取決於投影光柵PGR及入射角ANG(例如，傾斜)之設計的週期性。

在一些態樣(出於簡潔起見圖2中未展示)中，投影單元LSP及/或偵測單元LSD可包括在投影光柵PGR與偵測光柵DGR之間沿圖案化輻射光束BE1及經反射圖案化光束BE2之路徑安置的一或多個光學結構，諸如透鏡、稜鏡、鏡面、分束器(例如，偏振分束器)、偏振器、偏振旋轉器、光學晶體(例如，非線性光學晶體)、波片、窗口及光柵。

在一些態樣中，可省略偵測光柵DGR，且可將偵測器DET置放於偵測光柵DGR所在的位置處。在一些態樣中，此組態可提供投影光柵PGR之影像的較直接偵測。在一些態樣中，為了有效地覆蓋基板W之表面，位層感測器LS可經組態以將量測光束BE1之陣列投影至基板W之表面上，藉此產生覆蓋較大量測範圍之量測區域MLO或光點的陣列。

各種實例高度感測器揭示於例如2007年9月4日發佈且標題為「LEVEL SENSOR FOR LITHOGRAPHIC APPARATUS」的美國專利第7,265,364號及2010年1月12日發佈且標題為「LITHOGRAPHIC APPARATUS, LEVEL SENSOR, METHOD OF INSPECTION, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY」的美國專利第7,646,471號中，該等專利中之每一者以全文引用的方式併入本文中。使用UV輻射而非可見光或紅外線輻射的實例高度感測器揭示於例如2014年9月23發佈且標題為「LEVEL SENSOR ARRANGEMENT FOR LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD」的美國專利第8,842,293號中，該專利以全文引用的方式併入本文中。使用多元件偵測器來偵測及辨識光柵影像之位置而無需偵測光柵的實例緊湊型高度感測器揭示於例如2019年3月26日發佈且標題為「LEVEL SENSOR, LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD」的美國專利第10,241,425號中，該專利以全文引用的方式併入本文中。

圖3為根據本發明之一些態樣的實例位層感測器500的示意性說明。在一些態樣中，如圖3中所展示，實例位層感測器500可包括可選第一位層感測器件502、第二位層感測器件504及位層感測控制器510，以及其他結構。另外或替代地，在一些態樣中，實例位層感測器500可包括參看上文圖2及下文圖4至圖9所描述之結構、技術、方法、資料或特徵中之任一者或其任何組合。

在一些態樣中，可選第一位層感測器件502可包括但不限於一或多個第一照明源、一或多個第一照明感測器、任何其他合適之結構或其任何組合。在一些態樣中，一或多個第一照明源可包括一或多個可見光譜源，且一或多個第一照明感測器中之每一者可包括可見光譜感測器。在一些態樣中，可選第一位層感測器件502可經組態以產生如本文所描述的基板之第一區的第一位層資料。在一些態樣中，可選第一位層感測器件502可經進一步組態以產生處於第一解析度(例如，粗略解析度)及在第一量測持續時間處之第一位層資料。

在一些態樣中，第二位層感測器件504可包括但不限於一或多個第二照明源及一或多個第二照明感測器。在一些態樣中，一或多個第二照明源可包括一或多個紫外線光譜源，且一或多個第二照明感測器中之每一者可包括紫外線光譜感測器。在一些態樣中，第二位層感測器件504可經組態以基於量測控制圖資料產生如本文所描述的基板之第二區之第二位層資料。在一些態樣中，第二位層感測器件504可經進一步組態以產生處於第二解析度(例如，精細解析度)及在第二量測持續時間處之第二位層資料。在一些態樣中，第一解析度可比第二解析度更粗略。在一些態樣中，第二量測持續時間可小於第一量測持續時間。在一些態樣中，第二位層資料之量測雜訊可小於第一位層資料之量測雜訊。舉例而言，第一位層資料之第一量測雜訊可小於約5微米，而第二位層資料之第二量測雜訊可小於約5奈米。

在一些態樣中，位層感測控制器510可包括但不限於一或多個計算系統、處理器、記憶體、任何其他合適之結構及其組合。在一些態樣中，位層感測控制器510可經組態以基於如本文所描述之第一位層資料產生量測控制圖資料。在一些態樣中，位層感測控制器510可進一步包括經組態以接收包括基板之設計佈局之設計佈局資料的通信電路系統，或與該通信電路系統通信。在一些態樣中，設計佈局資料可包括第一位層資料。在其他態樣中，位層感測控制器510可經組態以基於設計佈局資料產生第一位層資料。在一些態樣中，設計佈局資料可包括GDS資料檔案。在此等態樣中，不需要(且在一些態樣中可自實例位層感測器500省去)可選第一位層感測器件502，此係因為設計佈局資料之接收使得有可能使用僅僅第二位層感測器件504產生第二位層資料。

作為本文中所描述的一些態樣之基礎，本發明描述用於提供位層感測器件(諸如圖2中展示之實例位層感測器LS；圖3中展示之實例位層感測器500；圖7A、圖7B、圖7C及圖7D中展示之實例系統900；圖9中展示之實例計算系統1100；或其組合)之系統、裝置、方法及電腦程式產品。在一些態樣中，位層感測器件可包括第二位層感測器件、位層感測控制器及在一些態樣中可選第一位層感測器件。在一些態樣中，可選第一位層感測器502及第二位層感測器件504可包括於相同位層感測器件(例如，圖2中展示之實例位層感測器LS；圖3中展示之實例位層感測器500；圖7A、圖7B、圖7C及圖7D中展示之實例系統900；單晶片位層感測器；或任何其他合適之器件或結構)中。在其他態樣中，可選第一位層感測器件502及第二位層感測器件504可包括於諸如空氣量規(例如，氣體量規接近性感測器)及光學感測器之兩個不同位層感測器件中。在一些態樣中，可選第一位層感測器件502可包括可見光譜感測器。在一些態樣中，第二位層感測器件504可包括紫外線光譜感測器。

在一些態樣中，在存在照明(例如，藉由可選第一位層感測器件502或第二位層感測器件504)時刻，實例位層感測器500可利用包括經由基板投影至偵測光柵上之投影光柵的光柵板。在一些態樣中，光柵板可包括兩組光點：(i)用於粗略量測之捕獲光點；及(ii)用於精細量測之量測光點。

在一些態樣中，可選第一位層感測器件502可經配置於度量衡裝置中，而第二位層感測器經配置於曝光裝置(例如，微影裝置100)中。度量衡裝置可為獨立裝置或可為微影製造單元之部分。

圖4為根據本發明之一些態樣的實例資料環境600的示意性說明。在一些態樣中，在圖4中展示之實例資料環境600提供待藉由位層感測器(例如，圖2中展示之實例位層感測器LS；圖3中展示之實例位層感測器500；圖7A、圖7B、圖7C及圖7D中展示之實例系統900)每層一次執行的器件形貌校準之示意性表示。

如圖4中所展示，在一些態樣中，第一位層感測器件可經組態以產生基板602 (例如，圖1及圖2中展示之基板W；圖7A、圖7B、圖7C及圖7D中展示之基板5；圖5A中展示之基板740)之第一區的第一位層資料610。在一些態樣中，第一位層感測器件可經組態以基於在基板602之表面上的不同位置處安置的複數個第一區604 (諸如第一區604A、604B、604C、604D及604E)之平均值產生第一位層資料610。

在一些態樣中，基板602之第一區(例如，複數個第一區604中之一者，或該複數個第一區604中之兩者或大於兩者的平均)可包括具有第一表面位層之第一子區及具有第二表面位層之第二子區。舉例而言，如圖4中所展示，第一區之第一位層資料610可包括具有第一表面位層之第一子區614A及具有第二表面位層之第二子區612A。在一些態樣中，第二子區612A之寬度可為第一子區614A之寬度的約百分之5至百分之50。

在一些態樣中，第一區之第一位層資料610可進一步包括各自具有約第一表面位層之表面位層的複數個第一子區614A、614B至614N。在一些態樣中，第一區之第一位層資料610可進一步包括各自具有約第二表面位層之表面位層的複數個第二子區612A、612B至612N。

在一些態樣中，第二表面位層可低於第一表面位層。舉例而言，第一位層感測器件之表面與第一表面之間的第一距離可小於第一位層感測器件之表面與第二表面之間的第二距離。在一個實例中，第一表面位層與第二表面位層之間的差可大於約15微米。在另一實例中，第一表面位層與第二表面位層之間的差可大於約50微米。

在一個說明性及非限制性實例中，第一表面位層可對應於記憶體單元之頂部表面，且第二表面位層可對應於鄰近於記憶體單元而安置的周邊之底部表面。舉例而言，複數個第一子區614A、614B至614N中之每一者可對應於記憶體單元之頂部表面，且複數個第二子區612A、612B至612N中之每一者可對應於鄰近於記憶體單元而安置的周邊之底部表面(例如，溝槽)。

在一些態樣中，位層感測控制器可經組態以基於第一位層資料610產生量測控制圖資料620。舉例而言，如圖4中所展示，量測控制圖資料620可包括「對於量測有效的」子區624A及「對於量測無效的」子區622A。在一些態樣中，「對於量測有效的」子區624A之寬度可小於第一子區614A之寬度(例如，稍窄)，且「對於量測無效的」子區622A之寬度可大於第二子區612A之寬度(例如，稍寬)。舉例而言，「對於量測無效的」子區622A之寬度可為「對於量測有效的」子區624A之寬度的約百分之20。

在一些態樣中，量測控制圖資料620可進一步包括各自具有約第一表面位層之表面位層的複數個「對於量測有效的」子區624A、624B至624N。在一些態樣中，量測控制圖資料620可進一步包括各自具有約第二表面位層之表面位層的複數個「對於量測無效的」第二子區622A、622B至622N。出於說明的目的且並不限制，複數個第一子區614A、614B至614N與複數個第二子區612A、612B至612N之間的邊界作為點線重疊在量測控制圖資料620上。

在一些態樣中，位層感測控制器可經組態以基於將第一加權值(例如，「1」)應用於複數個第一子區614A、614B至614N中之每一者而產生複數個「對於量測有效的」子區624A、624B至624N。在一些態樣中，位層感測控制器可經組態以基於將第二加權值(例如，「0」)應用於複數個第二子區612A、612B至612N中之每一者而產生複數個「對於量測無效的」子區622A、622B至622N及在一些態樣中關於彼等子區之緩衝區。

在一些態樣中，位層感測控制器可經組態以基於將第一後設資料旗標(例如，「有效的」)應用於複數個第一子區614A、614B至614N中之每一者而產生複數個「對於量測有效的」子區624A、624B至624N。在一些態樣中，位層感測控制器可經組態以基於將第二元資料旗標(例如，「無效的」)應用於複數個第二子區612A、612B至612N中之每一者而產生複數個「對於量測無效的」子區622A、622B至622N及在一些態樣中關於彼等子區之緩衝區。

在一些態樣中，量測控制圖資料620可指示電子指令以基於複數個第一子區614A、614B至614N及該複數個第二子區612A、612B至612N中無一者而產生第二位層資料630。在一些態樣中，位層感測控制器可經進一步組態以基於量測控制圖資料620產生伺服控制信號。在一些態樣中，伺服控制信號可經組態以指示第二位層感測器件在伺服控制中忽略複數個「對於量測無效的」子區622A、622B至622N，並將伺服控制中之捕獲位置設定為複數個「對於量測有效的」子區624A、624B至624N。在一些態樣中，量測控制圖資料620可包括伺服偏移圖(x,y)及有效性圖(x,y)中之至少一者。

在一些態樣中，對於複數個「對於量測有效的」子區624A、624B至624N中之每一者，量測控制圖資料620可包括：「啟動伺服」值、旗標，或控制信號(例如，包括於伺服偏移圖中)；為一之值(例如，包括於有效性圖中)；「有效的」後設資料旗標；或任何其他合適之特性。在一些態樣中，對於複數個「對於量測無效的」子區622A、622B至622N中之每一者，量測控制圖資料620可包括：「去啟動伺服」值、旗標，或控制信號(例如，包括於伺服偏移圖中)；為零之值(例如，包括於有效性圖中)；「無效的」後設資料旗標；或任何其他合適之特性。

在一些態樣中，伺服控制信號可經組態以指示第二位層感測器件使用特定伺服偏移。舉例而言，位層感測控制器可經進一步組態以使用第一位層資料610 (例如，粗略感測器量測)來指示第二位層感測器件(例如，精細感測器)使用特定伺服偏移。在一些態樣中，伺服控制信號可經組態以指示第二位層感測器件遵循在約第三表面位層處之基板602的形貌。在一些態樣中，伺服控制信號可經進一步組態以指示第二位層感測器件在量測製程期間將第三表面位層保持在第二位層感測器件之量測範圍內(或在一些態樣中，在約焦平面處)。在一些態樣中，伺服控制信號可經進一步組態以指示第二位層感測器件修改伺服高度目標。舉例而言，在一些態樣中，伺服控制信號可經進一步組態以指示第二位層感測器件將伺服高度目標修改為在第一表面位層與第二表面位層之間(例如，如圖6B中所展示)。

在一些態樣中，第二位層感測器件可經組態以基於量測控制圖資料620產生基板602之第二區之第二位層資料630。舉例而言，如圖4中所展示，第二位層資料630可包括具有等於約第一表面位層之第三表面位層的第三子區634A，而不包括具有等於第二表面位層之第四表面位層的第四子區632A。

在一些態樣中，第二區可包括各自具有等於約第一表面位層之第三表面位層的複數個第三子區634A、634B至634N。在一些態樣中，複數個第三子區634A、634B至634N可對應於複數個「對於量測有效的」子區624A、624B至624N。

在一些態樣中，第二區可進一步不包括具有等於約第二表面位層之表面位層的區。舉例而言，第二區可進一步包括複數個第四子區632A、632B至632N中無一者。在一個說明性實例中，第二區可包括對應於複數個「對於量測無效的」子區622A、622B至622N的複數個第四子區632A、632B至632N中無一者。在另一說明性實例中，第二區可包括複數個第四子區632A、632B至632N，其中複數個第四子區632A、632B至632N中之每一者可包括零值、「無效」後設資料旗標或經組態以指示位層感測控制器在判定基板602之形貌的圖(例如，高度圖)時不使用彼高度量測的任何其他合適之特性或與該零值、「無效」後設資料旗標或任何其他合適之特性相關聯。

在一些態樣中，位層感測控制器可進一步包括經組態以接收包括基板602之設計佈局之設計佈局資料的通信電路系統，或與該通信電路系統通信。在一些態樣中，設計佈局資料可包括GDS資料檔案。在一些態樣中，設計佈局資料可包括第一位層資料610。在其他態樣中，位層感測控制器可經組態以基於設計佈局資料產生第一位層資料610。在一些態樣中，位層感測控制器可經組態以基於所接收設計佈局資料、所產生第一位層資料610或兩者產生量測控制圖資料620。在此等態樣中，設計佈局資料之接收使得有可能使用僅僅第二位層感測器件產生第二位層資料630。

在一些態樣中，位層感測控制器可經進一步組態以基於第二位層資料630產生基板602之形貌的圖，在本文中亦被稱作「高度圖」。在一些態樣中，位層感測控制器可經進一步組態以基於第一位層資料610產生第一形貌圖資料。在一些態樣中，位層感測控制器可經進一步組態以基於第二位層資料630產生第二形貌圖資料。在一些態樣中，第二形貌圖資料可不同於第一形貌圖資料。

在一些態樣中，複數個第一子區614A、614B至614N可包括複數個記憶體單元，且第一表面位層可對應於複數個記憶體單元之頂部表面。在一些態樣中，複數個記憶體單元可包括複數個3D NAND記憶體單元。在一些態樣中，複數個第二子區612A、612B至612N可包括安置於複數個記憶體單元之各別對與之間的複數個周邊，且第二表面位層可對應於周邊之底部表面。在一些態樣中，複數個第三子區634A、634B至634N可包括複數個記憶體單元或其部分，其中複數個記憶體單元中之每一者的第三表面位層對應於複數個記憶體單元中之每一者的頂部表面。在一些態樣中，量測控制圖資料620可指示用以基於複數個記憶體單元及複數個記憶體單元中之任何兩者之間無周邊而產生第二位層資料630的電子指令。在一些態樣中，第二區不包括對應於複數個記憶體單元之任何對之間的周邊的區。在一些態樣中，第二位層感測器件可經組態以在不量測複數個記憶體單元中之兩者之間的周邊之底部表面的情況下(例如，在不量測複數個第四子區632A、632B至632N中之任一者的情況下)產生第二位層資料630。在一些態樣中，第二位層感測器件可經組態以在丟棄對應於複數個記憶體單元中之兩者之間的周邊之底部表面的所有量測之後在不量測複數個記憶體單元中之兩者之間的周邊之底部表面的情況下產生第二位層資料630。(例如，藉由量測及接著丟棄、清零複數個第四子區632A、632B至632N或使該複數個第四子區632A、632B至632N無效)。

圖5A為根據本發明之一些態樣的用於記憶體單元之實例陣列的實例架構700之示意性說明。如圖5A中所展示，實例架構700可包括基板740。在一些態樣中，基板740可具有寬度742及長度744。在一些態樣中，實例架構700可進一步包括鄰近於第一記憶體單元721A (例如，具有第一階梯結構770A)、第二記憶體單元721B (例如，具有第二階梯結構770B)及第一記憶體單元721A與第二記憶體單元721B之間的周邊722而安置的CMOS結構760。在一些態樣中，第一階梯結構770A及第二階梯結構770B中之每一者可具有多個層。

在一些態樣中，第一表面位層750可對應於第一記憶體單元721A之頂部表面、第二記憶體單元721B之頂部表面，或兩者(例如，平均值、設計值)。在一些態樣中，第二表面位層752可對應於周邊722之底部表面。在一些態樣中，第一表面位層750與第二表面位層752之間的差可大於約15微米。舉例而言，第一記憶體單元721A之高度754、第二記憶體單元721B之頂部表面或兩者可為約16微米。在一些態樣中，第一表面位層750與第二表面位層752之間的差可大於約50微米。

在一些態樣中，第一位層感測器件可經組態以基於第一記憶體單元721A之頂部表面、第二記憶體單元721B之頂部表面及周邊722之底部表面產生第一位層資料。

在一些態樣中，位層感測控制器可經組態以基於第一位層資料產生量測控制圖資料。舉例而言，量測控制圖資料可包括第一「對於量測有效的」子區724A、第二「對於量測有效的」子區724B，及包括圖5A中展示之在第一「對於量測有效的」子區724A及第二「對於量測有效的」子區724B外部的實例陣列之所有區的「對於量測無效的」子區。在一些態樣中，「對於量測有效的」子區724A之區域可小於第一記憶體單元721A之頂部表面的區域，且「對於量測有效的」子區724B之區域可小於第二記憶體單元721B之頂部表面的區域。舉例而言，第一「對於量測有效的」子區724A之區域可小於第一記憶體單元721A之頂部表面的區域之約百分之10。類似地，第二「對於量測有效的」子區724B之區域可小於第二記憶體單元721B之頂部表面的區域之約百分之10。

在一些態樣中，第二位層感測器件可經組態以基於量測控制圖資料產生第二位層資料，第二位層資料包括第一「對於量測有效的」子區724A、第二「對於量測有效的」子區724B但不包括在第一「對於量測有效的」子區724A及第二「對於量測有效的」子區724B外部的區。結果，第二位層資料可對應於各自具有等於約第一表面位層750之一第三表面位層的複數個第三子區，且不對應於具有等於約第二表面位層752之一表面位層的區。在一些態樣中，第二位層感測器件經組態以在不量測周邊722之底部表面情況下產生第二位層資料。在一些態樣中，第二位層感測器件經組態以在丟棄對應於周邊722的所有量測之後(例如，在丟棄不對應於第一「對於量測有效的」子區724A或第二「對於量測有效的」子區724B之所有量測之後)產生第二位層資料。

在一些態樣中，位層感測控制器可經進一步組態以基於第二位層資料產生實例架構700之形貌之圖，在本文中亦被稱作「高度圖」。在一些態樣中，位層感測控制器可經進一步組態以基於第一位層資料產生第一形貌圖資料。在一些態樣中，位層感測控制器可經進一步組態以基於第二位層資料產生第二形貌圖資料。在一些態樣中，第二形貌圖資料可不同於第一形貌圖資料。舉例而言，第一形貌圖資料可包括自在第一表面位層750處之表面及在第二表面位層752處之表面獲得的第一高度資料(例如，在一粗略解析度處)，而第二形貌圖資料可包括自在第一表面位層750處之表面而非在第二表面位層752處之表面獲得的第二高度資料(例如，在較精細解析度處)。

圖5B為根據本發明之一些態樣的用於記憶體單元之實例陣列的實例佈局780之示意性說明。在一些態樣中，記憶體單元781A及781B之實例佈局可包括參看圖5A所描述之結構，諸如CMOS結構760、第一記憶體單元721A、第二記憶體單元721B及在第一記憶體單元721A與第二記憶體單元721B之間的周邊722。舉例而言，記憶體單元781A可包括第一記憶體單元721A、「虛設」階梯結構772A、「作用中」階梯結構774A、「對於量測有效的」子區724A，及周邊722，以及其他特徵及結構。

如圖5B中所展示，實例佈局780可進一步包括包括複數個記憶體單元陣列之最大曝光場792，該等記憶體單元陣列包括記憶體單元781A、781B、782A、782B、783A、783B、784A、784B、785A、785B、786A、786B、787A、787B、788A、788B、789A、789B、790A及790B。在一些態樣中，最大曝光場792可具有寬度794及長度796。在一些態樣中，第一位層感測器件、第二位層感測器件或兩者之掃描方向係藉由箭頭798指示。

圖5C為根據本發明之一些態樣的記憶體單元之實例陣列的實例側視圖799之示意性說明。實例側視圖799展示複數個記憶體單元721A、721B、721C等。實例側視圖799進一步展示分別安置於該複數個記憶體單元721A、721B、721C等之各別對之間的複數個周邊722A、722B等(例如，周邊722A安置於記憶體單元721A與721B等之間)。

實例側視圖799進一步展示複數個「對於量測有效的」子區724A、724B、724C等，各自具有約第一表面位層750之表面位層。實例側視圖799進一步展示複數個「對於量測無效的」子區725A、725B等，各自具有約第二表面位層752之表面位層。在一些態樣中，複數個記憶體單元721A、721B、721C等之高度754 (例如，第一表面位層750與第二表面位層752之間的差)可大於約15微米、50微米或任何其他合適之高度值。

在一些態樣中，「對於量測無效的」子區725A之寬度可大於周邊722A之寬度712A，且「對於量測有效的」子區724B之寬度可小於第二記憶體單元721B之寬度714B。在一個說明性實例中，寬度712A可為周邊722A及第二記憶體單元721B之組合寬度715的約百分之10，且寬度714B可為組合寬度715的約百分之90。繼續此說明性實例，「對於量測無效的」子區725A之寬度可為組合寬度715的約百分之12，且「對於量測有效的」子區724B之寬度可為組合寬度715的約百分之88。

圖6A及圖6B說明根據本發明之一些態樣的實例高度量測資料800及實例經修改高度量測資料890。在一些態樣中，本文所描述之方法可藉由進一步關於伺服高度量測位層感測器增益而擴展。在一些態樣中，場(例如，包括記憶體單元及周邊兩者)之完整表面可用於在位層感測控制器(例如，圖3中展示之位層感測控制器510；圖7A中展示之控制器2；圖9中展示之實例計算系統1100)亦儲存或可存取位層感測器增益時判定位層資料。

圖6A說明位層感測器(圖2中展示之實例位層感測器LS；圖3中展示之實例位層感測器500、可選第一位層感測器件502或第二位層感測器件504；圖7A、圖7B、圖7C及圖7D中展示之實例系統900或高度感測器件3；單晶片位層感測器；或其組合)之伺服高度目標801。如圖6A中進一步所展示，第一位層感測器件、第二位層感測器件或兩者之掃描方向係藉由箭頭898指示。如圖6A中進一步所展示，關於伺服高度之位層感測器增益係藉由位層感測器增益曲線802指示。

在一些態樣中，第一表面位層量測值850可對應於記憶體單元821之頂部表面。在一些態樣中，第二表面位層量測值852可對應於周邊822之底部表面。在一些態樣中，記憶體單元821之高度854可藉由第一表面位層量測值850與第二表面位層量測值852之間的差指示。舉例而言，高度854可大於約15微米、50微米或任何其他合適之值。

在一些態樣中，如圖6A中所展示，位層感測器可基於區812 (例如，在位層感測器之量測範圍外部，「無效的」)、區814(例如，在位層感測器之量測範圍內，「有效的」)及區816(例如，在位層感測器之量測範圍外部，「無效的」)執行基於增益之校準。舉例而言，位層感測控制器可判定第一表面位層量測值850落在區814內，且結果，判定第一表面位層量測值850係「有效的」。在另一實例中，位層感測控制器可判定第二表面位層量測值852落在區812內，且結果，判定第二表面位層量測值852係「無效的」。

在一些態樣中，在特定位置上可存在不足或未預期之位層感測器增益。在此等態樣中，位層感測控制器可使具有不足位層感測器增益之此等特定位置無效。舉例而言，位層感測控制器可量測在場之不同位置處、在不同伺服高度處之增益。隨後，位層感測控制器可判定增益在哪一伺服高度處係有效的。在一些態樣中，位層感測控制器可藉由例如使用增益作為信任之量測而判定位層感測器在哪些伺服高度處產生可信信號。

在一個說明性實例中，位層感測控制器可藉由在不同高度上執行掃描而計算所有場點(例如，包括單元及周邊兩者)之增益。位層感測控制器接著可判定每一計算之增益是否在每一特定高度處「如所預期」。若增益「如所預期」，則位層感測控制器可進一步判定特定高度量測係有效的。若增益「不如所預期」(例如，不足位層感測器增益)，則位層感測控制器可進一步判定特定高度量測係無效的。換言之，當在特定位置上存在不足位層感測器增益時，位層感測控制器可使此等位置無效，修改伺服高度目標，使得遍及全場存在充足增益，或兩者。舉例而言，如圖6B中所展示，位層感測控制器可修改伺服高度目標801，使得遍及全場存在充足增益(例如，與其中範圍之僅僅一半係可用的圖6A相反)。

在一些態樣中，位層感測控制器可量測關於伺服高度之位層感測器增益。舉例而言，位層感測控制器可藉由對不同高度執行掃描及判定每一計算之增益是否在每一特定高度處「如所預期」而計算所有場點之增益。若增益「如所預期」，則位層感測控制器可判定特定高度量測係有效的。若增益「不如所預期」，則位層感測控制器可判定特定高度量測係無效的。結果，位層感測控制器可藉由例如克服位層感測器之週期性而增大位層感測器之範圍。

圖6B說明第一位層感測器件、第二位層感測器件或兩者之經修改伺服高度目標803。在一些態樣中，如圖6B中所展示，經修改伺服高度目標803可在記憶體單元821之頂部表面與周邊822之底部表面之間。如圖6B中進一步所展示，關於伺服高度之位層感測器增益係藉由位層感測器增益曲線804指示。

在一些態樣中，第三表面位層量測值856可對應於記憶體單元821之頂部表面。在一些態樣中，第四表面位層量測值858可對應於周邊822之底部表面。在一些態樣中，記憶體單元821之高度854可藉由第三表面位層量測值856與第四表面位層量測值858之間的差指示。

在一些態樣中，如圖6B中所展示，位層感測器可基於區812、區814及區816執行基於增益之校準。舉例而言，位層感測控制器可判定第三表面位層量測值856落在區814內，且結果，判定第三表面位層量測值856係「有效的」。在另一實例中，位層感測控制器可判定第四表面位層量測值858亦落在區814內，且結果，判定第四表面位層量測值858亦係「有效的」。

圖7A、圖7B、圖7C及圖7D為根據本發明之一些態樣的額外實例位層感測器、基板、資料環境及高度量測資料之說明。另外或替代地，在一些態樣中，圖7A、圖7B、圖7C及圖7D中展示之實例位層感測器、基板、資料環境及高度量測值資料可包括參考上文圖2至圖6及下文圖8至圖9所描述之結構、技術、方法、資料或特徵中之任一者，或其任何組合。在一些態樣中，圖7C及圖7D可包括分別參考圖6A及圖6B所描述之結構、技術、方法、資料或特徵中之任一者。

圖7A展示在一些態樣中包括控制器2及高度感測器件3之實例系統900。控制器2可經組態以接收基板5之第一區的第一資料1 (例如，第一位層資料)。第一區可包括：具有第一表面位層之第一子區6 (例如，關鍵區域、所關注區域、記憶體單元)；及具有第二表面位層之第二子區7 (例如，非關鍵區域、周邊、溝槽)。控制器2可經進一步組態以基於第一資料1產生量測控制圖。控制器2可經進一步組態以基於量測控制圖控制高度感測器件3之高度量測。高度感測器件3可具有量測範圍8 (例如，沿Z軸安置之線性範圍)，且基板5可在量測範圍8內。高度感測器件3可經組態以使用量測輻射4執行高度量測。量測輻射4之焦點可在第一子區6之約表面處以提供量測範圍8。高度感測器件3可經進一步組態以產生基板5之第二區的第二資料(例如，第二位層資料)，其中第二區包括複數個第三子區，其中複數個第三子區中之每一者具有等於配置於量測範圍8內的第一子區6之約第一表面位層的第三表面位層。

如圖7B中所展示，第一子區6係在高度感測器件3之量測範圍8內且量測輻射4在第一子區6之約第一表面位層處焦點對準。當高度感測器件3持續掃描基板5時，其自第一子區6進行至第二子區7。然而，當遇到第二子區7時，控制器2可指示(例如，經由基於量測控制圖產生的伺服控制信號)基板台不向上移動以在第二子區7之量測期間遵循基板5之表面形貌(例如，藉由在彼非關鍵區之量測期間去啟動伺服控制)。替代地，控制器2可有目的地不指示(例如，藉由基於量測控制圖判定不傳輸伺服控制信號)基板台向上移動以在第二子區7之量測期間遵循基板5之表面形貌。結果，第二子區7係在高度感測器件3之量測範圍8外部且量測輻射4在第二子區7之約第二表面位層處離焦。因此，基板5在量測掃描期間保持處於約相同位層(例如，基板5不向上移動以使第二子區7在量測範圍8內)，從而導致量測錯誤減小及所關注區的量測速度及準確度增大(例如，藉由忽略或繞過第二子區7)。

如圖7C中所展示，藉由高度感測器件3量測基板5導致例如包括在第二子區7中之量測10及在第一子區6中之量測11的週期性信號9。量測10落在區I內，區I係在量測範圍8外部(例如，在週期性信號9之線性部分外部的週期性信號9之非線性部分內)。區II亦在量測範圍8外部。量測11落在如由週期性信號9之線性部分指示之量測範圍8內(例如，在區I與區II之間)。

在一些態樣中，當第一子區6係在高度感測器件3之量測範圍8內時，高度感測器件3量測在週期性信號9之線性部分內的在高度感測器件3與基板5之間的相對距離的變化，其中在高度感測器件3之量測信號與基板5之位置之間存在一對一關係(例如，增益=1)。在一些態樣中，當第二子區7係在高度感測器件3之量測範圍8外部時，高度感測器件3量測在週期性信號9之非線性部分(例如，區I)內的在非線性區I及II內高度感測器件3與基板5之間的相對距離的變化，其中在高度感測器件3之量測信號與基板5之位置之間不存在一對一關係(例如，增益≠1)。因此，在一些態樣中，高度感測器件3不正確地或一點也不量測相對距離之彼等變化。以此方式，控制器2可判定基板5之每一(x,y)位置的有效及無效伺服位置。

在一些態樣中，控制器2可基於第一資料1判定區I及II。在一些態樣中，因為區I及II係在高度感測器件3的範圍之外，因此控制器2可忽略伺服設定或使彼等區內之量測無效。在一些態樣中，控制器2可基於第一資料1及/或區I及II產生經組態以將第一子區6之量測保持在週期性信號9之線性部分的中心(例如，量測範圍8之中心)內的伺服控制信號，其中在量測信號與基板台位置之間存在一對一關係式。

圖7D說明藉由調整如由自圖7D之左手側的高度感測器件3指向圖7D之右手側的高度感測器件3的箭頭指示之高度感測器件3與基板5之間的相對距離進行的基於增益之有效性校準。關於圖7D之左手側的高度感測器件3，量測輻射4之焦點係在第一子區6之表面處並在量測範圍8內。關於圖7D之右手側的高度感測器件3，基板5已向上移動一伺服偏移量且量測輻射4之焦點係在第一子區6之下方但仍然在量測範圍8內。在一些態樣中，高度感測器件3與基板5之間的相對距離可藉由將偏置應用於伺服(例如，用於所有量測點)以便將固持基板5之基板台向上移動一伺服偏移量(例如，量測範圍8之一半，或任何其他合適之距離)而調整。因此，基板5更接近於高度感測器件3移動該伺服偏移量，從而導致量測輻射4之焦點剛好落在第一子區6之表面下方(例如，而不是在第一子區6之表面處)。作為將偏置應用於伺服之結果，量測10'落在區I內，區I係在量測範圍8外部但比量測10更接近於週期性信號9之線性部分。量測11'落在如由週期性信號9之線性部分指示的量測範圍8內但與量測11相比沿著週期性信號9之線性部分更遠。

在一些態樣中，控制器2可選擇第二子區7在高度感測器件3之焦平面(例如，在量測範圍8及週期性信號9之線性部分內)中。在一些態樣(例如，如參看圖6B所描述)中，控制器2可選擇第一子區6及第二子區7兩者在高度感測器件3之焦平面中(例如，用於在第一子區6與第二子區7之間具有較低高度差的摩天樓式廣告架構)。在一些態樣中，控制器2可將本文中所描述的技術應用於具有三個或三個以上位層之多位層基板。舉例而言，在其中頂部兩個層為所關注區的四個位層基板中，控制器可選擇頂部兩個表面在高度感測器件3之焦平面中，且底部兩個表面可落在高度感測器件3之焦平面外部。用於產生位層資料之實例製程

圖8為根據本發明之一些態樣或其部分的用於產生位層資料之實例方法1000。參考實例方法1000所描述之操作可藉由或根據本文中所描述之系統、裝置、組件、技術或其組合中之任一者來執行，諸如參考上文圖1至圖7及下文圖9所描述之系統、裝置、組件、技術或其組合。

在操作1002處，該方法可包括藉由位層感測控制器(例如，圖3中展示之位層感測控制器510、圖7A中展示之控制器2、圖9中展示之實例計算系統1100)接收基板(例如，圖1及圖2中展示之基板W；圖4中展示之基板602；圖5A中展示之基板740；圖7A、圖7B、圖7C及圖7D中展示之基板5)之第一區(例如，圖4中展示之第一區604A、604B、604C、604D及604E中之一或多者，或基於其之平均區)的第一位層資料(例如，圖4中展示之第一位層資料610)。在一些態樣中，第一區可包括具有第一表面位層(例如，圖5A及圖5C中展示之第一表面位層750)的第一子區(例如，在圖4中展示之複數個第一子區614A、614B至614N中之一者；圖7A、圖7B、圖7C及圖7D中展示之第一子區6)，及具有第二表面位層(例如，圖5A及圖5C中展示之第二表面位層752)的第二子區(例如，在圖4中展示之複數個第二子區612A、612B至612N中之一者；圖7A、圖7B、圖7C及圖7D中展示之第二子區7)。在一些態樣中，位層感測控制器可藉由接收包括第一位層資料之設計佈局資料及自所接收設計佈局資料提取第一位層資料而接收第一位層資料。在一些態樣中，位層感測控制器可藉由接收設計佈局資料而接收第一位層資料，基於所接收設計佈局資料產生第一位層資料。在一些態樣中，設計佈局資料可包括GDS資料檔案。在一些態樣中，位層感測控制器可自產生第一位層資料並直接地或間接地傳輸第一位層資料至位層感測控制器的第一位層感測器件(例如，圖2中展示之實例位層感測器LS、圖3中展示之可選第一位層感測器件502、圖7A、圖7B、圖7C及圖7D中展示之高度感測器件3或其一組合中之一或多個部分)直接地或間接地接收第一位層資料。在一些態樣中，第一位層資料之接收可使用合適的機械或其他方法實現，且包括根據參考上文圖1至圖7及下文圖9所描述之任何態樣或態樣之組合接收第一位層資料。

在操作1004處，該方法可包括藉由位層感測控制器及基於第一位層資料產生量測控制圖資料(例如，在圖4中展示之量測控制圖資料620)。在一些態樣中，量測控制圖資料可包括伺服偏移圖(x,y)、有效性圖(x,y)或伺服偏移與有效性圖(x,y)之組合。在一些態樣中，量測控制圖資料之產生可使用合適的機械或其他方法實現，且包括根據參考上文圖1至圖7及下文圖9所描述之任何態樣或態樣之組合產生量測控制圖資料。

在操作1006處，該方法可包括藉由第二位層感測器件(例如，圖2中展示之實例位層感測器LS；圖3中展示之第二位層感測器件504；圖7A、圖7B、圖7C及圖7D中展示之高度感測器件3；或其組合中之一或多個部分)及基於量測控制圖資料產生基板之第二區的第二位層資料(例如，圖4中展示之第二位層資料630)。在一些態樣中，第二區可包括各自具有等於約第一表面位層之第三表面位層的複數個第三子區(例如，在圖4中展示之複數個第三子區634A、634B至634N)。視情況，在一些態樣中，第二區可不包括具有等於約第二表面位層之表面位層的區。在一些態樣中，第二位層資料之產生可使用合適的機械或其他方法實現，且包括根據參考上文圖1至圖7及下文圖9所描述之任何態樣或態樣之組合產生第二位層資料。實例計算系統

本發明之態樣可以硬體、韌體、軟體或其任何組合進行實施。本發明之態樣亦可經實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸以可由機器(例如計算器件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外信號、數位信號，等等)；及其他者。此外，韌體、軟體、常式、指令及其組合可在本文中描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅為方便起見，且此等動作實際上起因於執行韌體、軟體、常式、指令或其組合之計算器件、處理器、控制器或其他器件，且藉此使得致動器或其他器件(例如，伺服器馬達、機器器件)與實體世界互動。

可例如使用一或多個運算系統實施各種態樣，諸如圖9中所展示之實例計算系統1100。實例計算系統1100可為能夠執行本文中所描述功能之專用電腦，諸如：參看圖2所描述之實例位層感測器LS；參看圖3所描述之實例位層感測器500、位層感測控制器510或兩者；圖7A、圖7B、圖7C及圖7D中展示之實例系統900、控制器2、高度感測器件3或其一組合；單晶片位層感測器；任何其他合適之系統、子系統或組件；或其任何組合。實例計算系統1100可包括一或多個處理器(亦稱作中央處理單元或CPU)，諸如處理器1104。處理器1104連接至通信基礎架構1106 (例如，匯流排)。實例計算系統1100亦可包括經由使用者輸入/輸出介面1102與通信基礎架構1106通信的使用者輸入/輸出器件1103，諸如監視器、鍵盤、指標器件等。實例計算系統1100亦可包括主記憶體1108 (例如，一或多個主儲存器件)，諸如隨機存取記憶體(RAM)。主記憶體1108可包括一或多個位層之快取記憶體。主記憶體1108儲存有控制邏輯(例如電腦軟體)及/或資料。

實例計算系統1100亦可包括次要記憶體1110 (例如，一或多個次級儲存器件)。舉例而言，次要記憶體1110可包括例如硬碟驅動機1112及/或抽取式儲存驅動機1114。抽取式儲存驅動機1114可為軟碟驅動機、磁帶驅動機、緊密光碟驅動機、光學儲存器件、磁帶備份器件，及/或任何其他儲存器件/驅動機。

抽取式儲存驅動機1114可與抽取式儲存單元1118互動。抽取式儲存單元1118包括其上儲存有電腦軟體(控制邏輯)及/或資料的電腦可用或可讀儲存器件。抽取式儲存單元1118可為軟碟、磁帶、緊密光碟、DVD、光學儲存碟，及/或任何其他電腦資料儲存器件。抽取式儲存驅動機1114自抽取式儲存單元1118讀取及/或寫入至該抽取式儲存單元。

根據一些態樣，次要記憶體1110可包括用於允許電腦程式及/或其他指令及/或資料由實例計算系統1100存取的其他構件、工具或其他方法。舉例而言，此類構件、工具或其他方法可包括抽取式儲存單元1122及介面1120。抽取式儲存單元1122以及介面1120的實例可包括程式匣及匣介面(諸如在視訊遊戲器件中發現的程式匣及匣介面)、抽取式記憶體晶片(諸如EPROM或PROM)以及相關聯插口、記憶棒以及USB埠、記憶卡以及相關聯記憶卡插槽，及/或任何其他抽取式儲存單元以及相關聯介面。

實例計算系統1100可進一步包括通信介面1124 (例如，一或多個網路介面)。通信介面1124使得實例計算系統1100能夠與遠端器件、遠端網路、遠端實體等(個別地及統稱為遠端器件1128)之任何組合通信及互動。舉例而言，通信介面1124可允許實例計算系統1100經由通信路徑1126與遠端器件1128通信，該通信路徑可為有線及/或無線的且可包括LAN、WAN、網際網路等之任何組合。控制邏輯、資料或兩者可經由通信路徑1126被傳輸至實例計算系統1100及自該實例計算系統傳輸出。

可以廣泛多種組態及架構實施本發明之前述態樣中的操作。因此，前述態樣中之操作中的一些或全部可以硬體、以軟體或硬體及軟體兩者來執行。在一些態樣中，包括有形的非暫時性電腦可用或可讀媒體之有形的非暫時性裝置或製品在本文中亦可被稱作電腦程式產品或程式儲存器件，該有形的非暫時性電腦可用或可讀媒體具有儲存於其上之控制邏輯(軟體)。此有形裝置或製品包括但不限於：實例計算系統1100、主記憶體1108、次要記憶體1110以及抽取式儲存單元1118及1122，以及體現前述各者之任何組合的有形製品。此控制邏輯在由一或多個資料處理器件(諸如，實例計算系統1100)執行時使此等資料處理器件如本文中所描述進行操作。

基於本發明中含有之教示，如何使用除圖9中所展示之資料處理器件、電腦系統及/或電腦架構之外的資料處理器件、電腦系統及/或電腦架構來製造及使用本發明之態樣對於熟習相關技術者而言將顯而易見。特定言之，本發明之態樣可運用除本文中所描述之軟體、硬體及/或作業系統實施之外的軟體、硬體及/或作業系統實施來操作。

儘管在本文中可特定參考在IC製造中微影裝置之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統，用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、LCD、薄膜磁頭等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之情況下，本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用可被視為分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統單元(通常將抗蝕劑層施加至基板且使經曝光抗蝕劑顯影之工具)、度量衡單元及/或檢測單元中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理多於一次(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已含有多個經處理層之基板。

應理解，本文中之措詞或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措詞待由熟習相關技術者按照本文中之教示予以解譯。

如本文所使用之術語「基板」描述材料層經添加至其上之材料。在一些態樣中，可圖案化基板自身，且亦可圖案化添加於基板之頂部上之材料，或添加於基板之頂部上之材料可保持不圖案化。

本文中所揭示之實例說明而非限制本發明之實施例。通常在該領域中遇到且對熟習相關技術者將顯而易見的多種條件及參數的其他適合修改及調適在本發明之精神及範疇內。

雖然上文已描述本發明之特定態樣，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐該等態樣。該描述不意欲限制本發明之實施例。

應瞭解，實施方式章節而非先前技術、發明內容及發明摘要章節意欲用於解譯申請專利範圍。發明內容及發明摘要章節可闡述如由發明人預期的一或多個但並非所有例示性實施例，且因此，並不意欲以任何方式限制本發明實施例及所附申請專利範圍。

上文已憑藉說明指定功能及該等功能之關係之實施的功能建置區塊來描述本發明之一些態樣。為了便於描述，本文已任意地界定此等功能建置區塊之邊界。只要適當地執行指定功能及其關係，便可界定替代邊界。

對本發明之特定態樣之前述描述將如此充分地揭露態樣之一般性質而使得在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內的知識、針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定態樣，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示態樣之等效者的涵義及範圍內。

在以下條項中陳述本發明之態樣。 1. 一種系統，其包含：經組態以執行以下操作之一位層感測控制器：接收一基板之一第一區的第一位層資料；基於該第一位層資料產生量測控制圖資料；及經組態以執行以下操作之一第二位層感測器件：基於該量測控制圖資料產生該基板之一第二區的第二位層資料，其中：該第一區包含：具有一第一表面位層之一第一子區；及具有一第二表面位層之一第二子區；且該第二區包含：各自具有等於約該第一表面位層之一第三表面位層的複數個第三子區。 2. 如條項1之系統，其中該位層感測控制器經組態以接收包含該第一位層資料之設計佈局資料。 3. 如條項2之系統，其中該設計佈局資料包含一圖形資料系統(GDS)資料檔案。 4. 如條項1之系統，其中：該系統進一步包含一第一位層感測器件；該第一位層感測器件經組態以：產生該第一位層資料；並傳輸該第一位層資料；且該位層感測控制器經組態以接收來自該第一位層感測器件之該第一位層資料。 5. 如條項4之系統，其中：該第一位層感測器件經進一步組態以產生處於一第一解析度之該第一位層資料；該第二位層感測器件經進一步組態以產生處於一第二解析度之該第二位層資料；且該第二解析度高於該第一解析度。 6. 如條項4之系統，其中：該第一位層感測器件包含一可見光譜感測器；且該第二位層感測器件包含一紫外線光譜感測器。 7. 如條項1之系統，其中該位層感測控制器經組態以基於將一第一加權值應用於該第一子區及將一第二加權值應用於該第二子區而產生該量測控制圖資料。 8. 如條項7之系統，其中：該第一加權值為約一；且該第二加權值為約零。 9. 如條項1之系統，其中該位層感測控制器經組態以：基於該第一位層資料產生第一形貌圖資料；並基於該第二位層資料產生第二形貌圖資料，其中該第二形貌圖資料不同於該第一形貌圖資料。 10. 如條項1之系統，其中：該位層感測控制器經組態以基於該量測控制圖資料產生一伺服控制信號；且該伺服控制信號經組態以指示該第二位層感測器件：遵循在約該第三表面位層處的該基板之一形貌；並在一量測製程期間將該第三表面位層保持在該第二位層感測器件之一量測範圍內。 11. 如條項10之系統，其中該伺服控制信號經組態以指示該第二位層感測器件修改一伺服高度目標。 12. 如條項11之系統，其中該伺服控制信號經組態以指示該第二位層感測器件將該伺服高度目標修改為在該第一表面位層與該第二表面位層之間。 13. 一種裝置，其包含：經組態以執行以下操作之一位層感測控制器：接收一基板之一第一區的第一位層資料；並基於該第一位層資料產生量測控制圖資料；及經組態以執行以下操作之一第二位層感測器件：基於該量測控制圖資料產生該基板之一第二區的第二位層資料，其中：該第一區包含：具有一第一表面位層之一第一子區；及具有一第二表面位層之一第二子區；且該第二區包含：各自具有等於約該第一表面位層之一第三表面位層的複數個第三子區。 14. 一種方法，其包含：藉由一位層感測控制器接收一基板之一第一區的第一位層資料，其中：該第一區包含：具有一第一表面位層之一第一子區；及具有一第二表面位層之一第二子區；藉由該位層感測控制器及基於該第一位層資料產生量測控制圖資料；及藉由一第二位層感測器件及基於該量測控制圖資料產生該基板之一第二區的第二位層資料，其中該第二區包含：各自具有等於約該第一表面位層之一第三表面位層的複數個第三子區。 15. 如條項14之方法，其進一步包含藉由該位層感測控制器接收包含該第一位層資料之設計佈局資料。 16. 如條項14之方法，其進一步包含藉由一第一位層感測器件產生該第一位層資料。 17. 如條項14之方法，其進一步包含藉由該位層感測控制器基於將一第一加權值應用於該第一子區及將一第二加權值應用於該第二子區而產生該量測控制圖資料。 18. 如條項14之方法，其進一步包含：藉由該位層感測控制器基於該第一位層資料產生第一形貌圖資料；及藉由該位層感測控制器基於該第二位層資料產生第二形貌圖資料，其中該第二形貌圖資料不同於該第一形貌圖資料。 19. 如條項14之方法，其進一步包含：藉由位層感測控制器基於該量測控制圖資料產生一伺服控制信號；藉由該第二位層感測器件及基於該伺服控制信號遵循在約該第三表面位層處的該基板之一形貌；及藉由該第二位層感測器件及基於該伺服控制信號在一量測製程期間將該第三表面位層保持在一量測範圍內。 20. 如條項19之方法，其進一步包含藉由該第二位層感測器件及基於該伺服控制信號將一伺服高度目標修改為在該第一表面位層與該第二表面位層之間。

本發明之廣度及範疇不應受上述實例態樣或實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者來界定。

1:第一資料 2:控制器 3:高度感測器件 4:量測輻射 5:基板 6:第一子區 7:第二子區 8:量測範圍 9:週期性信號 10:量測 10':量測 11:量測 11':量測 100:微影裝置 400:實例環境 500:實例位層感測器 502:可選第一位層感測器件 504:第二位層感測器件 510:位層感測控制器 600:實例資料環境 602:基板 604A:第一區 604B:第一區 604C:第一區 604D:第一區 604E:第一區 610:第一位層資料 612A:第二子區 612B:第二子區 612N:第二子區 614A:第一子區 614B:第一子區 614N:第一子區 620:量測控制圖資料 622A:「對於量測無效的」子區 622B:「對於量測無效的」子區 622N:「對於量測無效的」子區 624A:「對於量測有效的」子區 624B:「對於量測有效的」子區 624N:「對於量測有效的」子區 630:第二位層資料 632A:第四子區 632B:第四子區 632N:第四子區 634A:第三子區 634B:第三子區 634N:第三子區 700:實例架構 712A:寬度 714B:寬度 715:組合寬度 721A:第一記憶體單元 721B:第二記憶體單元 721C:二記憶體單元 722:周邊 722A:周邊 722B:周邊 724A:第一「對於量測有效的」子區 724B:第二「對於量測有效的」子區 724C:第二「對於量測有效的」子區 725A:「對於量測無效的」子區 725B:「對於量測無效的」子區 740:基板 742:寬度 744:長度 750:第一表面位層 752:第二表面位層 754:高度 760:CMOS結構 770A:第一階梯結構 770B:第二階梯結構 772A:「虛設」階梯結構 774A:「作用中」階梯結構 780:實例佈局 781A:記憶體單元 781B:記憶體單元 782A:記憶體單元 782B:記憶體單元 783A:記憶體單元 783B:記憶體單元 784A:記憶體單元 784B:記憶體單元 785A:記憶體單元 785B:記憶體單元 786A:記憶體單元 786B:記憶體單元 787A:記憶體單元 787B:記憶體單元 788A:記憶體單元 788B:記憶體單元 789A:記憶體單元 789B:記憶體單元 790A:記憶體單元 790B:記憶體單元 792:最大曝光場 794:寬度 796:長度 798:箭頭 799:實例側視圖 800:實例高度量測資料 801:伺服高度目標 802:位層感測器增益曲線 803:經修改伺服高度目標 804: 位層感測器增益曲線 812:區 814:區 816:區 821:記憶體單元 822:周邊 850:第一表面位層量測值 852:第二表面位層量測值 854:高度 856:第三表面位層量測值 858:第四表面位層量測值 898:箭頭 890:實例經修改高度量測資料 900:實例系統 1000:實例方法 1002:操作 1004:操作 1006:操作 1100:實例計算系統 1102:使用者輸入/輸出介面 1103:使用者輸入/輸出器件 1104:處理器 1106:通信基礎架構 1108:主記憶體 1110:次要記憶體 1112:硬碟驅動機 1114:抽取式儲存驅動機 1118:抽取式儲存單元 1120:介面 1122:抽取式儲存單元 1124:通信介面 1126:通信路徑 1128:遠端器件 AD:調整器 ANG:入射角 B:輻射光束 BD:光束遞送系統 BE1:圖案化輻射光束 BE2:經反射圖案化輻射光束 C:目標部分 CO:輻射收集器 DET:偵測器 DGR:偵測光柵 IL:照明系統/照明器 IN:積光器 LS:位層感測器 LSB:輻射光束 LSD:偵測單元 LSO:輻射源 LSP:投影單元 M1:光罩對準標記 M2:光罩對準標記 MA:圖案化裝置 MLO:量測位置 MT:支撐結構 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PGR:投影光柵 PM:第一定位器 PMS:定位量測系統 PS:投影系統 PW:第二定位器 SO:輻射源 W:基板 WT:基板台

併入本文中且形成本說明書之部分之隨附圖式說明本發明，且連同[實施方式]一起進一步用以解釋本發明之態樣之原理且使熟習相關技術者能夠進行及使用本發明之態樣。

圖1為根據本發明之一些態樣的實例微影裝置的示意性說明。

圖2為根據本發明之一些態樣的用於實例微影裝置之實例位層感測器的示意性說明。

圖3為根據本發明之一些態樣的另一實例位層感測器的示意性說明。

圖4為根據本發明之一些態樣的實例資料環境600的示意性說明。

圖5A、圖5B及圖5C為根據本發明之一些態樣的記憶體單元之實例陣列的示意性說明。

圖6A及圖6B為根據本發明之一些態樣的實例高度量測資料之說明。

圖7A、圖7B、圖7C及圖7D為根據本發明之一些態樣的其他實例位層感測器、基板、資料環境及高度量測資料之說明。

圖8為根據本發明之一些態樣或其部分的用於產生位層資料之實例方法。

圖9為用於實施本發明之一些態樣或其部分的實例電腦系統。

根據下文結合圖式所闡述之具體描述，本發明之特徵及優勢將變得更顯而易見，在該等圖式中相似參考字符始終識別對應元件。在該等圖式中，除非另外指示，否則相似參考標號通常指示相同、功能上類似及/或結構上類似之元件。另外，通常，參考標號之最左側數字識別首次出現該參考標號之圖式。除非另有指示，否則貫穿本發明提供之圖式不應被解譯為按比例圖式。

1:第一資料

2:控制器

3:高度感測器件

4:量測輻射

5:基板

6:第一子區

7:第二子區

8:量測範圍

900:實例系統

Claims (15)

1. 一種系統，其包含： 一位層感測控制器，其經組態以： 接收一基板之一第一區的第一位層資料， 基於該第一位層資料產生量測控制圖資料；及 一第二位層感測器件，其經組態以基於該量測控制圖資料產生該基板之一第二區之第二位層資料， 其中： 該第一區包含： 一第一子區，其具有一第一表面位層；及 一第二子區，其具有一第二表面位層；且 該第二區包含： 複數個第三子區，各自具有等於約該第一表面位層之一第三表面位層。
2. 如請求項1之系統，其中該位層感測控制器經組態以接收包含該第一位層資料之設計佈局資料。
3. 如請求項2之系統，其中該設計佈局資料包含一圖形資料系統(GDS)資料檔案。
4. 如請求項1之系統，其中： 該系統進一步包含一第一位層感測器件； 該第一位層感測器件經組態以： 產生該第一位層資料；及 傳輸該第一位層資料；且 該位層感測控制器經組態以接收來自該第一位層感測器件之該第一位層資料。
5. 如請求項4之系統，其中： 該第一位層感測器件經進一步組態以產生處於一第一解析度之該第一位層資料； 該第二位層感測器件經進一步組態以產生處於一第二解析度之該第二位層資料；且 該第二解析度高於該第一解析度。
6. 如請求項1之系統，其中該位層感測控制器經組態以基於將一第一加權值應用於該第一子區及將一第二加權值應用於該第二子區而產生該量測控制圖資料。
7. 如請求項1之系統，其中： 該位層感測控制器經組態以基於該量測控制圖資料產生一伺服控制信號；且 該伺服控制信號經組態以指示該第二位層感測器件執行以下操作： 遵循在約該第三表面位層處之該基板的一形貌；及 在一量測製程期間將該第三表面位層保持在該第二位層感測器件之一量測範圍內。
8. 如請求項7之系統，其中該伺服控制信號經組態以指示該第二位層感測器件修改一伺服高度目標。
9. 如請求項8之系統，其中該伺服控制信號經組態以指示該第二位層感測器件將該伺服高度目標修改為在該第一表面位層與該第二表面位層之間。
10. 一種裝置，其包含： 一位層感測控制器，其經組態以： 接收一基板之一第一區的第一位層資料；且 基於該第一位層資料產生量測控制圖資料；及 一第二位層感測器件，其經組態以基於該量測控制圖資料產生該基板之一第二區之第二位層資料， 其中： 該第一區包含： 一第一子區，其具有一第一表面位層；及 一第二子區，其具有一第二表面位層；且 該第二區包含： 複數個第三子區，各自具有等於約該第一表面位層之一第三表面位層。
11. 一種方法，其包含： 藉由一位層感測控制器接收一基板之一第一區之第一位層資料，其中該第一區包含： 一第一子區，其具有一第一表面位層；及 一第二子區，其具有一第二表面位層； 藉由該位層感測控制器及基於該第一位層資料產生量測控制圖資料；及 藉由一第二位層感測器件及基於該量測控制圖資料產生該基板之一第二區之第二位層資料，其中該第二區包含： 複數個第三子區，各自具有等於約該第一表面位層之一第三表面位層。
12. 如請求項11之方法，其進一步包含藉由該位層感測控制器接收包含該第一位層資料之設計佈局資料。
13. 如請求項11之方法，其進一步包含藉由該位層感測控制器基於將一第一加權值應用於該第一子區及將一第二加權值應用於該第二子區而產生該量測控制圖資料。
14. 如請求項11之方法，其進一步包含： 藉由位層感測控制器基於該量測控制圖資料產生一伺服控制信號； 藉由該第二位層感測器件及基於該伺服控制信號遵循在約該第三表面位層處的該基板之一形貌；及 藉由該第二位層感測器件及基於該伺服控制信號在一量測製程期間將該第三表面位層保持於一量測範圍內。
15. 如請求項14之方法，其進一步包含藉由該第二位層感測器件及基於該伺服控制信號將一伺服高度目標修改為在該第一表面位層與該第二表面位層之間。

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