TW202205569A - 半導體封裝用管座以及半導體封裝 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種具有能夠與孔圈一體成型的形狀的金屬塊的半導體封裝用管座。具有：孔圈；第一金屬塊，其與孔圈一體成型且在上述孔圈的上表面突起，並且自孔圈的上表面的法線方向觀察為大致U字型；第一引線，其自上表面側至下表面側貫通上述孔圈，並且在第一貫通孔內氣密接合；第一基板，其具有形成有與第一引線電連接的第一信號圖案的表面以及成為表面的相反面的背面，並且背面一側固定於第一金屬塊的第一端面；第二引線，其自上表面側至下表面側貫通上述孔圈，並且在第二貫通孔內氣密接合；以及第二基板，其具有形成有與第二引線電連接的第二信號圖案的表面以及成為表面的相反面的背面，並且背面一側固定於上述第一金屬塊的第二端面。

Description

半導體封裝用管座以及半導體封裝
本發明係關於半導體封裝用管座以及半導體封裝。
發光元件存在各種各樣的種類，例如電致吸收調變雷射(EML：Electro-absorption Modulator integrated with DFB Laser)、直接調變雷射(DML：Directly Modulated Laser)為人所知。這些發光元件例如用於光通信。
在這些發光元件中，為了使振盪波長穩定化，有時在封裝內搭載作為溫度調節器的帕耳帖元件。該情況下，由於搭載了帕耳帖元件，因此封裝內的傳輸線路邊長，從而需要考慮了傳輸損失的中繼基板以及用於對其進行保持的金屬塊，並且這些部件配置於孔圈(eyelet)之上。 ＜先前技術文獻＞ ＜專利文獻＞
專利文獻1：日本特開2011-108939號公報
＜發明欲解決之問題＞
用於保持中繼基板的金屬塊可以與孔圈分開製作，並且藉由焊錫等與孔圈接合，但是從提高生產性等的觀點出發，優選藉由衝壓加工等與孔圈一體成型。但是由於上述金屬塊在孔圈之上突起，因此根據金屬塊的形狀有時藉由衝壓加工等與孔圈一體成型是困難的。
本發明是鑒於上述的點而成的，其課題在於提供一種具有能夠與孔圈一體成型的形狀的金屬塊的半導體封裝用管座。 ＜用於解決問題之手段＞
本半導體封裝用管座具有：孔圈；第一金屬塊，其與上述孔圈一體成型且在上述孔圈的上表面突起，並且自上述孔圈的上表面的法線方向觀察為大致U字型；第一引線，其自上表面側至下表面側貫通上述孔圈，並且在第一貫通孔內氣密接合；第一基板，其具有形成有與上述第一引線電連接的第一信號圖案的表面以及成為上述表面的相反面的背面，並且上述背面一側固定於上述第一金屬塊的第一端面；第二引線，其自上表面側至下表面側貫通上述孔圈，並且在第二貫通孔內氣密接合；以及第二基板，其具有形成有與上述第二引線電連接的第二信號圖案的表面以及成為上述表面的相反面的背面，並且上述背面一側固定於上述第一金屬塊的第二端面。＜發明之功效＞
根據公開的技術，能夠提供一種具有能夠與孔圈一體成型的形狀的金屬塊的半導體封裝用管座。
以下，參照附圖對用於實施發明的方式進行說明。需要說明的是，在各附圖中，對於相同構成部分付與相同附圖標記，有時省略重複的說明。 (第一實施方式)
圖1係舉例示出第一實施方式的半導體封裝用管座的立體圖(其一)，是自第一基板以及第二基板的表面側觀察半導體封裝用管座的圖。圖2係舉例示出第一實施方式的半導體封裝用管座的立體圖(其二)，是自第一基板以及第二基板的背面側觀察半導體封裝用管座的圖。圖3係舉例示出第一實施方式的半導體封裝用管座的俯視圖。
參照圖1～圖3，第一實施方式的半導體封裝用管座1具有：孔圈10；第一金屬塊21；第二金屬塊22；第一基板31；第二基板32；第一引線41；第二引線42；第三引線43；第四引線44；第五引線45；第六引線46；以及密封部50。半導體封裝用管座1例如可以用作直接調變雷射(DML)用的管座。
孔圈10是圓板狀的部件。孔圈10的直徑不特別限定，可以根據目的適當決定，例如可以為φ3.8mm、φ5.6mm等。孔圈10的厚度不特別限定，可以根據目的適當決定，例如可以為約1.0～1.5mm。孔圈10可以由例如鐵等的能夠衝壓成型的金屬材料形成。
需要說明的是，在本申請中，圓板狀是指，俯視形狀為大致圓形且具有規定的厚度。不限定相對於直徑的厚度的大小。另外，部分形成有凹部、凸部、貫通孔等亦包括在內。另外，在本申請中，俯視是指，自孔圈10的上表面10a的法線方向觀察對象物，俯視形狀是指，自孔圈10的上表面10a的法線方向觀察對象物的形狀。
在孔圈10的外緣部，在俯視中，可以自外周側向中心側形成一個以上凹陷形狀的缺口部。缺口部為例如俯視形狀為大致三角形、大致四邊形的凹陷。缺口部可以用於例如在半導體封裝用管座1上搭載半導體元件時的元件搭載面的定位等。另外，缺口部可以用於例如半導體封裝用管座1的旋轉方向的定位等。
第一金屬塊21是與孔圈10一體成型，並且在孔圈10的上表面10a突起的部件。第一金屬塊21可以使用例如鐵等的金屬材料，藉由冷間鍛造衝壓等與孔圈10一體成型。第一金屬塊21具有以規定間隔並列設置的側壁部211以及側壁部212、以及將側壁部211以及側壁部212的同一側的端部彼此連結的連結部213。在側壁部211、側壁部212以及連結部213處，形成有自第一引線41以及第二引線42側向孔圈10的外周方向凹陷的凹部214。
即，第一金屬塊21自孔圈10的上表面10a的法線方向觀察為大致U字型。這裡，大致U字型是指，只要具有以規定間隔並列設置的兩個側壁部、以及將各個側壁部的同一側的端部彼此連結的連結部，並且形成能夠藉由各個側壁部和連結部自三方向包圍規定的部件的凹部的構造即可，不限定細部的形狀。
例如，俯視時，凹部214可以為矩形狀、半圓形狀，亦可以為半橢圓形狀。另外，各個側壁部與連結部的長度、寬度不需要特定的關係。另外，雖然各個側壁部與連結部的寬度即使自孔圈10的上表面10a的高度改變亦為大致恒定，但是嚴密來說亦可以不恒定。
第一金屬塊21的朝向第一引線41側的第一端面是用於固定第一基板31的基板固定面21a。第一金屬塊21的朝向第二引線42側的第二端面是用於固定第二基板32的基板固定面21b。基板固定面21a以及基板固定面21b設置為例如相對於孔圈10的上表面10a大致垂直。基板固定面21a與基板固定面21b朝向同一側，並且例如位於同一平面之上。
需要說明的是，雖然對於基板固定面21a以及基板固定面21b要求能夠對基板進行固定的程度的平面性，但是對於第一金屬塊21的凹部214的內壁面，由於不固定基板等，因此第一金屬塊21的凹部214的內壁面可以為具有凹凸等的粗糙面。
第一基板31固定於基板固定面21a。在第一基板31的表面(朝向第一引線41側的面)，設有信號圖案31S以及接地圖案31G。在第一基板31的背面(朝向第一金屬塊21側的面)整面狀地設有接地圖案31G。第一基板31的表面的接地圖案31G與背面的接地圖案31G藉由貫通第一基板31的通孔電連接。
第二基板32固定於基板固定面21b。在第二基板32的表面(朝向第二引線42側的面)設有信號圖案32S以及接地圖案32G。在第二基板32的背面(朝向第一金屬塊21側的面)整面狀地設有接地圖案32G。第二基板32的表面的接地圖案32G與背面的接地圖案32G藉由貫通第二基板32的通孔電連接。
第一基板31的背面側藉由焊錫(例如金錫合金)等的導電材料固定於基板固定面21a，第二基板32的背面側藉由焊錫(例如金錫合金)等的導電材料固定於基板固定面21b。由此，第一基板31的背面的接地圖案31G、以及第二基板32的背面的接地圖案32G與第一金屬塊21導通，第一金屬塊21成為GND電位(基準電位)。
以孔圈10的上表面10a為基準，第一金屬塊21的高度與第一基板31以及第二基板32的高度大致相同。以孔圈10的上表面10a為基準的第一金屬塊21、第一基板31、以及第二基板32的高度為例如2mm。
第一基板31以及第二基板32為氧化鋁制、氮化鋁制。信號圖案31S、信號圖案32S以及接地圖案31G、接地圖案32G可以由例如鎢、鈦、金等形成。信號圖案31S、信號圖案32S以及接地圖案31G、接地圖案32G的表面可以形成鍍金等。
第一引線41、第二引線42、第三引線43、第四引線44、第五引線45、以及第六引線46在自上表面10a側至下表面10b側貫通孔圈10的貫通孔內，以長度方向朝向孔圈10的厚度方向的方式氣密接合。即，第一引線41、第二引線42、第三引線43、第四引線44、第五引線45、以及第六引線46在各貫通孔內其周圍被密封部50密封。
第一引線41、第二引線42的一部分自孔圈10的上表面10a向上側突出。突出量為例如約0～0.3mm。第三引線43、第四引線44、第五引線45、以及第六引線46的一部分自孔圈10的上表面10a向上側突出。第三引線43、第四引線44、第五引線45、以及第六引線46的自孔圈10的上表面10a的突出量為例如約0～2mm。
另外，第一引線41、第二引線42、第三引線43、第四引線44、第五引線45、以及第六引線46的一部分自孔圈10的下表面10b向下側突出。第一引線41、第二引線42、第三引線43、第四引線44、第五引線45、以及第六引線46的自孔圈10的下表面10b的突出量為例如約6～10mm。
第一引線41、第二引線42、第三引線43、第四引線44、第五引線45、以及第六引線46由例如鐵鎳合金、科伐合金等的金屬構成，密封部50由例如玻璃材料等的絕緣材料構成。可以在第一引線41、第二引線42、第三引線43、第四引線44、第五引線45、以及第六引線46的表面形成鍍金等。
第一引線41的自孔圈10的上表面10a向上側突出的部分藉由焊錫(例如金錫合金)等與第一基板31的信號圖案31S電連接。另外，第二引線42的自孔圈10的上表面10a向上側突出的部分藉由焊錫(例如金錫合金)等與第二基板32的信號圖案32S電連接。
第一引線41以及第二引線42成為藉由信號圖案31S以及信號圖案32S與搭載於半導體封裝用管座1的發光元件電連接的差動信號通過的路徑。第三引線43、第四引線44、第五引線45、以及第六引線46成為例如與GND、搭載於半導體封裝用管座1的帕耳帖元件電連接的信號通過的路徑、與搭載於半導體封裝用管座1的溫度感測器電連接的信號通過的路徑。需要說明的是，引線的根數不限定，可以根據需要增減。
圖4係舉例示出第一實施方式的半導體封裝的立體圖(其一)，是自第一基板以及第二基板的表面側觀察半導體封裝的圖。圖5係舉例示出第一實施方式的半導體封裝的立體圖(其二)，是自第一基板以及第二基板的背面側觀察半導體封裝的圖。圖6係舉例示出第一實施方式的半導體封裝的俯視圖。需要說明的是，在圖4中，為了方便，將罩件100圖示為透明，在圖5以及圖6中省略了罩件100以及透明部件110的圖示。
參照圖4～圖6，第一實施方式的半導體封裝2具有半導體封裝用管座1(參照圖1～圖3)、第二金屬塊22、第三基板33、發光元件60、帕耳帖元件70、罩件100、以及透明部件110。
如圖4所示，在半導體封裝2中，與作為用於取出發光元件60的出射光L的透鏡、窗戶等的透明部件110一體的罩件100藉由電阻焊接等固定於半導體封裝用管座1。罩件100由例如不銹鋼等的金屬形成，並且在內側氣密密封有半導體封裝用管座1的發光元件60等的主要部件。
帕耳帖元件70配置於孔圈10的上表面10a。帕耳帖元件70的一部分以與凹部214不相接的方式進入凹部214內，帕耳帖元件70的其他部分自凹部214內向第四引線44以及第五引線45側突出。
第二金屬塊22是大致L字狀的部件，並且固定於帕耳帖元件70之上。第二金屬塊22的一部分(高度較高的部分)以不與凹部214相接的方式進入凹部214，第二金屬塊22的其他部分(高度較低的部分)自凹部214內朝向第四引線44以及第五引線45側突出。亦就是說，第二金屬塊22與第一金屬塊21分離配置。
第二金屬塊22的朝向第四引線44以及第五引線45側的側面是用於固定第三基板33的基板固定面22a。基板固定面22a以例如相對於孔圈10的上表面10a大致垂直的方式設置。基板固定面22a與基板固定面21a以及21b朝向同一側，基板固定面22a與基板固定面21a以及21b例如位於同一平面之上。
第二金屬塊22可以由例如不銹鋼等的金屬材料形成。第二金屬塊22藉由例如導熱性較高的粘接劑等固定於帕耳帖元件70之上。第二金屬塊22為例如大致L字狀，但是可以為任意的形狀。
第三基板33固定於基板固定面22a。在第三基板33的表面(朝向第四引線44以及第五引線45側的面)設有信號圖案33S1 、信號圖案33S2 、以及接地圖案33G。在第三基板33的背面(朝向第二金屬塊22側的面)整面狀地設有接地圖案33G。第三基板33的表面的接地圖案33G與背面的接地圖案33G藉由第三基板33的側面電連接。
第三基板33為例如氮化鋁制。信號圖案33S1 、信號圖案33S2 以及接地圖案33G可以由例如鎢、鈦、金等形成。可以在信號圖案33S1 、信號圖案33S2 以及接地圖案33G的表面形成鍍金等。
在第三基板33的表面側，信號圖案33S1 藉由線狀部件80與信號圖案31S電連接。另外，在第三基板33的表面側，信號圖案33S2 藉由線狀部件80與信號圖案32S電連接。另外，在第三基板33的表面側，接地圖案33G藉由線狀部件80與接地圖案31G以及接地圖案32G電連接。連接各個部分的線狀部件80的根數可以設定為一根以上的任意的數量。作為線狀部件80，可以舉出例如接合線，並且只要為線狀的部件即可，不特別限定。作為線狀部件80的其他的例子，可以舉出帶狀物。另外，亦可以使用焊料將金屬線等接合。
信號圖案33S1 以及信號圖案33S2 與安裝於第三基板33的表面的發光元件60的端子電連接。為了與用於驅動發光元件60的差動方式的驅動電路對應，驅動信號的輸入線需要信號圖案33S1 以及信號圖案33S2 這兩個系統。正相信號輸入信號圖案33S1 以及信號圖案33S2 中的一者，將正相信號反轉的反相信號輸入另一者。需要說明的是，發光元件60為例如波長為1310nm等的半導體雷射器晶片。
第三基板33的背面側藉由焊錫(例如金錫合金)等的導電材料固定於基板固定面22a。由此，第三基板33的背面的接地圖案33G與第二金屬塊22導通，第二金屬塊22成為GND電位(基準電位)。
圖7係舉例示出比較例的半導體封裝用管座的立體圖。參照圖7，比較例的半導體封裝用管座1X在第一金屬塊21分開為金屬塊21X、金屬塊21Y這點與半導體封裝用管座1(參照圖1～圖3等)不同。
為了使孔圈10與金屬塊21X以及21Y一體衝壓成型，需要與金屬塊21X以及21Y的各自相對地調整金屬素材向模具的流入量。但是，由於衝壓速度較快、即金屬素材的塑性變形速度為高速，因此調整金屬素材向模具的流入量幾乎不可能。例如，若滿足向金屬塊21X以及21Y中的一者的金屬素材的填充，則金屬塊21X以及21Y中的另一者成為金屬素材填充不足、或者填充過多，過多的情況下會使模具破損。
這樣，藉由衝壓成型使在孔圈10之上相互分離地突起的兩個金屬塊21X以及金屬塊21Y與孔圈10一體衝壓成型是極其困難的。
與此相對，在半導體封裝用管座1中，將第一基板31和第二基板32固定於一個第一金屬塊21的基板固定面21a以及基板固定面22a。即，與孔圈10一體衝壓成型的金屬塊僅為第一金屬塊21，從而不需要上述那樣調整金屬素材向模具的流入量，第一金屬塊21為能夠與孔圈10一體衝壓成型的形狀。其結果，可以廉價地供給半導體封裝用管座1。 (第一實施方式的變形例1)
在第一實施方式的變形例1中，示出了與第一實施方式構造不同的半導體封裝用管座的例子。需要說明的是，在第一實施方式的變形例1中，有時省略與已經說明的實施方式相同的構成部的說明。
圖8係舉例示出第一實施方式的變形例1的半導體封裝用管座的立體圖，是自第一基板以及第二基板的背面側觀察半導體封裝用管座的圖。
參照圖8，第一實施方式的變形例1的半導體封裝用管座1A在第一金屬塊21被置換為第一金屬塊21M這點與半導體封裝用管座1(參照圖1～圖3等)不同。
以孔圈10的上表面10a為基準，第一金屬塊21M的高度比第一金屬塊21的高度低。即，以孔圈10的上表面10a為基準，第一金屬塊21M的高度比第一基板31以及第二基板32的高度低。因此，第一基板31的背面的接地圖案31G的至少一部分以及第二基板32的背面的接地圖案32G的至少一部分自第一金屬塊21M露出，從而可以在露出部分自後方進行打線等。
需要說明的是，若考慮第一基板31以及第二基板32的安裝的容易度，則優選以孔圈10的上表面10a為基準的第一金屬塊21M的高度為第一基板31以及第二基板32的高度的1/2以上。例如，以孔圈10的上表面10a為基準的第一基板31以及第二基板32的高度為2mm的情況下，優選設定第一金屬塊21M的高度為1mm以上。
這樣，半導體封裝用管座1A的第一金屬塊21M與半導體封裝用管座1的第一金屬塊21相比其以孔圈10的上表面10a為基準的高度較低，從而與孔圈10一體衝壓成型更加容易。
圖9係舉例示出第一實施方式的變形例1的半導體封裝的立體圖，是自第一基板以及第二基板的背面側觀察半導體封裝的圖。圖10係舉例示出第一實施方式的變形例1的半導體封裝的俯視圖。需要說明的是，在圖9以及圖10中，存在與圖4同樣的罩件100以及透明部件110，但是省略了圖示。
參照圖9以及圖10，第一實施方式的變形例1的半導體封裝2A在第一金屬塊21被置換為第一金屬塊21M，並且第二金屬塊22被置換為第二金屬塊22M這點與半導體封裝2(參照圖4～圖6等)不同。
與第二金屬塊22不同，第二金屬塊22M形成為基板固定面22a的寬度比第三基板33的寬度窄，第三基板33以背面的兩側(第一基板31側以及第二基板32側)在第二金屬塊22M的兩側伸出的方式固定於基板固定面22a。因此，第三基板33的背面的接地圖案33G的至少一部分自第二金屬塊22M的第一基板31側以及第二基板32側露出。
形成於第三基板33的自第二金屬塊22M的第一基板31側露出的背面的接地圖案33G與形成於第一基板31的自第一金屬塊21M露出的背面的接地圖案31G藉由線狀部件80電連接。在第三基板33以及第一基板31的背面側將接地圖案33G和接地圖案31G連接的線狀部件80的根數可以設定為一根以上的任意的數量，但是從GND電位的穩定性的觀點出發優選為兩根以上。
但是，優選在第三基板33以及第一基板31的背面側將接地圖案33G和接地圖案31G連接的線狀部件80的根數為十根以下。這是為了防止因帕耳帖元件70而移動的起因於發光元件60的工作的熱量經由第一基板31以及第三基板33返回發光元件60。
形成於第三基板33的自第二金屬塊22M的第二基板32側露出的背面的接地圖案33G與形成於第二基板32的自第一金屬塊21M露出的背面的接地圖案32G藉由線狀部件80電連接。在第三基板33以及第二基板32的背面側將接地圖案33G和接地圖案32G連接的線狀部件80的根數可以設定為一根以上的任意的數量，但是從GND電位的穩定性的觀點出發，優選為兩根以上。
但是，在第三基板33以及第二基板32的背面側將接地圖案33G與接地圖案32G連接的線狀部件80的根數優選為十根以下。這是為了防止因帕耳帖元件70而移動的起因於發光元件60的工作的熱量經由第一基板32以及第三基板33返回發光元件60。
這樣，在半導體封裝2A中，使第一基板31的背面的接地圖案31G的至少一部分、以及第二基板32的背面的接地圖案32G的至少一部分自第一金屬塊21M露出。另外，使第三基板33的背面的接地圖案33G的至少一部分自第二金屬塊22M的第一基板31側以及第二基板32側露出。
並且，藉由線狀部件80將第一基板31的自第一金屬塊21M露出的背面的接地圖案31G與第三基板33的自第二金屬塊22M的第一基板31側露出的背面的接地圖案33G電連接。另外，藉由線狀部件80將第二基板32的自第一金屬塊21M露出的背面的接地圖案32G與第三基板33的自第二金屬塊22M的第二基板32側露出的背面的接地圖案33G電連接。
亦就是說，不像以往那樣藉由線狀部件將金屬塊的背面側彼此電連接，而是藉由線狀部件將第一基板31的背面的接地圖案31G以及第二基板32的背面的接地圖案32G與第三基板33的背面的接地圖案33G電連接。由此，可以使不同基板的接地圖案彼此不經由金屬塊地最短連接，能夠進一步改善電氣特性。
另外，對於第一基板31的背面的接地圖案31G與第三基板33的背面的接地圖案33G的連接，即使藉由例如一根直徑25μm的接合線亦能夠得到電氣特性的改善效果。同樣地，對於第二基板32的背面的接地圖案32G與第三基板33的背面的接地圖案33G的連接，即使藉由例如一根直徑25μm的接合線亦能夠得到電氣特性的改善效果。
因此，不需要隨便增加在各基板的背面側追加的金屬線的根數就能夠抑制熱量藉由在各基板的背面側追加的線狀部件返回發光元件。但是，若能夠滿足作為半導體封裝的要求規格，則可以使用複數個線狀部件將不同的基板的接地圖案彼此連接。在該情況下，期待電氣特性的進一步的改善。
另外，優選第一基板31以及第二基板32由導熱性比第三基板33低的材料形成。由此，能夠進一步防止因帕耳帖元件70而移動的起因於發光元件60的工作的熱量經由第一基板31以及第二基板32返回發光元件60。為了獲得這樣的效果，例如可以將第一基板31以及第二基板32設定為氧化鋁制，將第三基板33設定為氮化鋁制。
需要說明的是，作為線狀部件80使用接合線的情況下，若將接合線設定為較粗則電氣特性改善，但是容易產生熱量的返回。考慮電氣特性的改善和熱量的返回，優選將接合線的直徑設定為約25μm。
以上，對優選實施方式進行了詳細說明，但不受上述實施方式限制，可以不超出權利要求書記載的範圍地對上述實施方式施加各種變形和置換。
1,1A:半導體封裝用管座2,2A:半導體封裝10:孔圈10a:上表面10b:下表面21,21M:第一金屬塊21a,21b,22a:基板固定面22,22M:第二金屬塊31:第一基板31G,32G,33G:接地圖案31S,32S,33S1,33S2:信號圖案32:第二基板33:第三基板41:第一引線42:第二引線43:第三引線44:第四引線45:第五引線46:第六引線50:密封部60:發光元件70:帕耳帖元件80:線狀部件100:罩件110:透明部件211,212:側壁部213:連結部214:凹部
圖1係舉例示出第一實施方式的半導體封裝用管座的立體圖(其一)。 圖2係舉例示出第一實施方式的半導體封裝用管座的立體圖(其二)。 圖3係舉例示出第一實施方式的半導體封裝用管座的俯視圖。 圖4係舉例示出第一實施方式的半導體封裝的立體圖(其一)。 圖5係舉例示出第一實施方式的半導體封裝的立體圖(其二)。 圖6係舉例示出第一實施方式的半導體封裝的俯視圖。 圖7係舉例示出比較例的半導體封裝用管座的立體圖。 圖8係舉例示出第一實施方式的變形例1的半導體封裝用管座的立體圖。 圖9係舉例示出第一實施方式的變形例1的半導體封裝的立體圖。 圖10係舉例示出第一實施方式的變形例1的半導體封裝的俯視圖。
1:半導體封裝用管座
10:孔圈
10a:上表面
10b:下表面
21:第一金屬塊
31:第一基板
31G,32G:接地圖案
31S,32S:信號圖案
32:第二基板
41:第一引線
42:第二引線
43:第三引線
44:第四引線
45:第五引線
50:密封部

Claims (9)

  1. 一種半導體封裝用管座，具有：孔圈；第一金屬塊，其與該孔圈一體成型且在該孔圈的上表面突起，並且自該孔圈的上表面的法線方向觀察為大致U字型；第一引線，其在自上表面側至下表面側貫通該孔圈的第一貫通孔內氣密接合；第一基板，其具有形成有與該第一引線電連接的第一信號圖案的表面、以及成為該表面的相反面的背面，並且該背面一側固定於該第一金屬塊的第一端面；第二引線，其在自上表面側至下表面側貫通該孔圈的第二貫通孔內氣密接合；以及第二基板，其具有形成有與該第二引線電連接的第二信號圖案的表面、以及成為該表面的相反面的背面，並且該背面一側固定於該第一金屬塊的第二端面。
  2. 如請求項1之半導體封裝用管座，其中，該第一端面和該第二端面位於同一平面之上。
  3. 如請求項1或2之半導體封裝用管座，其中，作為該第一基板的該背面的一部分的第一部分以及作為該第二基板的該背面的一部分的第二部分自該第一金屬塊露出，在該第一基板的該第一部分以及該第二基板的該第二部分形成有接地圖案。
  4. 如請求項3之半導體封裝用管座，其中，以該孔圈的上表面為基準，該第一金屬塊的高度比該第一基板以及該第二基板的高度低。
  5. 一種半導體封裝，具有：請求項1至4中任一項之半導體封裝用管座；帕耳帖元件，其在該孔圈的上表面以至少一部分進入該第一金屬塊的U字的內側，並且與該第一金屬塊分離的方式配置；第二金屬塊，其在該帕耳帖元件之上以至少一部分進入該第一金屬塊的U字的內側，並且與該第一金屬塊分離的方式配置，該第二金屬塊具有與該第一端面以及該第二端面朝向同一方向的側面；以及第三基板，其具有安裝有發光元件的表面、以及成為該表面的相反面的背面，並且該背面一側固定於該第二金屬塊的該側面。
  6. 一種半導體封裝，具有：請求項3或4之半導體封裝用管座；帕耳帖元件，其在該孔圈的上表面以至少一部分進入該第一金屬塊的U字的內側，並且與該第一金屬塊分離的方式配置；第二金屬塊，其在該帕耳帖元件之上以至少一部分進入該第一金屬塊的U字的內側，並且與該第一金屬塊分離的方式配置，該第二金屬塊具有與該第一端面以及該第二端面朝向同一方向的側面；以及第三基板，其具有安裝有發光元件的表面、以及成為該表面的相反面的背面，並且該背面一側固定於該第二金屬塊的該側面，作為該第三基板的該背面的一部分的第三部分自該第二金屬塊露出，在該第三基板的該第三部分形成接地圖案，形成於該第一基板的該第一部分的該接地圖案以及形成於該第二基板的該第二部分的該接地圖案通過線狀部件與形成於該第三基板的該第三部分的該接地圖案電連接。
  7. 如請求項6之半導體封裝，其中，形成於該第一基板的該第一部分的該接地圖案以及形成於該第二基板的該第二部分的該接地圖案通過多個線狀部件與形成於該第三基板的該第三部分的該接地圖案電連接。
  8. 如請求項5至7中任一項之半導體封裝，其中，該第一基板以及該第二基板由導熱率比該第三基板低的材料形成。
  9. 如請求項8之半導體封裝，其中，該第一基板以及該第二基板為氧化鋁制，該第三基板為氮化鋁制。
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