TW202202659A - 耐蝕性構件 - Google Patents

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Abstract

本發明提供即使經受熱履歷，耐蝕性被膜亦不易自基材剝離之耐蝕性構件。耐蝕性構件具備金屬製基材(10)與形成於基材(10)表面之耐蝕性被膜(30)。耐蝕性被膜(30)係自基材(10)側起依序積層氟化鎂層(31)與氟化鋁層(32)者。氟化鋁層(32)具有所含之氟化鋁為結晶質之第一結晶質區域(32A)及第二結晶質區域(32B)。第一結晶質區域(32A)係藉由射束徑10nm以上20nm以下的電子束之照射所得之電子束繞射圖像中，觀測到具有規則性之繞射點列的區域。第二結晶質區域(32B)係藉由上述電子束之照射所得之電子束繞射圖像中，雖觀測到複數之繞射點，但未觀測到具有規則性之繞射點列的區域。

Description

耐蝕性構件
本發明係有關耐蝕性構件。
於半導體製造製程中，因有使用氯氣、氟氣等之腐蝕性較強之氣體之情況，故對構成半導體製造裝置之構件要求耐蝕性。作為構成半導體製造裝置之構件之例，舉例腔室、配管、氣體儲存裝置、閥門、基座(susceptor)、噴啉頭等。 於專利文獻1揭示於半導體製造製程中使用之噴啉頭等之構件。該構件具有由氟化鋁及氟化鎂至少一者所構成之耐蝕性被膜來被覆之鋁表面。
又，於專利文獻2揭示於基材表面形成耐蝕性被膜而成之真空腔室構件。耐蝕性被膜之表面側，係以氧化鋁為主體之層，或以氧化鋁及氟化鋁為主體之層，耐蝕性被膜之基材側係以氟化鎂為主體之層，或以氟化鎂及氧化鎂為主體之層。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利公表公報 2005年533368號 [專利文獻2]日本專利公開公報 平成11年第61410號
[發明欲解決之課題]
然而，於專利文獻1、2揭示之構件具有因熱履歷而使耐蝕性被膜容易自基材剝離之問題點。 本發明之課題在於提供即使經受熱履歷耐蝕性被膜亦不易自基材剝離之耐蝕性構件。 [用以解決課題之手段]
為了解決前述課題，本發明之一態樣係如以下之[1]~[5]。 [1]一種耐蝕性構件，其具備金屬製基材與形成於前述基材表面之耐蝕性被膜， 前述耐蝕性被膜係自前述基材側起依序積層含有氟化鎂之氟化鎂層與含有氟化鋁之氟化鋁層者， 前述氟化鋁層具有所含之氟化鋁為結晶質之第一結晶質區域及第二結晶質區域， 前述第一結晶質區域係藉由射束徑10nm以上20nm以下的電子束之照射所得之電子束繞射圖像中，觀測到具有規則性之繞射點列的區域， 前述第二結晶質區域係藉由前述電子束之照射所得之電子束繞射圖像中，雖觀測到複數之繞射點，但未觀測到具有規則性之繞射點列的區域。
[2]如[1]之耐蝕性構件，其中前述第一結晶質區域係與前述氟化鎂層鄰接或接近配置。 [3]如[1]或[2]之耐蝕性構件，其中前述金屬製基材係鋁製或鋁合金製。
[4]如[1]~[3]中任一項之耐蝕性構件，其中前述氟化鎂層之厚度為0.1μm以上20μm以下。 [5]如[1]~[4]中任一項之耐蝕性構件，其中前述氟化鋁層之厚度為0.2μm以上50μm以下。 [發明效果]
本發明之耐蝕性構件即使經受熱履歷耐蝕性被膜亦不易自基材剝離。
以下說明本發明之一實施形態。且本實施形態係顯示本發明之一例者，本發明並未限定於本實施形態。又於本實施形態可加入各種之變更或改良，加入該等變更或改良之形態亦能包含於本發明。
本實施形態之耐蝕性構件，如圖1所示，具備金屬製之基材10及形成於基材10表面之耐蝕性被膜30。該耐蝕性被膜30係自基材10側起，依序積層含有氟化鎂(MgF2 )之氟化鎂層31及含有氟化鋁(AlF3 )之氟化鋁層32而成者
又，氟化鋁層32如圖1所示，具有：含有之氟化鋁為結晶質之第一結晶質區域32A與含有之氟化鋁為結晶質之第二結晶質區域32B。 而且，第一結晶質區域32A係於藉由射束徑10nm以上20nm以下的電子束之照射所得之電子束繞射圖像中，觀測到具有規則性之繞射點列的區域。又，第二結晶質區域32B係於藉由射束徑10nm以上20nm以下的電子束之照射所得之電子束繞射圖像中，雖觀測到複數之繞射點，但未觀測到具有規則性之繞射點列的區域。
本實施形態之耐蝕性構件之剖面之TEM圖像展示於圖2。且，圖1及圖2係於沿著氟化鎂層31及氟化鋁層32之積層方向之平面而切斷耐蝕性構件之情況之剖面圖。如圖2所示，氟化鋁層32具有第一結晶質區域32A及第二結晶質區域32B。圖2之耐蝕性構件中，氟化鋁層32之中氟化鎂層31側之A部分、B部分及C部分為第一結晶質區域32A，氟化鋁層32之中表面側之D部分及E部分為第二結晶質區域32B。
圖3所示之電子束繞射圖像係對圖2之耐蝕性構件具有之氟化鋁層32之A部分照射上述電子束獲得之電子束繞射圖像。同樣地，圖4~7所示之電子束繞射圖像係對圖2之耐蝕性構件具有之氟化鋁層32之B部分~E部分照射上述電子束獲得之電子束繞射圖像。
如由圖3~5之電子束繞射圖像所了解，對氧化鋁層32之A部分、B部分及C部分照射射束徑10nm以上20nm以下的電子束所得之電子束繞射圖像中，觀察到具有規則性之繞射點列。又如由圖6、7之電子束繞射圖像所了解，對氟化鋁層32之D部分及E部分照射射束徑10nm以上20nm以下的電子束所得之電子束繞射圖像中，觀測到複數之繞射點，但未觀測到具有規則性繞射點列。
本實施形態之耐蝕性構件因具備耐蝕性被膜30，故即使於腐蝕性較強的氣體及電漿中亦具有優異的耐蝕性。又，因氟化鎂層31間隔於氟化鋁層32與基材10之間，故氟化鋁層32與基材10之密著性高。進而，由於氟化鋁層32具有第一結晶質區域32A及第二結晶質區域32B，故即使經受熱履歷耐蝕性被膜30亦不易自基材10剝離且不易產生破裂。例如，即使經受反覆的升溫及降溫之熱履歷，亦不易發生耐蝕性被膜30之剝離及破損。其結果，本實施形態之耐蝕性構件即使經受熱履歷耐蝕性亦優異，同時源自耐蝕性被膜30剝離之粒子產生亦受抑制。
如此本實施形態之耐蝕性構件適合作為需要耐蝕性及耐熱性之構件，例如，適合作為構成半導體製造裝置(尤其是使用化學氣相沉積法之成膜裝置)之構件。若舉例具體例，則適合作為於產生電漿之狀態下於晶圓上形成薄膜之成膜裝置之基座及噴啉頭。若使用本實施形態之耐蝕性構件作為構成半導體製造裝置之構件，則因粒子之產生受抑制，故可以較高良率製造半導體。
以下針對本實施形態之耐蝕性構件進一步詳細說明。 [基材] 構成基材10之金屬，無特別限定，可為單體之金屬(含有不可避免雜質)，亦可為合金。例如，可為鋁或鋁合金。
[氟化鎂層] 氟化鎂層31之厚度較佳為0.1μm以上20μm以下，更佳為0.15μm以上10μm以下，又更佳為0.2μm以上7μm以下。若氟化鎂層31之厚度為0.1μm以上，則氟化鋁層32與基材10之密著性變得更高。因此，即使經受熱履歷耐蝕性被膜30亦不易自基材10剝離。又，若氟化鎂層31之厚度為20μm以下，則即使經受熱履歷氟化鎂層31亦不易產生破裂。
且，氟化鎂層31之厚度之測量方法，無特別限定，但舉例為例如穿透型電子顯微鏡(TEM)、掃描型穿透式電子顯微鏡(STEM)、掃描型電子顯微鏡(SEM)等之方法。例如，可藉由使用穿透型電子顯微鏡獲得TEM圖像，並以圖像之濃淡確認TEM圖像中之氟化鎂層31與鄰接之層之邊界，而可測量氟化鎂層31之厚度。氟化鋁層32、第一結晶質區域32A及第二結晶質區域32B之厚度亦可分別藉由與上述同樣之方法測量。
又，氟化鎂層31具有之氟、鎂等之各元素之定量分析方法，無特別限定，但例如可藉由能量分散型X射線分析(EDS分析)、電子束微分析儀分析(EPMA分析)進行分析。
[氟化鋁層] 氟化鋁層32含有之氟化鋁只要選自氟化鋁(AlF3 )、氟化鋁水合物(AlF3 ‧nH2 O)、一部分含有羥基之氟化鋁(AlF3-x (OH)x )、一部分含有羥基之氟化鋁水合物(AlF3-x (OH)x ‧nH2 O)、一部分含有氧之氟化鋁(AlF3(1-x) O3/2x )，及一部分含有氧之氟化鋁水合物(AlF3(1-x) O3/2x ‧nH2 O)之至少一者即可。
氟化鋁層32之厚度較佳為0.2μm以上50μm以下，更佳為0.3μm以上40μm以下，又更佳為0.5μm以上30μm以下。若氟化鋁層32之厚度於上述範圍內，則耐蝕性被膜30之耐蝕性更優異且即使經受熱履歷氟化鋁層32亦不易產生破裂。氟化鋁層32之厚度之測量方法係如同上述氟化鎂層之項所述。
又，氟化鋁層32中具有之氟、鋁等之各元素之定量分析方法，並無特別限定，但例如可藉由能量分散型X射線分析、電子束微分析儀分析(EPMA分析)進行分析。
[第一結晶質區域及第二結晶質區域] 第一結晶質區域32A係於藉由射束徑10nm以上20nm以下的電子束之照射所得之電子束繞射圖像中，觀測到具有規則性之繞射點列的區域，關於「具有規則性之繞射點列」將於下文詳述。亦即，繞射點列之複數係以將位於電子束折射像之中心之繞射點作為點對稱之對稱中心而形成點對稱圖形，從而構成電子束繞射圖像之方式來配置。該繞射點列係3個以上之折射點空出等間隔排列成直線狀之列。本發明之「具有規則性之繞射點列」意指如上述配置之繞射點列。
圖3~5係對圖2之耐蝕性構件具有之氟化鋁層32之A部分、B部分、C部分照射射束徑10nm以上20nm以下的電子束所得之電子束繞射圖像，但3個以上之繞射點空出等間隔排列為直線狀之列係平行排列有3列。又，以將位於電子束繞射圖像之中心之繞射點(位於中央之列中心之繞射點)作為點對稱之對稱中心，構成挾住中央之列之外側2列之各繞射點之點會形成對稱圖形之方式來配置。由此，氟化鋁層32之A部分、B部分、C部分為第一結晶質區域32A。
第二結晶質區域32B係於藉由射束徑10nm以上20nm以下之電子束之照射獲得之電子束繞射圖像中，觀測到複數繞射點，但未觀測到如第一結晶質區域32A之具有規則性之繞射點列之區域。 圖6、7係對圖2之耐蝕性構件具有之氟化鋁層32之D部分及E部分照射射束徑10nm以上20nm以下之電子束所得之電子束繞射圖像，雖觀測到複數繞射點，但未觀測具有規則性之繞射點之列。由此，氟化鋁層32之D部分及E部分為第二結晶質區域32B。
於電子束繞射圖像中觀測如上述之點對稱圖形，意指於對應於電子束射束徑之範圍內存在有單晶或由朝同一方向排列之複數結晶所構成之多結晶。相對於此，即使於電子束繞射圖像觀測到複數繞射點，但未觀測到如上述之點對稱圖形之情況，係指於對應於電子束射束徑之範圍內，存在有由朝不同方向排列之複數結晶所構成之多結晶。
亦即意指於第一結晶質區域32A存在有單晶或由朝同一方向排列之複數之結晶所構成之多結晶，於第二結晶質區域32B存在有由朝不同方向排列之複數結晶所構成之多結晶。 第一結晶質區域32A及第二結晶質區域32B之分析方法，若是可照射射束徑10nm以上20nm以下之電子束獲得電子束繞射圖像之方法，則無特別限定。作為電子束之照射條件，舉例為使用日立HIGHTECH股份有限公司製之穿透型電子顯微鏡HF-2200之以加速電壓230kV之照射。
第一結晶質區域32A及第二結晶質區域32B可均作成層狀，亦可於氟化鋁層32內受到積層。或者，第一結晶質區域32A及第二結晶質區域32B之一者作成塊狀，分散於另一者中(亦即，氟化鋁層32係作成由第一結晶質區域32A及第二結晶質區域32B所成之海島構造)。 但是，第一結晶質區域32A較佳係與氟化鎂層31鄰接或接近配置。若為該等構成，可提高氟化鎂層31與氟化鋁層32之密著性。
第一結晶質區域32A之厚度(積層方相之長度)相對於氟化鋁層32之厚度之比率，較佳為5%以上95%以下，更佳為10%以上90%以下，又更佳為15%以上80%以下。若為該等構成，則氟化鎂層31及氟化鋁層32之密著性變得更高。第一結晶質區域32A之厚度之測量方法係如同上述之氟化鎂層之項所述。
且，第一結晶質區域32A及第二結晶質區域32B只要含有之氟化鋁之至少一部分為結晶質即可，不需要全部為結晶質。又，該結晶質較佳為結晶軸方位一致且具有長邊為300nm以上之結晶單元。若長邊為300nm以上，則氟化鎂層31與氟化鋁層32之密著性變得更高。該結晶單元可為單結晶，亦可為多結晶。
[耐蝕性構件之製造方法] 製造本實施形態之耐蝕性構件之方法雖無特別限定，但舉例一例，舉例為對含有鎂之鋁合金製之基材表面上，藉由蒸鍍等之方法形成氟化鋁層後進行熱處理之方法。熱處理前之氟化鋁層係含有結晶質之氟化鋁，但含有之結晶質全部相當於第二結晶質區域之結晶質，不含有相當於第一結晶質區域之結晶質的結晶質。
若對其於氟氣體環境等之環境中實施熱處理，則成為於基材與氟化鋁層之間形成氟化鎂層，同時於氟化鋁層形成第一結晶質區域，於氟化鋁層共存第一結晶質區域及第二結晶質區域之狀態。
熱處理時之保持溫度較佳為200℃以上500℃以下，更佳為300℃以上475℃以下，又更佳為350℃以上450℃以下。若熱處理時之保持溫度為200℃以上，則容易形成氟化鎂層。又，容易於氟化鋁層形成第一結晶質區域。若熱處理時之保持溫度為500℃以下，氟化鋁層不易發生破裂。 熱處理時之保持時間較佳為1小時以上250小時以下，更佳為3小時以上150小時以下，又更佳為5小時以上100小時以下。若熱處理時之保持時間為1小時以上，則容易形成氟化鎂層。又，容易於氟化鋁層形成第一結晶質區域。若熱處理時之保持時間為250小時以下，則生產性易於變良好。 [實施例]
以下顯示實施例及比較例，更具體說明本發明。 [實施例1] 對於基材首先進行前處理，隨後進行真空蒸鍍而於基材之表面上形成氟化鋁層。隨後藉由進行熱處理，於基材與氟化鋁層之間形成氟化鎂層，同時於氟化鋁層形成第一結晶質區域，獲得耐蝕性構件。
構成基材之金屬係含有2.55質量%鎂之鋁合金A5052。又，基材係長50mm、寬30mm、厚度3mm之板狀。 對於基材之前處理如以下進行。首先，以將含有硼酸鈉、碳酸鹽、磷酸鹽、界面活性劑之鹼性脫脂液的U-Cleaner UA68(上村工業股份有限公司製)50g溶解於水1L且溫度設為50℃者作為脫脂液，於該脫脂液中浸漬基材10分鐘進行脫脂，並以純水洗淨。
接著，以將S CLEAN AL-5000(佐佐木化學藥品股份有限公司製)500g加熱至70℃者作為蝕刻液，於該蝕刻液中，使上述經脫脂之基材浸漬1分鐘進行蝕刻，並以純水洗淨。 隨後，以將含有硝酸之SMUTCLEAN(RAIKI股份有限公司製)200g溶解於水400g且溫度設為25℃者作為去污液，於該去除液中，浸漬上述經蝕刻之基材30秒進行去污，並以純水洗淨。接著，真空乾燥上述經去污之基材，完成前處理。
形成氟化鋁層時之真空蒸鍍條件如下。首先，將經實施前處理之基材設置於真空腔室內之後，將真空腔室內排氣直至真空度為3×10-4 Pa。作為蒸鍍材料係使用氟化鋁燒結體材料，對該燒結體材料照射電子束，打開擋板，於經實施前處理之基材上形成厚度1.1μm之氟化鋁層。此時之電子束投入電力於5kV之加速電壓為40mA左右，蒸鍍時之真空度為7×10-4 Pa，處理時間為120sec。該氟化鋁層不具有第一結晶質區域，僅具有第二結晶質區域。
熱處理之條件如下。於20體積%氟氣與80體積%氮氣之混合氣體環境中將形成有氟化鋁層之基材加熱至450℃，實施50小時熱處理。藉由該熱處理，於基材與氟化鋁層之間形成厚度0.5μm之氟化鎂層，同時於氟化鋁層形成第一結晶質區域，成為氟化鋁層共存第一結晶質區域與第二結晶質區域之狀態。氟化鋁層之厚度，於熱處理後仍為1.1μm。又，第一結晶質區域之厚度(積層方向之長度)相對於氟化鋁層厚度之比率為60%。
所形成之氟化鎂層及氟化鋁層中存在之鎂、鋁等之各元素藉由能量分散X射線分析予以分析。若詳述，則係對於利用離子切片機(ion slicer)加工為厚度40nm以上100nm以下之樣品，以加速電壓200kV進行各層之點分析，進行鎂、鋁等之各元素之分析。
於氟化鋁層存在第一結晶質區域及第二結晶質區域係藉由電子束繞射法確認。若詳述，則係對於利用離子切片機加工為厚度40nm以上100nm以下之樣品，照射射束徑10nm以上20nm以下之電子束，以TEM獲得電子束繞射圖像。第一結晶質區域及第二結晶質區域之電子束繞射圖像分別示於圖3~7。
圖3所示之電子束繞射圖像，係對圖2之耐蝕性構件具有之氟化鋁層32之A部分照射上述電子束獲得之電子束繞射圖像，該A部分係對應於相對於氟化鋁層32之厚度自基材10側起13%之厚度之積層方向位置之部分。圖4~7所示之電子束繞射圖像係對圖2之耐蝕性構件具有之氟化鋁層32之B部分~E部分照射上述電子束獲得之電子束繞射圖像，與A部分之情況相同，B部分係對應於29%，C部分係對應於44%，D部分係對應於72%，E部分係對應於92%之厚度之積層方向位置的部分。
對於所得之實施例1之耐蝕性構件進行加熱試驗，評價耐蝕性被膜之剝離狀態。加熱試驗條件係以於氮氣環境中於350℃保持300min後自然冷卻至室溫之步驟作為1循環，並進行10循環者。
加熱試驗結束後，以掃描型電子顯微鏡觀察耐蝕性構件之耐蝕性被膜，並評價剝離程度。結果示於表1。表1中，耐蝕性被膜中剝離部分之面積未達耐蝕性被膜面積的1%之情況示為「SA」，1%以上未達5%之情況示為「A」，5%以上未達30%之情況示為「B」，30%以上之情況示為「C」。
Figure 02_image001
[實施例2] 除了將構成基材之金屬設為含有1.02質量%鎂之鋁合金A6061之方面以外，與實施例1相同製造耐蝕性構件並進行評價。結果示於表1。 [實施例3] 除了於經實施前處理之基材形成氟化鋁層時之真空蒸鍍之處理時間設為70min之方面以外，與實施例1相同製造耐蝕性構件並進行評價。結果示於表1。
[實施例4] 除了於經實施前處理之基材形成氟化鋁層時之真空蒸鍍之處理時間設為45sec之方面以外，與實施例1相同製造耐蝕性構件並進行評價。結果示於表1。 [實施例5] 除了熱處理之條件設為保持溫度470℃、保持時間200小時之方面以外，與實施例1相同製造耐蝕性構件並進行評價。結果示於表1。
[實施例6] 除了熱處理之條件設為保持溫度400℃、保持時間20小時之方面以外，與實施例1相同製造耐蝕性構件並進行評價。結果示於表1。 [比較例1] 除了於經實施前處理之基材形成氟化鋁層時之真空蒸鍍條件變更如後述之方面及於基材表面上形成氟化鋁層後不進行熱處理之方面以外，與實施例1相同製造耐蝕性構件並進行評價。結果示於表1。
由於未進行熱處理，故比較例1之耐蝕性構件不具有氟化鎂層。且由於未進行熱處理，故比較例1之耐蝕性構件於氟化鋁層不具有第一結晶質區域，氟化鋁層僅由第二結晶質區域所構成。
比較例1之真空蒸鍍條件如下。首先將經實施前處理之基材設置於真空腔室內之後，將真空腔室內排氣直至真空度為2×10-4 Pa。隨後，將經實施前處理之基材加熱至400℃。作為蒸鍍材料係使用氟化鋁燒結體材料，並對該燒結體材料照射電子束，打開擋板，於經實施前處理之基材上形成厚度1.1μm之氟化鋁層。此時之電子束投入電力於5kV之加速電壓為40mA左右，蒸鍍時之真空度為5×10-4 Pa，處理時間為120sec。
[比較例2] 對基材首先進行前處理，隨後，進行如後述之真空蒸鍍而於基材表面上形成氟化鎂層，進而進行真空蒸鍍而於氟化鎂層上形成氟化鋁層，獲得耐蝕性構件。構成基材之金屬種類及對基材之前處理內容，與實施例1相同。
形成氟化鎂層時之真空蒸鍍條件如下。首先將經實施前處理之基材設置於真空腔室內之後，將真空腔室內排氣直至真空度為2×10-4 Pa。隨後，將經實施前處理之基材加熱至380℃。作為蒸鍍材料係使用氟化鎂燒結體材料，並對該燒結體材料照射電子束，打開擋板，於經實施前處理之基材上形成厚度0.5μm之氟化鎂層。此時之電子束之投入電力於5kV之加速電壓為40mA左右，蒸鍍時之真空度為5×10-4 Pa。
形成氟化鋁層時之真空蒸鍍條件如下。首先將已形成氟化鎂層之基材設置於真空腔室內之後，將真空腔室內排氣直至真空度為2×10-4 Pa。隨後，將已形成氟化鎂層之基材加熱至400℃。作為蒸鍍材料係使用氟化鋁燒結體材料，對該燒結體材料照射電子束，打開擋板，於經加熱至400℃之基材之氟化鎂層上形成厚度1.1μm之氟化鋁層。此時之電子束之投入電力於5kV之加速電壓為40mA左右，蒸鍍時之真空度為5×10-4 Pa。 所得之比較例2之耐蝕性構件，於氟化鋁層不具有第一結晶質區域，氟化鋁層僅由第二結晶質區域所構成。針對所得之比較例2之耐蝕性構件，與實施例1相同進行評價。結果示於表1。
[比較例3] 除了構成基材之金屬設為含有1.02質量%鎂之鋁合金A6061之方面外，與比較例1相同製造耐蝕性構件並進行評價。結果示於表1。 [比較例4] 除了構成基材之金屬設為含有1.02質量%鎂之鋁合金A6061之方面外，與比較例2相同製造耐蝕性構件並進行評價。結果示於表1。
如由表1所了解，實施例1~6之耐蝕性構件，即使經受加熱試驗之熱履歷幾乎未產生耐蝕性被膜之剝離。 相對於此，於氟化鋁層不具有第一結晶質區域之比較例2、4之耐蝕性構件，因反覆升溫及降溫之加熱試驗產生耐蝕性被膜之剝離。又，於氟化鋁層不具有第一結晶質區域且亦不具有氟化鎂層之比較例1、3之耐蝕性構件，因反覆升溫及降溫之加熱試驗產生耐蝕性被膜之剝離，且剝離程度較比較例2、4之耐蝕性構件更大。
10:基材 30:耐蝕性被膜 31:氟化鎂層 32:氟化鋁層 32A:第一結晶質區域 32B:第二結晶質區域
[圖1]係說明本發明一實施形態之耐蝕性構件之構成之示意剖面圖。 [圖2]係本發明一實施形態之耐蝕性構件之剖面之穿透式電子顯微鏡圖像(TEM圖像)。 [圖3]係對圖2之耐蝕性構件具有之氟化鋁層之A部分(第一結晶質區域)照射電子束獲得之電子束繞射圖像。 [圖4]係對圖2之耐蝕性構件具有之氟化鋁層之B部分(第一結晶質區域)照射電子束獲得之電子束繞射圖像。 [圖5]係對圖2之耐蝕性構件具有之氟化鋁層之C部分(第一結晶質區域)照射電子束獲得之電子束繞射圖像。 [圖6]係對圖2之耐蝕性構件具有之氟化鋁層之D部分(第二結晶質區域)照射電子束獲得之電子束繞射圖像。 [圖7]係對圖2之耐蝕性構件具有之氟化鋁層之E部分(第二結晶質區域)照射電子束獲得之電子束繞射圖像。
10:基材
30:耐蝕性被膜
31:氟化鎂層
32:氟化鋁層
32A:第一結晶質區域
32B:第二結晶質區域

Claims (5)

  1. 一種耐蝕性構件，其具備金屬製基材與形成於前述基材表面之耐蝕性被膜， 前述耐蝕性被膜係自前述基材側起依序積層含有氟化鎂之氟化鎂層與含有氟化鋁之氟化鋁層者， 前述氟化鋁層具有所含之氟化鋁為結晶質之第一結晶質區域及第二結晶質區域， 前述第一結晶質區域係藉由射束徑10nm以上20nm以下的電子束之照射所得之電子束繞射圖像中，觀測到具有規則性之繞射點列的區域， 前述第二結晶質區域係藉由前述電子束之照射所得之電子束繞射圖像中，雖觀測到複數之繞射點，但未觀測到具有規則性之繞射點列的區域。
  2. 如請求項1之耐蝕性構件，其中前述第一結晶質區域係與前述氟化鎂層鄰接或接近配置。
  3. 如請求項1或2之耐蝕性構件，其中前述金屬製基材係鋁製或鋁合金製。
  4. 如請求項1至3中任一項之耐蝕性構件，其中前述氟化鎂層之厚度為0.1μm以上20μm以下。
  5. 如請求項1至4中任一項之耐蝕性構件，其中前述氟化鋁層之厚度為0.2μm以上50μm以下。
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