CN113924382A - 耐蚀性构件 - Google Patents
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Abstract
提供耐蚀性被膜即使经受热履历也难以从基材剥离的耐蚀性构件。一种耐蚀性构件，具备金属制基材(10)和形成于基材(10)的表面的耐蚀性被膜(30)。耐蚀性被膜(30)是从基材(10)侧依次层叠氟化镁层(31)和氟化铝层(32)而得到的。氟化铝层(32)具有所含有的氟化铝为晶质的第一晶质区域(32A)和第二晶质区域(32B)。第一晶质区域(32A)是在通过照射束径为10nm以上且20nm以下的电子束而得到的电子束衍射像中观察到具有规则性的成列衍射斑的区域。第二晶质区域(32B)是在通过照射上述电子束而得到的电子束衍射像中观察到多个衍射斑但未观察到具有规则性的成列衍射斑的区域。
Description
技术领域
本发明涉及耐蚀性构件。
背景技术
在半导体制造工艺中，有时使用氯气、氟气等腐蚀性强的气体，因此，对于构成半导体制造装置的构件要求耐蚀性。作为构成半导体制造装置的构件的例子，可举出腔室、配管、储气装置、阀、基座、喷头等。
专利文献1公开了在半导体制造工艺中使用的喷头等构件。该构件具有由耐蚀性被膜覆盖了的铝表面，所述耐蚀性被膜由氟化铝和氟化镁中的至少一者构成。
另外，专利文献2公开了在基材表面形成有耐蚀性被膜的真空腔室构件。耐蚀性被膜的表面侧是以铝氧化物为主体的层、或者是以铝氧化物和铝氟化物为主体的层，耐蚀性被膜的基材侧是以镁氟化物为主体的层、或者是以镁氟化物和铝氧化物为主体的层。
在先技术文献
专利文献1：日本专利公表公报2005年第533368号
专利文献2：日本专利公开公报平成11年第61410号
发明内容
但是，专利文献1、2公开的构件存在耐蚀性被膜容易因热履历而从基材剥离的问题。
本发明的课题是提供一种耐蚀性构件，其耐蚀性被膜即使经受热履历也难以从基材剥离。
为了解决所述课题，本发明一方案如下[1]～[5]所示。
[1]一种耐蚀性构件，具备金属制的基材和形成于所述基材的表面的耐蚀性被膜，
所述耐蚀性被膜是从所述基材侧起依次层叠含有氟化镁的氟化镁层和含有氟化铝的氟化铝层而得到的，
所述氟化铝层具有所含有的氟化铝为晶质的第一晶质区域和第二晶质区域，
所述第一晶质区域是在通过照射束径为10nm以上且20nm以下的电子束而得到的电子束衍射像中观测到具有规则性的成列衍射斑的区域，
所述第二晶质区域是在通过照射所述电子束而得到的电子束衍射像中观测到多个衍射斑，但未观测到具有规则性的成列衍射斑的区域。
[2]根据[1]所述的耐蚀性构件，所述第一晶质区域与所述氟化镁层邻接或接近地配置。
[3]根据[1]或[2]所述的耐蚀性构件，所述金属制的基材为铝制或铝合金制。
[4]根据[1]～[3]中任一项所述的耐蚀性构件，所述氟化镁层的厚度为0.1μm以上且20μm以下。
[5]根据[1]～[4]中任一项所述的耐蚀性构件，所述氟化铝层的厚度为0.2μm以上且50μm以下。
本发明的耐蚀性构件，即使经受热履历，耐蚀性被膜也难以从基材剥离。
附图说明
图1是说明本发明一实施方式的耐蚀性构件的结构的示意截面图。
图2是本发明一实施方式的耐蚀性构件的截面的透射型电子显微镜像(TEM像)。
图3是对图2的耐蚀性构件具有的氟化铝层的A部分(第一晶质区域)照射电子束而得到的电子束衍射像。
图4是对图2的耐蚀性构件具有的氟化铝层的B部分(第一晶质区域)照射电子束而得到的电子束衍射像。
图5是对图2的耐蚀性构件具有的氟化铝层的C部分(第一晶质区域)照射电子束而得到的电子束衍射像。
图6是对图2的耐蚀性构件具有的氟化铝层的D部分(第二晶质区域)照射电子束而得到的电子束衍射像。
图7是对图2的耐蚀性构件具有的氟化铝层的E部分(第二晶质区域)照射电子束而得到的电子束衍射像。
具体实施方式
以下对本发明一实施方式进行说明。再者，本实施方式表示本发明的一例，本发明并不限定于本实施方式。另外，可以对本实施方式施加各种变更或改良，那样的施加了变更或改良后的方式也包含在本发明中。
如图1所示，本实施方式的耐蚀性构件具备金属制的基材10和形成于基材10的表面的耐蚀性被膜30。该耐蚀性被膜30是从基材10侧起依次层叠含有氟化镁(MgF2)的氟化镁层31和含有氟化铝(AlF3)的氟化铝层32而得到的。
另外，如图1所示，氟化铝层32具有：含有的氟化铝为晶质的第一晶质区域32A以及含有氟化铝为晶质的第二晶质区域32B。
并且，第一晶质区域32A是在通过照射束径为10nm以上且20nm以下的电子束而得到的电子束衍射像中观察到具有规则性的成列衍射斑的区域。另外，第二晶质区域32B是在通过照射束径为10nm以上且20nm以下的电子束而得到的电子束衍射像中观测到多个衍射斑，但未观测到具有规则性的成列衍射斑的区域。
将本实施方式的耐蚀性构件的截面的TEM像示于图2。再者，图1和图2是用沿着氟化镁层31和氟化铝层32的层叠方向的平面将耐蚀性构件切断后的截面图。如图2所示，氟化铝层32具有第一晶质区域32A和第二晶质区域32B。在图2的耐蚀性构件中，氟化铝层32中的靠氟化镁层31侧的A部分、B部分及C部分是第一晶质区域32A，氟化铝层32中的靠表面侧的D部分及E部分是第二晶质区域32B。
图3所示电子束衍射像是对图2的耐蚀性构件具有的氟化铝层32的A部分照射上述电子束而得到的电子束衍射像。同样地，图4～7所示电子束衍射像是对图2的耐蚀性构件具有的氟化铝层32的B部分～E部分照射上述电子束而得到的电子束衍射像。
由图3～图5的电子束衍射像可知，在对氟化铝层32的A部分、B部分及C部分照射束径为10nm以上且20nm以下的电子束而得到的电子束衍射像中，观测到具有规则性的成列衍射斑。另外，由图6、图7的电子束衍射像可知，在对氟化铝层32的D部分及E部分照射束径为10nm以上且20nm以下的电子束而得到的电子束衍射像中，观测到多个衍射斑，但未观测到具有规则性的成列衍射斑。
本实施方式的耐蚀性构件由于具备耐蚀性被膜30，所以在腐蚀性强的气体或等离子体中也具有优异的耐蚀性。另外，由于氟化镁层31介于氟化铝层32与基材10之间，所以氟化铝层32与基材10的密合性高。而且，由于氟化铝层32具有第一晶质区域32A和第二晶质区域32B，所以即使经受热履历，耐蚀性被膜30也难以从基材10剥离并且难以产生裂纹。例如，即使经受反复升温和降温的热履历，耐蚀性被膜30也难以产生剥离和裂纹。其结果，本实施方式的耐蚀性构件即使经受热履历也具有优异的耐蚀性，并且抑制了由耐蚀性被膜30的剥离引起的颗粒产生。
这样的本实施方式的耐蚀性构件适合作为需要耐蚀性和耐热性的构件，例如，适合作为构成半导体制造装置(特别是采用化学蒸镀法的成膜装置)的构件。若举具体例，则适合作为以产生等离子体的状态在晶片上形成薄膜的成膜装置的基座或喷头。如果作为构成半导体制造装置的构件使用本实施方式的耐蚀性构件，则可抑制颗粒产生，所以能够以高成品率制造半导体。
以下，对本实施方式的耐蚀性构件进行更详细的说明。
[基材]
构成基材10的金属没有特别限定，可以是单质的金属(含有不可避免的杂质)，也可以是合金。例如，可以是铝或铝合金。
[氟化镁层]
氟化镁层31的厚度优选为0.1μm以上且20μm以下，更优选为0.15μm以上且10μm以下，进一步优选为0.2μm以上且7μm以下。如果氟化镁层31的厚度为0.1μm以上，则氟化铝层32与基材10的密合性变得更高。因此，即使经受热履历，耐蚀性被膜30也难以从基材10剥离。另外，如果氟化镁层31的厚度为20μm以下，则即使经受热履历，也难以在氟化镁层31产生裂纹。
再者，氟化镁层31的厚度的测定方法没有特别限定，例如可举出透射型电子显微镜(TEM)、扫描型透射电子显微镜(STEM)、扫描型电子显微镜(SEM)等方法。例如，使用透射型电子显微镜得到TEM像，用图像的深浅来确认TEM像中的氟化镁层31和相邻的层的边界，由此能够测定氟化镁层31的厚度。氟化铝层32、第一晶质区域32A和第二晶质区域32B的厚度也可以分别采用与上述同样的方法进行测定。
另外，氟化镁层31具有的氟、镁等各元素的定量分析方法没有特别限定，例如可以通过能量色散型X射线分析(EDS分析)、电子束微分析仪分析(EPMA分析)进行分析。
[氟化铝层]
氟化铝层32含有的氟化铝为选自氟化铝(AlF3)、氟化铝水合物(AlF3·nH2O)、部分含有羟基的氟化铝(AlF3-X(OH)X)、部分含有羟基的氟化铝水合物(AlF3-X(OH)X·nH2O)、部分含有氧的氟化铝(AlF3(1-X)O3/2X)以及部分含有氧的氟化铝水合物(AlF3(1-X)O3/2X·nH2O)中的至少一种即可。
氟化铝层32的厚度优选为0.2μm以上且50μm以下，更优选为0.3μm以上且40μm以下，进一步优选为0.5μm以上且30μm以下。如果氟化铝层32的厚度在上述范围内，则耐蚀性被膜30的耐蚀性更优异，并且即使经受热履历，也难以在氟化铝层32产生裂纹。氟化铝层32的厚度的测定方法，如氟化镁层一项所述。
另外，氟铝层32具有的氟、铝等各元素的定量分析方法没有特别限定，例如可以通过能量色散型X射线分析、电子束微分析仪分析(EPMA分析)进行分析。
[第一晶质区域和第二晶质区域]
第一晶质区域32A是在通过照射束径为10nm以上且20nm以下的电子束而得到的电子束衍射像中观测到具有规则性的成列衍射斑的区域，以下详细说明“具有规则性的成列衍射斑”。即，衍射斑的多个列被配置成以位于电子束衍射像的中心的衍射斑作为点对称的对称中心形成点对称图形，构成电子束衍射像。该衍射斑的列是3个以上的衍射斑隔开等间隔地以直线状排列而成的列。本发明中的“具有规则性的成列衍射斑”是指如上所述配置的衍射斑的列。
图3～图5是对图2的耐蚀性构件具有的氟化铝层32的A部分、B部分、C部分照射束径为10nm以上且20nm以下的电子束而得到的电子束衍射像，3个以上的衍射斑隔开等间隔地以直线状排列而成的列平行地排列3列。并且，将位于电子束衍射像中心的衍射斑(位于中央的列中心的衍射斑)作为点对称的对称中心，将构成夹着中央列的外侧2列的各衍射斑配置成形成点对称图形。因而，氟化铝层32的A部分、B部分、C部分是第一晶质区域32A。
第二晶质区域32B是在通过照射束径为10nm以上且20nm以下的电子束而得到的电子束衍射像中观测到多个衍射斑，但未观测到第一晶质区域32A那样的具有规则性的成列衍射斑的区域。
图6、图7是对图2的耐蚀性构件具有的氟化铝层32的D部分及E部分照射束径为10nm以上且20nm以下的电子束而得到的电子束衍射像，虽然观测到多个衍射斑，但未观测到具有规则性的成列衍射斑。因而，氟化铝层32的D部分及E部分是第二晶质区域32B。
在电子束衍射像中观测到如上的点对称图形，意味着在与电子束的束径对应的区域内，存在单晶或由排列在同一方向上的多个晶体构成的多晶。与此相对，即使在电子束衍射像中观测到多个衍射斑，在未观测到如上的点对称图形的情况下，意味着在与电子束的束径对应的区域内，存在由排列在不同方向上的多个晶体构成的多晶。
也就是说，意味着在第一晶质区域32A中存在单晶或由排列在同一方向上的多个晶体构成的多晶，在第二晶质区域32B中存在由排列在不同方向上的多个晶体构成的多晶。
第一晶质区域32A和第二晶质区域32B的分析方法，只要是能够照射束径为10nm以上且20nm以下的电子束而得到电子束衍射像的方法，就没有特别限定。作为电子束的照射条件，可举出使用株式会社日立高科技制的透射型电子显微镜HF-2200的加速电压230kV下的照射。
第一晶质区域32A和第二晶质区域32B都可以形成层状，也可以在氟化铝层32内层叠。或者，第一晶质区域32A和第二晶质区域32B中的一者可以形成块状，分散在另一者之中(即，氟化铝层32可以形成由第一晶质区域32A和第二晶质区域32B组成的海岛结构)。
但是，优选第一晶质区域32A与氟化镁层31邻接或接近地配置。如果是这样的结构，则氟化镁层31与氟化铝层32的密合性更高。
第一晶质区域32A的厚度(层叠方向的长度)相对于氟化铝层32的厚度的比率优选为5％以上且95％以下，更优选为10％以上且90％以下，进一步优选为15％以上且80％以下。如果是这样的结构，则氟化镁层31与氟化铝层32的密合性变得更高。第一晶质区域32A的厚度的测定方法，如氟化镁层一项所述。
再者，第一晶质区域32A和第二晶质区域32B只要含有的氟化铝的至少一部分为晶质即可，不需要全部为晶质。另外，该晶质优选具有结晶取向一致且长边为300nm以上的晶体单元。如果长边为300nm以上，则氟化镁层31与氟化铝层32的密合性变得更高。该晶体单元可以是单晶，也可以是多晶。
[耐蚀性构件的制造方法]
本实施方式的耐蚀性构件的制造方法没有特别限定，若举一例，则可举出在含有镁的铝合金制的基材的表面上，采用蒸镀等方法形成氟化铝层，然后进行热处理的方法。热处理前的氟化铝层含有晶质的氟化铝，但含有的晶质全部相当于第二晶质区域的晶质，不含有与第一晶质区域的晶质相当的晶质。
其中，如果在氟气气氛等气氛中实施热处理，则在基材与氟化铝层之间形成氟化镁层，并且在氟化铝层中形成第一晶质区域，成为第一晶质区域和第二晶质区域在氟化铝层共存的状态。
热处理时的保持温度优选为200℃以上且500℃以下，更优选为300℃以上且475℃以下，进一步优选为350℃以上且450℃以下。如果热处理时的保持温度为200℃以上，则容易形成氟化镁层。另外，在氟化铝层中容易形成第一晶质区域。如果热处理时的保持温度为500℃以下，则难以在氟化铝层中产生裂纹。
热处理时的保持时间优选为1小时以上且250小时以下，更优选为3小时以上且150小时以下，进一步优选为5小时以上且100小时以下。如果热处理时的保持时间为1小时以上，则容易形成氟化镁层。并且，容易在氟化铝层中形成第一晶质区域。如果热处理时的保持时间为250小时以下，则生产性容易变良好。
实施例
以下，示出实施例和比较例，更具体地说明本发明。
[实施例1]
首先，对基材进行预处理，然后进行真空蒸镀，在基材的表面上形成氟化铝层。然后，通过进行热处理，在基材与氟化铝层之间形成氟化镁层，并且在氟化铝层形成第一晶质区域，得到耐蚀性构件。
构成基材的金属是含有2.55质量％镁的铝合金A5052。另外，基材是长50mm、宽30mm、厚3mm的板状。
对基材的预处理如下地进行。首先，将含有硼酸钠、碳酸盐、磷酸盐、表面活性剂的碱性脱脂液即U Cleaner UA68(UクリーナーUA68、上村工业株式会社制)50g溶解在1L水中，将温度设为50℃得到脱脂液，在该脱脂液中使基材浸渍10分钟，进行脱脂，用纯水洗涤。
接着，将500g的S-Clean AL-5000(佐佐木化学药品株式会社制)加热到70℃后将其作为蚀刻液，在该蚀刻液中使上述脱脂后的基材浸渍1分钟，进行蚀刻，用纯水洗涤。
然后，将200g含有硝酸的Smut Clean(RAIKI株式会社制)溶解在400g水中，将温度设为25℃得到污物除去液，在该污物除去液中使上述蚀刻后的基材浸渍30秒钟，除去污物，用纯水洗涤。然后，将除去了污物的上述基材真空干燥，完成预处理。
形成氟化铝层时的真空蒸镀条件如下。首先，将实施了预处理的基材设置在真空腔室内，然后将真空腔室内排气直到真空度达到3×10-4Pa。使用氟化铝烧结体材料作为蒸镀材料，对该烧结体材料照射电子束，打开快门，在实施了预处理的基材上形成厚度1.1μm的氟化铝层。此时的电子束的投入功率在5kV的加速电压下为40mA左右，蒸镀时的真空度为7×10-4Pa，处理时间为120秒。该氟化铝层不具有第一晶质区域，仅具有第二晶质区域。
热处理条件如下。将形成有氟化铝层的基材在20体积％的氟气和80体积％的氮气的混合气体气氛中加热至450℃，实施50小时热处理。通过该热处理，在基材与氟化铝层之间形成厚度0.5μm的氟化镁层，并且在氟化铝层形成第一晶质区域，氟化铝层成为第一晶质区域和第二晶质区域共存的状态。氟化铝层的厚度在热处理后仍为1.1μm。另外，第一晶质区域的厚度(层叠方向的长度)相对于氟化铝层的厚度的比率为60％。
采用能量色散型X射线分析分析了形成的氟化镁层和氟化铝层中存在的镁、铝等各元素。详细而言，对于用离子切片机加工成40nm以上且100nm以下的厚度的样品，在200kV的加速电压下进行各层的点分析，分析了镁、铝等各元素。
采用电子束衍射法确认了在氟化铝层中存在第一晶质区域和第二晶质区域。详细而言，对用离子切片机加工成40nm以上且100nm以下的厚度的样品，照射束径10nm以上且20nm以下的电子束，通过TEM得到电子束衍射像。图3～7分别表示第一晶质区域、第二晶质区域的电子束衍射像。
图3所示电子束衍射像是对图2的耐蚀性构件具有的氟化铝层32的A部分照射上述电子束而得到的电子束衍射像，该A部分是对于氟化铝层32的厚度从基材10侧起13％的厚度所对应的层叠方向位置的部分。图4～7所示电子束衍射像是对图2的耐蚀性构件具有的氟化铝层32的B部分～E部分照射上述电子束而得到的电子束衍射像，与A部分的情况同样地，B部分是29％、C部分是44％、D部分是72％、E部分是92％的厚度所对应的层叠方向位置的部分。
对得到的实施例1的耐蚀性构件进行加热试验，评价耐蚀性被膜的剥离状态。加热试验的条件是，以在氮气气氛中在350℃下保持300分钟后自然冷却至室温的工序为1个循环，将其进行10个循环。
加热试验结束后，用扫描型电子显微镜观察耐蚀性构件的耐蚀性被膜，评价剥离的程度。将结果示于表1。在表1中，在耐蚀性被膜中剥离的部分的面积小于耐蚀性被膜面积的1％的情况用“SA”表示，在1％以上且低于5％的情况用“A”表示，在5％以上且低于30％的情况用“B”表示，在30％以上的情况用“C”表示。
[实施例2]
将构成基材的金属设为含有1.02质量％镁的铝合金A6061，除此以外，与实施例1同样地制造耐蚀性构件并进行评价。将结果示于表1。
[实施例3]
将在实施了预处理的基材上形成氟化铝层时的真空蒸镀的处理时间设为70分钟，除此以外，与实施例1同样地制造耐蚀性构件并进行评价。将结果示于表1。
[实施例4]
将在实施了预处理的基材上形成氟化铝层时的真空蒸镀的处理时间设为45秒，除此以外，与实施例1同样地制造耐蚀性构件并进行评价。将结果示于表1。
[实施例5]
将热处理的条件设为保持温度470℃、且保持时间200小时，除此以外，与实施例1同样地制造耐蚀性构件并进行评价。将结果示于表1。
[实施例6]
将热处理的条件设为保持温度400℃、且保持时间20小时，除此以外，与实施例1同样地制造耐蚀性构件并进行评价。将结果示于表1。
[比较例1]
如后所述地改变在实施了预处理的基材上形成氟化铝层时的真空蒸镀的条件，并且在基材的表面上形成氟化铝层后不进行热处理，除此以外，与实施例1同样地制造耐蚀性构件并进行评价。将结果示于表1。
由于未进行热处理，所以比较例1的耐蚀性构件不具有氟化镁层。并且，由于未进行热处理，所以比较例1的耐蚀性构件在氟化铝层中不具有第一晶质区域，氟化铝层仅由第二晶质区域构成。
比较例1中的真空蒸镀条件如下。首先，将实施了预处理的基材设置在真空腔室内，然后将真空腔室内排气直到真空度达到2×10-4Pa。然后，将实施了预处理的基材加热到400℃。使用氟化铝烧结体材料作为蒸镀材料，对该烧结体材料照射电子束，打开快门，在实施了预处理的基材上形成厚度1.1μm的氟化铝层。此时的电子束的投入功率在5kV的加速电压下为40mA左右，蒸镀时的真空度为5×10-4Pa，处理时间为120秒。
[比较例2]
首先，对基材进行预处理，然后，如后所述地进行真空蒸镀，在基材的表面上形成氟化镁层，再进行真空蒸镀，在氟化镁层上形成氟化铝层，得到耐蚀性构件。构成基材的金属的种类和对基材的预处理的内容与实施例1相同。
形成氟化镁层时的真空蒸镀条件如下。首先，将实施了预处理的基材设置在真空腔室内，然后将真空腔室内排气直到真空度达到2×10-4Pa。然后，将实施了预处理的基材加热到380℃。使用氟化镁烧结体材料作为蒸镀材料，对该烧结体材料照射电子束，打开快门，在实施了预处理的基材上形成厚度0.5μm的氟化镁层。此时的电子束的投入功率在5kV的加速电压下为40mA左右，蒸镀时的真空度为5×10-4Pa。
形成氟化铝层时的真空蒸镀条件如下。首先，将形成有氟化镁层的基材设置在真空腔室内，然后将真空腔室内排气直到真空度达到2×10-4Pa。然后，将形成有氟化镁层的基材加热到400℃。使用氟化铝烧结体材料作为蒸镀材料，对该烧结体材料照射电子束，打开快门，在加热到400℃的基材的氟化镁层上形成厚度1.1μm的氟化铝层。此时的电子束的投入功率在5kV的加速电压下为40mA左右，蒸镀时的真空度为5×10-4Pa。
得到的比较例2的耐蚀性构件在氟化铝层不具有第一晶质区域，氟化铝层仅由第二晶质区域构成。对得到的比较例2的耐蚀性构件进行与实施例1同样的评价。将结果示于表1。
[比较例3]
将构成基材的金属设为含有1.02质量％镁的铝合金A6061，除此以外，与比较例1同样地制造耐蚀性构件并进行评价。将结果示于表1。
[比较例4]
将构成基材的金属设为含有1.02质量％镁的铝合金A6061，除此以外，与比较例2同样地制造耐蚀性构件并进行评价。将结果示于表1。
由表1可知，实施例1～6的耐蚀性构件即使经受加热试验带来的热履历，耐蚀性被膜也基本上不剥离。
与此相对，在氟化铝层不具有第一晶质区域的比较例2、4的耐蚀性构件，由于反复升温和降温的加热试验而产生耐蚀性被膜的剥离。另外，在氟化铝层不具有第一晶质区域且也不具有氟化镁层的比较例1、3的耐蚀性构件，由于反复升温和降温的加热试验而产生耐蚀性被膜的剥离，且剥离程度大于比较例2、4的耐蚀性构件。
附图标记说明
10…基材
30…耐蚀性被膜
31…氟化镁层
32…氟化铝层
32A…第一晶质区域
32B...第二晶质区域
Claims (5)
1.一种耐蚀性构件，具备金属制的基材和形成于所述基材的表面的耐蚀性被膜，
所述耐蚀性被膜是从所述基材侧起依次层叠含有氟化镁的氟化镁层和含有氟化铝的氟化铝层而得到的，
所述氟化铝层具有所含有的氟化铝为晶质的第一晶质区域和第二晶质区域，
所述第一晶质区域是在通过照射束径为10nm以上且20nm以下的电子束而得到的电子束衍射像中观测到具有规则性的成列衍射斑的区域，
所述第二晶质区域是在通过照射所述电子束而得到的电子束衍射像中观测到多个衍射斑，但未观测到具有规则性的成列衍射斑的区域。
2.根据权利要求1所述的耐蚀性构件，
所述第一晶质区域与所述氟化镁层邻接或接近地配置。
3.根据权利要求1或2所述的耐蚀性构件，
所述金属制的基材为铝制或铝合金制。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的耐蚀性构件，
所述氟化镁层的厚度为0.1μm以上且20μm以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的耐蚀性构件，
所述氟化铝层的厚度为0.2μm以上且50μm以下。
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