TW202202273A

TW202202273A - 單面研磨裝置及單面研磨方法，以及研磨墊

Info

Publication number: TW202202273A
Application number: TW110119597A
Authority: TW
Inventors: 上野淳一; 石井薫
Original assignee: 日商信越半導體股份有限公司
Priority date: 2020-07-13
Filing date: 2021-05-31
Publication date: 2022-01-16
Also published as: KR20230037506A; US20230330804A1; CN115720542A; JP2022017062A; WO2022014167A1; JP7156341B2; EP4180178A1

Abstract

本發明係關於一種單面研磨裝置，包括：具有真空吸附用的溝槽之底部平台、以真空吸附固定之可拆裝的研磨平台、研磨墊、及固持晶圓之研磨頭，並使固持於研磨頭的晶圓的表面滑接於研磨墊而進行研磨，研磨墊係依序將研磨晶圓的表面之研磨層、第一黏接層、PET片層、第二黏接層、彈性層、用以貼附於研磨平台之第三黏接層加以疊層而成，且研磨墊的壓縮率為16%以上。藉此提供一種單面研磨裝置，其於晶圓的單面研磨(特別是使用真空吸附式的可拆裝之研磨平台的單面研磨)中，可抑制於研磨後晶圓的NT品質惡化。

Description

單面研磨裝置及單面研磨方法，以及研磨墊

本發明係關於單面研磨裝置及單面研磨方法、以及研磨墊，特別係關於可抑制研磨後的晶圓的奈米形貌(Nanotopography：以下亦稱為NT)的惡化之單面研磨裝置及單面研磨方法、以及研磨墊。

於半導體晶圓的研磨中所使用的單面研磨(CMP)(例如專利文獻1)中，顧慮到研磨墊更換的整備研磨所導致的裝置運轉率下降，而實施在與加工裝置(研磨裝置)不同的另一裝置進行研磨墊的整備，並將整個平台更換至裝置之方法。拆裝此平台的方式，係採用以真空吸附將可對裝置的底部平台(例如陶瓷製)上進行拆裝的研磨平台(以下，亦稱可拆裝平台)加以固定的方式。真空吸附方式，係於底部平台側形成同心圓狀或放射狀的溝路，並將可拆裝平台放置於該溝槽上而加以真空吸附。已知採用此真空吸附方式的問題在於，於可拆裝平台的厚度為20mm以下時會產生因真空吸附所引起的變形。目前，可拆裝平台適用於平台厚度為20mm以上30mm以下者。

此時，對於可拆裝平台，以硬度(ASKER-C)60、壓縮率18%、厚度1.3mm的研磨墊(不織布類型)，於加工原料的NT品質水準為NT(SQMM)_2mm為6nm、NT(SQMM)_10mm為13nm程度，在平台真空吸附時的影響上，無發生問題。近年來，為了抑制於研磨墊表層的蠕變變形以提升平坦度品質，期望研磨墊的硬質化，而以厚度0.8mm以下、硬度(ASKER-C)63、壓縮率12%的條件下實施，又，在其他製程的NT品質的改善上雖有所進展，但供給至單面研磨的原料的NT品質於NT(SQMM)_2mm為3.5nm以下、NT(SQMM)_10mm為12.0nm以下時則變差。於如此的情形下，研磨後的晶圓的NT的惡化變明顯。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平11-277408號公報

[發明欲解決之課題]

由於上述的研磨墊的硬質化或研磨加工前的原料(晶圓)的NT品質的提升，晶圓研磨面的凹凸會被轉印至晶圓表面，而產生NT惡化的問題。亦即，可拆裝平台以仿照底部平台的溝槽方式產生變形，而可拆裝平台的變形微弱地影響研磨墊表層，但此變形被轉印至晶圓表面，而於表面的NT品質已提升的晶圓中，此影響力會變強。例如，藉由對上述NT品質者進行研磨加工，相較於研磨前，研磨後的NT惡化了1～2nm左右。如此，近年來，隨著NT改善的進展，有時會有投入於SQMM模式2mm時為3.5nm以下，於10mm時為12.0nm以下之品質水準不佳的原料，而容易發現晶圓表面的凹凸轉印。

本發明有鑑於上述問題點而成，其目的在於提供於晶圓的單面研磨(特別是使用真空吸附式的可拆裝的研磨平台之單面研磨)中，可抑制研磨後晶圓的NT品質惡化之單面研磨裝置及單面研磨方法、以及研磨墊。 [解決課題之手段]

為了達成上述目的，本發明提供一種單面研磨裝置，包括：底部平台，於頂面具有真空吸附用的溝槽；可拆裝之研磨平台，以真空吸附固定於該底部平台的頂面；研磨墊，貼附於該研磨平台；及研磨頭，固持晶圓；使固持於該研磨頭的該晶圓的表面滑接於該研磨墊而進行研磨，其特徵為：該研磨墊係依序將研磨該晶圓的表面之研磨層、第一黏接層、PET片層、第二黏接層、彈性層、及用以貼附於該研磨平台之第三黏接層加以疊層而成；該研磨墊的壓縮率為16%以上。

如此，特別是若為設置PET片層及彈性層、且研磨墊整體的壓縮率為16%以上的研磨墊，則即使於因真空吸附而使研磨平台或研磨墊以仿照底部平台的真空吸附用的溝槽的方式而微弱變形的狀態，可藉由研磨墊的彈性層吸收該變形，於PET片層維持平坦的基準面(研磨墊中之與晶圓相接的研磨加工面)，而能消除研磨墊的凹凸。藉由將研磨墊的研磨加工面的凹凸加以消除，可抑制以往因真空吸附用的溝槽所引起之研磨後的晶圓的NT惡化。

此時，該彈性層包括：PET基材、及於該PET基材上聚矽氧樹脂進行熱交聯而成之聚矽氧片材，該PET基材位於該第二黏接層側，該聚矽氧片材位於該第三黏接層側，該聚矽氧片材可設為厚度為30μm以上500μm以下。

若彈性層為上述材質，則可更有效地吸收因上述的真空吸附用的溝槽所引起的變形。又，若聚矽氧片材的厚度為30μm以上，則可設為聚矽氧片材的厚度不均度較小者。又，若為500μm以下，則可抑制聚矽氧片材的平坦度(特別是外周部)惡化。如此若為上述數值範圍內，則在厚度不均度或平坦度的方面較佳，而可抑制對晶圓研磨造成不良影響。

又，該PET片層可設為厚度為100μm以上350μm以下者。

如此若PET片層的厚度為100μm以上，則可更有效地維持平坦的基準面。又，若為350μm以下，則可以1片PET製的薄片而簡便地形成此層。

又，本發明提供一種單面研磨方法，該方法使用單面研磨裝置，使固持於研磨頭的晶圓的表面，滑接於研磨墊而進行研磨，該單面研磨裝置使用包括：底部平台；研磨平台、以真空吸附固定於該底部平台；該研磨墊，貼附於該研磨平台；及該研磨頭，用以固持該晶圓；該方法的特徵為：該單面研磨裝置，係使用上述本發明的單面研磨裝置而進行研磨。

若為如此的單面研磨方法，可藉由研磨墊的彈性層吸收因上述之真空吸附用的溝槽所引起的變形，並以PET片層維持平坦的基準面，可於消除研磨墊的凹凸的同時進行研磨。結果，可消除研磨墊的研磨加工面的凹凸，而抑制研磨後的晶圓的NT惡化。

又，本發明提供一種研磨墊，其貼附於單面研磨裝置的研磨平台，用以研磨晶圓的表面，該研磨墊係依序將研磨該晶圓的表面的研磨層、第一黏接層、PET片層、第二黏接層、彈性層、及用以貼附於該研磨平台的第三黏接層加以疊層而成，該研磨墊的壓縮率為16%以上。

如此的研磨墊，特別於貼附於可拆裝之研磨平台而研磨晶圓的情形時極為有效，該可拆裝之研磨平台係以真空吸附固定於底部平台之具有真空吸附用的溝槽的頂面。藉此，而成為可抑制因真空吸附用的溝槽所引起之研磨後的晶圓的NT惡化的研磨墊。 [發明效果]

如上所述，若為本發明的單面研磨裝置及單面研磨方法、以及研磨墊，則於晶圓的單面研磨中，可抑制研磨後晶圓的NT品質惡化。

如上所述，於使用真空吸附方式的可拆裝之研磨平台而進行單面研磨的情形時，因底部平台的真空吸附用的溝槽而於研磨平台或研磨墊產生變形。近年來伴隨晶圓表面的NT品質的提升，此變形對於NT品質的影響力變大。是故，本案眾發明人於精心研究下得到下述結果，而完成本發明：若貼附於研磨平台的研磨墊，係依序將研磨層、第一黏接層、PET片層、第二黏接層、彈性層、及用以貼附於研磨平台的第三黏接層加以疊層而成，且此研磨墊的壓縮率為16%以上，則可利用彈性層吸收因上述真空吸附用的溝槽所引起的變形，並可藉由PET片層維持平坦的研磨加工面，而能消除研磨墊的凹凸，可防止研磨後的晶圓的NT品質的惡化。

以下，針對本發明參考圖式說明實施形態，但本發明不限於此。圖1係本發明的單面研磨裝置的一例的概略圖。又，晶圓的研磨製程，例如由一次研磨製程(雙面研磨裝置)、二次研磨製程(單面研磨裝置：不織布類型的研磨墊)、精研磨製程(單面研磨裝置：麂皮類型的研磨墊)所構成，本發明的單面研磨裝置宜使用於二次研磨製程。但是，不限於此研磨製程。而且，如圖1所示，此單面研磨裝置1包括：底部平台3，於頂面具有真空吸附用的溝槽2；可拆裝的研磨平台4(例如厚度為30mm以下)，以真空吸附固定於該底部平台3的頂面；本發明的研磨墊5，貼附於該研磨平台4；研磨頭6，用以固持晶圓W；及噴嘴7，將研漿供給至研磨墊5上。底部平台3，可透過溝槽2將研磨平台4真空吸附於其頂面。又，底部平台3可旋轉，能與被真空吸附的研磨平台4成一體而旋轉。又，研磨頭6，係用以於研磨時固持晶圓W並使晶圓W的表面滑接於研磨墊5而進行研磨。底部平台3、研磨平台4、研磨頭6及噴嘴7本身無特別限定，例如可使用與習知相同者。

又，圖2係底部平台3的真空吸附用的溝槽2的一例的俯視圖。於圖2之例中，係將複數之同心圓狀的複數溝槽和延伸成放射狀的複數溝槽加以組合而形成。但不限於此，亦可僅設為同心圓狀的複數溝槽、或僅設為延伸成放射狀的複數溝槽，或亦可設為其他別的形狀的溝槽。條數或深度亦無特別限定，只要可適當地將研磨平台4加以真空吸附者即可。

圖3係本發明的研磨墊5的一例。又，為了使層的位置關係易於了解，將平台(底部平台3和研磨平台4)一併示於圖中。研磨墊5係從其表面側(係研磨加工面，且與研磨對象的晶圓W相接之側)往研磨平台4側，依序由研磨層8、第一黏接層9、PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)片層10、第二黏接層11、彈性層12及第三黏接層13所構成。研磨層8只要能研磨晶圓W即可，並無特別限定，例如可使用由不織布所構成者。作為材質，例舉如綿、麻、絹、毛等的天然纖維、或嫘縈、銅銨、萊賽爾、醋酸、三醋酸、聚酯、尼龍、壓克力、維尼綸、聚丙烯、聚氨酯、聚苯硫醚等的化學纖維等。最好係為使尼龍纖維浸滲聚氨酯而成的不織布，可藉由打磨(buffing)將厚度設為0.8～1.5mm左右。

作為第一黏接層9、第二黏接層11、第三黏接層13，只要能將各上下層或平台彼此黏接並固定者即可，並無特別限定，例如可設為由材質為天然橡膠系或丙烯酸系所構成者。第一黏接層9、第二黏接層11、第三黏接層13的厚度，可各自設為30～50μm、30～50μm、10～30μm左右。

又，PET片層10可為例如市售之材質為PET的片狀者，其厚度無特別限定，可設為例如100μm以上350μm以下。若為100μm以上，則可更有效地維持平坦的研磨加工面。又，亦可將複數片的薄片重疊構成而形成厚的PET片層10，但由於只要有350μm左右的厚度則能充分維持研磨加工面的平坦性，且若為此厚度則以1片的薄片即足夠故為簡便。最好可設為188±10%(170μm～207μm)左右的厚度。又，其厚度不均度並無特別限定，例如可設為2～8%左右的範圍。厚度不均度越小，則越有利於維持研磨加工面的平坦性。

又，彈性層12只要是容易吸收因真空吸附用的溝槽2所引起的變形的彈性體即可，並無特別限定，最好可設為具有PET基材14、及於其表面聚矽氧樹脂進行熱交聯而成的聚矽氧片材15者。PET基材14位於第二黏接層11側，而聚矽氧片材15位於第三黏接層13側。作為一例，可設為聚矽氧片材15(厚度為30μm～500μm)，其係於25μm的厚度的PET基材14塗佈含有由聚有機矽氧烷所構成的聚矽氧樹脂(分子量5000～30000)的塗覆液，再以150℃進行煅燒並使交聯而成。若為如此材質者，則可更有效地容易吸收因溝槽2所引起的變形。又，聚矽氧片材15的厚度若為30μm以上，則容易準備其厚度不均度較小者。而若為500μm以下，由於可抑制其平坦度(特別是外周部)惡化，故更佳。於上述例中，係以使聚矽氧樹脂熱交聯而成者為例，但亦可為聚矽氧海綿等。

接著，特別是包括PET片層10和彈性層12之本發明的研磨墊5，係其厚度方向中之整體壓縮率為16%以上者。壓縮率的上限值並無特別限定，若為例如30%則足夠。若考量研磨時的研磨加工面的平坦性的維持，將該程度設為上限值則更佳。壓縮率若小於16%，則無法充分吸收研磨時因溝槽2所引起的變形，而於研磨墊的表面產生凹凸，使得研磨後的晶圓的NT品質惡化。另一方面，若為本發明的研磨墊5，則可有效地吸收上述變形且能維持表面的平坦性而抑制凹凸，可防止研磨後的晶圓的NT品質的惡化。

例如，如圖8所示之習知品的情形時，該研磨墊105，係於真空吸附於底部平台103(真空吸附用的溝槽102)的研磨平台104上，將研磨層108(0.8mm)、第一黏接層109(40μm)、PET片層110(25μm)及第二黏接層111(40μm)加以疊層而成。此習知品中，壓縮率係12%左右，如圖9所示，溝槽102所引起的變形無法由研磨墊105完全吸收，而於研磨墊表面產生凹凸。此凹凸轉印至研磨對象的晶圓的表面，而對NT品質造成不良影響。

另一方面，於圖4所示之例中，本發明的研磨墊5係由研磨層8(0.8mm)、第一黏接層9(40μm)、PET片層10(188μm)、第二黏接層11(40μm)、彈性層12(25μm的PET基材14和30μm的聚矽氧片材15)及第三黏接層13(10μm)疊層而成，壓縮率為16%。於如此之本發明品中，研磨墊5可充分吸收因溝槽2所引起的變形而維持平坦的研磨加工面，可抑制研磨後的晶圓的NT品質的惡化。

又，本發明中所謂「壓縮率」係依據JIS　L－1096而成。作為壓縮率的測定方法，首先，將3片測試片(研磨墊)重疊，施以初期負荷W0(50gf／cm² )後讀取1分鐘後的厚度T1。同時增加負荷W1(300gf／cm² )，再讀取1分鐘後的厚度T2。接著從下式求得壓縮率。又，作為厚度的測定機，係使用INTEC公司製的SE－15。

[數1]

在此，本案眾發明人針對找出「壓縮率16%」之基準所進行的實驗，加以說明。為了分派研磨墊的壓縮率，製作變更彈性層的樹脂(聚矽氧片材)厚度和PET片層的厚度的研磨墊，並對晶圓僅實施二次研磨加工且藉由WS2(KLA公司製　WaferSight2)測定加工後的NT的惡化量，調查研磨墊壓縮率和NT品質(SQMM模式：2mm／10mm)的關係。

PET片層厚度，係準備25、50、188、350μm四種等級之厚度不均度5%以下的薄片，而彈性層的聚矽氧片材厚度，係改變含有聚矽氧樹脂(分子量30000)的塗覆液的塗佈量以使成為10、30、100、500μm的厚度的方式進行煅燒並使交聯於25μm的PET基材。對於由研磨層(不織布、厚度0.8mm)＋第一黏接層(40μm)＋PET片層＋第二黏接層(40μm)＋彈性層(25μm的PET基材＋聚矽氧片材)＋第三黏接層(10μm)所構成的研磨墊，調查壓縮率，並分派成12、14、15、16、18、20%。又，於壓縮率為12%的情形時，係與圖8相同的構成，為研磨層＋第一黏接層(40μm)＋PET片層(25μm)＋第二黏接層(40μm)。將已分派壓縮率的研磨墊貼於研磨平台，對晶圓進行研磨加工後，測定NT。作為研磨加工，係使用加入膠體二氧化矽的研漿，進行直徑300mm晶圓(P－型且平面方向＜100＞、一次研磨結束後之NT(SQMM)_2mm＝3.5nm以下、NT(SQMM)_10mm＝12.0nm以下)的單面研磨。

將研磨墊的壓縮率、PET片層厚度、彈性層的樹脂(聚矽氧片材)厚度、NT惡化量(各自係3片晶圓的平均值)、NT惡化的優劣的項目，彙整於表1。又，針對NT惡化的優劣，將NT於SQMM模式為2mm時的惡化量於平均小於1.0nm、10mm時的惡化量平均小於1.4nm的情形設為合格(○)，反之，將各自為1.0nm以上、1.4nm以上設為不合格(×)。又，將研磨墊的壓縮率、NT惡化量的關係，示於圖5。●係SQMM模式為2mm時的情形，×係SQMM模式為10mm時的情形。

[表1]

壓縮率(%)	PET片層厚度(μm)	彈性層的樹脂厚度(μm)	備考	NT惡化量 (nm)	NT惡化的優劣
2mm□	10mm□
20	350	500	聚矽氧	分子量30000左右	0.41	0.99	○
18	188	100	聚矽氧	分子量30000左右	0.66	1.13	○
16	188	30	聚矽氧	分子量30000左右	0.72	1.12	○
15	50	30	聚矽氧	分子量30000左右	1.11	1.61	×
14	188	10	聚矽氧	分子量30000左右	1.18	1.50	×
12	25	無			1.44	2.09	×

確認以下傾向：壓縮率12～15%的習知品在加工前後的NT惡化量為大，而壓縮率16%以上的本發明品的惡化量為小。此係因本發明的研磨墊具有彈性層和PET片層且具有高達16%以上的壓縮率，而藉由本發明的研磨墊可吸收在將研磨平台加以真空吸附的溝槽所產生的微弱變形且可維持研磨加工面。又，於壓縮率16%、PET片層厚度100μm、彈性層的樹脂厚度30μm的情形時，亦同樣地調查NT惡化的優劣，結果為合格。基於如此的實驗，本案眾發明人得到研磨墊的壓縮率的臨界值為「16%」。

又，本發明的單面研磨方法中，使用如圖1、3所示之具有本發明的研磨墊5之本發明的單面研磨裝置1，來研磨晶圓W的表面。亦即，將研磨平台4載放於底部平台3的頂面，透過溝槽2將研磨平台4加以真空吸附並固定。事先將研磨墊5貼附於研磨平台4的頂面。另一方面，將晶圓W固持於研磨頭6。一面從噴嘴7供給研漿，一面使研磨頭6和底部平台3(及研磨平台4)各自旋轉，並使晶圓W的表面滑接於研磨墊5而進行研磨加工。如上所述，由於研磨墊5可吸收因溝槽2所引起的變形而維持研磨加工面的平坦，故能抑制研磨後的晶圓的NT的惡化。 [實施例]

以下，藉由本發明的實施例及比較例，具體說明本發明，但本發明不限於此等例。

(實施例) 使用如圖1、3所示之具有本發明的研磨墊之本發明的單面研磨裝置，進行晶圓的研磨加工。研磨墊係設為：研磨層(不織布；厚度0.8mm)＋第一黏接層(40μm)＋PET片層(188μm)＋第二黏接層(40μm)＋彈性層(25μm的PET基材＋30μm的聚矽氧片材)＋第三黏接層(10μm)的構成、且壓縮率為16%者。將研磨墊貼附於陶瓷製的可拆裝平台(研磨平台)，並於實施研磨墊的整備後以真空吸附裝設於底部平台，而進行研磨加工。研磨係使用膠體二氧化矽類型的KOH基底研磨劑(研漿)。加工原料係設為直徑300mm、P－型且平面方向＜100＞、一次研磨結束後的晶圓且NT(SQMM)_2mm＝3.5nm以下、NT(SQMM)_10mm＝12.0nm以下者。使用WaferSight2在加工前後進行NT的測定，算出研磨後的NT惡化量，並求得其平均值。

(比較例) 使用具有如圖8的習知研磨墊之習知單面研磨裝置，進行晶圓的研磨加工。研磨墊係設為：研磨層(不織布；厚度0.8mm)＋第一黏接層(40μm)＋PET片層(25μm)＋第二黏接層(40μm)的構成、且壓縮率為12%者。除此外，與實施例同樣地，進行研磨加工、加工前後的NT的測定、研磨後的NT惡化量(平均值)的計算。

將實施例及比較例中之NT(SQMM_2nm)的惡化量(加工前後的差)和其相對次數的關係示於圖6，將惡化量的平均值示於表2。又，將NT(SQMM_10nm)的情形時的關係示於圖7，將惡化量的平均值示於表3。

[表2]

NT惡化量(nm)	比較例	實施例
Ave	1.122	0.723
Max	1.18	0.90
Min	1.04	0.55
s	0.049	0.127

[表3]

NT惡化量(nm)	比較例	實施例
Ave	1.463	1.284
Max	1.84	1.57
Min	1.24	0.95
s	0.235	0.244

從NT惡化量的比較可知，與以習知品的研磨墊(單面研磨裝置)進行加工時相比，以本發明的研磨墊(單面研磨裝置)進行加工時其NT的惡化量較小。NT(SQMM_2nm)的惡化量(平均)中，本發明的情形時為小於1.0nm亦即0.7nm左右，相對於此，於習知品時，則為1.0nm以上。又，NT(SQMM_10nm)的惡化量(平均)中，本發明的情形時為小於1.4nm亦即1.3nm左右，相對於此，於習知品時，則為1.4nm以上。可知即使於如此加工前的NT水準為良好的狀態且為容易產生因溝槽所引起的變形的原料(晶圓)，亦能抑制NT品質的惡化，而維持接近與加工前為同等水準的狀態。

又，本發明不限於上述實施形態。上述實施形態僅為例示，只要具有與本發明的專利申請範圍所記載的技術的思想具有實質相同的構成，並能達到相同作用效果者，皆包含於本發明的技術範圍。

1:單面研磨裝置 2:溝槽 3:底部平台 4:研磨平台 5:研磨墊 6:研磨頭 7:噴嘴 8:研磨層 9:第一黏接層 10:PET片層 11:第二黏接層 12:彈性層 13:第三黏接層 14:PET基材 15:聚矽氧片材 102:溝槽 103:底部平台 104:研磨平台 105:研磨墊 108:研磨層 109:第一黏接層 110:PET片層 111:第二黏接層 W:晶圓

[圖1]本發明的單面研磨裝置的一例的概略圖。 [圖2]底部平台的真空吸附用的溝槽的一例的俯視圖。 [圖3]本發明的研磨墊的一例的概略圖。 [圖4]]本發明的研磨墊中之將因真空吸附用的溝槽所引起的變形加以吸收而維持平坦的研磨加工面的模樣的一例的說明圖。 [圖5]實驗中之研磨墊的壓縮率和NT惡化量的關係圖。 [圖6]實施例及比較例中之NT(SQMM_2nm)的惡化量(加工前後的差)和其相對次數的關係圖。 [圖7]實施例及比較例中之NT(SQMM_10nm)的惡化量(加工前後的差)和其相對次數的關係圖。 [圖8]習知的研磨墊的一例的概略圖。 [圖9]習知品中之因真空吸附用的溝槽引起研磨墊變形並於研磨加工面產生凹凸的模樣的一例的說明圖。

1:單面研磨裝置

2:溝槽

3:底部平台

4:研磨平台

5:研磨墊

6:研磨頭

7:噴嘴

W:晶圓

Claims

一種單面研磨裝置，包括：底部平台，於頂面具有真空吸附用的溝槽；可拆裝之研磨平台，以真空吸附固定於該底部平台的頂面；研磨墊，貼附於該研磨平台；及研磨頭，固持晶圓；使固持於該研磨頭的該晶圓的表面滑接於該研磨墊而進行研磨，其中：該研磨墊，係依序將研磨該晶圓的表面之研磨層、第一黏接層、PET片層、第二黏接層、彈性層、及用以貼附於該研磨平台之第三黏接層加以疊層而成；該研磨墊的壓縮率為16%以上。
如請求項1之單面研磨裝置，其中，該彈性層包括：PET基材、及在該PET基材上由聚矽氧樹脂進行熱交聯而成之聚矽氧片材，該PET基材位於該第二黏接層側，該聚矽氧片材位於該第三黏接層側，該聚矽氧片材的厚度為30μm以上500μm以下。
如請求項1或2之單面研磨裝置，其中，該PET片層的厚度為100μm以上350μm以下。
一種單面研磨方法，使用單面研磨裝置而進行研磨，該單面研磨裝置包括：底部平台；研磨平台，以真空吸附固定於該底部平台；研磨墊，貼附於該研磨平台；及研磨頭，固持該晶圓；該單面研磨方法，使用該單面研磨裝置，使固持於該研磨頭之晶圓的表面滑接於該研磨墊而進行研磨；該單面研磨方法的特徵為：使用如請求項1至3中任一項的單面研磨裝置作為該單面研磨裝置而進行研磨。
一種研磨墊，貼附於單面研磨裝置的研磨平台，用以研磨晶圓的表面；該研磨墊，係依序將研磨該晶圓的表面之研磨層、第一黏接層、PET片層、第二黏接層、彈性層、及用以貼附於該研磨平台之第三黏接層加以疊層而成，該研磨墊的壓縮率為16%以上。