TW202147423A - 雙面研磨方法 - Google Patents

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Abstract

本發明為一種雙面研磨方法，在具有平台中心之旋轉平台的上平台與下平台之間設置複數片載片，使複數片載片各自固持一片以上的晶圓，藉由壓送方式供給研漿並將晶圓之雙面予以研磨；其特徵在於，該雙面研磨方法中，使固持於複數片載片的晶圓之配置為：從複數片載片選擇基準載片；以平台中心為角度中心，使和平台中心及基準載片一同構成的角α成為最大之一片或二片載片，作為對稱載片；使配置於基準載片的晶圓之平均厚度Aμm與配置於對稱載片的晶圓之平均厚度Bμm的差成為1.0μm以下，而施行晶圓之雙面研磨。藉此，提供一種研漿壓送方式之雙面研磨方法，其可提供使雙面研磨後的平坦度之差異減小的晶圓群。

Description

雙面研磨方法
本發明係關於一種雙面研磨方法。
作為雙面研磨中之研漿的代表性供給方法之一種，具有經由旋轉接頭施加壓力並將研漿送往研磨面之壓送方式。
壓送方式之情況，例如如圖6所示，若來自旋轉平台10之研漿供給孔6a的研漿流量，較來自研漿供給孔6b的研漿流量更大，則上平台1a之研漿供給孔6a設置側浮起，在該部分之對於晶圓20a的研磨壓力變小。另一方面，上平台1a，將平台中心5作為中心以可旋轉的方式配置於下平台2，因而若研漿供給孔6a設置側浮起，則全體傾斜。因此，上平台1a之研漿供給孔6b設置側往下方位移，在該部分之對於晶圓20b的研磨壓力變大。其等之結果，在晶圓20a與晶圓20b之間產生研磨強度的差，使晶圓20a凸起，另一方面，使晶圓20b凹入，因此，在雙面研磨之晶圓群的平坦度產生差異。
對於此等問題，例如在專利文獻1中提出：於壓送方式中，均一地固持來自平台所具備之供給孔的研漿流量分布。
此外，於專利文獻2揭露一種非公轉式之雙面研磨方法，可減小研磨後之晶圓的厚度差異。
而於專利文獻3揭露一種之雙面同時研磨裝置，其具備為了將加工物在雙面中以全表面均一之相等的研磨效率研磨，而使第1與第2研磨平台之旋轉軸心的位置不同，並使夾持於兩者之間的平板狀加工物之旋轉軸心的位置往相同方向旋轉之機構。 ［習知技術文獻］ ［專利文獻］
專利文獻1：日本特開第2019－136837號公報 專利文獻2：日本特開第2012－143839號公報 專利文獻3：日本特公平第8－9140號公報
［本發明所欲解決的問題］
過去之策略中，如專利文獻1所揭露之方法，特別可將在壓送方式中加工之晶圓群的平坦度之差異減小。然而，本發明人，在用心研究之過程中得知，即便為此等方法，仍有雙面研磨後之晶圓群的平坦度產生差異之情形。
例如，得知即便為使來自研漿供給孔的研漿流量分布均一化之狀態，若投入之晶圓的厚度分布存在巨大的偏差，則壓送之浮力產生差別，使平台之傾斜顯著化，致使雙面研磨後的平坦度差異增大。參考圖7，並說明具體例。圖7係依據專利文獻1揭露的方法將晶圓20a及20b雙面研磨所用的一例之雙面研磨裝置100的概略剖面圖。圖7所示之例子中，配置於研漿供給孔6a側之晶圓20a的厚度，遠大於配置在研漿供給孔6b側之晶圓20b的厚度。此等情況，若從研漿供給孔6a及6b以相同的流量壓送研漿，則在研漿供給孔6a側因晶圓20a的厚度而使研漿之流動停滯阻塞，成為高壓。另一方面，在研漿供給孔6b側，壓送出的研漿容易流動，成為低壓。此一結果，上平台1a中之研漿供給孔6a側的部分，受到較研漿供給孔6b側的部分更大之浮力而浮起。此一結果，如同虛線所示，上平台1a本體傾斜。若在此一狀態下持續施行研磨，則來自上平台1a之研磨強度，在研漿供給孔6a側與研漿供給孔6b側改變。其等之結果，在雙面研磨後之晶圓群的平坦度產生差異。
為了解決上述問題，本發明之目的在於提供一種研漿壓送方式之雙面研磨方法，其可提供使雙面研磨後的平坦度之差異減小的晶圓群。 ［解決問題之技術手段］
為了解決上述問題，本發明提供一種雙面研磨方法，在具有平台中心之旋轉平台的上平台與下平台之間設置複數片載片，使該複數片載片各自固持一片以上的晶圓，一面以壓送方式供給研漿一面研磨該晶圓之雙面，其特徵在於，該雙面研磨方法中： 使固持於該複數片載片的該晶圓之配置為： 從該複數片載片選擇基準載片； 以該平台中心為角度中心，使和該平台中心與該基準載片一同構成的角α成為最大之一片或二片載片，作為對稱載片； 使配置於該基準載片的晶圓之平均厚度Aμm與配置於該對稱載片的晶圓之平均厚度Bμm的差成為1.0μm以下，而施行該晶圓之雙面研磨。 特別是，本發明提供一種雙面研磨方法，在具有平台中心之旋轉平台的上平台與下平台之間設置複數片載片，使該複數片載片各自固持一片以上的晶圓，一面以壓送方式供給研漿一面研磨該晶圓之雙面，其特徵在於，該雙面研磨方法中： 準備包含厚度彼此不同的至少一組晶圓之複數片晶圓； 將該複數片晶圓從厚度大的順序排列，給予編號； 使固持於該複數片載片的該晶圓之配置為： 從該複數片載片選擇基準載片； 以該平台中心為角度中心，使和該平台中心與該基準載片一同構成的角α成為最大之一片或二片載片，作為對稱載片； 使配置於該基準載片的晶圓之平均厚度Aμm與配置於該對稱載片的晶圓之平均厚度Bμm的差成為1.0μm以下，而施行該晶圓之雙面研磨； 於該晶圓之配置中， 將該複數片晶圓，以使該平均厚度Aμm與該平均厚度Bμm的差成為1.0μm以下之方式，從第1號晶圓起依序配置於該複數片載片，然則，將因配置而使該平均厚度Aμm與該平均厚度Bμm的差超過1.0μm之晶圓推遲配置。
若依此等本發明之雙面研磨方法，則可防止因研漿的壓送而使平台傾斜之情形並進行晶圓之雙面研磨，此一結果，可提供使雙面研磨後的平坦度之差異減小的晶圓群。
宜使該複數片載片為4片以上，將該4片以上的載片，沿著以該平台中心為中心的圓而等間隔地設置。
藉由如此地設置載片，可進一步有效地防止因研漿的壓送而使平台傾斜之情形。
更宜經由旋轉接頭壓送該研漿，並施行該晶圓之雙面研磨；使壓送之該研漿的總流量為4l／min以上。
藉由如此地壓送研漿，可更有效地利用研漿所產生的潤滑作用，可防止研磨面發生異常發熱。 ［本發明之效果］
如同上述，依本發明之雙面研磨方法，則可提供使雙面研磨後的平坦度之差異減小的晶圓群。
如同上述，要求開發可提供使雙面研磨後的平坦度之差異減小的晶圓群之雙面研磨方法。
本案發明人等，針對上述問題屢次用心檢討之結果，發現藉由將晶圓依照一定的法則備製於載片，而可抑制平台之傾斜並進行雙面研磨，進而完成本發明。
亦即，本發明為一種雙面研磨方法，在具有平台中心之旋轉平台的上平台與下平台之間設置複數片載片，使該複數片載片各自固持一片以上的晶圓，一面以壓送方式供給研漿一面研磨該晶圓之雙面，其特徵在於，該雙面研磨方法中： 使固持於該複數片載片之該晶圓的配置為： 從該複數片載片選擇基準載片； 以該平台中心為角度中心，使和該平台中心與該基準載片一同構成的角α成為最大之一片或二片載片，作為對稱載片； 使配置於該基準載片的晶圓之平均厚度Aμm與配置於該對稱載片的晶圓之平均厚度Bμm的差成為1.0μm以下，而施行該晶圓之雙面研磨。 特別是，本發明為一種雙面研磨方法，在具有平台中心之旋轉平台的上平台與下平台之間設置複數片載片，使該複數片載片各自固持一片以上的晶圓，一面以壓送方式供給研漿一面研磨該晶圓之雙面，其特徵在於，該雙面研磨方法中： 準備包含厚度彼此不同的至少一組晶圓之複數片晶圓； 將該複數片晶圓從厚度大的順序排列，給予編號； 使固持於該複數片載片的該晶圓之配置為： 從該複數片載片選擇基準載片； 以該平台中心為角度中心，使和該平台中心與該基準載片一同構成的角α成為最大之一片或二片載片，作為對稱載片； 使配置於該基準載片的晶圓之平均厚度Aμm與配置於該對稱載片的晶圓之平均厚度Bμm的差成為1.0μm以下，而施行該晶圓之雙面研磨； 於該晶圓之配置中， 將該複數片晶圓，以使該平均厚度Aμm與該平均厚度Bμm的差成為1.0μm以下之方式，從第1號晶圓起依序配置於該複數片載片，然則，將因配置而使該平均厚度Aμm與該平均厚度Bμm的差超過1.0μm之晶圓推遲配置。
以下，針對本發明，參考圖式並詳細地予以說明，但本發明並未限定於此等形態。
（雙面研磨裝置） 首先，參考圖1，並說明可實施本發明之雙面研磨方法的一例之雙面研磨裝置。然而，本發明之雙面研磨方法，亦可利用圖1所示之雙面研磨裝置以外的裝置而實施。 另，在圖1，對於與圖6及圖7之雙面研磨裝置100的構件相同之構件，給予相同參考符號。
圖1所示之雙面研磨裝置100，具備旋轉平台10。 旋轉平台10，包含上平台1、及與上平台1相對向的下平台2。在上平台1的和下平台2相對向之面，貼附研磨布（墊）。同樣地，在下平台2的和上平台1相對向之面，貼附研磨布。作為研磨布，例如可使用聚胺酯發泡墊，但並未特別限定。
旋轉平台10，具有通過上平台1之中心及下平台2之中心的平台中心5。上平台1及下平台2，以該平台中心5為軸，可藉由各自連接的驅動部而自轉。
上平台1及下平台2，於其等之間界定處理空間4。於該處理空間4，設置複數片載片3。
複數片載片3，宜於平台中心5的周圍，以從平台中心5算起的距離成為相同之方式設置。另，本說明書中，從平台中心5算起的距離，係指從平台中心5至各載片3之中心為止的距離。
載片3之片數，並未特別限定。載片3之片數，例如可為2片～7片。
特別宜使複數片載片3為4片以上，將此等4片以上的載片3，沿著以平台中心5為中心的圓而等間隔地設置。如此地，藉由配置載片3，而可更確實地發揮下方詳細說明之抑制研漿壓送時平台傾斜的情形之作用。
作為複數片載片3，例如可使用金屬製之載片，但並未特別限定。
複數片載片3，各自構成為固持一片以上的晶圓20。例如，載片3，亦可具備可插入晶圓20而固持之固持孔（工作孔）。宜於固持孔的內周部，設置樹脂製的插入材。
於上平台1，設置複數個研漿供給孔6。研漿供給孔6，亦可設置於下平台2而不設置於上平台1，或亦可設置於上平台1及下平台2雙方。
研漿供給孔6，構成為將研磨用的研漿往處理空間4供給。在圖1所示之雙面研磨裝置100，可將研漿，例如經由研漿供給孔6及旋轉接頭而往處理空間4壓送，並施行晶圓20之雙面研磨。
圖1所示之雙面研磨裝置100，進一步具備：太陽齒輪7，具有沿著平台中心5配置的軸7a；以及內齒輪8，具有位於包圍下平台2的周圍之位置的基部8a。
太陽齒輪7及內齒輪8，以平台中心5為軸，可藉由各自連接的驅動部而自轉。
太陽齒輪7，進一步具備從軸7a往上方突出的卡合部7b。此外，內齒輪8，進一步具備從基部8a往上方突出的卡合部8b。太陽齒輪7的卡合部7b及內齒輪8的卡合部8b，和複數片載片3卡合。其等之卡合，可為藉由齒輪的嚙合之卡合，亦可為不經由齒輪之卡合。
複數片載片3，和太陽齒輪7及內齒輪8卡合，故可藉由太陽齒輪7及內齒輪8之自轉而旋轉。
圖1所示之雙面研磨裝置100，可驅動上平台1、下平台2、太陽齒輪7及內齒輪8，且將研漿往處理空間4壓送而供給，並施行固持於載片3的晶圓20之雙面研磨。亦即，圖1所示之雙面研磨裝置100，係具備上平台1、下平台2、太陽齒輪7及內齒輪8的各驅動部之四用（4 way）式雙面研磨裝置。
（晶圓之配置） 接著，針對本發明之雙面研磨方法中的晶圓之配置予以說明。
本發明之雙面研磨方法的特徵在於， 使固持於複數片載片的晶圓之配置為： 從複數片載片選擇基準載片； 以平台中心為角度中心，使和該平台中心與基準載片一同構成的角α成為最大之一片或二片載片，作為對稱載片； 使配置於基準載片的晶圓之平均厚度Aμm與配置於對稱載片的晶圓之平均厚度Bμm的差成為1.0μm以下，而施行晶圓之雙面研磨。
參考圖2～圖4，將此等配置顯示具體例而予以說明。
圖2所示之例子，將4片載片3a、3b、3x及3y，沿著以平台中心5為中心的圓而等間隔地設置。圖2顯示將圖1所示之旋轉平台10的上平台1卸下而從上方觀察的俯視圖。因此，圖2，顯示4片載片3a、3b、3x及3y設置於下平台2上的樣子。
首先，選擇基準載片。此處，說明在4片載片3之中，將圖2最上方所示的載片3a選擇作為基準載片之情況的例子。
接著，從除了基準載片3a以外的其他載片3b、3x及3y，求出以平台中心5為角度中心而和該平台中心5與基準載片3a一同構成的角α成為最大之對稱載片。此處，構成角α的二條直線，為通過平台中心5與基準載片3a之中心3ac的直線、及通過平台中心5與對稱載片之中心的直線。
在圖2所示之例子，以平台中心5為角度中心，平台中心5、基準載片3a之中心3ac、及圖2最下方所示的載片3b之中心3bc所構成的角α，成為最大角度180°。因此，在圖2所示之例子，最下方所示的載片3b，亦即相對於平台中心5位在和基準載片3a呈點對稱之位置的載片3b，相當於對稱載片。
在如此地選出的基準載片3a與對稱載片3b，以配置於基準載片3a的晶圓之平均厚度Aμm與配置於對稱載片3b的晶圓之平均厚度Bμm的差成為1.0μm以下之方式，配置晶圓。
例如，於基準載片3a配置平均厚度為aμm的一片晶圓，於對稱載片3b配置平均厚度為a’μm的一片晶圓之情況，使aμm為平均厚度A，使a’μm為平均厚度B。抑或，於基準載片3a配置平均厚度分別為aμm、bμm及cμm的3片晶圓，於對稱載片3b配置平均厚度分別為a’μm、b’μm及c’μm的3片晶圓之情況，使｛（a＋b＋c）／3｝μm為平均厚度A，使｛（a’＋b’＋c’）／3｝μm為平均厚度B。
於圖3，顯示載片3之設置的另一例。在圖3，將6片載片3a、3b、3x、3y、3z及3w，沿著以平台中心5為中心的圓而等間隔地設置。在圖3所示之例子，對稱載片，亦與圖2的例子同樣地，為相對於平台中心5位在和基準載片3a呈點對稱之位置的1片載片3b。
如此地，載片3為偶數片且以等間隔設置之情況，對稱載片，與圖2的例子同樣地，為相對於平台中心5位在和基準載片3a呈點對稱之位置的1片載片3b。
接著，說明載片3為奇數片的具體例。 圖4，顯示將5片載片3a、3c、3d、3e及3f，沿著以平台中心5為中心的圓而等間隔地設置之例子。以下，說明將載片3a作為基準載片之情況。
在圖4所示之例子，以平台中心5為角度中心，平台中心5、基準載片3a之中心3ac、及圖4中之位於左下方的載片3c之中心3cc所構成的角α，成為最大。此外，以平台中心5為角度中心，平台中心5、基準載片3a之中心3ac、及圖4中之位於右下的載片3d之中心3dc所構成的角α，同樣地成為最大。因此，相對於基準載片3a的對稱載片，係分別位於圖4中之左下及右下的載片3c及3d。
在如此地選出的基準載片3a與對稱載片3c及3d，以配置於基準載片的晶圓之平均厚度Aμm與配置於對稱載片的晶圓之平均厚度Bμm的差成為1.0μm以下之方式，配置晶圓。
例如，於基準載片3a配置平均厚度為aμm的一片晶圓，於對稱載片3c配置平均厚度為a’μm的一片晶圓，於對稱載片3d配置平均厚度為b’μm的一片晶圓之情況，使aμm為平均厚度A，使｛（a’＋b’）／2｝μm為平均厚度B。抑或，於基準載片3a配置平均厚度分別為aμm、bμm及cμm的3片晶圓，於對稱載片3c配置平均厚度分別為a’μm、b’μm及c’μm的3片晶圓，於對稱載片3d配置平均厚度分別為d’μm、e’μm及f’μm的3片晶圓之情況，使｛（a＋b＋c）／3｝μm為平均厚度A，使｛（a’＋b’＋c’＋d’＋e’＋f’）／6｝μm為平均厚度B。
如此地，載片3為奇數片且以等間隔設置之情況，對稱載片，與圖4的例子同樣地，成為2片載片。
如同上述，將晶圓配置於載片（基準載片3a及對稱載片3b，或基準載片3a與對稱載片3c及3d），施行晶圓之雙面研磨，藉而可減小配置於載片之晶圓的厚度分布之偏差並施行晶圓之雙面研磨，因此，可防止因研漿的壓送而使旋轉平台10（例如上平台1）傾斜之情形，並施行雙面研磨。此一結果，依本發明之雙面研磨方法，則可抑制對於複數晶圓的研磨強度之差異，因此，可提供使雙面研磨後的平坦度之差異減小的晶圓群。
宜以使平均厚度Aμm與平均厚度Bμm的差成為0.8μm以下之方式於載片配置晶圓而施行研磨，更宜以使上述差成為0.5μm以下之方式於載片配置晶圓而施行研磨。若上述差越小，則可提供使雙面研磨後的平坦度之差異進一步減小的晶圓20群。上述差越小越佳，而作為下限值，例如可使其為0μm。
無論將雙面研磨裝置100所具備的複數片載片3之何者選擇作為基準載片，皆宜以使本發明之平均厚度Aμm與平均厚度Bμm的差成為1.0μm以下之方式配置晶圓。藉由此一方式，可涵蓋全部載片3地，使晶圓的厚度分布之偏差減小或消失，因此，可進一步抑制研漿壓送時的平台之傾斜。此一結果，若依此一較佳態樣，則可提供使雙面研磨後的平坦度之差異進一步減小的晶圓群。
接著，說明晶圓之配置的具體例。此處，說明一批所需的晶圓片數為15片，於如圖4所示的5片載片3a、3c、3d、3e及3f，分別配置各3片晶圓之例子。
此一情況，首先，例如準備研磨對象之15片與調整用之5片，共計20片晶圓。測定此等晶圓之厚度。作為晶圓之厚度，可使用在點或線測定出之厚度的平均值。調製用的晶圓，亦可不為5片。
將測定出厚度的20片晶圓從厚度大者依序排列，給予1、2、3…20等編號。將其等從第1號晶圓起，依序以載片3a、載片3c、載片3f、載片3e、載片3d、載片3a…的順序配置於5片載片3a、3c、3d、3e及3f，以使平均厚度Aμm與平均厚度Bμm的差成為1.0μm以下之方式配置，超過該值之情況，選擇推遲配置的晶圓。將未配置的晶圓於另一批研磨即可。另，其僅為排列方式之一例。
另，以上，雖顯示在1片載片配置3片晶圓之例子，但於1片載片配置的晶圓之片數，並未特別限定。例如可於一片載片，配置1片～4片晶圓。另，宜使配置於基準載片的晶圓之片數，與配置於對稱載片的晶圓之片數相同。特別宜對於全部的載片，配置相同片數的晶圓。
接著，針對可在本發明之雙面研磨方法使用的研漿予以說明。
在本發明之雙面研磨方法使用的研漿，並未特別限定，例如，可使用含有膠體二氧化矽的無機鹼水溶液。磨粒之粒子徑及濃度、水溶液之pH、與使用的鹼，亦無特別限定。
更宜將研漿經由旋轉接頭而壓送，並施行晶圓之雙面研磨，使壓送之研漿的總流量為4l／min以上。
藉由如此地壓送研漿，可更有效地利用研漿所產生的潤滑作用，可防止研磨面發生異常發熱。
可使往雙面研磨裝置100壓送供給之研漿的總流量，例如為12l／min以下。更宜使往雙面研磨裝置100壓送供給之研漿的總流量，為6l／min以上10l／min以下。
此一情況，宜使來自複數研漿供給孔的研漿流量均一化，並施行雙面研磨。 ［實施例］
以下，雖利用實施例及比較例具體地說明本發明，但本發明並未限定為此等例子。
（實施例1） 在實施例1，使用與圖1所示之雙面研磨裝置100具有相同構成的Lapmaster Wolters之AC2000，施行晶圓20之雙面研磨。
作為研磨墊，使用蕭耳A硬度（Shore A hardness）80的聚胺酯發泡墊。
載片3，將對SUS基板施行DLC塗布的片材作為母材，將係氟樹脂之PVDF作為工作孔用的插入材使用。使各載片3之工作孔為3個，使投入載片為5片。
將此等5片載片3，以與圖4所示的配置相同之配置，設置於下平台2上。
研漿，使用將平均粒徑35nm的膠體二氧化矽以磨粒濃度1.0wt％包含作為磨粒之pH10.5的KOH水溶液。於研漿供給孔6，連接旋轉接頭及研漿壓送用的泵。
另一方面，準備被研磨對象之20片晶圓20。作為晶圓20，使用直徑300mm的P型單晶矽晶圓。
以藉由靜電電容式之位移計夾入的形態，測定各晶圓20的厚度。資料，係以1mm刻度取得2條直徑分布，使此等全部資料的平均值為厚度。
接著，將測定出厚度的20片晶圓20從厚度大者依序排列，給予1、2、3…20等編號。將其等從第1號晶圓20起，依序以圖4所示的載片3a、載片3c、載片3f、載片3e、載片3d、載片3a…之順序，配置於5片載片3a、3c、3d、3e及3f。在實施例1，使載片3a、載片3c及載片3f分別為基準載片，以使先前說明之平均厚度Aμm與平均厚度Bμm的差之最大值不超過1.0μm的方式，選出20片晶圓20中之推遲配置的晶圓。具體而言，在實施例1，推遲第5、第7號、第14號、第15號及第20號晶圓20之配置，將其等以外的第1號至第19號共計15片的晶圓20，於5片載片3a、3c、3d、3e及3f分別配置各3片，予以固持。此時，平均厚度Aμm與平均厚度Bμm的差之最大值，為0.22μm。
對如此地配置的晶圓20，以下述條件施行雙面研磨。 ・使往雙面研磨裝置100供給之研漿的總流量為8.0l／min。 ・將加工荷重設定為150gf／cm2 。 ・加工時間，係以使晶圓20之中心厚度的整批平均值收斂在775±0.3μm之方式，由研磨率反推而設定。 ・將各驅動部的旋轉速度，設定為上平台：23.0rpm；下平台：－20.0rpm；太陽齒輪：－23.9rpm；內齒輪：7.7rpm。
（實施例2及3） 在實施例2及3，除了以使先前說明之平均厚度Aμm與平均厚度Bμm的差之最大值分別成為0.73μm及0.95μm之方式於載片3配置晶圓20，施行晶圓20之雙面研磨以外，以與實施例1同樣的程序，施行晶圓20之雙面研磨。
（比較例1及2） 在比較例1及2，除了使先前說明之平均厚度Aμm與平均厚度Bμm的差之最大值分別成為1.08μm及1.24μm之方式於載片3配置晶圓20，施行晶圓20之雙面研磨以外，以與實施例1同樣的程序，施行晶圓20之雙面研磨。
（比較例3） 在比較例3，除了不考慮先前說明之平均厚度Aμm與平均厚度Bμm的差，而將第1號至第15號的晶圓20以先前所示之順序於5片載片3a、3c、3d、3e及3f分別配置各3片，施行晶圓20之雙面研磨以外，以與實施例1同樣的程序，施行晶圓20之雙面研磨。在比較例3，先前說明之平均厚度Aμm與平均厚度Bμm的差之最大值，為1.89μm。
［清洗］ 對於在實施例1～3及比較例1～3雙面研磨後之全部的晶圓，於條件NH4 OH：H2 O2 ：H2 O＝1：1：15下施行SC－1清洗。
［評價］ 利用KLA Tencor之Wafer Sight，將清洗後之全部的晶圓20的平坦度，測定為GBIR（Global backside ideal range, 總體背面理想範圍）值。GBIR值的算出，係設定為M49 mode的2mm E.E.而施行。進一步，從15片晶圓20（即批次內的晶圓群）之GBIR值中取最大值與最小值，將其差稱作GBIR Range，使其為差異之指標。
關於各個實施例及比較例，使平均厚度Aμm與平均厚度Bμm的差之最大值為橫軸。此外，縱軸，係使將研漿供給方式以壓送方式加工的情況之GBIR Range，除以維持同一號機器並變更為不產生浮力的重力落下形式而加工的情況之GBIR Range的數值。圖5為以上述橫軸與縱軸繪製的圖表。在圖5，從左側至右側，依序繪製實施例1～3及比較例1～3之結果。
如同從圖5所示的結果可清楚得知，依照本發明，以使平均厚度Aμm與平均厚度Bμm的差成為1.0μm以下之方式配置晶圓，施行此等晶圓之雙面研磨的實施例1～3，可達成與重力落下方式同等以下之雙面研磨後的平坦度之差異。發明人認為此係因在實施例1～3，使上述厚度的差成為1.0μm以下而施行晶圓之配置，予以雙面研磨，因而可抑制研漿壓送所造成的上平台之傾斜，此一結果，可抑制對於15片晶圓的研磨強度之差異，因此，可將雙面研磨後的平坦度之差異減小。
另一方面，發明人認為，在比較例1～3，以不使上述厚度的差成為1.0μm以下之方式施行晶圓之配置而予以雙面研磨，因而因研漿壓送而使上平台傾斜，此一結果，造成對於15片晶圓之研磨強度的偏差。
另，本發明並未限定於上述實施形態。上述實施形態僅為例示，與本發明之發明申請專利範圍所記載之技術思想實質上具有同一構成、達到相同作用效果者，皆包含於本發明之技術範圍。
1,1a:上平台 10:旋轉平台 100:雙面研磨裝置 2:下平台 20,20a,20b:晶圓 3,3a,3b,3c,3d,3e,3f,3x,3y,3z,3w:載片 3ac,3bc,3cc,3dc:中心 4:處理空間 5:平台中心 6,6a,6b:研漿供給孔 7:太陽齒輪 7a:軸 7b:卡合部 8:內齒輪 8a:基部 8b:卡合部 α:角
圖1係顯示可實施本發明之雙面研磨方法的一例之雙面研磨裝置的概略剖面圖。 圖2係用於說明依照本發明之雙面研磨方法的晶圓之配置的一例之概略俯視圖。 圖3係用於說明依照本發明之雙面研磨方法的晶圓之配置的另一例之概略俯視圖。 圖4係用於說明依照本發明之雙面研磨方法的晶圓之配置的再另一例之概略俯視圖。 圖5係顯示藉由實施例及比較例各自之雙面研磨方法獲得的晶圓群之平坦度範圍（GBIR Range）的圖表。 圖6係用於說明習知雙面研磨方法的一例之雙面研磨裝置的概略剖面圖。 圖7係用於說明習知雙面研磨方法的另一例之雙面研磨裝置的概略剖面圖。
2:下平台
3a,3b,3x,3y:載片
3ac,3bc:中心
5:平台中心
α:角

Claims (3)

  1. 一種雙面研磨方法，在具有平台中心之旋轉平台的上平台與下平台之間設置複數片載片，使該複數片載片各自固持一片以上的晶圓，一面以壓送方式供給研漿一面研磨該晶圓之雙面； 該雙面研磨方法的特徵在於： 準備包含厚度彼此不同的至少一組晶圓之複數片晶圓； 將該複數片晶圓從厚度大的順序排列，給予編號； 使固持於該複數片載片的該晶圓之配置為： 從該複數片載片中選擇基準載片； 以該平台中心為角度中心，使和該平台中心與該基準載片一同構成的角α成為最大之一片或二片載片，作為對稱載片； 以使配置於該基準載片的晶圓之平均厚度Aμm與配置於該對稱載片的晶圓之平均厚度Bμm的差成為1.0μm以下的方式，施行該晶圓之雙面研磨； 於該晶圓之配置中， 將該複數片晶圓，以使該平均厚度Aμm與該平均厚度Bμm的差成為1.0μm以下之方式，從第1號晶圓起依序配置於該複數片載片，但將因其配置而使該平均厚度Aμm與該平均厚度Bμm的差超過1.0μm之晶圓推遲配置。
  2. 如請求項1之雙面研磨方法，其中， 使該複數片載片為4片以上，將該4片以上的載片，沿著以該平台中心為中心的圓等間隔地設置。
  3. 如請求項1或2之雙面研磨方法，其中， 一面經由旋轉接頭壓送該研漿，一面施行該晶圓之雙面研磨； 使壓送之該研漿的總流量為4l／min以上。
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