TW202141595A - 內面保護膜形成用複合體、第一積層體之製造方法、第三積層體之製造方法、以及具內面保護膜之半導體裝置之製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種內面保護膜形成用複合體(1)，係由保護層(12)及內面保護膜形成用膜(13)所積層而成，且係用於由半導體基板、內面保護膜及保護層(12)依序積層而成之第一積層體之製造方法中，前述第一積層體之製造方法係包含：第一積層步驟，於前述半導體基板的內面貼附內面保護膜形成用膜(13)，獲得由前述半導體基板、內面保護膜形成用膜(13)及保護層(12)依序積層而成之第二積層體；硬化步驟，使前述第二積層體的內面保護膜形成用膜(13)進行硬化而製成前述內面保護膜；以及搬送步驟，將前述第二積層體自前述第一積層步驟搬送至前述硬化步驟。
Description
本發明係關於一種內面保護膜形成用複合體、第一積層體之製造方法、第三積層體之製造方法、以及具內面保護膜之半導體裝置之製造方法。
本申請案係基於2020年2月21日於日本提出申請之日本專利特願2020-028103號並主張優先權，將該申請案之內容援用於此。
近年來，業界應用稱為所謂的倒裝(face down)方式之構裝方法而製造半導體裝置。倒裝方式中，使用於電路面上具有凸塊等電極之半導體晶片，將前述電極與基板接合。因此，有時半導體晶片中的與電路面為相反側之內面裸露。
有時於該裸露的半導體晶片的內面，形成含有有機材料之樹脂膜作為內面保護膜，以具內面保護膜之半導體晶片之形式組入至半導體裝置中。內面保護膜係用以防止在切割步驟或封裝之後，於半導體晶片產生裂縫(例如專利文獻1、專利文獻2)。
此種具內面保護膜之半導體晶片例如係經由圖1A至圖1G所示之步驟而製造。亦即，已知有下述方法：於具有電路面之半導體晶圓(亦稱為「半導體基板」)8的內面8b，積層內面保護膜形成用膜13(圖1A)，使內面保護膜形成用膜13進行熱硬化或能量線硬化而製成內面保護膜13’(圖1B)，對內面保護膜13’進行雷射標記(圖1C)，於內面保護膜13’積層支撐片10(圖1D)，切割半導體晶圓8及內面保護膜13’，製成具內面保護膜之半導體晶片7(圖1E及圖1F)，自支撐片10拾取具內面保護膜之半導體晶片7(圖1G)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第4271597號公報。
[專利文獻2]日本專利第5363662號公報。
[發明所欲解決之課題]
圖1A之積層步驟中所得之積層體係被搬送至圖1B中使內面保護膜形成用膜13進行熱硬化或能量線硬化而製成內面保護膜13’之硬化步驟。於利用不同裝置進行前述積層步驟與前述硬化步驟之情形時，前述積層步驟中所得之積層體係於將搬送臂的具有吸附孔之吸附面吸附於前述積層體的內面保護膜形成用膜面之狀態下被搬送並收容於卡匣，並被搬送至進行硬化步驟之裝置。於該情形時，內面保護膜形成用膜於搬送臂及卡匣收容並進行搬送之期間中有被污染、變形之虞。
於將貼附內面保護膜形成用膜之裝置與使內面保護膜形成用膜進行硬化之裝置加以連結而進行前述積層步驟與前述硬化步驟之情形時，亦需要將由貼附內面保護膜形成用膜之裝置所得之積層體搬送至使內面保護膜形成用膜進行硬化之裝置，此時內面保護膜形成用膜有被污染、變形之虞。
於利用同一裝置來進行自前述積層步驟至前述硬化步驟為止之間之情形時，例如可藉由具備內面保護膜形成用膜貼附台、進行硬化之單元及搬送臂的裝置來實施。具體而言，被投入至前述裝置之工件(亦稱為「半導體基板」)係由搬送臂搬送至內面保護膜形成用膜貼附台，於前述工件的內面側貼附事先於裝置外或於即將貼附前於裝置內經加工成與工件相應之尺寸的內面保護膜形成用膜，成為積層體。
使搬送臂的具有吸附孔之吸附面吸附於前述積層體的內面保護膜形成用膜面，將前述積層體搬送至進行硬化之單元。於進行硬化之單元內對所搬送之積層體施加熱或照射能量線，內面保護膜形成用膜成為內面保護膜。
本申請案之發明者對由搬送臂搬送後之內面保護膜形成用膜的表面進行觀察，結果發現產生由搬送臂的吸附孔所引起之變形(凹凸)。另外，亦想到於搬送時雜物或塵埃附著於內面保護膜形成用膜而污染之可能性。若產生如上所述之變形(凹凸)、或者雜物或塵埃之附著，則有產生半導體裝置之可靠性降低等不利之虞。
本發明係鑒於上述情況而成，本發明之課題在於提供一種內面保護膜形成用複合體、使用前述內面保護膜形成用複合體的第一積層體之製造方法、第三積層體之製造方法、以及具內面保護膜之半導體裝置之製造方法，前述內面保護膜形成用複合體係於具內面保護膜之半導體裝置之製造方法中，於將內面保護膜形成用膜貼附於半導體基板的內面後進行搬送之情形時，能夠防止前述內面保護膜形成用膜之污染及變形。
[用以解決課題之手段]
為了解決上述課題，本發明係具有以下態樣。
[1]一種內面保護膜形成用複合體，係由保護層及內面保護膜形成用膜所積層而成，並且係用於由半導體基板、內面保護膜及前述保護層依序積層而成之第一積層體之製造方法中，前述第一積層體之製造方法係包含：第一積層步驟，於前述半導體基板的內面貼附前述內面保護膜形成用膜，獲得由前述半導體基板、前述內面保護膜形成用膜及前述保護層依序積層而成之第二積層體；硬化步驟，使前述第二積層體的前述內面保護膜形成用膜進行硬化而製成前述內面保護膜；以及搬送步驟，將前述第二積層體自前述第一積層步驟搬送至前述硬化步驟。
[2]一種內面保護膜形成用複合體，係將保護層與內面保護膜形成用膜積層而成，並且係用於第三積層體之製造方法中，前述第三積層體之製造方法係包含：第一積層步驟，於半導體基板的內面貼附前述內面保護膜形成用膜，獲得由前述半導體基板、前述內面保護膜形成用膜及前述保護層依序積層而成之第二積層體；第二積層步驟，於前述第二積層體的前述保護層貼附支撐片，獲得由前述半導體基板、前述內面保護膜形成用膜、前述保護層及前述支撐片依序積層而成之第三積層體；以及搬送步驟，將前述第二積層體自前述第一積層步驟搬送至前述第二積層步驟。
[3]一種第一積層體之製造方法，前述第一積層體係由半導體基板、內面保護膜及保護層依序積層而成，並且前述第一積層體之製造方法係包含：第一積層步驟，於前述半導體基板的內面，貼附如[1]所記載之內面保護膜形成用複合體的前述內面保護膜形成用膜，獲得由前述半導體基板、前述內面保護膜形成用膜及前述保護層依序積層而成之第二積層體；硬化步驟，使前述第二積層體的前述內面保護膜形成用膜進行硬化而製成內面保護膜；以及搬送步驟，將前述第二積層體自前述第一積層步驟搬送至前述硬化步驟。
[4]一種第三積層體之製造方法，前述第三積層體係由半導體基板、內面保護膜形成用膜、保護層及支撐片依序積層而成，並且前述第三積層體之製造方法係包含：第一積層步驟，於前述半導體基板的內面，貼附如[2]所記載之內面保護膜形成用複合體的前述內面保護膜形成用膜，獲得由前述半導體基板、前述內面保護膜形成用膜及前述保護層依序積層而成之第二積層體；第二積層步驟，於前述第二積層體的前述保護層貼附支撐片，獲得由前述半導體基板、前述內面保護膜形成用膜、前述保護層及前述支撐片依序積層而成之第三積層體；以及搬送步驟，將前述第二積層體自前述第一積層步驟搬送至前述第二積層步驟。
[5]一種具內面保護膜之半導體裝置之製造方法，係包含：第二積層步驟，於藉由如[3]所記載之製造方法所製造之第一積層體的前述保護層貼附支撐片，獲得由前述半導體基板、前述內面保護膜、前述保護層及前述支撐片依序積層而成之第四積層體；將前述第四積層體的前述半導體基板及前述內面保護膜加以切割，製成具內面保護膜之半導體裝置的步驟；以及自前述支撐片拾取前述具內面保護膜之半導體裝置的步驟。
[6]一種具內面保護膜之半導體裝置之製造方法，係包含：硬化步驟，使藉由如[4]所記載之製造方法所製造之第三積層體的前述內面保護膜形成用膜進行硬化而製成內面保護膜，獲得由前述半導體基板、前述內面保護膜、前述保護層及前述支撐片依序積層而成之第四積層體；將前述第四積層體的前述半導體基板及前述內面保護膜加以切割，製成具內面保護膜之半導體裝置的步驟；以及自前述支撐片拾取前述具內面保護膜之半導體裝置的步驟。
[7]一種具內面保護膜之半導體裝置之製造方法，係包含：將藉由如[4]所記載之製造方法所製造之第三積層體的前述半導體基板及前述內面保護膜形成用膜加以切割，製成具內面保護膜形成用膜之半導體裝置的步驟；硬化步驟，使前述內面保護膜形成用膜進行硬化而製成內面保護膜；以及自前述支撐片拾取前述具內面保護膜形成用膜之半導體或者具內面保護膜之半導體裝置的步驟。
[8]一種如[1]或[2]所記載之內面保護膜形成用複合體的使用，用以形成內面保護膜。
[9]如[1]或[2]所記載之內面保護膜形成用複合體、[3]至[7]中任一項所記載之製造方法、或[8]所記載之使用，其中前述內面保護膜形成用膜係由未硬化之硬化性樹脂組成物所形成，前述保護層係由硬化完畢之硬化性樹脂或熱塑性樹脂所形成。
[發明功效]
根據本發明，提供一種內面保護膜形成用複合體、使用前述內面保護膜形成用複合體之第一積層體之製造方法、第三積層體之製造方法、以及具內面保護膜之半導體裝置之製造方法，前述內面保護膜形成用複合體係於具內面保護膜之半導體裝置之製造方法中，將內面保護膜形成用膜貼附於工件的內面後進行搬送之情形時，能夠防止前述內面保護膜形成用膜之污染及變形。
圖2係示意性地表示本發明之內面保護膜形成用複合體之一實施形態的剖面圖。
圖3係示意性地表示本發明之內面保護膜形成用複合體之另一實施形態的剖面圖。
再者，以下之說明中所用之圖式有時係為了容易理解特徵，為方便起見而將成為特徵之部分放大表示，各構成要素之尺寸比率等未必與實際相同。
圖2所示之內面保護膜形成用複合體1依序具有保護層12及內面保護膜形成用膜13。
本實施形態之內面保護膜形成用複合體1係用於前述第三積層體之製造方法，前述第三積層體之製造方法係包含：第一積層步驟，於工件的內面貼附內面保護膜形成用膜13，獲得由前述工件、內面保護膜形成用膜13及保護層12依序積層而成之第二積層體；第二積層步驟，於前述第二積層體的保護層12貼附支撐片，獲得由前述工件、內面保護膜形成用膜13、保護層12及前述支撐片依序積層而成之第三積層體；以及搬送步驟，將前述第二積層體自前述第一積層步驟搬送至前述第二積層步驟。本實施形態之內面保護膜形成用複合體1藉由具有保護層12，而能夠防止前述搬送步驟中的(硬化前之)內面保護膜形成用膜13之污染及變形。
另外，本實施形態之內面保護膜形成用複合體1係用於第一積層體之製造方法，前述第一積層體係由工件、內面保護膜及保護層12依序積層而成，且前述第一積層體之製造方法係包含：第一積層步驟，於前述工件的內面貼附內面保護膜形成用膜13，獲得由前述工件、內面保護膜形成用膜13及保護層12依序積層而成之第二積層體；硬化步驟，使前述第二積層體的內面保護膜形成用膜13進行硬化而製成內面保護膜；以及搬送步驟，將前述第二積層體自前述第一積層步驟搬送至前述硬化步驟。本實施形態之內面保護膜形成用複合體1藉由具有保護層12，而能夠防止前述搬送步驟中的(硬化前之)內面保護膜形成用膜13之污染及變形。
圖3所示之內面保護膜形成用複合體2係依序具有剝離膜151、保護層12及內面保護膜形成用膜13。
本實施形態之內面保護膜形成用複合體2係用於前述第三積層體之製造方法，前述第三積層體之製造方法係包含：第一積層步驟，於工件的內面貼附內面保護膜形成用膜13，獲得由前述工件、內面保護膜形成用膜13、保護層12及剝離膜151依序積層而成之第五積層體；第二積層步驟，於將剝離膜151自前述第五積層體加以剝離所得之前述第二積層體的保護層12貼附支撐片，獲得前述第三積層體；以及搬送步驟，將前述第二積層體自前述第一積層步驟搬送至前述第二積層步驟。本實施形態之內面保護膜形成用複合體2藉由具有保護層12，而能夠防止前述搬送步驟中的(硬化前之)內面保護膜形成用膜13之污染及變形。
另外，本實施形態之內面保護膜形成用複合體2係用於前述第一積層體之製造方法，前述第一積層體之製造方法係包含：第一積層步驟，於工件的內面貼附內面保護膜形成用膜13，獲得由前述工件、內面保護膜形成用膜13、保護層12及剝離膜151依序積層而成之第五積層體；硬化步驟，使將剝離膜151自前述第五積層體加以剝離所得之前述第二積層體的內面保護膜形成用膜13進行硬化，製成內面保護膜；以及搬送步驟，將前述第二積層體自前述第一積層步驟搬送至前述硬化步驟。本實施形態之內面保護膜形成用複合體2藉由具有保護層12，而能夠防止前述搬送步驟中的(硬化前之)內面保護膜形成用膜13之污染及變形。
本實施形態之內面保護膜形成用複合體1及內面保護膜形成用複合體2係至少可尤佳地用於前述第三積層體之製造方法，該第三積層體之製造方法係將貼附內面保護膜形成用膜之裝置與貼附支撐片之裝置加以連結來進行自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之間，或者利用同一裝置來進行自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之間。
另外，本實施形態之內面保護膜形成用複合體1及內面保護膜形成用複合體2係至少可較佳地用於第一積層體之製造方法，該第一積層體之製造方法係將貼附內面保護膜形成用膜之裝置與使內面保護膜形成用膜進行硬化之裝置加以連結來進行自前述第一積層步驟至前述硬化步驟為止之間，或者利用同一裝置來進行自前述第一積層步驟至前述硬化步驟為止之間。
內面保護膜形成用複合體1之厚度並無特別限定，較佳為30μm至550μm，更佳為35μm至450μm，特佳為40μm至400μm。若內面保護膜形成用複合體1之厚度為上述下限值以上，則可提高內面保護膜之強度。若內面保護膜形成用複合體1之厚度為上述上限值以下，則容易切割內面保護膜。
內面保護膜形成用複合體2之厚度並無特別限定，較佳為30μm至550μm，更佳為35μm至450μm，特佳為40μm至400μm。若內面保護膜形成用複合體2之厚度為上述下限值以上，則可提高內面保護膜之強度。若內面保護膜形成用複合體2之厚度為上述上限值以下，則容易切割內面保護膜。
繼而，對構成本實施形態之內面保護膜形成用複合體之各層加以說明。
〇內面保護膜形成用膜
本實施形態之內面保護膜形成用複合體中，內面保護膜形成用膜係藉由貼附於晶圓(亦即工件)並進行硬化，而被用作晶圓之內面保護膜。內面保護膜形成用膜具有硬化性，可為能量硬化性膜，亦可為熱硬化性膜。
本說明書中，所謂「能量硬化性」，係指藉由照射能量線而硬化之性質，所謂「熱硬化性」，係指藉由加熱而硬化之性質。
本說明書中，所謂「能量線」，意指具有能量量子的電磁波或帶電粒子束。作為能量線的示例，可列舉紫外線、放射線、電子束等。紫外線例如可藉由使用高壓水銀燈、熔合燈、氙氣燈、黑光燈或LED(Light Emitting Diode；發光二極體)燈等作為紫外線源進行照射。電子束可照射藉由電子束加速器等產生之電子束。
內面保護膜形成用膜之厚度並無特別限定，較佳為3μm至300μm，更佳為5μm至250μm，特佳為7μm至200μm。若內面保護膜形成用膜之厚度為上述下限值以上，則可進一步提高內面保護膜之強度。若內面保護膜形成用膜之厚度為上述上限值以下，則容易切割內面保護膜。
[內面保護膜形成用組成物]
作為用以形成內面保護膜形成用膜之內面保護膜形成用組成物之組成，較佳為含有黏合劑聚合物成分及硬化性成分。亦即，較佳為內面保護膜形成用組成物為(未硬化之)硬化性樹脂組成物，內面保護膜形成用膜係藉由此種硬化性樹脂組成物而形成。
[黏合劑聚合物成分]
為了對內面保護膜形成用膜賦予充分之接著性及造膜性(片形成性)，可使用黏合劑聚合物成分。作為黏合劑聚合物成分，可使用先前公知之丙烯酸聚合物、聚酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、橡膠系聚合物等。
黏合劑聚合物成分之重量平均分子量(Mw)較佳為1萬至200萬，更佳為10萬至120萬。若黏合劑聚合物成分之重量平均分子量過低，則有時內面保護膜形成用膜與支撐片之黏著力變高，引起內面保護膜形成用膜之轉印不良，若過高則有時內面保護膜形成用膜之接著性降低，無法轉印至晶片等，或者於轉印後內面保護膜自晶片等剝離。亦即，若黏合劑聚合物成分之重量平均分子量為上述下限值以上，則內面保護膜形成用膜與支撐片之黏著力變高，能夠抑制引起內面保護膜形成用膜之轉印不良。若黏合劑聚合物成分之重量平均分子量為上述上限值以下，則能夠抑制內面保護膜形成用膜之接著性降低而無法轉印至晶片等。此外，若黏合劑聚合物成分之重量平均分子量為上述上限值以下，則能夠抑制於轉印後內面保護膜自晶片等剝離。
再者，本說明書中，所謂「重量平均分子量」，只要無特別說明，則為藉由凝膠滲透層析(GPC；Gel Permeation Chromatography)所測定之標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量。
作為黏合劑聚合物成分，可較佳地使用丙烯酸聚合物。丙烯酸聚合物之玻璃轉移溫度(Tg)係處於較佳為-60℃至50℃、特佳為-50℃至40℃、尤佳為-40℃至30℃之範圍。若丙烯酸聚合物之玻璃轉移溫度過低，則有時內面保護膜形成用膜與支撐片之剝離力變大而引起內面保護膜形成用膜之轉印不良，若過高則有時內面保護膜形成用膜之接著性降低，無法轉印至晶片等，或者於轉印後內面保護膜自晶片等剝離。亦即，若丙烯酸聚合物之玻璃轉移溫度為上述下限值以上，則能夠抑制內面保護膜形成用膜與支撐片之剝離力變大而引起內面保護膜形成用膜之轉印不良。若丙烯酸聚合物之玻璃轉移溫度為上述上限值以下，則能夠抑制內面保護膜形成用膜之接著性降低而無法轉印至晶片等。此外，若丙烯酸聚合物之玻璃轉移溫度為上述上限值以下，則能夠抑制於轉印後內面保護膜自晶片等剝離。
丙烯酸聚合物之玻璃轉移溫度例如係藉由示差掃描熱量測定(DSC)而求出。
作為構成上述丙烯酸聚合物之單體，可列舉(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物。例如可列舉烷基之碳數為1至18的(甲基)丙烯酸烷基酯，具體可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸酯2-乙基己酯等。另外，可列舉具有環狀骨架之(甲基)丙烯酸酯，具體可列舉：(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯、醯亞胺(甲基)丙烯酸酯等。進而，作為具有官能基之單體，可列舉：具有羥基之(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯等；此外，可列舉具有環氧基之(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。關於丙烯酸聚合物，含有具羥基之單體的丙烯酸聚合物係與後述之硬化性成分之相溶性良好，故而較佳。另外，上述丙烯酸聚合物亦可共聚有丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等。
此外，本說明書中，「(甲基)丙烯酸」的概念包括「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」兩者。關於與(甲基)丙烯酸類似之用語亦同樣，例如「(甲基)丙烯酸酯」的概念包括「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」兩者，「(甲基)丙烯醯基」的概念包括「丙烯醯基」及「甲基丙烯醯基」兩者。
進而，作為黏合劑聚合物成分，亦可調配用以保持硬化後之內面保護膜之可撓性的熱塑性樹脂。作為此種熱塑性樹脂，較佳為重量平均分子量為1000至10萬，特佳為3000至8萬。熱塑性樹脂之玻璃轉移溫度較佳為-30℃至120℃，特佳為-20℃至120℃。作為熱塑性樹脂，可列舉聚酯樹脂、熱塑性胺基甲酸酯樹脂、苯氧基樹脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等。這些熱塑性樹脂可單獨使用一種或混合使用兩種以上。藉由含有上述熱塑性樹脂，而能夠使內面保護膜形成用膜追隨於內面保護膜形成用膜之轉印面，抑制孔隙等之產生。
[硬化性成分]
作為硬化性成分，可使用選自由熱硬化性成分及能量線硬化性成分中之一種以上。
作為熱硬化性成分，可使用熱硬化性樹脂及熱硬化劑。作為熱硬化性樹脂，例如較佳為環氧樹脂。
作為環氧樹脂，可使用先前公知之環氧樹脂。作為環氧樹脂，具體可列舉：多官能系環氧樹脂、或聯苯化合物、雙酚A二縮水甘油醚或其氫化物、鄰甲酚酚醛清漆環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、伸苯基骨架型環氧樹脂等分子中具有2官能以上之環氧化合物。這些可單獨使用一種或組合使用兩種以上。
內面保護膜形成用膜中，相對於黏合劑聚合物成分100質量份，較佳為含有熱硬化性樹脂1質量份至1000質量份、更佳為10質量份至500質量份、尤佳為20質量份至200質量份。若熱硬化性樹脂之含量未達1質量份，則有時無法獲得充分之接著性，若超過1000質量份則有時內面保護膜形成用膜與黏著片或基材膜之剝離力變高，引起內面保護膜形成用膜之轉印不良。亦即，若熱硬化性樹脂之含量為上述下限值以上，則可獲得充分之接著性。若熱硬化性樹脂之含量為上述上限值以下，則能夠抑制內面保護膜形成用膜與黏著片或基材膜之剝離力變高而引起內面保護膜形成用膜之轉印不良。
熱硬化劑係作為對熱硬化性樹脂、尤其是對環氧樹脂之硬化劑而發揮功能。作為較佳之熱硬化劑，可列舉一分子中具有2個以上之能夠與環氧基反應的官能基之化合物。作為該官能基，可列舉酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基及酸酐等。這些當中，較佳可列舉酚性羥基、胺基、酸酐等，進而佳可列舉酚性羥基、胺基。
作為酚系硬化劑之具體例，可列舉：多官能系苯酚樹脂、聯苯酚、酚醛清漆型苯酚樹脂、二環戊二烯系苯酚樹脂、xylok型苯酚樹脂、芳烷基苯酚樹脂。作為胺系硬化劑之具體例，可列舉DICY(Dicyandiamide；二氰二胺)。這些硬化劑可單獨使用一種或混合使用兩種以上。
相對於熱硬化性樹脂100質量份，熱硬化劑之含量較佳為0.1質量份至500質量份，更佳為1質量份至200質量份。若熱硬化劑之含量少，則有時因硬化不足而無法獲得接著性，若過剩則有時內面保護膜形成用膜之吸濕率變高而使半導體裝置之可靠性降低。亦即，若熱硬化劑之含量為上述下限值以上，則充分硬化，可獲得充分之接著性。若熱硬化劑之含量為上述上限值以下，則能夠抑制內面保護膜形成用膜之吸濕率變高而使半導體裝置之可靠性降低。
作為能量線硬化性成分，可使用低分子化合物(能量線聚合性化合物)，該低分子化合物(能量線聚合性化合物)係包含能量線聚合性基，若受到紫外線、電子束等能量線之照射則聚合硬化。作為此種能量線硬化性成分，具體可列舉：三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、寡聚酯丙烯酸酯、丙烯酸胺基甲酸酯系寡聚物、環氧改性丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯及衣康酸寡聚物等丙烯酸酯系化合物。此種化合物係於分子內具有至少一個聚合性雙鍵，通常重量平均分子量為100至30000，較佳為300至10000左右。相對於黏合劑聚合物成分100質量份，能量線聚合性化合物之調配量較佳為1質量份至1500質量份，更佳為10質量份至500質量份，尤佳為20質量份至200質量份。
另外，作為能量線硬化性成分，亦可使用於黏合劑聚合物成分的主鏈或側鏈鍵結能量線聚合性基而成之能量線硬化型聚合物。此種能量線硬化型聚合物係兼具作為黏合劑聚合物成分之功能、與作為硬化性成分之功能。
能量線硬化型聚合物之主骨架並無特別限定，可為作為黏合劑聚合物成分而通用之丙烯酸聚合物，另外亦可為聚酯、聚醚等。就合成及物性之控制容易之方面而言，能量線硬化型聚合物尤佳為以丙烯酸聚合物作為主骨架。
鍵結於能量線硬化型聚合物的主鏈或側鏈之能量線聚合性基例如為包含能量線聚合性之碳-碳雙鍵的基，具體可例示(甲基)丙烯醯基等。能量線聚合性基亦可經由伸烷基、伸烷氧基、聚伸烷氧基而鍵結於能量線硬化型聚合物。
鍵結有能量線聚合性基之能量線硬化型聚合物之重量平均分子量(Mw)較佳為1萬至200萬，更佳為10萬至150萬。另外，能量線硬化型聚合物之玻璃轉移溫度(Tg)係處於較佳為-60℃至50℃、特佳為-50℃至40℃、尤佳為-40℃至30℃之範圍。
能量線硬化型聚合物例如係使含有羥基、羧基、胺基、取代胺基、環氧基等官能基之丙烯酸聚合物與會和前述官能基反應之含聚合性基之化合物進行反應而獲得。作為前述含聚合性基之化合物，可列舉每一分子中具有1個至5個與前述官能基反應之取代基及能量線聚合性碳-碳雙鍵之化合物。作為與前述官能基反應之取代基，可列舉異氰酸酯基、縮水甘油基、羧基等。
作為含聚合性基之化合物，可列舉：(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間-異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、烯丙基異氰酸酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯；(甲基)丙烯酸等。
丙烯酸聚合物較佳為下述共聚物：由具有羥基、羧基、胺基、取代胺基、環氧基等官能基之(甲基)丙烯酸單體或其衍生物與可和該(甲基)丙烯酸單體或其衍生物產生共聚的其他(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物所構成者。
作為具有羥基、羧基、胺基、取代胺基、環氧基等官能基之(甲基)丙烯酸單體或其衍生物，例如可列舉：具有羥基之(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯；具有羧基之丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸；具有環氧基之甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸縮水甘油酯等。
作為可與上述單體共聚合之其他(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物，例如可列舉烷基之碳數為1至18的(甲基)丙烯酸烷基酯，具體可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等；且可列舉具有環狀骨架之(甲基)丙烯酸酯，具體可列舉：(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、丙烯酸異冰片酯、丙烯酸二環戊酯、丙烯酸二環戊烯酯、丙烯酸二環戊烯氧基乙酯、醯亞胺丙烯酸酯等。另外，上述丙烯酸聚合物中，亦可共聚有乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等。
即便於使用能量線硬化型聚合物之情形時，亦可併用前述能量線聚合性化合物，另外亦可併用黏合劑聚合物成分。本實施形態之內面保護膜形成用膜中的這三者之調配量之關係為：相對於能量線硬化型聚合物及黏合劑聚合物成分之質量之和100質量份，較佳為含有能量線聚合性化合物1質量份至1500質量份、更佳為10質量份至500質量份、尤佳為20質量份至200質量份。若能量線聚合性化合物之含量為上述數值範圍內，則可進一步提高內面保護膜形成用組成物之硬化性。
於併用熱硬化性成分及能量線硬化性成分之情形時，熱硬化性成分與能量線硬化性成分之質量比例如較佳為5：95至95：5，更佳為10：90至90：10，特佳為15：85至85：15。若熱硬化性成分與能量線硬化性成分之質量比為上述數值範圍內，則可進一步提高內面保護膜形成用組成物之硬化性。
藉由對內面保護膜形成用膜賦予能量線硬化性，而能夠使內面保護膜形成用膜簡便且於短時間硬化，具內面保護膜之晶片之生產效率提高。能量線硬化性之內面保護膜形成用膜係藉由能量線照射而於短時間硬化，故而能夠簡便地形成內面保護膜，可有助於提高生產效率。
內面保護膜形成用膜可除了上述黏合劑聚合物成分及硬化性成分以外進而含有下述成分。
[著色劑]
內面保護膜形成用膜較佳為含有著色劑。藉由在內面保護膜形成用膜中調配著色劑，而於將半導體裝置組入至機器時，能夠遮蔽自周圍之裝置產生之紅外線等，防止由這些紅外線所致之半導體裝置之誤動作。此外，藉由在內面保護膜形成用膜中調配著色劑，而於使內面保護膜形成用膜進行硬化所得之內面保護膜進行製品編號等之印字時的文字之視認性提高。亦即，對於形成有內面保護膜之半導體裝置或半導體晶片而言，於內面保護膜的表面通常藉由雷射標記法(藉由雷射光削去內面保護膜表面進行印字之方法)進行製品編號等之印字，藉由內面保護膜含有著色劑，可充分獲得內面保護膜的經雷射光削去之部分與未經削去之部分的對比度差，視認性提高。作為著色劑，可使用有機或無機之顏料及染料。這些當中，就電磁波或紅外線遮蔽性之方面而言，較佳為黑色顏料。作為黑色顏料，可使用碳黑、氧化鐵、二氧化錳、苯胺黑、活性炭等，但不限定於這些。就提高半導體裝置之可靠性之觀點而言，尤佳為碳黑。著色劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。本實施形態之內面保護膜形成用膜之高硬化性於使用著色劑使紫外線之穿透性降低之情形時可尤佳地發揮。作為此種著色劑，可列舉：使可見光之穿透性降低之著色劑，使紅外線及紫外線之穿透性降低之著色劑，使可見光、紅外線及紫外線之穿透性降低之著色劑。作為此種著色劑，除了上述黑色顏料以外，只要於可見光之波長區域、紅外線及紫外線之波長區域、可見光及紅外線以及紫外線之波長區域中具有吸收性或反射性，則並無特別限定。
相對於構成內面保護膜形成用膜之總固形物100質量份，著色劑之調配量較佳為0.1質量份至35質量份，特佳為0.5質量份至25質量份，尤佳為1質量份至15質量份。若著色劑之調配量為上述下限值以上，則能夠充分遮蔽紅外線等。若著色劑之調配量為上述上限值以下，則可進一步提高內面保護膜形成用組成物之硬化性。
[硬化促進劑]
硬化促進劑係用於調整內面保護膜形成用膜之硬化速度。硬化促進劑尤其可較佳地用於在硬化性成分中併用環氧樹脂與熱硬化劑之情形。
作為較佳之硬化促進劑，可列舉：三乙二胺、苄基二甲基胺、三乙醇胺、二甲基胺基乙醇、三(二甲基胺基甲基)苯酚等三級胺類；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等咪唑類；三丁基次膦、二苯基次膦、三苯基次膦等有機次膦類；四苯基鏻四苯基硼酸鹽、三苯基次膦四苯基硼酸鹽等四苯基硼鹽等。這些硬化促進劑可單獨使用一種或混合使用兩種以上。
相對於硬化性成分100質量份，硬化促進劑係以較佳為0.01質量份至10質量份、特佳為0.1質量份至1質量份之量而含有。藉由以上述範圍之量含有硬化促進劑，即便暴露於高溫度高濕度下亦具有優異之接著特性，即便於暴露於嚴酷之回流(reflow)條件下之情形時，亦能夠達成高可靠性。若硬化促進劑之含量少，則因硬化不足而無法獲得充分之接著特性，若過剩則具有高極性之硬化促進劑於高溫度高濕度下會於內面保護膜形成用膜中往接著界面側移動而偏析，由此導致半導體裝置之可靠性降低。
[偶合劑]
亦可為了提高內面保護膜形成用膜對晶片之接著性、密接性及內面保護膜之凝聚性的任一種以上而使用偶合劑。另外，藉由使用偶合劑，而能夠在不損及使內面保護膜形成用膜進行硬化所得之內面保護膜之耐熱性之情況下，提高該內面保護膜之耐水性。
作為偶合劑，可較佳地使用具有與黏合劑聚合物成分、硬化性成分等所具有之官能基進行反應之基的化合物。作為偶合劑，較理想為矽烷偶合劑。作為此種偶合劑，可列舉：γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-(甲基丙烯醯氧基丙基)三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺基乙基)-γ-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-脲基丙基三乙氧基矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷、γ-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基矽烷基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、咪唑矽烷等。這些可單獨使用一種或混合使用兩種以上。
相對於黏合劑聚合物成分及硬化性成分之合計100質量份，偶合劑係以通常0.1質量份至20質量份、較佳為0.2質量份至10質量份、更佳為0.3質量份至5質量份之比率而含有。於偶合劑之含量未達0.1質量份之情形時，有可能無法獲得上述效果，若超過20質量份則有可能導致逸氣。亦即，若偶合劑之含量為上述下限值以上，則可獲得上述效果。若偶合劑之含量為上述上限值以下，則可抑制逸氣之產生。
[無機填充材]
藉由將無機填充材調配於內面保護膜形成用膜中，而可調整硬化後之內面保護膜之熱膨脹係數。因此，藉由針對半導體晶片使硬化後之內面保護膜之熱膨脹係數最適化，而可提高半導體裝置之可靠性。另外，亦可降低硬化後之內面保護膜之吸濕率。
作為較佳之無機填充材，可列舉：二氧化矽、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、氧化鈦、氧化鐵、碳化矽、氮化硼等之粉末，將這些加以球形化而成之珠粒、單晶纖維及玻璃纖維等。這些當中，較佳為二氧化矽填料及氧化鋁填料。上述無機填充材可單獨使用或混合使用兩種以上。相對於構成內面保護膜形成用膜之總固形物100質量份，無機填充材之含量通常可於1質量份至80質量份之範圍調整。
[光聚合起始劑]
於內面保護膜形成用膜含有能量線硬化性成分作為前述硬化性成分之情形時，於使用時照射紫外線等能量線使能量線硬化性成分進行硬化。此時，藉由使內面保護膜形成用組成物中含有光聚合起始劑，而能夠減少聚合硬化時間以及光線照射量。
作為此種光聚合起始劑，具體可列舉：二苯甲酮、苯乙酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮、2,4-二乙基噻噸酮、α-羥基環己基苯基酮、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮雙異丁腈、苯偶醯、二苯偶醯、二乙醯、1,2-二苯基甲烷、2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化次膦及β-氯蒽醌等。光聚合起始劑可單獨使用一種或組合使用兩種以上。
關於光聚合起始劑之調配比率，相對於能量線硬化性成分100質量份，較佳為含有0.1質量份至10質量份之光聚合起始劑，更佳為含有1質量份至5質量份之光聚合起始劑。若未達0.1質量份則有時因光聚合之不足而無法獲得令人滿意之轉印性，若超過10質量份則有時生成無助於光聚合之殘留物，內面保護膜形成用膜之硬化性變得不充分。亦即，若光聚合起始劑之調配比率為上述下限值以上，則充分進行光聚合而可獲得令人滿意之轉印性。若光聚合起始劑之調配比率為上述上限值以下，則抑制無助於光聚合之殘留物之生成，可進一步提高內面保護膜形成用膜之硬化性。
[交聯劑]
為了調節內面保護膜形成用膜之起始接著力及凝聚力，亦可添加交聯劑。作為交聯劑，可列舉有機多元異氰酸酯化合物、有機多元亞胺化合物等。
作為上述有機多元異氰酸酯化合物，可列舉：芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物、脂環族多元異氰酸酯化合物及這些有機多元異氰酸酯化合物之三聚物，以及使這些有機多元異氰酸酯化合物與多元醇化合物反應所得之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物等。
作為有機多元異氰酸酯化合物，例如可列舉：2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-二甲苯二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、三羥甲基丙烷加合甲苯二異氰酸酯及離胺酸異氰酸酯。
作為上述有機多元亞胺化合物，可列舉：N,N’-二苯基甲烷-4,4’-雙(1-氮丙啶甲醯胺)、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯及N,N’-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶甲醯胺)三伸乙基三聚氰胺等。
相對於黏合劑聚合物成分及能量線硬化型聚合物之合計量100質量份，交聯劑係以通常0.01質量份至20質量份、較佳為0.1質量份至10質量份、更佳為0.5質量份至5質量份之比率使用。若交聯劑之含量為上述數值範圍內，則可進一步提高內面保護膜形成用膜之起始接著力及凝聚力。
[通用添加劑]
於內面保護膜形成用膜中，除了上述成分以外，視需要亦可調配各種添加劑(通用添加劑)。作為各種添加劑，可列舉：調平劑、塑化劑、抗靜電劑、抗氧化劑、離子捕捉劑、吸氣劑、鏈轉移劑等。
[溶劑]
內面保護膜形成用組成物較佳為進而含有溶劑。含有溶劑之內面保護膜形成用組成物係操作性變良好。
前述溶劑並無特別限定，作為較佳的溶劑，例如可列舉：甲苯、二甲苯等烴；甲醇、乙醇、2-丙醇、異丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氫呋喃等醚；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺(具有醯胺鍵之化合物)等。
內面保護膜形成用組成物所含有之溶劑可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些溶劑之組合及比率可任意選擇。
相對於內面保護膜形成用組成物之總質量，溶劑之含量較佳為5質量%至95質量%，更佳為7質量%至93質量%，特佳為10質量%至90質量%。若溶劑之含量為上述下限值以上，則可進一步提高內面保護膜形成用組成物之操作性。若溶劑之含量為上述上限值以下，則可進一步提高內面保護膜形成用組成物之硬化性。
就可將內面保護膜形成用組成物中的含有成分更均勻地混合之方面而言，內面保護膜形成用組成物所含有之溶劑較佳為甲基乙基酮等。
將由上述般之各成分所構成之內面保護膜形成用組成物加以塗佈並乾燥所得之內面保護膜形成用膜係具有接著性及硬化性，藉由以未硬化狀態抵壓於工件(半導體晶圓或晶片等)而容易接著。於抵壓時，亦可一邊將內面保護膜形成用膜加熱一邊貼附。而且，可經由硬化而最終形成耐衝擊性高之內面保護膜，接著強度亦優異，於嚴酷之高溫度高濕度條件下亦能夠保持充分之保護功能。再者，內面保護膜形成用膜可為單層結構，另外只要含有一層以上的包含上述成分之層，則亦可為多層結構。
[內面保護膜形成用組成物之製造方法]
內面保護膜形成用組成物係藉由將構成該內面保護膜形成用組成物之各成分加以調配而獲得。
各成分之調配時之添加順序並無特別限定，亦可同時添加兩種以上之成分。
於使用溶劑之情形時，可藉由將溶劑與溶劑以外的任一種調配成分混合而將該調配成分預先稀釋來使用；亦可藉由不將溶劑以外的任一種調配成分預先稀釋而將溶劑與這些調配成分混合來使用。
調配時混合各成分之方法並無特別限定，自以下公知的方法中適宜選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行混合之方法；使用混合機進行混合之方法；施加超音波進行混合之方法等。
各成分之添加及混合時之溫度以及時間係只要各調配成分不劣化則並無特別限定，只要適當調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。
[內面保護膜形成用膜之製造方法]
前述內面保護膜形成用膜係可使用含有該內面保護膜形成用膜之構成材料的內面保護膜形成用組成物而形成。例如，於內面保護膜形成用膜之形成對象面塗敷內面保護膜形成用組成物，視需要加以乾燥，藉此可於目標部位形成內面保護膜形成用膜。內面保護膜形成用組成物中的於常溫不氣化之成分彼此之含量之比率通常與內面保護膜形成用膜的前述成分彼此之含量之比率相同。再者，本說明書中，所謂「常溫」，意指不特別冷或熱之溫度、亦即平常之溫度，例如可列舉15℃至25℃之溫度等。
內面保護膜形成用組成物之塗敷只要利用公知之方法進行即可，例如可列舉：使用氣刀塗佈機、刀片塗佈機、棒塗機、凹版塗佈機、輥塗機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模塗機、刮刀塗佈機、網版塗佈機、邁耶棒塗佈機、輕觸式塗佈機等各種塗佈機之方法。
內面保護膜形成用組成物之乾燥條件並無特別限定，內面保護膜形成用組成物於含有後述溶劑之情形時，較佳為進行加熱乾燥。含有溶劑之內面保護膜形成用組成物例如較佳為於70℃至130℃以10秒鐘至5分鐘之條件加以乾燥。含有溶劑之內面保護膜形成用組成物例如更佳為於80℃至130℃以20秒鐘至4分鐘之條件加以乾燥，特佳為於90℃至130℃以30秒鐘至3分鐘之條件加以乾燥。若進行加熱乾燥時之加熱溫度為上述下限值以上，則能夠使內面保護膜形成用組成物充分硬化。若進行加熱乾燥時之加熱溫度為上述上限值以下，則能夠抑制工件之劣化。若進行加熱乾燥時之乾燥時間為上述下限值以上，則能夠使內面保護膜形成用組成物充分硬化。若進行加熱乾燥時之乾燥時間為上述上限值以下，則能夠提高內面保護膜形成用膜之生產性。
〇保護層
於本實施形態之內面保護膜形成用複合體中，保護層係用作保護內面保護膜形成用膜之層。具體而言，保護層係於下述第三積層體之製造方法中的下述搬送步驟中，防止(硬化前之)內面保護膜形成用膜之污染及變形，前述第三積層體之製造方法係包含：第一積層步驟，於半導體基板的內面貼附內面保護膜形成用複合體中的內面保護膜形成用膜，獲得由前述半導體基板、前述內面保護膜形成用膜及前述保護層依序積層而成之第二積層體；第二積層步驟，於前述第二積層體的前述保護層貼附支撐片，獲得由前述半導體基板、前述內面保護膜形成用膜、前述保護層及前述支撐片依序積層而成之第三積層體；以及搬送步驟，將前述第二積層體自前述第一積層步驟搬送至前述第二積層步驟。
另外，保護層係於下述第一積層體之製造方法中的下述搬送步驟中，防止(硬化前之)內面保護膜形成用膜之污染及變形，前述第一積層體係由半導體基板、內面保護膜及前述保護層依序積層而成，前述第一積層體之製造方法係包含：第一積層步驟，於前述半導體基板的內面貼附內面保護膜形成用複合體中的內面保護膜形成用膜，獲得由前述半導體基板、前述內面保護膜形成用膜及前述保護層依序積層而成之第二積層體；硬化步驟，使前述第二積層體的前述內面保護膜形成用膜進行硬化，製成內面保護膜；以及搬送步驟，將前述第二積層體自前述第一積層步驟搬送至前述硬化步驟。
保護層之厚度並無特別限定，較佳為1μm至100μm，更佳為2μm至95μm，特佳為3μm至90μm。若保護層之厚度為上述下限值以上，則能夠進一步抑制內面保護膜形成用膜之污染及變形。若保護層之厚度為上述上限值以下，則可進一步提高內面保護膜形成用複合體之操作性。
保護層之厚度例如係藉由使用顯微鏡等觀察將內面保護膜形成用複合體於厚度方向切斷所得之切斷面而求出。
作為保護層，並無特別限定，例如可列舉能量線硬化性膜、基材為例。作為能量線硬化性膜，可使用使得在內面保護膜形成用膜中所說明過之能量線硬化性膜硬化而成之膜。於使用未硬化之能量線硬化性膜作為保護層之情形時，較佳為使用與內面保護膜形成用膜為不同種類之膜。另外，作為保護層，亦可使用以下之保護層用能量線硬化性膜。以下，對可用作保護層之保護層用能量線硬化性膜及保護層用基材加以說明。
[保護層用能量線硬化性膜]
於內面保護膜形成用膜中所說明過之能量線硬化性膜以外之保護層用能量線硬化性膜並無特別限定，例如可使用能量線硬化型含胺基甲酸酯樹脂。
作為能量線硬化型含胺基甲酸酯樹脂，可列舉：以(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯樹脂或胺基甲酸酯聚合物與能量線聚合性單體作為主成分之能量線硬化型樹脂。
再者，保護層用能量線硬化性膜較佳為於本實施形態之第一積層步驟之前預先硬化。
[基材]
作為可用作保護層之基材，較佳為樹脂膜。
作為前述樹脂膜，例如可列舉：低密度聚乙烯(LDPE；Low Density Polyethylene)膜或直鏈低密度聚乙烯(LLDPE；Linear Low Density Polyethylene)膜等聚乙烯膜、乙烯-丙烯共聚物膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚胺基甲酸酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、離子聚合物樹脂膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚醯亞胺膜、氟樹脂膜等。
本發明之一態樣中所用之基材可為由一種樹脂膜構成之單層膜，亦可為將兩種以上之樹脂膜積層而成之積層膜。
另外，於本發明之一態樣中，亦可將對上述樹脂膜等基材之表面實施了表面處理之片用作保護層。
這些樹脂膜亦可為交聯膜。
另外，亦可使用將這種樹脂膜加以著色或實施印刷所得者等。進而，樹脂膜亦可藉由擠出形成將熱塑性樹脂製成片而成，亦可為經延伸者，亦可使用藉由預定方法使硬化性樹脂進行薄膜化及硬化並製成片所得者。
這些樹脂膜中，較佳為耐熱性優異且玻璃轉移溫度為70℃以上之基材。
再者，作為耐熱性優異之膜，例如可列舉：聚酯膜、聚碳酸酯膜、聚苯硫醚膜、環烯烴樹脂膜、聚醯亞胺樹脂膜、將紫外線硬化樹脂經澆鑄製膜並進行硬化所得之膜、及這些兩種以上之積層體等。
於使用基材之情形時，可僅使用基材作為保護層，亦可使用於基材上具有黏著劑層或剝離劑層之片作為保護層。於使用於基材上具有黏著劑層或剝離劑層之片作為保護層之情形時，較佳為於內面保護膜形成用複合體中，黏著劑層或剝離劑層係積層於內面保護膜形成用膜與基材之間。
前述黏著劑層可自在後述之支撐片中所說明之黏著劑層中，對應於基材、內面保護膜形成用膜之種類而適當選擇。
前述剝離劑層可自聚矽氧系、烯烴系、長鏈烷系、醇酸系、氟系等之剝離劑層中，對應於基材、內面保護膜形成用膜之種類而適當選擇。
〇剝離膜
作為本實施形態之內面保護膜形成用複合體2中之剝離膜151，較佳為護膜(protect film)。護膜通常係由基材膜及積層於該基材膜上之黏著劑層所構成。基材膜例如可由熱塑性樹脂構成。作為熱塑性樹脂，可列舉下述樹脂為例：聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂等聚烯烴系樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯系樹脂；聚碳酸酯系樹脂；(甲基)丙烯酸系樹脂。作為黏著劑層，可由丙烯酸系、橡膠系、胺基甲酸酯系、聚矽氧系構成。本實施形態之剝離膜係於貼附後具有再剝離性。
[第三積層體之製造方法]
圖6A至圖6E係示意性地表示使用內面保護膜形成用複合體1的第三積層體之製造方法之實施形態之一例的概略剖面圖。本實施形態之第三積層體之製造方法係將工件14、內面保護膜形成用膜13、保護層12及支撐片10依序積層而成之第三積層體25之製造方法，且依序包含：第一積層步驟，於工件14的內面14b貼附內面保護膜形成用複合體1的內面保護膜形成用膜13，獲得由工件14、內面保護膜形成用膜13及保護層12依序積層而成之第二積層體24(圖6B及圖6C)；搬送步驟，搬送至對第二積層體24貼附支撐片10之第二積層步驟(圖6C至圖6D)；以及第二積層步驟，於保護層12貼附支撐片10(圖6D及圖6E)。
圖7A至圖7F係示意性地表示使用內面保護膜形成用複合體2的第三積層體之製造方法之實施形態之一例的概略剖面圖。本實施形態之第三積層體之製造方法係將工件14、內面保護膜形成用膜13、保護層12及支撐片10依序積層而成之第三積層體25之製造方法，且依序包含：第一積層步驟，於工件14的內面14b貼附內面保護膜形成用複合體2的內面保護膜形成用膜13，獲得由工件14、內面保護膜形成用膜13、保護層12及剝離膜151依序積層而成之積層體(圖7B及圖7C)；搬送步驟，將剝離膜151自前述積層體加以剝離後，搬送至對保護層12貼附支撐片10之第二積層步驟(圖7C至圖7E)；以及第二積層步驟，於保護層12貼附支撐片10(圖7E及圖7F)。
[第一積層體之製造方法]
圖4A至圖4D係示意性地表示使用內面保護膜形成用複合體1的第一積層體之製造方法之實施形態之一例的概略剖面圖。本實施形態之第一積層體之製造方法係將工件14、內面保護膜13’及保護層12依序積層而成之第一積層體23之製造方法，且依序包含：第一積層步驟，於工件14的內面14b貼附內面保護膜形成用複合體1的內面保護膜形成用膜13，獲得由工件14、內面保護膜形成用膜13及保護層12依序積層而成之第二積層體24(圖4B及圖4C)；搬送步驟，將第二積層體24搬送至使內面保護膜形成用膜13進行硬化而製成內面保護膜13’之硬化步驟(圖4C至圖4D)；以及硬化步驟，使第二積層體24的內面保護膜形成用膜13進行硬化而製成內面保護膜13’(圖4D)。
圖5A至圖5E係示意性地表示使用內面保護膜形成用複合體2的第一積層體之製造方法之實施形態之一例的概略剖面圖。本實施形態之第一積層體之製造方法係將工件14、內面保護膜13’及保護層12依序積層而成之第一積層體23之製造方法，且依序包含：第一積層步驟，於工件14的內面14b貼附內面保護膜形成用複合體2的內面保護膜形成用膜13，獲得由工件14、內面保護膜形成用膜13、保護層12及剝離膜151依序積層而成之積層體(圖5B及圖5C)；將剝離膜151自前述積層體加以剝離而獲得第二積層體24的步驟；搬送步驟，將第二積層體24搬送至使內面保護膜形成用膜13進行硬化而製成內面保護膜13’之硬化步驟(圖5D至圖5E)；以及硬化步驟，使第二積層體24的內面保護膜形成用膜13進行硬化而製成內面保護膜13’(圖5E)。
以下，針對第一積層體之製造方法及第三積層體之製造方法，對共通之項目進行說明。本實施形態中，作為圖4A、圖5A、圖6A及圖7A所示之工件14，使用半導體晶圓。半導體晶圓的一面為電路面，形成有凸塊。另外，為了防止半導體晶圓的電路面及凸塊於半導體晶圓的內面磨削時被壓潰或者產生晶圓內面之凹坑或裂縫，半導體晶圓的電路面及凸塊係由電路面保護用帶17進行保護。電路面保護用帶17為內面磨削用帶，作為工件14之半導體晶圓的內面(亦即，工件的內面)為經磨削之面。再者，圖4A至圖4D、圖5A至圖5E所表示之第一積層體之製造方法中雖未圖示，但於第一積層體之製造方法中，半導體晶圓的電路面及凸塊亦較佳為由電路面保護用帶17進行保護。於該情形時，較佳為於圖4D或圖5E所表示之硬化步驟前的任一階段中，使電路面保護用帶剝離。
作為工件14，只要於一面具有電路面且另一面可成為內面，則並無限定。作為工件14，可例示於一面具有電路面之半導體晶圓、或由具端子之半導體裝置集合體(經單片化之各個電子零件被密封樹脂所密封，於一面具有具端子之半導體裝置的端子形成面(換言之電路面))所構成之半導體裝置面板等。
作為電路面保護用帶17，例如可使用日本特開2016-192488號公報、日本特開2009-141265號公報所揭示之表面保護用片。電路面保護用帶17具備具有適度之再剝離性之黏著劑層。前述黏著劑層亦可由橡膠系、丙烯酸系、聚矽氧系、胺基甲酸酯系、乙烯醚系等通用之弱黏著型之黏著劑所形成。另外，前述黏著劑層亦可為藉由能量線之照射發生硬化而能夠再剝離之能量線硬化型黏著劑。
於第三積層體之製造方法中，亦可利用不同裝置來進行前述第一積層步驟(圖6B至圖6C、或圖7B至圖7D)與前述第二積層步驟(圖6D至圖6E、或圖7E至圖7F)(以下亦稱為方法1)。
於第三積層體之製造方法中，較佳為將貼附內面保護膜形成用膜之裝置與貼附支撐片之裝置加以連結，進行自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之間(圖6B至圖6E、或圖7B至圖7F)，或者於同一裝置內進行自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之間(以下亦稱為方法2)。
於第一積層體之製造方法中，亦可利用不同裝置來進行前述第一積層步驟(圖4B至圖4C、或圖5B至圖5D)與前述硬化步驟(圖4D或圖5E)(以下亦稱為方法3)。
於第一積層體之製造方法中，較佳為將貼附內面保護膜形成用膜之裝置與使內面保護膜形成用膜進行硬化之裝置加以連結，進行自前述第一積層步驟至前述硬化步驟為止之間(圖4B至圖4D、圖5B至圖E)，或者於同一裝置內進行自前述第一積層步驟至前述硬化步驟為止之間(以下亦稱為方法4)。
於方法2中，可於自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之間，不將於工件14積層有內面保護膜形成用膜13及保護層12之第二積層體收容於卡匣，而是一片一片地搬送至圖6D至圖6E、或圖7E至圖7F所示之第二積層步驟。
於方法4中，可於自前述第一積層步驟至前述硬化步驟為止之間，不將於工件14積層有內面保護膜形成用膜13及保護層12之第二積層體收容於卡匣，而是一片一片地搬送至圖4D或圖5E所示之硬化步驟。
藉由在同一裝置內進行，而能夠進一步減少裝置空間。藉由使貼附內面保護膜形成用膜之裝置與貼附支撐片之裝置(或使內面保護膜形成用膜進行硬化之裝置)連結來進行，即便不從頭開始設計，亦可藉由改造先前之裝置而應對，可降低初期費用。而且，由於無須將第二積層體收容於卡匣而搬送至裝置外，故而生產效率提高，且能夠抑制第二積層體之污染。
用於第一積層步驟之內面保護膜形成用膜13及保護層12可事先加工成工件之形狀，亦可於即將進行第一積層步驟之前，於同一裝置內進行加工。
另外，內面保護膜形成用膜13及保護層12亦可於進行第一積層步驟後，如以下般進行加工。於使用內面保護膜形成用複合體1之情形時，於第一積層步驟中，於工件14的內面貼附內面保護膜形成用複合體1的內面保護膜形成用膜13，獲得由工件14、內面保護膜形成用膜13、保護層12依序積層而成之第二積層體後，將內面保護膜形成用膜13及保護層12加工成工件之形狀。
於使用內面保護膜形成用複合體2之情形時，於第一積層步驟中，於工件14的內面貼附內面保護膜形成用複合體2的內面保護膜形成用膜13，將剝離膜151加以剝離，獲得由工件14、內面保護膜形成用膜13及保護層12依序積層而成之積層體後，將內面保護膜形成用膜13及保護層12加工成工件之形狀。
另外，其他實施形態中，可將自前述第一積層步驟之貼附開始地點至前述第二積層步驟之貼附完成地點(或自前述第一積層步驟之貼附開始地點至前述硬化步驟之硬化完成地點)為止之間的工件14之搬送距離設計為7000mm以下，可減少裝置空間。自前述第一積層步驟之貼附開始地點至前述第二積層步驟之貼附完成地點(或自前述第一積層步驟之貼附開始地點至前述硬化步驟之硬化完成地點)為止之間的工件14之搬送距離亦可設為6500mm以下，亦可設為6000mm以下，亦可設為4500mm以下，亦可設為3000mm以下。工件14之搬送距離之下限值並無特別限定，例如可設為100mm。
另外，進而於其他之實施形態中，可將自前述第一積層步驟之貼附開始時至前述第二積層步驟之貼附完成時(或自前述第一積層步驟之貼附開始時至前述硬化步驟之硬化完成時)為止之間的工件14之搬送時間設為400s以下，可縮短步驟時間。自前述第一積層步驟之貼附開始時至前述第二積層步驟之貼附完成時(或自前述第一積層步驟之貼附開始時至前述硬化步驟之硬化完成時)為止之間的工件14之搬送時間亦可設為300s以下，亦可設為250s以下，亦可設為200s以下，亦可設為150s以下。工件14之搬送時間之下限值並無特別限定，例如可設為10s。
第一積層體之製造方法及第三積層體之製造方法中的第一積層步驟中於工件14貼附內面保護膜形成用膜13的露出面之速度、以及第三積層體之製造方法中的第二積層步驟中於保護層12的露出面貼附支撐片10之速度亦可設為100mm/秒以下，亦可設為80mm/秒以下，亦可設為60mm/秒以下，亦可設為40mm/秒以下。藉由第一積層步驟中的前述貼附速度、及第二積層步驟中的前述貼附速度為上述上限值以下，可使工件14與內面保護膜形成用膜13之間的密接性、保護層12與支撐片10之間的密接性良好。
第一積層步驟中的前述貼附速度、及第二積層步驟中的前述貼附速度亦可設為2mm/秒以上，亦可設為5mm/秒以上，亦可設為10mm/秒以上。藉由第一積層步驟中的前述貼附速度、及第二積層步驟中的前述貼附速度為上述下限值以上，可提高第一積層體23及第三積層體25之生產效率，並且將自第一積層步驟之貼附開始時至第二積層步驟之貼附完成時(或自第一積層步驟之貼附開始時至硬化步驟之硬化完成時)為止之間的工件14之搬送時間設為400s以下。
本實施形態之第一積層體之製造方法及第三積層體之製造方法可使貼附內面保護膜形成用膜之裝置與貼附支撐片之裝置(或使內面保護膜形成用膜進行硬化之裝置)連結而進行，或者於同一裝置內進行。
作為同一裝置，例如可藉由具備內面保護膜形成用膜貼附台、支撐片貼附台(或硬化單元)及搬送臂之裝置而實施。
具體而言，被投入至前述裝置之工件係由搬送臂搬送至內面保護膜形成用膜貼附台，於前述工件的內面側貼附內面保護膜形成複合體1的內面保護膜形成用膜(進行第一積層步驟)。
使搬送臂的具有吸附孔之吸附面吸附於前述第一積層步驟中所得之積層體的保護層面，搬送至貼附支撐片之第二積層步驟(或使內面保護膜形成用膜進行硬化之硬化步驟)(進行搬送步驟)。
上述搬送步驟後，於保護層貼附支撐片，藉此獲得由工件、內面保護膜形成用膜、保護層及支撐片依序積層而成之第三積層體(第二積層步驟)。
另外，上述搬送步驟後，使內面保護膜形成用膜進行硬化，藉此獲得由工件、內面保護膜及保護層依序積層而成之第一積層體(進行硬化步驟)。
藉由使用本實施形態之內面保護膜形成用複合體1，而能夠防止前述搬送步驟中的內面保護膜形成用膜13之污染及變形。
前述裝置較佳為具備1個至5個內面保護膜形成用膜貼附台，更佳為具備1個至3個內面保護膜形成用膜貼附台。若裝置內之內面保護膜形成用膜貼附台之個數為前述範圍之下限值以上，則生產效率提高，若為上限值以下，則可減少裝置之空間。
前述裝置較佳為具備1個至5個支撐片貼附台，更佳為具備1個至3個支撐片貼附台。若裝置內之支撐片貼附台之個數為前述範圍之下限值以上，則生產效率提高，若為上限值以下，則可減少裝置之空間。
前述裝置較佳為對應各搬送路徑而具備搬送臂。若將搬送臂之個數相對於台之總數的比率設為1以上，則可提高生產效率。另外，於具備2個以上之台之情形時，若將搬送臂之個數相對於台之總數的比率設為超過0至未達1(例如相對於2個台而搬送臂之總數為1)，則可減少裝置之空間。
作為使貼附內面保護膜形成用膜之裝置與貼附支撐片之裝置連結而進行之具體例，可列舉下述方法：使具有貼附內面保護膜形成用膜之機構的裝置、與具有貼附支撐片之機構的裝置連續，於各機構間，使用搬送臂一片一片地搬送於工件14貼附有內面保護膜形成用膜13之第二積層體。
作為使貼附內面保護膜形成用膜之裝置與使內面保護膜形成用膜進行硬化之裝置連結而進行之具體例，可列舉下述方法：使具有貼附內面保護膜形成用膜之機構的裝置、與具有使內面保護膜形成用膜硬化之機構的裝置連續，於各機構間，使用搬送臂一片一片地搬送於工件14貼附有內面保護膜形成用膜13之第二積層體。
本實施形態之第一積層體之製造方法及第三積層體之製造方法中的第一積層步驟較佳為藉由以下方法進行。以下，針對將用於第一積層步驟之內面保護膜形成用膜13及保護層12事先加工為工件之形狀、或者於即將進行第一積層步驟之前於同一裝置內進行加工之情形進行說明。
準備圖9所示之帶狀之內面保護膜形成用複合體3，該內面保護膜形成用複合體3係於本實施形態之內面保護膜形成用複合體2的內面保護膜形成用膜13的最表面具有剝離膜152。
帶狀之內面保護膜形成用複合體3較佳為捲成輥狀進行保存。
首先，將剝離膜152加以剝離，將內面保護膜形成用膜13及保護層12切斷加工為工件14之形狀。繼而，藉由捲取而去除由外周部之內面保護膜形成用膜13與保護層12所構成之積層體。
於不具有保護層12之情形時，上述外周部之捲取成為僅捲取內面保護膜形成用膜13。內面保護膜形成用膜13係薄且脆弱，故而於進行捲取時有可能引起切斷，有時未良好地進行外周部之捲取。
若使用本實施形態之內面保護膜形成用複合體3，則上述外周部之捲取成為捲取由內面保護膜形成用膜13及保護層12所構成之積層體。藉由具有保護層12使得積層體增厚，強度亦提高，故而於進行捲取時引起切斷之可能性降低，可有效率地進行外周部之捲取。
將如此經切斷加工成工件之形狀的本實施形態之內面保護膜形成用複合體2貼附於工件14的內面，獲得由工件14、內面保護膜形成用膜13、保護層12及剝離膜151依序積層而成之積層體。如上所述，剝離膜151未經切斷加工，故而保持帶狀。藉由捲取帶狀之剝離膜151，而將剝離膜151加以剝離，獲得由工件14、內面保護膜形成用膜13及保護層12依序積層而成之第二積層體24。
於第三積層體之製造方法中的圖6D或圖7E所示之第二積層步驟中，於保護層12積層支撐片10。支撐片10例如為厚度80μm、直徑270mm之圓形之聚烯烴膜，亦可於外周部具備治具用接著劑層。本實施形態中，工件14亦可與內面保護膜形成用膜13及保護層12一併固定於固定用治具18。而且，亦可於保護層12積層支撐片10，並且固定於固定用治具18(圖6E或圖7F)。
[支撐片]
作為本發明之一態樣中所用之支撐片10，可列舉僅由基材101構成之片、或於基材101上具有黏著劑層102之黏著片。
本發明之一態樣之第三積層體所具有之支撐片發揮防止塵埃等附著於內面保護膜形成用膜的表面的剝離片之作用、或於切割步驟等用以保護內面保護膜形成用膜之面的切割片等之作用。
作為支撐片之厚度，係根據用途而適當選擇，就對複合片賦予充分之可撓性，使複合片對矽晶圓之貼附性良好之觀點而言，較佳為10μm至500μm，更佳為20μm至350μm，特佳為30μm至200μm。
再者，關於上述支撐片之厚度，不僅為構成支撐片之基材之厚度，於具有黏著劑層之情形時，亦包含這些層或膜之厚度。
作為構成支撐片10之基材101，可使用在保護層中說明過之基材。
另外，本發明之一態樣中，亦可將對於上述樹脂膜等基材之表面實施了表面處理之片用作支撐片。
這些樹脂膜中，就耐熱性優異，且因具有適度之柔軟性故而具有擴展適性，亦容易維持拾取適性之觀點而言，較佳為包含聚丙烯膜之基材。
再者，作為包含聚丙烯膜之基材之構成，可為僅由聚丙烯膜所構成之單層結構，亦可為由聚丙烯膜及其他樹脂膜所構成之多層結構。
於內面保護膜形成用膜為熱硬化性之情形時，藉由使得構成基材之樹脂膜具有耐熱性，而能夠抑制基材因受熱所致之損傷，抑制半導體裝置之製造製程中的不良狀況之產生。
於使用僅由基材所構成之片作為支撐片之情形時，作為前述基材中的與內面保護膜形成用膜的表面接觸之面之表面張力，就將剝離力調節至一定範圍之觀點而言，較佳為20mN/m至50mN/m，更佳為23mN/m至45mN/m，特佳為25mN/m至40mN/m。
作為構成支撐片之基材之厚度，較佳為10μm至500μm，更佳為15μm至300μm，特佳為20μm至200μm。
[黏著片]
作為本發明之一態樣中用作支撐片10之黏著片，可列舉於上述樹脂膜等基材101上具有由黏著劑所形成之黏著劑層102的黏著片。
圖8係表示於基材101上設有黏著劑層102之支撐片10之一例的概略剖面圖。
於支撐片10具備黏著劑層102時，於第二積層步驟中，於保護層12積層支撐片10的黏著劑層102。
成為黏著劑層之形成材料的黏著劑，可列舉含有黏著性樹脂之黏著劑組成物，前述黏著劑組成物亦可進而含有上述交聯劑或增黏劑等通用添加劑。
作為前述黏著性樹脂，於著眼於樹脂之結構之情形時，例如可列舉丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧系樹脂、乙烯醚系樹脂等，於著眼於樹脂之功能之情形時，例如可列舉能量線硬化型黏著劑或加熱發泡型黏著劑、能量線發泡型黏著劑等。
本發明之一態樣中，為了確保相對於保護層之密接性，支撐片之黏著劑層102較佳為強黏著劑層。亦可為由含有能量線硬化型樹脂之黏著劑組成物所形成的能量線硬化性之黏著劑層。
另外，就將剝離力調整至一定範圍之觀點而言，較佳為含有丙烯酸系樹脂之黏著劑。
作為前述丙烯酸系樹脂，較佳為具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單元(x1)的丙烯酸系聚合物，更佳為具有構成單元(x1)及源自含官能基之單體之構成單元(x2)的丙烯酸系共聚物。
作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯所具有之烷基之碳數，較佳為1至18，更佳為1至12，特佳為1至8。
作為前述(甲基)丙烯酸烷基酯，可列舉與於上述黏合劑聚合物成分之部分所說明過之(甲基)丙烯酸烷基酯相同之(甲基)丙烯酸烷基酯。
再者，(甲基)丙烯酸烷基酯可單獨使用或併用兩種以上。
相對於丙烯酸系聚合物之總構成單元(100質量%)，構成單元(x1)之含量通常為50質量%至100質量%，較佳為50質量%至99.9質量%，更佳為60質量%至99質量%，特佳為70質量%至95質量%。
作為上述含官能基之單體，例如可列舉含羥基之單體、含羧基之單體、含環氧基之單體等，各單體之具體例可列舉與在黏合劑聚合物成分之部分中例示之單體相同之單體。
再者，這些單體亦可單獨使用或併用兩種以上。
相對於丙烯酸系聚合物之總構成單元(100質量%)，構成單元(x2)之含量通常為0質量%至40質量%，較佳為0.1質量%至40質量%，更佳為1質量%至30質量%，特佳為5質量%至20質量%。
另外，作為本發明之一態樣中所用之丙烯酸系樹脂，亦可為能量線硬化型丙烯酸系樹脂，該能量線硬化型丙烯酸系樹脂係使具有上述構成單元(x1)及構成單元(x2)之丙烯酸系共聚物進而與具有能量線聚合性基之化合物反應而獲得。
作為具有能量線聚合性基之化合物，只要為具有(甲基)丙烯醯基、乙烯基等聚合性基之化合物即可。
於使用含有丙烯酸系樹脂之黏著劑之情形時，就將剝離力調整為一定範圍之觀點而言，較佳為於丙烯酸系樹脂一併含有交聯劑。
作為前述交聯劑，例如可列舉異氰酸酯系交聯劑、亞胺系交聯劑、環氧系交聯劑、噁唑啉系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑等，就將剝離力調整至一定範圍之觀點而言，較佳為異氰酸酯系交聯劑。
相對於上述黏著劑中所含之丙烯酸系樹脂之總質量(100質量份)，交聯劑之含量較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.1質量份至15質量份，特佳為0.5質量份至10質量份，進而更佳為1質量份至8質量份。
支撐片10可由一層(單層)所構成，亦可由兩層以上之多層所構成。於支撐片由多層所構成之情形時，這些多層的構成材料及厚度相互可相同亦可不同，這些多層的組合只要無損本發明的效果，則並無特別限定。
此外，本說明書中，並不限於支撐片之情形，所謂「多層相互可相同亦可不同」，意指「可全部層相同，亦可全部層皆不同，還可僅一部分層相同」，進而，所謂「多層相互不同」，意指「各層的構成材料及厚度的至少一者相互不同」。
支撐片可為透明，亦可為不透明，亦可根據目的而著色。
例如，於內面保護膜形成用膜具有能量線硬化性之情形時，支撐片較佳為使能量線穿透。
例如，為了經由支撐片對內面保護膜形成用膜進行光學檢查，支撐片較佳為透明。
於本實施形態中，工件14的電路面係由電路面保護用帶17保護，可於前述第二積層步驟之後，包含自工件14的電路面剝離電路面保護用帶17之剝離步驟。本實施形態中，電路面保護用帶17於黏著於電路面之側具有黏著劑層。前述黏著劑層只要對工件具有適度之再剝離性，則種類並無限定，亦可由橡膠系、丙烯酸系、聚矽氧系、胺基甲酸酯系、乙烯醚系等通用之黏著劑所形成。另外，亦可由藉由能量線之照射發生硬化而成為再剝離性之能量線硬化型黏著劑所形成。於黏著劑層由能量線硬化型黏著劑所形成之情形時，藉由在前述剝離步驟中，對電路面保護用帶17的黏著劑層照射能量線，使黏著劑層進行硬化而能夠再剝離，而可使電路面保護用帶17自工件14的電路面容易地剝離。
本實施形態之第三積層體之製造方法亦可包含下述步驟：對內面保護膜形成用膜13自支撐片10之側照射雷射來進行雷射標記。本實施形態之第三積層體之製造方法係於保護層12積層支撐片10，故而若自支撐片10之側穿過支撐片及保護層照射雷射，則可於內面保護膜形成用膜13中的與保護層12接觸之面進行雷射標記。
本實施形態之第一積層體之製造方法亦可包含下述步驟：對內面保護膜形成用膜13或內面保護膜13’照射雷射而進行雷射標記。
於第一積層體之製造方法及第三積層體之製造方法中，藉由使用本實施形態之內面保護膜形成用複合體1，可防止內面保護膜形成用膜13之污染及變形。因此，亦防止使內面保護膜形成用膜13進行硬化所得之內面保護膜13’之污染及變形。於內面保護膜形成用膜13或內面保護膜13’受到污染及變形之情形(於表面具有凹凸之情形)時，於穿透支撐片10照射雷射進行雷射標記之時，會產生印字出現不良狀況，印字後之視認性變差之問題。
於第一積層體之製造方法及第三積層體之製造方法中，藉由使用本實施形態之內面保護膜形成用複合體1，可抑制內面保護膜形成用膜13(內面保護膜13’)之污染及變形，結果抑制上述印字之不良狀況，印字後之視認性變良好。
[第四積層體之製造方法]
本實施形態之第四積層體之製造方法為將工件14、內面保護膜13’、保護層12及支撐片10依序積層而成之第四積層體26之製造方法，且包含：硬化步驟，使由前述第三積層體之製造方法所製造之第三積層體25的內面保護膜形成用膜13進行硬化，製成內面保護膜13’。
另外，本實施形態之第四積層體之製造方法為包含下述第二積層步驟的第四積層體26之製造方法：於由前述第一積層體之製造方法所製造的第一積層體23之保護層12貼附支撐片10，獲得由工件14、內面保護膜13’、保護層12及支撐片10依序積層而成之第四積層體。
圖10A至圖10C係示意性地表示第四積層體之製造方法之實施形態之一例的概略剖面圖。本實施形態之第四積層體之製造方法係包含：剝離步驟，於前述第三積層體之製造方法中的前述第二積層步驟之後，自工件14的電路面剝離電路面保護用帶17(圖10A)；對內面保護膜形成用膜13自支撐片10之側照射雷射進行雷射標記的步驟(圖10B)；以及硬化步驟，使內面保護膜形成用膜13進行硬化而製成內面保護膜13’(圖10C)。本實施形態中，使用熱硬化性之內面保護膜形成用膜，於本實施形態之硬化步驟中，以130℃、2h之條件進行熱硬化。
關於對熱硬化性之內面保護膜形成用膜進行熱處理加以熱硬化而形成內面保護膜時之硬化條件，只要內面保護膜成為充分發揮功能之程度之硬化度，則並無特別限定，只要根據熱硬化性之內面保護膜形成用膜之種類而適宜選擇即可。
例如，熱硬化時之加熱溫度較佳為100℃至200℃，更佳為110℃至180℃，尤佳為120℃至170℃。而且，前述熱硬化時之加熱時間較佳為0.5小時至5小時，更佳為0.5小時至3小時，尤佳為1小時至2小時。於硬化步驟中進行熱硬化之情形時，考慮到電路面保護用帶17之耐熱性，前述剝離步驟之順序較佳為在硬化步驟之前。
圖11A至圖11C係用以示意性地表示第四積層體之製造方法之實施形態之另一例的概略剖面圖。本實施形態之第四積層體之製造方法係包含：剝離步驟，於前述第三積層體之製造方法中的前述第二積層步驟之後，自工件14的電路面剝離電路面保護用帶17(圖11A)；硬化步驟，使內面保護膜形成用膜13進行硬化而製成內面保護膜13’(圖11B)；以及對內面保護膜13’自支撐片10之側照射雷射進行雷射標記的步驟(圖11C)。
圖12A、圖12B係示意性地表示第四積層體之製造方法之實施形態之另一例的概略剖面圖。本實施形態之第四積層體之製造方法係包含：第二積層步驟，於藉由前述第一積層體之製造方法所製造之第一積層體23貼附支撐片。剝離電路面保護用帶17的步驟及自支撐片10之側照射雷射進行雷射標記的步驟可包含於製造第一積層體23的步驟內，亦可包含於由圖12A、圖12B所示之第一積層體23來製造第四積層體26的步驟內。
[具內面保護膜之半導體裝置之製造方法]
圖12C至圖12E及圖13A至圖13C係用以示意性地表示具內面保護膜之半導體裝置之製造方法之實施形態之一例的概略剖面圖。本實施形態之具內面保護膜之半導體裝置之製造方法係包含：將由前述第四積層體之製造方法所製造之第四積層體26中的工件14、內面保護膜13’及保護層12加以切割，製成具內面保護膜之半導體裝置22’的步驟(圖12C、圖12D、圖13A及圖13B)；以及自保護層12拾取具內面保護膜之半導體裝置22’的步驟(圖12E、圖13C)。
圖14A至圖14D係示意性地表示具內面保護膜之半導體裝置之製造方法之實施形態之另一例的概略剖面圖。本實施形態之具內面保護膜之半導體裝置之製造方法係包含：將由前述第三積層體之製造方法所製造之第三積層體25中的內面保護膜形成用膜13、工件14及保護層12加以切割，製成具內面保護膜形成用膜之半導體裝置22的步驟(圖14A及圖14B)；硬化步驟，使內面保護膜形成用膜13進行硬化而製成內面保護膜13’(圖14C)；以及自支撐片10(保護層12)拾取具內面保護膜之半導體裝置22’的步驟(圖14D)。
上述半導體裝置之製造方法中之切割係可藉由使用刀片之刀片切割、利用雷射照射之雷射切割、或藉由噴附包含研磨劑之水而進行之水切割等各切割來進行。這些切割中，連同於支撐片上經由保護層及內面保護膜(內面保護膜形成用膜)所保持之保護層及內面保護膜(內面保護膜形成用膜)、工件一併切斷。
另外，上述半導體裝置之製造方法中之切割亦可藉由隱形切割(註冊商標)而進行。隱形切割(註冊商標)中，首先於晶圓的內部設定分割預定部位，以該部位為焦點，以聚焦於該焦點之方式照射雷射光，藉此於晶圓的內部形成改質層。晶圓的改質層係與晶圓的其他部位不同，藉由雷射光之照射而變質，強度變弱。因此，藉由對晶圓施加力，而於晶圓的內部之改質層中產生向晶圓的兩面方向延伸之龜裂，成為晶圓之分割(切斷)之起點。繼而，對晶圓施加力，於前述改質層之部位分割晶圓而製作晶片。此時，例如將於支撐片上經由保護層及內面保護膜(內面保護膜形成用膜)而保持之形成有改質層之晶圓來和支撐片、保護層、內面保護膜(內面保護膜形成用膜)一併沿相對於晶圓的表面呈平行之方向拉伸，藉此對晶圓施加力，可製作具內面保護膜之晶片。
本實施形態之具內面保護膜之半導體裝置之製造方法中，內面保護膜形成用膜13為熱硬化性，於製成本實施形態之內面保護膜的步驟中，例如使內面保護膜形成用膜13以130℃、2h之條件進行熱硬化。
關於使熱硬化性之內面保護膜形成用膜進行熱硬化而形成內面保護膜時之硬化條件，如上所述，只要內面保護膜成為充分發揮功能之程度之硬化度，則並無特別限定，只要根據熱硬化性之內面保護膜形成用膜之種類而適宜選擇即可。
本實施形態之具內面保護膜之半導體裝置之製造方法中，內面保護膜形成用膜13亦可為能量線硬化性，且製成前述內面保護膜的步驟為對於內面保護膜形成用膜13照射能量線而進行能量線硬化的步驟。
關於使能量線硬化性之內面保護膜形成用膜進行能量線硬化而形成內面保護膜時之硬化條件，只要內面保護膜成為充分發揮功能之程度之硬化度，則並無特別限定，只要根據能量線硬化性內面保護膜形成用膜之種類而適宜選擇即可。
例如，能量線硬化性內面保護膜形成用膜之能量線硬化時的能量線之照度較佳為4mW/cm2
至280mW/cm2
。而且，前述硬化時的能量線之光量較佳為3mJ/cm2
至1000mJ/cm2
。
作為能量線硬化性之內面保護膜形成用膜，例如亦可使用國際公開第2017/188200號、國際公開第2017/188218號所揭示之內面保護膜形成用膜。
於不具有保護層12之情形時，具內面保護膜之半導體裝置22’係自支撐片10拾取。於使用熱硬化性膜作為內面保護膜形成用膜13之情形時，有時硬化後之內面保護膜13’與支撐片10之黏著力變大，拾取變困難。於該情形時，需要調整支撐片之黏著劑成分之組成等。
另一方面，若使用本實施形態之內面保護膜形成用複合體1，則具內面保護膜之半導體裝置22’係自保護層12拾取。於該情形時，若充分增大保護層12與支撐片10之黏著力，則即便未針對具內面保護膜之半導體裝置22’與保護層12之黏著力進行最適化，亦可容易地進行拾取。
[實施例]
以下，藉由具體的實施例對本發明更詳細地進行說明。但是，本發明並不受以下所示之實施例的任何限定。
[搬送步驟中的內面保護膜形成用膜之變形抑制之評價]
將由後述實施例1至實施例3及比較例1所得之具內面保護膜形成用複合體之晶圓以半導體晶圓之側向下而設置於設定溫度40℃之台上，放置1分鐘。此時，台之表面溫度之測定值為37℃至38℃。自具內面保護膜形成用複合體之晶圓的上側，使用具有吸附孔之標準的8”I型機械臂(臂前端部之吸附區：直徑34mm)，以30分鐘、真空源-80kPa以下之條件吸附保持具內面保護膜形成用複合體之晶圓。然後，將具內面保護膜形成用複合體之晶圓以半導體晶圓之側向下而設置於常溫之台，停止機械臂之吸附。目視確認具內面保護膜形成用複合體之晶圓之上面，將完全未見吸附痕之情況評價為A，將可見吸附痕之情況評價為B。
[內面保護膜形成用膜之製造]
準備於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜的單面形成聚矽氧系之剝離劑層而成之第一剝離片(琳得科(Lintec)公司製造：SP-PET5011，厚度50μm)、及於PET膜的單面形成聚矽氧系之剝離劑層而成之第二剝離片(琳得科(Lintec)公司製造：SP-PET381031，厚度38μm)。
利用刮刀塗佈機於第一剝離片的剝離面上塗佈內面保護膜形成用膜用塗佈溶液後，利用烘箱於120℃乾燥2分鐘，形成厚度40μm之內面保護膜形成用膜。繼而，於內面保護膜形成用膜重疊第二剝離片的剝離面而將兩者貼合，獲得由第一剝離片、內面保護膜形成用膜(琳得科(Lintec)公司製造：LC2846，厚度：40μm)及第二剝離片所構成之內面保護膜形成用片。
[保護層]
使用前述第一剝離片亦即於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜的單面形成有聚矽氧系之剝離劑層而成之片(琳得科(Lintec)公司製造：SP-PET5011，厚度50μm)作為保護層1。
利用以下方法製造保護層2形成用膜。
製備下述黏著劑組成物，該黏著劑組成物係含有丙烯酸系聚合物(100質量份，固形物)、及三官能二甲苯二異氰酸酯系交聯劑(三井武田化學公司製造：Takenate D110N)(10.7質量份，固形物)，進而含有甲基乙基酮作為溶劑，固形物濃度為30質量%。再者，前述丙烯酸系聚合物係將丙烯酸-2-乙基己酯(36質量份)、丙烯酸丁酯(59質量份)及丙烯酸-2-羥基乙酯(5質量份)共聚合而成，重量平均分子量為600,000。
於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜的單面經聚矽氧處理進行了剝離處理之剝離膜(琳得科(Lintec)公司製造：SP-PET381031，厚度38μm)的剝離處理面，塗敷前述黏著劑組成物，於120℃進行2分鐘加熱乾燥，藉此形成厚度5μm之黏著劑層。
繼而，於該黏著劑層的露出面，貼合作為基材之聚丙烯系膜(楊氏模量400MPa，厚度80μm)，獲得於前述基材的一表面上具備前述黏著劑層之保護層2形成用膜。
作為保護層3形成用膜，使用了於保護層2形成用膜之製造中所使用之聚丙烯系膜(無黏著劑層)。
[實施例1]
將內面保護膜形成用膜側之第二剝離片剝除，將露出之面貼附於8吋半導體晶圓(厚度300μm)，進而以殘留第一剝離片作為保護層1之狀態獲得具內面保護膜形成用複合體A之晶圓。
針對具內面保護膜形成用複合體A之晶圓，利用上述方法進行搬送步驟中的內面保護膜形成用膜之變形評價。將上述評價中之吸附壓及結果表示於表1。
[實施例2]
將內面保護膜形成用膜側之第二剝離片剝除，將露出之面貼附於8吋半導體晶圓(厚度300μm)，進而於剝除第一剝離片而露出之內面保護膜形成用膜，貼附剝除保護層2形成用膜之剝離膜而露出之黏著劑層，獲得具內面保護膜形成用複合體B之晶圓。
針對具內面保護膜形成用複合體B之晶圓，利用上述方法進行搬送步驟中的內面保護膜形成用膜之變形評價。將上述評價中之吸附壓及結果表示於表1。
[實施例3]
將內面保護膜形成用膜側之第二剝離片剝除，將露出之面貼附於8吋半導體晶圓(厚度300μm)，進而於剝除第一剝離片所露出之內面保護膜形成用膜上貼附保護層3形成用膜，獲得具內面保護膜形成用複合體C之晶圓。
針對具內面保護膜形成用複合體C之晶圓，利用上述方法進行搬送步驟中的內面保護膜形成用膜之變形評價。將上述評價中之吸附壓及結果表示於表1。
[比較例1]
將內面保護膜形成用膜側之第二剝離片剝除，將露出之面貼附於8吋半導體晶圓(厚度300μm)，進而剝除第一剝離片，獲得具內面保護膜形成用膜之晶圓。
針對具內面保護膜形成用膜之晶圓，利用上述方法進行搬送步驟中的內面保護膜形成用膜之變形評價。將上述評價中之吸附壓及結果表示於表1。
[表1]
| 樣本 | 保護層 | 吸附壓 (kPa) | 結果 | |
| 實施例1 | 具內面保護膜形成用複合體A之晶圓 | 保護層1 | -83.5 | A |
| 實施例2 | 具內面保護膜形成用複合體B之晶圓 | 保護層2 | -83.5 | A |
| 實施例3 | 具內面保護膜形成用複合體C之晶圓 | 保護層3 | -83.6 | A |
| 比較例 | 具內面保護膜形成用膜之晶圓 | 無 | -83.8 | B |
具有本發明之保護層之實施例1至實施例3中完全未確認到吸附痕。另一方面，不具有本發明之保護層之比較例1中確認到吸附痕。
[產業可利用性]
本發明之內面保護膜形成用複合體係能夠用於製造具內面保護膜之半導體裝置。
1,2,3:內面保護膜形成用複合體
7:具內面保護膜之半導體晶片
8:半導體晶圓
8a:半導體晶圓的電路面
8b:半導體晶圓的內面
9:半導體晶片
10:支撐片
12:保護層
13:內面保護膜形成用膜
13’:內面保護膜
14:工件
14a:工件的電路面
14b:工件的內面
17:電路面保護用帶
18:固定用治具
21:半導體裝置
22:具內面保護膜形成用膜之半導體裝置
22’:具內面保護膜之半導體裝置
23:第一積層體
24:第二積層體
25:第三積層體
26:第四積層體
101:基材
102:黏著劑層
151,152:剝離膜
[圖1A]係示意性地表示先前之具內面保護膜之半導體晶片之製造方法之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖1B]係示意性地表示先前之具內面保護膜之半導體晶片之製造方法之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖1C]係示意性地表示先前之具內面保護膜之半導體晶片之製造方法之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖1D]係示意性地表示先前之具內面保護膜之半導體晶片之製造方法之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖1E]係示意性地表示先前之具內面保護膜之半導體晶片之製造方法之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖1F]係示意性地表示先前之具內面保護膜之半導體晶片之製造方法之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖1G]係示意性地表示先前之具內面保護膜之半導體晶片之製造方法之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖2]係表示內面保護膜形成用複合體之一例的概略剖面圖。
[圖3]係表示內面保護膜形成用複合體之一例的概略剖面圖。
[圖4A]係示意性地表示第一積層體之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖4B]係示意性地表示第一積層體之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖4C]係示意性地表示第一積層體之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖4D]係示意性地表示第一積層體之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖5A]係示意性地表示第一積層體之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖5B]係示意性地表示第一積層體之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖5C]係示意性地表示第一積層體之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖5D]係示意性地表示第一積層體之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖5E]係示意性地表示第一積層體之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖6A]係示意性地表示第三積層體之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖6B]係示意性地表示第三積層體之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖6C]係示意性地表示第三積層體之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖6D]係示意性地表示第三積層體之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖6E]係示意性地表示第三積層體之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖7A]係示意性地表示第三積層體之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖7B]係示意性地表示第三積層體之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖7C]係示意性地表示第三積層體之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖7D]係示意性地表示第三積層體之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖7E]係示意性地表示第三積層體之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖7F]係示意性地表示第三積層體之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖8]係表示於基材101上設有黏著劑層102之支撐片10之一例的概略剖面圖。
[圖9]係表示內面保護膜形成用複合體之一例的概略剖面圖。
[圖10A]係示意性地表示第四積層體之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖10B]係示意性地表示第四積層體之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖10C]係示意性地表示第四積層體之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖11A]係示意性地表示第四積層體之製造方法之實施形態之另一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖11B]係示意性地表示第四積層體之製造方法之實施形態之另一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖11C]係示意性地表示第四積層體之製造方法之實施形態之另一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖12A]係示意性地表示具內面保護膜之半導體裝置之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖12B]係示意性地表示具內面保護膜之半導體裝置之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖12C]係示意性地表示具內面保護膜之半導體裝置之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖12D]係示意性地表示具內面保護膜之半導體裝置之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖12E]係示意性地表示具內面保護膜之半導體裝置之製造方法之實施形態之一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖13A]係示意性地表示具內面保護膜之半導體裝置之製造方法之實施形態之另一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖13B]係示意性地表示具內面保護膜之半導體裝置之製造方法之實施形態之另一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖13C]係示意性地表示具內面保護膜之半導體裝置之製造方法之實施形態之另一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖14A]係示意性地表示具內面保護膜之半導體裝置之製造方法之實施形態之另一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖14B]係示意性地表示具內面保護膜之半導體裝置之製造方法之實施形態之另一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖14C]係示意性地表示具內面保護膜之半導體裝置之製造方法之實施形態之另一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
[圖14D]係示意性地表示具內面保護膜之半導體裝置之製造方法之實施形態之另一例中的步驟之一部分的概略剖面圖。
1:內面保護膜形成用複合體
12:保護層
13:內面保護膜形成用膜
Claims (7)
- 一種內面保護膜形成用複合體，係由保護層及內面保護膜形成用膜所積層而成； 係用於由半導體基板、內面保護膜及前述保護層依序積層而成之第一積層體之製造方法中，前述第一積層體之製造方法係包含： 第一積層步驟，於前述半導體基板的內面貼附前述內面保護膜形成用膜，獲得由前述半導體基板、前述內面保護膜形成用膜及前述保護層依序積層而成之第二積層體； 硬化步驟，使前述第二積層體的前述內面保護膜形成用膜進行硬化而製成前述內面保護膜；以及 搬送步驟，將前述第二積層體自前述第一積層步驟搬送至前述硬化步驟。
- 一種內面保護膜形成用複合體，係由保護層及內面保護膜形成用膜所積層而成； 係用於第三積層體之製造方法中，前述第三積層體之製造方法係包含： 第一積層步驟，於半導體基板的內面貼附前述內面保護膜形成用膜，獲得由前述半導體基板、前述內面保護膜形成用膜及前述保護層依序積層而成之第二積層體； 第二積層步驟，於前述第二積層體的前述保護層貼附支撐片，獲得由前述半導體基板、前述內面保護膜形成用膜、前述保護層及前述支撐片依序積層而成之第三積層體；以及 搬送步驟，將前述第二積層體自前述第一積層步驟搬送至前述第二積層步驟。
- 一種第一積層體之製造方法，前述第一積層體係由半導體基板、內面保護膜及保護層依序積層而成； 前述第一積層體之製造方法係包含： 第一積層步驟，於前述半導體基板的內面貼附如請求項1所記載之內面保護膜形成用複合體的前述內面保護膜形成用膜，獲得由前述半導體基板、前述內面保護膜形成用膜及前述保護層依序積層而成之第二積層體； 硬化步驟，使前述第二積層體的前述內面保護膜形成用膜進行硬化而製成內面保護膜；以及 搬送步驟，將前述第二積層體自前述第一積層步驟搬送至前述硬化步驟。
- 一種第三積層體之製造方法，前述第三積層體係由半導體基板、內面保護膜形成用膜、保護層及支撐片依序積層而成； 前述第三積層體之製造方法係包含： 第一積層步驟，於前述半導體基板的內面貼附如請求項2所記載之內面保護膜形成用複合體的前述內面保護膜形成用膜，獲得由前述半導體基板、前述內面保護膜形成用膜及前述保護層依序積層而成之第二積層體； 第二積層步驟，於前述第二積層體的前述保護層貼附支撐片，獲得由前述半導體基板、前述內面保護膜形成用膜、前述保護層及前述支撐片依序積層而成之第三積層體；以及 搬送步驟，將前述第二積層體自前述第一積層步驟搬送至前述第二積層步驟。
- 一種具內面保護膜之半導體裝置之製造方法，係包含： 第二積層步驟，於由如請求項3所記載之製造方法所製造之第一積層體的前述保護層貼附支撐片，獲得由前述半導體基板、前述內面保護膜、前述保護層及前述支撐片依序積層而成之第四積層體； 將前述第四積層體的前述半導體基板及前述內面保護膜加以切割，製成具內面保護膜之半導體裝置的步驟；以及 自前述支撐片拾取前述具內面保護膜之半導體裝置的步驟。
- 一種具內面保護膜之半導體裝置之製造方法，係包含： 硬化步驟，使由如請求項4所記載之製造方法所製造之第三積層體的前述內面保護膜形成用膜進行硬化而製成內面保護膜，獲得由前述半導體基板、前述內面保護膜、前述保護層及前述支撐片依序積層而成之第四積層體； 將前述第四積層體的前述半導體基板及前述內面保護膜加以切割，製成具內面保護膜之半導體裝置的步驟；以及 自前述支撐片拾取前述具內面保護膜之半導體裝置的步驟。
- 一種具內面保護膜之半導體裝置之製造方法，係包含： 將由如請求項4所記載之製造方法所製造之第三積層體的前述半導體基板及前述內面保護膜形成用膜加以切割，製成具內面保護膜形成用膜之半導體裝置的步驟； 硬化步驟，使前述內面保護膜形成用膜進行硬化而製成內面保護膜；以及 自前述支撐片拾取前述具內面保護膜形成用膜之半導體或具內面保護膜之半導體裝置。
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