CN115136294A - 背面保护膜形成用复合体、第一层叠体的制造方法、第三层叠体的制造方法及带背面保护膜的半导体装置的制造方法 - Google Patents

背面保护膜形成用复合体、第一层叠体的制造方法、第三层叠体的制造方法及带背面保护膜的半导体装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115136294A
CN115136294A CN202180015484.5A CN202180015484A CN115136294A CN 115136294 A CN115136294 A CN 115136294A CN 202180015484 A CN202180015484 A CN 202180015484A CN 115136294 A CN115136294 A CN 115136294A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
back surface
forming
laminate
surface protection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180015484.5A
Other languages
English (en)
Inventor
中石康喜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lintec Corp
Original Assignee
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lintec Corp filed Critical Lintec Corp
Publication of CN115136294A publication Critical patent/CN115136294A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/02—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by a sequence of laminating steps, e.g. by adding new layers at consecutive laminating stations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
    • B32B37/16—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with all layers existing as coherent layers before laminating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
    • B32B37/26—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with at least one layer which influences the bonding during the lamination process, e.g. release layers or pressure equalising layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
    • B32B37/26—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with at least one layer which influences the bonding during the lamination process, e.g. release layers or pressure equalising layers
    • B32B2037/268—Release layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B2038/0052—Other operations not otherwise provided for
    • B32B2038/0076—Curing, vulcanising, cross-linking
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/08—PCBs, i.e. printed circuit boards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68377—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support with parts of the auxiliary support remaining in the finished device

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

一种背面保护膜形成用复合体(1)，其通过层叠保护层(12)与背面保护膜形成用膜(13)而成，该背面保护膜形成用复合体(1)被用于第一层叠体的制造方法中，该制造方法包括以下工序：在半导体基板的背面贴附背面保护膜形成用膜(13)，得到依次层叠有所述半导体基板、背面保护膜形成用膜(13)及保护层(12)的第二层叠体的第一层叠工序；使所述第二层叠体的背面保护膜形成用膜(13)固化而制成背面保护膜的固化工序；及将所述第二层叠体从所述第一层叠工序搬运至所述固化工序的搬运工序，所述第一层叠体通过依次层叠所述半导体基板、所述背面保护膜及保护层(12)而成。

Description

背面保护膜形成用复合体、第一层叠体的制造方法、第三层叠 体的制造方法及带背面保护膜的半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及背面保护膜形成用复合体、第一层叠体的制造方法、第三层叠体的制造方法、及带背面保护膜的半导体装置的制造方法。
本申请基于2020年2月21日于日本提出申请的日本特愿2020-028103号主张优先权，并将其内容援用于此。
背景技术
近年来，正在进行应用了被称作倒装(face down)方式的安装法的半导体装置的制造。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸点(bump)等电极的半导体芯片，所述电极与基板接合。因此，半导体芯片的与电路面为相反侧的背面有时会露出。
有时在该露出的半导体芯片的背面形成作为背面保护膜的含有有机材料的树脂膜，并将其作为带保护膜的半导体芯片安装在半导体装置中。背面保护膜用于防止在切割工序或封装之后在半导体芯片上产生裂纹(例如，专利文献1、2)。
上述带背面保护膜的半导体芯片例如经过图1A～图1G所示的工序制造。即，已知有以下方法：在具有电路面的半导体晶圆(也称为“半导体基板”)8的背面8b上层叠背面保护膜形成用膜13(图1A)，使背面保护膜形成用膜13热固化或能量射线固化而制成背面保护膜13’(图1B)，对背面保护膜13’进行激光打标(图1C)，在背面保护膜13’上层叠支撑片10(图1D)，对半导体晶圆8及背面保护膜13’进行切割，制成带背面保护膜的半导体芯片7(图1E及图1F)，从支撑片10上拾取带背面保护膜的半导体芯片7(图1G)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第4271597号公报
专利文献2：日本专利第5363662号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
在图1A的层叠工序中得到的层叠体被搬运至固化工序，该固化工序为图1B中使背面保护膜形成用膜13热固化或能量射线固化而制成背面保护膜13’的工序。在使用不同的装置进行所述层叠工序与所述固化工序时，以将搬运臂的具有吸附孔的吸附面吸附在所述层叠体的背面保护膜形成用膜面上的状态，搬运在所述层叠工序中得到的层叠体，并将其收纳在盒中，搬运至进行固化工序的装置。此时，在利用搬运臂进行搬运及收纳在盒中而进行搬运的过程中，存在背面保护膜形成用膜被污染、发生变形的可能性。
即使在将贴附背面保护膜形成用膜的装置与使背面保护膜形成用膜固化的装置连接来进行所述层叠工序与所述固化工序的情况下，仍需要将使用贴附背面保护膜形成用膜的装置得到的层叠体搬运至使背面保护膜形成用膜固化的装置，此时存在背面保护膜形成用膜被污染、发生变形的可能性。
在使用同一装置进行从所述层叠工序到所述固化工序为止的工序时，例如能够利用具备背面保护膜形成用膜贴附台、进行固化的单元及搬运臂的装置进行实施。具体而言，通过搬运臂将投入所述装置的工件(也称为“半导体基板”)搬运至背面保护膜形成用膜贴附台，在所述工件的背面侧贴附背面保护膜形成用膜而制成层叠体，所述背面保护膜形成用膜事先在装置外被加工成与工件相应的尺寸或在即将进行贴附前在装置内被加工成与工件相应的尺寸。
使搬运臂的具有吸附孔的吸附面吸附在所述层叠体的背面保护膜形成用膜面上，将所述层叠体搬运至进行固化的单元。对搬运至进行固化的单元的层叠体加热或照射能量射线，将背面保护膜形成用膜制成背面保护膜。
本申请的发明人对通过搬运臂进行搬运后的背面保护膜形成用膜的表面进行了观察，结果发现会产生由搬运臂的吸附孔引起的变形(凹凸)。此外，还认为存在搬运时废物或灰尘附着在背面保护膜形成用膜上而造成污染的可能性。若产生如上所述的变形(凹凸)或者废物或灰尘的附着，则存在产生半导体装置的可靠性下降这种不利情况的可能性。
本发明鉴于上述情况而完成，其技术问题在于提供一种在带背面保护膜的半导体装置的制造方法中，在将背面保护膜形成用膜贴附于半导体基板的背面后进行搬运时，能够防止所述背面保护膜形成用膜的污染及变形的背面保护膜形成用复合体、使用了所述背面保护膜形成用复合体的第一层叠体的制造方法、第三层叠体的制造方法及带背面保护膜的半导体装置的制造方法。
解决技术问题的技术手段
为了解决上述技术问题，本发明具有以下方案。
(1)一种背面保护膜形成用复合体，其通过层叠保护层与背面保护膜形成用膜而成，其被用于第一层叠体的制造方法，该制造方法包括以下工序：在半导体基板的背面贴附所述背面保护膜形成用膜，得到依次层叠有所述半导体基板、所述背面保护膜形成用膜及所述保护层的第二层叠体的第一层叠工序；使所述第二层叠体的所述背面保护膜形成用膜固化而制成背面保护膜的固化工序；及将所述第二层叠体从所述第一层叠工序搬运至所述固化工序的搬运工序，所述第一层叠体通过依次层叠所述半导体基板、所述背面保护膜及所述保护层而成。
(2)一种背面保护膜形成用复合体，其通过层叠保护层与背面保护膜形成用膜而成，其被用于第三层叠体的制造方法，该制造方法包括以下工序：在半导体基板的背面贴附所述背面保护膜形成用膜，得到依次层叠有所述半导体基板、所述背面保护膜形成用膜及所述保护层的第二层叠体的第一层叠工序；在所述第二层叠体的所述保护层上贴附支撑片，得到依次层叠有所述半导体基板、所述背面保护膜形成用膜、所述保护层及所述支撑片的第三层叠体的第二层叠工序；及将所述第二层叠体从所述第一层叠工序搬运至所述第二层叠工序的搬运工序。
(3)一种第一层叠体的制造方法，该第一层叠体通过依次层叠半导体基板、背面保护膜及保护层而成，该制造方法包括以下工序：在所述半导体基板的背面贴附(1)所述的背面保护膜形成用复合体的所述背面保护膜形成用膜，得到依次层叠有所述半导体基板、所述背面保护膜形成用膜及所述保护层的第二层叠体的第一层叠工序；使所述第二层叠体的所述背面保护膜形成用膜固化而制成背面保护膜的固化工序；及将所述第二层叠体从所述第一层叠工序搬运至所述固化工序的搬运工序。
(4)一种第三层叠体的制造方法，该第三层叠体通过依次层叠半导体基板、背面保护膜形成用膜、保护层及支撑片而成，该制造方法包括以下工序：在所述半导体基板的背面贴附(2)所述的背面保护膜形成用复合体的所述背面保护膜形成用膜，得到依次层叠有所述半导体基板、所述背面保护膜形成用膜及所述保护层的第二层叠体的第一层叠工序；在所述第二层叠体的所述保护层上贴附支撑片，得到依次层叠有所述半导体基板、所述背面保护膜形成用膜、所述保护层及所述支撑片的第三层叠体的第二层叠工序；及将所述第二层叠体从所述第一层叠工序搬运至所述第二层叠工序的搬运工序。
(5)一种带背面保护膜的半导体装置的制造方法，其包括以下工序：在通过(3)所述的制造方法制造的第一层叠体的所述保护层上贴附支撑片，得到依次层叠有所述半导体基板、所述背面保护膜、所述保护层及所述支撑片的第四层叠体的第二层叠工序；对所述第四层叠体中的所述半导体基板及所述背面保护膜进行切割而制成带背面保护膜的半导体装置的工序；及从所述支撑片上拾取所述带背面保护膜的半导体装置的工序。
(6)一种带背面保护膜的半导体装置的制造方法，其包括以下工序：使通过(4)所述的制造方法制造的第三层叠体的所述背面保护膜形成用膜固化而制成背面保护膜，得到依次层叠有所述半导体基板、所述背面保护膜、所述保护层及所述支撑片的第四层叠体的固化工序；对所述第四层叠体中的所述半导体基板及所述背面保护膜进行切割而制成带背面保护膜的半导体装置的工序；及
从所述支撑片上拾取所述带背面保护膜的半导体装置的工序。
(7)一种带背面保护膜的半导体装置的制造方法，其包括以下工序：对通过(4)所述的制造方法制造的第三层叠体中的所述半导体基板及所述背面保护膜形成用膜进行切割，制成带背面保护膜形成用膜的半导体装置的工序；使所述背面保护膜形成用膜固化而制成背面保护膜的固化工序；及
从所述支撑片上拾取所述带背面保护膜形成用膜的半导体装置或带背面保护膜的半导体装置的工序。
(8)(1)或(2)所述的背面保护膜形成用复合体在背面保护膜的形成中的应用。
(9)(1)或(2)所述的背面保护膜形成用复合体、(3)～(7)中任一项所述的制造方法或(8)所述的应用，其中，使用未固化的固化性树脂组合物形成所述背面保护膜形成用膜，使用已固化的固化性树脂或热塑性树脂形成所述保护层。
发明效果
根据本发明，提供一种在带背面保护膜的半导体装置的制造方法中，在将背面保护膜形成用膜贴附于工件的背面后进行搬运时，能够防止所述背面保护膜形成用膜的污染及变形的背面保护膜形成用复合体、使用了所述背面保护膜形成用复合体的第一层叠体的制造方法、第三层叠体的制造方法及带背面保护膜的半导体装置的制造方法。
附图说明
图1A为示意性地示出以往的带背面保护膜的半导体芯片的制造方法的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图1B为示意性地示出以往的带背面保护膜的半导体芯片的制造方法的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图1C为示意性地示出以往的带背面保护膜的半导体芯片的制造方法的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图1D为示意性地示出以往的带背面保护膜的半导体芯片的制造方法的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图1E为示意性地示出以往的带背面保护膜的半导体芯片的制造方法的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图1F为示意性地示出以往的带背面保护膜的半导体芯片的制造方法的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图1G为示意性地示出以往的带背面保护膜的半导体芯片的制造方法的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图2为示出背面保护膜形成用复合体的一个实例的剖面示意图。
图3为示出背面保护膜形成用复合体的一个实例的剖面示意图。
图4A为示意性地示出第一层叠体的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图4B为示意性地示出第一层叠体的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图4C为示意性地示出第一层叠体的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图4D为示意性地示出第一层叠体的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图5A为示意性地示出第一层叠体的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图5B为示意性地示出第一层叠体的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图5C为示意性地示出第一层叠体的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图5D为示意性地示出第一层叠体的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图5E为示意性地示出第一层叠体的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图6A为示意性地示出第三层叠体的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图6B为示意性地示出第三层叠体的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图6C为示意性地示出第三层叠体的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图6D为示意性地示出第三层叠体的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图6E为示意性地示出第三层叠体的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图7A为示意性地示出第三层叠体的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图7B为示意性地示出第三层叠体的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图7C为示意性地示出第三层叠体的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图7D为示意性地示出第三层叠体的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图7E为示意性地示出第三层叠体的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图7F为示意性地示出第三层叠体的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图8为示出在基材101上设置有粘着剂层102的支撑片10的一个实例的剖面示意图。
图9为示出背面保护膜形成用复合体的一个实例的剖面示意图。
图10A为示意性地示出第四层叠体的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图10B为示意性地示出第四层叠体的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图10C为示意性地示出第四层叠体的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图11A为示意性地示出第四层叠体的制造方法的实施方案的另一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图11B为示意性地示出第四层叠体的制造方法的实施方案的另一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图11C为示意性地示出第四层叠体的制造方法的实施方案的另一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图12A为示意性地示出带背面保护膜的半导体装置的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图12B为示意性地示出带背面保护膜的半导体装置的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图12C为示意性地示出带背面保护膜的半导体装置的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图12D为示意性地示出带背面保护膜的半导体装置的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图12E为示意性地示出带背面保护膜的半导体装置的制造方法的实施方案的一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图13A为示意性地示出带背面保护膜的半导体装置的制造方法的实施方案的另一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图13B为示意性地示出带背面保护膜的半导体装置的制造方法的实施方案的另一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图13C为示意性地示出带背面保护膜的半导体装置的制造方法的实施方案的另一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图14A为示意性地示出带背面保护膜的半导体装置的制造方法的实施方案的另一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图14B为示意性地示出带背面保护膜的半导体装置的制造方法的实施方案的另一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图14C为示意性地示出带背面保护膜的半导体装置的制造方法的实施方案的另一个实例中的部分工序的剖面示意图。
图14D为示意性地示出带背面保护膜的半导体装置的制造方法的实施方案的另一个实例中的部分工序的剖面示意图。
具体实施方式
图2为示意性地示出本发明的背面保护膜形成用复合体的一个实施方案的剖面图。
图3为示意性地示出本发明的背面保护膜形成用复合体的另一个实施方案的剖面图。
另外，为了使特征易于理解，以下说明中使用的图为了方便有时会扩大显示特征部分，各构成要素的尺寸比率等不一定与实际相同。
图2所示的背面保护膜形成用复合体1依次具有保护层12与背面保护膜形成用膜13。
本实施方案的背面保护膜形成用复合体1被用于下述第三层叠体的制造方法，该制造方法包括以下工序：在工件的背面贴附背面保护膜形成用膜13，得到依次层叠有所述工件、背面保护膜形成用膜13及保护层12的第二层叠体的第一层叠工序；在所述第二层叠体的保护层12上贴附支撑片，得到依次层叠有所述工件、背面保护膜形成用膜13、保护层12及所述支撑片的第三层叠体的第二层叠工序；及将所述第二层叠体从所述第一层叠工序搬运至所述第二层叠工序的搬运工序。通过具有保护层12，本实施方案的背面保护膜形成用复合体1能够防止所述搬运工序中的(固化前的)背面保护膜形成用膜13的污染及变形。
此外，本实施方案的背面保护膜形成用复合体1被用于第一层叠体的制造方法，该制造方法包括以下工序：在工件的背面贴附背面保护膜形成用膜13，得到依次层叠有所述工件、背面保护膜形成用膜13及保护层12的第二层叠体的第一层叠工序；使所述第二层叠体的背面保护膜形成用膜13固化而制成背面保护膜的固化工序；及将所述第二层叠体从所述第一层叠工序搬运至所述固化工序的搬运工序，所述第一层叠体通过依次层叠所述工件、背面保护膜及保护层12而成。通过具有保护层12，本实施方案的背面保护膜形成用复合体1能够防止所述搬运工序中的(固化前的)背面保护膜形成用膜13的污染及变形。
图3所示的背面保护膜形成用复合体2依次具有剥离膜151、保护层12及背面保护膜形成用膜13。
本实施方案的背面保护膜形成用复合体2被用于下述第三层叠体的制造方法，该制造方法包括以下工序：在工件的背面贴附背面保护膜形成用膜13，得到依次层叠有所述工件、背面保护膜形成用膜13、保护层12及剥离膜151的第五层叠体的第一层叠工序；在从所述第五层叠体中剥离剥离膜151而得到的所述第二层叠体的保护层12上贴附支撑片，得到所述第三层叠体的第二层叠工序；及将所述第二层叠体从所述第一层叠工序搬运至所述第二层叠工序的搬运工序。通过具有保护层12，本实施方案的背面保护膜形成用复合体2能够防止所述搬运工序中的(固化前的)背面保护膜形成用膜13的污染及变形。
此外，本实施方案的背面保护膜形成用复合体2被用于下述第一层叠体的制造方法，该制造方法包括以下工序：在工件的背面贴附背面保护膜形成用膜13，得到依次层叠有所述工件、背面保护膜形成用膜13、保护层12及剥离膜151的第五层叠体的第一层叠工序；对从所述第五层叠体中剥离剥离膜151而得到的所述第二层叠体的背面保护膜形成用膜13进行固化，制成背面保护膜的固化工序；及将所述第二层叠体从所述第一层叠工序搬运至所述固化工序的搬运工序。通过具有保护层12，本实施方案的背面保护膜形成用复合体2能够防止所述搬运工序中的(固化前的)背面保护膜形成用膜13的污染及变形。
本实施方案的背面保护膜形成用复合体1及背面保护膜形成用复合体2特别优选被用于所述第三层叠体的制造方法，该制造方法中，连接贴附背面保护膜形成用膜的装置与贴附支撑片的装置或使用同一装置，进行至少从所述第一层叠工序至所述第二层叠工序为止的工序。
此外，本实施方案的背面保护膜形成用复合体1及背面保护膜形成用复合体2特别优选被用于第一层叠体的制造方法，该制造方法中，连接贴附背面保护膜形成用膜的装置与使背面保护膜形成用膜固化的装置或使用同一装置，进行至少从所述第一层叠工序至所述固化工序为止的工序。
背面保护膜形成用复合体1的厚度没有特别限定，但优选为30～550μm，更优选为35～450μm，进一步优选为40～400μm。若背面保护膜形成用复合体1的厚度为上述下限值以上，则可提高背面保护膜的强度。若背面保护膜形成用复合体1的厚度为上述上限值以下，则容易对背面保护膜进行切割。
背面保护膜形成用复合体2的厚度没有特别限定，但优选为30～550μm，更优选为35～450μm，进一步优选为40～400μm。若背面保护膜形成用复合体2的厚度为上述下限值以上，则可提高背面保护膜的强度。若背面保护膜形成用复合体2的厚度为上述上限值以下，则容易对背面保护膜进行切割。
接着，对构成本实施方案的背面保护膜形成用复合体的各层进行说明。
○背面保护膜形成用膜
在本实施方案的背面保护膜形成用复合体中，将背面保护膜形成用膜贴附在晶圆(即，工件)上并进行固化而将其用作晶圆的背面保护膜。背面保护膜形成用膜具有固化性，可以为能量固化性膜，也可以为热固性膜。
在本说明书中，“能量固化性”是指通过照射能量射线而进行固化的性质，“热固性”是指通过加热而进行固化的性质。
在本说明书中,“能量射线”是指电磁波或带电粒子束中具有能量量子的射线。作为能量射线的实例，可列举出紫外线、放射线、电子束等。作为紫外线，例如可通过使用高压汞灯、融合灯(fusion lamp)、氙灯、黑光灯或LED灯等作为紫外线源而进行照射。作为电子束，能够照射利用电子束加速器等而产生的电子束。
背面保护膜形成用膜的厚度没有特别限定，但优选为3～300μm，更优选为5～250μm，进一步优选为7～200μm。若背面保护膜形成用膜的厚度为上述下限值以上，则可进一步提高背面保护膜的强度。若背面保护膜形成用膜的厚度为上述上限值以下，则容易对背面保护膜进行切割。
(背面保护膜形成用组合物)
作为用于形成背面保护膜形成用膜的背面保护膜形成用组合物的组成，优选含有粘结剂聚合物成分及固化性成分。即，优选背面保护膜形成用组合物为(未固化的)固化性树脂组合物，背面保护膜形成用膜由这种固化性树脂组合物形成。
(粘结剂聚合物成分)
为了对背面保护膜形成用膜赋予充分的粘合性及成膜性(片形成性)，使用粘结剂聚合物成分。作为粘结剂聚合物成分，能够使用以往公知的丙烯酸聚合物、聚酯树脂、氨基甲酸酯树脂(urethane resin)、丙烯酸氨基甲酸酯树脂、有机硅树脂(silicone resin)、橡胶类聚合物等。
粘结剂聚合物成分的重均分子量(Mw)优选为1万～200万，更优选为10万～120万。若粘结剂聚合物成分的重均分子量过低，则背面保护膜形成用膜与支撑片的粘着力增高，有时会引起背面保护膜形成用膜的转印不良，若粘结剂聚合物成分的重均分子量过高，则背面保护膜形成用膜的粘合性降低，有时会无法转印至芯片等、或背面保护膜会在转印后从芯片等上剥离。即，若粘结剂聚合物成分的重均分子量为上述下限值以上，则能够抑制背面保护膜形成用膜与支撑片的粘着力增高而引起背面保护膜形成用膜的转印不良。若粘结剂聚合物成分的重均分子量为上述上限值以下，则能够抑制背面保护膜形成用膜的粘合性降低而导致无法转印至芯片等。此外，若粘结剂聚合物成分的重均分子量为上述上限值以下，则能够抑制背面保护膜在转印后从芯片等上剥离。
另外，在本说明书中，只要没有特别说明，则“重均分子量”是指通过凝胶渗透色谱(GPC)法测定的标准聚苯乙烯换算的重均分子量。
优选将丙烯酸聚合物用作粘结剂聚合物成分。丙烯酸聚合物的玻璃化转变温度(Tg)优选在-60～50℃的范围内，进一步优选在-50～40℃的范围内，特别优选在-40～30℃的范围内。若丙烯酸聚合物的玻璃化转变温度过低，则背面保护膜形成用膜与支撑片的剥离力增大，有时会引起背面保护膜形成用膜的转印不良，若丙烯酸聚合物的玻璃化转变温度过高，则背面保护膜形成用膜的粘合性降低，有时会无法转印至芯片等、或背面保护膜会在转印后从芯片等上剥离。即，若丙烯酸聚合物的玻璃化转变温度为上述下限值以上，则能够抑制背面保护膜形成用膜与支撑片的剥离力增大而引起背面保护膜形成用膜的转印不良。若丙烯酸聚合物的玻璃化转变温度为上述上限值以下，则能够抑制背面保护膜形成用膜的粘合性降低而导致无法转印至芯片等。此外，若丙烯酸聚合物的玻璃化转变温度为上述上限值以下，则能够抑制背面保护膜在转印后从芯片等上剥离。
丙烯酸聚合物的玻璃化转变温度例如通过差示扫描量热测定(DSC)求出。
作为构成上述丙烯酸聚合物的单体，可列举出(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物。例如可列举出烷基的碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯，具体而言，可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。此外，可列举出具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯，具体而言，可列举出(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊基酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯基氧基乙酯、(甲基)丙烯酸酰亚胺酯等。进一步，作为具有官能团的单体，可列举出具有羟基的(甲基)丙烯酸羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯等，除此以外，可列举出具有环氧基的(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。丙烯酸聚合物中，含有具有羟基的单体的丙烯酸聚合物与后述的固化性成分的相容性良好，因而优选。此外，上述丙烯酸聚合物可以共聚有丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等。
另外，在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”为包含“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”这两者的概念。与(甲基)丙烯酸类似的术语也相同，例如，“(甲基)丙烯酸酯”为包含“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”这两者的概念，“(甲基)丙烯酰基”为包含“丙烯酰基”及“甲基丙烯酰基”这两者的概念。
进一步，作为粘结剂聚合物成分，可以掺合用于保持固化后的背面保护膜的可挠性的热塑性树脂。作为这种热塑性树脂，优选重均分子量为1000～10万的热塑性树脂，进一步优选重均分子量为3000～8万的热塑性树脂。热塑性树脂的玻璃化转变温度优选为-30～120℃，进一步优选为-20～120℃。作为热塑性树脂，可列举出聚酯树脂、热塑性氨基甲酸酯树脂、苯氧基树脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等。这些热塑性树脂能够单独使用一种或混合使用两种以上。通过含有上述的热塑性树脂，背面保护膜形成用膜会追随背面保护膜形成用膜的转印面，能够抑制产生空隙等。
(固化性成分)
作为固化性成分，使用选自热固性成分及能量射线固化性成分中的一种以上。
作为热固性成分，使用热固性树脂及热固化剂。作为热固性树脂，例如优选环氧树脂。
作为环氧树脂，能够使用以往公知的环氧树脂。作为环氧树脂，具体而言，可列举出多官能度类环氧树脂，或者联苯化合物、双酚A二缩水甘油醚或其氢化物、邻甲酚酚醛清漆环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、联苯型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、亚苯基骨架型环氧树脂等在分子中具有2官能度以上的环氧化合物。这些环氧树脂能够单独使用一种或组合使用两种以上。
相对于100质量份的粘结剂聚合物成分，背面保护膜形成用膜中优选含有1～1000质量份、更优选含有10～500质量份、特别优选含有20～200质量份的热固性树脂。若热固性树脂的含量小于1质量份，则有时无法获得充分的粘合性，若热固性树脂的含量超过1000质量份，则背面保护膜形成用膜与粘着片或基材膜的剥离力增高，有时会引起背面保护膜形成用膜的转印不良。即，若热固性树脂的含量为上述下限值以上，则能够获得充分的粘合性。若热固性树脂的含量为上述上限值以下，则能够抑制背面保护膜形成用膜与粘着片或基材膜的剥离力增高而引起背面保护膜形成用膜的转印不良。
热固化剂作为对热固性树脂的固化剂发挥功能，特别是作为对环氧树脂的固化剂发挥功能。作为优选的热固化剂，可列举出在一分子中具有两个以上能够与环氧基反应的官能团的化合物。作为该官能团，可列举出酚羟基、醇羟基、氨基、羧基及酸酐等。在这些官能团中，可优选列举出酚羟基、氨基、酸酐等，可进一步优选列举出酚羟基、氨基。
作为苯酚类固化剂的具体实例，可列举出多官能度类酚醛树脂、联苯二酚、酚醛清漆型酚醛树脂、双环戊二烯类酚醛树脂、新酚醛(xylok)型酚醛树脂、芳烷基酚醛树脂。作为胺类固化剂的具体实例，可列举出DICY(双氰胺)。这些固化剂能够单独使用一种或混合使用两种以上。
相对于100质量份的热固性树脂，热固化剂的含量优选为0.1～500质量份，更优选为1～200质量份。若热固化剂的含量少，则有时固化会不充分而无法获得粘合性，若热固化剂的含量过量，则有时背面保护膜形成用膜的吸湿率会增高，使得半导体装置的可靠性降低。即，若热固化剂的含量为上述下限值以上，则充分地固化，能够获得充分的粘合性。若热固化剂的含量为上述上限值以下，则能够抑制背面保护膜形成用膜的吸湿率增高而使半导体装置的可靠性降低。
作为能量射线固化性成分，能够使用含有能量射线聚合性基团的低分子化合物(能量射线聚合性化合物)，该化合物在照射紫外线、电子束等能量射线时进行聚合固化。作为这种能量射线固化性成分，具体而言，可列举出三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、低聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物、环氧改性丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯及衣康酸低聚物等丙烯酸酯类化合物。这种化合物在分子内至少具有一个聚合性双键，通常重均分子量为100～30000左右，优选为300～10000左右。相对于100质量份的粘结剂聚合物成分，能量射线聚合性化合物的掺合量优选为1～1500质量份，更优选为10～500质量份，特别优选为20～200质量份。
此外，作为能量射线固化性成分，可以使用在粘结剂聚合物成分的主链或侧链键合能量射线聚合性基团而成的能量射线固化型聚合物。这种能量射线固化型聚合物兼具作为粘结剂聚合物成分的功能和作为固化性成分的功能。
能量射线固化型聚合物的主骨架没有特别限定，可以为通用作粘结剂聚合物成分的丙烯酸聚合物，此外，也可以为聚酯、聚醚等。由于容易控制合成及物性，因此能量射线固化型聚合物特别优选将丙烯酸聚合物作为主骨架。
键合于能量射线固化型聚合物的主链或侧链的能量射线聚合性基团例如为能量射线聚合性的含有碳-碳双键的基团，具体而言，能够例示出(甲基)丙烯酰基等。能量射线聚合性基团可以经由亚烷基、烯化氧基、聚烯化氧基而键合于能量射线固化型聚合物。
键合有能量射线聚合性基团的能量射线固化型聚合物的重均分子量(Mw)优选为1万～200万，更优选为10万～150万。此外，能量射线固化型聚合物的玻璃化转变温度(Tg)优选在-60～50℃的范围内，进一步优选在-50～40℃的范围内，特别优选在-40～30℃的范围内。
能量射线固化型聚合物例如通过使含有羟基、羧基、氨基、取代氨基、环氧基等官能团的丙烯酸聚合物与和所述官能团反应的含聚合性基团化合物进行反应而得到。作为所述含聚合性基团化合物，可列举出在每一分子中具有1～5个和所述官能团反应的取代基与能量射线聚合性碳-碳双键的化合物。作为和所述官能团反应的取代基，可列举出异氰酸酯基、缩水甘油基、羧基等。
作为含聚合性基团化合物，可列举出(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间-异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、异氰酸烯丙酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；(甲基)丙烯酸等。
丙烯酸聚合物优选为由具有羟基、羧基、氨基、取代氨基、环氧基等官能团的(甲基)丙烯酸单体或其衍生物和能够与该单体进行共聚的其他(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物形成的共聚物。
作为具有羟基、羧基、氨基、取代氨基、环氧基等官能团的(甲基)丙烯酸单体或其衍生物，例如可列举出具有羟基的(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯；具有羧基的丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸；具有环氧基的甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸缩水甘油酯等。
作为能够与上述单体进行共聚的其他(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物，例如可列举出烷基的碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯，具体而言，可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等；可列举出具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯，具体而言，可列举出(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、丙烯酸异冰片酯、丙烯酸二环戊基酯、丙烯酸二环戊烯酯、丙烯酸二环戊烯基氧基乙酯、丙烯酸酰亚胺酯等。此外，上述丙烯酸聚合物可以共聚有乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等。
使用能量射线固化型聚合物时，可以同时使用所述能量射线聚合性化合物，此外也可以同时使用粘结剂聚合物成分。对于本实施方案的背面保护膜形成用膜中的上述三种成分的掺合量的关系，相对于100质量份的能量射线固化型聚合物及粘结剂聚合物成分的质量之和，优选含有1～1500质量份、更优选含有10～500质量份、特别优选含有20～200质量份的能量射线聚合性化合物。若能量射线聚合性化合物的含量在上述数值范围内，则可进一步提高背面保护膜形成用组合物的固化性。
同时使用热固性成分及能量射线固化性成分时，热固性成分与能量射线固化性成分的质量比例如优选为5:95～95:5，更优选为10:90～90:10，进一步优选为15:85～85:15。若热固性成分与能量射线固化性成分的质量比在上述数值范围内，则可进一步提高背面保护膜形成用组合物的固化性。
通过对背面保护膜形成用膜赋予能量射线固化性，能够简便且在短时间内将背面保护膜形成用膜固化，提高带背面保护膜的芯片的生产效率。由于能量射线固化性的背面保护膜形成用膜通过照射能量射线而在短时间内进行固化，因此能够简便地形成背面保护膜，有助于提高生产效率。
除了上述粘结剂聚合物成分及固化性成分以外，背面保护膜形成用膜还能够含有下述成分。
(着色剂)
背面保护膜形成用膜优选含有着色剂。通过在背面保护膜形成用膜中掺合着色剂，在将半导体装置安装在机器中时，能够屏蔽由周围的装置产生的红外线等，防止由此造成的半导体装置的故障。此外，通过在背面保护膜形成用膜中掺合着色剂，在对背面保护膜形成用膜进行固化而得到的背面保护膜上印字产品编号等时，文字的可读性得到提高。即，在形成有背面保护膜的半导体装置或半导体芯片中，通常通过激光打标法(利用激光削去背面保护膜表面而进行印字的方法)在背面保护膜的表面上印字产品编号等，通过使背面保护膜含有着色剂，能够充分地获得背面保护膜的利用激光削去的部分与未削去部分的对比度差，可读性得到提高。作为着色剂，能够使用有机或无机的颜料及染料。其中，从电磁波或红外线屏蔽性的点出发，优选黑色颜料。作为黑色颜料，能够使用炭黑、氧化铁、二氧化锰、苯胺黑、活性炭等，但并不限定于这些颜料。从提高半导体装置的可靠性的角度出发，特别优选炭黑。着色剂可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。在使用着色剂、紫外线的透射性降低时，特别优选发挥本实施方案的背面保护膜形成用膜的高固化性。作为这种着色剂，可列举出使可见光的透射性降低的着色剂、使红外线及紫外线的透射性降低的着色剂、使可见光、红外线及紫外线的透射性降低的着色剂。作为这种着色剂，除了上述黑色颜料以外，只要为在可见光的波长区域、红外线及紫外线的波长区域、可见光、红外线及紫外线的波长区域中具有吸收性或反射性的着色剂，则没有特别限定。
相对于100质量份的构成背面保护膜形成用膜的所有固体成分，着色剂的掺合量优选为0.1～35质量份，进一步优选为0.5～25质量份，特别优选为1～15质量份。若着色剂的掺合量为上述下限值以上，则能够充分地屏蔽红外线等。若着色剂的掺合量为上述上限值以下，则能够进一步提高背面保护膜形成用组合物的固化性。
(固化促进剂)
固化促进剂用于调节背面保护膜形成用膜的固化速度。固化促进剂特别优选用于同固化性成分中的环氧树脂与热固化剂同时使用。
作为优选的固化促进剂，例如可列举出三乙烯二胺、苄基二甲胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、三(二甲基氨基甲基)苯酚等叔胺类；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑等咪唑类；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有机膦类；四苯基膦四苯基硼酸酯(tetraphenylphosphoniumtetraphenylborate)、三苯基膦四苯基硼酸酯(triphenylphosphine tetraphenylborate)等四苯基硼盐等。这些固化促进剂能够单独使用一种或混合使用两种以上。
相对于100质量份的固化性成分，优选以0.01～10质量份的量、进一步优选以0.1～1质量份的量含有固化促进剂。通过以上述范围的量含有固化促进剂，即使暴露在高温高湿度下，也仍具有优异的粘合特性，即使在暴露于严苛的回流条件时，也能够实现高可靠性。若固化促进剂的含量少，则固化不充分，无法获得充分的粘合特性，若固化促进剂的含量过量，则具有高极性的固化促进剂在高温高湿度下在背面保护膜形成用膜中向粘合界面侧移动、偏析，导致半导体装置的可靠性降低。
(偶联剂)
偶联剂可以用于提高背面保护膜形成用膜对芯片的粘合性、密合性及背面保护膜的内聚性中的一种以上。此外，通过使用偶联剂，能够提高将背面保护膜形成用膜固化而得到的背面保护膜的耐水性而不损害其耐热性。
作为偶联剂，优选使用具有与粘结剂聚合物成分、固化性成分等具有的官能团进行反应的基团的化合物。作为偶联剂，最优选硅烷偶联剂。作为这种偶联剂，可列举出γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧基丙基)三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-6-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-6-(氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-脲丙基三乙氧基硅烷、γ-巯丙基三甲氧基硅烷、γ-巯丙基甲基二甲氧基硅烷、双(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、咪唑硅烷等。这些偶联剂能够单独使用一种或混合使用两种以上。
相对于粘结剂聚合物成分及固化性成分的合计100质量份，通常以0.1～20质量份、优选以0.2～10质量份、更优选以0.3～5质量份的比例含有偶联剂。偶联剂的含量小于0.1质量份时，存在无法获得上述效果的可能性，若偶联剂的含量超过20质量份，则存在成为脱气(outgas)的原因的可能性。即，若偶联剂的含量为上述下限值以上，则能够获得上述效果。若偶联剂的含量为上述上限值以下，则能够抑制脱气的产生。
(无机填充材料)
通过在背面保护膜形成用膜中掺合无机填充材料，能够调节固化后的背面保护膜的热膨胀系数。因此，通过针对半导体芯片优化固化后的背面保护膜的热膨胀系数，能够提高半导体装置的可靠性。此外，还能够降低固化后的背面保护膜的吸湿率。
作为优选的无机填充材料，例如可列举出二氧化硅、氧化铝、滑石、碳酸钙、二氧化钛、氧化铁、碳化硅、氮化硼等的粉末、将这些无机填充材料球形化而得到的珠子、这些无机填充材料的单晶纤维及玻璃纤维等。在这些无机填充材料中，优选二氧化硅填料及氧化铝填料。上述无机填充材料能够单独使用或混合使用两种以上。相对于100质量份的构成背面保护膜形成用膜的所有固体成分，无机填充材料的含量通常能够在1～80质量份的范围内进行调整。
(光聚合引发剂)
在背面保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分作为上述固化性成分的情况下，在使用该背面保护膜形成用膜时，照射紫外线等的能量射线，使能量射线固化性成分固化。此时，通过使背面保护膜形成用组合物中含有光聚合引发剂，能够减少聚合固化时间以及光线照射量。
作为这种光聚合引发剂，具体而言，可列举出二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮、2,4-二乙基噻吨酮、α-羟基环己基苯基甲酮、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、苯偶酰、二苯偶酰、双乙酰、1,2-二苯甲烷、2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2,4,6-三甲基苯甲酰二苯基氧化膦及β-氯蒽醌等。光聚合引发剂能够单独使用一种或组合使用两种以上。
关于光聚合引发剂的掺合比例，相对于100质量份的能量射线固化性成分，优选含有0.1～10质量份的光聚合引发剂，更优选含有1～5质量份的光聚合引发剂。若小于0.1质量份，则有时光聚合不充分而无法获得令人满意的转印性，若超过10质量份，则有时生成无助于光聚合的残留物，背面保护膜形成用膜的固化性会变得不充分。即，若光聚合引发剂的掺合比例为上述下限值以上，则能够充分地进行光聚合，得到令人满意的转印性。若光聚合引发剂的掺合比例为上述上限值以下，则可抑制无助于光聚合的残留物的生成，进一步提高背面保护膜形成用膜的固化性。
(交联剂)
为了调节背面保护膜形成用膜的初期粘合力及内聚力，还能够添加交联剂。作为交联剂，可列举出有机多异氰酸酯化合物、有机多元亚胺化合物等。
作为上述有机多异氰酸酯化合物，可列举出芳香族多异氰酸酯化合物、脂肪族多异氰酸酯化合物、脂环族多异氰酸酯化合物及这些有机多异氰酸酯化合物的三聚体、以及这些有机多异氰酸酯化合物与多元醇化合物进行反应而得到的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物等。
作为有机多异氰酸酯化合物，例如可列举出2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、1,3-苯二亚甲基二异氰酸酯、1,4-二甲苯二异氰酸酯、二苯甲烷-4,4’-二异氰酸酯、二苯甲烷-2,4’-二异氰酸酯、3-甲基二苯甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二环己基甲烷-4,4’-二异氰酸酯、二环己基甲烷-2,4’-二异氰酸酯、三羟甲基丙烷加成甲苯二异氰酸酯及赖氨酸异氰酸酯。
作为上述有机多元亚胺化合物，可列举出N,N’-二苯甲烷-4,4’-双(1-氮丙啶甲酰胺)、三羟甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羟甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯及N,N’-甲苯-2,4-双(1-氮丙啶甲酰胺)三亚乙基三聚氰胺等。
相对于粘结剂聚合物成分及能量射线固化型聚合物的合计量100质量份，通常以0.01～20质量份、优选以0.1～10质量份、更优选以0.5～5质量份的比率使用交联剂。若交联剂的含量在上述数值范围内，则可进一步提高背面保护膜形成用膜的初期粘合力及内聚力。
(通用添加剂)
除了上述成分以外，可以根据需要在背面保护膜形成用膜中掺合各种添加剂(通用添加剂)。作为各种添加剂，可列举出流平剂、增塑剂、抗静电剂、抗氧化剂、离子捕捉剂、吸杂剂(gettering agent)、链转移剂等。
(溶剂)
背面保护膜形成用组合物优选进一步含有溶剂。含有溶剂的背面保护膜形成用组合物的操作性变得良好。
所述溶剂没有特别限定，但作为优选的溶剂，例如可列举出甲苯、二甲苯等烃；甲醇、乙醇、2-丙醇、异丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氢呋喃等醚；二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺(具有酰胺键的化合物)等。
背面保护膜形成用组合物所含有的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，在为两种以上时，其组合及比率能够任意地选择。
相对于背面保护膜形成用组合物的总质量，溶剂的含量优选为5～95质量％，更优选为7～93质量％，进一步优选为10～90质量％。若溶剂的含量为上述下限值以上，则可进一步提高背面保护膜形成用组合物的操作性。若溶剂的含量为上述上限值以下，则可进一步提高背面保护膜形成用组合物的固化性。
从能够更均匀地混合背面保护膜形成用组合物中的含有成分的点出发，背面保护膜形成用组合物所含有的溶剂优选为甲基乙基酮等。
对由如上所述的各成分构成的背面保护膜形成用组合物进行涂布、干燥而得到的背面保护膜形成用膜具有粘合性与固化性，通过在未固化状态下按压在工件(半导体晶圆或芯片等)上，该背面保护膜形成用膜容易地粘合于工件。在进行按压时，可以一边对背面保护膜形成用膜进行加热一边贴附。然后经过固化，最终能够提供耐冲击性高的背面保护膜，该背面保护膜的粘合强度也优异，即使在严苛的高温高湿度条件下，也能够保持充分的保护功能。另外，背面保护膜形成用膜可以为单层结构，此外只要包含一层以上的含有上述成分的层则也可以为多层结构。
(背面保护膜形成用组合物的制备方法)
背面保护膜形成用组合物通过将用于构成该组合物的各成分进行掺合而得到。
掺合各成分时的添加顺序没有特别限定，可以同时添加两种以上的成分。
使用溶剂时，可以通过将溶剂与除溶剂以外的任意掺合成分混合而预先稀释该掺合成分从而进行使用，也可以不预先稀释除溶剂以外的任意掺合成分、而是通过将溶剂与这些掺合成分混合从而进行使用。
进行掺合时，混合各成分的方法没有特别限定，从下述公知的方法中适当选择即可：使搅拌子或搅拌叶片等旋转而进行混合的方法；使用混合器(mixer)进行混合的方法；施加超声波而进行混合的方法等。
只要各掺合成分不劣化，则添加并混合各成分时的温度及时间没有特别限定，进行适当调节即可，但优选温度为15～30℃。
(背面保护膜形成用膜的制造方法)
所述背面保护膜形成用膜能够使用含有该膜的构成材料的背面保护膜形成用组合物形成。例如，通过在背面保护膜形成用膜的形成对象面上涂布背面保护膜形成用组合物，并根据需要对其进行干燥，能够在目标部位形成背面保护膜形成用膜。背面保护膜形成用组合物中的常温下不汽化的成分彼此的含量比，通常与背面保护膜形成用膜的所述成分彼此的含量比相同。另外，在本说明书中，“常温”是指不特别进行冷却或加热的温度，即指平常的温度，例如可列举出15～25℃的温度等。
利用公知方法进行背面保护膜形成用组合物的涂布即可，例如可列举出使用气刀涂布机、刮板涂布机(blade coater)、棒涂机、凹版涂布机、辊涂机、辊刀涂布机、幕涂机、模涂机、刮刀涂布机、丝网涂布机(screen coater)、迈耶棒涂布机、吻涂机(kiss coater)等各种涂布机的方法。
背面保护膜形成用组合物的干燥条件没有特别限定，但在背面保护膜形成用组合物含有后述溶剂时，优选对其进行加热干燥。例如，优选以在70～130℃下10秒～5分钟的条件对含有溶剂的背面保护膜形成用组合物进行干燥。例如，更优选以在80～130℃下20秒～4分钟的条件对含有溶剂的背面保护膜形成用组合物进行干燥，进一步优选以在90～130℃下30秒～3分钟的条件进行干燥。若进行加热干燥时的加热温度为上述下限值以上，则能够使背面保护膜形成用组合物充分地进行固化。若进行加热干燥时的加热温度为上述上限值以下，则能够抑制工件的劣化。若进行加热干燥时的干燥时间为上述下限值以上，则能够使背面保护膜形成用组合物充分地进行固化。若进行加热干燥时的干燥时间为上述上限值以下，则能够提高背面保护膜形成用膜的生产率。
○保护层
在本实施方案的背面保护膜形成用复合体中，保护层被用作保护背面保护膜形成用膜的层。具体而言，在第三层叠体的制造方法的下述搬运工序中，保护层防止(固化前的)背面保护膜形成用膜的污染及变形，所述第三层叠体的制造方法包括以下工序：在半导体基板的背面贴附背面保护膜形成用复合体中的背面保护膜形成用膜，得到依次层叠有所述半导体基板、所述背面保护膜形成用膜及所述保护层的第二层叠体的第一层叠工序；在所述第二层叠体的所述保护层上贴附支撑片，得到依次层叠有所述半导体基板、所述背面保护膜形成用膜、所述保护层及所述支撑片的第三层叠体的第二层叠工序；及将所述第二层叠体从所述第一层叠工序搬运至所述第二层叠工序的搬运工序。
此外，在第一层叠体的制造方法的下述搬运工序中，保护层防止(固化前的)背面保护膜形成用膜的污染及变形，所述第一层叠体的制造方法包括以下工序：在半导体基板的背面贴附背面保护膜形成用复合体中的背面保护膜形成用膜，得到依次层叠有所述半导体基板、所述背面保护膜形成用膜及所述保护层的第二层叠体的第一层叠工序；使所述第二层叠体的所述背面保护膜形成用膜固化而制成背面保护膜的固化工序；及将所述第二层叠体从所述第一层叠工序搬运至所述固化工序的搬运工序，所述第一层叠体通过依次层叠所述半导体基板、背面保护膜及所述保护层而成。
保护层的厚度没有特别限定，但优选为1～100μm，更优选为2～95μm，进一步优选为3～90μm。若保护层的厚度为上述下限值以上，则能够进一步抑制背面保护膜形成用膜的污染及变形。若保护层的厚度为上述上限值以下，则可进一步提高背面保护膜形成用复合体的操作性。
保护层的厚度例如通过使用显微镜等对沿厚度方向切断背面保护膜形成用复合体而形成的切断面进行观察而求出。
作为保护层没有特别限定，作为实例，例如可列举出能量射线固化性膜、基材。作为能量射线固化性膜，能够使用使在背面保护膜形成用膜中说明的能量射线固化性膜固化而成的膜。将未固化的能量射线固化性膜用作保护层时，优选使用与背面保护膜形成用膜不同种类的膜。此外，还能够将以下的保护层用能量射线固化性膜用作保护层。以下，对能够用作保护层的保护层用能量射线固化性膜及保护层用基材进行说明。
(保护层用能量射线固化性膜)
除了在背面保护膜形成用膜中说明过的能量射线固化性膜以外的保护层用能量射线固化性膜没有特别限定，例如能够使用能量射线固化型含氨基甲酸酯树脂。
作为能量射线固化型含氨基甲酸酯树脂，可列举出将氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂或氨基甲酸酯聚合物、与能量射线聚合性单体作为主要成分的能量射线固化型树脂。
另外，优选在本实施方案的第一层叠工序之前将保护层用能量射线固化性膜固化。
(基材)
作为能够用作保护层的基材，优选树脂膜。
作为所述树脂膜，例如可列举出低密度聚乙烯(LDPE)膜或线性低密度聚乙烯(LLDPE)膜等聚乙烯膜、乙烯-丙烯共聚物膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜、聚氨酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、离聚物树脂膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚酰亚胺膜、氟树脂膜等。
在本发明的一个方案中使用的基材可以为由一种树脂膜构成的单层膜，也可以为层叠两种以上的树脂膜而成的层叠膜。
此外，在本发明的一个方案中，可以将对上述树脂膜等基材的表面实施了表面处理的片用作保护层。
这些树脂膜可以为交联膜。
此外，还能够使用对这些树脂膜进行着色而成的膜、或对这些树脂膜实施印刷而成的膜等。进一步，树脂膜可以为通过挤出成型将热塑性树脂制成片而得到的膜，也可以为经过拉伸的膜，还可以使用通过规定方式对固化性树脂进行薄膜化及固化而将其制成片而得到的膜。
在这些树脂膜中，优选耐热性优异且玻璃化转变温度为70℃以上的基材。
另外，作为耐热性优异的膜，例如可列举出对聚酯膜、聚碳酸酯膜、聚苯硫醚膜、环烯烃树脂膜、聚酰亚胺树脂膜、紫外线固化树脂进行浇铸制膜并固化而成的膜以及两种以上这些膜的层叠体等。
使用基材时，可以仅将基材用作保护层，也可以将在基材上具有粘着剂层或剥离剂层的片用作保护层。将在基材上具有粘着剂层或剥离剂层的片用作保护层时，在背面保护膜形成用复合体中，优选粘着剂层或剥离剂层被层叠在背面保护膜形成用膜与基材之间。
所述粘着剂层能够根据基材、背面保护膜形成用膜的种类从后述的支撑片中所说明的粘着剂层中适当选择。
能够根据基材、背面保护膜形成用膜的种类，从有机硅类、烯烃类、长链烷基类、醇酸类、氟类等剥离剂层中适当选择所述剥离剂层。
○剥离膜
作为本实施方案的背面保护膜形成用复合体2的剥离膜151，优选保护膜(protectfilm)。保护膜通常由基材膜与层叠在该基材膜上的粘着剂层构成。基材膜例如能够由热塑性树脂构成。作为热塑性树脂，作为实例，可列举出聚乙烯类树脂、聚丙烯类树脂等聚烯烃类树脂；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯类树脂；聚碳酸酯类树脂；(甲基)丙烯酸类树脂。作为粘着剂层，能够由丙烯酸类、橡胶类、氨基甲酸酯类、有机硅类构成。本实施方案的剥离膜在贴附后具有再剥离性。
＜＜第三层叠体的制造方法＞＞
图6A～图6E为示意性地示出使用了背面保护膜形成用复合体1的第三层叠体的制造方法的实施方案的一个实例的剖面示意图。本实施方案的第三层叠体的制造方法为依次层叠有工件14、背面保护膜形成用膜13、保护层12及支撑片10的第三层叠体25的制造方法，其依次包括以下工序：在工件14的背面14b上贴附背面保护膜形成用复合体1的背面保护膜形成用膜13，得到依次层叠有工件14、背面保护膜形成用膜13及保护层12的第二层叠体24的第一层叠工序(图6B及图6C)；搬运至在第二层叠体24上贴附支撑片10的第二层叠工序的搬运工序(图6C～图6D)；在保护层12上贴附支撑片10的第二层叠工序(图6D及图6E)。
图7A～图7F为示意性地示出使用了背面保护膜形成用复合体2的第三层叠体的制造方法的实施方案的一个实例的剖面示意图。本实施方案的第三层叠体的制造方法为依次层叠有工件14、背面保护膜形成用膜13、保护层12及支撑片10的第三层叠体25的制造方法，其依次包括以下工序：在工件14的背面14b上贴附背面保护膜形成用复合体2的背面保护膜形成用膜13，得到依次层叠有工件14、背面保护膜形成用膜13、保护层12及剥离膜151的层叠体的第一层叠工序(图7B及图7C)；从所述层叠体中剥离剥离膜151之后，搬运至在保护层12上贴附支撑片10的第二层叠工序的搬运工序(图7C～图7E)；及在保护层12上贴附支撑片10的第二层叠工序(图7E及图7F)。
＜＜第一层叠体的制造方法＞＞
图4A～4D为示意性地示出使用了背面保护膜形成用复合体1的第一层叠体的制造方法的实施方案的一个实例的剖面示意图。本实施方案的第一层叠体的制造方法为依次层叠有工件14、背面保护膜13’及保护层12的第一层叠体23的制造方法，其依次包括以下工序：在工件14的背面14b上贴附背面保护膜形成用复合体1的背面保护膜形成用膜13，得到依次层叠有工件14、背面保护膜形成用膜13及保护层12的第二层叠体24的第一层叠工序(图4B及图4C)；将第二层叠体24搬运至使背面保护膜形成用膜13固化而制成背面保护膜13’的固化工序的搬运工序(图4C～图4D)；及使第二层叠体24的背面保护膜形成用膜13固化而制成背面保护膜13’的固化工序(图4D)。
图5A～图5E为示意性地示出使用了背面保护膜形成用复合体2的第一层叠体的制造方法的实施方案的一个实例的剖面示意图。本实施方案的第一层叠体的制造方法为依次层叠有工件14、背面保护膜13’及保护层12的第一层叠体23的制造方法，其依次包括以下工序：在工件14的背面14b上贴附背面保护膜形成用复合体2的背面保护膜形成用膜13，得到依次层叠有工件14、背面保护膜形成用膜13、保护层12及剥离膜151的层叠体的第一层叠工序(图5B及图5C)；从所述层叠体上剥离剥离膜151，得到第二层叠体24的工序；将第二层叠体24搬运至使背面保护膜形成用膜13固化而制成背面保护膜13’的固化工序的搬运工序(图5D～
图5E)；及使第二层叠体24的背面保护膜形成用膜13固化而制成背面保护膜13’的固化工序(图5E)。
以下，对第一层叠体的制造方法及第三层叠体的制造方法中的共通项目进行说明。在本实施方案中，使用半导体晶圆作为图4A、图5A、图6A及图7A所示的工件14。半导体晶圆的一个面为电路面，形成有凸点。此外，为了防止半导体晶圆的电路面及凸点在研磨半导体晶圆的背面时破碎、或者防止在晶圆背面产生凹坑(dimple)或裂纹，使用电路面保护用胶带17保护半导体晶圆的电路面及凸点。电路面保护用胶带17为背面研磨用胶带，作为工件14的半导体晶圆的背面(即，工件的背面)为经研磨的面。另外，虽然在图4A～图4D、图5A～图5E所示的第一层叠体的制造方法中未进行图示，但在第一层叠体的制造方法中，优选使用电路面保护用胶带17保护半导体晶圆的电路面及凸点。此时，优选在图4D或图5E所示的固化工序之前的任一阶段剥离电路面保护用胶带。
作为工件14，其只要在一侧具有电路面、且另一侧的面可被称为背面，则没有限定。作为工件14，能够例示出在一侧具有电路面的半导体晶圆；使用密封树脂对经过单颗化的各个电子元件进行密封，且在一侧具有带端子半导体装置的端子形成面(换言之电路面)的带端子半导体装置集合体所构成的半导体装置面板等。
作为电路面保护用胶带17，例如能够使用日本特开2016-192488号公报、日本特开2009-141265号公报中公开的表面保护用片。电路面保护用胶带17具备具有适度的再剥离性的粘着剂层。所述粘着剂层可以由橡胶类、丙烯酸类、有机硅类、氨基甲酸酯类、乙烯醚类等通用的弱粘着型的粘着剂形成。此外，所述粘着剂层还可以为通过照射能量射线进行固化从而能够再剥离的能量射线固化型粘着剂。
在第三层叠体的制造方法中，可以使用不同的装置进行所述第一层叠工序(图6B～图6C或图7B～图7D)与所述第二层叠工序(图6D～图6E或图7E～图7F)(以下，也称为方法1)。
在第三层叠体的制造方法中，优选将贴附背面保护膜形成用膜的装置与贴附支撑片的装置连接、或在同一装置内进行从所述第一层叠工序至所述第二层叠工序为止的工序(图6B～图6E或图7B～图7F)(以下，也称为方法2)。
在第一层叠体的制造方法中，可以使用不同的装置进行所述第一层叠工序(图4B～图4C或图5B～图5D)与所述固化工序(图4D或图5E)(以下，也称为方法3)。
在第一层叠体的制造方法中，优选将贴附背面保护膜形成用膜的装置与使背面保护膜形成用膜固化的装置连接、或在同一装置内进行从所述第一层叠工序至所述固化工序为止的工序(图4B～图4D、图5B～图
5E)(以下，也称为方法4)。
在方法2中，在从所述第一层叠工序至所述第二层叠工序为止的工序中，能够不将在工件14上层叠有背面保护膜形成用膜13及保护层12的第二层叠体收纳在盒中，而是逐片搬运至图6D～图6E或图7E～图7F所示的第二层叠工序。
在方法4中，在从所述第一层叠工序至所述固化工序为止的工序中，能够不将在工件14上层叠有背面保护膜形成用膜13及保护层12的第二层叠体收纳在盒中，而是逐片搬运至图4D或图5E所示的固化工序中。
通过在同一装置内进行，能够进一步减小装置所占空间。通过连接贴附背面保护膜形成用膜的装置与贴附支撑片的装置(或使背面保护膜形成用膜固化的装置)进行，即使不从头进行设计也能够通过改造以往的装置进行应对，能够降低初期费用。此外，由于第二层叠体未被收纳在盒中而搬运至装置外，因此能够提高生产效率，且抑制第二层叠体的污染。
在第一层叠工序中使用的背面保护膜形成用膜13及保护层12可以事先加工成工件的形状，也可以在进行第一层叠工序之前在同一装置内加工。
此外，可以在进行第一层叠工序之后以以下方式对背面保护膜形成用膜13及保护层12进行加工。使用背面保护膜形成用复合体1时，在第一层叠工序中，在工件14的背面贴附背面保护膜形成用复合体1的背面保护膜形成用膜13，得到依次层叠有工件14、背面保护膜形成用膜13及保护层12的第二层叠体之后，将背面保护膜形成用膜13与保护层12加工成工件的形状。
使用背面保护膜形成用复合体2时，在第一层叠工序中，在工件14的背面贴附背面保护膜形成用复合体2的背面保护膜形成用膜13，剥离剥离膜151，得到依次层叠有工件14、背面保护膜形成用膜13及保护层12的层叠体之后，将背面保护膜形成用膜13与保护层12加工成工件的形状。
此外，在另一个实施方案中，能够将从所述第一层叠工序的贴附开始地点至所述第二层叠工序的贴附结束地点(或从所述第一层叠工序的贴附开始地点至所述固化工序的固化结束地点)为止的工件14的搬运距离设计为7000mm以下，能够减少装置所占空间。从所述第一层叠工序的贴附开始地点至所述第二层叠工序的贴附结束地点(或从所述第一层叠工序的贴附开始地点至所述固化工序的固化结束地点)为止的工件14的搬运距离还能够设为6500mm以下，还能够设为6000mm以下，还能够设为4500mm以下，还能够设为3000mm以下。工件14的搬运距离的下限值没有特别限定，例如能够设为100mm。
此外，在又一个实施方案中，能够将从所述第一层叠工序的贴附开始时至所述第二层叠工序的贴附结束时(或从所述第一层叠工序的贴附开始时至所述固化工序的固化结束时)为止的工件14的搬运时间设为400s以下，能够缩短工序时间。从所述第一层叠工序的贴附开始时至所述第二层叠工序的贴附结束时(或从所述第一层叠工序的贴附开始时至所述固化工序的固化结束时)为止的工件14的搬运时间还能够设为300s
以下，还能够设为250s以下，还能够设为200s以下，还能够设为150s
以下。工件14的搬运时间的下限值没有特别限定，例如能够设为10s。
在第一层叠体的制造方法及第三层叠体的制造方法的第一层叠工序中在工件14上贴附背面保护膜形成用膜13的露出面的速度，以及在第三层叠体的制造方法的第二层叠工序中在保护层12的露出面上贴附支撑片10的速度能够设为100mm/秒以下，还能够设为80mm/秒以下，还能够设为60mm/秒以下，还能够设为40mm/秒以下。通过使第一层叠工序中的所述贴附速度及第二层叠工序中的所述贴附速度为上述上限值以下，能够使工件14与背面保护膜形成用膜13之间的密合性、保护层12与支撑片10之间的密合性良好。
第一层叠工序中的所述贴附速度及第二层叠工序中的所述贴附速度还能够设为2mm/秒以上，还能够设为5mm/秒以上，还能够设为10mm/秒以上。能够通过使第一层叠工序中的所述贴附速度及第二层叠工序中的所述贴附速度为上述下限值以上来提高第一层叠体23及第三层叠体25的生产效率，同时还能够将从第一层叠工序的贴附开始时至第二层叠工序的贴附结束时(或从第一层叠工序的贴附开始时至固化工序的固化结束时)为止的工件14的搬运时间设为400s以下。
能够将贴附背面保护膜形成用膜的装置与贴附支撑片的装置(或使背面保护膜形成用膜固化的装置)连接而进行本实施方案的第一层叠体的制造方法及第三层叠体的制造方法，或在同一装置内进行本实施方案的第一层叠体的制造方法及第三层叠体的制造方法。
作为同一装置，例如能够利用具备背面保护膜形成用膜贴附台、支撑片贴附台(或固化单元)及搬运臂的装置进行实施。
具体而言，通过搬运臂将投入所述装置的工件搬运至背面保护膜形成用膜贴附台，在所述工件的背面侧贴附背面保护膜形成复合体1的背面保护膜形成用膜(第一层叠工序)。
将搬运臂的具有吸附孔的吸附面吸附在所述第一层叠工序中得到的层叠体的保护层面上，搬运至贴附支撑片的第二层叠工序(或使背面保护膜形成用膜固化的固化工序)(搬运工序)。
在上述搬运工序之后，通过在保护层上贴附支撑片，得到依次层叠有工件、背面保护膜形成用膜、保护层及支撑片的第三层叠体(第二层叠工序)。
此外，在上述搬运工序后，通过对背面保护膜形成用膜进行固化，得到依次层叠有工件、背面保护膜及保护层的第一层叠体(固化工序)。
通过使用本实施方案的背面保护膜形成用复合体1，能够防止所述搬运工序中的背面保护膜形成用膜13的污染及变形。
所述装置优选具备1～5个背面保护膜形成用膜贴附台，更优选具备1～3个背面保护膜形成用膜贴附台。若装置内的背面保护膜形成用膜贴附台的数量为所述范围的下限值以上，则生产效率增高，若为上限值以下，则能够减少装置所占的空间。
所述装置优选具备1～5个支撑片贴附台，更优选具备1～3个支撑片贴附台。若装置内的支撑片贴附台的数量为所述范围的下限值以上，则生产效率增高，若为上限值以下，则能够减少装置所占的空间。
所述装置优选配合各搬运路径而具备搬运臂。若将搬运臂数量相对工作台总数的比例设为1以上，则能够提高生产效率。此外，在具备2个以上的工作台时，若将搬运臂数量相对工作台总数的比例设为大于0且小于1(例如，相对于2个工作台的搬运臂的总数为1)，则能够减少装置所占的空间。
作为将贴附背面保护膜形成用膜的装置与贴附支撑片的装置连接而进行的具体例，可列举出以下的方法：将具有贴附背面保护膜形成用膜的机构的装置与具有贴附支撑片的机构的装置连接，在各机构之间，使用搬运臂，逐片搬运在工件14上贴附有背面保护膜形成用膜13的第二层叠体。
作为将贴附背面保护膜形成用膜的装置与使背面保护膜形成用膜固化的装置连接而进行的具体例，可列举出以下的方法：将具有贴附背面保护膜形成用膜的机构的装置与具有使背面保护膜形成用膜固化的机构的装置连接，在各机构之间，使用搬运臂，逐片搬运在工件14上贴附有背面保护膜形成用膜13的第二层叠体。
优选通过以下方法进行本实施方案的第一层叠体的制造方法及第三层叠体的制造方法中的第一层叠工序。以下，对事先将在第一层叠工序中使用的背面保护膜形成用膜13及保护层12加工成工件的形状的情况或在进行第一层叠工序之前在同一装置内进行加工的情况进行说明。
准备在本实施方案的背面保护膜形成用复合体2的背面保护膜形成用膜13的最外层表面上具有剥离膜152的、图9所示的带状的背面保护膜形成用复合体3。
优选将带状的背面保护膜形成用复合体3卷绕成辊状进行保存。
首先，剥离剥离膜152，将背面保护膜形成用膜13与保护层12切断加工成工件14的形状。然后，通过卷绕由外周部的背面保护膜形成用膜13、保护层12构成的层叠体而去除。
在不具有保护层12时，上述的外周部的卷绕则仅卷绕背面保护膜形成用膜13。由于背面保护膜形成用膜13薄且脆弱，因此在进行卷绕时，存在引起切断的可能性，有时无法顺利地卷绕外周部。
若使用本实施方案的背面保护膜形成用复合体3，则上述的外周部的卷绕则是卷绕由背面保护膜形成用膜13、保护层12构成的层叠体。由于具有保护层12，因此层叠体变厚、强度也提高，故而在进行卷绕时引起切断的可能性变低，能够有效地进行外周部的卷绕。
将通过上述方式切断加工成工件的形状的本实施方案的背面保护膜形成用复合体2贴附在工件14的背面，得到依次层叠有工件14、背面保护膜形成用膜13、保护层12及剥离膜151的层叠体。如上所述，由于剥离膜151未进行切断加工，因此维持带状。通过卷绕带状的剥离膜151来剥离剥离膜151，得到依次层叠有工件14、背面保护膜形成用膜13及保护层12的第二层叠体24。
在第三层叠体的制造方法中的图6D或图7E所示的第二层叠工序中，在保护层12上层叠支撑片10。支撑片10例如可以为厚度为80μm、直径为270mm的圆形聚烯烃膜，在外周部可以具备夹具用粘合剂层。在本实施方案中，工件14可以与背面保护膜形成用膜13及保护层12一同被固定在固定用夹具18上。此外，可以在保护层12上层叠支撑片10，且同时固定在固定用夹具18上(图6E或图7F)。
＜支撑片＞
作为在本发明的一个方案中使用的支撑片10，可列举出仅由基材101构成的片材、或在基材101上具有粘着剂层102的粘着片。
本发明的一个方案的第三层叠体所具有的支撑片起到防止灰尘等附着在背面保护膜形成用膜的表面上的剥离片的作用、或起到在切割工序等中用于保护背面保护膜形成用膜的面的切割片等的作用。
作为支撑片的厚度，可以根据用途进行适当选择，但从对复合片赋予充分的可挠性、使对硅晶圆的贴附性良好的角度出发，优选为10～500μm，更优选为20～350μm，进一步优选为30～200μm。
另外，上述支撑片的厚度不仅包括构成支撑片的基材的厚度，在具有粘着剂层时，还包括这些层或膜的厚度。
作为构成支撑片10的基材101，能够使用在保护层中进行过说明的基材。
此外，在本发明的一个方案中，可以将对上述树脂膜等基材的表面实施了表面处理的片用作支撑片。
在这些树脂膜中，从耐热性优异且由于具有适度的柔软性因而具有延展适性、容易维持拾取适性的角度出发，优选含有聚丙烯膜的基材。
另外，作为含有聚丙烯膜的基材的构成，其可以为仅由聚丙烯膜构成的单层结构，也可以为由聚丙烯膜与其他树脂膜构成的多层结构。
在背面保护膜形成用膜为热固性时，由于构成基材的树脂膜具有耐热性，因此能够抑制基材因热而受到损伤，能够抑制在半导体装置的制造工艺中发生不良情况。
将仅由基材构成的片用作支撑片时，从将剥离力调节至一定范围的角度出发，所述基材的与背面保护膜形成用膜的表面接触的面的表面张力优选为20～50mN/m，更优选为23～45mN/m，进一步优选为25～40mN/m。
构成支撑片的基材的厚度优选为10～500μm，更优选为15～300μm，进一步优选为20～200μm。
(粘着片)
作为在本发明的一个方案中用作支撑片10的粘着片，可列举出在上述树脂膜等基材101上具有由粘着剂形成的粘着剂层102的片。
图8为示出在基材101上设有粘着剂层102的支撑片10的一个实例的剖面示意图。
在支撑片10具备粘着剂层102时，在第二层叠工序中，在保护层12上层叠支撑片10的粘着剂层102。
作为为粘着剂层的形成材料的粘着剂，可列举出含有粘着性树脂的粘着剂组合物，所述粘着剂组合物可以进一步含有上述的交联剂或增粘剂等通用添加剂。
作为所述粘着性树脂，在着眼于其树脂结构时，例如可列举出丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯类树脂、橡胶类树脂、有机硅类树脂、乙烯醚类树脂等，在着眼于其树脂功能时，例如可列举出能量射线固化型粘着剂或加热发泡型粘着剂、能量射线发泡型粘着剂等。
在本发明的一个方案中，为了确保与保护层的密合性，优选支撑片的粘着剂层102为强粘着剂层。可以为由含有能量射线固化型树脂的粘着剂组合物形成的能量射线固化性的粘着剂层。
此外，从将剥离力调整至一定范围的角度出发，优选含有丙烯酸类树脂的粘着剂。
作为所述丙烯酸类树脂，优选具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元(x1)的丙烯酸类聚合物，更优选具有结构单元(x1)与来自含官能团单体的结构单元(x2)的丙烯酸类共聚物。
上述(甲基)丙烯酸烷基酯所具有的烷基的碳原子数优选为1～18，更优选为1～12，进一步优选为1～8。
作为所述(甲基)丙烯酸烷基酯，可列举出与在上述粘结剂聚合物成分的部分中说明过的(甲基)丙烯酸烷基酯相同的(甲基)丙烯酸烷基酯。
另外，(甲基)丙烯酸烷基酯可以单独使用或同时使用两种以上。
相对于丙烯酸类聚合物的全部结构单元(100质量％)，结构单元(x1)的含量通常为50～100质量％，优选为50～99.9质量％，更优选为60～99质量％，进一步优选为70～95质量％。
作为上述含官能团单体，例如可列举出含羟基单体、含羧基单体、含环氧基单体等，这些单体各自的具体例可列举出与在粘结剂聚合物成分的部分中已例示的单体相同的单体。
另外，这些单体可以单独使用或同时使用两种以上。
相对于丙烯酸类聚合物的全部结构单元(100质量％)，结构单元(x2)的含量通常为0～40质量％，优选为0.1～40质量％，更优选为1～30质量％，进一步优选为5～20质量％。
此外，作为本发明的一个方案中使用的丙烯酸类树脂，可以为使具有能量射线聚合性基团的化合物进一步与具有上述结构单元(x1)及(x2)的丙烯酸类共聚物进行反应而得到的能量射线固化型丙烯酸类树脂。
作为具有能量射线聚合性基团的化合物，其只要为具有(甲基)丙烯酰基、乙烯基等聚合性基团的化合物即可。
使用含有丙烯酸类树脂的粘着剂时，从将剥离力调整至一定范围的角度出发，优选在含有丙烯酸类树脂的同时含有交联剂。
作为所述交联剂，例如可列举出异氰酸酯类交联剂、亚胺类交联剂、环氧类交联剂、噁唑啉类交联剂、碳二亚胺类交联剂等，从将剥离力调整至一定范围的角度出发，优选异氰酸酯类交联剂。
相对于上述粘着剂中所含有的丙烯酸类树脂的总质量(100质量份)，交联剂的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.1～15质量份，进一步优选为0.5～10质量份，更进一步优选为1～8质量份。
支撑片10可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成。在支撑片由多个层构成时，这些多个层的构成材料及厚度可彼此相同，也可彼此不同，只要不损害本发明的效果，则这些多个层的组合没有特别限定。
另外，在本说明书中，不仅限于支撑片，“多个层可彼此相同，也可彼此不同”是指“可以所有层均相同，也可以所有层均不同，还可以仅一部分层相同”，进一步，“多个层彼此不同”是指“各个层的构成材料及厚度中的至少一者彼此不同”。
支撑片可以为透明，也可以为不透明，还可以根据目的进行着色。
例如，当背面保护膜形成用膜具有能量射线固化性时，支撑片优选为使能量射线透射的片。
例如，为了能够隔着支撑片对背面保护膜形成用膜进行光学检查，优选支撑片为透明。
在本实施方案中，工件14的电路面被电路面保护用胶带17保护，能够在所述第二层叠工序之后，包含从工件14的电路面上剥离电路面保护用胶带17的剥离工序。在本实施方案中，电路面保护用胶带17在粘着于电路面的一侧具有粘着剂层。所述粘着剂层只要对工件具有适度的再剥离性，则对其种类并无限定，可以由橡胶类、丙烯酸类、有机硅类、氨基甲酸酯类、乙烯醚类等通用的粘着剂形成。此外，可以由通过照射能量射线进行固化而成为再剥离性的能量射线固化型粘着剂形成。在粘着剂层由能量射线固化型粘着剂形成时，在所述剥离工序中，通过对电路面保护用胶带17的粘着剂层照射能量射线而将粘着剂层固化，使其可以再剥离，由此能够容易地从工件14的电路面上剥离电路面保护用胶带17。
本实施方案的第三层叠体的制造方法可以包含从支撑片10侧对背面保护膜形成用膜13照射激光而进行激光打标的工序。本实施方案的第三层叠体的制造方法中，由于在保护层12上层叠支撑片10，因此若隔着支撑片及保护层从支撑片10侧照射激光，则能够对背面保护膜形成用膜13的与保护层12接触的面进行激光打标。
本实施方案的第一层叠体的制造方法可以包括对背面保护膜形成用膜13或背面保护膜13’照射激光而进行激光打标的工序。
通过在第一层叠体的制造方法及第三层叠体的制造方法中使用本实施方案的背面保护膜形成用复合体1，能够防止背面保护膜形成用膜13的污染及变形。因此，还能够防止对背面保护膜形成用膜13进行固化而得到的背面保护膜13’的污染及变形。在背面保护膜形成用膜13或背面保护膜13’发生污染及变形时(在表面上具有凹凸时)，在隔着支撑片10照射激光而进行激光打标时，会产生在印字中发生不良情况、印字后的可读性变差这样的问题。
通过在第一层叠体的制造方法及第三层叠体的制造方法中使用本实施方案的背面保护膜形成用复合体1，能够抑制背面保护膜形成用膜
13(背面保护膜13’)的污染及变形，其结果，能够抑制上述印字的不良情况，印字后的可读性变得良好。
＜＜第四层叠体的制造方法＞＞
本实施方案的第四层叠体的制造方法为第四层叠体26的制造方法，该方法包括以下工序：使通过所述第三层叠体的制造方法制造的第三层叠体25中的背面保护膜形成用膜13固化，制成背面保护膜13’的固化工序。所述第四层叠体26通过依次层叠工件14、背面保护膜13’、保护层12及支撑片10而成。
此外，本实施方案的第四层叠体的制造方法为第四层叠体26的制造方法，该方法包括以下工序：在通过所述第一层叠体的制造方法制造的第一层叠体23的保护层12上贴附支撑片10，得到依次层叠有工件14、背面保护膜13’、保护层12及支撑片10的第四层叠体的第二层叠工序。
图10A～图10C为示意性地示出第四层叠体的制造方法的实施方案的一个实例的剖面示意图。本实施方案的第四层叠体的制造方法在所述第三层叠体的制造方法中的所述第二层叠工序之后，包括以下工序：从工件14的电路面上剥离电路面保护用胶带17的剥离工序(图10A)；从支撑片10侧对背面保护膜形成用膜13照射激光而进行激光打标的工序(图10B)；及使背面保护膜形成用膜13固化而制成背面保护膜13’的固化工序(图10C)。在本实施方案中，使用热固性的背面保护膜形成用膜，在本实施方案的固化工序中，以130℃、2h的条件进行热固化。
只要使背面保护膜成为充分发挥其功能的程度的固化度，则对热固性的背面保护膜形成用膜进行热处理而使其进行热固化，进而形成背面保护膜时的固化条件没有特别限定，只需根据热固性的背面保护膜形成用膜的种类进行适当选择即可。
例如，热固化时的加热温度优选为100～200℃，更优选为110～180℃，特别优选为120～170℃。此外，所述热固化时的加热时间优选为0.5～5小时，更优选为0.5～3小时，特别优选为1～2小时。在固化工序中进行热固化时，考虑到电路面保护用胶带17的耐热性，所述剥离工序的顺序优选在固化工序之前。
图11A～图11C为示意性地示出第四层叠体的制造方法的实施方案的另一个实例的剖面示意图。本实施方案的第四层叠体的制造方法在所述第三层叠体的制造方法中的所述第二层叠工序之后包括以下工序：从工件14的电路面上剥离电路面保护用胶带17的剥离工序(图11A)；使背面保护膜形成用膜13固化而制成背面保护膜13’的固化工序(图11B)；及从支撑片10侧对背面保护膜13’照射激光而进行激光打标的工序(图11C)。
图12A、图12B为示意性地示出第四层叠体的制造方法的实施方案的另一个实例的剖面示意图。本实施方案的第四层叠体的制造方法包括在通过所述第一层叠体的制造方法制造的第一层叠体23上贴附支撑片的第二层叠工序。可以在制造第一层叠体23的工序内具有剥离电路面保护用胶带17的工序及从支撑片10侧照射激光而进行激光打标的工序，也可以在图12A、图12B所示的由第一层叠体23制造第四层叠体26的工序内具有剥离电路面保护用胶带17的工序及从支撑片10侧照射激光而进行激光打标的工序。
＜＜带背面保护膜的半导体装置的制造方法＞＞
图12C～图12E及图13A～图13C为示意性地示出带背面保护膜的半导体装置的制造方法的实施方案的一个实例的剖面示意图。本实施方案的带背面保护膜的半导体装置的制造方法包括以下工序：对通过所述第四层叠体的制造方法制造的第四层叠体26中的工件14、背面保护膜13’及保护层12进行切割，制成带背面保护膜的半导体装置22’的工序(图12C、图12D、图13A及图13B)；及从保护层12上拾取带背面保护膜的半导体装置22’的工序(图12E、图13C)。
图14A～图14D为示意性地示出带背面保护膜的半导体装置的制造方法的实施方案的另一个实例的剖面示意图。本实施方案的带背面保护膜的半导体装置的制造方法包括以下工序：对通过所述第三层叠体的制造方法制造的第三层叠体25中的背面保护膜形成用膜13、工件14及保护层12进行切割，制成带背面保护膜形成用膜的半导体装置22的工序(图14A及图14B)；使背面保护膜形成用膜13固化而制成背面保护膜13’的固化工序(图14C)；及从支撑片10(保护层12)上拾取带背面保护膜的半导体装置22’的工序(图14D)。
上述半导体装置的制造方法中的切割能够通过使用刀片的刀片切割、使用激光照射的激光切割或喷射含有研磨剂的水的水切割等各种切割进行。在这些切割中，将经由保护层及背面保护膜(背面保护膜形成用膜)而保持在支撑片上的工件与保护层及背面保护膜(背面保护膜形成用膜)一起切断。
此外，上述半导体装置的制造方法中的切割还能够通过Stealth Dicing(隐形切割)(注册商标)进行。在Stealth Dicing(注册商标)中，首先，在晶圆的内部设定预分割位置，将该位置作为焦点，以聚焦于该焦点的方式照射激光，由此在晶圆的内部形成改质层。晶圆的改质层与晶圆的其他部位不同，因照射激光而变质，强度变弱。因此，通过对晶圆施加力，会在晶圆的内部的改质层中产生向晶圆的两面方向延伸的龟裂，变成分割(切断)晶圆的起点。接着，对晶圆施加力，在所述改质层的部位分割晶圆，制成芯片。此时，例如能够通过在平行于晶圆的表面的方向上，同时对经由保护层及背面保护膜(背面保护膜形成用膜)保持在支撑片上的形成有改质层的晶圆与支撑片、保护层、背面保护膜(背面保护膜形成用膜)进行拉伸而对晶圆施加力，制成带背面保护膜的芯片。
本实施方案的带背面保护膜的半导体装置的制造方法的背面保护膜形成用膜13为热固性，在制成本实施方案的背面保护膜的工序中，例如以130℃、2h的条件对背面保护膜形成用膜13进行热固化。
如上所述，只要使背面保护膜成为充分发挥其功能的程度的固化度，则使热固性的背面保护膜形成用膜热固化而制成背面保护膜时的固化条件没有特别限定，只需根据热固性的背面保护膜形成用膜的种类进行适当选择即可。
本实施方案的带背面保护膜的半导体装置的制造方法的背面保护膜形成用膜13为能量射线固化性，制成所述背面保护膜的工序可以为对背面保护膜形成用膜13照射能量射线而使其进行能量射线固化的工序。
只要使背面保护膜成为充分发挥其功能的程度的固化度，则使能量射线固化性的背面保护膜形成用膜进行能量射线固化而形成背面保护膜时的固化条件没有特别限定，只需根据能量射线固化性背面保护膜形成用膜的种类进行适当选择即可。
例如，能量射线固化性背面保护膜形成用膜进行能量射线固化时的能量射线的照度优选为4～280mW/cm2。此外，所述固化时的能量射线的光量优选为3～1000mJ/cm2。
作为能量射线固化性的背面保护膜形成用膜，例如还能够使用国际公开第2017/188200号、国际公开第2017/188218号中公开的膜。
在不具有保护层12时，从支撑片10上拾取带背面保护膜的半导体装置22’。作为背面保护膜形成用膜13而使用热固性膜时，固化后的背面保护膜13’与支撑片10的粘着力增大，有时拾取变得困难。此时，需要调整支撑片的粘着剂成分的组成等。
另一方面，若使用本实施方案的背面保护膜形成用复合体1，则从保护层12上拾取带背面保护膜的半导体装置22’。此时，若充分增大保护层12与支撑片10的粘着力，则即使不对带背面保护膜的半导体装置22’与保护层12的粘着力进行优化，也能够容易地进行拾取。
实施例
以下，通过具体的实施例对本发明进行更详细的说明。但本发明不受以下所示的实施例的任何限定。
＜搬运工序中的背面保护膜形成用膜的变形抑制的评价＞
将在后述的实施例1～3及比较例1中得到的带背面保护膜形成用复合体的晶圆以半导体晶圆侧朝下的方式固定在设定温度为40℃的工作台上，放置1分钟。此时，工作台的表面温度的测定值为37～38℃。从带背面保护膜形成用复合体的晶圆的上侧，使用具有吸附孔的标准的8”I型机械臂(臂前端部的吸附区域：直径34mm)，以真空源为-80kPa以下的条件将带背面保护膜形成用复合体的晶圆吸附保持30分钟。然后，将带背面保护膜形成用复合体的晶圆以半导体晶圆侧朝下的方式固定在常温的工作台上，停止机械臂的吸附。肉眼确认带背面保护膜形成用复合体的晶圆的上表面，将完全未看到吸附痕迹的情况设为A，将看到吸附痕迹的情况设为B。
(背面保护膜形成用膜的制造)
准备在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜的单面上形成有机硅类的剥离剂层而成的第一剥离片(LINTEC Corporation制造：SP-PET5011，厚度为50μm)、与在PET膜的单面上形成有机硅类的剥离剂层而成的第二剥离片(LINTEC Corporation制造：SP-PET381031，厚度为38μm)。
使用刮刀涂布机在第一剥离片的剥离面上涂布背面保护膜形成用膜用涂布溶液之后，使用烘箱以120℃使其干燥2分钟，形成厚度为40μm的背面保护膜形成用膜。接着，在背面保护膜形成用膜上重叠第二剥离片的剥离面，将两者贴合，得到由第一剥离片、背面保护膜形成用膜(LINTEC Corporation制造：LC2846，厚度：40μm)及第二剥离片构成的背面保护膜形成用片。
(保护层)
将上述的第一剥离片用作保护层1，该第一剥离片为在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜的单面上形成有机硅类的剥离剂层而成的片(LINTEC Corporation制造：SP-PET5011，厚度为50μm)。
通过以下的方法制造保护层2形成用膜。
制备固体成分浓度为30质量％的粘着剂组合物，其含有丙烯酸类聚合物(100质量份，固体成分)及3官能度苯二亚甲基二异氰酸酯类交联剂(MITSUI TAKEDA CHEMICALS,INC.制造：TAKENATE D110N)(10.7质量份，固体成分)，进一步含有作为溶剂的甲基乙基酮。另外，所述丙烯酸类聚合物为由丙烯酸2-乙基己酯(36质量份)、丙烯酸丁酯(59质量份)及丙烯酸2-羟基乙酯(5质量份)共聚而成的重均分子量为600,000的聚合物。
在通过有机硅处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜的单面进行剥离处理而成的剥离膜(LINTEC Corporation制造：SP-PET381031，厚度为38μm)的剥离处理面上，涂布所述粘着剂组合物，以120℃加热干燥2分钟，由此形成厚度为5μm的粘着剂层。
接着，通过在该粘着剂层的露出面上贴合作为基材的聚丙烯类膜(杨氏模量为400MPa，厚度为80μm)，从而得到在所述基材的一个表面上具备所述粘着剂层的保护层2形成用膜。
作为保护层3形成用膜，使用在保护层2形成用膜的制造中使用的聚丙烯类膜(无粘着剂层)。
[实施例1]
剥离背面保护膜形成用膜侧的第二剥离片，将露出的面贴附在8英寸半导体晶圆(厚度为300μm)上，进一步，以残留了作为保护层1的第一剥离片状态，得到带背面保护膜形成用复合体A的晶圆。
对于带背面保护膜形成用复合体A的晶圆，通过上述的方法进行搬运工序中的背面保护膜形成用膜的变形评价。将上述评价中的吸附压及结果示于表1。
[实施例2]
剥离背面保护膜形成用膜侧的第二剥离片，将露出的面贴附在8英寸半导体晶圆(厚度为300μm)上，进一步，在剥离第一剥离片而露出的背面保护膜形成用膜上，贴附保护层2形成用膜的剥离剥离膜而露出的粘着剂层，得到带背面保护膜形成用复合体B的晶圆。
对于带背面保护膜形成用复合体B的晶圆，通过上述的方法进行搬运工序中的背面保护膜形成用膜的变形评价。将上述评价中的吸附压及结果示于表1。
[实施例3]
剥离背面保护膜形成用膜侧的第二剥离片，将露出的面贴附在8英寸半导体晶圆(厚度为300μm)上，进一步，在剥离第一剥离片而露出的背面保护膜形成用膜上贴附保护层3形成用膜，得到带背面保护膜形成用复合体C的晶圆。
对于带背面保护膜形成用复合体C的晶圆，通过上述的方法进行搬运工序中的背面保护膜形成用膜的变形评价。将上述评价中的吸附压及结果示于表1。
[比较例1]
剥离背面保护膜形成用膜侧的第二剥离片，将露出的面贴附在8英寸半导体晶圆(厚度为300μm)上，进一步剥离第一剥离片，得到带背面保护膜形成用膜的晶圆。
对于带背面保护膜形成用膜的晶圆，通过上述的方法进行搬运工序中的背面保护膜形成用膜的变形评价。将上述评价中的吸附压及结果示于表1。
[表1]
Figure BDA0003804488190000461
在具有本发明的保护层的实施例1～3中均未确认到吸附痕迹。另一方面，在不具有本发明的保护层的比较例1中确认到了吸附痕迹。
工业实用性
本发明的背面保护膜形成用复合体能够用于制造带背面保护膜的半导体装置。
附图标记说明
1：背面保护膜形成用复合体；2：背面保护膜形成用复合体；3：背面保护膜形成用复合体；7：带背面保护膜的半导体芯片；8：半导体晶圆；8a：半导体晶圆的电路面；8b：半导体晶圆的背面；9：半导体芯片；10：支撑片；101：基材；102：粘着剂层；12：保护层；13：背面保护膜形成用膜；13’：背面保护膜；14：工件；14a：工件的电路面；14b：工件14的背面；151：剥离膜；152：剥离膜；17：电路面保护用胶带；18：固定用夹具；21：半导体装置；22：带背面保护膜形成用膜的半导体装置；22’：带背面保护膜的半导体装置；23：第一层叠体；24：第二层叠体；25：第三层叠体；26：第四层叠体。

Claims (7)

1.一种背面保护膜形成用复合体，其通过层叠保护层与背面保护膜形成用膜而成，
其被用于第一层叠体的制造方法，所述制造方法包括以下工序：
在半导体基板的背面贴附所述背面保护膜形成用膜，得到依次层叠有所述半导体基板、所述背面保护膜形成用膜及所述保护层而成的第二层叠体的第一层叠工序；
使所述第二层叠体的所述背面保护膜形成用膜固化而制成背面保护膜的固化工序；及
将所述第二层叠体从所述第一层叠工序搬运至所述固化工序的搬运工序，
所述第一层叠体通过依次层叠所述半导体基板、所述背面保护膜及所述保护层而成。
2.一种背面保护膜形成用复合体，其通过层叠保护层与背面保护膜形成用膜而成，
其被用于第三层叠体的制造方法，所述制造方法包括以下工序：
在半导体基板的背面贴附所述背面保护膜形成用膜，得到依次层叠有所述半导体基板、所述背面保护膜形成用膜及所述保护层的第二层叠体的第一层叠工序；
在所述第二层叠体的所述保护层上贴附支撑片，得到依次层叠有所述半导体基板、所述背面保护膜形成用膜、所述保护层及所述支撑片的第三层叠体的第二层叠工序；及
将所述第二层叠体从所述第一层叠工序搬运至所述第二层叠工序的搬运工序。
3.一种第一层叠体的制造方法，所述第一层叠体通过依次层叠半导体基板、背面保护膜及保护层而成，所述制造方法包括以下工序：
在所述半导体基板的背面贴附权利要求1所述的背面保护膜形成用复合体的所述背面保护膜形成用膜，得到依次层叠有所述半导体基板、所述背面保护膜形成用膜及所述保护层的第二层叠体的第一层叠工序；
使所述第二层叠体的所述背面保护膜形成用膜固化而制成背面保护膜的固化工序；及
将所述第二层叠体从所述第一层叠工序搬运至所述固化工序的搬运工序。
4.一种第三层叠体的制造方法，所述第三层叠体通过依次层叠半导体基板、背面保护膜形成用膜、保护层及支撑片而成，所述制造方法包括以下工序：
在所述半导体基板的背面贴附权利要求2所述的背面保护膜形成用复合体的所述背面保护膜形成用膜，得到依次层叠有所述半导体基板、所述背面保护膜形成用膜及所述保护层的第二层叠体的第一层叠工序；
在所述第二层叠体的所述保护层上贴附支撑片，得到依次层叠有所述半导体基板、所述背面保护膜形成用膜、所述保护层及所述支撑片的第三层叠体的第二层叠工序；及
将所述第二层叠体从所述第一层叠工序搬运至所述第二层叠工序的搬运工序。
5.一种带背面保护膜的半导体装置的制造方法，其包括以下工序：
在通过权利要求3所述的制造方法制造的第一层叠体的所述保护层上贴附支撑片，得到依次层叠有所述半导体基板、所述背面保护膜、所述保护层及所述支撑片的第四层叠体的第二层叠工序；
对所述第四层叠体中的所述半导体基板及所述背面保护膜进行切割而制成带背面保护膜的半导体装置的工序；及
从所述支撑片上拾取所述带背面保护膜的半导体装置的工序。
6.一种带背面保护膜的半导体装置的制造方法，其包括以下工序：
使通过权利要求4所述的制造方法制造的第三层叠体的所述背面保护膜形成用膜固化而制成背面保护膜，得到依次层叠有所述半导体基板、所述背面保护膜、所述保护层及所述支撑片的第四层叠体的固化工序；
对所述第四层叠体中的所述半导体基板及所述背面保护膜进行切割而制成带背面保护膜的半导体装置的工序；及
从所述支撑片上拾取所述带背面保护膜的半导体装置的工序。
7.一种带背面保护膜的半导体装置的制造方法，其包括以下工序：
对通过权利要求4所述的制造方法制造的第三层叠体中的所述半导体基板及所述背面保护膜形成用膜进行切割而制成带背面保护膜形成用膜的半导体装置的工序；
使所述背面保护膜形成用膜固化而制成背面保护膜的固化工序；及
从所述支撑片上拾取所述带背面保护膜形成用膜的半导体装置或带背面保护膜的半导体装置的工序。
CN202180015484.5A 2020-02-21 2021-02-18 背面保护膜形成用复合体、第一层叠体的制造方法、第三层叠体的制造方法及带背面保护膜的半导体装置的制造方法 Pending CN115136294A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020028103 2020-02-21
JP2020-028103 2020-02-21
PCT/JP2021/006067 WO2021166991A1 (ja) 2020-02-21 2021-02-18 裏面保護膜形成用複合体、第一積層体の製造方法、第三積層体の製造方法、及び裏面保護膜付き半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115136294A true CN115136294A (zh) 2022-09-30

Family

ID=77392191

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180015484.5A Pending CN115136294A (zh) 2020-02-21 2021-02-18 背面保护膜形成用复合体、第一层叠体的制造方法、第三层叠体的制造方法及带背面保护膜的半导体装置的制造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2021166991A1 (zh)
KR (1) KR20220142447A (zh)
CN (1) CN115136294A (zh)
TW (1) TW202141595A (zh)
WO (1) WO2021166991A1 (zh)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4271597B2 (ja) 2004-02-27 2009-06-03 リンテック株式会社 チップ用保護膜形成用シート
JP2009130233A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Furukawa Electric Co Ltd:The チップ保護用フィルム
WO2013047674A1 (ja) 2011-09-30 2013-04-04 リンテック株式会社 保護膜形成層付ダイシングシートおよびチップの製造方法
JP2014192462A (ja) * 2013-03-28 2014-10-06 Lintec Corp 樹脂膜形成用シート
JP6405556B2 (ja) * 2013-07-31 2018-10-17 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シートおよび検査方法
JP6265954B2 (ja) * 2015-09-16 2018-01-24 古河電気工業株式会社 半導体裏面用フィルム

Also Published As

Publication number Publication date
TW202141595A (zh) 2021-11-01
JPWO2021166991A1 (zh) 2021-08-26
WO2021166991A1 (ja) 2021-08-26
KR20220142447A (ko) 2022-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101939636B1 (ko) 보호막 형성층을 갖는 다이싱 시트 및 칩의 제조 방법
KR101919547B1 (ko) 보호막 형성층을 갖는 다이싱 시트 및 칩의 제조 방법
JP5473262B2 (ja) 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP5865045B2 (ja) 保護膜形成層付ダイシングシートおよびチップの製造方法
JP5865044B2 (ja) 保護膜形成層付ダイシングシートおよびチップの製造方法
JPWO2014155756A1 (ja) 粘着シートおよび保護膜形成用複合シートならびに保護膜付きチップの製造方法
US8247503B2 (en) Adhesive composition and adhesive sheet
JP6091955B2 (ja) 粘着シートおよび保護膜形成用複合シートならびに保護膜付きチップの製造方法
JP5785420B2 (ja) 保護膜形成用シートおよび半導体チップの製造方法
JP6854983B1 (ja) 第三積層体の製造方法、第四積層体の製造方法及び裏面保護膜付き半導体装置の製造方法、並びに、第三積層体
JP6262717B2 (ja) 保護膜付チップの製造方法
JP5743638B2 (ja) 保護膜形成用フィルム、およびチップ用保護膜形成用シート
WO2020218516A1 (ja) 第三積層体の製造方法
CN115136294A (zh) 背面保护膜形成用复合体、第一层叠体的制造方法、第三层叠体的制造方法及带背面保护膜的半导体装置的制造方法
JP7540884B2 (ja) キット、及び、そのキットを用いる第三積層体の製造方法
JP7540885B2 (ja) キット、及び、そのキットを用いる第三積層体の製造方法
CN115141571A (zh) 支撑片、树脂膜形成用复合片、套件及带树脂膜的芯片的制造方法
KR20230139763A (ko) 수지막 형성용 복합 시트, 키트, 및 수지막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법
CN114628285A (zh) 带保护膜的工件的制造方法及带保护膜形成膜的工件的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination