TW202141538A - 片狀導電構件及片狀加熱器 - Google Patents

Abstract

一種片狀導電構件(100)，係具備由相距間隔排列的複數個導電性線狀體(21)所成的擬似片結構體(2)，該片狀導電構件(100)，其中，導電性線狀體(21)，於片狀導電構件(100)的俯視下為波形狀，此波形狀，為沿著假想的第一波，設置振幅及波長比此第一波還短的第二波而成之形狀。

Description

片狀導電構件及片狀加熱器

本發明有關片狀導電構件及片狀加熱器。

具有複數個導電性線狀體相距間隔排列而成的擬似片結構體之片狀導電構件(以下亦稱「導電性片」)，有著能夠利用於發熱裝置的發熱體、發熱的紡織品(textile)的材料、顯示器用保護膜(防碎裂膜)等種種物品的構件之潛力。 作為用於發熱體的用途之片(sheet)，例如文獻1(國際公開第2018／097323號)中記載一種具有朝一方向延伸的複數個導電性線狀體相距間隔排列而成的擬似片結構體之導電性片。又，此導電性線狀體，具有：波形狀的第一部位，具有波長λ1及振幅A1；及波形狀的第二部位，具有和該第一部位的波長λ1及振幅A1的至少一方相異之波長λ2及振幅A2。 按照文獻1記載之導電性片，導電性線狀體具有波形狀，藉此導電性片的伸展性會提升，亦即當導電性片伸展時能夠防止導電性線狀體的破損。然而，依導電性片的用途不同，會要求進一步的伸展性的提升。

本發明之目的，在於提供一種具有高伸展性的片狀導電構件及片狀加熱器。 本發明的一態樣之片狀導電構件，係具備由相距間隔排列的複數個導電性線狀體所成的擬似片結構體，該片狀導電構件，其特徵為，前述導電性線狀體，於前述片狀導電構件的俯視下為波形狀，前述波形狀，為沿著假想的第一波，設置振幅及波長比前述第一波還短的第二波而成之形狀。 本發明的一態樣之片狀導電構件中，較佳是，當將前述第一波的振幅訂為A₁ ，前述第一波的波長訂為λ₁ 的情形下，滿足下記數式(F1)。

本發明的一態樣之片狀導電構件中，較佳是，當將前述第一波的振幅訂為A₁ ，前述第二波的振幅訂為A₂ 的情形下，滿足下記數式(F2)。

本發明的一態樣之片狀導電構件中，較佳是，當將前述第一波的波長訂為λ₁ ，前述第二波的波長訂為λ₂ 的情形下，滿足下記數式(F3)。

本發明的一態樣之片狀導電構件中，較佳是，前述導電性線狀體，為從包含金屬絲的線狀體、包含奈米碳管的線狀體、及對紗線施以導電性被覆而成的線狀體所成之群中選擇的至少一種。 本發明的一態樣之片狀導電構件中，較佳是，更具備支撐前述擬似片結構體的伸縮性基材。 本發明的一態樣之片狀導電構件中，較佳是，用作為發熱體。 本發明的一態樣之片狀加熱器，其特徵為，具備前述本發明的ー態樣之片狀導電構件。 按照本發明，能夠提供一種具有高伸展性的片狀導電構件及片狀加熱器。

[第一實施形態] 以下針對本發明，舉出實施形態為例，基於圖面說明之。本發明不限定於實施形態的內容。另，圖面中為了容易說明而有放大或縮小圖示之部分。 (片狀導電構件) 本實施形態之片狀導電構件100，如圖1及圖2所示，具備基材1、擬似片結構體2、樹脂層3。具體而言，片狀導電構件100，是在基材1上層積著樹脂層3，在樹脂層3上層積著擬似片結構體2。又，本實施形態中，其特徵為，擬似片結構體2中的導電性線狀體21，於片狀導電構件100的俯視下為以下說明之波形狀。 (擬似片結構體) 擬似片結構體2，具有複數個導電性線狀體21相互相距間隔而排列的結構。亦即，擬似片結構體2，為複數個導電性線狀體21相互相距間隔而以構成平面或曲面之方式排列而成的結構體。導電性線狀體21，於片狀導電構件100的俯視下為波形狀。又，擬似片結構體2，係做成導電性線狀體21朝和導電性線狀體21的軸方向正交之方向排列複數個而成的結構。 導電性線狀體21的波形狀，例如如圖3所示，為沿著假想的第一波W1，設置振幅及波長比第一波W1還短的第二波W2而成之形狀。另，此波形狀的數式，當將第一波W1的數式訂為f(x)，第二波W2的數式訂為g(x)的情形下，以f(x)+g(x)表現。本說明書中，亦將以數式f(x)+g(x)表現的波形狀，視情況稱為「合成型的複合波形狀」。 導電性線狀體21的波形狀，例如如圖4所示，為沿著假想的第一波W1，朝第一波W1的垂線方向加總而設置振幅及波長比第一波W1還短的第二波W2而成之形狀。本說明書中，亦將呈此形狀的波形狀，視情況稱為「碎形(fractal)型的複合波形狀」。 作為第一波W1及第二波W2中的波形，例如可舉出正弦波、半圓形波、矩形波、三角波、及鋸齒波等。它們當中，由片狀導電構件100的伸展性的觀點看來，較佳為正弦波或半圓形波。又，由將導電性線狀體21加工成波形狀時抑制導電性線狀體21彼此的重疊或接觸的風險的觀點看來，更佳為半圓形波。此外，第一波W1中的波形，和第二波W2中的波形可為相同，亦可相異。另，所謂半圓形波，係朝波的峰方向(上)凸之半圓與朝波的谷方向(下)凸之半圓交互出現的波形。 若導電性線狀體21為上述這樣的波形狀，則將片狀導電構件100朝導電性線狀體21的軸方向(第一波W1的行進方向)伸展時，能夠抑制導電性線狀體21的切斷。亦即，導電性線狀體21為波形狀，和直線狀的情形比較，路徑長度相應地變長。又，上述這樣的波形狀，和波形狀為單一波的情形比較，路徑長度變長。因此，片狀導電構件100，當朝導電性線狀體21的軸方向(第一波W1的行進方向)伸展時，具有高伸展性。另，片狀導電構件100，即使朝和導電性線狀體21的軸方向正交之方向(以下亦稱「正交方向」)伸展，導電性線狀體21也不會被切斷。因此，片狀導電構件100具有充分的伸展性。 將片狀導電構件100朝導電性線狀體21的第一波W1的行進方向伸展時的伸展率，較佳為50%以上，更佳為70%以上，再佳為100%以上。若此伸展率為50%以上，則亦能順應貼附體的曲面等。 此外，片狀導電構件100在和導電性線狀體21的第一波W1的行進方向正交之方向的伸展率，較佳為50%以上，更佳為70%以上，再佳為100%以上。若此伸展率為50%以上，則亦能順應貼附體的曲面等。 這裡，本發明中的片狀導電構件100的伸展率，是將片狀導電構件100的長度訂為A，將片狀導電構件100朝規定的方向伸展而導電性線狀體21切斷時的片狀導電構件100的長度訂為B，而以下式表現。另，導電性線狀體21的有無切斷，能夠藉由將片狀導電構件100伸展時測定導電性線狀體21的電阻值來判斷。 伸展率(%)={(B-A)／A}×100 本實施形態中，較佳是，當將第一波W1的振幅訂為A₁ [mm]，第一波W1的波長訂為λ₁ [mm]的情形下，滿足下記數式(F1)。

若A₁ ／λ₁ 的值為上述的範圍內，則能進一步提升片狀導電構件100的伸展率，此外，能夠確保鄰接的導電性線狀體21彼此的間隔，而能夠防止鄰接的導電性線狀體21彼此的接觸。此外，由上述的觀點看來，更佳是，A₁ ／λ₁ 的值為7／20以上3／5以下。 第一波W1的振幅A₁ ，較佳為1mm以上200mm以下，更佳為2mm以上50mm以下。若第一波W1的振幅A₁ 為上述的範圍內，則能夠進一步提升片狀導電構件100的伸展率。 第一波W1的波長λ₁ ，較佳為1mm以上200mm以下，更佳為2mm以上100mm以下。若第一波W1的波長λ₁ 為上述的範圍內，則能夠進一步提升片狀導電構件100的伸展率。 本實施形態中，較佳是，當將第一波W1的振幅訂為A₁ [mm]，第二波W2的振幅訂為A₂ [mm]的情形下，滿足下記數式(F2)。

若A₂ ／A₁ 的值為上述的範圍內，則能進一步提升片狀導電構件100的伸展率，此外，能夠確保鄰接的導電性線狀體21彼此的間隔，而能夠防止鄰接的導電性線狀體21彼此的接觸。此外，由上述的觀點看來，更佳是，A₂ ／A₁ 的值為1／5以上2／5以下。 本實施形態中，較佳是，當將第一波W1的波長訂為λ₁ [mm]，第二波W2的波長訂為λ₂ [mm]的情形下，滿足下記數式(F3)。

若λ₂ ／λ₁ 的值為上述的範圍內，則能進一步提升片狀導電構件100的伸展率，此外，能夠確保鄰接的導電性線狀體21彼此的間隔，而能夠防止鄰接的導電性線狀體21彼此的接觸。此外，由上述的觀點看來，更佳是，λ₂ ／λ₁ 的值為1／15以上1／5以下。 導電性線狀體21的體積電阻率R，較佳為1.0×10^{- 9} Ω・m以上1.0×10^{- 3} Ω・m以下，更佳為1.0×10^{- 8} Ω・m以上1.0×10^{- 4} Ω・m以下。若將導電性線狀體21的體積電阻率R訂為上述範圍，則擬似片結構體2的面電阻容易降低。 導電性線狀體21的體積電阻率R的測定，依如下方式。在導電性線狀體21的一方的端部及距端部長度40mm的部分塗布銀膏，而測定端部及距端部長度40mm的部分的電阻，求出導電性線狀體21的電阻值。然後，將導電性線狀體21的截面積(單位：m² )乘以上述的電阻值，將得到的值除以上述的測定出的長度(0.04m)，算出導電性線狀體21的體積電阻率。 導電性線狀體21的截面的形狀並無特別限定，可取多角形、扁平形狀、橢圓形狀、或圓形狀等，但由與樹脂層3之附著度等的觀點看來，較佳為橢圓形狀、或圓形狀。 當導電性線狀體21的截面為圓形狀的情形下，導電性線狀體21的粗度(直徑)D(參照圖2)較佳為5μm以上3mm以下。由抑制片電阻的上昇、及將片狀導電構件100使用作為發熱體的情形下的發熱效率及耐絕緣破壞特性的提升之觀點看來，導電性線狀體21的直徑D更佳為8μm以上60μm以下，再佳為12μm以上40μm以下。 當導電性線狀體21的截面為橢圓形狀的情形下，較佳為長徑落在和上述的直徑D同樣的範圍。 導電性線狀體21的直徑D，是使用數位顯微鏡，觀察擬似片結構體2的導電性線狀體21，在隨機選擇的5處測定導電性線狀體21的直徑，取其平均值。 導電性線狀體21的間隔L(參照圖2)，較佳為1mm以上400mm以下，更佳為2mm以上200mm以下，再佳為3mm以上100mm以下。 若導電性線狀體21彼此的間隔為上述範圍，則導電性線狀體會一定程度地密集，因此當將片狀導電構件100使用作為發熱體的情形下能夠謀求片狀導電構件100的機能的提升，如使溫度上昇的分布均一等。 導電性線狀體21的間隔L，是使用目視或數位顯微鏡，觀察擬似片結構體2的導電性線狀體21，測定相鄰2個導電性線狀體21之間隔。 另，所謂相鄰2個導電性線狀體21之間隔， 為沿著使導電性線狀體21排列的方向之長度，且為2個導電性線狀體21的相向的部分間之長度(參照圖2)。間隔L，當導電性線狀體21的排列為不等間隔的情形下，為全部的相鄰導電性線狀體21彼此的間隔的平均值。 導電性線狀體21，雖無特別限制，但可為包含金屬絲之線狀體(以下亦稱「金屬絲線狀體」)。金屬絲具有高熱傳導性、高電傳導性、高運用性(handling)、汎用性，因此若適用金屬絲線狀體作為導電性線狀體21，則可減低擬似片結構體2的電阻值，同時光線透過性容易提升。此外，將片狀導電構件100(擬似片結構體2)適用作為發熱體時，容易實現迅速的發熱。又，如上述般容易獲得直徑細的線狀體。 另，作為導電性線狀體21，除金屬絲線狀體外，可舉出包含奈米碳管的線狀體、及對紗線施以導電性被覆而成的線狀體。 金屬絲線狀體，可為由1根金屬絲所成的線狀體，亦可為將複數根金屬絲撚成的線狀體。 作為金屬絲，可舉出包含銅、鋁、鎢、鐵、鉬、鎳、鈦、銀、金等的金屬，或含有2種以上金屬的合金(例如不鏽鋼、碳鋼等的鋼鐵、黃銅、磷青銅、鋯銅合金、鈹銅、鐵鎳、鎳鉻、鎳鈦、堪塔爾(Kanthal)合金、赫史特(hastelloy)合金、及錸鎢等)之絲。此外，金屬絲亦可為藉由錫、鋅、銀、鎳、鉻、鎳鉻合金、或銲料等而被鍍覆而成者，亦可為表面藉由後述的碳材料或聚合物被覆而成者。特別是，由做成低體積電阻率的導電性線狀體21的觀點看來，較佳為包含從鎢及鉬以及含有它們的合金中選擇的一種以上的金屬之絲。 作為金屬絲，亦可舉出藉由碳材料被覆而成的金屬絲。金屬絲若藉由碳材料被覆，則金屬光澤會減低，容易讓金屬絲的存在變得不顯眼。此外，金屬絲若藉由碳材料被覆則亦會抑制金屬腐蝕。 作為被覆金屬絲的碳材料，可舉出非晶碳(例如碳黑、活性碳、硬碳、軟碳、中孔碳(mesoporous carbon)、及碳纖維等)、石墨、富勒烯、石墨烯及奈米碳管等。 含有奈米碳管的線狀體，例如是藉由從奈米碳管叢(使奈米碳管以相對於基板朝垂直方向配向之方式在基板上成長複數個而成的成長體，有時亦稱為「陣列」)的端部將奈米碳管拉出成片狀，將拉出的奈米碳管片捆束後，再將奈米碳管的束撚製而得。這樣的製造方法中，撚製時當不加捻轉的情形下會得到帶狀的奈米碳管線狀體，當加捻轉的情形下會得到紗線狀的線狀體。帶狀的奈米碳管線狀體，為奈米碳管不具有被捻轉的結構的線狀體。除此之外，從奈米碳管的分散液做紡紗等，藉此亦能得到奈米碳管線狀體。按照紡紗來製造奈米碳管線狀體，例如能夠藉由美國專利申請案公開第2013／0251619號說明書(日本國特開2012‐126635號公報)揭示之方法而進行。由得到奈米碳管線狀體的直徑的均一度的觀點看來，理想是使用紗線狀的奈米碳管線狀體，由得到純度高的奈米碳管線狀體的觀點看來，較佳是藉由撚製奈米碳管片來得到紗線狀的奈米碳管線狀體。奈米碳管線狀體，亦可為2根以上的奈米碳管線狀體彼此被編織而成的線狀體。此外，奈米碳管線狀體，亦可為奈米碳管與他導電性材料複合而成的線狀體(以下亦稱「複合線狀體」)。 作為複合線狀體，例如可舉出(1)從奈米碳管叢的端部將奈米碳管拉出成片狀，將拉出的奈米碳管片綑束後，於撚製奈米碳管的束而得到奈米碳管線狀體的過程中，在奈米碳管的叢、片或是束，或撚成的線狀體的表面將金屬單體或金屬合金藉由蒸鍍、離子鍍、濺鍍、濕式鍍覆等令其擔持而成的複合線狀體；(2)將奈米碳管的束和金屬單體的線狀體或是金屬合金的線狀體或複合線狀體一起撚成的複合線狀體；(3)將金屬單體的線狀體或是金屬合金的線狀體或複合線狀體與奈米碳管線狀體或複合線狀體編織而成的複合線狀體等。另，(2)的複合線狀體中，撚製奈米碳管的束時，亦可如同(1)的複合線狀體般對奈米碳管令金屬擔持。此外，(3)的複合線狀體為將2根線狀體編織的情形下的複合線狀體，惟只要包含至少1根金屬單體的線狀體或是金屬合金的線狀體或複合線狀體，則亦可將奈米碳管線狀體或金屬單體的線狀體或是金屬合金的線狀體或是複合線狀體的3根以上結合編織。 作為複合線狀體的金屬，例如可舉出金、銀、銅、鐵、鋁、鎳、鉻、錫、及鋅等的金屬單體，及含有該些金屬單體的至少一種的合金(銅-鎳-磷合金、及銅-鐵-磷-鋅合金等)。 導電性線狀體21，亦可為紗線被施以導電性被覆而成的線狀體。作為紗線，可舉出將尼龍、聚酯等的樹脂紡紗而成的紗線等。作為導電性被覆，可舉出金屬、導電性高分子、及碳材料等的被膜等。導電性被覆，能夠藉由鍍覆或蒸鍍法等而形成。紗線被施以導電性被覆而成的線狀體，能夠維持紗線的柔軟性，同時使線狀體的導電性提升。也就是說，容易使擬似片結構體2的電阻降低。 (基材) 作為基材1，例如可舉出合成樹脂膜、紙、金屬箔、不織布、布及玻璃膜等。藉由此基材1，能夠直接地或間接地支撐擬似片結構體2。此外，基材1較佳為伸縮性基材。 作為伸縮性基材，能夠使用合成樹脂膜、不織布、及布等。此外，該些伸縮性基材當中，又以合成樹脂膜或布較佳，合成樹脂膜更佳。 作為合成樹脂膜，例如可舉出聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚胺甲酸酯膜、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物膜、離子聚合物樹脂膜、乙烯・(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯・(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、及聚醯亞胺膜等。其他作為伸縮性基材，可舉出該些的交聯膜及層積膜等。 此外，作為紙，例如可舉出上等紙(純化學紙漿紙)、再生紙、及牛皮紙等。作為不織布，例如可舉出紡黏(spunbonded)不織布、針軋(needle-punched)不織布、熔噴(meltblown)不織布、及水針(spunlace)不織布等。作為布，例如可舉出梭織物及針織物等。作為伸縮性基材的不織布、及布不限定於此。 (樹脂層) 樹脂層3，為含有樹脂的層。藉由此樹脂層3，能夠直接地或間接地支撐擬似片結構體2。此外，樹脂層3較佳為含有接著劑的層。當在樹脂層3形成擬似片結構體2時，藉由接著劑，導電性線狀體21對樹脂層3的貼附會變得容易。此外，若樹脂層3為含有接著劑的層，則能夠透過樹脂層3容易地將基材1與導電性線狀體21貼附。 樹脂層3，亦可為由可乾燥或硬化的樹脂所成的層。藉此，會對樹脂層3賦予足以保護擬似片結構體2的硬度，樹脂層3會作用成為保護膜。此外，硬化或乾燥後的樹脂層3具有耐衝擊性，亦能抑制衝擊所造成的擬似片結構體2的變形。 樹脂層3，由能夠短時間內簡便地硬化的觀點看來，較佳為紫外線、可見光能量線、紅外線、電子線等的能量線硬化性。另，「能量線硬化」中，還包含運用了能量線之加熱所造成的熱硬化。 樹脂層3的接著劑，還可舉出藉由熱而硬化之熱硬化性者、藉由熱而接著之所謂熱封型者、被潤濕而展現貼附性之接著劑等。惟，由適用的簡便性看來，樹脂層3較佳為能量線硬化性。作為能量線硬化性樹脂，例如可舉出在分子內至少具有1個聚合性雙鍵的化合物，較佳為具有(甲基)丙烯醯基之丙烯酸酯系化合物。 作為前述丙烯酸酯系化合物，例如可舉出含鏈狀脂肪族骨架(甲基)丙烯酸酯(三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、及1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯等)、環狀脂肪族骨架(甲基)丙烯酸酯(二環戊二烯二(甲基)丙烯酸酯、及二環戊二烯二(甲基)丙烯酸酯等)、聚烷二醇(甲基)丙烯酸酯(聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯等)、寡酯(甲基)丙烯酸酯、胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物、環氧變性(甲基)丙烯酸酯、前述聚烷二醇(甲基)丙烯酸酯以外的聚醚(甲基)丙烯酸酯、及伊康酸寡聚物等。 能量線硬化性樹脂的重量平均分子量(Mw)，較佳為100～30000，更佳為300～10000。 含有接著劑組成物的能量線硬化性樹脂可僅1種，亦可2種以上，當2種以上的情形下，它們的組合及比率能夠任意選擇。又，亦可與後述的熱可塑性樹脂組合，組合及比率能夠任意選擇。 樹脂層3，亦可為由接著劑(感壓性接著劑)形成的接著劑層。接著劑層的接著劑並無特別限定。例如作為接著劑，可舉出丙烯酸系接著劑、胺甲酸乙酯系接著劑、橡膠系接著劑、聚酯系接著劑、矽氧系接著劑、及聚乙烯醚系接著劑等。它們當中，接著劑又以由丙烯酸系接著劑、胺甲酸乙酯系接著劑、及橡膠系接著劑所成之群中選擇的至少其中一者為佳，丙烯酸系接著劑更佳。 作為丙烯酸系接著劑，例如可舉出含有來自具有直鏈的烷基或支鏈的烷基之烷基(甲基)丙烯酸酯的構成單位的聚合體(也就是說至少將烷基(甲基)丙烯酸酯聚合而成的聚合體)、含有來自具有環狀結構之(甲基)丙烯酸酯的構成單位的丙烯酸系聚合體(也就是說至少將具有環狀結構之(甲基)丙烯酸酯聚合而成的聚合體)等。這裡所謂「(甲基)丙烯酸酯」，用來作為示意「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」雙方之詞語，針對其他的類似用語亦同。 當丙烯酸系聚合體為共聚物的情形下，作為共聚合的形態並無特別限定。作為丙烯酸系共聚物，亦可為嵌段(block)共聚物、無規(random)共聚物、或接枝(graft)共聚物的任一者。 丙烯酸系共聚物亦可藉由交聯劑而被交聯。作為交聯劑，例如可舉出周知的環氧系交聯劑、異氰酸鹽系交聯劑、氮環丙烷系交聯劑、金屬螫合物系交聯劑等。當將丙烯酸系共聚物交聯的情形下，作為來自丙烯酸系聚合體的單體成分之官能基，能夠將和該些交聯劑反應之羥基或羧基等導入至丙烯酸系共聚物。 當樹脂層3由接著劑形成的情形下，樹脂層3除了接著劑外，亦可更含有上述的能量線硬化性樹脂。此外，當作為接著劑適用丙烯酸系接著劑的情形下，作為能量線硬化性的成分，亦可使用在一分子中具有和來自丙烯酸系共聚物中的單體成分的官能基反應之官能基與能量線聚合性之官能基這雙方的化合物。藉由該化合物的官能基和來自丙烯酸系共聚物中的單體成分的官能基之反應，丙烯酸系共聚物的側鏈可藉由能量線照射而聚合。即使接著劑為丙烯酸系接著劑以外的情形下，作為丙烯酸系聚合體以外的聚合體成分，同樣亦可使用側鏈為能量線聚合性的成分。 作為樹脂層3中使用的熱硬化性樹脂並無特別限定，具體而言可舉出環氧樹脂、酚樹脂、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、聚酯樹脂、胺甲酸乙酯樹脂、丙烯酸樹脂、苯並

樹脂、苯氧樹脂、胺系化合物、及酸酐系化合物等。它們能夠1種單獨，或是組合2種以上使用。它們當中，由適於使用咪唑系硬化觸媒之硬化的觀點看來，又以使用環氧樹脂、酚樹脂、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、胺系化合物及酸酐系化合物為佳，特別是由展現優良的硬化性這一觀點看來，較佳為使用環氧樹脂、酚樹脂、它們的混合物、或環氧樹脂，與由酚樹脂、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、胺系化合物及酸酐系化合物所成之群選擇的至少1種之混合物。 作為樹脂層3中使用的濕氣硬化性樹脂並無特別限定，可舉出因濕氣而逐漸生成異氰酸鹽基的樹脂亦即胺甲酸乙酯樹脂、及變性矽氧樹脂等。 當使用能量線硬化性樹脂或熱硬化性樹脂的情形下，較佳是使用光聚合起始劑或熱聚合起始劑等。藉由使用光聚合起始劑或熱聚合起始劑等，會形成交聯結構，可更強固地保護擬似片結構體2。 作為光聚合起始劑，可舉出二苯甲酮、苯乙酮、安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香異丙基醚、安息香異丁基醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮、2,4-二乙基塞吨酮、1-羥基環己基苯酮、苄基二苯基硫化物、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮雙異丁腈、2-氯蒽醌、二苯基(2,4,6-三甲基苯甲醯)膦氧化物、及雙(2,4,6-三甲基苯甲醯)-苯基-膦氧化物等。 作為熱聚合起始劑，可舉出過氧化氫、過氧二硫酸鹽(過氧二硫酸銨、過氧二硫酸鈉、及過氧二硫酸鉀等)、偶氮系化合物(2,2'-偶氮雙(2-脒基丙烷)二鹽酸鹽、4，4'-偶氮雙(4-氰戊酸)、2,2'-偶氮雙異丁腈、及2,2'-偶氮雙(4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈)等)、及有機過氧化物(過氧化苯甲醯、過氧化月桂醯、過醋酸、過琥珀酸、二-t-丁基過氧化物、t-丁基氫過氧化物、及異丙苯氫過氧化物等)等。 該些聚合起始劑能夠1種單獨，或是組合2種以上使用。 當使用該些聚合起始劑來形成交聯結構的情形下，其使用量，相對於能量線硬化性樹脂或熱硬化性樹脂100質量份而言較佳為0.1質量份以上100質量份以下，更佳為1質量份以上100質量份以下，特佳為1質量份以上10質量份以下。 樹脂層3亦可沒有硬化性，例如為由熱可塑性樹脂組成物所成之層。又，令熱可塑性樹脂組成物中含有溶劑，藉此便能使熱可塑性樹脂層軟化。藉此，當在樹脂層3形成擬似片結構體2時，導電性線狀體21對樹脂層3的貼附會變得容易。另一方面，令熱可塑性樹脂組成物中的溶劑揮發，藉此便能使熱可塑性樹脂層乾燥而固化。 作為熱可塑性樹脂，可舉出聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚醋酸乙烯酯、聚胺甲酸酯、聚醚、聚醚碸、聚醯亞胺及丙烯酸樹脂等。 作為溶劑，可舉出醇系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醚系溶劑、碳氫化合物系溶劑、鹵素化烷基系溶媒及水等。 樹脂層3，亦可含有無機填充材。藉由含有無機填充材，能夠使硬化後的樹脂層3的硬度更加提升。此外，樹脂層3的熱傳導性會提升。 作為無機填充材，例如可舉出無機粉末(例如矽石、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、鈦白、鐵紅、碳化矽、及氮化硼等的粉末)、將無機粉末球形化而成的珠、單晶纖維、及玻璃纖維等。它們當中，作為無機填充材以矽石填料及氧化鋁填料為佳。無機充填材，可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 樹脂層3中亦可含有其他成分。作為其他成分，例如可舉出有機溶媒、阻燃劑、賦黏劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、防腐劑、防黴劑、塑化劑、消泡劑、及潤濕性調整劑等周知的添加劑。 樹脂層3的厚度，根據片狀導電構件100的用途而被適宜決定。例如，由黏著性的觀點看來，樹脂層3的厚度較佳為3μm以上150μm以下，更佳為5μm以上100μm以下。 (片狀導電構件的製造方法) 本實施形態之片狀導電構件100的製造方法並無特別限定，例如可藉由以下工程而製造。 首先，在基材1上塗布樹脂層3的形成用組成物，形成塗膜。接著，使塗膜乾燥，製作樹脂層3。接著，在樹脂層3上一面排列一面配置導電性線狀體21，形成擬似片結構體2。例如，在鼓形構件的外周面配置附基材1之樹脂層3，在此狀態下一面令鼓形構件旋轉，一面將導電性線狀體21退繞(unwinding)至樹脂層3上而捲繞成螺旋狀。此時，一面令導電性線狀體21的退繞部朝相對於導電性線狀體21的軸方向(波的行進方向)而言交叉之方向反覆做小幅往復運動，一面使其全體而言呈大幅往復運動之方式移動，藉此便能形成具有沿著假想的第一波W1設置假想的第二波W2而成的合成型的複合波形狀之導電性線狀體21。此外，藉由適宜選擇鼓形構件的旋轉速度、導電性線狀體的退繞速度以及退繞部的移動速度及移動距離，便能針對導電性線狀體的第一波W1及第二波W2的各者得到期望的波形、振幅及波長。其後，將捲繞成螺旋狀的導電性線狀體21的束沿著鼓形構件的軸方向切斷。藉此，便形成擬似片結構體2，並且配置樹脂層3。然後，將形成有擬似片結構體2的附基材1之樹脂層3從鼓形構件取出，得到片狀導電構件100。 作為片狀導電構件100的其他製造方法，亦可預先準備具有第二波W2的波形狀之導電性線狀體21，而在形成於基材1上的樹脂層3上一面排列一面配置該導電性線狀體21，來形成擬似片結構體2。在此情形下，例如在鼓形構件的外周面配置附基材1之樹脂層3，在此狀態下一面令鼓形構件旋轉，一面將具有第二波W2的波形狀之導電性線狀體21在樹脂層3上捲繞成螺旋狀。此時，令導電性線狀體21的退繞部沿著和鼓形構件的軸平行之方向做往復移動，藉此便可得到具有沿著假想的第一波W1設置假想的第二波W2而成的波形狀之導電性線狀體21。其後，將捲繞成螺旋狀的導電性線狀體21的束沿著鼓形構件的軸方向切斷，藉此便得到片狀導電構件100。 (第一實施形態的作用效果) 按照本實施形態，能夠發揮下述般的作用效果。 (1)本實施形態中，導電性線狀體21的波形狀，為沿著假想的第一波W1，設置振幅及波長比第一波W1還短的第二波W2而成之形狀。因此，可得到具有比習知者更高伸展性之片狀導電構件100。 (2)本實施形態之片狀導電構件100具有高伸展性，故能夠優選使用作為發熱體。 [第二實施形態] 接著，基於圖面說明本發明之第二實施形態。 另，本實施形態中，說明將圖5所示片狀導電構件100A使用作為片狀加熱器的一態樣。 本實施形態之片狀導電構件100A，具有面電阻低的擬似片結構體2，因此優選適用作為片狀加熱器。 另，本實施形態中，除了在擬似片結構體2上裝配電極4以外和第一實施形態為同樣的構成，故針對電極4說明之，其以外的和先前說明共通之處則省略。 電極4是為了對導電性線狀體21供給電流而被使用。電極4，能夠使用周知的電極材料而形成。作為電極材料，可舉出導電性膏(銀膏等)、金屬箔(銅箔等)、及金屬絲等。電極4，電性連接至導電性線狀體21的兩端部而配置。 作為金屬箔或金屬絲的金屬，可舉出銅、鋁、鎢、鐵、鉬、鎳、鈦、銀、金等的金屬，或含有2種以上金屬的合金(例如不鏽鋼、碳鋼等的鋼鐵、黃銅、磷青銅、鋯銅合金、鈹銅、鐵鎳、鎳鉻、鎳鈦、堪塔爾(Kanthal)合金、赫史特(hastelloy)合金、及錸鎢等)。此外，金屬箔或金屬絲亦可為藉由錫、鋅、銀、鎳、鉻、鎳鉻合金、或銲料等而被鍍覆而成者。 電極4與擬似片結構體2的電阻值之比(電極4的電阻值／擬似片結構體2的電阻值)，較佳為0.0001以上0.3以下，更佳為0.0005以上0.1以下。電極與擬似片結構體2的電阻值之比，能夠藉由「電極4的電阻值／擬似片結構體2的電阻值」而求出。藉由落在此範圍內，當將片狀導電構件100A使用作為發熱體的情形下，會抑制在電極部分的異常發熱。當將擬似片結構體2使用作為片狀加熱器的情形下，僅擬似片結構體2會發熱，能夠得到發熱效率良好的片狀加熱器。 電極4與擬似片結構體2的電阻值，能夠使用測試機來測定。先測定電極4的電阻值，再測定貼附了電極4的擬似片結構體2的電阻值。其後，從貼附了電極的擬似片結構體2的電阻值減去電極4的測定值，藉此算出電極4及擬似片結構體2各自的電阻值。 電極4的厚度較佳為2μm以上200μm以下，更佳為2μm以上120μm以下，特佳為10μm以上100μm以下。若電極的厚度為上述範圍內，則電導率高而低電阻，可將與擬似片結構體之電阻值抑制得較低。此外，作為電極可得到足夠的強度。 (第二實施形態的作用效果) 按照本實施形態，可發揮和前述第一實施形態中的作用效果(1)及(2)同樣的作用效果。 [實施形態的變形] 本發明不限定於前述的實施形態，還包含能夠達成本發明的目的之範圍內的變形、改良等。 例如，前述實施形態中，片狀導電構件100雖具備基材1，但不限定於此。例如，片狀導電構件100亦可不具備基材1。在這樣的情形下，能夠藉由樹脂層3將片狀導電構件100貼附於貼附體而使用。 前述實施形態中，片狀導電構件100雖具備樹脂層3，但不限定於此。例如，片狀導電構件100亦可不具備樹脂層3。在這樣的情形下，亦可使用針織物作為基材1，而將導電性線狀體21編織入基材1中，藉此形成擬似片結構體2。 實施例 以下舉出實施例進一步詳細說明本發明。本發明悉未受該些實施例限定。 [實施例1～19] 在作為基材的厚度100μm的聚胺甲酸酯膜上，將丙烯酸系接著劑(琳得科公司製，商品名「PK」)塗布厚度20μm而形成樹脂層，製作出黏著片。 使用絲射出裝置(琳得科公司製)，對此黏著片上一面使噴嘴移動一面射出金屬絲(材質：鎢)，將金屬絲排列30根，得到片狀導電構件。金屬絲截面為圓形，其直徑為80μm。此外，金屬絲使用預先成形為第二波的波形之物。 得到的片狀導電構件中的金屬絲(導電性線狀體)的波形狀的種類、第一波的波形、第二波的波形、A₁ ／λ₁ 的值、A₂ ／A₁ 的值、及λ₂ ／λ₁ 的值示於表1。另，第一波的波長λ₁ 為4mm，第一波的振幅A₁ 為2mm。此外，金屬絲彼此的間隔為1mm。 [比較例1] 將金屬絲排列成使得波形狀的種類、第一波的波形、第二波的波形、A₁ ／λ₁ 的值、A₂ ／A₁ 的值、及λ₂ ／λ₁ 的值如下記表1所示，除此以外如同實施例1，而得到片狀導電構件。 [比較例2] 將波形狀訂為單一的波形狀(正弦波)，而將金屬絲排列成使得正弦波中的A₁ ／λ₁ 的值如下記表1所示，除此以外如同實施例1，而得到片狀導電構件。 [伸展性的評估] 以得到的片狀導電構件作為樣本。準備半徑5mm的SUS製半球上的貼附體，在其表面貼附樣本，靜置1小時，確認發生的金屬絲破斷、貼附容易性、及有無浮凸剝離。然後，循以下基準評估片狀導電構件的伸展性。 A：均未發現絲的破斷、及浮凸剝離，貼附適性(貼附容易性)良好。 B：雖未發現絲的破斷及浮凸剝離，但因振幅方向與波長方向之追隨性的差距，而貼附時的作業性降低。 C：絲的一部分有從樹脂層浮凸剝離，惟未發現絲破斷。 D：絲有大幅從樹脂層浮凸剝離，且有絲破斷。 [絲接觸的可能性的評估] 循以下基準評估得到的片狀導電構件中的絲接觸的可能性。得到的結果示於表1。 A：絲彼此的最接近處的間隔為0.3mm以上。 B：絲彼此的最接近處的間隔為未滿0.3mm。

由表1所示結果，確認了按照實施例1~19中得到的片狀導電構件，和比較例1及2中得到的片狀導電構件比較，伸展性優良。 由實施例1～6的結果可知，將A₁ ／λ₁ 的值訂為1／2時，A₂ ／A₁ 的值在1／10以上5／10以下的範圍內伸展性良好，λ₂ ／λ₁ 的值在1／3以上1／11以下的範圍內伸展性良好。 由實施例14～16的結果可知，碎形型的複合波形狀，和合成型的複合波形狀比較，伸展性提升。 由實施例17～19的結果可知，將第一波的波形從正弦波變更成半圓形波，藉此伸展性會提升，且能夠減低絲接觸的可能性。

1:基材 2:擬似片結構體 3:樹脂層 4:電極 21:導電性線狀體 100,100A:片狀導電構件 A₁ :第一波W1的振幅 A₂ :第二波W2的振幅 λ₁ :第一波W1的波長 λ₂ :第二波W2的波長 W1:第一波 W2:第二波

[圖1]為本發明的第一實施形態之片狀導電構件示意概略圖。 [圖2]為圖1的II-II截面示意截面圖。 [圖3]為本發明的第一實施形態之導電性線狀體的一態樣示意模型圖。 [圖4]為本發明的第一實施形態之導電性線狀體的另一態樣示意模型圖。 [圖5]為本發明的第二實施形態之片狀導電構件示意概略圖。

1:基材

2:擬似片結構體

3:樹脂層

21:導體性線狀體

100:片狀導電構件

Claims (8)

1. 一種片狀導電構件，係具備由相距間隔排列的複數個導電性線狀體所成的擬似片結構體，該片狀導電構件，其中， 前述導電性線狀體，於前述片狀導電構件的俯視下為波形狀， 前述波形狀，為沿著假想的第一波，設置振幅及波長比前述第一波還短的第二波而成之形狀。
2. 如請求項1記載之片狀導電構件，其中， 當將前述第一波的振幅訂為A₁ ，前述第一波的波長訂為λ₁ 的情形下，滿足下記數式(F1)，

   

   。
3. 如請求項1記載之片狀導電構件，其中， 當將前述第一波的振幅訂為A₁ ，前述第二波的振幅訂為A₂ 的情形下，滿足下記數式(F2)，

   

   。
4. 如請求項1記載之片狀導電構件，其中， 當將前述第一波的波長訂為λ₁ ，前述第二波的波長訂為λ₂ 的情形下，滿足下記數式(F3)，

   

   。
5. 如請求項1記載之片狀導電構件，其中， 前述導電性線狀體，為從由包含金屬絲的線狀體、包含奈米碳管的線狀體、及對紗線施以導電性被覆而成的線狀體所成之群中選擇的至少一種。
6. 如請求項1記載之片狀導電構件，其中， 更具備支撐前述擬似片結構體的伸縮性基材。
7. 如請求項1至請求項6中任一項記載之片狀導電構件，其中， 用作為發熱體。
8. 一種片狀加熱器，具備如請求項1至請求項7中任一項記載之片狀導電構件。

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