TW202140436A - 用於製備3-溴-1-(3-氯吡啶-2-基)-1h-吡唑-5-羧酸乙酯的方法 - Google Patents

用於製備3-溴-1-(3-氯吡啶-2-基)-1h-吡唑-5-羧酸乙酯的方法 Download PDF

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馬景毅
王碩恩
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    • C07ORGANIC CHEMISTRY
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    • C07D401/00Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom
    • C07D401/02Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing two hetero rings
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Abstract

本文係描述合成3-溴-1-(3-氯吡啶-2-基)-1H-吡唑-5-羧酸乙酯的新穎方法。

Description

用於製備3-溴-1-(3-氯吡啶-2-基)-1H-吡唑-5-羧酸乙酯的方法
本發明係有關合成3-溴-1-(3-氯吡啶-2-基)-1H-吡唑-5-羧酸乙酯的新穎方法。由本文所揭示方法製備之化合物適用於製備特定的磷胺基苯甲醯胺(anthranilamide)化合物,以作為令人感興趣的殺蟲劑,如殺蟲劑剋安勃(chlorantraniliprole)與賽安勃(cyantraniliprole)。
本發明提供用於製備3-溴-1-(3-氯吡啶-2-基)-1H-吡唑-5-羧酸乙酯及其衍生物的新穎方法。相較於以過硫酸鉀作為氧化劑之常規方法,以溴作為氧化劑可適度改進產率(93-95%對比80-88%)。此外,相較於常規溴加熱法之困難處理條件及可能的設備腐蝕,本文所述之光催化法使用明顯更溫和的反應條件(25-65°C/常壓對比125-130°C/真空)及反應時間(30-45分鐘對比約8小時)。總體而言,相較於先前之方法,本發明方法之益處更多,包括提高總產率、降低成本、較溫和的反應條件、及較短的反應時間。
本申請案係主張於2020年1月8日提申之美國臨時專利申請號62/958,404的權益。
在一態樣中,本文提供一製備式(II)化合物之方法
Figure 02_image001
(II) 其中R5 為鹵素; 每一R6 係獨立地為C1 -C4 烷基、C2 -C4 烯基、C2 -C4 炔基、C3 -C6 環烷基、C1 -C4 鹵烷基、C2 -C4 鹵烯基、C2 -C4 鹵炔基、C3 -C6 鹵環烷基、鹵素、CN、NO2 、C1 -C4 烷氧基、C1 -C4 鹵烷氧基、C1 -C4 烷基硫基、C1 -C4 烷基亞磺醯基、C1 -C4 烷基磺醯基、C1 -C4 烷基胺基、C2 -C8 二烷基胺基、C3 -C6 環烷基胺基、C3 -C6 (烷基)環烷基胺基、C2 -C4 烷基羰基、C2 -C6 烷氧基羰基、C2 -C6 烷基胺基羰基、C3 -C8 二烷基胺基羰基、或C3 -C6 三烷基矽基; R7 為H或C1 -C4 烷基; Y為N或CR8 ; R8 為H或R9 ,其中R9 係獨立地為C1 -C4 烷基、C2 -C4 烯基、C2 -C4 炔基、C3 -C6 環烷基、C1 -C4 鹵烷基、C2 -C4 鹵烯基、C2 -C4 鹵炔基、C3 -C6 鹵環烷基、鹵素、CN、NO2 、C1 -C4 烷氧基、C1 -C4 鹵烷氧基、C1 -C4 烷基硫基、C1 -C4 烷基亞磺醯基、C1 -C4 烷基磺醯基、C1 -C4 烷基胺基、C2 -C8 二烷基胺基、C3 -C6 環烷基胺基、C3 -C6 (烷基)環烷基胺基、C2 -C4 烷基羰基、C2 -C6 烷氧基羰基、C2 -C6 烷基胺基羰基、C3 -C8 二烷基胺基羰基、或C3 -C6 三烷基矽基;及 m為0、1、2、或3,前提是當Y為CH時,則m至少為1,本方法包含: I) 形成一混合物,其包含: A) 一式(I)化合物
Figure 02_image003
(I) 其中R1 為鹵素; 每一R2 係獨立地為C1 -C4 烷基、C2 -C4 烯基、C2 -C4 炔基、C3 -C6 環烷基、C1 -C4 鹵烷基、C2 -C4 鹵烯基、C2 -C4 鹵炔基、C3 -C6 鹵環烷基、鹵素、CN、NO2 , C1 -C4 烷氧基、C1 -C4 鹵烷氧基、C1 -C4 烷基硫基、C1 -C4 烷基亞磺醯基、C1 -C4 烷基磺醯基、C1 -C4 烷基胺基、C2 -C8 二烷基胺基、C3 -C6 環烷基胺基、C3 -C6 (烷基)環烷基胺基、C2 -C4 烷基羰基、C2 -C6 烷氧基羰基、C2 -C6 烷基胺基羰基、C3 -C8 二烷基胺基羰基、或C3 -C6 三烷基矽基; R3 為H或C1 -C4 烷基; X為N或CR4 ; R4 為H或R2 ;及 n為0、1、2、或3,前提是當X為CH時,則n至少為1; B) 一有機溶劑;以及 C) 一無機鹼; II) 任意地將混合物加熱; III) 照射混合物;以及 IV)  將一氧化劑添加至混合物中。
本文中使用的「包含(comprises)」、「包含(comprising)」、「包括(includes)」、「包括(including)」、「具有(has)」、「具備(having)」、「含有(contains)」、「含有(containing)」、「特徵在於」等詞或其任何其他變體係旨在涵蓋非排他性之囊括,並取決於任何明確指出之侷限。舉例而言,包含一列元件之組合物、混合物、過程、或方法不一定僅侷限於彼等元件,而是可包括此類組合物、混合物、過程、或方法之其他未明確列出或固有之元件。
過渡語「由~組成」排除任何未經指定之元件、步驟、或成分。在申請專利範圍中,這將使申請專利範圍不涵蓋彼等列舉之外的材料,且通常與之相關的雜質除外。當在申請專利範圍正文中出現短語「由~組成」,而非緊接在前文之後時,其僅侷限在該子句中所示之元件;整體上申請專利範圍中不排除其他元件。
過渡語「基本上由~組成」用於定義一組合物或方法,該組合物或方法包括從字面上公開的內容,包括材料、步驟、特徵、組分、或元件,前提是彼等額外之材料、步驟、特徵、組分、或元件實質上不影響所主張之本發明的基礎與新穎特徵。「基本上由~組成」乙詞佔據「包含」與「由~組成」之間的中間位置。
當一發明或其一部分由諸如「包含」之類的開放詞定義時,應易於理解的是(除非另有說明),該描述應解釋為亦使用「基本上由~組成」或「由~組成」等詞說明此一發明。
此外,除非另有相反之明確指明,否則「或」意指包含性之「或」而非排他性之「或」。舉例而言,條件A或B由以下任一條件滿足:A為真(或存在)且B為假(或不存在),A為假(或不存在)且B為真(或存在),且A與B兩者為真(或存在)。
同時,在本發明之元件或組分之前的不定冠詞「一(a)」與「一(an)」係旨在不侷限該元件或組分之實例(即事件)的數量。因此,「一(a)」或「一(an)」應理解為包括一者或至少一者,且該元件或組分之單數形式亦包括複數,除非數字明顯意指單數。
本文中使用的「約」乙詞意指一值之正負10%。
「烷基」乙詞可單獨使用或以複合詞諸如「烷基硫基」或「鹵烷基」使用,包括直鏈或支鏈烷基,如甲基、乙基、正丙基、異丙基,或不同的丁基、戊基、或己基異構物。
「烯基」乙詞可包括直鏈或支鏈烯基,如1-丙烯基、2-丙烯基,以及不同的丁烯基、戊烯基、及己烯基異構物。「烯基」亦包括多烯,如1,2-丙二烯基與2,4-己二烯基。
「炔基」乙詞包括直鏈或支鏈炔基,如1-丙炔基、2-丙炔基,以及不同的丁炔基、戊炔基、及己炔基異構物。「炔基」亦可包括由多個三鍵組成的部分,如2,5-己二炔基。
「烷氧基」乙詞包括諸如甲氧基、乙氧基、正-丙氧基、異-丙氧基,以及不同的丁氧基、戊氧基、及己氧基異構物。「烷氧基烷基」代表烷基上的烷氧基取代。「烷氧基烷基」之實例包括CH3 OCH2 、CH3 OCH2 CH2 、CH3 CH2 OCH2 、CH3 CH2 CH2 CH2 OCH2 、及CH3 CH2 OCH2 CH2
「烷基硫基」乙詞包括支鏈或直鏈烷基硫基部分,如甲基硫基、乙基硫基,以及不同的丙基硫基、丁基硫基、戊硫基、及己基硫基異構物。
「環烷基」乙詞包括諸如環丙基、環丁基、環戊基、及環己基。「環烷基烷基」表示以環烷基取代之烷基,包括諸如環丙基甲基、環丁基乙基、環戊基丙基、及環己基甲基。
「環烷基胺基」乙詞意指胺基氮原子連接至環烷基與氫原子,包括環丙基胺基、環丁基胺基、環戊基胺基、及環己基胺基等基團。「(烷基)環烷基胺基」意指環烷基胺基之氫原子由烷基替代;其實例包括諸如(烷基)環丙基胺基、(烷基)環丁基胺基、(烷基)環戊基胺基、及(烷基)環己基胺基等基團。
「芳基」乙詞意指芳族環或環系統,或雜芳族環或環系統,每一環或環系統可任意地經取代。「芳族環系統」乙詞表示完全不飽和碳環與雜環,其中多環系統之至少一環為芳族。芳香族表示每一環原子基本上在同一平面上,且具有垂直於環平面的p 軌域,其中(4n + 2) 電子,當n為0或正整數時,皆與環相關聯,以遵守休克耳定則(Hückel’s rule)。「芳族碳環系統」乙詞包括完全芳族碳環以及多環系統之至少一環為芳族(如,苯基與萘基)的碳環。「雜芳族環或環系統」乙詞包括完全芳族雜環以及多環系統之至少一環為芳族的雜環,其中至少一環原子不為碳,且可含有1至4個獨立地選自於由氮、氧、及硫所組成群組之雜原子,條件為每一雜芳族環含有不超過4個氮,不超過2個氧,及不超過2個硫(其中芳香族表示滿足休克耳定則)。雜環系統可通過任何可用的碳或氮連接,其係藉由替換該碳或氮上的氫。更特別的是,「芳基」乙詞意指下列部分
Figure 02_image005
其中R2 與n如前面之定義,且「3」表示該部分上取代基之3號位置。
「鹵素」乙詞,不論單獨或複合詞(如,鹵烷基),包括氟、氯、溴、或碘。此外,當以複合詞諸如「鹵烷基」使用時,該烷基可以相同或不同的鹵素原子部分或完全取代。「鹵烷基」之實例包括F3 C、ClCH2 、CF3 CH2 、及CF3 CCl2 。「鹵烯基」、「鹵炔基」、「鹵烷氧基」等詞之定義與「鹵烷基」乙詞的類似。「鹵烯基」之實例包括(Cl)2 C=CHCH2 與CF3 CH2 CH=CHCH2 。「鹵炔基」之實例包括HC≡CCHCl、CF3 C≡C、CCl3 C≡C、及FCH2 C≡CCH2 。「鹵烷氧基」之實例包括CF3 O、CCl3 CH2 O、HCF2 CH2 CH2 O、及CF3 CH2 O。
「烷基胺基羰基」與「二烷基胺基羰基」等詞包括諸如CH3 NHC(=O)、CH3 CH2 NHC(=O)、及(CH3 )2 NC(=O)。
取代基之碳原子總數以「Ci ‑Cj 」前置詞表示,其中i與j為數字1至8。舉例而言,C1 ‑C3 烷基磺醯基代表甲基磺醯基至丙基磺醯基。在上面描述中,當式(I)化合物含有雜芳族環時,所有取代基通過任何可利用之碳或氮與該環相連,其係藉由替換該碳或氮上的氫。
當基團含有可以是氫的取代基時,如R4 ,則當該取代基視作氫時,可理解的是,其等同於該基團未經取代。
本發明之特定化合物可以一或多個立體異構物存在。各種立體異構物包括鏡像異構物、非鏡像異構物、構型異構物、及幾何異構物。本領域技術人員將理解到,當相對於其他立體異構物時或當從其他立體異構物分開時,一立體異構物可更具活性及/或可呈現有益效果。此外,技術人員通曉如何分開、富集化、及/或選擇性地製備該立體異構物。
本發明之具體實施例包括:
具體實施例1. 一製備式(II)化合物之方法
Figure 02_image001
(II) 其中R5 為鹵素; 每一R6 係獨立地為C1 -C4 烷基、C2 -C4 烯基、C2 -C4 炔基、C3 -C6 環烷基、C1 -C4 鹵烷基、C2 -C4 鹵烯基、C2 -C4 鹵炔基、C3 -C6 鹵環烷基、鹵素、CN、NO2 、C1 -C4 烷氧基、C1 -C4 鹵烷氧基、C1 -C4 烷基硫基、C1 -C4 烷基亞磺醯基、C1 -C4 烷基磺醯基、C1 -C4 烷基胺基、C2 -C8 二烷基胺基、C3 -C6 環烷基胺基、C3 -C6 (烷基)環烷基胺基、C2 -C4 烷基羰基、C2 -C6 烷氧基羰基、C2 -C6 烷基胺基羰基、C3 -C8 二烷基胺基羰基、或C3 -C6 三烷基矽基; R7 為H或C1 -C4 烷基; Y為N或CR8 ; R8 為H或R9 ,其中R9 係獨立地為C1 -C4 烷基、C2 -C4 烯基、C2 -C4 炔基、C3 -C6 環烷基、C1 -C4 鹵烷基、C2 -C4 鹵烯基、C2 -C4 鹵炔基、C3 -C6 鹵環烷基、鹵素、CN、NO2 、C1 -C4 烷氧基、C1 -C4 鹵烷氧基、C1 -C4 烷基硫基、C1 -C4 烷基亞磺醯基、C1 -C4 烷基磺醯基、C1 -C4 烷基胺基、C2 -C8 二烷基胺基、C3 -C6 環烷基胺基、C3 -C6 (烷基)環烷基胺基、C2 -C4 烷基羰基、C2 -C6 烷氧基羰基、C2 -C6 烷基胺基羰基、C3 -C8 二烷基胺基羰基、或C3 -C6 三烷基矽基;及 m為0、1、2、或3,前提是當Y為CH時,則m至少為1,本方法包含: I) 形成一混合物,其包含: A) 一式(I)化合物
Figure 02_image003
(I) 其中R1 為鹵素; 每一R2 係獨立地為C1 -C4 烷基、C2 -C4 烯基、C2 -C4 炔基、C3 -C6 環烷基、C1 -C4 鹵烷基、C2 -C4 鹵烯基、C2 -C4 鹵炔基、C3 -C6 鹵環烷基、鹵素、CN、NO2 、C1 -C4 烷氧基、C1 -C4 鹵烷氧基、C1 -C4 烷基硫基、C1 -C4 烷基亞磺醯基、C1 -C4 烷基磺醯基、C1 -C4 烷基胺基、C2 -C8 二烷基胺基、C3 -C6 環烷基胺基、C3 -C6 (烷基)環烷基胺基、C2 -C4 烷基羰基、C2 -C6 烷氧基羰基、C2 -C6 烷基胺基羰基、C3 -C8 二烷基胺基羰基、或C3 -C6 三烷基矽基; R3 為H或C1 -C4 烷基; X為N或CR4 ; R4 為H或R2 ;及 n為0、1、2、或3,前提是當X為CH時,則n至少為1; B) 一有機溶劑;以及 C) 一無機鹼; II) 任意地將混合物加熱; III) 照射混合物;以及 IV) 將一氧化劑添加至混合物中。
具體實施例2. 如具體實施例1之方法,其中m為1、2、或3。
具體實施例3. 如具體實施例1或2之方法,其中R5 為Cl或Br。
具體實施例4. 如具體實施例1-3中任一者之方法,其中R6 係獨立地為Cl或Br。
具體實施例5. 如具體實施例4之方法,其中一R6 係位於3號位置。
具體實施例6. 如具體實施例1-5中任一者之方法,其中R7 為C1 -C4 烷基。
具體實施例7. 如具體實施例1-6中任一者之方法,其中Y為N。
具體實施例8. 如具體實施例1-7中任一者之方法,其中式(II)化合物為3-溴-1-(3-氯-2-吡啶基)-1H-吡唑-5-羧酸乙酯,其具有下列結構:
Figure 02_image009
具體實施例9. 如具體實施例1-8中任一者之方法,其進一步包含將式(II)化合物分離。
具體實施例10. 如具體實施例1-9中任一者之方法,其中n為1、2、或3。
具體實施例11. 如具體實施例1-10中任一者之方法,其中R1 為Cl或Br。
具體實施例12. 如具體實施例1-11中任一者之方法,其中R2 係獨立地為Cl或Br。
具體實施例13. 如具體實施例12之方法,其中一R2 係位於3號位置。
具體實施例14. 如具體實施例1-13中任一者之方法,其中R3 為C1 -C4 烷基。
具體實施例15. 如具體實施例1-14中任一者之方法,其中X為N。
具體實施例16. 如具體實施例1-15中任一者之方法,其中式(I)化合物為3-溴-1-(3-氯吡啶-2-基)-4,5-二氫-1H -吡唑-5-羧酸乙酯,其具有下列結構:
Figure 02_image011
具體實施例17. 如具體實施例1-16中任一者之方法,其中有機溶劑係選自於乙腈、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、氯仿、丙酮、丙腈、氯丁烷、氯苯、四氯甲烷、二氯苯、二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、及其組合。
具體實施例18. 如具體實施例1-17中任一者之方法,其中無機鹼係選自於碳酸氫鈉、碳酸氫鉀、碳酸氫鈣、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸銨、碳酸氫銨、磷酸三鈉、磷酸三鉀、碳酸銫、三乙胺、吡啶、N-甲基咪唑、磷酸氫鉀、磷酸氫鈉、氫氧化鈉、氫氧化鉀、及其組合。
具體實施例19. 如具體實施例1-18中任一者之方法,其中無機鹼為固體或水溶液形式。
具體實施例20. 如具體實施例1-19中任一者之方法,其中混合物為兩相混合物。
具體實施例21. 如具體實施例1-20中任一者之方法,其中氧化劑係選自於溴、H2 O2 、K2 S2 O8 、及其組合。
具體實施例22. 如具體實施例1-21中任一者之方法,其中將氧化劑添加至混合物之方法步驟包含連續地添加氧化劑。
具體實施例23. 如具體實施例1-22中任一者之方法,其中將氧化劑添加至混合物之方法步驟包含滴加氧化劑。
具體實施例24. 如具體實施例1-23中任一者之方法,其中將氧化劑添加至混合物之方法步驟發生在約1分鐘至約1小時範圍之一段時間內。
具體實施例25. 如具體實施例1-24中任一者之方法,其中照射混合物之方法步驟發生在約20°C至約70°C範圍之溫度下。
具體實施例26. 如具體實施例1-25中任一者之方法,其中照射混合物之方法步驟發生在約20°C至約45°C範圍之溫度下。
具體實施例27. 如具體實施例1-26中任一者之方法,其中加熱混合物之方法步驟可將混合物之溫度升高至約50°C至約82°C範圍內之溫度。
具體實施例28. 如具體實施例1-27中任一者之方法,其中照射混合物之方法步驟係以選自於紫外線燈、金屬鹵素燈、可見光燈、及其組合之光源達成。
具體實施例29. 如具體實施例1-28中任一者之方法,其中照射混合物之方法步驟在可見光存在下發生。
具體實施例30. 如具體實施例1-29中任一者之方法,其中照射混合物之方法步驟在約50W至約300W範圍之功率下發生。
具體實施例31. 如具體實施例1-30中任一者之方法,其中至少一方法步驟進一步包含將混合物攪拌。
具體實施例32. 如具體實施例1-31中任一者之方法,其中至少一方法步驟在環境壓力下發生。
具體實施例33. 如具體實施例1-32中任一者之方法,其中反應係於批式反應器、批式繩反應器(batch-rope reactor)、或流動反應器中發生。
具體實施例34. 如具體實施例1-33中任一者之方法,其中式(I)化合物存在之純度小於約99%。
具體實施例35. 如具體實施例1-34中任一者之方法,其中式(I)化合物存在之純度小於約98%。
具體實施例36. 如具體實施例1-35中任一者之方法,其中式(I)化合物存在之純度小於約97%。
具體實施例37. 如具體實施例1-36中任一者之方法,其中式(I)化合物存在之純度小於約95%。
在一態樣中,3-溴-1-(3-氯吡啶-2-基)-1H-吡唑-5-羧酸乙酯係依據流程圖1所代表之方法製備。 流程圖1.
Figure 02_image013
在一態樣中,式(II)化合物係依據流程圖2所代表之方法製備。R基團、X、Y、n、及m係如本發明中隨處之定義。 流程圖2.
Figure 02_image015
此態樣包括形成一含有式(I)化合物、有機溶劑、及無機鹼的混合物,且任意地將混合物加熱、照射混合物、及將一氧化劑添加至混合物中。在一具體實施例中,於氧化劑添加完畢後,混合物的反應完成。在另一具體實施例中,於移開照射源後,混合物的反應完成。
在一具體實施例中,混合物為兩相混合物。
在一具體實施例中,有機溶劑係選自於乙腈、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、氯仿、丙酮、丙腈、氯丁烷、氯苯、四氯甲烷、二氯苯、二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、及其組合。在另一具體實施例中,有機溶劑係選自於氯丁烷、氯苯、及其組合。在另一具體實施例中,有機溶劑為氯丁烷。
在一具體實施例中,無機鹼係選自於碳酸氫鈉、碳酸氫鉀、碳酸氫鈣、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸銨、碳酸氫銨、磷酸三鈉、磷酸三鉀、碳酸銫、三乙胺、吡啶、N-甲基咪唑、磷酸氫鉀、磷酸氫鈉、氫氧化鈉、氫氧化鉀、及其組合。在另一具體實施例中,無機鹼係選自於碳酸氫鉀、吡啶、及其組合。在另一具體實施例中,無機鹼為碳酸氫鉀。
在一具體實施例中,無機鹼為固體或水溶液形式。
在一具體實施例中,氧化劑係選自於溴、H2 O2 、K2 S2 O8 、及其組合。在另一具體實施例中,氧化劑為溴。
在一具體實施例中,將氧化劑添加至混合物之方法步驟包含連續地添加氧化劑。在另一具體實施例中,將氧化劑添加至混合物之方法步驟包含滴加氧化劑。在另一具體實施例中,將氧化劑添加至混合物之方法步驟發生在約1分鐘至約1小時範圍之一段時間內。
在一具體實施例中,照射混合物之方法步驟在約20°C至約70°C範圍之溫度下發生。在另一具體實施例中,照射混合物之方法步驟在約20°C至約45°C範圍之溫度下發生。
在一具體實施例中,照射混合物之方法步驟係以選自於紫外線燈、金屬鹵素燈、可見光燈、及其組合之光源達成。在一具體實施例中,照射混合物之方法步驟在可見光存在下發生。在一具體實施例中,照射混合物之方法步驟在約350 nm至約850 nm範圍之波長下發生。在一具體實施例中,照射混合物之方法步驟在約50 W至約300 W範圍之功率下發生。在另一具體實施例中,照射混合物之方法步驟在約75 W至約250 W範圍之功率下發生。
在一具體實施例中,加熱混合物之方法步驟將混合物之溫度升高至約50°C至約82°C範圍內之溫度。
在一具體實施例中,至少一方法步驟進一步包含將混合物攪拌。在一具體實施例中,至少一方法步驟在環境壓力下發生。
在一具體實施例中,反應係於批式反應器、批式繩反應器、或流動反應器中發生。
在一具體實施例中,式(I)化合物存在之純度小於約99%。在另一具體實施例中,式(I)化合物存在之純度小於約98%。在另一具體實施例中,式(I)化合物存在之純度小於約97%。在另一具體實施例中,式(I)化合物存在之純度小於約95%。
在一具體實施例中,式(I)化合物係於一具備溴基抑制劑之粗反應混合物中。
有利於形成溴基之條件(如高溫或光存在下)係有利於3-溴-1-(3-氯吡啶-2-基)-1H-吡唑-5-羧酸乙酯之形成。相較於熱引發(thermal initiation),在中等溫度之強光下可誘導溴引發。 實施例
無需進一步闡述,據信使用前面描述之本領域技術人員可最大程度地使用本發明。因此,下列實施例僅視為示意性,且不以任何方式侷限本發明。下列實施例之起始材料不一定利用特定製備操作製備,其製備程序在其他實施例中說明。亦應理解的是,本文引用之任何數值範圍包括下限值至上限值之所有數值。舉例而言,若一範圍表示成10-50,則本說明書旨在明確地表示成12-30、20-40、或30-50等數值。彼等僅特定意圖之示例,且在列舉之最低值與最高值之間(且包括最低值與最高值)的所有可能數值組合皆應視為在本申請案中明確聲明。
實施例1. 在紫外線下之溴氧化
在一夾套容器中,將含有25克3-溴-1-(3-氯吡啶-2-基)-4,5-二氫-1H-吡唑-5-羧酸乙酯的500克1-氯丁烷保持在環境溫度。添加一份重之15克碳酸氫鉀,並利用機械攪拌器將混合物持續攪拌。將帶有內管之專用石英蓋置於容器頂部以進行密封,並將一紫外線燈(254 nm,30 W)插入管中以準備照射。隨後,將反應混合物加熱至60°C。在開燈後,於45分鐘內滴加含有14.4克溴之20克1-氯丁烷稀釋液。在完成添加後,利用HPLC鑑定混合物組分,且3-溴-1-(3-氯吡啶-2-基)-1H-吡唑-5-羧酸乙酯之面積百分比為77%。
觀察到,產物中3-溴-1-(5-溴-3-氯吡啶-2-基)-4,5-二氫-1H-吡唑-5-羧酸乙酯與3-溴-1-(5-溴-3-氯吡啶-2-基)-1H-吡唑-5-羧酸乙酯之雜質比例為15-25%。紫外線燈功率由30 W增至約100 W時,彼等雜質可減少至約10%。
實施例2. 在可見光下之溴氧化
在一夾套容器中,將含有25克3-溴-1-(3-氯吡啶-2-基)-4,5-二氫-1H-吡唑-5-羧酸乙酯的500克1-氯丁烷保持在環境溫度。添加一份重之含有15克碳酸氫鉀之100克水,並利用機械攪拌器將混合物持續攪拌。將帶有內管之專用石英蓋置於容器頂部以進行密封,並將一金屬鹵素燈(100 W)插入管中以準備照射。隨後,將反應混合物加熱至65°C。在開燈後,於45分鐘內滴加含有14.4克溴之20克1-氯丁烷稀釋液。在添加溴時,可觀察到反應溫度升至70°C。在完成添加後,藉由關燈以終止反應,並冷卻至室溫。將兩相混合物分開,收集有機相而不進一步從水相中萃取。隨後,在減壓下移除溶劑,且所得之粗產物利用75克乙醇與25克水進行再結晶。隨後,利用過濾收集產物,且3-溴-1-(3-氯吡啶-2-基)-1H-吡唑-5-羧酸乙酯之產率為93%。
反應在添加所有氧化劑之確切時刻完成。粗產物中之主要雜質經鑑定為微量的3-溴-1-(5-溴-3-氯吡啶-2-基)-4,5-二氫-1H-吡唑-5-羧酸乙酯與3-溴-1-(5-溴-3-氯吡啶-2-基)-1H-吡唑-5-羧酸乙酯雜質。
實施例3. 在批式繩反應器中之溴氧化
在批式繩模型中,於燒杯中將含有粗的3-溴-1-(3-氯吡啶-2-基)-4,5-二氫-1H-吡唑-5-羧酸乙酯之氯丁烷(2-15%)溶液與碳酸氫鉀水溶液混合並強力攪拌。隨後,利用一蠕動幫浦,將混合物注入配備一金屬鹵素燈(100 W)之照射池中,且接著返回燒杯中以作為一閉環迴路。逐部分將含有溴之氯丁烷溶液泵入照射池中,並在20-40°C內控制速度以充分混合。在注入溴後,以98%的轉化率完成反應。3-溴-1-(3-氯吡啶-2-基)-1H-吡唑-5-羧酸乙酯之分離率可達到92-95%。
批式繩模型之一好處在於,在實施例1與2中,位於批式反應器內部之照明單元與反應器分開且安裝在反應器外部,以減少陰影。反應在添加所有氧化劑之確切時刻完成。粗產物中之主要雜質經鑑定為微量的3-溴-1-(5-溴-3-氯吡啶-2-基)-4,5-二氫-1H-吡唑-5-羧酸乙酯與3-溴-1-(5-溴-3-氯吡啶-2-基)-1H-吡唑-5-羧酸乙酯雜質。
實施例4. 在流動反應器中之溴氧化
提供一專用之反應器,其特徵在於照射管位於中央,並圍繞一螺管與浴套。將循環水浴之溫度設定為40°C。利用一蠕動幫浦,將含有粗的3-溴-1-(3-氯吡啶-2-基)-4,5-二氫-1H-吡唑-5-羧酸乙酯之氯丁烷(2-15%)溶液注入,並在反應器之前與另一碳酸氫鉀水溶液流混合。將彼等二個蠕動幫浦調整至適當注射速率,以達到良好的相混合。利用一第三蠕動幫浦,將含有溴之氯丁烷溶液注入,以在反應器之確切入口處與上述兩相混合物混合,並開啟金屬鹵素燈(100 W)。在出口處利用一燒瓶收集所得之反應輸出物,並以HPLC鑑定組分。3-溴-1-(3-氯吡啶-2-基)-1H-吡唑-5-羧酸乙酯之面積百分比係大於96%,且最終取得之產物產率為90-95%。
粗產物中之主要雜質經鑑定為微量的3-溴-1-(5-溴-3-氯吡啶-2-基)-4,5-二氫-1H-吡唑-5-羧酸乙酯與3-溴-1-(5-溴-3-氯吡啶-2-基)-1H-吡唑-5-羧酸乙酯雜質。彼等雜質可在1.0%之氬氣下管控。令人意外的是,相較於純的3-溴-1-(3-氯吡啶-2-基)-4,5-二氫-1H-吡唑-5-羧酸乙酯,粗的3-溴-1-(3-氯吡啶-2-基)-4,5-二氫-1H-吡唑-5-羧酸乙酯產生較高的轉化率。
本說明書以實例闡述本發明,包括最佳模式,且亦使本領域技術人員能實踐本發明,包括製造與使用任何裝置或系統,以及進行任何引入的方法。本發明之可專利範疇係由申請專利範圍所定義,且可包括彼等本領域技術人員想到之其他實例。倘若此類其他實例具有與申請專利範圍之字面語意相同的結構元件,或倘若其包括與申請專利範圍之字面語意無實質差異的等效結構元件,則其係旨在落入申請專利範圍之範疇內。

Claims (20)

  1. 一種製備式(II)化合物之方法
    Figure 03_image001
    (II) 其中R5 為鹵素; 每一R6 係獨立地為C1 -C4 烷基、C2 -C4 烯基、C2 -C4 炔基、C3 -C6 環烷基、C1 -C4 鹵烷基、C2 -C4 鹵烯基、C2 -C4 鹵炔基、C3 -C6 鹵環烷基、鹵素、CN、NO2 、C1 -C4 烷氧基、C1 -C4 鹵烷氧基、C1 -C4 烷基硫基、C1 -C4 烷基亞磺醯基、C1 -C4 烷基磺醯基、C1 -C4 烷基胺基、C2 -C8 二烷基胺基、C3 -C6 環烷基胺基、C3 -C6 (烷基)環烷基胺基、C2 -C4 烷基羰基、C2 -C6 烷氧基羰基、C2 -C6 烷基胺基羰基、C3 -C8 二烷基胺基羰基、或C3 -C6 三烷基矽基; R7 為H或C1 -C4 烷基; Y為N或CR8 ; R8 為H或R9 ,其中R9 係獨立地為C1 -C4 烷基、C2 -C4 烯基、C2 -C4 炔基、C3 -C6 環烷基、C1 -C4 鹵烷基、C2 -C4 鹵烯基、C2 -C4 鹵炔基、C3 -C6 鹵環烷基、鹵素、CN、NO2 、C1 -C4 烷氧基、C1 -C4 鹵烷氧基、C1 -C4 烷基硫基、C1 -C4 烷基亞磺醯基、C1 -C4 烷基磺醯基、C1 -C4 烷基胺基、C2 -C8 二烷基胺基、C3 -C6 環烷基胺基、C3 -C6 (烷基)環烷基胺基、C2 -C4 烷基羰基、C2 -C6 烷氧基羰基、C2 -C6 烷基胺基羰基、C3 -C8 二烷基胺基羰基、或C3 -C6 三烷基矽基;及 m為0、1、2、或3,前提是當Y為CH時,則m至少為1,該方法包含: I) 形成一混合物,其包含: A) 一式(I)化合物
    Figure 03_image003
    (I) 其中R1 為鹵素; 每一R2 係獨立地為C1 -C4 烷基、C2 -C4 烯基、C2 -C4 炔基、C3 -C6 環烷基、C1 -C4 鹵烷基、C2 -C4 鹵烯基、C2 -C4 鹵炔基、C3 -C6 鹵環烷基、鹵素、CN、NO2 、C1 -C4 烷氧基、C1 -C4 鹵烷氧基、C1 -C4 烷基硫基、C1 -C4 烷基亞磺醯基、C1 -C4 烷基磺醯基、C1 -C4 烷基胺基、C2 -C8 二烷基胺基、C3 -C6 環烷基胺基、C3 -C6 (烷基)環烷基胺基、C2 -C4 烷基羰基、C2 -C6 烷氧基羰基、C2 -C6 烷基胺基羰基、C3 -C8 二烷基胺基羰基、或C3 -C6 三烷基矽基; R3 為H或C1 -C4 烷基; X為N或CR4 ; R4 為H或R2 ;及 n為0、1、2、或3,前提是當X為CH時,則n至少為1; B) 一有機溶劑;以及 C) 一無機鹼; II) 任意地將該混合物加熱; III) 照射該混合物;以及 IV) 將一氧化劑添加至該混合物中。
  2. 如請求項1之方法,其中m為1、2、或3。
  3. 如請求項1之方法,其中R5 為Cl或Br。
  4. 如請求項1之方法,其中R6 係獨立地為Cl或Br。
  5. 如請求項4之方法,其中一R6 係位於3號位置。
  6. 如請求項1之方法,其中R7 為C1 -C4 烷基。
  7. 如請求項1之方法,其中 Y為N。
  8. 如請求項1之方法,其中式(II)化合物為3-溴-1-(3-氯-2-吡啶基)-1H-吡唑-5-羧酸乙酯,其具有下列結構:
    Figure 03_image009
  9. 如請求項1之方法,其更包含將式(II)化合物分離。
  10. 如請求項1之方法,其中n為1、2、或3。
  11. 如請求項1之方法,其中R1 為Cl或Br。
  12. 如請求項1之方法,其中R2 係獨立地為Cl或Br。
  13. 如請求項12之方法,其中一R2 係位於3號位置。
  14. 如請求項1之方法,其中R3 為C1 -C4 烷基。
  15. 如請求項1之方法,其中X為N。
  16. 如請求項1之方法,其中式(I)化合物為3-溴-1-(3-氯吡啶-2-基)-4,5-二氫-1H -吡唑-5-羧酸乙酯,其具有下列結構:
    Figure 03_image011
  17. 如請求項1之方法,其中該有機溶劑係選自於乙腈、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、氯仿、丙酮、丙腈、氯丁烷、氯苯、四氯甲烷、二氯苯、二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、及其組合。
  18. 如請求項1之方法,其中該無機鹼係選自於碳酸氫鈉、碳酸氫鉀、碳酸氫鈣、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸銨、碳酸氫銨、磷酸三鈉、磷酸三鉀、碳酸銫、三乙胺、吡啶、N-甲基咪唑、磷酸氫鉀、磷酸氫鈉、氫氧化鈉、氫氧化鉀、及其組合。
  19. 如請求項1之方法,其中該無機鹼為固體或水溶液形式。
  20. 如請求項1之方法,其中該混合物為兩相混合物。
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