TW202137314A - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

於使用電漿去除抗蝕膜時，抑制對基板造成之損傷並且不需要使用SPM。於電漿處理(步驟S102)中，執行對抗蝕膜R之表面供給自由基(活性種)之自由基供給步序。然後，執行抗蝕劑去除步序，即，於自由基供給步序之後對存在於基板S之正面Sa之抗蝕膜R供給低表面張力之有機溶劑，由此從基板S之正面Sa去除抗蝕膜R(步驟S104)。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明係關於一種使用電漿對基板進行處理之技術，尤其關於一種從矽等半導體基板去除抗蝕膜之技術。
先前，作為去除形成於基板表面之抗蝕膜之方法之一，有電漿灰化技術。電漿灰化係如下技術：藉由使由電漿生成之離子分子等碰撞形成於基板上之抗蝕膜而切斷抗蝕膜中之碳氫鍵，從而去除抗蝕膜，或形成容易去除抗蝕膜之狀態。關於電漿灰化，典型為在真空腔室內形成產生電漿之電漿產生空間，於電漿產生空間內產生電漿，於電漿產生空間內提高氣體能量。藉此，產生各種活性種。為使活性種移動至基板，藉由調整電漿產生空間與基板之間之電位分佈，而使活性種所含之離子分子(典型為陽離子分子)朝向基板移動，並與基板發生碰撞。藉由該碰撞，基板上之抗蝕膜之碳氫鍵被切斷。例如，日本專利實公平7-37314號公報中記載了電漿灰化之方法及裝置。
[發明所欲解決之問題]
於電漿灰化中，藉由使以陽離子為主之活性種碰撞抗蝕膜，能夠有效率地切斷抗蝕膜之碳鍵。另一方面，存在高能量之陽離子對基板造成損傷之問題。
作為去除基板上之抗蝕膜之另一種方法，有如下方法：對基板上之抗蝕膜供給H2 SO4 /H2 O2 /H2 O之混合液(Sulfuric acid/hydrogen Peroxide/water Mixture，以下簡稱為「SPM」)，利用SPM將抗蝕膜溶解去除。SPM難以再利用，故減少SPM之消耗量成為近年來之課題。
本發明係鑒於上述問題而完成者，目的在於提供一種於使用電漿去除抗蝕膜時，抑制對基板造成之損傷並且不需要使用SPM之技術。 [解決問題之技術手段]
本發明之基板處理方法包括：電漿產生步序，其係於大氣壓下產生電漿；自由基生成步序，其係由電漿產生步序中所產生之電漿生成自由基；自由基供給步序，其係對形成於基板表面之抗蝕膜供給自由基，一面維持抗蝕膜與基板表面接觸之狀態一面使抗蝕膜之表面附近變質；抗蝕劑去除步序，其係於自由基供給步序之後對基板表面之抗蝕膜供給低表面張力之有機溶劑，由此從基板表面去除抗蝕膜；以及沖洗步序，其係於抗蝕劑去除步序之後，對基板表面供給沖洗液。
於如此構成之本發明(基板處理方法)中，執行自由基供給步序及抗蝕劑去除步序，自由基供給步序係對抗蝕膜供給自由基，抗蝕劑去除步序係藉由在自由基供給步序之後對基板表面之抗蝕膜供給低表面張力之有機溶劑而從基板表面去除抗蝕膜。於大氣壓下產生電漿時，所產生之活性種中大部分離子分子與大氣內之分子發生反應而瞬間消失。剩餘之活性種中，電性為中性之游離自由基被供給至抗蝕膜。離子分子係對基板造成損傷之主要原因，其大部分並未被供給至抗蝕膜。又，於已結束自由基供給步序之階段，抗蝕膜仍存在於基板表面，並未被去除。因此，抑制了對基板造成之損傷。到達抗蝕膜表面之自由基滲透至抗蝕膜之表面，使抗蝕膜之表面附近變質，其結果為，於抗蝕膜之表面附近產生微小裂紋(龜裂)或孔。若緊接著供給有機溶劑，則有機溶劑會滲透至該裂紋或孔中，將該裂紋或孔擴開。如此藉由化學作用與物理作用之相互作用來完成抗蝕膜之去除，化學作用係指由活性種引起之變質，物理作用係指利用低表面張力之有機溶劑將裂紋或孔擴大。如此，能夠於使用電漿去除抗蝕膜時，抑制對基板造成之損傷並且不需要使用SPM。
再者，作為低表面張力之有機溶劑，可假定各種溶劑。例如，低表面張力之有機溶劑可為乙醇、異丙醇或丙酮。該等有機溶劑可迅速地去除利用自由基變質後之抗蝕膜。
又，作為自由基，可假定各種自由基。例如，自由基可為活性種，尤其為羥基自由基。該等自由基能夠確實地使抗蝕膜變質。
又，於電漿產生步序中，利用與基板表面對向配置之電漿產生器產生電漿，電漿產生器之電極至形成於基板表面之抗蝕膜表面之距離小於自由基於其壽命內能夠達到之距離且大於0，以此方式構成基板處理方法。於該構成中，能夠確實地從與基板表面對向配置之電漿產生器向抗蝕膜供給自由基。
例如，電漿產生器之電極至形成於基板表面之抗蝕膜表面之距離可為2 mm以上5 mm以下。藉此，能夠確實地從電漿產生器向抗蝕膜供給自由基。
又，亦能以如下方式構成基板處理方法，即，於自由基供給步序中，利用朝向基板表面之氣流將自由基供給至抗蝕膜。於該構成中，能夠利用朝向基板表面之氣流確實地將自由基供給至抗蝕膜。
又，去除被注入了離子之抗蝕膜時，可執行上述基板處理方法。即，上述基板處理方法可有效地去除藉由離子注入而硬化之抗蝕膜之硬化層。
又，本發明之基板處理裝置係去除基板上之抗蝕膜之基板處理裝置，且具備：保持構件，其於大氣壓下將基板水平保持；電漿產生器，其具有活性種噴嘴、及配置於活性種噴嘴內部之電極，藉由活性種噴嘴供給被電漿活化後之活性種，該電漿係藉由對電極施加電壓而產生；以及有機溶劑噴嘴，其供給低表面張力之有機溶劑；活性種噴嘴之電極至保持構件所保持之基板上之抗蝕膜表面之距離設定為活性種所含之羥基自由基於其壽命內能夠從電極到達抗蝕膜表面之距離。
根據本發明者之研究，認為於大氣壓下基板上之抗蝕膜表面之變質受羥基自由基作用之影響較大。因此，於本發明之基板處理裝置中，活性種噴嘴內之電極至保持構件所保持之基板上之抗蝕膜表面之距離設定為活性種所含之羥基自由基於其壽命內能夠從電極到達抗蝕膜表面之距離。藉此，能夠高效率地使抗蝕膜表面變質。
例如，活性種噴嘴之電極至保持構件所保持之基板上之抗蝕膜表面之距離可為2 mm以上5 mm以下。 [發明之效果]
如上所述，根據本發明，能夠於使用電漿去除抗蝕膜時，抑制對基板造成之損傷並且不需要使用SPM。
圖1係表示本發明之基板處理方法之一例之流程圖，圖2係模式性地表示圖1中所執行之動作之圖，圖3係模式性地表示圖1之基板處理方法中所使用之電漿處理裝置之一例的圖，圖4係模式性地表示圖1之基板處理方法中所使用之處理液供給裝置之一例的圖。圖2～圖4中，適當示出了作為水平方向之X方向、與X方向正交且作為水平方向之Y方向或作為鉛直方向之Z方向。
步驟S101中，將基板S搬入電漿處理裝置1中。基板S具有正面Sa、及與正面Sa為相反側之背面Sb，且於基板S之正面Sa形成有抗蝕膜R(圖2、圖3)。尤其，藉由之前對基板S執行之離子注入，於抗蝕膜R之表層注入了離子，抗蝕膜R之表層硬化。如圖3所示，電漿處理裝置1具備保持被搬入之基板S之保持台11，保持台11將基板S以正面Sa朝向上方之狀態水平保持。
進而，電漿處理裝置1於保持台11之上方具備電漿產生器12，電漿產生器12從上方與保持台11所保持之基板S之正面Sa之抗蝕膜R對向。電漿產生器12具有由石英玻璃等介電體構成之平板形狀之隔離板121，該隔離板121之下表面從上方與抗蝕膜R對向。
電漿產生器12具有配置於該隔離板121下表面之電極122、及配置於隔離板121上表面之電極123。電極122、123於X方向上延伸設置。並且，於隔離板121之下表面，沿著Y方向排列有複數個電極122，於隔離板121之上表面，沿著Y方向排列有複數個電極123。該等電極122、123排列成錯位狀，換言之，沿著Z方向俯視時，電極122、123交替排列。又，電漿產生器12具有交流電源124，該交流電源124對電極122與電極123之間施加交流電壓。
又，電漿處理裝置1具有收容保持台11及電漿產生器12之殼體13、以及向殼體13內供給氣體G之氣體供給管14。氣體G例如為氬氣或氮氣等。
繼而，於步驟S102之電漿處理中，電漿產生器12產生電漿。即，從氣體供給管14向隔離板121周圍供給氣體G。因此，藉由施加至電極122與電極123之間之交流電壓，隔離板121周圍之氣體G被電漿化，從而產生電漿P(電漿產生步序)。又，電漿P之產生係於大氣壓下執行，電漿產生器12之周圍存在氧。因此，藉由電漿P使氧活化，生成包含羥基自由基等之活性種(自由基生成步序)。如此生成之自由基之一部分被供給至抗蝕膜R，對抗蝕膜R之表面產生作用(自由基供給步序)。再者，當於大氣壓下產生電漿時，所產生之活性種中大部分離子分子與大氣內之分子發生反應而瞬間消失。剩餘之活性種中，電性為中性之游離自由基中壽命尚未耗盡之游離自由基被供給至抗蝕膜。作為由電漿產生之游離自由基，有超氧陰離子自由基、羥基自由基等。
圖2中，「S101」一欄示出了搬入至電漿處理裝置1之後且執行電漿處理之前的基板S之正面Sa附近，「S102」一欄示出了執行電漿處理之後的基板S之正面Sa附近。如上述模式圖所示，於執行電漿處理時，抗蝕膜R仍存在於基板S之正面Sa。
已執行過電漿處理之基板S從電漿處理裝置1中搬出並被搬入至處理液供給裝置3中(步驟S103)。如圖4所示，處理液供給裝置3具備保持基板S之基板保持部31。基板保持部31具有將基板S水平保持之保持板311、以及繞著與Z方向平行之中心線帶動保持板311一起旋轉之旋轉軸312。保持板311利用夾盤銷或真空保持配置於其上表面之基板S。因此，保持板311所保持之基板S與旋轉軸312一起旋轉。
處理液供給裝置3進而具備對基板保持部31所保持之基板S之正面Sa供給處理液之處理液供給機構33a、33b。處理液供給機構33a、33b雖根據所要供給之處理液之種類而不同，但具備共通之構成。因此，對處理液供給機構33a進行說明，對處理液供給機構33b標註相同之符號並省略說明。
處理液供給機構33a具有能夠於Y方向上移動之噴嘴331、於Y方向上驅動噴嘴331之噴嘴驅動部332、貯存處理液之貯存容器333、連接貯存容器333與噴嘴331之配管334、以及設置於配管334之閥335。處理液供給機構33a之貯存容器333中貯存低表面張力之有機溶劑。此處，低表面張力之有機溶劑具有至少低於硫酸之表面張力，例如為乙醇、異丙醇或丙酮等。當打開閥335時，貯存容器333與噴嘴331連通，有機溶劑從貯存容器333被供給至噴嘴331。藉此，從噴嘴331噴出有機溶劑。
又，於處理液供給機構33b中，貯存容器333中貯存沖洗液。因此，當打開閥335時，沖洗液從貯存容器333被供給至噴嘴331，而從噴嘴331噴出沖洗液。此處，沖洗液係與處理液供給機構33a所供給之液體不同之液體，例如為純水(去離子水)、碳酸水、電解離子水、富氫水或臭氧水等。
步驟S104中，一面利用基板保持部31使基板S旋轉，一面處理液供給機構33a藉由噴嘴驅動部332於Y方向上驅動基板S上方之噴嘴331，並且從噴嘴331噴出有機溶劑。藉此，對基板S之整個抗蝕膜R供給有機溶劑，如圖2之「步驟S104」一欄所示，從基板S之正面Sa去除抗蝕膜R(抗蝕劑去除步序)。
步驟S105中，一面利用基板保持部31使基板S旋轉，一面處理液供給機構33b藉由噴嘴驅動部332於Y方向上驅動基板S上方之噴嘴331，並且從噴嘴331噴出沖洗液。藉此，對已去除抗蝕膜R之基板S之整個正面Sa供給沖洗液(沖洗步序)。然後，結束圖1之基板處理方法。
以上所說明之實施方式中，於電漿處理(步驟S102)中執行對抗蝕膜R供給自由基(活性種)之自由基供給步序。然後，執行抗蝕劑去除步序，即，藉由在自由基供給步序之後對存在於基板S之正面Sa之抗蝕膜R供給低表面張力之有機溶劑，而從基板S之正面Sa去除抗蝕膜R(步驟S104)。即，於已結束藉由自由基供給步序向抗蝕膜R供給自由基之階段，抗蝕膜R仍存在於基板S之正面Sa，尚未被去除。因此，抑制了對基板S造成之損傷。但是，抗蝕膜R雖未被去除，但其表面附近因自由基之供給而發生變質。可藉由供給低表面張力之有機溶劑而迅速去除該抗蝕膜R。如此，能夠於使用電漿P去除抗蝕膜R時，抑制對基板S造成之損傷並且不需要使用SPM。
按照以下方式推測出上述能夠去除抗蝕膜R之機制。自由基供給步序中供給至抗蝕膜R之自由基滲透至抗蝕膜R之表面。藉此，抗蝕膜R中產生非常細微之孔或龜裂。若緊接著對抗蝕膜R供給有機溶劑，則由於該有機溶劑具有低表面張力，故會逐漸滲透至細微之孔或龜裂中。藉此，抗蝕膜R被有機溶劑從內部擴開，細微之孔或龜裂進一步擴大。其結果為，抗蝕膜R被破壞，從基板S之正面Sa被去除。如此藉由化學作用與物理作用之相互作用來完成抗蝕膜R之去除，化學作用係指由活性種引起之變質，物理作用係指利用低表面張力之有機溶劑將孔或龜裂擴大。
再者，根據本案發明者進行之實驗，獲得了如下結果。該實驗係利用市售之筆型大氣壓電漿裝置，對基板S之抗蝕膜R照射被電漿活化後之活性種。再者，於抗蝕膜R之表層形成有以高濃度注入了離子之所謂高劑量層。電漿係藉由將氬氣電漿化而產生，基於來自電漿之發光色來確認包含羥基自由基之活性種之生成。利用乙醇，將上述被照射由電漿活化後之活性種之抗蝕膜R清洗約10秒，結果，於受到活性種照射之範圍，抗蝕膜R被從基板S去除。再者，不論從活性種照射至乙醇清洗之經過時間如何，均能夠利用乙醇清洗來去除抗蝕膜R，例如即便經過三天後亦能夠很好地去除抗蝕膜R。
又，於上述實施方式中，對抗蝕膜R供給包含羥基自由基之活性種。該等自由基能夠確實地使抗蝕膜R變質。因此，能夠有效率地執行之後藉由供給有機溶劑進行之抗蝕膜R去除。
又，與基板S之正面對向配置電漿產生器12，將由上述電漿產生器12產生之電漿P所生成之自由基供給至抗蝕膜R。於該構成中，可將自由基從與基板S之正面Sa對向配置之電漿產生器12確實地供給至抗蝕膜R。
此處，包含羥基自由基之活性種必須於其壽命內達到產生活性種之電漿P到抗蝕膜R表面之距離。此處應當注意的是，若用於產生電漿P之電極至基板之距離過近，則於電極與基板之間會產生電弧放電，對基板造成損傷。因此，電極與基板之間必須空出充分之距離，以便不會產生電弧放電。於圖3之實施方式之情形時，電漿P形成於圖3之電極122與抗蝕膜R之間。電漿P能夠到達電極122之下方數毫米左右。藉由使電漿P之下方與抗蝕膜R之表面接觸，能夠將半衰期壽命為30 μs左右之羥基自由基供給至抗蝕劑R之表面。
進而，根據上述實施方式，能夠有效地去除藉由離子注入而硬化之抗蝕膜R之硬化層。
再者，本發明並不限定於上述實施方式，能夠於不脫離其主旨之範圍內除上述內容以外進行各種變更。例如，低表面張力之有機溶劑並不限定於上述示例，沖洗液亦不限定於上述示例。
又，步驟S102之電漿處理中所使用之電漿處理裝置之具體構成並不限定於上述示例，亦可為圖5、圖6A及圖6B所示之構成。圖5係模式性地表示電漿處理裝置之變化例之圖，圖6A係模式性地表示圖5之電漿處理裝置所具備之電漿產生器之局部剖視圖，圖6B係模式性地表示圖5之電漿處理裝置所具備之電漿產生器之局部立體圖。變化例之電漿處理裝置1與上文所述同樣地具有保持台11，保持台11保持基板S。
該變化例中，電漿處理裝置1具備電漿產生器16。電漿產生器16具有噴嘴161，該噴嘴161利用氣流噴射在大氣壓下產生之電漿P。該噴嘴161具有圓形噴出口162。該噴出口162從上方與保持台11所保持之基板S之正面Sa上形成之抗蝕膜R對向，從噴出口162向抗蝕膜R噴射電漿P。
詳細地進行敍述，如圖6A、6B所示，噴嘴161具有配管164、及設置於配管164之一對電極165、166。配管164之朝向下方之開口相當於上述噴出口162。電極165具有於Z方向上延伸設置之棒形狀，配置於配管164內，電極166具有於Z方向開口之環形，配置於配管164之外側且包圍配管164。電漿產生器16進而具備連接於電極165及電極166之交流電源167，交流電源167對電極165與電極166之間施加交流電壓。其結果為，於噴嘴161之配管164內，在電極165與電極166之間產生電漿P，換言之，在電極165之周圍產生電漿P。
又，電漿產生器16具有對噴嘴161供給氣體之氣體供給機構17。氣體供給機構17具有氣體供給源171及氣體配管172。該氣體配管172連接流入口168與氣體供給源171，該流入口168係噴嘴161之配管164之與噴出口162為相反側之開口，從氣體供給源171供給至氣體配管172之氣體流入噴嘴161之配管164中。又，氣體供給機構17具有設置於氣體配管172之流量調整閥173，藉由流量調整閥173調整從氣體供給源171流入噴嘴161之氣體之流量。如此流入噴嘴161之氣體到達電極165與電極166之間，藉由交流電源167所施加之交流電壓而電漿化。
此時，噴嘴161之內部存在氧。因此，藉由電漿P使氧活化，生成包含羥基自由基等之活性種(自由基生成步序)。然後，利用由電漿產生器16之氣體供給機構17所產生之氣流，將該活性種噴射至抗蝕膜R(自由基供給步序)。
此時，於噴嘴161內之電極165附近產生電漿P。因此，理想為增大來自噴出口162之氣體流速，且使電極165與抗蝕劑R之距離儘可能近，使得羥基自由基能夠於其壽命內移動噴嘴161內之電極165至抗蝕劑R之間的距離D，以此使半衰期壽命為約30 μs之羥基自由基到達抗蝕劑R之表面。
氣體流速取決於噴出口162之開口形狀及氣體供給機構17之氣體供給流量等。例如，藉由模擬確認到，使用噴出口162之矩形開口為高度0.3 mm、寬度1 mm之噴嘴161，以3 L/min之流量供給氣體，可實現170 m/s之氣體流速。該情形時，半衰期壽命30 μs內能達到之距離為30 μs×170 m/s＝5.1 mm。因此，可知於該裝置條件下，藉由將噴嘴161內之電極165至抗蝕劑R表面之距離設為5 mm以下，能夠將羥基自由基適當地供給至抗蝕劑R之表面。
再者，電極165與基板S之間必須空出充分之距離，以避免電弧放電。根據發明者之實驗，於圖6A所例示之氣體噴射型之實施方式中，基板S與電極165之間必須空出最低限度2 mm以上。
又，於該變化例中，具備於Y方向上驅動噴嘴161之噴嘴驅動部163(圖5)。因此，藉由一面從噴嘴161噴射被電漿P活化後之活性種，一面利用噴嘴驅動部163驅動噴嘴161，能夠對基板S之整個正面Sa噴射被電漿P活化後之活性種。
即，根據該變化例，於自由基供給步序中，利用朝向基板S之正面Sa之氣流將自由基供給至抗蝕膜R。於該構成中，可利用朝向基板S之正面Sa之氣流將自由基確實地供給至抗蝕膜R。
又，如圖7所示，亦可構成具備用於活性種、有機溶劑及沖洗液之各噴嘴之基板處理裝置。圖7係模式性地表示本發明之基板處理裝置之一例之圖。該基板處理裝置5具備基板保持部51，基板保持部51將載置於保持板511上之基板S水平保持。
又，基板處理裝置5具備上述電漿產生器16，電漿產生器16藉由一面從噴嘴161之噴出口162噴出活性種，一面利用噴嘴驅動部163驅動噴嘴161，而對基板S之整個正面Sa噴射活性種(羥基自由基)。再者，電極165與抗蝕膜R表面之距離設定為2 mm以上5 mm以下。因此，活性種所含之羥基自由基於其壽命內能夠從電極165到達抗蝕膜R之表面，並且避免了電極165與基板S之間之電弧放電。
基板處理裝置5進而具備上述處理液供給機構33a、33b。處理液供給機構33a藉由一面從噴嘴331噴出有機溶劑一面驅動噴嘴331，而對基板S之整個正面Sa供給有機溶劑。藉此，可利用有機溶劑從基板S去除已被噴射活性種之抗蝕膜R。又，處理液供給機構33a藉由一面從噴嘴331噴出沖洗液一面驅動噴嘴331，而對基板S之整個正面Sa供給沖洗液。藉此，可使用沖洗液對已利用有機溶劑去除了抗蝕膜R之基板S執行沖洗處理。
即，根據本發明者之研究，認為於大氣壓下基板S上之抗蝕膜R表面之變質受羥基自由基作用之影響較大。因此，於基板處理裝置5中，噴嘴161(活性種噴嘴)之電極165至基板保持部51(保持構件)所保持之基板S上之抗蝕膜R表面的距離D設定為活性種所含之羥基自由基於其壽命內能夠從電極165到達抗蝕膜R表面的距離。藉此，能夠高效率地使抗蝕膜R之表面變質。
又，亦可適當添加與圖5～圖7所示之例不同之變化。例如，電漿處理無須以逐片處理基板S之單片式執行，亦能以批次式對複數個基板S執行。
又，有機溶劑處理無須以逐片處理基板S之單片式執行，亦能以批次式對複數個基板S執行。沖洗處理亦同樣。
又，於上述圖3～圖5之實施方式中，利用不同之裝置(電漿處理裝置1、處理液供給裝置3)執行電漿處理(步驟S102)與有機溶劑處理(步驟S104)。然而，亦可構成為，由1個裝置實現電漿處理裝置1及處理液供給裝置3各自之功能，於該裝置中執行電漿處理與有機溶劑處理。圖7所示之實施方式相當於此種情況之一例。
又，去除不具有高劑量之硬化層之抗蝕膜R時，亦可應用上述實施方式。 [產業上之可利用性]
本發明可應用於從基板S去除抗蝕膜R之所有技術。
1:電漿處理裝置 3:處理液供給裝置 5:基板處理裝置 11:保持台 12:電漿產生器 13:殼體 14:氣體供給管 16:電漿產生器 17:氣體供給機構 31:基板保持部 33a:處理液供給機構 33b:處理液供給機構 51:基板保持部 121:隔離板 122:電極 123:電極 124:交流電源 161:噴嘴 162:噴出口 163:噴嘴驅動部 164:配管 165:電極 166:電極 167:交流電源 168:流入口 171:氣體供給源 172:氣體配管 173:流量調整閥 311:保持板 312:旋轉軸 331:噴嘴 332:噴嘴驅動部 333:貯存容器 334:配管 335:閥 511:保持板 D:距離 G:氣體 P:電漿 R:抗蝕膜 S:基板 Sa:正面 Sb:背面 S101:基板搬入 S102:電漿處理(電漿產生步序、自由基生成步序、自由基供給步序) S103:基板搬入 S104:有機溶劑處理(抗蝕劑去除步序) S105:沖洗處理(沖洗步序)
圖1係表示本發明之基板處理方法之一例之流程圖。 圖2係模式性地表示圖1中所執行之動作之圖。 圖3係模式性地表示圖1之基板處理方法中所使用之電漿處理裝置之一例的圖。 圖4係模式性地表示圖1之基板處理方法中所使用之處理液供給裝置之一例的圖。 圖5係模式性地表示電漿處理裝置之變化例之圖。 圖6A係模式性地表示圖5之電漿處理裝置所具備之電漿產生器之局部剖視圖。 圖6B係模式性地表示圖5之電漿處理裝置所具備之電漿產生器之局部立體圖。 圖7係模式性地表示本發明之基板處理裝置之一例之圖。
S101:基板搬入
S102:電漿處理
S103:基板搬入
S104:有機溶劑處理
S105:沖洗處理

Claims (10)

  1. 一種基板處理方法，其具備： 電漿產生步序，其係於大氣壓下產生電漿； 自由基生成步序，其係由上述電漿產生步序中所產生之上述電漿生成自由基； 自由基供給步序，其係對形成於基板表面之抗蝕膜供給上述自由基，一面維持上述抗蝕膜與上述基板表面接觸之狀態一面使上述抗蝕膜之表面附近變質； 抗蝕劑去除步序，其係於上述自由基供給步序之後對上述基板表面之上述抗蝕膜供給低表面張力之有機溶劑，由此從上述基板表面去除上述抗蝕膜；以及 沖洗步序，其係於上述抗蝕劑去除步序之後，對上述基板表面供給沖洗液。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其中上述低表面張力之有機溶劑為乙醇、異丙醇或丙酮。
  3. 如請求項1之基板處理方法，其中上述自由基為活性種。
  4. 如請求項3之基板處理方法，其中上述自由基為羥基自由基。
  5. 如請求項1之基板處理方法，其中於上述電漿產生步序中，藉由與上述基板表面對向配置之電漿產生器產生上述電漿， 上述電漿產生器之電極至形成於上述基板表面之上述抗蝕膜表面之距離小於上述自由基於其壽命內能夠達到之距離且大於0。
  6. 如請求項5之基板處理方法，其中上述電漿產生器之電極至形成於上述基板表面之上述抗蝕膜表面之距離為2 mm以上5 mm以下。
  7. 如請求項1之基板處理方法，其中於上述自由基供給步序中，利用朝向上述基板表面之氣流將上述自由基供給至上述抗蝕膜。
  8. 如請求項1至7中任一項之基板處理方法，其中對上述抗蝕膜注入離子。
  9. 一種基板處理裝置，其係去除基板上之抗蝕膜者，且具備： 保持構件，其於大氣壓下將上述基板水平保持； 電漿產生器，其具有活性種噴嘴、及配置於上述活性種噴嘴內部之電極，藉由上述活性種噴嘴供給被電漿活化後之活性種，該電漿係藉由對上述電極施加電壓而產生；以及 有機溶劑噴嘴，其供給低表面張力之有機溶劑；且 上述活性種噴嘴之上述電極至上述保持構件所保持之上述基板上之上述抗蝕膜表面的距離設定為活性種中所含之羥基自由基於其壽命內能夠從上述電極到達上述抗蝕膜表面的距離。
  10. 如請求項9之基板處理裝置，其中上述活性種噴嘴之上述電極至上述保持構件所保持之上述基板上之上述抗蝕膜表面的距離為2 mm以上5 mm以下。
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