TW202131093A - 空白光罩、光罩之製造方法及光罩 - Google Patents

空白光罩、光罩之製造方法及光罩 Download PDF

Info

Publication number
TW202131093A
TW202131093A TW109142576A TW109142576A TW202131093A TW 202131093 A TW202131093 A TW 202131093A TW 109142576 A TW109142576 A TW 109142576A TW 109142576 A TW109142576 A TW 109142576A TW 202131093 A TW202131093 A TW 202131093A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
layer
chromium
less
atomic
Prior art date
Application number
TW109142576A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI801781B (zh
Inventor
松橋樹
Original Assignee
日商信越化學工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商信越化學工業股份有限公司 filed Critical 日商信越化學工業股份有限公司
Publication of TW202131093A publication Critical patent/TW202131093A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI801781B publication Critical patent/TWI801781B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G03F1/58—Absorbers, e.g. of opaque materials having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0332—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)

Abstract

本發明的課題為提供一種可達成良好之解析界限的空白光罩等。 本發明的解決手段為空白光罩，其係具有基板、與被加工膜、與自遠離基板之側起具有第1層、第2層、第3層及第4層之以含有鉻之材料構成的膜。第1層係鉻含有率為40原子%以下，氧含有率為38原子%以上，氮含有率為22原子%以下，且厚度為6nm以下。第2層係鉻含有率為38原子%以下，氧含有率為30原子%以上，氮含量18原子%以下，碳14原子%以下，且膜厚為22nm以上且32nm以下。第3層係鉻含有率為50原子%以下，氧含有率為30原子%以下，氮含量為20原子%以上，且膜厚為6nm以下。第4層係鉻含有率為44原子%以下，氧含有率為20原子%以上，氮含量20原子%以下，碳16原子%以下，且膜厚為13nm以上。

Description

空白光罩、光罩之製造方法及光罩
本發明係關於在半導體裝置等之製造所使用之空白光罩、使用其之光罩之製造方法及光罩。
近年來，伴隨半導體裝置的微細化，尤其是藉由大規模積體電路的高積體化，正尋求於投影曝光較高之圖型解析性。因此，在光罩，作為提昇轉印圖型的解析性之手法，開發了相位偏移遮罩。相位偏移法的原理係藉由通過光罩的開口部之透過光的相位，調整為相對於通過與開口部相鄰的部分之透過光的相位，以約反轉180度的方式進行，而使透過光相互干涉時，會減弱於境界部之光強度，作為其結果，係提昇轉印圖型的解析性及焦點深度者，使用此原理之光罩總稱為相位偏移遮罩。
相位偏移遮罩所使用之相位偏移空白遮罩，最一般的係於玻璃基板等之透明基板上，層合相位偏移膜，於相位偏移膜之上層合含有鉻(Cr)之膜的構造者。相位偏移膜通常對於曝光光，相位差為175～185度，透過率為6～30%左右，以含有鉬(Mo)與矽(Si)之膜形成者為主流。又，一般為含有鉻之膜與相位偏移膜結合，調整成所期望之光學濃度的膜厚，將含有鉻之膜作為遮光膜，並且成為用以蝕刻相位偏移膜之硬遮罩膜。
作為從此相位偏移空白遮罩，形成相位偏移遮罩的圖型之方法，更具體而言，係於相位偏移空白遮罩的含有鉻之膜上形成阻劑膜，並於此阻劑膜藉由光或電子束描繪圖型並進行顯影，形成阻劑圖型，並將此阻劑圖型作為蝕刻遮罩，蝕刻含有鉻之膜而形成圖型。進而，將此含有鉻之膜的圖型作為蝕刻遮罩，蝕刻相位偏移膜，形成相位偏移膜圖型，然後，去除阻劑圖型與含有鉻之膜的圖型。
於此，於較形成相位偏移膜圖型的電路圖型的部分更外側，殘存遮光膜，以結合相位偏移膜與遮光膜之光學濃度成為3以上的方式，成為相位偏移遮罩之外周緣部的遮光部(遮光膜圖型)來進行。此係因為使用晶圓曝光裝置，將電路圖型轉印在晶圓時，可防止不需要之曝光光漏光，而照射在與位於較電路圖型更外側之相鄰的晶片上之阻劑膜。作為形成這般的遮光膜圖型之方法，一般為形成相位偏移膜圖型，去除阻劑圖型後，新形成阻劑膜，並將藉由圖型描繪、顯影所形成之阻劑圖型作為蝕刻遮罩，蝕刻含有鉻之膜，來形成外周緣部的遮光膜圖型之方法。
於要求高精度之圖型形成的相位偏移遮罩，蝕刻以使用氣體電漿之乾式蝕刻為主流。於含有鉻之膜的乾式蝕刻，係使用：使用包含氧之氯系氣體之乾式蝕刻(氯系乾式蝕刻)，於含有鉬與矽之膜的乾式蝕刻，係使用：使用氟系氣體之乾式蝕刻(氟系乾式蝕刻)。尤其是於含有鉻之膜的乾式蝕刻，已知藉由成為混合相對於氯系氣體，為10～25體積%之氧氣的蝕刻氣體，提高化學的反應性，提昇蝕刻速度。
伴隨電路圖型的微細化，於相位偏移遮罩圖型亦尋求微細形成之技術。尤其是輔助相位偏移遮罩之主要圖型的解析性之線圖型的輔助圖型，有必要以使用晶圓曝光裝置，將電路圖型轉印在晶圓時，不會被轉印在晶圓的方式，形成較主要圖型更小。在於晶圓上之電路的線和空間圖型的間距為10nm之世代的相位偏移遮罩，尋求相位偏移遮罩上之線圖型的輔助圖型的線寬為40nm左右。
用以形成微細圖型之化學增幅型阻劑，已由基底樹脂、酸產生劑、界面活性劑等所成，由於可適用藉由曝光而產生之酸用作觸媒之多數反應，故可高感度化，使用化學增幅型阻劑，使得線寬為0.2μm以下之微細的相位偏移遮罩圖型等之遮罩圖型的形成變可能。惟，化學增幅阻劑於圖型寬變細時，藉由在顯影步驟之顯影液的碰撞，可能使微細圖型倒塌，而達到解析界限。
例如，於日本特開2014-197215號公報(專利文獻1)記載之方法，係由於形成微細之輔助圖型，藉由阻劑膜之薄膜化，已減低在顯影步驟之微細圖型的倒塌，於此方法，於蝕刻遮罩膜之含有鉻之膜中添加碳，使其成為蝕刻速度快速之膜。於使用阻劑膜之蝕刻，於含有鉻之膜的蝕刻中，與含有鉻之膜同時亦蝕刻阻劑膜，於含有鉻之膜的蝕刻中阻劑膜消失時，由於在含有鉻之膜的表層發生針孔，故於含有鉻之膜的蝕刻後，雖有必要殘留充分的阻劑膜，但日本特開2014-197215號公報記載之方法，由於含有鉻之膜的蝕刻速度快速，相對性快速結束含有鉻之膜的蝕刻，故可薄化阻劑膜者。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014-197215號公報 [專利文獻2]日本專利第2983020號公報
[發明欲解決之課題]
作為使光罩的解析性惡化之原因，除了上述之外，亦存在起因於鉻膜之問題。在鉻膜之乾式蝕刻步驟，藉由從孤立線圖型的厚度方向之中心附近，朝向基板方向，發生側邊蝕刻，製作從圖型中心附近朝向基板方向之線寬細，圖型上層之線寬粗的圖型。藉此，藉由鉻膜的一部分解離，作為乾式蝕刻含有下層之鉬與矽之膜時之遮罩無法發揮功能，而使解析界限惡化。光罩上之孤立線圖型的線寬較50nm更小時，除了在顯影步驟之圖型倒塌，在鉻膜之乾式蝕刻步驟的鉻膜之解離亦成為問題。又，於鉻膜之乾式蝕刻後，進行殘留在鉻膜上之阻劑剝離時，雖進行阻劑剝離洗淨，但此時如上述，從鉻膜之圖型中心附近朝向基板方向，細線寬細，且圖型上層之線寬粗之圖型時，藉由洗淨液的衝擊，圖型倒塌變容易，使解析界限惡化。
例如，於上述之日本特開2014-197215號公報(專利文獻1)記載之方法，可將含有鉻之膜的膜厚薄化至20nm以下形成，且可將鉻膜之組成定為氧化碳化氮化鉻，提昇蝕刻速度，快速結束鉻膜之乾式蝕刻，減低藉由蝕刻之阻劑膜減少，藉此，雖可進行阻劑膜之薄膜化，但此情況下，藉由鉻膜含有碳與氮，於孤立線圖型之中心附近發生較大的側邊蝕刻。藉此，瞭解到於鉻膜之乾式蝕刻中，鉻膜之一部分會解離，作為蝕刻下層相位偏移膜時之遮罩無法發揮功能，得不到充分之輔助圖型解析性。
又，於日本專利第2983020號公報(專利文獻2)記載之方法，作為層合在相位偏移膜上之金屬膜，將以含有鉻之材料構成的膜於厚度方向朝向透明基板，以使其成分變化的方式進行，依據從金屬膜表面側朝向透明基板側，作為階段性或連續性使蝕刻速度增快的構造，使得防止相位偏移膜上之金屬膜之金屬殘留變可能。此情況下，可將金屬膜定為多層構造，於與阻劑膜接觸側之較薄的最表層之下，亦可作為具有蝕刻速度快速之層的構造，該情況下，可薄膜化阻劑膜。惟，於此方法，金屬膜所包含之氮為增快蝕刻速度之成分，為了使乾式蝕刻速度增快，於金屬膜雖含有氮，但於這般的金屬膜，於含有鉻之膜之上塗佈阻劑時，有助於與阻劑膜的密著性之含有鉻之膜中之氧，於含有鉻之膜與阻劑膜的界面無法發揮功能，得不到充分之輔助圖型解析性。 又，此情況下，瞭解到已藉由氮增快蝕刻速度，發生側邊蝕刻，孤立圖型之鉻膜的一部分解離，作為蝕刻下層相位偏移膜時之遮罩無法發揮功能，得不到充分之輔助圖型解析性。
本發明係為了解決上述課題而完成者，以提供一種乾式蝕刻鉻膜時，藉由對於孤立線圖型，未發生較大之側邊蝕刻，鉻膜之一部分未解離，藉由乾式蝕刻步驟及之後的阻劑剝離洗淨步驟，未使解析性惡化，又，提高對於含有鉻之膜的阻劑膜之密著性，藉由顯影步驟，使孤立線圖型的解析性不惡化之在輔助相位偏移遮罩等之光罩的主要圖型的解析性之線圖型的輔助圖型的形成，可達成良好之解析界限的空白光罩、使用其之光罩之製造方法及光罩作為目的。 [用以解決課題之手段]
本發明者們為了解決上述課題，針對具備透明基板等之基板、與以含有鉻之材料構成的膜、與將和以含有鉻之材料構成的膜之基板側接觸而形成之被加工成以含有鉻之材料構成的膜之圖型作為蝕刻遮罩的被加工膜的空白光罩，進行努力研究的結果，知道對於含有鉻之膜的阻劑膜之密著性，在大量含有氧之含有氧與氮之膜為良好，進而知道藉由將遮光膜，亦即乾式蝕刻速度快速之氧氮碳化鉻膜不以單層，而是插入蝕刻速度緩慢之氧氮化鉻膜之間，自遠離基板之側起成為氧氮碳化鉻膜、氧氮化鉻膜、氧氮碳化鉻膜所謂的三層構造，在蝕刻步驟， 得到從孤立線圖型的厚度方向之中心附近朝向基板方向，抑制側邊蝕刻之矩形的圖型形狀， 而發現將以含有鉻之材料構成的膜定為自遠離基板之側起由第1層、第2層、第3層及第4層所構成之4層構成的層合膜，上述第1層、第2層、第3層及第4層皆含有鉻、氧、氮及碳之3種類以上的元素，上述第1層為鉻含有率為40原子%以下，氧含有率為38原子%以上，氮含有率為22原子%以下，且厚度為6nm以下， 上述第2層為鉻含有率為38原子%以下，氧含有率為30原子%以上，氮含量18原子%以下，碳14原子%以下，且膜厚為22nm以上且32nm以下， 上述第3層為鉻含有率為50原子%以下，氧含有率為30原子%以下，氮含量為20原子%以上，且膜厚為6nm以下， 上述第4層為鉻含有率為44原子%以下，氧含有率為20原子%以上，氮含量20原子%以下，碳16原子%以下，且膜厚為13nm以上為有效。
而且，發現這般的空白光罩，例如作為被加工膜，在形成以含有矽之材料構成的膜即相位偏移膜之相位偏移空白遮罩，或形成以含有鉭之材料構成的膜即吸收膜之反射型空白遮罩，藉由對於含有鉻之膜的阻劑膜之密著性高，且於對於含有鉻之膜的乾式蝕刻中，從孤立線圖型的厚度方向之中心附近，抑制基板方向所發生之側邊蝕刻，防止微小孤立線圖型的一部分消失，並藉由製造光罩之一般的方法，即使在製造光罩的情況下，在輔助光罩之主要圖型的解析性之線圖型的輔助圖型的形成，可達成良好之解析界限，而終至完成本發明。
據此，本發明作為一例，提供以下之空白光罩、光罩之製造方法及光罩。 1.一種空白光罩，其係具備： 基板、與 以含有鉻之材料構成的膜、與 將被設置成與以上述含有鉻之材料構成的膜之上述基板側接觸，並預定被加工成將以上述含有鉻之材料構成的膜之圖型作為蝕刻遮罩之被加工膜， 以上述含有鉻之材料構成的膜係自遠離上述基板之側起具有第1層、第2層、第3層及第4層， 上述第1層、第2層、第3層及第4層皆含有鉻、氧、氮及碳之3種類以上的元素， 上述第1層為鉻含有率為40原子%以下，氧含有率為38原子%以上，氮含有率為22原子%以下，且厚度為6nm以下， 上述第2層為鉻含有率為38原子%以下，氧含有率為30原子%以上，氮含量18原子%以下，碳14原子%以下，且膜厚為22nm以上且32nm以下， 上述第3層為鉻含有率為50原子%以下，氧含有率為30原子%以下，氮含量為20原子%以上，且膜厚為6nm以下， 上述第4層為鉻含有率為44原子%以下，氧含有率為20原子%以上，氮含量20原子%以下，碳16原子%以下，且膜厚為13nm以上。 2.一種空白光罩，其中，上述被加工膜為以含有矽之材料構成的膜。 3.一種空白光罩，其中，以上述含有鉻之材料構成的膜為遮光膜， 以上述含有矽之材料構成的膜為相位偏移膜， 為結合上述遮光膜與上述相位偏移膜之對於曝光光的光學濃度為3以上之相位偏移空白遮罩。 4.一種空白光罩，其中，以上述含有鉻之材料構成的膜之膜厚為39nm以上94nm以下。 5.一種空白光罩，其中，上述相位偏移膜對於曝光光之相位差為175度以上185度以下，透過率為6%以上30%以下，膜厚為60nm以上85nm以下。 6.一種空白光罩，其中，上述被加工膜係具有以含有鉭之材料構成的膜。 7.一種空白光罩，其中，以上述含有鉭之材料構成的膜為對於極端紫外線區域光之吸收膜， 上述被加工膜係具有被設置在與上述吸收膜之上述基板側接觸之對於極端紫外線區域之反射膜，且為反射型空白遮罩。 8.一種空白光罩，其係進一步具備與以上述含有鉻之材料構成的膜之遠離上述基板之側接觸，膜厚為50nm以上200nm以下之阻劑膜。 9.一種光罩之製造方法，其係從上述空白光罩，製造具有以含有矽之材料構成的膜之電路圖型的光罩之方法，其特徵為具備： (A)於以上述含有鉻之材料構成的膜之遠離上述基板之側，形成阻劑膜之步驟、與 (C)圖型化上述阻劑膜，形成阻劑圖型之步驟、與 (D)將上述阻劑圖型作為蝕刻遮罩，並將以上述含有鉻之材料構成的膜藉由使用包含氧之氯系氣體的乾式蝕刻進行圖型化，形成以含有鉻之材料構成的膜之圖型之步驟、與 (E)將以上述含有鉻之材料構成的膜之圖型作為蝕刻遮罩，並將以上述含有矽之材料構成的膜藉由使用氟系氣體之乾式蝕刻進行圖型化，形成以含有矽之材料構成的膜之圖型之步驟、與 (F)於上述(E)步驟之後，在位於未形成以上述含有矽之材料構成的膜之電路圖型的區域即上述基板之外周緣部的部分，殘留以含有鉻之材料構成的膜，並將上述外周緣部以外之以含有鉻之材料構成的膜之圖型藉由使用包含氧之氯系氣體的乾式蝕刻去除之步驟。 10.如請求項9之製造方法，其係於上述(A)步驟之後，且為上述(C)步驟之前，進一步具備： (B)將上述阻劑膜使用硫酸與過氧化氫水的混合液剝離，並與以上述含有鉻之材料構成的膜之遠離上述基板之側接觸，新形成阻劑膜之步驟。 11.一種光罩，其係具備基板、與 被設置在前述基板，具有成為電路圖型之有效區域的被加工膜，其特徵為： 在位於前述有效區域之周緣外方的外周緣部，與上述被加工膜接觸地設置以含有鉻之材料構成的膜，以含有該鉻之材料構成的膜係自遠離上述基板之側起具有第1層、第2層、第3層及第4層， 上述第1層、第2層、第3層及第4層皆含有鉻、氧、氮及碳之3種類以上的元素， 上述第1層為鉻含有率為40原子%以下，氧含有率為38原子%以上，氮含有率為22原子%以下，且厚度為6nm以下， 上述第2層為鉻含有率為38原子%以下，氧含有率為30原子%以上，氮含量18原子%以下，碳14原子%以下，且膜厚為22nm以上且32nm以下， 上述第3層為鉻含有率為50原子%以下，氧含有率為30原子%以下，氮含量為20原子%以上，且膜厚為6nm以下， 上述第4層為鉻含有率為44原子%以下，氧含有率為20原子%以上，氮含量20原子%以下，碳16原子%以下，且膜厚為13nm以上。 12.一種光罩，其中，前述被加工膜為以含有矽之材料構成的膜， 以上述含有鉻之材料構成的膜為遮光膜， 以上述包含矽之材料構成之膜為相位偏移膜， 為結合上述遮光膜與上述相位偏移膜之對於曝光光的光學濃度為3以上之相位偏移遮罩。 13.一種光罩，其中，以上述含有鉻之材料構成的膜之膜厚為39nm以上94nm以下。 14.一種光罩，其中，上述相位偏移膜對於曝光光之相位差為175度以上185度以下，透過率為6%以上30%以下，膜厚為60nm以上85nm以下。 [發明效果]
本發明之空白光罩，即使在提高對於含有鉻之膜的阻劑膜之密著性，且未使用特殊之顯影製程或特殊之乾式蝕刻製程，藉由製造光罩之一般的方法製造光罩的情況下，也抑制藉由在顯影步驟之顯影液的碰撞等而使得微細之線圖型倒塌，進而，藉由將含有鉻之膜在乾式蝕刻步驟，從孤立線圖型的厚度方向之中心附近，於基板方向不輸入較大之側邊蝕刻，而可形成矩形形狀之孤立線圖型，在乾式蝕刻步驟，藉由抑制藉由圖型形狀變成不安定而導致含有鉻之膜的一部分消失，在輔助光罩之主要圖型的解析性之線圖型的輔助圖型的形成，可達成良好之解析界限。
以下，針對本實施的形態進行說明。 本實施之形態的空白光罩作為一例，其係具備基板、與以含有鉻之材料構成的膜、與和以含有鉻之材料構成的膜之基板側接觸所形成之被加工成以含有鉻之材料構成的膜之圖型作為蝕刻遮罩的被加工膜。亦即，本實施之形態的空白光罩係於基板上，從基板側，具有被加工膜、與以含有鉻之材料構成的膜。以含有鉻之材料構成的膜係與被加工膜接觸而形成。在本實施的形態，以含有鉻之材料構成的膜係自遠離基板之側起由第1層、第2層、第3層及第4層所構成之4層構成的層合膜。尚，以含有鉻之材料構成的膜可由4層以上所構成，例如，由5層或6層所構成。
從本實施之形態的空白光罩，可於基板上製造具有以含有矽之材料構成的膜、以含有鉭之材料構成的膜等之被加工膜的電路圖型的光罩。尤其是可從此空白光罩，光罩上之以含有矽之材料構成的膜當中，於位在未形成電路圖型的區域(亦即，形成電路圖型的區域(有效區域)外)即位在基板的外周緣部的部分，製造與以含有矽之材料構成的膜接觸，形成以含有鉻之材料構成的膜的光罩。
作為基板，於基板的種類或基板尺寸並未特別限制，在反射型之空白光罩及光罩，於作為曝光波長使用之波長不一定必須透明。在透過型之空白光罩及光罩，適用於作為曝光波長使用之波長為透明之石英基板等之透明基板，例如，適合在SEMI規格所規定之6英寸平方、厚度0.25英寸被稱為6025基板之基板。6025基板使用SI單位系時，通常表記為152mm平方、厚度6.35mm之基板。
被加工膜為以含有矽之材料構成的膜時，作為以含有矽之材料構成的膜，適合透過型的光罩所使用之遮光膜、抗反射膜、半色調相位偏移膜等之相位偏移膜等之光學膜。
以含有矽之材料構成的膜為相位偏移膜(例如半色調相位偏移膜)時，空白光罩為相位偏移空白遮罩(半色調相位偏移空白遮罩)，從相位偏移空白遮罩，製造相位偏移遮罩(例如半色調相位偏移遮罩)。
可從此相位偏移空白遮罩，製造於透明基板上，具有包含電路圖型(光罩圖型)之相位偏移膜的圖型之相位偏移遮罩。又，可從此相位偏移空白遮罩，相位偏移遮罩上之相位偏移膜當中，於位在未形成電路圖型的區域即位在透明基板的外周緣部的部分，製造與相位偏移膜接觸，形成以含有鉻之材料構成的膜的相位偏移遮罩。此以含有鉻之材料構成的膜較佳為遮光膜，從相位偏移空白遮罩，製造相位偏移遮罩時，使作為在相位偏移膜之蝕刻的蝕刻遮罩之硬遮罩膜的一部分殘存，可作為遮光膜。
相位偏移膜對於曝光光的相位差較佳為175度以上185度以下。又，相位偏移膜對於曝光光之透過率，較佳為因應曝光條件之相位偏移效果而生的轉印圖型的解析性及焦點深度的效果高之6%以上30%以下。相位偏移膜的膜厚從將相位差與透過率定為指定的範圍內的觀點來看，較佳為60nm以上85nm以下。
以下，針對有關本實施之形態的實施形態的空白光罩及光罩的構造、以及從空白光罩製造光罩之方法，參照圖面進行說明。針對相同之構成要素，附上相同之參照符號，有省略重複之說明的情況。又，圖面為了方便，有擴張顯示的情況，各構成要素的尺寸比率等並非一定與實際相同。
圖1係表示本實施之形態的空白光罩的第1態樣之一例的剖面圖。此空白光罩為相位偏移空白遮罩。此相位偏移空白遮罩511係具有於透明基板1上，與透明基板1接觸而形成之以含有矽之材料構成的膜即相位偏移膜(被加工膜)21、與和相位偏移膜21接觸而形成之以含有鉻之材料構成的膜即硬遮罩膜31。硬遮罩膜31係自遠離透明基板1之側起由第1層311、第2層312、第3層313及第4層314所構成。
圖2係表示本實施之形態的光罩的第1態樣之一例的剖面圖。此光罩為相位偏移遮罩。此相位偏移遮罩513已具有於透明基板1上，與透明基板1接觸而形成之以含有矽之材料構成的膜即相位偏移膜圖型21a、與於位在未形成電路圖型的區域即位在透明基板1之外周緣部的部分，與相位偏移膜圖型21a接觸而形成之以含有鉻之材料構成的膜即遮光膜圖型31b，於有效區域5內形成有電路圖型。遮光膜圖型31b係自遠離透明基板1之側起由第1層311、第2層312、第3層313及第4層314所構成。從圖1所示之相位偏移空白遮罩511，可製造圖2所示之相位偏移遮罩513。
以含有矽之材料構成的膜可為單層膜，亦可為多層膜(例如以2～4層構成之膜)，又，亦可為具有傾斜組成之膜。含有矽之材料較佳為對於氯系乾式蝕刻具有耐性，且可用氟系乾式蝕刻去除之材料。在本實施的形態，作為氟系乾式蝕刻，通常而言，可列舉藉由CF4 氣體或SF6 氣體等之包含氟之蝕刻氣體的乾式蝕刻，作為氯系乾式蝕刻，通常而言，可列舉藉由Cl2 氣體與O2 氣體的混合氣體等之包含氯與氧的蝕刻氣體之乾式蝕刻。作為含有矽之材料，較佳為含有矽，且未含有過渡金屬之材料，或含有鉻以外之過渡金屬(Me)與矽，且未含有鉻之材料。
作為含有矽，且未含有過渡金屬之膜的材料，若為矽單質(Si)，或含有矽(Si)、與選自氧(O)、氮(N)及碳(C)中之1種以上的矽化合物即可。作為這般者，可列舉由矽所構成之材料(Si)、由矽與氧所構成之材料(SiO)、由矽與氮所構成之材料(SiN)、由矽與氧與氮所構成之材料(SiON)、由矽與碳所構成之材料(SiC)、由矽與氧與碳所構成之材料(SiOC)、由矽與氮與碳所構成之材料(SiNC)、由矽與氧與氮與碳所構成之材料(SiONC)等。
另一方面，作為含有鉻以外之過渡金屬(Me)與矽，且未含有鉻之膜的材料，若為含有過渡金屬(Me)、與矽(Si)之過渡金屬(Me)矽化合物，或過渡金屬(Me)、與含有矽(Si)、與選自氧(O)、氮(N)及碳(C)中之1種以上的過渡金屬(Me)矽化合物即可。作為這般者，可列舉由過渡金屬與矽所構成之材料(MeSi)、由過渡金屬與矽與氧所構成之材料(MeSiO)、由過渡金屬與矽與氮所構成之材料(MeSiN)、由過渡金屬與矽與氧與氮所構成之材料(MeSiON)、由過渡金屬與矽與碳所構成之材料(MeSiC)、由過渡金屬與矽與氧與碳所構成之材料(MeSiOC)、由過渡金屬與矽與氮與碳所構成之材料(MeSiNC)、由過渡金屬與矽與氧與氮與碳所構成之材料(MeSiONC)等。
於此，作為鉻以外之過渡金屬(Me)，選自鉬(Mo)、鎢(W)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鋯(Zr)及鉿(Hf)中之1種或2種以上為適合，尤其是從乾式蝕刻加工性的點來看，較佳為鉬(Mo)。尚，以含有矽之材料構成的膜之材料可包含氫等。
另一方面，被加工膜為以含有鉭之材料構成的膜時，作為以含有鉭之材料構成的膜，適合為反射型的光罩所使用之吸收膜等之光學膜。此情況下，反射型之空白光罩及光罩具有與吸收膜之基板側接觸而形成之反射膜。此情況下，吸收膜與反射膜可分別作為對於極端紫外線區域光之吸收膜、與對於極端紫外線區域光之反射膜。極端紫外線區域之光的波長通常為13～14nm。又，反射膜較佳為以多層構成之多層反射膜。
以含有鉭之材料構成的膜為吸收膜時，空白光罩為反射型之空白光罩(反射型空白遮罩)，從反射型之空白光罩，製造反射型之光罩(反射型遮罩)。
從反射型空白遮罩，可製造於基板上具有包含電路圖型(光罩圖型)之吸收膜的圖型之反射型遮罩。吸收膜的膜厚以50nm以上，尤其是以60nm以上較佳，以110nm以下，尤其是以100nm以下較佳。另一方面，反射膜的膜厚以200nm以上，尤其是以220nm以上較佳，以340nm以下，尤其是以280nm以下較佳。
圖3係表示本實施之形態的空白光罩的第2態樣之一例的剖面圖。此空白光罩為反射型空白遮罩。此反射型空白遮罩521係具有於基板1上與基板1接觸而形成之反射膜22、與反射膜22接觸而形成之以含有鉭之材料構成的膜即吸收膜(被加工膜)23、與和吸收膜23接觸而形成之以含有鉻之材料構成的膜即硬遮罩膜31。又，硬遮罩膜31係自遠離基板1之側起由第1層311、第2層312、第3層313及第4層314所構成。
圖4係表示本實施之形態的光罩的第2態樣之一例的剖面圖。此光罩為反射型遮罩。此反射型遮罩523係形成於基板1上與基板1接觸而形成之反射膜22、與反射膜22接觸而形成之以含有鉭之材料構成的膜即吸收膜圖型23a。可從圖3所示之反射型空白遮罩521，製造圖4所示之反射型遮罩523。
以含有鉭之材料構成的膜可為單層膜，亦可為多層膜(例如以2～4層構成之膜)，又，亦可為具有傾斜組成之膜。含有鉭之材料，較佳為可用將僅氯系氣體(例如Cl2 氣體等)，或氯系氣體(例如Cl2 氣體等)與氟系氣體(例如CF4 氣體或SF6 氣體等)的混合氣體作為蝕刻氣體使用之乾式蝕刻去除之材料。作為含有鉭之材料，例如可列舉鉭單質(Ta)，或含有鉭(Ta)、與選自氧(O)、氮(N)、硼(B)等中之1種以上的鉭化合物等。作為這般者，可列舉由鉭所構成之材料(Ta)、由鉭與氧所構成之材料(TaO)、由鉭與氮所構成之材料(TaN)、由鉭與硼所構成之材料(TaB)、由鉭與硼與氧所構成之(TaBO)、由鉭與硼與氮所構成之(TaBN)等。
另一方面，構成反射膜之材料較佳為對於氯系乾式蝕刻具有耐性，且可用氟系乾式蝕刻去除之材料。作為構成反射膜之材料，可列舉鉬(Mo)、矽(Si)等，一般而言，係使用鉬層與矽層交互層合成20～60層左右的多層膜。又，於反射膜與吸收膜之間，可形成用以保護反射膜之保護膜。保護膜之膜厚較佳為2nm以上20nm以下。作為構成保護膜之材料，可列舉釕(Ru)等。
在本實施的形態，以含有鉻之材料構成的膜雖為自遠離基板之側起由第1層、第2層、第3層及第4層所構成之4層構成的層合膜，但此等第1層、第2層、第3層及第4層可以第1層及第3層分別含有鉻、氧及氮之材料、第2層及第4層以含有鉻、氧、氮及碳之材料構成。含有鉻之材料較佳為對於氟系乾式蝕刻具有耐性，且可用氯系乾式蝕刻去除之材料。第1層及第3層之含有鉻、氧及氮的材料較佳為未含有矽。作為第1層及第3層之含有鉻、氧及氮的材料，適合為由鉻(Cr)與氧(O)與氮(N)所構成之材料(CrON)。另一方面，第2層及第4層之含有鉻、氧、氮及碳的材料，亦以未含有矽較佳。作為第2層及第4層之含有鉻、氧、氮及碳的材料，適合為由鉻(Cr)與氧(O)與氮(N)與碳(C)所構成之材料(CrONC)。
作為以含有鉻之材料構成的膜，適合為透過型之光罩遮罩的遮光膜、抗反射膜等之光學膜，或作為蝕刻與以含有鉻之材料構成的膜接觸之以含有矽之材料構成的膜時之蝕刻遮罩發揮功能之硬遮罩膜。以含有鉻之材料構成的膜為遮光膜時，可將個別之層從遮光層及抗反射層選擇，例如可將第1層作為抗反射層構成，將第2層及第4層作為遮光層構成，將第3層作為抗反射層構成。作為以含有鉻之材料構成的膜，適合為尤其是蝕刻以含有矽之材料構成的膜時作為硬遮罩膜發揮功能，然後，在以含有矽之材料構成的膜上之一部分殘存者，具體而言，適合為作為光罩時，於位在未形成以含有矽之材料構成的膜之電路圖型的區域即基板的外周緣部的部分，使以含有鉻之材料構成的膜殘存，來作為遮光膜者。
又，作為以含有鉻之材料構成的膜，適合為反射型之光罩的吸收膜等之光學膜，或蝕刻與以含有鉻之材料構成的膜接觸之以含有鉭之材料構成的膜時，作為蝕刻遮罩發揮功能之硬遮罩膜。
在本實施之形態的以含有鉻之材料構成的膜，遠離基板之側的層即第1層(上層)的組成，例如鉻含有率為40原子%以下，氧含有率為38原子%以上，氮含有率為22原子%以下。 第1層之鉻含有率較佳為36原子%以下，又，以30原子%以上，尤其是以32原子%以上較佳。第1層之氧含有率較佳為48原子%以上，又，以60原子%以下，尤其是以55原子%以下較佳。第1層之氮含有率較佳為17原子%以下，又，以5原子%以上，尤其是以10原子%以上較佳。第1層的厚度定為6nm以下。第1層的厚度較佳為2nm以上。
第1層係從空白光罩製造光罩時，與洗淨液直接接觸之層，且為與阻劑膜接觸之層，在使用光罩之曝光，於以含有鉻之材料構成的膜當中，位在入射曝光光，自遠離基板之側的層。因此，於第1層尋求對於洗淨液之化學的耐性高、與阻劑膜的密著性高，且又難以反射曝光光。
氧氮化鉻(CrON)與氧化鉻(CrO)相比較，於硫酸與過氧化氫水之混合液或氨添加水(氨添加過氧化氫水、APM)等未溶解，可安定光學特性並保持。又，氧氮化鉻(CrON)與氮化鉻(CrN)相比較，對於曝光光之反射率低，且於使用光罩之曝光時(光罩圖型之轉印時)，可抑制將曝光光反射在被轉印物。因此，對將以含有鉻之材料構成的膜作為遮光膜的情況為有利。進而，氧氮化鉻(CrON)係與阻劑膜的密著性良好，又，氧化鉻(CrO)與氮化鉻(CrN)相比較，即使從以含有鉻之材料構成的膜，將阻劑膜使用硫酸與過氧化氫水之混合液進行剝離，由於於表面難以殘留硫酸離子，故即使再次形成阻劑膜，與阻劑膜的密著性亦難以惡化。從這般的觀點來看，將第1層以含有鉻、氧及氮之材料構成，成為氧含有率為比較高之富氧的組成即成為上述之指定的組成為有利。
又，由於第1層與第2層接觸，故第1層較薄者於第1層之形成時，由於受到氧含有率比較高之組成即第2層中之氧的影響，故容易將第1層定為上述之氧含有率高，且氮含有率低之組成。因此，從此觀點來看，將第1層之厚定為6nm以下為有利。
在本實施之形態的以含有鉻之材料構成的膜，挾在第1層與第3層之層即第2層之組成，例如，鉻含有率為38原子%以下，氧含有率為30原子%以上，氮含量18原子%以下，碳14原子%以下，且膜厚為22nm以上且32nm以下。第2層之鉻含有率較佳為36原子%以下，又，以30原子%以上，尤其是以32原子%以上較佳。 第2層之氧含有率較佳為34原子%以上，又，以42原子%以下，尤其是以39原子%以下較佳。第2層之氮含有率較佳為17原子%以下，又，以10原子%以上，尤其是以12原子%以上較佳。第2層之碳含有率較佳為12原子%以下，又，以5原子%以上，尤其是以8原子%以上較佳。第2層的厚度較佳為24nm以上，較佳為30nm以下。
以含有鉻之材料構成的膜之氯系乾式蝕刻中，為了輔助藉由微小之空間圖型之電漿的加工，有必要從膜充分供給氧，因此，將第2層定為氧含有率比較高之膜。又，為了提昇蝕刻速度，故具有如第2層含有碳，且膜密度低下之碳化鉻(CrC)的性質為有效。又，為了提昇蝕刻速度，有必要氧含有率為比較高。從此等之觀點來看，將第2層定為以與氧一起含有碳之材料構成，且氧含有率比較高之上述指定的組成。
又，由於於第1層，有如上述之制約，於第3層有如後述之制約，作為以含有鉻之材料構成的膜全體，有必要確保更高之光學濃度時，成為藉由第2層或第4層補充光學濃度。從此觀點來看，將第2層的厚度定為22nm以上為有利。
在本實施之形態的以含有鉻之材料構成的膜，基板側之層即第3層之組成，例如鉻含有率為50原子%以下，氧含有率為30原子%以下，氮含有率為20原子%以上。 第3層之鉻含有率較佳為46原子%以下，又，以30原子%以上，尤其是以35原子%以上較佳。第3層之氧含有率較佳為26原子%以下，又，以10原子%以上，尤其是以18原子%以上較佳。第3層之氮含有率較佳為24原子%以上，又，以32原子%以下，尤其是以30原子%以下較佳。第3層的厚度較佳為4nm以下，又，較佳為2nm以上。
以含有鉻之材料構成的膜係於其表面形成阻劑膜。以含有鉻之材料構成的膜之片電阻(sheet resistance)高的情況下，對阻劑膜使用電子束，描繪圖型時，藉由電子束，以含有鉻之材料構成的膜之表層部會帶電，導致電子束之照射位置偏移，有電子束無法照射在指定的位置的情況。該情況下，無法於指定的位置形成圖型，其結果，由於製造之裝置的電路並未正確形成，成為裝置故障的原因。因此，以含有鉻之材料構成的膜之片電阻較佳為低。第1層從上述之理由來看，雖成為以含有鉻、氧及氮之材料構成，且氧含有率為比較高之富氧的組成，但氧化鉻(CrO)與氮化鉻(CrN)相比較，片電阻高，且富氧之組成的氧氮化鉻(CrON)即第1層成為片電阻比較高。又，第2層從上述之理由來看，雖成為以含有鉻、氧、氮及碳之材料構成，且氧含有率為比較高之組成，但氧氮碳化鉻(CrONC)即第2層，亦成為片電阻比較高。據此，從以含有鉻之材料構成的膜全體之片電阻的觀點來看，設置與第2層接觸之第3層，將第3層成為以含有鉻、氧及氮之材料構成，且氮含有率為比較高之組成即成為上述指定的組成為有利。
又，第3層與第1層及第2層相比較，氮含有率雖相應地為高組成，但氮化鉻(CrN)與氧化鉻(CrO)相比較，在氯系乾式蝕刻之蝕刻速度低，且氮含有率為比較高之組成的氧氮化鉻(CrON)即第3層，蝕刻速度為比較低。在以含有鉻之材料構成的膜之蝕刻耗費時間越長，有必要增厚阻劑膜，阻劑膜越厚，線圖型尤其是線圖型之輔助圖型的解析性惡化。如此，從縮短第2層之蝕刻時間的觀點來看，較佳為第3層的厚度為4nm以下，藉由如此進行，相對地，可薄化形成在以含有鉻之材料構成的膜之上的阻劑膜的膜厚。
以含有鉻之材料構成的膜之片電阻係結合第1層、第2層、第3層之片電阻，較佳為結合第1層、第2層、第3層及第4層之片電阻，以350kΩ/□以下，尤其是以250kΩ/□以下較佳，藉由第1層、第2層及第3層之上述的特徵，可成為具有這般的片電阻之以含有鉻之材料構成的膜。第1層及第2層即使為片電阻高之膜，藉由插入第3層，可減低膜全體之片電阻。 又，第3層由於與第1層及第2層接觸，第1層與第2層之合計較薄者，於第1層及第2層之形成時，由於受到導電性高之第3層的影響，故容易將第1層及第2層成為導電性低之組成。因此，從此觀點來看，將第2層的厚度定為32nm以下為有利。
又，作為一例，如後述配置與第3層相鄰，蝕刻速度快速之第4層。蝕刻含有鉻之材料時，為蝕刻速度快速且厚的膜時，於膜之中心附近發生大的側邊蝕刻。藉此，在乾式蝕刻步驟，藉由從孤立線圖型的厚度方向之中心附近，至基板方向的線寬，係從孤立線圖型的厚度方向之中心附近，相對於對自遠離基板之方向的線寬縮小，圖型形狀變不安定，使得含有鉻之膜的一部分消失。因此，藉由於蝕刻速度快速之第2膜與第4膜之間，插入蝕刻速度比較緩慢之第3膜，變成可將蝕刻速度快速之厚膜分成二個蝕刻速度快速且薄的膜。藉此，可減低側邊蝕刻量，可形成更矩形形狀的孤立線圖型。在乾式蝕刻步驟，藉由抑制因圖型形狀成為不安定導致之含有鉻之膜的一部分消失，在輔助光罩之主要圖型的解析性之線圖型之輔助圖型的形成，可達成良好之解析界限。
在本實施之形態的以含有鉻之材料構成的膜，基板側之層即第4層的組成，作為一例，係鉻含量為44原子%以下，氧含有率為20原子%以上，氮含量20原子%以下，碳16原子%以下，且膜厚為13nm以上。 第4層之鉻含有率較佳為36原子%以下，又，以30原子%以上，尤其是以32原子%以上較佳。第4層之氧含有率較佳為30原子%以上，又，以42原子%以下，尤其是以38原子%以下較佳。第4層之氮含有率較佳為18原子%以下，又，以10原子%以上，尤其是以12原子%以上較佳。第4層之碳含有率較佳為15原子%以下，又，以6原子%以上，尤其是以9原子%以上較佳。第4層的厚度較佳為14nm以上，又，以50nm以下，尤其是以40nm以下較佳。
以含有鉻之材料構成的膜之氯系乾式蝕刻中，為了輔助藉由微小之空間圖型之電漿的加工，有必要從膜充分供給氧，因此，將第4層定為氧含有率比較高之膜。又，為了提昇蝕刻速度，故具有如第4層含有碳，且膜密度低下之碳化鉻(CrC)的性質為有效。又，為了提昇蝕刻速度，有必要氧含有率為比較高。從此等之觀點來看，將第4層定為以與氧一起含有碳之材料構成，且氧含有率為比較高之上述指定的組成為有效。
又，由於於第4層，有如上述之制約，於第1層、第2層及第3層有如後述之制約，作為以含有鉻之材料構成的膜全體，有必要確保更高之光學濃度時，成為藉由第2層或第4層補充光學濃度。從此觀點來看，將第4層的厚度定為13nm以上。
以含有鉻之材料構成的膜為遮光膜時，尤其是作為光罩時，於位在未形成以含有矽之材料構成的膜之電路圖型的區域即位在基板的外周緣部的部分，為作為遮光膜殘存者時，結合相位偏移膜即以含有矽之材料構成的膜、與遮光膜之光學濃度(OD)，對於曝光光，例如波長250nm以下之光，尤其是ArF準分子雷射(193nm)、F2 雷射(波長157nm)等之波長200nm以下之光，雖設定在超過2.0，尤其是2.5以上，但通常以3以上較佳。例如，以含有矽之材料構成的膜為對於曝光光之透過率為6%以上30%以下(光學濃度為0.53以上1.22以下)之相位偏移膜時，將結合相位偏移膜與遮光膜之光學濃度定為3以上，雖有必要對於以含有鉻之材料構成的膜(第1層、第2層、第3層及第4層的合計)之曝光光的光學濃度為1.78以上，但藉由第1層、第2層、第3層及第4層之上述的特徵，可成為具有這般的光學濃度之以含有鉻之材料構成的膜。尚，對於以含有鉻之材料構成的膜(第1層、第2層、第3層及第4層的合計)之曝光光的光學濃度的上限通常為3.2以下。
以含有鉻之材料構成的膜之膜厚(第1層、第2層、第3層及第4層之合計的厚度)以39nm以上，尤其是以48nm以上較佳，以94nm以下，尤其是以85nm以下較佳。尤其是以含有鉻之材料構成的膜作為光罩時，於位在未形成以含有矽之材料構成的膜之電路圖型的區域即位在基板的外周緣部的部分，為作為遮光膜殘存者時，以含有鉻之材料構成的膜之膜厚較佳為48nm以上，較佳為85nm以下。
即使在第1層及第3層之任一層，若為少量，雖可含有碳，但碳的含有率以未滿5原子%，尤其是以3原子%以下，特別是以2原子%以下較佳，更佳為未含有碳。作為第1層及第3層之含有鉻、氧、氮及碳的材料，可列舉由鉻(Cr)與氧(O)與氮(N)與碳(C)所構成之材料(CrONC)。
本實施之形態的空白光罩，可進一步為與以含有鉻之材料構成的膜之自遠離基板之側接觸，具有阻劑膜者。阻劑膜可為以電子束描繪之電子束阻劑，亦可為以光描繪之光阻，尤其是以化學增幅型阻劑較佳。化學增幅型阻劑可為正型亦可為負型，例如可列舉含有羥基苯乙烯系之樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂等之基底樹脂、與酸產生劑，且如有必要添加交聯劑、淬滅劑、界面活性劑等者。阻劑膜的膜厚於微細圖型形成時，在顯影步驟或顯影後之清洗步驟，從使阻劑圖型不倒塌的觀點來看，以50nm以上，尤其是以70nm以上，且為200nm以下，尤其是以150nm以下較佳。
圖5係表示本實施之形態的空白光罩的第1態樣之其他例的剖面圖。此空白光罩為相位偏移空白遮罩。此相位偏移空白遮罩512係與圖1所示之空白光罩的硬遮罩膜31接觸，形成阻劑膜4。從圖5所示之相位偏移空白遮罩512，亦可製造圖2所示之相位偏移遮罩513。
另一方面，圖6係表示本實施之形態的空白光罩的第2態樣之其他例之剖面圖。此空白光罩為反射型空白遮罩。此反射型空白遮罩522係與圖3所示之空白光罩的硬遮罩膜31接觸，形成阻劑膜4。從圖6所示之反射型空白遮罩522，亦可製造圖4所示之反射型遮罩523。
本實施之形態的以含有鉻之材料構成的膜、以含有矽之材料構成的膜、以含有鉭之材料構成的膜及反射膜的形成，雖並非被特別限定者，但由於控制性良好，且容易形成具有指定特性的膜，故較佳為藉由濺鍍法之形成。濺鍍方式可適用DC濺鍍、RF濺鍍等，並未特別限制。
作為以含有鉻之材料構成的膜，形成含有鉻且未含有矽之膜時，作為濺鍍靶材，可使用鉻靶材。另一方面，作為以含有矽之材料構成的膜，形成含有矽，且未含有過渡金屬之膜時，作為濺鍍靶材，可使用矽(Si)靶材。又，作為以含有矽之材料構成的膜，形成含有鉻以外之過渡金屬(Me)與矽，且未含有鉻之膜時，作為濺鍍靶材，可使用含有鉻以外之過渡金屬(Me)與矽之靶材。此情況下，亦可使用矽(Si)靶材、與鉻以外之過渡金屬(Me)靶材，複數使用含有鉻以外之過渡金屬(Me)與矽，組成不同之(構成元素的一部分或是全部不同，或構成元素雖相同但該等之濃度不同)靶材，或亦可使用矽(Si)靶材或鉻以外之過渡金屬(Me)靶材、與含有鉻以外之過渡金屬(Me)與矽的靶材，來進行共濺鍍。又，為形成以含有鉭之材料構成的膜時，作為濺鍍靶材，可使用由鉭(Ta)靶材、由鉭與硼所構成之(TaB)靶材等。進而，形成反射膜時，通常使用鉬(Mo)靶材、矽(Si)靶材，形成保護膜時，通常使用釕(Ru)靶材。
濺鍍靶材所投入之電力若藉由濺鍍靶材的大小、冷卻效率、膜形成之控制的容易性等適當設定即可，通常作為濺鍍靶材之濺鍍面每一單位面積之電力，若定為0.1～10W/cm2 即可。
形成僅矽或僅由矽及過渡金屬所構成之材料之膜時，作為濺鍍氣體，僅使用氦氣(He)、氖氣(Ne)、氬氣(Ar)等之稀有氣體。另一方面，形成包含氧、氮或碳之材料之膜時，濺鍍較佳為反應性濺鍍。作為濺鍍氣體，係使用氦氣(He)、氖氣(Ne)、氬氣(Ar)等之稀有氣體、與反應性氣體。例如，形成包含氧之材料之膜時，作為反應性氣體，形成包含氧氣(O2 氣體)、氮之材料的膜時，作為反應性氣體，若使用氮氣(N2 氣體)即可。又，形成包含氮與氧雙方之材料的膜時，作為反應性氣體，可同時使用氧氣(O2 氣體)與氮氣(N2 氣體)，亦可使用一氧化氮氣體(NO氣體)、二氧化氮氣體(NO2 氣體)、氧化亞氮氣體(N2 O氣體)等之氧化氮氣體。形成包含碳之材料的膜時，作為反應性氣體，若使用甲烷氣體(CH4 )、一氧化碳氣體(CO氣體)、二氧化碳氣體(CO2 氣體)等之包含碳之氣體即可。
膜形成時之壓力若考量膜應力、耐藥品性、洗淨耐性等適當設定即可，通常藉由定為0.01Pa以上，尤其是0.03Pa以上，且為1Pa以下，尤其是0.3Pa以下，提昇耐藥品性。又，各氣體流量若以成為所期望的組成的方式適當設定即可，通常若定為0.1～100sccm即可。
在空白光罩之製造過程，可於基板或於基板及基板上所形成之膜，實施熱處理。熱處理之方法可適用紅外線加熱、電阻加熱等，處理的條件亦並未特別限制。熱處理例如可於包含氧之氣體環境實施。包含氧之氣體的濃度並未特別限制，例如為氧氣(O2 氣體)時，可定為1～100體積%。熱處理的溫度以成為200℃以上，尤其是以400℃以上較佳。又，在空白光罩之製造過程，於基板上所形成之膜，尤其是以含有鉻之材料構成的膜，可實施臭氧處理或電漿處理等，處理的條件亦並未特別限制。任何之處理皆可以增加膜之表面部的氧濃度為目的來實施，該情況下，以成為指定的氧濃度的方式，適當調整處理條件即可。尚，將膜以濺鍍形成時，藉由調整濺鍍氣體中之稀有氣體、與氧氣(O2 氣體)、一氧化碳氣體(CO氣體)、二氧化碳氣體(CO2 氣體)等之包含氧之氣體(氧化性氣體)的比率，亦可增加膜之表面部的氧濃度。
在空白光罩之製造過程，為了去除存在於基板或基板上所形成之膜的表面上之粒子，可實施洗淨處理。洗淨可使用超純水，及包含臭氧氣體、氫氣體等之超純水即機能水之一者或雙方來實施。又，以包含界面活性劑之超純水洗淨後，可使用超純水及機能水之一者或雙方進一步洗淨。洗淨如有必要可一邊照射超音波一邊實施，進而，亦可組合UV光照射。
於本實施之形態的空白光罩形成阻劑膜時，阻劑膜之塗佈方法並未特別限定，可適用公知之手法。
可從本實施之形態的空白光罩，製造光罩。圖7至圖9係用以說明從本實施之形態的第1態樣之相位偏移空白遮罩，製造相位偏移遮罩之步驟的剖面圖。此情況下，首先，如圖7(a)所示，與以含有鉻之材料構成的膜(硬遮罩膜31)之遠離透明基板1之側接觸，形成阻劑膜(膜厚較佳為50nm以上200nm以下)4之((A)步驟)。接著，如圖7(b)所示，圖型化阻劑膜4，形成阻劑圖型41之((C)步驟)。尚，於此(A)步驟之後，於(C)步驟之前，可使用將阻劑膜4使用硫酸與過氧化氫水的混合液進行剝離，形成新的阻劑膜4之步驟((B)步驟)。
接著，如圖7(c)所示，將阻劑圖型41作為蝕刻遮罩，並將由第1層311、第2層312、第3層313及第4層314所構成之以含有鉻之材料構成的膜(硬遮罩膜31)藉由氯系乾式蝕刻進行圖型化，形成以含有鉻之材料構成的膜之圖型(硬遮罩膜圖型31a)((D)步驟)。接著，如圖8(a)所示，將以含有鉻之材料構成的膜之圖型(硬遮罩膜圖型31a)作為蝕刻遮罩，並將以含有矽之材料構成的膜(相位偏移膜21)藉由氟系乾式蝕刻進行圖型化，形成以含有矽之材料構成的膜之圖型(相位偏移膜圖型21a)((E)步驟)。接著，如有必要藉由適當去除殘存之阻劑圖型41及以含有鉻之材料構成的膜之圖型(硬遮罩膜圖型31a)，可得到光罩(相位偏移遮罩)。
殘留未形成以含有矽之材料構成的膜之電路圖型的區域即透明基板的外周緣部的以含有鉻之材料構成的膜時，於(E)步驟之後，於位在未形成以含有矽之材料構成的膜之電路圖型的區域即位在透明基板的外周緣部的部分，殘留以含有鉻之材料構成的膜，將外周緣部以外之以含有鉻之材料構成的膜之圖型，藉由使用包含氧之氯系氣體的乾式蝕刻去除之((F)步驟)。此情況下，於(F)步驟，於(E)步驟之後，首先，如圖8(b)所示，去除殘存之阻劑圖型41。接著，如圖8(c)所示，於透明基板1及以含有鉻之材料構成的膜之圖型(硬遮罩膜圖型31a)之上，形成新的阻劑膜4。接著，如圖9(a)所示，於位在未形成以含有矽之材料構成的膜之電路圖型(相位偏移膜圖型21a)的區域即位在透明基板1的外周緣部的部分，以殘存阻劑膜4的方式，圖型化阻劑膜4，形成阻劑圖型41。接著，如圖9(b)所示，將阻劑圖型41作為蝕刻遮罩，以氯系乾式蝕刻，去除以電路圖型(遮罩圖型)形成區域內之包含鉻的材料構成的膜之圖型(硬遮罩膜圖型31a)。最後如圖9(c)所示，藉由去除殘存之阻劑圖型41，於有效區域5內，形成以含有矽之材料構成的膜之電路圖型(相位偏移膜圖型21a)，於位在未形成以含有矽之材料構成的膜之電路圖型的區域即位在透明基板的外周緣部的部分，可得到殘存遮光膜圖型31b之光罩(相位偏移遮罩)。
作為從本實施之形態的空白光罩，製造光罩之方法，於圖7至圖9，雖將從相位偏移空白遮罩，製造相位偏移遮罩之方法作為例進行說明，從反射型空白遮罩，製造反射型遮罩時，因應各個之膜的蝕刻特性，選擇蝕刻條件，並藉由以往公知之方法，形成吸收膜圖型，從具有反射膜與吸收膜之反射型空白遮罩，可製造具有反射膜、與吸收膜圖型之反射型遮罩。
本實施之形態的光罩係於被加工基板，在用以形成半間距50nm以下，較佳為30nm以下，更佳為20nm以下，再更佳為10nm以下的圖型之光微影，於被加工基板上所形成之光阻膜，以ArF準分子雷射(波長193nm)、F2 雷射(波長157nm)等之波長250nm以下，尤其是以波長200nm以下的曝光光，或將波長13～14nm之極端紫外線區域光作為曝光光，在轉印圖型之曝光特別有效。
於使用本實施之形態的光罩之圖型曝光方法，使用由空白光罩所製造之光罩，於光罩圖型照射曝光光，並於被加工基板上所形成之光罩圖型的曝光對象即光阻膜，轉印光罩圖型。曝光光之照射可為藉由乾式條件之曝光，亦可為液浸曝光，特別適合使用在將300mm以上之晶圓作為被加工基板，藉由液浸曝光，曝光光罩圖型的情況。 [實施例]
以下，雖顯示實施例及比較例，具體說明本實施的形態，但本實施的形態並非被限定於下述之實施例者。
[實施例1] 製造於152mm平方、厚度約6mm之石英製的透明基板上，層合相位偏移膜(半色調相位偏移膜)作為以含有矽之材料構成的膜、與層合硬遮罩膜作為以含有鉻之材料構成的膜的空白光罩(半色調相位偏移空白遮罩)。
首先，於透明基板上，使用鉬靶材與矽靶材作為靶材，並調整對靶材之施加電力，並且使用氬氣與氮氣作為濺鍍氣體，於此等之氣體環境中進行濺鍍，將以MoSiN構成，對於波長193nm之光的相位差為177度、透過率為6%(光學濃度為1.2)之MoSi系相位偏移膜(膜厚70nm)作為單層膜形成。 [實施例2] 除了將硬遮罩膜之第4層較實施例1更減低鉻原子%，增加氧原子%、氮原子%、碳原子%，並以硬遮罩膜全體的光學濃度成為與實施例1相同的方式，變更硬遮罩膜之第1層、第2層、第3層及第4層之各層的組成及厚度之外，其他與實施例1同樣進行，而於透明基板上形成相位偏移膜與硬遮罩膜，而得到無阻劑膜之空白光罩，進而，於硬遮罩膜上形成阻劑膜，而得到具有阻劑膜之空白光罩。將硬遮罩膜之各層的組成及厚度、以及對於硬遮罩膜全體的波長193nm之光的光學濃度示於表1。 [實施例3] 除了將硬遮罩膜之第4層較實施例1更減低鉻原子%，增加氧原子%、氮原子%、碳原子%，並以硬遮罩膜全體的光學濃度成為與實施例1相同的方式，變更硬遮罩膜之第1層、第2層、第3層及第4層之各層的組成及厚度之外，其他與實施例1同樣進行，而於透明基板上形成相位偏移膜與硬遮罩膜，而得到無阻劑膜之空白光罩，進而，於硬遮罩膜上形成阻劑膜，而得到具有阻劑膜之空白光罩。將硬遮罩膜之各層的組成及厚度、以及對於硬遮罩膜全體的波長193nm之光的光學濃度示於表1。 [實施例4] 除了將硬遮罩膜之第4層較實施例1更增加鉻原子%及氮原子%，減低氧原子%，並以硬遮罩膜全體的光學濃度成為與實施例1相同的方式，變更硬遮罩膜之第1層、第2層、第3層及第4層之各層的組成及厚度之外，其他與實施例1同樣進行，而於透明基板上形成相位偏移膜與硬遮罩膜，而得到無阻劑膜之空白光罩，進而，於硬遮罩膜上形成阻劑膜，而得到具有阻劑膜之空白光罩。將硬遮罩膜之各層的組成及厚度、以及對於硬遮罩膜全體的波長193nm之光的光學濃度示於表1。 [實施例5] 除了將硬遮罩膜之第4層較實施例1更減低鉻原子%，增加氧原子%、氮原子%，並以硬遮罩膜全體的光學濃度成為與實施例1相同的方式，變更硬遮罩膜之第1層、第2層、第3層及第4層之各層的組成及厚度之外，其他與實施例1同樣進行，而於透明基板上形成相位偏移膜與硬遮罩膜，而得到無阻劑膜之空白光罩，進而，於硬遮罩膜上形成阻劑膜，而得到具有阻劑膜之空白光罩。將硬遮罩膜之各層的組成及厚度、以及對於硬遮罩膜全體的波長193nm之光的光學濃度示於表1。
接著，於相位偏移膜上，使用鉻靶材作為靶材，並調整對靶材之施加電力，並且使用氬氣與氧氣與氮氣作為濺鍍氣體，調整濺鍍氣體的比率，並於此等之氣體環境中依第4層、第3層、第2層、第1層之順序進行濺鍍，自遠離透明基板之側起由第1層、第2層、第3層及第4層所構成，形成1層為以氧氮化鉻(CrON)，第2層為以氧氮碳化鉻(CrONC)，第3層為以氧氮化鉻(CrON)，第4層為以氧氮碳化鉻(CrONC)構成之硬遮罩膜，如圖1所示，而得到無阻劑膜之空白光罩。將硬遮罩膜之各層的組成及厚度、以及對於硬遮罩膜全體的波長193nm之光的光學濃度示於表1。尚，組成係使用賽默飛世爾科技股份有限公司製、X光光電子分光分析裝置K-Alpha測定，膜(層)的厚度係使用KLA-Tencor股份有限公司製、接針式段差計P-16+測定，光學濃度係使用島津製作所股份有限公司製、紫外可見近紅外分光光度計SolidSpec-3700測定(以下相同)。
[比較例1] 除了將硬遮罩膜之第2層取代氧氮碳化鉻(CrONC)，改定為氧氮化鉻(CrON)，並未使用第4層，並以硬遮罩膜全體的光學濃度成為與實施例1相同的方式，變更硬遮罩膜之第1層、第2層及第3層之各層的組成及厚度之外，其他與實施例1同樣進行，而於透明基板上形成相位偏移膜與硬遮罩膜，而得到無阻劑膜之空白光罩，進而，於硬遮罩膜上形成阻劑膜，而得到具有阻劑膜之空白光罩。將硬遮罩膜之各層的組成及厚度、以及對於硬遮罩膜全體的波長193nm之光的光學濃度示於表1。 [比較例2] 除了將硬遮罩膜之第2層較實施例1更增加鉻原子%，減低氧原子%、氮原子%及碳原子%，並以硬遮罩膜全體的光學濃度成為與實施例1相同的方式，變更硬遮罩膜之第1層、第2層、第3層及第4層之各層的組成及厚度之外，其他與實施例1同樣進行，而於透明基板上形成相位偏移膜與硬遮罩膜，而得到無阻劑膜之空白光罩，進而，於硬遮罩膜上形成阻劑膜，而得到具有阻劑膜之空白光罩。將硬遮罩膜之各層的組成及厚度、以及對於硬遮罩膜全體的波長193nm之光的光學濃度示於表1。 [比較例3] 除了將硬遮罩膜之第4層較實施例1更減低鉻原子%及碳原子%，增加氧原子%、氮原子%，並以硬遮罩膜全體的光學濃度成為與實施例1相同的方式，變更硬遮罩膜之第1層、第2層、第3層及第4層之各層的組成及厚度之以外，其他與實施例1同樣進行，而於透明基板上形成相位偏移膜與硬遮罩膜，而得到無阻劑膜之空白光罩，進而，於硬遮罩膜上形成阻劑膜，而得到具有阻劑膜之空白光罩。將硬遮罩膜之各層的組成及厚度、以及對於硬遮罩膜全體的波長193nm之光的光學濃度示於表1。 [比較例4] 除了將氧氮碳化鉻以單層成膜，並以硬遮罩膜全體的光學濃度成為與實施例1相同的方式，變更硬遮罩膜之第1層之組成及厚度之外，其他與實施例1同樣進行，而於透明基板上形成相位偏移膜與硬遮罩膜，而得到無阻劑膜之空白光罩，進而，於硬遮罩膜上形成阻劑膜，而得到具有阻劑膜之空白光罩。將硬遮罩膜之各層的組成及厚度、以及對於硬遮罩膜全體的波長193nm之光的光學濃度示於表1。
[實施例6] 在硬遮罩膜之乾式蝕刻步驟，為了評估至鉻膜消失為止的時間(清空時間)，使用於實施例1、實施例2、實施例3、實施例4、實施例5、比較例1、比較例2、比較例3、比較例4所得之空白光罩進行評估。
對於硬遮罩膜，使用包含氧氣之氯系氣體，並以下述的條件進行氯系乾式蝕刻，評估終點檢出(End point)的時間。將結果示於表2。
＜氯系乾式蝕刻條件＞ 裝置：ICP(Inductively Coupled Plasma(感應耦合電漿))方式 氣體：Cl2 氣體+O2 氣體 氣體壓力：3.0mTorr(0.40Pa) ICP電力：350W
如表2所示，確認比較例1之相位偏移空白遮罩相對於清空時間緩慢，本實施之形態的空白光罩即實施例1、實施例2、實施例3、實施例4及實施例5之相位偏移空白遮罩，係清空時間快速。此被認為是因為於硬遮罩膜之第2層及第4層，含有碳化鉻(CrC)，膜密度低下，且提昇蝕刻速度之氧含量比較高。
其次，在硬遮罩膜之乾式蝕刻步驟，為了評估與鉻膜同時蝕刻而消失之阻劑膜厚，使用於實施例1、實施例2、實施例3、實施例4、實施例5、比較例1、比較例2、比較例3、比較例4所得之空白光罩進行評估。
於實施例1、實施例2、實施例3、實施例4、實施例5、比較例1、比較例2、比較例3、比較例4所得之空白光罩的硬遮罩膜上，旋塗負型化學增幅型電子束阻劑SEBN3015(信越化學工業股份有限公司製)，形成膜厚150nm之阻劑膜，而得到具有如圖5所示之阻劑膜的空白光罩。
沿著從圖7(a)至圖7(c)為止的步驟進行評估。
準備具有阻劑膜之空白光罩(圖7(a))。接著，使用電子束描繪裝置，合計描繪20張劑量35μC/cm2 ，且長邊尺寸100000nm、短邊尺寸200nm之孤立線圖型。然後，使用熱處理裝置，於110℃進行14分鐘熱處理(PEB：Post Exposure Bake)。接著，以攪拌顯影進行100秒顯影處理，形成阻劑圖型(圖7(b))。接著，對於硬遮罩膜，使用包含氧氣之氯系氣體，以下述的條件進行氯系乾式蝕刻，形成硬遮罩膜圖型(圖7(c))。因此，測定殘留之阻劑膜厚，並評估藉由硬遮罩膜之乾式蝕刻而消失之阻劑膜厚。將結果示於表2。阻劑膜的厚度係使用KLA-Tencor股份有限公司製。
又，於硬遮罩膜之乾式蝕刻後所需要之阻劑膜厚定為35nm時，評估所需要之初期阻劑膜厚。於硬遮罩膜之乾式蝕刻後所需要之阻劑膜厚為35nm以下時，由於貫通阻劑之電漿到達鉻硬遮罩，帶來針孔缺陷，故於硬遮罩膜之乾式蝕刻後所需要之阻劑膜厚定為35nm。將結果示於表2。
如表2所示，確認比較例1之相位偏移空白遮罩，相對於由於清空時間緩慢，故必要之初期膜厚增厚，本實施之形態的空白光罩之實施例1、實施例2、實施例3、實施例4及實施例5之相位偏移空白遮罩，由於清空時間快速，薄化初期阻劑膜厚，此被認為是因為於硬遮罩膜之第2層及第4層，含有碳化鉻(CrC)，膜密度低下，且提昇蝕刻速度之氧含量比較高。
＜氯系乾式蝕刻條件＞ 裝置：ICP(Inductively Coupled Plasma(感應耦合電漿))方式 氣體：Cl2 氣體+O2 氣體 氣體壓力：3.0mTorr(0.40Pa) ICP電力：350W 過蝕刻量：100%
接著，於實施例1、實施例2、實施例3、實施例4、實施例5、比較例2、比較例3、比較例4之硬遮罩膜上，將負型化學增幅型電子束阻劑SEBN3015(信越化學工業股份有限公司製)進行旋塗，形成膜厚130nm之阻劑膜，而得到如圖5所示之具有阻劑膜的空白光罩。
針對比較例1，由於清空時間比較緩慢，故因鉻膜之乾式蝕刻導致的阻劑損害，大於實施例1、實施例2、實施例3、實施例4、實施例5、比較例2、比較例3、比較例4，而有必要塗佈比較厚之阻劑。因此，於比較例1之硬遮罩膜上，將負型化學增幅型電子束阻劑SEBN3015 (信越化學工業股份有限公司製)進行旋塗，形成膜厚160nm之阻劑膜，而得到如圖5所示之具有阻劑膜的空白光罩。
[實施例7] 為了評估相當於線圖型之輔助圖型之微細圖型的解析界限，使用於實施例1、實施例2、實施例3、實施例4、實施例5、比較例1、比較例2、比較例3、比較例4所得之具有阻劑膜的空白光罩，將如圖2所示之光罩(半色調相位偏移遮罩)沿著圖7至圖9所示之步驟製造。
首先，準備具有阻劑膜之空白光罩(圖7(a))。接著，使用電子束描繪裝置，合計描繪20萬張以劑量35μC/cm2 ，且以長邊尺寸為140nm，短邊尺寸從20nm至100nm為止每2 nm逐次變更之短邊尺寸不同的孤立圖型，作為相當於線圖型之輔助圖型的測試圖型。然後，使用熱處理裝置，於110℃進行14分鐘熱處理(PEB：Post Exposure Bake)。接著，以攪拌顯影進行100秒顯影處理，形成阻劑圖型(圖7(b))。接著，對於硬遮罩膜，使用包含氧氣之氯系氣體，並以下述的條件進行氯系乾式蝕刻，形成硬遮罩膜圖型(圖7(c))。接著，對於相位偏移膜，使用氟系氣體，並以下述的條件進行氟系乾式蝕刻，形成相位偏移膜圖型(圖8(a))。
＜氯系乾式蝕刻條件＞ 裝置：ICP(Inductively Coupled Plasma(感應耦合電漿))方式 氣體：Cl2 氣體+O2 氣體 氣體壓力：3.0mTorr(0.40Pa) ICP電力：350W ＜氟系乾式蝕刻條件＞ 裝置：ICP 氣體：SF6 氣體+He氣體 氣體壓力：4.0mTorr(0.53Pa) ICP電力：400W
接著，將阻劑圖型藉由由硫酸過水(硫酸與過氧化氫水(硫酸：過氧化氫水=3：1)之混合液，以下相同)之洗淨剝離(圖8(b))。接著，於透明基板及硬遮罩膜圖型之上，旋塗雷射描繪用阻劑IP3000(東京應化工業股份有限公司製)，形成阻劑膜(圖8(c))。接著，使用雷射描繪裝置，於位在透明基板的外周緣部的部分，以殘存阻劑膜的方式，描繪包含相位偏移膜之電路圖型的有效區域。然後，使用熱處理裝置，並以110℃進行20分鐘熱處理(PEB)。接著，以噴霧顯影進行200秒顯影處理，形成阻劑圖型(圖9(a))。接著，對於硬遮罩膜圖型，使用包含氧氣之氯系氣體，並以上述的條件進行氯系乾式蝕刻，剝離硬遮罩膜圖型(圖9(b))。接著，將阻劑圖型藉由由硫酸過水之洗淨剝離(圖9(c))，而得到光罩。
接著，使用外觀檢査裝置，評估所得之光罩的測試圖型的解析界限。針對設定在以長邊尺寸為140nm，短邊尺寸從20nm至100nm為止每2 nm逐次變更之短邊尺寸不同的孤立圖型的全部，評估圖型消失、圖型倒塌及圖型形狀不良，外觀檢査裝置係將檢出圖型消失、圖型倒塌及圖型形狀不良之任一種的孤立圖型定為缺陷，將無檢出缺陷之孤立圖型的最小短邊尺寸定為解析界限。將結果示於表3。
如表3所示，本實施之形態的空白光罩之實施例1、實施例2、實施例3、實施例4及實施例5之相位偏移空白遮罩，與比較例1、比較例2、比較例3、比較例4之相位偏移空白遮罩相比較，確認線圖型之解析界限已達到更微細之線寬，在解析性為優位。相對於比較例1，實施例1、實施例2、實施例3、實施例4、實施例5之解析性良好係因為初期阻劑膜厚較薄。相對於比較例2、比較例3、比較例4，實施例1、實施例2、實施例3、實施例4、實施例5之解析性良好認為是因為藉由於硬遮罩膜之乾式蝕刻中抑制側邊蝕刻，使得圖型形狀成為矩形，導致圖型消失不見了。
Figure 02_image001
Figure 02_image003
Figure 02_image005
1:基板(透明基板) 21:以含有矽之材料構成的膜(相位偏移膜) 21a:以含有矽之材料構成的膜之圖型(相位偏移膜圖型) 22:反射膜 23:以含有鉭之材料構成的膜(吸收膜) 23a:吸收膜圖型 31:以含有鉻之材料構成的膜(硬遮罩膜) 31a:以含有鉻之材料構成的膜之圖型(硬遮罩膜圖型) 31b:以含有鉻之材料構成的膜之圖型(遮光膜圖型) 311:第1層 312:第2層 313:第3層 314:第4層 4:阻劑膜 41:阻劑圖型 5:有效區域 511,512:相位偏移空白遮罩 513:相位偏移遮罩 521,522:反射型空白遮罩 523:反射型遮罩
[圖1]係表示本發明之空白光罩的第1態樣(相位偏移空白遮罩)之一例的剖面圖。 [圖2]係表示本發明之光罩的第1態樣(相位偏移遮罩)之一例的剖面圖。 [圖3]係表示本發明之空白光罩的第2態樣(反射型空白遮罩)之一例的剖面圖。 [圖4]係表示本發明之光罩的第2態樣(反射型遮罩)之一例的剖面圖。 [圖5]係表示本發明之空白光罩的第1態樣(相位偏移空白遮罩)之其他例的剖面圖。 [圖6]係表示本發明之空白光罩的第2態樣(反射型空白遮罩)之其他例之剖面圖。 [圖7](a)～(c)係用以說明從本發明之第1態樣的相位偏移空白遮罩，製造相位偏移遮罩之步驟的剖面圖。 [圖8](a)～(c)係接續圖7(c)之步驟，用以說明從本發明之第1態樣的相位偏移空白遮罩，製造相位偏移遮罩之步驟的剖面圖。 [圖9](a)～(c)係接續圖8(c)之步驟，用以說明從本發明之第1態樣的相位偏移空白遮罩，製造相位偏移遮罩之步驟的剖面圖。
1:基板(透明基板)
21:以含有矽之材料構成的膜(相位偏移膜)
31:以含有鉻之材料構成的膜(硬遮罩膜)
311:第1層
312:第2層
313:第3層
314:第4層
511:相位偏移空白遮罩

Claims (14)

  1. 一種空白光罩，其特徵為具備： 基板、與 以含有鉻之材料構成的膜、與 將被設置成與以上述含有鉻之材料構成的膜之上述基板側接觸，並預定被加工成將以上述含有鉻之材料構成的膜之圖型作為蝕刻遮罩之被加工膜， 以上述含有鉻之材料構成的膜係自遠離上述基板之側起具有第1層、第2層、第3層及第4層， 上述第1層、第2層、第3層及第4層皆含有鉻、氧、氮及碳之3種類以上的元素， 上述第1層為鉻含有率為40原子%以下，氧含有率為38原子%以上，氮含有率為22原子%以下，且厚度為6nm以下， 上述第2層為鉻含有率為38原子%以下，氧含有率為30原子%以上，氮含量18原子%以下，碳14原子%以下，且膜厚為22nm以上且32nm以下， 上述第3層為鉻含有率為50原子%以下，氧含有率為30原子%以下，氮含量為20原子%以上，且膜厚為6nm以下， 上述第4層為鉻含有率為44原子%以下，氧含有率為20原子%以上，氮含量20原子%以下，碳16原子%以下，且膜厚為13nm以上。
  2. 如請求項1之空白光罩，其中，上述被加工膜為以含有矽之材料構成的膜。
  3. 如請求項2之空白光罩，其中，以上述含有鉻之材料構成的膜為遮光膜， 以上述含有矽之材料構成的膜為相位偏移膜， 為結合上述遮光膜與上述相位偏移膜之對於曝光光的光學濃度為3以上之相位偏移空白遮罩。
  4. 如請求項3之空白光罩，其中，以上述含有鉻之材料構成的膜之膜厚為39nm以上94nm以下。
  5. 如請求項3或4之空白光罩，其中，上述相位偏移膜對於曝光光之相位差為175度以上185度以下，透過率為6%以上30%以下，膜厚為60nm以上85nm以下。
  6. 如請求項1之空白光罩，其中，上述被加工膜係具有以含有鉭之材料構成的膜。
  7. 如請求項6之空白光罩，其中，以上述含有鉭之材料構成的膜為對於極端紫外線區域光之吸收膜， 上述被加工膜係具有被設置在與上述吸收膜之上述基板側接觸之對於極端紫外線區域之反射膜，且為反射型空白遮罩。
  8. 2、3、4、6、7中任一項之空白光罩，其係進一步具備與以上述含有鉻之材料構成的膜之遠離上述基板之側接觸，膜厚為50nm以上200nm以下之阻劑膜。
  9. 一種光罩之製造方法，其係從如請求項2之空白光罩，製造具有以含有矽之材料構成的膜之電路圖型的光罩之方法，其特徵為具備： (A)於以上述含有鉻之材料構成的膜之遠離上述基板之側，形成阻劑膜之步驟、與 (C)圖型化上述阻劑膜，形成阻劑圖型之步驟、與 (D)將上述阻劑圖型作為蝕刻遮罩，並將以上述含有鉻之材料構成的膜藉由使用包含氧之氯系氣體的乾式蝕刻進行圖型化，形成以含有鉻之材料構成的膜之圖型之步驟、與 (E)將以上述含有鉻之材料構成的膜之圖型作為蝕刻遮罩，並將以上述含有矽之材料構成的膜藉由使用氟系氣體之乾式蝕刻進行圖型化，形成以含有矽之材料構成的膜之圖型之步驟、與 (F)於上述(E)步驟之後，在位於未形成以上述含有矽之材料構成的膜之電路圖型的區域即上述基板之外周緣部的部分，殘留以含有鉻之材料構成的膜，並將上述外周緣部以外之以含有鉻之材料構成的膜之圖型藉由使用包含氧之氯系氣體的乾式蝕刻去除之步驟。
  10. 如請求項9之製造方法，其係於上述(A)步驟之後，且為上述(C)步驟之前，進一步具備： (B)將上述阻劑膜使用硫酸與過氧化氫水的混合液剝離，並與以上述含有鉻之材料構成的膜之遠離上述基板之側接觸，新形成阻劑膜之步驟。
  11. 一種光罩，其係具備基板、與 被設置在前述基板，具有成為電路圖型之有效區域的被加工膜，其特徵為： 在位於前述有效區域之周緣外方的外周緣部，與上述被加工膜接觸地設置以含有鉻之材料構成的膜，以含有該鉻之材料構成的膜自遠離上述基板之側起具有第1層、第2層、第3層及第4層， 上述第1層、第2層、第3層及第4層皆含有鉻、氧、氮及碳之3種類以上的元素， 上述第1層為鉻含有率為40原子%以下，氧含有率為38原子%以上，氮含有率為22原子%以下，且厚度為6nm以下， 上述第2層為鉻含有率為38原子%以下，氧含有率為30原子%以上，氮含量18原子%以下，碳14原子%以下，且膜厚為22nm以上且32nm以下， 上述第3層為鉻含有率為50原子%以下，氧含有率為30原子%以下，氮含量為20原子%以上，且膜厚為6nm以下， 上述第4層為鉻含有率為44原子%以下，氧含有率為20原子%以上，氮含量20原子%以下，碳16原子%以下，且膜厚為13nm以上。
  12. 如請求項11之光罩，其中，前述被加工膜為以含有矽之材料構成的膜， 以上述含有鉻之材料構成的膜為遮光膜， 以上述包含矽之材料構成之膜為相位偏移膜， 為結合上述遮光膜與上述相位偏移膜之對於曝光光的光學濃度為3以上之相位偏移遮罩。
  13. 如請求項12之光罩，其中，以上述含有鉻之材料構成的膜之膜厚為39nm以上94nm以下。
  14. 如請求項12或13之光罩，其中，上述相位偏移膜對於曝光光之相位差為175度以上185度以下，透過率為6%以上30%以下，膜厚為60nm以上85nm以下。
TW109142576A 2019-12-05 2020-12-03 空白光罩、光罩之製造方法及光罩 TWI801781B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019220060A JP7280171B2 (ja) 2019-12-05 2019-12-05 フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク
JP2019-220060 2019-12-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202131093A true TW202131093A (zh) 2021-08-16
TWI801781B TWI801781B (zh) 2023-05-11

Family

ID=73646205

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109142576A TWI801781B (zh) 2019-12-05 2020-12-03 空白光罩、光罩之製造方法及光罩

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11402744B2 (zh)
EP (1) EP3832388B1 (zh)
JP (2) JP7280171B2 (zh)
KR (1) KR102468612B1 (zh)
CN (1) CN112925163B (zh)
SG (1) SG10202012086PA (zh)
TW (1) TWI801781B (zh)

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2983020B1 (ja) 1998-12-18 1999-11-29 ホーヤ株式会社 ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク
JP2001305713A (ja) 2000-04-25 2001-11-02 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスク用ブランクス及びフォトマスク
JP4088742B2 (ja) 2000-12-26 2008-05-21 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクス、フォトマスク及びフォトマスクブランクスの製造方法
JP3956103B2 (ja) 2002-02-26 2007-08-08 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスク及びフォトマスクブランクの評価方法
JP2004053663A (ja) 2002-07-16 2004-02-19 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランク、フォトマスク及びフォトマスクブランクの選定方法
US6861180B2 (en) 2002-09-10 2005-03-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Contact printing as second exposure of double exposure attenuated phase shift mask process
JP2006078825A (ja) * 2004-09-10 2006-03-23 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法
EP1746460B1 (en) * 2005-07-21 2011-04-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask blank, photomask and fabrication method thereof
TW200949430A (en) * 2008-03-31 2009-12-01 Hoya Corp Photo mask blank and manufacturing method thereof
DE112009002348T5 (de) 2008-09-30 2012-01-19 Hoya Corporation Fotomaskenrohling, Fotomaske, Verfahren zu deren Herstellung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
JP6229466B2 (ja) * 2013-12-06 2017-11-15 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク
JP6150299B2 (ja) * 2014-03-30 2017-06-21 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP6499440B2 (ja) 2014-12-24 2019-04-10 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク
JP6601245B2 (ja) * 2015-03-04 2019-11-06 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びマスクパターン形成方法
JP6451561B2 (ja) * 2015-09-03 2019-01-16 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク
JP6341166B2 (ja) 2015-09-03 2018-06-13 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク
SG11201803116UA (en) * 2015-11-06 2018-05-30 Hoya Corp Mask blank, method for manufacturing phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device
US11054735B2 (en) * 2016-07-19 2021-07-06 Hoya Corporation Mask blank, phase shift mask, method for manufacturing phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device
JP6677139B2 (ja) * 2016-09-28 2020-04-08 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランクの製造方法
JP2018072543A (ja) 2016-10-28 2018-05-10 凸版印刷株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスク及びフォトマスクの製造方法
JP6944255B2 (ja) 2017-03-14 2021-10-06 Hoya株式会社 転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法
JP6729508B2 (ja) 2017-06-29 2020-07-22 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP6819546B2 (ja) * 2017-11-13 2021-01-27 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法
JP6579219B2 (ja) 2018-05-07 2019-09-25 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスク
JP6988697B2 (ja) * 2018-05-31 2022-01-05 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク
JP7018833B2 (ja) 2018-06-22 2022-02-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP7280171B2 (ja) 2023-05-23
SG10202012086PA (en) 2021-07-29
KR102468612B1 (ko) 2022-11-17
JP7411840B2 (ja) 2024-01-11
KR20210070917A (ko) 2021-06-15
EP3832388B1 (en) 2022-09-14
TWI801781B (zh) 2023-05-11
EP3832388A1 (en) 2021-06-09
US11402744B2 (en) 2022-08-02
JP2023065616A (ja) 2023-05-12
JP2021089377A (ja) 2021-06-10
CN112925163B (zh) 2024-06-21
US20210173296A1 (en) 2021-06-10
CN112925163A (zh) 2021-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI772645B (zh) 空白光罩、光罩之製造方法及光罩
TW201001059A (en) Photomask blank, photomask, and methods of manufacturing the same
TWI778039B (zh) 相位移空白遮罩、相位移遮罩及相位移遮罩之製造方法
TWI824153B (zh) 空白光罩、光罩之製造方法及光罩
TW201842399A (zh) 空白光罩、光罩及光罩之製造方法
TWI801781B (zh) 空白光罩、光罩之製造方法及光罩
JP2004226593A (ja) フォトマスクブランク、その製造方法及びフォトマスク
EP4261614A1 (en) Reflective photomask blank, method for manufacturing reflective photomask, and reflective photomask
TW202409707A (zh) 反射型空白光罩，及反射型光罩之製造方法
TW202217439A (zh) 光罩之製造方法及光罩底板