TW202125605A - 被加工物之加工方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題係對於在表面側形成突起電極之晶圓，施以電漿蝕刻，分割晶圓之時，將晶圓之表面之整體，以樹脂膜加以被覆。 作為解決手段，提供以與供給具有流動性之硬化性樹脂之平台之上面側對向之方式，將該被加工物之該表面朝下，保持該被加工物之保持工程、和藉由將被加工物向下方移動，將被加工物之表面側按壓於該硬化性樹脂，以硬化性樹脂進入突起電極與表面之間隙，且突起電極埋入硬化性樹脂之方式，以硬化性樹脂被覆被加工物之表面之整體的被覆工程、和硬化硬化性樹脂，形成樹脂膜的硬化工程、和除去各分割預定線上之樹脂膜的雷射光束照射工程、和於被加工物供給電漿化之氣體，將樹脂膜作為掩膜，沿著各分割預定線，將被加工物分割成各個裝置晶片的分割工程之被加工物之加工方法。

Description

被加工物之加工方法
本發明係有關設置複數之突起電極之被加工物之加工方法。
於行動電話、電腦等之電氣機器中，一般而言搭載有裝置晶片。為製造裝置晶片，例如，首先，於矽等之半導體所形成之晶圓之表面側，將複數之分割預定線設定成格子狀，於以複數之分割預定線分割之各領域，形成裝置。
之使，使用研磨裝置，將晶圓之背面側研磨至特定之厚度，薄化晶圓之後，使用切削裝置沿著各分割預定線切削晶圓。由此，晶圓係沿著分割預定線加以分割，製造裝置晶片。
切削裝置係一般而言，具有包含圓柱狀之主軸，和連結於主軸之一端側之驅動馬達、和裝設於主軸之另一端側之圓環狀之切削刀之切削單元。作為切削刀，例如使用在形成於圓環狀之鋁基台之電鍍層固定研磨粒之中心型之切削刀(例如參照專利文獻1)。
但是，使用切削刀切削晶圓時，於晶圓表面側，易於形成碎屑、龜裂等。形成碎屑、龜裂等時，裝置晶片之抗折強度會下降之故，會有裝置晶片之品質下降之問題。
在此，代替將晶圓以切削刀切削，開發出藉由對於晶圓施以電漿蝕刻，將晶圓切斷成各個裝置晶片之電漿切割法，實際被加以使用(例如，參照專利文獻2)。
為了以電漿切割法分割晶圓，首先，使用旋轉塗覆機，將晶圓之表面側以感光性有機物質所成光阻膜加以被覆。旋轉塗覆機係例如具備包含吸引保持晶圓之保持面之夾盤。於與夾盤之保持面相反側，連結驅動馬達等之旋轉驅動源。
為了將晶圓之表面側以光阻膜被覆，首先，要將晶圓之背面側以保持面加以保持。然後，在以旋轉驅動源旋轉夾盤之狀態下，於晶圓之表面側，滴下含感光性有機物質、溶媒等之液狀之抗蝕劑材料。抗蝕劑材料係藉由離心力，向晶圓之外周方向擴展，被覆晶圓之表面側。之後，乾燥抗蝕劑材料時，溶媒則被蒸發，晶圓之表面側則以光阻膜加以被覆。
接著，使用曝光裝置、顯影裝置等，藉由除去定位於分割預定線上之光阻膜、圖案化光阻膜。然後，將此光阻膜作為掩膜加以使用，對於晶圓施以電漿蝕刻。由此，晶圓係分割成各個裝置晶片。
然而，以往，為了將裝置晶片搭載於電氣機器，需將以導線相互連接之裝置晶片與引線端子，使引線端子成為露出之形態，以樹脂加以封閉，形成、QFN(Quad Flat No leaded package)等之封裝。但是，近年以來，要求搭載於電氣機器之裝置晶片之小型化、薄型化、輕量化等。
為滿足此要求，開發出裝置晶片與引線端子不以導線連接，裝置晶片之一部分露出之晶圓級尺寸封裝(Wafer Level Chip Size Package、以下稱WL-CSP)。WL-CSP係較QFN等之封裝，可達成小型化等。
WL-CSP製造用之晶圓中，於晶圓之表面側形成配線層，以部分被覆此配線層之方式，形成樹脂膜，電性連接於配線層之複數之凸塊(即，突起電極)，則以從樹脂膜突出之方式加以形成。於製造WL-CSP之時，嘗試對於晶圓施以電漿蝕刻，將晶圓分割成各個WL-CSP(例如，參照專利文獻3)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2000-87282號公報 [專利文獻2]日本特開2006-114825號公報 [專利文獻3]日本特開2017-103330號公報
[發明欲解決之課題]
但是，對於WL-CSP製造用之晶圓，使用旋轉塗覆機形成光阻膜等之樹脂膜時，在液狀之樹脂材料以離心力擴展之過程中，晶圓之向外周側之樹脂材料之流動，會由於突起電極而受到阻礙。
又，對於突起電極之周圍之間隙，樹脂材料則難以繞過。因此，難以將表面側整體以樹脂膜加以被覆。伴隨如此被覆之困難性，同時亦會有產率下降之問題。
本發明係有鑑於相關問題點，對於在表面側形成突起電極之晶圓，施以電漿蝕刻，分割晶圓之時，將晶圓之表面之整體，以樹脂膜加以被覆為目的。 [為解決課題之手段]
根據本發明之一形態時，提供在藉由設定於被加工物之表面側之複數之分割預定線，分割成複數之領域之各領域，設置複數之突起電極之被加工物之加工方法中，具備以與供給具有流動性之硬化性樹脂之平台之上面側對向之方式，將該被加工物之該表面朝下，保持該被加工物之保持工程、和藉由將該被加工物向下方移動，將該被加工物之該表面側按壓於該硬化性樹脂，以該硬化性樹脂進入該突起電極與該表面之間隙，且該突起電極埋入該硬化性樹脂之方式，以該硬化性樹脂被覆該被加工物之該表面之整體的被覆工程、和硬化該硬化性樹脂，形成樹脂膜的硬化工程、和該硬化工程之後，將具有吸收於該樹脂膜之波長之雷射光束，沿著各分割預定線，照射於該樹脂膜，除去各分割預定線上之該樹脂膜的雷射光束照射工程、和該雷射光束照射工程之後，於該被加工物供給電漿化之氣體，將該樹脂膜作為掩膜，沿著各分割預定線，將該被加工物分割成各個裝置晶片的分割工程之被加工物之加工方法。
較佳係被加工物之加工方法更具備於該雷射光束照射工程之前，將樹脂膜之表面，以車刀加以切削，薄化該樹脂膜的薄化工程。 [發明效果]
關於本發明之一形態之加工方法之被覆工程中，藉由於具有流動性之硬化性樹脂按壓被加工物之表面側，以硬化性樹脂進入突起電極與表面之間隙，且突起電極埋入硬化性樹脂之方式，以硬化性樹脂被覆被加工物之表面之整體。
如此，非以離心力，於具有流動性之硬化性樹脂按壓表面側之突起電極之故，以從裝置突出之形態，設置突起電極時，可將包含突起電極之周圍之晶圓之表面側整體，以一樣之厚度之硬化性樹脂加以被覆。
藉由將硬化此硬化性樹脂之樹脂膜，作為掩膜，對於晶圓之表面側，施以電漿蝕刻，將晶圓分割成各個之裝置晶片。由此，相較於使用旋轉塗覆機形成光阻膜之情形，可改善產率。
參照添附圖面，對於有關本發明之一形態之實施形態加以說明。本實施形態中，加工WL-CSP製造用之晶圓(被加工物)11，製造WL-CSP。圖1(A)係晶圓11之斜視圖，圖1(B)係晶圓11之剖面圖。
晶圓11係具有500μm至1000μm程度厚度之圓盤狀之矽晶圓。然而，晶圓11之材質、形狀、構造、大小等並無限制。可使用碳化矽(SiC)等之矽以外之半導體材料所形成之晶圓11。
於晶圓11之表面11a側，設定有配置成格子狀之複數之分割預定線(切割道)13。於以複數之分割預定線13所分割之各領域，形成裝置15。
裝置15之表面11a側之一部份係平坦面15a，於裝置15中，以從平坦面15a突出之形態，固定複數之突起電極(凸塊)15b。本實施形態之突起電極15b雖為略球狀，但突起電極15b亦可為角柱狀、圓柱狀。
接著，使用圖2至圖9，對於從晶圓11製造WL-CSP時之晶圓11之加工方法加以說明。本實施形態之加工方法中，首先，使用貼合裝置10(參照圖2至圖5)，以被覆突起電極15b之方式，於晶圓11之表面11a側，形成樹脂膜。
貼合裝置10係貝有玻璃(平板玻璃、石英玻璃等)所形成之板狀之平台12。於較平台12之下面12a下方，設置發出紫外線(UV)之UV燈14a(參照圖3至圖5)。然而，平台12係透過從UV燈14a照射之紫外線。
平台12之上面12b中，固定具有較上面12b小之面積之圓盤狀之塑膠製(例如PET製)之薄板14b。薄板14b係後述之硬化性樹脂作為防止接觸於上面12b之保護薄片加以工作。然而，薄板14b係透過從UV燈14a照射之紫外線。
於薄板14b之上方，設有噴嘴16。噴嘴16係固定於噴嘴移動裝置(未圖示)，藉由噴嘴移動裝置之動作，可移動於位於薄板14b之上方之內側領域、和位於較薄板14b之外周更外側之外側領域。
於噴嘴16中，連接有樹脂供給源18。從樹脂供給源18至噴嘴16你供給具有流動性之硬化性樹脂。本實施形態中，作為硬化性樹脂，使用紫外線硬化樹脂17(參照圖2)。
紫外線硬化樹脂17係環氧系樹脂、聚酯系樹脂等。然而，代替紫外線硬化樹脂17，可使用熱硬化樹脂、或混合主劑與硬化劑而硬化之自然硬化樹脂。
於薄板14b之上方，設有保持晶圓11為用以搬送之搬送裝置20(參照圖3至圖5)。搬送裝置20係具有以金屬所形成之圓盤狀之框體22。
於框體22之下部，形成圓盤狀之凹部22a。凹部22a之開口係露出於框體22之下面，凹部22a之底面係位於較開口之上方。於凹部22a中，固定以多孔質陶瓷所形成之圓盤狀之多孔質板24。位於凹部22a之開口側之多孔質板24之一面24a係略為平坦，與框體22之下面成為同一面。
於凹部22a中，複數之第1流路22b則形成成放射狀。各個複數之第1流路22b係於框體22之厚度方向，連接貫通框體22之第2流路22c之一端。又，第2流路22c之另一端，係連接噴射器等之吸引源26。
使吸引源26動作時，藉由第1流路22b及第2流路22c，於多孔質板24之一面24a作用負壓。由此，多孔質板24之一面24a係作為吸引保持晶圓11等之保持面加以工作。
於框體22之上部，連接複數之機械臂28，複數之機械臂28係移動在位於薄板14b之上方之內側領域、和位於較薄板14b之外周更外側之外側領域之間。
接著，對於使用貼合裝置10，以被覆突起電極15b之方式，於晶圓11之表面11a側，形成樹脂膜之工程加以說明。圖2係顯示樹脂供給工程S10之圖。
樹脂供給工程S10中，於薄板14b之略中央之上部，定位噴嘴16，從噴嘴16向薄板14b，供給紫外線硬化樹脂17。例如，晶圓11之直徑為300mm之時，為形成自平坦面15a之厚度為1mm之樹脂膜，供給70ml之紫外線硬化樹脂17。紫外線硬化樹脂17係具有特定之黏度之故，於噴嘴16之正下方附近，例如堆積成圓頂狀。
樹脂供給工程S10之後，使晶圓11與薄板14b對向之方式、在搬送裝置20之一面24a，吸引背面11b側加以保持(保持工程S20)。圖3係顯示保持工程S20之圖。保持工程S20中，晶圓11係表面11a成為朝下，表面11a側係與位於平台12之上面12b側之紫外線硬化樹脂17對向。
保持工程S20之後，使用搬送裝置20，將晶圓11向下方移動，以突起電極15b不接觸於薄板14b之方式、將晶圓11之表面11a適度按壓於紫外線硬化樹脂17(被覆工程S30)。
此時，將突起電極15b之下端與薄板14b之上面之距離，成為相當於1個以上2個以下之突起電極15b之高度的距離。例如，突起電極15b之高度為100μm之時，使突起電極15b之下端與薄板14b之上面，僅離開100μm以上200μm以下。圖4係顯示被覆工程S30之圖。
紫外線硬化樹脂17係進入突起電極15b與平坦面15a之間隙15c，且突起電極15b係埋入紫外線硬化樹脂17。由此，晶圓11之表面11a之整體係以紫外線硬化樹脂17加以被覆。
如此，本實施形態之被覆工程S30中，非採用離心力，於具有流動性之紫外線硬化樹脂17，將表面11a側之突起電極15b加以按壓。因此，可將突起電極15b與平坦面15a之間，或晶圓11之表面11a側整體，以一樣之厚度之紫外線硬化樹脂17加以被覆。
被覆工程S30之後，從UV燈14a藉由平台12及薄板14b，於紫外線硬化樹脂17，將紫外線藉由例如數秒間之照射，硬化紫外線硬化樹脂17。由此，於晶圓11之表面11a側，形成樹脂膜19(硬化工程S40)。
圖5係顯示硬化工程S40之圖。使用紫外線硬化樹脂17時，相較於使用熱硬化樹脂、自然硬化樹脂之時，可在於短時間形成硬化之樹脂膜19之故，較為有利。
之後，將搬送裝置20向上方移動。樹脂膜19與PET製之薄板14b之黏著力係相較樹脂膜19與晶圓11之表面11a側之黏著力為弱。因此，將搬送裝置20向上方移動時，晶圓11係可自薄板14b容易剝離。
從薄板14b將晶圓11剝離之後，使用膠帶黏貼裝置(未圖示)，於晶圓11之背面11b側，貼附具有較晶圓11之大口徑之樹脂製之保護膠帶21(參照圖6)。
又，於保護膠帶21之外周部中，貼附有金屬製之環狀之框體(未圖示)，形成晶圓單元23。然後，將晶圓單元23搬送至車刀切削裝置30。
車刀切削裝置30係具有夾盤32。於夾盤32之下方，設有滾珠螺桿等所成平台移動機構(未圖示)。使平台移動機構動作時，夾盤32係移動至特定之加工輸送方向。
於夾盤32之上面側，固定以多孔質陶瓷所形成之圓盤狀之多孔質板(未圖示)。於多孔質板，連接噴射器等之吸引源(未圖示)。
使吸引源動作時，於多孔質板之上面，作用有負壓之故，多孔質板之上面係作為吸引保持晶圓單元23之保持面32a加以工作。於保持面32a之上方，設置車刀切削單元34。
車刀切削單元34係具有筒狀之主軸殼體34a。主軸殼體34a係固定於可移動在Z軸方向之Z軸移動板(未圖示)，此Z軸移動板係連結於Z軸移動機構(未圖示)。
於主軸殼體34a內，主軸34b之一部分以可旋轉之形態加以收容。於主軸34b之上端部，連結馬達等之旋轉驅動源(未圖示)。另一方面，主軸34b之下端部係露出於主軸殼體34a之外部。
於主軸34b之下端部，固定圓盤狀之輪架34c。於輪架34c之下面側，裝設以不鏽鋼或鋁等之金屬所形成之圓盤狀之車刀輪36之上面側。
於位於車刀輪36之下面側之外周部之一部分，裝設車刀工具38。車刀工具38係具有裝設於車刀輪36之略角柱狀之基部38a。
於與基部38a之車刀輪36相反側之端部，固定以鑽石等形成之刀刃38b。又，於位於車刀輪36之下面側之外周部之另一部分，連結錘部40。
錘部40之重心係對於車刀切削單元34之旋轉中心而言，配置於與車刀工具38之重心點對稱之位置。藉由配置錘部40，相較於無錘部40之情形，可使車刀切削單元34之旋轉時之平衡變得良好。
使用車刀切削裝置30，切削樹脂膜19之表面19a側，薄化樹脂膜19(薄化工程S50)。圖6係顯示薄化工程S50之圖。薄化工程S50中，首先，將晶圓單元23之保護膠帶21側，以夾盤32之保持面32a加以保持。
由此，晶圓單元23之樹脂膜19則向上方露出。接著，藉由使旋轉驅動源動作，將主軸34b作為旋轉中心，旋轉車刀切削單元34，將刀刃38b之下端調整至較突起電極15b之上端之高度些微低之位置。
接著，於正交於Z軸方向之加工輸送方向(X軸方向)，移動夾盤32。由此，樹脂膜19與突起電極15b之上部側之一部分則切削車刀工具38，突起電極15b之上部側則從樹脂膜19露出。薄化工程S50之後，將晶圓單元23向雷射加工裝置50(參照圖7(A))搬送。
雷射加工裝置50亦與車刀切削裝置30相同，具有吸引晶圓單元23之保護膠帶21側加以保持之夾盤(未圖示)。於夾盤之下方，連結旋轉夾盤之θ平台(未圖示)，於θ平台之下方，連結將夾盤向加工輸送方向(X軸方向)移動之X軸移動機構(未圖示)。
於夾盤之上方，設置照射脈衝狀之雷射光束L之加工頭52(參照圖7(A))。自加工頭52照射之雷射光束L係例如具有355nm之波長、200kHz之重覆頻率、2.0W之平均輸出及奈秒等級之脈衝寬度。
355nm係吸收於樹脂膜19之波長之一例。藉由將雷射光束L照射於樹脂膜19之一部分，樹脂膜19之一部分係燒蝕加工而除去。
使用雷射加工裝置50，將雷射光束L沿著各分割預定線13，照射於樹脂膜19，除去各分割預定線13上之該樹脂膜19(雷射光束照射工程S60)、圖7(A)係顯示雷射光束照射工程S60之圖。
雷射光束照射工程S60中，首先，以雷射加工裝置50之X軸方向與一之分割預定線13成為平行之方式，在θ平台，調整晶圓11之朝向。然後，從一之分割預定線13之一端，沿著另一端，照射雷射光束L，除去一之分割預定線13上之樹脂膜19。
接著，將加工頭52向與X軸方向正交之Y軸方向分級輸送，對於一之分割預定線13，於鄰接在Y軸方向之其他之分割預定線13之正上方，定位加工頭52。然後，從其他之分割預定線13之一端，沿著另一端，照射雷射光束L，除去其他之分割預定線13上之樹脂膜19。
同樣地，沿著平行於X軸方向之所有分割預定線13，除去樹脂膜19之後，使用θ平台，90°旋轉晶圓11。然後，同樣地，沿著未加工之分割預定線13，除去樹脂膜19。然而，雷射光束照射工程S60中，於分割預定線13上，存在TEG(Test Element Group)或Low-k膜之時，此亦與樹脂膜19一併加以除去。
圖7(B)係雷射光束照射工程S60後之晶圓11等之剖面圖。藉由雷射光束照射工程S60，沿著各分割預定線13，且將到達晶圓11之表面11a之溝19b，形成於樹脂膜19。由此，樹脂膜19係被圖案化。
圖7(C)係溝19b附近之擴大圖。然而，雖未示於圖7(C)，雷射光束照射工程S60中，晶圓11之表面11a側則有沿著分割預定線13加以除去，或沿著分割預定線13於表面11a側，形成熱變質層之情形。
雷射光束照射工程S60之後，將晶圓單元23向電漿蝕刻裝置54搬送(參照圖8(A))。本實施形態之電漿蝕刻裝置54係雖為以容量結合方式，於處理室內，將氣體電漿化之直接電漿型，亦可為在處理室外將電漿化之氣體供給至處理室內之間隔電漿型。
電漿蝕刻裝置54係具有以金屬形成且接地之處理室(未圖示)。於處理室中，設置成為晶圓單元23之搬送路徑之門扉部(未圖示)，於與門扉部不同之位置，連接為排氣處理室之內部之排氣裝置(未圖示)。
於處理室內，設有平台基座(未圖示)。於平台基座，設置保持晶圓單元23之靜電夾盤(未圖示)、和從靜電夾盤電性分離，藉由阻隔電容器(未圖示)，連接於高頻電源(未圖示)之偏壓用電極(未圖示)。
於平台基座之上方，與處理室之頂棚部之間，設有以金屬形成之網目狀之電漿擴散構件(未圖示)。於處理室之上部，以略垂直連接於處理室之頂棚部之形態，設置氣體供給管(未圖示)。
於本實施形態之氣體供給管，雖連接有具有SF6 之第1之氣體供給源、和有具有C4 F8 之第2之氣體供給源，使用之氣體種類非限定於此例。
本實施形態中，將圖案化之樹脂膜19作為掩膜，藉由博施法，沿著分割預定線13，將晶圓11分割成各個裝置晶片(分割工程S70)。圖8(A)係顯示分割工程S70之圖。
分割工程S70中，首先，將晶圓單元23搬送至靜電夾盤，樹脂膜19露出於上方且保護膠帶21接觸於靜電夾盤之形態，將晶圓單元23以靜電夾盤加以保持。然後，關閉門扉部，使排氣裝置動作，將處理室內成為特定之壓力。
接著，以從高頻電源供給電力於偏壓用電極之狀態，從氣體供給管於處理室內，將SF6 在第1之特定時間加以供給。SF6 氣體係在處理室內電漿化，電漿化之SF6 氣體則供給至晶圓11之表面11a側。
供給於晶圓11之表面11a側之電漿化之SF6 氣體(即，蝕刻氣體P)係包含氟離子、氟自由基等，藉由此蝕刻氣體P，晶圓11係被蝕刻(蝕刻工程)。
接著，自第1之氣體供給源停止SF6 氣體之供給，從第2之氣體供給源至氣體供給管，以第2之特定時間、供給C4 F8 氣體。由此，電漿化之C4 F8 氣體則供給至晶圓11之表面11a側。藉由電漿化之C4 F8 氣體，晶圓11之表面11a之蝕刻溝(未圖示)之側面及底面係以CF系聚合膜加以被覆(被覆工程)。
更且，藉由交互切換對處理室內供給之氣體種類，複數次重覆蝕刻工程與被覆工程。沿著分割預定線13形成於晶圓11之溝11c，晶圓11被分割，製造WL-CSP(裝置晶片)。
圖8(B)係分割工程S70後之晶圓11等之剖面圖，圖8(C)係WL-CSP25之剖面圖。然而，圖9係晶圓11之加工方法之之流程圖。
本實施形態中，藉由將樹脂膜19作為掩膜，對於晶圓11之表面11a側，施以電漿蝕刻，可將晶圓11分割成各個WL-CSP25之故，相較於使用旋轉塗覆機形成光阻膜之情形，可改善產率。
然而，於突起電極15b與平坦面15a之間，形成有無樹脂膜19之空間時，雖有WL-CSP25之強度下降之疑慮，但本實施形態中，經過上述被覆工程S30等，形成樹脂膜19之故，難以形成該空間。因此，可防止WL-CSP25之強度之下降。
又，於突起電極15b與平坦面15a之間，形成空間之時，藉由於電漿蝕刻中加熱晶圓11，存在於空間之空氣則膨脹，易於產生晶圓11、樹脂膜19等之破損或龜裂。但是，本實施形態中，難以形成突起電極15b與表面11a之間之空間之故，可防止晶圓11、樹脂膜19等之破損或龜裂。
其他，有關上述實施形態之構造，方法等，在不脫離本發明之目的範圍之下，可適切變更實施。上述分割工程S70中，雖採用博施法，可對應於藉由蝕刻除去之晶圓11之厚度，省略被覆工程，僅進行蝕刻工程亦可。
11:晶圓(被加工物) 11a:表面 11b:背面 11c:溝 13:分割預定線(切割道) 15:裝置 15a:平坦面 15b:突起電極 15c:間隙 17:紫外線硬化樹脂 19:樹脂膜 19a:表面 19b:溝 21:保護膠帶 23:晶圓單元 25:WL-CSP 10:貼合裝置 12:平台 12a:下面 12b:上面 14a:UV燈 14b:薄板 16:噴嘴 18:樹脂供給源 20:搬送裝置 22:框體 22a:凹部 22b:第1流路 22c:第2流路 24:多孔質板 24a:一面 26:吸引源 28:機械臂 30:車刀切削裝置 32:夾盤 32a:保持面 34:車刀切削單元 34a:主軸殼體 34b:主軸 34c:輪架 36:車刀輪 38:車刀工具 38a:基部 38b:刀刃 40:錘部 50:雷射加工裝置 52:加工頭 54:電漿蝕刻裝置 L:雷射光束 P:蝕刻氣體
[圖1]圖1(A)係晶圓之斜視圖，圖1(B)係晶圓之剖面圖。 [圖2]顯示樹脂供給工程之圖。 [圖3]顯示保持工程之圖。 [圖4]顯示被覆工程之圖。 [圖5]顯示硬化工程之圖。 [圖6]顯示薄化工程之圖。 [圖7]圖7(A)係顯示雷射光束照射工程之圖，圖7(B)係雷射光束照射工程後之晶圓等之剖面圖，圖7(C)係溝附近之擴大圖。 [圖8]圖8(A)係顯示分割工程之圖，圖8(B)係分割工程後之晶圓等之剖面圖，圖8(C)係WL-CSP之剖面圖。 [圖9]晶圓之加工方法之流程圖。
11:晶圓(被加工物)
11a:表面
11b:背面
15b:突起電極
15c:間隙
17:紫外線硬化樹脂
10:貼合裝置
12:平台
12a:下面
12b:上面
14a:UV燈
14b:薄板
20:搬送裝置
22:框體
22a:凹部
22b:第1流路
22c:第2流路
24:多孔質板
24a:一面
26:吸引源
28:機械臂

Claims (2)

  1. 一種被加工物之加工方法，在藉由設定於被加工物之表面側之複數之分割預定線，分割成複數之領域之各領域，設置複數之突起電極之被加工物之加工方法，其特徵係具備 以與供給具有流動性之硬化性樹脂之平台之上面側對向之方式，將該被加工物之該表面朝下，保持該被加工物之保持工程、 和藉由將該被加工物向下方移動，將該被加工物之該表面側按壓於該硬化性樹脂，以該硬化性樹脂進入該突起電極與該表面之間隙，且該突起電極埋入該硬化性樹脂之方式，以該硬化性樹脂被覆該被加工物之該表面之整體的被覆工程、 和硬化該硬化性樹脂，形成樹脂膜的硬化工程、 和該硬化工程之後，將具有吸收於該樹脂膜之波長之雷射光束，沿著各分割預定線，照射於該樹脂膜，除去各分割預定線上之該樹脂膜的雷射光束照射工程、 和該雷射光束照射工程之後，於該被加工物供給電漿化之氣體，將該樹脂膜作為掩膜，沿著各分割預定線，將該被加工物分割成各個裝置晶片的分割工程。
  2. 如請求項1記載之被加工物之加工方法，其中，更具備於該雷射光束照射工程之前，將樹脂膜之表面，以車刀工具加以切削，薄化該樹脂膜的薄化工程。
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