TW202123415A - 天線裝置及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種天線裝置，包括基板、晶片以及天線。基板具有相反的第一面與第二面、以及至少兩個通孔。晶片設置於基板的第一面上，晶片於面向基板的表面具有分別對應至少兩個通孔的至少兩個接墊。天線設置於基板的第二面上，天線的至少一部分位於至少兩個通孔中，天線經由至少兩個通孔與至少兩個接墊電性連接。

Description

天線裝置及其製造方法

本發明是有關於一種天線裝置及其製造方法，且特別是有關於一種具有通孔的天線裝置及其製造方法。

隨著時代的進展，無線射頻識別（Radio Frequency Identification，RFID）裝置逐漸受到重視。由於無線射頻識別裝置帶來的便利性，其被廣泛應用於各種領域中，如物流管理、倉儲管理、或身分識別等。

目前，在一些無線射頻識別裝置的製造過程中，在天線基板上形成天線之後，將積體電路（integrated circuit，IC）晶片放置於天線基板上。如此，晶片與天線基板之間存在間隙，使得無線射頻識別裝置整體的厚度較厚且容易產生IC晶片破裂與天線與晶片接點斷裂等問題。另外，若使用塑膠積體電路（plastic integrated circuit）晶片等IC晶片，在將所述積體電路晶片接合於天線基板時，需要較傳統積體電路晶片更大的壓力及較長的壓合時間進行接合，因而存在壓力過大而使晶片容易產生破裂、天線容易斷線、及熱壓接合製程時間較長等問題。因此，目前亟需一種能解決前述問題的方法。

本發明提供一種天線裝置，可確保天線與晶片之間的電性連接，且可以避免晶片破裂、天線斷線等問題產生。

本發明另提供一種天線裝置的製造方法，能製作出可防止晶片破裂、天線斷線等問題產生的天線裝置，從而提升天線裝置的良率。

本發明的至少一實施例提供一種天線裝置，包括基板、晶片以及天線。基板具有相反的第一面與第二面、以及至少兩個通孔。晶片設置於基板的第一面上，晶片於面向基板的表面具有分別對應至少兩個通孔的至少兩個接墊。天線設置於基板的第二面上，天線的至少一部分位於至少兩個通孔中，天線經由至少兩個通孔與至少兩個接墊電性連接。

本發明的至少一實施例提供一種天線裝置的製造方法，包括基板準備步驟、晶片放置步驟、及天線形成步驟等步驟。在基板準備步驟中，於基板中形成至少兩個通孔，基板具有相反的第一面與第二面。在晶片放置步驟中，將晶片放置於基板上的第一面上。晶片於面向基板的表面具有分別對應至少兩個通孔的至少兩個接墊。在天線形成步驟中，形成天線於基板的第二面上。天線的至少一部分位於至少兩個通孔中，天線經由至少兩個通孔與至少兩個接墊電性連接。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同或類似的元件。在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為「在另一元件上」時，其可以直接在另一元件上，或者中間元件可以也存在。二元件互相「電性連接」可為二元件間存在其它元件。

應當理解，儘管術語「第一」與「第二」等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。

這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式「一」和「一個」旨在包括複數形式，包括「至少一個」。「至少兩個的一者」旨在表示複數形式中的至少一部分，其數量可為單數亦可為複數、而「至少兩個的另一者」表示除前述部分以外的另一部分，其數量可為單數亦可為複數。「或」表示「及/或」。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語「包括」及/或「包括」指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一個或多個其它特徵、區域整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。

此外，諸如「下」或「底面」和「上」或「頂面」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的「下」側的元件將被定向在其他元件的「上」側。因此，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件「下方」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「上」或「下」可以包括上方和下方的取向。

本文使用的「約」或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，「約」或「實質上」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、20％、10％、5％內。再者，本文使用的「約」或「實質上」可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

除非另有定義，本文使用的所有術語包括技術和科學術語具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

圖1A是依照本發明的第一實施例的一種天線裝置的俯視示意圖；圖1B是依照本發明的第一實施例的一種天線裝置的仰視示意圖；圖1C為沿著圖1A中的X1-X2線段的局部剖面示意圖；圖1D為沿著圖1A的Y1-Y2線段的剖面示意圖。為方便說明，圖1A與圖1B中以虛線表示通孔102的位置。圖1B中以另一虛線表示晶片110的位置。

請參照圖1A至圖1D，天線裝置10包括基板100、晶片110、以及天線120。基板100具有相反的第一面100a與第二面100b、以及至少兩個通孔102。在天線裝置的俯視方向上，通孔102貫穿整個基板100。晶片110設置於基板100的第一面100a上，且具有相反的主動面110a與背面110b。天線120相對於晶片110而設置於基板100的第二面100b上，且天線120經由通孔102接合至設置於晶片110的主動面110a上的接墊112。

在本實施例中，基板100可為可撓式基板。基板100的材料可包括紙、聚乙烯對苯二甲酸酯（polyethylene terephthalate，PET）、聚氯乙烯（polyvinyl chloride，PVC）、塑膠膜、或其他適宜的材料等，本領域普通技術人員可依據設計需求選用基板100的材料，本發明並不以此為限。舉例來說，當將天線裝置10用於包裝盒（如牛奶盒、紙袋、餅乾袋等）上時，基板100例如為用於形成包裝盒的基材（如紙、牛皮紙、塑膠等）。

請參照圖1C與圖1D，晶片110的主動面110a面向基板100，且在主動面110a上包括至少兩個接墊112。請參照圖1D，接墊112的側面與晶片110的側面例如相隔一距離D1，且距離D1的下限較佳為0.5 mm，更佳為1 mm。另外，距離D1的上限並無特別限定，只要大於0 mm即可。在一實施例中，距離D1例如為晶片110切割時之切割道的間距，藉此可避免晶片110切割時傷到接墊112。另一方面，也可避免天線120填充通孔102時，產生導電膠溢膠情形。在本實施例中，晶片110可為以塑膠為基底的積體電路元件，即為將主動元件與電路形成於如塑膠等可撓式基板上的晶片型態。主動面110a為包括薄膜電晶體TFT等積體電路的形成表面，在本實施例中，接墊112可作為電性連接至晶片110內部積體電路的接點。接墊112的材料包括導電材料，例如金、銀、銅、鋁、鉬、鈦或其他金屬或包含前述金屬的合金。

在本實施例中，晶片110的接墊112分別對應基板100的通孔102。舉例來說，在晶片110的4個角上分別設置有4個接墊112的情況下，4個通孔102分別對應4個接墊112而設置於基板100中。如圖1C所示，在晶片110的短邊方向X上，其中2個接墊112例如位於主動面110a的一短邊上，且沿短邊方向X而分別設置於鄰近晶片110的長邊的兩端，2個通孔102在俯視方向上與該2個接墊112重疊。需注意的是，雖然圖1C所繪示在晶片各短邊上的接墊數量與通孔數量以2個為例，但本發明不以此為限。在其他實施例中，在晶片各短邊上的接墊數量與通孔數量也可以是1個或大於等於2個，接墊的型態亦可以視不同的電性連接方式而進行調整，詳於後文說明。如圖1D所示，在晶片110的長邊方向Y上，另一接墊112例如相對於上述2個接墊112的其中一者而位於主動面110a沿長邊方向Y的一端。

請參照圖1B至圖1D，天線120例如為螺旋狀線圈或其他形狀，且天線120的兩端經由通孔102分別電性連接至晶片110的接墊112。在本實施例中，對天線120的兩端具體說明如下：天線120的一端為位於天線最外圈上，且自線圈最外圈的末端向內（向最內圈的方向）延伸、覆蓋基板的通孔且在俯視方向上橫跨晶片的短邊方向的特定線段，後文將此特定線段稱為天線120的第一接合線段122；另一端為位於天線最內圈上，且自最內圈的末端向外（向最外圈的方向）延伸、覆蓋基板的通孔且在俯視方向上橫跨晶片的短邊方向的特定線段，後文將此特定線段稱為天線120的第二接合線段124。

在本實施例中，天線120的第一接合線段122與第二接合線段124分別完整覆蓋基板100的通孔102。進一步而言，如圖1B所示，在天線裝置的俯視方向上，第一接合線段122與第二接合線段124的覆蓋面積分別大於通孔102的面積。換句話說，通孔102與第一接合線段122的側面相隔一距離D3，通孔102與第二接合線段124的側面相隔一距離D4。在本實施例中，距離D3的下限較佳為0.5 mm，更佳為1 mm。距離D4的下限較佳為0.5 mm，更佳為1 mm。另外，距離D3及距離D4的上限並無特別限定，只要大於0 mm即可。如此一來，可增加第一接合線段122與第二接合線段124的結構強度，並確保天線120與晶片110的電性連接。再者，通孔102在基板100上的投影面積例如大於晶片110的接墊112在基板100上的投影面積。藉此，當天線120完整覆蓋通孔102時，可確保天線120與接墊112的接觸面積，從而可改善天線120與晶片110的電性連接。在本實施例中，天線120的材料包括導電材料，例如銀、銅、鋁、石墨烯或其他導電材料。此外，天線120的第一接合線段122與第二接合線段124的寬度亦可大於天線120其他部位的寬度。在基板100的第二面100b上，相較於其他部分的天線120，作為第一接合線段122的最外圈線段及作為第二接合線段124的最內圈線段在基板投影方向上具有較大的覆蓋面積，據此可以確保天線完整覆蓋通孔，從而確保天線與晶片之間的電性連接、以及避免天線產生斷線或破裂等不良。

基於上述，藉由上述第一接合線段122及第二接合線段124，可確保天線120完整覆蓋通孔102，而可確保天線120與接墊112的接觸面積，並且也可以避免天線產生斷線等問題，從而改善天線120與晶片110之間的電性連接。

在本實施例中，在基板100與晶片110之間還具有黏著層。

請參照圖1A、圖1C與圖1D，在基板100的第一面100a側，晶片110可藉由黏著層130而貼附固定於基板100上。黏著層130在基板投影方向上的面積例如大於或等於或小於晶片110在基板投影方向上的面積。如此一來，可以防止晶片110自基板100上脫落。在本實施例中，黏著層130的材料例如包括黏膠，如熱熔膠或其他適宜的黏著材料，但本發明不限於此。

在本實施例中，黏著層130例如具有分別對應於多個通孔102的多個開孔132。在天線裝置的俯視方向上，開孔132貫穿整個黏著層130。據此，天線120可經由通孔102與開孔132接合至晶片110。

在本實施例中，通孔102與開孔132例如可以在同一道製程中形成，因此，開孔132在基板100的投影與通孔102在基板100的投影實質上重疊。另外，開孔132在基板100的投影面積例如大於接墊112在基板100的投影面積。藉此，當天線120經由通孔102與開孔132接合至接墊112時，通孔102與開孔132之間無段差，可確保天線120填滿整個通孔102與開孔132，進而改善天線120與晶片110之間的電性連接。

在一些實施例中，當黏著層130在基板投影方向上的面積大於晶片110在基板投影方向上的面積時，晶片110例如埋設於黏著層130的一部分內，使得位於基板100與晶片110之間的黏著層130的厚度小於位於晶片110周邊的黏著層130。舉例來說，黏著層130還可具有凹槽134，且晶片110例如埋設於凹槽134內。藉此，可增強晶片110與黏著層130之間的黏著力，進而可以防止晶片110自基板100上脫落。

在本實施例中，相較於傳統的天線裝置，天線裝置10具有較小的整體厚度，且天線印刷時晶片與基板之間的斷差小。舉例來說，相較於傳統的天線裝置（厚度大於100 μm），本發明之天線裝置10的厚度因僅包含基板100、晶片110、天線120、黏著層130的厚度，故天線裝置10的整體厚度可薄化至70 μm～80 μm。另外，天線120印刷時晶片與基板之間的斷差例如為23 μm。

圖2A是依照本發明的第二實施例的一種天線裝置的俯視示意圖；圖2B是依照本發明的第二實施例的一種天線裝置的仰視示意圖；圖2C為沿著圖2A中的X1-X2線段的局部剖面示意圖；圖2D為沿著圖2A的Y1-Y2線段的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖2A至圖2D的實施例沿用圖1A至圖1D的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，在此不贅述。為方便說明，圖2A與圖2B中仍繪示出位於保護層210與保護層210下的其他元件。

請參照圖2A至圖2D，本實施例之天線裝置20與第一實施例之天線裝置10的不同處為基板100的第一面100a側還具有凹槽200與保護層210；基板100的第二面100b側還具有保護層220。

在本實施例中，可進一步於基板100中設置凹槽200（第一凹槽）。舉例來說，可在基板100的第一面100a上例如以沖壓的方式沖壓晶片預定形成區域的基板100，以薄化該晶片預定形成區域的基板厚度，而於該晶片預定形成區域處形成可容置晶片110的凹槽200。在一些實施例中，在位於凹槽200處的基板100的沖壓密度例如大於位於凹槽200的周圍處的基板100的沖壓密度，但本發明不以此為限。請參照圖2C與圖2D，凹槽200的側壁與基板100的第二面100b之間具有夾角θ1。舉例來說，夾角θ1可為銳角，但本發明不以此為限。

在本實施例中，基板100的通孔102例如設置於凹槽200底面200b的基板100內。請參照圖2D，通孔102例如與凹槽200的側壁相隔一距離D2，且距離D2大於或等於0 mm。舉例來說，距離D2的上限較佳為1.5 mm，更佳為1 mm。

晶片110例如設置於凹槽200內。圖2D中，是以凹槽200的深度與晶片110的高度實質上相同為例進行說明。再者，凹槽深度不大於基板整體的厚度，亦即在凹槽200的底面200b保留一定厚度的基板100。此外，凹槽200的深度不限於與晶片110的厚度一致，可視需求調整，本發明並不以此為限。在一實施例中，凹槽200的深度例如設置為小於位於凹槽200之外的基板100的厚度。舉例來說，凹槽200的深度例如為16 μm～20 μm。在本實施例中，凹槽200的深度可以晶片110的背面110b實質上切齊於基板100的第一面100a的方式來進行設置。換句話說，晶片110的背面110b與基板100的第一面100a可為共平面。在此，晶片110的背面110b與基板100的第一面100a之間的水平高度差位於標準偏差範圍內，都可視為本文所述之「共平面」，其中標準偏差範圍例如±30％內。

另外，在天線裝置的俯視方向上，凹槽200不會貫穿整個基板100。換句話說，凹槽200的底面200b與基板100的第二面100b之間的距離不為0 μm。在一實施例中，凹槽200的底面200b與基板100的第二面100b之間的距離例如為16 μm~20 μm，可依據基板的強韌度來調整凹槽處的基板殘存厚度，本發明不限於此。

在一些實施例中，在基板100與晶片110之間具有黏著層130的情況下，黏著層130可位於凹槽200的底面200b，而可將晶片110貼附固定於凹槽200內。請參照圖2D，黏著層130的開孔132例如與凹槽200的側壁相隔一距離D2，且距離D2的上限較佳為1.5 mm，更佳為小於1 mm。另外，距離D2的下限並無特別限定，只要大於0 mm即可。

基於上述，藉由在基板設置如上的凹槽，不僅可降低天線裝置20的整體厚度，也可避免因晶片凸出基板而容易在製造過程中受到破壞而影響良率等問題。舉例來說，相較於傳統的天線裝置（厚度大於100 μm），本發明之天線裝置20的厚度因僅包含基板100與天線120的厚度，故天線裝置20的整體厚度可達小於50 μm的程度。另外，天線印刷時晶片與基板之間的斷差例如3 μm～9 μm，較佳為7 μm。

在本實施例中，基板100上還可選擇性地包括保護層。

請參照圖2A至圖2D，在基板100的第一面100a側，保護層210至少覆蓋形成有晶片110的區域；在基板100的第二面100b側，保護層220至少覆蓋形成有天線120的區域。換句話說，保護層210覆蓋晶片110及部分的基板100的第一面100a，保護層220覆蓋天線120及部分的基板100的第二面100b。另外，在基板100具有凹槽200的情況下，在天線裝置的俯視方向上，保護層210的覆蓋面積例如大於凹槽200的面積。藉此，可保護晶片與天線在製造過程中不會受到破壞，也可防止晶片與天線脫落。在本實施例中，保護層210及保護層220例如包括印刷保護層或是印刷材料等。舉例來說，當將天線裝置20用於包裝盒上時，保護層210及保護層220可為用於包裝盒外層的印刷層，即如用於印刷商標、包裝設計等的印刷材料。在其他實施例中，也可僅包含保護層210及保護層220的其中一者，本發明並不以此為限。舉例來說，當天線裝置20以晶片110側朝向包裝盒外側的方式應用於包裝盒上時，可僅形成保護層210；當天線裝置20以天線120側朝向包裝盒外側的方式應用於包裝盒上時，可僅形成保護層220。如此，可簡化製造步驟進而提升製程效率，並藉由保護層使天線裝置隱藏於印刷層的內部，進而可保護晶片或天線不受到損壞。

圖3A是依照本發明的第三實施例的一種天線裝置的俯視示意圖；圖3B是依照本發明的第三實施例的一種天線裝置的仰視示意圖；圖3C為沿著圖3A中的X1-X2線段的局部剖面示意圖；圖3D為沿著圖3A的Y1-Y2線段的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖3A至圖3D的實施例沿用圖2A至圖2D的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，在此不贅述。

請參照圖3A至圖3D，本實施例之天線裝置30與第二實施例之天線裝置20的不同處為：本實施例之天線裝置30中，基板100在晶片周圍區域還具有溝槽300，藉此降低天線裝置30在製造過程中，晶片受到外力而斷裂等影響。如圖3A所示，溝槽300鄰近晶片110的短邊，且與晶片110相隔一距離。在本實施例中，溝槽300與晶片110相隔的距離例如為2 mm，但本發明不以此為限。需注意的是，雖然圖3A與圖3B所繪示的溝槽數量以2個為例，但本發明不以此為限。在其他實施例中，溝槽數量也可以是1個或大於等於2個。在本實施例中，溝槽300的長度延伸方向例如與晶片110的短邊方向X平行，溝槽300的長度例如大於或等於晶片110的寬度。溝槽300的深度例如小於或等於基板100的厚度，在本實施例中，溝槽300例如貫通基板100。據此，在製造過程中，當產生因基板與晶片之間的延展性不同而造成的晶片位置偏離時，溝槽可發揮緩衝的功能以避免晶片受到拉扯而斷裂，進而提升天線裝置的良率。

圖4A是依照本發明的第四實施例的一種天線裝置的俯視示意圖；圖4B是依照本發明的第四實施例的一種天線裝置的仰視示意圖；圖4C為沿著圖4A中的X1-X2線段的局部剖面示意圖；圖4D為沿著圖4A的Y1-Y2線段的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖4A至圖4D的實施例沿用圖2A至圖2D的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，在此不贅述。為方便說明，圖4A中以虛線表示黏著層430與晶片110的位置。

請參照圖4A至圖4D，第四實施例以黏著層430（保護黏著層）替代第二實施例之黏著層130。本實施例之天線裝置40的黏著層430與第二實施例之天線裝置20的黏著層130的不同處為黏著層430是位於晶片110上。具體來說，在基板100的第一面100a側，天線裝置40的黏著層430位於晶片110上，且黏著層430例如包覆晶片110。換句話說，黏著層430例如覆蓋晶片110的背面110b及其側面。據此，晶片110可藉由黏著層430固定於基板100上，且可保護晶片110不受到破壞。在一實施例中，在未形成保護層210的情況下，黏著層430可替代保護層210而發揮保護晶片110的作用。

另外，在基板100具有凹槽200的情況下，黏著層430例如填滿晶片110與凹槽200之間的間隙，而可將晶片110固定於凹槽200內，進而確保晶片110不會自凹槽200脫落。

在本實施例中，相較於傳統的天線裝置（厚度大於100 μm），本發明之天線裝置40的厚度因僅包含基板100與天線120的厚度，故天線裝置40的整體厚度可達小於50 μm的程度。另外，天線印刷時晶片與基板之間的斷差例如3 μm～9 μm，較佳為7 μm。

以下，將說明依照本發明的第五實施例的一種天線裝置的製造流程。

圖5A至圖5E是依照本發明的第五實施例的一種天線裝置的製造方法的流程圖。在此必須說明的是，圖5A至圖5E的實施例沿用圖1A至圖1D的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，在此不贅述。在本實施例中，是以黏著層130在基板投影方向上的面積大於晶片110在基板投影方向上的面積為例進行說明。

請參照圖5A，提供基板100。接著，對應於後續步驟中晶片預定形成區域，在基板100的第一面100a上形成黏著層130。

請參照圖5B，在基板100的第一面100a上形成印刷層500。在本實施例中，印刷層500還具有開口502，以暴露出部分的黏著層130。換句話說，印刷層500覆蓋黏著層130的表面130a的一部分。在本實施例中，黏著層130與印刷層500的開口502共同形成凹槽的形狀，即開口502所暴露出的黏著層130的表面130a例如為凹槽的底部，開口502的側壁例如為凹槽的側壁。在本實施例中，印刷層500的材料例如為用於印刷商標、包裝設計等的印刷油墨。

請參照圖5C，對應於晶片上接墊的預定形成區域，例如藉由模具沖切或雷射等方法形成基板100的通孔102及黏著層130的開孔132中的至少一者。在本實施例中，通孔102與開孔132例如可以在上述製程中同時形成，但本發明不限於此。

請參照圖5D，將晶片110放置在黏著層130上，且晶片110的接墊112位於黏著層130的開孔132內。換句話說，晶片110設置於印刷層500的開口502內。在本實施例中，印刷層500與黏著層130共同形成凹槽，且凹槽的深度實質上與開口502的深度相同。舉例來說，開口502的深度例如設置為10 μm～20 μm，較佳為10 μm～15 μm。印刷層500的表面500a與晶片110的背面110b之間的水平高度差例如設置為7 μm以下。在一實施例中，開口502的深度例如設置為等於晶片110的厚度。具體而言，印刷層500的表面500a與黏著層130的表面130a之間的距離實質上等於晶片110的主動面110a與晶片110的背面110b之間的距離。換句話說，印刷層500的表面500a與晶片110的背面110b可為共平面。在此，印刷層500的表面500a與晶片110的背面110b之間的水平高度差位於標準偏差範圍內，都可視為本文所述之「共平面」，其中標準偏差範圍例如±25％內。

請參照圖5E，在基板100的第二面100b上形成天線120。在本實施例中，天線120的第一接合線段122與第二接合線段124分別填充通孔102與開孔132，而接合至晶片110的接墊112。至此，已大致完成本實施例的天線裝置50的製作。

基於上述，藉由在基板設置如上的印刷層，不僅可降低天線裝置50的整體厚度，也可保護晶片在製造過程中不會受到破壞而影響良率、或是可以使得天線與晶片的接合較不受接合面的地貌影響，避免天線產生斷線等情形。

圖6A是依照本發明的第六實施例的一種天線裝置的俯視示意圖；圖6B是依照本發明的第六實施例的一種天線裝置的仰視示意圖；圖6C為沿著圖6A中的X1-X2線段的局部剖面示意圖；圖6D為沿著圖6A的Y1-Y2線段的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖6A至圖6D的實施例沿用圖4A至圖4D的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，在此不贅述。

請參照圖6A至圖6D，本實施例之天線裝置60與第四實施例之天線裝置40的不同處為基板100在其第二面100b側還具有凹槽600（第二凹槽），且保護層620替代第四實施例之保護層220。

在本實施例中，凹槽600與凹槽200的不同處為可容置天線120，且天線120設置於凹槽600的底面600b上。請參照圖6D，在長邊方向Y上，凹槽600的側壁與基板100的第二面100b的延伸方向之間具有夾角θ2。舉例來說，夾角θ2可為銳角，但本發明不以此為限。

在本實施例中，基板100的通孔102例如設置於凹槽200與凹槽600之間的基板100內。

圖6D中，是以凹槽600的深度與天線120的高度實質上相同為例進行說明。在其他實施例中，凹槽600的深度不限於與天線120的厚度一致，可視需求調整，本發明並不以此為限。舉例來說，凹槽600的深度例如為5 μm～15 μm，較佳為10 μm～12 μm。在本實施例中，凹槽600的深度可以天線120的表面實質上切齊於基板100的第二面100b的方式來進行設置。換句話說，天線120的表面與基板100的第二面100b可為共平面。在此，天線120的表面與基板100的第二面100b之間的水平高度差位於標準偏差範圍內，都可視為本文所述之「共平面」，其中標準偏差範圍例如±30％內。

在其他實施例中，凹槽600例如也可應用於前述實施例中，本發明不限於此。舉例來說，第二實施例之天線裝置20在基板100的第二面100b側也可具有凹槽600。

在本實施例中，保護層620與第四實施例之保護層220的不同處為：保護層620在俯視方向上的覆蓋面積至少大於凹槽600的面積。藉此，可保護天線在製造過程中不會受到破壞，也可防止天線自凹槽600脫落。

在本實施例中，相較於傳統的天線裝置（厚度大於100 μm），本發明之天線裝置60的厚度因僅包含基板100的厚度，故天線裝置60的整體厚度可達小於30 μm的程度。另外，天線印刷時晶片與基板之間的斷差例如0 μm～7 μm，較佳為0 μm。

以下，將例示說明可應用於上述實施例中接墊的實施形態以及可應用於晶片的電路結構，但本發明並不限定於以下的實施形態。

圖7A是依照本發明的第七實施例的晶片的上視示意圖；圖7B是依照本發明的第八實施例的晶片的上視示意圖；圖8是依照本發明的第九實施例的晶片的電路結構示意圖。在此必須說明的是，圖7A、圖7B、圖8的實施例沿用圖1A至圖1D的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，在此不贅述。

請參照圖7A，晶片110的接墊例如包括多個接墊LA1及多個接墊LB1，其中在晶片110的長邊方向Y上，多個接墊LA1位於晶片110的一短邊上，且多個接墊LB1位於晶片110的另一短邊上。此處，接墊LA1及接墊LB1的結構類似於前述任一實施例中的接墊112，於此不再贅述。需注意的是，雖然圖7A所繪示接墊LA1與接墊LB1的數量分別以2個為例，但本發明不以此為限。在其他實施例中，接墊LA1與接墊LB1的數量也可以是大於等於2個。

在一實施例中，對應於多個接墊LA1及多個接墊LB1，而可在基板中形成同等數量的通孔，且通孔在基板上的投影面積例如大於接墊LA1或接墊LB1的投影面積。舉例來說，對應於2個接墊LA1及2個接墊LB1，而形成4個通孔，並暴露出接墊LA1及接墊LB1，但本發明不限於此。藉此，天線120的兩端分別透過通孔接合至多個接墊LA1及多個接墊LB1，而電性連接至晶片110內的驅動電路，而可使接墊LA1及接墊LB1的其中一者作為輸入端、另一者作為輸出端。

請參照圖7B，晶片110的接墊例如包括接墊LA2及接墊LB2，其中在晶片110的長邊方向Y上，接墊LA2位於晶片110的一短邊上，且接墊LB2位於晶片110的另一短邊上。接墊LA2及接墊LB2例如為沿著晶片110的短邊方向X延伸的長條狀接墊。舉例來說，接墊LA2及接墊LB2可為長度小於晶片110的寬度的長條狀接墊。如此一來，可增加晶片110的接墊112與天線120之間的接觸面積。

在一實施例中，對應於接墊LA2及接墊LB2，而可在基板中形成相同形狀的通孔，且通孔在基板上的投影面積例如大於接墊LA2或接墊LB2的投影面積。舉例來說，對應於呈長條狀的接墊LA2及接墊LB2，而形成呈長條狀的通孔，並暴露出接墊LA2及接墊LB2，但本發明不限於此。藉此，天線120的兩端分別透過通孔接合至接墊LA2及接墊LB2，而電性連接至晶片110內的驅動電路，而可使接墊LA2及接墊LB2的其中一者作為輸入端、另一者作為輸出端。

請參照圖7，晶片110上的接墊LA例如為上述多個接墊LA1或接墊LA2，接墊LB例如為上述多個接墊LB1或接墊LB2，但本發明不限於此。接墊LA及接墊LB的其中一者例如可作為輸入端、另一者例如可作為輸出端。在本實施例中，電路結構700例如藉由接墊LA及接墊LB耦接晶片110，且與電容C並聯。電容C例如為調諧電容器（Tuning Capacitor）。在一實施例中，電路結構700可包括射頻區塊710及數位區塊720。射頻區塊710例如包括整流器（Rectifier）712與調變器（Modulator）714等，數位區塊720例如包括時脈產生器（Clock Generator）722、記憶體陣列（Memory Array）724與數位控制器（Digital Controller）726等，但本發明不限於此。在本實施例中，例如將接墊LA作為輸入端以接收來自電路結構700的輸入信號並將接墊LB作為輸出端以輸出信號至電路結構700。在透過天線接收信號後，此信號可經由接墊LB輸出至電路結構700，並且電路結構700藉由射頻區塊710及數位區塊720對此信號進行整流、調變、寫入或讀取等處理。在處理完信號後，電路結構700可將處理後的信號輸出至接墊LA。

以下，將說明依照本發明一實施例的一種天線裝置的製造流程，其中下述內容是以捲對捲（roll-to-roll）製程進行說明，但本發明不限於此。

圖9A是依照本發明的第十實施例的一種天線裝置的製造方法的流程圖；圖9B為圖9A的製造方法的局部立體示意圖。

請參照圖9A與圖9B，基板準備步驟包括步驟S100、步驟S102、步驟S104、步驟S106、步驟S108等。

在步驟S100中，藉由一進料滾筒將基板（原物料基板）輸入至印刷設備中。在本實施例中，基板例如紙、聚乙烯對苯二甲酸酯、聚氯乙烯、塑膠膜、或其他適宜的材料等，本發明並不以此為限。舉例來說，當欲將天線裝置用於包裝盒（如牛奶盒、紙袋、餅乾袋等）上時，基板可使用與用來形成包裝盒的基材（如紙、牛皮紙、塑膠等）相同的材料。

在步驟S102中，對應於後續步驟中晶片預定形成區域，在基板上印刷對位記號802並形成黏著層810。在本實施例中，黏著層810例如熱熔膠或其他適宜的黏著材料。在一些實施例中，黏著層810還可具有凹槽（例如圖1C之凹槽134）。

在一些實施例中，可以在形成黏著層810之前，在基板中形成凹槽。舉例來說，可在基板的後續欲承載晶片的一面中對應於晶片的預定形成區域形成如圖2A之凹槽200；另外，也可進一步在基板的後續欲承載天線的另一面中形成如圖6B之凹槽600，有關此部分的詳細說明可參照上述凹槽200與凹槽600的說明，在此不再贅述。在形成如圖2A之凹槽200般的凹槽的情況下，例如將黏著層810形成於該凹槽內。形成凹槽的方法例如以鋼印、沖壓等方式薄化晶片或天線的預定形成區域的基板厚度，而於該預定形成區域處形成可容置晶片或天線的凹槽，但本發明不限於此。

接著，在步驟S104中，乾燥黏著層810，使黏著層810固化。在本實施例中，乾燥黏著層810的方法並無特別限定，只要不會因後續製程而脫落即可。

在步驟S106中，例如藉由沖孔製程等在基板中形成通孔804。通孔804貫穿整個基板與黏著層810，且對應於晶片上接墊的預定形成區域。換句話說，黏著層810具有分別對應於通孔804的開孔，使得後續在放置晶片時，黏著層810可暴露出晶片的接墊。需注意的是，雖然圖9B所繪示通孔數量以4個為例且位於黏著層810的四個角附近，但可依據接墊的型態調整通孔數量及其位置，本發明不以此為限。在一實施例中，在基板形成有凹槽的情況下，通孔804與凹槽的側壁之間的距離的下限較佳為1 mm，更佳為1.5 mm。通孔804與凹槽的側壁之間的距離的上限並無特別限定，只要大於0 mm即可。

在一實施例中，也可在沖孔製程中例如同時在基板中形成溝槽（未繪示）、或例如藉由裁切基板以形成溝槽（未繪示）。對應於後續步驟中晶片預定形成區域，溝槽的長度例如大於或等於晶片預定形成區域的寬度，且溝槽的深度例如小於或等於基板的厚度。在鄰近晶片預定形成區域的短邊，溝槽與晶片預定形成區域相隔一距離。舉例來說，溝槽與晶片預定形成區域之間的距離約為2 mm。溝槽的長度延伸方向例如與收料滾筒900的滾動方向平行，換句話說，溝槽的長度延伸方向例如與基板的移動方向平行。據此，在後續製程中，當產生因基板與晶片之間的延展性不同而造成的晶片位置偏離時，溝槽可發揮緩衝的功能以避免晶片受到拉扯而斷裂，進而提升天線裝置的良率。

然後，在步驟S108中，藉由收料滾筒900捲取具有對位記號802、通孔804及黏著層810的基板800（半成品基板），並於接合設備中進行後續的步驟。

在一些實施例中，也可在步驟S104與步驟S106之間，藉由如圖5A至圖5E所示的製造流程，在基板上形成具有開口的印刷層，且該開口例如暴露出部分的黏著層810。

圖10A與圖10B是圖9A與圖9B的下一道步驟的示意圖。為方便說明，圖10B中以虛線表示通孔804的位置。

請參照圖10A與圖10B，晶片放置步驟包括步驟S110、步驟S112、步驟S114、步驟S116、步驟S118等。

在步驟S110中，將於步驟S108中捲取的基板800以表面800a朝上的方式輸入至接合設備中，如此使基板800的表面800a面向後續用於放置晶片的構件。在一實施例中，接合設備例如為覆晶封裝接合機（Flip Chip Bonding Machine）。

在步驟S112中，拾取例如於晶圓上的晶片820並翻轉180度，使晶片820的接墊（未繪示）朝下。晶片820可包括兩個以上的接墊，其中接墊設置於晶片820的主動面上。舉例來說，接墊可為如圖7A所示的接墊LA1與接墊LB1、或如圖7B所示的接墊LA2與接墊LB2等，可依據設計需求調整接墊的配置，本發明並不以此為限。在本實施例中，晶片820可為以塑膠為基底的積體電路元件，即為將主動元件與電路形成於如塑膠等可撓式基板上的晶片型態。晶片820的主動面為包括薄膜電晶體TFT等積體電路的形成表面，接墊可作為電性連接至晶片820內部積體電路的接點。接墊的材料包括導電材料，例如金、銀、銅、鋁、鉬、鈦或其他金屬或包含前述金屬的合金。

在步驟S114中，將晶片820以主動面面向基板800的方式放置在基板800的表面800a上，且晶片820的接墊對應於通孔804。換句話說，通孔804暴露出晶片820的接墊，而可於後續製程中進行電性連接。

在一實施例中，例如以晶片820的短邊方向X與基板的移動方向之間具有一夾角的方式，將晶片820放置在黏著層810上。晶片820的短邊方向X與基板的移動方向之間的夾角為小於或等於45度，較佳為0度。換句話說，晶片820的短邊方向X與基板的移動方向較佳為彼此平行。由於收料滾筒與晶片的接觸面積越大，越容易造成後續在捲取晶片時晶片的彎曲角度過大、使收料滾筒與晶片表面之間的摩擦力過大、或者增大晶片受到收料滾筒撞擊的影響等問題，進而造成晶片的損壞。然而，藉由以晶片820的短邊方向X與基板的移動方向之間具有夾角的方式放置晶片820，使晶片在滾動方向上的受力路徑較短、晶片的彎曲角度較小，而可大幅度降低晶片損壞的機會，進而改善良率。相對於此，若晶片820的短邊方向X與基板的移動方向彼此垂直，則測得的良率極低，例如為小於10%。

在一些實施例中，在基板800的表面800a還具有凹槽的情況下，晶片820例如放置於該凹槽內。據此，不僅可降低後續形成的天線裝置整體的厚度，也可避免因晶片凸出基板而容易在後續製程中破壞晶片而影響良率等問題。

接著，在步驟S116中，壓合固定晶片820。在本實施例中，壓合固定的方式例如為熱壓固定，以加熱黏著層810而使其熔融後，使晶片820經由黏著層810固定於基板800上。

然後，在步驟S118中，藉由收料滾筒900捲取載置有晶片820的基板800，並於印刷設備中進行後續的步驟。

圖11A與圖11B是圖10A與圖10B的下一道步驟的示意圖。為方便說明，圖11B中以虛線表示通孔804的位置。

請參照圖11A與圖11B，天線形成步驟包括步驟S120、步驟S122、步驟S124、步驟S126等。

在步驟S120中，將於步驟S118中捲取的基板800，即載置有晶片820的基板800，以表面800b朝上的方式輸入至印刷設備中，如此使基板800的表面800b面向後續用於形成天線的構件。

在步驟S122中，印刷天線830。在本實施例中，天線830相對於晶片820而形成於基板800的表面800b上，且天線830例如為螺旋狀線圈或其他形狀。在本實施例中，天線830的材料例如為導電性的銀奈米油墨、石墨烯油墨或其他導電材料。印刷天線830的方法例如包括凸版印刷（Letterpress Printing）、凹版印刷（Gravure Printing）、網版印刷（Screen Printing）、微影（Lithography）、或熱轉印（thermal transfer）等方法，但本發明不限於此。

天線830的兩端分別經由通孔804電性連接至晶片820的接墊。在天線裝置的俯視方向上，在天線830經由通孔804與晶片820電性連接的位置，天線830在基板800上的投影面積例如大於通孔804在基板800上的投影面積。換句話說，天線830例如填滿整個通孔804，並覆蓋位於通孔804的周圍處的基板800的表面800b。

另一方面，通孔804在基板800上的投影面積例如大於晶片820的接墊在基板800上的投影面積。藉此，當天線830填滿整個通孔804時，可確保天線830與接墊的接觸面積，而可改善天線830與晶片820之間的電性連接。

在一實施例中，天線830可如同圖1A之天線120般包括第一接合線段122及第二接合線段124，相關說明可參照上述實施例，在此不再贅述。

接著，在步驟S124中，乾燥天線830，使天線830固化。在本實施例中，乾燥天線830的方法例如包括熱固化、光固化、或風乾固化等，但本發明不限於此。在一實施例中，在使天線830固化之後，可於其上形成保護層（例如圖2B之保護層220、或圖6B之保護層620）。至此，已大致完成本實施例的天線裝置60的製作。最後，在步驟S126中，捲取天線裝置60。

在本實施例中，天線裝置60的厚度因僅包含基板800、黏著層810、晶片820與天線830的厚度，固天線裝置60的整體厚度可薄化至70 μm～80 μm。在一些實施例中，在晶片820放置於凹槽內的情況下，天線裝置60的整體厚度可達小於50 μm的程度。在另一些實施例中，在基板的兩面皆形成有凹槽的情況下，天線裝置60的整體厚度可達小於30 μm的程度。據此，相較於傳統的天線裝置（厚度大於100 μm），不僅大幅降低天線裝置整體的厚度，也可避免因晶片或天線凸出基板而容易在後續製程中受到破壞而影響良率等問題。另外，相較於傳統天線裝置的製造方法，本發明之天線裝置60的製造方法中例如可不須進行採用異方性導電膠（Anisotropic Conductive Paste，ACP）等的熱壓接合製程，因此步驟較少，而可提升製程效率。

圖12是依照本發明的第十一實施例的一種天線裝置的製造方法的流程圖。

請參照圖12，第十一實施例之製造方法與第十實施例之製造方法的不同處為：第十一實施例之製造方法是於同一捲對捲機台中進行天線裝置的製造流程。換句話說，例如可省略第十實施例之步驟S108、步驟S118、步驟S120等步驟。藉此，可提高製程效率。步驟S200～步驟S220所省略的部分技術說明可參照圖9A、圖10A、圖11A的相關內容，在此不再贅述。

圖13是依照本發明的第十二實施例的一種天線裝置的製造方法的流程圖。在此必須說明的是，圖13的實施例沿用圖12的實施例的標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的流程，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，在此不贅述。

請參照圖13，第十二實施例之製造方法與第十一實施例之製造方法的不同處為：在步驟S212之後與步驟S214之前還包含步驟S213。具體來說，在步驟S202’中，對應於後續步驟中晶片預定形成區域，在基板上印刷對位記號或形成凹槽，而不在此形成黏著層，因此也省略進行第十一實施例的步驟S204。接著，在將晶片放置在基板上（步驟S212）之後，形成黏著層於晶片上（步驟S213），並壓合固定晶片（步驟S214）。

在本實施例中，黏著層例如包覆晶片。換句話說，黏著層例如覆蓋晶片的表面及其側面。據此，晶片可藉由黏著層固定於基板上，且可保護晶片不受到破壞。

在一實施例中，在將晶片放置於凹槽內的情況下，黏著層例如填滿晶片與凹槽之間的間隙，而可將晶片固定於凹槽內，進而確保晶片不會自凹槽脫落。

圖14是依照本發明的第十三實施例的一種天線裝置的製造方法的立體示意圖，其中使用與圖9B、圖10B、圖11B相同的元件符號來代表相同或相似的構件，且所省略的部分技術說明，如各層或區域的尺寸、材料、功能等均可參照圖9B、圖10B、圖11B的相關內容，因此於下文不再贅述。

請參照圖14，例如可重複進行上述實施例之製造方法，以在基板上形成多個天線裝置60。舉例來說，在一實施例中，可在基板準備步驟時重複進行步驟S102或步驟S202，以形成多個黏著層於基板上，接著在晶片放置步驟時重複進行步驟S112與步驟S114或步驟S210與步驟S212，以將多個晶片放置於黏著層上，然後在天線形成步驟時重複進行步驟S122或步驟S216，以將多個天線形成於基板的相對於晶片的一面上。在另一實施例中，可代替步驟S102或步驟S202而採用圖13中的步驟S213，以形成多個黏著層於晶片上，但本發明不以此為限。

綜上所述，本發明的天線裝置藉由在基板中具有多個通孔，且天線透過通孔電性連接至晶片，可確保天線與晶片之間的電性連接，避免天線產生斷線等問題，進而提升天線裝置的良率。並且，本發明的天線裝置的製造方法中，藉由在基板中形成多個通孔，且天線透過通孔電性連接至晶片，可確保天線與晶片之間的電性連接，且可避免天線產生斷線等問題，進而提升天線裝置的良率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10、20、30、40、50、60、70:天線裝置 100、800:基板 100a:第一面 100b:第二面 102、804:通孔 110、820:晶片 110a:主動面 110b:背面 112:接墊 120、830:天線 122:第一接合線段 124:第二接合線段 130、430、810:黏著層 130a、500a、800a、800b:表面 132:開孔 134、200、600:凹槽 200b、600b:底面 210、220、620:保護層 300:溝槽 500:印刷層 502:開口 700:電路結構 710:射頻區塊 712:整流器 714:調變器 720:數位區塊 722:時脈產生器 724:記憶體陣列 726:數位控制器 802:對位記號 900:收料滾筒 C:電容 D1、D2、D3、D4:距離 LA、LA1、LA2、LB、LB1、LB2:接墊 S100～S126、S200～S220:步驟 X:短邊方向 Y:長邊方向 θ1、θ2:夾角

圖1A是依照本發明的第一實施例的一種天線裝置的俯視示意圖。 圖1B是依照本發明的第一實施例的一種天線裝置的仰視示意圖。 圖1C是圖1A的X1-X2線段之局部剖面示意圖。 圖1D是圖1A的Y1-Y2線段之剖面示意圖。 圖2A是依照本發明的第二實施例的一種天線裝置的俯視示意圖。 圖2B是依照本發明的第二實施例的一種天線裝置的仰視示意圖。 圖2C是圖2A的X1-X2線段之局部剖面示意圖。 圖2D是圖2A的Y1-Y2線段之剖面示意圖。 圖3A是依照本發明的第三實施例的一種天線裝置的俯視示意圖。 圖3B是依照本發明的第三實施例的一種天線裝置的仰視示意圖。 圖3C是圖3A的X1-X2線段之局部剖面示意圖。 圖3D是圖3A的Y1-Y2線段之剖面示意圖。 圖4A是依照本發明的第四實施例的一種天線裝置的俯視示意圖。 圖4B是依照本發明的第四實施例的一種天線裝置的仰視示意圖。 圖4C是圖4A的X1-X2線段之局部剖面示意圖。 圖4D是圖4A的Y1-Y2線段之剖面示意圖。 圖5A至圖5E是依照本發明的第五實施例的一種天線裝置的製造方法的流程圖。 圖6A是依照本發明的第六實施例的一種天線裝置的俯視示意圖。 圖6B是依照本發明的第六實施例的一種天線裝置的仰視示意圖。 圖6C是圖6A的X1-X2線段之局部剖面示意圖。 圖6D是圖6A的Y1-Y2線段之剖面示意圖。 圖7A是依照本發明的第七實施例的晶片的上視示意圖。 圖7B是依照本發明的第八實施例的晶片的上視示意圖。 圖8是依照本發明的第九實施例的晶片的電路結構示意圖。 圖9A、圖10A、圖11A是依照本發明的第十實施例的一種天線裝置的製造方法的流程圖。 圖9B、圖10B、圖11B是依照本發明的第十實施例的一種天線裝置的製造方法的局部立體示意圖。 圖12是依照本發明的第十一實施例的一種天線裝置的製造方法的流程圖。 圖13是依照本發明的第十二實施例的一種天線裝置的製造方法的流程圖。 圖14是依照本發明的第十三實施例的一種天線裝置的製造方法的立體示意圖。

100:基板

100a:第一面

100b:第二面

102:通孔

110:晶片

110a:主動面

110b:背面

112:接墊

120:天線

122:第一接合線段

124:第二接合線段

130:黏著層

132:開孔

134:凹槽

D1、D3、D4:距離

Y:長邊方向

Claims (20)

1. 一種天線裝置，包括： 基板，具有相反的第一面與第二面、以及至少兩個通孔； 晶片，設置於所述基板的所述第一面上，所述晶片於面向所述基板的表面具有分別對應所述至少兩個通孔的至少兩個接墊；以及 天線，設置於所述基板的所述第二面上，所述天線的至少一部分位於所述至少兩個通孔中，所述天線經由所述至少兩個通孔與所述至少兩個接墊電性連接。
2. 如請求項1所述的天線裝置，其中所述天線具有分別與所述至少兩個接墊電性連接的第一接合線段及第二接合線段，所述第一接合線段位於所述天線最外圈，且完整覆蓋所述至少兩個通孔的一者，所述第二接合線段位於所述天線最內圈，且完整覆蓋所述至少兩個通孔的另一者。
3. 如請求項1所述的天線裝置，更包括： 黏著層，位於所述基板與所述晶片之間。
4. 如請求項3所述的天線裝置，其中所述黏著層的面積大於所述晶片的面積， 所述晶片埋設於所述黏著層的一部分內，使得位於所述基板與所述晶片之間的所述黏著層的厚度小於位於所述晶片周邊的所述黏著層的厚度， 所述黏著層具有分別對應於所述至少兩個通孔的至少兩個開孔。
5. 如請求項1所述的天線裝置，其更包括： 保護黏著層，配置於所述晶片上，所述保護黏著層覆蓋所述晶片， 所述保護黏著層的面積大於所述晶片的面積。
6. 如請求項1所述的天線裝置，其中所述基板於所述第一面更具有容置所述晶片的第一凹槽， 所述第一凹槽的側壁與所述基板的所述第二面之間具有夾角，且所述夾角為銳角， 所述至少兩個通孔設置於所述第一凹槽底面的所述基板內。
7. 如請求項6所述的天線裝置，其中所述基板於所述第二面更具有容置所述天線的第二凹槽， 所述至少兩個通孔設置於所述第一凹槽與所述第二凹槽之間的所述基板內。
8. 如請求項1所述的天線裝置，其更包括： 保護層，配置於所述晶片及所述天線中的至少一者上，所述保護層在所述基板上的投影面積大於所述晶片及所述天線中的至少一者在所述基板上的投影面積。
9. 如請求項1所述的天線裝置，其更包括： 印刷層，位於所述基板的所述第一面上， 所述印刷層具有開口，所述晶片位於所述開口內，且所述印刷層的表面與所述晶片的背面之間的水平高度差為7 μm以下。
10. 如請求項1至請求項9中任一項所述的天線裝置，其中所述基板更包括溝槽， 所述溝槽鄰近所述晶片的短邊，且與所述晶片相隔一距離， 所述溝槽的長度大於或等於所述晶片的寬度。
11. 一種天線裝置的製造方法，包括： 基板準備步驟，於基板中形成至少兩個通孔，所述基板具有相反的第一面與第二面； 晶片放置步驟，所述基板以捲對捲的方式移動，並將晶片放置於所述基板的所述第一面上，所述晶片於面向所述基板的表面具有分別對應所述至少兩個通孔的至少兩個接墊；以及 天線形成步驟，形成天線於所述基板的所述第二面上，所述天線的至少一部分位於所述至少兩個通孔中，所述天線經由所述至少兩個通孔與所述至少兩個接墊電性連接。
12. 如請求項11所述的天線裝置的製造方法，其中所述晶片的短邊方向與所述基板的移動方向之間具有夾角，所述夾角小於或等於45度。
13. 如請求項11所述的天線裝置的製造方法，其中所述天線具有分別與所述至少兩個接墊電性連接的第一接合線段及第二接合線段， 所述第一接合線段位於所述天線最外圈，且以完整覆蓋所述至少兩個通孔的一者的方式橫跨所述晶片的短邊方向，所述第二接合線段位於所述天線最內圈，且以完整覆蓋所述至少兩個通孔的另一者的方式橫跨所述晶片的短邊方向。
14. 如請求項11所述的天線裝置的製造方法，其中在所述基板準備步驟中，更包括： 於所述基板的所述晶片的預定形成區域形成黏著層。
15. 如請求項14所述的天線裝置的製造方法，其中所述黏著層的面積大於所述晶片的面積， 在所述晶片放置步驟中，所述晶片埋設於所述黏著層的一部分內，使得位於所述基板與所述晶片之間的所述黏著層的厚度小於位於所述晶片周邊的所述黏著層的厚度， 所述黏著層具有分別對應於所述至少兩個通孔的至少兩個開孔，使得所述黏著層暴露出所述晶片的所述至少兩個接墊。
16. 如請求項11所述的天線裝置的製造方法，其中在所述晶片放置步驟之後與所述天線形成步驟之前，更包括： 形成保護黏著層於所述晶片上，所述保護黏著層覆蓋所述晶片， 所述保護黏著層的面積大於所述晶片的面積。
17. 如請求項11所述的天線裝置的製造方法，其中在所述基板準備步驟中，更包括： 第一凹槽形成步驟，在所述基板的所述第一面中對應於所述晶片的預定形成區域形成第一凹槽， 所述第一凹槽的側壁與所述基板的所述第二面之間具有夾角，且所述夾角為銳角， 所述至少兩個通孔設置於所述第一凹槽底面的所述基板內。
18. 如請求項17所述的天線裝置的製造方法，其中在所述基板準備步驟中，更包括： 第二凹槽形成步驟，在所述基板的所述第二面中對應於所述天線的預定形成區域形成第二凹槽， 所述至少兩個通孔設置於所述第一凹槽與所述第二凹槽之間的所述基板內。
19. 如請求項11所述的天線裝置的製造方法，其中在所述基板準備步驟中，更包括： 溝槽形成步驟，在所述基板中鄰近所述晶片的預定形成區域的短邊形成溝槽，且所述溝槽與所述預定形成區域相隔一距離。
20. 如請求項11所述的天線裝置的製造方法，其中在天線形成步驟中，形成有分別與所述至少兩個接墊電性連接的第一接合線段及第二接合線段，所述第一接合線段位於所述天線最外圈，且完整覆蓋所述至少兩個通孔的一者，所述第二接合線段位於所述天線最內圈，且完整覆蓋所述至少兩個通孔的另一者。

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