TW202120665A - 量子點及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於提供一種顯示高亮度之近紅外螢光之銀銦硫屬化物量子點及其製造方法。本發明之量子點之特徵在於：其係含有銀、銦及硫屬元素且以AgInE2 (E為碲、硒或硫中之至少任一種)所表示之奈米晶體，螢光波長處於700～1500 nm之近紅外區域之範圍內，螢光半高寬為150 nm以下，且螢光量子產率高於20%。於本發明中，平均粒徑較佳為1 nm以上15 nm以下。又，本發明之量子點之製造方法之特徵在於：由銀原料、銦原料及硫屬化物原料(硫屬化物為碲、硒或硫中之至少任一種)合成以AgInE2 (E為碲、硒或硫中之至少任一種)所表示之量子點。

Description

量子點及其製造方法
本發明係關於一種於近紅外區域內發光之量子點及其製造方法。
量子點係包含數百至數千個左右之原子且粒徑為數奈米至數十奈米左右之奈米粒子。量子點亦被稱為螢光奈米粒子、半導體奈米粒子或奈米晶體。
根據奈米粒子之粒徑或組成不同，量子點之發光波長可各有不同。又，作為表示量子點之性能者，可列舉螢光量子產率(Quantum Yield：QY)或螢光半高寬(Full Width at Half Maximum：FWHM)。
下述專利文獻或非專利文獻中記載了有關AgInTe2 量子點或AgInSe2 量子點之內容。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：國際公開第2015-189636號公報 非專利文獻
非專利文獻1：J. Mater. Chem. B, 2018, 6, pp 349 NIR-I-to-NIR-II fluorescent nanomaterials for biomedical imaging and cancer therapy 非專利文獻2：J. Mater. Chem. C, 2014, 2, pp 7077 Near-infrared broadly emissive AgInSe2 /ZnS quantum dots forbiomedical optical imaging 非專利文獻3：Nanoscale, 2016, 8, pp 5435 Crystal phase-controlled synthesis ofrod-shaped AgInTe2 nanocrystals for in vivo imaging in thenear-infrared wavelength region
[發明所欲解決之問題]
然而，目前並未報告有與銀銦硫屬化物量子點之實用化相應之研究開發，仍未實現銀銦硫屬化物量子點之實用化。
基於上述背景，迫切尋求開發一種發揮亮度高且生物相容性高之近紅外螢光性之銀銦硫屬化物量子點之簡易合成法，且闡明藉由此種方法合成之銀銦硫屬化物量子點之物性。
本發明係鑒於上述情況而完成者，其目的在於提供一種顯示高亮度之近紅外螢光之銀銦硫屬化物量子點及其製造方法。 [解決問題之技術手段]
本發明中之量子點之特徵在於：其係含有銀、銦及硫屬元素且以AgInE2 (E為碲、硒或硫中之至少任一種)所表示之奈米晶體，螢光波長處於700～1500 nm之近紅外區域之範圍內，螢光半高寬為150 nm以下，且螢光量子產率高於20%。 於本發明中，平均粒徑較佳為1 nm以上15 nm以下。
又，本發明中之量子點之特徵在於：其係含有銀、銦及硫屬元素且以AgInE2 (E為碲、硒或硫中之至少任一種)所表示之奈米晶體，螢光波長處於700～1500 nm之近紅外區域之範圍內，且平均粒徑為1 nm以上15 nm以下。 於本發明中，較佳為上述量子點之表面由配位基覆蓋。
於本發明中，上述配位基較佳為選自膦系、脂肪族硫醇系、脂肪族胺系及脂肪族羧酸系中之至少任一種或任兩種。
本發明中之量子點之製造方法之特徵在於：由銀原料、銦原料及硫屬化物原料(硫屬化物為碲、硒或硫中之至少任一種)合成以AgInE2 (E為碲、硒或硫中之至少任一種)所表示之量子點。 於本發明中，較佳為在含有硫醇之溶劑中合成上述量子點。
於本發明中，較佳為將上述銀原料、上述銦原料、上述硫屬化物原料及配位基依序加入至沸點為150℃以上之高沸點溶劑中，其後進行升溫，藉此合成上述量子點。
於本發明中，較佳為藉由針對上述原料溶液使反應溫度自約100℃升高至約260℃而合成。
於本發明中，較佳為具有如下步驟：使上述銀原料、上述銦原料、上述硫屬化物原料及上述配位基中之一種或兩種原料溶解於已加熱至自60℃至120℃之上述高沸點溶劑中；其後，依序添加其他原料；及添加所有原料後升溫至180℃以上250℃以下之反應溫度，合成上述量子點。 [發明之效果]
根據本發明之量子點，可使近紅外區域內之螢光半高寬變窄，且可顯示高亮度之近紅外螢光。
又，根據本發明之量子點製造法，可使用易於操作之反應劑且不經由中間物等直接穩定地量產銀銦硫屬化物量子點。
近年來，不含Cd或Pb等有毒性規制對象重金屬之近紅外發光性量子點備受關注。其中，本發明人著眼於銀銦硫屬化物(AgInE2 (E為碲、硒或硫中之至少任一種))三元系量子點，開發出一種使用易於操作之反應劑且不經由中間物等顯示直接強螢光性之銀銦硫屬化物，並且闡明了物性。
以下，對本發明之一實施方式(以下簡稱為「實施方式」)詳細地進行說明。再者，本發明可於其主旨之範圍內進行各種變化而實施，並不限定於以下實施方式。
圖1A係本實施方式中之量子點之模式圖。圖1A所示之量子點1係使用易於操作之反應劑且不經由中間物等直接合成之奈米晶體。
於本實施方式中，量子點1係含有銀(Ag)、銦(In)及硫屬元素且以AgInE2 (E為碲(Te)、硒(Se)或硫(S)中之至少任一種)所表示之奈米晶體。量子點1雖無限定，但較佳為含有AgInTe2 之奈米晶體。
本實施方式之量子點具有由能帶邊緣發光實現之螢光特性，根據其粒子之大小而表現出量子尺寸效應。
此處，所謂「奈米晶體」，係指具有一奈米至數十奈米左右之粒徑之奈米粒子。於本實施方式中，能夠以均勻粒徑生成多數量子點。所謂「均勻」，係指90%以上之粒子之粒徑落在平均粒徑之±30%以內之範圍內之狀態。如此，於本實施方式中，可量產微細且均勻之優質量子點。本實施方式中，可於1 nm以上15 nm以下之範圍內調整量子點之粒徑。
量子點中所包含之主要成分為Ag、In及Te、Ag、In及Se或者Ag、In及S，量子點亦可包含該等元素以外之元素。但是，當製造量子點時，較佳為滿足如下條件：反應劑易於操作；不經由中間物等；可藉由依序添加原料後於高沸點溶劑中自100℃左右升溫至260℃左右，合成量子點。
藉由使用此種合成法，可穩定地量產量子點，而不會引起製造成本之上升、反應劑操作之限制及製造步驟之繁雜性。
本實施方式之量子點1之螢光波長處於700 m～1500 nm之近紅外區域之範圍內，螢光半高寬為150 nm以下。螢光半高寬較佳為130 nm以下，更佳為120 nm以下。下述實驗中，可將量子點1之螢光半高寬設為100 nm左右。所謂「螢光半高寬」，係指表示螢光光譜中螢光強度之峰值之一半強度下之螢光波長之寬度的半峰全幅值(Full Width at Half Maximum)。
於本實施方式中，如下所述，對高沸點溶劑依序添加原料即Ag原料、In原料、硫屬化物原料及配位基作為合成量子點之反應系統，並自100℃左右升溫至260℃左右。藉由基於此種直接且簡易之合成反應來製造量子點，可提高螢光量子產率。又，亦可使螢光半高寬變窄，具體而言，可獲得100 nm以下之螢光半高寬。
較佳為如圖1A所示，於量子點1之表面配位有多個有機配位基2。藉此，可抑制量子點1彼此之間之凝集，從而可表現出目標之光學特性。可用於反應之配位基並無特別限定，例如可列舉以下配位基為代表。
(1)脂肪族一級胺系 油胺：C18 H35 NH2 、硬脂基(十八烷基)胺：C18 H37 NH2 、十二烷基(月桂基)胺：C12 H25 NH2 、癸基胺：C10 H21 NH2 、辛基胺：C8 H17 NH2 (2)脂肪酸 油酸：C17 H33 COOH、硬脂酸：C17 H35 COOH、棕櫚酸：C15 H31 COOH、肉豆蔻酸：C13 H27 COOH、月桂酸：C11 H23 COOH、癸酸：C9 H19 COOH、辛酸：C7 H15 COOH (3)硫醇系 十八烷硫醇：C18 H37 SH、十六烷硫醇：C16 H33 SH、十四烷硫醇：C14 H29 SH、十二烷硫醇：C12 H25 SH、癸硫醇：C10 H21 SH、辛硫醇：C8 H17 SH (4)膦系 三辛基膦：(C8 H17 )3 P、三苯基膦：(C6 H5 )3 P、三丁基膦：(C4 H9 )3 P (5)氧化膦系 三辛基氧化膦：(C8 H17 )3 P=O、三苯基氧化膦：(C6 H5 )3 P=O、三丁基氧化膦：(C4 H9 )3 P=O
本實施方式中之量子點1之螢光量子產率(Quantum Yield)為5%以上。又，螢光量子產率較佳為10%以上，更佳為20%以上，進而較佳為25%以上，進而更佳為30%以上。如此，於本實施方式中，可提高量子點之螢光量子產率。下述實驗中，可將量子點1之螢光量子產率設為22%左右。
於本實施方式中，可將螢光波長自由地控制在700 nm以上1500 nm以下左右之範圍內。本實施方式中之量子點係以除銀、銦以外還使用硫屬元素之AgInE2 作為基底之固溶體。於本實施方式中，藉由調整加熱溫度或加熱時間、量子點之粒徑及量子點之組成，可控制螢光波長。螢光波長較佳為800 nm以上，更佳為1100 nm以上。
於本實施方式中，如圖1B所示，量子點1亦可為具有核心1a、及被覆於核心1a之表面之外殼1b之核殼結構。較佳為如圖1B所示，於量子點1之表面配位有多個有機配位基2。
圖1B所示之核心1a係AgInE2 。外殼1b與核心1a同樣地不包含Cd或Hg、Pd等規制對象重金屬、或者源自以金屬醯胺或有機鋰化合物為代表之高反應性反應劑之物質。
再者，外殼1b亦可為於核心1a之表面固溶化之狀態。圖1B中，用虛線表示核心1a與外殼1b之交界，其係指可藉由分析確認到核心1a與外殼1b之交界，亦可無法藉由分析確認到核心1a與外殼1b之交界。
但是，於本實施方式中，僅藉由核心1a而不使用外殼1b，即，藉由圖1A之核心單獨體之量子點1，即可獲得具有700～1500 nmn之近紅外區域之螢光波長及150 nm以下之螢光半高寬之螢光特性。
其次，對本實施方式之量子點之製造方法進行說明。於本實施方式中，由銀原料、銦原料及硫屬化物原料(硫屬化物為碲、硒或硫中之至少任一種)合成以AgInE2 (E為碲、硒或硫中之至少任一種)所表示之量子點。
此處，於本實施方式中，AgInE2 之Ag原料並無特別限定，例如可使用下述有機銀試劑或無機銀試劑。即，作為乙酸鹽，可使用乙酸銀(I)：Ag(OAc)；作為脂肪酸鹽，可使用硬脂酸銀：Ag(OC(=O)C17 H35 )、油酸銀：Ag(OC(=O)C17 H33 )、肉豆蔻酸銀：Ag(OC(=O)C13 H27 )、十二酸銀：Ag(OC(=O)C11 H23 )及乙醯丙酮酸銀：Ag(acac)；作為鹵化物，可使用一價化合物，可使用氯化銀(I)：AgCl、溴化銀(I)：AgBr、碘化銀(I)：AgI等。
於本實施方式中，碲(Te)直接使用固體狀態之有機碲化合物(有機硫屬元素化合物)或無機碲化合物作為原料，或者使用使有機碲化合物(有機硫屬元素化合物)或無機碲化合物溶解於高沸點溶劑中所得者作為原料。化合物之結構並無特別限定，例如可使用：使碲溶解於三辛基膦中所得之三辛基碲化膦：(C8 H17 )3 P=Te、使碲溶解於三丁基膦中所得之三丁基碲化膦：(C4 H9 )3 P=Te、或於高溫下使碲溶解於如十八烯之作為長鏈烴之高沸點溶劑中所得之溶液等。
又，於本實施方式中，於使硒(Se)固溶之情形時，硒直接使用固體狀態之有機硒化合物(有機硫屬元素化合物)或無機硒化合物作為原料，或者使用使有機硒化合物(有機硫屬元素化合物)或無機硒化合物溶解於高沸點溶劑中所得者作為原料。結構並無特別限定，例如可使用：使硒溶解於三辛基膦中所得之三辛基硒化膦：(C8 H17 )3 P=Se、使硒溶解於三丁基膦中所得之三丁基硒化膦：(C4 H9 )3 P=Se、或於高溫下使硒溶解於如十八烯之作為長鏈烴之高沸點溶劑中所得之溶液等。
又，於本實施方式中，於使硫(Se)固溶之情形時，硫直接使用固體狀態之有機硫化合物(有機硫屬元素化合物)或無機硫化合物作為原料，或者使用使有機硫化合物(有機硫屬元素化合物)或無機硫化合物溶解於高沸點溶劑中所得者作為原料。結構並無特別限定，例如可使用：使硫溶解於三辛基膦中所得之三辛基硫化膦：(C8 H17 )3 P=S、或使硫溶解於三丁基膦中所得之三丁基硫化膦：(C4 H9 )3 P=S、或於高溫下使硫溶解於如十八烯之作為長鏈烴之高沸點溶劑中所得之溶液等。
於本實施方式中，將有機銀化合物或無機銀化合物添加至高沸點溶劑中，使其溶解。作為溶劑，可使用作為150℃以上之高沸點飽和烴或不飽和烴之十八烯。此外，可使用作為芳香族系高沸點溶劑之十二烷基苯：C6 H5 (CH2 )11 CH3 、作為高沸點之酯系溶劑之丁酸丁酯：C4 H9 COOC4 H9 、丁酸苄酯：C6 H5 CH2 COOC4 H9 等，亦可使用脂肪族硫醇系、脂肪族胺系、或者脂肪酸系化合物或脂肪族磷系化合物作為溶劑。
此時，將反應溫度設定為100℃以上260℃以下之範圍內，使銀化合物溶解。再者，反應溫度較佳為更低之100℃以上240℃以下，更佳為進而更低之100℃以上230℃以下，進而更佳為80℃以上220℃以下。
又，於本實施方式中，反應方法並無特別限定，但為了獲得螢光量子產率較高且半高寬較窄之量子點，自100℃左右之低溫升高至260℃左右(較佳為230℃左右)之高溫於合成AgInTe2 、AgInSe2 及AgInS2 之方面較為重要。因此，較佳為使一種或兩種原料溶解於已加熱至100℃左右之高沸點溶劑中，並對該溶液依序添加其他原料，其後升溫至260度左右，合成量子點。
又，於本實施方式中，為了獲得螢光量子產率較高且螢光半高寬較窄之AgInE2 ，於作為前驅物之銀原料、銦原料及硫屬元素原料之反應中，較佳為添加相對於Te、Se或S為1～200當量之硫醇，為了獲得螢光強度較高之量子點，更佳為添加相對於Te、Se或S為5～1000當量之硫醇，進而更佳為添加相對於Te、Se或S為50～10000當量之硫醇。硫醇並無特別限定，例如可使用十八烷硫醇：C18 H37 SH、十六烷硫醇：C16 H33 SH、十四烷硫醇：C14 H29 SH、十二烷硫醇：C12 H25 SH、癸硫醇：C10 H21 SH、辛硫醇：C8 H17 SH等。
又，於本實施方式中，當進行反應時，需要具有如下輔助作用之化合物，即，藉由配位或螯合等使前驅物之金屬於反應溶液中游離。
作為具有上述作用之化合物，可列舉能夠與銀進行錯合反應之配位體。例如，較佳為磷系配位體、胺系配位體、硫醇系配位體、羧酸系配位體，其中，硫醇系配位體因效率較高故而尤佳。
藉此，使Ag、In、及硫屬元素適當地進行反應，從而可製造以Ag、In及硫屬元素作為基底且於近紅外區域內具有較高之螢光量子產率及較窄之螢光半高寬之螢光發光性量子點。
本實施方式之量子點之製造方法較佳為具有如下步驟：使上述銀原料、銦原料、硫屬化物原料及配位基中之一種或兩種原料溶解於已加熱至自60℃至120℃之上述高沸點溶劑中；其後，依序添加其他原料；及添加所有原料後升溫至180℃以上250℃以下之反應溫度，合成量子點。
藉此，可使用易於操作之反應劑且不經由中間物等安全地量產顯示直接強螢光性之銀銦硫屬化物。 實施例
以下，藉由本發明之實施例及比較例，對本發明之效果進行說明。再者，本發明並不受以下實施例任何限定。
＜原料＞ 本發明中，當合成於近紅外區域內發光之銀硫屬化物化合物(AgInE2 系)量子點時，使用以下原料。 (溶劑) 十八烯：Aldrich股份有限公司製造、出光興產股份有限公司製造 (硫屬元素原料) 碲(4N：99.99%)：新興化學股份有限公司製造或Aldrich公司製造 (銦原料) 乙酸銦：新興化學股份有限公司製造 (銀原料) 乙酸銀：岸田化學股份有限公司製造 (配位基) 三辛基膦：北興化學股份有限公司製造 十二烷硫醇：Arkema公司製造 ＜測定機器＞ 螢光分光計：海洋光學公司製造之NIRQuest512-1.9 紫外-可見光分光光度計：日立股份有限公司製造之V-770 X射線繞射裝置(XRD)：Bruker公司製造之D2 PHASER 掃描穿透式電子顯微鏡(STEM)：日立股份有限公司製造之SU9000
[實施例1] 向100 mL反應容器中加入33.4 mg乙酸銀：Ag(OAc)、5.0 mL十二烷硫醇：DDT、及5.0 mL十八烯：ODE。繼而，於惰性氣體(N2 )氛圍下，於120℃下一面攪拌一面加熱10分鐘，使原料溶解。 向該溶液中加入116.8 mg乙酸銦：In(OAc)3 ，進而於相同溫度下一面攪拌一面加熱10分鐘。
向該溶液中添加0.4 mL之溶解於TOP之碲：Te-TOP，將反應溶液升溫至200℃，一面加熱一面攪拌40分鐘。
向所獲得之反應液中加入乙醇，產生沈澱物，實施離心分離回收沈澱物。繼而，向該沈澱物中加入甲苯使其分散，製成AgInTe2 粒子之分散溶液。
利用紫外可見及螢光分光計對所獲得之分散溶液進行測定。其結果為，如圖2之紫外可見近紅外吸收光譜之測定結果所示，於962.0 nm處獲得吸收極大值。又，如圖3之近紅外螢光光譜之測定結果所示，於1038.0 nm處獲得螢光極大值。又，螢光半高寬約為100 nm，螢光量子產率為22%。
又，圖5所示之AgInTe2 之XRD光譜之峰值證明生成了AgInTe2 固溶體。
[實施例2] 向100 mL反應容器中加入66.8 mg乙酸銀：Ag(OAc)、15.0 mL十二烷硫醇：DDT、及15.0 mL十八烯：ODE。繼而，於惰性氣體(N2 )氛圍下，於120℃下一面攪拌一面加熱10分鐘，使原料溶解。
向該溶液中加入233.6 mg乙酸銦：In(OAc)3 ，進而於相同溫度下一面攪拌一面加熱10分鐘。
向該溶液中添加0.8 mL之溶解於TOP之碲：Te-TOP後，將反應溶液升溫至200℃，一面加熱一面攪拌30分鐘。
向所獲得之反應液中加入乙醇，產生沈澱物，實施離心分離回收沈澱物。繼而，向該沈澱物中加入甲苯使其分散，製成AgInTe2 粒子之分散溶液。
利用紫外可見及螢光分光計對所獲得之分散溶液進行測定。其結果為，與實施例1之圖2同樣地於962.0 nm處獲得吸收極大值，且與實施例1之圖3同樣地於1038.0 nm處獲得螢光極大值。又，螢光半高寬約為100 nm，螢光量子產率為22%。
又，可知：如圖4A及圖4B所示，多個量子點之平均粒徑為6.4～6.9 nm，處於1 nm以上15 nm以下之範圍內。又，90%以上之量子點之各粒徑落在平均粒徑±1.7 nm之範圍內。即，可知：90%以上之量子點之各粒徑落在平均粒徑±27%之範圍內，可均勻地生成多個量子點之粒徑。
又，與實施例1之圖5同樣地，AgInTe2 之XRD光譜之峰值證明生成了AgInTe2 固溶體。
[實施例3] 向100 mL反應容器中加入33.4 mg乙酸銀：Ag(OAc)及10.0 mL十二烷硫醇：DDT。繼而，於惰性氣體(N2 )氛圍下，於120℃下一面攪拌一面加熱10分鐘，使原料溶解。
向該溶液中加入116.8 mg乙酸銦：In(OAc)3 ，進而於相同溫度下一面攪拌一面加熱10分鐘。
向該溶液中添加0.4 mL之溶解於TOP之碲：Te-TOP後，將反應溶液升溫至200℃，一面加熱一面攪拌30分鐘。
向所獲得之反應液中加入乙醇，產生沈澱物，實施離心分離回收沈澱物。繼而，向該沈澱物中加入甲苯使其分散，製成AgInTe2 粒子之分散溶液。
利用紫外可見及螢光分光計對所獲得之分散溶液進行測定。其結果為，與實施例1之圖2同樣地於962.0 nm處獲得吸收極大值，且與實施例1之圖3同樣地於1038.0 nm處獲得螢光極大值。又，螢光半高寬約為100 nm，螢光量子產率為22%。
又，可知：多個量子點之平均粒徑為2.4～2.7 nm，處於1 nm以上15 nm以下之範圍內。又，90%以上之量子點之各粒徑落在平均粒徑±0.7 nm之範圍內。即，可知：90%以上之量子點之各粒徑落在平均粒徑±30%之範圍內，可均勻地生成多個量子點之粒徑。
又，與實施例1之圖5同樣地，AgInTe2 之XRD光譜之峰值證明生成了AgInTe2 固溶體。
[比較例1] 向100 mL反應容器中加入38.3 mg之碲：Te、33.4 mg之乙酸銀：Ag(OAc)、116.8 mg之In(OAc)3 、5.0 mL之十二烷硫醇：DDT、及20 mL之十八烯：ODE。繼而，於惰性氣體(N2 )氛圍下一面攪拌一面加熱，使原料溶解。
將該溶液於180℃下一面攪拌一面加熱20分鐘。將所獲得之反應溶液(AgInTe2 )冷卻至室溫。反應溶液變為黑色懸濁液，根據所獲得之溶液，於近紅外區域內完全未確認到螢光。
由此可知，根據實施例1～實施例3，可合成於近紅外區域內具有發光波長之量子點。 [產業上之可利用性]
根據本發明，可利用能夠量產之方法合成具有如下螢光發光之AgInE2 量子點，該螢光發光係於近紅外區域內顯示較高之螢光量子產率及較窄之螢光半高寬。而且，藉由將本發明之量子點適用於光通信裝置等，可於裝置中獲得優異之近紅外吸收特性及近紅外發光特性。尤其可將本發明之量子點用作化學療法或生物體內之深部組織之成像等之生物材料。AgInE2 量子點有望用作生物醫療用成像中之Cd、Pb、Hg系量子點之代替材料。
本申請案基於2019年10月3日提出申請之日本專利特願2019-183077。其內容均包含於本文中。
1:量子點 1a:核心 1b:外殼 2:有機配位基
圖1A係本發明之實施方式中之量子點之模式圖。 圖1B係本發明之實施方式中之量子點之模式圖。 圖2係實施例1中之AgInTe2 之吸收(Absorption)光譜。 圖3係實施例1中之AgInTe2 之螢光(Photoluminescence：PL)光譜。 圖4A係實施例1中之AgInTe2 之掃描穿透式電子顯微鏡(Scanning transmission electron microscope：STEM)照片。 圖4B係圖4A之模式圖。其中，圖4B之左圖為圖4A之左圖之局部摘要。 圖5係實施例1中之AgInTe2 之X射線繞射(Xray Diffraction：XRD)光譜。

Claims (10)

  1. 一種量子點，其特徵在於：其係含有銀、銦及硫屬元素且以AgInE2 (E為碲、硒或硫中之至少任一種)所表示之奈米晶體，螢光波長處於700～1500 nm之近紅外區域之範圍內，螢光半高寬為150 nm以下，且螢光量子產率高於20%。
  2. 如請求項1之量子點，其平均粒徑為1 nm以上15 nm以下。
  3. 一種量子點，其特徵在於：其係含有銀、銦及硫屬元素且以AgInE2 (E為碲、硒或硫中之至少任一種)所表示之奈米晶體，螢光波長處於700～1500 nm之近紅外區域之範圍內，且平均粒徑為1 nm以上15 nm以下。
  4. 如請求項1至3中任一項之量子點，其中上述量子點之表面由配位基覆蓋。
  5. 如請求項4之量子點，其中上述配位基選自膦系、脂肪族硫醇系、脂肪族胺系及脂肪族羧酸系中之至少任一種或任兩種。
  6. 一種量子點之製造方法，其特徵在於：由銀原料、銦原料及硫屬化物原料(硫屬化物為碲、硒或硫中之至少任一種)合成以AgInE2 (E為碲、硒或硫中之至少任一種)所表示之量子點。
  7. 如請求項6之量子點之製造方法，其中在含有硫醇之溶劑中合成上述量子點。
  8. 如請求項6或7之量子點之製造方法，其中將上述銀原料、上述銦原料、上述硫屬化物原料及配位基依序加入至沸點為150℃以上之高沸點溶劑中，其後進行升溫，藉此合成上述量子點。
  9. 如請求項8之量子點之製造方法，其係藉由將上述原料溶液使反應溫度自約100℃升高至約260℃而合成。
  10. 如請求項8之量子點之製造方法，其具有如下步驟： 使上述銀原料、上述銦原料、上述硫屬化物原料及上述配位基中之一種或兩種原料溶解於已加熱至自60℃至120℃之上述高沸點溶劑中； 其後，依序添加其他原料；及 添加所有原料後升溫至180℃以上250℃以下之反應溫度，合成上述量子點。
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