TW202117953A - 半導體裝置 - Google Patents

半導體裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202117953A
TW202117953A TW109133815A TW109133815A TW202117953A TW 202117953 A TW202117953 A TW 202117953A TW 109133815 A TW109133815 A TW 109133815A TW 109133815 A TW109133815 A TW 109133815A TW 202117953 A TW202117953 A TW 202117953A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
heat sink
semiconductor device
mold resin
radiator
mold
Prior art date
Application number
TW109133815A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI760868B (zh
Inventor
野上洋一
Original Assignee
日商三菱電機股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商三菱電機股份有限公司 filed Critical 日商三菱電機股份有限公司
Publication of TW202117953A publication Critical patent/TW202117953A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI760868B publication Critical patent/TWI760868B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3142—Sealing arrangements between parts, e.g. adhesion promotors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

在散熱體（1）的上表面（1a）設有半導體晶片（2）。引線端子（5、6）與半導體晶片（2）電性連接，不延伸於散熱體（1）的第1側面（1c）的上方，延伸於散熱體（1）的第2側面（1d）的上方。模具樹脂（10）覆蓋散熱體（1）的上表面和第1側面（1c）及第2側面（1d）、半導體晶片（2）、及引線端子（5、6）的一部分。散熱體（1）的下表面（1b）從模具樹脂（10）露出。散熱體（1）的第1側面（1c）的下部凹陷且設有以模具樹脂（10）充填的錨構造（11）。在散熱體（1）的第2側面（1d）沒有錨結構（11）。散熱體（1）不從模具樹脂（10）的側面（10a）突出。

Description

半導體裝置
本發明是有關於樹脂模具封裝型的半導體裝置。
在樹脂模具封裝型的半導體裝置中，在散熱體上設有半導體晶片，以導線連接半導體晶片與引線端子，且以模具樹脂將其覆蓋。在這樣的半導體裝置中，使用側面的下部凹陷且具有以模具樹脂充填的錨構造的散熱體。藉此防止散熱體從模具樹脂脫落，可以確保可靠度。
如果引線端子的下方有錨構造，由於電感會變大，會無法將引線端子的電感降低至期望的程度。因此，在將半導體裝置作為高頻放大器使用的情況等，高性能化會受到阻礙。為了解決這個問題，藉由在引線端子的下方使用側面的一部分從模具樹脂突出的散熱體，提出了降低引線端子的電感的半導體裝置（例如，參照專利文獻1）。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第6289792號公報
[發明所欲解決的問題]
在模具成型中，使用以半導體裝置的引線作為邊界且在上下方向分開的2枚的模具成型用的模具。從注入口將模具樹脂注入模具內且充填後，在上下方向分離2枚的模具。但是，在散熱體的側面的一部分從模具樹脂突出之先前的半導體裝置的製造中，由於突出的散熱體的一部分會成為物理上的障礙，會需要比一般的模具成型用的模具更複雜的形狀的成型模具。此外，使模具樹脂充填後的半導體裝置與成型模具分離的步驟也會變複雜。因此，會有製造成本上升，產能惡化，產品良率惡化的問題。
本發明是為了解決上述問題而做出，其目的為得到可以確保可靠度，降低引線端子的電感，減少製造成本，提高產能和產品良率的半導體裝置。 [用以解決問題的手段]
關於本發明的半導體裝置，其特徵為具備：散熱體；半導體晶片，設置於前述散熱體的上表面；引線端子，與前述半導體晶片電性連接，不延伸於前述散熱體的第1側面的上方，延伸於前述散熱體的第2側面的上方；和模具樹脂，覆蓋前述散熱體的前述上表面與前述第1及第2側面、前述半導體晶片、及前述引線端子的一部分；前述散熱體的下表面從前述模具樹脂露出，前述散熱體的前述第1側面的下部凹陷且設有以前述模具樹脂充填的錨構造，在前述散熱體的前述第2側面沒有前述錨構造，前述散熱體不從前述模具樹脂的側面突出。 [發明的效果]
在本發明中，在散熱體的第1側面設有錨構造。藉此可以防止散熱體從模具樹脂脫落，確保可靠度。此外，在引線端子延伸於上方的散熱體的第2側面沒有錨結構。藉此，可以降低引線端子的電感。此外，散熱體不從模具樹脂的側面突出。由於可以藉此適用於一般的模具成型，能夠減少製造成本，提高產能與產品良率。
關於本發明的實施形態的半導體裝置，參照圖式以進行說明。相同或對應的元件標記相同的符號，且有時省略重複的說明。
實施形態1 第1圖所示為關於實施形態1的半導體裝置的平面圖。第2圖為沿著第1圖的I-II的剖面圖。第3圖為沿著第1圖的III-IV的剖面圖。散熱體1具有安裝面之上表面1a、放熱面之下表面1b、和相互垂直的第1側面1c與第2側面1d。在圖式中散熱體1的上表面1a與下表面1b在Z方向相互對向。第1側面1c為在Y方向相互對向的2個側面。第2側面1d為在X方向相互對向的2個側面。
在散熱體1的上表面1a藉由晶粒接合（die bond）材4設有半導體晶片2與電路基板3。晶粒接合材4為Ag膏樹脂、焊料、燒結Ag等。半導體晶片2為適合高頻功率放大器用途的Si-LDMOS晶片、GaAs FET晶片、GaN HEMT等的場效電晶體。
引線端子5、6配置於散熱體1的上方。引線端子5、6不延伸於散熱體1的第1側面1c的上方，延伸於散熱體1的第2側面1d的上方。引線端子5以焊線7電性連接至電路基板3。電路基板3與半導體晶片2的上表面的閘電極墊以焊線8電性連接。引線端子6以焊線9電性連接至半導體晶片2的上表面的汲電極墊。焊線7、8、9是由Au、Ag、Al等金屬材料所構成。
電路基板3為了使半導體裝置作為高頻功率放大器以高效率運作，且輸出較高的高頻功率，設定為對半導體晶片2最適當的負載阻抗。雖然電路基板3是設置於半導體晶片2的閘極側，也可以不限於此而設置於半導體晶片2的汲電極墊與引線端子6之間，也可以設置於閘極側與汲極側的兩者。
散熱體1與半導體晶片2的上表面的源電極電性連接，兼作源電極端子。作為散熱體1與源電極的連接方法，有經由從半導體晶片2的上表面貫通至下表面的導孔來連接的方法、利用焊線使連接至源電極的墊與散熱體1連接的方法。
模具樹脂10覆蓋散熱體1的上表面與第1側面1c及第2側面1d、半導體晶片2、及引線端子5、6的一部分。散熱體1的全部的側面與上表面是由模具樹脂10包裹，只有放熱面之散熱體1的下表面1b從模具樹脂10露出。散熱體1不從模具樹脂10的側面10a突出。
從半導體晶片2與電路基板3放出的熱是從散熱體1的下表面1b傳導至外部。因此，散熱體1優選為具有200W/mK以上的熱傳導率，例如由具有398W/mK之高熱傳導率的Cu所構成。這種構成的半導體裝置適合輸出頻率1GHz以上、1W以上的高頻功率。
散熱體1的第1側面1c的下部凹陷且設有以模具樹脂10充填的錨構造11。在散熱體1的第2側面1d沒有錨構造11。另外，在散熱體的一般的製法中，藉由例如上模具與下模具使用Cu材之母材的壓縮加工來將散熱體成型為期望的尺寸。因為在壓縮加工後必須能夠使散熱體與模具分離，對於成型後的散熱體的形狀產生了這種限制。本實施形態的散熱體1的形狀可以不使這種一般的製法變複雜而成型。
作為成型半導體裝置的外形的方法，以引線端子5、6作為邊界，使用在上下方向分開之2枚的模具成型用的模具從指定的注入口注入模具樹脂10且充填後，在上下方向（Z方向）將該2枚的成型模具分離的方法為一般的方法。為了讓半導體裝置容易從成型模具拔出，一般會在上側的成型模具、下側的成型模具設置斜度（taper）。因此，模具樹脂10的側面10a傾斜為錐狀。一般的傾斜角為3°~15°左右。
第4圖所示為關於實施形態1的半導體裝置的變形例的剖面圖。在第2圖的引線端子5、6的下方，散熱體1的第2側面1d的下端與模具樹脂10的側面10a的下端在同一位置。但是，實際上，散熱體1必須確實收納於模具成型用的下側模具，必須考慮尺寸公差。要考慮的尺寸公差主要是散熱體1的尺寸、模具成型用的下側模具的尺寸等。
在一般的製造方法中，如果使散熱體1的第2側面1d的下端位於距離模具樹脂10的側面10a的下端內側最多0.2mm的位置，可以確實地將散熱體1收納於模具成型用的下側模具。因此，散熱體1的第2側面1d的下端與模具樹脂10的側面10a的下端的距離D是設定為0.2mm以下。
接著，將本實施形態的效果與比較例1、2比較以進行說明，第5圖所示為安裝了關於實施形態1的半導體裝置的狀態的剖面圖。第6圖為擴大第5圖的一部分的剖面圖。與半導體晶片2的源電極電性連接的散熱體1的下表面1b與導體12連接。半導體裝置的引線端子5、6的下表面與用於匹配的基板13電性連接。
第7圖所示為關於比較例1的半導體裝置的剖面圖。在比較例1中，在引線端子5、6的下方也設有錨構造11。在比較例1中，散熱體1側的寄生電感成分在散熱體1接地時重疊。因此，無法將引線端子5、6的電感降低至期望的程度。
另一方面，在本實施形態中，在引線端子5、6延伸於上方的散熱體1的第2側面1d沒有錨構造11，散熱體1的第2側面1d的下端與模具樹脂10的側面10a的下端為同一位置。藉此，由於可以使散熱體1側的寄生電感成分的影響較小，能夠降低引線5、6的電感。此外，在散熱體1的第1側面1c設有錨構造11。藉此可以防止散熱體1從模具樹脂10脫落，且能夠確保可靠度。
第8圖所示為關於比較例2的半導體裝置的剖面圖。在比較例2中，散熱體1從模具樹脂10的側面突出。因此，會需要複雜形狀的成型模具，模具樹脂充填後的使半導體裝置與成型模具分離的步驟也會變複雜。另一方面，在本實施形態中，散熱體1並未從模具樹脂10的側面突出。藉此由於可以適用於一般的模具成型，能夠減低製造成本，且使產能與產品良率提高。因此，本實施形態適用於要求低價格的市場領域。
接著，為了確認本實施形態的效果而進行模擬。假設以一般的環氧樹脂作為模具樹脂10，相對介電常數是設定為3.7。模具樹脂10的側面部的傾斜角θ為8°，從散熱體1的下表面1b到引線端子5、6的下表面的距離L為1.6mm，散熱體1的厚度t是設定為1.0mm。此時，基板13的下端部與散熱體1的第2側面1d的下端之間的距離X以幾何學來決定。在實施形態1中D=0的情況下距離X會變為0.22mm，D=0.2mm的情況下距離X會變為0.42mm。在比較例1中距離D為1.16mm，距離X會變為1.3mm。在比較例2中距離X會變為0mm。
計算各半導體裝置的引線端子的電感Z的結果總結在表1。 [表1]
  距離X 電感Z
實施形態1（D=0） 0.22mm 18Ω
實施形態1（D=0.2mm） 0.42mm 20.5Ω
比較例1 1.30mm 31Ω
比較例2 0.0mm 14Ω
比較例1的引線端子5、6的電感Z是最高的31Ω，其為比較例2的2.21倍大。如果電感變高，在半導體裝置作為高頻功率放大器使用上重要之使用頻率的頻帶特性會惡化。比較例2的引線端子5、6的電感Z是最低的14Ω。但是，如上所述，比較例2有半導體裝置的製造方法極為困難，且無法避免成本上升的問題。
另一方面，在本實施形態之D=0的情況下電感Z為18Ω，儘管是比較例2的1.29倍大，與比較例1相比可以大幅減低。此外，在本實施形態之D=0.2mm的情況下引線端子5、6的電感為20.5Ω。儘管電感Z是D=0的情況的1.14倍大，與比較例1相比能夠得到相當低的值。因此，在D=0.2mm的情況下也可以抑制使用頻率的頻帶特性的惡化。
另外，距離X會隨著模具樹脂10的側面10a的傾斜角θ、從散熱體1的下表面到引線端子5、6的下表面的距離L而變化。傾斜角θ越小、距離L越小，距離X就會變小。距離X越小，引線端子5、6的電感Z就可以變小。但是，傾斜角θ與距離L是受到製造方法等的限制的設計參數。
實施形態2 第9圖所示為關於實施形態2的半導體裝置的剖面圖。此剖面圖對應實施形態1的第2圖。在實施形態1中放熱面之散熱體1的下表面是平坦的。另一方面，在本實施形態中在散熱體1的下表面設有凹部14。凹部14以模具樹脂10充填。藉此，可以提高錨定效果。其他的構成及效果與實施形態1相同。
實施形態3 第10圖所示為關於實施形態3的半導體裝置的剖面圖。此剖面圖對應實施形態1的第2圖。在本實施形態中，在引線端子5、6的下方之散熱體1的第2側面1d設有突起物15。在將散熱體1放在模具成型用的下側模具內的時候，藉由突起物15發揮自對準功能。因此，由於散熱體1的第2側面1d的下端與模具樹脂10的側面10a的下端的距離D的控制性提高，可以抑制引線端子5、6的電感的不規則變化。其他的構成及效果與實施形態1相同。
1:散熱體 1a:上表面 1b:下表面 1c:第1側面 1d:第2側面 2:半導體晶片 3:電路基板 4:晶粒接合材 5,6:引線端子 7,8,9:焊線 10:模具樹脂 10a:側面 11:錨構造 12:導體 13:基板 14:凹部 15:突起物 D:距離 I-II,III-IV:剖面 L:距離 X:距離 X,Y,Z:方向 θ:傾斜角
第1圖所示為關於實施形態1的半導體裝置的平面圖。 第2圖為沿著第1圖的I-II的剖面圖。 第3圖為沿著第1圖的III-IV的剖面圖。 第4圖所示為關於實施形態1的半導體裝置的變形例的剖面圖。 第5圖所示為安裝了關於實施形態1的半導體裝置的狀態的剖面圖。 第6圖為擴大第5圖的一部分的剖面圖。 第7圖所示為關於比較例1的半導體裝置的剖面圖。 第8圖所示為關於比較例2的半導體裝置的剖面圖。 第9圖所示為關於實施形態2的半導體裝置的剖面圖。 第10圖所示為關於實施形態3的半導體裝置的剖面圖。
1:散熱體
1a:上表面
1b:下表面
1d:第2側面
2:半導體晶片
3:電路基板
4:晶粒接合材
5,6:引線端子
7,8,9:焊線
10:模具樹脂
10a:側面
I-II:剖面
X,Y,Z:方向

Claims (5)

  1. 一種半導體裝置，其特徵為包括： 散熱體； 半導體晶片，設置於前述散熱體的上表面； 引線端子，與前述半導體晶片電性連接，不延伸於前述散熱體的第1側面的上方，延伸於前述散熱體的第2側面的上方；以及 模具樹脂，覆蓋前述散熱體的前述上表面與前述第1及第2側面、前述半導體晶片、及前述引線端子的一部分； 前述散熱體的下表面從前述模具樹脂露出； 前述散熱體的前述第1側面的下部凹陷且設有以前述模具樹脂充填的錨構造； 在前述散熱體的前述第2側面沒有前述錨構造； 前述散熱體不從前述模具樹脂的側面露出。
  2. 如請求項1之半導體裝置，其中前述散熱體的前述第2側面的下端與前述模具樹脂的前述側面的下端的距離為0.2mm以下。
  3. 如請求項1或2之半導體裝置，其中在前述散熱體的前述下表面設有凹部； 前述凹部是以前述模具樹脂充填。
  4. 如請求項1或2之半導體裝置，其中在前述散熱體的前述第2側面設有突起物。
  5. 如請求項1或2之半導體裝置，其中前述模具樹脂的前述側面傾斜為錐狀。
TW109133815A 2019-10-15 2020-09-29 半導體裝置 TWI760868B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
WOPCT/JP2019/040533 2019-10-15
PCT/JP2019/040533 WO2021074978A1 (ja) 2019-10-15 2019-10-15 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202117953A true TW202117953A (zh) 2021-05-01
TWI760868B TWI760868B (zh) 2022-04-11

Family

ID=75538042

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109133815A TWI760868B (zh) 2019-10-15 2020-09-29 半導體裝置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20220285242A1 (zh)
JP (1) JP7193008B2 (zh)
KR (1) KR102629840B1 (zh)
CN (1) CN114503254A (zh)
DE (1) DE112019007823T5 (zh)
TW (1) TWI760868B (zh)
WO (1) WO2021074978A1 (zh)

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6289792U (zh) 1985-11-25 1987-06-09
JP2001053212A (ja) * 1999-08-10 2001-02-23 Motorola Inc Ｉｃパッケージおよびその製造方法
US6562660B1 (en) * 2000-03-08 2003-05-13 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of manufacturing the circuit device and circuit device
KR100432715B1 (ko) * 2001-07-18 2004-05-24 엘지전자 주식회사 방열부재를 갖는 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP2012028744A (ja) * 2010-06-22 2012-02-09 Panasonic Corp 半導体装置用パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置
JP2012033665A (ja) * 2010-07-30 2012-02-16 On Semiconductor Trading Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP6030970B2 (ja) * 2013-02-12 2016-11-24 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
TWI509759B (zh) * 2013-08-19 2015-11-21 Powertech Technology Inc 切割道在散熱片之無基板封裝構造及其製造方法
TWI759279B (zh) * 2017-01-26 2022-04-01 日商昭和電工材料股份有限公司 無加壓接合用銅糊、接合體與其製造方法及半導體裝置
KR102232994B1 (ko) * 2017-02-21 2021-03-26 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체 장치
US10923444B1 (en) * 2017-05-26 2021-02-16 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device
DE112017007890B4 (de) 2017-09-28 2023-05-11 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung, Hochfrequenz-Leistungsverstärker und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2021074978A1 (zh) 2021-04-22
KR102629840B1 (ko) 2024-01-25
WO2021074978A1 (ja) 2021-04-22
JP7193008B2 (ja) 2022-12-20
CN114503254A (zh) 2022-05-13
TWI760868B (zh) 2022-04-11
KR20220059505A (ko) 2022-05-10
DE112019007823T5 (de) 2022-06-30
US20220285242A1 (en) 2022-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7208818B2 (en) Power semiconductor package
US7582958B2 (en) Semiconductor package
US7605451B2 (en) RF power transistor having an encapsulated chip package
US6566164B1 (en) Exposed copper strap in a semiconductor package
US11842948B2 (en) SMDs integration on QFN by 3D stacked solution
JP6015963B2 (ja) 半導体パッケージ、その製造方法及び金型
US9111920B2 (en) Semiconductor device
US6831352B1 (en) Semiconductor package for high frequency performance
CN106024643B (zh) 引线框架上的衬底中介层
US20220238421A1 (en) Molded packaging for wide band gap semiconductor devices
US11699625B2 (en) Power semiconductor module arrangement
JP6668393B2 (ja) ヒートスラグとリベットのないダイ取付領域とを有する半導体パッケージ
TWI760868B (zh) 半導體裝置
US20210384092A1 (en) Molded Air-cavity Package and Device Comprising the Same
US20230178464A1 (en) Electronic Package and Electronic Device Comprising the Same
US9245837B1 (en) Radio frequency power device
KR102260622B1 (ko) 고방열 큐에프엔 패키지
JPH0661365A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH0669245A (ja) 半導体装置
JPH0766322A (ja) 電力用半導体装置