TW202115742A - 導電組成物及微型發光二極體顯示裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本揭露提供一種導電組成物以及微型發光二極體顯示裝置的製造方法。該導電組成物包含：5至90重量份之單體、10至95重量份之環氧樹脂、以及50至150重量份的導電粉體。該單體與該環氧樹脂的總重為100重量份。該單體具有n個反應官能基(reactive functional group)、且n為1、2、3或4，其中該單體之分子量小於或等於350。該環氧樹脂之環氧當量重為160克/當量至3500克/當量。此外，該單體之重量、該單體之可反應基團數、該單體之分子量、該環氧樹脂之重量、以及該環氧樹脂之環氧當量重符合特定之關係。

Description

導電組成物及微型發光二極體顯示裝置的製造方法
本揭露關於一種導電組成物及一種微型發光二極體顯示裝置的製造方法。
隨著光電科技的進步，光電元件的體積逐漸往小型化發展。近幾年來由於發光二極體(light-emitting diode，LED)製作尺寸上的突破，目前將發光二極體以陣列排列製作的微型發光二極體(micro-LED)顯示器在市場上逐漸受到重視。微型發光二極體顯示器屬於主動式微型發光二極體顯示器，其除了相較於有機發光二極體(organic light-emitting diode，OLED)顯示器而言更為省電以外，也具備更佳優異的對比度表現，而可以在陽光下具有可視性。此外，由於微型發光二極體顯示器採用無機材料，因此其相較於有機發光二極體顯示器而言具備更加優良的可靠性以及更長的使用壽命。
用於微型發光二極體顯示器巨量轉移製程的固晶材料可為焊料或異方性導電膜(anisotropic conductive film、ACF)。然而，使用在巨量轉移製程中使用異方性導電膜時，由於傳統異方性導電膜需加壓使導電粒子接觸產生導通，此過程易使電極鍍膜處產生脆裂，使得微型發光二極體無法點亮。此外，採用焊料來進行微型發光二極體與顯示基板的電性連結時，由於焊料本身不具有黏著特性，無法有效初步固定巨量轉移後的微型發光二極體。
因此，業界需要一種新穎的微型發光二極體顯示面版的製造方法，以解決習知技術所遭遇到的問題。
根據本揭露實施例，本揭露提供一種導電組成物，包含：一單體，其中該單體之重量(W1)為5至90重量份，其中該單體具有n個反應官能基(reactive functional group)、且n為1、2、3、4，其中該單體之分子量(Mw1)小於或等於350；一環氧樹脂，其中該環氧樹脂之重量(W2)為10至95重量份，其中該環氧樹脂之環氧當量重(EEW)為160克/當量至3500克/當量；以及，50至150重量份的導電粉體。其中，該單體與該環氧樹脂的總重(W1+W2)為100重量份，且其中該單體之重量(W1)、該單體之可反應基團數(n)、該單體之分子量(Mw1)、該環氧樹脂之重量(W2)、以及該環氧樹脂之環氧當量重(EEW)符合以下公式： 16.90≦Ln[(EEW2 )x(Mw1/n)x(W2/(W1+W2)]≦18.90。
根據本揭露實施例，本揭露提供一種微型發光二極體顯示裝置的製造方法，該方法包含：提供一顯示基板，其中該顯示基板具有複數個接觸墊配置於該顯示基板之上表面；形成由本揭露所述導電組成物所構成的膜層於該顯示基板之上表面，其中該膜層覆蓋該接觸墊；提供一載板，其中複數個微型發光二極體配置於該載板上，其中每一微型發光二極體具有一電極；轉移該等微型發光二極體至該顯示基板，並藉由該膜層將每一微型發光二極體固定於對應的接觸墊之上；對該膜層進行一第一熱處理，使得該膜層內之導電粉體形成一導電層，且該微型發光二極體之電極與該接觸墊藉由該導電層達到電性連結；以及，對該膜層進行一第二熱處理。
以下針對本發明之顯示裝置作詳細說明。應了解的是，以下之敘述提供許多不同的實施例或例子，用以實施本發明之不同樣態。以下所述特定的元件及排列方式僅為簡單描述本發明。當然，這些僅用以舉例而非本發明之限定。此外，在不同實施例中可能使用重複的標號或標示。這些重複僅為了簡單清楚地敘述本發明，不代表所討論之不同實施例及/或結構之間具有任何關連性。
必需了解的是，為特別描述或圖示之元件可以此技術人士所熟知之各種形式存在。此外，當某層在其它層或基板「上」時，有可能是指「直接」在其它層或基板上，或指某層在其它層或基板上，或指其它層或基板之間夾設其它層。
且在圖式中，實施例之形狀或是厚度可擴大，並以簡化或是方便標示。再者，圖式中各元件之部分將以分別描述說明之，值得注意的是，圖中未繪示或描述之元件，為所屬技術領域中具有通常知識者所知的形式，此外，特定之實施例僅為揭示本發明使用之特定方式，其並非用以限定本發明。
再者，說明書與請求項中所使用的序數例如”第一”、”第二”、”第三”等之用詞，以修飾請求項之元件，其本身並不意含及代表該請求元件有任何之前的序數，也不代表某一請求元件與另一請求元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的一請求元件得以和另一具有相同命名的請求元件能作出清楚區分。
本揭露提供一種導電組成物以及利用該導電組成物製造微型發光二極體顯示裝置的方法。本揭露所述導電組成物在塗於一基材形成膜層後，可在室溫下對基材具有一黏著力介於90gf/25mm至2000gf/25mm之間。因此，該膜層可作為異方性導電膠配置於一顯示基板之上，並在室溫下可暫時固定由一載板轉移過來的微型發光二極體晶粒，改善微型發光二極體晶粒的電極與顯示基板的接觸墊之間的對位。此外，由本揭露所述導電組成物所形成的膜層，在進行一第一熱處理使膜層內的導電粉體形成一導電層時，該膜層的有機部份(即該膜層內除導電粉體(或其所形成的導電層)外的其他成份)具有一黏度小於或等於0.1 Pa.s。如此一來，可使得導電粉體在第一熱處理時可在該膜層內移動，並在導電粉體熔融後藉由表面張力差自聚在微型發光二極體晶粒的電極及接觸墊之間，達到自對位(自組裝)的效果。此外，經由第一熱處理可使微型發光二極體晶粒與顯示基板上的接觸墊電性連結但不會固化該膜層。如此一來，可對顯示基板上的該微型發光二極體進行檢測，且可對檢測後所辨別出的不良微型發光二極體重複該第一熱處理，以方便移除該不良微型發光二極體並以其他微型發光二極體置換。
根據本揭露實施例，本揭露所述導電組成物可包含：一單體，其中該單體之重量(W1)為5至90重量份，例如10至90重量份、10至80重量份10至70重量份，其中該單體具有n個反應官能基(reactive functional group)，且n為1、2、3、或4；一環氧樹脂，其中該環氧樹脂之重量(W2)為10至95重量份，例如10至90重量份、20至90重量份20至80重量份，其中該單體與該環氧樹脂的總重(W1+W2)為100重量份；以及，50至150重量份的導電粉體，例如50至100重量份。該單體之分子量(Mw1)小於或等於350。該環氧樹脂之環氧當量重(EEW)為160克/當量至3500克/當量。值得注意的是，該單體之重量(W1)、該單體之可反應基團數(n)、該單體之分子量(Mw1)、該環氧樹脂之重量(W2)、以及該環氧樹脂之環氧當量重(EEW)之關係定義為T= Ln[(EEW2 )x(Mw1/n)x(W2/(W1+W2))]，T值需符合公式(I)： 16.90≦T≦18.90    公式(I)
根據本揭露實施例，該T值可為16.90≦T≦18.30或16.96≦T≦18.28。
當T(T=Ln[(EEW2 )x(Mw1/n)x(W2/(W1+W2)))小於16.90時，由該導電組成物所形成的膜層(經塗佈於顯示基板並移除溶劑後(即尚未固化))其在室溫下對基材的黏著力不足，因此無法在室溫下暫時固定微型發光二極體晶粒，易導致微型發光二極體晶粒的電極與顯示基板的接觸墊之間錯位。此外，當T(T=Ln[(EEW2 )x(Mw1/n)x(W2/(W1+W2)))大於18.90時，由該導電組成物所形成的膜層(經塗佈於顯示基板並移除溶劑後(即尚未固化))在進行一第一熱處理使膜層內的導電粉體形成熔融態時，該膜層的有機部份(即該膜層內除導電粉體(或其所形成的導電層)外的其他成份)的黏度會過大(大於0.1 Pa.s)，使得導電粉體熔融後不易藉由表面張力差在該膜層內移動，導致無法達到導電層(由熔融後導電粉體固化所得)自對位的效果。
根據本揭露實施例，本揭露所述該單體之重量(W1)、該單體之可反應基團數(n)、該單體之分子量(Mw1)、該環氧樹脂之重量(W2)、以及該環氧樹脂之環氧當量重(EEW)的特定關係是針對分子量(Mw1)需於或等於350的單體以及環氧當量重(EEW)為160克/當量至3500克/當量的環氧樹脂進行設定及驗證。因此，即便使用其他單體(即分子量(Mw1)大於350的單體)或其他環氧樹脂(即環氧當量重(EEW)小於160克/當量、或大於3500克/當量)可符合公式(I)，所得的導電組成物未並能達到本揭露所述導電組成物的技術功效。
根據本揭露實施例，該單體可為具有一個反應官能基的單體、具有二個反應官能基的單體、或具有三個反應官能基的單體。該單體之反應官能基可為環氧乙烷基(oxiranyl group) 、 環氧環己烷基(cyclohexene oxide group)、氧雜環丁烷基(oxetanyl group)、乙烯氧基(vinyloxy group)、烯丙氧基(allyloxy group)、丙烯酸酯基(acrylate group)、或甲基丙烯酸酯基(methacrylate group)。當該單體為具有二個反應官能基的單體或具有三個反應官能基的單體時，每一反應官能基可獨立為環氧乙烷基(oxiranyl group)、氧雜環丁烷基(oxetanyl group)、乙烯氧基(vinyloxy group)、烯丙氧基(allyloxy group)、丙烯酸酯基(acrylate group)、或甲基丙烯酸酯基(methacrylate group)。
根據本揭露實施例，該單體係三羥甲基乙烷氧雜環丁烷( trimethylolethane-oxetane)、三羥甲基丙烷氧雜環丁烷(trimethylolpropane oxetane)、三羥甲基丁烷氧雜環丁烷(trimethylolbutane oxetane)、三羥甲基戊烷氧雜環丁烷(trimethylolpentane oxetane)、三羥甲基己烷氧雜環丁烷(trimethylolhexane oxetane)、三羥甲基庚烷氧雜環丁烷(trimethylolheptane oxetane)、三羥甲基辛烷氧雜環丁烷(trimethyloloctane oxetane)、三羥甲基壬烷氧雜環丁烷(trimethylolnonane oxetane)、乙二醇二縮水甘油醚(ethylene glycol diglycidyl ether)、丙二醇二縮水甘油醚(propylene glycol diglycidyl ether)、丁二醇二縮水甘油醚(butanediol diglycidyl ether)、新戊二醇二縮水甘油醚(neopentyl glycol diglycidyl ether)、己二醇二縮水甘油醚(hexanediol diglycidyl ether)、環己烷二甲醇二縮水甘油醚(cyclohexanedimethanol diglycidyl ether),雙酚A二縮水甘油醚(bisphenol A diglycidyl ether、BADGE),雙酚F二縮水甘油醚(bisphenol F diglycidyl ether、BFDGE)、 對苯二甲酸二縮水甘油酯(terephthalic acid diglycidyl ester)、四氫鄰苯二甲酸二縮水甘油酯(tetrahydrophthalic acid diglycidyl ester)、六氫鄰苯二甲酸二縮水甘油酯(hexahydrophthalic acid diglycidyl ester)、三縮水甘油基-對-胺基苯酚(triglycidyl p-aminophenol)、三縮水甘油基三異氫酸酯(triglycidyl isocyanurate)、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚(trimethylolpropane triglycidyl ether)、甘油三縮水甘油醚(glycerol triglycidyl ether)、或上述之組合。
根據本揭露實施例，本揭露所述導電組成物可使用單一種單體。根據本揭露其他實施例，本揭露所述導電組成物可使用二種或二種以上之單體。當本揭露所述導電組成物使用二種或二種以上之單體時，公式(I)所述單體之分子量(Mw1)係指該二種(或二種以上)單體的重量加權平均分子量，而單體之重量(W1)係指該二種(或二種以上)單體的重量總合。此外，當本揭露所述導電組成物使用二種或二種以上之單體時，公式(I)所述單體可反應基團數(n)係指該二種(或二種以上)單體的重量加權平均可反應基團數。
根據本揭露實施例，該環氧樹脂之重量平均分子量(Mw2)為500至7000，且該環氧樹脂之環氧當量重(EEW)為160克/當量至大於3500克/當量，其中該環氧樹脂之環氧當量係依據JIS K-7236所規定的方法進行測定。
根據本揭露實施例，本揭露對於所使用的環氧樹脂有以下限制：該環氧樹脂其黏度(單位為Pa·s)之對數對於溫度(單位為℃)之對數作圖並經線性回歸所決定的斜率係介於-8至-20之間。該環氧樹脂的黏度量測起始溫度(T)以黏度作為判別，當黏度介於700Pa.s至5000Pa.s即可做為起始點。接著，每增加10℃量測該環氧樹脂的黏度。黏度的量測方式係以流變儀(AR-G2，美國TA儀器公司製造)在剪切速率(shear rate)10s-1 、平板長度25mm以及間隙為200µm的條件下測定。 該環氧樹脂在不同溫度下的黏度可依據上述測量4至10次，並以所測得之環氧樹脂黏度(V)之對數(log10 V)對於溫度之對數(log10 T)進行作圖。當所使用的環氧樹脂其黏度之對數對於溫度之對數作圖並經線性回歸所決定的斜率不在-8至-20的範圍內時，該導電組成物所形成的膜層在室溫下對基材的黏著力不足，因此不易在室溫下暫時固定微型發光二極體晶粒。在此，本揭露所述之對數係指以10為基數之對數。
根據本揭露實施例，本揭露所述環氧樹脂在起始溫度(T℃)下的黏度(單位為Pa.s)之對數為V1、在T+10℃下的黏度(單位為Pa.s)之對數為V2、在T+20℃下的黏度(單位為Pa.s)之對數為V3、以及在T+30℃下的黏度(單位為Pa.s)之對數為V4，其中V1為2.84至3.70、V1>V2>V3>V4、且V1-V4係大於或等於1.83。根據本揭露實施例，V1、V2、V3、及V4符合以下(1)-(2)條件之任一者：(1) 2.84≦V1>3、0>V4>1、以及1≦V2>2、或1≦V3>2；以及，(2) 3≦V1>3.70、0.5≦V4>2、以及2≦V2>3、或1≦V3>3。
根據本揭露實施例，該環氧樹脂可為雙酚A環氧樹脂(bisphenol A epoxy resin)、雙酚F環氧樹脂(bisphenol F epoxy resin)、雙酚S環氧樹脂(bisphenol S epoxy resin)、酚醛環氧樹脂(novolac epoxy resin)、萘基環氧樹脂(naphthalene-based epoxy resin)、蒽基環氧樹脂(anthracene-based epoxy resin)、雙酚A二縮水甘油醚環氧樹脂(bisphenol A diglycidyl ether (BADGE) epoxy resin)、乙二醇二缩水甘油醚環氧樹脂(ethylene glycol diglycidyl ether (EGDGE) epoxy resin)、丙二醇二缩水甘油醚環氧樹脂(propylene glycol diglycidyl ether (PGDGE) epoxy resin)、1,4-丁二醇二缩水甘油醚環氧樹脂(1,4-butanediol diglycidyl ether (BDDGE) epoxy resin)、或上述之組合。舉例來說，該環氧樹脂可具有以下結構：
Figure 02_image001
、或
Figure 02_image003
，其中m≥0。
根據本揭露實施例，本揭露所述環氧樹脂可為Epikote 1001(購自三菱化學、結構為
Figure 02_image001
(m>1)，分子量為約900)。請參照第7圖，係顯示Epikote 1001其黏度之對數對於溫度之對數的作圖。Epikote 1001的黏度量測起始溫度為70℃，測得的黏度為約704.768 Pa.s。接著，每增加10℃量測該環氧樹脂的黏度，重複七次。Epikote 1001在70℃、80℃、90℃、以及100℃下的黏度之對數如表1所示。Epikote 1001其黏度之對數對於溫度之對數的作圖經線性回歸所決定的斜率為-10.476，且黏度隨溫度變化由起始點開始四個點內的黏度變化為694.04Pa.s。
表1
  Epikote 1001
  黏度(Pa.s) 黏度之對數
70℃ 704.76842 2.84804644
80℃ 122.9 2.08955188
90℃ 30.693167 1.4870417
100℃ 9.96625 0.99853178
根據本揭露實施例，本揭露所述環氧樹脂可為Epikote 1003(購自三菱化學、結構為
Figure 02_image001
(m>1)，分子量為約1300)。請參照第8圖，係顯示Epikote 1003其黏度之對數對於溫度之對數的作圖。Epikote 1003的黏度量測起始溫度為80℃，測得的黏度為約4800 Pa.s。接著，每增加10℃量測該環氧樹脂的黏度，重複7次 。Epikote 1003在80℃、90℃、100℃、以及110℃下的黏度之對數如表2所示。Epikote 1003其黏度之對數對於溫度之對數的作圖經線性回歸所決定的斜率為-15.159，且黏度隨溫度變化由起始點開始四個點內的黏度變化為4769Pa.s。
表2
  Epikote 1003
  黏度(Pa.s) 黏度之對數
80℃ 4800.381 3.681276
90℃ 515.8 2.712481
100℃ 110.3048 2.042594
110℃ 30.59222 1.485611
根據本揭露實施例，本揭露所述環氧樹脂可為Epikote 1007(購自三菱化學、結構為
Figure 02_image001
(m>1)，分子量為約2900)。請參照第9圖，係顯示Epikote 1007其黏度之對數對於溫度之對數的作圖。Epikote 1007的黏度量測起始溫度為120℃，測得的黏度為約1037 Pa.s。接著，每增加10℃量測該環氧樹脂的黏度，重複5次。Epikote 1007在120℃、130℃、140℃、以及150℃下的黏度之對數如表3所示。Epikote 1007其黏度之對數對於溫度之對數的作圖經線性回歸所決定的斜率為-13.765，且黏度隨溫度變化由起始點開始四個點內的黏度變化為991Pa.s。
表3
  Epikote 1007
  黏度(Pa.s) 黏度之對數
120℃ 1037.691 3.016068
130℃ 306.9569 2.487077
140℃ 93.526 1.970932
150℃ 46.00762 1.66283
根據本揭露實施例，本揭露所述環氧樹脂可為Epikote 1009(購自三菱化學、結構為
Figure 02_image001
(m>1)，分子量為約3800)。請參照第10圖，係顯示Epikote 1009其黏度之對數對於溫度之對數的作圖。Epikote 1009的黏度量測起始溫度為130℃，測得的黏度為約1372 Pa.s。接著，每增加10℃量測該環氧樹脂的黏度，重複六次。Epikote 1009在130℃、140℃、150℃以及160℃下的黏度之對數如表4所示。Epikote 1009其黏度之對數對於溫度之對數的作圖經線性回歸所決定的斜率為-13.471，且黏度隨溫度變化由起始點開始四個點內的黏度變化為1311.06Pa.s。
表4
  Epikote 1009
  黏度(Pa.s) 黏度之對數
130℃ 1372 3.137354
140℃ 612.8022 2.78732
150℃ 161.3183 2.207684
160℃ 60.94706 1.784953
根據本揭露實施例，本揭露所述環氧樹脂可為EPICLON HP-4700(購自DIC、結構為
Figure 02_image007
)，分子量為約660。請參照第11圖，係顯示EPICLON HP-4700其黏度之對數對於溫度之對數的作圖。EPICLON HP-4700的黏度量測起始溫度係為80℃，測得的黏度為約3781 Pa.s。接著，每增加10℃量測該環氧樹脂的黏度，重複三次。EPICLON HP-4700在80℃、90℃、100℃以及110℃下的黏度之對數如表5所示。EPICLON HP-4700其黏度之對數對於溫度之對數的作圖經線性回歸所決定的斜率為-19.114，且黏度隨溫度變化由起始點開始四個點內的黏度變化為約3770Pa.s。
表5
  EPICLON HP-4700
  黏度(Pa.s) 黏度之對數
80℃ 3781.516 3.577666
90℃ 276.1 2.441066
100℃ 40.04786 1.602579
110℃ 8.552318 0.932084
根據本揭露實施例，本揭露所述導電組成物可使用單一種環氧樹脂。根據本揭露其他實施例，本揭露所述導電組成物可使用二種或二種以上之環氧樹脂。當本揭露所述導電組成物使用二種或二種以上之環氧樹脂時，公式(I)所述環氧樹脂之環氧當量重(EEW)係指該二種(或二種以上) 環氧樹脂的重量加權平均環氧當量重，而環氧樹脂之重量(W2)係指該二種(或二種以上)單體的重量總合。
根據本揭露實施例，該導電粉體可為一焊材，例如為錫-鉍合金、錫-銦合金、錫-鉍-銦合金、錫-鉍-銻合金、錫-銀-鉍合金、錫-銅-鉍合金、錫-銀-銅-鉍合金、錫-銀-銦合金、錫-銅-銦合金、錫-銅-銀-銦合金、錫-金-銅-鉍-銦合金、或上述之組合。根據本揭露實施例，該導電粉體可為錫-鉍合金。
根據本揭露實施例，該導電粉體的熔點小於該導電組成物的固化溫度，以避免在進行一第一熱處理使膜層內的導電粉體形成熔融態時同時固化該導電組成物。根據本揭露實施例，該導電粉體的熔點與該導電組成物的固化溫度之差值大於或等於20℃，例如大於或等於30℃、大於或等於40℃、或大於或等於50℃。根據本揭露實施例，該導電粉體的熔點可為130℃至160℃，例如140℃、150℃、或160℃。
根據本揭露實施例，該導電粉體之重量份可具有一平均粒徑為1μm至100μm，例如為1μm至90μm、1μm至80μm、1μm至70μm、10μm至50μm、或10μm至20μm。
根據本揭露實施例，該導電組成物可更包含一去氧化劑，其中該去氧化劑具有1至40重量份。根據本揭露實施例，該去氧化劑(deoxidizer)可為戊二酸(pentanedioic acid)、癸二酸(decanedioic acid)、辛二酸(suberic acid)、己二酸(adipic acid)、甲基丁二酸(methylsuccinic acid)、水楊酸(salicylic acid)、硬脂酸(stearic acid)、丁二酸酐(succinic anhydride)、苯甲酸(benzoic acid)、酒石酸(tartaric acid)、衣康酸(itaconic acid)、十二酸(dodecanoic acid)、十四酸(myristic acid)、十六酸(palmitic acid)、乙醇胺(ethanolamine)、乙二胺(ethylenediamine)、丁二醇胺(butanediolamine)、二乙烯三胺(diethylenetriamine)、3-丙醇胺(3-propanolamine)、羥乙基乙二胺(hydroxyethylenediamine)、丁二酸胺( ammonium succinate )、N，N-二乙基乙醇胺(N,N-diethylethanolamine) 、或上述之組合。
根據本揭露實施例，該導電組成物可更包含一硬化劑，其中該硬化劑具有0.01至10重量份。該硬化劑可例如為碘鎓鹽(iodinium salt)、鋶鹽(sulfonium salt)、或上述之組合。舉例來說，碘鎓鹽可為四氟硼酸二苯基碘鎓(diphenyliodonium tetrafluoroborate)、四氟硼酸二(4-甲基苯基)碘鎓(di(4-methylphenyl)iodonium tetrafluoroborate)、四氟硼酸苯基-4-甲基苯基碘鎓(phenyl-4-methylphenyliodonium tetrafluoroborate) 、四氟硼酸二(4-庚基苯基)碘鎓(di(4-heptylphenyl)iodonium tetrafluoroborate)、六氟磷酸二(3-硝基苯基)碘鎓(di(3-nitrophenyl)iodonium hexafluorophosphate) 、或六氟磷酸二(4-氯苯基)碘鎓(di(4-chlorophenyl)iodonium hexafluorophosphate)；以及，鋶鹽可為四氟硼酸三苯基鋶(triphenylsulfonium tetrafluoroborate)、四氟硼酸甲基二苯基鋶(methyldiphenylsulfonium tetrafluoroborate)、六氟磷酸二甲基苯基鋶(dimethylphenylsulfonium hexafluorophosphate)、六氟磷酸三苯基鋶(triphenylsulfonium hexafluorophosphate)、六氟銻酸三苯基鋶(triphenylsulfonium hexafluoroantimonate)、六氟砷酸二苯基萘基鋶(diphenylnaphthylsulfonium hexafluoroarsenate)、六氟磷酸三甲苯基鋶(tritolysulfonium hexafluorophosphate)、六氟銻酸大茴香基二苯基鋶(anisyldiphenylsulfonium hexafluoroantimonate)、四氟硼酸4-丁氧基苯基二苯基鋶(4-butoxyphenyldiphenylsulfonium tetrafluoroborate)、六氟磷酸4-氯苯基二苯基鋶(4-chlorophenyldiphenyl-sulfonium hexafluorophosphate)、或六氟磷酸三(4-苯氧基苯基)鋶(tri(4-phenoxyphenyl)sulfonium hexafluorophosphate)。
根據本揭露實施例，該導電組成物可更包含一溶劑，以使上述單體、環氧樹脂、導電粉體、去氧化劑、及硬化劑均勻分散於該溶劑中。該溶劑可例如為甲乙酮(methyl ethyl ketone)、乙酸丙二醇甲酯(propylene glycol methyl ether acetate，PGMEA)、乙酸異戊酯(isopentyl acetate)、苯(benzene)、甲苯(toluene)、二甲苯(xylene)、環己烷(cyclohexane)、或上述之組合。
根據本揭露實施例，該導電組成物的固含量(即除了溶劑外的所有成份之重量百分比，以該導電組成物的總重為基準)可為5wt%至90wt%。
根據本揭露實施例，該導電組成物可用來形成一膜層，例如一異方性導電膜。該膜層的形成方法包含將該導電組成物膜塗佈於一基材上形成一塗層，接著對該膜層進行一烘烤製程，以移除該導電組成物的溶劑，形成該膜層。將該導電組成物膜塗佈於基材上的方法可例如為網印、鋼板印刷、旋轉塗佈法(spin coating)、棒狀塗佈法(bar coating)、刮刀塗佈法(blade coating)、滾筒塗佈法(roller coating)、浸漬塗佈法(dip coating)、噴塗(spray coating)、或刷塗(brush coating)。
根據本揭露實施例，本揭露提供一種微型發光二極體顯示裝置的製造方法。第1圖為本揭露一實施例所述微型發光二極體顯示裝置的製造方法10之步驟流程圖，以及第2圖至第6圖為一系列示意圖，用以說明本揭露所述微型發光二極體顯示裝置的製造流程。首先，如第2圖所示，提供一顯示基板30，其中該顯示基板具有複數個接觸墊32配置於該顯示基板30之上表面31(步驟11)。
接著，如第3圖所示，形成一膜層40於該顯示基板30之上表面31，並覆蓋該接觸墊32(步驟13)。其中，該膜層40係由上述導電組成物所形成。該膜層40的製備方法可例如將該導電組成物膜塗佈於一基材上形成一塗層，接著對該膜層進行一烘烤製程，以移除該導電組成物的溶劑，形成該膜層40。根據本揭露實施例，該膜層40由導電粉體42及有機部份44(即導電組成物除導電粉體外的其他成份)所構成。該膜層40可為一連續膜層，如第3圖所示。根據本揭露實施例，該膜層40可為一不連續膜層。舉例來說，該膜層可為一圖形化膜層，包含複數個區域，每一區域覆蓋一對應的接觸墊，且位兩相鄰的區域相隔一預定距離。
根據本揭露實施例，該烘烤製程並不會使導電組成物中的單體及環氧樹脂進行反應(即該烘烤製程不會固化該導電組成物)。根據本揭露實施例，該烘烤製程之溫度可為50℃至100℃。
根據本揭露實施例，該膜層具有一剝離強度大於 90gf/25mm，其中該剝離強度測量方式係依據ASTM-D1876所規定的方法進行測定。
根據本揭露實施例，由於該膜層在室溫下對基材可具有一黏著力介於90gf/25mm至2000gf/25mm之間，其中該黏著力測量方式係依據ASTM-D1876所規定的方法進行測定。
接著，如第4圖所示，提供一載板50，其中複數個微型發光二極體52配置於該載板50上，其中每一微型發光二極體52具有一電極54(步驟15)。根據本揭露實施例，微型發光二極體可指其長、寬、及高在1μm至100μm範圍內的發光二極體。根據本揭露實施例，該微型發光二極體52可為垂直式發光二極體或水平式發光二極體。若該微型發光二極體52為垂直式發光二極體，該微型發光二極體52可具有另一電極與該電極54對向設置。若該微型發光二極體52為水平式的發光二極體，該微型發光二極體52可具有另一電極與該電極54設置在同側。為了清楚表達特定的特徵，所述另一電極在圖式中被省略。
接著，如第5圖所示，轉移該等微型發光二極體52至該顯示基板30，並藉由該膜層40將每一微型發光二極體52暫時固定於對應的接觸墊32之上(步驟17)。根據本揭露實施例，可利用一巨量轉移(mass transfer)製程將微型發光二極體52由載板50轉移至顯示基板30。根據本揭露實施例，該轉移製程可逐一或批量將微型發光二極體52由載板50轉移至顯示基板30。舉例來說，轉移製程可為機械靜電吸取法或黏著膠黏取法。由於該膜層40在室溫下對基材具有一黏著力介於90gf/25mm至2000gf/25mm之間，因此由本揭露所述導電組成物所形成的膜層40可暫時將微型發光二極體52固定於對應的接觸墊32之上，使微型發光二極體52易於由載板50轉移至顯示基板30上。
接著，如第6圖所示，對該膜層40進行一第一熱處理，使得該膜層40內之導電粉體42熔融，並藉由表面張力差自聚在微型發光二極體晶粒52的電極54及接觸墊32之間，形成一導電層46(步驟19)。在此，該微型發光二極體52之電極54與該接觸墊32藉由該導電層46達到電性連結。根據本揭露實施例，在進行一第一熱處理使膜層內的導電粉體42形成導電層46時，該膜層40的有機部份44(即該膜層內除導電粉體42(或其所形成的導電層46)外的其他成份)具有一黏度小於或等於0.1 Pa.s。如此一來，可使得導電粉體42在第一熱處理時可在該膜層內移動，並在導電粉體熔融後藉由表面張力差自聚在微型發光二極體晶粒的電極及接觸墊之間，達到自對位的效果。
根據本揭露實施例，該第一熱處理的溫度可大於或等於該導電粉體的熔點，使導電粉體42熔融形成導電層46。如此一來，微型發光二極體晶粒52之電極54可藉由該導電層46與接觸墊32電性連結。根據本揭露實施例，該第一熱處理的溫度較該導電粉體的熔點高0.5℃至25℃。根據本揭露實施例，第一熱處理的溫度並不會固化該膜層40(即不會使導電組成物中的單體及環氧樹脂反應)。根據本揭露實施例，該第一熱處理的溫度可為130℃至160℃。
根據本揭露實施例，在經由該第一熱處理使發光二極體晶粒52之電極54與顯示基板30上的接觸墊32電性連結後，可進一步對該顯示基板30上的微型發光二極體52進行一檢測，以辨別出不良微型發光二極體。由於第一熱處理並不會固化該膜層40，因此在辨別該不良微型發光二極體後，更進一步對該不良微型發光二極體下方的導電層46重複進行該第一熱處理，以移除該不良微型發光二極體並置換成其他微型發光二極體。
根據本揭露實施例，該檢測的目的在於在進行第二熱處理前(即固化該膜層40前)測知微型發光二極體52是否存在缺陷或瑕疵，以方便在完成微型發光二極體顯示裝置組裝前先行修復。根據本揭露實施例，該檢測可為電性檢測。
最後，對該膜層40進行一第二熱處理以固化該膜層40(步驟21)。如此一來，可將微型發光二極體52永久固定於該顯示基板30之上。根據本揭露實施例，該第二熱處理的溫度係大於該第一熱處理的溫度。根據本揭露實施例，該第二熱處理的溫度需可使該膜層40中的單體及環氧樹脂進行反應。根據本揭露實施例，該第二熱處理的溫度例如可為180℃至250℃。
為了讓本揭露之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉數實施例配合所附圖示，作詳細說明如下：
實施例1 將10重量份的三羥甲基丙烷氧雜環丁烷(trimethylolpropane oxetane、TMPO)(購自柏斯托精細化學(Perstorp Specialty Chemicals)、90重量份的雙酚A環氧樹脂(商品編號為Epikote 1001、購自三菱化學、環氧當量為約470)、15.38重量份的戊二酸(glutaric acid)、77重量份的錫鉍粉體(商品編號為Sn42/Bi58、購自Hanon Technology Industry Limited、平均粒徑為約10-20µm)、0.5重量份的硬化劑(商品編號為SI-B4、購自Shan-shin chemical industry co.LTD)以及19.23重量份的甲乙酮(methyl ethyl ketone)均勻混合，得到導電組成物(1)，其中TMPO與Epikote 1001的比例為1:9。以公式(I)換算所得的T值，結果顯示於表6。
接著，量測導電組成物(1)所形成膜層的剝離強度，結果顯示於表6。導電組成物所形成膜層之剝離強度的量測方式包含以下步驟。首先，將導電組成物以網印方式塗佈於一銅箔上，形成一塗層。接著，在80℃下烘乾該塗層以移除溶劑，得到一膜層。接著，配置另一銅箔(寬度為25mm)於該膜層上。接著，依據ASTM-D1876所規定的方法量測膜層的剝離強度。
接著，量測導電組成物(1)所形成膜層在140℃下的黏度，結果顯示於表6。導電組成物所形成膜層係利用以下方法量測導電組成物所形成膜層在140℃下的黏度。首先，將導電組成物(不含導電粉體及溶劑)流變儀(AR-G2，美國TA儀器公司製造)在140℃、剪切速率(shear rate)10s-1 、以及間隙為50µm的條件下測定該組成物在140℃下的黏度。
接著，判斷導電組成物(1)所形成膜層加熱至導電粉體的熔點後是否可進行自組裝，結果顯示於表6。導電組成物加熱後是否可進行自組裝的判定方式如下。首先，提供一基板，其上具有複數接觸墊及控制金屬電路。接著，將導電組成物(1)以網印或鋼板印刷的方式塗佈於該基板的接觸墊。接著，在80℃下烘乾該塗層以移除溶劑，得到一膜層。接著，將該膜層加熱至150℃並維持5分鐘。降溫後，觀察導電粉體是否聚集至接觸墊及/或控制電路上形成導電層。首先，將導電組成物以網印方式塗佈於一銅箔上。接著，在80℃下烘乾該塗層以移除溶劑，得到一膜層。
接著，對導電組成物(1)所形成的膜層進行晶片轉移測試，結果顯示於表6。晶片轉移測試的步驟如下。首先，將導電組成物以網印方式塗佈於一銅箔上，形成一塗層。接著，在80℃下烘乾該塗層以移除溶劑，得到一膜層。接著，以聚二甲基矽氧烷(PDMS)薄膜抓取300個晶片(尺寸為175*125μm)，並轉移至該膜層上。若聚二甲基矽氧烷薄膜上的晶片能全部轉移至膜層上，則代表通過晶片轉移測試。
比較例1 比較例1如實施例1所述的方式進行，但將TMPO與Epikote 1001的比例由1:9增加至2:8，並且將甲乙酮的重量份由19.23降低至15.38，得到導電組成物(2)。藉由公式(I)計算出導電組成物(2)的T值，結果顯示於表6。接著，量測導電組成物(2)所形成膜層的剝離強度以及在140℃下的黏度，並判斷導電組成物(2)所形成膜層是否可進行自組裝或是否通過晶片轉移測試，結果顯示於表6。
比較例2 比較例2如實施例1所述的方式進行，但將TMPO與Epikote 1001的比例由1:9增加至3:7，且將甲乙酮的重量份由19.23降低至9.61，得到導電組成物(3)。藉由公式(I)計算出導電組成物(3)的T值，結果顯示於表6。接著，量測導電組成物(3)所形成膜層的剝離強度以及在140℃下的黏度，並判斷導電組成物(3)所形成膜層是否可進行自組裝或是否通過晶片轉移測試，結果顯示於表6。
比較例3 比較例3如實施例1所述的方式進行，但將TMPO與Epikote 1001的比例由1:9增加至4:6，且將甲乙酮的重量份由19.23降低至5.77，得到導電組成物(4)。藉由公式(I)計算出導電組成物(4)的T值，結果顯示於表6。接著，量測導電組成物(4)所形成膜層的剝離強度以及在140℃下的黏度，並判斷導電組成物(4)所形成膜層是否可進行自組裝或是否通過晶片轉移測試，結果顯示於表6。
表6
　 實施例1 比較例1 比較例2 比較例3
TMPO(重量份) 10 20 30 40
Epikote 1001 (重量份) 90 80 70 60
戊二酸(重量份) 15.38 15.38 15.38 15.38
錫鉍粉體(重量份) 77 77 77 77
硬化劑(重量份) 0.5 0.5 0.5 0.5
甲乙酮(重量份) 19.23 15.38 9.61 5.77
T值 16.96 16.84 16.7 16.55
剝離強度 (gf/25mm) 484.25 41.7 11.48 6.33
黏度(Pa.S) 0.073 0.035 0.027 0.039
自組裝測試 通過 通過 通過 通過
晶片轉移測試 通過 失敗 失敗 失敗
由表6可得知，當TMPO(單體)的添加量增加使得T值下降時(小於16.9)，會導致導電組成物所形成膜層的黏度及剝離強度降低。如此一來，由於膜層於室溫下對基材的黏著力不足，導致比較例1-3所述導電組成物所形成膜層無法通過晶片轉移測試。此外，實施例1所述導電組成物所形成的膜層於140℃下的黏度小於0.1 Pa.S，因此不會阻礙導電粉體於膜層內的移動，可通過自組裝測試。
實施例2 將40重量份的六氫鄰苯二甲酸二縮水甘油酯(hexahydrophthalic acid diglycidyl ester)(商品編號為 EPALLOY®5200 、購自CVC熱固性特種材料公司(CVC Specialties thermoset)、60重量份的雙酚A環氧樹脂(商品編號為Epikote 1003、購自三菱化學、環氧當量為約700)、15.38重量份的戊二酸(glutaric acid)、77重量份的錫鉍粉體(商品編號為Sn42/Bi58、購自Hanon Technology Industry Limited、平均粒徑為約10-20µm)、0.5重量份的硬化劑(商品編號為SI-B4、購自Shan-shin chemical industry co.LTD)、以及19.23重量份的甲乙酮(methyl ethyl ketone)均勻混合，得到導電組成物(5)，其中EPALLOY®5200與Epikote 1003的比例為4:6。藉由公式(I)計算出導電組成物(5)的T值，結果顯示於表7。接著，量測導電組成物(5)所形成膜層的剝離強度以及在140℃下的黏度，並判斷導電組成物(5)所形成膜層是否可進行自組裝或是否通過晶片轉移測試，結果顯示於表7。
實施例3 實施例3如實施例2所述的方式進行，但將EPALLOY®5200與Epikote 1003的比例由4:6增加至5:5，且將甲乙酮的重量份由19.23降低至15.38，得到導電組成物(6)。藉由公式(I)計算出導電組成物(6)的T值，結果顯示於表7。接著，量測導電組成物(6)形成膜層的剝離強度以及在140℃下的黏度，並判斷導電組成物(6)形成膜層是否可進行自組裝或是否通過晶片轉移測試，結果顯示於表7。
實施例4 實施例4如實施例2所述的方式進行，但將EPALLOY®5200與Epikote 1003的比例由4:6增加至6:4，且將甲乙酮的重量份由19.23降低至9.61，得到導電組成物(7)。藉由公式(I)計算出導電組成物(7)的T值，結果顯示於表7。接著，量測導電組成物(7)形成膜層的剝離強度以及在140℃下的黏度，並判斷導電組成物(7)形成膜層是否可進行自組裝或是否通過晶片轉移測試，結果顯示於表7。
比較例4 比較例4如實施例2所述的方式進行，但將EPALLOY®5200與Epikote 1003的比例由4:6增加至7:3，且將甲乙酮的重量份由19.23降低至5.77，得到導電組成物(8)。藉由公式(I)計算出導電組成物(8)的T值，結果顯示於表7。接著，量測導電組成物(8)形成膜層的剝離強度以及在140℃下的黏度，並判斷導電組成物(8)形成膜層是否可進行自組裝或是否通過晶片轉移測試，結果顯示於表7。
比較例5 比較例5如實施例2所述的方式進行，但將EPALLOY®5200與Epikote 1003的比例由4:6增加至8:2，並且將甲乙酮的重量份由19.23降低至2.89，得到導電組成物(9)。藉由公式(I)計算出導電組成物(9)的T值，結果顯示於表7。接著，量測導電組成物(9)形成膜層的剝離強度以及在140℃下的黏度，並判斷導電組成物(9)形成膜層是否可進行自組裝或是否通過晶片轉移測試，結果顯示於表7。
表7
　 實施例2 實施例3 實施例4 比較例4 比較例5
EPALLOY®5200(重量份) 40 50 60 70 80
Epikote 1003 (重量份) 60 50 40 30 20
戊二酸(重量份) 15.38 15.38 15.38 15.38 15.38
錫鉍粉體(重量份) 77 77 77 77 77
硬化劑(重量份) 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
甲乙酮(重量份) 19.23 15.38 9.61 5.77 2.89
T值 17.55 17.37 17.14 16.86 16.45
剝離強度 (gf/25mm) 111.74 168.7 2378.6 44.01 18.8
黏度(Pa.S) 0.092 0.079 0.067 0.015 0.019
自組裝測試 通過 通過 通過 通過 通過
晶片轉移測試 通過 通過 通過 失敗 失敗
由表7可得知，當單體的添加量增加且T值維持於16.9至18.9的範圍內時，導電組成物所形成膜層的剝離強度會隨著單體的添加量增加而增加。不過，當單體的添加量增加使得T值下降時(小於16.9)，會導致導電組成物所形成膜層的黏度及剝離強度大幅降低。此外，實施例2-4所述導電組成物所形成的膜層於140℃下的黏度皆小於0.1 Pa.S，因此不會阻礙導電粉體於膜層內的移動，可通過自組裝測試。
實施例5 將80重量份的六氫鄰苯二甲酸二縮水甘油酯(hexahydrophthalic acid diglycidyl ester)(商品編號為 EPALLOY®5200 、購自CVC熱固性特種材料公司(CVC Specialties thermoset)、20重量份的雙酚A環氧樹脂(商品編號為Epikote 1007、購自三菱化學、環氧當量為約1750)、15.38重量份的戊二酸(glutaric acid)、77重量份的錫鉍粉體(商品編號為Sn42/Bi58、購自Hanon Technology Industry Limited 、平均粒徑為約10-20µm)、0.5重量份的硬化劑(商品編號為SI-B4、購自Shan-shin chemical industry co.LTD)、以及9.62重量份的甲乙酮(methyl ethyl ketone)均勻混合，得到導電組成物(10)，其中EPALLOY®5200與Epikote 1007的比例為8:2。藉由公式(I)計算出導電組成物(10)的T值，結果顯示於表8。接著，量測導電組成物(10)所形成膜層的剝離強度以及在140℃下的黏度，並判斷導電組成物(10)所形成膜層是否可進行自組裝或是否通過晶片轉移測試，結果顯示於表8。
比較例6 比較例6如實施例5所述的方式進行，但將EPALLOY®5200與Epikote 1007的比例由8:2降低至6:4，且將甲乙酮的重量份由9.62增加至12.5，得到導電組成物(11)。藉由公式(I)計算出導電組成物(11)的T值，結果顯示於表8。接著，量測導電組成物(11)形成膜層的剝離強度以及在140℃下的黏度，並判斷導電組成物(11)形成膜層是否可進行自組裝或是否通過晶片轉移測試，結果顯示於表8。
比較例7 比較例7如比較例6所述的方式進行，但將Epikote 1007以Epikote 1009(雙酚A環氧樹脂、購自三菱化學、環氧當量為約2700)取代，得到導電組成物(12)。藉由公式(I)計算出導電組成物(12)的T值，結果顯示於表8。接著，量測導電組成物(12)形成膜層的剝離強度以及在140℃下的黏度，並判斷導電組成物(12)形成膜層是否可進行自組裝或是否通過晶片轉移測試，結果顯示於表8。
比較例8 比較例8如比較例7所述的方式進行，但將EPALLOY®5200與Epikote 1009的比例由6:4增加至8:2，且將甲乙酮的重量份由12.5降低至6.34，得到導電組成物(13)。藉由公式(I)計算出導電組成物(13)的T值，結果顯示於表8。接著，量測導電組成物(13)形成膜層的剝離強度以及在140℃下的黏度，並判斷導電組成物(13)形成膜層是否可進行自組裝或是否通過晶片轉移測試，結果顯示於表8。
表8
　 實施例5 比較例6 比較例7 比較例8
EPALLOY®5200 (重量份) 80 60 60 70
環氧樹脂 (重量份) Epikote 1007 Epikote 1007 Epikote 1009 Epikote 1009
20 40 40 30
戊二酸(重量份) 15.38 15.38 15.38 15.38
錫鉍粉體(重量份) 77 77 77 77
硬化劑(重量份) 0.5 0.5 0.5 0.5
甲乙酮(重量份) 9.62 12.5 12.5 6.34
T值 18.28 18.97 19.6 18.91
剝離強度 (gf/25mm) 92 279 189.5 35.06
黏度(Pa.S) 0.057 0.29 1 0.3
自組裝測試 通過 失敗 失敗 失敗
晶片轉移測試 通過 通過 通過 失敗
由表8可得知，由於導電組成物(13)所形成的膜層在140℃下的黏度小於0.1Pa.S，因此該膜層內的熔融態的導電粉體可在膜層內移動並聚集形成導電層，通過自組裝測試。在比較例6-8中，當環氧樹脂的比例增加時(使T值大於18.9)，導致導電組成物(14)所形成的膜層於140℃下的黏度達到0.29 Pa.S以上，如此高的黏度使得膜層內的熔融態的導電粉體無法在膜層內移動，因此無法自組裝。
當單體的添加量增加且T值維持於16.9至18.9的範圍內時，導電組成物所形成膜層的剝離強度會隨著單體的添加量增加而增加。不過，當單體的添加量增加使得T值下降時(小於16.9)，會導致導電組成物所形成膜層的黏度及剝離強度大幅降低。此外，實施例2-4所述導電組成物所形成的膜層於140℃下的黏度皆小於0.1 Pa.S，因此不會阻礙導電粉體於膜層內的移動，可通過自組裝測試。
基於上述，本揭露提供一種導電組成物以及利用該導電組成物製造微型發光二極體顯示裝置的方法。本揭露所述導電組成物在形成膜層後(即移除溶劑後)，可在室溫下具有黏性，因此可作為異方性導電膠配置於一顯示基板之上，並在室溫下可暫時固定由一載板轉移過來的微型發光二極體晶粒。此外，由本揭露所述導電組成物所形成的膜層，在進行一第一熱處理使膜層內的導電粉體形成一導電層時，該膜層的有機部份具有一黏度小於或等於0.1 Pa.s。如此一來，可使得導電粉體在第一熱處理時可在該膜層內移動，並在導電粉體熔融後藉由表面張力差自聚在微型發光二極體晶粒的電極及接觸墊之間，達到自對位(自組裝)的效果。此外，經由第一熱處理可使微型發光二極體晶粒與顯示基板上的接觸墊電性連結但不會固化該膜層，如此一來，可對顯示基板上的該微型發光二極體進行檢測，且可對檢測後所辨別出的不良微型發光二極體重複該第一熱處理，以方便移除該不良微型發光二極體並置換成其他微型發光二極體。
雖然本揭露已以數個實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何本技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10:微型發光二極體顯示裝置的製造方法 11-21:步驟 30:顯示基板 31:上表面 32:接觸墊 40:膜層 42:導電粉體 44:有機部份 46:導電層 50:載板 52:微型發光二極體 54:電極
第1圖為本揭露一實施例所述微型發光二極體顯示裝置的製程步驟流程圖。 第2圖為本揭露一實施例所述具有複數個接觸墊的顯示基板之示意圖。 第3圖為本揭露一實施例所述具有導電組成物所形成膜層的顯示基板之示意圖。 第4圖為本揭露一實施例所述具有複數個微型發光二極體的載板之示意圖。 第5圖為本揭露一實施例所述將複數個微型發光二極體轉移至顯示基板的示意圖。 第6圖為本揭露一實施例所述對膜層進行一第一熱處理之示意圖。 第7圖繪示環氧樹脂(Epikote 1001)其黏度之對數與溫度之對數的關係圖。 第8圖繪示環氧樹脂(Epikote 1003)其黏度之對數與溫度之對數的關係圖。 第9圖繪示環氧樹脂(Epikote 1007)其黏度之對數與溫度之對數的關係圖。 第10圖繪示環氧樹脂(Epikote 1009)其黏度之對數與溫度之對數的關係圖。 第11圖繪示環氧樹脂(EPICLON HP-4700)其黏度之對數與溫度之對數的關係圖。
30:顯示基板
31:上表面
32:接觸墊
40:膜層
44:有機部份
46:導電層
52:微型發光二極體
54:電極

Claims (22)

  1. 一種導電組成物，包含： 一單體，其中該單體之重量(W1)為5至90重量份，其中該單體具有n個反應官能基、且n為1、2、3或4，其中該單體之分子量(Mw1)小於或等於350； 一環氧樹脂，其中該環氧樹脂之重量(W2)為10至95重量份，其中該環氧樹脂之環氧當量重(EEW)為160克/當量至3500克/當量，其中該單體與該環氧樹脂的總重(W1+W2)為100重量份，其中該單體之重量(W1)、該單體之可反應基團數(n)、該單體之分子量(Mw1)、該環氧樹脂之重量(W2)、以及該環氧樹脂之環氧當量重(EEW)符合以下公式： 16.90≦Ln[(EEW2 )x(Mw1/n)x(W2/(W1+W2)]≦18.90；以及 50至150重量份的導電粉體。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之導電組成物，其中該單體之反應官能基係環氧乙烷基、環氧環己烷基、氧雜環丁烷基、乙烯氧基、烯丙氧基、丙烯酸酯基、或甲基丙烯酸酯基。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之導電組成物，其中該單體係三羥甲基乙烷氧雜環丁烷、三羥甲基丙烷氧雜環丁烷、三羥甲基丁烷氧雜環丁烷、三羥甲基戊烷氧雜環丁烷、三羥甲基己烷氧雜環丁烷、三羥甲基庚烷氧雜環丁烷、三羥甲基辛烷氧雜環丁烷、或三羥甲基壬烷氧雜環丁烷、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、丁二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、己二醇二縮水甘油醚、環己烷二甲醇二縮水甘油醚,雙酚A二縮水甘油醚,雙酚F二縮水甘油醚、 對苯二甲酸二縮水甘油酯、四氫鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、六氫鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-對-胺基苯酚、三縮水甘油基三異氫酸酯、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚、或甘油三縮水甘油醚。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之導電組成物，其中該環氧樹脂之重量平均分子量(Mw2)為500至7,000。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之導電組成物，其中該環氧樹脂其黏度之對數對於溫度之對數作圖並經線性回歸所決定的斜率係介於-8至-20之間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之導電組成物，其中該環氧樹脂係雙酚A環氧樹脂、雙酚F環氧樹脂、雙酚S環氧樹脂、酚醛環氧樹脂、萘基環氧樹脂、蒽基環氧樹脂、雙酚A二縮水甘油醚環氧樹脂、乙二醇二缩水甘油醚環氧樹脂、丙二醇二缩水甘油醚環氧樹脂、或1,4-丁二醇二缩水甘油醚環氧樹脂。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之導電組成物，其中該導電粉體係錫-鉍合金、錫-銦合金、錫-鉍-銦合金、錫-鉍-銻合金、錫-銀-鉍合金、錫-銅-鉍合金、錫-銀-銅-鉍合金、錫-銀-銦合金、錫-銅-銦合金、錫-銅-銀-銦合金、或錫-金-銅-鉍-銦合金。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之導電組成物，其中該導電粉體具有一平均粒徑係1μm至100μm。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之導電組成物，更包含1至40重量份的去氧化劑。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之導電組成物，更包含0.01至10重量份的硬化劑。
  11. 一種導電組成物，包含： 5至90重量份的單體，其中該單體之重量(W1)為； 10至95重量份的環氧樹脂，其中該單體與該環氧樹脂的總重為100重量份；以及 50至150重量份的導電粉體， 其中該環氧樹脂在T℃下的黏度(單位為Pas)之對數為V1、在T+10℃下的黏度(單位為Pas)之對數為V2、在T+20℃下的黏度(單位為Pas)之對數為V3、以及在T+30℃下的黏度(單位為Pas)之對數為V4，其中V1為2.84至3.70、V1>V2>V3>V4及V1-V4係大於或等於1.83，以及V1、V2、V3、及V4符合以下(1)-(2)條件之任一者： (1) 2.84≦V1>3、0>V4>1、以及1≦V2>2、或1≦V3>2；以及 (2)3≦V1>3.70、0.5≦V4>2、以及2≦V2>3、或1≦V3>3。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之導電組成物，其中該單體具有n個反應官能基、且n為1、2、3或4，且該單體之分子量小於或等於350。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之導電組成物，其中該單體之反應官能基係環氧乙烷基、環氧環己烷基、氧雜環丁烷基、乙烯氧基、烯丙氧基、丙烯酸酯基、或甲基丙烯酸酯基。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之導電組成物，其中該單體係三羥甲基乙烷氧雜環丁烷、三羥甲基丙烷氧雜環丁烷、三羥甲基丁烷氧雜環丁烷、三羥甲基戊烷氧雜環丁烷、三羥甲基己烷氧雜環丁烷、三羥甲基庚烷氧雜環丁烷、三羥甲基辛烷氧雜環丁烷、或三羥甲基壬烷氧雜環丁烷、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、丁二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、己二醇二縮水甘油醚、環己烷二甲醇二縮水甘油醚,雙酚A二縮水甘油醚,雙酚F二縮水甘油醚、 對苯二甲酸二縮水甘油酯、四氫鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、六氫鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-對-胺基苯酚、三縮水甘油基三異氫酸酯、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚、或甘油三縮水甘油醚。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之導電組成物，其中該環氧樹脂之環氧當量重(EEW)為160克/當量至3500克/當量。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之導電組成物，其中該環氧樹脂其黏度之對數對於溫度之對數作圖並經線性回歸所決定的斜率係介於-8至-20之間。
  17. 如申請專利範圍第11項所述之導電組成物，其中該環氧樹脂係雙酚A環氧樹脂、雙酚F環氧樹脂、雙酚S環氧樹脂、酚醛環氧樹脂、萘基環氧樹脂、蒽基環氧樹脂、雙酚A二縮水甘油醚環氧樹脂、乙二醇二缩水甘油醚環氧樹脂、丙二醇二缩水甘油醚環氧樹脂、或1,4-丁二醇二缩水甘油醚環氧樹脂。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之導電組成物，其中該導電粉體係錫-鉍合金、錫-銦合金、錫-鉍-銦合金、錫-鉍-銻合金、錫-銀-鉍合金、錫-銅-鉍合金、錫-銀-銅-鉍合金、錫-銀-銦合金、錫-銅-銦合金、錫-銅-銀-銦合金、或錫-金-銅-鉍-銦合金。
  19. 如申請專利範圍第11項所述之導電組成物，其中該導電粉體具有一平均粒徑係1μm至100μm。
  20. 如申請專利範圍第11項所述之導電組成物，更包含1至40重量份的去氧化劑。
  21. 如申請專利範圍第11項所述之導電組成物，更包含0.01至10重量份的硬化劑。
  22. 一種微型發光二極體顯示裝置的製造方法，包含： 提供一顯示基板，其中該顯示基板具有複數個接觸墊配置於該顯示基板之上表面； 形成由申請專利範圍第1或11項所述之導電組成物所構成的膜層於該顯示基板之上表面，其中該膜層覆蓋該接觸墊； 提供一載板，其中複數個微型發光二極體配置於該載板上，其中每一微型發光二極體具有一電極； 轉移該等微型發光二極體至該顯示基板，並藉由該膜層將每一微型發光二極體固定於對應的接觸墊之上； 對該膜層進行一第一熱處理，使得該膜層內之導電粉體形成一導電層，且該微型發光二極體之電極與該接觸墊藉由該導電層達到電性連結；以及 對該膜層進行一第二熱處理。
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