TW202111790A - 切割刀片、切割刀片之製造方法以及晶圓之切割方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]期望一種切割刀片，可在切割Low-k膜等時抑制容易剝離的絕緣膜之剝離並切割此絕緣膜。本發明提供一種切割刀片，抑制在切割時容易剝離的絕緣膜之剝離，並可切割此絕緣膜。[解決手段]本發明提供一種切割刀片，具有結合材料與磨粒，藉由至少一部分為玻璃碳的結合材料固定磨粒。切割刀片的磨粒之平均粒子徑，較佳為12µm以下。

Description

切割刀片、切割刀片之製造方法以及晶圓之切割方法
本發明是關於一種藉由結合材料固定磨粒之切割刀片，該切割刀片之製造方法，以及將設置於晶圓的一面側之絕緣膜藉由該切割刀片切割的晶圓之切割方法。
已知一種方法，將在設定於正面側之多條分割預定線所劃分的各區域形成IC（Integrated Circuit，積體電路）、LSI（Large Scale Integration，大型積體電路）等元件的晶圓，沿著各分割預定線分割。
於晶圓之正面側，形成絕緣膜與金屬層交互地層積的多層配線層。為了提升IC、LSI等電路之處理能力，而有將絕緣膜以低介電係數絶緣體材料（即Low-k材料）形成的情況。作為Low-k材料，會使用SiO2 、SiOF、SiOB等無機物系材料，或聚醯亞胺系、聚對二甲苯系等有機物系材料。
以Low-k材料構成之絕緣膜（即Low-k膜）層積於多層配線層中的情況，若沿著分割預定線藉由切割刀片切割多層配線層，則有在Low-k膜產生裂痕或破裂，而Low-k膜從晶圓剝離等問題。
因此，一般而言，會藉由沿著分割預定線對晶圓之正面側照射雷射光束，而形成將多層配線層部分地去除的雷射加工槽（例如參閱專利文獻1及2）。然後，在形成雷射加工槽後，利用切割刀片或雷射光束切割雷射加工槽之底部，藉以切斷晶圓，製造多片元件晶片。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2004-188475號公報 [專利文獻2]日本特開2005-64230號公報
[發明所欲解決的課題] 然則，雷射加工裝置價格昂貴，故若能夠不使用雷射光束而沿著分割預定線將多層配線層去除，則可降低晶圓分割所需的成本。因此，期望一種切割刀片，可抑制在切割時容易剝離的Low-k膜等絕緣膜之剝離，並切割此絕緣膜。
本發明是鑒於上述課題而完成者，目的在於提供一種切割刀片，抑制在切割時容易剝離的絕緣膜之剝離，並可切割此絕緣膜。
[解決課題的技術手段] 依本發明之一態樣，則提供一種切割刀片，具有結合材料與磨粒，其藉由至少一部分為玻璃碳的該結合材料固定該磨粒。
較佳為，該切割刀片的該磨粒之平均粒子徑為12µm以下。
依本發明之另一態樣，則提供一種切割刀片之製造方法，藉由結合材料固定磨粒，其特徵在於具備如下步驟：成形步驟，由具有熱硬化性樹脂與該磨粒之混合物形成預定形狀之成形體；燒結步驟，將該成形體以100℃以上300℃以下之溫度燒結，形成燒結體；以及熱處理步驟，將該燒結體在惰性氣體環境下或真空氣體環境下以500℃以上1500℃以下之溫度予以熱處理；在該熱處理步驟中，該熱硬化性樹脂之至少一部分成為玻璃碳的該結合材料。
依本發明之再另一態樣，則提供一種晶圓之切割方法，切割設置於晶圓之正面側的絕緣膜，該晶圓在藉由設定為格子狀之分割預定線劃分的多個區域各自形成有元件，該方法具備如下步驟：保持步驟，藉由以卡盤台吸引保持該晶圓之與該正面位於相反側的背面側，而在使該正面側露出之狀態下保持該晶圓；以及切割步驟，使用藉由至少一部分為玻璃碳的結合材料固定磨粒之切割刀片，將位於該正面側的該絕緣膜沿著該分割預定線切割。
較佳為，在該切割步驟中，使用磨粒之平均粒子徑為12µm以下的該切割刀片，切割該絕緣膜。
[發明功效] 在本發明的一態樣之切割刀片中，藉由至少一部分為玻璃碳的結合材料來固定磨粒。於結合材料包含玻璃碳之切割刀片的硬度，相較於一般的樹脂結合刀片硬度更高，故相較於一般的樹脂結合刀片可使刃厚減薄。因此，相較於一般的樹脂結合刀片可實現狹窄的切口寬度。
進一步，於結合材料包含玻璃碳之切割刀片儘管較硬，仍具有所謂脆性的性質，故相較於電鑄結合刀片或金屬結合刀片，容易產生自銳性。因此，相較於以電鑄結合刀片或金屬結合刀片切割的情況，不易對容易剝離的絕緣膜給予衝擊，故變得不易在該絕緣膜產生破裂或裂痕。因此，可抑制在切割時容易剝離的絕緣膜之剝離。
參閱添附圖式，針對本發明的一態樣之實施方式予以說明。圖1是切割刀片2的立體圖。切割刀片2是以磨粒2a與結合材料2b（結合劑）構成全體之墊圈型（亦稱作無輪轂型）刀片。
磨粒2a雖由金剛石形成，但形成磨粒2a之材料並未限定於金剛石。磨粒2a亦可由cBN（cubic boron nitride，立方氮化硼）、白剛鋁石（WA）、綠碳（GC）等形成。
磨粒2a之粒子徑非常小，平均粒子徑為12µm以下。平均粒子徑，例如在以預定粒子徑（即長度）表示1個粒子之大小的情況，是依據利用此粒子徑而表示之粒子群的次數分布而界定。粒子徑的表示方法有幾何學粒徑、等效粒徑等已知手法。
幾何學粒徑，具有費雷特（Feret）徑、定方向最大徑（即Krummbein徑）、Martin徑、篩徑等；等效粒徑，具有投影面積圓等效直徑（即Heywood徑）、等表面積球等效直徑、等體積球等效直徑、斯托克斯（Stokes）徑、光散射直徑等。並且，在對於粒子群製作出使橫軸為粒子徑（µm）、使縱軸為頻率之次數分布的情況，例如，重量基準分布或體積基準分布之平均直徑成為平均粒子徑。
另，磨粒2a之粒子徑亦可不使用平均粒子徑，而使用在JIS（Japanese Industrial Standards，日本工業標準）規格的JIS R6001-2規定之粒度（＃）而界定。例如，使用藉由以沉降測試方法或電阻測試方法測量出之精密研磨用細粉的粒度分布所界定之粒度（＃）。
具體而言，作為磨粒2a，使用粒度為＃1000以上（即＃1000、＃1200、＃1500、＃2000、＃2500、＃3000等）之細粉。另，＃右方所示的數字越大，累積頻率成為50％時之粒子徑（即中位徑）D50 變得越小。
＃1000的情況，以沉降測試方法測量出之粒子徑D50 成為14.5µm至16.4µm的範圍，以電阻測試方法測量出之粒子徑D50 成為10.5µm至12.5µm的範圍。此外，＃1200以上之粒子徑D50 ，在沉降測試方法成為14.0µm以下，在電阻測試方法成為10.3µm以下。
多個磨粒2a，藉由結合材料2b而彼此固定。作為結合材料2b之原料，使用酚醛樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、三聚氰胺樹脂等熱硬化性樹脂。將熱硬化性樹脂與磨粒2a混合後，予以燒結，進一步藉由熱處理形成結合材料2b。熱處理後的結合材料2b之一部分或全部，由玻璃碳（glass-like carbon）形成。
切割刀片2是於其一面之大致中央具有貫通孔4的圓環狀刀片。例如，貫通孔4的直徑為35mm至45mm，切割刀片2的外徑為50mm至90mm。
此外，切割刀片2的內周部之厚度（亦即，從圓環的一面至位於一面之相反側的另一面為止之長度），例如為0.1mm至0.3mm。然則，切割刀片2的外周部之厚度成為較內周部更薄。
例如，切割刀片2的外周部成為20µm至30µm之厚度。為了使切割刀片2的外周部相較於內周部更薄，例如使用修整板。修整板包含直線狀的槽，該槽具有20µm至30µm的寬度、及相較於寬度非常長的長度。
利用修整板修正切割刀片2的外周部之形狀的情況，例如，在將槽的寬度之中心對準切割刀片2的厚度方向之中心的狀態下，一邊使切割刀片2往圓周方向旋轉，一邊使切割刀片2切入至修整板的槽。
藉此，使切割刀片2的外周部中之一面側及另一面側大致均等地薄化。以通過切割刀片2的圓環之中心的方式切斷切割刀片2之情況的剖面形狀中，切割刀片2的外周部成為凸形。
凸形的頂部之寬度（即外周部之厚度），成為根據槽之寬度的長度（本例中為20µm至30µm）。20µm至30µm的外周部之刃厚，相較於將樹脂等燒結作為結合材料而藉以形成之一般的樹脂結合刀片，具有例如1／10以上且1／5以下之厚度。
在本實施方式之切割刀片2中，於結合材料2b之至少一部分使用玻璃碳，故切割刀片2的硬度相較於一般的樹脂結合刀片硬度更高。因此，相較於一般的樹脂結合刀片可使刃厚變薄，故相較於一般的樹脂結合刀片可實現狹窄的切口寬度。
除此之外，若於結合材料2b之至少一部分使用玻璃碳，則相較於電鑄結合或金屬結合刀片，結合材料2b變脆。因此，在切割刀片2變得容易產生自銳性。
因而，相較於以電鑄結合或金屬結合刀片切割的情況，切割刀片2對於在切割時容易剝離的Low-k膜等絕緣膜變得不易給予衝撃。因此，變得不易在該絕緣膜產生破裂或裂痕，故可抑制該絕緣膜之剝離。
另，即便使結合材料2b之至少一部分為玻璃碳，在磨粒2a較切割刀片2之刃厚更大的情況，相較於結合材料2b對於被加工物的影響，磨粒2a對於被加工物的影響仍占主導地位。
因此，較佳為使磨粒2a之平均粒子徑，較切割刀片2的外周部之刃厚更小。例如，在使切割刀片2的外周部為20µm至30µm之刃厚的情況，使磨粒2a之平均粒子徑為12µm以下。藉此，可降低磨粒2a對於被加工物的影響，故相較於磨粒2a之平均粒子徑為切割刀片2之刃厚以上的情況，可抑制在切割時容易剝離的絕緣膜之剝離。
接著，針對切割刀片2之製造方法予以說明。圖2為，表示切割刀片2之製造方法的流程圖。首先，將上述磨粒2a與結合材料2b之原料即熱硬化性樹脂2c（例如酚醛樹脂）混合，形成混合物3（混合步驟（S10））。圖3是表示混合步驟（S10）的示意圖。
在混合步驟（S10）中，將多個磨粒2a與熱硬化性樹脂2c混合，形成混合物3。另，熱硬化性樹脂2c為結合材料2b之原料。在混合步驟（S10）中，例如使用圖3所示之攪拌機6。
攪拌機6例如具有大致圓筒狀的筐體8。於筐體8設置開口8a。此外，於筐體8之高度方向中，在開口8a的相反側，存在筐體8之底面8b。
於底面8b連接軸部10之一端。此外，於軸部10之另一端，與使軸部10自轉的旋轉驅動源（未圖示）連結。若使旋轉驅動源運作，則筐體8以軸部10為旋轉軸10a而旋轉。
旋轉軸10a如圖3所示地從鉛直方向（即重力方向）傾斜預定角度。藉由傾斜旋轉軸10a，而在使筐體8旋轉時有效率地施行攪拌，故將多個磨粒2a與熱硬化性樹脂2c略均勻地混合。
另，亦可於開口8a設置蓋體（未圖示）。此外，亦可於筐體8之內部，設置攪拌棒（未圖示）。進一步，亦可於攪拌棒之前端，安裝與材料接觸的攪拌葉片。
在混合步驟（S10）中，將分別秤量為預定量的多個磨粒2a與熱硬化性樹脂2c，從開口8a供給至筐體8內。
而後，使旋轉驅動源作動而使筐體8旋轉，則各材料略均勻地混合，形成混合物3。混合步驟（S10）後，利用模具12（參閱圖4（A）及圖4（B）），由混合物3形成預定形狀之成形體（成形步驟（S20））。
圖4（A），是在成形步驟（S20）使用之模具12的分解立體圖；圖4（B），是被供給混合物3之模具12的立體圖。模具12具有圓盤狀之底板14。底板14的上表面及下表面具有較製造之切割刀片2的直徑更大之直徑。
於底板14上設置外筒16。外筒16是以預定厚度之側壁形成的筒體，具有貫通孔16a。外筒16的外徑對應於底板14的外徑，外筒16的內徑對應於製造之切割刀片2的外徑。此外，外筒16的高度較切割刀片2的厚度更大。
於底板14的上方且為外筒16的內側，設置圓環狀之下衝頭18。下衝頭18的外徑與外筒16的內徑大致相等；下衝頭18之厚度較外筒16之厚度更小。下衝頭18具有貫通孔18a。
於下衝頭18之貫通孔18a設置圓柱狀之中衝頭20。貫通孔18a的直徑與中衝頭20的直徑大致相等。此外，中衝頭20具有與外筒16的厚度相同程度的厚度。
於下衝頭18的上方，設置圓環狀之上衝頭22。上衝頭22具有貫通孔22a，中衝頭20插入至此貫通孔22a。上衝頭22的外徑與外筒16的內徑大致相等。
在施行成形步驟（S20）前，於底板14的上方載置外筒16，於外筒16之貫通孔16a配置下衝頭18。而後，將中衝頭20插入至下衝頭18之貫通孔18a。此時，下衝頭18與中衝頭20被支撐在底板14。
如此地，形成由外筒16的內側面、下衝頭18的上表面18b及中衝頭20的外周側面構成之環狀空間。其後，若於中衝頭20插入上衝頭22之貫通孔22a，則可藉由上衝頭22的下表面22b推壓此環狀空間。
接著，參閱圖5（A）至圖5（D），針對使用模具12之成形步驟（S20）予以說明。在成形步驟（S20）中，首先，將混合物3供給至由外筒16、下衝頭18及中衝頭20形成之環狀空間。圖5（A）是表示往模具12供給之混合物3的剖面圖。
接著，使用整平治具24，將供給至環狀空間之混合物3整理為大致平坦，並將混合物3推入至環狀空間之底部。圖5（B）是表示將往模具12供給之混合物3整平的情況之剖面圖。
接著，於中衝頭20插入上衝頭22之貫通孔22a，以上衝頭22的下表面22b推壓混合物3而成形。圖5（C）是表示於中衝頭20插入上衝頭22之貫通孔22a的情況之剖面圖，圖5（D）是表示混合物3成形而形成成形體5的情況之剖面圖。
例如，藉由將上衝頭22往下衝頭18推壓，而以200kgf／cm2 以上且1000kgf／cm2 以下的壓力推壓混合物3，同時將模具12加熱以使混合物3成為100℃以上且200℃以下。亦即，在成形步驟（S20）中，藉由熱壓縮成形而將混合物3成形，形成圓環狀之成形體5。
接著，將成形體5以燒結爐（未圖示）燒結（燒結步驟（S30））。燒結爐例如為電爐。藉由以100℃以上且300℃以下之溫度（例如180℃）將成形體5燒結30小時至40小時（例如36小時），而形成以燒結過的熱硬化性樹脂2c固定磨粒2a之燒結體。
燒結步驟（S30）後，將燒結體從燒結爐取出，往熱處理爐（未圖示）搬送。而後，以熱處理爐將燒結體熱處理（熱處理步驟（S40））。熱處理爐例如為電爐。
於熱處理爐設置氣體導入口（未圖示）及吸引口（未圖示）等，可使施行熱處理時之氣體環境成為氮氣、氬氣等之惰性氣體環境，或真空氣體環境（例如100Pa以下）。
在熱處理步驟（S40）中，首先，於熱處理爐內配置燒結體。接著，使熱處理爐內為密閉空間，往爐內供給氮氣，使爐內為氮氣環境（惰性氣體環境）。
接著，將熱處理爐加熱，於氮氣環境下以500℃以上且1500℃以下之溫度（例如800℃），將燒結體熱處理30分鐘至2小時（例如1小時）。另，亦可取代氮氣環境，於真空氣體環境下以500℃以上且1500℃以下之溫度，將燒結體熱處理30分鐘至2小時。
在熱處理步驟（S40）中，使熱硬化性樹脂2c之一部分或全部變質，成為玻璃碳。藉此，製造上述切割刀片2。另，熱處理步驟（S40）後，藉由對於切割刀片2施行整形、修整等，而將切割刀片2調整為期望的形狀。
不過，在上述之製造方法中，雖使燒結爐與熱處理爐為不同爐具而說明，但亦可使燒結爐與熱處理爐為同一爐具。例如，亦可利用可使爐內成為大氣氣體環境及惰性氣體環境之任一者的電爐，使爐內為大氣氣體環境而施行燒結步驟（S30）後，使爐內為惰性氣體環境而施行熱處理步驟（S40）。
接著，說明利用切割刀片2切割晶圓11之方法。首先，參閱圖6（A）及圖6（B），說明晶圓11的構成。晶圓11例如具有主要以矽形成的圓盤狀之基板23。然則，基板23的材料並無限制。基板23亦可由砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）等形成。
於基板23之一面側（即晶圓11之正面11a側），設置多層配線層25。多層配線層25是將以低介電係數絶緣體材料（所謂Low-k材料）形成的絕緣膜（未圖示）以及金屬層（未圖示）交互層積之層積體。亦即，在多層配線層25層積有以Low-k材料形成的絕緣膜（即Low-k膜）等。
於晶圓11之正面11a側，格子狀地被設定有多條分割預定線13。於藉由多條分割預定線13劃分的多個區域各自形成元件15。
各元件15以功能區域及配線區域所形成，該功能區域從基板23之一面形成至基板23內部的預定深度，該配線區域位於多層配線層25中之功能區域上。此配線區域成為較多層配線層25中之設定分割預定線13的區域更往上方突出之凸部。
於切割晶圓11前，在晶圓11之與正面11a位於相反側的背面11b（即基板23的另一面）側，貼附具有較晶圓11更大之直徑的圓形之切割膠膜17。進一步，於切割膠膜17的外周部，貼附金屬製之環狀的框架19之一面側。
如此地，形成透過切割膠膜17將晶圓11支撐於框架19的晶圓單元21。圖6（A）是晶圓單元21的立體圖，圖6（B）是晶圓11等的剖面圖。
晶圓11例如利用切割裝置30而切割。因而，參閱圖7（A），針對切割裝置30予以說明。切割裝置30具有吸引而保持晶圓11的背面11b側之卡盤台32。
卡盤台32具有大致圓盤狀之多孔質板（未圖示）。於多孔質板的背面（下表面）側連接有流路（未圖示），此流路連接至噴射器等之吸引源。若使吸引源運作，則在多孔質板的正面（上表面）側產生負壓。
於卡盤台32的下方，連結使卡盤台32旋轉之θ工作台（未圖示）。於θ工作台的下方設置X軸方向移動單元（未圖示）。X軸方向移動單元使θ工作台、卡盤台32等沿著X軸方向移動。
於卡盤台32的上方設置切割單元34。切割單元34具有主軸外殼36，於主軸外殼36內以可旋轉的態樣容納圓柱狀之主軸（未圖示）。此外，於主軸的前端部，形成螺栓等固定構件所鎖緊之螺孔（未圖示）。
於主軸的前端部，配置大致圓盤狀之後凸緣（未圖示）。於後凸緣的中心，形成與主軸的螺孔大致相同之預定的孔（未圖示）。若在後凸緣的孔與主軸的螺孔重合之狀態下將螺栓鎖緊至螺孔，則後凸緣的孔周圍之環狀部會夾持於螺栓的頭部與主軸的前端部而固定。
於後凸緣，在與主軸接觸之側的相反側，形成圓筒狀之輪轂部（未圖示）。輪轂部的外徑較上述之切割刀片2的貫通孔4更小，於輪轂部的前端部之外周部形成公螺紋。藉由以上述後凸緣與圓環狀之前凸緣38夾持，而固定切割刀片2的位置。
具體而言，首先，於輪轂部插入切割刀片2的貫通孔4，接著，將前凸緣38的貫通孔（未圖示）插入輪轂部。而後，將內周側形成有螺紋的圓環狀之推壓螺帽40，與輪轂部之公螺紋鎖緊。藉此，將切割刀片2藉由後凸緣及前凸緣38夾持。
於主軸外殼36之側部，設置用於拍攝配置在下方側之晶圓11等被拍攝物的照相機單元42。照相機單元42使用在分割預定線13之檢測（對準）、切口寬度之確認等。
接著，針對利用切割裝置30的晶圓11之切割方法予以說明。圖8是表示切割方法的流程圖。首先，將晶圓單元21載置於卡盤台32，使吸引源運作。
晶圓11在使多層配線層25露出之狀態下，被以卡盤台32吸引保持晶圓11的背面11b側（保持步驟（S100））。保持步驟（S100）後，利用照相機單元42，檢測晶圓11之分割預定線13。
而後，旋轉卡盤台32以使1條分割預定線13與X軸方向成為大致平行，將切割刀片2定位至1條分割預定線13。與此同時，將以主軸作為旋轉軸而旋轉之切割刀片2的下端，定位至基板23與多層配線層25之邊界（即基板23之一面）的高度。
而後，利用X軸方向移動單元，使切割刀片2與卡盤台32沿著X軸方向而相對移動。藉此，將多層配線層25沿著1條分割預定線13切割，將多層配線層25的絕緣膜藉由切割刀片2切割（切割步驟（S110））。
圖7（A）是切割步驟（S110）中之晶圓單元21等的立體圖，圖7（B）是切割步驟（S110）中之晶圓11的剖面圖。如同上述，切割刀片2是於結合材料2b之至少一部分使用玻璃碳。
此一情況，相較於電鑄結合或金屬結合刀片，結合材料2b變脆，故在切割刀片2變得容易產生自銳性。因而，相較於以電鑄結合或金屬結合刀片切割的情況，切割刀片2對於容易剝離的絕緣膜變得不易給予衝撃。因此，變得不易在該絕緣膜產生破裂或裂痕，故可抑制在切割時容易剝離的絕緣膜之剝離。
此外，磨粒2a之平均粒子徑較切割刀片2的外周部之刃厚更小（例如，使切割刀片2的外周部為20µm至30µm之刃厚的情況，磨粒2a之平均粒子徑為12µm以下），故降低磨粒2a對於被加工物的影響，可抑制在切割時容易剝離的絕緣膜之剝離。
藉由切割多層配線層25，而形成使基板23沿著分割預定線13露出的切割槽13a。沿著全部的分割預定線13形成切割槽13a後，將切割槽13a之底部利用其他切割刀片切割（切割步驟（S110））。如此地，藉由沿著全部的分割預定線13將晶圓11切斷，而製造多片晶片（未圖示）。
製造出多片晶片後，將晶圓11往清洗單元（未圖示）搬送，清洗晶圓11（清洗步驟（S120））。清洗步驟（S120）後，將多片晶片分別從切割膠膜17取出（取出步驟（S130））。
另，在上述例子中，在藉由切割刀片2於多層配線層25形成切割槽13a後，以其他切割刀片將基板23切斷，但亦可僅利用切割刀片2將多層配線層25及基板23兩者切斷。
此外，上述實施方式之構造、方法等可在未脫離本發明的目的之範圍內適當變更而實施。例如，以切割刀片2切割之對象，並未限定於多層配線層25的Low-k膜。亦可利用切割刀片2切割在切割時容易剝離的鈍化膜（絕緣膜）。此一情況，亦可抑制在切割時容易剝離的絕緣膜之剝離，並切割絕緣膜。
3:混合物 5:成形體 11:晶圓 11a:正面 11b:背面 13:分割預定線 13a:切割槽 15:元件 17:切割膠膜 19:框架 21:晶圓單元 23:基板 25:多層配線層 2:切割刀片 2a:磨粒 2b:結合材料 2c:熱硬化性樹脂 4:貫通孔 6:攪拌機 8:筐體 8a:開口 8b:底面 10:軸部 10a:旋轉軸 12:模具 14:底板 16:外筒 16a,18a,22a:貫通孔 18:下衝頭 18b:上表面 20:中衝頭 22:上衝頭 22b:下表面 24:整平治具 30:切割裝置 32:卡盤台 34:切割單元 36:主軸外殼 38:前凸緣 40:推壓螺帽 42:照相機單元
圖1是切割刀片的立體圖。 圖2是表示切割刀片之製造方法的流程圖。 圖3是表示混合步驟的示意圖。 圖4（A）是在成形步驟使用之模具的分解立體圖，圖4（B）是被供給混合物之模具的立體圖。 圖5（A）是表示往模具供給之混合物的剖面圖，圖5（B）是表示將往模具供給之混合物整平的情況之剖面圖，圖5（C）是表示於中衝頭插入上衝頭之貫通孔的情況之剖面圖，圖5（D）是表示混合物成形而形成成形體的情況之剖面圖。 圖6（A）是晶圓單元的立體圖，圖6（B）是晶圓等的剖面圖。 圖7（A）是切割步驟中之晶圓單元等的立體圖，圖7（B）是切割步驟中之晶圓的剖面圖。 圖8是表示切割方法的流程圖。
2:切割刀片
2a:磨粒
2b:結合材料
4:貫通孔

Claims (5)

  1. 一種切割刀片，具有結合材料與磨粒，其特徵在於： 藉由至少一部分為玻璃碳的該結合材料固定該磨粒。
  2. 如請求項1所述之切割刀片，其中， 該切割刀片的該磨粒之平均粒子徑為12µm以下。
  3. 一種切割刀片之製造方法，藉由結合材料固定磨粒，其特徵在於具備如下步驟： 成形步驟，由具有熱硬化性樹脂與該磨粒之混合物形成預定形狀之成形體； 燒結步驟，將該成形體以100℃以上300℃以下之溫度燒結，形成燒結體；以及 熱處理步驟，將該燒結體在惰性氣體環境下或真空氣體環境下以500℃以上1500℃以下之溫度予以熱處理； 在該熱處理步驟中，該熱硬化性樹脂之至少一部分成為玻璃碳的該結合材料。
  4. 一種晶圓之切割方法，切割設置於晶圓之正面側的絕緣膜，該晶圓在藉由設定為格子狀之分割預定線劃分的多個區域各自形成有元件，其特徵在於具備如下步驟： 保持步驟，藉由以卡盤台吸引保持該晶圓之與該正面位於相反側的背面側，而在使該正面側露出之狀態下保持該晶圓；以及 切割步驟，使用藉由至少一部分為玻璃碳的結合材料固定磨粒之切割刀片，將位於該正面側的該絕緣膜沿著該分割預定線切割。
  5. 如請求項4之晶圓之切割方法，其中， 在該切割步驟中，使用磨粒之平均粒子徑為12µm以下的該切割刀片，切割該絕緣膜。
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