TW202109613A - 包含離子化裝置的質譜儀 - Google Patents

Abstract

本發明係關於一種質譜儀(1)，包含：一離子阱(2)，其具有用於儲存離子(4a, 4b)的一內部(2a)；一信號產生器(5, 6a, 6b)，其連接到定界該內部(2a)的該離子阱(2)之一電極(3, 7a, 7b)，用於以一電壓信號(U_RF , U_Stim1 , U_Stim2 )、特別是一射頻電壓信號耦合；以及一離子化裝置(15)，其用於將待離子化的一氣體(4)離子化並供給到該內部(2a)。該離子化裝置(15)連接到該信號產生器(5, 6a, 6b)，以便使用耦合到該電極(3, 7a, 7b)中的該信號產生器(5, 6a, 6b)之該電壓信號(U_RF , U_Stim1 , U_Stim2 )來產生離子(4a, 4b)。

Description

包含離子化裝置的質譜儀

本發明係關於一種質譜儀，包含：一離子阱、特別是一電離子共振阱，其具有用於儲存離子的一內部；一信號產生器，其連接到定界(delimits) 該內部的該離子阱之一電極，用於以一電壓信號、特別是一射頻(radiofrequency，RF)電壓信號耦合；以及一離子化裝置、特別是一電漿離子化裝置，其用於將待離子化的一氣體離子化並供給到該內部。

各種離子化方法可應用於將用於在質譜儀中進行偵測的氣體或氣體混合物離子化。藉由範例，該離子化可透過電子撞擊離子化、藉助熱燈絲、透過場離子化、藉由藉助脈衝雷射的離子化、透過光子離子化、透過藉由電漿的離子化等實行。所有這些離子化製程之實現皆需求供電到用於執行該離子化的各自離子化裝置。

質譜儀(在待分析的氣體透過該偵測器外部的電漿離子化情況下)具有各種附加裝置，例如存在該離子源或該電漿離子化裝置與該偵測器之間以便首先將該等離子傳輸到該偵測器中，其次確保該電漿離子化裝置中較高氣壓而該偵測器中較低氣壓的差異泵離子轉移級(differentially pumped ion transfer stages)、分離器(skimmers)或其類似物。該電漿離子化裝置透過這些附加裝置與該偵測器在空間上隔開。或者，偵測器也可能在較高壓力範圍內操作；然而，這會降低其能力、特別是其靈敏度。

對電漿離子化而言，通常從外部電壓源向該電漿離子化裝置供給電壓。通常，該電漿離子化裝置具有至少兩個電極及一個電漿腔室以便點燃(ignite)該電漿。據此，該電漿離子化裝置需求相對較大安裝空間，並代表該質譜儀之附加組件。

WO 2014/118122 A2已揭示一種包含用於將一氣體混合物離子化的一離子化單元以及用於偵測該經離子化氣體混合物的一偵測器的質譜儀。該離子化單元可能具有電漿離子化裝置，其體現成在前述氣體混合物供給到偵測器(如離子阱)之前，透過產生電漿將待偵測的氣體混合物離子化。或者，該氣體混合物也可能直接(即先前未離子化)引入到該偵測器中(如形式為離子阱)。在這種情況下，離子化氣體之離子和/或介穩粒子可能供給到該偵測器，以便藉由撞擊或電荷交換離子化將該偵測器中的氣體混合物離子化。該離子化氣體之該等離子和/或介穩粒子同樣可借助於電漿離子化裝置離子化。

WO 2016/096457 A1說明一種離子化裝置以及一種具備這樣的離子化裝置的質譜儀。該離子化裝置包含一電漿產生裝置，其用於在一初級(primary)電漿區域中產生一離子化氣體之介穩粒子和/或離子；一場產生裝置，其用於在一次級(secondary)電漿區域中產生一輝光放電；一進氣口，其用於將待離子化的一氣體供給到該次級電漿區域中；以及一又一進氣口，其用於將該離子化氣體之該等介穩粒子和/或該等離子供給到該次級電漿區域中。

WO 2017/194333 A1說明一種用於偵測離子的質譜儀，包含：一離子阱，具有至少一個第一電極，例如一環形電極，並也具有至少一個第二電極，例如一帽電極；一儲存信號產生器，其用於產生可耦合到該第一電極中以便在該離子阱中產生一電儲存場的一RF儲存信號；一激發裝置，其用於產生用於激發該離子阱中所儲存離子的一激發信號；以及一偵測器，其用於偵測該等經激發離子所產生的一離子信號。該儲存信號產生器體現成設定該RF儲存信號之振幅和/或頻率。

[本發明之目的]

本發明之目的在於以該質譜儀可以體積小巧設計實現且該離子化裝置所造成干擾可在偵測離子時避免的方式，開發出一開始所闡述類型之質譜儀。 [本發明之主旨]

此目的透過一開始所闡述類型之質譜儀達成，其中特別是形式為電漿離子化裝置的離子化裝置連接到信號產生器(經由至少一個導電連接)，以便使用耦合到電極中的信號產生器之電壓信號，用於產生離子或電漿。

此外，本發明提議也使用在用於儲存和/或激發該離子阱之內部中的該等離子的任何情況下皆需求的信號產生器之電壓信號，用於將待離子化並供給到該離子阱之內部的氣體離子化、或用於產生電漿。一般來說，這允許到該離子化裝置的附加電源供給(例如形式為附加電壓源)完全省略。已查出慣用離子化裝置中所使用的該等電壓源可能導致干擾，更確切而言在借助於該質譜儀記錄的頻譜中導致干擾頻率。使用該電壓信號產生該等離子或該電漿也有助於該質譜儀之體積小巧設計，如以下將更詳細加以說明。

若該電壓信號係交流(AC)電壓，則該電壓信號可施加於該離子化裝置之兩個不同組件(一般來說兩個電極)，以便在該等兩個電極之間產生該等離子或電漿。或者，該電壓信號可施加於第一電極，而該離子化裝置之第二電極保持處於恆定電位(如處於接地電位)。特別是，該離子阱之電極(其在任何情況下皆連接到該信號產生器)可形成該(電漿)離子化裝置之一部分或電極，因此可能節省若非如此則此外需求的電極。

在一個具體實施例中，連接到該信號產生器的電極具有用於該氣體之供給到該內部中的通道開口。可理解，供給到該離子阱之內部的氣體必須(為了其離子化)引導穿越該離子化裝置，並視需要穿越該電漿或至少通過該電漿。在該電極中供應該通道開口允許電漿借助於該電極或借助於耦合到該電極中的電壓信號直接在該離子阱前面點燃，且該經離子化氣體可經由該通道開口直接引導到該內部中，因此不必將該離子轉移到該離子阱中。

在又一具體實施例中，該質譜儀包含一氣體供給，其體現成將形式為待分析的氣體或離子化氣體的氣體供給到該離子化裝置。如上述在WO 2014/118122 A2之上下文中所說明，待分析的氣體混合物或氣體可在該離子化裝置中的離子阱外部離子化，並可作為經離子化氣體或以經離子化種類之形式供給到該離子阱之內部。在這種情況下，該氣體供給通常連接到(製程)腔室或其類似物(其中引入待分析的氣體)。

或者，待離子化的氣體可為引入到用於將待分析的氣體離子化的離子阱之內部中的離子化氣體，如在完整併入本申請案中作為參考的WO 2014/118122 A2中所說明。在這種情況下，該離子化氣體及待分析的氣體通常穿越兩個分開的進氣口引入到該離子阱之內部中。在此，該氣體供給通常具有氣體貯槽(從其取得該離子化氣體)。通常，該離子化氣體係惰性氣體(如氦氣)。

在開發方案(development)中，該氣體供給具有可藉助用於該氣體之脈衝供給到該離子化裝置的控制裝置控制的至少一個閥。該氣體之脈衝供給導致供給到該離子化裝置的氣體之氣壓變化，因此也導致其中應產生該等離子或該電漿的區域中的氣壓變化。若該離子化裝置中的脈衝頻率或壓力變化借助於該可控制閥適當選擇或設定，則該電漿可由於該離子化裝置內的氣壓上升或下降而點燃及再次熄滅(quenched)，而無需為此目的之開環或閉環控制器。因此，對該質譜儀之通常相當複雜且因此富有挑戰性的控制可透過此自動作用(automatism)簡化。其結果是，可避免如在慣用離子化製程(如用於該電子束離子化期間的發射電流之閉環控制)中發生的附加開環或閉環控制支出(outlay)。

在又一具體實施例中，連接到該信號產生器的離子阱之電極形成該離子化裝置之至少兩個電極(其間產生該等離子或該電漿)之第一個。如上述進一步所說明，定界該內部的離子阱之電極與在這種情況下用於產生離子或可能用於產生電漿的電極同時使用，因此可相對於慣用離子化裝置節省電極。

在一種開發方案中，該電極在其背離該內部的側面上、特別是在該通道開口之區域中，具有突出電極部位、特別是向尖端逐漸變細的突出電極部位。由於該電場線密度及因此該電場強度在該尖端處很高，因此使用向尖端逐漸變細的電極部位可促進離子之產生。特別是，該突出電極部位可體現為該通道開口之管狀延續件。或者，該突出電極部位可具有相對於背離該內部的電極之側面上的通道開口偏移的設置，並可視需要延伸到該通道開口(其末端向尖端逐漸變細)之區域中。

延伸該通道開口的圓柱形電極部位也可能形成在背離該內部的電極之側面上，而非向尖端逐漸變細的管狀電極部位。藉由範例，這對將管狀供給線路連接到該電極而言可具優勢。為了到管狀供給線路的連接，該電極也可能在該通道開口附近具有一個或多個切口，及/或該通道開口可能為此具有台階(step)。

有用於配置該離子化裝置之至少一個又一電極的若干選項： 在一種開發方案中，該離子化裝置具有導電供給線路、特別是導電管狀供給管路，其欲用於將該氣體供給到該離子阱且其形成該離子化裝置之第二電極。該導電供給線路(例如金屬供給線路)可連接到恆定電位(例如接地電位)，或連接到該信號產生器以便在那裡同樣施加該電壓信號。

在這種情況下，該導電供給線路與該離子阱(其中形成該通道開口)之電極隔開，以便在該等兩個電極之間產生該電漿。在這種情況下，特別是，若該電極具有該上述所說明向尖端逐漸變細的電極部位以便簡化或有助於點燃該電漿，則具優勢。為了橋接該離子阱之供給線路與電極之間的空隙或間隔，可使用由絕緣材料(例如陶瓷)製成的供給線路之一部位，其作為一種包覆類型將該金屬供給線路包封在該空隙之區域中，使得該所供給氣體無法逸出到周圍環境中。

在替代性具體實施例中，該離子化裝置具有用於供給該氣體由電絕緣材料製成的供給線路、特別是管狀供給線路，且該離子化裝置之第二電極設置在該供給線路之外側上。在這種情況下，該第二電極可體現為固定在該供給線路之外側的例如金屬環或金屬管。在此，該電漿透過介電阻障層放電點燃；即該第二電極透過該供給線路之(介電)材料屏蔽隔離該供給線路內的空間(其中待離子化的氣體流動)。由於實質上只有電子在介電放電中加速，因此該介電放電有助於冷電漿之產生，這對本發明所申請內容而言可能具優勢。

在又一替代性具體實施例中，該離子化裝置具有由電絕緣材料製成的供給線路、特別是管狀供給線路，且該離子化裝置之第二電極設置在該供給線路內。在這種情況下，待離子化的氣體至少部分在該第二電極周圍流動。將該第二電極設置在該供給線路內，使其可能選擇該第二電極對產生該等離子或該電漿而言具優勢之幾何形狀。然而，應確保該氣體穿越該供給線路之流動不會受到該第二電極過度影響。該第二電極可借助於延伸穿越該管狀供給線路之壁面的電極部位固定在該供給線路。或者，該電極可固定在該供給線路之壁面之內側，且該電壓信號或視需要恆定電位可借助於該供給線路中所引導的電線施加於其上。

在一個開發方案中，布置在該供給線路中的第二電極具有面向該離子化裝置之第一電極(及該離子阱)的尖端。藉由範例，該尖端可突出到延伸該通道開口的管狀電極部位中，這在上述進一步所說明。除了向尖端逐漸變細的第二電極以外，該第一電極也可具有尖端以便在該等兩個尖端之間產生該等離子並/或點燃電漿。在這種情況下，若向尖端逐漸變細的電極部位相對於該通道開口偏移附接到該電極並在該通道開口之方向上延伸，則具優勢。

在一個具體實施例中，該信號產生器體現成將該電壓信號耦合到用於在該內部中儲存該等離子的離子阱之環形電極中。在這種情況下，該離子阱可為例如離子共振阱，其具有共同定界該離子阱之內部的至少一個環形電極及一般來說至少兩個帽電極。在形式為雙曲線保羅阱(Paul trap)的慣用四極阱之情況下，該等環形電極和帽電極每個皆具有實質上雙曲線幾何形狀。通常，該等兩個帽電極處於接地電位(沒有激發時)，而形式為射頻AC電壓的射頻儲存電壓信號施加於該環形電極。憑藉該射頻儲存電壓信號，電場(四極場)在該離子阱中產生，由於這樣的場中的離子或帶電粒子可穩定儲存在該離子阱中，因此前述電場也指稱為電儲存場。如上述所說明，該信號產生器所產生的射頻儲存電壓信號可用於在該離子化裝置中產生RF電漿。該儲存電壓信號通常具有位於該MHz範圍內的頻率，例如1 MHz之數量級。

在又一具體實施例中，該信號產生器或該質譜儀之(又一)信號產生器體現成將該電壓信號耦合到離子阱之至少一個帽電極中，用於激發該內部中的該等離子。作為通常耦合到該環形電極中的儲存電壓信號或環形電極的替代例，耦合到該帽電極中的激發電壓信號也可用於產生該電漿。通常，這樣的例如用於產生所謂的「儲存波形逆傅立葉轉換」(Storage Wave-Form Inverse Fourier Transform，SWIFT)激發的激發電壓信號，同樣係射頻AC電壓信號。該激發電壓信號通常透過專用激發信號產生器產生，並由此耦合到該帽電極中。該激發信號可具優勢用於在該(電漿)離子化裝置中產生RF電漿。視需要，該電壓信號或用於激發目的之電壓信號也可耦合到該環形電極中。

在又一具體實施例中，該質譜儀包含一偵測器，其用於偵測從該離子阱移除的離子或用於偵測該離子阱中所儲存(和經激發)該等離子所產生的離子信號。基於電子離子共振單體的質譜儀通常在該所謂的「不穩定模式」(instability mode)下操作，其中所儲存離子以針對性方式(藉由過激發)從該離子阱移除並透過(粒子)偵測器偵測到。

或者，該離子阱中所儲存該等離子可憑藉所偵測到該等離子之激發期間所產生的離子信號，以非破壞性方式偵測到。在這種情況下，該等離子透過測量或偵測該離子阱之一個或多個帽電極上的感應電荷偵測到。為了產生該等感應電荷，該等離子受到激發信號激發而振盪，其振盪之頻率依該離子質量而定或依該等經激發離子之質荷比(mass-to-charge ratio，m/z)而定，因此該等經激發離子可基於該等帽電極處所產生的離子電流或離子信號偵測到。該等感應電荷或該離子電流信號通常憑藉藉助傅立葉轉換，在光譜儀中記錄和轉換為頻譜或質譜的離子電流或與其成比例的電壓離子信號測量。由於這種轉換，這樣的質譜儀也指稱為(電)傅立葉轉換離子迴旋共振(Fourier transform ion cyclotron resonance，FT-ICR)質譜儀。

可理解，本發明將該電壓信號用於在該離子化裝置中產生該等離子或該電漿不一定需要應用於上述進一步所說明離子阱之該等類型，但原則上，這也可在具有至少一個電極(電壓信號耦合到其中)的離子阱之其他類型中執行。

參照顯示對本發明而言至關重要的各細部的所附圖式，本發明之進一步特徵和優勢從下列本發明之各示例性具體實施例之說明，以及從諸申請專利範圍顯而易見。該等個別特徵可透過其自身個別在每種情況下皆實現，或在本發明之變化例中實現為多種任何所需組合。

在下列所附圖式之說明中，等同參考標記分別用於等同或功能上等同組件。

圖1示意性顯示用於透過質譜分析法檢測質譜儀1之離子阱2中所儲存離子4a、4b的質譜儀1。在所示範例中，離子阱2體現為電離子阱(保羅阱)，並具有形式為環形電極3的第一電極。形式為AC電壓的射頻儲存電壓信號U_RF 施加於環形電極3，該信號在離子阱2中產生形式為射頻交流電場的電儲存場E，其中待分析的氣體4之離子4a、4b動態儲存。質譜儀1具有用於產生該射頻儲存電壓信號U_RF 的儲存信號產生器5。在所示範例中，儲存信號產生器5體現成以kHz至MHz之數量級之恆定頻率(如1 MHz)以及幾百伏之恆定(最大)振幅產生儲存電壓信號U_RF 。或者，儲存信號產生器5可體現成設定或變更該儲存電壓信號U_RF 之頻率和/或振幅。為此，儲存信號產生器5可體現為例如，如在一開始所引述的WO 2017/194333 A1中所例示。

從該電儲存場E得到作用在該等離子4a、4b上達較大程度的平均恢復力，該進一步遠離的該等離子4a、4b來自離子阱2之中間或中心。為了測量該等離子4a、4b之質荷比(m/z)，該等離子4a、4b受到激發信號U_Stim1 、U_Stim2 (刺激)激發而振盪，其中該等振盪之頻率依該離子質量和該離子電荷而定，並通常在kHz至MHz數量級之頻率範圍內，如自大約1 kHz至200 kHz。該各自激發信號U_Stim1 、U_Stim2 透過第一和第二激發信號產生器6a、6b (其下游在每種情況下皆連接放大器)產生。

為了無反應非破壞性偵測(即該等離子4a、4b在該偵測後仍存在離子阱2中)，該等經激發離子4a、4b之該等振盪信號在形成離子阱2之該等帽電極7a、7b的兩個測量電極處，以感應鏡電荷之形式抽出(tapped off)。該等兩個帽電極7a、7b經由各自濾波器連接到各自低雜訊電荷放大器8a、8b。

該等電荷放大器8a、8b首先在每種情況下皆擷取和放大由於該激發而在該等帽電極7a、7b處產生的兩個離子電流I_Ion1 、I_Ion2 之一，其次將其保持處於虛擬接地電位。從透過該等電荷放大器8a、8b轉換為電壓信號的該等離子電流I_Ion1 、I_Ion2 ，離子信號u_ion (t)透過相減產生，前述離子信號之時間分佈狀況例示在圖1中右下方。

該離子信號u_ion (t)供給到偵測器9，其在所示範例中具有用於快速傅立葉轉換分析(fast Fourier analysis，FFT)的類比數位轉換器9a和光譜儀9b以便生成質譜，其例示在圖1中右上方。在這種情況下，偵測器9或光譜儀9b首先產生離子阱2中所儲存該等離子4a、4b之該等特性離子共振頻率f_ion 之頻譜，該頻譜基於該等離子共振頻率f_ion 對該等各自離子4a、4b之質量和電荷之相關性轉換為質譜。在該質譜中，顯示依該質荷比m/z而定的所偵測到粒子或電荷之數量。

在圖1中所示範例中，待分析的氣體4藉助氣體供給11取自腔室10，前述腔室係形成工業設備之一部分的製程腔室，其中執行工業製程(例如塗佈製程)。或者，腔室10可為例如微影設備之(真空)殼體或任何其他類型之腔室。氣體供給11具有氣體出口12以允許氣體4從腔室10排出，以及可藉助控制裝置14控制以便將待分析的氣體4饋送到離子化裝置15 (其以脈衝方式將待分析的氣體4離子化)的閥13。在圖1中所示範例中，離子化裝置15與環形電極3相鄰布置。待分析的經離子化氣體4 (即該等離子4a、4b)引入到離子阱2之內部2a中所穿越的通道開口16，形成在環形電極3中。在所示範例中，通道孔16在該等帽電極7a、7b和環形電極3以鏡像對稱方式布置所關於的離子阱2之中心平面中延伸。

在圖1中所示質譜儀1中，離子化裝置15與離子阱2直接相鄰布置，更確切而言與環形電極3之區域(其中形成用於待分析的氣體4之供給的通道開口16)緊鄰。所以，儲存信號產生器5所產生並經由第一電連接線路20a供給到環形電極3的儲存電壓信號U_RF 也可在離子化裝置15中使用，並可用於產生離子4a、4b、17或電漿，如以下基於圖2a、圖2b所解說。

在圖2a中所例示離子化裝置15中，定界內部2a的離子阱2之環形電極3同時形成離子化裝置15之第一電極3(其與第二電極18共同用於在該等兩個電極3、18之間的空間中產生離子4a、4b)。利用施加於電極3的RF儲存電壓信號U_RF 可用於在流過離子化裝置15的氣體4中產生RF電漿的事實。在此，恆定電位(例如接地電位)施加於第二電極18。

可理解，第二電極18不一定需要連接到儲存信號產生器5以便在前述電極處產生恆定電位。

在圖2a中所示離子化裝置15中，該第二電極體現為待分析的氣體4在離子阱2之方向上流動所穿越的金屬供給線路18。在其背離內部2a的外側上，環形電極3具有管狀電極部位3a，其向尖端逐漸變細並圍繞通道開口16或在第二電極18之方向上延伸通道開口16。第二電極18布置在與向尖端逐漸變細的電極部位3a之末端相距預定距離d處。為了橋接環形電極3或向尖端逐漸變細的電極部位3a與用作第二電極18的供給線路之末端之間的空隙，離子化裝置15具有由電絕緣材料(所示範例中的陶瓷)構成的管狀供給線路部位19。電絕緣供給線路部位19沿著供給線路18 (其形成該第二電極並橋接其面向環形電極3的末端與環形電極3之間的空隙)之外側延伸。供給線路部位19防止待分析的氣體4能夠逸出到周圍環境。

點燃路徑可用於在該等兩個電極3、18之間的空間中點燃電漿或產生離子4a、4b，前述點燃路徑對應於待分析的氣體4之流動方向上的該等兩個電極3、18之間的距離d，並能夠具有例如大約100 µm至50 mm之間之長度。

由於控制裝置14必須在任何情況下皆驅動可控制閥13以便以脈衝方式將待分析的氣體4供給到離子阱2之內部2a，因此該電漿在適當選擇待分析的氣體4之脈衝供給之該等參數之情況下自動點燃，且前述電漿在該氣體壓力下降時再次熄滅，若非如此則需求閉環控制。對例如為了最小化空間充電效應而透過該電漿避免離子阱2中的電儲存場E中的干擾而言，在離子阱2中儲存和分析以脈衝方式供給的該等離子4a、4b的同時熄滅該電漿具優勢。

圖2b中所示離子化裝置15與圖2a中所示離子化裝置15實質上不同之處在於，前者具有由電絕緣材料製成的供給線路19 (其中布置第二電極18)。在圖2b中所示範例中，第二電極18具有末端18a，其向尖端逐漸變細且其在突出電極部位3a處突出到環形電極3之通道開口16中。以此方式，可能在與離子阱2之內部2a直接相鄰的通道開口16中產生該等離子17。

在圖2b中所示範例中，待離子化並供給到離子阱2之內部2a的氣體係離子化氣體22，通常係惰性氣體(例如氦氣)。離子化氣體22保持在氣體供給11之氣體貯槽21中，並經由氣體出口12和可控制閥13供給到離子化裝置15之供給線路19。離子化氣體22用於將離子阱2之內部2a中待分析的氣體4離子化。在這種情況下，待分析的氣體4穿越第一帽電極7a中的通道開口26引入到離子阱2之內部2a中，並與離子阱2之中心大致對位。離子阱2具有對稱軸23，關於此，離子阱2之該等電極3、7a、7b (更確切而言其定界內部2a的該等內側)具有旋轉對稱性。藉助離子化裝置15中所產生的離子化氣體22之該等離子17，藉由離子阱2之內部2a中的撞擊和/或電荷交換離子化將待分析的氣體4離子化。若離子化氣體22之該等離子17儲存在離子阱2之儲存場E中或至少被迫進入相對較長軌跡中，則待分析的氣體4或待分析的氣體4之該等離子4a、4b與離子化氣體22之該等離子17之間的撞擊數量可以針對性方式提高。為此，使用氖氣或氬氣作為離子化氣體22具優勢。

與圖2b中所例示者不同，若待分析的氣體4在離子阱2外部離子化，即若省略使用離子化氣體22，則待分析的氣體4 (其穿越第一帽電極7a進入到離子阱2之內部2a中)同樣可借助於(電漿)離子化裝置15 (其可能如圖2a中所例示建構)離子化。在這種情況下，第一帽電極7a而非環形電極3形成離子化裝置15之一部分。在這種情況下，第一激發信號產生器6a所產生的激發電壓信號U_Stim1 用於在電漿產生裝置15中產生電漿17。可理解，第二帽電極7b或第二激發信號產生器6b可據此使用以便將待分析的氣體4或離子化氣體22離子化。

圖3a、圖3b顯示用於在(電漿)離子化裝置15 (其第二電極18之配置與圖2a、圖2b中所示該等範例不同)中產生離子4a、4b或電漿的兩種進一步選項。

在圖3a中所示範例中，供給線路19 (如同在圖2b中)由電絕緣材料形成。環狀金屬環帶18 (或管路部位)附接到供給線路19之外側並形成離子化裝置15之第二電極。由於該第二電極或環帶18受到供給線路19屏蔽，因此電漿17藉由介電阻障層放電在與環形電極3直接相鄰的區域中的供給線路19內產生。

在圖3b中所示範例中，第二電極18如同在圖2b中所示範例中布置在電絕緣供給線路19內。第二電極18具有桿狀具體實施例，並也具有面向環形電極3或通道開口16的尖端18a。除了第一突出圓柱形電極部位3a (其如同在圖3a中用於接收或固定圓柱形供給線路19)以外，向尖端逐漸變細的第二突出電極部位3b形成在環形電極3上。第二電極部位3b相對於通道開口16側向偏移附接到環形電極3之外側，且其向尖端逐漸變細的末端在第二電極18之尖端18a之方向上延伸以便在對第二電極18之尖端18a的空隙中產生離子4a、4b或電漿。

總結來說，施加於離子阱2之該等電極3、7a、7b的該(等)電壓信號或電位可用於以上述所說明的方式(即透過電極3之指定幾何形狀或離子化裝置15之合適具體實施例)，在待分析的氣體4或離子化氣體22之進氣口之區域中產生離子4a、4b、17或電漿注入到離子阱2之內部2a中。由於透過該等信號產生器5、6a、6b向該等電極3、7a、7b供給各自電壓信號U_RF 、U_Stim1 、U_Stim2 ，因此離子化裝置15無需附加電壓供給。而且，各自電極3、7a、7b可能在適當處用作離子化裝置15之(第一)電極。

可理解，上述所說明的程序可具優勢不僅應用於具備電共振阱形式的離子阱2的質譜儀1中(如圖1中所示)，而且應用於不同類型之離子阱2。用於產生該等離子4a、4b、17或該電漿的電壓信號可能(在適用處)在這種情況下並非(射頻) AC電壓，而係直流(DC)電壓。

如在圖1中所例示質譜儀1中的情況，也不必執行離子阱2中所儲存該等離子4a、4b之非破壞性分析。而是，該等離子4a、4b或(以針對性方式)個別離子種類可能為了偵測目的而從離子阱2移除。在這種情況下，從離子阱2移除的該等離子4a、4b在布置在離子阱2外部的偵測器9中偵測到。

1:質譜儀 2:離子阱 2a:內部 3:第一電極 3a:電極部位 3b:電極部位 4:氣體 4a、4b:離子 5:信號產生器 6a:第一激發信號產生器 6b:第二激發信號產生器 7a:第一帽電極 7b:第二帽電極 8a、8b:電荷放大器 9:偵測器 9a:類比數位轉換器 9b:光譜儀 10:腔室 11:氣體供給 12:氣體出口 13:閥 14:控制裝置 15:離子化裝置 16:通道開口 17:離子 18:第二電極 18a:末端 19:供給線路部位 20a:第一電連接線路 21:氣體貯槽 22:氣體 23:對稱軸 26:通道開口 U_RF:射頻儲存電壓信號 U_Stim1:激發電壓信號 U_Stim2:激發信號 m/z:質荷比 E:電儲存場 I_Ion1,I_Ion2:離子電流 u_ion(t):離子信號 f_ion:離子共振頻率 d:距離

各示例性具體實施例例示在該示意圖式中，並在下列說明中加以解說。在該等圖示中：

圖1顯示質譜儀之示意例示圖，該質譜儀具有離子阱，以及用於將經由電極中的通道開口供給到該離子阱的氣體離子化的離子化裝置；

圖2a、圖2b顯示圖1之質譜儀之細部之示意例示圖，其中該電極在該通道開口處具有銳利突出電極部位；

圖3a、圖3b顯示類似於圖2a、圖2b的示意例示圖，其中該離子化裝置體現成產生介電阻障層放電或尖端放電；且

圖4將電漿之點燃電壓之帕邢曲線(Paschen curve)之例示圖顯示為氣壓和電極間隔之乘積之函數。

1:質譜儀

2:離子阱

2a:內部

3:第一電極

4:氣體

4a、4b:離子

5:信號產生器

6a:第一激發信號產生器

6b:第二激發信號產生器

7a:第一帽電極

7b:第二帽電極

8a、8b:電荷放大器

9:偵測器

9a:類比數位轉換器

9b:光譜儀

10:腔室

11:氣體供給

12:氣體出口

13:閥

14:控制裝置

15:離子化裝置

16:通道開口

20a:第一電連接線路

U_RF:射頻儲存電壓信號

U_Stim1:激發電壓信號

U_Stim2:激發信號

m/z:質荷比

E:電儲存場

I_Ion1,I_Ion2:離子電流

u_ion(t):離子信號

f_ion:離子共振頻率

Claims (13)

1. 一種質譜儀(1)，包含： 一離子阱(2)，其具有用於儲存離子(4a, 4b)的一內部(2a)； 一信號產生器(5, 6a, 6b)，其連接到定界(delimits) 該內部(2a)的該離子阱(2)之一電極(3, 7a, 7b)，用於以一電壓信號(U_RF , U_Stim1 , U_Stim2 )、特別是一射頻(Radiofrequency，RF)電壓信號耦合； 一離子化裝置(15)、特別是一電漿離子化裝置，其用於將待離子化的一氣體(4, 22)離子化並供給到該內部(2a)， 特徵在於該離子化裝置(15)連接到該信號產生器(5, 6a, 6b)，以便使用耦合到該電極(3, 7a, 7b)中的該信號產生器(5, 6a, 6b)之該電壓信號(U_RF , U_Stim1 , U_Stim2 )來產生離子(4a, 4b, 17)。
2. 如請求項1所述之質譜儀，其中連接到該信號產生器(5)的該電極(3)具有用於該氣體(4)之該供給到該內部(2a)中的一通道開口(16)。
3. 如前述諸請求項擇一所述之質譜儀，更包含：一氣體供給(11)，其體現成將形式為待分析的一氣體(4)或一離子化氣體(22)的一氣體(4, 22)供給到該離子化裝置(15)。
4. 如請求項3所述之質譜儀，其中該氣體供給(11)具有可藉助用於該氣體(4, 22)之該脈衝供給到該離子化裝置(15)的一控制裝置(14)控制的至少一個閥(13)。
5. 如前述諸請求項任一者所述之質譜儀，其中連接到該信號產生器(5)的該離子阱(2)之該電極(3)形成該離子化裝置(15)之至少兩個電極(3、18) (其間產生該等離子(4a, 4b, 17) )之一第一個。
6. 如請求項5所述之質譜儀，其中該電極(3)在其背離該內部(2a)的側面上、特別是在該通道開口(16)之該區域中，具有一管狀電極部位(3a, 3b)、特別是向一尖端逐漸變細的一管狀電極部位。
7. 如請求項5或6之所述質譜儀，其中該離子化裝置(15)具有一導電供給線路(18)、特別是一導電管狀供給線路，其欲用於將該氣體(4)供給到該離子阱(2)且其形成該離子化裝置(15)之該第二電極。
8. 如請求項5或6所述之質譜儀，其中該離子化裝置(15)具有用於將該氣體(4)供給到該離子阱(2)由一電絕緣材料製成的一供給線路(19)、特別是一管狀供給線路(19)，且其中該離子化裝置(15)之該第二電極(18)設置在該供給線路(19)之該外側上。
9. 如請求項5或6所述之質譜儀，其中該離子化裝置(15)具有由一電絕緣材料製成的一供給線路(19)、特別是一管狀供給線路(19)，且其中該離子化裝置(15)之該第二電極(18)設置在該供給線路(19)內。
10. 如請求項9所述之質譜儀，其中布置在該供給線路(19)中的該第二電極(18)具有面向該離子化裝置(15)之該第一電極(3)的一尖端(18a)。
11. 如前述諸請求項任一者所述之質譜儀，其中該信號產生器(5)體現成將該電壓信號(U_RF )耦合到用於在該內部(2a)中儲存該等離子(4a, 4b)的該離子阱(2)之一環形電極(3)中。
12. 如前述諸請求項任一者所述之質譜儀，其中該信號產生器(6a, 6b)體現成將該電壓信號(U_Stim1 , U_Stim2 )耦合到用於激發該內部(2a)中的該等離子(4a, 4b)的該離子阱(2)之至少一個帽電極(7a, 7b)中。
13. 如前述諸請求項任一者所述之質譜儀，更包含：一偵測器(9)，其用於偵測從該離子阱(2)移除的離子(4a, 4b)，或該離子阱(2)中所儲存該等離子(4a, 4b)所產生的一離子信號(u_ion (t) )。

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