TW202106885A - 可撓性印刷基板用銅箔 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種提高CCL之彎曲性之可撓性印刷基板用銅箔。
本發明之可撓性印刷基板用銅箔係含有99.9質量%以上之Cu以及作為添加元素之0.0005~0.0220質量%之P、且剩餘部分由不可避免之雜質所構成的壓延銅箔，且Copper方位之結晶方位密度未達10，Brass方位之結晶方位密度未達20。

Description

可撓性印刷基板用銅箔
本發明係關於一種適宜用於可撓性印刷基板等之配線構件的銅箔。
隨著電子機器之小型、薄型、高性能化，廣泛使用可撓性印刷基板(可撓性配線板，以下稱為「FPC」)。
FPC係藉由對積層有銅箔及樹脂之Copper Clad Laminate(銅箔積層體，以下稱為CCL)進行蝕刻而形成配線，利用稱為覆蓋層之樹脂層被覆其上而成者。
但是，FPC之導體即銅箔除彎曲性以外，還要求即便反覆彎曲亦難以斷裂之耐彎曲特性，進而亦要求高速傳輸特性。
通常，對FPC用銅箔實施在表面形成稱為粗化粒子之微細金屬粒子之粗化處理，進而為了賦予耐熱性、耐化學品性或接著性，實施各種表面處理。然後，利用將該銅箔與膜狀絕緣性樹脂基材進行加壓層壓之方法、或將絕緣性樹脂基材塗佈於銅箔後進行乾燥或高溫處理之方法等，形成CCL，最後對銅箔部分進行蝕刻，形成電路，製造FPC。
而且，作為提高壓延銅箔之彎曲性之方法，已知提高最終軋縮率，使再結晶織構之Cube(立方體)方位即立方體織構發達，但若最終軋縮率較高，則存在應變累積、軟化溫度變低之問題。
因此，作為即便不提高最終軋縮率亦可提高壓延銅箔之彎曲性之對策，開 發了將Copper(銅)方位之結晶方位密度設為10以上，且將Brass(黃銅)方位之結晶方位密度設為20以上之技術(專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利6442020號公報
另外，若將銅箔單體彎曲一次，則彎曲部位發生加工硬化，於下次彎曲時避開經加工硬化之部位而彎曲。對此，若使由銅箔與支持體(樹脂)積層而成之CCL彎曲，則彎曲部位受到樹脂之限制，故若將同一部位彎曲，則成為較銅箔單體更嚴格之彎曲試驗。
而且，若如專利文獻1中記載之技術，增大Copper方位之結晶方位密度，則於再結晶織構中Cube方位發達，再結晶粒徑變大，因此得知CCL之彎曲性降低。
又，若Brass方位之結晶方位密度較高，則於再結晶織構中由Brass方位所構成之織構發達。Brass方位係容易累積應變之方位，於彎曲時容易釋放應變而產生龜裂，從而CCL之彎曲性變差。
本發明係為了解決上述課題而成者，其目的在於提供一種提高CCL之彎曲性之可撓性印刷基板用銅箔。
本發明人等進行了各種研究，結果發現提高CCL之彎曲性必須抑制再結晶後之Cube方位之發達，即，必須於壓延織構之階段抑制Copper方位之存在比率。又，亦降低使CCL之彎曲性變差之Brass方位之結晶方位密度。
即，本發明之可撓性印刷基板用銅箔係含有99.9質量%以上之Cu 及作為添加元素之0.0005~0.0220質量%之P、且剩餘部分由不可避免之雜質所構成的壓延銅箔，且Copper方位之結晶方位密度未達10，Brass方位之結晶方位密度未達20。
Copper方位與Brass方位分別定義為{112}<111>、{110}<112>。
本發明之可撓性印刷基板用銅箔亦可使JIS-H3100(C1100)所規定之精銅或JIS-H3100(C1020)之無氧銅含有作為添加元素之0.0005~0.0220質量%之P。
本發明之可撓性印刷基板用銅箔之表面粗糙度Sa未達0.2即可。
本發明之可撓性印刷基板用銅箔之厚度為12μm以下即可。
根據本發明，能夠獲得提高CCL之彎曲性之可撓性印刷基板用銅箔。
[圖1]係表現求出用於對銅條進行最終退火之熱處理溫度之方法的圖。
[圖2]係表現彎曲試驗之圖。
以下，對本發明之銅箔之實施形態進行說明。再者，於本發明中，只要%無特別說明，表示質量%。
<組成>
本發明之銅箔含有99.9質量%以上之Cu及作為添加元素之0.0005~0.0220質量%之P，且剩餘部分由不可避免之雜質所構成。Cu較佳為99.96質量%以上。
若含有P作為添加元素，則能使Copper方位之結晶方位密度未達10。
若P之含量未達0.0005質量%(5質量ppm)，則Copper方位之結晶方位密度成為10以上，CCL之彎曲性降低。若P之含量超過0.0220質量%(220質量ppm)，則導電率降低，不適合可撓性印刷基板。
亦可將本發明之銅箔設為使JIS-H3100(C1100)所規定之精銅或JIS-H3100(C1020)之無氧銅含有0.0005~0.0220質量%之P作為添加元素而成的組成。
<結晶方位密度>
銅箔之Copper方位之結晶方位密度未達10。如上所述，提高CCL之彎曲性必須抑制再結晶後之Cube方位之發達，即，必須於壓延織構之階段抑制Copper方位之存在比率。
若Copper方位之結晶方位密度成為10以上，則於再結晶後Cube方位發達，再結晶粒徑變大，而使CCL之彎曲性降低。
銅箔之Brass方位之結晶方位密度未達20。Brass方位容易累積應變，若Brass方位之結晶方位密度為20以上，則於彎曲時容易釋放應變而產生龜裂，從而CCL之彎曲性降低。
結晶方位密度係使用完整極圖算出。完整極圖係使用不完整極圖算出。不完整極圖可藉由壓延織構之X射線極圖測定而獲得。X射線極圖測定係使用RIGAKU製造之RINT2500(商品名)，對於銅箔之(111)、(200)、(220)之面，於Schultz反射法之條件下進行X射線極圖測定。測定條件係入射X射線源：Co、管電壓：30kV、管電流：100mA、發散狹縫：1°、散射狹縫：0.05mm、受光狹縫：0.05mm、發散縱限制狹縫：1.2mm、掃描速度：360°/min、步進寬：5°。於各面中測定繞射強度所得之2θ之範圍(θ為繞射角度)為(111)：48.0~54.0°、(200)：56.5~62.5°、(220)：86.0~92.0°。
X射線極圖測定中獲得之不完整極圖之資料處理係使用RIGAKU製造之RINT2500附屬正極點資料處理軟體。處理條件為RD修正、平滑化、背景處理、random標準化。經處理之資料藉由RIGAKU製之ASC轉換軟體進行文本轉換。
自經文本資料化之不完整極圖向完整極圖之轉換及結晶方位分佈函數之提取係使用Standard ODF Ver2.4。再者，Copper方位及Brass方位於歐拉角空間上出現多個部位，因此於本發明中結晶方位密度函數f(gCopper)及f(gBrass)之歐拉角採用gCopper=(90°、35°、45°)及gBrass=(35°、45°、90°)。
銅箔之表面粗糙度Sa較佳為未達0.2μm。若表面粗糙度Sa未達0.2μm，則可抑制將銅箔製成FPC時之傳輸損耗。
表面粗糙度Sa係以ISO25178規定。
銅箔之厚度較佳為JISC6515所規定之標稱厚度為12μm以下。厚度越薄，則施加至銅箔之應力越小，因此有助於彎曲性之提高，並且亦有助於可攜式機器之小型化、薄型化、輕量化。
本發明之銅箔例如可如下進行製造。首先，向銅錠添加P進行溶解、鑄造後，進行熱軋，反覆進行冷軋與退火，藉此可製造箔。再者，退火可為1次。
此處，將最後進行之退火稱為最終退火，將最終退火前後之冷軋分別稱為最終退火前冷軋、最終退火後冷軋。
此處，最終退火前冷軋之軋縮率較佳設為80%以上。其原因在於使銅條累積充分之應變。
最終退火後冷軋之軋縮率(最終軋縮率)較佳為95%以上，進而較佳為99%以上。若軋縮率為95%以下，則銅箔累積之應變不均勻，因此壓延織構變得不均勻。又，其原因在於若軋縮率為95%以上，則Copper方位之生長得到抑制。
關於軋縮率(R)，將壓延前之箔厚度設為T0，將壓延後之箔厚度設為T1，軋縮率以R={(T0-T1)/T0}×100表示。
藉由控制最終退火之熱處理條件，可抑制Copper方位及Brass方位。
此處，作為最終退火之熱處理溫度，設為「再結晶」域之溫度。若將最終退火之熱處理溫度設為「回復」狀態之溫度，則因最終退火後冷軋而使Brass方位發達。若以溫度高於「回復」狀態之方式將最終退火之熱處理溫度設為「粒生長」狀態之溫度，則因最終退火後冷軋而使Copper方位發達。因此，以成為「再結晶」域之方式設定最終退火之熱處理溫度。
「再結晶」域溫度可藉由以下方法決定。
首先，於最終退火前冷軋後將最終退火前之銅條自25、100、150℃、200~260℃以10℃為單位變溫至280、300、350、380、400℃，依據JISZ2241分別測定於30分鐘內在氮氣環境下進行熱處理時之抗拉力(N/mm2)。
其次，如圖1所示，於以熱處理溫度為X軸、以抗拉力為Y軸之圖中繪製測定資料。將自低溫側(25℃)向高溫側於鄰接之曲線間抗拉力急劇降低至101MPa/10℃以上之點設為反曲點(inflection point)1。將自反曲點1向高溫側於鄰接之曲線間抗拉力未達10MPa/10℃之點設為反曲點2。將自反曲點2向高溫側於鄰接之曲線間抗拉力降低5%以上之點設為反曲點3。
將低於反曲點2之溫度設為「回復域」，將反曲點2以上且未達反曲點3之溫度設為「再結晶域」，將反曲點3以上之高溫設為「粒生長域」。
如此，以成為「再結晶域」之方式設定最終退火之熱處理溫度，較佳為於氮氣環境下、以1分鐘~30分鐘之保持時間進行最終退火。
再者，本發明並不限定於上述實施形態。又，只要發揮本發明之作用效果，則上述實施形態中之銅合金亦可含有其他成分。
例如，銅箔之表面可實施粗化處理、防銹處理、耐熱處理、或由該等組合而成之表面處理。
[實施例]
其次，列舉實施例進一步詳細地說明本發明，但本發明並不受限於該等。
製作對無氧銅(JIS-H3100C1020)添加表1中記載之元素而成之錠。以900℃左右對該錠進行熱軋，並進行冷軋後，實施退火並進行表面加工以去除表面之氧化皮。其後，藉由多段式冷軋機進行最終退火前冷軋直至壓延銅條之厚度成為2.0mm。其後，藉由上述方法中決定之最終退火之熱處理溫度(圖1之再結晶域之最低溫度即反曲點2之溫度)於氮氣環境下進行30分鐘之最終退火。其後，以軋縮率99.4%進行最終退火後冷軋直至成為最終銅箔厚度即12μm。
<銅箔樣品之評價>
1.導電率
對於上述最終冷軋後之各銅箔樣品，基於JIS H 0505藉由四端子法測定20℃之導電率(%IACS)。
導電率越大於80%IACS，導電性越良好。
2.銅箔之表面粗糙度Sa
對於上述最終冷軋後之各銅箔樣品，依據ISO25178測定表面粗糙度Sa。
各實施例及比較例之銅箔之表面粗糙度Sa為0.1。
3.結晶方位密度(Copper方位及Brass方位)
以上述方式進行測定。
4.耐彎曲特性
由上述最終冷軋後之各銅箔樣品製作可撓性印刷配線板，進行彎曲試驗而評價耐彎曲特性。
可撓性印刷配線板係如下所述進行製作。於聚醯亞胺樹脂膜(Kaneka股份有限公司製造之FRS-142#SW；厚度25μm)之兩面分別積層銅箔樣品，藉由真空熱壓，於360℃加熱5分鐘而製作銅箔積層板。藉由整面蝕刻去除該銅箔積層板一側之銅箔，於另一側之銅箔，以與MD(壓延平行方向)平行之方式形成L(線)/S(空間)=300μm/300μm之8條電路，從而製成可撓性印刷配線板。
如圖2所示進行彎曲試驗。首先，如(A)所示，藉由彎曲夾具以銅側成為外側之方式使可撓性印刷配線板F如(B)之方式彎曲。繼而，使用復原夾具打開彎曲之可撓性印刷配線板F(C)，將打開之彎曲部恢復成平坦(D)。將(A)~(D)設為1次180°密接彎曲，並反覆進行。
彎曲次數係如下進行判定。即，每當進行1次180°密接彎曲，使可撓性印刷配線板之銅箔電路流通一定電流，測定流通該電流所必須之電壓值，自測定之電壓值算出可撓性印刷配線板之銅箔電路之電阻值。於算出之電阻值成為初始值(上述彎曲前之電阻值)之120%以上時，判定產生斷裂。
彎曲次數係設為直至即將斷裂之前的180°密接彎曲之次數。
又，彎曲試驗係對各銅箔樣品製作5張可撓性印刷配線板並以n=5進行，採用各試驗中之彎曲次數之平均值。彎曲次數若為5次以上則良好。
將獲得之結果示於表1。
[表1]
Figure 109120157-A0202-12-0009-1
根據表1可知，於Copper方位之結晶方位密度未達10、且Brass方位之結晶方位密度未達20之各實施例之情形時，耐彎曲特性優異，較銅箔單體更嚴苛之CCL之彎曲性得到提高。
另一方面，於將最終退火溫度設為「回復」狀態之溫度的比較例1、2中，因最終冷軋而使Brass方位發達，Brass方位之結晶方位密度成為20以上，耐彎曲特性較差。再者，於比較例1中，因未添加P，故Copper方位容易生長，其結晶方位密度成為10以上。
於P之含量未達0.0005質量%(5質量ppm)之比較例3中，Copper方位之結晶方位密度成為10以上，耐彎曲特性較差。
於將最終退火溫度設為溫度高於「回復」狀態之「粒生長」狀態之溫度的比較例4、5中，因最終冷軋而使Copper方位發達，其結晶方位密度成為10以上，耐彎曲特性較差。

Claims (5)

  1. 一種可撓性印刷基板用銅箔，其係含有99.9質量%以上之Cu以及作為添加元素之0.0005~0.0220質量%之P，且剩餘部分由不可避免之雜質所構成的壓延銅箔，且
    Copper方位之結晶方位密度未達10，Brass方位之結晶方位密度未達20。
  2. 如請求項1之可撓性印刷基板用銅箔，其係使JIS-H3100(C1100)所規定之精銅或JIS-H3100(C1020)之無氧銅含有作為添加元素之0.0005~0.0220質量%之P而成。
  3. 如請求項1之可撓性印刷基板用銅箔，其表面粗糙度Sa未達0.2μm。
  4. 如請求項2之可撓性印刷基板用銅箔，其表面粗糙度Sa未達0.2μm。
  5. 如請求項1至4中任一項之可撓性印刷基板用銅箔，其厚度為12μm以下。
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